JP2001181506A - 膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有
用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズ
が小さい、低密度化膜が得られ、しかも貯蔵安定性に優
れる、膜形成用組成物を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a で表さ
れる化合物、Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ で表される化合物、お
よびＲ³ _b （Ｒ⁴ Ｏ）_3-b Ｓｉ−（Ｒ⁷ ）_d −Ｓｉ
（ＯＲ⁵ ）_3-c Ｒ⁶ _c で表される化合物の群から選ばれ
た少なくとも１種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在
下で加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに、
（Ｂ）沸点または分解温度が２５０〜４５０℃である有
機化合物、を含有する膜形成用組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、貯蔵安定性に優れ、半導体素子
などにおける層間絶縁膜材料として、誘電率特性、吸水
性特性などに優れ、かつ空隙サイズが小さい塗膜が形成
可能な膜形成用組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子などにおける層間絶縁
膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシ
リカ（ＳｉＯ₂ ）膜が多用されている。そして、近年、
より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、Ｓ
ＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテト
ラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布
型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導
体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポ
リオルガノシロキサンを主成分とする低誘電率の層間絶
縁膜が開発されている。しかしながら、半導体素子など
のさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間
の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低誘
電率でかつクラック耐性に優れる層間絶縁膜材料が求め
られるようになっている。

【０００３】そこで、特開平６−１８１２０１号公報に
は、層間絶縁膜材料として、より低誘電率の絶縁膜形成
用塗布型組成物が開示されている。この塗布型組成物
は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の
絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、
チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ば
れる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分
子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素
化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以
上のオリゴマーを主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成
物である。しかしながら、従来の無機系層間絶縁膜材料
の誘電率は、３．０以上であり、高集積化には不充分で
ある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決するための膜形成用組成物に関し、さらに詳しく
は、貯蔵安定性に優れ、半導体素子などにおける層間絶
縁膜として、膜厚均一性、誘電率特性、吸水性特性に優
れ、空隙サイズが小さい塗膜を形成することが可能な膜
形成用組成物を提供することを目的とする。

【０００５】

〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ₂ ）_n −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕

（Ｂ）成分；沸点または分解温度が２５０〜４５０℃で
ある有機化合物を含有することを特徴とする膜形成用組
成物に関する。ここで、上記（Ｂ）成分は、ポリエーテ
ル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアンハイド
ライドおよび（メタ）アクリル系重合体の群から選ばれ
た少なくとも１種の有機ポリマー（以下「（Ｂ）有機ポ
リマー」ともいう）が好ましい。また、この（Ｂ）有機
ポリマーとしては、下記（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）より選
ばれた少なくとも１種が好ましい。 （Ｂ−１）繰り返し単位中の炭素数が２〜１２のポリア
ルキレングリコール化合物 （Ｂ−２）炭素数２〜１２の脂肪族鎖およびエステル結
合を繰り返し単位中に含むポリエステル化合物 （Ｂ−３）繰り返し単位中の炭素数が２〜１２の脂肪族
ポリカーボネート （Ｂ−４）炭素数２〜１２の脂肪族ジカルボン酸から得
られるポリアンハイドライド （Ｂ−５）ポリオキシエチル基、ポリオキシプロピル
基、アミド基、ヒドロキシル基、カルボキシル基の群よ
り選ばれた少なくとも１種を有する（メタ）アクリル系
重合体 次に、本発明は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、
加熱することを特徴とする膜の形成方法に関する。ここ
で、上記膜の形成方法としては、上記膜形成用組成物
を基板に塗布し、（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度未
満の温度で加熱して（Ａ）成分を一部硬化させ、次いで
上記（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度以上の温度で加
熱を行ない硬化させるか、上記膜形成用組成物を基板
に塗布し、（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度以上の温
度で加熱を行ない硬化させることが好ましい。次に、本
発明は、上記膜の形成方法によって得られる低密度化膜
に関する。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、膜を形成するベースポ
リマーとして、（Ａ）成分〔化合物（１）〜（３）の群
から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、アルカ
リ触媒の存在下で加水分解、縮合した加水分解縮合物
（加水分解物および／またはその縮合物）を、また多孔
質を形成する材料として特定の沸点または分解温度を有
する（Ｂ）有機化合物を用いる。かくて、（Ａ）〜
（Ｂ）成分を含有する本発明の組成物を、浸漬またはス
ピンコート法などにより、シリコンウエハなどの基材に
塗布し、加熱により、（Ｂ）有機化合物の除去と、
（Ａ）成分の熱重縮合を行なうと、（Ａ）成分がガラス
質または巨大高分子の膜を形成するとともに、（Ｂ）有
機化合物が分解・除去されることにより、微細孔が形成
される。得られる膜は、空隙サイズが小さい多孔質の低
密度膜であり、誘電率が低く、低吸水性のため電気的特
性の安定性に優れ、層間絶縁膜材料を形成することがで
きる。

【０００７】ここで、（Ａ）加水分解縮合物とは、上記
化合物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種
の加水分解物および／またはその縮合物である。ここ
で、（Ａ）成分における加水分解物とは、上記（Ａ）成
分を構成する化合物（１）〜（３）に含まれるＲ¹ Ｏ−
基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−基およびＲ⁵ Ｏ−基のすべて
が加水分解されている必要はなく、例えば、１個だけが
加水分解されているもの、２個以上が加水分解されてい
るもの、あるいは、これらの混合物であってもよい。ま
た、（Ａ）成分における縮合物は、（Ａ）成分を構成す
る化合物（１）〜（３）の加水分解物のシラノール基が
縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが、
本発明では、シラノール基がすべて縮合している必要は
なく、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合
の程度が異なっているものの混合物などをも包含した概
念である。

【０００８】以下、本発明に用いられる（Ａ）〜（Ｂ）
成分などについて説明し、次いで、本発明の組成物の調
製方法などについて詳述する。

【０００９】（Ａ）加水分解縮合物 （Ａ）加水分解縮合物は、上記化合物（１）〜（３）の
群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物をアルカ
リ触媒の存在下に、加水分解・縮合して得られる。 化合物（１）；上記一般式（１）において、ＲおよびＲ
¹ の１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、
アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。ま
た、一般式（１）において、Ｒは１価の有機基、特にア
ルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここ
で、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜
５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐してい
てもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換され
ていてもよい。一般式（１）において、アリール基とし
ては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エ
チルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。

【００１０】一般式（１）で表される化合物の具体例と
しては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、ト
リ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブ
トキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリ
フェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フル
オロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、
フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど；

【００１１】メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メ
チルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ
−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルト
リフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチ
ルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシ
ラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、
エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−ｎ−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、ビニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ビニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキ
シシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピル
トリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラ
ン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プ
ロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピル
トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ
−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−
プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキ
シシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、
ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プ
ロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−
ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ
−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−
ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓ
ｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅ
ｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエ
トキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシ
シラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓ
ｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ
−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−
ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキ
シシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチル
トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ
−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシ
ラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−
ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルト
リフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポ
キシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラ
ン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ
−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−
ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエト
キシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど；

【００１２】ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエ
トキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、
ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−
ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブト
キシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラ
ン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシ
シラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ
−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチ
ル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、
ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル
ジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキ
シシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、
ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−
プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエ
トキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロ
ポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキ
シシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブト
キシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシ
ラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポ
キシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシ
シラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ
−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−
ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチ
ル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメト
キシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ
−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓ
ｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−
ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブ
チル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラ
ン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシ
ラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキ
シシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ
フェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル
−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−
ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ
シラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリ
メトキシシランなど；を挙げることができる。

