CN108110123B - 一种量子点白光led及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种量子点白光LED及其制备方法，属于半导体照明领域。其是基于电致发光的蓝光LED芯片，在芯片表面依次涂覆发红光的CdSe/CdS/ZnS量子点薄膜层和发绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点薄膜层得到。绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点可通过核掺杂Cu2+和外部ZnS壳层包覆Al3+，提高其光/热稳定性。发红光的CdSe/CdS/ZnS梯度合金量子点则提供多壳层保护，减少表面晶格不匹配带来的缺陷，防止其光退化。分层结构的涂覆方式可明显抑制量子点间的能量传递和重吸收，增加其发光效率。所制备的量子点白光LED适用于要求低色温、高显色指数、高发光效率的场合，尤其适用于对发光稳定性有较高要求的显示、照明领域。

Description

一种量子点白光LED及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体照明领域，具体涉及一种量子点白光LED及其制备方法。
背景技术
近年来，环保攻坚战正在全国乃至全世界打响，咎其原因，无外乎过度的使用生产粗放，耗能大，污染严重的产品。随着人们环保意识的增强，节能材料日益受到人们的关注。发光二极管(LED)以其耗能低、发热量小、响应速度快、寿命长、产业化成熟掀起了照明产业的第三次革命。通常制备下转换发光的白光LED有三种思路：一是，采用蓝光芯片激发下转换材料得到黄光混合成白光；二是，采用蓝光芯片激发下转换材料得到绿光和红光组合成白光；三是，使用紫光芯片激发下转换材料得到蓝光、绿光和红光混合成白光。目前，商业上广泛应用的白光LED以掺铈钇铝石榴石(Ce:YAG)为主，采用蓝光芯片激发得到黄光混合成白光。然而，这些Ce:YAG的尺寸一般在微米量级，会带来严重的发光散射，导致LED器件发热严重，发光效率降低。此外，Ce:YAG基白光LED由于缺少红光部分，其显色性能差(显色指数CRI<80)，无法满足人们对高质量照明、显示的需要。
量子点为1～100nm的纳米晶，具有可调谐的发射带、线宽窄、吸收系数大、发光效率高、寿命长等特点，可用来制备高性能的固态照明、显示器件。传统的II-VI和III-V族半导体量子点基白光LED为获得高性能会采用多种量子点直接混合涂覆的方式，带来较严重的重吸收和能量传递，使得制备的LED发光效率较低。另外，该方法也会因不同量子点的性能不一而出现“短板效应”，对制备工艺过程要求很高，成本难以控制。
近几年的研究结果表明，Cu掺杂的量子点不仅能够保持原量子点光谱可调谐、发光效率高等优势，还可以有效地抑制发光的自吸收效应，同时拥有更宽的光谱可调节范围和更好的光化学稳定性等优异性质。更进一步的，对量子点进行壳层包覆，其发光稳定性的提升效果明显。为了减少不同量子点发光的重吸收，可改变发光层涂覆顺序，如红光量子点层涂覆在下，绿光量子点层涂覆在上，研究结果表明，采用这种结构能减少量子点间能量传递，提高发光效率。
综上所述，传统直接混合方式制备的量子点白光LED发光具有局限性，在发光、显示性能方面无法满足人们日益增长的美好生活需要。但是，综合使用掺杂、壳层包覆以及结构调控有望得到性能优良的量子点白光LED，可广泛地应用于商业领域。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，克服传统量子点LED发光稳定性低、发光效率低的不足，基于电致发光的蓝光LED芯片(三安光电，中国)，在芯片表面依次涂覆发红光的CdSe/CdS/ZnS量子点薄膜层和发绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点薄膜层；所制备的量子点白光LED适用于要求低色温、高显色指数、高发光效率的场合，尤其适用于对发光稳定性有较高要求的显示、照明领域。
本发明所述一种高性能量子点白光LED的制备方法，其步骤如下：
(1)制备核掺杂Cu2+、壳层掺杂Al3+的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al绿光量子点，其是以ZnInS为核，在核中掺杂Cu2+；以ZnS为壳，在壳的外层掺杂Al3+，其中Cu2+和Zn2+的摩尔比为0.01～0.1：1，Al3+和Zn2+的摩尔比为2～10：1，然后分散于氯仿、甲苯或正己烷中得到100～300mg/mL的量子点溶液；
(2)制备梯度合金的CdSe/CdS/ZnS红光量子点，然后分散于氯仿、甲苯或正己烷中得到0.5～5.0mg/mL量子点溶液；
(3)将步骤(2)制备的1mL的CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到0.5～0.8g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后再加入0.2～0.5g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，得到CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物；
(4)取10～30μL步骤(3)制备的CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物滴涂在蓝光LED芯片上，并在室温下空气中固化1～3h，得到的量子点薄膜的厚度为10～50μm；
