TW201516537A - 背光模組與應用其之顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種背光模組，包含框架、光源、導光板、波長轉換層與光學膜片組。光源與導光板皆設置於框架內。導光板包含出光面、入光面與至少一側邊。光源對應入光面設置。側邊鄰接於出光面與入光面。波長轉換層至少設置於側邊，係用以將光源所提供之光轉換成白光。光學膜片組設置於導光板之出光面上。

Description

背光模組與應用其之顯示面板
本發明是有關於一種背光模組。
作為背光模組的主要元件之一，導光板能夠藉由導引光線方向，以提高背光模組出光的輝度與亮度均勻度。一般而言，光源所提供的光線可由導光板的入光面進入導光板，在導光板中行進後，大部份的光線可由導光板的出光面射出。對於具光色轉換功能的導光板而言，可在出光面上方或者導光板中加入光色轉換材料，以將光源所提供的光色轉換為特定的光色。然而雖然大部份的光線從出光面射出，但另一部份的光線亦可能會從導光板的側邊射出，此部份的光線可能帶有光源提供之光色。若此部份的光線混入光色轉換後之光線中，便會降低背光模組出光的光色均勻度。
本發明之一態樣提供一種背光模組，包含框架、光源、導光板、波長轉換層與光學膜片組。光源設置於框架 內。導光板設置於框架內，且導光板包含出光面、入光面與至少一側邊。光源對應入光面設置。側邊鄰接於出光面與入光面。波長轉換層至少設置於側邊，係用以將光源所提供之光轉換成白光。光學膜片組設置於導光板之出光面上。
在一或多個實施方式中，背光模組更包含反射片，設置於導光板與框架之間。
在一或多個實施方式中，光源包含藍光發光二極體，係用以提供藍光。
在一或多個實施方式中，波長轉換層包含螢光粉體或量子點材料，係用以將入射的部份藍光轉換成紅光或綠光。
在一或多個實施方式中，量子點材料之粒徑實質上約為1~15奈米(nm)。
在一或多個實施方式中，量子點材料包含CdSe(硒化鎘)/ZnS(硫化鋅)、InP(磷化銦)/ZnS(硫化鋅)、PbSe(硒化鉛)/PbS(硫化鉛)、CdSe(硒化鎘)/CdS(硫化鎘)、CdTe(碲化鎘)/CdS(硫化鎘)或CdTe(碲化鎘)/ZnS(硫化鋅)。
在一或多個實施方式中，螢光粉體之材料包含ZnS：Cu+,Al3+(硫化鋅以及硫化鋅摻雜銅鋁元素)，SrGa2S4：Eu2+(硫化鎵鍶以及硫化鎵鍶摻雜銪元素)，Lu3Al5O12：Ce3+(氧化鋁鎦以及氧化鋁鎦摻雜鈰元素)、Y3Al5O12：Ce3+(氧化鋁釔以及氧化鋁釔摻雜鈰元素)、CaSiO4：Eu2+(氧化矽鈣以及氧化矽鈣摻雜銪元素)、SrSiO4：Eu2+(氧化矽鍶 以及氧化矽鍶摻雜銪元素)、BaSiO4：Eu2+(氧化矽鋇以及氧化矽鋇摻雜銪元素)、MgSiO4：Eu2+(氧化矽鎂以及氧化矽鎂摻雜銪元素)、β-SiAlON：Eu2+(β-氮氧矽鋁以及β-氮氧矽鋁摻雜銪元素)、SrSi2O2N2：Eu2+(氮氧矽鍶以及氮氧矽鍶摻雜銪元素)、CaSi2O2N2：Eu2+(氮氧矽鈣以及氮氧矽鈣摻雜銪元素)、CaS：Eu2+(硫化鈣以及硫化鈣摻雜銪元素)、CrS：Eu2+(硫化鍶以及硫化鍶摻雜銪元素)、YVO4：Eu3+,Bi3+(氧化釩釔以及氧化釩釔摻雜銪铋元素)、CaAlSiN3：Eu2+(氮矽鋁鈣以及氮矽鋁鈣摻雜銪元素)、SrAlSiN3：Eu2+(氮矽鋁鍶以及氮矽鋁鍶摻雜銪元素)、Ca2Si5N8：Eu2+(氮矽鈣以及氮矽鈣摻雜銪元素)或Sr2Si5N8：Eu2+(氮矽鍶以及氮矽鍶摻雜銪元素)。
在一或多個實施方式中，入光面鄰接於出光面。
在一或多個實施方式中，導光板更包含另一側邊。該另一側邊與入光面相對設置，且該另一側邊鄰接於出光面與該側邊。波長轉換層更設置於該另一側邊。
在一或多個實施方式中，入光面與出光面相對應設置。
在一或多個實施方式中，導光板具有波長轉換材料，用以將光源所入射的光轉換成白光。
在一或多個實施方式中，光學膜片組包含量子點增亮膜、下菱鏡片、上菱鏡片與擴散片。
