KR20160107761A - 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 - Google Patents

인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 환경규제물질인 황산을 사용하지 않으며, 식각 후 잔사가 발생하지 않고, 하부막인 Cu, Ti, Mo, Al의 손상 없이 식각할 수 있는 것이 특징이다.

Description

인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법{ETCHANT COMPOSITION FOR ETCHING AN INDIUM OXIDE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY SUBSTRATE USING THE ETCHANT COMPOSITION}
본 발명은 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 표시 패널은 화소를 구동하기 위한 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터가 형성된 표시 기판을 포함한다. 상기 표시 기판은 다수의 금속 패턴들을 포함하고, 상기 금속 패턴들은 주로 포토리소그래피(photolithography) 방식을 통해 형성된다. 상기 포토리소그래피 방식은, 기판에 형성된 식각 대상이 되는 박막상에 포토레지스트막을 형성하고, 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 방지막으로 이용하고 식각액으로 상기 박막을 식각함으로써 상기 박막을 패터닝할 수 있는 공정이다.
상기 박막의 식각 공정에서, 상기 포토레지스트 패턴에 의해서 노출되는 영역의 상기 박막은 상기 식각액에 의해서 제거되고, 상기 제거된 박막의 하부 박막이 노출된다. 이때, 상기 노출된 하부 박막이 상기 식각액과 접촉하게 되고, 상기 식각액이 상기 하부 박막을 손상시킬 수 있다.
상기 식각 대상이 되는 박막이 인듐 산화막인 경우에 이용되는 식각액으로서, 왕수계 식각액(한국공개특허 1996-002903호), 염화철계 식각액(미국등록특허 5,456,795), 옥살산 식각액(한국공개특허 2000-0017470) 등을 들 수 있으나, 이들은 대부분 강한 화학적 활성을 갖고 있어 상기 하부 박막을 쉽게 손상시킬 수 있다. 이를 해결하기 위해서 주산화제로서 황산을 이용하고 보조 산화제로서 질산 또는 과염소산을 이용한 인듐 산화막의 식각액 조성물(한국공개특허 2005-0077451)이 개발되었고, 상기 식각액 조성물은 하부 박막이 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr)을 포함하는 경우에는 상기 인듐 산화막을 식각하는 공정에서 상기 하부 박막을 손상시키지 않을 수 있다.
그러나 상기 하부 박막이 구리(Cu)를 포함하고, 상기 식각액 조성물을 이용하여 구리 박막 상에 형성된 인듐 산화막을 식각하는 경우에, 상기 식각액 조성물에 의해서 상기 구리 박막의 표면이 손상되는 문제점이 있으며, 환경규제물질인 황산을 사용하기 때문에 환경적인 점에서 제한이 있다.
한국공개특허 1996-002903호 미국등록특허 5,456,795호 한국공개특허 2000-0017470호 한국공개특허 2005-0077451호
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하고자 한 것으로, 환경규제물질인 황산을 사용하지 않고도 식각 후 잔사가 발생하지 않으며 하부막(Cu, Al, Mo, Ti) 손상이 발생하지 않고 에칭 특성이 향상된 인듐산화막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 인듐 산화막 식각액 조성물을 제공한다.
