KR20170117188A - 전자 부품 - Google Patents

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KR20170117188A
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Abstract

몰드 수지층 형성 시의 커버 부재의 변형이 발생하기 어렵고, 방열성이 높은 전자 부품을 제공한다. 압전 기판(2) 상에 기능부를 구성하고 있는 전극이 형성되어 있다. 기능부가 면하는 중공부를 형성하기 위해, 프레임상의 제1 지지 부재(11)와, 제1 지지 부재(11)로 둘러싸인 내측 영역에 있어서 압전 기판(2) 상에 제2 지지 부재(12∼14)가 형성되어 있다. 제1, 제2 지지 부재(11, 12∼14) 상에 커버 부재(17)가 적층되어 중공부가 구성되어 있다. 제1 지지 부재(11)의 높이보다도, 제2 지지 부재(12∼14)의 높이가 높게 되어 있다.

Description

전자 부품
본 발명은 예를 들어 탄성 표면파 장치 등의 전자 부품에 관한 것이다.
탄성 표면파 장치 등에서는, 중공부를 갖는 패키지 구조가 채용되고 있다. 예를 들어 하기의 특허문헌 1에 기재된 전자 부품 패키지에서는, 부품 기판 상에, 복수의 전자 부품 소자가 배치되어 있다. 복수의 전자 부품 소자간을 구획하는 구획벽이 형성되어 있다. 이 구획벽 상에 중공부를 구성하기 위한 커버 부재가 형성되어 있다.
한편, 하기의 특허문헌 2에 기재된 탄성 표면파 디바이스에서는, 압전 기판의 하면에 IDT 전극이 형성되어 있다. IDT 전극이 형성되어 있는 부분을 밀봉하기 위해, 환상의 측벽과, 환상의 측벽 개구부를 밀봉하고 있는 덮개가 형성되어 있다. 또한, 덮개의 외표면에, 밀봉막이 적층되어 있다. 이 밀봉막을 덮도록 보호 수지부가 형성되어 있다. 보호 수지부는 덮개보다도 외측에 이르고 있고, 또한 덮개의 외측에서 압전 기판측에 이르고 있다.
일본 특허 공개 제2007-129002호 공보 일본 특허 공개 제2007-19943호 공보
특허문헌 1이나 특허문헌 2에 기재된 바와 같은 커버 부재나 덮개 등을 사용하여 중공부를 구성하는 구조에서는, 외측에 몰드 수지층이 더 형성되는 경우가 많다. 이와 같은 구조에서는, 내부에 열이 축적되기 쉽다. 그 때문에, 주파수 온도 특성이 열화되기 쉽다고 하는 문제가 있었다.
또한, 몰드 시의 수지의 유입 압력에 의해, 커버 부재나 덮개 혹은 특허문헌 2에 기재된 보호 수지부가, 중공부의 중앙 영역에 있어서 압전 기판측을 향하여 돌출되도록 변형될 우려가 있었다. 변형량이 커지면, IDT 전극 등에 커버 부재나 덮개 등이 접촉할 우려가 있었다.
본 발명의 목적은, 몰드 수지층 형성 시의 커버 부재의 변형을 억제할 수 있고, 또한 방열성이 높여져 있는 전자 부품을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 전자 부품은, 압전 기판과, 상기 압전 기판 상에 형성되어 있으며, 기능부를 구성하고 있는 전극과, 상기 기능부가 면하는 중공부를 형성하기 위해, 상기 압전 기판 상에 형성된 프레임상의 제1 지지 부재와, 상기 제1 지지 부재로 둘러싸인 내측 영역에 있어서 상기 압전 기판 상에 형성되어 있는 제2 지지 부재와, 상기 제1 및 제2 지지 부재 상에 적층되어, 상기 중공부를 구성하고 있는 커버 부재를 구비하고, 상기 제1 지지 부재의 높이보다도, 상기 제2 지지 부재의 높이가 높게 되어 있다.
본 발명에 따른 전자 부품의 어떤 특정한 국면에서는, 상기 제2 지지 부재가 복수 형성되어 있다.
