KR20170031210A

KR20170031210A - 은 코팅 동분 및 그것을 이용한 도전성 페이스트, 도전성 도료, 도전성 시트

Info

Publication number: KR20170031210A
Application number: KR1020177004025A
Authority: KR
Inventors: 히로시 오카다; 히데유키 야마시타
Original assignee: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date: 2014-08-26
Filing date: 2015-03-26
Publication date: 2017-03-20
Also published as: EP3187279A1; WO2016031286A1; US20170274453A1; CN106573303A; EP3187279A4

Abstract

효과적으로 접점을 확보할 수 있고, 또한 표면에 은을 피복함으로써 도전성이 우수하며, 또한 페이스트화에 필요한 우수한 균일 분산성을 가지고 응집이 억제된 수지상의 은 코팅 동분을 제공한다.
본 발명에 따른 은 코팅 동분은, 동 입자(2)가 집합하여, 복수의 가지를 갖는 수지상의 형상을 구성한 동분(1)의 표면에 은이 피복된 은 코팅 동분으로서, 그 표면에 은이 피복된 동 입자(2)는, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛이고, 또한, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기인 타원체이며, 그 타원체 동 입자(2)가 집합하여 구성되는 표면에 은이 피복된 동분(1)의 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛이다.

Description

은 코팅 동분 및 그것을 이용한 도전성 페이스트, 도전성 도료, 도전성 시트{SILVER-COATED COPPER POWDER, AND CONDUCTIVE PASTE, CONDUCTIVE COATING MATERIAL AND CONDUCTIVE SHEET EACH OF WHICH USES SAME}

본 발명은 표면에 은을 피복한 동분(은 코팅 동분)에 관한 것이며, 보다 자세하게는 단일의 결정 구조로 이루어지는 미세한 동 입자의 집합체로 이루어지는 수지상 동분의 표면에 은을 피복한 수지상 은 코팅 동분이고, 도전성 페이스트 등의 재료로서 이용함으로써 도전성을 개선시킬 수 있는 새로운 수지상 은 코팅 동분에 관한 것이다.

전자 기기에 있어서의 배선층이나 전극 등의 형성에는, 수지형 페이스트나 소성형 페이스트, 전자파 실드 도료와 같은, 은분이나 은 코팅 동분 등의 금속 필러를 사용한 페이스트나 도료가 다용되고 있다. 즉, 은이나 은 코팅 동의 금속 필러 페이스트를, 각종 기재 상에 도포 또는 인쇄한 후에, 가열 경화 혹은 가열 소성함으로써, 배선층이나 전극 등이 되는 도전막을 형성할 수 있다.

예컨대, 수지형 도전성 페이스트는, 금속 필러와, 수지, 경화제, 용제 등으로 이루어지며, 도전체 회로 패턴 또는 단자 위에 인쇄하고, 100℃∼200℃에서 가열 경화시켜 도전막으로 하여, 배선이나 전극을 형성한다. 수지형 도전성 페이스트는, 열에 의해 열 경화형 수지가 경화 수축하기 때문에 금속 필러가 압착되어 접촉함으로써 금속 필러끼리가 중첩되어, 전기적으로 접속한 전류 패스가 형성된다. 이 수지형 도전성 페이스트는, 경화 온도가 200℃ 이하에서 처리되기 때문에, 프린트 배선판 등의 열에 약한 재료를 사용하고 있는 기판에 사용되고 있다.

또한, 소성형 도전성 페이스트는, 금속 필러와, 유리, 용제 등으로 이루어지며, 도전체 회로 패턴 또는 단자 위에 인쇄하고, 600℃∼800℃에서 가열 소성하여 도전막으로 하여, 배선이나 전극을 형성한다. 소성형 도전성 페이스트는, 높은 온도에 의해 처리함으로써, 금속 필러끼리가 소결하여 도통성이 확보되는 것이다. 이 소성형 도전성 페이스트는, 이와 같이 높은 소성 온도로 처리되기 때문에, 수지 재료를 사용하는 것 같은 프린트 배선 기판에는 사용할 수 없다는 점이 있지만, 고온 처리에서 금속 필러가 소결함으로써 저저항을 실현하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 소성형 도전성 페이스트는, 적층 세라믹 콘덴서의 외부 전극 등에 사용되고 있다.

한편, 전자파 실드는, 전자 기기로부터의 전자기적인 노이즈의 발생을 방지하기 위해 사용되는 것으로, 특히 최근에는, 퍼스널 컴퓨터나 휴대의 케이스가 수지제가 되었기 때문에, 케이스에 도전성을 확보하기 위해, 증착법이나 스퍼터법으로 얇은 금속 피막을 형성하는 방법이나, 도전성의 도료를 도포하는 방법, 도전성의 시트를 필요한 부분에 접착하여 전자파를 실드하는 방법 등이 제안되어 있다. 그 중에서도, 수지 중에 금속 필러를 분산시켜 도포하는 방법이나 수지 중에 금속 필러를 분산시켜 시트상으로 가공하여 그것을 케이스에 접착하는 방법은, 가공 공정에 있어서 특수한 설비를 필요로 하지 않아, 자유도가 우수한 방법으로서 다용되고 있다.

그러나, 이러한 금속 필러를 수지 중에 분산시켜 도포하는 경우나, 시트상으로 가공하는 경우에 있어서는, 금속 필러의 수지 중에 있어서의 분산 상태가 똑같아지지 않기 때문에, 전자파 실드의 효율을 얻기 위해 금속 필러의 충전율을 높여 해소하는 등의 방법이 필요해진다. 그런데, 그 경우에는, 다량의 금속 필러의 첨가에 의해 시트 중량이 무거워져, 수지 시트의 가요성을 손상시키는 등의 문제가 발생하고 있었다. 그 때문에, 예컨대 특허문헌 1에 있어서는, 이들 문제를 해결하기 위해 인편상의 금속 필러를 사용함으로써, 전자파 실드 효과가 우수하며, 가요성도 양호한 얇은 시트를 형성할 수 있다고 되어 있다.

이들 도전성 페이스트나 전자파 실드용으로 사용되고 있는 금속 필러로서는, 은분이 많이 이용되고 있지만, 저비용화의 경향에 의해, 은분보다 저렴한 동분의 표면에 은을 코팅함으로써 은의 사용량을 저감시킨 은 코팅 동분을 사용하는 경향에 있다.

동분의 표면에 은을 피복하는 방법으로서는, 치환 반응에 의해 구리 표면에 은을 피복하는 방법과, 환원제가 포함되는 무전해 도금 용액 속에서 은을 피복하는 방법이 있다.

치환 반응에 의해 은을 피복하는 방법에서는, 용액 속에서 동이 용출할 때에 발생한 전자에 의해 은 이온을 환원함으로써 구리 표면에 은의 피막이 형성된다. 예컨대 특허문헌 2에는, 은 이온이 존재하는 용액 중에 동분을 투입함으로써, 동과 은 이온의 치환 반응에 의해 구리 표면에 은의 피막이 형성되는 제조 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이 치환 반응에 의한 방법에서는, 구리 표면에 은의 피막이 형성되면, 그 이상의 동의 용해가 진행되지 않기 때문에, 은의 피복량을 제어할 수 없다고 하는 문제가 있다.

그 문제를 해결하기 위해, 환원제가 포함된 무전해 도금으로 은을 피복하는 방법이 있다. 예컨대 특허문헌 3에는, 환원제가 용존한 용액 속에서 동분과 질산은의 반응에 의해 은을 피복한 동분을 제조하는 방법이 제안되어 있다.

여기서, 동분으로서는, 덴드라이트상이라고 불리는 수지상으로 석출한 전해 동분이 알려져 있고, 형상이 수지상으로 되어 있기 때문에 표면적이 큰 것이 특징으로 되어 있다. 이것을 도전막 등에 이용한 경우, 덴드라이트의 가지가 중합되어, 도통이 통하기 쉬워, 구상 입자의 동분에 비해서 입자끼리의 접점수가 많아지기 때문에, 도전성 페이스트 등의 도전성 필러의 양을 적게 할 수 있다고 하는 이점이 있다. 예컨대, 특허문헌 4 및 5에는, 덴드라이트상을 띤 동분 표면에 은을 피복한 은 피복 동분이 제안되어 있다.

구체적으로, 특허문헌 4 및 5에는, 덴드라이트상에 의해 한층 더 성장한 것으로서 주축으로부터 분기된 긴 가지가 특징인 덴드라이트가 개시되어 있고, 그 은 피복 동분은, 종래의 덴드라이트보다 입자끼리의 접점이 많아짐으로써 도통성이 향상하여, 도전성 페이스트 등에 이용하면 도전성 분말의 양을 적게 하여도 도전성을 높일 수 있다고 되어 있다.

