JP2001254051A - 膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜 - Google Patents
膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜Info
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Abstract
て、誘電特性や機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可
能な膜形成用組成物を得る。 【解決手段】 (A)下記一般式(1)、(2)、
(3)、で表される化合物の群から選ばれた少なくとも
1種のシラン化合物を、アルカリ化合物の存在下で加水
分解して得られる縮合物ならびに(B)プロトン系有機
溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。 RaSi(OR1)4−a (1) Si(OR2)4 (2) R3 b(R4O)3−bSi−(R7)−Si(O
R5)3−cR6 c (3) (式中Rは水素原子、フッ素原子または一価の有機基、
R1〜R6は一価の有機基、R7は酸素原子、フェニレ
ン基、−(CH2)n−で表される基、aは1〜2の整
数、b,cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6
の整数を示す。)
Description
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、比誘電率特性および機械的強度に優れ
たシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物に関する。
膜として、CVD法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ(SiO2 )膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、S
OG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間
絶縁膜が開発されている。しかしながら、半導体素子な
どのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体
間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低
比誘電率でかつ塗布性に優れる層間絶縁膜材料が求めら
れるようになっている。
存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子と
アルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物か
らなる組成物(特開平5−263045、同5−315
319)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物
をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布
液(特開平11−340219、同11−34022
0)が提案されているが、これらの方法で得られる材料
はいずれも低誘電性および塗布性の両方ともに優れると
いうものではなかった。
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低誘電
性および塗布性の双方に優れる膜形成用組成物、その製
造方法および該組成物から得られるシリカ系膜を提供す
ることを目的とする。
般式(1)で表される化合物(以下「化合物(1)」と
もいう)、下記一般式(2)で表される化合物(以下
「化合物(2)」ともいう)および下記一般式(3)で
表される化合物(以下「化合物(3)」ともいう)の群
から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ
性化合物の存在下で加水分解し、縮合した加水分解縮合
物(以下「(A)加水分解縮合物」ともいう)、 Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)プロト
ン系有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成
物ならびに前記組成物の製造方法に関する。次に、本発
明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加熱するこ
とを特徴とする膜の形成方法に関する。次に、本発明
は、上記膜の形成方法によって得られるシリカ系膜に関
する。
縮合物とは、上記化合物(1)〜(3)の群から選ばれ
た少なくとも1種の加水分解物および/またはその縮合
物である。ここで、(A)成分における加水分解物と
は、上記(A)成分を構成する化合物(1)〜(3)に
含まれるR1 O−基,R2 O−基,R4 O−基およびR
5 O−基のすべてが加水分解されている必要はなく、例
えば、1個だけが加水分解されているもの、2個以上が
加水分解されているもの、あるいは、これらの混合物で
あってもよい。また、(A)成分における縮合物は、
(A)成分を構成する化合物(1)〜(3)の加水分解
物のシラノール基が縮合してSi−O−Si結合を形成
したものであるが、本発明では、シラノール基がすべて
縮合している必要はなく、僅かな一部のシラノール基が
縮合したもの、縮合の程度が異なっているものの混合物
などをも包含した概念である。
群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を特定量
のアルカリ性化合物の存在下に、加水分解、縮合して得
られる。 化合物(1);上記一般式(1)において、RおよびR
1 の1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式(1)において、Rは1価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜
5であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式(1)において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロポキシ
シラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブ
トキシシラン、トリ−tert−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−n−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−iso−プロポキシシラン、
フルオロトリ−n−ブトキシシラン、フルオロトリ−s
ec−ブトキシシラン、フルオロトリ−tert−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど;
トキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メ
チルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n
−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチル
トリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブト
キシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−s
ec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピル
トリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラ
ン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プ
ロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピル
トリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec
−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブト
キシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−
プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキ
シシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、
i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プ
ロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−
sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert
−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラ
ン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエ
トキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラ
ン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−
ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−s