본 발명에 따른 전자 부품의 다른 특정한 국면에서는, 상기 복수의 제2 지지 부재의 높이가 동일하게 되어 있다.
본 발명에 따른 전자 부품의 다른 특정한 국면에 의하면, 적어도 하나의 상기 제2 지지 부재의 높이가 나머지 제2 지지 부재의 높이와 상이하다.
본 발명에 따른 전자 부품의 또 다른 특정한 국면에서는, 적어도 하나의 상기 제2 지지 부재가, 복수의 재료층을 갖는다.
본 발명에 따른 전자 부품의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 지지 부재의 적어도 일부가 금속을 포함한다.
본 발명에 따른 전자 부품의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 지지 부재 상에 형성된 접합 부재가 더 구비되어 있다.
본 발명에 따른 전자 부품의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 커버 부재의 최상부의 높이가, 상기 접합 부재의 상단보다도 낮다.
본 발명에 따른 전자 부품의 다른 특정한 국면에서는, 상기 커버 부재의 최상부의 높이가, 상기 접합 부재의 상단보다도 높다.
본 발명에 따른 전자 부품의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 지지 부재와, 상기 제2 지지 부재가 상이한 재료를 포함한다.
본 발명에 따른 전자 부품의 다른 특정한 국면에서는, 상기 기능부에 있어서, 적어도 하나의 IDT 전극이 형성되어 있어, 탄성 표면파 장치가 구성되어 있다.
본 발명의 전자 부품에 의하면, 수지 몰드를 행하였다고 해도, 커버 부재의 변형이 발생하기 어렵다. 또한, 방열성을 효과적으로 높이는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이며, 도 2 중의 A-A선을 따르는 부분에 상당하는 부분의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 부품에 있어서, 커버 부재를 제거한 상태를 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에서 구성되어 있는 탄성 표면파 공진자의 전극 구조를 도시하는 모식적인 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 부품을 모듈 기판에 탑재하고, 몰드 수지층을 형성한 구조를 도시하는 정면 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제7 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제8 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제9 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명함으로써, 본 발명을 명백하게 한다.
또한, 본 명세서에 기재된 각 실시 형태는, 예시적인 것이며, 상이한 실시 형태간에 있어서, 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 전자 부품의 측면 단면도이며, 도 2는 본 실시 형태의 전자 부품에 있어서, 후술하는 커버 부재를 제거한 상태를 도시하는 개략적인 평면도이다.
또한, 도 1은 도 2의 A-A선을 따르는 부분에 상당하는 부분의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 전자 부품(1)은 압전 기판(2)을 갖는다. 압전 기판(2)은 42° Y커트 X전파의 LiTaO3 기판을 포함한다. 그렇다고는 해도, 압전 기판(2)의 재료는 이것에 한정되지 않는다. 다른 방위의 LiTaO3를 사용해도 되고, LiNbO3 등의 다른 압전 단결정을 사용해도 된다. 또한, 압전 세라믹스를 사용해도 된다.
서로 대향하는 제1, 제2 주면을 갖는 압전 기판(2)의 제1 주면 상에, 기능부를 구성하고 있는 복수의 IDT 전극(3)이 형성되어 있다. 실제로는, 도 3에 모식적 평면도로 도시한 바와 같이, IDT 전극(3)의 탄성 표면파의 전파 방향 양측에 반사기(4, 5)가 설치되어 있다. 그것에 의해, 탄성 표면파 공진자가 구성되어 있다. 또한, 복수의 IDT 전극(3)과, 압전 기판의 제1 주면 사이에는, 전기 기계 결합 계수를 조정하기 위해, 유전체막이 형성되어도 된다.
도 2에서는, 하나의 탄성 표면파 공진자가 구성되어 있는 부분을 X를 직사각형의 프레임으로 둘러싼 기호로 개략적으로 나타내는 것으로 한다. 즉, 도 2에 도시한 바와 같이, 탄성 표면파 공진자(6a∼6c, 7a, 7b)가 설치되어 있다. 도 1에서는, 이들 탄성 표면파 공진자(6a, 6b, 6c, 7b)가 설치되어 있는 부분에 있어서의 각 IDT 전극(3)이 도시되어 있는 것으로 된다.
