KR101833357B1 - 크랙 및 누기 방지용 반도체 제조용 챔버 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 챔버로서, 반도체 제조공정에 사용되는 챔버에 관한 것으로서, 외부공간과 완전히 격리된 내부공간을 형성시키고, 챔버의 진공상태가 유지되고, 수축과 팽창 과정을 반복적으로 수행되어, 수축시 챔버의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복됨에 의하여, 크랙되는 것을 방지하거나, 진공 누기 시에 누기부를 탐지하기 위한 용접부를 형성시키고, 전해연마시에 산성의 침투를 방지하기 위하여, 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 용접부를 포함하는 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버에 관한 것이다.

Description

크랙 및 누기 방지용 반도체 제조용 챔버{Chamber for manufacturing semiconductor}
본 발명은 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버로서, 반도체 제조공정에 사용되는 챔버에 관한 것으로서, 외부공간과 완전히 격리된 내부공간을 형성시키고, 챔버의 진공상태가 유지되고, 수축과 팽창 과정이 반복적으로 수행되어, 수축시 챔버의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복됨에 의하여, 크랙되는 것을 방지하거나, 진공 누기 시에 누기를 탐지하기 위한 용접부를 형성시키고, 전해연마시에 산성의 침투를 방지하기 위하여, 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 용접부를 포함하는 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조에서는 소정의 진공분위기에서 공정이 수행되는 공정챔버를 이용하여 특정 막을 식각하거나 또는 형성시킨다. 그리고 이러한 공정챔버를 소정의 진공분위기로 형성시키기 위해서는 진공펌프의 펌핑(Pumping) 흡입으로 이루어진다.
이러한 챔버를 형성하기 위해서는 6개의 구조체가 상호 인접되어, 내부공간이 되고, 내부공간을 형성시키기 위해서는 인접되는 2개의 구조체를 상호 용접시키는 것이다.
이러한 용접 공정 중에서, 내부공간 및 외부공간 측에 형성되는 2개의 구조체의 용접이 매우 중요하며, 용접의 결함이 발생되면, 챔버 내의 이물질이 외부로 유출되거나, 챔버를 변색시키는 문제점으로 악화되는 것이다.
또한, 진공기밀의 누기 시에 누기를 용이하게 탐지하는 용접부의 용접형상도 매우 중요하게 개발되어야 하는 것이다.
대한민국 특허공보 10-249308 대한민국 특허공개공보 10-2010-0073338 대한민국 실용신안공개공보 20-1997-0052807
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 외부공간과 완전히 격리된 내부공간을 형성시키고, 챔버의 진공상태가 유지되고, 수축과 팽창 과정이 반복적으로 수행되어, 수축시 챔버의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복됨에 의하여, 크랙되는 것을 방지하거나, 진공 누기시에 누기를 탐지하기 위한 용접부를 형성시키고, 전해연마시에 산성의 침투를 방지하기 위하여, 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 용접부를 포함하는 챔버를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로서,반도체 제조용 챔버에 있어서, 챔버를 형성하도록 형성되는 6각형 구조체 중에서, 상호 인접되어 형성되는 2개의 구조체를 상호 용접되도록 부착시키되; 상기 2개의 구조체가 상호 접촉되는 내측공간의 접촉면에는 용가제가 포함되지 않은 제1 내측용접부를 먼저 형성시키고, 상기 제1 내측용접부 상면에 용가제가 포함된 제2내측용접부를 부가 형성시키며; 상기 2개의 구조체가 상호 접촉되는 외측공간의 접촉면에는 용가제가 포함된 외측용접부를 형성시키도록; 이루어진 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버를 제공하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 챔버에 용접부를 제공하여, 외부공간과 완전히 격리된 내부공간을 형성시켜서, 내부에서 발생되는 유해가스등의 이물질이 외부로 유출되지 않는 효과를 제공하는데 있으며, 또한, 챔버의 진공상태가 유지되고, 수축과 팽창 과정이 반복적으로 수행되어, 수축시 챔버의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복됨에 의하여, 크랙되는 것을 방지하거나, 진공 누기시에 누기를 탐지하는 효과를 제공하는데 있다.
또한, 챔버의 외관을 깨끗하게 하기 위하여, 전해연마시에 산성의 침투를 방지하는 효과를 제공하는 데 있다..
도 1은 본 발명에 따른 챔버를 나타낸 개략도
도 2는 본 발명에 따른 내측용접부 및 외측용접부를 나타낸 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 내측용접부 및 외측 용접부를 나타낸 측면도.
도 4는 본 발명에 따른 외측용접부를 나타낸 사시도.
도 5는 본 발명에 따른 외측용접부를 나타낸 정면도.
