KR20160135853A - 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법 - Google Patents

마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20160135853A
KR20160135853A KR1020167032324A KR20167032324A KR20160135853A KR 20160135853 A KR20160135853 A KR 20160135853A KR 1020167032324 A KR1020167032324 A KR 1020167032324A KR 20167032324 A KR20167032324 A KR 20167032324A KR 20160135853 A KR20160135853 A KR 20160135853A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
atomic
transition metal
content
light
etching rate
Prior art date
Application number
KR1020167032324A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101812439B1 (ko
Inventor
마사히로 하시모또
아쯔시 고미나또
히로유끼 이와시따
오사무 노자와
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20160135853A publication Critical patent/KR20160135853A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101812439B1 publication Critical patent/KR101812439B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

EB 결함 수정을 바람직하게 적용할 수 있고, 또한 차광막의 박막화를 가능하게 하는 마스크 블랭크를 제공한다. ArF 노광광이 적용되는 전사용 마스크를 작성하기 위해서 이용되며, 투광성 기판(1) 상에 차광막(2)을 갖는 마스크 블랭크(10)로서, 차광막(2)은, 천이 금속 및 규소에 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 한다. 이 차광막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 에칭 레이트가, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 에칭 레이트에 대하여 적어도 에칭 선택성을 확보할 수 있을 정도로 느리다.

Description

마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법{MASK BLANK, TRANSFER MASK AND MANUFACTURING METHOD OF TRANSFER MASK}
본 발명은, 마스크 블랭크 및 전사용 마스크에 관한 것이다. 특히, 하전 입자 조사에 의한 결함 수정 기술을 바람직하게 이용할 수 있는 전사용 마스크를 제조하기 위한 마스크 블랭크에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조 공정에서는, 포토리소그래피법을 이용하여 미세 패턴의 형성이 행해지고 있다. 또한, 이 미세 패턴의 형성에는 통상 몇 장의 전사용 마스크(포토마스크)라고 불리는 기판이 사용된다. 이 전사용 마스크는, 일반적으로 투광성의 글래스 기판 상에, 금속 박막 등으로 이루어지는 미세 패턴을 형성한 것이며, 이 전사용 마스크의 제조에서도 포토리소그래피법이 이용되고 있다.
포토리소그래피법에 의한 전사용 마스크의 제조에는, 글래스 기판 등의 투광성 기판 상에 전사 패턴(마스크 패턴)을 형성하기 위한 박막(예를 들면 차광막 등)을 갖는 마스크 블랭크가 이용된다. 이 마스크 블랭크를 이용한 전사용 마스크의 제조는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여, 원하는 패턴 묘화를 실시하는 노광 공정과, 원하는 패턴 묘화에 따라서 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정과, 레지스트 패턴에 따라서 상기 박막을 에칭하는 에칭 공정과, 잔존한 레지스트 패턴을 박리 제거하는 공정을 갖고 행해지고 있다. 상기 현상 공정에서는, 마스크 블랭크 상에 형성된 레지스트막에 대하여 원하는 패턴 묘화를 실시한 후에 현상액을 공급하여, 현상액에 가용한 레지스트막의 부위를 용해하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 상기 에칭 공정에서는, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 박막이 노출된 부위를 용해하고, 이에 의해 원하는 마스크 패턴을 투광성 기판 상에 형성한다. 이렇게 하여, 전사용 마스크가 완성된다.
반도체 장치의 패턴을 미세화할 때는, 전사용 마스크에 형성되는 마스크 패턴의 미세화 외에, 포토리소그래피에서 사용되는 노광 광원 파장의 단파장화가 필요로 된다. 반도체 장치 제조시의 노광 광원으로서는, 최근에는 KrF 엑시머 레이저(파장 248㎚)로부터, ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)로 단파장화가 진행되고 있다.
또한, 전사용 마스크의 종류로서는, 종래의 투광성 기판 상에 크롬계 재료로 이루어지는 차광막 패턴을 갖는 바이너리 마스크 외에, 최근에는, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같은 MoSiN 등의 천이 금속과 규소를 주된 금속 성분으로 하고, 질소를 더 함유시킨 재료를 차광막으로서 이용한 바이너리 마스크 등이 출현하고 있다.
그런데, 이전부터 마스크 블랭크를 이용하여, 레지스트막에 전자선 묘화 및 현상 처리에 의해 형성된 레지스트 패턴이나 에칭 마스크막에 형성된 에칭 마스크 패턴을 마스크로 하여 드라이 에칭에 의해, 차광막에 전사 패턴이 형성된 전사용 마스크에 대하여, 패턴 검사기를 이용하여, 설계상의 전사 패턴과 차광막에 형성된 전사 패턴을 비교하고, 설계상의 전사 패턴과 비교하여 여분의 차광막이 잔존하게 되는 결함(소위, 흑 결함) 부분에 대하여, 나노 머시닝이나 집속 이온 빔FIB(Focused Ion Beam)를 이용한 물리 가공에 의해 결함 수정이 행해져 왔다. 그러나, 이와 같은 물리 가공에서는 흑 결함 수정에 시간을 요한다고 하는 문제를 갖고 있었다. 또한, 통상의 FIB 처리에서는 Ga 이온의 조사량이 커지기 때문에, QZ 기판에 잔류하는 Ga 스테인이 문제로 되었다. 따라서 반응성을 올리고, Ga 조사량을 억제하기 위해서 가스 지원하는 방법 등이 보고되어 있다(특허 문헌 2 참조).
한편, 특허 문헌 3에는, 차광막의 흑 결함 부분에 대하여, 2불화 크세논(XeF2) 가스를 공급하고, 또한 그 부분에 전자선을 조사하여 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 결함 수정 기술(이하, 이와 같은 전자선 등과 같은 하전 입자를 조사하여 행하는 결함 수정을 간단히 EB 결함 수정이라고 부름)이 개시되어 있다. 이러한 EB 결함 수정은, 당초는, EUV 리소그래피용의 반사형 마스크의 흡수체막에서의 흑 결함 부분의 수정에 이용되고 있었지만, MoSi계의 하프톤 마스크의 결함 수정에도 사용되기 시작하고 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특개 제2007-292824호 공보 특허 문헌 2 : 일본 특개 제2000-10260호 공보 특허 문헌 3 : 일본 특표 2004-537758호 공보
본 발명자들은, 특허 문헌 1에서 개시되어 있는 바와 같은 천이 금속과 규소를 주된 금속 성분으로 하고, 질소를 더 함유시킨 재료로 이루어지는 적층 구조의 차광막이 형성된 바이너리형 마스크 블랭크를 이용하여, 차광막에 전사 패턴을 형성한 전사용 마스크를 제작하고, 제작한 전사용 마스크의 결함 검사를 행하고, 흑 결함 부분에 대하여, 특허 문헌 3에 개시되어 있는 바와 같은 EB 결함 수정, 즉 흑 결함 부분에의 XeF2 가스 공급과 전자 등의 하전 입자 조사에 의한 에칭을 행하여 본 바, 차광막의 막 조성의 관계에 따라서는, 이하와 같은 문제가 생기는 경우가 있는 것이 판명되었다.
XeF2 가스는 규소의 등방성 에칭 가스로서 알려져 있고, 그 메카니즘은 표면 흡착, Xe와 F로 분리, 규소의 고차 불화물의 생성, 휘발이라고 하는 프로세스에서 에칭이 진행된다. EB 결함 수정을 행하는 경우, 통상적으로, XeF2 가스 등의 불소를 함유하는 물질을 유체의 상태(특히 가스 형상)로 흑 결함 부분에 공급한다. 이 때문에, XeF2 가스 등의 불소를 함유하는 물질은 흑 결함 부분 이외에도 접촉하게 된다. 차광막을 구성하는 성분인 규소는, Si3N4, SiO2, SiON, SiC와 같은 질화, 산화, 혹은 탄화된 규소이면, 휘발성이 높은 고차의 불화물을 형성하기 어렵기 때문에, XeF2 가스 등의 불소계 가스에 대하여 높은 에칭 내성을 갖지만, 이들과 같은 다른 원소와 결합 상태에 없는 규소의 경우, XeF2 가스 등의 불소계 가스에 에칭되기 쉽다. 이 때문에, 차광막에 미결합 상태의 규소의 비율이 높은 재료를 이용한 경우, 원래 에칭되어서는 안되는 개소까지 에칭되게 되어, 새로운 결함을 발생시키게 된다고 하는 문제가 있었다.
일반적으로 차광막은, 막의 표면 반사를 억제하기 위해서, 표면측의 층(상층)의 재료를 기판측의 층(하층)의 재료보다도 산화나 질화의 정도를 높게 함으로써, 차광막의 표면 반사율을 저감시키고 있다. 한편, 바이너리형 마스크 블랭크에서는, 차광막에 소정 이상(예를 들면 광학 농도(OD) 2.8 이상)의 차광 성능이 필요로 된다. 재료 중의 산화나 질화의 정도를 높게 하면 차광 성능은 저하되는 방향으로 된다. 한편, 최근의 전사 패턴의 미세화에 의해, 사입사 조명법이나 액침 노광 기술을 사용할 필요가 생기고 있다. 그러나, 그것에 의해 차폐 효과(섀도윙)의 영향이 문제로 되고 있고, 이 영향을 저감시키기 위해서, 차광막의 박막화가 필요로 되고 있다. 따라서, 기판측의 층(하층)에서는, 극력 얇은 막 두께로 차광 성능을 확보하기 위해서, 산화나 질화의 정도를 극력 억제할 필요가 있다. 차광막의 하층은, 산화나 질화의 정도가 상층에 비해 낮아, 미결합 상태의 규소의 함유량이 높아지기 때문에, XeF2 가스 등의 불소계 가스에 의한 에칭의 영향은 현저해져, 상하층에서 단차가 발생하게 된다. 극단적인 경우, 큰 언더컷이 생기게 된다.