압전 기판(2) 상에는, 상기 IDT 전극(3) 외에, 전극 랜드(8a, 8b, 8c, 8d)가 형성되어 있다. 또한, 도 2에서는, 제1 지지 부재(11) 상에 형성되는 복수의 땜납 범프(16a, 16b)가 형성되는 위치를 파선의 원으로 나타내는 것으로 한다.
IDT 전극(3) 등의 기능부를 구성하고 있는 전극은, 적당한 금속 혹은 합금을 포함한다. 본 실시 형태에서는, Ti막 상에 AlCu막을 적층하여 이루어지는 적층 금속막이 사용되고 있다. 또한, IDT 전극(3)은 전극 랜드(8a)에, 도시하지 않은 배선(distribution wiring)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 이 배선 및 전극 랜드(8a∼8d)는 Ti막 상에 AlCu막을 적층하여 이루어지는 적층 금속막 상에, Ti막 및 Al막을 더 적층하여 이루어지는 구조를 갖는다. 그렇다고는 해도, 배선 및 전극 랜드(8a∼8d)의 재료는 다른 적절한 금속 혹은 합금이어도 된다.
상기 IDT 전극(3) 및 전극 랜드(8a, 8b) 등은, 포토리소그래피법 등을 사용하여 형성할 수 있다.
각 탄성 표면파 공진자(6a∼6c, 7a, 7b)에서는, IDT 전극(3)을 포함하는 기능부를 구성하는 전극의 상방에 중공부를 형성할 필요가 있다. 따라서, 압전 기판(2) 상에 직사각형 프레임상의 제1 지지 부재(11)가 형성되어 있다. 또한, 제1 지지 부재(11)로 둘러싸인 내측 영역에는, 복수의 제2 지지 부재(12∼14)가 형성되어 있다. 제2 지지 부재(12, 13)는, 평면에서 보아 스트립상의 형상을 갖고 있다. 제2 지지 부재(12)는 탄성 표면파 공진자(6a, 6b) 간의 구획벽으로서 형성되어 있다. 제2 지지 부재(12)의 길이 방향이, 탄성 표면파 공진자(6a, 6b)의 탄성 표면파 전파 방향과 평행한 방향으로 되어 있다. 마찬가지로, 제2 지지 부재(13)의 길이 방향은, 양측의 탄성 표면파 공진자(6b, 6c)에 있어서의 탄성 표면파 전파 방향과 평행한 방향으로 되어 있다.
제2 지지 부재(12, 13)의 길이 방향은, 탄성 표면파 공진자(6a∼6c)의 탄성 표면파 전파 방향과 평행한 방향으로 한정되는 것은 아니다. 그렇다고는 해도, 탄성 표면파 공진자(6a∼6c)의 탄성 표면파 전파 방향의 길이가 길기 때문에, 탄성 표면파 전파 방향과 평행한 방향으로 제2 지지 부재(12, 13)를 형성하는 것이 바람직하다.
제2 지지 부재(14)는 평면에서 보아, 크랭크상의 형상을 갖고 있다. 이것은, 탄성 표면파 공진자(7a, 7b)가, 탄성 표면파 공진자(6a, 6b, 6c)에 있어서의 탄성 표면파 전파 방향에 있어서 병설되어 있는 것에 의한다. 크랭크상의 제2 지지 부재(14)는 탄성 표면파 공진자(6a∼6c, 7a, 7b)의 탄성 표면파 전파 방향과 평행한 방향으로 연장되는 제1 부분(14a) 및 제3 부분(14c)을 갖는다. 제1 부분(14a)의 내측단과, 제3 부분(14c)의 내측단이, 탄성 표면파 전파 방향과 직교하는 방향으로 연장되는 제2 부분(14b)에 의해 연결되어 있다. 제1 부분(14a)에 의해, 탄성 표면파 공진자(6c)와 탄성 표면파 공진자(7b)가 이격되어 있다. 제2 부분(14b)에 의해, 탄성 표면파 공진자(7a)와 탄성 표면파 공진자(7b)가 이격되어 있다.
