KR20160122725A - 구상 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 고열전도 필러 등에 적합한, 구형도가 높은 구상 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 평균 입자 직경 0.01 ∼ 1.0 ㎛, 배향성 지수 1 ∼ 15, 질화붕소 순도 98.0 질량％ 이상, 및 평균 원형도 0.80 이상인 구상 질화붕소 미립자, 암모니아/붕산알콕시드의 몰비가 1 ∼ 10 인 붕산알콕시드와 암모니아를 불활성 가스 기류 중, 750 ℃ 이상, 30 초 이내에서 반응시킨 후, 암모니아 가스, 또는, 암모니아 가스와 불활성 가스의 혼합 가스의 분위기하, 1,000 ∼ 1,600 ℃, 1 시간 이상으로 열 처리 후, 또한, 불활성 가스 분위기하, 1,800 ∼ 2,200 ℃, 0.5 시간 이상으로 소성하는 구상 질화붕소 미립자의 제조 방법을 구성 요건으로 한다.

Description

구상 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법{SPHERICAL BORON NITRIDE PARTICLES AND PRODUCTION METHOD THEREOF}
본 발명은, 고열전도 필러 등에 적합한 구상 (球狀) 질화붕소 미립자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
육방정 질화붕소 (이하, 「질화붕소」 라고 한다) 는, 윤활성, 고열전도성, 및 절연성 등을 갖고 있으며, 고체 윤활제, 용융 가스나 알루미늄 등의 이형제, 및 방열 재료용 충전재 등에 폭넓게 이용되고 있다.
특히 최근, 컴퓨터나 전자 기기의 고성능화에 의해, 방열 대책의 중요성이 늘어나고 있으며, 질화붕소의 고열전도성이 주목받고 있다.
최근, 프린트 배선판용 수지 기판, 플렉시블 구리 피복 적층판 등의 수지층에, 고열전도성이나 절연성을 부여시킬 목적으로 질화붕소를 첨가하는 것이 검토되고 있다.
일반적인 질화붕소의 평균 입자 직경은, 수 ㎛ ∼ 20 ㎛ 이지만, 프린트 배선판용 수지 기판이나 플렉시블 구리 피복 적층판 등의 수지층의 두께에는 수십 ㎛ 정도의 것도 있으며, 질화붕소의 평균 입자 직경이 크면, 수지에 대한 분산성이 나쁘고, 표면의 평활성이 얻어지지 않거나, 또, 분산시킨 경우, 돌기물이 발생하고, 수지층의 강도를 높게 유지할 수 없는 경우가 있어, 서브미크론 클래스 (0.1 ㎛) 의 질화붕소 미립자가 요구되고 있다.
질화붕소가 고열전도성을 나타내려면, 고순도이고, 고결정성일 필요가 있다. 이것은 서브미크론 클래스 (0.1 ㎛) 의 질화붕소 미립자이더라도 바뀌지 않는다.
한편, 질화붕소는, 특징적인 인편 (鱗片) 형상이며, 그 열 특성은, 장경 혹은 단경 방향이 두께 방향에 비해 압도적으로 우수하다. 그 때문에, 예를 들어, 질화붕소를 실리콘 등의 수지에 충전한 복합 재료의 열 특성은, 복합 재료 중에서의 질화붕소 미립자의 방향성에 크게 영향을 받는다.
그러나, 예를 들어, 시트 형상의 복합 재료를 제조한 경우, 많은 경우, 질화붕소 미립자는 가로 방향으로 누워 버려, 세로 방향으로 필요한 충분한 열 특성을 나타내지 않는다.
즉, 질화붕소가 고열전도성 필러로서 적합하기 위해서는, 구 형상, 혹은 응집 형상으로 함으로써, 방향성의 영향을 작게 할 필요가 있다.
