KR20170034797A - 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체 - Google Patents

양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR20170034797A
KR20170034797A KR1020170018186A KR20170018186A KR20170034797A KR 20170034797 A KR20170034797 A KR 20170034797A KR 1020170018186 A KR1020170018186 A KR 1020170018186A KR 20170018186 A KR20170018186 A KR 20170018186A KR 20170034797 A KR20170034797 A KR 20170034797A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anodic oxide
anodizing
oxide film
film structure
electrode
Prior art date
Application number
KR1020170018186A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101747856B1 (ko
Inventor
안범모
박승호
변성현
Original Assignee
(주)포인트엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)포인트엔지니어링 filed Critical (주)포인트엔지니어링
Priority to KR1020170018186A priority Critical patent/KR101747856B1/ko
Publication of KR20170034797A publication Critical patent/KR20170034797A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101747856B1 publication Critical patent/KR101747856B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
    • H01L21/471—Inorganic layers
    • H01L21/473—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

본 발명은 양극산화 피막의 일면에 절단 예정 라인을 따라 에칭하여 에칭홈을 형성하여 에칭홈의 내부 바닥면에 위치하는 아노다이징 포어의 입구 직경을 확경시켜 확경 포어를 형성한 후, 에칭홈을 따라 절단함으로써 크랙 발생이 적고 수율이 우수한 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체에 관한 것이다.