따라서 본 발명은, 종래의 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는, EB 결함 수정을 바람직하게 적용할 수 있고, 또한 차광막의 박막화를 가능하게 하는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 종래의 천이 금속과 규소를 주된 금속 성분으로 하고, 질소를 더 함유시킨 재료로 이루어지는 적층 구조의 차광막이 형성된 바이너리형 마스크 블랭크를 이용하여, 차광막에 전사 패턴을 형성한 전사용 마스크에 대하여, 흑 결함 부분의 수정에 EB 결함 수정을 적용한 경우의 과제에 관하여, 예의 검토를 행하였다.
본 발명자들은, 다양한 재료에 대하여 검토한 결과, 천이 금속 및 규소에, 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 하는 차광막을 구비하는 마스크 블랭크로서, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태의 상기 차광막에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태의 상기 차광막에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와의 관계를 소정으로 조정함으로써, 종래의 EB 결함 수정을 적용한 경우의 과제를 해결할 수 있고, 또한 차광막의 박막화를 실현할 수 있는 것을 알아냈다.
본 발명자는, 이상의 해명 사실, 고찰에 기초하여, 더욱 예의 연구를 계속한 결과, 본 발명을 완성한 것이다.
즉, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 갖는다.
(구성 1)
ArF 엑시머 레이저 노광광이 적용되는 전사용 마스크를 작성하기 위해서 이용되며, 투광성 기판 상에, 전사 패턴을 형성하기 위한 차광막을 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 차광막은, 천이 금속 및 규소에, 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 하고, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트는, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트에 대하여 적어도 에칭 선택성을 확보할 수 있을 정도로 느린 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크이다.
(구성 2)
상기 차광막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 에칭 레이트가 0.3㎚/sec 이하인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 3)
상기 차광막은, 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 또는 2에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 4)
상기 하층은, 층 중의 질소 및 산소의 합계 함유량이 40원자％ 이하인 것을 특징으로 하는 구성 3에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 5)
상기 하층 중의 천이 금속의 함유량을 천이 금속과 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율이 6％ 이상인 것을 특징으로 하는 구성 3 또는 4에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 6)
상기 하층 중의 천이 금속의 함유량을 천이 금속과 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율이 15％ 이상인 것을 특징으로 하는 구성 3 또는 4에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 7)
상기 상층은, 층 중의 질소 및 산소의 합계 함유량이 30원자％ 이상인 것을 특징으로 하는 구성 3 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 8)
상기 상층 중의 천이 금속의 함유량이 10원자％ 이하인 것을 특징으로 하는 구성 3 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 9)
상기 차광막은, 막 두께가 65㎚ 미만인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 10)
상기 상층은, 막 두께가 5㎚ 이상, 20㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 구성 3 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 11)
상기 차광막의 상면에는, 에칭 마스크막이 형성되고, 그 에칭 마스크막은, 크롬에, 질소, 산소 중 적어도 어느 하나의 성분을 함유하고, 그 에칭 마스크막 중의 크롬의 함유량이 50원자％ 미만이고, 또한, 막 두께가 5㎚ 이상, 20㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 10 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크이다.
(구성 12)
상기 차광막의 천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율과 질소 함유량은, 하기 수학식 1의 조건을 충족시키는 범위인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크이다.
천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율을 CMo, 질소 함유량을 CN으로 하였을 때,
Figure pat00001
(구성 13)
상기 차광막의 천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율과 질소 함유량은, 하기 수학식 2의 조건을 충족시키는 범위인 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 마스크 블랭크이다.
천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율을 CMo, 질소 함유량을 CN으로 하였을 때,
Figure pat00002
(구성 14)
상기 차광막의 천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율과 질소 함유량은, 하기 수학식 3의 조건도 동시에 충족시키는 범위인 것을 특징으로 하는 구성 12 또는 13에 기재된 마스크 블랭크이다.
천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율을 CMo, 질소 함유량을 CN으로 하였을 때,
Figure pat00003
(구성 15)
상기 차광막의 천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율과 질소 함유량은, 하기 수학식 4의 조건도 동시에 충족시키는 범위인 것을 특징으로 하는 구성 12 또는 13에 기재된 마스크 블랭크이다.
천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율을 CMo, 질소 함유량을 CN으로 하였을 때,
Figure pat00004
(구성 16)
상기 차광막의 천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율과 질소 함유량은, 하기 수학식 5의 조건도 동시에 충족시키는 범위인 것을 특징으로 하는 구성 12 내지 15 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크이다.
천이 금속의 함유량을 천이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율을 CMo, 질소 함유량을 CN으로 하였을 때,
Figure pat00005
(구성 17)
구성 1 내지 16 중 어느 한 항에 기재된 마스크 블랭크를 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크이다.
(구성 18)
ArF 엑시머 레이저 노광광이 적용되며, 투광성 기판 상에 전사 패턴이 형성된 차광막을 갖고 이루어지는 전사용 마스크로서, 상기 차광막은, 천이 금속 및 규소에, 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 하고, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트는, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트에 대하여 적어도 에칭 선택성을 확보할 수 있을 정도로 느린 것을 특징으로 하는 전사용 마스크이다.
(구성 19)
상기 차광막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 에칭 레이트가 0.3㎚/sec 이하인 것을 특징으로 하는 구성 18에 기재된 전사용 마스크이다.
본 발명에 따르면, 차광막을, 천이 금속 및 규소에, 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 하고, 이 차광막이 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와의 관계를 소정으로 조정함으로써, 종래의 EB 결함 수정을 적용한 경우의 과제를 해결할 수 있고, 결과, 전사 패턴의 흑 결함 수정에 EB 결함 수정을 바람직하게 적용할 수 있는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 바이너리 마스크로서 요구되고 있는 차광막의 광학 농도를 예를 들면 65㎚ 미만의 막 두께로 실현할 수 있어, 섀도윙에 따른 과제의 해결을 도모할 수 있는 마스크 블랭크 및 전사용 마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 일 실시 형태의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 일 실시 형태를 이용하여 전사용 마스크를 제조하는 공정을 도시하는 단면도이다.
도 3은 박막의 불소를 함유하는 물질에 대한 소정의 에칭 레이트를 충족시키는 (Mo/Mo+Si) 비율과 질소 함유량의 관계를 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태를 상술한다.
본 발명은, ArF 노광광이 적용되는 전사용 마스크를 작성하기 위해서 이용되며, 투광성 기판 상에, 전사 패턴을 형성하기 위한 차광막을 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 차광막은, 천이 금속 및 규소에, 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 하고, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트는, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트에 대하여 적어도 에칭 선택성을 확보할 수 있을 정도로 느린 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크이다.
도 1은 본 발명에 따른 마스크 블랭크의 단면도이다. 도 1에 의하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 마스크 블랭크(10)는, 투광성 기판(1) 상에, 차광막(2)을 구비하고 있다. 상기 투광성 기판(1)은, ArF 엑시머 레이저에 대하여 투과성을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 본 발명에서는, 합성 석영 기판, 그 밖의 각종 글래스 기판을 이용할 수 있지만, 이 중에서도 합성 석영 기판은, ArF 엑시머 레이저에 대한 투과성이 높으므로, 본 발명에는 특히 바람직하다.
본 실시 형태의 상기 차광막은, 천이 금속 및 규소에, 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 더 함유하는 재료를 주성분으로 하고 있고, 불소를 함유하는 물질에 대한 전자선 등의 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트가, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트보다도 적어도 에칭 선택성을 확보할 수 있을 정도로 느릴 필요가 있다. 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트가, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자 조사를 받은 상태에서의 상기 차광막의 에칭 레이트와의 사이에서 충분한 에칭 선택성을 확보할 수 없으면, EB 결함 수정시에, 수정이 필요하지 않은 개소까지 불소를 함유하는 물질에 노출됨으로써 에칭되게 된다고 하는 문제가 발생한다. 또한, 차광막이 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 이루어지는 경우에는, 불필요한 단차나 언더컷이 생기게 된다.
비여기 상태(논플라즈마 상태)의 불소를 함유하는 물질이, 차광막의 수정 대상 부분에 공급되고 나서 EB 결함 수정이 종료될 때까지의 동안, 차광막의 수정 대상 부분 이외의 부분이 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서 불소를 함유하는 물질에 노출되어도, 에칭되어, 광학 특성, 라인 엣지 러프니스, CD 정밀도 등에 영향이 없도록 할 필요가 있다. 이를 위해서는, 차광막의 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트는, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트보다도 충분히 느리게 할 필요가 있다.
이와 같은 점을 고려하면, 본 발명에서는, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 차광막의 에칭 레이트와, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 차광막의 에칭 레이트와의 사이에서, 예를 들면, 1 : 5 이상의 충분한 에칭 선택성을 구비하는 것이 바람직하다. 특히, 1 : 10 이상인 것이 바람직하다.
또한, 차광막이 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 이루어지는 경우에서는, EB 결함 수정시, 불소를 함유하는 물질은, 하층보다도 상층쪽이 보다 넓은 면적에 접촉한다. 이 점도 고려하면, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 하층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 상층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 하층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 상층의 에칭 레이트의 순으로 느려지는 구성이 최적이다.
본 발명에서, 차광막이 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 이루어지는 경우라도, 하층의 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 예를 들면, 1 : 5 이상의 충분한 에칭 선택성을 구비하는 것이 바람직하고, 특히, 1 : 10 이상인 것이 바람직하다. 또한, 상층에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 상술한 바와 같이, EB 결함 수정시에서는, 불소를 함유하는 물질은, 차광막의 하층보다도 상층쪽이 보다 넓은 면적에 접촉하므로, 이 점을 고려하면, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 상기 상층과 하층의 각 에칭 레이트의 사이에서 극단적인 에칭 레이트차가 없는 것이 바람직하고, 예를 들면, 1 : 1∼1 : 5의 범위에서 에칭 선택성을 구비하는 것이 바람직하다. 특히, 1 : 1∼1 : 3인 것이 바람직하다.