상기한 바와 같이 제2 지지 부재의 평면 형상은, 스트립상에 한정되지 않고, 크랭크상 등의 적당한 평면 형상으로 할 수 있다.
또한, 프레임상의 제1 지지 부재(11)에 대해서도, 탄성 표면파 공진자(6a∼6c, 7a, 7b)와 같은 기능부가 면하는 중공부를 형성할 수 있는 한, 직사각형 프레임상에 한정되지 않는다. 원형이나 타원형이어도 된다.
제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)는, 본 실시 형태에서는, 합성 수지를 포함한다. 그렇다고는 해도, 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)는 합성 수지 이외의 재료, 예를 들어 금속이나 세라믹스에 의해 형성되어 있어도 된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 전극 랜드(8a, 8b)가 형성되어 있는 부분에 있어서는, 제1 지지 부재(11)를 관통하도록, 언더 범프 메탈층(15a, 15b)이 형성되어 있다. 언더 범프 메탈층(15a, 15b) 상에 땜납의 인쇄 및 리플로우법에 의해, 접합 부재로서의 땜납 범프(16a, 16b)가 형성되어 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 접합 부재는, 땜납 범프에 한정되지 않고, 다른 금속을 포함하는 부재, 또는, 수지 재료와 도전성 재료의 혼합 재료 등의 도전성 재료를 포함하는 부재여도 된다.
상기 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)의 상단에 접합되도록, 커버 부재(17)가 형성되어 있다.
그런데, 도 1에 도시한 바와 같이, 제2 지지 부재(12∼14)의 높이가, 제1 지지 부재(11)의 높이보다 높게 되어 있다. 특히, 본 실시 형태에서는, 중앙에 위치하는 제2 지지 부재(13)가 가장 높고, 제1 지지 부재(11)측에 위치하고 있는 제2 지지 부재(12, 14)의 높이가, 제2 지지 부재(13)의 높이와, 제1 지지 부재(11)의 높이 사이의 높이로 되어 있다. 그 때문에, 커버 부재(17)는 중앙에 있어서 가장 높고, 제1 지지 부재(11)측으로 감에 따라서 높이가 낮아지도록 만곡되어 있다. 또한, 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)의 높이는, 압전 기판의 제1 주면의 법선 방향에 있어서의 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)의 하단으로부터 상단까지의 거리로 한다.
한편, 커버 부재(17)는 합성 수지를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 커버 부재(17)가 상기와 같이 중앙 영역에서 상방으로 볼록해지도록 만곡된 상태에서 지지되어 있다. 보다 바람직하게는, 커버 부재(17)의 상방측에 인장 응력이 잔류하고 있다. 그 때문에, 후술하는 바와 같이, 몰드 수지층 형성 시의 압력에 의해, 커버 부재(17)가 하방으로 볼록해지는 변형이, 종래 기술에 비해 발생하기 어렵다. 특히, 커버 부재(17)의 상방측의 인장 응력이, 커버 부재(17)가 하방으로 볼록해지도록 변형시키는 몰드 수지층 형성 시의 응력을 상쇄하는 작용에 의해, 상방으로 볼록해지는 만곡이 하방으로 볼록해지는 만곡으로 변형되기 어렵다.
또한, 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)의 높이가 상기와 같이 설정되어 있기 때문에, 모든 지지 부재의 높이가 동일한 경우에 비해, 커버 부재(17)가 몰드 수지와 접촉하는 면적을 크게 할 수 있다. 그것에 의해, 방열 경로가 많아져, 방열성을 효과적으로 높일 수 있다. 이것을, 모듈 기판 및 몰드 수지층이 형성된 도 4에 도시한 구조를 설명하는 것에 의해 명백하게 한다.