本發明之另一態樣提供一種顯示面板，包含上述之背光模組與顯示模組。顯示模組設置於光學膜片組上。
因上述之波長轉換層至少設置於側邊，因此自導光板之側邊射出之光線可先被波長轉換層轉換為白光，而後才自背光模組射出，藉以改善背光模組出光之光色的均勻度。
100‧‧‧背光模組
110‧‧‧框架
112‧‧‧開口
120‧‧‧光源
130‧‧‧導光板
132‧‧‧出光面
133‧‧‧面
134‧‧‧入光面
136、138‧‧‧側邊
140‧‧‧波長轉換層
142‧‧‧量子點材料
143‧‧‧螢光粉體
144‧‧‧本體
146‧‧‧散射粒子
148‧‧‧防水層
150‧‧‧光學膜片組
152‧‧‧量子點增亮膜
154‧‧‧下菱鏡片
156‧‧‧上菱鏡片
158‧‧‧擴散片
160‧‧‧反射片
170‧‧‧波長轉換材料
200‧‧‧顯示模組
A-A‧‧‧線段
W‧‧‧粒徑
第1圖為本發明一實施方式之背光模組的立體圖。
第2圖為沿第1圖之線段A-A之第一實施方式的剖面圖。
第3圖為第1圖之背光模組之第一實施方式的分解示意圖。
第4A圖為第2圖之波長轉換層與導光板一實施方式的放大示意圖。
第4B圖為第2圖之波長轉換層與導光板另一實施方式的放大示意圖。
第5圖為沿第1圖之線段A-A之第二實施方式的剖面圖。
第6圖為第1圖之背光模組之第二實施方式的分解示意圖。
第7圖為沿第1圖之線段A-A之第三實施方式的剖面圖。
第8圖為第1圖之背光模組之第三實施方式的分解示意圖。
第9圖為本發明一實施方式之顯示面板的剖面圖。
以下將以圖式揭露本發明的複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
請同時參照第1圖至第3圖，其中第1圖為本發明一實施方式之背光模組100的立體圖，第2圖為沿第1圖之線段A-A之第一實施方式的剖面圖，而第3圖為第1圖之背光模組100之第一實施方式的分解示意圖。背光模組100包含框架110、光源120、導光板130、波長轉換層140與光學膜片組150。光源120與導光板130皆設置於框架110內。導光板130包含出光面132、入光面134與側邊136，例如在第3圖中，導光板130包含兩側邊136。光源120對應入光面134設置。側邊136鄰接於出光面132與入光面134。波長轉換層140係至少設置於側邊136，用以將光源120所提供之光轉換成白光。光學膜片組150設置於導光板130之出光面132上。
本實施方式之背光模組100的光源120提供的光線可自入光面134射入導光板130。在導光板130中行進後，大部份的光線會從導光板130的出光面132射出，這部份 的光線即為背光模組100所提供的主要光線。然而另一部份的光線亦會從導光板130的側邊136射出，在經過框架110的反射後，部份光線會混入主要光線中，進而影響背光模組100出光之光色。舉例而言，對於提供白光的背光模組而言，若從側邊136射出的光線並非白光，則背光模組100出光之光色便會有不均勻之虞。然而因在本實施方式中，波長轉換層140至少設置於側邊136，因此自導光板130之側邊136射出的光線可先經由波長轉換層140轉換為白光，而後才自背光模組100射出。如此一來，本實施方式的背光模組100便可改善其出光之光色的均勻度。
請同時參照第2圖與第3圖。在本實施方式中，入光面134鄰接於出光面132，也就是說，本實施方式的背光模組100為側入式背光模組。詳細而言，在第3圖中，入光面134鄰接出光面132之一邊，而兩側邊136相對設置，且分別鄰接出光面132的相對兩邊，以及鄰接入光面134的相對兩邊。
在本實施方式中，導光板130可更包含另一側邊138。側邊138與入光面134相對設置，且側邊138鄰接於出光面132與兩相對側邊136，因此入光面134、兩側邊136與側邊138共同圍繞出光面132的邊界設置。在一或多個實施方式中，波長轉換層140可更設置於側邊138，以將自側邊138射出的光線轉換為白光。也就是說，自入光面134射入導光板130的光線，不論由側邊136或138射出，皆可經由波長轉換層140，以被轉換成白光，藉此進一步改善 背光模組100出光之光色的均勻度。
