JP2001240798A - 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 均一な厚さで、塗膜の機械的強度やクラック
耐性やＣＭＰ耐性に優れ、かつ低比誘電率の塗膜が得ら
れる膜形成用組成物を得る。 【解決手段】 （Ａ）；Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_4-a （Ｒ¹は
水素、フッ素、１価の有機基、Ｒ²は１価の有機基、ａ
は０〜２の整数）およびＲ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−
（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ^６ _ｃ（Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵お
よびＲ⁶は、１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、０〜
２の数、Ｒ⁷は酸素または−（ＣＨ₂）_n−基、ｎは１〜
６を、ｄは０または１を示す。）からなる群より選ばれ
る少なくとも１種の化合物の加水分解物および縮合物も
しくはいずれか一方と、（Ｂ）；ＨＯ−（ＳｉＲ⁸Ｒ
⁹Ｏ）_eＨ（Ｒ⁸およびＲ⁹は、１価の有機基、ｅは２〜１
００の整数）を含有することを特徴とする膜形成用組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成
可能な、塗膜の機械的強度やクラック耐性やＣＭＰ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉ
ｎｇ）耐性に優れ、かつ低比誘電率の塗膜が得られる膜
形成用組成物に関する。

【０００３】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで以て形成され
たシリカ（ＳｉＯ₂）膜が多用されている。そして、近
年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的とし
て、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれ
るテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とす
る塗布型の絶縁膜も使用されるようになっている。ま
た、半導体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼
ばれるポリオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電
率の層間絶縁膜が開発されている。しかしながら、半導
体素子などのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優
れた導体間の電気絶縁性が要求されており、したがっ
て、より低比誘電率で表面硬度特性に優れる層間絶縁膜
材料が求められるようになっている。

【０００４】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低比誘電率の絶縁膜形
成用塗布型組成物が開示されている。この塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマーを主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。

【０００５】また、ＷＯ９６／００７５８号公報には、
多層配線基板の層間絶縁膜の形成に使用される、アルコ
キシシラン類、シラン以外の金属アルコキシドおよび有
機溶媒などからなる、厚膜塗布が可能で、かつ耐酸素プ
ラズマ性に優れるシリカ系塗布型絶縁膜形成用材料が開
示されている。

【０００６】さらに、特開平３−２０３７７号公報に
は、電子部品などの表面平坦化、層間絶縁などに有用な
酸化物被膜形成用塗布液が開示されている。この酸化物
被膜形成用塗布液は、ゲル状物の発生のない均一な塗布
液を提供し、また、この塗布液を用いることにより、高
温での硬化、酸素プラズマによる処理を行った場合であ
っても、クラックのない良好な酸化物被膜を得ることを
目的としている。そして、その構成は、所定のシラン化
合物と、同じく所定のキレート化合物とを有機溶媒の存
在化で加水分解し、重合して得られる酸化物被膜形成用
塗布液である。

【０００７】しかし、上記のようにシラン化合物にチタ
ンやジルコニウムなどの金属キレート化合物を組み合せ
た場合、塗膜の機械的強度やクラック耐性やＣＭＰ耐性
や低比誘電率などをバランスよく有するものではない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低比誘
電率特性、クラック耐性、基板との密着性等のバランス
にも優れた層間絶縁膜用材料を提供することを目的とす
る。

【０００９】本発明は、（Ａ）（Ａ−１）下記一般式
（１）で表される化合物 Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_4-a ・・・・・（１） （Ｒ¹は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示
し、Ｒ²は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表
す。）および（Ａ−２）下記一般式（２) で表される化
合物 Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・・・（２) （Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁶は、同一でも異なっていても
よく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同
一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ⁷は
酸素原子または−（ＣＨ₂）_n−で表される基を示し、ｎ
は１〜６を、ｄは０または１を示す。）からなる群より
選ばれる少なくとも１種の化合物の加水分解物および縮
合物もしくはいずれか一方と（Ｂ）下記一般式（３）で
表される化合物 ＨＯ−（ＳｉＲ⁸Ｒ⁹Ｏ）_eＨ ・・・・・（３) （Ｒ⁸およびＲ⁹は、同一でも異なっていてもよく、それ
ぞれ１価の有機基を示し、ｅは２〜１００の整数を示
す。）を含有することを特徴とする膜形成用組成物およ
び絶縁膜形成用材料を提供するものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】（Ａ）成分 （Ａ−１）成分 上記一般式（１）において、Ｒ¹およびＲ²の１価の有機
基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリ
シジル基などを挙げることができる。また、一般式
（１）において、Ｒ¹は１価の有機基、特にアルキル基
またはフェニル基であることが好ましい。ここで、アル
キル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であ
り、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよ
く、さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていて
もよい。一般式（１）において、アリール基としては、
フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフ
ェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フル
オロフェニル基などを挙げることができる。

