KR20170041735A - 전계발광성 가교된 나노결정 필름 - Google Patents

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엘리사벳 토레스 카노
포우아드 살리
요제프 린데르트 민나르
알베르트 알마르자 마르티네즈
미레이아 모렐 벨
파즈 카레라스
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헨켈 아게 운트 코. 카게아아
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Abstract

본 발명은 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크가 반전도성 화합물을 포함하는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성되고, 여기서 상기 코어는 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있으며, 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있는 각 코어는 또 다른 코어를 둘러싸고 있는 적어도 하나의 또 다른 폴리티올 리간드와 가교되어 있는 방출성 필름에 관한 것이다. 일단 필름이 형성되고 나면, 상기 NC의 광발광 특성은 보존된다. 광 방출 디바이스 (LED)는 방출성 필름을 방출성 층으로 사용하여 제작된다. 디바이스를 통하여 전류가 흐르면 상기 LED는 광을 방출하는데, 이는 상기 NC 필름의 전계발광 특성을 입증한다.

Description

전계발광성 가교된 나노결정 필름{ELECTROLUMINESCENT CROSSLINKED NANOCRYSTAL FILMS}
본 발명은 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크가 반전도성 화합물을 포함하는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성되는 방출성 필름에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 본 발명에 따른 방출성 필름 층을 포함하는 다층 구조를 포함하는 나노결정 광 방출 디바이스를 포괄한다.
나노결정 광 방출 디바이스 (NC-LED)는 방출성 층이 나노결정을 함유하는 광 방출 디바이스이다. NC-LED가 제작될 때, 방출성 층은 통상적으로 1) 유기 방출 중합체 및 나노결정 (NC)으로 구성되거나, 또는 2) 나노결정의 단층으로 구성된다. 첫 번째 접근법에서는, NC에서의 비효율적인 여기자 형성으로 인하여 매우 낮은 효율만이 달성된다. 반면, 두 번째 접근법에서의 NC 단층의 사용은 전자 구속(confinement)의 향상 및 전기 저항의 최소화로 인하여 기록적인 효율로 이어진다.
통상적인 NC는 일반적으로 NC가 소수성 및 수동형(passive)이 되도록 하는 일관능성의 비-반응성인 리간드에 의해 안정화된다. 따라서, 층이 형성될 때, NC는 서로 화학적으로 연결될 수 없으며, 리간드들 사이의 얽힘(entanglement)에 의해서만 서로 밀접하여 안정화된다.
NC-LED가 제작될 때, NC 필름은 층상 구조들 사이에 개재된다. 통상적인 NC 단층을 NC-LED의 방출성 층으로 사용할 경우, 이후 층들의 추가적인 용매 처리가 권장되지 않는데, 그것이 아래의 NC 층을 용해시키거나 분해시킬 수 있기 때문이다.
또한, 그의 크기로 인하여, 그리고 일부 경우에서는 그의 조성으로 인하여, NC는 환경 및 인간 건강에 대하여 독성인데, 흡입 또는 피부 흡수에 의한다. 통상적으로, 단층을 형성하는 NC는 용이하게 대기 중으로 확산되며, 그에 따라 제조자에게 위험요소가 된다.
일부 경우에서, NC들은 2-단계 과정으로 서로 간에 가교된다. 첫 번째 단계에서는, 통상적인 일관능성 리간드를 사용하여 캡핑된 NC의 단층이 침착된다. 두 번째 단계에서는, 기존 일관능성 리간드와의 리간드 교환을 수행하기 위하여 필름이 링커 용액 중에 침지된다. 그러나, 리간드 교환 절차는 표면 결함의 수를 증가시키는 것에 의해 NC의 품질을 열화시킨다. 그것은 NC-LED 침착 과정 동안의 더 많은 단계들을 의미하기도 한다. 또한, 아래의 층들이 링커 용액에 노출되어, 그들을 추가적으로 열화시킬 수 있다.
이에 따라, 고도로 적재되며, NC가 잘 분산되어 고도의 안정한 발광 특성을 나타내면서도, 인간 건강 및 환경에 대하여 더 안전한 방출성 필름에 대한 필요성이 존재한다.
[도면의 간단한 설명]
도 1은 본 발명에 따른 NC의 구조를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 가교된 NC 구조의 구조를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시양태에 따른 나노결정 광 방출 디바이스의 개략적 구조를 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시양태에 따른 나노결정 광 방출 디바이스의 개략적 구조를 도시한다.
[발명의 개요]
본 발명은 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크가 반전도성 화합물을 포함하는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성되고, 여기서 상기 코어는 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있으며, 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있는 각 코어는 또 다른 코어를 둘러싸고 있는 적어도 하나의 또 다른 폴리티올 리간드와 가교되어 있는 방출성 필름에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 1) 반전도성 화합물을 포함하는 코어와 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 혼합하여, 반응성 콜로이드성 나노결정을 형성시키는 단계; 2) 임의적으로 적어도 1종의 용매를 단계 1의 생성물에 첨가하는 단계; 3) 단계 2의 혼합물로부터 필름을 형성시키는 단계; 및 4) 임의적으로 열 경화시키는 단계를 포함하는, 본 발명에 따른 방출성 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 본 발명에 따른 방출성 필름 층, 캐소드 층 및 애노드 층을 포함하는 다층 구조를 포함하는 나노결정 광 방출 디바이스를 포괄한다.
하기 단락에서, 본 발명이 보다 상세하게 기재된다. 그렇게 기술된 각각의 측면은 달리 명확하게 지시되지 않는 한, 임의의 다른 측면 또는 측면들과 조합될 수 있다. 특히, 바람직하거나 유리한 것으로 지시된 임의의 특성은 바람직하거나 유리한 것으로 지시된 임의의 다른 특성 또는 특성들과 조합될 수 있다.