질화붕소는, 일반적으로, 붕소원 (붕산, 붕사 등) 과 질소원 (우레아, 멜라민, 및 암모니아 등) 을 고온에서 반응시킴으로써 얻어지고, 붕산과 멜라민으로부터 인편상의 1 차 입자가 응집한 「솔방울」 형상의 질화붕소가 제안되어 있다 (특허문헌 1).
그러나, 이 방법으로 제조된 질화붕소의 응집 입자 직경은 50 ㎛ 이상으로, 본 발명의 목적의 서브미크론 클래스의 질화붕소 미립자를 제조하는 것은 곤란하다.
한편, 기상 합성법에 의해 질화붕소 미립자를 얻는 방법이 보고되어 있다 (특허문헌 2 ∼ 특허문헌 4).
그러나, 이들 방법으로 얻어진 질화붕소 미립자는, 결정성이 낮기 때문에, 질화붕소의 특징인 윤활성이나 고열전도성이 불충분하다.
일본 공개특허공보 평09-202663호 일본 공개특허공보 2000-327312호 일본 공개특허공보 2004-182572호 일본 공개특허공보 2010-180066호
본 발명의 목적은, 구형도가 높은 서브미크론의 구상 질화붕소 미립자를 제공하는 것이다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 이하의 수단을 채용한다.
(1) 평균 입자 직경 0.01 ∼ 1.0 ㎛, 배향성 지수 1 ∼ 15, 질화붕소 순도 98.0 질량％ 이상, 및 평균 원형도 0.80 이상인 것을 특징으로 하는 구상 질화붕소 미립자이다.
(2) 암모니아/붕산알콕시드의 몰비 1 ∼ 10 의 붕산알콕시드와 암모니아를 불활성 가스 기류 중, 750 ℃ 이상, 30 초 이내에서 반응시킨 후, 암모니아 가스, 또는, 암모니아 가스와 불활성 가스의 혼합 가스의 분위기하, 1,000 ∼ 1,600 ℃, 1 시간 이상으로 열 처리 후, 또한, 불활성 가스 분위기하, 1,800 ∼ 2,200 ℃, 0.5 시간 이상으로 소성하는 것을 특징으로 하는 구상 질화붕소 미립자의 제조 방법이다.
본 발명에 의하면, 구형도가 높은 서브미크론의 구상 질화붕소 미립자를 제공할 수 있다.
도 1 은, 소성 조건 1 의 질화붕소 미립자의 제조 장치의 개략도이다.
도 2 는, 소성 조건 2 의 질화붕소 미립자의 제조 장치의 개략도이다.
도 3 은, 본 발명의 실시예의 구상 질화붕소 미립자의 전자 현미경 사진이다.
도 4 는, 본 발명의 비교예의 질화붕소 미립자의 전자 현미경 사진이다.
본 발명에서는, 먼저, 불활성 가스 기류 중에서, 관상로 (3) 를 사용하여, 휘발한 붕산알콕시드와, 암모니아에 의한, 소위 기상 반응에 의해, 연속적으로 백색 분말을 합성한다 (소성 조건 1). 다음으로, 이 백색 분말을 관상로 (3) (저항 가열로) 로 소성한다 (소성 조건 2). 그리고 마지막으로, 이 소성물을 질화붕소제 도가니에 넣고, 유도 가열로로 소성하여 질화붕소 미립자를 생성한다 (소성 조건 3).
또한, 본 발명에 있어서의 ％ 는, 특별히 언급하지 않는 한 질량 규준으로 나타낸다.
본 발명에 있어서는, 상기한 바와 같이, 소성 조건이 3 단계 있고, 그 소성 조건의 온도가 낮은 순서로, 소성 조건 1：750 ℃ 이상, 소성 조건 2：1,000 ∼ 1,600 ℃, 및 소성 조건 3：1,800 ∼ 2,200 ℃ 로 하고, 소성 조건 1, 2 에 대해서는, 관상로 (3) 로서, 저항 가열 방식을 이용하고, 소성 조건 3 에 대해서는, 관상로 (3) 로서, 유도 가열 방식의 전기로를 사용할 수 있다. 물론 소성 조건 1, 2 에 있어서 유도 가열 방식의 전기로를 사용해도 문제는 없다.