도 4에 도시한 모듈형 전자 부품(21)은 모듈 기판(22)을 갖는다. 모듈 기판(22)은 알루미나 등의 적당한 절연성 재료를 포함한다. 모듈 기판(22)의 한쪽 주면 상에, 전극 랜드(23a, 23b)가 형성되어 있다. 전극 랜드(23a, 23b)는, 적당한 금속 혹은 합금을 포함한다. 전극 랜드(23a, 23b)에 땜납 범프(16b, 16a)가 접합되어, 제1 실시 형태의 전자 부품(1)이 모듈 기판(22)에 실장되어 있다.
전자 부품(1)의 주위를 덮도록, 몰드 수지층(24)이 형성되어 있다. 몰드 수지층(24)은 전자 부품(1)의 측방을 밀봉하고, 또한 커버 부재(17)와 모듈 기판(22) 사이를 채우고 있다. 따라서, 모듈형 전자 부품(21)에서는, 내부의 전자 부품(1)을 몰드 수지층(24)에 의해 보호할 수 있다. 게다가, 전술한 바와 같이, 커버 부재(17)와 몰드 수지층(24)의 접촉 면적이 크게 되어 있다. 그 때문에, 몰드 수지층(24)을 통과하는 방열 경로가 많아진다. 따라서, 방열성을 효과적으로 높일 수 있다.
또한, 몰드 수지층(24)의 형성 시에는, 수지에 의한 압력이 커버 부재(17)에 가해지지만, 커버 부재(17)의 장력이 높기 때문에, 커버 부재(17)의 변형이 발생하기 어렵다. 게다가, 커버 부재(17)는 중앙측에 있어서 압전 기판(2)으로부터 멀어지는 방향으로 만곡되어 있다. 따라서, 압력이 가해졌다고 해도, 커버 부재(17)가 IDT 전극(3)측으로 크게 변형되지 않는다. 따라서, IDT 전극(3)과 커버 부재(17)의 접촉도 발생하기 어렵다.
상기 제1 지지 부재(11), 제2 지지 부재(12∼14)를 구성하는 합성 수지로서는, 폴리이미드 등의 적당한 열경화성 수지를 적합하게 사용할 수 있다. 바람직하게는, 감광성 폴리이미드를 사용하여, 포토리소그래피법에 의해 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)를 형성할 수 있다. 제1 지지 부재(11)가 형성되어 있는 부분에 있어서의 폴리이미드의 선폭은, 내측의 제2 지지 부재(12∼14)가 형성되어 있는 부분보다 가늘다.
상기 감광성 폴리이미드를 도포하고, 패터닝한 후, 질소 분위기 하에서, 예를 들어 300℃×1시간의 열처리를 실시한다. 이에 의해, 감광성 폴리이미드를 경화시켜, 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)를 형성할 수 있다. 그렇다고는 해도, 제1 지지 부재(11) 및 제2 지지 부재(12∼14)의 형성 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다.
커버 부재(17)를 구성하는 합성 수지에 대해서도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 에폭시 수지 등의 열경화성 수지를 적합하게 사용할 수 있다.
언더 범프 메탈층(15a, 15b) 및 땜납 범프(16a, 16b)의 형성은, 커버 부재(17)를 적층한 후에 행하면 된다. 예를 들어, 레이저 가공에 의해 커버 부재(17) 및 제1 지지 부재(11)를 관통하는 관통 구멍을 형성한다. 그러한 후, 도금 성장법 등에 의해 언더 범프 메탈층(15a, 15b)을 형성한다. 다음에, 언더 범프 메탈층(15a, 15b) 상에, 땜납의 인쇄 및 리플로우법에 의해 땜납 범프(16a, 16b)를 형성할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 땜납 범프(16a, 16b)의 높이는, 커버 부재(17)의 가장 높은 위치보다도 높게 되어 있다. 따라서, 땜납 범프(16a, 16b)측으로부터 모듈 기판 등에 용이하게 실장할 수 있다.
본 발명에 있어서의 커버 부재 및 제1, 제2 지지 부재의 형상 및 배치 등에 대해서는 상기 실시 형태에 한정되지 않는다. 예로서 도 5∼도 12에 도시한 제2∼제9 실시 형태를 설명함으로써 명백하게 한다. 또한, 도 5∼도 12는, 각각, 도 1과 동일한 부분에 상당하는 부분의 단면도인 것을 지적해 둔다. 또한, 제1 실시 형태와 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙임으로써, 설명을 생략하기로 한다.