본 발명의 문맥에서, 사용되는 용어들은 문맥상 달리 지정되지 않는 한 하기의 정의에 따라 해석되어야 한다.
본원에서 사용된 단수 형태는 문맥에 달리 명확하게 지시되지 않는 한, 단수 및 복수 지시 대상을 둘 다 포함한다.
본원에서 사용된 용어 "포함하는", "포함하다" 및 "로 구성된"은 "포괄하는", "포괄하다" 또는 "함유하는", "함유하다"와 동의어이고, 포괄적이거나, 제한이 없으며, 추가의 언급되지 않은 구성원, 요소 또는 방법 단계들을 배제하지 않는다.
수치적 종료점의 언급에는 언급된 종료점 뿐만 아니라, 각각의 범위내에 포함된 모든 숫자와 분수가 포함된다.
본원에 언급된 모든 백분율, 부, 비율 등은 달리 지시되지 않는 한, 중량을 기준으로 한다.
양, 농도 또는 다른 값들 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위 또는 바람직한 상한값 및 바람직한 하한값의 형태로 표현될 경우, 임의의 상한 또는 바람직한 값과 임의의 하한 또는 바람직한 값을 조합하여 얻어진 임의의 범위는, 얻어진 범위가 문맥에 명확하게 언급되는 지의 여부를 고려하지 않고, 구체적으로 개시된 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 인용된 모든 참고 문헌은 본원에 그의 전문이 참조로 포함된다.
달리 정의되지 않는 한, 기술적 및 과학적 용어를 포함하여 본 발명을 개시하는데 사용된 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 기술자에 의해 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 추가의 지침에 의해, 용어 정의가 본 발명의 교시를 더 잘 이해하기 위해 포함된다.
본 발명은 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크가 반전도성 화합물을 포함하는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성되고, 여기서 상기 코어는 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있으며, 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있는 각 코어는 또 다른 코어를 둘러싸고 있는 적어도 하나의 또 다른 폴리티올 리간드와 가교되어 있는 방출성 필름에 관한 것이다.
본 발명은 자가-가교 NC 필름을 수득하기 위한 간단한 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조되는 필름은 NC-LED의 방출성 층으로 사용될 수 있다. 이와 같은 절차에 따르면, NC와 관련되어 있는 통상적인 방법의 사용과 연관되어 있는 용액 처리성 및 독성 문제가 극복된다.
'나노결정'이라는 코어/쉘 구조를 포함할 수 있는 나노미터-규모의 결정질 입자를 의미하며, 여기서 코어는 제1 물질을 포함하고, 쉘은 제2 물질을 포함하고, 쉘은 코어의 표면의 적어도 일부에 걸쳐 배치된다.
'리간드'라는 용어는 나노결정을 안정화시키기 위하여 사용되는 하나 이상의 쇄를 갖는 분자를 의미한다. 리간드는 나노결정과 결합되는 적어도 하나의 중심점, 및 주위 환경과 상호 작용하거나, 다른 활성 자리와 가교되거나, 또는 둘 다인 적어도 하나의 활성 자리를 갖는다.
'반응성 콜로이드성 나노결정'이라는 용어는 바람직하게는 복합체 구조로 반응될 수 있는, 골격에 적어도 하나의 관능기를 포함하는 리간드의 층에 의해 안정화되는 용액-성장되는 나노미터-크기의 무기 입자인 반응성 콜로이드성 나노결정을 의미한다.
본 발명에 기재된 NC는 선행 기술에서 널리 사용되는 리간드 교환 과정을 겪지 않는다. 따라서, 합성 동안 존재하는 원래의 리간드만이 NC에 부착된다. 반면, 리간드 교환 과정을 겪는 NC는 적어도 2가지 유형의 리간드, 즉 합성 동안 부착되는 리간드 및 리간드 교환 동안 첨가되는 리간드를 갖는다. 연구는 리간드 교환 과정 후, 원래의 리간드의 일부는 여전히 NC 표면에 부착되어 있다는 것을 보여주었으며, 예를 들어 크니텔(Knittel) 등의 문헌을 참조한다(Knittel, F. et al. On the Characterization of the Surface Chemistry of Quantum Dots. Nano Lett. 13, 5075-5078 (2013)).
'NC 필름'이라는 용어는 가교된 나노결정의 연속되는 층을 의미한다. 가교는 바람직하게는 공유 결합을 통해 형성된다.
방출성 필름의 필수 구성요소 각각이 상세하게 논의될 것이다.
본 발명에 따른 방출성 필름은 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크는 반전도성 화합물을 포함하는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성된다.
반응성 콜로이드성 나노결정
본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 반전도성 화합물을 포함하는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함한다.
반전도성 화합물을 포함하는 코어
본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정의 코어는 반전도성 화합물을 포함한다. 반전도성 화합물은 주기율표의 1종 이상의 상이한 족에 속하는 원소로 구성된다.
바람직하게는, 반전도성 화합물은 IV 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; II 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; III 및 V 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; IV 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; I 및 III 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; 또는 이들의 혼합물의 조합이다. 바람직하게는, 상기 반전도성 화합물은 I 및 III 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소의 조합이다. 더욱 바람직하게는, 상기 반전도성 화합물은 Zn, In, Cu, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 조합이다.