(5)将步骤(1)制备的2mL的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到0.5～0.8g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后加入0.2～0.5g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，得到Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物；
(6)取10～30μL步骤(5)制备的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物滴涂在步骤(4)制备的滴涂有CdSe/CdS/ZnS量子点层的蓝光LED芯片上，在室温下空气中固化1～3h，然后在60～100℃真空条件下干燥处理1～3h，得到的量子点薄膜的厚度为10～50μm的高性能量子点白光LED，并测试其光度参数和色度参数；
采用步骤(3)或步骤(5)所述方法，将1mL的CdSe/CdS/ZnS量子点溶液和2mL的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液混合后加入到1.0～1.6g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后加入0.4～1.0g硅胶树脂B固化剂，搅拌均匀后取20～60μL滴涂在清洗干燥处理过的硅片上，最后在室温下空气中固化1～3h，再在60～100℃真空条件下干燥处理1～3h，得到量子点薄膜的厚度为10～50μm的样品A，测试其发光寿命；
将10～30μL步骤(5)制备的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物均匀滴涂在清洗干燥过的硅片上，然后再滴涂10～30μL步骤(3)制备的CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物，最后在室温下空气中固化1～3h，再在60～100℃真空条件下干燥处理1～3h，得到量子点薄膜的厚度为10～50μm的样品B，测试其发光寿命；
将10～30μL步骤(3)制备的CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物均匀滴涂在清洗干燥过的硅片上，再滴涂10～30μL步骤(5)制备的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物，最后在室温下空气中固化1～3h，再在60～100℃真空条件下干燥处理1～3h，得到量子点薄膜的厚度为10～50μm的样品C，测试其发光寿命。
前面方法中所述的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点其峰值波长为510～550nm，CdSe/CdS/ZnS量子点其峰值波长可为600～630nm。
前面方法中所述的蓝光LED芯片的峰值波长为440～460nm间。
本发明的有益效果
本发明提供一种高性能量子点白光LED的制备方法，主要采用蓝光LED芯片激发红光和绿光量子点，得到显色性好、发光效率高的暖白光量子点LED。绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点可通过核掺杂Cu2+和外部ZnS壳层包覆Al3+，提高其光/热稳定性。发红光的CdSe/CdS/ZnS梯度合金量子点则提供多壳层保护，减少表面晶格不匹配带来的缺陷，防止其光退化。分层结构的涂覆方式可明显抑制量子点间的能量传递和重吸收，增加其发光效率。该方法操作方便，效果明显，对量子点LED在固态照明和显示等领域的应用具有一定的推动意义。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1.本发明采用绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点，ZnInS核中掺杂Cu2+，可得到白光LED所需的绿光，这种掺杂形式可减少Cu2+的使用量，降低对环境的污染，同时掺杂的Cu2+表现出优异的光、热稳定性；
2.本发明采用绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点，外部ZnS壳层掺Al3+。量子点表面壳层所掺杂的铝在空气中可钝化，形成一层致密的Al2O3保护膜，隔绝空气中水、氧的侵蚀，提高量子点的稳定性。
3.本发明采用发红光的CdSe/CdS/ZnS量子点，梯度合金的构造可增强量子点中的限域能，减少晶格不匹配带来的缺陷态，增加发光效率，提高发光的稳定性。
4.本发明采用红、绿光量子点分层涂覆的方法，即红光的CdSe/CdS/ZnS量子点先涂覆于蓝光LED芯片，然后再涂绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点。采用红、绿光量子点分层的结构可以有效减少发光量子点的能量传递和重吸收，提升LED发光器件的发光效率。
附图说明
图1：为实施例1所合成的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的TEM照片；
图2：为实施例1所合成的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的归一化吸收(虚线)和发射(实线)光谱，激发光强度为405nm。
