KR20170103897A - 발광 장치 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

배선 기판(51) 상에 LED 소자(52)를 이방 도전성 접착제(50)를 통하여 접합하여 발광 장치를 제조한다. 이 제조에 있어서는, 배선 기판(51) 상에 이방 도전성 접착제(50)를 배치하고, 그 위에 LED 소자(52)를 배치한다. 이방 도전성 접착제(50)에는, 중합성을 갖는 에폭시 변성 실리콘계 수지와 금속 킬레이트 화합물을 함유시켜 두고, LED 소자(52)를 가압체(53)에 의해 가압하는 때에는, 배선 기판(51)을 160℃ 이상 210℃ 이하의 온도를 유지시킴과 함께, 가압체(53)를 배선 기판(51)보다도 저온으로 하고, 소정의 가압 시간만큼 가압한다. 에폭시 변성 실리콘계 수지와 금속 킬레이트 화합물은 저온에서 반응하므로, 형광체층을 붕괴시키지 않고 LED 소자(52)를 배선 기판(51)에 임시 접속할 수 있다.

Description

발광 장치 제조 방법
본 발명은 LED 소자를 사용한 발광 장치를 제조하는 기술에 관한 것으로서, 특히, 형광체층을 갖는 LED 소자를 배선 기판에 고정하는 기술에 관한 것이다.
LED 등의 칩 부품을 회로 기판에 실장하는 방법으로서, 에폭시계 접착제에 도전성 입자를 분산시킨 이방 도전성 접착제를 사용하여, 칩 부품을 플립 칩 실장하는 방법이 널리 채용되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조.). 이 방법에 의하면, 칩 부품과 회로 기판 사이가, 이방 도전성 접착제에 함유되는 도전성 입자에 의해 전기적으로 접속되기 때문에, 접속 프로세스에 필요로 하는 시간을 짧게 할 수 있어, 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
그리고 현재는, 형광체층을 사용한 LED 소자를 사용하여 얻어지는 백색 발광 장치가 조명 장치의 주류로 되어 있어, 여러가지 기술이 개발되어 있다. 예를 들어, 범프에 땜납을 사용하고, 리플로우하여 LED 소자를 배선 기판에 접속하는 기술이 있는데(특허문헌 3,4 등), 가열 초음파 등에 의해 리플로우하는 경우에는, 발광하는 본체 반도체 칩과, 발광광을 백색화하는 형광체층 사이에 박리가 발생된다는 문제가 있다. 또한, 땜납만으로 본체 반도체 칩을 배선 기판에 고정하고자 하면, 본체 반도체 칩이 배선 기판으로부터 박리될 우려가 있다.
해결책으로서는, 배선 기판의 표면에 플럭스를 도포하거나, 리플로우 시에 가중을 가하는 등의 방법을 들 수 있지만, 플럭스 세정 시에 형광체층의 박리가 발생되기 쉽고, 또한, 고온 하에서 가중이 가해지며, 형광체층이 무너진다는 문제가 있다.
일본 특허 공개 제2010-24301호 공보 일본 특허 공개 제2012-186322호 공보 일본 특허 공개 제2012-216712호 공보 일본 특허 공개 제2013-541805호 공보
본 발명은 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 창작된 것이며, 그 목적은, 형광체층을 파괴하지 않고, 발광 장치가 얻어지는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 발명자는, 에폭시 변성 실리콘계 수지가, 산 무수물이나 이미다졸 화합물을 경화제에 사용했을 때보다도, 금속 킬레이트 화합물을 경화제로서 사용했을 때의 쪽이 저온에서 중합 반응이 진행해버리는 것이나, 형광체층이, LED 소자와 배선 기판 사이를 임시 접속할 때에 붕괴되어버리는 것의 이유가, 열 압착이 장시간이거나, 열 압착 온도가 고온이거나 하는 점에 있는 것을 발견하고, 임시 접속을 행할 때의 배선 기판의 온도를 저온으로 하는 것과, 금속 킬레이트 화합물을 채용하는 것에 의해, 이방 도전성 접착제를 사용한 LED 소자를 임시 접속하는 공정에 있어서, 이방 도전성 접착제에 함유된 에폭시 변성 실리콘계 수지를 저온 단시간에, 금속 킬레이트 화합물에 의해 중합 반응시키는 본 발명을 발명하였다. 형광체층을 저온으로 하기 위해서는, 가압체를 배선 기판보다도 저온으로 하는 것도 채용할 수 있다.