임의적으로, 반전도성 화합물을 포함하는 코어는 도펀트(dopant)를 추가적으로 포함할 수 있다. 본 발명에 사용되기에 적합한 도펀트의 예는 Mn, Ag, Zn, Eu, S, P, Cu, Ce, Tb, Au, Pb, Sb, Sn, Tl 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직한 일 실시양태에서, 반전도성 화합물을 포함하는 코어는 I 족 및/또는 II 족 및/또는 III 족 및/또는 IV 족 및/또는 V 족 및/또는 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 화합물과의 조합으로 구리를 포함하는 코어이다.
또 다른 바람직한 실시양태에서, 구리를 포함하는 상기 코어는 CuInS, CuInSeS, CuZnInSeS, CuZnInS, Cu:ZnInS, CuInS/ZnS, Cu:ZnInS/ZnS, CuInSeS/ZnS로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 CuInS/ZnS, CuInSeS/ZnS, Cu:ZnInS/ZnS로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따른 나노결정의 코어는 코어 단독, 또는 코어와 코어를 둘러싸고 있는 하나 이상의 쉘(들)을 포함하는 구조를 갖는다. 각 쉘은 하나 이상의 층을 포함하는 구조를 가질 수 있는데, 각 쉘이 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있음을 의미한다. 각 층은 단일 조성물 또는 합금 또는 농도 구배를 가질 수 있다.
일 실시양태에서, 본 발명에 따른 나노결정의 코어는 코어 및 적어도 하나의 단층 또는 다층 쉘을 포함하는 구조를 갖는다. 또한, 또 다른 실시양태에서, 본 발명에 따른 나노결정의 코어는 코어 및 적어도 2개의 단층 및/또는 다층 쉘을 포함하는 구조를 갖는다.
일 실시양태에서, 본 발명에 따른 나노결정의 코어는 구리를 포함하는 코어 및 적어도 하나의 단층 또는 다층 쉘을 포함하는 구조를 갖는다. 또 다른 실시양태에서, 본 발명에 따른 나노결정의 코어는 구리를 포함하는 코어 및 적어도 2개의 단층 및/또는 다층 쉘을 포함하는 구조를 갖는다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정의 코어 크기는 100 nm 미만, 더욱 바람직하게는 50 미만, 더욱 바람직하게는 10 미만이지만, 바람직하게는 코어는 1 nm 초과이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정의 코어 형상은 구형, 막대형 또는 삼각형 형상이다.
폴리티올 리간드
본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함한다.
폴리티올이라는 용어는 본원에서 분자 구조 내에 다수의 티올 기를 가지는 리간드를 의미한다. 또한, 본 발명에 사용되는 상기 폴리티올은 다수의 관능기들 (전구체, 용매 및 안정화제로 작용함)을 가지며, 그에 따라 다관능성 폴리티올로 간주될 수 있다. 다른 말로 하면, 본 발명에서 사용되는 폴리티올 리간드는 다관능성 반응물로 사용된다.
본 발명에 사용되기에 적합한 폴리티올 리간드는 2 이상, 바람직하게는 3 내지 4의 관능가를 갖는다. 이는 폴리티올 리간드가 구조 내에 적어도 2개, 바람직하게는 3 내지 4개의 티올 기를 갖는다는 것을 의미한다.
본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 코어가 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있는 구조를 갖는다. 도 1은 일반적인 수준으로 이와 같은 구조를 도시하고 있다.
본 발명에 사용되기에 적합한 폴리티올 리간드는 1급 티올, 2급 티올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 본 발명에 사용될 폴리티올 리간드는 펜타에리트리톨 테트라키스 (3-메르캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨 테트라-3-메르캅토프로피오네이트, 트리메틸올프로판 트리(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스[2-(3-메르캅토프로피오닐옥시)에틸]이소시아누레이트, 디펜타에리트리톨 헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트), 에톡실화-트리메틸올프로판 트리-3-메르캅토프로피오네이트, 메르캅토 관능성 메틸알킬 실리콘 중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 4관능화 펜타에리트리톨 테트라키스 (3-메르캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨 테트라-3-메르캅토프로피오네이트, 트리스[2-(3-메르캅토프로피오닐옥시)에틸]이소시아누레이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기 위한 시중에서 구입가능한 폴리티올 리간드는 예를 들면 쇼와 덴코(Showa Denko) 사의 카렌즈(Karenz)MT™ PE1, SC 오르가닉 케미칼(ORGANIC CHEMICAL) CO. 사의 펨프(PEMP) 및 브루노 복(BRUNO BOCK) 사의 티오큐어(THIOCURE)® 템픽(TEMPIC)이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 NC는 1 nm 내지 100 nm, 바람직하게는 1 nm 내지 50 nm, 더욱 바람직하게는 1 nm 내지 10 nm 범위의 입자 직경 (예컨대 최대 입자 직경)을 갖는다.
본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 2:1 내지 75:1 사이의 비로 유기 물질 및 무기 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 반응성 콜로이드성 나노결정의 총 중량을 기준으로 1 내지 99 중량%의 무기 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 반응성 콜로이드성 나노결정의 총 중량을 기준으로 1 내지 99 중량%의 유기 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반응성 콜로이드성 나노결정은 모든 성분들을 함께 혼합하는 몇 가지 방식으로 제조될 수 있다.
바람직한 일 실시양태에서, 반응성 콜로이드성 나노결정의 제조는 하기의 단계를 포함한다: 1) 반전도성 화합물(들)과 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 혼합하여, 반응성 콜로이드성 나노결정을 형성시키는 단계. 반응성 콜로이드성 나노결정은 침전, 그리고 용매 중에 용해시키는 것에 의해 추가적으로 정제될 수 있다. 적합한 용매는 예를 들면 메탄올 및 클로로포름이다.