图3：为实施例2所合成的CdSe/CdS/ZnS量子点的TEM照片；
图4为实施例2所合成的CdSe/CdS/ZnS量子点的归一化吸收(虚线)和发射(实线)光谱，激发光强度为405nm。
图5为实施例3、4、5中红/绿，绿/红，红+绿三种量子点薄膜样品在548nm处的发光衰减曲线。
图6为实施例6中红/绿光结构量子点白光LED在无电流(左)和注入电流为50mA(右)下的实物发光图片。
图7为实施例6中红/绿光量子点白光LED的电致发光谱，注入电流分别为20，40，60，80，100mA。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步的详细描述。
实施例1
称取0.073g(0.4mmol)醋酸锌(Zn(OAc)2)，0.008g(0.04mmol)醋酸铜(Cu(OAc)2)，0.117g(0.4mmol)醋酸铟(In(OAc)3)，0.102g(3.2mmol)硫粉(S)，量取8.0mL十二硫醇(DDT)，12.0mL油胺(OAm)加入到50mL的三颈瓶中。通过多次重复抽真空、通氮气的方式保证瓶内高纯氮气氛围。然后以15℃/min的加热速率，将混合溶液从室温加热到220℃，并保持10min，以生长Cu:ZnInS核。随后，降温至100℃，迅速注入锌前驱体溶液(0.146g Zn(OAc)2溶于1.6mL ODE和0.4mL OAm)并保持20min，接着注入铝的前驱体(4mmol(0.816g)异丙醇铝(Al(IPA)3)溶于2mL DDT)。最后以15℃/min的加热速率，将混合溶液从室温加热到240℃，并保持10h。向所得混合液中加入5mL甲醇和5mL氯仿，在5000转/min(rpm)的离心机作用下沉淀，重复三遍，得到纯净的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点，并分散于氯仿溶液中，浓度为100mg/mL。
Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的透射电子显微镜图谱(TEM)如图1所示，图中可发现，量子点粒径为4.1nm，结晶性较好，其吸收和发射光谱则在图2中给出。Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点在440～460nm范围内仍然有较大吸收，表明其可被蓝光LED芯片所激发。量子点的发射光谱覆盖范围大，中心波长位于548nm，半峰全宽(fwhm)为90nm，非常接近于视见函数的峰值波长550nm。因此，Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的光视效能较高，采用此量子点有利于获得高显色、高效率的白光LED。
实施例2
称取0.128g(1mmol)氧化镉(CdO)，0.267g(2mmol)Zn(OAc)2，量取5mL OA，25mL十八烯(ODE)加入到50mL的三颈瓶中。通过多次重复抽真空、通氮气的方式保证瓶内高纯氮气氛围，并以15℃/min的加热速率，将混合溶液从室温加热至300℃，迅速注入硒前驱体溶液(0.016g(0.2mmol)硒粉(Se)溶于0.2mL三辛基膦(TOP)溶液)。当反应进行2.5min后，将0.3mL DDT缓慢注入到反应液中，并在300℃保持20min以生长CdSe/CdZnS量子点。最后将S的前驱体溶液(2mmol S溶于1mL TOP)注入到混合溶液中，保持10min以生长ZnS壳层，得到CdSe/CdS/ZnS量子点。向所得量子点溶液中加入5mL甲醇和5mL丙酮，在5000rpm的离心机作用下沉淀，重复三遍，得到纯净的CdSe/CdS/ZnS量子点，并分散于氯仿溶液，浓度为0.8mg/mL。
CdSe/CdS/ZnS量子点的TEM如图3所示，图中可看出CdSe/CdS/ZnS量子点为单分散的球形，粒径为7.1nm，其吸收和发射光谱在图4中给出，CdSe/CdS/ZnS量子点在450nm附近具有较强烈的吸收，能被蓝光LED芯片有效激发。发射光谱表明CdSe/CdS/ZnS量子点的峰值波长为623nm，fwhm为32nm。由于视见函数中红光部分所占的比例很小，所以红光量子点的半峰宽小可减少LED红光部分的光效损失，有利于量子点白光LED显色性能和发光效率的提升。
实施例3
取实施例1中2mL(100mg/mL)Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液和实施例2中1mL(0.8mg/mL)CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到盛有1.2g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。随后，向溶液中加入0.6g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀。最后，将得到的量子点/硅胶树脂混合物20μL滴涂在经超声清洗过的硅片上，在室温下空气中固化2h，再在80℃真空烘箱中干燥处理2h，得到的器件记为样品A(绿+红)，量子点薄膜的厚度为约20μm，测其发光衰减曲线。所得曲线如图5中绿+红(空心方形)所示，其发光寿命总结于表1，从表中发现Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点寿命为501ns，CdSe/CdS/ZnS量子点寿命为320ns。
实施例4