상기 관점에 의해, 본 발명은 배선 기판 상에 배치되고, 중합 성분과 경화제를 함유하는 이방 도전성 접착제 상에 LED 소자를 배치하는 배치 공정과, 상기 LED 소자를 소정의 가압 시간, 가압체로 가압하면서, 상기 이방 도전성 접착제를 승온시켜서, 상기 중합 성분의 일부를 상기 경화제에 의해 중합 반응시켜서, 상기 LED 소자를 상기 배선 기판에 임시 접속하는 1차 가열 공정과, 임시 접속된 상기 배선 기판과 상기 이방 도전성 접착제와 상기 LED 소자를 승온시켜서, 상기 중합 성분을 중합 반응시켜서, 상기 이방 도전성 접착제를 경화시켜, 본 접속시키는 2차 가열 공정을 갖는 발광 장치 제조 방법이며, 상기 LED 소자는 형광체층을 갖고 있으며, 상기 중합 성분에는 에폭시 변성 실리콘계 수지를 함유시키고, 상기 경화제에는, 금속 킬레이트 화합물을 사용하고, 상기 1차 가열 공정에서는, 상기 배선 기판을 160℃ 이상 210℃ 이하의 온도에서 소정의 가압 시간 가압하는 발광 장치 제조 방법이다.
또한 본 발명은 발광 장치 제조 방법이며, 상기 가압 시간은, 60초 이하의 시간으로 하는 발광 장치 제조 방법이다.
또한 본 발명은 상기 어느 하나의 발광 장치 제조 방법이며, 상기 2차 가열 공정에서의 상기 배선 기판의 온도는, 상기 1차 가열 공정에서의 상기 배선 기판의 온도보다도 낮게 하고, 상기 2차 가열 공정에서의 상기 배선 기판을 가열하는 가열 시간은, 상기 가압 시간보다도 길게 하는 발광 장치 제조 방법이다.
또한 본 발명은 상기 어느 하나의 발광 장치 제조 방법이며, 상기 가압체에는, 20℃ 이상 40℃ 이하의 온도를 유지시키는 발광 장치 제조 방법이다.
플럭스를 사용하지 않으므로, 세정 공정이 불필요하다. 또한, 형광체층이 붕괴되지 않으므로, 양품률이 향상된다.
도 1의 (a) 내지 (d): 본 발명의 제조 공정을 설명하기 위한 사시도
도 2의 (a) 내지 (c): 본 발명의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도(파트 1)
도 3의 (d) 내지 (f): 본 발명의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도(파트 2)
<이방 도전성 접착제>
본 발명에 사용하는 이방 도전성 접착제는, 도전성 페이스트를 포함하는 것이며, 결합제 수지인 에폭시 변성 실리콘계 수지와, 잠재성 경화제인 금속 킬레이트와, 도전 성분인 금속 성분을 함유한다. 이 이방 도전성 접착제는, 플럭스를 포함하지 않는 것이다.
결합제 수지인 에폭시 변성 실리콘계 수지는, 점도 안정성 및 내열성이 높은 점에서 바람직한 것이다. 이러한 에폭시 변성 실리콘계 수지로서는, 예를 들어, 하기 일반식 (1)로 표현되는 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산을 사용할 수 있다.
Figure pct00001
여기서, R은 탄소수 1 내지 6의 저급 알킬기 등의 알킬기, 또는 탄소환식 방향족기, 복소환식 방향족 등의 아릴기이다. 알킬기의 바람직한 구체예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기를 들 수 있고, 특히 바람직한 알킬기로서는 메틸기를 들 수 있다. 또한, 아릴기의 바람직한 구체예로서는, 페닐기를 들 수 있다. n은 1 내지 40의 수이며, 바람직하게는 1 내지 9의 수, 보다 바람직하게는 1 또는 2의 수이다.