【００１１】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシラン、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プ
ロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフ
ェノキシシランなど；メチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラ
ン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ
−ｎ−プロポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポ
キシシラン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニル
トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−
プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキ
シシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルト
リエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロ
ピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ
−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノ
キシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチ
ルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチル
トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラ
ン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチ
ル−ｉ−トリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−
ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブト
キシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブ
チルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチ
ルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−
ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメ
トキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−
プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラ
ン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニル
トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノ
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロロプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリエ
トキシシランなど；ジメチルジメトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシ
ラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメ
チル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメト
キシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ
−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
エチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−
ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロ
ピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プ
ロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉ
ｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピ
ルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−
プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−
ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ
−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−
プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ
−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル
ジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅ
ｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキ
シシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エ
トキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフ
ェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニ
ルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロロ
プロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピル
トリエトキシシランなど；を挙げることができる。これ
らのうち好ましいものとしては、テトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシ
ラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラフェ
ノキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメ
トキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、
ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラ
ン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキ
シシラン、トリメチルモノメトキシシラン、トリメチル
モノエトキシシラン、トリエチルモノメトキシシラン、
トリエチルモノエトキシシラン、トリフェニルモノメト
キシシラン、トリフェニルモノエトキシシランが挙げら
れ、特に好ましい例として、テトラメトキシシラン、テ
トラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチ
ルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジ
メチルジエトキシシランを挙げることができる。これら
は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。

【００１２】（Ａ−２）成分 上記一般式（２）において、１価の有機基としては、先
の一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。

【００１３】また、一般式（２）のＲ⁷である２価の有
機基としては、メチレン基、炭素数２〜６のアルキレン
基などを挙げることができる。一般式（２）のうち、Ｒ
⁷が酸素原子の化合物としては、ヘキサメトキシジシロ
キサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキ
シジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ
−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペン
タエトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，
３，３−ペンタメトキシ−３−フェニルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−フェニルジ
シロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３
−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエト
キシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３
−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、
１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジフェニル
ジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３
−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ
−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−
トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサ
ン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリフェ
ニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−
ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキ
サン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフ
ェニルジシロキサンなどを挙げることができる。

【００１４】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジ
フェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシ
ロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。

【００１５】一般式（２）においてｄが０の化合物とし
ては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラ
ン、ヘキサフェニキシジシラン、１，１，１，２，２−
ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニ
ルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２
−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ
−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラ
メトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，
２−テトラエトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、
１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジ
シラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリ
メチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，
２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ
−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２−ジメト
キシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２
−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェ
ニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−
テトラフェニルジシランなどを、一般式（２）において
Ｒ⁷が−（ＣＨ₂）_n−で表される基の化合物としては、
ビス（ヘキサメトキシシリル）メタン、ビス（ヘキサエ
トキシシリル）メタン、ビス（ヘキサフェノキシシリ
ル）メタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、
ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジメト
キシフェニルシリル）メタン、ビス（ジエトキシフェニ
ルシリル）メタン、ビス（メトキシジメチルシリル）メ
タン、ビス（エトキシジメチルシリル）メタン、ビス
（メトキシジフェニルシリル）メタン、ビス（エトキシ
ジフェニルシリル）メタン、ビス（ヘキサメトキシシリ
ル）エタン、ビス（ヘキサエトキシシリル）エタン、ビ
ス（ヘキサフェノキシシリル）エタン、ビス（ジメトキ
シメチルシリル）エタン、ビス（ジエトキシメチルシリ
ル）エタン、ビス（ジメトキシフェニルシリル）エタ
ン、ビス（ジエトキシフェニルシリル）エタン、ビス
（メトキシジメチルシリル）エタン、ビス（エトキシジ
メチルシリル）エタン、ビス（メトキシジフェニルシリ
ル）エタン、ビス（エトキシジフェニルシリル）エタ
ン、１，３−ビス（ヘキサメトキシシリル）プロパン、
１，３−ビス（ヘキサエトキシシリル）プロパン、１，
３−ビス（ヘキサフェノキシシリル）プロパン、１，３
−ビス（ジメトキシメチルシリル）プロパン、１，３−
ビス（ジエトキシメチルシリル）プロパン、１，３−ビ
ス（ジメトキシフェニルシリル）プロパン、１，３−ビ
ス（ジエトキシフェニルシリル）プロパン、１，３−ビ
ス（メトキシジメチルシリル）プロパン、１，３−ビス
（エトキシジメチルシリル）プロパン、１，３−ビス
（メトキシジフェニルシリル）プロパン、１，３−ビス
（エトキシジフェニルシリル）プロパンなどを挙げるこ
とができる。これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェニキシジシラン、
１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジ
シラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジ
メチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−
１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラ
エトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメ
トキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，
２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェ
ニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−
テトラフェニルジシラン、ビス（ヘキサメトキシシリ
ル）メタン、ビス（ヘキサエトキシシリル）メタン、ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキ
シメチルシリル）メタン、ビス（ジメトキシフェニルシ
リル）メタン、ビス（ジエトキシフェニルシリル）メタ
ン、ビス（メトキシジメチルシリル）メタン、ビス（エ
トキシジメチルシリル）メタン、ビス（メトキシジフェ
ニルシリル）メタン、ビス（エトキシジフェニルシリ
ル）メタンを、好ましい例として挙げることができる。
本発明において、（Ａ）成分としては、上記（Ａ−１）
成分および（Ａ−２）成分、もしくはいずれか一方を用
い、（Ａ−１）成分および（Ａ−２）成分はそれぞれ２
種以上用いることもできる。