在本實施方式中，光源120包含藍光發光二極體，係用以提供藍光。因此自光源120發出之藍光可由入光面134進入導光板130。部份之藍光在導光板130中行進後由側邊136、138射出，接著進入波長轉換層140。波長轉換層140將藍光轉換為白光後，部份白光經由框架110的反射，而自框架110的一開口112射出。
接著請參照第4A圖，其繪示第2圖之波長轉換層140與導光板130的放大示意圖。波長轉換層140包含量子點材料142，係用以將入射的部份藍光轉換成紅光或綠光。因此當部分之藍光射入波長轉換層140後，部份之藍光會與紅光及綠光混合成白光。值得一提的是，因本實施方式的白光係由藍光、紅光與綠光共同混合而成，因此背光模組100所發出之白光具有較廣的色域空間，也因此能夠提高白光的飽合度。
接續上述，在本實施方式中，量子點材料142例如為複數顆量子點(Quantum Dots,QDs)，例如可為紅色量子點與綠色量子點的混合。這些量子點之間具有不同或相同的粒徑W，而量子點的發光波長則由其粒徑W所決定。在本實施方式中，發光波長為紅光與綠光的量子點之粒徑W的分佈實質上約為1~15奈米(nm)。另外，每一量子點例如可包含核心與外殼，外殼包覆核心。在一或多個實施方式中，量子點材料142之核心/外殼的材料可包含CdSe(硒化鎘)/ZnS(硫化鋅)、InP(磷化銦)/ZnS(硫化鋅)、PbSe(硒化 鉛)/PbS(硫化鉛)、CdSe(硒化鎘)/CdS(硫化鎘)、CdTe(碲化鎘)/CdS(硫化鎘)或CdTe(碲化鎘)/ZnS(硫化鋅)，然而本發明不以此為限。
基本上，量子點材料142之核心與外殼皆可為二六族(Group II-VI)、二五族(Group II-V)、三六族(Group III-VI)、三五族(Group III-V)、四六族(Group IV-VI)、二四六族(Group II-IV-VI)或二四五族(Group II-IV-V)複合材料。其中核心的材質可為ZnS(硫化鋅)、ZnSe(硒化鋅)、ZnTe(碲化鋅)、CdS(硫化鎘)、CdSe(硒化鎘)、CdTe(碲化鎘)、HgS(硫化汞)、HgSe(硒化汞)、HgTe(碲化汞)、AlN(氮化鋁)、AlP(磷化鋁)、AlAs(砷化鋁)、AlSb(銻化鋁)、GaN(氮化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAs(砷化鎵)、GaSb(銻化鎵)、GaSe(硒化鎵)、InN(氮化銦)、InP(磷化銦)、InAs(砷化銦)、InSb(銻化銦)、TlN(氮化鉈)、TlP(磷化鉈)、TlAs(砷化鉈)、TlSb(銻化鉈)、PbS(硫化鉛)、PbSe(硒化鉛)、PbTe(碲化鉛)或上述之任意組合。而外殼的材質可為ZnO(氧化鋅),ZnS(硫化鋅)、ZnSe(硒化鋅)、ZnTe(碲化鋅)、CdO(氧化鎘)、CdS(硫化鎘)、CdSe(硒化鎘)、CdTe(碲化鎘)、MgO(氧化鎂)、MgS(硫化鎂)、MgSe(硒化鎂)、MgTe(碲化鎂)、HgO(氧化汞)、HgS(硫化汞)、HgSe(硒化汞)、HgTe(碲化汞)、AlN(氮化鋁)、AlP(磷化鋁)、AlAs(砷化鋁)、AlSb(銻化鋁)、GaN(氮化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAs(砷化鎵)、GaSb(銻化鎵)、InN(氮化銦)、InP(磷化銦)、InAs(砷化銦)、InSb(銻化銦)、TlN(氮化鉈)、TlP(磷化鉈)、TlAs(砷化鉈)、TlSb(銻化鉈)、PbS(硫化鉛)、PbSe(硒 化鉛)、PbTe(碲化鉛)或上述之任意組合。