한편, 전해 동분의 수지를 발달시키면, 도전성 페이스트 등에 이용한 경우에 전해 동분끼리가 필요 이상으로 서로 얽혀 버리기 때문에, 응집이 생기기 쉬워지고, 또한 유동성이 저하하여 매우 취급하기 어려워져, 생산성을 저하시키는 것의 지적이 특허문헌 6에 나타나 있다. 이것을 해결하는 방법으로서, 특허문헌 6에서는, 전해 동분 자체의 강도를 높이기 위해, 전해 동분을 석출시키기 위한 전해액의 황산구리 수용액 중에 텅스텐산염을 첨가함으로써, 전해 동분 자체의 강도를 향상시켜, 수지를 꺾이기 어렵게 하여, 높은 강도로 성형할 수 있다고 되어 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-258490호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2000-248303호 공보 특허문헌 3: 일본 특허 공개 제2006-161081호 공보 특허문헌 4: 일본 특허 공개 제2013-89576호 공보 특허문헌 5: 일본 특허 공개 제2013-100592호 공보 특허문헌 6: 일본 특허 제4697643호 공보

도전성을 확보하기 위해서는, 3차원적인 형상을 갖는 수지상 형상 쪽이 입상의 것보다 접점을 확보하기 쉬워, 도전성 페이스트나 전자파 실드로서 높은 도전성을 확보하는 것을 기대할 수 있다. 그러나, 종래의 덴드라이트상의 형상을 띤 피복 동분에서는, 주축으로부터 분기된 긴 가지가 특징인 덴드라이트로서, 가늘고 긴 가지상의 형상이기 때문에, 접점을 확보하는 점에서 생각하면 구조가 단순하며, 보다 적은 은 피복 동분을 이용하여 효과적으로 접점을 확보하는 형상으로서는 이상적인 형상으로 되어 있지 않다.

본 발명은 이러한 실정을 감안하여 제안된 것이며, 은을 피복한 동분끼리가 접촉할 때에 있어서의 접점을 효과적으로 확보할 수 있고, 또한 표면에 은을 피복함으로써 도전성이 우수하며, 또한 페이스트화에 필요한 우수한 균일 분산성을 가져 응집이 억제된 수지상의 은 코팅 동분을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 3차원적인 형상을 갖는 수지상 형상으로서, 주축이나 분기된 가지에도 미세한 돌기상의 수지 형상을 갖는 수지상 동분에 의해 구성되며, 그 동분의 표면에 은을 피복하여 이루어지는 은 코팅 동분임으로써, 도전성이 우수하여, 동분끼리가 접촉할 때의 접점을 충분히 확보할 수 있고, 또한 페이스트화에 필요한 우수한 분산성을 갖는 것이 되어, 도전성 페이스트 등의 용도에 적합하게 이용할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은, 이하의 것을 제공한다.

(1) 본 발명에 따른 제1 발명은, 동 입자가 집합하여, 복수의 가지를 갖는 수지상의 형상을 구성한 동분의 표면에 은이 피복된 은 코팅 동분으로서, 상기 표면에 은이 피복된 동 입자는, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛, 또한, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기인 타원체이며, 이 타원체 동 입자가 집합하여 구성되는 상기 표면에 은이 피복된 동분의 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분이다.

(2) 또한, 본 발명에 따른 제2 발명은, 상기 제1 발명에 있어서, 상기 표면에 은이 피복된 동분에 있어서의 수지상의 가지 부분의 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분이다.

(3) 또한, 본 발명에 따른 제3 발명은, 상기 제1 또는 제2 발명에 있어서, 은 피복량이 은 피복한 상기 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％∼50 질량％인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분이다.

(4) 또한, 본 발명에 따른 제4 발명은, 상기 제1 내지 제3 중 어느 하나의 발명에 있어서, BET 비표면적값이 0.3 ㎡/g∼3.0 ㎡/g인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분이다.

(5) 또한, 본 발명에 따른 제5 발명은, 상기 제1 내지 제4 중 어느 하나의 발명에 따른 은 코팅 동분을, 전체의 20 질량％ 이상의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 필러이다.

(6) 또한, 본 발명에 따른 제6 발명은, 상기 제5 발명에 있어서, 평균 입자경(D50)이 0.5 ㎛∼10 ㎛인 구상 동분을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 필러이다.

(7) 또한, 본 발명에 따른 제7 발명은, 상기 제6 발명에 있어서, 상기 구상 동분이 그 표면에 은이 피복된 구상 은 코팅 동분이며, 상기 구상 은 코팅 동분의 은 피복량이, 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％∼50 질량％인 것을 특징으로 하는 금속 필러이다.

(8) 또한, 본 발명에 따른 제8 발명은, 상기 제5 내지 제7 중 어느 하나의 발명에 따른 금속 필러와, 바인더 수지와, 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이다.

(9) 또한, 본 발명에 따른 제9 발명은, 상기 제5 내지 제7 중 어느 하나의 발명에 따른 금속 필러를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드용 도전성 도료이다.

(10) 또한, 본 발명에 따른 제10 발명은, 상기 제5 내지 제7 중 어느 하나에 발명에 따른 금속 필러를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드용 도전성 시트이다.

본 발명에 따른 은 코팅 동분에 의하면, 수지상의 형상을 갖는 동분에 의해 구성되어 있기 때문에, 은 코팅 동분끼리가 접촉할 때에 있어서의 접점을 효과적으로 확보할 수 있으며, 표면에 은이 피복되어 있기 때문에 높은 도전성을 갖는다. 또한, 페이스트화에 필요한 우수한 분산성을 가지고 있어, 수지상이라고 하는 형상이 원인으로 발생하는, 동분끼리가 서로 얽혀 응집이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이러한 은 코팅 동분에 따르면, 도전성 페이스트, 전자파 실드용의 도전성 도료나 도전성 시트 등에 적합하게 이용할 수 있다.

도 1은 은 피복 전의 수지상 동분의 구체적 형상을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 은 피복 전의 수지상 동분을 주사 전자 현미경에 의해 배율 10,000배로 관찰하였을 때의 관찰상의 일례를 나타내는 사진도이다.
도 3은 수지상 은 코팅 동분을 주사 전자 현미경에 의해 배율 10,000배로 관찰하였을 때의 관찰상의 일례를 나타내는 사진도이다.
도 4는 수지상 은 코팅 동분을 주사 전자 현미경에 의해 배율 30,000배로 관찰하였을 때의 관찰상의 일례를 나타내는 사진도이다.

이하, 본 발명에 따른 동분의 구체적인 실시형태(이하, 「본 실시형태」라고 함)에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위에서 여러 가지의 변경이 가능하다.

≪1. 은 코팅 동분≫

본 실시형태에 따른 은 코팅(피복) 동분은, 동 입자가 집합하여, 복수의 가지를 갖는 수지상의 형상을 구성한 동분의 표면에 은이 피복된 것이다.

구체적으로, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분에 있어서는, 그 수지상의 형상을 갖는 동분이, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛, 또한, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기의 타원체로서 표면에 은이 피복된 동 입자가 집합한 동분이다. 그리고, 그 표면에 은이 피복된 수지상의 동분의 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛이다.

이하에 의해 구체적으로, 은 코팅 동분을 구성하는 동분의 형상에 대해서 설명한다.

≪2. 수지상 동분의 형상≫

도 1은 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분을 구성하는, 은 피복 전의 수지상 동분의 구체적 형상을 모식적으로 나타낸 도면이다. 이 도 1의 모식도에 나타내는 바와 같이, 은 코팅 동분을 구성하는 동분(1)은, 복수의 가지를 갖는 수지상의 형상이며, 타원체의 형상을 한 미세 동 입자(2)의 집합체로 이루어져 있다. 은 코팅 동분(이하, 「수지상 은 코팅 동분」이라고도 함)은, 수지상 동분(1)의 표면에 은이 피복되어 이루어진다.

보다 구체적으로, 그 미세 동 입자(2)는, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛이며, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기인 타원체 동 입자이다. 그리고, 타원체 동 입자(2)의 집합체인 수지상 동분(1)은, 그 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛이다. 또한, 수지상 동분(1)의 표면에 은을 피복한 후에 있어서도, 은 코팅 동분을 구성하는, 은을 피복한 미세 동 입자의 단축 직경 및 장축 직경 및 평균 입자경은, 대략 동일하다.

도 2는 은 피복 전의 수지상 동분의 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 관찰상의 일례를 나타내는 사진도이다. 또한, 도 3 및 도 4는 본 실시형태에 따른 수지상의 은 코팅 동분의 SEM 관찰의 일례를 나타내는 사진도이다. 또한, 도 2는 수지상 동분을 배율 10,000배로 관찰한 것이고, 도 3은 은 코팅 동분을 배율 10,000배로 관찰한 것이며, 도 4는 수지상 은 코팅 동분을 배율 30,000배로 관찰한 것이다.