이하, 본 발명을, 도면을 사용하여 설명한다.
소성 조건 1 에서 사용하는 질화붕소 미립자의 제조 장치는, 관상로 (3) (저항 가열로), 반응관 (석영관) (2), 붕산알콕시드의 용기 (1), 붕산알콕시드의 도입관 (4), 암모니아 가스의 도입관 (5), 및 샘플의 회수 용기 (6) 등으로 이루어지는 것이다.
본 발명의 구상 질화붕소 미립자는, 휘발한 붕산알콕시드와, 암모니아에 의한, 소위 기상 반응에 의해 연속적으로 합성한다. 그 때문에 연속적인 합성이 가능한 장치가 필요하고, 소성 조건 1 에서는, 예를 들어, 도 1 에 예시되는 관상로 (3) 를 사용한 장치를 사용하는 것이 바람직하다.
관상로 (3) 는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 취급이 용이한 전기로를 사용하는 것이 바람직하다.
전기로는, 통전에 의해 노 (爐) 를 구성하는 발열체 등을 발열시키고, 노 내를 가온하는 것이 기본 원리이며, 가열 방식이나 발열체의 재질로 세분화된다.
일반적으로, 1,700 ℃ 부근까지의 가열은, 발열체를 사용한 저항 가열 방식으로 가능하지만, 2,000 ℃ 부근의 가열은, 코일을 사용한 유도 가열 방식이 필요해진다.
또한 발열체의 재질에는, 탄화규소나 카본 등이 사용되지만, 특별히 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용하는 반응관 (2) 의 재질은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 화학적으로 안정적이고 내열성이 양호한 알루미나나 석영을 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 반응관 (2) 으로서 석영관을 사용하고, 붕산알콕시드로서 붕산트리메틸을 사용한 소성 조건 1 의 개요를 도 1 에 기초하여 설명한다.
저항 가열로 (3) 에 석영관 (2) 을 설치하고, 가열하여 소정의 온도까지 승온한다. 붕산트리메틸을 용기 (1) 에 넣고, 질소에 의해, 도입관 (4) 을 경유하여 석영관 (2) 에 도입한다. 한편, 암모니아도, 도입관 (5) 을 경유하여 석영관 (2) 에 도입한다. 도입된 붕산트리메틸과 암모니아는 가열된 석영관 (2) 내에서 반응하고, 백색 분말이 생성된다 (소성 조건 1). 생성된 백색 분말은, 일부는 석영관 (2) 내에 부착되지만, 대부분은 질소나 미반응의 암모니아에 의해 회수 용기 (6) 로 수송된다. 생성물인 백색 분말 (생성물 (7)) 은 이 회수 용기 (6) 로부터 회수된다.
관상로 (3) 의 온도는, 750 ℃ 이상이 바람직하다. 750 ℃ 보다 낮으면, 생성하는 질화붕소 미립자의 평균 입자 직경이 1.0 ㎛ 보다 커지는 경우가 있다.
붕산트리메틸과 암모니아의 반응은 30 초 이내에서 종료한다. 30 초를 초과하면, 질화붕소 미립자의 평균 입자 직경이 1.0 ㎛ 보다 커지는 경우가 있다.
본 발명에서 사용하는 붕산알콕시드로는, 붕산트리메틸, 붕산트리에틸, 및 붕산트리이소프로필 등을 사용할 수 있지만, 암모니아와의 반응하기 쉬움이나 입수의 용이함으로부터, 붕산트리메틸을 사용하는 것이 바람직하다. 붕산트리메틸로는, 각 사 시약 외에 타마 화학 공업사 제조 상품명 「TMB」 등이 있다.