【００１３】好ましくは、メチルトリメトキシシラン、
メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキ
シシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラ
ン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキ
シシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエ
トキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニ
ルジエトキシシランである。これらは、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００１４】化合物（２）；上記一般式（２）におい
て、Ｒ² で表される１価の有機基としては、先の一般式
（１）と同様な有機基を挙げることができる。一般式
（２）で表される化合物の具体例としては、テトラメト
キシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロ
ポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テ
トラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシ
ラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェ
ノキシシランなどが挙げられる。

【００１５】化合物（３）；上記一般式（３）におい
て、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ で表される１価の有機基としては、先の
一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。一
般式（３）のうち、Ｒ⁷ が酸素原子の化合物としては、
ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキ
サン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，
３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、
１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシ
ロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３
−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメ
トキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３
−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，
１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサ
ン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニ
ルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ
−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペ
ンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−
１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テト
ラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，
３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサ
ン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエ
チルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−
１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジ
シロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−
トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−
１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−ト
リフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、
１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジ
シロキサン、、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３
−トリエチルジシロキサン、、１，１，３−トリフェノ
キシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、、１，
１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシ
ロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−ト
リフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ
−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジ
メトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサ
ン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，
３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−
１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−
ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサ
ン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエ
チルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，
３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ
−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，
３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジ
シロキサンなどを挙げることができる。

【００１６】これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサ
ン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テ
トラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，
１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロ
キサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジ
フェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキ
シ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシ
ロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テト
ラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げ
ることができる。

【００１７】また、一般式（３）において、ｄが０の化
合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキ
シジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，
２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，
１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラ
ン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチ
ルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２
−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキ
シ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタ
フェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２
−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，
１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、
１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニル
ジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−
ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−
１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフ
ェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２
−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，
１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラ
ン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエ
チルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，
２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエト
キシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−
テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，
１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラ
ン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチ
ルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２
−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−
１，２，２−トリエチルジシラン、、１，１，２−トリ
エトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、、１，
１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシ
ラン、、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリ
フェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，
２，２−トリフェニルジシラン、、１，１，２−トリフ
ェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２
−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラ
ン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−
テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−
１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフ
ェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、
１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニル
ジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テト
ラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることがで
きる。

【００１８】これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、
ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメト
キシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テ
トラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，
２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラ
ン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチ
ルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テ
トラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，
２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ
−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好
ましい例として挙げることができる。

【００１９】さらに、一般式（３）において、Ｒ⁷ が−
（ＣＨ₂ ）_n −で表される基の化合物としては、ビス
（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシ
リル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メ
タン、ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、ビ
ス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−
ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔ−ブ
トキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エ
タン、１，２−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメト
キシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）
−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−
プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキ
シシリル）メタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシ
リル）−１−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、
１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−
ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブト
キシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシ
リル）メタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）
−１−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ
メトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）
エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリ
エトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメ
チルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エ
タン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−２−
（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ
−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシ
シリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシ
リル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタ
ン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（ト
リ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメ
チルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）
メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタ
ン、ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）メタン、
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス
（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビ
ス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ
−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス
（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−
ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２
−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、
１，２−ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）エタ
ン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，２−ビス（トリ-t- ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
３−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，
４−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、
１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼ
ン、１，４−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼ
ンなど挙げることができる。

【００２０】これらのうち、ビス（トリメトキシシリ
ル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，
２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス
（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチ
ルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−
（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリ
ル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−
（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチ
ルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス
（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシ
メチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチ
ルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシ
リル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベ
ンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼ
ン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、
１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４
−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス
（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例とし
て挙げることができる。

【００２１】本発明において、（Ａ）成分を構成する化
合物（１）〜（３）としては、上記化合物（１）、
（２）および（３）の１種もしくは２種以上を用いるこ
とができる。

【００２２】なお、上記（Ａ）成分を構成する化合物
（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種のシラ
ン化合物を加水分解、縮合させる際に、Ｒ¹ Ｏ−基，Ｒ
² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−基およびＲ⁵ Ｏ−基の総量１モル当
たり、５〜５０モルの水を用いることが好ましく、７〜
３０モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水
の量が５モルより少ない場合は、十分な誘電率と弾性率
が得られない場合があり、一方、５０モルより多い場合
は、加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル
化が生じる場合がある。

【００２３】アルカリ触媒；本発明の（Ａ）加水分解縮
合物を製造するに際しては、上記化合物（１）〜（３）
の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水
分解、縮合させる際に、アルカリ触媒を用いる。アルカ
リ触媒を用いることにより、低誘電率かつ高弾性率の塗
膜を得ることができる。アルカリ触媒としては、無機塩
基のほか、有機塩基などが挙げられる。ここで、無機塩
基としては、例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウムな
どを挙げることができる。また、有機塩基としては、例
えば、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノ
ールアミン、ブタノールアミン、Ｎ−メチルメタノール
アミン、Ｎ−エチルメタノールアミン、Ｎ−プロピルメ
タノールアミン、Ｎ−ブチルメタノールアミン、Ｎ−メ
チルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、
Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルプロパノールアミン、Ｎ−エチルプ
ロパノールアミン、Ｎ−プロピルプロパノールアミン、
Ｎ−ブチルプロパノールアミン、Ｎ−メチルブタノール
アミン、Ｎ−エチルブタノールアミン、Ｎ−プロピルブ
タノールアミン、Ｎ−ブチルブタノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルメタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルメタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジブチルメタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル
エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ブチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノー
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロパノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジプロピルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル
プロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルブタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルブタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジプ
ロピルブタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルブタノール
アミン、Ｎ−メチルジメタノールアミン、Ｎ−エチルジ
メタノールアミン、Ｎ−プロピルジメタノールアミン、
Ｎ−ブチルジメタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノー
ルアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−プロピ
ルジエタノールアミン、Ｎ−ブチルジエタノールアミ
ン、Ｎ−メチルジプロパノールアミン、Ｎ−エチルジプ
ロパノールアミン、Ｎ−プロピルジプロパノールアミ
ン、Ｎ−ブチルジプロパノールアミン、Ｎ−メチルジブ
タノールアミン、Ｎ−エチルジブタノールアミン、Ｎ−
プロピルジブタノールアミン、Ｎ−ブチルジブタノール
アミン、Ｎ−（アミノメチル）メタノールアミン、Ｎ−
（アミノメチル）エタノールアミン、Ｎ−（アミノメチ
ル）プロパノールアミン、Ｎ−（アミノメチル）ブタノ
ールアミン、Ｎ−（アミノエチル）メタノールアミン、
Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ−（アミノ
エチル）プロパノールアミン、Ｎ−（アミノエチル）ブ
タノールアミン、Ｎ−（アミノプロピル）メタノールア
ミン、Ｎ−（アミノプロピル）エタノールアミン、Ｎ−
（アミノプロピル）プロパノールアミン、Ｎ−（アミノ
プロピル）ブタノールアミン、Ｎ−（アミノブチル）メ
タノールアミン、Ｎ−（アミノブチル）エタノールアミ
ン、Ｎ−（アミノブチル）プロパノールアミン、Ｎ−
（アミノブチル）ブタノールアミン、メトキシメチルア
ミン、メトキシエチルアミン、メトキシプロピルアミ
ン、メトキシブチルアミン、エトキシメチルアミン、エ
トキシエチルアミン、エトキシプロピルアミン、エトキ
シブチルアミン、プロポキシメチルアミン、プロポキシ
エチルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシ
ブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチル
アミン、ブトキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミ
ン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブ
チルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチ
ルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、テトラメチルアン
モニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウム
ハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイド
ロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイ
ド、テトラメチルエチレンジアミン、テトラエチルエチ
レンジアミン、テトラプロピルエチレンジアミン、テト
ラブチルエチレンジアミン、メチルアミノメチルアミ
ン、メチルアミノエチルアミン、メチルアミノプロピル
アミン、メチルアミノブチルアミン、エチルアミノメチ
ルアミン、エチルアミノエチルアミン、エチルアミノプ
ロピルアミン、エチルアミノブチルアミン、プロピルア
ミノメチルアミン、プロピルアミノエチルアミン、プロ
ピルアミノプロピルアミン、プロピルアミノブチルアミ
ン、ブチルアミノメチルアミン、ブチルアミノエチルア
ミン、ブチルアミノプロピルアミン、ブチルアミノブチ
ルアミン、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジ
ン、ピペリジン、ピコリン、モルホリン、メチルモルホ
リン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナ
ン、ジアザビシクロウンデセンなどを挙げることができ
る。これらのアルカリ触媒は、１種あるいは２種以上を
同時に使用してもよい。