取实施例1中2mL(100mg/mL)Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到盛有0.6g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。随后，向溶液中加入0.3g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀。最后，将得到的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点/硅胶树脂混合物10μL滴涂在经超声清洗过的硅片上，并在空气中固化。
取实施例2中1mL(0.8mg/mL)CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到盛有0.6g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。随后，向溶液中加入0.3g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，最后，将得到的CdSe/CdS/ZnS量子点/硅胶树脂混合物10μL均匀滴涂在上述涂有Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点/硅胶树脂混合物的硅片上，在室温下空气中固化2h，再在80℃真空烘箱中干燥处理2h，得到的器件记为样品B(绿/红)，量子点薄膜的厚度为约20μm，测其发光衰减曲线。所得曲线如图5中绿/红(空心圆形)所示，其发光寿命总结于表1，从表中发现Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点寿命为639ns，CdSe/CdS/ZnS量子点寿命为238ns。
实施例5
取实施例2中1mL(0.8mg/mL)CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到盛有0.6g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。随后，向溶液中加入0.3g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，最后，将得到的CdSe/CdS/ZnS量子点/硅胶树脂混合物10μL均匀滴涂在经超声清洗过的硅片上，并在空气中固化。
取实施例1中2mL(100mg/mL)Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到盛有0.6g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。随后，向溶液中加入0.3g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，最后，将得到的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点/硅胶树脂混合物10μL滴涂在上述涂有CdSe/CdS/ZnS量子点层的硅片上，在室温下空气中固化2h，再在80℃真空烘箱中干燥处理2h，得到的器件记为样品C(红/绿)，量子点薄膜的厚度为约20μm，测其发光衰减曲线。
所得曲线如图5中红/绿(空心三角形)所示，其发光寿命总结于表1，从表中发现Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点寿命为641ns，CdSe/CdS/ZnS量子点寿命为236ns。发光衰减曲线和表1中的数据表明三种薄膜结构中Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的寿命有较大变化，其中采用红/绿结构，量子点层间的能量转移效率最低，只有1.3％，而直接混合的则高达22.9％，这证明可通过量子点薄膜的结构调控减少量子点之间的能量传递和重吸收，减少多种量子点混合带来的发光猝灭现象以及由此引发的热集聚。同时验证了在硅衬底上先涂覆红光量子点层再涂覆绿光量子点层可以得到最大程度的优化。因此，采用此方法可增加量子点白光LED的发光效率和热稳定性。
表1为实施例3、4、5中红/绿，绿/红，红+绿三种量子点薄膜样品(即A，B，C)在548nm处的寿命以及红、绿光量子点之间的能量传递效率。
样品 绿光 红/绿 绿/红 红+绿
Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al(ns) 650 641 639 501
CdSe/CdS/ZnS(ns) -- 236 238 320
能量传递效率 -- 1.3％ 1.7％ 22.9％
实施例6
取实施例2中1mL(0.8mg/mL)CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到盛有0.6g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。随后，向溶液中加入0.3g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，最后，将得到的CdSe/CdS/ZnS量子点/硅胶树脂混合物取10μL滴涂在蓝光LED芯片上，并在空气中固化。