또한, 도 5∼도 11에 있어서 땜납 범프(16a, 16b)의 상단을 연결하는 파선 H를 도시한다. 파선 H에 의해, 땜납 범프의 상단의 높이와, 커버 부재의 최상부의 높이의 대비가 용이해진다.
도 5에 도시한 제2 실시 형태의 전자 부품(31)에서는, 중앙에 위치하고 있는 제2 지지 부재(13A)의 높이가, 제2 지지 부재(12, 14)의 높이보다 낮게 되어 있다. 제2 지지 부재(13A)의 높이는, 제1 지지 부재(11)의 높이보다는 높게 되어 있다. 이와 같이, 제1 지지 부재(11)측의 제2 지지 부재(12, 14)보다도, 중앙측의 제2 지지 부재(13A)의 높이를 낮게 해도 된다. 이 경우, 커버 부재(17)가 제2 지지 부재(12) 및 제2 지지 부재(14)가 형성되어 있는 부분의 2개소에서 상방으로 돌출되도록 만곡되어 있다. 따라서, 커버 부재(17)의 장력이 높여져 있다. 따라서, 장력이 높여지고, 또한 몰드 수지와의 접촉 면적을 보다 한층 더 크게 할 수 있다. 그 때문에, 몰드 수지층 형성 시의 커버 부재(17)의 변형이 발생하기 어렵고, 또한 방열성을 보다 한층 더 효과적으로 높일 수 있다.
도 6에 도시한 제3 실시 형태의 전자 부품(32)에서는, 제2 지지 부재(14A)의 높이가 제2 지지 부재(13)보다도 높게 되어 있다. 이와 같이, 제1 지지 부재(11)의 바로 내측의 제2 지지 부재(14A)의 높이를, 중앙측의 제2 지지 부재(13)의 높이보다도 높고 해도 된다. 그 밖의 구성은, 전자 부품(32)은 전자 부품(1)과 마찬가지이다.
또한, 도 7에 도시한 제4 실시 형태의 전자 부품(33)과 같이, 제2 지지 부재(12A)의 높이를 중앙측의 제2 지지 부재(13)보다도 높게 해도 된다.
전자 부품(32, 33)과 같이, 중앙측의 제2 지지 부재(13)에 비해, 제1 지지 부재(11)측에 위치하고 있는 제2 지지 부재(14A)나 제2 지지 부재(12A)의 높이를 가장 높게 해도 된다.
또한, 도 8은 제5 실시 형태에 따른 전자 부품(34)의 측면 단면도이다. 전자 부품(34)에서는, 커버 부재(17)가 전자 부품(1)과 마찬가지로, 중앙 영역에 있어서, 압전 기판(2)으로부터 멀어지는 방향으로 돌출되어 있다. 즉, 제2 지지 부재(13)의 높이가, 양측의 제2 지지 부재(12, 14)의 높이보다도 높게 되어 있다. 또한, 제2 지지 부재(12∼14)의 높이가, 제1 지지 부재(11)보다도 높게 되어 있다. 그렇다고는 해도, 전자 부품(34)에서는, 커버 부재(17)의 최상부가, 땜납 범프(16a, 16b)의 상단보다도 높게 되어 있다. 즉, 커버 부재(17)의 최상부가, 땜납 범프(16a, 16b)의 상단보다도 높아지도록, 제2 지지 부재(12∼14)의 높이가, 제1 지지 부재(11)보다도 높게 되어 있다. 이와 같이, 커버 부재(17)의 최상부에 비해, 땜납 범프(16a, 16b)의 상단이 낮아도 된다. 그 경우라도, 모듈 기판에 실장할 때, 모듈 기판(22) 상에 형성되는 전극 랜드의 높이를 높게 해 두면 된다.