【００１６】（Ｂ）成分 上記一般式（３）において、１価の有機基としては、先
の一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。
一般式（３）で表される化合物の具体例としては、末端
ヒドロキシポリジメチルシロキサン、末端ヒドロキシポ
リジエチルシロキサン、末端ヒドロキシポリジビニルシ
ロキサン、末端ヒドロキシポリジフェニルシロキサン、
末端ヒドロキシポリジメチルシロキサン−ポリジフェニ
ルシロキサン共重合体などを挙げることができ、末端ヒ
ドロキシポリジメチルシロキサン、末端ヒドロキシポリ
ジフェニルシロキサン、末端ヒドロキシポリジメチルシ
ロキサン−ポリジフェニルシロキサン共重合体が好まし
い。

【００１７】ポリマーの繰り返し数としては、一般式
（３）中のｅが２〜１００、好ましくは２〜５０であ
る。これら（Ｃ）成分は１種または２種以上を同じに使
用しても良い。本発明において、（Ａ）成分に対する
（Ｂ）成分の使用割合は、（Ａ）成分１００重量部（完
全加水分解縮合物換算）で（Ｂ）成分０．２〜２０重量
部である。（Ｂ）成分の使用割合が２０重量部を超える
と塗膜の耐熱性が劣化する。本発明において、加水分解
とは、上記（Ａ）成分に含まれるＲ²Ｏ−基、Ｒ⁴Ｏ−
基、およびＲ⁵Ｏ−基すべてが加水分解されている必要
はなく、例えば１個だけが加水分解されているもの、２
個以上が加水分解されているもの、あるいは、これらの
混合物が生成することである。

【００１８】本発明において縮合とは（Ａ）成分の加水
分解物のシラノール基および（Ｂ）成分のシラノール基
が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものである
が、本発明では、シラノール基がすべて縮合している必
要はなく、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、
縮合の程度が異なっているものの混合物などをも生成す
ることを包含した概念である。なお、加水分解縮合物の
重量平均分子量は、通常、１，０００〜１２０，００
０、好ましくは１，２００〜１００，０００程度であ
る。本発明において（Ａ）成分を加水分解する際には、
触媒を使用することが好ましく、その触媒としては、一
般式（４）で示される金属キレート化合物、酸性触媒、
塩基性触媒を挙げることができる。

【００１９】金属キレート化合物としては、例えば、ト
リエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ト
リ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チ
タン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナ
ート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルア
セトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ
（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ
・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・
ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポ
キシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−
プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ
−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタ
ン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセト
ナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセ
トナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（ア
セチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・
トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブ
トキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ
−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）
チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセト
ナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）
チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセ
トアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキ
シ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタ
ン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテー
ト）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセト
アセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブト
キシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ
−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、
モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセ
テート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチ
ルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ
−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタ
ン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテ
ート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）
チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチル
アセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナー
ト）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス
（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテー
ト）チタンなどのチタンキレート化合物；トリエトキシ
・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−
ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコ
ニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセト
ナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（ア
セチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、
トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジ
ルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチ
ルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・
ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−
ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチル
アセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス
（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プ
ロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナ
ート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（ア
セチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブ
トキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウ
ム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナー
ト）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モ
ノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ
−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコ
ニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセ
テート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−
ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトア
セテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス
（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブ
トキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテ
ート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチル
アセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリ
ス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ
−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジル
コニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセ
トアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・ト
リス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−
ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）
ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルア
セトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセト
ナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウ
ム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセト
アセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナ
ート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウムな
どのジルコニウムキレート化合物；トリス（アセチルア
セトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセ
テート）アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合
物；などを挙げることができる。

【００２０】酸性触媒としては、有機酸および無機酸を
挙げることができる。有機酸としては、例えば、酢酸、
プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘ
プタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ
酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシ
ン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シ
キミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリ
ン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香
酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベ
ンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、ト
リクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、ス
ルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸など
を挙げることができる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸などを挙げることがで
きる。