Description

양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체{ Cutting method for Anodic oxide film structure and Unit Anodic oxide film structure using the same }
본 발명은 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체에 관한 것이다.
일반적으로 단위 유닛들은 직사각형 형태의 매트릭스 형태로 일괄적으로 형성되고, 그 활용을 위해 절단장치에 의해 다이싱되어 개별적으로 분리되어 진다. 반도체 제조공정에 사용되는 절단장치는 웨이퍼나 반도체 스트립을 미리 구성된 지그 상에 올려 고정시킨 다음에 냉각수를 분사하면서 다이싱 블레이드(dicing blade)를 고속 회전시켜서 다이싱 공정작업을 실시한다.
그러나 위와 같은 다이싱 장치를 마이크로 수준의 구조체에 바로 적용하게 되면, 다이싱 과정에서 발생되는 열을 식혀주기 위한 냉각수의 수압 및 고속 회전하는 다이싱 블레이드 주변의 공기압 등으로 인하여, 효율적으로 단위 유닛으로 개별화하는 것이 어렵다는 문제가 있다.
한국공개특허 제2006-0006283호에는 반도체 또는 디스플레이 제조 장치의 양극산화 피막이 코팅된 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 부재의 제조방법이 개시되어 있는데, 위 공개공보에 개시된 기술은 미리 알루미늄 합금을 소정의 크기로 절단한 이후에, 그 표면을 양극산화 처리하는 것이기 때문에, 양극산화층을 기판으로 이용하여 그 상면에 전극 등을 형성한 이후에 이를 단위 유닛으로 개별화는 것에는 적합하지 않다.
금속재질의 모재에 양극산화처리(anodizing)를 하면, 표면에 뚫린 구멍(Pore)을 다수 가지는 다공층과 다공층 하부에 존재하는 베리어층으로 이루어진 양극산화 피막이 형성되는데, 이러한 양극 산화 피막을 기판으로 하여 그 일면에 전극 등을 형성한 구조체에 있어서는, 이를 단위 유닛으로 개별화하는 방법이 알려져 있지 않아 효율적으로 개별화하는 것이 어렵다는 문제점이 있다.
한국공개특허 제2006-0006283호
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 양극산화 피막 구조체의 절단시 크랙 발생이 적고 수율이 우수한 양극산화 피막 구조체의 절단 방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체를 제공함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 양극산화 피막 구조체의 절단 방법은, 다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 양극산화 피막의 일면에 절단 예정 라인을 따라 에칭하여 에칭홈을 형성하여 상기 에칭홈의 내부 바닥면에 위치하는 상기 아노다이징 포어의 입구 직경을 확경시켜 확경 포어를 형성하는 에칭단계; 상기 에칭홈을 따라 절단하는 절단단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 확경 포어 중 적어도 일부가 서로 연결되어 공간이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 절단단계는 다이싱 블레이드를 이용하여 절단하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 절단단계는 상기 양극산화 피막의 타면을 가압하여 브레이킹하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 단위 양극산화 피막 구조체에 있어서, 상기 단위 양극산화 피막 구조체는 몸체부와, 상기 몸체부의 상면에 대해 단차져 외측으로 연장된 단차부를 포함하고, 상기 몸체부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경보다 상기 단차부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경이 더 큰 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 단차부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 중 적어도 일부가 서로 연결되어 공간이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 몸체부의 상면에는 전극이 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전극은 히터전극, 센서전극, 또는 히터전극 및 센서전극인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
양극산화 피막이 인장력을 덜 받도록 절단할 수 있어, 크랙 발생이 적고 수율이 우수하다. 그래서 다이싱 공정이 요구되는 경우에도 양극산화 피막 구조체를 활용하기 좋다.
단위 양극산화 피막 구조체의 구조적 안정성이 우수하다.
도 1은 양극산화 피막 구조체 절단시 크랙이 발생한 모습을 나타낸 사진.
도 2는 양극산화 피막 구조체의 상면에 전극이 형성된 평면도.
도 3은 인접하는 단위 양극산화 피막 구조체 사이를 확대하여 나타낸 정면도.
도 4는 인접하는 단위 양극산화 피막 구조체 사이에 에칭홈이 형성된 정면도.
도 5는 도 4에서 절단 부분을 나타낸 정면도.
도 6은 양극산화 피막 구조체의 절단 방법에 따라 절단된 단위 양극산화 피막 구조체.
도 7은 단위 양극산화 피막 구조체의 평면도.
도 8은 몸체부의 상면을 나타낸 확대사진.
도 9는 단차부의 상면을 나타낸 확대사진.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부한 도면들과 함께 상세히 후술된 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명하는 실시 예에 한정된 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 또한, 바람직한 실시 예에 따른 것이기 때문에, 설명의 순서에 따라 제시되는 참조 부호는 그 순서에 반드시 한정되지는 않는다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.