ec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブ
トキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、se
c−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエ
トキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシ
シラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシ
ラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、s
ec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec
−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−
ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキ
シシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチル
トリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso
−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシ
ラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−
ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ
−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
トキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−te
rt−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキ
シシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、
ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ
−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−
プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロ
ポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキ
シシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブト
キシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポ
キシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシ
シラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ
−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−
ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメト
キシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ
−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−s
ec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−
ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラ
ン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシ
ラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど;を挙げることができる。
チルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−is
o−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エ
チルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシ
シラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキ
シシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメ
トキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどであ
る。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用して
もよい。
て、R2 で表される1価の有機基としては、先の一般式
(1)と同様な有機基を挙げることができる。一般式
(2)で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロ
ポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テ
トラ−n−ブトキシラン、テトラ−sec−ブトキシシ
ラン、テトラ−tert−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。
て、R3 〜R6 で表される1価の有機基としては、先の
一般式(1)と同様な有機基を挙げることができる。一
般式(3)のうち、R7 が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、1,1,1,
3,3−ペンタメトキシ−3−メチルジシロキサン、
1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−メチルジシ
ロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3
−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメ
トキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3
−ペンタエトキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,
1,3,3−ペンタフェノキシ−3−エチルジシロキサ
ン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−フェニ
ルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ
−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペ
ンタフェノキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,
3,3−テトラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチ
ルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−
1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テト
ラメトキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,
3,3−テトラエトキシ−1,3−ジエチルジシロキサ
ン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジエ
チルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−
1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラエトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジフェニルジ
シロキサン、1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−
トリメチルジシロキサン、1,1,3−トリエトキシ−
1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−ト
リフェノキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、
1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリエチルジ
シロキサン、、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3
−トリエチルジシロキサン、、1,1,3−トリフェノ
キシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、、1,
1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリフェニルジシ
ロキサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−ト
リフェニルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ
−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,3−ジ
メトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,
3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−
1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−
ジエトキシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサ
ン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラエ
チルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,
3−テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジエトキシ
−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,
3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テ
トラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,
1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジ
フェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキ
シ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,
3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシ
ロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,
2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,
1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラ
ン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチ
ルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2
−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキ
シ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタ
フェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2
−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,
1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、
1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニル
ジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−
ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−
1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフ
ェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2
−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,
1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラ
ン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエ
チルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,
2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエト
キシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−
テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,
1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラ
ン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチ
ルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2
−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−
1,2,2−トリエチルジシラン、、1,1,2−トリ
エトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、、1,
1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシ
ラン、、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリ
フェニルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,
2,2−トリフェニルジシラン、、1,1,2−トリフ
ェノキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2
−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラ
ン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−
テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−
1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフ
ェノキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、
1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニル
ジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テト
ラフェニルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。
ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメト
キシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テ
トラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,
2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラ
ン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチ
ルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テ
トラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,
2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ
−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。
(CH2 )n −で表される基の化合物としては、ビス
(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシ
リル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メ
タン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビ
ス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−
sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブ
トキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エ
タン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメト
キシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)
−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−
プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキ
シシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシ
リル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、
1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−
n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブト
キシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシ
リル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)
−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ
メトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)
エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリ
エトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメ
チルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エ
タン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−
(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n
−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシ
シリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシ
リル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタ
ン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(ト
リ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメ
チルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)
メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタ
ン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス
(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビ
ス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ
−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス
(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−
ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2
−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、
1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタ
ン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,2−ビス(トリ-t- ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,
4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、
1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼ
ンなど挙げることができる。
ル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,
2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス
(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチ
ルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−
(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリ
ル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−
(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチ
ルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス
(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシ
メチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチ
ルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシ
リル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベ
ンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼ
ン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、
1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4
−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス
(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。
合物(1)〜(3)としては、上記化合物(1)、
(2)および(3)の1種もしくは2種以上を用いるこ
とができる。なお、上記(A)成分を構成する化合物
(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、R1O−基,R2
O−基,R4O−基およびR5O−基の総量1モル当た
り、5〜50モルの水を用いることが好ましく、7〜3
0モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水の
量が5モルより少ない場合は、十分な比誘電率と弾性率
が得られない場合があり、一方、50モルより多い場合
は、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル
化が生じる場合がある。
化合物としては、アンモニア(アンモニア水溶液を含
む)、有機アミン、アルカリ性無機化合物が挙げられる
が、本発明においてはアンモニアおよび有機アミンが好
ましい。本発明において有機アミンとしては、アルキル
アミン、アルカノールアミン、アリールアミンなどを挙
げることができる。本発明で使用することのできるアル
キルアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プ
ロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチ
ルアミン、N,N−ジメチルアミン、N,N−ジエチル
アミン、N,N−ジプロピルアミン、N,N−ジブチル
アミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプ
ロピルアミン、トリブチルアミンなどの炭素数1〜4の
アルキル基を有する化合物、メトキシメチルアミン、メ
トキシエチルアミン、メトキシプロピルアミン、メトキ
シブチルアミン、エトキシメチルアミン、エトキシエチ
ルアミン、エトキシプロピルアミン、エトキシブチルア
ミン、プロポキシメチルアミン、プロポキシエチルアミ
ン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシブチルアミ
ン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、ブ
トキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミンなどのア
ルコキシ基を有する化合物などを挙げることができる。
アルカノールアミンとしては、メタノールアミン、エタ
ノールアミン、プロパノールアミン、ブタノールアミ
ン、N−メチルメタノールアミン、N−エチルメタノー
ルアミン、N−プロピルメタノールアミン、N−ブチル
メタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−
エチルエタノールアミン、N−プロピルエタノールアミ
ン、N−ブチルエタノールアミン、N−メチルプロパノ
ールアミン、N−エチルプロパノールアミン、N−プロ
ピルプロパノールアミン、N−ブチルプロパノールアミ
ン、N−メチルブタノールアミン、N−エチルブタノー
ルアミン、N−プロピルブタノールアミン、N−ブチル
ブタノールアミン、N,N−ジメチルメタノールアミ
ン、N,N−ジエチルメタノールアミン、N,N−ジプ
ロピルメタノールアミン、N,N−ジブチルメタノール
アミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−
ジエチルエタノールアミン、N,N−ジプロピルエタノ
ールアミン、N,N−ジブチルエタノールアミン、N,
N−ジメチルプロパノールアミン、N,N−ジエチルプ
ロパノールアミン、N,N−ジプロピルプロパノールア
ミン、N,N−ジブチルプロパノールアミン、N,N−
ジメチルブタノールアミン、N,N−ジエチルブタノー
ルアミン、N,N−ジプロピルブタノールアミン、N,
N−ジブチルブタノールアミン、N−メチルジメタノー
ルアミン、N−エチルジメタノールアミン、N−プロピ
ルジメタノールアミン、N−ブチルジメタノールアミ
ン、N−メチルジエタノールアミン、N−エチルジエタ
ノールアミン、N−プロピルジエタノールアミン、N−
ブチルジエタノールアミン、N−メチルジプロパノール