【００２４】上記アルカリ触媒の使用量は、化合物
（１）〜（３）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−
基およびＲ⁵ Ｏ−基で表される基の総量１モルに対し
て、通常、０．００００１〜０．５モル、好ましくは
０．００００５〜０．１モルである。アルカリ触媒の使
用量が上記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出や
ゲル化の恐れが少ない。

【００２５】このようにして得られる（Ａ）加水分解縮
合物の分子量は、ＧＰＣ（屈折率，粘度，光散乱測定）
法による重量平均分子量で、好ましくは５万〜１，００
０万、さらに好ましくは１０万〜９００万、特に好まし
くは２０万〜８００万である。５万未満では、十分な誘
電率と弾性率が得られない場合があり、一方、１，００
０万より大きい場合は、塗膜の均一性が低下する場合が
ある。また、このようにして得られる（Ａ）加水分解縮
合物は、粒子状の形態をとっていないことにより、基板
状への塗布性が優れるという特徴を有している。粒子状
の形態をとっていないことは、例えば透過型電子顕微鏡
観察（ＴＥＭ）により確認される。

【００２６】なお、（Ａ）成分中、各成分を完全加水分
解縮合物に換算したときに、化合物（２）は、化合物
（１）〜（３）の総量中、５〜７５重量％、好ましくは
１０〜７０重量％、さらに好ましくは１５〜７０重量％
である。また、化合物（１）および／または（３）は、
化合物（１）〜（３）の総量中、９５〜２５重量％、好
ましくは９０〜３０重量％、さらに好ましくは８５〜３
０重量％である。化合物（２）が、化合物（１）〜
（３）の総量中、５〜７５重量％であることが、得られ
る塗膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。こ
こで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、化合
物（１）〜（３）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ
−基およびＲ⁵ Ｏ−基が１００％加水分解してＳｉＯＨ
基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となっ
たものをいう。また、（Ａ）成分としては、得られる組
成物の貯蔵安定性がより優れるので、化合物（１）およ
び化合物（２）の加水分解縮合物であることが好まし
い。

【００２７】さらに、（Ａ）加水分解縮合物では、化合
物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種のシ
ラン化合物を、アルカリ触媒の存在下に加水分解・縮合
して、加水分解縮合物とし、好ましくはその重量平均分
子量を５万〜１，０００万となすが、その後、組成物の
ｐＨを７以下に調整することが好ましい。ｐＨを調整す
る方法としては、 ｐＨ調整剤を添加する方法、 常圧または減圧下で、組成物中よりアルカリ触媒を留
去する方法、 窒素、アルゴンなどのガスをバブリングすることによ
り、組成物中からアルカリ触媒を除去する方法、 イオン交換樹脂により、組成物中からアルカリ触媒を
除く方法、などが挙げられる。これらの方法は、それぞ
れ、組み合わせて用いてもよい。

【００２８】ここで、上記ｐＨ調整剤としては、無機酸
や有機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、塩
酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸な
どを挙げることができる。また、有機酸としては、例え
ば、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキ
サン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン
酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン
酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキ
ドン酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン
酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチ
ル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジク
ロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、
マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン
酸、酒石酸、コハク酸などを挙げることができる。

【００２９】上記ｐＨ調整剤による組成物のｐＨは、７
以下、好ましくは１〜６に調整される。このように、加
水分解縮合物の重量平均分子量を５万〜１，０００万と
なしたのち、上記ｐＨ調整剤により上記範囲内にｐＨを
調整することにより、得られる組成物の貯蔵安定性が向
上するという効果が得られる。ｐＨ調整剤の使用量は、
組成物のｐＨが上記範囲内となる量であり、その使用量
は、適宜選択される。

【００３０】（Ｂ）有機化合物 （Ｂ）成分は、沸点または分解温度が２５０〜４５０℃
である有機化合物である。（Ｂ）成分としては、好まし
くはポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリアンハイドライド、および（メタ）アクリル系重合
体の群から選ばれた少なくとも１種である。

【００３１】このうち、（Ｂ）成分を構成するポリエー
テルとしては、繰り返し単位中の炭素数が２〜１２のポ
リアルキレングリコール化合物を挙げることができ、例
えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコ
ール、ポリトリメチレングリコール、ポリテトラメチレ
ングリコール、ポリペンタメチレングリコール、ポリヘ
キサメチレングリコール、ポリエチレングリコール−ポ
リプロピレングリコールブロックコポリマー、ポリエチ
レングリコール−ポリテトラメチレングリコールブロッ
クコポリマー、ポリエチレングリコール−ポリプロピレ
ングリコール−ポリエチレングリコールブロックコポリ
マー、およびそのメチルエーテル、エチルエーテル、プ
ロピルエーテル、トリメトキシシリルエーテル、トリエ
トキシシリルエーテル、トリプロポキシシリルエーテ
ル、トリメトキシシリルメチルエーテル、トリエトキシ
シリルメチルエーテル、２−トリメトキシシリルエチル
エーテル、２−トリエトキシシリルエチルエーテル、３
−トリメトキシシリルプロピルエーテル、３−トリエト
キシシリルプロピルエーテルなどのほか、ポリエチレン
グリコールモノペンチルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノヘキシルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノペプチルエーテル、ポリエチレングリコールモノオク
チルエーテル、ポリエチレングリコールモノノニルエー
テル、ポリエチレングリコールモノデカニルエーテル、
ポリエチレングリコールモノウンデカニルエーテル、ポ
リエチレングリコールモノドデカニルエーテル、ポリエ
チレングリコールモノトリデカニルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノテトラデカニルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノペンタデカニルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノヘキサデカニルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノヘプタデカニルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノオクタデカニルエーテル、ポリエチ
レングリコールモノノナデカニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールモノイコサニルエーテル、ポリエチレング
リコールモノヘニコサニルエーテル、ポリエチレングリ
コールモノドコサニルエーテル、ポリエチレングリコー
ルモノトリコサニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノテトラコサニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノペンタコサニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノヘキサコサニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノヘプタコサニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノオクタコサニルエーテル、ポリエチレングリコール
モノノナコサニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノトリアコンタニルエーテルなどのポリエチレングリコ
ールアルキルエーテル類およびそのメチルエーテル、エ
チルエーテル、プロピルエーテル、トリメトキシシリル
エーテル、トリエトキシシリルエーテル、トリプロポキ
シシリルエーテル、トリメトキシシリルメチルエーテ
ル、トリエトキシシリルメチルエーテル、２−トリメト
キシシリルエチルエーテル、２−トリエトキシシリルエ
チルエーテル、３−トリメトキシシリルプロピルエーテ
ル、３−トリエトキシシリルプロピルエーテルなどのポ
リエチレングリコールアルキルエーテル誘導体；

【００３２】ポリエチレングリコールモノ−ｐ−メチル
フェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−
エチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ
−ｐ−プロピルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノ−ｐ−ブチルフェニルエーテル、ポリエチレン
グリコールモノ−ｐ−ペンチルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノ−ｐ−ヘキシルフェニルエーテ
ル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−ペプチルフェニ
ルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−オクチ
ルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ
−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモ
ノ−ｐ−デカニルフェニルエーテル、ポリエチレングリ
コールモノ−ｐ−ウンデカニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノ−ｐ−ドデカニルフェニルエー
テル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−トリデカニル
フェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−
テトラデカニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノ−ｐ−ペンタデカニルフェニルエーテル、ポリ
エチレングリコールモノ−ｐ−ヘキサデカニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−ヘプタデ
カニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ
−ｐ−オクタデカニルフェニルエーテル、ポリエチレン
グリコールモノ−ｐ−ノナデカニルフェニルエーテル、
ポリエチレングリコールモノ−ｐ−イコサニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールモノ−ｐ−ヘニコサ
ニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノ−
ｐ−ドコサニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコ
ールモノ−ｐ−トリコサニルフェニルエーテル、ポリエ
チレングリコールモノ−ｐ−テトラコサニルフェニルエ
ーテルなどのポリエチレングリコール−ｐ−アルキルフ
ェニルエーテル類およびそのメチルエーテル、エチルエ
ーテル、プロピルエーテル、トリメトキシシリルエーテ
ル、トリエトキシシリルエーテル、トリプロポキシシリ
ルエーテル、トリメトキシシリルメチルエーテル、トリ
エトキシシリルメチルエーテル、２−トリメトキシシリ
ルエチルエーテル、２−トリエトキシシリルエチルエー
テル、３−トリメトキシシリルプロピルエーテル、３−
トリエトキシシリルプロピルエーテルなどのポリエチレ
ングリコール−ｐ−アルキルフェニルエーテル誘導体；

【００３３】ポリエチレングリコールモノペンタン酸エ
ステル、ポリエチレングリコールモノヘキサン酸エステ
ル、ポリエチレングリコールモノヘプタン酸エステル、
ポリエチレングリコールモノオクタン酸エステル、ポリ
エチレングリコールモノノナン酸エステル、ポリエチレ
ングリコールモノデカン酸エステル、ポリエチレングリ
コールモノウンデカン酸エステル、ポリエチレングリコ
ールモノドデカン酸エステル、ポリエチレングリコール
モノトリデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノテトラデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノペンタデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノヘキサデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノヘプタデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノオクタデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモ
ノノナデカン酸エステル、ポリエチレングリコールモノ
イコサン酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘニ
コサン酸エステル、ポリエチレングリコールモノドコサ
ン酸エステル、ポリエチレングリコールモノトリコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノテトラコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノペンタコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘキサコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノヘプタコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノオクタコサン
酸エステル、ポリエチレングリコールモノノナコサン酸
エステル、ポリエチレングリコールモノトリアコンタン
酸エステルなどのポリエチレングリコールアルキル酸エ
ステル類およびそのメチルエーテル、エチルエーテル、
プロピルエーテル、トリメトキシシリルエーテル、トリ
エトキシシリルエーテル、トリプロポキシシリルエーテ
ル、トリメトキシシリルメチルエーテル、トリエトキシ
シリルメチルエーテル、２−トリメトキシシリルエチル
エーテル、２−トリエトキシシリルエチルエーテル、３
−トリメトキシシリルプロピルエーテル、３−トリエト
キシシリルプロピルエーテルなどのポリエチレングリコ
ールアルキル酸エステル誘導体などを挙げることができ
る。これらのポリエーテルは、１種単独であるいは２種
以上を併用することができる。

【００３４】ポリエーテルのＧＰＣ法による重量平均分
子量は、通常、３００〜３００，０００、好ましくは３
００〜２００，０００、特に好ましくは３００〜１０
０，０００である。

【００３５】また、（Ｂ）成分を構成するポリエステル
としては、炭素数２〜１２の脂肪族鎖およびエステル結
合を繰り返し単位中に含む化合物を挙げることができ、
例えば、ポリカプロラクトン、ポリピバロラクトン、ポ
リエチレンオキサレート、ポリエチレンマロネート、ポ
リエチレンスクシネート、ポリエチレングリタレート、
ポリエチレンアジペート、ポリエチレンピメレート、ポ
リエチレンスベレート、ポリエチレンアゼラート、ポリ
エチレンセバケート、ポリプロピレンオキサレート、ポ
リプロピレンマロネート、ポリプロピレンスクシネー
ト、ポリプロピレングリタレート、ポリプロピレンアジ
ペート、ポリプロピレンピメレート、ポリプロピレンス
ベレート、ポリプロピレンアゼラート、ポリプロピレン
セバケート、ポリブチレンオキサレート、ポリブチレン
マロネート、ポリブチレンスクシネート、ポリブチレン
グリタレート、ポリブチレンアジペート、ポリブチレン
ピメレート、ポリブチレンスベレート、ポリブチレンア
ゼラート、ポリブチレンセバケート、ポリオキシジエチ
レンオキサレート、ポリオキシジエチレンマロネート、
ポリオキシジエチレンスクシネート、ポリオキシジエチ
レングリタレート、ポリオキシジエチレンアジペート、
ポリオキシジエチレンピメレート、ポリオキシジエチレ
ンスベレート、ポリオキシジエチレンアゼラート、ポリ
オキシジエチレンセバケートなどの脂肪族ポリエステル
類、およびそのメチルエーテル、エチルエーテル、プロ
ピルエーテル、トリメトキシシリルエーテル、トリエト
キシシリルエーテル、トリプロポキシシリルエーテル、
トリメトキシシリルメチルエーテル、トリエトキシシリ
ルメチルエーテル、２−トリメトキシシリルエチルエー
テル、２−トリエトキシシリルエチルエーテル、３−ト
リメトキシシリルプロピルエーテル、３−トリエトキシ
シリルプロピルエーテル、メチルエステル、エチルエス
テル、プロピルエステル、トリメトキシシリルエステ
ル、トリエトキシシリルエステル、トリプロポキシシリ
ルエステル、トリメトキシシリルメチルエステル、トリ
エトキシシリルメチルエステル、２−トリメトキシシリ
ルエチルエステル、２−トリエトキシシリルエチルエス
テル、３−トリメトキシシリルプロピルエステル、３−
トリエトキシシリルプロピルエステルなどの脂肪族ポリ
エステルアルキルエーテル誘導体及び脂肪族ポリエステ
ルアルキルエステル誘導体が挙げられる。これらのポリ
エステルは、１種単独であるいは２種以上を併用するこ
とができる。

【００３６】ポリエステルのＧＰＣ法による重量平均分
子量は、通常、３００〜３００，０００、好ましくは３
００〜２００，０００、特に好ましくは３００〜１０
０，０００である。

【００３７】さらに、（Ｂ）成分を構成するポリカーボ
ネートとしては、繰り返し単位中の炭素数が２〜１２の
脂肪族ポリカーボネートを挙げることができ、例えば、
ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネー
ト、ポリトリメチレンカーボネート、ポリテトラメチレ
ンカーボネート、ポリペンタメチレンカーボネート、ポ
リヘキサメチレンカーボネート、ポリヘプタメチレンカ
ーボネート、ポリオクタメチレンカーボネート、ポリノ
ナメチレンカーボネート、ポリデカメチレンカーボネー
ト、ポリオキシジエチレンカーボネート、ポリ−３，６
−ジオキシオクタンカーボネート、ポリ−３，６，９−
トリオキシウンデカンカーボネート、ポリオキシジプロ
ピレンカーボネート、ポリシクロペンタンカーボネー
ト、ポリシクロヘキサンカーボネートなどの脂肪族ポリ
カーボネート、およびそのメチルエステル、エチルエス
テル、プロピルエステル、トリメトキシシリルエステ
ル、トリエトキシシリルエステル、トリプロポキシシリ
ルエステル、トリメトキシシリルメチルエステル、トリ
エトキシシリルメチルエステル、２−トリメトキシシリ
ルエチルエステル、２−トリエトキシシリルエチルエス
テル、３−トリメトキシシリルプロピルエステル、３−
トリエトキシシリルプロピルエステルなどの脂肪族ポリ
カーボネートアルキルエステル誘導体が挙げられる。こ
れらのポリカーボネートは、１種単独であるいは２種以
上を併用することができる。