방출성 필름
본 발명에 따른 방출성 필름은 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크는 코어 및 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성된다. 폴리티올 리간드는 합성 동안의 용매로서 과량으로 사용된다. 합성 후에는, 과량의 동일한 폴리티올 용액 중에 용해된 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸인 나노결정으로 이루어진 콜로이드성 용액이 형성된다. 이와 같은 과정 동안, 폴리티올 리간드들은 서로 반응함으로써, 또 다른 폴리티올 리간드에 가교된 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸인 나노결정 및 과량의 폴리티올을 포함하는 네트워크를 형성할 수 있다. 다른 말로 하면, 각 코어는 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있으며, 가교된 나노결정의 네트워크에서는 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있는 각 코어가 또 다른 코어를 둘러싸고 있는 적어도 하나의 또 다른 폴리티올 리간드와 가교되어 있다. 바람직하게는, 가교된 나노결정의 상기 네트워크는 공유 결합을 통해 형성된다. 도 2는 이와 같은 네트워크 구조를 도시한다.
본 발명에 따른 방출성 필름은 2 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 3 nm 내지 1000 nm, 더욱 바람직하게는 4 nm 내지 500 nm, 더욱 더 바람직하게는 4 nm 내지 150 nm, 가장 바람직하게는 5 nm 내지 45 nm의 두께를 갖는다.
본 발명에 따른 방출성 필름은 모든 성분들을 함께 혼합하고 필름을 형성시키는 몇 가지 방식으로 제조될 수 있다.
바람직한 일 실시양태에서, 본 발명에 따른 방출성 필름의 제조는 하기의 단계들을 포함한다:
1) 반전도성 화합물을 포함하는 코어와 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 혼합하여, 반응성 콜로이드성 나노결정을 형성시키는 단계;
2) 임의적으로 적어도 1종의 용매를 단계 1의 생성물에 첨가하는 단계;
3) 단계 2의 혼합물로부터 필름을 형성시키는 단계; 및
4) 임의적으로 열 경화시키는 단계.
바람직하게는, 단계 2의 혼합물의 농도는 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 1 mg 내지 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 200 mg, 바람직하게는 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 3 mg 내지 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 50 mg, 더욱 바람직하게는, 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 5 mg 내지 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 30 mg이다.
용매는 박막 침착물을 제조하는 필름 형성 과정에서 운반체로 사용되는 것일 뿐, 필름 형성에 있어서의 어떠한 능동적인 역할도 하지 않는다. 본 발명에 사용되기에 적합한 용매는 유기 용매가 NC를 분산시킬 수 있는 한 모든 유기 용매일 수 있다. 바람직하게는, 적합한 용매는 클로로포름, 테트라히드로푸란 (THF), 아니솔, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 메시틸렌, 테트랄린, 시클로헥실벤젠, 디메틸 술폭시드 (DMSO), n-메틸-2-피롤리돈 (NMP), 디메틸아세트아미드 (DMAc) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
단계 3에서의 필름 형성은 회전 코팅, 드롭 캐스팅(drop casting), 슬롯 다이(slot die), 침지 코팅, 분무 코팅, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 에어로졸 인쇄, 닥터 블레이드(doctor blade)에 의해 수행될 수 있다. 바람직하게는, 필름 형성은 회전 코팅, 드롭 캐스팅 또는 잉크젯 인쇄에 의해 수행된다.
필름 형성이 회전 코팅에 의해 수행되는 경우, 회전 코팅 속도는 100 내지 10000 rpm, 바람직하게는 500 내지 4000 rpm이다.
바람직한 실시양태에서는, 단계 4로서 열 경화가 사용되며, 경화 온도는 25 ℃ 내지 250 ℃, 바람직하게는 100 ℃ 내지 180 ℃이다. 또한, 열 경화 시간은 0 내지 180분, 바람직하게는 10 내지 30분이다.
본 발명에 따른 방출성 필름의 형성은 필름이 형성될 때 NC 특성의 손실이 존재하지 않음을 보장한다.
본 발명은 본 발명에 따른 방출성 필름 층, 캐소드 층 및 애노드 층을 포함하는 다층 구조를 포함하는 나노결정 광 방출 디바이스도 포괄한다. 본 발명에 따른 나노결정 광 방출 디바이스의 일반적인 구조를 도 3 및 4에 도시하였다. 도 3에는, 4개의 층을 가지는 나노결정 광 방출 디바이스가 도시되어 있다: (1) 캐소드; (2) NC 필름; (3) 애노드; 및 (4) 기판. 도 4에는, 6개의 층을 가지는 나노결정 광 방출 디바이스가 도시되어 있다: (1) 캐소드; (2) ETL; (3) NC 필름; (4) HTL; (5) 애노드; 및 (6) 기판.
전극 층들 (캐소드 및 애노드 층)은 방출성 필름을 가로질러 전압을 인가하는 데에 필요하다. 바람직한 일 전극은 투명하며, 다른 전극은 고도로 반사성이다. 투명 전극의 예는 산화 인듐 주석 (ITO) 또는 산화 인듐 아연 (IZO)이다. 불투명 전극의 예는 알루미늄 또는 은이다.
일 실시양태에서, 나노결정 광 방출 디바이스는 추가적으로 기판을 포함한다. 공정 온도를 견딜 수 있는 어떠한 기판도 본 발명에 사용될 수 있다. 본 발명에 사용되기에 적합한 기판의 비-제한적 예는 유리, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트) (PET), 폴리(메틸 메타크릴레이트) (PMMA), 폴리(에틸렌 나프탈레이트) (PEN), 폴리(이미드), 폴리카르보네이트 (PC), 금속성 호일, 규소, 타일 또는 직물이다.
바람직하게는, 나노결정 광 방출 디바이스는 추가적으로 적어도 하나의 전자 수송 층 및/또는 적어도 하나의 정공 수송 층을 포함한다.