한편, 본 발명에서 사용하는 암모니아는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 불순물을 포함하지 않는, 소위 「고순도」 타입의 것이 바람직하다.
불활성 가스로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 화학 반응을 잘 일으키지 않는 가스로, 예를 들어, 헬륨, 네온, 및 아르곤 등의 희가스나 질소 등을 들 수 있다.
붕산알콕시드와 암모니아의 배합 비율은, 암모니아/붕산알콕시드의 몰비로 1 ∼ 10 이다. 암모니아/붕산알콕시드의 몰비가 1 미만에서는, 질화붕소 미립자의 순도가 98.0 ％ 보다 낮아지는 경우가 있고, 몰비가 10 보다 커지면, 질화붕소 미립자의 평균 입자 직경이 0.01 ㎛ 보다 작아지는 경우가 있다.
붕산알콕시드와 암모니아의 도입을 멈추고, 관상로 (3) 의 전원을 끄고, 소성 조건 1 로 합성한 백색 분말을 회수하고, 예를 들어, 도 2 에 나타내는 장치로, 소성 조건 2 의 소성을 실시한다.
소성 조건 2 에서 사용하는 장치는, 저항 가열로 (3') 에, 반응관 (2') 으로서 알루미나관을 사용하고, 반응관의 중심에 소성 조건 1 로 합성한 백색 분말 (생성물 (7)) 을 충전하고, 저항 가열로 (3') 에 세트한 후, 도입관 (4') 으로부터 질소를, 도입관 (5') 으로부터 암모니아를 도입하였다. 소정 온도까지 승온한 후, 소정 시간 소성한다. 소성 종료 후, 저항 가열로 (3') 를 냉각시키고, 소성물을 회수한다.
소성 조건 2 에서는, 유도 가열로를 사용하는 것도 가능하다.
저항 가열로 (3) 의 온도는, 1,000 ∼ 1,600 ℃ 이다. 이 범위 외에서는, 질화붕소 미립자의 배향성 지수가 15 보다 커지는 경우가 있다.
소성 조건 2 의 반응 시간은, 1 시간 이상이다. 1 시간 미만에서는, 질화붕소 미립자의 배향성 지수가 15 보다 커지는 경우가 있고, 질화붕소 미립자는 인편 형상으로 원형도가 낮은 경우가 있다.
소성 조건 2 의 분위기는, 암모니아 가스, 또는, 암모니아 가스와 불활성 가스의 혼합 가스의 분위기가 바람직하다. 암모니아 가스가 존재하지 않으면, 질화붕소 미립자는, 배향성 지수가 15 보다 커지는 경우나, 순도가 98.0 ％ 보다 낮아지는 경우나, 인편 형상으로 평균 원형도가 낮은 경우가 있다.
소성 조건 2 의 반응이 종료한 후, 전기로의 전원을 끄고, 질소나 암모니아의 도입을 정지하고, 냉각시킨다.
소성 조건 2 로 소성한 소성물을, 질화붕소제 도가니에 넣고, 유도 가열로로 질소 분위기하, 소정 온도에서 소성하는 소성 조건 3 으로 추가로 소성한다.
또한 소성 온도가 2,000 ℃ 전후로 고온이기 때문에, 소성로로서 유도 가열로를 사용하는 것이 바람직하다.
소성 조건 3 에 있어서의 온도는, 1,800 ∼ 2,200 ℃ 이다. 1,800 ℃ 보다 낮으면, 질화붕소 미립자의 순도가 98.0 ％ 보다 낮아지는 경우가 있고, 2,200 ℃ 보다 높으면, 질화붕소 미립자가 붕괴하는 경우가 있다.
소성 조건 3 에 있어서의 반응 시간은 0.5 시간 이상이다. 0.5 시간 미만에서는 질화붕소 미립자의 순도가 98.0 ％ 보다 낮아지는 경우가 있다.