【００２１】塩基性触媒としては、有機塩基および無機
塩基を挙げることができる。有機塩基としては、例え
ば、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピ
ペリジン、ピコリン、モノメチルアミン、ジメチルアミ
ン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルア
ミン、トリエチルアミン、モノプロピルアミン、ジプロ
ピルアミン、トリプロピルアミン、モノブチルアミン、
ジブチルアミン、トリブチルアミン、モノエタノールア
ミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールア
ミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノール
アミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナ
ン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドなどを挙げることができる。無
機塩基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウ
ムなどを挙げることができる。

【００２２】これら触媒のうち、金属キレート化合物、
有機酸、無機酸、有機塩基が好ましく、より好ましく
は、チタンキレート化合物、アルミキレート化合物、有
機酸、有機塩基を挙げることができる。これらは１種あ
るいは２種以上を同時に使用してもよい。上記触媒の使
用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００
重量部に対して、通常、０．００１〜１０重量部、好ま
しくは０．０１〜１０重量部の範囲である。また、触媒
は、前記溶剤中に予め添加しておいてもよいし、水添加
時に水中に溶解あるいは分散させておいてもよい。本発
明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分を触媒と水の存在下
で反応させた加水分解物および縮合物もしくはいずれか
一方と（Ｂ）成分を有機溶剤に溶解または分散してな
る。本発明に使用する有機溶剤としては、例えば、ｎ−
ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、２，２，４−トリメ
チルペンタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系
溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼ
ン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−
プロピルベンセン、ｉ−プロピルベンセン、ジエチルベ
ンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ
−ｉ−プロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリ
メチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒；メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノ
ール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタ
ノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノー
ル、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−
ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキ
サノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノー
ル、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチル
ヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアル
コール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカ
ノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノ
ニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓ
ｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘ
キサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−
トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、
フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、
クレゾールなどのモノアルコール系溶媒；エチレングリ
コール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチ
レングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチ
ルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，
５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジ
オール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレン
グリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレン
グリコール、グリセリンなどの多価アルコール系溶媒；
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピル
ケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、
メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケト
ン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシル
ケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、
シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキ
サノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセト
ン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチ
ョンなどのケトン系溶媒；エチルエーテル、ｉ−プロピ
ルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテ
ル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、
１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、４−メチ
ルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチル
エーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、
エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレング
リコールモノ−２−エチルブチルエーテル、エチレング
リコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコ
ール、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフランなどのエ
ーテル系溶媒；ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢
酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、
酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチ
ル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペ
ンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチ
ル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸
２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシ
ル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセ
ト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノ
エチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチル
エーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢
酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロ
ピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレ
ングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレング
リコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メト
キシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン
酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエ
チル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチ
ル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどのエステ
ル系溶媒；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセト
アミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチル
ピロリドンなどの含窒素系溶媒；硫化ジメチル、硫化ジ
エチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチ
ルスルホキシド、スルホラン、１，３−プロパンスルト
ンなどの含硫黄系溶媒などを挙げることができる。

【００２３】これらの中で、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プ
ロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、プロピ
レングリコールモノブチルエーテルを挙げることがで
き、特に好ましくはプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテルが特に好まし
い。これら有機溶剤は、１種あるいは２種以上を混合し
て使用することができる。

【００２４】本発明の膜形成用組成物は、下記のとおり
製造することができる。具体的には、（Ａ）成分を溶解
させた有機溶剤中に水を断続的あるいは連続的に添加す
る。この際、触媒は、有機溶剤中に予め添加しておいて
もよいし、水添加時に水中に溶解あるいは分散させてお
いてもよい。この際の反応温度としては、通常、０〜１
００℃、好ましくは１５〜８０℃である。また、膜形成
用組成物を構成するにあたり、組成物中の沸点１００℃
以下のアルコールの含量が、２０重量％以下、特に５重
量％以下であることが好ましい。沸点１００℃以下のア
ルコールは、上記（Ａ−１）成分ならびに（Ａ−２）成
分の加水分解および／またはその縮合の際に生じる場合
があり、その含量が２０重量％以下、好ましくは５重量
％以下になるように蒸留などにより除去することが好ま
しい。

【００２５】本発明で得られる膜形成用組成物には、さ
らにβ-ジケトン、２５０〜４５０℃に有機ポリマー、
界面活性剤、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、
などの成分を添加してもよい。β−ジケトンとしては、
アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−
ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，４−オ
クタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナ
ンジオン、３，５−ノナンジオン、５−メチル−２，４
−ヘキサンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘ
キサフルオロ−２，４−ヘプタンジオンなどの１種また
は２種以上である。本発明において、膜形成用組成物中
のβ−ジケトン含有量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮
合物換算）の合計量１００重量部に対して通常０．１〜
１００重量部、好ましくは０．２〜８０重量部の範囲で
ある。このような範囲でβ−ジケトンを添加すれば、一
定の保存安定性が得られるとともに、膜形成用組成物の
塗膜均一性などの特性が低下するおそれが少ない。この
β−ジケトンは、（Ａ）成分の加水分解、縮合反応後に
添加することが好ましい。