본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기 전에, 다음의 상세한 설명에 기재되거나 도면에 도시된 구성요소들의 구성 및 배열들의 상세로 그 응용이 제한되는 것이 아니라는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명은 다른 실시예들로 구현되고 실시될 수 있고 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 또, 장치 또는 요소 방향(예를 들어 "전(front)", "후(back)", "위(up)", "아래(down)", "상(top)", "하(bottom)", "좌(left)", "우(right)", "횡(lateral)")등과 같은 용어들에 관하여 본원에 사용된 표현 및 술어는 단지 본 발명의 설명을 단순화하기 위해 사용되고, 관련된 장치 또는 요소가 단순히 특정 방향을 가져야 함을 나타내거나 의미하지 않는다는 것을 알 수 있을 것이다. 또한, "제 1(first)", "제 2(second)"와 같은 용어는 설명을 위해 본원 및 첨부 청구항들에 사용되고 상대적인 중요성 또는 취지를 나타내거나 의미하는 것으로 의도되지 않는다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 아래의 특징을 갖는다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 실시예를 살펴보면,
반도체 제조용 챔버에 있어서,
챔버(200)를 형성하도록 형성되는 6각형 구조체 중에서,
상호 인접되어 형성되는 2개의 구조체(10,20)를 상호 용접되도록 부착시키되;
상기 2개의 구조체(10,20)가 상호 접촉되는 내측공간의 접촉면에는 용가제가 포함되지 않으며, 구조체(10,20)자체의 금속성분에 의한 제1 내측용접부(111)를 먼저 형성시키고, 상기 제1 내측용접부(111)상면에 용가제가 포함된 제2내측용접부(112)를 부가 형성시키며,
상기 2개의 구조체(10,20)가 상호 접촉되는 외측공간의 접촉면에는 용가제가 포함된 외측용접부(100)를 형성시키도록; 이루어진 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버에 관한 것이다.
또한, 챔버(200)의 내측공간의 진공기밀을 위하여, 제1 내측용접부(111) 및 제2내측용접부(112)는 끊어지지 않고, 라인형으로 연결되도록 용접되며;
챔버(200)의 진공상태가 유지되고, 수축과 팽창 과정이 반복적으로 수행되어, 챔버(200)의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복됨에 의하여, 상기 제2내측용접부(112)가 크랙되는 것을 방지하거나, 진공 누설시에 누설을 탐지하기 위하여, 상기 외측용접부(100)는 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되도록; 이루어진 것이다.
또한, 상기 외측용접부(100) 및 제2내측 용접부(112)는 설정용접두께가 되도록 다수번으로 중첩되어 용접되도록; 이루어진 것이다.
또한, 전해연마시에 산성의 침투를 방지하기 위하여, 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 상기 외측용접부(100)사이의 중간부에도 용가제가 포함된 산성기밀용 용접부(113)를 형성하도록; 이루어진 것이다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 챔버를 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 챔버를 나타낸 개략도로서, 내부의 진공상태를 유지하기 위하여, 6개의 구조체가 상호 인접되어 형성되고 있으며, 내부공간에는 반도체 제조를 위한 가공대상물들이 설치되어 있으며, 이를 위하여 다양한 반도체 공정조건을 내부공간에 제공되는 것이다.
이를 위하여, 내부공간은 진공상태를 유지하거나, 특정한 가스상태를 유지하며, 외부공간과의 완벽한 격리공간이 되도록 구조체간에는 설정된 용접공정이 요구되는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 내측용접부 및 외측 용접부를 나타낸 개략도이며, 도 3은 본 발명에 따른 내측용접부 및 외측 용접부를 나타낸 측면도로서, 상호 인접되어 형성되는 2개의 구조체(10,20)를 상호 용접되도록 부착시키되; 상기 2개의 구조체(10,20)가 상호 접촉되는 내측공간의 접촉면에는 용가제가 포함되지 않은 제1 내측용접부(111)를 먼저 형성시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
상기 제1내측용접부(111)는 용가제 없이 용접입열에 의하여 구조체(10,20)자체의 모재자체만으로 용접되는 것을 의미하는 것이며, 이는 용가제 성분이 포함되지 않는 것을 특징으로 하는 것이다. 이는 작업시간 및 공정이 단순하게 되며, 용가제의 성분이 생략 및 구조체(10,20)에 불안전한 용착부를 융융시켜 용접 효율성 극대화하여 원가의 절감이 되는 것이다.
상기 제1내측용접부(111)가 형성되면, 그 상면에 부가적으로 용가제가 포함된 제2내측용접부(112)를 중첩되어 형성시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
이러한 제1 및 제2 내측용접부(111,112)는 내부공간을 외부환경과 완벽히 분리 시키는 용접공정을 특징으로 하는 것이며, 이를 위하여, 챔버(200)의 내측공간의 진공기밀을 위하여, 제1 내측용접부(111) 및 제2내측용접부(112)는 끊어지지 않고, 라인형으로 연결되도록 용접되도록 형성시키는 것이다.
상기 용가제 용접은 용가제를 투입하여 용접입열에 의하여 용가제와 구조체(10,20)가 함께 용융 접합되는 것을 의미하는 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 외측용접부를 나타낸 사시도이며, 도 5는 본 발명에 따른 외측용접부를 나타낸 정면도로서, 상기 2개의 구조체(10,20)가 상호 접촉되는 외측공간의 접촉면에는 용가제가 포함된 외측용접부(100)를 형성시키도록; 이루어진다.