일 구현예는 술폰산이 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
다른 일 구현예는 부식방지제가 암모늄 아세테이트(ammonium acetate, CH3COONH4), 암모늄 설파메이트(ammonium sulfamate, NH4SO3NH2), 암모늄벤젠디올(ammonium benzenediol, NH4C6H4(OH)2), 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate, NH2COONH4), 염화암모늄(ammonium chloride, NH4Cl), 인산암모늄(ammonium dihydrogen phosphate, NH4H2PO4), 암모늄 포메이트(ammonium formate, NH4COOH), 탄산수소 암모늄(ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 구연산 암모늄(ammonium citrate, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4), HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2), 질산암모늄(ammonium nitrate, NH4NO3), 과황산 암모늄(ammonium persulfate, (NH4)2S2O8), 암모늄 설파메이트(ammonium sulphamate, H2NSO3NH4) 및 황산암모늄(ammonium sulfate, (NH4)2SO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
또 다른 일 구현예는 고리형 아민 화합물이 피롤(pyrrole)계 화합물, 피라졸(pyrazol)계 화합물, 이미다졸(imidazole)계 화합물, 트리아졸(triazole)계 화합물, 테트라졸(tetrazole)계 화합물, 펜타졸(pentazole)계 화합물, 옥사졸(oxazole)계 화합물, 이소옥사졸(isoxazole)계 화합물, 디아졸(thiazole)계 화합물 및 이소디아졸(isothiazole)계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; 상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 인듐 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 인듐 산화막을 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 패터닝하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법을 제공한다.
일 구현예는 술폰산이 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하고, 인듐 산화물을 포함하는 1차 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 1차 화소 전극을 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 제거하는 단계; 및 상기 1차 화소 전극이 제거된 기판 상에 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하는 2차 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법을 제공한다.
일 구현예는 술폰산이 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 환경규제물질인 황산을 사용하지 않으며, 식각 후 잔사가 발생하지 않고, 하부막인 Cu, Ti, Mo, Al의 손상 없이 식각할 수 있는 것이 특징이다.
도 1은 실시예 1의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 2의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 3의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 4는 실시예 4의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 5는 실시예 5의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 6은 실시예 6의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 7은 비교예 1의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 8은 비교예 2의 식각액에 따른 사이드 에칭 특성을 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 9는 실시예 1의 식각액에 따른 잔사 발생 여부를 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 10은 비교예 1의 식각액에 따른 잔사 발생 여부를 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 11은 실시예 1의 식각액에 따른 하부막(Cu) 손상 여부를 SEM 결과로 나타낸 것이다.
도 12는 비교예 2의 식각액에 따른 하부막(Cu) 손상 여부를 SEM 결과로 나타낸 것이다.
본 발명은 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 일반적으로 박막 트랜지스터 표시판(Thin Film Transistor, TFT)은 액정 표시 장치나 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용된다. 박막 트랜지스터 표시판은 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과, 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다. 이러한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 시에 기판 위에 게이트 배선 및 데이터 배선용 금속 층을 적층 시키고, 이들 금속 층을 식각하는 과정이 그 뒤를 따르게 된다. 그리고 박막 트랜지스터와 연결 되어 있는 화소 전극인 픽셀(Pixel)이 적층 되며 포토레지스트를 도포하고 패터닝 하는 공정이 진행 된다. 이때 픽셀 층과 접촉 하거나 노출되어 있는 게이트(Gate) 배선이나 S/D 배선이 픽셀 패터닝 과정에서 변형이 될 수 있다. 이러한 점을 개선하기 위해서는 사용하는 픽셀의 재질은 게이트 나 S/D 의 금속(Metal)과 차이를 두어야 한다. 픽셀의 재질은 a-ITO 또는 IZO와 같은 인듐 산화막을 주로 사용한다.
종래 인듐 산화막 식각액 조성의 구성성분으로서 환경규제물질인 황산을 배제하는 연구가 진행되었으나, 강산인 황산을 배제할 경우 픽셀(pixel)의 식각속도를 높이기 위해 질산의 함량을 과량으로 증가시켜야 하기 때문에 전체 질소(N)의 함량 증가로 폐수 처리량의 과부하를 초래하였다. 본 발명은 술폰산을 포함함에 따라 근본적으로 해결하였으며, 또한 본 발명의 식각액 조성물은 식각 후 잔사가 발생하지 않고, 하부막인 Cu, Ti, Mo, Al의 손상 없이 식각할 수 있는 것이 특징이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는, 인듐 산화막 식각액 조성물을 제공한다.