에폭시 변성 실리콘계 수지는, 일반식 (1)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산 이외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 복소환계 에폭시 화합물이나 지환식 에폭시 화합물이나 수소 첨가 에폭시 화합물 등을 함유할 수 있다.
복소환계 에폭시 화합물로서는, 트리아진환을 갖는 에폭시 화합물을 들 수 있고, 예를 들어, 1,3,5-트리스(2,3-에폭시프로필)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온(환언하면, 트리글리시딜이소시누레이트)을 들 수 있다.
지환식 에폭시 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 것을 바람직하게 들 수 있다. 이들은 액상이어도 되고, 고체상이어도 된다. 구체적으로는, 글리시딜헥사히드로 비스페놀 A, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물에 LED 소자의 실장 등에 적합한 광투과성을 확보할 수 있고, 속경화성도 우수한 점에서, 글리시딜헥사히드로 비스페놀 A, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복실레이트를 바람직하게 사용할 수 있다.
수소 첨가 에폭시 화합물로서는, 전술한 복소환계 에폭시 화합물이나 지환식 에폭시 화합물의 수소 첨가물이나, 기타 공지된 수소 첨가 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 이들 지환식 에폭시 화합물이나 복소환계 에폭시 화합물이나 수소 첨가 에폭시 화합물은, 일반식 (1)의 디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산에 대하여 단독으로 병용해도 되지만, 2종 이상을 병용해도 된다. 또한, 이들 에폭시 화합물에 추가로 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 다른 에폭시 화합물을 병용해도 된다. 예를 들어, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 테트라메틸 비스페놀 A, 디아릴 비스페놀 A, 하이드로퀴논, 카테콜, 레조르신, 크레졸, 테트라브로모 비스페놀 A, 트리히드록시 비페닐, 벤조페논, 비스레조르시놀, 비스페놀헥사플루오로아세톤, 테트라메틸 비스페놀 A, 테트라메틸 비스페놀 F, 트리스(히드록시페닐)메탄, 비크실레놀, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등의 다가 페놀과 에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 글리시딜에테르; 글리세린, 네오펜틸글리콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 지방족 다가 알코올과 에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 폴리글리시딜에테르; p-옥시벤조산, β-옥시나프토산과 같은 히드록시카르복실산과 에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 글리시딜에테르에스테르; 프탈산, 메틸프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 테트라히드로프탈산, 엔도메틸렌테트라히드로프탈산, 엔도메틸렌헥사히드로프탈산, 트리멜리트산, 중합 지방산과 같은 폴리카르복실산으로부터 얻어지는 폴리글리시딜에스테르; 아미노페놀, 아미노알킬페놀로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에테르; 아미노벤조산으로부터 얻어지는 글리시딜아미노글리시딜에스테르; 아닐린, 톨루이딘, 트리브로무아닐린, 크실릴렌디아민, 디아미노시클로헥산, 비스아미노메틸시클로헥산, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰 등으로부터 얻어지는 글리시딜아민; 에폭시화 폴리올레핀 등의 공지의 에폭시 화합물류를 들 수 있다.
금속 킬레이트 화합물은, 그 중심 금속은 특별히 한정되지 않고 중심 금속이 알루미늄, 지르코늄, 티타늄 등 다양한 것을 사용할 수 있다. 이들 금속 킬레이트 중에서도 특히 반응성이 높은 알루미늄 킬레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
알루미늄 킬레이트제로서는, 하기 일반식 (2)에 표현되는, 3개의 β-케토엔올레이트 음이온이 알루미늄에 배위된 착체 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00002
여기서, R1, R2 및 R3는, 각각 독립적으로 알킬기 또는 알콕실기이다. 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기 등을 들 수 있다. 알콕실기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 올레일옥시기를 들 수 있다.
일반식 (2)로 표현되는 알루미늄 킬레이트제의 구체예로서는, 알루미늄트리스(아세틸아세토네이트), 알루미늄트리스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄모노아세틸아세토네이트비스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄모노아세틸아세토네이트비스올레일아세토아세테이트, 에틸아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트, 알킬아세토아세테이트알루미늄디이소프로필레이트 등을 들 수 있다.
