KR20160041173A - 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치는 약액 공급부, 제1 액절 나이프 및 반송부를 포함한다. 상기 약액 공급부는 금속 패턴 및 상기 금속 패턴 상에 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 세정하며, 상기 기판 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위하여 제1 약액을 공급한다. 상기 제1 액절 나이프는 상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 제2 약액을 분사한다. 상기 반송부는 상기 기판을 상기 약액 공급부에서 상기 제1 액절 나이프로 반송한다. 이에 따라, 금속 패턴의 식각 공정 이후, 세정 공정에서 금속 석출물을 제거하여, 배선의 단선을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD OF TREATING A SUBSTRATE USING THE SAME}
기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세정 공정에서 금속 석출물을 제거하여, 배선의 단선을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있으며, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정 셀의 복굴절성, 선광성, 2 색성 및 광 산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 영상을 표시하는 액정 표시 패널을 포함한다. 상기 액정 표시 패널은 금속을 이용하여 배선 패턴을 형성하는데, 이러한 배선 패턴은 마스크를 이용한 노광 공정 및 식각액을 이용한 식각 공정을 거쳐 패터닝 된다. 식각 공정 이후, 기판 상의 잔류 식각액을 제거하기 위하여 세정액을 이용하여 세정 공정이 진행된다.
이후 기판 상의 세정액을 제거하기 위하여 액절 나이프를 이용하여 기체를 고압으로 분사한다. 일반적으로, 액절 나이프는 에어 나이프(air knife)로서, 공기를 고압으로 분사하여 세정액을 제거한다. 잔류 식각액은 금속 물질의 일부를 포함하고 있는데, 상기 금속 물질과 상기 세정액이 반응하여, 금속 석출물이 형성될 수 있다. 상기 금속 석출물은 고압의 공기에 의하여 상기 액절 나이프 끝단에 형성된다.
상기 금속 석출물은 상기 기판 상에 드롭(drop)되어, 상기 배선 패턴 상의 포토레지스트가 찢어질 수 있으며, 이에 따라, 배선의 단선이 발생한다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 세정 공정에서 금속 석출물을 제거하여, 배선의 단선을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 약액 공급부, 제1 액절 나이프 및 반송부를 포함한다. 상기 약액 공급부는 금속 패턴 및 상기 금속 패턴 상에 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 세정하며, 상기 기판 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위하여 제1 약액을 공급한다. 상기 제1 액절 나이프는 상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 제2 약액을 분사한다. 상기 반송부는 상기 기판을 상기 약액 공급부에서 상기 제1 액절 나이프로 반송한다.
일 실시예에서, 상기 금속 패턴은 구리(copper, Cu)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 동일한 물질을 포함할 수있다. 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 금속 석출물은 상기 제1 약액이 상기 식각액 내에 분산되어 있는 구리와 반응하여 석출될 수 있다. 상기 금속 석출물은 소듐 퍼설페이트(sodium persulfate, SPS), 염화구리(copper chloride), 아미노 테트라졸(aminotetrazole, ATZ)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프는 상기 제2 약액을 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프는 상기 약액 공급부로부터 상기 제2 약액을 공급받을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프와 인접하여 배치되며, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 기체를 분사하는 제2 액절 나이프를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기체는 공기 또는 질소(N2) 가스일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 액절 나이프는 상기 기체를 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 액절 나이프와 인접하여 배치되며, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 제2 약액을 분사하는 제3 액절 나이프를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 액절 나이프는 상기 제1 액절 나이프 및 상기 제3 액절 나이프 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프와 인접하여 배치되며, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 기체를 분사하는 제4 액절 나이프를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 액절 나이프는 상기 제2 액절 나이프 및 상기 제4 액절 나이프 사이에 배치될 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 기판 처리 방법이 제공된다. 상기 방법에서, 기판 상에 금속 패턴 및 상기 금속 패턴 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 기판 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위하여 제1 약액을 공급한다. 상기 기판 상에 상기 기판의 반송 방향의 반대방향으로 기울어진 제1 액절 나이프로 제2 약액을 분사하여 상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거한다.