상기 적어도 하나의 정공 수송 층은 정공을 수송할 수 있는 물질로부터 형성되며, 전자 수송 층은 전자를 수송할 수 있는 물질로부터 형성된다. 본 발명에 사용되기에 적합한 정공 수송 물질의 예는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) (PEDOT)/폴리스티렌 파라술포네이트 (PSS), 폴리(N-비닐카르바졸) 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리메타크릴레이트 유도체, 폴리(9,9-옥틸플루오렌) 유도체, 폴리(스피로-플루오렌) 유도체, 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일) 유도체, 폴리아닐린 유도체 등으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명에 사용되기에 적합한 전자 수송 층의 예는 산화 아연, 이산화 티타늄, 옥사졸, 이소옥사졸, 트리아졸, 이소티아졸, 옥시디아졸, 티아디아졸, 페릴렌, 그리고 트리스(8-히드록시퀴놀린)-알루미늄 (Alq3)을 포함한 알루미늄 착물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 그것이 나노결정 광 방출 디바이스에 존재하는 경우, 방출성 층은 정공 수송 층과 전자 수송 층 사이에 위치된다.
임의적으로, NC-LED는 추가적으로 정공 주입 층(hole injection layer), 전자 주입 층(electron injection layer), 정공 차단 층(hole blocking layer) 또는 전자 차단 층(electron blocking layer)을 포함할 수 있다. 주입 층들의 구체적인 예에는 Ca, Ba, Ca/Al, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 Ag:Mg 합금이 포함되나, 이에 제한되는 것은 아니다. 차단 층들의 구체적인 예에는 3-페닐-4-(1-나프틸)-5-페닐-1,2,4-트리아졸 (TAZ), 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린 (BCP), 페난트롤린, 이미다졸, 트리아졸, 옥사디아졸 및 알루미늄 착물이 포함되나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 나노결정 광 방출 디바이스는 관련 기술분야에 기술되어 있는 통상적인 기술을 사용하여 제조될 수 있다. NC-LED를 형성하는 상이한 층들은 표준 박막 침착 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 그중에서도, 사용되는 제작 기술의 일부 예는 회전 코팅, 잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄, 열 증발, 이온 빔 증발 또는 스퍼터링이다.
본 발명에 따른 방출성 필름은 완전 용액 처리된 NC-LED의 제작을 가능케 한다. 본 발명에 따른 방출성 필름의 NC는 공유에 의해 서로간에 가교되며, 그에 따라 나노결정 광 방출 디바이스를 조립하기 위하여 추가적인 제작 단계에서 사용되는 용매에 의한 영향을 받지 않는다.
[실시예]
실시예 1
관능화된 CuInS/ZnS-템픽 NC의 합성:
0.08 g의 CuI, 0.4 g의 In(OAc)3 및 0.16 mL의 디페닐포스파인 셀레니드 (DPPSe)를 교반기가 장착된 3-목 플라스크 중 10 mL의 트리스[2-(3-메르캅토프로피오닐옥시)에틸]이소시아누레이트 (템픽)에 첨가하였다. 온도를 10분 동안 190 ℃로 상승시켰다. 다음에, Zn(OAc)2 0.6 g과 템픽 5 ml의 혼합물을 코어 용액에 첨가하고, 혼합물을 60분 동안 230 ℃로 추가 가열하였다. 이후, ZnSt2 0.6 g과 템픽 5 ml의 혼합물을 코어/쉘 용액에 첨가하고, 혼합물을 또 다시 30분 동안 230 ℃로 가열하였다. 용액을 실온으로 냉각시키고, 4500 rpm으로 10분 동안 원심분리하였다. 다음에, 메탄올 및 클로로포름을 사용한 3회의 침전/분산 주기에 의해, CuInSeS/ZnS/ZnS NC를 정제하였다. 최종적으로, 정제된 물질을 클로로포름에 용해시키고 (200 mg/mL), 냉장고에 저장하였다. 용액의 광발광 양자 수율(photoluminescent quantum yield) (PL-QY)은 400 nm에서 32.1 %이었다.
필름 형성:
1.2 및 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여, 상기 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 60 μl의 여과된 용액의 액적을 유리 기판상에 붓고, 즉시 2000 RPM으로 30초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 150 ℃에서 40분 동안 필름을 어닐링하였다. 대략 1 ㎛의 얇은 고체 필름이 형성되었다. 필름의 광발광 양자 수율 (PL-QY)은 400 nm에서 31.1 %이었다.
실시예 2
NC-LED 디바이스 제작:
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라(Ossila) 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리하고, 이어서 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스(Plasma Technics) 사의 테플라(Tepla) 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스(Heraeus Clevios) 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 1.2 및 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여 연속적으로 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 60 μl의 여과된 용액 액적을 PEDOT:PSS 층상에 붓고, 즉시 1000 RPM으로 30초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 오븐에서 150 ℃로 20분 동안 필름을 가교시켰다. 다음에, 이소프로판올 중 ZnO 나노입자 (BYK 3821) (30 mg/mL) 60 μl를 방출성 필름 상부에 6000 RPM으로 회전 코팅하였다. 회전 코팅 후, 적층체를 100 ℃로 10분 동안 가열하였다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 20 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 3:
관능화된 CuInS/ZnS-템픽 NC의 합성
0.09 g의 CuI 및 0.6 g의 In(OAc)3를 40 밀리리터의 템픽에 용해시켰다. 혼합물을 210 ℃에서 5분 동안 가열하였다. ZnSt2 0.6 g과 템픽 10 ml의 혼합물을 용액에 첨가하고, 이어서 혼합물을 15분 동안 225 ℃까지 가열하였다. 적색 반도체 콜로이드성 NC 용액 (CuInS/ZnS-템픽)을 수득하였다. 정제를 위하여, 용액을 과량의 클로로포름에 분산시키고, 메탄올에 의해 침전시킨 후, 4000 rpm으로 10분 동안 원심분리하고, 이어서 경사분리하였다. 이와 같은 주기를 3회 반복하였다. 최종적으로, 수득된 NC를 클로로포름에 재분산시켰다.