EB 결함 수정을 행할 때에 대상 부분(흑 결함 부분)에 공급하는 불소를 함유하는 물질로서는, XeF2, XeF4, XeF6, XeOF2, XeOF4, XeO2F2, XeO3F2, XeO2F4, ClF3, ClF, BrF5, BrF, IF3, IF5, KrF, ArF 등이 적용 가능하고, 특히, XeF2가 최적이다. 이들은 가스 상태로 대상 부분에 공급되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 에칭 선택성을 충족시키기 위해는, 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 차광막의 에칭 레이트가 낮은 쪽이 좋다. EB 결함 수정 장치에 의한 EB 수정 개소에의 불소를 함유하는 물질의 공급 프로세스를 조정하는 것이나 Passivation 기술을 구사하는 것 등을 행함으로써, 다소 에칭 레이트를 저하시키는 것은 가능하기는 하지만, 그들을 행하였다고 해도, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 차광막의 에칭 레이트는 적어도 0.3㎚/sec 이하로 할 필요가 있다. 또한, Passivation 기술을 사용할 수 없는 EB 결함 수정 장치 등에도 대응할 수 있기 위해서는, 0.2㎚/sec 이하일 필요가 있고, 보다 바람직하게는 0.1㎚/sec 이하일 필요가 있다.
도 3은 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트가 소정값(0.3㎚/sec, 0.2㎚/sec, 0.1㎚/sec)인 차광막의 몰리브덴과 규소에 질소를 더 함유하는 박막에서의 몰리브덴의 함유량[원자%]을 몰리브덴과 규소의 합계 함유량[원자%]으로 나눈 비율(즉, 차광막 중의 몰리브덴과 규소의 합계 함유량[원자%]을 100으로 하였을 때의 몰리브덴의 함유량[원자%]의 비율을 ％로 나타낸 것. 이하, (Mo/Mo+Si) 비율이라고 함) 및 질소의 함유량을 플롯하고, 각각에 대하여 근사 곡선을 그은 것이다. 이 도 3에서는, 예를 들면 0.3㎚/sec의 근사 곡선(「▲0.3㎚/sec」의 플롯의 근사 곡선) 상을 포함하는 상측의 에어리어가 0.3㎚/sec 이하의 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트인 차광막을 형성 가능한 조성 범위인 것을 나타내고 있다. 즉, 도 3에서 도시되어 있는 범위의 (Mo/Mo+Si) 비율 및 질소의 함유량의 차광막을 형성함으로써, 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트가 0.3㎚/sec 이하라고 하는 조건을 충족시키게 된다. 이 근사 곡선식은, 차광막 중의 (Mo/Mo+Si) 비율을 CMo, 질소의 함유량을 CN으로 하였을 때, 예를 들면 CN=-0.00526CMo 2-0.640CMo+26.624이다.
불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트가 0.2㎚/sec 이하의 차광막의 경우에 대해서도, 도 3에서 도시되어 있는 0.2㎚/sec의 근사 곡선(「■0.2㎚/sec」의 플롯의 근사 곡선) 상을 포함하는 상측의 에어리어의 조성 범위의 조건을 충족시키면 된다. 그 근사 곡선식은, 예를 들면 CN=-0.00733CMo 2-0.472CMo+28.885이다. 또한, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트가 0.1㎚/sec 이하의 차광막의 경우에 대해서도, 도 3에서 도시되어 있는 0.1㎚/sec의 근사 곡선(「◆0.1㎚/sec」의 플롯의 근사 곡선) 상을 포함하는 상측의 에어리어의 조성 범위의 조건을 충족시키면 된다. 그 근사 곡선식은, 예를 들면 CN=-0.00351CMo 2-0.393CMo+32.086이다.
또한, 이들 근사 곡선은, 도면 중의 5점의 플롯에 기초하여 각각 산출되는 근사식이기 때문에, 산출 방식에 따라서 다소 변동되지만, 그 근사식의 변동에 의해 생기는 소정 에칭 레이트를 충족시키는 각 조성비의 경계선의 이동이 에칭 레이트에 미치는 영향은 작으며, 허용되는 범위이다(이하의 근사 곡선이나 근사 직선에서도 마찬가지이다). 또한, 도 3은, 종축을 차광막 중의 질소 함유량으로 한 것이지만, 여기서 필요로 되는 질소 함유량을 질소와 산소의 합계 함유량으로 하여 차광막 중의 필요값을 규정해도 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트에 대해서는 대략 소정값 이하이며, 문제는 생기지 않는다.
몰리브덴 등의 천이 금속과 규소를 함유하는 박막에서, 박막 중의 산소 함유량 및 질소 함유량에 의한 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트의 변화의 경향은, 이 에칭의 경우와, 플라즈마화한 불소계 가스에서의 에칭, 즉 통상의 드라이 에칭에서의 에칭 레이트와는 상이하다. 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트는, 박막 중의 산소나 질소의 함유량이 늘어가는, 즉 규소의 산화물이나 질화물의 존재가 증가해 가면 에칭 레이트가 크게 저하되어 가는 경향이 있다. 이에 대하여, 통상의 불소계 가스 플라즈마에 의한 드라이 에칭의 경우, 박막 중의 산소나 질소의 함유량이 늘어가도, 에칭 레이트가 거의 변하지 않거나, 천이 금속의 함유량에 따라서는 상승하는 경향이 있다. 따라서, 천이 금속과 규소를 함유하는 박막에 대한 플라즈마 상태의 불소계 가스에서의 드라이 에칭의 경우에서의 에칭 레이트의 경향을 참고하기는 어렵다.
차광막(2)의 표면 반사율을 소정값(예를 들면, 30％) 이하로 되도록 하기 위해서는, 차광막(2)을 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 하고, 상층에 표면 반사 방지 기능을 갖게 할 필요가 있지만, 상층(표면 반사 방지층) 중의 질소 및 산소의 합계 함유량이 30원자％ 이상인 것이 요망된다. 또한, 차광막 전체의 박막화의 관점에서 고려하면, 상층 중의 질소 및 산소의 합계 함유량은 60원자％ 이하인 것이 바람직하다. 도 3의 종축의 질소 함유량의 수치를 그대로 질소와 산소의 합계 함유량으로 치환하여 생각하면, 상층에 표면 반사 방지 기능을 갖게 하기 위해서 상층 중의 질소 및 산소의 합계 함유량을 30원자％ 이상으로 하면, (Mo/Mo+Si) 비율에 관계없이, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 에칭 레이트는 0.2㎚/sec 이하로 된다. 또한, (Mo/Mo+Si) 비율이 4％ 이상이면, 0.1㎚/sec 이하로 되어, 보다 양호해진다.
산소는, 층 중의 함유량에 대한 소쇠 계수의 저하 정도가 질소에 비해 커서, 상층의 노광광의 투과도를 보다 높일 수 있기 때문에, 표면 반사율을 보다 저감시키는 것이 가능하다. 상층 중의 산소의 함유량은, 10원자％ 이상인 것이 바람직하고, 15원자％ 이상이면 보다 바람직하다. 한편, 질소의 층 중의 함유량은, 10원자％ 이상이 바람직하지만, 차광막의 박막화를 위해서, 상층의 산소 함유량을 다소 억제하면서, 표면 반사율을 저감시키기 위해서는, 질소의 함유량을 15원자％ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 20원자％ 이상으로 하면 보다 바람직하다.
또한, 상층 중의 재료에 함유되는 천이 금속에는, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 티타늄, 크롬, 하프늄, 니켈, 바나듐, 지르코늄, 루테늄, 로듐, 니오븀, 팔라듐 등이 적용 가능하지만, 그 중에서도, 몰리브덴이 바람직하다. 또한, 그 상층 중의 천이 금속의 함유량은, 10원자％ 이하인 것이 바람직하다. 상층의 천이 금속의 함유량이 10원자％보다도 많으면, 이 마스크 블랭크로부터 전사용 마스크를 제작하였을 때, 마스크 세정(암모니아 과산화수소 등에 의한 알칼리 세정이나, 온수 세정)에 대한 내성이 낮아, 상층의 용해에 의한 광학 특성의 변화(표면 반사율의 상승), 전사 패턴 엣지 부분의 형상 변화에 의한 라인 엣지 러프니스의 저하나 CD 정밀도의 악화가 생길 우려가 있다. 이 경향은, 상층의 천이 금속에 몰리브덴이 이용되고 있는 경우에 특히 현저하다. 특히, 상층의 천이 금속에 몰리브덴이 이용되는 경우, 차광막의 응력 제어에 고온에서 가열 처리(어닐링 처리)하면, 상층(표면 반사 방지층)의 천이 금속의 함유량이 높으면, 표면이 하얗게 흐려지는(백탁하는) 현상이 발생한다. 이것은, MoO가 표면에 석출되는 것이 원인으로 생각된다. 이와 같은 현상을 억제하기 위해서도, 상층의 천이 금속의 함유량이 10원자％ 이하인 것이 바람직하다.
상기와 같은 상층에 표면 반사 방지 기능을 갖게 한 차광막(2)에서는, 상층은 광학 농도가 낮아, 차광막 전체의 광학 농도에는 그다지 기여할 수 없다. 이들의 것을 고려하면, 차광막(2)으로서 필요한 광학 농도를 실질적으로 하층에서 확보할 필요가 있다. 하층에서 차광막 전체의 광학 농도의 대부분을 확보하기 위해서는, 하층에 이용하는 재료의 단위막 두께당의 광학 농도(OD)가 0.05㎚-1(파장 : 193㎚) 이상인 것이 필요하고, 0.06㎚-1(파장 : 193㎚) 이상인 것이 바람직하다. 도 3에는, 단위막 두께당의 광학 농도가 소정값(0.05㎚-1, 0.06㎚-1)인 차광막(하층)의 (Mo/Mo+Si) 비율 및 질소의 함유량을 플롯하고, 근사 곡선을 그은 것이 도시되어 있다. 이 도 3에서는, 예를 들면 0.05㎚-1의 근사 곡선(「△0.05OD/㎚」의 플롯의 근사 곡선) 상을 포함하는 하측의 에어리어가 0.05㎚-1 이상의 광학 농도인 차광막(하층)을 형성 가능한 조성 범위인 것을 나타내고 있다. 이 근사 곡선식은, 예를 들면, CN=2.97×10- 8CMo 6-5.22×10- 6CMo 5+3.39×10- 4CMo 4-9.35×10- 3CMo 3+4.19×10-2CMo 2+2.470CMo+9.531이다.