일 실시예에서, 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 동일한 물질을 포함할 수있다. 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프는 상기 제2 약액을 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 상에 상기 기판의 반송 방향의 반대방향으로 기울어진 제2 액절 나이프로 기체를 분사하여 상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기체는 공기 또는 질소(N2) 가스일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 액절 나이프는 상기 기체를 3Kgf/cm2 내지10Kgf/cm2의 압력으로 분사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프와 상기 제2 액절 나이프는 서로 인접하여 배치되며, 상기 제2 약액 및 상기 기체를 동시에 분사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프와 상기 제2 액절 나이프는 간격을 두고 배치될 수 있으며, 상기 제2 약액을 분사한 후, 상기 기체를 분사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 액절 나이프와 상기 제2 액절 나이프는 간격을 두고 배치될 수 있으며, 상기 기체을 분사한 후, 상기 제2 약액를 분사할 수 있다.
이와 같은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 따르면, 금속 패턴의 식각 공정 이후, 세정 공정에서 금속 석출물을 제거하여, 배선의 단선을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 액절 나이프의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 액절 나이프의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판의 단면도들이다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 액절 나이프의 개략도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 액절 나이프의 개략도이다.
도 1 내지 도 5을 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 세정 챔버(100), 약액 공급부(200), 제1 액절 나이프(300), 제2 액절 나이프(400) 및 반송부(500)을 포함한다.
상기 세정 챔버(100)은 식각 공정이 완료된 기판(10)의 세정을 위한 공간을 제공한다. 상기 약액 공급부(200), 상기 제1 액절 나이프(300), 상기 제2 액절 나이프(400) 및 상기 반송부(500)는 상기 세정 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있다.
상기 기판(10) 상에 금속 패턴을 형성하기 위한 금속층을 형성한다. 상기 금속층 상에 포토레지스트 물질을 도포한 후, 마스크를 이용하여, 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 식각액을 이용한 식각 공정을 통하여 상기 금속층을 식각하여 상기 금속 패턴을 형성한다. 따라서, 상기 기판(10) 상에 상기 금속 패턴을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 패턴은 구리(copper, Cu)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 금속 패턴은 게이트 전극(11) 및 게이트 라인을 포함하는 게이트 패턴일 수 있다. 상기 게이트 전극(11) 상에 제1 포토레지스트 패턴(PR1)이 배치될 수 있다.
이와 달리, 상기 금속 패턴은 소스 전극(13) 및 드레인 전극(14)을 포함하는 데이터 패턴일 수 있다. 상기 소스 전극(13) 및 상기 드레인 전극(14) 상에 각각 제2 포토레지스트 패턴(PR2)이 배치될 수 있다.
식각 공정 후, 상기 기판(10)을 세정할 수 있다. 이때에, 상기 기판(10) 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위하여 약액 공급부(200)에서 제1 약액을 공급할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 포함할 수 있다. 상기 제1 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의혼합물로 제공될 수 있다.
상기 기판(10) 상에는 상기 금속 패턴을 식각한 후 식각액이 잔류할 수 있다. 상기 식각액은 금속 물질을 포함한다. 예를 들어, 상기 금속 물질은 구리(Cu)일 수 있다. 구리는 상기 식각액 내에 분산되어 있을 수 있다.
상기 금속 물질은 상기 제1 약액과 반응하여 염(salt) 형태의 금속 석출물로 석출될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 석출물은 소듐 퍼설페이트(sodium persulfate, SPS), 염화구리(copper chloride), 아미노 테트라졸(aminotetrazole, ATZ)일 수 있다.
상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 기판(10) 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 제2 약액을 분사한다.
상기 제1 액절 나이프(300)는 소스 공급관(310), 소스 분사부(320) 및 상기 소스 공급관(310)을 통하여 액절 소스를 공급하는 소스 공급부(330)를 포함한다.
상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 기판(10)의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 제2 약액을 분사할 수 있다.
상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 동일한 물질을 포함한다. 예를 들어, 상기 제2 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 제2 약액을 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사한다. 상기 제2 약액이 3Kgf/cm2 미만의 압력으로 분사되는 경우, 상기 기판(10) 상의 상기 제1 약액이 제거되지 않을 수 있다. 상기 제2 약액이 10Kgf/cm2의 압력으로 분사되는 경우, 상기 기판(10)과 상기 기판(10)상의 상기 금속 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴이 찢어지는 문제점이 있다.