참고적으로, 이하에서 설명될 본 발명의 구성들 중 종래기술과 동일한 구성에 대해서는 전술한 종래기술을 참조하기로 하고 별도의 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 양극산화 피막 구조체(1)는 양극산화 피막(50)을 기판으로 하고, 양극산화 피막(50)의 외면에 각종 전극 또는 칩 등이 일정간격으로 다수 개 배치된 것이다. 양극산화 피막 구조체(1)는 도 2에 도시한 바와 같이, 단위 유닛인 단위 양극산화 피막 구조체(150)들이 직사각형 형태의 매트릭스 형태로 일괄적으로 형성되어 있다. 단위 양극산화 피막 구조체(150)는 상면이 사각형인 직육면체 형상의 양극산화 피막(50)과, 양극산화 피막(50)을 기판으로 하여 그 상면에 형성된 전극을 포함하여 이루어진다. 상기 전극은 히터전극(151) 및 센서전극(154)으로 이루어진다. 양극산화 피막 구조체(1)가 다이싱되어 생산되는 개별 부품의 예로써, 각종 센서가 있으며, 이하 본 실시예에서는 마이크로 센서(150)를 예로 들어 설명하도록 한다.
양극산화 피막 구조체(1)를 종래에 공지된 다이싱 방법으로 절단하면, 도 1과 같이 크랙이 발생하기 쉬워 수율이 낮은 문제점이 본 발명자에 의해 발견되었다. 위와 같은 크랙이 발생이 발생하는 이유는 위 종래의 다이싱 방법이 양극산화 피막 구조체(1)를 절단하는 데에는 적절하지 않기 때문인 것으로 이해된다.
본 실시예의 절단 방법은, 도 2와 같이 다수 개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 구성된 양극산화 피막 구조체(1)를 다이싱하여 낱개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리하는 방법이다. 양극산화 피막 구조체(1)는 도 2에 점선으로 도시된 절단 예정 라인(120)을 따라 절단되어 다수 개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리된다.
도 2 내지 도 7에 도시되어 있는 아노다이징 포어(110)의 직경 및 깊이의 크기는 설명의 편의상 과장되게 도시한 것이므로, 본 발명의 기술적 사상이 도 2 내지 도 7에 도시되어 있는 구조의 것으로 한정되지는 않는다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 양극산화 피막 구조체(1)의 절단 방법은, 다수 개의 아노다이징 포어(110)가 형성된 양극산화 피막(50)의 일면에 절단 예정 라인(120)을 따라 에칭하여 에칭홈(300)을 형성하여 에칭홈(300)의 내부 바닥면에 위치하는 아노다이징 포어(110)의 입구(213) 직경을 확경시켜 확경 포어(210)를 형성하는 에칭단계(S1);와, 에칭홈(300)을 따라 절단하는 절단단계(S2); 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 양극산화 피막(50)은 금속재질의 모재를 양극산화처리(anodizing)하여 형성된다. 금속재질의 모재에 양극산화처리(anodizing)를 하면, 표면에 뚫린 구멍(Pore)을 다수 가지는 다공층과 다공층 하부에 존재하는 베리어층으로 이루어진 양극산화 피막(50)이 형성된다. 여기서의 금속재질의 모재는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn) 등일 수 있으나, 경량이고, 가공이 용이하고, 열전도성이 우수하며, 중금속 오염의 우려가 없는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
일례로 알루미늄의 표면에 양극산화처리를 행하는 것에 의해 표면에 뚫린 구멍(Pore)(110)을 다수 가지는 산화알루미늄 다공층과 산화알루미늄 다공층 하부에 존재하는 베리어층으로 이루어진 산화알루미늄 피막이 형성된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서의 양극산화 피막(50)은 일례로, 알루미늄이 제거된 산화알루미늄 피막만으로 구성될 수 있다. 또한 산화알루미늄 피막의 산화알루미늄 다공층 상에 전극이 형성될 수 있고, 반대로 베리어층 상에 전극이 형성될 수 있다. 또한 산화알루미늄 피막의 베리어층을 제거하여 아노다이징 포어(110)가 상, 하로 관통되는 산화알루미늄 다공층만으로 구성될 수 있다.
이하에는 상기 알루미늄과 상기 베리어층이 제거된 양극산화 피막(50)을 기준으로 설명하도록 한다.
양극산화된 알루미늄에서 상기 알루미늄과 상기 베리어층이 제거되어 양극산화 피막(50)의 아노다이징 포어(110)는 상하방향으로 관통된다. 양극산화 피막(50)이 산화알루미늄 다공층으로 형성되므로 양극산화 피막 구조체(150)는 열용량이 작아진다.
이하에는 도 3 내지 도 5를 참고하여 양극산화 피막 구조체(1)의 절단 방법에 대해 상술한다.
도 3은 절단되기 전, 인접하는 단위 양극산화 피막 구조체(150)의 사이를 확대하여 나타낸 정면도이다.
우선, 에칭단계(S1)는 도 4에 도시한 바와 같이, 양극산화 피막(50)의 상면을 절단 예정 라인(120)을 따라 에칭하여 에칭홈(300)을 형성한다. 에칭홈(300)은 인접하는 어느 하나의 단위 양극산화 피막 구조체(150)와 다른 하나의 단위 양극산화 피막 구조체(150)의 사이에 형성된다.
그리고 양극산화 피막(50)의 상면에 에칭홈(300)을 형성할 때, 에칭홈(300)의 내부 바닥면에 위치하는 아노다이징 포어(110)의 입구(213) 직경이 확경되어 확경 포어(210)가 형성된다. 에칭홈(300)의 내부 바닥면에 위치하는 확경 포어(210)의 입구(213)의 직경(d2)은, 양극산화 피막(50)의 상면 중에서 에칭홈(300)의 내부 바닥면 이외의 부분에 위치하는 아노다이징 포어(110)의 입구의 직경(d1)보다 크게 형성된다(d1<d2). 또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 확경 포어(210) 중 적어도 일부는 입구(213)가 서로 연결되어 공간(220)이 형성된다.