도 9에 도시한 제6 실시 형태에 따른 전자 부품(35)에 있어서도, 전자 부품(34)과 마찬가지로, 커버 부재(17)의 최상부가, 땜납 범프(16a, 16b)의 상단보다도 높게 되어 있다. 전자 부품(35)에서는, 전자 부품(31)과 마찬가지로, 중앙의 제2 지지 부재(13A)의 높이가, 양측의 제2 지지 부재(12, 14)의 높이보다도 낮게 되어 있다.
도 10에 도시한 제7 실시 형태에 따른 전자 부품(36)에서는, 제2 지지 부재(14A)의 높이가 제2 지지 부재(13)보다도 높게 되어 있다. 도 11에 도시한 제8 실시 형태에 따른 전자 부품(37)에서는, 제2 지지 부재(12A)의 높이가 제2 지지 부재(13)와 동등하게 되어 있다. 전자 부품(36, 37)에서는, 전자 부품(34)과 마찬가지로, 커버 부재(17)의 최상부가, 땜납 범프(16a, 16b)의 상단보다도 높게 되어 있다. 또한, 전자 부품(36, 37)에서는, 커버 부재(17)의 최상부는, 중앙의 제2 지지 부재(13)가 형성되어 있는 부분이 아니라, 제1 지지 부재(11)의 바로 내측에 위치하고 있는 제2 지지 부재(14A 또는 12A)가 형성되어 있는 부분으로 된다.
도 12에 도시한 제9 실시 형태에 따른 전자 부품(38)에서는, 땜납 범프(16a, 16b)가 형성되어 있는 부분에 있어서는, 땜납 범프(16a, 16b)의 하방의 제1 지지 부재(11)의 일부가 금속을 포함하고 있다. 도 12에 도시한 단면에서는, 땜납 범프(16a, 16b)를 전기적으로 접속할 필요가 있기 때문에, 금속을 포함하는 지지 부재 부분(11a)이 형성되어 있다. 이 경우, 제1 지지 부재(11)에 의한 커버 부재(17)의 지지의 강도를 높일 수 있다. 또한, 제1 지지 부재(11)는 프레임상의 형상을 갖고, 이 프레임상의 형상의 전체에 걸쳐 금속으로 형성되어 있는 것은 아니다. 절연성 재료를 포함하는 나머지 부분과, 땜납 범프(16a, 16b)가 형성되어 있는 부분의 하방에 위치하고 있는 지지 부재 부분(11a)이 접합되어, 제1 지지 부재(11)가 구성되어 있다. 그렇다고는 해도, 제1 지지 부재(11)의 전체가 금속을 포함해도 된다.
이와 같이, 제1 지지 부재(11)는 제2 지지 부재(12∼14)와 상이한 재료를 포함하고 있어도 된다.
그렇다고는 해도, 바람직하게는 제1 지지 부재(11)와 제2 지지 부재(12∼14)는 동일한 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 그것에 의해, 비용의 저감 및 프로세스의 간략화를 도모할 수 있다.
또한, 땜납 범프(16a, 16b) 대신에, Au 등의 다른 금속을 포함하는 금속 범프를 사용해도 된다.
또한, 제2 지지 부재는, 도 12의 상기 제2 지지 부재(12∼14)와 같이, 복수의 재료층(12a, 12b, 13a, 13b, 14d, 14e)을 적층한 구조를 갖고 있어도 된다. 그것에 의해 제2 지지 부재(12∼14)의 강도를 조정할 수 있다.
상술한 각 실시 형태에서는, IDT 전극을 갖는 탄성 표면파 공진자가 구성되어 있었다. 본 발명에 있어서는, 이와 같은 기능부는, 탄성 표면파 공진자에 한정되지 않고, 다른 탄성 표면파 공진자나 탄성 표면파 필터여도 된다. 또한, 기능부는, 중공부를 필요로 하는 기능부이면 되고, 탄성파 소자를 구성하는 것에 한정되지 않는다.