도 2와 도 3 및 도 4에서 관찰되는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분은, 수지상의 석출 상태를 띤 동분으로 구성되어 있다. 구체적으로, 이 수지상 은 코팅 동분은, 미세 동 입자(2)가 집합함으로써, 복수의 가지를 갖는 수지상의 형상을 형성한 수지상 동분(1)의 표면에 은이 피복되어 이루어지고, 그 미세 동 입자(2)의 크기는, 단축 직경이 0.5 ㎛ 이하이며, 장축 직경이 2.0 ㎛ 이하인 타원체의 형상으로 되어 있다.

이와 같이, 동분(1)을 구성하는 미세 동 입자(2)의 형상의 장축 직경이 2.0 ㎛ 이하의 가늘고 긴 형상임으로써, 수지상의 은 코팅 동분끼리가 접촉할 때에 있어서의 접점의 수를 많게 할 수 있다. 즉, 장축 직경이 2.0 ㎛ 이하인 미세 동 입자(2)의 집합체임으로써, 도 2에 나타내는 관찰 결과에서도 확인할 수 있는 바와 같이, 수지상 은 코팅 동분의 가지의 부분에는 미세한 돌기가 형성되게 되고, 이것은 수지상 은 코팅 동분끼리의 접점을 많이 확보할 수 있게 된다.

한편으로, 장축 직경이 2.0 ㎛를 넘는 긴 형상이 되면, 수지상의 가지의 간격이 적어져 전체에 밀집된 형상이 되기 때문에, 오히려 수지상 은 코팅 동분끼리의 접점이 적어지는 경향이 된다. 또한 반대로, 미세 동 입자의 장축 직경이 지나치게 짧아지면, 돌기의 형성을 얻을 수 없게 된다. 그 때문에, 미세 동 입자(2)의 장축 직경으로서는, 0.5 ㎛∼2.0 ㎛인 것이 바람직하다.

또한, 미세 동 입자(2)의 단축 직경은 0.5 ㎛ 이하이다. 단축 직경이 0.5 ㎛보다 굵어지면, 미세 동 입자(2)를 집합시켜 수지상 형상의 동분(1)을 형성한 경우, 그 수지상 동분(1)의 가지 부분의 직경(도 1의 모식도 중 「D1」)이 커진다. 가지 부분의 직경이 커지면, 그 수지상 동분(1)의 표면에 은을 피복한 수지상 은 코팅 동분의 가지의 간격이 좁아져 전체로서 밀집한 형상이 되기 때문에, 3차원적인 수지상의 효과를 발휘할 수 없게 된다. 반대로, 가지 부분의 직경이 지나치게 가늘면, 미세한 수염상의 상태가 되기 때문에, 수지상 은 코팅 동분끼리가 접촉한 경우에 충분한 도전성을 확보할 수 없게 된다. 그 때문에, 수지상 은 코팅 동분을 형성하는 미세 동 입자(2)의 단축 직경은 0.2 ㎛∼0.5 ㎛의 크기임으로써, 3차원적인 수지상의 효과를 발휘하면서, 충분한 도전성을 확보할 수 있다.

또한, 미세 동 입자(2)가 집합한 수지상 동분(1)의 가지 부분의 직경(D1)으로서는, 2.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 가지 부분의 직경이 2.0 ㎛를 넘으면, 수지상 동분(1)의 가지의 간격이 좁아져 전체로서 밀집한 형상이 된다. 한편으로, 그 가지 부분의 직경이 지나치게 작으면, 수지상 은 코팅 동분의 강도가 부족해져 버려, 특히 도전성 시트로 성형한 경우의 가요성을 고려한 경우에, 수지상 은 코팅 동분의 강도가 낮기 때문에 그 동분의 가지의 부분에서 꺾여 버려 도전성을 잃을 가능성이 있다. 이로부터, 수지상 동분(1)의 가지 부분의 직경으로서는, 0.5 ㎛∼2.0 ㎛인 것이 바람직하다.

다음에, 수지상 동분(1)의 크기[평균 입자경(D50)]는, 5.0 ㎛∼20 ㎛이다. 여기서, 특허문헌 6에서도 지적되어 있는 바와 같이, 수지상 동분의 문제점으로서, 도전성 페이스트나 전자파 실드용 수지 등의 금속 필러로서 이용하는 경우에, 수지상의 동분끼리가 서로 얽혀 응집하여, 수지 중에 균일하게 분산되지 않는다고 하는 문제점이나, 응집에 의해 페이스트의 점도가 상승하여 인쇄에 의한 배선 형성에 문제가 생기는 경우가 있다. 이들은, 수지상 동분이 크기 때문에 발생하는 것이며, 수지상의 형상을 유효하게 살려 두면서 이 문제를 해결하기 위해서는, 수지상 동분의 크기를 적절하게 작게 할 필요가 있다. 그러나, 수지상 동분의 크기가 지나치게 작으면, 수지상의 형상을 확보할 수 없다. 구체적으로는, 수지상 형상의 효과를 확보하기 위해서는 그 크기를 5.0 ㎛ 이상의 형상으로 하는 것이 필요로 된다.

이와 같이, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분에 있어서는, 그 수지상 동분(1)의 크기, 즉 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛이며, 이러한 크기의 수지상 동분(1)으로 구성되어 있음으로써, 3차원적인 수지상의 형상의 효과를 유효하게 발휘시키면서, 수지 중에 있어서 응집을 억제하여, 양호하게 분산시키며 페이스트 점도의 상승을 억제할 수 있다.

또한, 전자 현미경으로 관찰하였을 때에, 얻어진 동분 중에, 전술한 바와 같은 형상의 수지상 동분이 소정의 비율로 차지되어 있으면, 그 이외의 형상의 동분이 섞여 있어도, 그 수지상 동분만으로 이루어지는 동분과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 구체적으로는, 전자 현미경(예컨대 500배∼20,000배)으로 관찰하였을 때에, 전술한 형상의 수지상 동분이 전체 동분 중의 65 개수％ 이상, 바람직하게는 80 개수％ 이상, 보다 바람직하게는 90 개수％ 이상의 비율을 차지하고 있으면, 그 외의 형상의 동분이 포함되어 있어도 좋다.

≪3. 은 피복≫

본 실시형태에 따른 은 코팅 동분은, 전술한 바와 같이, 미세 동 입자(2)가 집합하여 수지상의 형상을 구성한 수지상 동분(1)의 표면에 은이 피복되어 이루어지는 것이다. 이하에, 전술한 수지상 동분(1)의 표면에 대한 은 피복에 대해서 설명한다.

본 실시형태에 따른 은 코팅 동분에 있어서, 수지상 동분(1)에 대한 은의 피복량으로서는, 은 피복한 상기 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％∼50 질량％인 것이 바람직하다. 은의 피복량은, 비용의 관점에서는 될 수 있는 한 적은 편이 바람직하지만, 지나치게 적으면 구리 표면에 균일한 은의 피막을 확보할 수 없게 되어, 도전성의 저하의 원인이 된다. 따라서, 은의 피복량으로서는, 은 피복한 상기 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 2 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 5 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.

한편으로, 은 피복량이 지나치게 많아지면, 비용의 관점에서 바람직하지 못하고, 또한 필요 이상으로 은을 구리 표면에 피복하면, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분에 있어서 특징이 되는 미세한 돌기(도 1의 모식도 참조)가 없어질 가능성이 있다. 이로부터, 은의 피복량으로서는, 은 피복한 상기 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 50 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20 질량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분에 있어서, 수지상 동분(1)의 표면에 피복하는 은의 평균 두께로서는, 0.001 ㎛∼0.1 ㎛ 정도이며, 0.02 ㎛∼0.03 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 은의 피복 두께가 평균으로 0.001 ㎛ 미만이면, 균일한 은의 피복을 확보할 수 없고, 또한 도전성의 저하의 원인이 된다. 한편으로, 은의 피복 두께가 평균으로 0.1 ㎛를 넘으면, 비용의 관점에서 바람직하지 못하고, 표면의 미세한 돌기가 없어질 가능성이 있다.

이와 같이 수지상 동분(1)의 표면에 피복하는 은의 평균 두께는 0.001 ㎛∼0.1 ㎛ 정도이며, 수지상 동분을 구성하는 타원체 동 입자의 단축 직경이나 장축 직경과 비교하여 매우 작다. 그 때문에, 수지상 동분(1)의 표면을 은으로 피복하기 전후에, 타원체 동 입자의 단축 직경이나 장축 직경은 실질적으로 변화하는 일은 없다.