在本實施方式中，波長轉換層140例如可包含本體144，而量子點材料142則分佈於本體144中。其中本體144的材質例如為環氧複合材料，然而本發明不以此為限。另外，波長轉換層140更可包含複數個散射粒子146，亦分佈於本體144中。散射粒子146可使得量子點材料142所發出的紅光與綠光產生散射，藉此讓波長轉換層140所產生的紅光與綠光更加均勻。在其他的實施方式中，波長轉換層140更可包含防水層148，本體144置於防水層148與導光板130之間。防水層148能夠阻絕外界的水氣，進而延長量子點材料142的壽命。而在其他的實施方式中，波長轉換層140可更包含另一防水層，置於本體144與導光板130之間，以與防水層148一同包覆本體144，然而本發明不以此為限。
接著請參照第4B圖，其繪示第2圖之波長轉換層140與導光板130另一實施方式的放大示意圖。在本實施方式中，量子點材料142(如第4A圖所示)可替換為螢光粉體143，螢光粉體143亦用以係用以將入射的部份藍光轉換成紅光或綠光。螢光粉體143可包含綠色螢光粉，其材料例如為ZnS：Cu+,Al3+(硫化鋅以及硫化鋅摻雜銅鋁元素)，SrGa2S4：Eu2+(硫化鎵鍶以及硫化鎵鍶摻雜銪元素)，Lu3Al5O12：Ce3+(氧化鋁鎦以及氧化鋁鎦摻雜鈰元素)、Y3Al5O12：Ce3+(氧化鋁釔以及氧化鋁釔摻雜鈰元素)、CaSiO4：Eu2+(氧化矽鈣以及氧化矽鈣摻雜銪元素)、SrSiO4：Eu2+(氧 化矽鍶以及氧化矽鍶摻雜銪元素)、BaSiO4：Eu2+(氧化矽鋇以及氧化矽鋇摻雜銪元素)、MgSiO4：Eu2+(氧化矽鎂以及氧化矽鎂摻雜銪元素)、β-SiAlON：Eu2+(β-氮氧矽鋁以及β-氮氧矽鋁摻雜銪元素)、SrSi2O2N2：Eu2+(氮氧矽鍶以及氮氧矽鍶摻雜銪元素)或CaSi2O2N2：Eu2+(氮氧矽鈣以及氮氧矽鈣摻雜銪元素)。螢光粉體143更可包含紅色螢光粉，其材料例如為CaS：Eu2+(硫化鈣以及硫化鈣摻雜銪元素)、CrS：Eu2+(硫化鍶以及硫化鍶摻雜銪元素)、YVO4：Eu3+,Bi3+(氧化釩釔以及氧化釩釔摻雜銪铋元素)、CaAlSiN3：Eu2+(氮矽鋁鈣以及氮矽鋁鈣摻雜銪元素)、SrAlSiN3：Eu2+(氮矽鋁鍶以及氮矽鋁鍶摻雜銪元素)、Ca2Si5N8：Eu2+(氮矽鈣以及氮矽鈣摻雜銪元素)或Sr2Si5N8：Eu2+(氮矽鍶以及氮矽鍶摻雜銪元素)。至於本實施方式之其他細節因與第4A圖相同，因此便不再贅述。
接著請回到第2圖與第3圖。上述的段落皆針對射出側邊136與138的光線之光色轉換作敘述，而接下來則針對射出出光面132的光線之光色轉換作敘述。在本實施方式中，光學膜片組150包含量子點增亮膜152、下菱鏡片154、上菱鏡片156以及擴散片158。量子點增亮膜152置於出光面132上，且置於下菱鏡片154與導光板130之間。量子點增亮膜152能夠將自出光面132射出之藍光轉換為白光，其結構與材料例如與波長轉換層140相同，然而本發明不以此為限。在本實施方式中，擴散片158亦可以多層增亮膜取代，或是將擴散片158與上菱鏡片156整合在 一起，然而本發明不以此為限。下菱鏡片154置於上菱鏡片156與量子點增亮膜152之間，而上菱鏡片156則置於擴散片158與下菱鏡片154之間。然而應注意的是，上述之光學膜片組150的組成與設置皆僅為例示，本發明不以此為限。另一方面，在本實施方式中，背光模組100更包含反射片160，設置於導光板130與框架110之間，例如在第2圖中，反射片160毗鄰導光板130相對出光面132之底面133設置。反射片160可將導光板130中的光線實質導向框架110的開口112，以增加背光模組100整體的出光量。
光源120提供之藍光由入光面134進入導光板130。部份的藍光會直接射至出光面132、或者由反射片160反射至出光面132後進入量子點增亮膜152，因此量子點增亮膜152將藍光轉換為白光。白光接著依序通過下菱鏡片154、上菱鏡片156與擴散片158後，由框架110的開口112射出。如此一來，自入光面134進入導光板130的藍光，不論是由側邊136、138或出光面132離開導光板130，皆能夠由波長轉換層140或量子點增亮膜152轉換為白光，使得背光模組100出光之光色具有較佳的均勻度。