NC-LED 디바이스 제작
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 60 μl의 여과된 용액 액적을 PEDOT:PSS 층상에 붓고, 즉시 4000 RPM으로 30초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 오븐에서 150 ℃로 20분 동안 필름을 가교시켰다. 필름은 20 nm 두께였다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 12 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 4:
관능화된 CuInS/ZnS-카렌즈MT™ PE1 NC의 합성
0.05 g의 CuI 및 0.3 g의 In(OAc)3를 10 ml의 카렌즈(Karenz)MT™ PE1에 용해시켰다. 혼합물을 195 ℃에서 10분 동안 가열하였다. ZnSt2 5 g과 카렌즈MT™ PE1 10 ml의 혼합물을 용액에 첨가하고, 이어서 혼합물을 60분 동안 195 ℃로 가열하였다. 오렌지색 반도체 콜로이드성 NC 용액 (CuInS/ZnS-카렌즈MT™ PE1)을 수득하였다. 정제를 위하여, 용액을 과량의 클로로포름에 분산시키고, 메탄올에 의해 침전시킨 후, 4000 rpm으로 10분 동안 원심분리하고, 이어서 경사분리하였다. 이와 같은 주기를 3회 반복하였다. 최종적으로, 수득된 NC를 클로로포름에 재분산시켰다.
NC-LED 디바이스 제작
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 60 μl의 여과된 용액 액적을 PEDOT:PSS 층상에 붓고, 즉시 1000 RPM으로 30초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 오븐에서 150 ℃로 30분 동안 필름을 가교시켰다. 필름은 20 nm 두께였다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 15 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 5
관능화된 Cu:ZnInS-카렌즈MT™ PE1 NC의 합성
0.01 g의 CuI 및 0.25 g의 Zn(OAc)2 및 0.2 g의 In(OAc)3를 10 ml의 카렌즈MT™ PE1에 용해시켰다. 혼합물을 210 ℃에서 20분 동안 가열하였다. 황색 반도체 콜로이드성 NC 용액 (Cu:ZnInS-카렌즈MT™ PE1)을 수득하였다. 최종적으로, 수득된 NC를 클로로포름에 재분산시켰다.
NC-LED 디바이스 제작
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 60 μl의 여과된 용액 액적을 PEDOT:PSS 층상에 붓고, 즉시 1000 RPM으로 30초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 오븐에서 150 ℃로 30분 동안 필름을 가교시켰다. 필름은 15 nm 두께였다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 7 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 6:
NC-LED 디바이스 제작
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 폴리(9-비닐카르바졸) (시그마 알드리치(Sigma Aldrich) 사 25.000-50.000 g/mol)을 클로로벤젠에 용해시키고 (10 mg/ml), PEDOT:PSS 층의 상부에 침착하였다. 60 μl 액적을 3000 RPM으로 60초 동안 회전 코팅하였다. 이어서, 고온 플레이트에서 150 ℃로 20분 동안 필름을 어닐링하였다. 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여, 실시예 1에서 합성된 NC 용액을 여과하였다. 60 μl의 여과된 용액 액적을 폴리(9-비닐카르바졸) 층상에 붓고, 즉시 1000 RPM으로 60초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 필름을 150 ℃로 10분 동안 고온 플레이트상에 위치시켰다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (누실(NuSil) 사 Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 20 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 7:
관능화된 Cu:ZnInS-카렌즈MT™ PE1 NC의 합성
0.015 g의 CuI 및 0.20 g의 In(OAc)3 및 0.30 g의 Zn(OAc)2를 10 ml의 카렌즈MT™ PE1에 용해시켰다. 혼합물을 215 ℃에서 20분 동안 가열하였다. 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. 황색의 반응성 콜로이드성 반도체 NC를 수득하였다. 다음에, NC를 클로로포름에 분산시켰다 (10 mg/ml).
NC-LED 디바이스 제작
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 50 μl의 여과된 용액 액적을 PEDOT:PSS 층상에 붓고, 즉시 500 RPM으로 60초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 오븐에서 150 ℃로 50분 동안 필름을 가교시켰다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (누실 사 Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 14 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 8:
관능화된 InP/ZnS-카렌즈MT™ PE1 NC의 합성
0.4 g의 InCl3, 0.24 g의 ZnCl2를 8 g의 올레일아민에 용해시켰다. 혼합물을 220 ℃에서 10분 동안 가열한 후, 0.5 ml의 트리스(디메틸아미노)포스파인을 급속 주입하고, 4분 후 2.5 g의 카렌즈MT™ PE1을 천천히 주입하였다. 반응액을 200 ℃에서 추가 15분 동안 교반하였다. 적색을 띤 반응성 콜로이드성 반도체 NC (InP/ZnS-카렌즈MT™ PE1)를 수득하였다. 메탄올 및 클로로포름을 사용한 다중 침전/분산 주기로 정제를 수행하였다. 수득된 NC를 클로로포름에 용해시켰다.
