KR102513169B1 - 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물, 및 그를 사용하는 표시 기판의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 박막 트랜지스터 표시판(Thin Film Transistor, TFT)은 액정 표시 장치나 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로 기판으로써 사용된다. 박막 트랜지스터 표시판은 주사 신호를 전달하는 주사 신호 배선 또는 게이트 배선과, 화상 신호를 전달하는 화상 신호선 또는 데이터 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등으로 이루어져 있다.
이러한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 시에 기판 위에 게이트 배선 및 데이터 배선용 금속 층을 적층시키고, 이들 금속 층을 식각하는 과정이 그 뒤를 따르게 된다. 그리고 박막 트랜지스터와 연결 되어 있는 화소 전극인 Pixel 이 적층 되며 포토레지스트를 도포하고 패터닝 하는 공정이 진행 된다. 이때 Pixel 층과 접촉 하거나 노출되어 있는 Gate 배선이나 S/D 배선이 Pixel 패터닝 과정에서 변형이 될 수 있다.
상기와 같은 점을 개선하기 위해서는 사용하는 Pixel의 재질이 Gate 나 S/D 의 Metal 과 차이가 있어야 한다. 따라서 Pixel의 재질로는 a-ITO 또는 IZO 같은 인듐산화막을 주로 사용된다. 또한, Pixel의 식각에 사용되는 식각액은 Gate 나 S/D 배선에 데미지를 입히지 않아야 한다.
상기와 같은 종래의 식각액으로서, 대한민국 특허출원 제10-2012-0093499호는 질산계 화합물; 황산; 암모늄(NH4 +)을 포함하는 부식방지제; 고리형 아민 화합물; 및 물을 포함하는 인듐산화막의 비할로겐성 식각액을 개시하고 있다. 상기 식각액은 인듐산화막의 하부에 구리막이 형성되더라도 인듐산화막의 식각 공정에서 구리막이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있는 것으로 소개되고 있다.
그러나, 상기 식각액 조성물은 환경 유해 물질인 황산을 포함함으로써, 작업자의 안전을 위협하는 단점을 갖는다.
본 발명은, 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
인듐산화막에 대하여 우수한 식각 프로파일을 제공하며, 구리막, 알루미늄막 등의 하부막을 손상을 최소화하며, 황산을 포함하지 않을 뿐만 아니라, 질산의 함량도 감소시킬 수 있기 때문에 공정상의 크린 환경을 유지할 수 있는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용함으로써 생산효율이 크게 향상되는 표시 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은
조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계; 및
상기 인듐산화막을 패터닝하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 인듐산화막의 패터닝은 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물을 사용하여 인듐산화막을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하고, 인듐 산화물을 포함하는 1차 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 1차 화소 전극을 식각액 조성물을 사용하여 제거하는 단계; 및
상기 1차 화소 전극이 제거된 기판 상에 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하는 2차 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 1차 화소 전극의 제거에 사용되는 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 인듐사화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 인듐산화막에 대하여 우수한 식각 프로파일을 제공하며, 구리막, 알루미늄막 등의 하부막을 손상을 최소화하며, 황산을 포함하지 않을 뿐만 아니라, 질산의 함량도 감소시킬 수 있기 때문에 공정상의 크린 환경을 유지하는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명의 표시 기판의 제조방법은 상기 인듐산화막 식각액 조성물을 사용함으로써 생산효율이 크게 향상시키는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 시험예 1에 따르는 실시예와 비교예 식각액 조성물에 의해 형성된 사이드에치를 촬영한 SEM 이미지이다.
도 2는 본 발명의 시험예 1에 따르는 실시예와 비교예 식각액 조성물에 의해 식각이 이루어진 후, 하부 구리막의 손상상태를 촬영한 SEM 이미지이다.
도 2는 본 발명의 시험예 1에 따르는 실시예와 비교예 식각액 조성물에 의해 식각이 이루어진 후, 하부 구리막의 손상상태를 촬영한 SEM 이미지이다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 인듐산화막 식각액 조성물에 관한 것이다.
종래 인듐산화막 식각액 조성의 구성성분으로서 환경규제물질인 황산을 배제하는 연구가 진행되었으나, 강산인 황산을 배제할 경우 픽셀(pixel)의 식각속도를 높이기 위해 질산계 화합물의 함량을 과량으로 증가시켜야 하기 때문에 전체 질소(N)의 함량 증가로 폐수 처리량의 과부하를 초래하였다.