또한, 단위막 두께당의 광학 농도가 0.06㎚-1 이상의 차광막(하층)을 형성 가능한 (Mo/Mo+Si) 비율 및 질소의 함유량에 대해서도, 도 3에 도시되어 있는 0.06㎚-1의 근사 곡선(「●0.06OD/㎚」의 플롯의 근사 곡선) 상을 포함하는 하측의 에어리어의 조성 범위의 조건을 충족시키면 된다. 이 근사 곡선식은, 예를 들면, CN=-3.63×10-7CMo 5+7.60×10-5CMo 4-4.67×10-3CMo 3+5.06×10-2CMo 2+2.082CMo+1.075이다. 또한, 이들 근사 곡선은, 도면 중의 5점의 플롯에 기초하여 각각 산출되는 근사식이기 때문에, 산출 방식에 따라서 다소 변동되지만, 그 근사식의 변동에 의해 생기는 소정의 광학 농도를 충족시키는 각 조성비의 경계선의 이동이 광학 농도에 미치는 영향은 작으며, 허용되는 범위이다.
도 3의 근사 곡선으로부터, 단위막 두께당의 광학 농도가 0.05㎚-1 이상의 차광막(하층)으로 하기 위해서는, 질소 및 산소의 합계 함유량이 적어도 40원자％ 이하일 필요가 있는 것을 알 수 있다. 또한, 동시에 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 차광막의 에칭 레이트가 0.3㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 6％ 이상일 필요가 있다. 또한, 동일하게 에칭 레이트가 0.2㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 7％ 이상일 필요가 있고, 동일하게 에칭 레이트가 0.1㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 8％ 이상일 필요가 있다.
도 3의 근사 곡선으로부터, 단위막 두께당의 광학 농도가 0.06㎚-1 이상의 차광막(하층)으로 하기 위해서는, 질소 및 산소의 합계 함유량이 적어도 35원자％ 이하일 필요가 있는 것을 알 수 있다. 또한, 동시에 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 차광막의 에칭 레이트가 0.3㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 9％ 이상일 필요가 있다. 또한, 동일하게 에칭 레이트가 0.2㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 11％ 이상일 필요가 있고, 동일하게 에칭 레이트가 0.1㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 13％ 이상일 필요가 있다. 또한, (Mo/Mo+Si) 비율의 상한이지만, 40％ 이하인 것이 바람직하다. 이것보다도 많이 몰리브덴을 함유시키면 내약성이나 내세정성이 저하된다고 하는 문제도 있기 때문이다.
산소는, 층 중의 함유량에 대한 소쇠 계수의 저하 정도가 질소에 비해 커서, 산소의 함유량에 비례하여 요구되는 광학 농도를 충족시키기 위해서 막 두께가 보다 두꺼워지게 된다. 질소만으로도 노광광에 대한 이면 반사율을 저감시키는 것은 가능하기 때문에, 하층의 산소의 함유량은, 10원자％ 미만인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 산소를 실질적으로 함유하지 않는(오염물 등에 의해 함유되는 것을 허용하는 정도) 것이 바람직하다. 한편, 질소의 층 중의 함유량은, 산소를 실질적으로 함유하지 않는 경우에는, 이면 반사율의 저감의 관점에서도 35원자％ 이하가 바람직하지만, 이면 반사율의 저감보다도 차광막의 한층 더한 박막화를 우선하는 경우에는, 30원자％ 이하인 것이 바람직하고, 또한 20원자％ 이하이면 보다 바람직하다.
한편, 질소나 산소를 함유하는 규소는, 전기 전도도가 낮은(시트 저항값이 높은) 경향이 있다. 이 때문에, 천이 금속과 규소에 질소나 산소를 더 함유하는 차광막에서는, 전기 전도도를 높이기 위해서는, 막 중의 천이 금속의 함유량을 늘릴 필요가 있다. 마스크 블랭크로부터 전사 마스크를 제작할 때에 있어서, 도 2에 도시한 바와 같이 차광막(2) 상[에칭 마스크막(3) 상]에 레지스트막(4)을 도포하고, 레지스트막(4)에 설계 패턴을 노광 전사하고, 레지스트막(4)을 현상ㆍ세정을 행하여, 레지스트 패턴(4a)을 형성한다. 최근, 이 레지스트막에 전자선 묘화 노광용의 레지스트를 적용하고, 전자선을 조사하여 묘화(전자선 노광 묘화)함으로써 설계 패턴을 노광하는 방법이 사용되어 오고 있다.
이 전자선 묘화 노광에서는, 묘화 위치 정밀도나 차지 업의 관점에서, 레지스트막(4) 아래의 박막[차광막(2), 에칭 마스크막(3)을 구비하는 구성의 경우에는, 차광막(2)이나 에칭 마스크막(3) 중 적어도 한쪽의 막]에는, 도전성이 필요로 되고 있다. 즉, 차광막(2) 및 에칭 마스크막(3) 중 적어도 한쪽의 막에는, 시트 저항값이 3㏀/□ 이하인 것이 요망되고 있다. 후술하는 바와 같이, 레지스트막(4)의 박막화(예를 들면, 100㎚ 이하)를 실현하기 위해서는, 에칭 마스크막(3)의 염소와 산소의 혼합 가스에 대한 드라이 에칭의 에칭 레이트를 향상시킬 필요가 있고, 그를 위해서는, 금속 성분(크롬)의 함유량을 50원자％ 미만, 바람직하게는 45원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 40원자％ 이하로 하는 것이 요구된다. 이와 같은 경우에는, 에칭 마스크막의 금속 함유량이 낮아, 시트 저항값이 3㏀/□보다도 커지게 된다. 또한, 차광막(2)은, 상층과 하층의 적어도 2층 이상의 적층 구조이다. 그러나, 상층을 표면 반사 방지층으로서 이용하는 경우에는, 산소 및 질소의 합계 함유량이 30원자％ 이상 필요하고, 또한, 마스크 세정에 대한 내성의 관점에서, 천이 금속의 함유량을 10원자％ 이하로 할 필요가 있기 때문에, 차광막(2)의 상층에서 시트 저항값이 3㏀/□ 이하를 확보하는 것은 용이하지 않다.
이들의 것으로부터, 차광막(2)의 하층에서 도전성을 확보하는 것, 즉 하층의 시트 저항값이 3㏀/□ 이하인 것이 요망된다. 도 3에, 시트 저항값이 3㏀/□인 차광막(하층)의 (Mo/Mo+Si) 비율과 질소 함유량을 플롯하고, 근사 직선(「×시트 저항값 3㏀/□」의 플롯의 근사 직선)을 그은 것이 도시되어 있다. 이 근사 직선식은, 예를 들면, CN=2.593CMo-24.074이다. 이 도 3에서는, 이 근사 직선의 우측의 에어리어가 3㏀/□ 이하의 시트 저항값인 차광막(하층)이 형성 가능한 조성 범위인 것을 나타내고 있다. 이것과 동시에, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받고 있지 않은 상태에서의 차광막(하층)의 에칭 레이트가 0.3㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 15％ 이상일 필요가 있다. 또한, 동일하게 에칭 레이트가 0.2㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 16％ 이상일 필요가 있고, 동일하게 에칭 레이트가 0.1㎚/sec 이하로 되는 조건도 충족시키기 위해서는, (Mo/Mo+Si) 비율이 18％ 이상일 필요가 있다.
상기 하층의 재료에 함유되는 천이 금속에는, 몰리브덴, 탄탈, 텅스텐, 티타늄, 크롬, 하프늄, 니켈, 바나듐, 지르코늄, 루테늄, 로듐, 니오븀, 팔라듐 등이 적용 가능하다. 하층 중의 천이 금속의 함유량[원자%]을 천이 금속과 규소의 합계 함유량[원자%]으로 나눈 비율(즉, 차광막 중의 천이 금속과 규소의 합계 함유량[원자%]을 100으로 하였을 때의 천이 금속의 함유량[원자%]의 비율을 ％로 나타낸 것. 이하, (M/M+Si) 비율이라고 한다. 단, M : 천이 금속)에 대해서는, 상기의 예에서는 몰리브덴에 대하여 설명하였지만 다른 열기한 천이 금속에 대해서도 거의 마찬가지의 경향을 나타낸다.
바이너리 마스크 블랭크에 이용하는 차광막의 광학 농도로서는, 적어도 2.3 이상, 바람직하게는 2.5 이상이 필요하다. 단, 더블 노광 기술 등에서 이용하는 바이너리 전사 마스크를 제작하기 위한 바이너리 마스크 블랭크의 경우에는, 광학 농도가 2.3이나 2.5에서는, 웨이퍼 상의 레지스트의 중첩 노광 부분에 누설광에 기인하는 문제가 생기는 경우가 있다. 그 점을 고려하면, 차광막의 광학 농도는 적어도 2.8 이상이 필요하고, 보다 바람직하게는 3.0 이상이다.
한편, 본 발명의 ArF 노광광이 적용되는 리소그래피로서, DRAM hp32㎚ 이후의 세대에서 문제로 되는 섀도윙의 문제를 해결하기 위해서는, 차광막을 적어도 65㎚ 미만의 막 두께로 하는 것이 필요하고, 60㎚ 이하의 막 두께로 하는 것이 바람직하다. 즉, 차광막(2)은, 상층과 하층의 합계 막 두께 65㎚ 미만에서, 소정의 광학 농도를 확보하는 것이 필요하고, 60㎚ 이하에서 소정의 광학 농도를 확보하는 것이 보다 바람직하다.