금속 킬레이트 화합물은, 다공질 입자 중에 함침시킨 상태에서, 이방 도전성 접착제에 함유시켜, 잠재성 경화제로서 사용하는 것이 바람직하다. 금속 킬레이트 화합물에 추가로, 실란 화합물을 보조적인 경화제로서 배합할 수도 있다.
도전 성분인 금속 성분은, 분말 상태의 금속을 포함하는 것이다. 금속 성분을 구성하는 금속으로서는, 금, 은, 구리, 니켈, 표면이 금속 도금된 수지 입자 등을 사용할 수 있다.
금속 분말의 입자 직경은, 도포 안정성을 확보하는 관점에서, 평균 입자 직경이 3㎛ 이상 10㎛ 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이방 도전성 접착제 중에는 열전도성 필러를 함유시켜도 된다. 열전도성 필러의 일례로서, 땜납, 무납 땜납, 산화아연, 질화붕소, 산화알루미늄 등을 들 수 있다. 그들 중, 방열성과 비용의 관점에서는, 무납 땜납이 바람직하다.
본 발명의 경우, 이방 도전성 접착제 중에 있어서의, 에폭시 변성 실리콘계 수지와 금속 킬레이트 화합물의 배합비(중량％)는 100:2 내지 100:10으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 에폭시 변성 실리콘계 수지와 금속 성분의 배합비(체적％)는 100:1 내지 100:30으로 하는 것이 바람직하다. 한편, 에폭시 변성 실리콘계 수지와 열전도성 필러의 배합비(체적％)에 대해서도, 100:1 내지 100:30으로 하는 것이 바람직하다.
<발광 장치의 제조 공정>
우선, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 알루미늄(Al) 배선층이 형성된 세라믹을 포함하는 배선 기판(51)(두께 0.4mm)을 스테이지(55) 상에 배치하고, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 각 배선 기판(51)의 Al 배선층 상에 이방 도전성 접착제(50)를 약 10μg 각각 배치하고, 배선 기판(51)의 Al 배선층을 이방 도전성 접착제(50)와 접촉시킨다. 그 상태의 단면도를, 도 2의 (a)에 도시하였다. 도면 중의 부호(54)는 도전 입자이며, 여기에서는 표면이 금속 도금된 수지 입자이다. 도전 입자(54)의 입경은, 5㎛ 이상 7㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 도면 중의 부호(59)는 열전도성 필러이며, 입경은 3㎛ 이상 10㎛ 이하이고, 여기에서는 무납 땜납의 입자가 사용되고 있다.
스테이지(55)에는, 가열 장치(56)가 설치되어 있다. 가열 장치(56)에 설치된 발열체(57)에는 전원 장치(58)로부터 전류가 흘려지고 있고, 발열체(57)의 발열에 의해 스테이지(55)는 미리 소정 온도로 승온되어 있다. 배선 기판(51)과, 배선 기판(51) 상의 이방 도전성 접착제(50)는, 승온한 스테이지(55)로부터 가열되어, 승온된다.
이어서, 도 1의 (c), 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 이방 도전성 접착제(50) 상에 LED 소자(52)(사이즈: 0.65mm×0.65mm, 두께 0.36mm)를 배치한다. LED 소자(52)는 본체 반도체 칩(17)의 편면에 형광체층(16)이 배치되고, 반대측의 면에 전극(61)이 설치되어 있고, 전극(61)이 이방 도전성 접착제(50)에 접촉하여 배치된다.
여기에서는, 형광체층(16)은 표면에 보호층을 갖고 있으며, 도 1의 (d), 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, 압착 장치에 설치된 가압체(53)를 LED 소자(52)의 형광체층(16)의 표면에 접촉시킨다.
가압체(53)는 20℃ 이상 40℃ 이하의 실온 정도의 온도를 유지하도록 온도 제어되어 있고, 스테이지(55)는 배선 기판(51)이 160℃ 이상 210℃ 이하, 바람직하게는 180℃ 이상 190℃ 이하의 온도로 되도록 온도 제어되어 있다.