본 발명은 황산마그네슘(Magnesium Sulfate)을 식각액 조성물에 포함시킴으로써 상기와 같은 문제를 근본적으로 해결하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 식각 후 잔사가 발생하지 않고, 하부막인 Cu, Ti, Mo, Al의 손상 없이 인듐산화막을 식각할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 인듐산화막이란 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO), 인듐갈륨아연산화막(IGZO) 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 막질을 의미한다.
본 발명에 식각액 조성물에 있어서, 질산계 화합물은 인듐을 포함하는 인듐산화막을 식각하는 주성분으로서, 식각액 조성물의 총 중량에 대하여 3 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 9.5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 질산계 화합물의 함량이 3 중량% 미만이면 인듐산화막의 식각이 안되거나 식각속도가 아주 느리고, 10 중량%를 초과할 경우에는 식각 속도가 전체적으로 빨라지지만 공정을 컨트롤하는 것이 어려워 지거나 총 질소(N)의 증가로 폐수처리량의 증가를 초래할 수 있다.
상기 질산계 화합물은 질산 및 아질산 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 의미한다.
본 발명에 식각액 조성물에 있어서, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate)은 인듐산화막을 식각하는 식각 보조성분으로 포함된다. 특히, 상기 황산마그네슘은 황산을 대체할 수 있을 뿐만 아니라, 질산의 함량도 감소시킬 수 있는 효과를 제공한다. 상기 황산마그네슘은 3 내지 10 중량%로 포함되며, 더욱 바람직하게는 5 내지 7 중량%로 포함될 수 있다. 황산마그네슘이 3 중량% 미만으로 포함되면 질산계 화합물의 제한적 사용량에 의해서 인듐산화막의 식각속도가 느려지며, 10 중량%를 초과하는 경우에는 하부막으로 사용되는 Cu, Ti, Mo, Al 등에 대한 손상의 발생이 증가한다.
본 발명에 식각액 조성물에 있어서, 부식방지제는 질산계 화합물 및 황산마그네슘이 인듐산화막의 하부막을 손상시키는 것을 억제하는 기능을 수행한다.
상기 부식방지제로는 황산 암모늄 및 황화 암모늄 중에서 선택되는 1종 이상이 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 부식방지제는 0.1 내지 5 중량%로 포함될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%로 포함될 수 있다. 부식방지제가 0.1 중량% 미만으로 포함되면 하부막으로 사용하는 Cu, Al, Mo, Ti 등의 손상을 방지하기 어렵고, 5 중량%를 초과하는 경우에는 인듐산화막의 식각 속도를 저하시킨다.
본 발명에 식각액 조성물에 있어서, 고리형 아민 화합물은 질산계 화합물 및 황산마그네슘이 인듐산화막의 하부막을 손상시키는 것을 억제하는 기능을 수행한다.
상기 고리형 아민 화합물로는 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계, 이소디아졸(isothiazole)계 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 트리아졸계로서 벤조트리아졸, 테트라졸계로서 5-아미노테트라졸, 3-아미노테트라졸, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히 벤조트리아졸이 바람직하다.
상기 고리형 아민 화합물은 0.1 내지 5 중량%로 포함되며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 2중량%로 포함될 수 있다. 고리형 아민 화합물이 0.1 중량% 미만으로 포함되면 하부막으로 사용하는 Cu, Al, Mo, Ti 등의 손상을 방지하기 어렵고 5 중량%를 초과하는 경우에는 인듐산화막의 식각 속도를 저하시킨다.
본 발명에 식각액 조성물에 있어서, 물로는 탈이온수가 바람직하게 사용될 수 있으며, 상기 탈이온수는 반도체 공정용이 바람직하며, 18㏁/㎝이상의 물을 사용할 수 있다. 상기 물은 인듐산화막 식각액 조성물 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량으로 포함된다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물을 사용함으로써, 인듐을 포함하는 금속 산화막 형성되어 있는 단일막으로 이루어진 인듐산화막 배선을 효과적으로 식각할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 식각액은 액정 표시 장치와 같은 평판 디스플레이의 제조뿐만 아니라, 메모리 반도체 표시판 등의 제조에도 사용될 수 있다. 또한, 인듐을 포함하는 금속 산화막 형성되어 있는 단일막으로 이루어진 인듐산화막 배선을 포함하는 다른 전자 장치의 제조에도 사용될 수 있다.