상층은, 하층에 노광광에 대한 반사율이 높은 재료를 이용하고 있기 때문에, 상층의 두께가 5㎚ 이상은 최저한 필요하다. 상술한 섀도윙의 문제를 고려하면, 차광막(2) 전체의 막 두께가 65㎚ 미만인 것이 바람직하고, 주로 하층(차광층)에서 차광막에 필요한 광학 농도를 확보할 필요가 있기 때문에, 상층의 상한은 20㎚ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상층은, 요구되는 저반사성과 차광막 전체의 바람직한 막 두께(60㎚ 이하)를 고려하면, 7㎚ 이상 15㎚ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 하층(차광층)에는, 탄소 및 수소 중 적어도 1개의 원소를 더 함유하는 것이 바람직하다. 천이 금속(몰리브덴), 규소 외에, 탄소(C), 수소(H) 중 적어도 하나를 함유하는 차광막(2)은, 스퍼터 성막시에 막 중에, 산화되기 어려운 상태로 되어 있는, 규소 탄화물(Si-C 결합), 천이 금속 탄화물(M-C 결합, 예를 들면 Mo-C 결합), 수소화 규소(Si-H 결합)가 형성됨으로써, ArF 노광광의 조사에 의한 규소나 몰리브덴의 산화를 억제할 수 있어, 전사용 마스크의 장기 수명화를 기대할 수 있다.
또한, C 및/또는 H(규소 탄화물, 천이 금속 탄화물, 수소화 규소)의 존재에 의해 차광막의 패터닝시의 에칭 레이트는 빨라지기 때문에, 레지스트막을 후막화하는 일이 없어, 해상성이나, 패턴 정밀도가 악화되는 일은 없다. 또한, 에칭 시간을 단축할 수 있으므로, 차광막 상에 에칭 마스크막을 갖는 구성의 경우, 에칭 마스크막의 데미지를 적게 할 수 있어, 고정밀의 패터닝이 가능하게 된다.
본 발명의 차광막은, 3층 이상의 적층 구조이어도 된다. 이 경우, 적층 구조의 어느 층에 대해서도, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상(더욱 바람직하게는, 1 : 10 이상)의 충분한 에칭 선택성을 구비하고 있다고 하는 조건을 충족시킬 필요가 있다.
본 발명에 따른 전사용 마스크는, 상술한 본 발명에 의해 얻어지는 마스크 블랭크에서의 상기 차광막을, 에칭에 의해 패터닝하는 에칭 공정과, 흑 결함 부분을 EB 결함 수정 기술에 의해 수정을 행하는 결함 수정 공정을 갖는 전사용 마스크의 제조 방법에 의해 얻어진다.
이 경우의 에칭은, 미세 패턴의 형성에 유효한 드라이 에칭이 바람직하게 이용된다.
본 발명에 따른 마스크 블랭크는, 도 1에 도시한 바와 같이, 투광성 기판(1) 상에 차광막(2)을 구비하고, 그 차광막(2) 상에, 에칭 마스크막(3)을 더 구비한 마스크 블랭크(10)이어도 된다. 이 경우의 차광막(2)은, 상술한 실시 형태에 따른 차광막이다.
본 발명에서는, 상기 에칭 마스크막(3)은, 전사 패턴을 형성하기 위한 패터닝시의 드라이 에칭에 대하여 차광막(2)과의 에칭 선택성을 확보할 수 있도록, 예를 들면, 크롬에, 질소, 산소 중 적어도 어느 하나의 성분을 함유하는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 에칭 마스크막(3)을 차광막(2) 상에 형성함으로써, 마스크 블랭크 상에 형성하는 레지스트막의 박막화를 도모할 수 있다. 또한, 에칭 마스크막 중에 탄소 등의 성분을 더 함유해도 된다. 구체적으로는, 예를 들면, CrN, CrON, CrOC, CrOCN 등의 재료를 들 수 있다.
상기 에칭 마스크막 중의 크롬의 함유량은 50원자％ 미만인 것이 바람직하고, 45원자％ 이하이면 보다 바람직하고, 40원자％ 이하이면 최적이다. 크롬계 재료는, 산화를 진행시킬수록 산소와 염소의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭에 대한 에칭 레이트가 향상된다. 또한, 산화시켰을 때만큼은 아니지만, 질화를 진행시켜도 산소와 염소의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭에 대한 에칭 레이트가 향상된다. 크롬의 함유량이 50원자％ 이상이면, 산소와 염소의 혼합 가스를 이용한 드라이 에칭에 대한 에칭 레이트가 대폭 저하된다. 이에 기인하여, 이 에칭 마스크막을 드라이 에칭할 때에 필요로 되는 레지스트막의 막 두께가 두꺼워지게(예를 들면, 100㎚보다 커지게) 되어, 미세 패턴을 에칭 마스크막에 정밀도 좋게 전사하는 것이 곤란하다고 하는 문제가 있다.
또한, 상기 에칭 마스크막은, 막 두께가 5㎚ 이상, 20㎚ 이하인 것이 바람직하다. 막 두께가 5㎚ 미만이면, 에칭 마스크막 패턴을 마스크로 하여 차광막에 대한 드라이 에칭이 완료되기 전에 에칭 마스크막의 패턴 엣지 방향의 막 감소가 진행되게 되어, 차광막에 전사된 패턴의 설계 패턴에 대한 CD 정밀도가 대폭 저하되게 될 우려가 있다. 한편, 막 두께가 20㎚보다도 두꺼우면, 에칭 마스크막에 설계 패턴을 전사할 때에 필요한 레지스트막 두께가 두꺼워지게 되어, 미세 패턴을 에칭 마스크막에 정밀도 좋게 전사하는 것이 곤란해진다.
한편, 도 3에서 도시한 바와 같이, 차광막(2)의 상층 및 하층 중 어느 것에서도, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트는 문제가 없는 범위라도, 차광막(2)의 상층 및 하층 중 어느 것에서도, 시트 저항값 3㏀/□ 이하를 확보할 수 없는 경우가 존재한다. 이 경우, 에칭 마스크막(3)에 의해 시트 저항값 3㏀/□ 이하를 확보하는 것도 고려해야 한다. 에칭 마스크막(3)에 의해 시트 저항값 3㏀/□ 이하를 확보한다고 하는 관점에서는, 막 중의 크롬의 함유량을 60원자％ 이상으로 할 필요가 있고, 70원자％ 이상이면 바람직하고, 80원자％ 이상이면 최적이다.
그러나, 에칭 마스크막(3)의 크롬의 함유량이 많아지면, 염소와 산소의 혼합 가스에 의한 드라이 에칭에 대한 에칭 레이트가 저하된다. 에칭 마스크막(3)의 막 두께가, 예를 들면 상기의 막 두께 범위의 최대값인 20㎚이면, 레지스트 막 두께를 100㎚보다도 두껍게 할 필요가 생기게 된다. 막 중의 크롬 함유량을 상기한 바와 같이 많게 하는 경우에서는, 에칭 마스크막(3)의 막 두께를 보다 얇게 할 필요가 있지만, 차광막(2)을 드라이 에칭하여 전사 패턴을 형성할 때에 에칭 마스크로서 기능하는 조건도 충족시킬 필요가 있다. 이들 조건을 고려하면, 이 크롬 함유량이 많은 에칭 마스크막(3)의 막 두께의 상한은 10㎚ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 7㎚ 이하이다. 또한, 이 크롬 함유량이 많은 에칭 마스크막(3)은, 차광막(2)을 드라이 에칭할 때의 에칭 가스에 대하여 내성은 높지만, 막 두께의 하한으로서는 적어도 4㎚이며, 바람직하게는 5㎚ 이상이다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해, 본 발명의 실시 형태를 더욱 구체적으로 설명한다. 아울러, 실시예에 대한 비교예에 대해서도 설명한다.
(실시예 1)
합성 석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=21 : 79)을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.07㎩, 가스 유량비 Ar : N2=25 : 28)에서, DC 전원의 전력을 2.1㎾로 하고, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiN막[하층(차광층)]을 막 두께 50㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하고, 아르곤과 산소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : O2 : N2 : He=6 : 3 : 11 : 17)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하고, MoSiON막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 10㎚로 성막함으로써, MoSiN막(막 조성비 Mo : 14.7원자％, Si : 56.2원자％, N : 29.1원자％)과 MoSiON막(막 조성비 Mo : 2.6원자％, Si : 57.1원자％, O : 15.9원자％, N : 24.4원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저[파장 193㎚]용 차광막(2)(총 막 두께 60㎚)을 형성하였다. 또한, 차광막(2)의 각 층의 원소 분석은, 러더퍼드 후방 산란 분석법을 이용하였다(이하, 각 실시예, 비교예 모두 동일함). 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 이 차광막(2)을 구비한 기판(1)에 대하여 450℃에서 30분간 가열 처리(어닐링 처리)를 행하여, 차광막(2)의 막 응력을 저감시키는 처리를 행하였다.
다음으로, 차광막(2)의 상면에, 에칭 마스크막(3)을 형성하였다. 구체적으로는, 매엽식 스퍼터 장치에 의해, 크롬(Cr) 타깃을 이용하고, 아르곤과 이산화탄소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.2㎩, 가스 유량비 Ar : CO2 : N2 : He=21 : 37 : 11 : 31)에서, DC 전원의 전력을 1.8㎾로 하고, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, CrOCN막을 막 두께 10㎚로 성막하였다. 또한, 에칭 마스크막(3)(CrOCN막)을 상기 차광막(2)의 어닐링 처리보다도 낮은 온도에서 어닐링함으로써, 차광막(2)의 막 응력에 영향을 주지 않고 에칭 마스크막(3)의 응력을 극력 낮아지도록(바람직하게는 막 응력이 실질 제로로) 조정하였다. 이상의 수순에 의해, 바이너리형 마스크 블랭크(10)를 얻었다.