상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 약액 공급부(200)와 연결되어 상기 제2 약액을 공급 받을 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제2 액절 나이프(400)를 포함하며, 상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 제1 액절 나이프와 인접하여 배치된다.
상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 기판(10) 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 기체를 분사한다.
상기 제2 액절 나이프(400)는 유체 공급관(410), 유체 분사부(420) 및 상기 유체 공급관(410)을 통하여 액절 소스를 공급하는 유체 공급부(430)를 포함한다.
상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 기판(10)의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 기체를 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 기체는 공기 또는 질소(N2) 가스일 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 기체를 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사한다. 상기 기체가 3Kgf/cm2 미만의 압력으로 분사되는 경우, 상기 기판(10) 상의 상기 제1 약액이 제거되지 않을 수 있다. 상기 기체가 10Kgf/cm2의 압력으로 분사되는 경우, 상기 기판(10)과 상기 기판(10)상의 상기 금속 패턴 및 상기 포토레지스트 패턴이 찢어지는 문제점이 있다.
상기 제1 액절 나이프(300) 및 상기 제2 액절 나이프(400)는 서로 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(10) 상에 상기 제2 약액 및 상기 기체를 동시에 분사하여, 상기 기판(10) 상에 잔류하는 상기 제1 약액을 제거할 수 있다.
이와 달리, 상기 제1 액절 나이프(300) 및 상기 제2 액절 나이프(400)는 간격을 두고 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 기판(10)에 대하여, 상기 제2 액절 나이프(400) 보다 선행하여 상기 제2 약액을 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(10) 상에 상기 제2 약액을 분사한 후, 상기 기체를 분사하여, 상기 기판(10) 상에 잔류하는 상기 제1 약액을 제거할 수 있다.
상기 반송부(500)는 상기 기판(10)을 상기 약액 공급부(200)에서 상기 제1 액절 나이프(300) 및 상기 제2 액절 나이프(400)를 향하여 반송할 수 있다. 상기 반송부(500)는 상기 세정 챔버(100)의 내부 및 외부에 배치되어 상기 기판(10)을 연속적으로 반송할 수 있다. 예를 들어, 상기 반송부(500)는 롤러(roller)일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 액절 나이프(300) 및 상기 제2 액절 나이프(400)는 간격을 두고 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 기판(10)에 대하여, 상기 제1 액절 나이프(300) 보다 선행하여 상기 기체를 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(10) 상에 상기 기체를 분사한 후, 상기 제2 약액을 분사하여, 상기 기판(10) 상에 잔류하는 상기 제1 약액을 제거할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 세정 챔버(100), 약액 공급부(200), 제1 액절 나이프(300), 제2 액절 나이프(400), 제3 액절 나이프(350) 및 반송부(500)을 포함한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제3 액절 나이프(350)를 제외한 나머지 구성들은, 도 1 내지 도 5에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치와 동일하므로, 이하 설명을 생략하도록 한다.
상기 제3 액절 나이프(350)는 상기 제2 액절 나이프(400)와 인접하여 배치된다. 예를 들어, 상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 제1 액절 나이프(300) 및 상기 제3 액절 나이프(350) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제3 액절 나이프(350)는 상기 기판(10) 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 제2 약액을 분사한다.
예를 들어, 상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 기판(10)에 대하여, 상기 제2 액절 나이프(400) 보다 선행하여 상기 제2 약액을 분사할 수 있으며, 상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 기판(10)에 대하여, 상기 제3 액절 나이프(350) 보다 선행하여 상기 기체를 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(10) 상에 상기 제2 약액을 분사한 후, 상기 기체를 분사하고, 재차 상기 제2 약액을 분사하여, 상기 기판(10) 상에 잔류하는 상기 제1 약액을 제거할 수 있다.
상기 제3 액절 나이프(350)는 상기 기판(10)의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 제2 약액을 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 제3 액절 나이프(350)는 상기 제2 약액을 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사한다.