NC-LED 디바이스 제작
청정실 (ISO 5 내지 7)에서, NC-LED를 제작하고, 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅하고, 다음 층이 회전 코팅될 때까지, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 필름을 유지하였다. 0.45 ㎛ PTFE 필터를 사용하여 NC 용액을 여과하였다. 다음에, 60 μl의 여과된 용액 액적을 PEDOT:PSS 층상에 붓고, 즉시 1000 RPM으로 60초 동안 회전-코팅하였다. 이어서, 오븐에서 150 ℃로 50분 동안 필름을 가교시켰다. 열 처리 후, 필름은 여전히 UV 광으로 조사하였을 때 적색을 띤 방출을 나타내고 있었다. 100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 다음에, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (누실 사 Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 12 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.
실시예 9:
잉크-젯 인쇄 NC-LED 디바이스 제작
달리 구체화되지 않는 한, 청정실 (ISO 5 내지 7)에서 NC-LED를 제작하고 캡슐화하였다. 사전-패턴화된 ITO 기판 (오씰라 사)을 먼저 NaOH의 10 중량% 용액 중에서 초음파처리한 다음, 탈이온수 중에서 2회 세정하였다. 이후, 플라스마 테크닉스 사의 테플라 300-E에서 500 W로 10분 동안 산소 플라스마 처리를 수행하였다. 폴리(3,4-틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트) (PEDOT:PSS) 수성 용액 (헤라에우스 클레비오스 사 TM P AI 4083)을 5000 RPM으로 30초 동안 사전-패턴화된 ITO 기판상에 회전 코팅한 후, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 15분 동안 필름을 유지하였다.
잉크-젯 인쇄에 의해 방출성 필름을 침착시키기 위하여, 실시예 4에서 합성된 다관능성 NC 용액을 100 mg/ml의 농도로 클로로벤젠 및 1,2-디클로로벤젠 (1:2)에 용해시켰다. 이어서, 21 ㎛의 노즐 직경을 가지는 프린트헤드(printhead) (디마틱스(Dimatix) 사 DMP-2831, DMC-11610)에 의해, NC 잉크 제제를 분사하였다. 508 dpi의 인쇄 해상도는 약 25 nm의 두께로 이어졌다. 이어서, 고온 플레이트상에서 150 ℃로 30분 동안 필름을 가교시켰다.
100 nm의 특급 순도 (99.999 %) 알루미늄을 섀도우 마스크를 사용하여 실온에서 1.35 Å/초의 속도로 방출성 층의 상부로 증발시켰다. 이어서, 150 ℃에서 15분 동안, NC-LED를 열적으로 어닐링하였다. 광학용 실리콘 (Ls-6140) 및 유리 덮개를 사용하여, NC-LED를 캡슐화하였다.
반도체 파라미터 분석기를 사용하여, 디바이스의 I-V 곡선을 특성화하였다. 15 V를 초과하는 전압에서 육안으로 광을 관찰하였다.

Claims (13)

  1. 가교된 나노결정의 네트워크를 포함하며, 상기 가교된 나노결정의 네트워크는
    a) 반전도성 화합물을 포함하는 코어; 및
    b) 적어도 하나의 폴리티올 리간드
    를 포함하는 반응성 콜로이드성 나노결정으로부터 형성되고,
    여기서 상기 코어는 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있으며, 적어도 하나의 폴리티올 리간드에 의해 둘러싸여 있는 각 코어는 또 다른 코어를 둘러싸고 있는 적어도 하나의 또 다른 폴리티올 리간드와 가교되어 있는 것인 방출성 필름.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가교된 나노결정의 네트워크가 공유 결합을 통해 형성된 것인 방출성 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 반전도성 화합물을 포함하는 상기 코어가 코어 및 적어도 하나의 단층 또는 다층 쉘을 포함하거나, 또는 반전도성 화합물을 포함하는 상기 코어가 코어 및 적어도 2개의 단층 및/또는 다층 쉘을 포함하는 것인 방출성 필름.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반전도성 화합물이 IV 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; II 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; III 및 V 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; IV 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; I 및 III 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소; 또는 이들의 혼합물의 조합이며, 바람직하게는 상기 반전도성 화합물이 I 및 III 및 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 원소의 조합이고, 더욱 바람직하게는 상기 반전도성 화합물이 Zn, In, Cu, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 조합인 방출성 필름.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 반전도성 화합물을 포함하는 상기 코어가 구리를 I 족 및/또는 II 족 및/또는 III 족 및/또는 IV 족 및/또는 V 족 및/또는 VI 족으로부터 선택된 1종 이상의 화합물과의 조합으로 포함하는 코어인 방출성 필름.
  6. 제5항에 있어서, 구리를 포함하는 상기 코어가 CuInS, CuInSeS, CuZnInSeS, CuZnInS, Cu:ZnInS, CuInS/ZnS, Cu:ZnInS/ZnS, CuInSeS/ZnS로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 CuInS/ZnS, CuInSeS/ZnS, Cu:ZnInS/ZnS로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 방출성 필름.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리티올 리간드가 적어도 2, 바람직하게는 3 내지 4의 관능가를 갖는 것인 방출성 필름.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 폴리티올 리간드가 1급 티올, 2급 티올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 상기 적어도 하나의 폴리티올 리간드가 펜타에리트리톨 테트라키스 (3-메르캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨 테트라-3-메르캅토프로피오네이트, 트리메틸올프로판 트리(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스[2-(3-메르캅토프로피오닐옥시)에틸]이소시아누레이트, 디펜타에리트리톨 헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트), 에톡실화-트리메틸올프로판 트리-3-메르캅토프로피오네이트, 메르캅토 관능성 메틸알킬 실리콘 중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 더욱 바람직하게는 상기 적어도 하나의 폴리티올 리간드가 트리스[2-(3-메르캅토프로피오닐옥시)에틸]이소시아누레이트인 방출성 필름.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 2 nm 내지 2000 nm, 바람직하게는 3 nm 내지 1000 nm, 더욱 바람직하게는 4 nm 내지 500 nm, 더욱 더 바람직하게는 4 nm 내지 150 nm, 가장 바람직하게는 5 nm 내지 45 nm의 두께를 갖는 방출성 필름.