다음으로, 상기한 바와 같이 하여 제작한 마스크 블랭크(10)를 이용하여 바이너리형의 전사용 마스크를 제작하였다. 도 2에 제조 공정을 도시한다.
우선, 상기 마스크 블랭크(10) 상에, 전자선 묘화용 화학 증폭형 포지티브 레지스트막(4)(후지 필름 일렉트로닉스 머테리얼즈사제 PRL009)을 형성하였다(도 2의 (a) 참조).
다음으로 상기 레지스트막(4)에 대하여, 전자선 묘화 장치를 이용하여 원하는 패턴 묘화를 행한 후(도 2의 (b) 참조), 소정의 현상액으로 현상하여 레지스트 패턴(4a)을 형성하였다(도 2의 (c) 참조). 또한, 이때, EB 결함 수정의 검증을 행하기 위해서, 패턴 묘화시에 프로그램 결함 부분(흑 결함으로 되는 부분)을 미리 넣어 두었다.
다음으로, 상기 레지스트 패턴(4a)을 마스크로 하여, CrOCN막으로 이루어지는 에칭 마스크막(3)의 드라이 에칭을 행하여 에칭 마스크막 패턴(3a)을 형성하였다(도 2의 (d) 참조). 드라이 에칭 가스로서, 산소와 염소의 혼합 가스(O2 : Cl2=1 : 4)를 이용하였다.
다음으로, 잔존하고 있는 상기 레지스트 패턴(4a)을 애싱 처리 등에 의해 제거한 후, 상기 에칭 마스크막 패턴(3a)을 마스크로 하여, MoSiN막과 MoSiON막의 적층으로 이루어지는 차광막(2)의 드라이 에칭을 행하여 차광막 패턴(2a)을 형성하였다(도 2의 (e) 참조). 드라이 에칭 가스로서, SF6와 He의 혼합 가스를 이용하였다. 마지막으로, 산소와 염소의 혼합 가스(O2 : Cl2=1 : 4)를 이용하여 에칭 마스크막 패턴(3a)을 제거하였다(도 2의 (f) 참조).
이상과 같이 하여 바이너리형의 전사용 마스크(20)를 얻었다(도 2의 (f) 참조).
다음으로, 이 바이너리형 전사용 마스크(20)의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 하층에서도, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다. 또한, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
얻어진 바이너리형 전사용 마스크(20)에 대하여, 분광 광도계 SolidSpec-3700DUV(시마즈제작소사제)에 의해 광학 특성의 측정을 행하였다. 그 결과, 차광막(2)의 ArF 노광광에 대한 광학 농도는 3.0이며, 바이너리형 전사용 마스크로서는 충분한 차광 성능이었다. 또한, ArF 노광광에 대한 차광막(2)의 표면 반사율이 15.7％, 이면 반사율이 32.7％이며, 모두 패턴 전사에 영향이 없는 반사율이었다.
에칭 마스크막(3)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 높지만, 차광막(2)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 낮기 때문에 도전성이 양호하고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 높아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 있었다.
또한, 에칭 마스크막(3)을 형성하지 않은 바이너리형 마스크 블랭크를 상기와 마찬가지의 수순으로 제조하고, 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 상층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 상층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 소정 영역의 상층을 에칭에 의해 제거하고, 하층 표면에 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 하층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 하층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다.
(실시예 2)
합성 석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=21 : 79)을 이용하고, 아르곤과 메탄과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.07㎩, 가스 유량비 Ar+CH4(8％) : N2=25 : 28)에서, DC 전원의 전력을 2.1㎾로 하고, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiNCH막[하층(차광층)]을 막 두께 50㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하고, 아르곤과 산소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : O2 : N2 : He=6 : 3 : 11 : 17)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하고, MoSiON막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 10㎚로 성막함으로써, MoSiNCH막(막 조성비 Mo : 14.5원자％, Si : 55.3원자％, N : 27.8원자％, C : 0.6원자％, H : 1.8원자％)과 MoSiON막(막 조성비 Mo : 2.6원자％, Si : 57.1원자％, O : 15.9원자％, N : 24.4원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 차광막(2)(총 막 두께 60㎚)을 형성하였다. 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 차광막(2)에 대하여 어닐링 처리를 행하여, 차광막(2)의 상면에 에칭 마스크막(3)을 형성하고, 바이너리형 마스크 블랭크(10)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 이 마스크 블랭크(10)를 이용하여, 바이너리형의 전사용 마스크(20)를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로, 이 바이너리형 전사용 마스크(20)의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 하층에서도, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다. 또한, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
얻어진 바이너리형 전사용 마스크(20)에 대하여, 분광 광도계 SolidSpec-3700DUV(시마즈제작소사제)에 의해 광학 특성의 측정을 행하였다. 그 결과, 차광막(2)의 ArF 노광광에 대한 광학 농도는 3.0이며, 바이너리형 전사용 마스크로서는 충분한 차광 성능이었다. 또한, ArF 노광광에 대한 차광막(2)의 표면 반사율이 15.5％, 이면 반사율이 32.4％이며, 모두 패턴 전사에 영향이 없는 반사율이었다.
에칭 마스크막(3)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 높지만, 차광막(2)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 낮기 때문에 도전성이 양호하고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 높아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 있었다.
또한, 에칭 마스크막(3)을 형성하지 않은 바이너리형 마스크 블랭크를 상기와 마찬가지의 수순으로 제조하고, 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 상층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 상층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 소정 영역의 상층을 에칭에 의해 제거하고, 하층 표면에 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 하층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 하층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다.
(실시예 3)
합성 석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=21 : 79)을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.07㎩, 가스 유량비 Ar : N2=25 : 15)에서, DC 전원의 전력을 2.1㎾로 하고, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiN막[하층(차광층)]을 막 두께 49㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하고, 아르곤과 산소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : O2 : N2 : He=6 : 3 : 11 : 17)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하고, MoSiON막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 10㎚로 성막함으로써, MoSiN막(막 조성비 Mo : 15.7원자％, Si : 64.8원자％, N : 19.5원자％)과 MoSiON막(막 조성비 Mo : 2.6원자％, Si : 57.1원자％, O : 15.9원자％, N : 24.4원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 차광막(2)(총 막 두께 59㎚)을 형성하였다. 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 차광막(2)에 대하여 어닐링 처리를 행하여, 차광막(2)의 상면에 에칭 마스크막(3)을 형성하고, 바이너리형 마스크 블랭크(10)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 이 마스크 블랭크(10)를 이용하여, 바이너리형의 전사용 마스크(20)를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로, 이 바이너리형 전사용 마스크(20)의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 하층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.17㎚/sec이며, 0.2㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다. 또한, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
얻어진 바이너리형 전사용 마스크(20)에 대하여, SolidSpec-3700DUV(시마즈제작소사제)에 의해 광학 특성의 측정을 행하였다. 그 결과, 차광막(2)의 ArF 노광광에 대한 광학 농도는 3.0이며, 바이너리형 전사용 마스크로서는 충분한 차광 성능이었다. 또한, ArF 노광광에 대한 차광막(2)의 표면 반사율이 15.2％, 이면 반사율이 31.7％이며, 모두 패턴 전사에 영향이 없는 반사율이었다.
에칭 마스크막(3)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 높지만, 차광막(2)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 낮기 때문에 도전성이 양호하고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 높아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 있었다.
또한, 에칭 마스크막(3)을 형성하지 않은 바이너리형 마스크 블랭크를 상기와 마찬가지의 수순으로 제조하고, 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 상층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 상층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 소정 영역의 상층을 에칭에 의해 제거하고, 하층 표면에 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 하층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 하층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.17㎚/sec이며, 0.2㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다.
(실시예 4)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=33 : 67)을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : N2=25 : 30)에서, DC 전원의 전력을 2.0㎾로 하고, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiN막[하층(차광층)]을 막 두께 48㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하고, 아르곤과 산소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : O2 : N2 : He=6 : 3 : 11 : 17)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하고, MoSiON막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 10㎚로 성막함으로써, MoSiN막(막 조성비 Mo : 22.3원자％, Si : 46.1원자％, N : 31.6원자％)과 MoSiON막(막 조성비 Mo : 2.6원자％, Si : 57.1원자％, O : 15.9원자％, N : 24.4원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 차광막(2)(총 막 두께 58㎚)을 형성하였다. 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 차광막(2)에 대하여 어닐링 처리를 행하여, 차광막(2)의 상면에 에칭 마스크막(3)의 막 두께를 15㎚로 변화시켜 형성하고, 바이너리형 마스크 블랭크(10)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 이 마스크 블랭크(10)를 이용하여, 바이너리형의 전사용 마스크(20)를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로, 이 바이너리형 전사용 마스크(20)의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 하층에서도, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다. 또한, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
이와 같은 EB 결함 수정의 결과, 원래 수정되지 않아야 할 개소까지 에칭되는 것이나, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
또한, 얻어진 바이너리형 전사용 마스크(20)에 대하여, SolidSpec-3700DUV(시마즈제작소사제)에 의해 광학 특성의 측정을 행하였다. 그 결과, 차광막(2)의 ArF 노광광에 대한 광학 농도는 3.0이며, 바이너리형 전사용 마스크로서는 충분한 차광 성능이었다. 또한, ArF 노광광에 대한 차광막(2)의 표면 반사율이 16.3％, 이면 반사율이 34.5％이며, 모두 패턴 전사에 영향이 없는 반사율이었다.
에칭 마스크막(3)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 높지만, 차광막(2)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 낮기 때문에 도전성이 양호하고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 높아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 있었다.
또한, 에칭 마스크막(3)을 형성하지 않은 바이너리형 마스크 블랭크를 상기와 마찬가지의 수순으로 제조하고, 차광막(2) 표면의 임의의 개소에, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 상층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 상층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 소정 영역의 상층을 에칭에 의해 제거하고, 하층 표면에 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 하층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 하층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다.