에칭용 다이에서 에칭단계(S1)가 수행된 양극산화 피막 구조체(1)는 다이싱용 다이로 이동되어 절단단계(S2)가 수행된다. 절단단계(S2)에서는, 에칭홈(300)을 따라 양극산화 피막(50)이 상하로 절단된다. 도 5에 도시한 바와 같이, 절단 부분(120)의 좌우폭은 에칭홈(300)의 좌우폭보다 좁다.
절단단계(S2)는 다이싱 블레이드를 이용하여 절단할 수 있다. 에칭홈(300)의 좌우폭보다 좁은 폭의 다이싱 블레이드를 이용하여 양극산화 피막(50)을 절단한다. 그래서, 도 2의 양극산화 피막 구조체(1)는, 도 6과 같이 낱개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리된다.
또한, 절단단계(S2)는 전술한 바와 달리, 양극산화 피막(50)의 하면을 가압하여 브레이킹함으로써, 양극산화 피막 구조체(1)를 다수 개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)로 분리할 수 있다. 양극산화 피막(50)의 하면 중에서 에칭홈(300)에 인접한 부분에 상측 방향으로 압력을 가하여, 에칭홈(300)을 따라 브레이킹한다.
이상과 같은 절단방법에 따라, 양극산화 피막 구조체(1)를 절단하면, 양극산화 피막(50)이 인장력을 덜 받아, 크랙 발생이 적고 수율이 우수하다. 그래서 다이싱 공정이 요구되는 경우에도 양극산화 피막 구조체(1)를 활용하기 좋다.
전술한 절단방법에 의해 도 2의 양극산화 피막 구조체(1)를 다수 개로 절단하면, 도 6 및 도 7과 같은 낱개의 단위 양극산화 피막 구조체(150)가 형성된다. 본 실시예에서 절단된 각각의 단위 양극산화 피막 구조체(150)는 마이크로 센서(150) 일 수 있다. 단위 양극산화 피막 구조체(150)는, 몸체부(100)를 기판으로 하고, 몸체부(100)의 상면에 상기 전극이 형성된다.
도 6 및 도 7에 도시한 단위 양극산화 피막 구조체(150)는, 다수 개의 아노다이징 포어(110)가 상하방향으로 관통되어 형성된 것으로서, 몸체부(100)와, 몸체부(100)의 상면에 대해 단차져 외측으로 연장된 단차부(200)를 포함한다.
몸체부(100)는 직육면체 형상으로 형성된다. 그리고 몸체부(100)의 상면에는 상기 전극이 형성된다. 상기 전극은 히터전극(151)이나 센서전극(154)일 수 있고, 또는 히터전극(151) 및 센서전극(154)일 수 있다. 본 실시예에서 상기 전극은 히터전극(151) 및 센서전극(154)으로 이루어진다.
단차부(200)는 몸체부(100)의 외주를 둘러서 형성된다. 단차부(200)의 상면은 몸체부(100)의 상면에 비해 하측에 위치하여, 단차져 있다.
몸체부(100) 및 단차부(200)에는 다수 개의 아노다이징 포어(110)가 상하방향으로 관통되어 형성되어 있다. 또한, 단차부(200)에 형성된 아노다이징 포어(110)는 상측 입구(213)의 직경이 확경된 확경 포어(210)이다. 그래서, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 몸체부(100)의 상면에 형성된 아노다이징 포어(110)의 입구의 직경(d1)보다 단차부(200)의 상면에 형성된 확경 포어(210)의 입구(213)의 직경(d2)이 더 크다(d1<d2). 또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 단차부(200)의 상면에 형성된 확경 포어(210)의 입구(213) 중 적어도 일부는 서로 연결되어 공간(220)이 형성된다. 공간(220)은 단차부(200)의 상면에 대해 하측으로 오목한 홈이다.
이상과 같이 입구(213) 직경이 확경된 확경 포어(210) 및 공간(220)의 형성으로 인해 측면방향으로 작용하는 외부 응력에 대한 완충능력을 갖게 되어 단위 양극산화 피막 구조체(150)는 구조적인 안정성이 우수하다.
도 7을 참고하여, 몸체부(100)의 상면에 형성되는 히터전극(151) 및 센서전극(154)에 대해 설명한다.
센서전극(154)은 감지물질에 가스가 흡착되었을 때의 전기적 특성 변화를 감지한다. 센서전극(154)은 제1센서전극(154a)과, 제1센서전극(154a)과 이격되게 배치되는 제2센서전극(154b)을 포함한다. 제1센서전극(154a)과 제2센서전극(154b)은 좌우방향으로 이격되게 배치되며, 평면상에서 수직하게 배치되는 중심선을 기준으로 대칭되게 형성된다.
각각의 센서전극(300a,300b)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 센서배선(155a,155b)과, 센서배선(155a,155b)에 연결된 센서전극패드(157)를 포함한다.
제1센서전극(154a)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 제1센서배선(155a)과, 제1센서배선(155a)에 연결되는 제1센서전극패드를 포함한다. 제2센서전극(154b)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 제2센서배선(155b)과, 제2센서배선(155b)에 연결되는 제2센서전극패드를 포함한다. 센서배선(155a,155b)은 제1센서배선(155a)과 제2센서배선(155b)을 포함한다. 센서전극패드(157)는 상기 제1센서전극패드와 상기 제2센서전극패드를 포함한다. 센서배선(155a,155b)의 폭은, 일정한 폭으로 형성된다. 센서전극패드(157)는 제1센서배선(155a) 및 제2센서배선(155b)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다. 제1,2센서전극(300a, 300b)의 센서전극패드(157)는 사각형상으로 형성되는 몸체부(100)의 두 개의 인접한 모서리에 각각 배치되며, 단부로 향할수록 폭이 넓어지도록 형성된다. 즉, 센서전극패드(157)는 제1센서배선(155a) 및 제2센서배선(155b)을 향할수록 폭이 좁아지도록 형성된다.
센서전극(154)은 Pt와 W와 Co와 Ni과 Au과 Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 형성된다.