본 발명에서 생성하는 질화붕소 미립자의 평균 입자 직경은, 0.05 ∼ 1.0 ㎛ 이다. 이 범위 외에서는, 수지에 대한 분산성이 나쁘고, 표면의 평활성이 얻어지지 않거나, 또, 분산시킨 경우, 돌기물이 발생하고, 수지층의 강도를 높게 유지할 수 없는 경우가 있다.
또, 본 발명에서 생성하는 질화붕소 미립자의 배향성 지수는, 분말 X 선 회절법에 의한 (002) 면의 회절선의 강도 I002 와 (100) 면의 회절선의 강도 I100 의 비 (I002/I100) 로 나타내어지고, 고열전도성을 얻는 면에서, 1 ∼ 15 이다.
본 발명에서 생성하는 질화붕소 미립자의 질화붕소 순도는, 고열전도성을 얻는 면에서, 98.0 ％ 이상이다.
본 발명에서 생성하는 질화붕소 미립자의 평균 원형도는, 고열전도성을 얻는 면에서, 0.80 이상이다.
실시예
이하, 실험예에 기초하여 본 발명을 더 설명한다.
실험예 1
소성 조건 1
석영관 (2) 을 저항 가열로 (3) 에 설치하고, 소정 온도로 가열한다. 붕산트리메틸을 용기 (1) 에 넣고, 질소에 의해 도입관 (4) 을 경유하여 석영관 (2) 에 도입하였다. 한편, 암모니아도 도입관 (5) 을 경유하여 석영관 (2) 에 도입하였다. 도입된 붕산트리메틸과 암모니아는 가열된 석영관 (2) 내에서 반응하고, 백색 분말을 생성하였다. 생성한 백색 분말 (생성물) 을 회수 용기 (6) 로부터 회수하였다.
소성 조건 2
소성 조건 1 에서 회수한 백색 분말을 도 2 에 나타내는 장치로 소성하였다.
알루미나관 (2') 의 중심에 소성 조건 1 에서 회수한 백색 분말 (생성물) 을 충전하고, 저항 가열로 (3') 에 세트한 후, 도입관 (4', 5') 으로부터 질소, 암모니아를 각각 도입하였다. 표 1 에 나타내는 소정 온도까지 승온한 후에 소정 시간 소성하고, 소성 종료 후, 냉각시키고, 소성물을 회수하였다.
소성 조건 3
소성 조건 2 에서 얻어진 소성물을 질화붕소제 도가니에 넣고, 유도 가열로로 질소 분위기하, 표 1 에 나타내는 소정 온도에서 소성하였다. 얻어진 질화붕소 미립자의 평균 입자 직경, 배향성 지수, 질화붕소 순도, 및 평균 원형도를 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 소성 조건 1, 2, 및 3 의 온도, 시간, 및 소성 분위기를 각각 소성 조건 1, 2, 및 3 에 병기하였다.
또, 본 발명의 실시예의 전자 현미경 사진을 도 3 에, 비교예의 전자 현미경 사진을 도 4 에 나타낸다.
＜사용 재료＞
붕산트리메틸：와코 쥰야쿠 공업사 제조 시약, 트리메톡시보란
암모니아：고순도 타입 시판품
＜측정 방법＞
평균 입자 직경：평균 입자 직경의 측정에는 콜터 제조 레이저 회절 산란법 입도 분포 측정 장치, 상품명 「LS-230」 을 사용하였다.
배향성 지수：X 선 회절 장치 (리가쿠 전기사 제조 「Geiger Flex 2013 형」) 로 2θ = 30° ∼ 25° 의 범위에서 측정하고, 2θ = 27 ∼ 28° 부근 ((002) 면) 의 회절선의 강도 I002, 2θ = 41° 부근 ((100) 면) 의 회절선의 강도 I100 을 구하였다. 배향성 지수는 질화붕소의 X 선 회절의 피크 강도비로부터, 배향성 지수 = I002/I100 으로 산출하였다.