본 발명에 있어 질산은 인듐을 포함하는 인듐 산화막을 식각하는 주성분으로서, 식각액 조성물의 총 함량에 대하여 3 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 조성 내 질산의 함량이 3 중량% 미만이면 인듐 산화막의 식각이 안되거나 식각속도가 아주 느리고, 10 중량%를 초과할 경우에는 식각 속도가 전체적으로 빨라지지만 공정을 컨트롤하는 것이 어려워 지거나 총 질소(N)의 증가로 폐수처리량의 증가를 초래할 수 있다.
본 발명에 있어 술폰산은 질산과 마찬가지로 인듐을 포함하는 인듐 산화막을 식각하는 주성분이다. 상기 술폰산은 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있으며, 식각액 조성물의 총 함량에 대하여 3 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 조성 내 술폰산의 함량이 3 중량% 미만이면 질산의 제한적 사용량에 의해서 인듐 산화막의 식각 속도 성능을 발휘하기 어렵고 인듐 산화막의 잔사가 발생 할 수 있다. 또한 술폰산의 함량이 10 중량% 초과시에는 인듐 산화막의 식각 속도가 빨라지고, 하부막으로 사용하는 Cu, Al, Mo, Ti 의 손상 발생이 증가할 수 있다.
본 발명에 있어 부식방지제는 질산 및 술폰산이 인듐 산화막의 하부막을 손상시키는 것을 억제할 수 있다. 상기 부식방지제는 암모늄을 포함하는 화합물일 수 있으며, 바람직하게는 암모늄 아세테이트(ammonium acetate, CH3COONH4), 암모늄 설파메이트(ammonium sulfamate, NH4SO3NH2), 암모늄벤젠디올(ammonium benzenediol, NH4C6H4(OH)2), 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate, NH2COONH4), 염화암모늄(ammonium chloride, NH4Cl), 인산암모늄(ammonium dihydrogen phosphate, NH4H2PO4), 암모늄 포메이트(ammonium formate, NH4COOH), 탄산수소 암모늄(ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 구연산 암모늄(ammonium citrate, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4), HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2), 질산암모늄(ammonium nitrate, NH4NO3), 과황산 암모늄(ammonium persulfate, (NH4)2S2O8), 암모늄 설파메이트(ammonium sulphamate, H2NSO3NH4) 및 황산암모늄(ammonium sulfate, (NH4)2SO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있고, 식각액 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 조성 내 부식방지제의 함량이 0.1 중량% 미만이면 하부막으로 사용되는 Cu, Al, Mo, Ti의 손상 발생률을 낮추기 어렵고, 5 중량%를 초과하면 인듐 산화막의 식각 속도를 저하시켜 원하는 성능을 얻을 수 없다.
본 발명에 있어 고리형 아민 화합물은 질산 및 술폰산이 인듐 산화막의 하부막을 손상시키는 것을 억제할 수 있다. 상기 고리형 아민 화합물은 피롤(pyrrole)계 화합물, 피라졸(pyrazol)계 화합물, 이미다졸(imidazole)계 화합물, 트리아졸(triazole)계 화합물, 테트라졸(tetrazole)계 화합물, 펜타졸(pentazole)계 화합물, 옥사졸(oxazole)계 화합물, 이소옥사졸(isoxazole)계 화합물, 디아졸(thiazole)계 화합물 및 이소디아졸(isothiazole)계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것일 수 있으며, 바람직하게는 트리아졸계 화합물로서 벤조트리아졸, 또는 테트라졸계 화합물로서 5-아미노테트라졸, 3-아미노테트라졸, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸에서 선택되는 1종 이상인 것일 수 있다. 상기 고리형 아민 화합물은 식각액 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 내지 5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 조성 내 고리형 아민 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만이면 하부막으로 사용되는 Cu, Al, Mo, Ti의 손상 발생률을 낮추기 어렵고, 5 중량%를 초과하면 인듐 산화막의 식각 속도를 저하시켜 원하는 성능을 얻을 수 없다.