アミン、N−エチルジプロパノールアミン、N−プロピ
ルジプロパノールアミン、N−ブチルジプロパノールア
ミン、N−メチルジブタノールアミン、N−エチルジブ
タノールアミン、N−プロピルジブタノールアミン、N
−ブチルジブタノールアミン、N−(アミノメチル)メ
タノールアミン、N−(アミノメチル)エタノールアミ
ン、N−(アミノメチル)プロパノールアミン、N−
(アミノメチル)ブタノールアミン、N−(アミノエチ
ル)メタノールアミン、N−(アミノエチル)エタノー
ルアミン、N−(アミノエチル)プロパノールアミン、
N−(アミノエチル)ブタノールアミン、N−(アミノ
プロピル)メタノールアミン、N−(アミノプロピル)
エタノールアミン、N−(アミノプロピル)プロパノー
ルアミン、N−(アミノプロピル)ブタノールアミン、
N−(アミノブチル)メタノールアミン、N−(アミノ
ブチル)エタノールアミン、N−(アミノブチル)プロ
パノールアミン、N−(アミノブチル)ブタノールアミ
ンなどを挙げることができる。またアリールアミンとし
てはアニリンなどを挙げることができる。さらに有機ア
ミンとしてテトラメチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、テト
ラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチ
ルアンモニウムハイドロキサイド、テトラメチルエチレ
ンジアミン、テトラエチルエチレンジアミン、テトラプ
ロピルエチレンジアミン、テトラブチルエチレンジアミ
ン、メチルアミノメチルアミン、メチルアミノエチルア
ミン、メチルアミノプロピルアミン、メチルアミノブチ
ルアミン、エチルアミノメチルアミン、エチルアミノエ
チルアミン、エチルアミノプロピルアミン、エチルアミ
ノブチルアミン、プロピルアミノメチルアミン、プロピ
ルアミノエチルアミン、プロピルアミノプロピルアミ
ン、プロピルアミノブチルアミン、ブチルアミノメチル
アミン、ブチルアミノエチルアミン、ブチルアミノプロ
ピルアミン、ブチルアミノブチルアミン、ピリジン、ピ
ロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリ
ン、モルホリン、メチルモルホリン、ジアザビシクロオ
クラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデ
センなど挙げることができる。
は2種以上を同時に使用してもよい。本発明においてア
ルカリ性化合物としては、アルキルアミンを用いるとシ
リカ系膜の基板への密着性の点からより好ましい。上記
アルキルアミンの使用量は、化合物(1)〜(3)中の
R O−基,R2O−基,R4O−基およびR5O−基で表
される基の総量1モルに対して、通常、0.00001
〜10モル、好ましくは0.00005〜5モルであ
る。アルキルアミンの使用量が上記範囲内であれば、反
応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少ない。
合物の慣性半径は、GPC(屈折率,粘度,光散乱測
定)法による慣性半径で、好ましくは5〜50nm、さ
らに好ましくは8〜40nm、特に好ましくは9〜20
nmである。加水分解縮合物の慣性半径が5〜50nm
であると、得られるシリカ系膜の比誘電率、弾性率およ
び膜の均一性に特に優れるものとできる。また、このよ
うにして得られる(A)加水分解縮合物は、粒子状の形
態をとっていないことにより、基板状への塗布性が優れ
るという特徴を有している。粒子状の形態をとっていな
いことは、例えば透過型電子顕微鏡観察(TEM)によ
り確認される。
解縮合物に換算したときに、化合物(2)は、化合物
(1)〜(3)の総量中、5〜75重量%、好ましくは
10〜70重量%、さらに好ましくは15〜70重量%
である。また、化合物(1)および/または(3)は、
化合物(1)〜(3)の総量中、95〜25重量%、好
ましくは90〜30重量%、さらに好ましくは85〜3
0重量%である。化合物(2)が、化合物(1)〜
(3)の総量中、5〜75重量%であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物(1)〜(3)中のR1 O−基,R2 O−基,R4 O
−基およびR5 O−基が100%加水分解してSiOH
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、(A)成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物(1)およ
び化合物(2)の加水分解縮合物であることが好まし
い。
物(1)〜(3)の群から選ばれた少なくとも1種のシ
ラン化合物を、アルキルアミンの存在下に加水分解・縮
合して、加水分解縮合物とし、好ましくはその慣性半径
を5〜50nmとなすが、その後、組成物のpHを7以
下に調整することが好ましい。pHを調整する方法とし
ては、 pH調整剤を添加する方法、 常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留
去する方法、 窒素、アルゴンなどのガスをバブリングすることによ
り、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、 イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、 などが挙げられる。これらの方法は、それぞれ、組み合
わせて用いてもよい。
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、イタコン酸、シトラ
コン酸、メサコン酸、クロトン酸、グルタル酸などを挙
げることができる。上記pH調整剤による組成物のpH
は7以下、好ましくは1〜6に調整される。このよう
に、加水分解縮合物の慣性半径を5〜50nmとなした
のち、上記pH調整剤により上記範囲内にpHを調整す
ることにより、得られる組成物の貯蔵安定性が向上する
という効果が得られる。pH調整剤の使用量は、組成物
のpHが上記範囲内となる量であり、その使用量は、適
宜選択される。
(B)プロトン系有機溶媒に溶解または分散してなる。
この(B)プロトン系有機溶媒としては、アルコール系
溶媒およびアミド系溶媒溶媒の群から選ばれた少なくと
も1種が挙げられる。ここで、アルコール系溶媒として
は、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−
プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、se
c−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、
i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペ
ンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノー
ル、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、se
c−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘ
プタノール、ヘプタノール−3、n−オクタノール、2
−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノ
ニルアルコール、2,6−ジメチルヘプタノール−4、
n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリ
メチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコ
ール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、
シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,
3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアル
コール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系
溶媒;
グリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,
4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−
2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
ル、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノー
ル、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタ
ノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、s
ec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシ
ブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノー
ル、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテルなどが好ましい。
−メチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、アセ
トアミド、N−メチルアセトアミド、N−エチルアセト
アミド、N−メチルプロピオンアミドなどが挙げられ
る。これらアミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同
時に使用してもよい。以上の(B)プロトン系有機溶媒
は、1種あるいは2種以上を混合して使用することがで
きる。本発明の膜形成用組成物は、(A)成分を構成す
る化合物(1)〜(3)を加水分解および/または縮合
する際に、同様の溶媒を使用することができる。本発明
の膜形成用組成物における(A)成分を構成する化合物
の合成の具体例としては、下記〜の方法などを挙げ
ることができる。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)、アルカ
リ性化合物および(B)有機溶媒からなる混合物に、所
定量の水を加えて、加水分解・縮合反応を行う方法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)、アルカ
リ性化合物および(B)有機溶媒からなる混合物に、所
定量の水を連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解、縮合反応う方法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)および
(B)有機溶媒からなる混合物に、所定量の水およびア
ルカリ性化合物を加えて、加水分解・縮合反応を行う方
法。 (A)成分を構成する化合物(1)〜(3)および
(B)成分からなる混合物に、所定量の水およびアルカ
リ性化合物を連続的あるいは断続的に添加して、加水分
解、縮合反応を行なう方法。 この際の反応温度としては、通常、0〜100℃、好ま
しくは15〜90℃である。このようにして得られた
(A)成分および(B)成分を含む組成物は、シラン化合
物の加水分解、縮合後、水および低級アルコールを除去
する工程を含む事ができる。本発明の組成物の全固形分
濃度は、好ましくは、2〜30重量%であり、使用目的
に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が2〜
30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、
保存安定性もより優れるものである。なお、この全固形
分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上記(B)
有機溶媒による希釈によって行われる。
(B)成分を含む組成物を基本構成とするが、必要に応
じて下記に示すその他の添加剤を加え調製される。その他の添加剤 本発明の膜形成用組成物には、界面活性剤、さらにコロ
イド状シリカ、コロイド状アルミナなどの成分を添加し
てもよい。
に制限はないが、例えば、シリコーン系界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、ノニオン
系界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、
アクリル系界面活性剤などが挙げられ、これらは、1種
単独であるいは2種以上を併用することができる。界面
活性剤としては、シリコーン系、ノニオン系、フッ素
系、アクリル系界面活性剤が好ましく、なかでも成膜性
に優れ、金属腐食性ガスが発生しないことから、シリコ
ーン系界面活性剤が特に好ましい。
は、特に制限はないが、例えば、ジメチルポリシロキサ
ン−ポリオキシアルキレン共重合体を挙げることができ
る。シリコーン系界面活性剤の市販品としては、オルガ
ノシロキサンポリマーKP341〔信越化学工業(株)
製〕、SH7PA、SH21PA、SH28PA、SH
30PA、ST94PA(いずれも東レ・ダウコーニン
グ・シリコーン製)などを挙げることができる。
ルキルアミン塩、第4級アンモニウム塩、ポリオキシア
ルキルアミンなどが挙げられる。さらに、アニオン系界
面活性剤としては、脂肪酸塩、高級アルコール硫酸塩、
アルキルベンゼンスルホン酸塩、ジフェニルエーテルジ
スルホン酸塩、ジアルキルジスルホサクシネート、アル
キルホスフェート塩、ポリオキシエチレンサルフェート
塩などが挙げられる。
特に制限はないが、例えば、ポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシ
エチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオク
チルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテ
ル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエ
チレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアル
キルエステル類;ソルビタン脂肪酸エステル類;脂肪酸
変性ポリオキシエチレン類;ポリオキシエチレン−ポリ
オキシプロピレンブロック共重合体などを挙げることが
できる。
限はないが、先に挙げたアニオン系界面活性剤、カチオ
ン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤の2つ以上が組
み合わされた構造のものが挙げられる。
1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−
テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)
エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,
2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロ
ロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフ
ロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ
デカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンア
ミド)プロピル]- N,N′−ジメチル−N−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル
−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の
少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフル
オロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面
活性剤を挙げることができる。
ガファックF142D、同F172、同F173、同F
183〔以上、大日本インキ化学工業(株)製〕、エフ
トップEF301、同303、同352〔新秋田化成
(株)製〕、フロラードFC−430、同FC−431
〔住友スリーエム(株)製〕、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106〔旭硝子(株)製〕、BM−10
00、BM−1100〔裕商(株)製〕、NBX−15
〔(株)ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックF172,BM−1000,BM−11
00,NBX−15が特に好ましい。
界面活性剤としては、(メタ)アクリル酸系共重合体な
どを挙げることができ、ポリフローNo. 57,95〔共
栄社油脂化学工業(株)製〕などの名称で市販されてい
るものを挙げることができる。
無水ケイ酸を上記親水性有機溶媒に分散した分散液であ
り、通常、平均粒径が5〜30nm、好ましくは10〜
20nm、固形分濃度が10〜40重量%程度のもので
ある。このような、コロイド状シリカとしては、例え
ば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾルおよ
びイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業(株)
製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナと
しては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル520、
同100、同200;川研ファインケミカル(株)製の
アルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132な
どが挙げられる。
の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成する。ここで、本
発明の組成物を塗布することができる基板としては、半
導体、ガラス、セラミックス、金属などが挙げられる。
また、塗布方法としては、スピンコート、ディッピン
グ、ローラーブレードなどが挙げられる。本発明の組成
物は、特にシリコンウエハ、SiO2 ウエハ、SiNウ
エハなどの上に塗布され、絶縁膜とすることに適してい
る。
りで厚さ0.05〜1.5μm程度、2回塗りでは厚さ
0.1〜3μm程度の塗膜を形成することができる。形
成する塗膜の厚さは、通常、0.2〜20μmである。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブ
ン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気
としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空
下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうこ
とができる。また、上記の(A)成分の硬化速度を制御
するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、
空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができ
る。このようにして得られる本発明のシリカ系膜は、膜