상기 제3 액절 나이프(350)는 상기 약액 공급부(200)와 연결되어 상기 제2 약액을 공급 받을 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 기판 처리 장치는 세정 챔버(100), 약액 공급부(200), 제1 액절 나이프(300), 제2 액절 나이프(400), 제4 액절 나이프(450) 및 반송부(500)을 포함한다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제4 액절 나이프(450)를 제외한 나머지 구성들은, 도 6에 따른 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치와 동일하므로, 이하 설명을 생략하도록 한다.
상기 제4 액절 나이프(450)는 상기 제1 액절 나이프(300)와 인접하여 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 제2 액절 나이프(400) 및 상기 제4 액절 나이프(450) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제4 액절 나이프(450)는 상기 기판(10) 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기체를 분사한다.
예를 들어, 상기 제2 액절 나이프(400)는 상기 기판(10)에 대하여, 상기 제1 액절 나이프(300) 보다 선행하여 상기 기체를 분사할 수 있으며, 상기 제1 액절 나이프(300)는 상기 기판(10)에 대하여, 상기 제4 액절 나이프(450) 보다 선행하여 상기 제2 약액을 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(10) 상에 상기 기체를 분사한 후, 상기 제2 약액을 분사하고, 재차 상기 기체를 분사하여, 상기 기판(10) 상에 잔류하는 상기 제1 약액을 제거할 수 있다.
상기 제4 액절 나이프(450)는 상기 기판(10)의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 기체를 분사할 수 있다.
예를 들어, 상기 제4 액절 나이프(350)는 상기 기체를 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사한다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 액정 표시 장치 또는 유기 전계 표시 장치 등에 적용될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 세정 챔버 200: 약액 공급부
300: 제1 액절 나이프 350: 제3 액절 나이프
400: 제2 액절 나이프 450: 제4 액절 나이프
500: 반송부

Claims (20)

  1. 금속 패턴 및 상기 금속 패턴 상에 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 세정하며, 상기 기판 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위하여 제1 약액을 공급하는 약액 공급부;
    상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 제2 약액을 분사하는 제1 액절 나이프; 및
    상기 기판을 상기 약액 공급부에서 상기 제1 액절 나이프로 반송하는 반송부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 패턴은 구리(copper, Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 동일한 물질을 포함하며, 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 금속 석출물은 상기 제1 약액이 상기 식각액 내에 분산되어 있는 구리와 반응하여 석출되며,
    상기 금속 석출물은 소듐 퍼설페이트(sodium persulfate, SPS), 염화구리(copper chloride), 아미노 테트라졸(aminotetrazole, ATZ)로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프는 상기 제2 약액을 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프는 상기 약액 공급부로부터 상기 제2 약액을 공급받는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프와 인접하여 배치되며, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 기체를 분사하는 제2 액절 나이프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기체는 공기 또는 질소(N2) 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2 액절 나이프는 상기 기체를 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제2 액절 나이프와 인접하여 배치되며, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 제2 약액을 분사하는 제3 액절 나이프를 더 포함하며,
    상기 제2 액절 나이프는 상기 제1 액절 나이프 및 상기 제3 액절 나이프 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프와 인접하여 배치되며, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하기 위하여 상기 기판의 반송 방향의 반대로 기울어져 상기 기체를 분사하는 제4 액절 나이프를 더 포함하며,
    상기 제1 액절 나이프는 상기 제2 액절 나이프 및 상기 제4 액절 나이프 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 기판 상에 금속 패턴 및 상기 금속 패턴 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
    상기 기판 상에 잔류하는 식각액을 제거하기 위하여 제1 약액을 공급하는 단계
    상기 기판 상에 상기 기판의 반송 방향의 반대방향으로 기울어진 제1 액절 나이프로 제2 약액을 분사하여 상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 동일한 물질을 포함하며, 상기 제1 약액 및 상기 제2 약액은 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프는 상기 제2 약액을 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기판 상에 상기 기판의 반송 방향의 반대방향으로 기울어진 제2 액절 나이프로 기체를 분사하여 상기 기판 상에 잔류하는 금속 석출물을 포함하는 상기 제1 약액을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기체는 공기 또는 질소(N2) 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제2 액절 나이프는 상기 기체를 3Kgf/cm2 내지 10Kgf/cm2의 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프와 상기 제2 액절 나이프는 서로 인접하여 배치되며, 상기 제2 약액 및 상기 기체를 동시에 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프와 상기 제2 액절 나이프는 간격을 두고 배치되며, 상기 제2 약액을 분사한 후, 상기 기체를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 제1 액절 나이프와 상기 제2 액절 나이프는 간격을 두고 배치되며, 상기 기체을 분사한 후, 상기 제2 약액를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960026319A (ko) * 1994-12-27 1996-07-22 김주용 웨이퍼 세정방법