接著請同時參照第5圖與第6圖，其中第5圖為沿第1圖之線段A-A之第二實施方式的剖面圖，而第6圖為第1圖之背光模組100之第二實施方式的分解示意圖。本實施方式之背光模組100與第一實施方式的不同處在於入光面134的位置，以及側邊136的數量。在本實施方式中， 入光面134與出光面132相對應設置，如第5圖所示，且側邊136為四個，也就是說，本實施方式的背光模組100為直下式背光模組。詳細而言，入光面134與出光面132互不連接，而四側邊136則分別鄰接入光面134與出光面132的四個邊，且波長轉換層140可選擇完全覆蓋四側邊136。因此光源120提供之藍光由入光面134進入導光板130後，部份之藍光在導光板130中行進且由側邊136射出，進而進入波長轉換層140。波長轉換層140接著將藍光轉換為白光後，經由框架110的反射，而自框架110的開口112射出。另一部份的藍光則直接由出光面132射出而進入量子點增亮膜152。量子點增亮膜152將此一部份的藍光轉換為白光後，白光接著依序通過下菱鏡片154、上菱鏡片156與擴散片158後，由框架110的開口112射出。如此一來，光源120提供之藍光在進入導光板130後，不論是自側邊136或自出光面132射出，藍光皆能被轉換成白光，以增加背光模組100出光之光色的均勻度。另一方面，光源120可置於反射片160與導光板130之間，以提高藍光射入導光板130的光量，然而本發明不以此為限。如上述之直下式背光模組，其中導光板130具有擴散功能，係用以將線光源轉換成面光源，或是利用擴散板取代導光板，但不以此為限。至於本實施方式的其他細節因與第一實施方式相同，因此便不再贅述。
接著請同時參照第7圖與第8圖，其中第7圖為沿第1圖之線段A-A之第三實施方式的剖面圖，而第8圖為 第1圖之背光模組100之第三實施方式的分解示意圖。本實施方式之背光模組100與第一實施方式的不同處在於光學膜片組150的元件，以及波長轉換材料170的設置。在本實施方式中，光學膜片組150可設置不包含量子點之增亮膜，且於導光板130中設置波長轉換材料170。波長轉換材料170用以將部份之藍光轉換為白光，也就是說，在本實施方式中，波長轉換材料170可替代量子點增亮膜的功能。詳細而言，當藍光自入光面134進入導光板130後，部份之藍光可被波長轉換材料170轉換為白光，此白光接著可直接由出光面132射出導光板130，亦可經過反射片160的反射以穿過出光面132而射出導光板130。另一部份之藍光亦可由側邊136與138射出，因此進入波長轉換層140。藍光接者被波長轉換層140轉換為白光後，經由框架110的反射而自框架110的開口112射出。如此一來，光源120提供之藍光在進入導光板130後，不論是自側邊136、138或自出光面132射出，藍光皆能被轉換成白光，以增加背光模組100出光之光色的均勻度。
另一方面，在本實施方式中，光學膜片組150自導光板130之一端可依序包含下菱鏡片154、上菱鏡片156與擴散片158，然而本發明不以此為限。至於本實施方式的其他細節因與第一實施方式相同，因此便不再贅述。另外，雖然本實施方式之背光模組100為側入式背光模組，然而在其他的實施方式中，波長轉換材料170亦可應用於直下式背光模組(如第二實施方式之背光模組100)，本發明不以 此為限。
接著請參照第9圖，其為本發明一實施方式之顯示面板的剖面圖。顯示面板包含背光模組100與顯示模組200。顯示模組200設置於光學膜片組150上。顯示模組200可包含複數個畫素單元，背光模組100射出之白光在經過這些畫素單元後，會被調制成不同的畫素影像，而這些畫素影像即組成為顯示面板所顯示的影像。在一或多個實施方式中，顯示模組200例如可為液晶顯示模組或電濕潤顯示模組，然而本發明不以此為限。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧背光模組