히터전극(151)은 몸체부(100)의 상면에 형성된다.
산화알루미늄 피막의 산화알루미늄 다공층 상에 전극이 형성되는 경우에는 히터전극(151) 및 센서전극(154) 하부에 위치하는 아노다이징 포어(110)는 히터전극(151) 및 센서전극(154)에 의해 상부가 막히고 하부 역시 막힌다. 이와 달리, 산화알루미늄 피막의 베리어층 상에 전극이 형성되는 경우에는 히터전극(151) 및 센서전극(154) 하부에 위치하는 아노다이징 포어(110)는 상부가 막혀 있고, 하부는 개방된다. 이와 달리, 산화알루미늄 피막의 베리어층을 제거한 경우에는 히터전극(151) 및 센서전극(154) 하부에 위치하는 아노다이징 포어(110)는 히터전극(151) 및 센서전극(154)에 의해 상부가 막히고 하부는 개방된다. 이와 같이 히터전극(151)이 상기 산화알루미늄 다공층 상에 형성되므로, 열용량이 작은 단위 양극산화 피막 구조체(150)가 된다.
히터전극(151)은 센서전극패드(157)보다 센서배선(155a,155b)에 근접하도록 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되는 발열배선(153)과, 발열배선(153)에 연결되는 히터전극패드(152)를 포함하여 이루어진다.
발열배선(153)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 형성되며, 제1센서배선(155a) 및 제2센서배선(155b)의 적어도 일부를 감싸면서 형성된다. 그리고 히터전극패드(152)는 발열배선(153)의 양단에 각각 연결되어 서로 이격된 제1히터전극패드(152a) 및 제2히터전극패드(152b)를 포함한다. 발열배선(153)은 몸체부(100)의 상면 중심부에 배치된다.
도 7과 같이 평면상에서 볼 때, 발열배선(153)은 몸체부(100)의 상면 중심을 지나는 선에 대해 대칭을 이루도록 형성되되, 원호 형상으로 형성된 복수 개의 호부와, 상기 호부를 연결하는 복수 개의 연결부를 포함한다.
발열배선(153)은 에어갭(156)에 인접하여 원호 형상으로 형성된 제1호부와, 상기 제1호부의 일단에서 몸체부(100)의 상면 중심을 향해 절곡 연장된 제1연결부와, 상기 제1연결부의 단부에서 원호 형상으로 연장 형성되어 상기 제1호부의 내측으로 이격 배치된 제2호부와, 상기 제2호부의 단부에서 몸체부(100)의 상면 중심을 향해 연장 형성된 제2연결부… 와 같은 방식으로 복수 개의 호부 및 연결부가 반복적으로 연결되어 형성된다.
발열배선(153)은 상기 제1호부에서 제3호부까지 연결되어 일체를 이루고, 몸체부(100)의 상면 중심을 지나는 선에 대해 대칭을 이룬다.
도 7과 같이, 발열배선(153)의 복수 개의 상기 호부는 각각 대략 반원호 형상으로 형성되고, 좌우 대칭으로 형성됨으로써, 전체적으로 원형을 이룬다. 이로 인해 몸체부(100)의 상면 중심부의 온도 균일성이 향상된다.
발열배선(153)의 중심부는 좌우측의 상기 호부(211)가 서로 만나는 지점으로서, 두 개의 원호 형상의 상기 호부가 합쳐져 상측이 개방된 원형을 이룬다. 그리고 그 내측에 이격공간부(160)가 형성된다. 이격공간부(160)는 발열배선(153)의 중심부에서 발열배선(153)의 상부까지 연장되어 형성된다. 즉 발열배선(153)의 상부 중앙에서 중심부까지 이격공간부(160)가 형성되도록 서로 좌우로 이격되어 있다. 이격공간부(160)에는 센서배선(155a,155b)이 배치된다. 즉, 발열배선(153)은 제1, 2센서배선(310a, 310b)의 적어도 일부를 그 외측에서 감싸면서 형성된다. 또한, 상기 제1호부의 타단부에는 제2히터전극패드(152b)가 연결되고, 상기 제3호부(211c)의 일단부에는 제1히터전극패드(152a)가 연결된다.
히터전극(151)은 Pt와 W와 Co와 Ni과 Au과 Cu 중 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 혼합물로 형성된다.
히터전극패드(152)는 발열배선(153)의 양단에 각각 연결되는 연결되는 제1, 2히터전극패드(220a,220b)를 포함한다. 이와 같이, 히터전극패드(152)는 적어도 2개 이상으로 형성된다. 히터전극패드(152)는 몸체부(100)의 상면의 나머지 두 개의 인접한 두 개의 모서리에 배치되며, 외측으로 향할수록 폭이 넓어지도록 형성된다. 즉, 히터전극패드(152)는 발열배선(153)을 향할수록 폭이 좁아지도록 형성된다. 히터전극패드(152)는 발열배선(153)보다 큰 폭을 갖도록 형성된다.
에어갭(156)은 발열배선(153) 및 센서배선(155a,155b)의 둘레에 배치된다.
에어갭(156)은 원호형상으로 형성되어, 4개 형성된다. 복수 개의 에어갭(156)은 원주방향으로 이격되게 배치된다. 즉, 에어갭(156)은 불연속적으로 다수 개 형성된다.
에어갭(156)은 상하방향으로 관통되어 형성된다. 즉, 에어갭(156)은 몸체부(100)의 상면에서 하면까지 관통되어 형성된 공간이다.
몸체부(100)의 상면의 중심부에는 발열배선(153) 및 센서배선(155a,155b)을 덮는 감지물질이 형성된다.감지물질은 프린팅되어 형성된다. 이와 같이 감지물질이 프린팅되어 형성되면, 감지물질을 형성한 이후에 감지물질의 표면에 메쉬망 형태의 자국이 남는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술분야의 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
1: 양극산화 피막 구조체 50: 양극산화 피막
100: 몸체부 110: 아노다이징 포어
120: 절단 예정 라인, 절단 부분
150: 단위 양극산화 피막 구조체, 마이크로 센서
151: 히터전극 152: 히터전극패드
152a: 제1히터전극패드 152b:제2히터전극패드
153: 발열배선 154: 센서전극
154a: 제1센서전극 154b:제2센서전극
155a: 센서배선, 제1센서배선 155b: 센서배선, 제2센서배선
156: 에어갭 157: 센서전극패드
160: 이격공간부 200: 단차부
210: 확경 포어 213: 입구
220: 공간 300: 에칭홈
S1: 에칭단계 S2: 절단단계