【００２６】２５０〜４５０℃に沸点または分解温度を
有する化合物としては有機ポリマーを挙げることができ
る。有機ポリマーとしては、例えば、ポリアルキレンオ
キサイド構造を有する化合物、糖鎖構造を有する化合
物、ビニルアミド系重合体、（メタ）アクリレート重合
体、芳香族ビニル化合物、デンドリマー、ポリイミド，
ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキ
ノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体な
どを挙げることができる。ポリアルキレンオキサイド構
造を有する化合物としては、ポリメチレンオキサイド構
造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキ
サイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリ
ブチレンオキシド構造などが挙げられる。

【００２７】具体的には、ポリオキシメチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリ
オキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキ
シエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラ
ノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の
酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプ
ロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリ
オキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化
合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、
ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオ
キシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシ
エチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテ
ルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エ
ステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モ
ノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビ
タン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エス
テル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエーテルエステル型
化合物などを挙げることができる。ポリオキシチレンポ
リオキシプロピレンブロックコポリマーとしては下記の
ようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。

【００２８】−（Ａ）ｏ−（Ｂ）ｐ− −（Ａ）ｏ−（Ｂ）ｐ−（Ａ）ｑ- （式中、Ａは−ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−で表される基を、Ｂは−
ＣＨ₂ＣＨ（ＣＨ₃）Ｏ−で表される基を示し、ｏは１〜
９０、ｐは１０〜９９、ｑは０〜９０の数を示す） これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポ
リマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアル
キルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、
などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げる
ことができる。

【００２９】これらは１種あるいは２種以上を同時に使
用しても良い。（メタ）アクリル系重合体としては、ポ
リオキシエチル基、ポリオキシプロピル基、アミド基、
ヒドロキシル基、カルボキシル基の群より選ばれた少な
くとも１種を有する（メタ）アクリル系重合体が挙げら
れる。上記（メタ）アクリル系重合体は、アクリル酸、
メタクリル酸、上記官能基を有するアクリル酸誘導体、
上記官能基を有するメタクリル酸誘導体、上記官能基を
有さないアクリル酸エステルおよび上記官能基を有さな
いメタクリル酸エステルより構成される。上記官能基を
有するアクリル酸誘導体の具体例としては、２−ヒドロ
キシエチルアクリレート、ジエチレングリコールアクリ
レート、ポリエチレングリコールアクリレート、メトキ
シジエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエ
チレングリコールアクリレート、エトキシジエチレング
リコールアクリレート、エトキシポリエチレングリコー
ルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、ジプロピレングリコールアクリレート、ポリプロピ
レングリコールアクリレート、メトキシジプロピレング
リコールアクリレート、メトキシポリプロピレングリコ
ールアクリレート、エトキシジプロピレングリコールア
クリレート、エトキシポリプロピレングリコールアクリ
レート、２−ジメチルアミノエチルアクリレート、２−
ジエチルアミノエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリ
ドン、ビニルピリジン、アクリルアミド、Ｎ−メチルア
クリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−
メチロールアクリルアミド、グリシジルアクリレートな
どのモノアクリレート類；ジエチレングリコールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレートなど
のジアクリレート類；などが挙げられる。これらは、１
種または２種以上を同時に使用してもよい。

【００３０】上記官能基を有するメタクリル酸誘導体の
具体例としては、２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレ
ングリコールメタクリレート、メトキシジエチレングリ
コールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコー
ルメタクリレート、エトキシジエチレングリコールメタ
クリレート、エトキシポリエチレングリコールメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ジプ
ロピレングリコールメタクリレート、ポリプロピレング
リコールメタクリレート、メトキシジプロピレングリコ
ールメタクリレート、メトキシポリプロピレングリコー
ルメタクリレート、エトキシジプロピレングリコールメ
タクリレート、エトキシポリプロピレングリコールメタ
クリレート、２−ジメチルアミノエチルメタクリレー
ト、２−ジエチルアミノエチルメタクリレート、メタク
リルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルア
ミド、グリシジルメタクリレートなどのモノメタクリレ
ート類；ジエチレングリコールジメタクリレート、ポリ
エチレングリコールジメタクリレート、ジプロピレング
リコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコール
ジメタクリレートなどのジメタクリレート類；などが挙
げられる。これらは、１種または２種以上を同時に使用
してもよい。