KR19980060366U (ko) * 1997-03-10 1998-11-05 구자홍 에어나이프 세정/건조장치
US20020134403A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-26 Selwyn Gary S. Combined plasma/liquid cleaning of substrates
US20120118331A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-17 Beung-Hwa Jeong System and method for cleaning substrate
KR20120139996A (ko) * 2011-06-20 2012-12-28 주식회사 엘지화학 플로트 유리 세정 시스템
KR20140051646A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조용 현상 장치

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5308400A (en) * 1992-09-02 1994-05-03 United Microelectronics Corporation Room temperature wafer cleaning process
TW334359B (en) * 1995-12-04 1998-06-21 Dai Nippon Scolin Seizo Kk Apparatus and method for treating substrates
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
JP4181853B2 (ja) * 2002-11-15 2008-11-19 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 積層膜の複合ウェットエッチング方法
TW594841B (en) * 2003-05-28 2004-06-21 Au Optronics Corp Apparatus and method for preventing contamination of substrate from condensate liquid
JP4045214B2 (ja) * 2003-08-12 2008-02-13 株式会社 日立ディスプレイズ 表示素子の製造方法及び製造装置
JP2005191511A (ja) * 2003-12-02 2005-07-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7931755B2 (en) * 2003-12-19 2011-04-26 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd Method for removing deposit from substrate and method for drying substrate, as well as apparatus for removing deposit from substrate and apparatus for drying substrate using these methods
KR20060061622A (ko) 2004-12-02 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액절 장치 및 그를 이용한 습식 공정 장비
KR20070111549A (ko) * 2005-03-11 2007-11-21 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 구리의 표면 처리 방법 및 구리
KR20070008151A (ko) 2005-07-13 2007-01-17 삼성전자주식회사 평판 표시 장치의 제조 시스템
JP4776380B2 (ja) * 2006-01-20 2011-09-21 株式会社東芝 処理装置及び処理方法
KR20080036441A (ko) * 2006-10-23 2008-04-28 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거 장치
KR20080090070A (ko) * 2007-04-04 2008-10-08 삼성전자주식회사 에어나이프 및 이를 포함하는 기판 건조 장치
US20120006485A1 (en) * 2009-02-02 2012-01-12 Makoto Tanabe Substrate treatment device
KR20100123471A (ko) 2009-05-15 2010-11-24 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR101118929B1 (ko) * 2010-09-13 2012-02-27 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지의 제조 장치 및 제조 방법
KR102092702B1 (ko) * 2011-06-14 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 기판 세정 장치
TWM429172U (en) * 2011-11-18 2012-05-11 Hulk Energy Technology Co Ltd Surface treatment apparatus
CN104362118B (zh) * 2014-11-24 2017-02-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种液刀清洗装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960026319A (ko) * 1994-12-27 1996-07-22 김주용 웨이퍼 세정방법
KR19980060366U (ko) * 1997-03-10 1998-11-05 구자홍 에어나이프 세정/건조장치
US20020134403A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-26 Selwyn Gary S. Combined plasma/liquid cleaning of substrates
US20120118331A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-17 Beung-Hwa Jeong System and method for cleaning substrate
KR20120139996A (ko) * 2011-06-20 2012-12-28 주식회사 엘지화학 플로트 유리 세정 시스템
KR20140051646A (ko) * 2012-10-23 2014-05-02 세메스 주식회사 집적회로 소자 제조용 현상 장치

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