【００３８】ポリカーボネートのＧＰＣ法による重量平
均分子量は、通常、３００〜３００，０００、好ましく
は３００〜２００，０００、特に好ましくは３００〜１
００，０００である。

【００３９】さらに、（Ｂ）成分を構成するポリアンハ
イドライドとしては、炭素数２〜１２の脂肪族ジカルボ
ン酸から得られるポリアンハイドライドが挙げられ、例
えば、ポリオキサリックアンハイドライド、ポリマロニ
ックアンハイドライド、ポリスクシニックアンハイドラ
イド、ポリグルタリックアンハイドライド、ポリアジピ
ックアンハイドライド、ポリピメリックアンハイドライ
ド、ポリスベリックアンハイドライド、ポリアゼライッ
クアンハイドライド、ポリセバシックアンハイドライド
などの脂肪族ポリアンハイドライド、およびそのメチル
エステル、エチルエステル、プロピルエステル、トリメ
トキシシリルエステル、トリエトキシシリルエステル、
トリプロポキシシリルエステル、トリメトキシシリルメ
チルエステル、トリエトキシシリルメチルエステル、２
−トリメトキシシリルエチルエステル、２−トリエトキ
シシリルエチルエステル、３−トリメトキシシリルプロ
ピルエステル、３−トリエトキシシリルプロピルエステ
ルなどの脂肪族ポリアンハイドライドアルキルエステル
誘導体などが挙げられる。これらのポリアンハイドライ
ドは、１種単独であるいは２種以上を併用することがで
きる。

【００４０】ポリアンハイドライドのＧＰＣ法による重
量平均分子量は、通常、３００〜３００，０００、好ま
しくは３００〜２００，０００、特に好ましくは３００
〜１００，０００である。

【００４１】さらに、（Ｂ）成分を構成する（メタ）ア
クリル系重合体としては、ポリオキシエチル基、ポリオ
キシプロピル基、アミド基、ヒドロキシル基、カルボキ
シル基の群より選ばれた少なくとも１種を有する（メ
タ）アクリル系重合体が挙げられる。上記（メタ）アク
リル系重合体は、アクリル酸、メタクリル酸、上記官能
基を有するアクリル酸誘導体、上記官能基を有するメタ
クリル酸誘導体、上記官能基を有さないアクリル酸エス
テルおよび上記官能基を有さないメタクリル酸エステル
より構成される。

【００４２】上記官能基を有するアクリル酸誘導体の具
体例としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ジ
エチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコ
ールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアク
リレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレー
ト、エトキシジエチレングリコールアクリレート、エト
キシポリエチレングリコールアクリレート、２−ヒドロ
キシプロピルアクリレート、ジプロピレングリコールア
クリレート、ポリプロピレングリコールアクリレート、
メトキシジプロピレングリコールアクリレート、メトキ
シポリプロピレングリコールアクリレート、エトキシジ
プロピレングリコールアクリレート、エトキシポリプロ
ピレングリコールアクリレート、２−ジメチルアミノエ
チルアクリレート、２−ジエチルアミノエチルアクリレ
ート、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、アクリ
ルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、グ
リシジルアクリレートなどのモノアクリレート類；ジエ
チレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレートなどのジアクリレート類；などが挙
げられる。これらは、１種または２種以上を同時に使用
してもよい。

【００４３】上記官能基を有するメタクリル酸誘導体の
具体例としては、２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、ジエチレングリコールメタクリレート、ポリエチレ
ングリコールメタクリレート、メトキシジエチレングリ
コールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコー
ルメタクリレート、エトキシジエチレングリコールメタ
クリレート、エトキシポリエチレングリコールメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ジプ
ロピレングリコールメタクリレート、ポリプロピレング
リコールメタクリレート、メトキシジプロピレングリコ
ールメタクリレート、メトキシポリプロピレングリコー
ルメタクリレート、エトキシジプロピレングリコールメ
タクリレート、エトキシポリプロピレングリコールメタ
クリレート、２−ジメチルアミノエチルメタクリレー
ト、２−ジエチルアミノエチルメタクリレート、メタク
リルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルア
ミド、グリシジルメタクリレートなどのモノメタクリレ
ート類；ジエチレングリコールジメタクリレート、ポリ
エチレングリコールジメタクリレート、ジプロピレング
リコールジメタクリレート、ポリプロピレングリコール
ジメタクリレートなどのジメタクリレート類；などが挙
げられる。これらは、１種または２種以上を同時に使用
してもよい。

【００４４】上記官能基を有さないアクリル酸エステル
の具体例としては、メチルアクリレート、エチルアクリ
レート、ｎ−プロピルアクリレート、ｉｓｏ−プロピル
アクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−ブチ
ルアクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｔｅｒ
−ブチルアクリレート、アミルアクリレート、ヘキシル
アクリレート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリ
レート、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、ド
デシルアクリレート、テトラデシルアクリレート、ヘキ
サデシルアクリレート、オクタデシルアクリレート、シ
クロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリ
レート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エトキ
シエチルアクリレート、２−メトキシプロピルアクリレ
ート、２−エトキシプロピルアクリレート、ベンジルア
クリレート、フェニルカルビトールアクリレート、ノニ
ルフェニルアクリレート、ノニルフェニルカルビトール
アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボ
ルニルアクリレートなどのモノアクリレート類；エチレ
ングリコールジアクリレート、１，３−ブチレングリコ
ールジアクリレート、１，４−ブチレングリコールジア
クリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、
１，６−ヘキサングリコールジアクリレート、２，２−
ビス（４−アクリロキシプロピロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−アクリロキシジエトキシフェニ
ル）プロパンなどのジアクリレート類；トリメチロール
エタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート
などのトリアクリレート類；ペンタエリスリトールテト
ラアクリレートなどのテトラアクリレート類などが挙げ
られる。これらは、１種または２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００４５】上記官能基を有さないメタクリル酸エステ
ルの具体例としては、メチルメタクリレート、エチルメ
タクリレート、ｎ−プロピルメタクリレート、ｉｓｏ−
プロピルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、
ｉｓｏ−ブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタク
リレート、ｔｅｒ−ブチルメタクリレート、アミルメタ
クリレート、ヘキシルメタクリレート、ヘプチルメタク
リレート、オクチルメタクリレート、ノニルメタクリレ
ート、デシルメタクリレート、ドデシルメタクリレー
ト、テトラデシルメタクリレート、ヘキサデシルメタク
リレート、オクタデシルメタクリレート、シクロヘキシ
ルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレー
ト、２−メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシ
エチルメタクリレート、２−メトキシプロピルメタクリ
レート、２−エトキシプロピルメタクリレート、ベンジ
ルメタクリレート、フェニルカルビトールメタクリレー
ト、ノニルフェニルメタクリレート、ノニルフェニルカ
ルビトールメタクリレート、ジシクロペンテニルオキシ
エチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタク
リレート、イソボルニルメタクリレートなどのモノメタ
クリレート類；エチレングリコールジメタクリレート、
１，３−ブチレングリコールジメタクリレート、１，４
−ブチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチル
グリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサングリコ
ールジメタクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロ
キシジエトキシフェニル）プロパンなどのジメタクリレ
ート類；トリメチロールエタントリエタクリレート、ト
リメチロールプロパントリメタクリレートなどのトリメ
タクリレート類などが挙げられる。これらは、１種また
は２種以上を同時に使用してもよい。

【００４６】本発明において、ポリオキシエチル基、ポ
リオキシプロピル基、アミド基、ヒドロキシル基、カル
ボキシル基、グリシジル基の群より選ばれた少なくとも
１種を有する（メタ）アクリル系重合体は、アクリル
酸、メタクリル酸、上記官能基を有するアクリル酸誘導
体および上記官能基を有するメタクリル酸誘導体を、上
記（メタ）アクリレート系重合体を構成する全モノマー
に対して通常５モル％以上、好ましくは１０モル％以
上、特に好ましくは２０モル％以上含む。アクリル酸、
メタクリル酸、上記官能基を有するアクリル酸誘導体お
よび上記官能基を有するメタクリル酸誘導体が５モル％
未満の場合は得られる硬化物塗膜中の空隙のサイズが大
きくなり微細配線間の層間絶縁膜材料として好ましくな
い。

【００４７】本発明において、（メタ）アクリレート系
重合体は、上記アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸
誘導体およびメタクリル酸誘導体以外のラジカル重合性
モノマーを４０モル％以下共重合していてもよい。ラジ
カル重合性モノマーとしては、アクリロニトリルなどの
不飽和ニトリル、メチルビニルケトンなどの不飽和ケト
ン、スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族化合物
などを挙げることができる。

【００４８】本発明において、（メタ）アクリル系重合
体のＧＰＣ法による平均分子量は、１，０００〜２０
０，０００、好ましくは１，０００〜５０，０００であ
る。

【００４９】以上の（Ｂ）成分は、１種あるいは２種以
上を混合して使用することができる。本発明において上
記（Ｂ）成分を用いることで、得られる塗膜の密度を低
下させ、低誘電率を達成することができ、半導体素子な
どにおける層間絶縁膜として有用である。（Ｂ）成分の
使用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１０
０重量部に対し、通常、１〜８０重量部、好ましくは５
〜６５重量部である。１重量部未満では、誘電率を下げ
る効果が小さく、一方、８０重量部を超えると、機械的
強度が低下する。

【００５０】（Ｃ）溶媒 本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分および（Ｂ）成
分を、通常、（Ｃ）溶媒に溶解または分散してなる。こ
の（Ｃ）溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶
媒、アミド系溶媒およびエステル系溶媒の群から選ばれ
た少なくとも１種が挙げられる。ここで、アルコール系
溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノ
ール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノ
ール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペン
タノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、
ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキ
シブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノ
ール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、
ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタ
ノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノー
ル、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノ
ール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコ
ール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデ
シルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フ
ェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノ
ール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベ
ンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノア
ルコール系溶媒；

【００５１】エチレングリコール、１，２−プロピレン
グリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，
４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−
２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒；などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２
種以上を同時に使用してもよい。

【００５２】これらアルコールのうち、ｎ−プロパノー
ル、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノー
ル、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタ
ノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓ
ｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシ
ブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノー
ル、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレング
リコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモ
ノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチル
エーテルなどが好ましい。

【００５３】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−
ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチ
ルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−
ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４
−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノ
ン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，
４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５
−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−
オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナ
ンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘ
プタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時
に使用してもよい。

【００５４】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ
−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオン
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリ
ン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジ
ン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジ
ン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
アミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用し
てもよい。

【００５５】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブ
チル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸
３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エ
チルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、１
種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。以上の
（Ｃ）溶媒は、１種あるいは２種以上を混合して使用す
ることができる。

【００５６】本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）成分を
構成する化合物（１）〜（３）を加水分解および／また
は縮合する際に、同様の溶媒を使用することができる。
具体的には、（Ａ）成分を構成する化合物（１）〜
（３）を溶解させた溶媒中に水または上記（Ｃ）溶媒中
で希釈した水を断続的あるいは連続的に添加する。この
際、アルカリ触媒は、溶媒中に予め添加しておいてもよ
いし、水添加時に水中に溶解あるいは分散させておいて
もよい。この際の反応温度としては、通常、０〜１００
℃、好ましくは１５〜９０℃である。

【００５７】その他の添加剤 本発明の膜形成用組成物には、さらに（Ｄ）酸触媒によ
る加水分解縮合物や、（Ｅ）界面活性剤などの成分を添
加してもよい。

【００５８】（Ｄ）酸触媒による加水分解縮合物；
（Ｄ）酸触媒による加水分解縮合物は、（Ａ）成分を構
成する化合物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくと
も１種のシラン化合物を、酸触媒の存在下に、加水分解
・縮合して得られる。なお、上記（Ｄ）成分を構成する
化合物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種
のシラン化合物を加水分解、縮合させる際に、Ｒ¹ Ｏ−
基、Ｒ² Ｏ−基、Ｒ⁴ Ｏ−基およびＲ⁵ Ｏ−基の総量１
モルあたり、０．２５〜５モルの水を用いることが好ま
しく、０．３〜３モルの水を加えることが特に好まし
い。添加する水の量が０．２５〜５モルの範囲内であれ
ば、塗膜の均一性が低下する恐れがなく、また、加水分
解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れも
少ないためである。ここで、酸触媒の種類としては、上
記（Ａ）加水分解縮合物の調製の際に用いられることの
あるｐＨ調整剤である無機酸や有機酸と同様であるの
で、その説明は省略する。なお、酸触媒としては、有機
酸が好ましい。上記酸触媒の使用量も、化合物（１）〜
（３）中のＲ¹ Ｏ−基，Ｒ² Ｏ−基，Ｒ⁴ Ｏ−基および
Ｒ⁵ Ｏ−基で表される基の総量１モルに対して、通常、
０．００００１〜０．５モル、好ましくは０．００００
５〜０．１モルである。酸触媒の使用量が上記範囲内で
あれば、反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少な
い。

【００５９】このようにして得られる（Ｄ）加水分解縮
合物の分子量は、ＧＰＣ（屈折率，粘度，光散乱測定）
法による重量平均分子量で、好ましくは５００〜３０
万、さらに好ましくは７００〜２０万、特に好ましくは
１，０００〜１０万である。５００未満では、塗膜の均
一性が低下する場合があり、一方、３０万より大きい場
合は、貯蔵安定性が得られない場合がある。また、この
ようにして得られる（Ｄ）加水分解縮合物も、粒子状の
形態をとっていないことにより、基板状への塗布性が優
れるという特徴を有している。粒子状の形態をとってい
ないことは、例えば透過型電子顕微鏡観察（ＴＥＭ）に
より確認される。

【００６０】本発明の膜形成用組成物において、（Ｄ）
成分を添加することで、得られる塗膜の機械的強度をさ
らにに向上させることができる。（Ｄ）成分の添加量
は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物換算）１００重量
部に対し、好ましくは２００重量部以下、さらに好まし
くは１８０重量部以下、特に好ましくは１５０重量部以
下であり、２００重量部を超えると、充分な低誘電率が
得られない場合がある。

【００６１】（Ｅ）界面活性剤；（Ｅ）界面活性剤とし
ては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面
活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが
挙げられ、さらには、シリコーン系界面活性剤、ポリア
ルキレンオキシド系界面活性剤、含フッ素界面活性剤な
どを挙げることができる。

【００６２】膜形成用組成物の調製方法 本発明の膜形成用組成物を調製するに際しては、例え
ば、（Ｃ）溶媒中、（Ａ）成分を構成する化合物（１）
〜（３）を混合して、水を連続的または断続的に添加し
て、加水分解し、縮合し、（Ａ）成分を調製したのち、
これに（Ｂ）成分を添加すればよく、特に限定されな
い。

【００６３】本発明の組成物の調製方法の具体例として
は、下記〜の方法などを挙げることができる。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒および（Ｃ）溶媒からなる混合物に、所定量の水
を加えて、加水分解・縮合反応を行ったのち、（Ｂ）成
分を混合する方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒および（Ｃ）成分からなる混合物に、所定量の水
を連続的あるいは断続的に添加して、加水分解、縮合反
応を行なったのち、（Ｂ）成分を混合する方法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分からなる混合物
に、所定量の水を加えて加水分解・縮合反応を行う方
法。 （Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）、アルカ
リ触媒、（Ｂ）成分および（Ｃ）成分からなる混合物
に、所定量の水を連続的あるいは断続的に添加して、加
水分解、縮合反応を行なう方法。

【００６４】このようにして得られる本発明の組成物の
全固形分濃度は、好ましくは、２〜３０重量％であり、
使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃
度が２〜３０重量％であると、塗膜の膜厚が適当な範囲
となり、保存安定性もより優れるものである。なお、こ
の全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上
記（Ｃ）溶媒による希釈によって行われる。

【００６５】このようにして得られる本発明の組成物
は、必要に応じて、フィルターでろ過したのち、使用す
ることができる。フィルターは、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、セルロース、セルロースアセテート、ポリ
プロピレン、ポリエーテルサルホン、四フッ化エチレン
（ＰＴＦＥ）、ポリアミドなどの材質のものを使用する
ことができる。好ましくは、孔径０．０５μｍ以下のＰ
ＴＦＥ製のフィルターを用いることが、組成物中の異物
を除去し、得られる塗膜の均一性が優れる点で好まし
い。上記のようなフィルターは、材質や孔径の異なるも
のを組み合わせて使用することができ、また、同一材質
や孔径の異なるものを、複数個組み合わせて使用するこ
ともできる。

【００６６】本発明の組成物を用いて膜を形成するに
は、まず本発明の組成物を基板に塗布し、塗膜を形成す
る。ここで、本発明の組成物を塗布することができる基
板としては、半導体、ガラス、セラミックス、金属など
が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコー
ト、ディッピング、ローラーブレードなどが挙げられ
る。本発明の組成物は、特にシリコンウエハ、ＳｉＯ₂
ウエハ、ＳｉＮウエハなどの上に塗布され、絶縁膜とす
ることに適している。

【００６７】この際の加熱方法としては、ホットプレー
ト、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、
加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰
囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下など
で行なうことができる。この加熱方法としては、形成し
た塗膜を、上記（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度未
満の温度で加熱して（Ａ）成分を一部硬化させ、次いで
上記（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度以上の温度から
最終硬化温度まで加熱し、低密度の硬化物とする方法、
上記（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度以上の温度で
加熱を行い硬化させ、低密度の硬化物とする方法などが
挙げられる。

【００６８】また、上記の（Ａ）成分の硬化速度と
（Ｂ）成分の蒸発速度もしくは分解速度を制御するた
め、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、
酸素、減圧などの雰囲気を選択することができる。通
常、（Ｂ）成分の沸点または分解温度は、２５０〜４５
０℃、好ましくは２５０〜４００℃であるので、塗膜は
最終的にはこの温度以上に加熱される工程を含む。この
工程は、減圧状態もしくは不活性ガス下で行われるのが
好ましい。

【００６９】このようにして得られる本発明の低密度化
膜は、膜密度が、通常、０．３５〜１．２ｇ／ｃｍ³ 、
好ましくは０．４〜１．１ｇ／ｃｍ³ 、さらに好ましく
は０．５〜１．０ｇ／ｃｍ³ である。膜密度が０．３５
ｇ／ｃｍ³ 未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一
方、１．２ｇ／ｃｍ³ を超えると、低誘電率が得られな
い。この膜密度の調整は、本発明における膜形成用組成
物中の（Ｂ）成分の含有量により、容易に調整すること
ができる。

【００７０】また、本発明の低密度化膜は、ＢＪＨ法に
よる細孔分布測定において、１０ｎｍ以上の空孔が５％
以下と少なく、微細配線間の層間絶縁膜材料として好ま
しい。この塗膜中の微細孔は、本発明の（Ｂ）成分を用
いることで達成できる。

【００７１】さらに、本発明の低密度化膜は、吸水性が
低い点に特徴を有し、例えば、塗膜を１２７℃、２．５
ａｔｍ、１００％ＲＨの環境に１時間放置した場合、放
置後の塗膜のＩＲスペクトル観察からは塗膜への水の吸
着は認められない。この吸水性は、本発明における膜形
成用組成物に用いられる化合物（２）のテトラアルコキ
シシラン類の量により、調整することができる。

【００７２】さらに、本発明の低密度化膜の誘電率は、
低誘電率であり、通常、２．７〜１．２、好ましくは
２．６〜１．２、さらに好ましくは２．５〜１．２であ
る。この誘電率は、本発明の塗膜形成用組成物中の
（Ｂ）成分の含有量により調整することができる。

【００７３】本発明の低密度膜は、絶縁性に優れ、塗布
膜の均一性、誘電率特性、塗膜の耐クラック性、塗膜の
表面硬度に優れることから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、
ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭな
どの半導体素子用層間絶縁膜、半導体素子の表面コート
膜などの保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示
素子用の保護膜や絶縁防止膜などの用途に有用である。

【００７４】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的
に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を
概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載に
より本発明は限定されるものではない。なお、実施例お
よび比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞ
れ重量部および重量％であることを示している。また、
各種の評価は、次のようにして行なった。

【００７５】重量平均分子量 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー（ＧＰＣ）（屈折率，粘度，光散乱測定）法により測
定した。 試料溶液：シラン化合物の加水分解縮合物を、固形分濃
度が０．２５％となるように、１０ｍＭのＬｉＢｒを含
むメタノールで希釈し、ＧＰＣ（屈折率，粘度，光散乱
測定）用試料溶液とした。 装置：東ソー（株）製、ＧＰＣシステム モデル ＧＰ
Ｃ−８０２０ 東ソー（株）製、カラム Ａｌｐｈａ５０００／３００
０ ビスコテック社製、粘度検出器および光散乱検出器 モデル Ｔ−６０ デュアルメーター キャリア溶液：１０ｍＭのＬｉＢｒを含むメタノール キャリア送液速度：１ｍｌ／ｍｉｎ カラム温度：４０℃

【００７６】貯蔵安定性 本発明の組成物８０ｍｌを容量１００ｍｌのガラス製ね
じ口瓶に入れて密閉し、４０℃オートクレーブ中で１ヶ
月放置した。放置前後のサンプルを２，５００ｒｐｍ、
３１秒のスピンコート条件で塗布し、実施例の方法で焼
成したときの膜厚を光学式膜厚計（Ｒｕｄｏｌｐｈ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、Ｓｐｅｃｔｒａ Ｌａｓ
ｅｒ２００）にて測定し、その変化率｛〔（放置後のサ
ンプルの膜厚−放置前のサンプルの膜厚）／放置前のサ
ンプルの膜厚〕×１００｝を算出し、下記基準にて評価
した。 ◎：膜厚変化率＜ ５％ ○：膜厚変化率＜１０％ ×：膜厚変化率≧１０％

【００７７】誘電率 得られた膜に対して蒸着法によりアルミニウム電極パタ
ーンを形成させ誘電率測定用サンプルを作成した。該サ
ンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で、横河・ヒュー
レットパッカード（株）製、ＨＰ１６４５１Ｂ電極およ
びＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣ
Ｖ法により当該塗膜の誘電率を測定した。膜密度 密度は、膜の膜厚と膜の面積から求めた体積と、膜の重
量から算出した。細孔分布 得られた硬化物の細孔分布を、ＣＯＵＬＴＥＲ社製、Ｏ
ＭＮＩＳＯＲＰ １００／３６０ ＳＥＲＩＥＳを用い
てＢＪＨ法で測定し、下記基準に従って評価した。 ○；１００ｎｍ以上の細孔が５％以下。 ×；１００ｎｍ以上の細孔が５％を超える。弾性率（ヤング率 ） 得られた膜を、ナノインデンターＸＰ（ＭＳＴ社製）を
用いて、連続剛性測定法により測定した。