질화붕소 순도：질화붕소 순도는 다음의 방법에 의해 구하였다. 시료를 수산화나트륨으로 알칼리 분해 후, 수증기 증류법에 의해 암모니아를 증류하고, 이것을 붕산액에 포집하였다. 이 포집액을 황산 규정액으로 적정하고, 질소량 (N) 을 구한 후, 이하의 식으로부터 질화붕소 순도 (BN) 를 산출하였다.
BN (％) = N (％) × 1.772
평균 원형도：주사형 전자 현미경 (SEM) 혹은 투과형 전자 현미경 (TEM) 으로 입자 이미지를 촬영한 후, 화상 해석 (예를 들어, 마운텍사 제조, 상품명 「MacView」) 을 이용하여 입자의 투영 면적 (S) 과 주위 길이 (L) 를 측정하였다. 원형도는 이하의 식으로 구하였다.
원형도 = 4πS/L2
임의로 선택한 100 개의 입자에 대해 원형도를 측정하고, 그들의 평균값을 그 시료의 평균 원형도로 하였다.
Figure pct00001
1 : 붕산알콕시드의 용기
2 : 반응관 (석영관)
2' : 반응관 (알루미나관)
3, 3' : 관상로 (저항 가열로)
4 : 붕산알콕시드의 도입관
4' : 질소의 도입관
5, 5' : 암모니아 가스의 도입관
6 : 샘플의 회수 용기
7 : 생성물

Claims (2)

  1. 평균 입자 직경 0.01 ∼ 1.0 ㎛, 배향성 지수 1 ∼ 15, 질화붕소 순도 98.0 질량％ 이상, 및 평균 원형도 0.80 이상인 것을 특징으로 하는 구상 질화붕소 미립자.
  2. 암모니아/붕산알콕시드의 몰비가 1 ∼ 10 인 붕산알콕시드와 암모니아를 불활성 가스 기류 중, 750 ℃ 이상, 30 초 이내에서 반응시킨 후, 암모니아 가스, 또는, 암모니아 가스와 불활성 가스의 혼합 가스의 분위기하, 1,000 ∼ 1,600 ℃, 1 시간 이상으로 열 처리 후, 또한, 불활성 가스 분위기하, 1,800 ∼ 2,200 ℃, 0.5 시간 이상으로 소성하는 것을 특징으로 하는 구상 질화붕소 미립자의 제조 방법.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015193504A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 ナガセケムテックス株式会社 窒化ホウ素粒子、樹脂組成物および熱伝導性シート
CN107922743B (zh) * 2015-08-26 2019-03-08 电化株式会社 导热性树脂组合物
CN109476480A (zh) * 2016-05-27 2019-03-15 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于制造氮化硼附聚物的方法
US10752503B2 (en) 2016-10-21 2020-08-25 Denka Company Limited Spherical boron nitride fine powder, method for manufacturing same and thermally conductive resin composition using same
WO2019044886A1 (ja) * 2017-09-04 2019-03-07 東亞合成株式会社 粉体塗料用組成物及び塗装物品
KR102619752B1 (ko) * 2017-10-13 2023-12-29 덴카 주식회사 질화붕소 분말, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 방열 부재
CN112218820A (zh) 2018-08-07 2021-01-12 电化株式会社 六方晶氮化硼粉末、及六方晶氮化硼粉末的制造方法
JP7079378B2 (ja) 2019-03-28 2022-06-01 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末及びその製造方法、並びに、複合材及び放熱部材
CN112295535A (zh) * 2019-07-31 2021-02-02 东泰高科装备科技有限公司 氮化硼吸附材料及其合成方法和合成装置
US20220388845A1 (en) 2019-10-23 2022-12-08 Denka Company Limited Boron nitride powder and production method therefor, boron carbonitride powder, composite material, and heat dissipating member
CN114466818A (zh) 2019-11-19 2022-05-10 电化株式会社 六方氮化硼粉末
CN114599603A (zh) * 2019-11-21 2022-06-07 电化株式会社 氮化硼粒子及树脂组合物
WO2021111909A1 (ja) * 2019-12-06 2021-06-10 デンカ株式会社 窒化ホウ素粒子及びその製造方法
WO2021111910A1 (ja) * 2019-12-06 2021-06-10 デンカ株式会社 窒化ホウ素粒子及びその製造方法
JPWO2021193028A1 (ko) * 2020-03-27 2021-09-30