取实施例1中2mL(100mg/mL)Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到盛有0.6g硅胶树脂A的玻璃瓶中，搅拌均匀后放置于50℃真空干燥箱，热处理30min，以除去溶剂。紧接着，向溶液中加入0.3g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀。最后，将得到的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点/硅胶树脂混合物取10μL滴涂在上述涂有CdSe/CdS/ZnS量子点层的蓝光LED芯片上，在室温下空气中固化2h，再在80℃真空烘箱中干燥处理2h，得到白光量子点LED，量子点薄膜的厚度约为50μm。
所制备的量子点LED通过恒流电源(吉时利)提供注入电流，采用带有积分球的分光仪(海洋光学，中国)测其电致发光光谱以及光度参数和色度参数。图6为分层结构的量子点LED在有电流和无电流注入的实物图。测得白光LED的电致发光光谱如图7所示，白光LED在相应电源流下的光度和色度数据列于表2，其色坐标为(0.35，0.29)，色温在4500K显色指数可达90，发光效率可达75lm/W。从图7所得LED的电致发光光谱和表2中LED的光度、色度参数可知，采用Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al和CdSe/CdS/ZnS量子点分层涂覆的方式可以得到高显色性能、高发光效率的白光LED，同时可发现其在较高电流下(100mA)仍然具有很好的发光性能，表明其同时具备较好的光、热稳定性，有望于应用到平板显示、照明等领域，展现出很好的应用潜能。
表2为实施例6中红/绿光量子点白光LED在不同注入电流下的光度参数和色度参数。
电流(mA) 色坐标(x,y) 色温(K) 显色指数 发光效率(lm/W)
20 (0.3495，0.2937) 4440 90.3 75.34
40 (0.3487，0.2911) 4458 89.8 74.74
80 (0.349，0.2919) 4450 89.4 72.91
100 (0.3478，0.2901) 4496 89.3 71.32

Claims (6)

1.一种量子点白光LED的制备方法，其步骤如下：
(1)制备核掺杂Cu2+、壳层掺杂Al3+的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al绿光量子点，然后分散于有机溶剂中得到100～300mg/mL的量子点溶液；
(2)制备梯度合金的CdSe/CdS/ZnS红光量子点，然后分散于有机溶剂中得到0.5～5.0mg/mL量子点溶液；
(3)将步骤(2)制备的1mL的CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到0.5～0.8g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后再加入0.2～0.5g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，得到CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物；
(4)取10～30μL步骤(3)制备的CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物滴涂在蓝光LED芯片上，并在室温下空气中固化1～3h，得到的量子点薄膜的厚度为10～50μm；
(5)将步骤(1)制备的2mL的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到0.5～0.8g硅胶树脂A中，搅拌均匀，在40～60℃真空条件下热处理20～40min以除去溶剂，然后加入0.2～0.5g硅胶树脂B固化剂，并搅拌均匀，得到Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物；
(6)取10～30μL步骤(5)制备的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物滴涂在步骤(4)制备的滴涂有CdSe/CdS/ZnS量子点层的蓝光LED芯片上，在室温下空气中固化1～3h，然后在60～100℃真空条件下干燥处理1～3h，得到量子点薄膜厚度为10～50μm的量子点白光LED。
2.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：所述的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al绿光量子点是以ZnInS为核，在核中掺杂Cu2+；以ZnS为壳，在壳的外层掺杂Al3+，其中Cu2+和Zn2+的摩尔比为(0.01～0.1)：1，Al3+和Zn2+的摩尔比为(2～10)：1。
3.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：有机溶剂为氯仿、甲苯或正己烷。
4.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点的峰值波长为510～550nm，CdSe/CdS/ZnS量子点的峰值波长为600～630nm。
5.如权利要求1所述的一种量子点白光LED的制备方法，其特征在于：蓝光LED芯片的峰值波长为440～460nm。
6.一种量子点白光LED，其特征在于：是由权利要求1～5任何一项所述的方法制备得到。
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