상기 식각액 조성물 내 물은 탈이온수를 의미하며, 반도체 공정용으로 사용하고, 바람직하게는 18㏁/㎝이상의 물을 사용한다. 식각액 조성물의 총 함량에 대하여 물은 인듐 산화막 식각액 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다.
상기 식각액 조성물은 인듐을 포함하는 금속 산화막이 형성되어 있는 단일막으로 이루어진 금속 산화막 배선을 효과적으로 식각할 수 있으며, 액정 표시 장치와 같은 평판 디스플레이의 제조뿐만 아니라, 메모리 반도체 표시판 등의 제조에도 사용될 수 있는 것이 특징이다. 또한, 상기 식각액 조성물은 인듐을 포함하는 금속 산화막이 형성되어 있는 단일막으로 이루어진 금속 산화막 배선을 포함하는 다른 전자 장치의 제조에도 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 이용한 표시 기판의 제조방법도 제공한다.
상기 표시 기판의 제조 방법의 일례는 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; 상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 인듐 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 인듐 산화막을 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 패터닝하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 일례는 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계; 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하고, 인듐 산화물을 포함하는 1차 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 1차 화소 전극을 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 제거하는 단계; 및 상기 1차 화소 전극이 제거된 기판 상에 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하는 2차 화소 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예, 비교예 및 실험예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예, 비교예 및 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명은 하기 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예 1~6 및 비교예 1~5. 식각액 조성물의 제조
하기 표 1의 성분 및 함량(단위: 중량%)에 따라 식각액 조성물을 제조하였다.
구분 질산 MSA p-TSA A.S BTA 물
실시예 1 7 5.5 - 1 0.5 잔량
실시예 2 7 6.0 - 1 0.5 잔량
실시예 3 7 6.5 - 1 0.5 잔량
실시예 4 7 - 6.5 1 0.5 잔량
실시예 5 7 - 7.0 1 0.5 잔량
실시예 6 7 - 7.5 1 0.5 잔량
비교예 1 7 1.0 - 1 0.5 잔량
비교예 2 7 12.0 - 1 0.5 잔량
비교예 3 7 - - 1 0.5 잔량
비교예 4 1 6.0 - 1 0.5 잔량
비교예 5 12 6.0 - 1 0.5 잔량
* MSA: Methanesulfonic acid
* p-TSA: para-Toluenesulfonic acid
* A.S: Ammonium sulfate
* BTA: Benzotriazole
실험예 . 식각특성 평가
(1) IZO 단일막 사이드 에칭 평가
유리기판(100mm?100mm)상에 IZO막을 증착시켰다. 이후, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성된 샘플을 제작하였다.
상기 실시예 1~6 및 비교예 1~5의 식각액 조성물 각각을 사용하여 상기 샘플에 대하여 식각공정을 실시하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 33?로 하고 IZO막(90초 동안)의 식각을 진행하였다. Side etch 길이를 확인하여 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
(2) 잔사 평가
유리기판(100mmX100mm)상에 IZO막을 증착시켰다. 이후, 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통하여 소정의 패턴을 가진 포토레지스트가 형성된 샘플을 제작하였다.