전술한 바와 같이 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분의 특징으로서, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛이며, 또한, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기인, 표면에 은이 피복된 타원체 동 입자가 집합한 수지상 동분(표면에 은이 피복된 수지상 동분)에 의해 구성되어 있고, 도 1의 모식도 및 도 2∼도 4의 사진도에 나타내는 바와 같이 표면에 미세한 돌기를 가지고 있다. 표면 형상을 나타내는 지표로서 BET 비표면적이 있고, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분에서는, 그 BET 비표면적의 값이 0.3 ㎡/g∼3.0 ㎡/g인 것이 바람직하다. BET 비표면적이 0.3 ㎡/g 미만이면, 수지상의 은 코팅 동분 표면의 미세한 돌기가 충분하지 않아, 높은 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있다. 한편으로, BET 비표면적이 3.0 ㎡/g을 넘으면, 수지상의 은 코팅 동분의 표면의 은 피복이 불균일하여 높은 도전성을 얻을 수 없을 가능성이 있고, 또한 은 코팅 동분을 구성하는 미세 동 입자(2)가 지나치게 미세해져 은 코팅 동분이 미세한 수염상의 상태가 되어, 도전성이 저하하는 경우가 있다. 또한, BET 비표면적은, JIS Z 8830:2013에 준거하여 측정할 수 있다.

≪4. 은 코팅 동분의 제조 방법≫

다음에, 전술한 바와 같은 특징을 갖는 은 코팅 동분의 제조 방법에 대해서 설명한다. 이하에서는, 먼저, 은 코팅 동분을 구성하는 수지상 동분(1)의 제조 방법에 대해서 설명하고, 계속해서, 그 수지상 동분(1)에 대하여 은을 피복하여 은 코팅 동분을 얻는 방법에 대해서 설명한다.

<4-1. 수지상 동분의 제조 방법>

수지상 동분(1)은, 예컨대, 구리 이온을 함유하는 황산 산성 용액을 전해액으로서 이용하여 소정의 전해법에 따라 제조할 수 있다.

전해에 있어서는, 예컨대, 금속구리를 양극(애노드)으로 하고, 스테인레스판이나 티탄판 등을 음극(캐소드)으로 하여 설치한 전해조 중에, 전술한 구리 이온을 함유하는 황산 산성의 전해액을 수용하고, 그 전해액에 소정의 전류 밀도로 직류 전류를 통전함으로써 전해 처리를 실시한다. 이에 의해, 통전에 수반하여 음극 상에 수지상 동분(1)을 석출(전석)시킬 수 있다. 특히, 본 실시형태에 있어서는, 전해에 의해 얻어진 입상 등의 동분을 볼 등의 매체를 이용하여 기계적으로 변형 가공 등을 하는 일없이, 그 전해에 의해서만, 타원체의 미세 동 입자(2)가 집합하여 수지상을 형성한 수지상 동분(1)을 음극 표면에 석출시킬 수 있다.

보다 구체적으로, 전해액으로서는, 예컨대, 수용성 구리염과, 황산과, 폴리에테르 화합물 등의 첨가제와, 염화물 이온을 함유하는 것을 이용할 수 있다.

수용성 구리염은, 구리 이온을 공급하는 구리 이온원이며, 예컨대 황산구리5수화물 등의 황산구리, 염화구리, 질산구리 등을 들 수 있지만 특별히 한정되지 않는다. 또한, 전해액 중에서의 구리 이온 농도로서는, 1 g/L∼20 g/L 정도, 바람직하게는 5 g/L∼10 g/L 정도로 할 수 있다.

황산은, 황산 산성의 전해액으로 하기 위한 것이다. 전해액 중의 황산의 농도로서는, 유리 황산 농도로서 20 g/L∼300 g/L 정도, 바람직하게는 50 g/L∼150 g/L 정도로 할 수 있다. 이 황산 농도는, 전해액의 전도도에 영향을 주기 때문에, 캐소드 상에 얻어지는 동분의 균일성에 영향을 끼친다.

첨가제로서는, 예컨대, 폴리에테르 화합물을 이용할 수 있다. 이 폴리에테르 화합물이, 후술하는 염화물 이온과 함께, 석출하는 동분의 형상 제어에 기여하여, 음극 상에 석출시키는 동분을, 소정의 단축 직경 및 장축 직경을 갖는 타원체의 미세 동 입자(2)가 집합하여 수지상의 형상으로 된 수지상 동분(1)으로 할 수 있다.

폴리에테르 화합물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 폴리에틸렌글리콜(PEG), 폴리프로필렌글리콜(PPG) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리에테르 화합물로서는, 1종 단독으로 첨가하여도 좋고, 2종류 이상을 병용하여 첨가하여도 좋다. 또한, 폴리에테르 화합물의 첨가량으로서는, 전해액 중에 있어서의 농도가 0.1 g/L∼5 g/L 정도의 범위가 되는 양으로 하는 것이 바람직하다.

염화물 이온으로서는, 염산, 염화나트륨 등의 염화물 이온을 공급하는 화합물(염화물 이온원)을 전해액 중에 첨가함으로써 함유시킬 수 있다. 염화물 이온은, 석출하는 동분의 형상 제어에 기여한다. 전해액 중의 염화물 이온 농도로서는, 1 ㎎/L∼1000 ㎎/L 정도, 바람직하게는 25 ㎎/L∼800 ㎎/L 정도, 보다 바람직하게는 50 ㎎/L∼500 ㎎/L 정도로 할 수 있다.

본 실시형태에 따른 수지상 동분의 제조 방법에 있어서는, 예컨대, 전술한 바와 같은 조성의 전해액을 이용하여 전해함으로써 음극 상에 동분을 석출 생성시켜 제조한다. 전해 방법으로서는, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예컨대, 전류 밀도로서는, 황산 산성의 전해액을 이용하여 전해하는 데 있어서는 5 A/dm²∼30 A/dm²의 범위로 하는 것이 바람직하고, 전해액을 교반하면서 통전시킨다. 또한, 전해액의 액온(욕온)으로서는, 예컨대 20℃∼60℃ 정도로 할 수 있다. 또한, 전해 시간으로서는, 전해액의 구리 이온 농도 등에 따라 적절하게 설정하면 좋고, 예컨대 6시간∼15시간 정도로 할 수 있다.

<4-2. 은의 피복 방법(은 코팅 동분의 제조)>

본 실시형태에 따른 수지상 은 코팅 동분은, 전술한 전해법에 따라 제작한 수지상 동분(1)의 표면에, 예컨대, 환원형 무전해 도금법이나 치환형 무전해 도금법을 이용하여 은을 피복함으로써 제조할 수 있다.

동분(1)의 표면에 균일한 두께로 은을 피복하기 위해서는, 은 도금 전에 세정을 행하는 것이 바람직하고, 수지상 동분(1)을 세정액 중에 분산시켜 교반하면서 세정을 행할 수 있다. 이 세정 처리로서는, 산성 용액 속에서 행하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 후술하는 환원제에도 이용되는 다가 카르복실산을 이용한다. 세정 후에는, 수지상 동분의 여과, 분리와, 수세를 적절하게 반복하여, 수중에 수지상 동분이 분산된 물 슬러리로 한다. 또한, 여과, 분리와, 수세에 대해서는, 공지의 방법을 이용하면 좋다.

구체적으로, 환원형 무전해 도금법으로 은 코팅하는 경우에는, 동분(1)을 세정한 후에 얻어진 물 슬러리에 환원제와 은 이온 용액을 첨가함으로써, 수지상 동분(1)의 표면에 은을 피복시킬 수 있다. 여기서, 환원제를 물 슬러리에 미리 첨가하여 분산시킨 후에, 그 환원제와 수지상 동분을 포함하는 물 슬러리에 은 이온 용액을 연속적으로 첨가함으로써, 수지상 동분(1)의 표면에 은을 보다 균일하게 피복시킬 수 있다.

환원제로서는, 여러 가지의 환원제를 이용할 수 있지만, 동의 착이온을 환원시킬 수 없는, 환원력이 약한 환원제인 것이 바람직하다. 그 약한 환원제로서는, 환원성 유기 화합물을 이용할 수 있고, 예컨대, 탄수화물류, 다가 카르복실산 및 그 염, 알데히드류 등을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 포도당(글루코오스), 젖산, 옥살산, 타르타르산, 말산, 말론산, 글리콜산, 타르타르산나트륨칼륨, 포르말린 등을 들 수 있다.

수지상 동분을 포함하는 물 슬러리에 환원제를 첨가한 후, 충분히 환원제를 분산시키기 위해 교반 등을 행하는 것이 바람직하다. 또한, 물 슬러리를 원하는 pH로 조정하기 위해, 산 또는 알칼리를 적절하게 첨가할 수 있다. 또한, 알코올 등의 수용성 유기 용매를 첨가함으로써, 환원제인 환원성 유기 화합물의 분산을 촉진시켜도 좋다.