본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물은 상기에 언급한 성분들 외에 첨가제로서 식각 조절제, 금속 이온 봉쇄제, 부식방지제, pH 조절제 등 이 분야에서 통상적으로 사용하는 첨가제들을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은
절연 기판 위에 하부 게이트 금속층 및 상부 게이트 금속층을 포함하는 게이트 금속층을 형성하는 단계;
상기 게이트 금속층을 식각하여 게이트 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계;
상기 게이트선 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 위에 제1 비정질 규소층, 제2 비정질 규소층, 하부 데이터 금속층 및 상부 데이터 금속층을 순차적으로 형성하는 단계;
상기 제1 비정질 규소층, 제2 비정질 규소층, 하부 데이터 금속층 및 상부 데이터 금속층을 식각하여 반도체, 저항성 접촉층, 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계;
상기 데이터선, 드레인 전극 및 게이트 절연막 위에 보호막을 형성하는 단계; 및
상기 보호막 위에 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 화소 전극을 형성하는 단계는 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물로 인듐산화막을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은
기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계; 및
상기 인듐산화막을 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물을 사용하여 패터닝함으로써 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일실시예에서 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은 구리막으로 형성될 수 있다.
일실시예에서 상기 인듐산화막을 상기 스위칭 소자가 형성된 기판을 커버 하도록 형성한 후, 상기 인듐산화막을 상기 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물로 식각하여 상기 드레인 전극과 직접 접촉하는 상기 제1 화소 전극을 형성할 수 있다.
일실시예에서, 상기 표시 기판의 제조 방법은 상기 제1 화소 전극이 형성된 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층이 형성된 기판 상에 상기 제1 화소 전극과 중첩되고 슬릿 패턴을 갖는 제2 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 절연층을 식각하여 상기 스위칭 소자와 연결된 신호 배선의 단부 상에 패드 홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일실시예에서, 상기 제2 화소 전극을 형성할 때, 상기 패드 홀을 통해서 상기 신호 배선의 단부와 콘택하는 콘택 전극을 형성할 수 있다.
일실시예에서, 상기 제1 화소 전극을 형성할 때, 상기 스위칭 소자와 연결된 신호 배선의 단부 위에 버퍼 전극을 더 형성할 수 있다. 이때, 상기 제2 화소 전극을 형성할 때, 상기 패드 홀을 통해서 상기 버퍼 전극과 접촉하는 콘택 전극을 형성할 수 있다.
일실시예에서, 상기 스위칭 소자가 형성된 기판을 커버하도록 절연층을 형성한 후, 상기 절연층을 패터닝하여 상기 드레인 전극을 부분적으로 노출시키는 콘택홀을 형성할 수 있다. 이 때, 상기 인듐산화막은 상기 콘택홀이 형성된 기판을 커버하도록 형성되고, 상기 제1 화소 전극은 상기 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극과 접촉할 수 있다.
일실시예에서, 상기 인듐산화막은 비정질 상태를 가지고, 상기 제1 화소 전극을 형성하는 단계는 상기 비정질의 상기 제1 화소 전극을 열처리하여 결정화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은
기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는단계;
상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하고, 인듐산화물을 포함하는 1차 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 1차 화소 전극을 본 발명의 인듐산화막 식각액 조성물을 이용하여 제거하는 단계; 및
상기 1차 화소 전극이 제거된 기판 상에 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하는 2차 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예
및
비교예
:
식각액
조성물의 제조
하기 표 1에 나타낸 성분들을 해당 조성비로 혼합하여 각각의 식각액 조성물 10kg씩을 제조하였다.
시험예
:
식각특성평가
100mmX100mm의 유리(SiO2)기판 상에 Cu막을 5000Å 두께로 증착하고, 그 위에 IZO를 550Å 두께로 증착한 기판을 시편으로 사용하여, 상기 IZO의 상부에 포토레지스트막을 형성하였다. 상기 실시예 및 비교예의 식각액 조성물들을 사용하여 33℃에서 식각을 실시하였다.
Etcher는 0.5세대 Glass Size를 처리할 수 있는 장비를 사용하였으며, 식각액 조성물은 0.1MPa로 분사되었고, Etcher zone에서의 배기압력은 20Pa를 유지하였다. 식각완료 후, SEM 장비를 이용하여 사이드에치를 측정하고, 하부 구리막의 손상 정도를 확인하고, 그 결과를 하기 표 1 및 도 1에 나타내었다.