【００３１】上記官能基を有さないアクリル酸エステル
の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリ
レート、ｎ−プロピルアクリレート、ｉｓｏ−プロピル
アクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチ
ルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｔｅｒ
−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、ヘキシル
アクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリ
レート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、ド
デシルアクリレート、テトラデシルアクリレート、ヘキ
サデシルアクリレート、オクタデシルアクリレート、シ
クロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリ
レート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキ
シエチルアクリレート、２−メトキシプロピルアクリレ
ート、２−エトキシプロピルアクリレート、ベンジルア
クリレート、フェニルカルビトールアクリレート、ノニ
ルフェニルアクリレート、ノニルフェニルカルビトール
アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボ
ルニルアクリレートなどのモノアクリレート類；エチレ
ングリコールジアクリレート、１，３−ブチレングリコ
ールジアクリレート、１，４−ブチレングリコールジア
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
１，６−ヘキサングリコールジアクリレート、２，２−
ビス（４−アクリロキシプロピロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アクリロキシジエトキシフェニ
ル）プロパンなどのジアクリレート類；トリメチロール
エタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート
などのトリアクリレート類；ペンタエリスリトールテト
ラアクリレートなどのテトラアクリレート類などが挙げ
られる。これらは、１種または２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００３２】上記官能基を有さないメタクリル酸エステ
ルの具体例としては、メチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、ｉｓｏ−
プロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、
ｉｓｏ−ブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタク
リレート、ｔｅｒ−ブチルメタクリレート、アミルメタ
クリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタク
リレート、オクチルメタクリレート、ノニルメタクリレ
ート、デシルメタクリレート、ドデシルメタクリレー
ト、テトラデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタク
リレート、オクタデシルメタクリレート、シクロヘキシ
ルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、２−メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシ
エチルメタクリレート、２−メトキシプロピルメタクリ
レート、２−エトキシプロピルメタクリレート、ベンジ
ルメタクリレート、フェニルカルビトールメタクリレー
ト、ノニルフェニルメタクリレート、ノニルフェニルカ
ルビトールメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシ
エチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタク
リレート、イソボルニルメタクリレートなどのモノメタ
クリレート類；エチレングリコールジメタクリレート、
１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、１，４
−ブチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチル
グリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサングリコ
ールジメタクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロ
キシジエトキシフェニル）プロパンなどのジメタクリレ
ート類；トリメチロールエタントリエタクリレート、ト
リメチロールプロパントリメタクリレートなどのトリメ
タクリレート類などが挙げられる。これらは、１種また
は２種以上を同時に使用してもよい。界面活性剤として
は、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活
性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙
げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系
界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポ
リ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを挙げること
ができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系
界面活性剤を挙げることができる。

【００３３】フッ素系界面活性剤としては、例えば１，
１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−
テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テ
トラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレン
グリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）
エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，
２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタ
プロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロ
ロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ
（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エ
ーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフ
ロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロ
デカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンア
ミド）プロピル］-Ｎ，Ｎ‘−ジメチル−Ｎ−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル
−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少
なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオ
ロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活
性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガ
ファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１
８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフト
ップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成
（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１
（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１
０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−
１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１
０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０
００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５
（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１
００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。シリコーン系界面
活性剤としては、例えばＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、Ｓ
Ｈ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（いずれも東レ・ダウコーニ
ング・シリコーン（株）製などを用いることが出来る。
これらの中でも、上記ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡに相
当する下記一般式（５）で表される重合体が特に好まし
い。 一般式（５）

【００３４】

【化１】

【００３５】さらに本発明の組成物にはコロイド状シリ
カまたはコロイド状アルミナをさらに含有していてもよ
い。コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ
酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通
常、平均粒径が５〜３０ｍμ、好ましくは１０〜２０ｍ
μ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度のものである。
このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産
化学工業（株）製、メタノールシリカゾルおよびイソプ
ロパノールシリカゾル；触媒化成工業（株）製、オスカ
ルなどが挙げられる。コロイド状アルミナとしては、日
産化学工業（株）製のアルミナゾル５２０、同１００、
同２００；川研ファインケミカル（株）製のアルミナク
リアーゾル、アルミナゾル１０、同１３２などが挙げら
れる。本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度は、好ま
しくは、２〜３０重量％であり、使用目的に応じて適宜
調整される。組成物の全固形分濃度が２〜３０重量％で
あると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性も
より優れるものである。本発明の組成物を、シリコンウ
エハ、ＳｉＯ２ ウエハ、ＳｉＮウエハなどの基材に塗
布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート
法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。

【００３６】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗
りで厚さ０．０５〜１．５ｎｍ程度、２回塗りでは厚さ
０．１〜３ｎｍ程度の塗膜を形成することができる。そ
の後、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００℃程度
の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥するこ
とにより、ガラス質または巨大高分子の絶縁膜を形成す
ることができる。この際の加熱方法としては、ホットプ
レート、オーブン、ファーネスなどを使用することが出
来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴ
ン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下
などで行うことができる。このようにして得られる層間
絶縁膜は、絶縁性に優れ、塗布膜の均一性、比誘電率特
性、塗膜の低吸湿性に優れることから、ＬＳＩ、システ
ムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−Ｒ
ＤＲＡＭなどの半導体素子用層間絶縁膜や層間絶縁膜の
エッチングストッパー、半導体素子の表面コート膜など
の保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用
の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用である。