그 상태에서, 가압체(53)에 의해 LED 소자(52)가 가압되면, 이방 도전성 접착제(50)는 LED 소자(52)가 가압체(53)로부터 가해지는 가압력에 의해 배선 기판(51)의 외측을 향하여 압출되고, LED 소자(52)와 배선 기판(51) 간의 거리가 근접하고, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 배선 기판(51)의 Al 배선층과 LED 소자(52)의 전극(61) 사이에 위치하는 도전 입자(54)는 배선 기판(51)의 Al 배선층과 전극(61)의 양쪽에 접촉하고, 배선 기판(51)의 Al 배선층과 전극(61)이 도전 입자(54)를 통하여 전기적으로 접속된다.
이방 도전성 접착제(50)는 승온한 배선 기판(51)에 의해 1차 가열되어, 승온되어 있고, 승온에 의해 이방 도전성 접착제(50)에 함유되는 금속 킬레이트 화합물이, 함유된 에폭시 변성 실리콘계 수지(디글리시딜이소시아누릴 변성 폴리실록산)의 일부를 중합시키면, 중합 반응에 의해 얻어진 화합물에 의해, LED 소자(52)가 배선 기판(51)에 접착된다.
LED 소자(52)의 형광체층(16)은 190℃보다도 고온으로 가열되면, 붕괴되는 성질을 갖고 있으며, 본 예에서는, 가압체(53)는 상한 210℃인 배선 기판(51)보다도 낮은 온도로 되어 있기 때문에, 배선 기판(51)과 가압체(53) 사이에 끼워진 LED 소자(52)가 1차 가열되는 온도는, 배선 기판(51)의 상한 온도 210℃보다도 저온으로 되도록 되어 있다.
또한, 형광체층(16)은 가압된 상태에서 승온되면 붕괴되기 쉬우므로, 가압체(53)가 LED 소자(52)를 가압하는 가압 시간은 20초 이하에 설정되어 있고, 형광체층(16)이 붕괴되지 않도록 되어 있다.
가압 시간이 경과하여, 가압체(53)에 의한 가압이 종료되면, 도 3의 (e)에 도시한 바와 같이, 가압체(53)가 LED 소자(52)로부터 이격된다. 이 상태에서는, LED 소자(52)는 배선 기판(51)에 접착되어 있고, LED 소자(52)와 배선 기판(51)은, 상대적으로 이동하지 않는 임시 접속된 상태로 되어 있다.
배선 기판(51)과 임시 접속된 LED 소자(52)를 임시 접속의 상태에서 운반하고, 가열로 중에 반입하고, 배선 기판(51)과 이방 도전성 접착제(50)와 LED 소자(52)를 2차 가열한다. 가열로에서의 2차 가열의 온도는, 스테이지(55)에 설치된 가열 장치(56)에 의해 1차 가열되었을 때의 온도보다도 저온으로 되고, 또한, 가열로 중에서의 가열 시간은, 가압 시간보다도 장시간으로 되어 있다.
가열로 중에서의 2차 가열에 의해, 금속 킬레이트 화합물에 의한 에폭시 변성 실리콘계 수지의 중합 반응이 진행되어, 그 결과, 이방 도전성 접착제(50)가 경화되어 LED 소자(52)가 배선 기판(51)에 고정되는 본 접속이 행하여져, 도 3의 (f)의 발광 장치(10)가 얻어진다.
이 발광 장치(10)에 통전되면, 본체 반도체 칩(17)이 발광하고, 방사된 발광광은 형광체층(16)을 투과할 때에 파장 변환되어, 발광 장치(10)로부터는, 백색광이 방출된다. 또한, 본 예의 이방 도전성 접착제(50)에는 플럭스는 함유되어 있지 않아, 발광 장치(10)의 세정 공정을 마련하지 않아도 된다.