Claims (8)

  1. 다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 양극산화 피막의 일면에 절단 예정 라인을 따라 에칭하여 에칭홈을 형성하여 상기 에칭홈의 내부 바닥면에 위치하는 상기 아노다이징 포어의 입구 직경을 확경시켜 확경 포어를 형성하는 에칭단계;
    상기 에칭홈을 따라 절단하는 절단단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 양극산화 피막 구조체의 절단방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 확경 포어 중 적어도 일부가 서로 연결되어 공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 양극산화 피막 구조체의 절단 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 절단단계는 다이싱 블레이드를 이용하여 절단하는 것을 특징으로 하는 양극산화 피막 구조체의 절단 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 절단단계는 상기 양극산화 피막의 타면을 가압하여 브레이킹하는 것을 특징으로 하는 양극산화 피막 구조체의 절단 방법.
  5. 다수 개의 아노다이징 포어가 형성된 단위 양극산화 피막 구조체에 있어서,
    상기 단위 양극산화 피막 구조체는 몸체부와, 상기 몸체부의 상면에 대해 단차져 외측으로 연장된 단차부를 포함하고,
    상기 몸체부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경보다 상기 단차부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 직경이 더 큰 것을 특징으로 하는 단위 양극산화 피막 구조체.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 단차부의 상면에 형성된 상기 아노다이징 포어의 입구 중 적어도 일부가 서로 연결되어 공간이 형성된 것을 특징으로 하는 단위 양극산화 피막 구조체.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 몸체부의 상면에는 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 단위 양극산화 피막 구조체.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 전극은 히터전극, 센서전극, 또는 히터전극 및 센서전극인 것을 특징으로 하는 단위 양극산화 피막 구조체.
KR1020170018186A 2017-02-09 2017-02-09 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체 KR101747856B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170018186A KR101747856B1 (ko) 2017-02-09 2017-02-09 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170018186A KR101747856B1 (ko) 2017-02-09 2017-02-09 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150133153 Division 2015-09-21 2015-09-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170034797A true KR20170034797A (ko) 2017-03-29
KR101747856B1 KR101747856B1 (ko) 2017-06-15