TWI766320B (zh) * 2020-07-23 2022-06-01 南亞塑膠工業股份有限公司 預浸片及金屬積層板
CN113753866B (zh) * 2021-08-03 2023-02-07 湖南大学 一种六方氮化硼纳米晶及其固相制备方法
CN114132904B (zh) * 2021-12-06 2023-04-25 湖南大学 一种化妆品用高吸油美白六方氮化硼多孔微球
WO2023162598A1 (ja) * 2022-02-22 2023-08-31 デンカ株式会社 窒化ホウ素粉末の製造方法、窒化ホウ素粉末及び樹脂封止材

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09202663A (ja) 1996-01-24 1997-08-05 Denki Kagaku Kogyo Kk ほう酸メラミン粒子とその製造方法及び用途、並びに六方晶窒化ほう素粉末の製造方法
JP2000327312A (ja) 1999-05-19 2000-11-28 Advanced Ceramics Corp 球形窒化ホウ素及びその先駆物質の製造方法、製造設備、及び生成物
JP2004182572A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 National Institute For Materials Science サブミクロンサイズの窒化ホウ素球状粒子の製造方法
JP2010180066A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 National Institute For Materials Science 窒化ホウ素球状ナノ粒子とその製造方法
JP2013241321A (ja) * 2011-11-29 2013-12-05 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化ホウ素凝集粒子、窒化ホウ素凝集粒子を含有する組成物、及び該組成物からなる層を有する三次元集積回路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2883405B2 (ja) 1990-06-04 1999-04-19 信越化学工業株式会社 単結晶引き上げ用るつぼおよびその製造方法
JP3647079B2 (ja) 1995-04-19 2005-05-11 電気化学工業株式会社 六方晶窒化ほう素粉末の製造方法
CN1189249C (zh) * 2002-07-09 2005-02-16 中国科学院长春应用化学研究所 纳米立方氮化硼的制备方法
CN100402417C (zh) * 2005-12-01 2008-07-16 华中师范大学 一种六方氮化硼纳米微球及合成方法和应用
JP4817103B2 (ja) 2007-04-25 2011-11-16 独立行政法人物質・材料研究機構 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法
US8617503B2 (en) * 2009-08-20 2013-12-31 Kaneka Corporation Process for production of spheroidized boron nitride
CN102574684B (zh) * 2009-10-09 2015-04-29 水岛合金铁株式会社 六方氮化硼粉末及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09202663A (ja) 1996-01-24 1997-08-05 Denki Kagaku Kogyo Kk ほう酸メラミン粒子とその製造方法及び用途、並びに六方晶窒化ほう素粉末の製造方法
JP2000327312A (ja) 1999-05-19 2000-11-28 Advanced Ceramics Corp 球形窒化ホウ素及びその先駆物質の製造方法、製造設備、及び生成物
JP2004182572A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 National Institute For Materials Science サブミクロンサイズの窒化ホウ素球状粒子の製造方法
JP2010180066A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 National Institute For Materials Science 窒化ホウ素球状ナノ粒子とその製造方法
JP2013241321A (ja) * 2011-11-29 2013-12-05 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化ホウ素凝集粒子、窒化ホウ素凝集粒子を含有する組成物、及び該組成物からなる層を有する三次元集積回路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
비특허문헌 1 (TANG, C. 외, ADVANCED FUNCTIONAL MATERALS, 2008) *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3106430A4 (en) 2017-11-08
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