<측정>
발광 장치(10)를 제조하는 공정에 있어서, 1차 가열 시의 배선 기판(51)의 온도와 가압 가열을 바꾸고, 가압체(53)에 의해 LED 소자(52)를 가압하고, 이방 도전성 접착제(50)에 의해 LED 소자(52)를 배선 기판(51)에 임시 접속할 때에 LED 소자(52)의 형광체층(16)측의 표면 온도와, 배선 기판(51)의 표면 온도를 측정하였다. LED 소자(52)의 형광체층(16)측의 온도는 가압체(53)의 LED 소자(52)에 접촉하는 표면의 온도와 동일값인 것으로 한다. 또한, 가열로에서 가열하지 않고, 가압체(53)를 제거한 후의 배선 기판(51)에 전압을 인가하고, LED 소자(52)와 배선 기판(51) 사이의 도통 저항값을 측정하였다. 측정 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure pct00003
도통 저항에 대해서는, 소정값의 전류를 샘플에 흘렸을 때의 저항값을 측정하고, 저항값이 전기적으로 접속되어 있지 않다고 판단하는 경우를 「×」, 측정한 저항값이 기준값 이하인 경우를 「○」, 전기적으로 접속되어 있지만 저항값이 기준값보다도 큰 경우를 「△」로 하였다.
또한, LED 소자(52)를 배선 기판(51)으로부터 제거할 때의 힘을 측정하고, 이방 도전성 접착제(50)의 중합이 충분하지 않아, 임시 접속이 되어 있지 않은 경우를 「×」, 임시 접속이 되어 있는 경우를 「○」, 임시 접속되어 있지만, 제거할 때의 힘이 기준값보다도 작은 경우를 「△」로 하였다.
표 1 중, 「형광체 형상」의 항목은, 가압체(53)를 제거한 후의 형광체층(16) 중의 형광체 입자의 형상을 현미경으로 관찰한 결과이며, 형광체 입자의 변형이 큰 형광체층(16)에는 「×」을 부여하고, 변형이 작은 형광체층(16)에는 「○」, 변형이 「×」와 「○」의 중간인 경우를 「△」로 하였다. 이 「형광체 형상」의 항목이 「×」 또는 「△」인 경우에도, 형광체층(16)이 붕괴되어 있지 않고, 기능하는 경우에는 본 발명에 포함된다.
이 표 1의 결과로부터, 가압체(53)의 온도는 35℃ 이하로 하고, 배선 기판(51)의 온도는, 160℃ 이상 210℃ 이하, 가압 시간은 20초 이상 60초 이하로 하면, 전기적 접속과 임시 접속 상태가 양호해지는 것을 알 수 있다.
10: 발광 장치
50: 이방 도전성 접착제
51: 배선 기판
52: LED 소자
53: 가압체
54: 도전 입자
55: 스테이지
56: 가열 장치
57: 발열체
58: 전원 장치
59: 열 도전성 필러
61: 전극
16: 형광체층
17: 본체 반도체 칩

Claims (4)

  1. 배선 기판 상에 배치되고, 중합 성분과 경화제를 함유하는 이방 도전성 접착제 상에 LED 소자를 배치하는 배치 공정과,
    상기 LED 소자를 소정의 가압 시간, 가압체로 가압하면서, 상기 이방 도전성 접착제를 승온시켜서, 상기 중합 성분의 일부를 상기 경화제에 의해 중합 반응시켜서, 상기 LED 소자를 상기 배선 기판에 임시 접속하는 1차 가열 공정과,
    임시 접속된 상기 배선 기판과 상기 이방 도전성 접착제와 상기 LED 소자를 승온시켜서, 상기 중합 성분을 중합 반응시켜서, 상기 이방 도전성 접착제를 경화시켜, 본 접속시키는 2차 가열 공정
    을 갖는 발광 장치 제조 방법이며,
    상기 LED 소자는 형광체층을 갖고 있으며,
    상기 중합 성분에는 에폭시 변성 실리콘계 수지를 함유시키고,
    상기 경화제에는, 금속 킬레이트 화합물을 사용하고,
    상기 1차 가열 공정에서는, 상기 배선 기판을 160℃ 이상 210℃ 이하의 온도에서 소정의 가압 시간 가압하는 발광 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가압 시간은, 60초 이하의 시간으로 하는 발광 장치 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2차 가열 공정에서의 상기 배선 기판의 온도는, 상기 1차 가열 공정에서의 상기 배선 기판의 온도보다도 낮게 하고,
    상기 2차 가열 공정에서의 상기 배선 기판을 가열하는 가열 시간은, 상기 가압 시간보다도 길게 하는 발광 장치 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 있어서, 상기 가압체에는, 20℃ 이상 40℃ 이하의 온도를 유지시키는 발광 장치 제조 방법.
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