Family

ID=58498089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170018186A KR101747856B1 (ko) 2017-02-09 2017-02-09 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101747856B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190135857A (ko) * 2018-05-29 2019-12-09 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 흡착체

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060006283A (ko) 2004-07-15 2006-01-19 주식회사 코미코 내열균열성이 우수한 양극산화된 알루미늄 혹은 알루미늄합금 부재의 제조방법과 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 부재

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001009932A1 (fr) * 1999-07-30 2001-02-08 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Procede de decoupage de plaquette de semi-conducteur en puces et structure de rainure formee dans la zone de decoupage
JP4838201B2 (ja) 2007-06-22 2011-12-14 財団法人神奈川科学技術アカデミー 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法
JP5301810B2 (ja) 2007-11-13 2013-09-25 住友電気工業株式会社 陽極酸化アルミナ自立膜およびその製造方法
JP5442308B2 (ja) 2009-04-22 2014-03-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5851165B2 (ja) 2011-09-08 2016-02-03 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー 微細構造の形成方法およびポーラスアルミナ複合体の製造方法
JP2013074276A (ja) 2011-09-29 2013-04-22 Kyocera Corp 光電変換素子の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060006283A (ko) 2004-07-15 2006-01-19 주식회사 코미코 내열균열성이 우수한 양극산화된 알루미늄 혹은 알루미늄합금 부재의 제조방법과 알루미늄 혹은 알루미늄 합금 부재

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190135857A (ko) * 2018-05-29 2019-12-09 (주)포인트엔지니어링 마이크로 led 흡착체

Also Published As

Publication number Publication date
KR101747856B1 (ko) 2017-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8319336B2 (en) Reduction of etch microloading for through silicon vias
JP6391999B2 (ja) 積層デバイスの製造方法
EP2286451A2 (en) Foil based semiconductor package
KR101853296B1 (ko) 마이크로 센서 패키지 및 마이크로 센서 패키지 제조방법
TW201401460A (zh) 感測器陣列封裝
US7354799B2 (en) Methods for anchoring a seal ring to a substrate using vias and assemblies including an anchored seal ring
JP5345404B2 (ja) 集積回路の製造方法
TW201236117A (en) Chip package
CN107017294B (zh) 阳极氧化膜结构切割方法及单元阳极氧化膜结构
TWI534068B (zh) 製造構件的方法與製造構件裝置的方法，以及構件和構件裝置
US7095096B1 (en) Microarray lead frame
JP5179365B2 (ja) マイクロ電子組立体及びこれを形成するための方法
KR101747856B1 (ko) 양극산화 피막 구조체의 절단방법 및 이를 이용한 단위 양극산화 피막 구조체
TW201128691A (en) Electrical coupling of wafer structures
JP2018125533A (ja) 過酷な媒体用途のためのボンドパッドの保護
DE102017112403A1 (de) Mikroelektromechanische vorrichtung und ein verfahren zum herstellen einer mikroelektromechanischen vorrichtung
DE102012104304B4 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips und Verfahren zum Herstellen eines Via in einem Halbleiter-Substrat
JP7144157B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR101868833B1 (ko) 마이크로 센서 패키지
JP2007062007A (ja) 陽極ボンディングされたキャップを備えたマイクロマシニング型の構成素子およびその製造方法
CN107799386A (zh) 半导体装置及其制造方法
TWI794804B (zh) 微機電系統及其製造方法
US20190295981A1 (en) Silicon Carbide Devices and Methods for Manufacturing the Same
JP6028887B2 (ja) 配線基板、赤外線センサー及び貫通電極形成方法
KR101198051B1 (ko) 얇은 포일 반도체 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant