KR20160009074A - 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조 - Google Patents

세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR20160009074A
KR20160009074A KR1020157036810A KR20157036810A KR20160009074A KR 20160009074 A KR20160009074 A KR 20160009074A KR 1020157036810 A KR1020157036810 A KR 1020157036810A KR 20157036810 A KR20157036810 A KR 20157036810A KR 20160009074 A KR20160009074 A KR 20160009074A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flange
bank
ceramic plate
chamfer
pipe
Prior art date
Application number
KR1020157036810A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101658749B1 (ko
Inventor
다카시 가타이기
다카시 다니무라
Original Assignee
엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엔지케이 인슐레이터 엘티디 filed Critical 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Publication of KR20160009074A publication Critical patent/KR20160009074A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101658749B1 publication Critical patent/KR101658749B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/021—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles in a direct manner, e.g. direct copper bonding [DCB]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18—Dissimilar materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • B23K2203/52—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/121—Metallic interlayers based on aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/124—Metallic interlayers based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
    • C04B2237/127—The active component for bonding being a refractory metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C04B2237/406—Iron, e.g. steel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/80—Joining the largest surface of one substrate with a smaller surface of the other substrate, e.g. butt joining or forming a T-joint

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

반도체 제조 장치용 부재는, AlN제의 세라믹스 플레이트인 서셉터(10)와, 서셉터(10)에 접합된 가스 도입 파이프(20)를 구비하고 있다. 서셉터(10) 중 가스 도입 파이프(20)의 플랜지(22)와 대향하는 위치에는, 환형의 파이프 접합용 뱅크(14)가 형성되어 있다. 또한, 플랜지(22)와 파이프 접합용 뱅크(14) 사이에는, 파이프 납땜부(24)가 형성되어 있다. 플랜지(22)는, 폭이 3 ㎜ 이상, 두께가 0.5 ㎜ 이상 2 ㎜ 이하이다. 파이프 접합용 뱅크(14)는, 높이가 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 플랜지(22)의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기인 경우에는 C0.3 이상, R 모따기인 경우에는 R0.3 이상인 것이 바람직하다.

Description

세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조{JOINED STRUCTURE BETWEEN CERAMIC PLATE AND METALLIC CYLINDRICAL MEMBER}
본 발명은 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조에 관한 것이다.
정전척은 웨이퍼를 흡착하여, 반도체 제조 프로세스 중에 웨이퍼의 온도를 제어하기 위한 유지 부재로서 이용되고 있다. 이러한 정전척으로서는, 가스 도입 구멍이 형성된 원판형의 세라믹스 플레이트의 이면측으로부터, 금속제의 가스 도입 파이프를 접합하고, 웨이퍼의 흡착면에 He 가스 등을 공급하여, 열전도성을 향상시킨 것이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1).
그런데, 세라믹스 플레이트와 금속제의 가스 도입 파이프의 접합 방법으로서는, 도 7에 도시한 바와 같이, 세라믹스 플레이트(110)와 가스 도입 파이프(120) 사이에 땜납재를 충전하고 가스 도입 파이프(120)의 측면으로부터 정전척의 이면에 걸쳐 땜납재를 도포하여, 납땜하는 방법이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 2). 납땜 후, 땜납재는 필릿(fillet)형의 납땜부(124)가 된다. 세라믹스 플레이트(110)와 가스 도입 파이프(120) 사이에 열팽창차에 의한 응력이 발생하는데, 그 응력을 가능한 한 작게 하기 위해서, 가스 도입 파이프(120)를 세라믹스 플레이트(110)에 가까운 열팽창 계수를 갖는 금속으로 형성하고 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2004-297103호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2000-219578호 공보(도 3)
그러나, 도 7의 접합 구조에서는, 가스 도입 파이프(120)를 세라믹스 플레이트(110)에 가까운 열팽창 계수를 갖는 금속으로 형성했다고 해도, 정전척 사용시에 열 사이클이 가해지면 접합부의 박리가 발생하는 경우가 있었다. 그 원인은, 가스 도입 파이프(120)나 납땜부(124)가 냉각시에 세라믹스 플레이트(110)보다 크게 수축해 버리는 데 있다. 그 때문에, 열 사이클을 수회 반복한 것만으로 세라믹스 플레이트(110)에 크랙이 발생하여, 기밀성을 유지할 수 없고, 가스 도입 구멍으로부터 누설이 발생해 버리는 경우가 있었다. 한편, 세라믹스 플레이트(110)의 이면에는, 가스 도입 파이프(120) 외에 세라믹스 플레이트(110)보다 약간 직경이 작은 금속제의 링(도시하지 않음)이 납땜되는 경우가 있는데, 이 링과 세라믹스 플레이트(110)의 접합부에 있어서도, 전술한 바와 같이 크랙이 발생하여 기밀성을 유지할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조에 있어서, 열 사이클에 대한 내구성을 향상시키는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 접합 구조는,
세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조로서,
상기 원통 부재의 단부에 형성된 플랜지와,
상기 세라믹스 플레이트 중 상기 플랜지와 대향하는 위치에 형성된 환형의 뱅크와,
상기 플랜지와 상기 뱅크 사이에 형성된 납땜부
를 구비하고,
상기 플랜지는, 폭이 3 ㎜ 이상, 두께가 0.5 ㎜ 이상 2 ㎜ 이하이며,
상기 뱅크는, 상기 플랜지의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기 또는 R 모따기되어 있는 것이다.
이 접합 구조에서는, 원통 부재의 플랜지와 세라믹스 플레이트의 환형의 뱅크가 납땜부에 의해 접합되어 있다. 또한, 플랜지의 크기나 두께가 적정한 수치 범위에 있고, 뱅크는 플랜지의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기 또는 R 모따기되어 있다. 그 때문에, 원통 부재와 세라믹스 플레이트의 열팽창차에 의한 응력을 뱅크의 측면으로 받을 수 있게 되어, 응력에 대해 강한 구조가 된다. 또한, 접합 면적이 넓어지고, 시일 거리가 길어진다. 따라서, 이러한 접합 구조를 갖는 접합체에 열 사이클을 반복해서 행했다고 해도, 접합 부분에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 이러한 접합 구조에 의하면, 열 사이클에 대한 내구성이 향상된다.
본 발명의 접합 구조에 있어서, 상기 뱅크는, 높이가 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 열 사이클에 대한 내구성이 한층 향상된다.
본 발명의 접합 구조에 있어서, 상기 뱅크는, 상기 플랜지의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기인 경우에는 C0.3 이상인 것이 바람직하고, R 모따기인 경우에는 R0.3 이상인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 열 사이클에 대한 내구성이 한층 향상된다.
본 발명의 접합 구조에 있어서, 상기 세라믹스 플레이트는, AlN제이고, 상기 원통 부재는, 코바르(kovar)제이며, 상기 납땜부는 Ag, Cu 및 Ti를 포함하는 땜납재 또는 Al 땜납에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 재료의 조합을 채용하면, 보다 확실하게 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 접합 구조에 있어서, 상기 세라믹스 플레이트는, 상기 환형의 뱅크의 내측에 개구되어 두께 방향으로 관통하는 가스 도입 구멍을 가지며, 상기 원통 부재는, 상기 가스 도입 구멍에 가스를 공급하는 가스 도입 파이프로 해도 좋다. 이렇게 하면, 열 사이클 후에도, 가스 도입 파이프로부터 공급된 가스가 가스 도입 파이프나 가스 도입 구멍의 외측으로 누설되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 접합 구조에 있어서, 상기 환형의 뱅크는, 상기 세라믹스 플레이트의 외주 가장자리를 따라 형성되고, 상기 원통 부재는, 상기 세라믹스 플레이트를 지지하는 지지 링으로 해도 좋다. 이렇게 하면, 열 사이클 후에도, 지지 링의 내부의 기밀성을 유지할 수 있다.
본 발명의 접합 구조에 의하면, 열 사이클에 대한 내구성이 향상된다.
도 1은 반도체 제조 장치용 부재(1)의 개략 구성을 도시한 단면도.
도 2는 도 1의 A부 확대도.
도 3은 도 1의 B부 확대도.
도 4는 다른 실시형태의 부분 확대 단면도.
도 5는 시험용 샘플의 단면도.
도 6은 시험용 샘플의 단면도.
도 7은 종래의 접합 구조의 단면도.
본 발명의 적합한 실시형태를 도면을 참조하여 이하에 설명한다. 도 1은 반도체 제조 장치용 부재(1)의 개략 구성을 도시한 단면도, 도 2는 도 1의 A부 확대도, 도 3은 도 1의 B부 확대도이다.
반도체 제조 장치용 부재(1)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 챔버(2)의 내부에 설치되어 있다. 이 반도체 제조 장치용 부재(1)는, 웨이퍼(W)가 배치되는 웨이퍼 배치면(10a)을 구비한 서셉터(10)와, 서셉터(10)의 웨이퍼 배치면(10a)과는 반대측의 이면(10b)에 접합된 소직경의 가스 도입 파이프(20)와, 마찬가지로 이면(10b)에 접합된 대직경의 지지 링(30)을 구비하고 있다. 또한, 반도체 제조 장치용 부재(1)는, 지지 링(30)의 하단에서 챔버(2)의 내면에 기밀(氣密)하게 되도록 접합되어 있다.
서셉터(10)는, 원판형의 AlN제 세라믹스 플레이트이다. 이 서셉터(10)는, 두께 방향으로 관통하는 가스 도입 구멍(12)을 구비하고 있다. 가스 도입 구멍(12)의 이면(10b)측의 개구 주위에는, 환형의 파이프 접합용 뱅크(14)가 형성되어 있다. 파이프 접합용 뱅크(14)는, 가스 도입 파이프(20)의 플랜지(22)와 대향하는 위치에 형성되어 있다. 또한, 서셉터(10) 중 지지 링(30)의 플랜지(32)와 대향하는 위치에는, 환형의 링 접합용 뱅크(16)가 형성되어 있다. 링 접합용 뱅크(16)는, 서셉터(10)의 외주 가장자리보다 약간 내측에, 그 외주 가장자리를 따라 형성되어 있다.
가스 도입 파이프(20)는 코바르제이며, 도 2에 도시한 바와 같이, 서셉터(10)의 이면(10b)에 접합되는 단부에, 플랜지(22)를 갖고 있다. 코바르는 AlN과 동등한 열팽창 계수를 갖는다. 덧붙여 말하면, AlN의 열팽창 계수는 4.3×10-6/℃(40℃∼400℃), 코바르의 열팽창 계수는 9×10-6/℃(40℃∼400℃)이다. 플랜지(22)와 파이프 접합용 뱅크(14) 사이에는, 파이프 납땜부(24)가 형성되어 있다. 파이프 납땜부(24)는, 예컨대, Ag-Cu-Ti 땜납재 또는 Al 땜납으로 형성되어 있다. Ag-Cu-Ti 땜납재의 열팽창 계수는, 조성이 Ag 63 중량%, Cu 32.25 중량%, Ti 1.75 중량%인 경우에는 18.5×10-6/℃(40℃∼400℃), Al 땜납의 열팽창 계수는 19.5×10-6/℃(40℃∼400℃)이다.
지지 링(30)은 코바르제이며, 도 3에 도시한 바와 같이, 서셉터(10)의 이면(10b)에 접합되는 단부에, 플랜지(32)를 갖고 있다. 이 지지 링(30)의 직경은, 서셉터(10)의 직경보다 약간 작다. 플랜지(32)와 링 접합용 뱅크(16) 사이에는, 링 납땜부(34)가 형성되어 있다. 링 납땜부(34)는, 예컨대, Ag-Cu-Ti 땜납재 또는 Al 땜납으로 형성되어 있다.
플랜지(22, 32)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 폭 A가 3 ㎜ 이상, 두께 B가 0.5 ㎜ 이상 2 ㎜ 이하이다. 플랜지(22, 32)의 폭 A가 3 ㎜ 미만인 경우에는, 시일 거리 부족이나 접합 면적 부족에 의해 기밀성을 유지할 수 없기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 플랜지(22, 32)의 두께 B가 2 ㎜를 초과하면, 열 사이클시에 접합 부분에 발생하는 응력이 지나치게 커져 접합 부분에 크랙이 생기기 때문에 바람직하지 않다. 이 응력의 크기를 고려하면, 플랜지(22, 32)의 두께는 얇을수록 좋으나, 두께가 0.5 ㎜ 미만인 경우에는, 제조가 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다.
파이프 접합용 뱅크(14) 및 링 접합용 뱅크(16)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 단(段) 높이 C가 0.5 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 플랜지(22, 32)의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기 사이즈 D가 C 모따기인 경우에는 C0.3 이상, R 모따기인 경우에는 R0.3 이상인 것이 바람직하다. 이 조건을 만족시키면, 열 사이클에 대한 내구성이 충분히 높아진다. 한편, 도 2 및 도 3에서는, 각 뱅크(14, 16)의 모서리의 모따기는 C 모따기인 경우를 예시하였다.
단, 각 뱅크(14, 16)의 단 높이 C가 0.5 ㎜ 미만이었다고 해도, 각 뱅크(14, 16)가 없는 경우에 비해 열 사이클에 대한 내구성은 향상된다. 또한, 각 뱅크(14, 16)의 모서리의 모따기 사이즈 D가 C 모따기인 경우에 C0.3 미만, R 모따기인 경우에 R0.3 미만이었다고 해도, 모서리의 모따기가 되어 있지 않은 경우에 비해 열 사이클에 대한 내구성은 향상된다.
다음으로, 이렇게 해서 구성된 반도체 제조 장치용 부재(1)의 사용예에 대해 설명한다. 반도체 제조 장치용 부재(1)는, 챔버(2) 내에 배치되고, 이 챔버(2) 내에서 발생시킨 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 에칭하는 데 이용된다. 이때, 필요에 따라, He 가스를 가스 도입 파이프(20) 및 가스 도입 구멍(12)을 통해 웨이퍼(W)의 이면에 공급한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 균열성(均熱性)이 향상된다.
여기서, 본 실시형태의 구성 요소와 본 발명의 구성 요소의 대응 관계를 명확히 한다. 본 실시형태의 서셉터(10)가 본 발명의 세라믹스 플레이트에 상당하고, 가스 도입 파이프(20) 및 지지 링(30)이 각각 원통 부재에 상당한다.
이상 상세히 설명한 본 실시형태의 반도체 제조 장치용 부재(1)에서는, 가스 도입 파이프(20)의 플랜지(22)와 서셉터(10)의 파이프 접합용 뱅크(14)가 파이프 납땜부(24)에 의해 접합되고, 지지 링(30)의 플랜지(22)와 서셉터(10)의 링 접합용 뱅크(16)가 링 납땜부(34)에 의해 접합되어 있다. 또한, 플랜지(22, 32)의 크기나 두께가 적정한 수치 범위에 있고, 뱅크(14, 16)는 플랜지(22, 32)의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기 또는 R 모따기되어 있다. 그 때문에, 지지 링(30)과 서셉터(10)의 열팽창차에 의한 응력을 뱅크(14, 16)의 측면으로 받을 수 있게 되어, 응력에 대해 강한 구조가 된다. 또한, 접합 면적이 넓어지고, 시일 거리가 길어진다. 따라서, 이러한 접합 구조를 갖는 반도체 제조 장치용 부재(1)에 열 사이클을 반복해서 행했다고 해도, 접합 부분에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 이 반도체 제조 장치용 부재(1)에 의하면, 열 사이클에 대한 내구성이 향상된다.
또한, 서셉터(10)는 AlN제이고, 가스 도입 파이프(20)나 지지 링(30)은 코바르제이며, 파이프 납땜부(24) 및 링 납땜부(34)는 Ag-Cu-Ti 땜납재 또는 Al 땜납에 의해 형성되어 있기 때문에, 열팽창차에 의해 발생하는 응력을 낮게 억제할 수 있어, 열 사이클에 대한 내구성을 확실하게 높일 수 있다.
또한, 열 사이클 후에, 가스 도입 파이프(20)로부터 공급된 가스가 가스 도입 파이프(20)나 가스 도입 구멍(12)의 외측으로 누설되는 것을 방지할 수 있고, 지지 링(30)의 내부의 기밀성을 유지할 수도 있다.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일은 없으며, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태의 서셉터(10) 대신에, 정전 전극, 히터 전극 및 플라즈마 발생 전극 중 적어도 하나를 매설한 세라믹스 플레이트를 이용해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 파이프 접합용 뱅크(14)를 서셉터(10)의 이면(10b)으로부터 돌출하도록 형성하였으나, 도 4에 도시한 바와 같이, 이면(10b) 중 가스 도입 구멍(12)의 개구 주변에 원주홈(13)을 형성하여 파이프 접합용 뱅크(14)를 형성해도 좋다. 이 경우, 파이프 접합용 뱅크(14)의 정상면의 높이는, 이면(10b)의 높이와 동일해진다. 이렇게 해도, 전술한 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 한편, 링 접합용 뱅크(16)에 대해서도, 이와 동일하게 형성해도 좋다. 즉, 소직경의 원주홈과 대직경의 원주홈을 형성하고, 양 홈 사이를 링 접합용 뱅크(16)로 해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 서셉터(10)의 재료로서 AlN을 채용하였으나, AlN 이외의 세라믹(예컨대 알루미나 등)을 채용해도 좋다. 그 경우, 가스 도입 파이프(20)나 지지 링(30)의 재료는, 서셉터(10)의 재료와 열팽창 계수가 동등한 것[예컨대 서셉터(10)의 재료의 열팽창 계수의 ±10%의 것]으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 파이프 납땜부(24)나 링 납땜부(34)의 땜납재도, 서셉터(10)의 재료와 열팽창 계수가 동등한 것으로 하는 것이 바람직하다.
전술한 실시형태에서는, 금속제 원통 부재로서 가스 도입 파이프(20)나 지지 링(30)을 예시하였으나, 그 외의 원통 부재를 접합해도 좋다. 예컨대, 서셉터(10)의 표면 온도를 측정하는 열전대를 삽입하기 위한 원통 부재를 접합해도 좋다.
실시예
[시험용 샘플 No.1∼16]
도 5에 도시한 시험용 샘플을 제작하였다. 즉, 먼저, 서셉터(10)를 본뜬 AlN제의 블록(50)을 준비하였다. 블록(50)에는, 가스 도입 구멍(12)을 본뜬 가스 도입 구멍(52)과, 파이프 접합용 뱅크(14)를 본뜬 파이프 접합용 뱅크(54)를 형성하였다. 그리고, 파이프 접합용 뱅크(54)에, 파이프 납땜부(24)를 통해 코바르제의 가스 도입 파이프(20)의 플랜지(22)를 접합하여, 시험용 샘플로 하였다. 땜납재는 Ag-Cu-Ti 땜납재(Ag 63 중량%, Cu 32.25 중량%, Ti 1.75 중량%)를 사용하였다. 가스 도입 파이프(20)는, 내부 직경이 약 7.5 ㎜, 외부 직경이 약 9.5 ㎜인 것을 사용하였다. 시험용 샘플로서는, 표 1에 나타낸 플랜지 폭 A, 플랜지 두께 B, 뱅크의 단 높이 C, 모따기 사이즈 D를 갖는 샘플 No.1∼16을 제작하였다.
Figure pct00001
[평가]
각 샘플을 열 사이클 시험에 제공하였다. 열 사이클 시험은, 대기 중에서 150℃로부터 450℃로 승온하고, 그 후 150℃로 강온하는 것을 1사이클로 하고, 이것을 50사이클 행하였다. 열 사이클 시험 후, 접합부의 시일성의 확인과, 단면 관찰에 의한 크랙의 확인을 행하였다. 접합부의 시일성의 확인은, 가스 도입 구멍(52)의 개구(52a)를 막고, 가스 도입 파이프(20)의 입구로부터 He 누설 검출기(leak detector)를 이용하여 진공화를 행하고, 접합부 측면으로부터 He를 내뿜어 He의 누설량을 측정하였다. 누설량이 임계값(여기서는 1×10-8 ㎩·㎥/sec) 미만이면 시일성 양호라고 판정하고, 임계값 이상이면 시일성 불량이라고 판단하였다. 그리고, 시일성이 양호하고 또한 단면 관찰에서 크랙이 없는 경우, 「OK」라고 평가하고, 시일성이 불량이거나 단면 관찰에서 크랙이 있는 경우, 「NG」라고 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.
샘플 No.1∼4의 평가 결과로부터, 플랜지 폭 A는 3 ㎜ 이상이면, 접합 면적이 충분히 넓고 시일 거리도 충분히 길어지기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다.
샘플 No.5∼8의 평가 결과로부터, 플랜지 두께 B는 2 ㎜ 이하이면, 열 사이클 시험 중에 큰 응력이 발생하지 않기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다. 한편, 플랜지 두께 B가 0.5 ㎜보다 얇아지면 제조가 곤란해진다.
샘플 No.9∼12의 평가 결과로부터, 파이프 접합용 뱅크의 단 높이 C가 0.5 ㎜ 이상이면, 열 사이클 시험 중에 발생하는 응력이 완화되기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다.
샘플 No.13∼16의 평가 결과로부터, 모따기 사이즈 D(여기서는 C 모따기)가 0.3 ㎜ 이상(즉 C0.3 이상)이면, 열 사이클 시험 중에 발생하는 응력이 완화되기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다. 또한, C 모따기 대신에 R 모따기를 행한 경우도, 동일한 결과가 얻어졌다.
한편, 파이프 접합용 뱅크(54)를 갖지 않는 블록(50)과, 플랜지(22)를 갖지 않는 가스 도입 파이프(20)를, 전술한 Ag-Cu-Ti 땜납재로 도 7에 도시한 접합 구조가 되도록 접합한 샘플을 제작하고, 전술한 열 사이클 시험에 제공한 후 시일성의 확인을 행한 결과, 누설량이 임계값을 초과하고 있었다(시일성 불량). 또한, 단면 관찰을 행한 결과, 도 7의 점선으로 나타내는 바와 같은 크랙이 발생하고 있었다.
[시험용 샘플 No.17∼24]
도 6에 도시한 시험용 샘플을 제작하였다. 즉, 먼저, 서셉터(10)를 본뜬 AlN제의 플레이트(60)와, 지지 링(30)을 본뜬 코바르제의 링(70)을 준비하였다. 플레이트(60)에는, 링 접합용 뱅크(16)를 본뜬 링 접합용 뱅크(66)를 형성하고, 링(70)에는, 플랜지(32)를 본뜬 플랜지(72)를 형성하였다. 그리고, 링 접합용 뱅크(66)에, 링 납땜부(74)를 통해 링(70)의 플랜지(72)를 접합하여, 시험용 샘플로 하였다. 땜납재는, 전술한 Ag-Cu-Ti 땜납재를 사용하였다. 또한, 링(70)의 사이즈는, 내부 직경이 약 228 ㎜, 외부 직경이 약 229.5 ㎜인 것을 사용하였다. 시험용 샘플로서는, 표 2에 나타낸 플랜지 폭 A, 플랜지 두께 B, 뱅크의 단 높이 C, 모따기 사이즈 D를 갖는 샘플 No.17∼24를 제작하였다.
Figure pct00002
[평가]
샘플 No.17∼24에 대해서도, 샘플 No.1∼16과 동일하게 하여 평가를 행하고, 그 결과를 표 2에 나타내었다. 샘플 No.17, 18의 평가 결과로부터, 플랜지 폭 A는 3 ㎜ 이상이면, 접합 면적이 충분히 넓고 시일 거리도 충분히 길어지기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다. 샘플 No.19, 20의 평가 결과로부터, 플랜지 두께 B는 2 ㎜ 이하이면, 열 사이클 시험 중에 큰 응력이 발생하지 않기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다. 샘플 No.21, 22의 평가 결과로부터, 링 접합용 뱅크의 단 높이 C가 0.5 ㎜ 이상이면, 열 사이클 시험 중에 발생하는 응력이 완화되기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다. 샘플 No.23, 24의 평가 결과로부터, 모따기 사이즈 D(여기서는 C 모따기)가 0.3 ㎜ 이상(즉 C0.3 이상)이면, 열 사이클 시험 중에 발생하는 응력이 완화되기 때문에, 시일성이 양호하고 크랙도 보이지 않았다. 또한, C 모따기 대신에 R 모따기를 행한 경우도, 동일한 결과가 얻어졌다.
이 출원은 2014년 3월 27일에 출원된 일본국 특허 출원 제2014-065541호를 우선권 주장의 기초로 하고 있으며, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 정전척이나 정전척 히터, 세라믹 히터 등의 반도체 제조 장치용 부재로서 이용 가능하다.
1: 반도체 제조 장치용 부재 2: 챔버
10: 서셉터 10a: 웨이퍼 배치면
10b: 이면 12: 가스 도입 구멍
13: 원주홈 14: 파이프 접합용 뱅크
16: 링 접합용 뱅크 20: 가스 도입 파이프
22: 플랜지 24: 파이프 납땜부
30: 지지 링 32: 플랜지
34: 링 납땜부 50: 블록
52: 가스 도입 구멍 52a: 개구
54: 파이프 접합용 뱅크 60: 플레이트
66: 링 접합용 뱅크 70: 링
72: 플랜지 74: 링 납땜부
110: 세라믹스 플레이트 120: 가스 도입 파이프
124: 납땜부

Claims (6)

  1. 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조로서,
    상기 원통 부재의 단부에 형성된 플랜지와,
    상기 세라믹스 플레이트 중 상기 플랜지와 대향하는 위치에 형성된 환형의 뱅크와,
    상기 플랜지와 상기 뱅크 사이에 형성된 납땜부
    를 구비하고,
    상기 플랜지는, 폭이 3 ㎜ 이상, 두께가 0.5 ㎜ 이상 2 ㎜ 이하이며,
    상기 뱅크는, 상기 플랜지의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기 또는 R 모따기되어 있는 것인 접합 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 뱅크는, 높이가 0.5 ㎜ 이상인 것인 접합 구조.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 뱅크는, 상기 플랜지의 외측 가장자리에 대향하는 모서리의 모따기가 C 모따기인 경우에는 C0.3 이상, R 모따기인 경우에는 R0.3 이상인 것인 접합 구조.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹스 플레이트는, AlN제이고,
    상기 원통 부재는, 코바르(kovar)제이며,
    상기 납땜부는, Ag, Cu 및 Ti를 포함하는 땜납재 또는 Al 땜납에 의해 형성되어 있는 것인 접합 구조.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹스 플레이트는, 상기 환형의 뱅크의 내측에 개구되어 두께 방향으로 관통하는 가스 도입 구멍을 가지며,
    상기 원통 부재는, 상기 가스 도입 구멍에 가스를 공급하는 가스 도입 파이프인 것인 접합 구조.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 환형의 뱅크는, 상기 세라믹스 플레이트의 외주 가장자리를 따라 형성되고,
    상기 원통 부재는, 상기 세라믹스 플레이트를 지지하는 지지 링인 것인 접합 구조.
KR1020157036810A 2014-03-27 2015-03-10 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조 KR101658749B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014065541 2014-03-27
JPJP-P-2014-065541 2014-03-27
PCT/JP2015/056892 WO2015146563A1 (ja) 2014-03-27 2015-03-10 セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160009074A true KR20160009074A (ko) 2016-01-25
KR101658749B1 KR101658749B1 (ko) 2016-09-21

Family

ID=54195088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157036810A KR101658749B1 (ko) 2014-03-27 2015-03-10 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9583372B2 (ko)
JP (1) JP5851665B1 (ko)
KR (1) KR101658749B1 (ko)
CN (1) CN105392758B (ko)
TW (1) TWI538764B (ko)
WO (1) WO2015146563A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200067241A (ko) * 2017-01-30 2020-06-12 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지대

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9738975B2 (en) * 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
JP6591911B2 (ja) * 2016-02-25 2019-10-16 京セラ株式会社 半導体製造装置用部品
JP6650332B2 (ja) * 2016-04-15 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 基板保持装置及びその製造方法
US10147610B1 (en) 2017-05-30 2018-12-04 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including metallized ceramic tubes for RF and gas delivery
JP7285855B2 (ja) 2018-11-30 2023-06-02 京セラ株式会社 セラミック構造体及び端子付構造体
WO2020170514A1 (ja) * 2019-02-20 2020-08-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP7413112B2 (ja) * 2020-03-24 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251991A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Asahi Glass Co Ltd 低圧ｃｖｄ装置
KR19980080073A (ko) * 1997-03-12 1998-11-25 하라다 겐조 금속-세라믹 복합 기판, 그의 제조 방법 및 그의 방법에 사용하기 위한 납땜용 재료
US5902406A (en) * 1996-03-15 1999-05-11 Asahi Glass Company Ltd. Low pressure CVD system
JP2000219578A (ja) 1999-01-28 2000-08-08 Ngk Insulators Ltd セラミックス部材と金属部材との接合体およびその製造方法
JP2004297103A (ja) 2004-07-26 2004-10-21 Kyocera Corp ウェハ保持装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2061879A1 (de) * 1970-12-16 1972-06-29 Steinzeug U Kunststoffwarenfab Verfahren zur Herstellung von Keramik-Met all-Verbundkonstruktionen
DE2326373C3 (de) * 1973-05-23 1978-09-21 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Metall-Keramik-Lötverbindung
GB1504666A (en) * 1975-03-22 1978-03-22 Gemvac Kk Vacuum power interrupter and method of making the same
JPS5624733A (en) * 1979-08-01 1981-03-09 Hitachi Ltd Electron tube
US4420869A (en) * 1983-03-21 1983-12-20 Interceram, Inc. Method of manufacturing a thyrister housing
US4682269A (en) * 1984-10-11 1987-07-21 Teradyne, Inc. Heat dissipation for electronic components on a ceramic substrate
US4746054A (en) * 1985-08-29 1988-05-24 Northrop Corporation Method of joining concentric cylinders
US4642864A (en) * 1985-12-20 1987-02-17 Solar Turbines Incorporated Recuperator tube assembly
DE3810190A1 (de) * 1988-03-25 1989-10-05 Hoechst Ceram Tec Ag Verfahren zum dichten verbinden von keramischen dichtscheiben mit metallischen vorrichtungen
US5042847A (en) * 1989-07-20 1991-08-27 Ford Motor Company Metal to ceramic sealed joint
JPH03205382A (ja) * 1989-10-04 1991-09-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc セラミック部材と金属部材との接合体
JP2752768B2 (ja) * 1990-03-29 1998-05-18 日本特殊陶業株式会社 タービンロータの接合構造
US5364010A (en) * 1990-07-05 1994-11-15 The Morgan Crucible Company, Plc Joining of metal to ceramic bodies by brazing
US5108025A (en) * 1991-05-20 1992-04-28 Gte Laboratories Incorporated Ceramic-metal composite article and joining method
JPH08268770A (ja) * 1995-03-29 1996-10-15 Toshiba Corp セラミックス金属接合体
KR100255027B1 (ko) * 1995-05-17 2000-05-01 니시무로 타이죠 세라믹 금속접합재 및 이를 사용한 세라믹 금속접합체 제조방법 및 이를 이용하여 제작한 진공기밀용기
JP3861350B2 (ja) * 1996-12-27 2006-12-20 旭硝子株式会社 低圧ｃｖｄ装置