密度が、通常、0.35〜1.2g/cm3 、好ましく
は0.4〜1.1g/cm3 、さらに好ましくは0.5
〜1.0g/cm3 である。膜密度が0.35g/cm
3 未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一方、1.2
g/cm3 を超えると低比誘電率が得られない。また、
本発明のシリカ系膜は、BJH法による細孔分布測定に
おいて、10nm以上の空孔が認められず、微細配線間
の層間絶縁膜材料として好ましい。さらに、本発明のシ
リカ系膜は、吸水性が低い点に特徴を有し、例えば、塗
膜を127℃、2.5atm、100%RHの環境に1
時間放置した場合、放置後の塗膜のIRスペクトル観察
からは塗膜への水の吸着は認められない。この吸水性
は、本発明における膜形成用組成物に用いられる化合物
(1)のテトラアルコキシシラン類の量により、調整す
ることができる。さらに、本発明のシリカ系膜の比誘電
率は、低比誘電率であり、通常、2.6〜1.2、好ま
しくは2.5〜1.2、さらに好ましくは2.4〜1.
2である。
膜の均一性、比誘電率特性、塗膜の耐クラック性、塗膜
の表面硬度に優れることから、LSI、システムLS
I、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRA
Mなどの半導体素子用層間絶縁膜、半導体素子の表面コ
ート膜などの保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶
表示素子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用であ
る。
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量%であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。
ーンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該
サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒュ
ーレットパッカード(株)製、HP16451B電極お
よびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いて
CV法により当該塗膜の比誘電率を測定した。ユニバーサル硬度(H ) 得られた膜を、ナノインデンターXP(ナノインスツル
メント社製)を用いて、連続剛性測定法により測定し
た。膜厚均一性 得られた膜の均一性は、ルドルフ社製他入射角エリプソ
メーターを用いて、ウエハー面内49点の膜厚分布を測
定し、その3σの値より判定した。
27.5gおよびエタノール570gの混合溶液中に、
メチルトリメトキシシラン13.6g(完全加水分解縮
合物換算6.7g)とテトラエトキシシラン20.9g
(完全加水分解縮合物6g)を加えて、60℃で3時間
反応させたのち、プロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル200gを加え、その後、減圧下で全溶液量11
6gとなるまで濃縮し、その後、酢酸の10%プロピレ
ングリコールモノプロピルエーテル溶液10gを添加
し、固形分含有量10%の組成物溶液を得た。 (2)上記(1)で得られた組成物を、8インチシリコ
ンウエハ上にスピンコート法により塗布し、大気中80
℃で5分間、次いで窒素下200℃で5分間加熱したの
ち、さらに真空下で340℃、360℃、380℃の順
でそれぞれ30分間ずつ加熱し、さらに真空下425℃
で1時間加熱し、無色透明のシリカ系膜を形成した。得
られたシリカ系膜について前述の評価を行った。結果を
表1に示す。
ノプロピルエーテル200gの代わりにN-メチルアセト
アミドを用いた以外は、参考例1と同様の操作を行な
い、固形分含有量8.8%の組成物溶液を得た。 (2)上記(1)で得られたポリシロキサン溶液を用い
た以外は、実施例1(2)と同様にして、組成物溶液を
調製した。得られた組成物を、8インチシリコンウエハ
上にスピンコート法により塗布し、大気中80℃で5分
間、次いで窒素下200℃で5分間加熱したのち、さら
に真空下で340℃、360℃、380℃の順でそれぞ
れ30分間ずつ加熱し、さらに真空下425℃で1時間
加熱し、無色透明のシリカ系膜を形成した。結果を表1
に示す。 比較例1 (1)実施例1(1)においてプロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル200gの代わりに非プロトン系溶
剤であるN-メチルピロリドンを用いた以外は、参考例1
と同様の操作を行ない、固形分含有量8.8%の組成物
溶液を得た。 (2)上記(1)で得られたポリシロキサン溶液を用い
た以外は、実施例1(2)と同様にして、組成物溶液を
調製した。得られた組成物を、8インチシリコンウエハ
上にスピンコート法により塗布し、大気中80℃で5分
間、次いで窒素下200℃で5分間加熱したのち、さら
に真空下で340℃、360℃、380℃の順でそれぞ
れ30分間ずつ加熱し、さらに真空下425℃で1時間
加熱し、無色透明のシリカ系膜を形成した。結果を表1
に示す。実施例、比較例ともに低比誘電率で高硬度のシ
リカ膜が得られたが、比較例のみ膜厚の均一性が不良で
あった。
に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を提供
することができる。
Claims (8)
- 【請求項1】 (A)下記一般式(1)で表される化
合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一
般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくと
も1種のシラン化合物を、アルカリ性化合物の存在下で
加水分解し、縮合した加水分解縮合物ならびに Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c・・・・ (3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)プロト
ン系有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成
物。 - 【請求項2】 (B)プロトン系有機溶媒がアルコール
系溶媒またはアミド系溶媒から選ばれる少なくとも1種
であることを特徴とする請求項1記載の膜形成用組成
物。 - 【請求項3】 アルカリ性化合物がアンモニアおよび有
機アミンからなる群より選ばれることを特徴とする請求
項1記載の膜形成用組成物。 - 【請求項4】 (B)プロトン系有機溶媒が多価アルコ
ール系溶媒であることを特徴とする請求項1記載の膜形
成用組成物。 - 【請求項5】 (A)下記一般式(1)で表される化合
物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般
式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも
1種のシラン化合物を、水および低級アルコールを溶剤
として用い、アルカリ性化合物の存在下で加水分解し、
縮合した後、 Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機
基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。) Si(OR2 )4 ・・・・・(2) (式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si−(R7 )d −Si(OR5 )3-c R6 c・・・・ (3) 〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価
の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数
を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または−(CH
2 )n −で表される基(ここで、nは1〜6の整数であ
る)、dは0または1を示す。〕(B)プロトン系有機
溶媒を添加することを特徴とする膜形成用組成物の製造
方法。 - 【請求項6】 シラン化合物の加水分解、縮合後、水お
よび低級アルコールを除去する工程を含むことを特徴と
する請求項5記載の膜形成用組成物の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1〜4項記載の膜形成用組成物
を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜の形成方
法。 - 【請求項8】 請求項7記載の膜の形成方法によって
得られるシリカ系膜。
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JP2000068977A JP2001254051A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 膜形成用組成物、膜形成用組成物の形成方法およびシリカ系膜 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515584A (ja) * | 2008-03-26 | 2011-05-19 | メルク パテント ゲーエムベーハー | SiO2レジスト層を製造するための組成物およびその使用方法 |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068977A patent/JP2001254051A/ja active Pending
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