【００７８】吸水性 得られた塗膜を１２７℃、２．５ａｔｍ、１００％Ｒ
Ｈ、の環境に１時間放置し、放置後の塗膜のＩＲスペク
トルを観察した。放置前の塗膜のＩＲスペクトルと比較
して、３，５００ｃｍ^-1付近のＨ₂ Ｏに起因する吸収の
有無を観察し、吸水性を下記基準に従い評価した。 ○：吸収無し ×：吸収有り

【００７９】参考例１〔（Ａ）成分の調製〕 ２５％アンモニア水溶液５ｇ、超純水３２０ｇおよびエ
タノール６００ｇの混合溶液中にメチルトリメトキシシ
ラン１５ｇ（完全加水分解縮合物換算７．４ｇ）とテト
ラエトキシシラン２０ｇ（完全加水分解縮合物換算５．
８ｇ）を加え６０℃で３時間反応をさせたのち、プロピ
レングリコールモノプロピルエーテル２００ｇを加え、
その後、減圧下で全容液量１４０ｇとなるまで濃縮し、
その後、酢酸の１０％プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル溶液１０ｇを添加し、固形分含有量８．８％
の組成物溶液を得た。得られた（Ａ）成分の重量平均分
子量は、５２０万であった。

【００８０】参考例２〔（Ａ）成分の調製〕 ２５％アンモニア水溶液５ｇの代わりに、４０％メチル
アミン水溶液５ｇを用いた以外は、参考例１と同様の操
作を行ない、固形分含有量８．８％の組成物溶液を得
た。得られた（Ａ）成分の重量平均分子量は、１００万
であった。 参考例３〔（Ｄ）成分の調製〕 テトラメトキシシラン１０１．３ｇ（完全加水分解縮合
物換算；４０．０ｇ）、メチルトリメトキシシラン２０
３．０ｇ（完全加水分解縮合物換算；１００．０ｇ）、
ジメチルジメトキシシラン９７．３ｇ（完全加水分解縮
合物換算；６０．０ｇ）、プロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル５５９．３ｇ、メチル−ｎ−ペンチルケ
トン２３９．７ｇの混合溶液に、マレイン酸１．０ｇ
（触媒／ＳｉＯＲ＝０．００１ｍｏｌ比）を水１５７．
７ｇ（Ｈ₂ Ｏ／ＳｉＯＲ＝１．０ｍｏｌ比）に溶かした
水溶液を、室温で１時間かけて滴下した。混合物の滴下
終了後、さらに６０℃で２時間反応させたのち、減圧下
で全溶液量１，０００ｇになるまで濃縮し、固形分含有
量２０％の（Ｄ）成分を得た。得られた（Ｄ）成分の重
量平均分子量は、３，０００であった。

【００８１】実施例１ 参考例１で得られた（Ａ）成分溶液１００．００ｇと、
（Ｂ）成分として、ポリエチレングリコール６００〔和
光純薬（株）製〕１．０ｇとを混合し、固形分含有量
９．７％の組成物溶液を得た。得られた組成物を、８イ
ンチシリコンウエハ上に、スピンコート法により塗布
し、大気中８０℃で５分間、次いで窒素下２００℃で５
分間加熱したのち、さらに真空中で３４０℃、３６０
℃、３８０℃の順で、それぞれ、３０分間ずつ加熱し、
さらに真空中で４２５℃で１時間加熱し、無色透明の膜
を形成した。得られた膜の評価結果を表１に示す。

【００８２】実施例２ 参考例２で得られた（Ａ）成分溶液１００．００ｇと、
（Ｂ）成分として、ポリエチレングリコール６００〔和
光純薬（株）製〕１．０ｇと、参考例３で得られた
（Ｄ）成分溶液５．０ｇとを混合し、固形分含有量１
０．２％の組成物溶液を得た。得られた組成物を、８イ
ンチシリコンウエハ上に、スピンコート法により塗布
し、大気中８０℃で５分間、次いで窒素下２００℃で５
分間加熱したのち、さらに真空中で３４０℃、３６０
℃、３８０℃の順で、それぞれ、３０分間ずつ加熱し、
さらに真空中で４２５℃で１時間加熱し、無色透明の膜
を形成した。得られた膜の評価結果を表１に示す。

【００８３】比較例１ 実施例１において、ポリエチレングリコール６００を使
用しない以外は、実施例１と同様にして組成物を製造
し、基板に塗布し加熱して、膜を形成した。得られた膜
の結果を表１に示す。

【００８４】

【表１】

【００８５】

【発明の効果】本発明によれば、貯蔵安定性に優れ、得
られる膜が低密度、低誘電率、低吸水率で、かつ空隙サ
イズが小さい、膜形成用組成物を提供することができ
る。

フロントページの続き (72)発明者 塩田 淳 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 BG052 BG062 BG132 CF032 CF092 CG012 CG042 CH012 CP021 CP031 CP081 CP181 CQ032 GQ01 GQ05 4J038 CG002 CH122 CH142 CH152 CH192 DD002 DE002 DF002 DL031 DL051 DL071 KA04 KA06 NA04 NA17 NA21 NA26 PA19 PB09 PC02 PC03 PC04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される化合
   物、下記一般式（２）で表される化合物、および下記一
   般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくと
   も１種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分
   解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに Ｒ_a Ｓｉ（ＯＲ¹ ）_4-a ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機
   基、Ｒ¹ は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。） Ｓｉ（ＯＲ² ）₄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ² は１価の有機基を示す。） Ｒ³ _b （Ｒ⁴ Ｏ）_3-b Ｓｉ−（Ｒ⁷ ）_d −Ｓｉ（ＯＲ⁵ ）_3-c Ｒ⁶ _c ・・・・・（３) 〔式中、Ｒ³ 〜Ｒ⁶ は同一または異なり、それぞれ１価
   の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数
   を示し、Ｒ⁷ は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ
   ₂ ）_n −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数であ
   る）、ｄは０または１を示す。〕 （Ｂ）成分；沸点または分解温度が２５０〜４５０℃で
   ある有機化合物を含有することを特徴とする膜形成用組
   成物。
2. 【請求項２】 （Ｂ）成分が、ポリエーテル、ポリエス
   テル、ポリカーボネート、ポリアンハイドライドおよび
   （メタ）アクリル系重合体の群から選ばれた少なくとも
   １種の有機ポリマーである請求項１記載の膜形成用組成
   物。
3. 【請求項３】 （Ｂ）成分が、下記（Ｂ−１）〜（Ｂ−
   ５）より選ばれた少なくとも１種の有機ポリマーである
   請求項２記載の膜形成用組成物。 （Ｂ−１）繰り返し単位中の炭素数が２〜１２のポリア
   ルキレングリコール化合物 （Ｂ−２）炭素数２〜１２の脂肪族鎖およびエステル結
   合を繰り返し単位中に含むポリエステル化合物 （Ｂ−３）繰り返し単位中の炭素数が２〜１２の脂肪族
   ポリカーボネート （Ｂ−４）炭素数２〜１２の脂肪族ジカルボン酸から得
   られるポリアンハイドライド （Ｂ−５）ポリオキシエチル基、ポリオキシプロピル
   基、アミド基、ヒドロキシル基、カルボキシル基の群よ
   り選ばれた少なくとも１種を有する（メタ）アクリル系
   重合体
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする膜
   の形成方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜３いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、（Ｂ）成分の沸点もしくは分
   解温度未満の温度で加熱して（Ａ）成分を一部硬化さ
   せ、次いで上記（Ｂ）成分の沸点もしくは分解温度以上
   の温度で加熱を行ない硬化させる請求項４記載の膜の形
   成方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜３いずれか１項記載の膜形成
   用組成物を基板に塗布し、（Ｂ）成分の沸点もしくは分
   解温度以上の温度で加熱を行ない硬化させる請求項４記
   載の膜の形成方法。
7. 【請求項７】 請求項４〜６いずれか１項記載の膜の形
   成方法によって得られる低密度化膜。