<하부
구리막
손상 평가 기준>
X: damage 없음, △: 부분적 damage 발생, ○: damage 발생
| 식각액 조성물 (중량 % ) |
IZO
84 sec Etch 후 Side Etch (㎛) |
하부 Metal (Cu) Damage 정도 | |||||||||
| 질산계 화합물 | 황산마그 네슘 | 벤조 트리아졸 | 황산 | 황산 암모늄 | 황산구리 | 황산 나트륨 | 황산 칼륨 | DW | IZO | Cu | |
| 실시예1 | 9.5 | 5.0 | 0.5 | - | 1.0 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예2 | 9.5 | 7.0 | 0.4 | - | 0.9 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예3 | 3.0 | 10.0 | 0.4 | - | 0.9 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예4 | 9.5 | 3.0 | 0.3 | - | 0.8 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예5 | 4.0 | 10.0 | 0.5 | - | 1.0 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예6 | 9.5 | 7.0 | 0.4 | - | 1.0 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예7 | 9.5 | 8.0 | 2.0 | - | 0.9 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예8 | 9.5 | 7.0 | 0.7 | - | 0.3 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 실시예9 | 9.5 | 8.0 | 0.4 | - | 2.0 | - | - | - | 잔량 | 0.20 | X |
| 비교예1 | 9.5 | - | 0.5 | - | 1.0 | - | - | - | 잔량 | 0.11 | X |
| 비교예2 | 9.5 | 2.0 | 0.5 | - | 1.0 | - | - | - | 잔량 | 0.12 | X |
| 비교예3 | 9.5 | 11.0 | 0.5 | - | 1.0 | - | - | - | 잔량 | 0.24 | △ |
| 비교예4 | 9.5 | - | 0.5 | - | 1.0 | 5.0 | - | - | 잔량 | 0.12 | X |
| 비교예5 | 9.5 | - | 0.5 | - | 1.0 | - | 5.0 | - | 잔량 | 0.12 | X |
| 비교예6 | 9.5 | - | 0.5 | - | 1.0 | - | - | 5.0 | 잔량 | 0.12 | X |
상기 표 1 및 도 1 및 2에 나타낸 바와 같이, 황산마그네슘을 포함한 본 발명의 실시예 1 내지 9의 경우는 식각속도 및 하부막부식방지에 있어서 우수한 식각 성능을 나타냈다. 특히, 실시예 3 및 5의 경우는 질산의 함량을 현저히 낮추었음에도 불구하고 우수한 식각성능을 제공하였다.
반면, 다른 황산염을 포함한 비교예 1~6의 식각액 조성물의 경우는 식각속도가 부족하거나 하부막부식방지 효과가 부족한 것으로 확인되었다.
Claims (7)
- 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하며, 황산을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 질산계 화합물은 질산 및 아질산 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 부식방지제는 황산 암모늄 및 황화 암모늄 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물. - 제1항에 있어서,
상기 고리형 아민 화합물은 피롤(pyrrole)계 화합물, 피라졸(pyrazol)계 화합물, 이미다졸(imidazole)계 화합물, 트리아졸(triazole)계 화합물, 테트라졸(tetrazole)계 화합물, 펜타졸(pentazole)계 화합물, 옥사졸(oxazole)계 화합물, 이소옥사졸(isoxazole)계 화합물, 디아졸(thiazole)계 화합물 및 이소디아졸(isothiazole)계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인듐산화막 식각액 조성물. - 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
상기 스위칭 소자가 형성된 기판 상에 인듐산화막을 형성하는 단계; 및
상기 인듐산화막을 패터닝하여 상기 드레인 전극과 접촉하는 제1 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 인듐산화막의 패터닝은 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하며, 황산을 포함하지 않는 식각액 조성물을 사용하여 인듐산화막을 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법. - 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계;
상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하고, 인듐 산화물을 포함하는 1차 화소 전극을 형성하는 단계;
상기 1차 화소 전극을 식각액 조성물을 사용하여 제거하는 단계; 및
상기 1차 화소 전극이 제거된 기판 상에 상기 드레인 전극과 직접적으로 콘택하는 2차 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 1차 화소 전극의 제거에 사용되는 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 질산계 화합물 3 내지 10 중량%, 황산마그네슘(Magnesium Sulfate) 3 내지 10 중량%, 부식방지제 0.1 내지 5 중량%, 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%, 및 잔량의 물을 포함하며, 황산을 포함하지 않는 인듐산화막 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 표시 기판의 제조 방법.
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