【００３７】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。なお、実施例および比較例中の部および
％は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量％で
あることを示している。また、実施例中における膜形成
用組成物の評価は、次のようにして測定したものであ
る。

【００３８】重量平均分子量（Ｍｗ） 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）法により測定した。 試料：テトラヒドロフランを溶媒として使用し、加水分
解縮合物１ｇを、１００ｃｃのテトラヒドロフランに溶
解して調製した。 標準ポリスチレン：米国プレッシャーケミカル社製の標
準ポリスチレンを使用した。 装置：米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマ
トグラム（モデル１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ） カラム：昭和電工（株）製のＳＨＯＤＥＸ Ａ−８０Ｍ
（長さ５０ｃｍ） 測定温度：４０℃ 流速：１ｃｃ／分

【００３９】比誘電率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で１００℃で１
分間、２００℃で１分間基板を乾燥し、さらに４２０℃
の窒素雰囲気のホットプレート中で３０分基板を焼成し
た。得られた基板上にアルミニウムを蒸着し、比誘電率
評価用基板を作製した。比誘電率は、横川・ヒューレッ
トパッカード（株）製のＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨ
Ｐ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーター用いて、１０
ｋＨｚにおける容量値から算出した。

【００４０】クラック耐性 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で１００℃で１
分間、２００℃で１分間基板を乾燥し、さらに４２０℃
の窒素雰囲気のホットプレート中で３０分基板を焼成し
た。この際の最終的な塗膜の膜厚は１．２μｍとした。
得られた塗膜付き基板を６０℃の温水中に１時間浸漬
し、塗膜の外観を３５万ルクスの表面観察用ランプで観
察し、下記基準で評価した。 ○；塗膜表面にクラックが認められない。 ×；塗膜表面にクラックが認められる。

【００４１】塗膜の弾性率 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で１００℃で１
分間、２００℃で１分間基板を乾燥し、さらに４２０℃
の窒素雰囲気のホットプレート中で３０分基板を焼成し
た。この基板をナノインデンターＸＰ（ナノインスツル
メント社製）を用いて連続剛体測定法により弾性率を測
定した。

【００４２】塗膜のＣＭＰ耐性 ８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で１００℃で１
分間、２００℃で１分間基板を乾燥し、さらに４２０℃
の窒素雰囲気のホットプレート中で３０分基板を焼成し
た。得られた塗膜を以下の条件で研磨した。

【００４３】スラリー：シリカ−過酸化水素系 研磨圧力：３００ｇ／ｃｍ² 研磨時間：６０秒 ＣＭＰ後の塗膜の外観を３５万ルクスの表面観察用ラン
プで観察し、下記基準で評価した。 ：変化無し ×：塗膜に傷や剥がれが確認される

【００４４】合成例１ 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン７７．０４ｇ、テトラメトキシシラン２４．０５ｇ
とテトラキス（アセチルアセトナート）チタン０．４８
ｇを、プロピレングリコールモノプロピルエーテル２９
０ｇに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌さ
せ、溶液温度を５５℃に安定させた。次に、イオン交換
水８４ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５５
℃で４時間反応させたのち、アセチルアセトン２５ｇを
添加し、さらに３０分間反応させ、反応液を室温まで冷
却した。５０℃で反応液からメタノールと水を含む溶液
を１４９ｇエバポレーションで除去し、反応液を得
た。このようにして得られた縮合物等の重量平均分子量
は、８，５００であった。 合成例２ 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン７７．０４ｇとテトラメトキシシラン２４．０５ｇ
を、プロピレングリコールモノメチルエーテル２９０ｇ
に溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶
液温度を５５℃に安定させた。次に、無水マレイン酸
１．５ｇを溶解させたイオン交換水８４ｇを１時間かけ
て溶液に添加した。その後、５５℃で４時間反応させた
のち、反応液を室温まで冷却した。５０℃で反応液から
メタノールと水を含む溶液を１４９ｇエバポレーション
で除去し、反応液を得た。このようにして得られた縮
合物等の重量平均分子量は、１，８５０であった。

【００４５】合成例３ 石英製セパラブルフラスコ中に、エタノール５７０ｇ、
イオン交換水１６０ｇと１０％メチルアミン水溶液９０
ｇを添加し、液温を５０℃に安定させた。次ぎに、メチ
ルトリメトキシシラン１４．５ｇとテトラエトキシシラ
ン２０．０ｇの混合液を１分間かけて溶液に添加した。
その後、６０℃で２時間反応させたのち、反応液を室温
まで冷却した。この溶液にプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル２００ｇを添加し、５０℃で反応液から
メタノール、エタノール、水、メチルアミンとプロピレ
ングリコールモノプロピルエーテルを含む溶液を９３０
ｇエバポレーションで除去し、反応液を得た。このよ
うにして得られた縮合物等の重量平均分子量は、１２
４，４００であった。