연속적으로 첨가하는 은 이온 용액으로서는, 은 도금액으로서 공지의 것을 이용할 수 있지만, 그 중에서도 질산은 용액을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 질산은 용액은, 착형성이 용이하기 때문에, 암모니아성 질산은 용액으로서 첨가하는 것이 보다 바람직하다. 암모니아성 질산은 용액을 하기 위해 이용하는 암모니아는, 질산은 용액에 첨가하거나, 미리 환원제와 함께 물 슬러리에 첨가하여 분산시켜 두거나, 질산은 용액과는 별도의 암모니아 용액으로서 동시에 물 슬러리에 첨가하거나, 이들의 조합을 포함하여 어느 하나의 방법을 이용하면 좋다.

은 이온 용액은, 예컨대 수지상 동분(1)과 환원제를 포함하는 물 슬러리에 첨가하는 데 있어서, 비교적 느린 속도로 서서히 첨가하는 것이 바람직하고, 이에 의해 균일한 두께의 은의 피막을 수지상 동분(1)의 표면에 형성할 수 있다. 또한, 피막의 두께의 균일성을 높이기 위해서는, 첨가의 속도를 일정하게 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 미리 물 슬러리에 첨가한 환원제 등을 별도의 용액으로 조정하여, 은 이온 용액과 함께 서서히 추가로 첨가하도록 하여도 좋다.

이와 같이 하여, 은 이온 용액 등을 첨가한 물 슬러리를 여과, 분리하여 수세를 행하고, 그 후 건조시킴으로써, 수지상의 은 코팅 동분을 얻을 수 있다. 이들의 여과 이후의 처리 수단으로서는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 공지의 방법을 이용하면 좋다.

한편, 치환형 무전해 도금법으로 은 코팅하는 방법은, 동과 은의 이온화 경향의 차이를 이용하는 것이며, 용액 속에서 동이 용해되었을 때에 발생하는 전자에 의해, 용액 중의 은 이온을 환원시켜 구리 표면에 석출시키는 것이다. 따라서, 치환형의 무전해 은 도금액은, 은 이온원으로서 은염과, 착화제와, 전도염이 주요 성분으로서 구성되어 있으면 은 코팅이 가능하지만, 보다 균일하게 은 코팅하기 위해서는 필요에 따라 계면 활성제, 광택제, 결정 조정제, pH 조정제, 침전 방지제, 안정제 등을 첨가할 수 있다. 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분의 제조에 있어서도, 그 도금액으로서는 특별히 한정되지 않는다.

보다 구체적으로, 은염으로서는, 질산은, 요오드화은, 황산은, 포름산은, 아세트산은, 젖산은 등을 이용할 수 있고, 물 슬러리 중에 분산된 수지상 동분(1)과 반응시킬 수 있다. 도금액 중의 은 이온 농도로서는, 1 g/L∼10 g/L 정도로 할 수 있다.

또한, 착화제는, 은 이온과 착체를 형성시키는 것이며, 대표적인 것으로서 시트르산, 타르타르산, 에틸렌디아민4아세트산, 니트릴로3아세트산 등이나, 에틸렌디아민, 글리신, 히단토인, 피롤리돈, 호박산이미드 등의 N 함유 화합물, 히드록시에틸리덴2포스폰산, 아미노트리메틸렌포스폰산, 머캅토프로피온산, 티오글리콜, 티오세미카르바지드 등을 이용할 수 있다. 도금액 중의 착화제의 농도로서는, 10 g/L∼100 g/L 정도로 할 수 있다.

또한, 전도염으로서는, 질산, 붕산, 인산 등의 무기산, 시트르산, 말레산, 타르타르산, 프탈산 등의 유기산, 또는 이들의 나트륨, 칼륨, 암모늄염 등을 이용할 수 있다. 도금액 중의 전도염의 농도로서는, 5 g/L∼50 g/L 정도로 할 수 있다.

수지상 동분(1)의 표면에 은을 피복할 때의 피복량의 컨트롤은, 예컨대, 치환형 무전해 도금액의 은의 투입량을 바꿈으로써 제어할 수 있다. 또한, 피막의 두께의 균일성을 높이기 위해서는, 첨가의 속도를 일정하게 하는 것이 바람직하다.

이와 같이 하여, 반응 종료 후의 슬러리를 여과, 분리하여 수세를 행하고, 그 후 건조시킴으로써, 수지상의 은 코팅 동분을 얻을 수 있다. 이들의 여과 이후의 처리 수단으로서는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 공지의 방법을 이용하면 좋다.

≪5. 도전성 페이스트, 전자파 실드용 도전성 도료, 도전성 시트의 용도≫

본 실시형태에 따른 은 코팅 동분은, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛이며, 또한, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기인 타원체 동 입자(2)가 집합한 수지상 동분(1)에 의해 구성되어 있고, 그 수지상 동분(1)의 표면에 은이 피복되어 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분의 형상으로서, 가지의 부분에 미세한 돌기가 형성되어 있고, 그 크기[평균 입경(D50)]가 5.0 ㎛∼20 ㎛인 것을 특징으로 한다.

여기서, 특허문헌 4 및 5에서 제안되어 있는 종래의 은 피복 동분은, 주축으로부터 분기된 긴 가지가 특징인 덴드라이트상의 은 피복 동분로서, 다수의 침상부가 방사상으로 신장하여 이루어지는 형상의 것을 포함하지 않는 것으로 하고 있다.

이에 대하여, 본 실시형태에 따른 수지상의 은 코팅 동분은, 그 형상이, 전술한 바와 같이 가지의 부분에 미세한 돌기가 형성되며, 또한 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛이다. 이러한 은 코팅 동분에 따르면, 종래의 덴드라이트상의 은 코팅 동분보다 수지상 은 코팅 동분끼리의 접점을 많이 확보할 수 있기 때문에, 지금까지 이상의 도전성을 확보할 수 있다. 또한, 이 은 코팅 동분을 금속 필러로서 이용하는 경우에, 서로 얽혀 응집이 발생하는 것을 억제할 수 있어, 수지 중에 균일하게 분산되지 않는 것을 방지할 수 있어, 도전성 페이스트나 전자파 실드용 도전성 도료, 도전성 시트 등의 용도에 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 이 수지상 은 코팅 동분에서는, 가지 부분의 강도를 얻을 수 있기 때문에, 예컨대 도전성 시트로 성형한 경우에 가요성이 우수한 것이 된다.

본 실시형태에 따른 수지상 은 코팅 동분을 금속 필러로서 이용하는 경우, 다른 형상의 동분과 혼합시켜 이용할 수 있다. 이때, 동분 전체량 중의 수지상 은 코팅 동분의 비율로서는, 20 질량％ 이상인 것이 바람직하고, 60 질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 75 질량％ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이, 금속 필러로서 이용하는 경우에, 동분으로서 수지상 은 코팅 동분과 함께 다른 형상의 동분을 혼합시킴으로써, 그 수지상 은 코팅 동분의 간극에 다른 형상 동분이 충전되게 되고, 이에 의해, 도전성을 확보하기 위한 접점을 보다 많이 확보할 수 있다. 또한 그 결과로서, 수지상 은 코팅 동분과 다른 형상의 동분의 토탈의 투입량을 적게 하는 것도 가능해진다.

금속 필러로서 이용되는 동분 전체량 중, 수지상 은 코팅 동분이 20 질량％ 미만이면, 그 수지상 은 코팅 동분끼리의 접점이 감소하여, 다른 형상의 동분과 혼합시키는 것에 따른 접점의 증가를 가미하여도, 금속 필러로서는 도전성이 저하하여 버린다.