(실시예 5)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=33 : 67)을 이용하고, 아르곤과 메탄과 질소의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar+CH4(8％) : N2=25 : 30)에서, DC 전원의 전력을 2.0㎾로 하고, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiNCH막[하층(차광층)]을 막 두께 48㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하고, 아르곤과 산소와 질소와 헬륨의 혼합 가스 분위기(가스압 0.1㎩, 가스 유량비 Ar : O2 : N2 : He=6 : 3 : 11 : 17)에서, DC 전원의 전력을 3.0㎾로 하고, MoSiON막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 10㎚로 성막함으로써, MoSiNCH막(막 조성비 Mo : 21.0원자％, Si : 43.5원자％, N : 31.6원자％, C : 0.4원자％, H : 3.5원자％)과 MoSiON막(막 조성비 Mo : 2.6원자％, Si : 57.1원자％, O : 15.9원자％, N : 24.4원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 차광막(2)(총 막 두께 58㎚)을 형성하였다. 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 실시예 4와 마찬가지의 수순으로, 차광막(2)에 대하여 어닐링 처리를 행하여, 차광막(2)의 상면에 에칭 마스크막(3)을 형성하고, 바이너리형 마스크 블랭크(10)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 이 마스크 블랭크(10)를 이용하여, 바이너리형의 전사용 마스크(20)를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로, 이 바이너리형 전사용 마스크(20)의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 하층에서도, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다. 또한, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
또한, 얻어진 바이너리형 전사용 마스크(20)에 대하여, 분광 광도계SolidSpec-3700DUV(시마즈제작소사제)에 의해 광학 특성의 측정을 행하였다. 그 결과, 차광막(2)의 ArF 노광광에 대한 광학 농도는 3.0이며, 바이너리형 전사용 마스크로서는 충분한 차광 성능이었다. 또한, ArF 노광광에 대한 차광막(2)의 표면 반사율이 16.1％, 이면 반사율이 30.4％이며, 모두 패턴 전사에 영향이 없는 반사율이었다.
에칭 마스크막(3)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 높지만, 차광막(2)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 낮기 때문에 도전성이 양호하고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 높아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 있었다.
또한, 에칭 마스크막(3)을 형성하지 않은 바이너리형 마스크 블랭크를 상기와 마찬가지의 수순으로 제조하고, 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 상층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 상층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 소정 영역의 상층을 에칭에 의해 제거하고, 하층 표면에 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 하층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 하층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다.
(실시예 6)
합성 석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=13 : 87)을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiN막[하층(차광층)]을 막 두께 47㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=13 : 87)을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiN막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 13㎚로 성막함으로써, MoSiN막(막 조성비 Mo : 9.7원자％, Si : 66.2원자％, N : 24.1원자％)과 MoSiN막(막 조성비 Mo : 7.4원자％, Si : 50.8원자％, N : 41.8원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 차광막(2)(총 막 두께 60㎚)을 형성하였다. 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 이 차광막(2)을 구비한 기판(1)에 대하여 450℃에서 30분간 가열 처리(어닐링 처리)를 행하여, 차광막(2)의 막 응력을 저감시키는 처리를 행하였다.
다음으로, 차광막(2)의 상면에, 에칭 마스크막(3)을 형성하였다. 구체적으로는, 매엽식 스퍼터 장치에 의해, 크롬(Cr) 타깃을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, CrN막(막 조성비 Cr : 90원자％, N : 10원자％)을 막 두께 5㎚로 성막하였다. 또한, 에칭 마스크막(3)을 상기 차광막(2)의 어닐링 처리보다도 낮은 온도(약 200℃)에서 어닐링함으로써, 차광막(2)의 막 응력에 영향을 주지 않고 에칭 마스크막(3)의 응력을 극력 낮게(바람직하게는 막 응력이 실질 제로로) 되도록 조정하였다. 이상의 수순에 의해, 바이너리형 마스크 블랭크(10)를 얻었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 이 마스크 블랭크(10)를 이용하여, 바이너리형의 전사용 마스크(20)를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로, 이 바이너리형 전사용 마스크(20)의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 하층에서도, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다. 또한, 하층의 언더컷 등의 문제점이 생기는 일없이, 흑 결함을 양호하게 수정할 수 있었다.
얻어진 바이너리형 전사용 마스크(20)에 대하여, 분광 광도계 SolidSpec-3700DUV(시마즈제작소사제)에 의해 광학 특성의 측정을 행하였다. 그 결과, 차광막(2)의 ArF 노광광에 대한 광학 농도는 3.0이며, 바이너리형 전사용 마스크로서는 충분한 차광 성능이었다. 또한, ArF 노광광에 대한 차광막(2)의 표면 반사율이 18.6％, 이면 반사율이 30.0％이며, 모두 패턴 전사에 영향이 없는 반사율이었다.
차광막(2)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 높았다. 그러나, 에칭 마스크막(3)의 시트 저항값은 3.0kΩ보다도 낮기 때문에 도전성이 양호하고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 높아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 있었다. 또한, 에칭 마스크막의 막 두께를 5㎚로 한 것에 의해, 레지스트막의 막 두께가 100㎚ 이하라도 레지스트 패턴을 에칭 마스크막(3)에 정밀도 좋게 전사할 수 있었다.
또한, 에칭 마스크막(3)을 형성하지 않은 바이너리형 마스크 블랭크를 상기와 마찬가지의 수순으로 제조하고, 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 상층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 상층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 또한, 소정 영역의 상층을 에칭에 의해 제거하고, 하층 표면에 전자선의 조사를 행하지 않고 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하여, 하층을 표면으로부터 에칭시켜, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 하층의 에칭 레이트를 구한 바, 0.1㎚/sec 미만이었다. 따라서, 차광막의 상층ㆍ하층 모두, 하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시키고 있었다.
(비교예)
석영 글래스로 이루어지는 투광성 기판(1) 상에, 매엽식 스퍼터 장치를 이용하여, 스퍼터 타깃에 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 혼합 타깃(원자％비 Mo : Si=11 : 89)을 이용하고, 아르곤과 질소의 혼합 가스 분위기에서, 반응성 스퍼터링(DC 스퍼터링)에 의해, MoSiN막[하층(차광층)]을 막 두께 40㎚로 성막하고, 이어서, Mo/Si 타깃(원자％비 Mo : Si=4 : 96)을 이용하고, 아르곤과 산소와 질소의 혼합 가스 분위기에서, MoSiON막[상층(표면 반사 방지층)]을 막 두께 10㎚로 성막함으로써, MoSiN막(막 조성비 Mo : 9.9원자％, Si : 82.3원자％, N : 7.8원자％)과 MoSiON막(막 조성비 Mo : 2.6원자％, Si : 57.1원자％, O : 15.9원자％, N : 24.4원자％)의 적층으로 이루어지는 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚)용 차광막(총 막 두께 50㎚)을 형성하였다. 이 차광막(2)의 광학 농도(OD)는, ArF 엑시머 레이저의 노광광의 파장에 대하여, 3.0이었다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 차광막(2)에 대하여 어닐링 처리를 행하여, 차광막(2)의 상면에 에칭 마스크막(3)을 형성하고, 바이너리형 마스크 블랭크를 얻었다. 또한, 실시예 1과 마찬가지의 수순으로, 이 마스크 블랭크를 이용하여, 바이너리형의 전사용 마스크를 제작하였다.
다음으로, 실시예 1과 마찬가지로, 이 바이너리형 전사용 마스크의 프로그램 결함 부분(차광막이 잔존하고 있는 흑 결함 부분)에 대하여, 불소를 함유하는 물질인 XeF2 가스를 공급하고, 또한 거기에 전자선(5.0keV)을 조사하여, 흑 결함 부분을 에칭하여 제거하는 EB 결함 수정을 행하였다. 또한, 상기 하층의 에칭시에 물(수증기)을 공급하여 하층의 에칭 레이트를 적절하게 저하시키도록 하였다.
이때, 차광막의 상층에서, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받지 않은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)는, 0.1㎚/sec 미만이었다. 그러나, 하층에서는, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트는, 0.3㎚/sec보다도 컸다. 이 때문에, 차광막의 하층은, 흑 결함 부분 이외의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트와, 흑 결함 부분의 XeF2 가스에 대한 에칭 레이트(하전 입자의 조사를 받은 상태에서의 불소를 함유하는 물질에 대한 에칭 레이트)와의 사이에서, 1 : 5 이상의 에칭 선택성의 조건을 충족시킬 수 없었다. 이 때문에, 특히 하층에서, 흑 결함 부분 이외의 패턴 측벽이, XeF2 가스에 의해 대폭 에칭(침식)되게 되어, 전사용 마스크로서 사용할 수 없게 되었다.
또한, 차광막(2)의 시트 저항값이 3.0kΩ보다도 높고, 또한 에칭 마스크막(3)의 시트 저항값도 3.0kΩ보다도 높기 때문에 도전성이 낮고, 전사용 마스크의 제작시에서의 전자선 묘화에서의 묘화 위치 정밀도가 낮아, 완성된 전사용 마스크는, DRAM hp32㎚의 세대에서 요구되는 위치 정밀도를 충족시킬 수 없었다.