【００４６】実施例１ 合成例１で得られた反応液１００ｇにＮＢＸ−１５
０．００６ｇと重量平均分子量約７００の末端ヒドロキ
シポリジメチルシロキサン０．２５ｇ添加し、を０．２
μｍ孔径のテフロン製フィルターでろ過を行い本発明の
膜形成用組成物を得た。得られた組成物をスピンコート
法でシリコンウエハ上に塗布した。得られた塗膜の比誘
電率を評価したところ、２．６２と低い値であった。塗
膜のクラック耐性を評価したところ、表面にクラックは
認められなかった。また、塗膜の弾性率を評価したとこ
ろ５．１ＧＰａと高い値であった。また、塗膜のＣＭＰ
耐性を評価したところ、表面に傷は認められなかった。

【００４７】実施例２〜６ 表１に示す組成で実施例１と同様にして評価を行った。
評価結果を表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】比較例１ 比較合成例１で得られた反応液のみを使用した以外
は、実施例１と同様にして評価を行った。得られた塗膜
の比誘電率を評価したところ、２．６３と低い値であ
り、水浸漬後の塗膜クラックとＣＭＰ後の表面傷が認め
られた。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、アルコキシシランの加
水分解物および縮合物もしくはいずれか一方と末端ヒド
ロキシポリシロキサンを含有する溶液を使用すること
で、低比誘電率、クラック耐性、弾性率、ＣＭＰ耐性な
どのバランスに優れた膜形成用組成物（層間絶縁膜用材
料）を提供することが可能である。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 83/06 Ｃ０８Ｌ 83/06 83/14 83/14 Ｃ０９Ｄ 5/25 Ｃ０９Ｄ 5/25 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 21/316 21/316 Ｇ 21/768 21/90 Ｓ (72)発明者 塩田 淳 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CP031 CP051 EE046 FD316 GQ01 GQ05 4J035 BA03 CA051 CA061 EA01 EB03 EB04 HA01 HB03 LB20 4J038 DL031 DL071 DL081 DL161 HA176 HA186 HA236 JA11 JA34 JA37 JA38 JA39 JA40 JB01 JB03 JB09 JB23 JB31 JC25 JC32 JC38 KA04 KA06 KA09 NA04 NA11 NA17 NA21 PA19 PB09 PB11 PC02 PC03 PC08 5F033 QQ48 RR21 SS22 SS30 TT03 XX01 XX06 XX17 XX24 5F058 AA02 AA10 AC03 AD05 AF04 AH02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）（Ａ−１）下記一般式（１）で表
   される化合物 Ｒ¹ _aＳｉ（ＯＲ²）_4-a ・・・・・（１） （Ｒ¹は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示
   し、Ｒ²は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表
   す。）および（Ａ−２）下記一般式（２) で表される化
   合物 Ｒ³ _b（Ｒ⁴Ｏ）_3-bＳｉ−（Ｒ⁷）_d−Ｓｉ（ＯＲ⁵）_3-cＲ⁶ _c ・・・・・（２) （Ｒ³，Ｒ⁴，Ｒ⁵およびＲ⁶は、同一でも異なっていても
   よく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同
   一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ⁷は
   酸素原子または−（ＣＨ₂）_n−で表される基を示し、ｎ
   は１〜６を、ｄは０または１を示す。）からなる群より
   選ばれる少なくとも１種の化合物の加水分解物および縮
   合物もしくはいずれか一方と（Ｂ）下記一般式（３）で
   表される化合物 ＨＯ−（ＳｉＲ⁸Ｒ⁹Ｏ）_eＨ ・・・・・（３) （Ｒ⁸およびＲ⁹は、同一でも異なっていてもよく、それ
   ぞれ１価の有機基を示し、ｅは２〜１００の整数を示
   す。）を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
2. 【請求項２】 β−ジケトン、２５０〜４５０℃に沸点
   または分解温度を有する化合物、界面活性剤の群から選
   ばれる少なくとも１種をさらに含有することを特徴とす
   る請求項１記載の膜形成用組成物。
3. 【請求項３】 前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分が下記一般
   式（４）で表される金属のキレート化合物、 Ｒ¹⁰ _fＭ（ＯＲ¹¹）_g-f ・・・・・（４） （Ｒ¹⁰はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ¹¹は炭素数２〜
   ５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示
   し、ｇは金属Ｍの原子価、ｆは０〜ｇの整数を表す。）
   酸性触媒および塩基性触媒の群から選ばれる少なくとも
   １種の存在下に加水分解されることを特徴とする請求項
   １記載の膜形成用組成物。
4. 【請求項４】 （Ａ）成分に対する（Ｂ）成分の使用割
   合が、（Ａ）成分１００重量部（完全加水分解縮合物換
   算）で（Ｂ）成分０．２〜２０重量部であることを特徴
   とする請求項１記載の膜形成用組成物。
5. 【請求項５】 請求項１〜４記載の膜形成用組成物から
   なることを特徴とする絶縁膜形成用材料。