다른 형상의 동분으로서는, 수지상 은 코팅 동분의 간극에 의해 많이 충전할 수 있다고 하는 관점에서, 구상 동분인 것이 바람직하다. 또한, 혼합시키는 구상 동분의 표면에 은을 피복시켜 구상 은 코팅 동분으로서 이용함으로써, 한층 더 도전성을 높일 수 있다. 이때의 구상 동분에 대한 은 피복량으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 전술한 수지상 은 코팅 동분의 은 피복량과 마찬가지로, 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％∼50 질량％인 것이 바람직하다. 이것은, 수지상 은 코팅 동분의 은 피복량과 동일한 이유이며, 비용의 관점에서는 될 수 있는 한 적은 편이 바람직하지만, 지나치게 적으면 구상 동분의 표면에 균일하게 은의 피막을 확보할 수 없어, 도전성의 저하의 원인이 되기 때문이다. 따라서, 은 피복량의 하한값으로서는, 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여, 1 질량％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 2 질량％ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하며, 5 질량％ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 은 피복량이 많아지면 비용의 관점에서 바람직하지 못하다. 따라서, 은 피복량의 상한값으로서는, 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여, 50 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 20 질량％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 다른 형상의 동분으로서 구상 동분의 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 평균 입자경(D50)이 0.5 ㎛∼10 ㎛인 것이 바람직하고, 1.0 ㎛∼5.0 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 구상 동분의 평균 입자경이 0.5 ㎛ 미만이면 입자 사이즈가 지나치게 작아, 수지상 은 코팅 동분의 간극에 충전되는 것에 따른 접점의 확보의 효과를 충분히 얻을 수 없게 된다. 한편으로, 구상 동분의 입자 사이즈가 지나치게 크면, 수지상 은 코팅 동분의 3차원적인 효과보다, 구상 동분에 의한 충전량의 영향이 커져, 필요 이상으로 충전되어 버리게 된다. 이들로부터, 구상 동분의 평균 입자경으로서는, 바람직하게는 0.5 ㎛∼10 ㎛, 보다 바람직하게는 1.0 ㎛∼5.0 ㎛이고, 이에 의해, 보다 적은 충전량으로 수지상 은 코팅 동분의 간극에 효과적으로 또한 적절하게 충전시킬 수 있어, 접점을 충분히 확보할 수 있다.

또한, 물론, 금속 필러로서, 본 실시형태에 따른 수지상 은 코팅 동분만을 이용하는 것을 방해하는 것이 아니다.

전술한 금속 필러를 이용하여 도전성 페이스트로 하는 경우는, 특별히 한정된 조건으로 사용하는 일은 없고, 일반적인 방법, 예컨대 그 금속 필러를 바인더 수지 및 용제와 혼합하고, 더욱 필요에 따라 경화제나 커플링제, 부식 억제제 등과 혼합하여 혼련함으로써 도전성 페이스트를 얻을 수 있다.

이때에 사용하는 바인더 수지로서는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 종래 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 에폭시 수지나 페놀 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 용제에 대해서도, 종래 사용되고 있는, 테르피네올, 에틸카르비톨, 카르비톨아세테이트, 부틸셀로솔브 등을 사용할 수 있다. 또한, 경화제에 대해서도, 종래 사용되고 있는 2에틸4메틸이미다졸 등을 사용할 수 있다. 또한, 부식 억제제에 대해서도, 종래 사용되고 있는 벤조티아졸, 벤조이미다졸 등을 사용할 수 있다.

전술한 금속 필러를 이용하여 제작한 도전성 페이스트를 이용하여, 각종 전기 회로를 형성할 수 있다. 이 경우에 있어서도, 특별히 한정된 조건에서 사용하는 것이 아니며, 종래 행해지고 있는 회로 패턴 형성법 등을 이용할 수 있다. 예컨대, 그 금속 필러를 이용하여 제작한 도전성 페이스트를, 소성 기판 혹은 미소성 기판에 도포 또는 인쇄하여, 가열한 후에, 필요에 따라 가압하여 경화하여 베이킹함으로써 프린트 배선판이나 각종 전자 부품의 전기 회로나 외부 전극 등을 형성할 수 있다.

또한, 전자파 실드용 재료로서, 전술한 금속 필러를 이용하는 경우에 있어서도, 특별히 한정된 조건으로 사용하는 일은 없고, 일반적인 방법, 예컨대 그 금속 필러를 수지와 혼합하여 사용할 수 있다.

예컨대, 전술한 금속 필러를 이용하여 전자파 실드용 도전성 도료로 하는 경우에 있어서도, 특별히 한정된 조건에서 사용하는 일은 없고, 일반적인 방법, 예컨대 그 금속 필러를 수지 및 용제와 혼합하고, 더욱 필요에 따라 산화 방지제, 증점제, 침강 방지제 등과 혼합하여 혼련함으로써 도전성 도료로서 이용할 수 있다. 이때에 사용하는 바인더 수지 및 용제로서는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 종래 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 염화비닐 수지, 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 불소 수지, 실리콘 수지나 페놀 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 용제에 대해서도, 종래 사용되고 있는 이소프로판올 등의 알코올류, 톨루엔 등의 방향족 탄화수소류, 아세트산메틸 등의 에스테르류, 메틸에틸케톤 등의 케톤류 등을 사용할 수 있다. 또한, 산화 방지제에 대해서도, 종래 사용되고 있는 지방산아미드, 고급 지방산아민, 페닐렌디아민 유도체, 티타네이트계 커플링제 등을 사용할 수 있다.

또한, 전술한 금속 필러를 이용하여 전자파 실드용 도전성 시트로 하는 경우에 있어서도, 전자파 실드용 도전성 시트의 전자파 실드층을 형성하기 위해 사용되는 수지로서는 특별히 한정되는 것이 아니며, 종래 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 예컨대, 염화비닐 수지, 아세트산비닐 수지, 염화비닐리덴 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 올레핀 수지, 염소화올레핀 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 알키드 수지, 페놀 수지 등의 각종 중합체 및 공중합체로 이루어지는 열가소성 수지, 열경화성 수지, 방사선 경화형 수지 등을 적절하게 사용할 수 있다.

전자파 실드재의 제조 방법으로서, 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 금속 필러와 수지를 용매에 분산 또는 용해한 도료를, 기재 상에 도포 또는 인쇄함으로써 전자파 실드층을 형성하여, 표면이 고화할 정도로 건조함으로써 제조할 수 있다. 또한, 도전성 시트의 도전성 접착제층에 있어서, 본 실시형태에 따른 은 코팅 동분을 함유하는 금속 필러를 이용할 수도 있다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 나타내어 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 조금도 한정되는 것이 아니다.

<평가 방법>

하기 실시예, 비교예에 있어서, 이하의 방법에 따라, 형상의 관찰, 평균 입자경의 측정, BET 비표면적의 측정, 도전성 페이스트의 비저항 측정, 전자파 실드 특성 평가를 행하였다.

(형상의 관찰)

주사형 전자 현미경(SEM)(니혼덴시 가부시키가이샤 제조, 형식: JSM-7100F)에 의해, 배율 10,000배의 시야에서 임의로 20시야를 선정하고, 그 시야 내에 포함되는 동분의 외관을 관찰하였다.

(평균 입자경의 측정)

평균 입자경(D50)은, 레이저 회절·산란법 입도 분포 측정기(니키소 가부시키가이샤 제조, HRA9320X-100)를 이용하여 측정하였다.

(BET 비표면적)

비표면적은, 비표면적·세공 분포 측정 장치(콴타크롬사 제조, QUADRASORB SI)를 이용하여 측정하였다.

(도전성 페이스트의 비저항 측정)

피막의 비저항값은, 저저항률계(미츠비시카가쿠 가부시키가이샤 제조, Loresta-GP MCP-T600)를 이용하여 4단자법에 따라 시트 저항값을 측정하고, 표면 거칠기 형상 측정기(도쿄세이미츠 가부시키가이샤 제조, SURFCO M130A)에 의해 피막의 막 두께를 측정하여, 시트 저항값을 막 두께로 나눔으로써 구하였다.

(전자파 특성)

전자파 실드 특성의 평가는, 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 시료에 대해서, 주파수 1 ㎓의 전자파를 이용하여, 그 감쇠율을 측정하여 평가하였다. 구체적으로는, 수지상 은 코팅 동분을 사용하지 않는 비교예 1의 경우의 레벨을 『△』로 하고, 그 비교예 1의 레벨보다 나쁜 경우를 『×』로 하며, 그 비교예 1의 레벨보다 양호한 경우를 『○』로 하고, 더욱 우수한 경우를 『◎』로 하여 평가하였다.

또한, 전자파 실드의 가요성에 대해서도 평가하기 위해, 제작한 전자파 실드를 절곡하여 전자파 실드 특성이 변화하는지의 여부를 확인하였다.

[실시예 1]

<수지상 동분의 제작>

전해액의 용량이 100 L인 전해조에, 전극 면적이 200 ㎜×200 ㎜인 티탄제 전극판을 음극으로 하고, 전극 면적이 200 ㎜×200 ㎜인 구리제 전극판을 양극으로서 이용하며, 그 전해조 중에 전해액을 장입하여, 이것에 직류 전류를 통전하여 동분을 음극판 상에 석출시켰다.

이때, 전해액으로서는, 구리 이온 농도가 10 g/L, 황산 농도가 100 g/L인 조성의 것을 이용하였다. 또한, 이 전해액에, 첨가제로서 분자량 400의 폴리에틸렌글리콜(PEG)(와코쥰야쿠코교 가부시키가이샤 제조)을 전해액 중의 농도로서 500 ㎎/L이 되도록 첨가하고, 더욱 염산 용액(와코쥰야쿠코교 가부시키가이샤 제조)을 염소 이온 농도로서 50 ㎎/L가 되도록 첨가하였다.