110‧‧‧框架
112‧‧‧開口
120‧‧‧光源
130‧‧‧導光板
132‧‧‧出光面
134‧‧‧入光面
136、138‧‧‧側邊
140‧‧‧波長轉換片
150‧‧‧光學膜片組
152‧‧‧量子點增亮膜
154‧‧‧下菱鏡片
156‧‧‧上菱鏡片
158‧‧‧擴散片
160‧‧‧反射片

Claims (13)

  1. 一種背光模組，包含：一框架；一光源，設置於該框架內；一導光板，設置於該框架內，包含：一出光面；一入光面，其中該光源對應該入光面設置；以及至少一側邊，鄰接於該出光面與該入光面；一波長轉換層，至少設置於該側邊，係用以將該光源所提供之光轉換成一白光；以及一光學膜片組，設置於該導光板之該出光面上。
  2. 如請求項1所述的背光模組，更包含一反射片，設置於該導光板與該框架之間。
  3. 如請求項1所述的背光模組，其中該光源包含一藍光發光二極體，係用以提供一藍光。
  4. 如請求項3所述的背光模組，其中該波長轉換層包含一螢光粉體或一量子點材料，係用以將入射的部分該藍光轉換成一紅光或一綠光。
  5. 如請求項4所述的背光模組，其中該量子點材料之粒徑實質上約為1~15奈米(nm)。
  6. 如請求項4所述的背光模組，其中該量子點材料包含CdSe(硒化鎘)/ZnS(硫化鋅)、InP(磷化銦)/ZnS(硫化鋅)、PbSe(硒化鉛)/PbS(硫化鉛)、CdSe(硒化鎘)/CdS(硫化鎘)、CdTe(碲化鎘)/CdS(硫化鎘)或CdTe(碲化鎘)/ZnS(硫化鋅)。
  7. 如請求項4所述的背光模組，其中該螢光粉體之材料包含ZnS：Cu+,Al3+(硫化鋅以及硫化鋅摻雜銅鋁元素)，SrGa2S4：Eu2+(硫化鎵鍶以及硫化鎵鍶摻雜銪元素)，Lu3Al5O12：Ce3+(氧化鋁鎦以及氧化鋁鎦摻雜鈰元素)、Y3Al5O12：Ce3+(氧化鋁釔以及氧化鋁釔摻雜鈰元素)、CaSiO4：Eu2+(氧化矽鈣以及氧化矽鈣摻雜銪元素)、SrSiO4：Eu2+(氧化矽鍶以及氧化矽鍶摻雜銪元素)、BaSiO4：Eu2+(氧化矽鋇以及氧化矽鋇摻雜銪元素)、MgSiO4：Eu2+(氧化矽鎂以及氧化矽鎂摻雜銪元素)、β-SiAlON：Eu2+(β-氮氧矽鋁以及β-氮氧矽鋁摻雜銪元素)、SrSi2O2N2：Eu2+(氮氧矽鍶以及氮氧矽鍶摻雜銪元素)、CaSi2O2N2：Eu2+(氮氧矽鈣以及氮氧矽鈣摻雜銪元素)、CaS：Eu2+(硫化鈣以及硫化鈣摻雜銪元素)、CrS：Eu2+(硫化鍶以及硫化鍶摻雜銪元素)、YVO4：Eu3+,Bi3+(氧化釩釔以及氧化釩釔摻雜銪铋元素)、CaAlSiN3：Eu2+(氮矽鋁鈣以及氮矽鋁鈣摻雜銪元素)、SrAlSiN3：Eu2+(氮矽鋁鍶以及氮矽鋁鍶摻雜銪元素)、Ca2Si5N8：Eu2+(氮矽鈣以及氮矽鈣摻雜銪元素)或Sr2Si5N8：Eu2+(氮矽鍶以及氮矽鍶摻雜銪元素)。
  8. 如請求項1所述的背光模組，其中該入光面鄰接於該出光面。
  9. 如請求項8所述的背光模組，其中該導光板更包含一另一側邊，該另一側邊與該入光面相對設置，且該另一側邊鄰接於該出光面與該側邊，其中該波長轉換層更設置於該另一側邊。
  10. 如請求項1所述的背光模組，其中該入光面與該出光面相對應設置。
  11. 如請求項10所述的背光模組，其中該導光板具有波長轉換材料，用以將該光源所入射的光轉換成白光。
  12. 如請求項1所述的背光模組，其中該光學膜片組包含：一量子點增亮膜、一上菱鏡片、一下菱鏡片以及一擴散片。
  13. 一種顯示面板，包含：如請求項1所述之背光模組；以及一顯示模組，設置於該光學膜片組上。
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