상기 실시예 1~6 및 비교예 1~5 의 식각액 조성물 각각을 사용하여 상기 샘플에 대하여 식각공정을 실시하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비 (모델명: ETCHER(TFT), SEMES사)를 이용하였고, 식각공정시 식각액 조성물의 온도는 약 33℃로 하고 IZO막(90초 동안)의 식각을 진행하였다. 식각 후 노출 된 유리기판 상부에 IZO 잔사가 있는지 관찰 후, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
(3) 하부막 손상 평가
기판 상에 구리막, IZO막 및 포토 패턴을 순차적으로 형성한 샘플들에 대해서 상기 실시예 1~6 및 비교예 1~5의 식각액을 이용하여 IZO막을 10분동안 식각하고 상기 포토 패턴을 제거한 상태의 IZO막의 표면과 구리막이 식각액에 노출된 상태의 표면을 전자주사현미경(SEM)을 이용하여 촬영하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
구분 IZO 단일막 side etch(um) 식각 후 잔사 하부막(Cu) 손상
실시예 1 0.14 무 무
실시예 2 0.14 무 무
실시예 3 0.14 무 무
실시예 4 0.14 무 무
실시예 5 0.14 무 무
실시예 6 0.14 무 무
비교예 1 0.03 유 무
비교예 2 0.28 무 유
비교예 3 0.04 유 무
비교예 4 0.05 무 무
비교예 5 0.30 무 유
표 2에 나타난 바와 같이, 실시예 1~6은 식각 후 잔사가 발생하지 않았으며 하부막 손상도 없었고, 0.14um의 사이드 에칭 특성을 구현하였다. 반면, 술폰산의 함량이 부족한 비교예 1 또는 술폰산이 포함되지 않은 비교예 3의 경우에는 인듐 금속 산화막(IZO)의 식각 속도 저하로 실시예 1~6의 수준의 사이드 에칭 특성을 구현할 수 없었고, 식각 후 잔사가 발생함을 확인하였다. 또한 술폰산의 함량이 과다한 비교예 2의 경우에는 인듐 금속 산화막(IZO)의 식각 속도가 빨라져 원하는 수준의 사이드 에칭 특성을 구현할 수 없었고, 하부막 손상이 발생하였다.

Claims (8)

  1. 질산 3 내지 10 중량%,
    술폰산 3 내지 10 중량%,
    부식방지제 0.1 내지 5 중량%,
    고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및
    잔량의 물을 포함하는, 인듐 산화막 식각액 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 술폰산은 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 인듐 산화막 식각액 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 부식방지제는 암모늄 아세테이트(ammonium acetate, CH3COONH4), 암모늄 설파메이트(ammonium sulfamate, NH4SO3NH2), 암모늄벤젠디올(ammonium benzenediol, NH4C6H4(OH)2), 암모늄 카바메이트(ammonium carbamate, NH2COONH4), 염화암모늄(ammonium chloride, NH4Cl), 인산암모늄(ammonium dihydrogen phosphate, NH4H2PO4), 암모늄 포메이트(ammonium formate, NH4COOH), 탄산수소 암모늄(ammonium bicarbonate, NH4HCO3), 구연산 암모늄(ammonium citrate, H4NO2CCH2C(OH)(CO2NH4)CH2CO2NH4), HOC(CO2H)(CH2CO2NH4)2), 질산암모늄(ammonium nitrate, NH4NO3), 과황산 암모늄(ammonium persulfate, (NH4)2S2O8), 암모늄 설파메이트(ammonium sulphamate, H2NSO3NH4) 및 황산암모늄(ammonium sulfate, (NH4)2SO4)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 인듐 산화막 식각액 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고리형 아민 화합물은 피롤(pyrrole)계 화합물, 피라졸(pyrazol)계 화합물, 이미다졸(imidazole)계 화합물, 트리아졸(triazole)계 화합물, 테트라졸(tetrazole)계 화합물, 펜타졸(pentazole)계 화합물, 옥사졸(oxazole)계 화합물, 이소옥사졸(isoxazole)계 화합물, 디아졸(thiazole)계 화합물 및 이소디아졸(isothiazole)계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 인듐 산화막 식각액 조성물.
  5. 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
    상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 인듐 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 인듐 산화막을 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 패터닝하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 술폰산은 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 표시 기판의 제조 방법.
  7. 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하고, 인듐 산화물을 포함하는 1차 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 1차 화소 전극을 질산 3 내지 10 중량%, 술폰산 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 제거하는 단계; 및
    상기 1차 화소 전극이 제거된 기판 상에 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하는 2차 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 술폰산은 메탄술폰산(Methanesulfonic acid), 파라톨루엔술폰산(p-Toluenesulfonic acid), 설파민산(sulfamic acid) 및 나프톨술폰산(Naphtholsulfonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것인, 표시 기판의 제조 방법.
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