1 : 전자 부품
2 : 압전 기판
3 : IDT 전극
4, 5 : 반사기
6a∼6c, 7a, 7b : 탄성 표면파 공진자
8a, 8b, 8c, 8d : 전극 랜드
11 : 제1 지지 부재
11a : 지지 부재 부분
12∼14, 12A∼14A : 제2 지지 부재
12a, 12b : 재료층
13a, 13b, 14d, 14e : 재료층
14a∼14c : 제1∼제3 부분
15a, 15b : 언더 범프 메탈층
16a, 16b : 땜납 범프
17 : 커버 부재
21 : 모듈형 전자 부품
22 : 모듈 기판
23a, 23b : 전극 랜드
24 : 몰드 수지층
31∼38 : 전자 부품

Claims (11)

  1. 압전 기판과,
    상기 압전 기판 상에 형성되어 있으며, 기능부를 구성하고 있는 전극과,
    상기 기능부가 면하는 중공부를 형성하기 위해서, 상기 압전 기판 상에 형성된 프레임상(狀)의 제1 지지 부재와,
    상기 제1 지지 부재로 둘러싸인 내측 영역에 있어서 상기 압전 기판 상에 형성되어 있는 제2 지지 부재와,
    상기 제1 및 제2 지지 부재 상에 적층되어, 상기 중공부를 구성하고 있는 커버 부재
    를 구비하고,
    상기 제1 지지 부재의 높이보다도, 상기 제2 지지 부재의 높이가 높게 되어 있는 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 지지 부재가 복수 형성되어 있는 전자 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 제2 지지 부재의 높이가 동일하게 되어 있는 전자 부품.
  4. 제2항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제2 지지 부재의 높이가 나머지 상기 제2 지지 부재의 높이와 상이한 전자 부품.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 제2 지지 부재가 복수의 재료층을 갖는 전자 부품.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재의 적어도 일부가 금속을 포함하는 전자 부품.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재 상에 형성된 접합 부재를 더 구비하는 전자 부품.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 커버 부재의 최상부의 높이가 상기 접합 부재의 상단보다도 낮은 전자 부품.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 커버 부재의 최상부의 높이가 상기 접합 부재의 상단보다도 높은 전자 부품.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 지지 부재와 상기 제2 지지 부재가 상이한 재료를 포함하는 전자 부품.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기능부에 있어서, 적어도 하나의 IDT 전극이 형성되어 있어, 탄성 표면파 장치가 구성되어 있는 전자 부품.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107251428B (zh) * 2015-03-27 2020-10-23 株式会社村田制作所 弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法
JP6350510B2 (ja) * 2015-12-24 2018-07-04 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP6787797B2 (ja) * 2017-01-19 2020-11-18 新日本無線株式会社 電子デバイスの製造方法
CN110663178B (zh) * 2017-05-26 2023-01-17 株式会社村田制作所 电子部件以及具备该电子部件的模块
WO2021100505A1 (ja) * 2019-11-18 2021-05-27 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019943A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波ディバイス
JP2007129002A (ja) 2005-11-02 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品パッケージ
JP2007318058A (ja) * 2006-04-27 2007-12-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2008005241A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Murata Mfg Co Ltd フィルタ装置
JP2014072607A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Kyocera Crystal Device Corp 水晶デバイス

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004336671A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
CN104662797B (zh) 2012-09-25 2017-06-09 株式会社村田制作所 弹性波装置及其制造方法
JP6261867B2 (ja) * 2013-01-25 2018-01-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスの製造方法
JP2014146896A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の製造方法および電子部品
KR101804496B1 (ko) * 2013-07-17 2017-12-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전자부품 및 그 제조방법
JP2015097733A (ja) * 2013-11-20 2015-05-28 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイスおよびその製造方法並びに電子機器および超音波画像装置
DE112016002901B4 (de) * 2015-06-25 2021-09-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Vorrichtung für elastische Wellen

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007019943A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Alps Electric Co Ltd 表面弾性波ディバイス
JP2007129002A (ja) 2005-11-02 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品パッケージ
JP2007318058A (ja) * 2006-04-27 2007-12-06 Murata Mfg Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2008005241A (ja) * 2006-06-22 2008-01-10 Murata Mfg Co Ltd フィルタ装置
JP2014072607A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Kyocera Crystal Device Corp 水晶デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016158744A1 (ja) 2017-06-01
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US10812042B2 (en) 2020-10-20

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