그리고, 전술한 바와 같이 농도를 조정한 전해액을, 정량 펌프를 이용하여 10 L/min의 유량으로 순환하면서, 온도를 30℃로 유지한 조건으로, 음극의 전류 밀도가 20 A/dm²가 되도록 통전하여 음극판 상에 동분을 석출시켰다.

음극판 상에 석출된 전해 동분을, 기계적으로 전해조의 조 바닥에 긁어 떨어뜨려 회수하고, 회수한 동분을 순수로 세정한 후, 감압 건조기에 넣어 건조하였다.

이렇게 해서 얻어진 동분의 형상을, 전술한 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 방법으로 관찰한 결과, 석출한 동분은, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛이며, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛인 타원체의 동 입자가 집합하여 구성된 수지상의 형상을 한 것이었다. 또한, 그 타원형 동 입자가 집합하여 형성된 수지상 동분의 평균 입자경(D50)은 5.0 ㎛∼20 ㎛였다. 또한, 그 타원체 동 입자가 집합한 가지상의 부분의 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 굵기가 된 수지상 동분이 형성되어 있는 것이 확인되었다.

<환원법에 따른 수지상 은 코팅 동분의 제작>

다음에, 전술한 방법으로 제작한 수지상 동분을 이용하여 은 코팅 동분을 제작하였다.

즉, 제작한 수지상 동분 100 g을 3％ 타르타르산 수용액 속에서 약 1시간 교반한 후, 여과, 수세하여 2 리터의 이온 교환수 중에 분산시켰다. 여기에, 타르타르산 2 g, 포도당 2 g, 에탄올 20 ㎖를 가하고, 또한 28％ 암모니아수 20 ㎖를 가하여 교반하고, 그 후, 질산은 23 g을 이온 교환수 1.5 리터에 녹인 수용액과, 포도당 10 g, 타르타르산 10 g, 에탄올 100 ㎖를 이온 교환수 300 ㎖에 녹인 수용액과, 28％ 암모니아수 100 ㎖를 각각 60분간에 걸쳐 서서히 첨가하였다. 또한, 이때의 욕온은 25℃였다.

각 수용액의 첨가가 종료한 후, 분말을 여과, 수세하여 에탄올을 통하여 건조시킨 바, 수지상 동분의 표면에 은이 피복된 수지상 은 코팅 동분을 얻을 수 있었다. 그 은 코팅 동분을 회수하여 은 피복량을 측정한 바, 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 10.5 질량％였다. 또한, 얻어진 수지상 은 코팅 동분을 SEM에 의해 배율 10,000배의 시야로 관찰한 결과, 은 피복하기 전의 수지상 동분의 표면에 균일하게 은이 피복된 상태의 수지상 은 코팅 동분이 생겨 있는 것이 확인되었다. 또한, 얻어진 수지상 은 코팅 동분의 BET 비표면적을 측정한 결과, 1.4 ㎡/g이었다.

<도전성 페이스트화>

다음에, 전술한 방법으로 제작한 수지상 은 코팅 동분을 페이스트화하여 도전성 페이스트를 제작하였다.

즉, 제작한 수지상 은 코팅 동분 60 g에 대하여, 페놀 수지(군에이카가쿠 가부시키가이샤 제조, PL-2211) 15 g과, 부틸셀로솔브(간토카가쿠 가부시키가이샤 제조, 시카 특급) 10 g을 혼합하고, 소형 니이더(가부시키가이샤 니혼세이키세이사쿠쇼 제조, 논 버블링 니이더 NBK-1)를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 동분이 응집하는 일없이, 수지 중에 균일하게 분산하였다. 얻어진 도전성 페이스트를 금속 스키지로 유리 상에 인쇄하고, 대기 분위기 중에서 150℃, 200℃에서 각각 30분간 걸쳐 경화시켰다.

경화에 의해 얻어진 피막의 비저항값을 측정한 결과, 각각, 4.6×10^-5 Ω·㎝(경화 온도 150℃), 4.8×10^-6 Ω·㎝(경화 온도 200℃)이며, 우수한 도전성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

[실시예 2]

<치환법에 따른 수지상 은 코팅 동분의 제작>

실시예 1에서 제작한 수지상 동분 100 g을 이용하여, 치환형 무전해 도금액에 의해 그 동분 표면에 은 피복을 행하였다.

치환형 무전해 도금액으로서는, 질산은 20 g, 시트르산 20 g, 에틸렌디아민 10 g을 이온 교환수 1 리터에 녹인 조성의 용액을 이용하여, 그 용액 중에 수지상 동분 100 g을 투입하여, 60분간 교반하여 반응시켰다. 이때의 욕온은 25℃였다.

반응이 종료한 후, 분말을 여과, 수세하여 에탄올을 통하여 건조시킨 바, 수지상 동분의 표면에 은이 피복된 수지상 은 코팅 동분을 얻을 수 있었다. 그 은 코팅 동분을 회수하여 은 피복량을 측정한 바, 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 10.9 질량％였다. 또한, 얻어진 수지상 은 코팅 동분을 SEM에 의해 배율 10,000배의 시야로 관찰한 결과, 은 피복하기 전의 수지상 동분의 표면에 균일하게 은이 피복된 상태의 수지상 은 코팅 동분이 생겨 있는 것이 확인되었다. 또한, 얻어진 수지상 은 코팅 동분의 BET 비표면적을 측정한 결과, 1.8 ㎡/g이었다.

<도전성 페이스트화>

다음에, 제작한 수지상 은 코팅 동분을 페이스트화하여 도전성 페이스트를 제작하였다.

즉, 제작한 수지상 은 코팅 동분 60 g에 대하여, 페놀 수지(군에이카가쿠 가부시키가이샤 제조, PL-2211) 15 g과, 부틸셀로솔브(간토카가쿠 가부시키가이샤 제조, 시카톳큐) 10 g을 혼합하고, 소형 니이더(가부시키가이샤 니혼세이키세이사쿠쇼 제조, 논 버블링 니이더 NBK-1)를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 동분이 응집하는 일없이, 수지 중에 균일하게 분산하였다. 얻어진 도전성 페이스트를 금속 스키지로 유리 상에 인쇄하여, 대기 분위기 중에서 150℃, 200℃에서 각각 30분간 걸쳐 경화시켰다.

경화에 의해 얻어진 피막의 비저항값을 측정한 결과, 각각, 4.2×10^-5 Ω·㎝(경화 온도 150℃), 4.9×10^-6 Ω·㎝(경화 온도 200℃)이며, 우수한 도전성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

[실시예 3]

실시예 1에서 제작한 수지상 은 코팅 동분에 구상 은 코팅 동분을 혼합하여 페이스트화하였다. 또한, 수지상 은 코팅 동분을 제작하기 위한 수지상 동분의 제작 및 그 수지상 동분에 은을 피복하여 수지상 은 코팅 동분을 제작하기까지의 조건은, 실시예 1과 동일하게 하며, 은 피복량이 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 10.5 질량％인 수지상 은 코팅 동분을 사용하였다.

한편, 평균 입자경(D50)이 30.5 ㎛인 전해 동분(넥셀재팬 가부시키가이샤 제조, 전해 동분 Cu-300)을, 고압 제트 기류 선회 나선 방식 제트 밀(가부시키가이샤 토쿠쥬코사쿠쇼 제조, NJ식 나노그라인딩 밀(NJ-30))을 이용하여, 공기의 유량 200 리터/분, 분쇄 압력 10 ㎏/㎠, 약 400 g/시간으로 8 패스의 분쇄·미분화를 실시하였다. 얻어진 동분은 입상(입상 동분)이며, 평균 입자경(D50)은 5.6 ㎛였다.

그리고, 얻어진 입상 동분에 대하여, 알칼리 수용액에 의한 탈지 처리와 희류산에 의한 산화 피막 처리를 행하고, 순수로 충분히 세정한 후, 실시예 1과 동일한 환원법에 따른 은 피복 처리를 행하였다. 이렇게 하여 얻어진 구상 은 코팅 동분의 은 피복량은, 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 11.2 질량％였다.

전술한 방법으로 제작한 수지상 은 코팅 동분 40 g과, 구상 은 코팅 동분 10 g에 대하여, 페놀 수지(군에이카가쿠 가부시키가이샤 제조, PL-2211) 15 g과, 부틸셀로솔브(간토카가쿠 가부시키가이샤 제조, 시카톳큐) 10 g을 혼합하고, 소형 니이더(가부시키가이샤 니혼세이키세이사쿠쇼 제조, 논 버블링 니이더 NBK-1)를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 동분이 응집하는 일없이, 수지 중에 균일하게 분산하였다. 얻어진 도전성 페이스트를 금속 스키지로 유리 상에 인쇄하여, 대기 분위기 중에서 150℃, 200℃에서 각각 30분간 걸쳐 경화시켰다.