챔버(200)는 내부의 반도체 제조를 위하여, 진공상태를 유지시키거나, 진공이 풀어지는 과정이 반복적으로 수행되는 것이며, 이로 인하여, 챔버(200)의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복되며, 이는 상기 제2내측용접부(112)가 크랙되는 것으로 악화되는 문제점이 있으며, 이러한 크랙을 방지하기 위하여, 제1 및 제2 내측용접부(111,112)는 끊어지지 않고, 라인형으로 연결되도록 용접되도록 형성시키는 반면에, 상기 외측용접부(100)가 동일하게 라인형으로 연결되어 용접된다면, 외측용접부(100)는 열팽창 및 열수축으로 크랙이 발생되어, 기밀이 새는 문제점이 발생되는 것이다.
이를 방지하기 위하여, 상기 외측용접부(100)는 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 상기 외측용접부(100)의 용접형태가 연속적이지 않고, 중간에 끊기어, 용접되지 않는 형상은, 중간에 용접되지 않는 비용접부를 통하여 진공시에 누설요부를 탐지하는 기밀 탐지부로 사용되는 효과가 있는 것이다.
이는 내측공간의 제1 및 제2 내측용접부(111,112)의 용접에 결합이 생기거나, 사용중에 용접 크랙이 발생되면, 상기 외측용접부(100)에서 용접되지 않은 위치에서 누기가 발생될 것이므로, 이러한 위치에 탐지장치를 설치하여 기밀여부를 용이하게 판단할 수 있는 것이다.
또한, 상기 외측용접부(100) 및 제2내측 용접부(112)는 설정된 진공상태를 유지하기 위하여, 설정용접두께가 되도록 다수번으로 중첩되어 용접되도록; 이루어진 것이다.
도 4 및 도 4에 나타난 바와 같이, 챔버(200)의 전해연마를 위하여, 전해연마시에는 산성분을 포함하고 있으므로, 이러한 산성분이 상기 외측용접부(100)에서, 용접형태가 연속적이지 않고, 중간에 끊기어, 용접되지 않는 위치의 틈새로 산성분이 침투되어, 챔버의 외관이 얼룩이 발생되어, 외관이 깨끗하게 되지 못하는 문제점이 있는 것이다.
이를 방지하기 위하여, 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 상기 외측용접부(100)사이의 중간부에도 용가제가 포함된 산성기밀용 용접부(113)를 형성하도록; 이루어진 것이다.
상기 산성기밀용 용접부(113)의 용접두께는 인접한 외측용접부(100)의 용접두께정도로 할 필요는 없으며, 단순히 산성분이 침투되지 않을정도의 용접부 각장이면, 충분하므로, 상기 외측용접부(100)의 용접부 각장에 비하여 상대적으로 얇게 되는 것이다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함은 물론이다.
10,20: 구조체
100: 외측용접부
111: 제1 내측용접부 112: 제2내측용접부
113: 산성기밀용 용접부
200: 챔버

Claims (4)

  1. 반도체 제조용 챔버에 있어서,
    챔버(200)를 형성하도록 형성되는 6각형 구조체 중에서,
    상호 인접되어 형성되는 2개의 구조체(10,20)를 상호 용접되도록 부착시키되;
    상기 2개의 구조체(10,20)가 상호 접촉되는 내측공간의 접촉면에는 용가제가 포함되지 않으며, 구조체(10,20)자체의 금속성분에 의한 제1 내측용접부(111)를 먼저 형성시키고, 상기 제1 내측용접부(111)상면에 용가제가 포함된 제2내측용접부(112)를 부가 형성시키며,
    상기 2개의 구조체(10,20)가 상호 접촉되는 외측공간의 접촉면에는 용가제가 포함된 외측용접부(100)를 형성시키도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    챔버(200)의 내측공간의 진공기밀을 위하여, 제1 내측용접부(111) 및 제2내측용접부(112)는 끊어지지 않고, 라인형으로 연결되도록 용접되며;
    챔버(200)의 진공상태가 유지되고, 수축과 팽창 과정을 반복적으로 수행되어, 챔버(200)의 체적이 줄어들고, 팽창되는 과정이 반복됨에 의하여, 상기 제2내측용접부(112)가 크랙되는 것을 방지하거나, 진공 누설시에 누설을 탐지하기 위하여, 상기 외측용접부(100)는 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 외측용접부(100) 및 제2내측 용접부(112)는 설정용접 각장이 되도록 다수번으로 중첩되어 용접되도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버.
  4. 제2항 또는 3항에 있어서,
    전해연마시에 산성의 침투를 방지하기 위하여, 연속적으로 연결되지 않고, 격리되어 단속적으로 형성되는 상기 외측용접부(100)사이의 중간부에도 용가제가 포함된 산성기밀용 용접부(113)를 형성하도록; 이루어진 것을 특징으로 하는 크랙 및 누설방지 및 산성기밀용 반도체 제조용 챔버.
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