JPH1064983A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Sony Corp ウエハステージ
JP3954177B2 (ja) * 1997-01-29 2007-08-08 日本碍子株式会社 金属部材とセラミックス部材との接合構造およびその製造方法
JP3506876B2 (ja) * 1997-03-31 2004-03-15 日本特殊陶業株式会社 エンジン用タペット
JPH11330283A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Toshiba Corp 半導体モジュール及び大型半導体モジュール
JP3914671B2 (ja) * 1999-11-30 2007-05-16 京セラ株式会社 ウエハ支持部材
JP2002076102A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Ibiden Co Ltd セラミック基板
JP2002121083A (ja) * 2000-10-10 2002-04-23 Kyocera Corp セラミック部材と金属部材の接合体及びこれを用いたウエハ支持部材
JP3690979B2 (ja) * 2000-11-30 2005-08-31 日本特殊陶業株式会社 金属−セラミック接合体及びそれを用いた真空スイッチユニット
CN1486289A (zh) * 2001-05-29 2004-03-31 皇家菲利浦电子有限公司 金属-陶瓷的结合
JP2003300784A (ja) * 2002-04-02 2003-10-21 Ibiden Co Ltd セラミック接合体
WO2004002572A1 (en) * 2002-06-28 2004-01-08 Advanced Bionics Corporation Microstimulator having self-contained power source and bi-directional telemetry system
KR20040070008A (ko) * 2003-01-29 2004-08-06 쿄세라 코포레이션 정전척
JP2005216641A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Kyocera Corp 気密端子
JP2005235576A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Kyocera Corp 気密端子
JP2006040766A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp 気密端子
US8956459B2 (en) * 2005-02-23 2015-02-17 Kyocera Corporation Joined assembly, wafer holding assembly, attaching structure thereof and method for processing wafer
US7905385B2 (en) * 2006-03-17 2011-03-15 Smith & Nephew, Inc. Joining ceramics to metal
GB0905133D0 (en) * 2009-03-25 2009-05-06 Airbus Uk Ltd Orientation of interfacing projections

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251991A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Asahi Glass Co Ltd 低圧ｃｖｄ装置
US5902406A (en) * 1996-03-15 1999-05-11 Asahi Glass Company Ltd. Low pressure CVD system
KR19980080073A (ko) * 1997-03-12 1998-11-25 하라다 겐조 금속-세라믹 복합 기판, 그의 제조 방법 및 그의 방법에 사용하기 위한 납땜용 재료
JP2000219578A (ja) 1999-01-28 2000-08-08 Ngk Insulators Ltd セラミックス部材と金属部材との接合体およびその製造方法
JP2004297103A (ja) 2004-07-26 2004-10-21 Kyocera Corp ウェハ保持装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200067241A (ko) * 2017-01-30 2020-06-12 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 지지대

Also Published As

Publication number Publication date
TW201603934A (zh) 2016-02-01
JPWO2015146563A1 (ja) 2017-04-13
US20160099164A1 (en) 2016-04-07
KR101658749B1 (ko) 2016-09-21
JP5851665B1 (ja) 2016-02-03
US9583372B2 (en) 2017-02-28
CN105392758A (zh) 2016-03-09
TWI538764B (zh) 2016-06-21
WO2015146563A1 (ja) 2015-10-01
CN105392758B (zh) 2019-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101658749B1 (ko) 세라믹스 플레이트와 금속제 원통 부재의 접합 구조
US9999947B2 (en) Method for repairing heaters and chucks used in semiconductor processing
US11331738B2 (en) High temperature resistant silicon joint for the joining of ceramics
JP7504857B2 (ja) 高温半導体処理におけるクランピングのための静電チャック及びそれを製造する方法
US10388560B2 (en) Shaft-end mounting structure
JPWO2006090730A1 (ja) 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法
KR20160145812A (ko) 접합 구조체
JP7182083B2 (ja) ウエハ保持体
US11560336B2 (en) Method for producing semiconductor production device component, and semiconductor production device component
JP7064987B2 (ja) セラミックス接合体
KR20140053784A (ko) 반도체 제조 장치용 부재 및 그 제조 방법
JP2023023670A (ja) セラミックスヒータ
JP2009206202A (ja) ウエハ支持部材、半導体製造装置及びウエハの製造方法
KR101833357B1 (ko) 크랙 및 누기 방지용 반도체 제조용 챔버
KR101237529B1 (ko) 반도체 제조장치용 히터의 표면손상부위 처리방법 및 샤프트 본딩방법
JP2001153229A (ja) 中空金属ｏリング
JP2002359279A (ja) ウエハ支持部材及びその製造方法
JP2022024328A (ja) 保持装置
JP3806386B2 (ja) 真空処理装置
KR102209158B1 (ko) 반도체 제조장치용 부품
JP3122476U (ja) 円盤状ウエハ加熱装置用シースヒータ端部の密封構造
JP2008159932A (ja) 基板保持体及びその製造方法
JP2008177572A (ja) 高温の微粒子アルミニウムヒーター
JP2017028227A (ja) 試料保持具およびこれを備えた試料処理装置
JP2008153414A (ja) ウエハ保持体の取り付け構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190903

Year of fee payment: 4