1 : 투광성 기판
2 : 차광막
3 : 에칭 마스크막
4 : 레지스트막
10 : 마스크 블랭크
20 : 전사용 마스크

Claims (21)

  1. 전사용 마스크를 작성하기 위해 사용되고, 투광성 기판 상에, 전사 패턴을 형성하기 위한 박막을 갖는 마스크 블랭크로서,
    상기 박막은, 전이 금속 및 규소를 함유하고, 또한 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 함유하는 재료로 이루어지고,
    상기 박막은, 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 이루어지고,
    불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 상기 상층의 에칭 레이트와 상기 하층의 에칭 레이트의 비가 1:1 내지 1:5인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에 있어서의 상기 하층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에 있어서의 상기 상층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 상기 하층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 상기 상층의 에칭 레이트의 순서대로 에칭 레이트가 느린 구성인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 박막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 에칭 레이트가 0.3nm/sec 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 하층의 전이 금속 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]와 질소 함유량 [원자%]는, 하기 식 (1)의 조건을 만족하는 범위인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
    식(1)
    전이 금속의 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]를 CMo, 질소 함유량 [원자%]를 CN으로 했을 때,
    Figure pat00006
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하층의 전이 금속 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]와 질소 함유량 [원자%]는, 하기 식 (2)의 조건을 만족하는 범위인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
    식(2)
    전이 금속의 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]를 CMo, 질소 함유량 [원자%]를 CN으로 했을 때,
    Figure pat00007
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하층의 전이 금속 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]와 질소 함유량 [원자%]는, 하기 식 (3)의 조건을 만족하는 범위인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
    식(3)
    전이 금속의 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]를 CMo, 질소 함유량 [원자%]를 CN으로 했을 때,
    Figure pat00008
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하층 중의 산소 함유량이 10 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 상층 중의 질소 및 산소의 합계 함유량이 30 원자% 이상인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 상층은, 전이 금속의 함유량이 10 원자% 이하이고, 또한 전이 금속의 함유량을 전이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율이 4% 이상인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크.
  10. 제1항에 기재된 마스크 블랭크를 사용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  11. 투광성 기판 상에, 전사 패턴이 형성된 박막을 갖고 이루어지는 전사용 마스크로서,
    상기 박막은, 전이 금속 및 규소를 함유하고, 또한 산소 및 질소로부터 선택되는 적어도 1개 이상의 원소를 함유하는 재료로 이루어지고,
    상기 박막은, 하층과 상층의 적어도 2층 구조로 이루어지고,
    불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 상기 상층의 에칭 레이트와 상기 하층의 에칭 레이트의 비가 1:1 내지 1:5인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 박막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에 있어서의 상기 하층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받은 상태에 있어서의 상기 상층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 상기 하층의 에칭 레이트, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 상기 상층의 에칭 레이트의 순서대로 에칭 레이트가 느린 구성인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 박막은, 불소를 함유하는 물질에 대한 하전 입자의 조사를 받지 않는 상태에 있어서의 에칭 레이트가 0.3nm/sec 이하인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 하층의 전이 금속 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]와 질소 함유량 [원자%]는, 하기 식 (4)의 조건을 만족하는 범위인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
    식(4)
    전이 금속의 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]를 CMo, 질소 함유량 [원자%]를 CN으로 했을 때,
    Figure pat00009
  15. 제11항에 있어서,
    상기 하층의 전이 금속 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]와 질소 함유량 [원자%]는, 하기 식 (5)의 조건을 만족하는 범위인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
    식(5)
    전이 금속의 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]를 CMo, 질소 함유량 [원자%]를 CN으로 했을 때,
    Figure pat00010
  16. 제11항에 있어서,
    상기 하층의 전이 금속 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]와 질소 함유량 [원자%]는, 하기 식 (6)의 조건을 만족하는 범위인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
    식(6)
    전이 금속의 함유량 [원자%]를 전이 금속 및 규소의 합계 함유량 [원자%]로 나눈 비율[%]를 CMo, 질소 함유량 [원자%]를 CN으로 했을 때,
    Figure pat00011
  17. 제11항에 있어서,
    상기 하층 중의 산소 함유량이 10 원자% 미만인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 상층 중의 질소 및 산소의 합계 함유량이 30 원자% 이상인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 상층은, 전이 금속의 함유량이 10 원자% 이하이고, 또한 전이 금속의 함유량을 전이 금속 및 규소의 합계 함유량으로 나눈 비율이 4% 이상인 것을 특징으로 하는 전사용 마스크.
  20. 제1항에 기재된 마스크 블랭크를 사용하는 전사용 마스크의 제조 방법으로서,
    상기 박막을 에칭에 의해 패터닝하는 에칭 공정과,
    상기 박막의 흑색 결함 부분에 대해 불소를 함유하는 물질을 공급하고, 또한 하전 입자를 조사해서 상기 흑색 결함 부분의 에칭을 행하는 결함 수정 공정
    을 갖는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 결함 수정 공정은, 상기 하층의 에칭 시에 물 또는 수증기를 공급해서 상기 하층의 에칭 레이트를 저하시키는 것을 특징으로 하는 전사용 마스크의 제조 방법.
KR1020167032324A 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법 KR101812439B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-167792 2009-07-16
JP2009167792 2009-07-16
PCT/JP2010/061894 WO2011007800A1 (ja) 2009-07-16 2010-07-14 マスクブランク及び転写用マスク

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127008502A Division KR101680410B1 (ko) 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160135853A true KR20160135853A (ko) 2016-11-28
KR101812439B1 KR101812439B1 (ko) 2017-12-26

Family

ID=43449408

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127003947A KR101273180B1 (ko) 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크 및 전사용 마스크
KR1020127008502A KR101680410B1 (ko) 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법
KR1020167032324A KR101812439B1 (ko) 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127003947A KR101273180B1 (ko) 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크 및 전사용 마스크
KR1020127008502A KR101680410B1 (ko) 2009-07-16 2010-07-14 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8637213B2 (ko)
JP (4) JP4958200B2 (ko)
KR (3) KR101273180B1 (ko)
TW (3) TWI612372B (ko)
WO (1) WO2011007800A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5997530B2 (ja) * 2011-09-07 2016-09-28 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、および半導体デバイスの製造方法
JP5464186B2 (ja) * 2011-09-07 2014-04-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
JP6125772B2 (ja) 2011-09-28 2017-05-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
WO2013111631A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 旭硝子株式会社 ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法
US8953869B2 (en) * 2012-06-14 2015-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for inspecting extreme ultra violet reticles
FR2994605B1 (fr) * 2012-08-20 2014-08-22 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de masques euv minimisant l'impact des defauts de substrat
US9349395B2 (en) 2012-08-31 2016-05-24 International Business Machines Corporation System and method for differential etching
US9001463B2 (en) 2012-08-31 2015-04-07 International Business Machines Corporaton Magnetic recording head having protected reader sensors and near zero recessed write poles
FR3002655B1 (fr) * 2013-02-28 2016-05-13 Commissariat Energie Atomique Procede de photolithographie a double masque minimisant l'impact des defauts de substrat
KR101506888B1 (ko) * 2013-10-02 2015-03-30 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6394496B2 (ja) * 2014-07-15 2018-09-26 信越化学工業株式会社 バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法
DE102015101966B4 (de) * 2015-02-11 2021-07-08 Infineon Technologies Austria Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit Schottkykontakt und Halbleiterbauelement
KR101617727B1 (ko) * 2015-07-24 2016-05-03 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP2017054105A (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 旭硝子株式会社 マスクブランク
KR102398583B1 (ko) 2015-11-06 2022-05-17 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
US11112690B2 (en) * 2016-08-26 2021-09-07 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
CN106889743A (zh) * 2017-04-11 2017-06-27 洽兴包装工业（中国）有限公司 涂抹装置的头部结构
JP6998181B2 (ja) * 2017-11-14 2022-02-04 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法
US10269576B1 (en) 2017-11-15 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etching and structures formed thereby
JP7154572B2 (ja) * 2018-09-12 2022-10-18 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法
CN111394691B (zh) * 2020-04-16 2022-05-17 昆山国显光电有限公司 掩膜版、掩膜组件以及掩膜组件的制造方法
JP7121814B2 (ja) * 2021-01-27 2022-08-18 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法
KR102624206B1 (ko) * 2021-02-25 2024-01-15 인하대학교 산학협력단 ArF 위상반전 블랭크 마스크용 차광막 제조 방법 및 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2941975B2 (ja) * 1991-02-27 1999-08-30 三菱電機株式会社 位相シフトマスクおよびその修正方法
JP2000010260A (ja) 1998-06-19 2000-01-14 Seiko Instruments Inc マスク修正装置の黒欠陥修正方法
JP2001147516A (ja) * 2000-11-27 2001-05-29 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP3862965B2 (ja) * 2001-03-29 2006-12-27 株式会社東芝 加工方法
WO2003012551A1 (en) 2001-07-27 2003-02-13 Fei Company Electron beam processing
JP2004085760A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Toppan Printing Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びそれを用いたハーフトーン型位相シフトマスク、並びにパターン転写法
JP4535270B2 (ja) * 2005-02-24 2010-09-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4883278B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4766518B2 (ja) * 2006-03-31 2011-09-07 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及びフォトマスク
JP2007279441A (ja) 2006-04-07 2007-10-25 Toshiba Corp ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP4737426B2 (ja) * 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5053030B2 (ja) 2007-10-16 2012-10-17 大日本印刷株式会社 フォトマスクの欠陥修正方法、製造方法および欠陥修正装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20140087292A1 (en) 2014-03-27
WO2011007800A1 (ja) 2011-01-20
US9651859B2 (en) 2017-05-16
KR20120044389A (ko) 2012-05-07
JPWO2011007800A1 (ja) 2012-12-27
JP2015092270A (ja) 2015-05-14
US9195133B2 (en) 2015-11-24
TWI460531B (zh) 2014-11-11
TW201506532A (zh) 2015-02-16
US8637213B2 (en) 2014-01-28
TW201115263A (en) 2011-05-01
JP2012108564A (ja) 2012-06-07
KR101812439B1 (ko) 2017-12-26
TWI553399B (zh) 2016-10-11
TW201642015A (zh) 2016-12-01
KR101273180B1 (ko) 2013-06-17
JP4958200B2 (ja) 2012-06-20
JP5678130B2 (ja) 2015-02-25
US20120189946A1 (en) 2012-07-26
US20160041464A1 (en) 2016-02-11
JP6002786B2 (ja) 2016-10-05
KR20120030593A (ko) 2012-03-28
KR101680410B1 (ko) 2016-11-28
JP5305311B2 (ja) 2013-10-02
TWI612372B (zh) 2018-01-21
JP2013214090A (ja) 2013-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101812439B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법
KR101822801B1 (ko) 마스크 블랭크 및 전사용 마스크와 전사용 마스크의 제조 방법
KR101795335B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
KR101880304B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6542497B1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant