KR20160017104A - Ｓｉｏ２ 레지스트층 제조용 조성물 및 이의 사용 방법 - Google Patents

Ｓｉｏ２ 레지스트층 제조용 조성물 및 이의 사용 방법 Download PDF

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케이티 페터슨
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 동안의 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인의 제조에 유용하며, 잉크젯 작동에서의 적용에 적합한 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 신규한 조성물을 이용하는 반도체 장치의 변형된 제조 방법에 관한 것이다.

Description

ＳＩＯ２ 레지스트층 제조용 조성물 및 이의 사용 방법 {COMPOSITION FOR MANUFACTURING SIO２ RESIST LAYERS AND METHOD OF ITS USE}
본 발명은 반도체 장치의 제조 방법 동안의 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인의 제조에 유용하며, 잉크젯 작동에서의 적용에 적합한 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 신규한 조성물을 이용하는 반도체 장치의 변형된 제조 방법에 관한 것이다.
선행 기술
반도체 장치는 통상적으로, 반도체 기판에서 서로 어느 정도 떨어진 거리에 위치하는 고도로 도핑된 부위, 및 고도로 도핑된 부위 사이에 위치하는 저수준으로 도핑된 부위의 패턴을 갖는다. 도핑 패턴은 고도로 도핑된 부위에 일부 이상 적용된 적합한 도핑 조성물을 적용함으로써 달성된다. 이후 기판은 확산 단계를 거쳐, 상기 단계에서 도핑 원자는 적용된 도핑 조성물로부터 기판으로 확산되고 고도로 도핑된 부위에서 접촉물이 제조된다.
반도체 장치에서의 접촉물을 제조하기 위한 상이한 방법이 알려져 있으며, 제조된 장치의 효율을 증가시키기 위한 수많은 방법이 존재한다. 방사체측 상의 접촉물 밑의 부위를 n+ 부위보다 더 큰 정도로 도핑하는 것이 유리함이 발견되었다 (즉, 인광체로 n++ 확산을 실행하기 위함). 이러한 구조는 선택적 또는 2 단계 방사체로서 알려져 있다 [A Goetzberger, B. Voβ, J. Knobloch, Sonnenenergie: Photovoltaik, p.115, p.141].
선택적 방사체로 태양 전지를 제조하는 이러한 모든 알려져 있는 방법은 하나 이상의 구조화 단계를 기초로 한다. 통상적으로, 이러한 방법은 간극의 구축을 위한 사진석판술 방법을 사용하며, 이는 SiO2 층에 국소적으로 도핑될 수 있게 한다 (다시금, 기저 규소층이 기체상에서 도핑 (POCl3 또는 PH3 으로 도핑) 되는 것을 방지함). 도핑 윈도우는 HF, NH4HF2 를 사용하여 SiO2 에 에칭된다.
에칭 페이스트의 적용에 의한 SiO2-층의 국소적 개방에 사용되는 방법이 DE 10101926 또는 WO 01/83391 에 개시되어 있다.
통상적인 표준 태양 전지 제조 방법 (선택적 방사체를 사용하지 않는) 과 비교하여 증가된 제조 비용 및 필요한 공정 단계의 증가로 인해, 예를 들어 선택적 방사체를 사용하는 이러한 높은 효율의 태양 전지의 대량 제조의 수행은 이제까지 일반적으로 실패했다.
발명의 목적
그러므로, 본 발명의 목적은 상응하는 단순하고 값싼 방법 및 그에 사용될 수 있는 적합한 조성물을 제공하여, 상기 언급한 불리한 점 및 문제점이 회피될 수 있게 하고, 이로 인해 반도체 장치의 제조 방법 동안의 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인이 제조될 수 있게 하며 잉크젯 작동에 적용될 수 있게 하는 것이다. 본 발명의 추가적인 목적은 대량 제조로의 발전된 방법의 수행을 가능하게 하는 감소된 수의 제조 단계로 태양 전지를 제조하기 위한 신규하고 매우 효율적인 방법을 제공하는 것이다.
수많은, 값비싸고 시간 소비적인 제조 방법의 문제점을 극복하기 위해 많은 실험이 수행되었고, 도핑 마스크 (이하, 쏠라 레지스트 (Solar Resist) 로 지칭함) 가 PV 제조에서의 도핑 공정으로부터 규소 웨이퍼 부위를 보호하는데 적합하다는 것을 발견하였다. 이러한 도핑 마스크의 제조는 용액으로부터의 중합체성/올리고머성 실리케이트 또는 실록산 기재 SiO2 전구체의 적용에 의해 주로 발생한다. 제 2 단계에서 상기 전구체 층은 SiO2 로 이루어지는 불투과성 필름을 유리시키기 위해 승온에서 처리된다 (베이킹). 상기 필름은 도펀트에 대해, 예를 들어 POCl3 에 의한 p 도핑에 대해 Si 를 차폐할 수 있다.
방법의 비교:
선택적 방사체에 대한 통상적인 제조 방법
Figure pat00001
본 발명에 따른 선택적 방사체에 대한 제조 방법
Figure pat00002
잉크젯, 소프트 석판술 및 이러한 인쇄 방법의 변형물과 같은 많은 인쇄 방법에서, 저점도 내지 중간 점도 (1-150 cps) 의 마이크로-스탬핑, 플랙소 및 그라비어 인쇄 잉크가 사용된다.
전구체 조성물의 적용이 인쇄 도구와 표면을 접촉시키지 않고 실행될 수 있기 때문에, 쏠라 레지스트의 잉크젯 인쇄가 SiO2-층에 대해 전구체 물질을 적용하기에 유리한 방법이라는 것이 밝혀졌다. 따라서, 이는 깨지기 쉬운 기판의 처리에 특히 적합하다. 유리하게는, 인쇄는 디지털화되며 인쇄된 이미지를 수정하고 일회성 등을 제공하기에 용이하게 한다.
잉크젯 인쇄의 또 다른 유리한 점은, 스크린 인쇄보다 양호한 해상도를 제공한다는 사실이다. 그로 인해 재료의 소비가 보다 효율적이다.
그러나 재료가 효율적으로 사용되는 최적화 조건 하에 잉크젯 인쇄 방법을 진행하기 위해서는, 한도의 수가 고려되어야 한다.
처음에는, 올바르게 적합화된 특성을 갖는 유체의 사용에 대한 강한 필요성이 존재한다. 전형적으로는, 잉크젯 인쇄 방법에 사용되는 유체는 2-15 cps 범위의 점도 (헤드 의존적), 뉴턴식 또는 뉴턴식에 가까운 유체 특성 및 25-40 다인/cm 범위의 표면 장력 (헤드 의존적) 을 나타낸다.
인쇄 잉크의 조성은 적합한 잉크젯 헤드 선택에 있어서 고려되어야 한다. 잉크젯 헤드는, 부식, 탈-박판화, 접착제의 용해 또는 약화, 표면의 코팅 또는 인쇄 잉크 뿐 아니라 잉크젯 헤드 자체의 불안정화 등을 피하기 위해 인쇄 잉크의 특성과 양립가능한 재료로 만들어져야 한다.
이는, 인쇄 헤드를 이루는 재료가 안정하여 인쇄 공정 동안 이의 화학적 구조 및 물리적 특성 등을 크게 변화시키지 않아야 한다는 것을 의미한다. 그러나 잉크와 접촉하는 튜브 및 장비 또한 전구체 잉크의 오염을 피하기 위해 안정해야 한다.
그러나 가장 중요한 것은, 잉크 조성물의 특성 및 실험이, 잉크젯 헤드 (특히 노즐 근처) 에서 건조되지 않는 효과와 함께 적합화된 휘발성을 가져야 하며 인쇄된 기판으로부터 여전히 제거가능한 담체 유체를 포함함을 나타낸다는 것이다.
이러한 모든 특정 요구 사항을 고려하여, 다양한 시도에 의해, 웨이퍼 제조 방법에서의 배리어 SiO2 필름 구축용으로 통상적으로 사용되는 생성물로 제조되지만 통상적으로 Si 웨이퍼에 스핀 코팅되는 개질된 조성물이 잉크젯 인쇄 방법에 사용될 수 있다는 것이 발견되었다. 일반식 (I) 의 올리고머성 실리케이트를 포함하는 이러한 공지된 조성물은, 에틸 아세테이트 용액 중 에탄올과 Wacker TES40 WN (약 5 개의 Si-O 단위를 갖는 단량체성, 각종 올리고머성 및 시클릭 에틸 실리케이트의 시판되는 혼합물) 의 산 촉매화된 (아세트산) 반응에서 제조될 수 있다. 이는 Si 웨이퍼 상에서 스핀 코팅된 후 용매가 제거되도록 건조될 수 있다. 다음 단계에서, 제조된 코팅은 실리케이트 올리고머를 SiO2 배리어 필름으로 전환시키기 위해 승온에서 처리될 수 있다.
Figure pat00003
[식 중, 서로 독립적으로,
R 은 A, AOA, Ar, AAr, AArA, AOAr, AOArA, AArOA 이고, 상기 A 는 선형 또는 분지형 C1-C18-알킬, 또는 치환 또는 비치환 시클릭 C3-C8 알킬이고; Ar 은 탄소수 6-18 의 치환 또는 비치환 방향족기이고,
n = 1-100 이고,
R 은 가교된 구조를 구축하기 위해 Si 또는 인접기 R 에 대한 추가적인 직접적 결합을 구축할 수 있음].
본 발명에 따르면, 일반식 (I) 에 따른 화합물의 R 기는 Si-O-Si 연결 및 Si-O-R-O-Si 연결 모두에 의해 일부 저수준의 가교된 구조를 구축하기 위해 인접한 R 기 또는 인접한 Si 원자 또는 제 2 분자의 Si 원자에 또한 결합할 수 있다.
일반식 (I) 에서는, 선형 또는 분지형 C1-C18-알킬이라는 용어는 탄소수 1 내지 18 의 선형 또는 분지형 또는 시클릭 탄소 사슬을 의미한다. 예를 들어, 이는 메틸, 에틸, i- 및 n-프로필기, 및 각각의 경우 추가적인 기로서 부틸, 펜틸, 헥실 또는 헵틸의 분지 또는 비분지된 이성질체이다. 바람직하게는 R 은 메틸, 에틸, i- 및 n-프로필을 나타내며, 가장 바람직하게는 R 은 반도체 제조에 통상적으로 사용되는 것으로서 에틸을 나타낸다.
그로서, 항상 인쇄 장치의 블로킹을 일으키기 때문에, Si 웨이퍼 제조 방법의 통상적인 스핀-코팅 단계에 사용되는 이러한 조성물은 잉크젯 인쇄에 적합하지 않다.
그러나, 상기 기재된 바와 같은 SiO2 필름 전구체 화합물 (예를 들어 일반식 (I) 의 화합물) 을 포함하는 반응 혼합물이 정상 온도 및 통상적 인쇄 속도율로 잉크젯 인쇄될 수 있도록 개질될 수 있다는 것이 이제 발견되었다. 이러한 개질의 목적은, 낮은 점도를 가지며 신속히 고체화되지만 기판의 표면에 인쇄되기 전에는 그렇지 않은 조성물이다.
이러한 잉크젯 인쇄 가능한 조성물이 우수한 건조 특성을 나타내는 것이 필수적이지만, 통상적으로 첨가되는 바와 같은 용매 대신 높은 비등점을 갖는 용매를 전구체 조성물에 첨가하여 인쇄 공정 동안 매우 양호한 특성이 야기되는 한편, 인쇄 라인 및 구조의 거동이 거의 변하지 않은 채로 남아 있고 심지어 더 양호한 특성을 나타낼 수 있다는 것이 예기치 않게 발견되었다. 그 결과로서, 높은 비등점을 갖는 용매를 함유하는 이러한 전구체 조성물은 고해상도를 갖는 라인 및 구조의 잉크젯 인쇄에 매우 적합하다.
SiO2-층의 구축용 전구체 화합물은 에탄올/에틸 아세테이트 및 아세트산으로 이루어지는 용매 혼합물에 현탁되며, 사용 전 용액 중에 있어야 한다. 침전이 발생한다면, 이러한 용액으로부터 균질한 SiO2-층을 더 이상 제조할 수 없다. 그러나 전구체 화합물의 가수분해가 또한 일어나지 않도록 해야 한다. 그러므로, 함유된 용매를 제거하고, 높은 비등점을 갖는 용매를 첨가하여 용액을 단순히 재생성시킬 수는 없다.
이제, 상기 이미 기재된, 높은 비등점을 갖는 적합한 용매 또는 용매 혼합물이 공지된 전구체 용액에 첨가되는 경우 전구체 조성물이 안정적으로 남아 있으며, 인쇄 공정 동안 가수분해 뿐 아니라 초기 침전이 일어나지 않게 할 수 있다는 것을 발견하였다. 이후, 함유된 저 비등 용매 에탄올/에틸 아세테이트 및 아세트산은, 필요하다면 감압 하에 제거될 수 있다. 첨가될 수 있는 적합한 용매 또는 용매 혼합물의 선택은 다양한 필요 사항, 특히 전구체 화합물의 화학적 특성에 의존한다. 이는 용매 또는 용매 혼합물과 혼화가능해야 하나, 첨가된 용매 또는 용매 혼합물은 잉크젯 인쇄 헤드에 대해 불활성이어야 한다.
용매 또는 용매 혼합물이 반응 혼합물로부터 회수된 바와 같은 용액에 첨가되기 때문에, 에탄올/에틸 아세테이트 및 아세트산과 첨가된 용매 또는 용매 혼합물 사이의 비등점 차이는 적어도 감압에서의 증류에 의해 저 비등 용매를 분리하기에 충분해야 한다.
저 비등 용매의 증류 후, 높은 비등점을 갖는 용매 또는 용매 혼합물을 포함하는 잔존 조성물은 전구체 혼합물의 SiO2-층 구축 특성이 바뀌지 않게 해야 할 뿐 아니라, 잉크젯 인쇄 헤드 블로킹의 문제점을 해결해야 한다.
특히, 새로운 용매 또는 용매 혼합물이 높은 비등점을 갖는 1 차 또는 2 차 알코올이거나 또는 이를 함유하는 경우 양호한 결과가 수득된다는 것이 발견되었다.
개질된 조성물을 제조하기 위해서, 치환 용매 또는 용매 혼합물을 에탄올/에틸 아세테이트 및 아세트산을 함유하는 본래의 반응 혼합물에 첨가한다. 상기 혼합물을 증류시키고 저 비등 용매를 감압 하에 증류시킨다 (예를 들어 감압에서 작동하는 회전 증발기 또는 증류 장치를 사용하여). 상기 반응 혼합물이 건조되도록 하는 직접 증발로, 함유된 전구체 화합물의 가수분해, 및 단순히 재변형될 수 없는 분말화된 SiO2 가 야기된다. 더욱이, 1 차 또는 2 차 알코올의 부재는 화학적 불안정성 및 SiO2 로의 가수분해를 야기한다는 것이 발견되었다. 따라서, 오직 고 비등 용매 또는 용매 혼합물이 하나 이상의 OH-기를 제공하는 치환기로서 적합한 것으로 여겨진다. 이들 용매는 증류 전에 첨가되어야 한다.
대안적으로는 일반식 (I) 의 올리고머성 실리케이트는, 필요한 바와 같은 아세트산 촉매 및 에탄올, 에틸 아세테이트 또는 기타 성분을 첨가하여 고 비등 잉크젯 용매 또는 용매 믹스에서 TES40 WN 을 직접적으로 반응시켜 제조될 수 있다. 반응이 완료된 후, 이전에 기재된 바와 같이 증발 또는 증류에 의해 휘발성 용매를 제거할 수 있다.
그러나 또한, 잉크젯 인쇄 공정 및 전구체 조성물의 적용된 SiO2-층으로의 후속적 전환 동안, 개질된 조성물은 특정 필요 사항을 충족시켜야 한다.
예를 들어 첨가된 고 비등 담체 용매는 일반식 (I) 의 SiO2 필름 전구체를 분출 온도에서 용해해야 한다. 추가적으로, 벌크란, 약 90 중량% 의 담체 용매가 100℃ 보다 높고 400℃ 보다 낮은 비등점을 가져야 한다는 것을 의미한다는 것을 발견하였다.
전구체 화합물(들) 을 안정화시키기 위해, 담체 용매는 하나 이상의 알코올 관능기를 가져야 한다. 이는 하나 이상의 알코올과 하나 이상의 무-알코올 조용매의 균질 혼합물 (예를 들어 n-부탄올 및 테트랄린 혼합) 또는 단일 알코올 또는 알코올의 균질 혼합물 (예를 들어 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르) 로서 존재할 수 있다. 첨가된 고 비등 용매의 5 중량% 이상이 알코올인 경우, 전구체 화합물(들) 의 양호한 안정화가 이루어진다. 바람직하게는 첨가된 고 비등 알코올은 첨가된 고 비등 용매의 10 중량% 여야 한다.
개질된 전구체 조성물은 소량 (10 중량% 이하) 의 저 비등 (즉, 100℃ 미만) 성분을 포함할 수 있다. 이들 저 비등 용매는 다른 잉크 성분 (예를 들어 에탄올) 과 전구체의 반응의 결과로서, 또는 잉크 제형으로의 계획된 첨가에 의해 잉크 조성물에 존재할 수 있다.
비코팅물 및 코팅물을 수득하기 위해서는, 잉크젯 인쇄 조성물 중 SiO2 필름 구축 전구체의 농도가 전체로서의 조성물을 기준으로 0.1 중량% 초과 내지 95 중량% 미만의 범위 내에 있어야 한다.
고 비등 용매 또는 용매 혼합물을 갖는 전구체 조성물의 개질 후, 조성물의 점도는 분출 온도에서 2 cps 초과이지만 20 cps 미만이어야 한다. 필요하다면, 적합한 첨가제를 첨가하여 점도를 조절할 수 있다.
인쇄 결과에 영향을 미치는 또 다른 중요한 물리적 값은 조성물의 표면 장력이다. 이는 20 다인/cm 초과이지만 60 다인/cm 미만이어야 한다.
더욱이, 조성물은 인쇄 헤드를 블로킹하거나 인쇄 품질을 쇠퇴시킬 수 있는 어떠한 교란 입자도 함유해서는 안 된다. 그러므로, 잉크는 고 비등 용매의 첨가 후 예를 들어 1 마이크론 이하로 여과될 수 있고, 에탄올/에틸 아세테이트 및 아세트산과 같은 저 비등 용매가 제거된다.
고품질 SiO2-층을 제조하기 위해서는, 잉크를 제조하는데 사용되는 모든 화합물이 바람직하게는 Na+, K+ 또는 다른 것들과 같은 임의의 금속 양이온을 함유해서는 안 된다는 것이 중요하다 (특히 10 ppm 이하의 농도).
일반적 구조 (I) 로 특징지어지는 바와 같은 SiO2 필름 전구체의 화학적 구조는 제조된 조성물에서 변화될 수 있다. 예를 들어, R 기는 용액에 존재하는 다른 알코올 단위와의 반응에 의해 교체될 수 있다. 예를 들어, R = 에틸인 일반식 (I) 에 따른 화합물을 갖는 전구체 조성물이 기재된 바와 같이 n-부탄올로 제조 및 개질되는 경우, R 은 고 비등 알코올에 의해 교체될 수 있으며, R = 에틸 및 R = 부틸인 전구체 화합물이 생성될 수 있다. 이는 또한, n 이 증가하는 경우 예를 들어 (I) 에서의 분자량을 증가시킬 수 있다. 분자량은 또한 전구체 분자의 반응에 의해 증가할 수 있고, n 값은 적어도 5, 심지어 100 을 초과할 수 있다.
인쇄 해상도를 최대화하고 기타 잉크 매개 변수를 향상시키기 위해, 임의로는 추가적인 화합물을 첨가할 수 있다. 이것은 추가적인 첨가제가 잉크 조성물에 첨가될 수 있다는 것을 의미한다. 또 다른 옵션은, 인쇄 전 기판 표면을 변형하는 것이다.
상기 문맥에서 계면활성제와 같은 첨가제, 또는 inc F 용매와 같은 저 표면 장력 조용매 및 실리케이트가 잉크에 첨가될 수 있다. 따라서, 잉크의 표면 장력이 감소될 수 있다. 그러나, 금속 양이온을 갖지 않으며 전구체 화합물의 안정성에 영향을 주지 않는 첨가제 및 용매 또는 조용매를 선택하는 것이 중요하다.
본 발명에 따른 조성물을 제조하기 위한 유용한 용매는 알코올이며, 이는 분지 또는 비분지된 지방족 알코올, 또는 치환 또는 비치환 시클릭 알코올이거나, 치환 또는 비치환 방향족 알코올일 수 있다. 적합한 알코올은 일가, 이가, 삼가 또는 다가 알코올 [(RCH2OH), (R2CHOH), (R3COH)] 일 수 있으며, 이는 지방족, 시클릭, 헤테로시클릭, 방향족 또는 불포화된 것일 수 있다. 적합한 지방족 알코올의 예는 메틸 알코올, 에틸 알코올, n-프로필 알코올, 리소프로필 알코올, n-부틸 알코올, 2-에틸-1 부탄올, sec-부틸 알코올, tert-부틸 알코올, 이소부틸 알코올, 이소-아밀 알코올, n-아밀 알코올, t-아밀 알코올, n-헥실 알코올, 헵탄올, 옥탄올, 알릴 알코올, 크로틸 알코올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 트리메틸렌 글리콜, 글리세롤, 메틸 이소부틸 카르비놀, 2-에틸-1-헥산올, 디아세톤 알코올, 노닐 알코올, 데실 알코올, 세틸 알코올, 시클로헥산올, 푸르푸릴 알코올, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 벤질 알코올, 페닐 에틸 알코올이다. 이들 알코올은 그 자체로서 또는 혼합물로 첨가될 수 있다.
개질된 새로운 잉크의 pH 안정성을 증가시키기 위해서는, 소량의 산 스캐빈저, 염기 스캐빈저 및/또는 완충액 (단, 이들은 어떠한 금속 양이온도 함유하지 않음) 을 첨가하는 것이 유리하다.
기판 표면은 뱅킹 물질 (banking material) 적용에 의한 사전-한정 구조에 의해 인쇄 전 변형될 수 있다. 예를 들어, 잉크젯 인쇄, 또는 사진 석판 기술을 사용함으로써 소수성 중합체를 적용할 수 있다. 특히, 예를 들어 사진 석판 기술을 사용함으로써 기판 표면 상에 소수성 또는 친수성 부위를 적용할 수 있다.
추가적으로, 총 표면 에너지는 플라스마, 계면활성제, 표면 활성 단일층 (SAM) 또는 기타 표면 처리에 의해 변화될 수 있다 (소수성 또는 친수성).
인쇄 동안의 기판 특성을 변화시키기 위한 또 다른 가능성은 가열 또는 냉각된 기판 표면에 잉크를 적용하는 것이다.
습식 잉크젯 필름은 500℃ 초과 내지 1000℃ 미만 범위의 온도에서 진행되는 SiO2 의 배리어 필름으로의 전환 전에 승온, 특히 80-400℃ 범위의 온도에서 건조될 수 있다.
한편, 습식 잉크젯 필름은 배리어 필름으로 전환되기 전 감압에서 건조될 수 있다.
추가적인 옵션은 '핫 멜트' 유형, 즉 분출 온도에서 액체이지만 실온에서는 고체인 형태의 적합한 잉크를 제조하는 것이다. 이러한 특징의 잉크는, 실온에서 고체이지만 일반적으로 인쇄 방법이 실행되는 온도에서는 용융되는 용매를 사용하여 제조될 수 있다.
SiO2 필름 전구체는 R = 선형 또는 분지형 C1-C18-알킬인 일반적 구조 (I) 의 실리케이트 또는 실록산 구조를 포함한다. 선형 또는 분지형 C1-C18-알킬이라는 용어는 탄소수 1 내지 18 의 상기 기재된 바와 같은 선형 또는 분지형 또는 시클릭 탄소 사슬을 의미한다. 예를 들어, 이는 메틸, 에틸, i- 및 n-프로필기, 및 각각의 경우 추가적인 기로서 부틸, 펜틸, 헥실 또는 헵틸의 분지 및 비분지된 이성질체이다. 바람직하게는 R 은 메틸, 에틸, i- 및 n-프로필을 나타내고, 가장 바람직하게는 R 은 반도체 제조에 통상적으로 사용되는 바와 같은 에틸을 나타낸다. 그러나 R 은 또한 상기 정의된 바와 같은 시클릭 또는 방향족기를 나타낼 수 있다. 특히, 하기 군: 메틸 알코올, 에틸 알코올, n-프로필 알코올, 리소프로필 알코올, n-부틸 알코올, 2-에틸-1 부탄올, sec-부틸 알코올, tert-부틸 알코올, 이소부틸 알코올, 이소-아밀 알코올, n-아밀 알코올, t-아밀 알코올, n-헥실 알코올, 헵탄올, 옥탄올, 알릴 알코올, 크로틸 알코올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 트리메틸렌 글리콜, 글리세롤, 메틸 이소부틸 카르비놀, 2-에틸-1-헥산올, 디아세톤 알코올, 노닐 알코올, 데실 알코올, 세틸 알코올, 시클로헥산올, 푸르푸릴 알코올, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 벤질 알코올 및, 페닐 에틸 알코올 및 알코올들 (하기에서 지명됨) 에서 선택되는 알코올을 포함하는 용액에서는, R 은 시클릭 또는 방향족 기를 나타낼 수 있다.
인쇄를 위해서는 임의 유형의 잉크젯 헤드가 사용될 수 있으며, 이는 이동시 80 ㎛ 미만의 직경을 갖는 작은 점을 생성시키기 위해 구성된다. 특히, 헤드는 연속식 또는 드롭 온 디맨드 (DOD) 잉크젯 헤드로서 배열될 수 있다. 원하는 적용을 위해서는, 바람직하게는 열, 피에조, 정전 또는 MEM 잉크젯 헤드가 사용된다. 특히 바람직한 잉크젯 헤드는 DOD 유형의 것이고, 가장 바람직한 것은 피에조 또는 정전 유형의 것이다. 이러한 유형의 시판되는 잉크젯 인쇄 헤드의 특정예는 하기와 같다: FujiFilm Dimatix SX3 헤드, SE 및 SE3 헤드, DMP 1 또는 10 pl IJ 헤드, Konica Minolta DPN 헤드, 256 또는 512 헤드, Xaar Onmidot, HSS, Trident 256 jet 등. 가장 바람직한 것은 고정밀 미세침착용으로 설계된 고정확도 유형이며, FujiFilm Dimatix SX3 및 SE3 헤드, 및 Konica Minolta DPN 헤드와 같은 노즐 기술에 따라 드라이브가 도입될 수 있다.
상기 언급된 바와 같이 개질된 새로운 잉크 및 잉크젯 인쇄 헤드를 사용함으로써, 인쇄된 특징물의 크기는 1 마이크론 이상이지만 바람직하게는 80 ㎛ 미만의 범위이다. 이는 라인과 간격 및 점과 간격에 적용된다. 또한 새로운 개질된 잉크 및 적절히 조정된 인쇄 패턴 및/또는 잉크젯 헤드를 사용하여 대규모 부위를 인쇄할 수 있다. 적절한 온도 및 인쇄 헤드의 적절한 선택에 의해, 본 발명에 따른 개질된 잉크는 양호한 인쇄 결과로 인쇄될 수 있다. 유용한 인쇄 조성물은 전체로서의 조성물을 기준으로 0.1 중량% 초과 내지 90 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.5 중량% 초과 내지 50 중량% 미만, 가장 바람직하게는 1 중량% 초과 내지 20 중량% 미만 범위의 농도로 SiO2 필름 전구체 화합물 또는 화합물 혼합물을 포함한다.
약 100℃ 이상이지만 400℃ 미만인 비등점을 갖는 잉크 희석제 또는 용매가 첨가되는 경우, 적합한 특성을 갖는 개질된 잉크가 수득된다. 보다 바람직하게는, 100℃ 초과 내지 300℃ 미만 범위의 비등점을 갖는 용매가 첨가된다. 필요한 방법 및 잉크 특징으로 인해, 가장 바람직하게는 150℃ 초과 내지 25O℃ 미만의 비등점을 갖는 용매가 사용된다.
양호한 인쇄성을 책임지는 가장 중요한 잉크 특성 중 하나는 전체 제형의 점도이다. 그로서, 본 발명에 따른 잉크는 150 cps 이하의 점도를 가질 수 있으나, 이러한 잉크는 잉크젯 인쇄에 적합하지 않다. 잉크젯 인쇄 방법에 있어서 양호한 결과를 얻기 위해서는 점도가 분출 온도에서 2 cps 초과 내지 20 cps 미만의 범위 내에 있어야 한다. 보다 바람직하게는 분출 온도에서 4 cps 초과 내지 15 cps 미만 범위 내의 점도를 나타내는 잉크가 사용되지만, 점도가 잉크젯 인쇄 온도에서 5 cps 초과 내지 13 cps 미만의 범위 내에 있는 경우 최상의 결과가 수득된다.
더욱이 인쇄 결과는 잉크 조성물의 표면 장력에 의존적이며, 이는 다시금, 함유된 용매 및 용질 또는 현탁된 화합물의 농도 및 성질, 인쇄된 조성물의 온도와 같은 다양한 인자에 의존적이다. 실제 인쇄 동안 표면 장력은 20 다인/cm 초과 내지 60 다인/cm 미만, 보다 바람직하게는 25 다인/cm 초과 내지 50 다인/cm 미만, 가장 바람직하게는 28 다인/cm 초과 내지 40 다인/cm 미만 범위 내에 있어야 한다.
잉크의 인쇄 온도는, 양호한 인쇄 결과를 수득하기 위해서 뿐 아니라 인쇄 장치로 인한 문제점 (예를 들어 인쇄 헤드의 블로킹) 을 피하기 위해서, 함유된 용매 또는 용매 혼합물의 비등 온도에 따라 선택되어야 한다. 잉크가 잉크젯 방법에서 취급되는 경우, 이 온도에서 잉크가 인쇄 헤드에서 배출되는 것이 중요하다. 이는, 잉크가 인쇄 헤드에서 배출되는 온도가 인쇄 온도라는 것을 의미한다. 일반적으로, 제조된 잉크 조성물은 실온 내지 300℃ 이하 범위의 온도에서 인쇄될 수 있다. 바람직하게는 잉크는 실온 내지 150℃ 이하, 가장 바람직하게는 실온 내지 70℃ 범위의 온도에서 인쇄된다.
인쇄 후, 적용된 잉크 라인, 구조 또는 부위는 80-400℃ 범위, 바람직하게는 100-200℃ 범위의 승온에서 건조된다. 적용가능하거나 필요하다면, 건조는 감압에서 진행될 수 있다. 임의의 경우 건조 온도 및 건조 조건은, 적용된 필름이 무지 (plain) 이고 균등하며 어떠한 결함도 없이 남아 있는 조건 상에서, 증발되어야 할 용매 또는 용매 혼합물의 성질로 맞추어진다.
건조가 완료되는 경우, SiO2 전구체 조성물은 SiO2 로 이루어지는 원하는 배리어 필름으로 전환된다. 상기 전환은 500℃ 초과이지만 1000℃ 미만인 온도, 바람직하게는 650℃ 초과이며 900℃ 미만인 온도에서 영향을 받는다.
열 처리 동안 구축되는 SiO2 층은 거의 전적으로 무기 SiO2 로 이루어지지만, 열 처리 동안 구축되며 산화에 의해 제거되지 않는 매우 미량의 잔존 유기기 또는 탄소를 포함할 수 있다. 더욱이, 제조된 SiO2 층의 표면은 히드록실기를 나타낼 수 있으나, 단지 SiO2 층의 배리어 기능에 영향을 주지 않는 양으로만 나타낼 수 있다.
건조 및 전환을 진행하기 위해서, 인쇄된 반도체를 온도 조절 가능한 오븐에 도입한다. 원하는 건조 또는 전환 온도에 이르기 위해서, 처리된 웨이퍼를 절약할 뿐 아니라 용매를 원활하게 증발시키기 위해 느린 정도로 온도를 상승시킨다.
첨가된 잉크 희석제 또는 용매는, 분출 온도에서, 및 SiO2 필름 전구체와 혼합되는 경우 액체여야 한다. 상기 희석제 또는 용매는 또한 순수 화합물로서 고체일 수 있거나, 실온에서 SiO2 필름 전구체와 함께 고체 혼합물을 이룰 수 있다 (인쇄 온도에서 유체 조성물을 이루는 경우, 및 상기 언급한 바와 같이 점도 및 표면 장력을 나타내는 경우).
바람직하게는 잉크 희석제는 유기이고 10% 초과의 하나 이상의 알코올 성분을 함유한다. 상기 기재된 바와 같이 함유된 알코올은 바람직하게는 1 차 또는 2 차 알코올 또는 폴리올 (디올, 트리올 등) 이고, 가장 바람직하게는 1 차 알코올 또는 이의 혼합물이다. SiO2 전구체 조성물의 제조에 적합한 알코올은 하기와 같다:
Figure pat00004
Figure pat00005
상기 목록의 알코올은 본 발명에 따른 개질된 잉크 조성물의 제조에 사용될 수 있는 예이지만, 상기 기재된 요구 사항을 충족시킨다면 여기에 언급되지 않은 추가적인 알코올이 이러한 목적에 유용할 수 있다.
이미 언급된 바와 같이 알코올성 용매 또는 희석제는 하나 이상의 비-알코올성 용매 또는 조용매와 혼합될 수 있다. 적합한 조용매는 방향족 또는 헤테로방향족 탄화수소 예를 들어 톨루엔, 자일렌 (모든 이성질체), 테트랄린, 인단, 또는 다른 모노, 디, 트리, 테트라, 펜타 및 헥사 알킬 벤젠, 나프탈렌, 알킬 나프탈렌, 알킬티아졸, 알킬티오펜 등일 수 있다.
또한, 메틸시클로헥산, 데칼린 등과 같은 시클로알칸, n-옥탄 또는 그 외의 것과 같은 선형 또는 분지형 알칸과 같은 지방족 탄화수소가 본 발명에 따른 잉크에 사용될 수 있는 적합한 조용매이다.
적합한 조용매는 또한 방향족 및 지방족 플루오로 용매, 예컨대 FC43, FC70, 메틸 노나플루오로부틸 에테르, 3-에톡시-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-도데카플루오로-2-트리플루오로메틸-헥산, 퍼플루오로데칸 등 뿐 아니라 에테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에스테르, 예컨대 아밀 아세테이트, 또는 락톤, 예컨대 감마-부티로락톤 등, 케톤, 아미드, 예컨대 NMP 또는 DMF 등, 설폭시드 예컨대 DMSO, 설폰 예컨대 설포란 및 기타 극성 및 비극성 유기 용매이다.
인쇄된 라인 및 구조가 매우 높은 해상도 및 균일성으로 제조되어야 하기 때문에, 매우 작은 노즐을 갖는 잉크젯 인쇄 헤드가 사용된다. 이로 인해 이들 헤드는 블로킹에 대해 민감하다. 이를 방지하기 위해서, 사용되는 잉크는 바람직하게는 입자가 없어야 하거나 오직 매우 작은 입자만을 포함해야 한다. 그러므로 잉크는 바람직하게는 1 마이크론 미만, 보다 바람직하게는 0.5 마이크론 미만으로 여과된다.
무지 및 균등한 SiO2 필름은 잉크젯 인쇄, 건조 및 경화 (고온에서의) 단계를 포함하는 방법에서 개질된 잉크를 사용하여 제조될 수 있다. 대체로, 생성된 SiO2 필름은 1 nm 초과 내지 10 마이크론 미만, 보다 바람직하게는 10 nm 초과 내지 1 마이크론 미만, 가장 바람직하게는 50 nm 초과 내지 250 nm 미만 범위의 균일한 두께를 갖는다.
개질된 조성물의 용도는 잉크젯 인쇄 방법에 제한되지 않는다. 1-150 cps 범위의 낮은 점도 내지 중간 점도를 나타내는 SiO2 전구체 조성물 (특히 높은 점도를 갖는 것들) 은 또한 마이크로-스탬핑 / 소프트 석판술, 플랙소 및 그라비어 공정 단계 또는 이들 인쇄 방법의 변형물에 의해 표면에 적용될 수 있다.
각각의 적용에서 최적화된 결과를 얻기 위해서는 SiO2 전구체 조성물이 조절되어야 할 뿐 아니라 적용 동안의 조건이 침착 결과에 영향을 주어야 한다. 예를 들어, 처리되는 표면이 승온으로 가열되는 경우, 잉크젯 인쇄에 의해 향상된 해상도 결과가 성취된다. 일반적으로, 표면 온도가 80 내지 120℃ 범위에 있는 경우, 향상된 침착 결과가 성취된다. 그러므로, 최적 온도는 조성물이 적용될 때 표면의 성질, 및 용매를 포함하는 것에 따라 각각의 조성물에 대해 상이하지만, 조성물은 바람직하게는 85 내지 110℃ 범위의 온도에서 적용된다.
예를 들어 도 2 는 상이한 온도 T기판 = (60, 90, 14O)℃ 에서, 연마된 웨이퍼 상에 Dimatix 2800 DMP 시스템으로 인쇄된 라인의 광학 현미경 이미지 및 높이 프로필을 보여준다. 80℃ 미만에서 본 발명에 따른 대표적 조성물의 웨이퍼 상 인쇄로는 담체 용매 증발 전 잉크의 디-웨팅 (de-wetting) 및 허용불가한 이미지 품질이 야기되는 한편, 120℃ 초과에서의 인쇄로는 가장자리가 중간보다 매우 두꺼운 과다한 '커피 염색 (coffee staining)' 이 야기된다 [R.D. Deegan, O. Bakajin, T.F. Dupont, G. Huber, S. R. Nagel, and T.A. Witten, Nature 389 (1997) 827]. 최적 웨이퍼 온도는 90℃ 이며, 이는 필름 두께가 약 220 nm 가 되게 한다.
도 1 은 수득된 고품질의 분출 이미지를 보여준다.
도 2 는 핀 프로필러로 측정된 높이 프로필, 및 상이한 웨이퍼 온도에서 연마된 웨이퍼 상 인쇄된 isishape SolarResistTM 라인의 현미경 이미지를 보여준다. T기판 = 90℃ 로, 최상의 균일성이 수득되었다.
유리하게는, 본 발명에 따른 조성물은 높은 측면 해상도로 인쇄될 수 있다. 해상도는 인쇄기의 기계적 정확도, 액적 크기, 건조 전 잉크 퍼짐성 및 기판 표면에 의해 조절된다. 높은 측면 해상도를 갖는 고품질 이미지를 위해 조성물을 더 최적화하기 위해서, 상이한 잉크젯 인쇄 시스템을 사용하여 이를 전사시킨다. SX3 인쇄헤드를 갖는 Litrex 시스템으로 얻어지는 전형적인 결과가 기재된다. SX3 헤드로부터 통상 분출되는 12 pl 액적은 29 마이크론의 이동시 직경을 갖는다.
다수의 액적이 사용되어 150 nm 초과의 원하는 건조 필름 두께를 갖는 라인을 형성하는 경우, 연마 및 광택 에칭된 웨이퍼에서 90 ㎛ 의 최적화된 라인 폭이 수득될 수 있다. 라인 사이의 간격은 표면 거칠음에 의해 제한되며 작아진다. 데미지-에칭 및 텍스쳐링된 웨이퍼의 거칠음은 일부 라인 퍼짐성을 일으키지만, 이의 거칠음은 핀 프로필러에 의한 정량화를 저지시킨다. 조성물의 인쇄된 큰 블록 내의 홀이, 65 마이크론까지의 크기로 수득될 수 있다.
도 3 은 Litrex 시스템에서 인쇄된 90 ㎛ 라인 및 50 ㎛ 간격 패턴을 갖는 전체 연마 (full polished) 규소 웨이퍼를 보여준다.
본 발명에 따른 조성물로부터 제조된 확산 배리어로서 이러한 필름의 기능성을 증명하기 위해서, 200 Ωcm p-유형 Si 웨이퍼로부터의 두 가지 유형의 샘플을 제조하였다: 첫 번째 유형에서, 도 3 에서 보여주는 것과 유사하게, 너비 100 ㎛ 의 간격을 갖는 폭 100 ㎛ 의 협소한 라인이 잉크젯 인쇄에 의해 침착된다. 이러한 샘플을 측면 분해 SEM 측정에 사용한다. 두 번째 유형의 샘플에서, 3.0 cm × 1.5 cm 의 부위를 잉크 조성물로 완전히 덮는다. 이러한 샘플을 ECV 방법에 의해 깊이-분해 (depth-resolved) 도펀트 프로필의 측정에 사용한다. 적용된 확산 방법으로, 비보호된 웨이퍼 상에서 40 Ω/square 의 시트 저항을 갖는 방사체가 야기된다.
도 4 는 첫 번째 유형 샘플의 횡단면의 SEM 이미지를 보여준다. 샘플의 좌측 부분은 인 확산 동안, 적용된 잉크 조성물로 인한 배리어 라인에 의해 덮여 있는 반면, 우측 부분은 두 라인 사이의 간격을 나타낸다. 비보호된 우측 부분의 절단된 가장자리에서의 암-대조 (dark contrast) 는 인 원자의 확산으로 인한 n-유형 도핑을 나타낸다. 좌측 부분은 적용된 조성물로 인한 190 nm 두께 배리어 층에 의해 보호되어 있다. 명-대조 (bright contrast) 는 인이 웨이퍼를 관통하지 않았다는 것을 나타낸다.
따라서, 도 4 는 인 확산 및 배리어 층의 제거 후 부분적으로 잉크 조성물이 덮인 p-유형 Si 웨이퍼의 단면의 측경 SEM 이미지를 보여준다. 비보호된 우측 부분의 절단된 가장자리에서의 암-대조는 인 원자의 확산으로 인한 n-유형 도핑을 나타낸다. 좌측 부분은 190 nm 두께 잉크 조성물 층에 의해 보호되어 있다. 명-대조는 인이 웨이퍼를 관통하지 않았다는 것을 나타낸다.
다시금, 도 5 는 인-확산 후 200 Ω cm p-유형 Si 웨이퍼의 전형적 잉크 조성물 보호된 부위 내에서의 ECV 측정에서 수득된 깊이-분해 도펀트 프로필을 보여준다. 오직 기판의 배경 도핑만이 검출될 수 있다. 이러한 결과는 국소적으로 적용된, 본 발명에 따른 잉크 조성물로 인한 190 nm 두께 필름이, 산업적으로 관련된 인 확산 방법에 대해 규소 웨이퍼를 보호한다는 것을 보여준다.
도 5: 인-확산 후 200 Ω cm p-유형 Si 웨이퍼의 전형적 잉크 조성물 보호된 부위 내에서의 ECV 측정에서 수득된 깊이-분해 도펀트 프로필을 보여준다. 오직 기판의 배경 도핑만이 검출될 수 있다. 적용된 확산 방법으로, 비보호된 웨이퍼 상에서 40 Ω/square 의 시트 저항을 갖는 방사체가 야기된다.
이의 배리어 기능 및 고해상도로 인쇄되는 능력 외에도, 태양 전지 제조에 대한 조성물의 적용가능성은 높은 전하 담체 수명을 가능하게 하는 잠재성에 또한 의존한다. 그러므로, 사용되는 조성물이 고온 확산 방법 동안 결정질 규소 벌크 내 재결합 중심을 형성할 수 있는 오염물을 갖지 않는 것이 필수적이다.
확산 후 PECVD-침착 SiNx 에 의한 부분적으로 잉크 조성물 보호된 Si 웨이퍼의 부동화는 벌크 담체 수명에 대한 조성물의 임의의 효과를 검출하기에 민감한 방법이다. 덮인 부위 및 덮이지 않은 부위에서의 벌크 담체 수명의 비교로, 특히, 규소 벌크 물질에 확산되며 그 곳에서 재결합 중심을 형성하는 매우 유동성인 양이온에 의한 잠재적 오염이 밝혀진다. 이러한 양이온성 (금속성) 오염의 부재는 고온 방법에 대한 가장 중요한 필수 조건 중 하나이다.
도 6 은 SiNx 에 의한 표면 부동화 및 방사체의 제거, 인 확산, 잉크 조성물로 인해 야기되는 층에 의한 보호 후 200 Ω cm p-유형 Si 웨이퍼의 공간적 분해 담체 수명을 보여준다. 적색 직사각형은 잉크 조성물로 인해 야기된 층에 의해 보호된 부위를 나타낸다. 담체 수명에 대한 잉크 조성물의 효과는 식별할 수 없다. 평균 유효 담체 수명은, 덮인 부위와 덮이지 않은 부위 모두에서 τeff = (2700 ± 100) ㎲ 이다.
벌크 담체 확산 길이 L벌크 = (4.5 ± 1 ) mm 를, 하기 화학식에 따라 계산한다:
Figure pat00006

[식 중,
D = 34.3 ㎠/s 는 확산 상수이고,
W = 300 ㎛ 는 웨이퍼의 두께이고,
S = (3 ± 1) cm/s 는 SiNx-부동화된 표면의 재결합 속도 (상기 기재된 조성물로부터 제조된 층으로 보호되지 않고, 확산이 없는 참조 웨이퍼에서의 수명 측정에서 추론된 바와 같음) 임].
벌크 담체 확산 길이의 수득된 값은 케르와 쿠에바스 (Kerr and Cuevas) 에 의한 매개변수화로부터 계산된 바와 같은 6.7 mm 의 내재값에 매우 가깝다. 그러므로, 적용된 조성물에는 고온 확산 방법에서 태양 전지의 벌크 품질에 영향을 줄 수 있는 오염물이 없다고 결론내려진다.
도 6: SiNx 에 의한 표면 부동화 및 방사체의 제거, 인 확산, 통상적 잉크 조성물로 인해 야기되는 층에 의한 보호 후 200 Ω cm p-유형 Si 웨이퍼의 유효 전하 담체 수명의 공간적 분해 측정을 보여준다. (적색) 직사각형은 통상적 잉크 조성물로 인해 야기되는 층에 의해 보호된 부위를 나타낸다. 벌크 담체 수명에 대한 잉크 조성물의 효과는 식별할 수 없다.
본 설명을 통해서, 발명에 따른 모든 조성물은 전구체 조성물 또는 잉크 조성물로서 지칭되거나, 간단히 조성물은 동일하며 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인의 제조에 적합하다.
본 설명은 당업자가 발명을 포괄적으로 적용할 수 있게 한다. 명백성이 결여되는 경우에는, 인용된 출판물 및 특허 문헌이 당연히 이용될 수 있다. 따라서, 이러한 문헌은 본 설명의 개시 내용물의 일부로서 간주된다.
보다 나은 이해 및 발명의 설명을 위해, 본 발명의 보호의 범주 내에 있는 실시예가 하기에 주어진다. 이러한 실시예는 또한 가능한 변형을 설명한다. 그러나 기재된 발명 원리의 일반적 타당성으로 인해, 실시예는 이들 단독에 대해 본 출원의 보호의 범주를 감소시키는 것에는 적합하지 않다.
당업자는 당연히, 하기 실시예 및 설명의 나머지 부분 모두에서, 잉크 조성물에 존재하는 성분량이 전체로서의 조성물을 기준으로 항상 단지 100 중량% 까지 첨가되며, 표시된 백분율 범위에서 더 높은 값이 발생한다 해도 이를 넘을 수 없다는 것을 인지할 것이다.
실시예 및 설명 및 청구항에서 나타낸 온도는 항상 ℃ 로 인용된다.
실시예:
실시예 1
잉크젯 인쇄가능 도핑 배리어에 대한 제조 방법:
45g 테트라에틸 오르토실리케이트를, 10g 탈이온수, 95g 에탄올, 8Og 에틸아세테이트 및 2Og 아세트산의 혼합물 내로 교반하였다. 혼합물을 24시간 동안 환류 하에 준비하였다.
에탄올/에틸 아세테이트와 아세트산의 혼합물 중 약 10% 의 SiO2 필름 전구체 화합물 1 (R=Et) 을 함유하는 이러한 반응물 믹스를 회전 증발기 플라스크에 넣고, 존재하는 에탄올/에틸 아세테이트와 아세트산의 혼합물과 동일한 부피의 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르를 첨가하였다. 이후, 이러한 부피의 용매를 플라스크를 약간 가열시킨 (5O℃ 까지) 회전 증발기에서 감압 하에 증발시켰다. 생성된 잉크를 0.45 마이크론으로 여과하였다. 점도는 25℃ 에서 7.05 cp 이고, 표면 장력은 31.10 다인 cm-1 인 것으로 발견되었다. 이후 10 pl 헤드를 갖는 FujiFilm Dimatix DMP 인쇄기를 사용하여, 분출 성능에 대해 잉크를 평가하였다.
최적 분출 조건은 드라이브 전압 11 V, 점화 주파수 5 KHz, 펄스 폭 3.7 ㎲, 헤드 온도 23℃, 메니스커스 (Meniscus) 설정점 5.0 으로서 확인되었다. 도 1 은 수득된 고품질의 분출 이미지를 보여준다.
이후, 10 pl 부피 헤드가 장착된 FujiFilm Dimatix DMP 인쇄기를 사용하여, 비-도핑된 Si 웨이퍼에 간격을 갖는 라인을 잉크젯 인쇄하였다. 용매를 15O℃ 에서 건조시킨 후, 800℃ 에서 베이킹하고 인 옥시클로라이드에 대한 p-도핑 레지스트로서 시험하기 위해 샘플을 Merck SL 로 회수시켰다.
실시예 2
잉크젯 인쇄가능 도핑 배리어에 대한 제조 방법:
9Og 테트라에틸 오르토실리케이트를, 19g 탈이온수, 20Og 에탄올, 161g 에틸렌 글리콜 모노부틸에테르 및 40g 아세트산의 혼합물 내로 교반하였다. 혼합물을 12시간 동안 환류 하에 준비하였다. 모든 입자를 제거하기 위해, 냉각된 용액을 2 마이크론 멤브레인으로 여과하였다. 이제 용액은 잉크젯에 대해 자격을 갖추었다.
실시예 3
잉크젯 인쇄가능 도핑 배리어에 대한 제조 방법:
9Og 테트라에틸 오르토실리케이트를, 26g 탈이온수, 19Og 에탄올, 161g 에틸아세테이트 및 35g 아세트산의 혼합물 내로 교반하였다. 혼합물을 12시간 동안 환류 하에 준비하였다. 상기 혼합물을 17Og DMSO 내로 교반하고, 둥근 바닥 플라스크 내로 충진하였다. 회전 증발기에 의해 에틸아세테이트를 제거하였다. 모든 입자를 제거하기 위해, 냉각된 용액을 2 마이크론 멤브레인으로 여과하였다. 이제 용액은 잉크젯에 대해 자격을 갖추었다.
실시예 4
약 20분 동안 전구체 TMOS (1.5 ㎖), 물 (0.4 ㎖) 및 0.04 M HCl (0.022 ㎖) 의 혼합물을 초음파 처리하여 테트라메틸 오르토실리케이트 (TMOS) 졸을 제조하였다. 하나는 1:1 체적비로 TMOS 졸의 일부와 첫 번째 저장 용액을 혼합하고, 다른 하나는 1:1 체적비로 TMOS 졸의 일부와 두 번째 저장 용액을 혼합하여, TMOS 졸-겔의 2 개 샘플을 제조하였다. 상기 혼합물을 DMSO 내로 교반하여 약 5% 의 SiO2 농도를 얻었다. 모든 입자를 제거하기 위해, 용액을 2 마이크론 멤브레인으로 여과하였다.

Claims (23)

  1. SiO2-층 또는 SiO2-라인을, 잉크젯 인쇄가능한 SiO2 전구체 조성물을 사용하여 기판 표면에 생성하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인을, 잉크젯 인쇄되는 SiO2 전구체 조성물을 사용하여 고해상도로 생성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인을, 용매로서 하나 이상의 고 비등 알코올을 포함하는 SiO2 전구체 조성물을 기판 표면에 고해상도로 잉크젯 인쇄하고, 전구체를 고체 SiO2 로 전환하기 위해 고온에서 건조 및 처리함으로써 생성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, SiO2 전구체 조성물을 실온 내지 300℃ 이하, 바람직하게는 실온 내지 150℃ 이하, 가장 바람직하게는 실온 내지 70℃ 이하 범위의 온도에서 잉크젯 인쇄하며, 80-400℃, 바람직하게는 100-200℃ 범위의 온도에서 건조하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 인쇄 후 잉크젯 인쇄 및 건조된 SiO2 전구체 조성물을 500℃ 초과 내지 1000℃ 미만의 온도에서 SiO2 로 이루어지는 배리어 필름으로 전환하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 건조된 SiO2 전구체 조성물을 650℃ 초과 내지 900℃ 미만의 온도에서 SiO2 로 이루어지는 배리어 필름으로 전환하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 건조 및 이후의 전환을 위한 온도를, 처리된 웨이퍼를 절약할 뿐 아니라 용매를 원활하게 증발시키기 위해 느린 정도로 상승시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 하기를 포함하는 SiO2 전구체 조성물:
    (A) 하기 일반식 (I) 의 SiO2 전구체 또는 전구체 혼합물;
    Figure pat00007

    [식 중, 서로 독립적으로,
    R 은 A, AOA, Ar, AAr, AArA, AOAr, AOArA, AArOA 이고, 상기 A 는 선형 또는 분지형 C1-C18-알킬, 또는 치환 또는 비치환 시클릭 C3-C8 알킬이고; Ar 은 탄소수 6-18 의 치환 또는 비치환 방향족기이고,
    n = 1-100 이고,
    R 은 Si 또는 인접기 R 에 대해 추가적인 직접적 결합을 구축할 수 있음] 및
    (B) 하나 이상의 알코올, 또는 알코올의 균질 혼합물, 또는 하나 이상의 알코올과 하나 이상의 유기 조용매의 균질 혼합물, 또는 조용매와 하나 이상의 알코올의 균질 혼합물인, 100℃ 초과 내지 400℃ 미만의 비등 온도를 갖는 고 비등 용매 또는 균질 용매 혼합물.
  9. 제 8 항에 있어서, R 이 메틸, 에틸, i- 또는 n-프로필이고, 가장 바람직하게는 에틸인 일반식 (I) 의 SiO2 전구체 또는 전구체 혼합물을 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 테트라에틸렌 글리콜, 글리세롤, 디프로필렌 글리콜, 4-메톡시벤질 알코올, 트리프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜 부틸 에테르, 2-페녹시에탄올, 디에탄올아민, 트리에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜, 2-운데칸올, 에틸렌 글리콜 2-에틸헥실 에테르, 디에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 헥실 에테르, 디에틸렌 글리콜, 1-데칸올, a-테르피네올, 락트산, 헥실렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 1-노난올, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 1,3-부탄디올, 벤질 알코올, 1-옥탄올, 2-메틸-2-헵탄올, 2-옥탄올, 2,2-디메틸-1-펜탄올, 1-헵탄올, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 4-헵탄올, 3-헵탄올, 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 프로필렌 글리콜 부틸 에테르, 푸르푸릴 알코올, 디아세톤 알코올, 2-헵탄올, 에탄올아민, 5-메틸-2-헥산올, 디에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 부틸 에테르, 1-헥산올, 시클로헥산올, 3-메틸시클로헥산올, 2,2-디메틸-1-부탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 에틸렌 글리콜 프로필 에테르, 에틸 락테이트, 2-헥산올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-에틸-1-부탄올, 3-헥산올, 3-메틸-2-펜탄올 1-펜탄올, 시클로펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 에틸렌 글리콜 에틸 에테르, 3,3-디메틸-1-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 2-펜탄올, 에틸렌 글리콜 메틸 에테르, 3-펜탄올, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 1-부탄올, 2-메틸-1-프로판올의 군에서 선택되는 하나 이상의 알코올을 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 메틸 알코올, 에틸 알코올, n-프로필 알코올, 리소프로필 알코올, n-부틸 알코올, 2-에틸-1 부탄올, sec-부틸 알코올, tert-부틸 알코올, 이소부틸 알코올, 이소-아밀 알코올, n-아밀 알코올, t-아밀 알코올, n-헥실 알코올, 헵탄올, 옥탄올, 알릴 알코올, 크로틸 알코올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 트리메틸렌 글리콜, 글리세롤, 메틸 이소부틸 카르비놀, 2-에틸-1-헥산올, 디아세톤 알코올, 노닐 알코올, 데실 알코올, 세틸 알코올, 시클로헥산올, 푸르푸릴 알코올, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 벤질 알코올 및 페닐 에틸 알코올의 군에서 선택되는 하나 이상의 알코올을 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 톨루엔, 자일렌 (모든 이성질체), 테트랄린, 인단, 또는 모노, 디, 트리, 테트라, 펜타 및 헥사 알킬 벤젠, 나프탈렌, 알킬 나프탈렌, 알킬티아졸, 알킬티오펜과 같은 방향족 또는 헤테로방향족 탄화수소에서 선택되거나, n-옥탄과 같은 선형 또는 분지형 알칸, 또는 메틸시클로헥산 또는 데칼린 (이의 혼합물임) 과 같은 시클로알칸의 형태인 지방족 탄화수소에서 선택되는 하나 이상의 유기 조용매를 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 톨루엔, 자일렌 (모든 이성질체), 테트랄린, 인단, 벤젠, 나프탈렌, n-옥탄, 메틸시클로헥산 및 데칼린의 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 조용매를 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, FC43, FC70, 메틸 노나플루오로부틸 에테르, 3-에톡시-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6-도데카플루오로-2-트리플루오로메틸-헥산, 퍼플루오로데칸과 같은 하나 이상의 방향족 및 지방족 플루오로 용매, 또는 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르와 같은 하나 이상의 에테르, 또는 아밀 아세테이트와 같은 에스테르, 또는 감마-부티로락톤과 같은 락톤, 또는 케톤, 또는 NMP 또는 DMF 와 같은 아미드, 설폭시드 (DMSO), 설폰 등을 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  15. 제 8 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 전체로서의 조성물을 기준으로 0.1 중량% 초과 내지 90 중량% 미만, 보다 바람직하게는 0.5 중량% 초과 내지 50 중량% 미만, 가장 바람직하게는 1 중량% 초과 내지 20 중량% 미만 범위의 농도로 전구체를 포함하는 SiO2 전구체 조성물.
  16. 제 8 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 전체로서의 조성물을 기준으로 10 중량% 초과 내지 99.9 중량% 미만, 바람직하게는 50 중량% 초과 내지 99.5 중량% 미만, 가장 바람직하게는 80 중량% 초과 내지 99 중량% 미만의 양으로 고 비등 용매 또는 균질 용매 혼합물을 포함하고, 단, 담체 용매를 포함하는 약 90 중량% 가 100℃ 초과 내지 400℃ 미만의 비등점을 가지며 용매 혼합물의 5 중량% 이상이 고 비등 알코올인 SiO2 전구체 조성물.
  17. 제 8 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 인쇄 온도에서 2 cps 초과 내지 20 cps 미만 범위의 점도를 갖는 SiO2 전구체 조성물.
  18. 제 8 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서, 20 다인/cm 초과 내지 60 다인/cm 미만 범위의 표면 장력을 갖는 SiO2 전구체 조성물.
  19. 제 8 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 잉크젯 인쇄 가능한 것을 특징으로 하는 SiO2 전구체 조성물.
  20. 반도체 장치의 제조 방법 동안의 패턴화 또는 구조화된 SiO2-층 또는 SiO2-라인의 제조를 위한, 제 8 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 SiO2 전구체 조성물의 용도.
  21. 마이크로-스탬핑 / 소프트 석판술, 플랙소 또는 그라비어 공정 단계를 위한, 제 8 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 따른 SiO2 전구체 조성물의 용도.
  22. 규소에서의 붕소 또는 인 확산에 대한 SiO2 확산 배리어의 용도.
  23. 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 따른 방법 및 잉크를 사용하여 제작된 반도체 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2012156386A (ru) * 2010-05-27 2014-07-10 Мерк Патент Гмбх Состав и способ получения органических электронных устройств
DE102012212281B3 (de) 2012-07-13 2013-10-31 Schülke & Mayr GmbH Mischung von natürlichen bzw. naturidentischen Alkoholen mit verbesserter Wirksamkeit
EP2854170B1 (en) * 2013-09-27 2022-01-26 Alcatel Lucent A structure for a heat transfer interface and method of manufacturing the same
FR3013739B1 (fr) * 2013-11-28 2016-01-01 Valeo Vision Procede et dispositif de revetement de piece automobile

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0669186A (ja) * 1992-05-29 1994-03-11 Toray Ind Inc シリカ系被膜のパターン加工方法
JPH06191896A (ja) * 1992-10-07 1994-07-12 Asahi Glass Co Ltd 薄膜付窓ガラスの製造方法
JP2000133649A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Canon Inc 素子回路基板上の絶縁膜の形成方法
JP3926076B2 (ja) * 1999-12-24 2007-06-06 日本電気株式会社 薄膜パターン形成方法
JP2001254051A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Jsr Corp 膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜
JP2001254052A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Jsr Corp 膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜
JP3941325B2 (ja) * 2000-03-28 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 多孔質膜形成方法及び多孔質膜形成装置
DE10101926A1 (de) 2000-04-28 2001-10-31 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für anorganische Oberflächen
KR100812891B1 (ko) 2000-04-28 2008-03-11 메르크 파텐트 게엠베하 무기물 표면용 에칭 페이스트
JP2002043308A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁皮膜、その製造方法及びその絶縁皮膜を用いた半導体装置
JP2002124692A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Hitachi Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP2003055556A (ja) * 2001-08-14 2003-02-26 Jsr Corp シリコン膜またはシリコン酸化膜の形成方法およびそのための組成物
US20030215565A1 (en) * 2001-10-10 2003-11-20 Industrial Technology Research Institute Method and apparatus for the formation of laminated circuit having passive components therein
US7553512B2 (en) * 2001-11-02 2009-06-30 Cabot Corporation Method for fabricating an inorganic resistor
US20030146019A1 (en) * 2001-11-22 2003-08-07 Hiroyuki Hirai Board and ink used for forming conductive pattern, and method using thereof
JP2004006664A (ja) * 2002-04-10 2004-01-08 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
WO2004068918A2 (en) * 2003-01-31 2004-08-12 Aktina Limited Method for producing thin silver layers
JP4042685B2 (ja) * 2003-03-26 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 トランジスタの製造方法
US20060160373A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Processes for planarizing substrates and encapsulating printable electronic features
US20070299176A1 (en) * 2005-01-28 2007-12-27 Markley Thomas J Photodefinable low dielectric constant material and method for making and using same
US7732330B2 (en) * 2005-06-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same

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