경화에 의해 얻어진 피막의 비저항값을 측정한 결과, 각각, 3.9×10^-5 Ω·㎝(경화 온도 150℃), 4.1×10^-6 Ω·㎝(경화 온도 200℃)이며, 우수한 도전성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

[실시예 4]

실시예 1에서 제작한 수지상 은 코팅 동분을 수지에 분산시켜 전자파 실드재로 하였다. 또한, 수지상 은 코팅 동분을 제작하기 위한 수지상 동분의 제작 및 그 수지상 동분에 은을 피복하여 수지상 은 코팅 동분을 제작하기까지의 조건은, 실시예 1과 동일하게 하며, 은 피복량이 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 10.5 질량％인 수지상 은 코팅 동분을 사용하였다.

이 수지상 은 코팅 동분 50 g에 대하여, 염화비닐 수지 100 g과, 메틸에틸케톤 200 g을 각각 혼합하고, 소형 니이더를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 동분이 응집하는 일없이, 수지 중에 균일하게 분산하였다. 이것을 100 ㎛의 두께의 투명 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트로 이루어지는 기재의 위에 메이어 바를 이용하여 도포·건조하여, 두께 30 ㎛의 전자파 실드층을 형성하였다.

전자파 실드 특성에 대해서는, 주파수 1 ㎓의 전자파를 이용하여, 그 감쇠율을 측정함으로써 평가하였다. 표 1에 결과를 나타낸다.

[실시예 5]

실시예 1에서 제작한 수지상 은 코팅 동분에 구상 은 코팅 동분을 혼합하여 수지에 분산시켜 전자파 실드재로 하였다. 또한, 수지상 은 코팅 동분을 제작하기 위한 수지상 동분의 제작 및 그 수지상 동분에 은을 피복하여 수지상 은 코팅 동분을 제작하기까지의 조건은, 실시예 1과 동일하게 하며, 은 피복량이 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 10.5 질량％인 수지상 은 코팅 동분을 사용하였다.

구상 은 코팅 동분은, 실시예 3에서 나타낸 것과 동일한 방법으로 제작하며, 은 피복량이 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 11.8 질량％인 구상 은 코팅 동분을 사용하였다.

이 수지상 은 코팅 동분 30 g과, 구상 은 코팅 동분 10 g에 대하여, 염화비닐 수지 100 g과, 메틸에틸케톤 200 g을 각각 혼합하고, 소형 니이더를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 동분이 응집하는 일없이, 수지 중에 균일하게 분산하였다. 이것을 100 ㎛의 두께의 투명 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트로 이루어지는 기재의 위에 메이어 바를 이용하여 도포·건조하여, 두께 30 ㎛의 전자파 실드층을 형성하였다.

[비교예 1]

전해액 중에, 첨가제로서의 PEG와, 염소 이온을 첨가하지 않는 조건으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 동분을 음극판 상에 석출시켰다. 얻어진 동분을 실시예 1과 동일하게 하여 그 구리 표면에 은을 피복하여, 은 코팅 동분을 얻었다. 또한, 그 은 코팅 동분의 은 피복량은, 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 11.2 질량％였다.

얻어진 동분의 형상을, SEM에 의해 배율 10,000배의 시야로 관찰한 결과, 석출한 동분은, 가지 부분의 굵기(직경)가 10 ㎛를 넘는 매우 큰 수지상 동분인 것이 확인되었다. 또한, 그 동분의 평균 입자경(D50)은 22.3 ㎛였다.

전술한 방법으로 제작한 수지상 은 코팅 동분 60 g에 대하여, 페놀 수지(군에이카가쿠 가부시키가이샤 제조, PL-2211) 15 g과, 부틸셀로솔브(간토카가쿠 가부시키가이샤 제조, 시카톳큐) 10 g을 혼합하고, 소형 니이더(가부시키가이샤 니혼세이키세이사쿠쇼 제조, 논 버블링 니이더 NBK-1)를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 혼련을 반복할 때마다 점도의 상승이 발생하였다. 이는 동분의 일부가 응집하고 있는 것이 원인이라고 생각되며, 균일 분산이 곤란하였다. 얻어진 도전성 페이스트를 금속 스키지로 유리 상에 인쇄하고, 대기 분위기 중에서 150℃, 200℃에서 각각 30분간 걸쳐 경화시켰다.

경화에 의해 얻어진 피막의 비저항값을 측정한 결과, 각각, 6.7×10^-4 Ω·㎝(경화 온도 150℃), 3.1×10^-4 Ω·㎝(경화 온도 200℃)이며, 실시예(실시예 1∼3)에서 얻어진 도전성 페이스트와 비교하여 매우 비저항값이 높아 도전성이 뒤떨어지는 것이었다.

[비교예 2]

구상 은 코팅 동분에 의한 도전성 페이스트의 특성을 평가하고, 실시예에 있어서의 수지상 은 코팅 동분을 이용하여 제작한 도전성 페이스트의 특성과 비교하였다. 또한, 사용한 구상 은 코팅 동분은, 실시예 3에서 나타낸 것과 동일한 방법으로 제작하여, 은 피복량이 은 피복한 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 11.2 질량％인 구상 은 코팅 동분을 사용하였다.

이 구상 은 코팅 동분 60 g에 대하여, 페놀 수지(군에이카가쿠 가부시키가이샤 제조, PL-2211) 15 g과, 부틸셀로솔브(간토카가쿠 가부시키가이샤 제조, 시카톳큐) 10 g을 혼합하고, 소형 니이더(가부시키가이샤 니혼세이키세이사쿠쇼 제조, 논 버블링 니이더 NBK-1)를 이용하여, 1200 rpm, 3분간의 혼련을 3회 반복함으로써 페이스트화하였다. 페이스트화에 있어서는, 동분이 응집하는 일없이, 수지 중에 균일하게 분산하였다. 얻어진 도전성 페이스트를 금속 스키지로 유리 상에 인쇄하여, 대기 분위기 중에서 150℃, 200℃에서 각각 30분간 걸쳐 경화시켰다.

경화에 의해 얻어진 피막의 비저항값을 측정한 결과, 각각, 3.4×10^-4 Ω·㎝(경화 온도 150℃), 1.1×10^-4 Ω·㎝(경화 온도 200℃)이며, 실시예(실시예 1∼3)에서 얻어진 도전성 페이스트와 비교하여 매우 비저항값이 높아 도전성이 뒤떨어지는 것이었다.

[비교예 3]

구상 은 코팅 동분에 의한 전자파 실드재의 특성을 평가하여, 실시예 4에 있어서의 수지상 은 코팅 동분을 이용하여 제작한 전자파 실드재의 특성과 비교하였다. 또한, 사용한 구상 은 코팅 동분은, 실시예 3에서 나타낸 것과 동일한 방법으로 제작하며, 은 피복량이 동질량 100％에 대하여 11.2 질량％인 구상 은 코팅 동분을 사용하였다.

1: 동분(수지상 동분)
2: 동 입자(미세 동 입자)
D1: 가지 부분의 직경

Claims

동(銅) 입자가 집합하여, 복수의 가지를 갖는 수지상의 형상을 구성한 동분의 표면에 은이 피복된 은 코팅 동분으로서,
상기 표면에 은이 피복된 동 입자는, 단축 직경이 0.2 ㎛∼0.5 ㎛, 또한, 장축 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛의 범위의 크기인 타원체이며, 이 타원체 동 입자가 집합하여 구성되는 상기 표면에 은이 피복된 동분의 평균 입자경(D50)이 5.0 ㎛∼20 ㎛인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분.
제1항에 있어서, 상기 표면에 은이 피복된 동분에 있어서, 수지상의 가지 부분의 직경이 0.5 ㎛∼2.0 ㎛인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분.
제1항 또는 제2항에 있어서, 은 피복량이 은 피복한 이 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％∼50 질량％인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, BET 비표면적값이 0.3 ㎡/g∼3.0 ㎡/g인 것을 특징으로 하는 은 코팅 동분.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 은 코팅 동분을, 전체의 20 질량％ 이상의 비율로 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 필러.
제5항에 있어서, 평균 입자경(D50)이 0.5 ㎛∼10 ㎛인 구상 동분을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 필러.
제6항에 있어서,
상기 구상 동분은 그 표면에 은이 피복된 구상 은 코팅 동분이고,
상기 구상 은 코팅 동분의 은 피복량은, 은 피복한 구상 은 코팅 동분 전체의 질량 100％에 대하여 1 질량％∼50 질량％인 것을 특징으로 하는 금속 필러.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 금속 필러와, 바인더 수지와, 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 금속 필러를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드용 도전성 도료.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 금속 필러를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 실드용 도전성 시트.