  10. 1) 반전도성 화합물을 포함하는 코어와 적어도 하나의 폴리티올 리간드를 혼합하여, 반응성 콜로이드성 나노결정을 형성시키는 단계;
    2) 임의적으로 단계 1의 생성물에 적어도 1종의 용매를 첨가하는 단계;
    3) 단계 2의 혼합물로부터 필름을 형성시키는 단계; 및
    4) 임의적으로 열 경화시키는 단계
    를 포함하는, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방출성 필름의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 단계 2의 혼합물의 농도가 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 1 mg 내지 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 200 mg, 바람직하게는 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 3 mg 내지 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 50 mg, 더욱 바람직하게는 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 5 mg 내지 용매 1 ml 중 반응성 콜로이드성 나노결정 30 mg인 방출성 필름의 제조 방법.
  12. a) 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방출성 필름 층;
    b) 캐소드 층; 및
    c) 애노드 층
    을 포함하는 다층 구조를 포함하는 나노결정 광 방출 디바이스.
  13. 제12항에 있어서, 적어도 하나의 전자 수송 층 및/또는 적어도 하나의 정공 수송 층을 추가적으로 포함하는 나노결정 광 방출 디바이스.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004536A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 삼성에스디아이 주식회사 조성물, 양자점 광학시트, 이를 포함하는 발광유닛 및 디스플레이 장치

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10897023B2 (en) * 2015-10-02 2021-01-19 Toyota Motor Europe All quantum dot based optoelectronic device
JP2017078120A (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 富士フイルム株式会社 重合性組成物、重合物、波長変換部材、バックライトユニット、および液晶表示装置
CN106450015B (zh) * 2016-10-11 2018-07-10 武汉华星光电技术有限公司 透明oled显示器及其制作方法
US10889755B2 (en) 2016-11-22 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, complex, laminated structure and display device, and electronic device including the same
WO2019038731A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Sabic Global Technologies B.V. COMPOSITION COMPRISING RETICULATED QUANTIC POINTS
CN108110123B (zh) * 2017-12-08 2019-07-05 吉林大学 一种量子点白光led及其制备方法
US10581007B2 (en) 2018-03-27 2020-03-03 Sharp Kabushiki Kaisha Crosslinked emissive layer containing quantum dots for light-emitting device and method for making same
US10720591B2 (en) 2018-03-27 2020-07-21 Sharp Kabushiki Kaisha Crosslinked emissive layer containing quantum dots for light-emitting device and method for making same
CN111518537A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点分散体系、彩膜以及显示装置
CN114174466A (zh) * 2019-06-13 2022-03-11 昭荣化学工业株式会社 半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物、半导体纳米粒子复合体固化膜和半导体纳米粒子复合体的纯化方法
US10826011B1 (en) 2019-07-23 2020-11-03 Sharp Kabushiki Kaisha QLED fabricated by patterning with phase separated emissive layer
US11024820B2 (en) 2019-08-08 2021-06-01 Sharp Kabushiki Kaisha Photo-patterned emissive layer containing passivated quantum dots, arrangement of light-emitting devices including same, and method of making same
CN112397620B (zh) * 2019-08-19 2022-02-18 Tcl科技集团股份有限公司 纳米复合颗粒及其制备方法和应用
US11309506B2 (en) 2020-06-24 2022-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device with crosslinked emissive layer including quantum dots with ligands bonded thereto
CN115058243A (zh) * 2022-06-30 2022-09-16 北京京东方技术开发有限公司 量子点、量子点交联物、量子点发光器件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10226779A (ja) * 1996-12-12 1998-08-25 Mitsui Chem Inc 半導体超微粒子反応試剤
KR100697511B1 (ko) * 2003-10-21 2007-03-20 삼성전자주식회사 광경화성 반도체 나노결정, 반도체 나노결정 패턴형성용 조성물 및 이들을 이용한 반도체 나노결정의 패턴 형성 방법
JP4653662B2 (ja) * 2004-01-26 2011-03-16 京セラ株式会社 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法
CN101176116B (zh) * 2005-05-13 2010-08-25 三路影像公司 基于色原分离的图像分析方法
KR101421619B1 (ko) * 2008-05-30 2014-07-22 삼성전자 주식회사 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체 및 그의 제조방법
US8030843B2 (en) * 2008-07-14 2011-10-04 Wisys Technology Foundation Quantum dot phosphors for solid-state lighting devices
WO2012002780A2 (en) * 2010-07-01 2012-01-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for light-emitting particle-polymer composite, light-emitting particle-polymer composite, and device including the light-emitting particle-polymer composite
WO2013057702A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source with quantum dots
US9935269B2 (en) * 2012-10-10 2018-04-03 Konica Minolta, Inc. Electroluminescence element
JP6177515B2 (ja) * 2012-10-31 2017-08-09 富士フイルム株式会社 半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190004536A (ko) * 2017-07-04 2019-01-14 삼성에스디아이 주식회사 조성물, 양자점 광학시트, 이를 포함하는 발광유닛 및 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016023819A1 (en) 2016-02-18
US20170155051A1 (en) 2017-06-01
CN106795427B (zh) 2020-05-19
TWI690585B (zh) 2020-04-11
CN106795427A (zh) 2017-05-31
TW201610096A (zh) 2016-03-16
EP3180410A1 (en) 2017-06-21
JP2017529654A (ja) 2017-10-05
EP3180410B1 (en) 2020-06-24

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