KR20160003885A - 전자기 통신의 집적회로 - Google Patents

전자기 통신의 집적회로 Download PDF

Info

Publication number
KR20160003885A
KR20160003885A KR1020157035915A KR20157035915A KR20160003885A KR 20160003885 A KR20160003885 A KR 20160003885A KR 1020157035915 A KR1020157035915 A KR 1020157035915A KR 20157035915 A KR20157035915 A KR 20157035915A KR 20160003885 A KR20160003885 A KR 20160003885A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
transducer
integrated circuit
radio
vias
Prior art date
Application number
KR1020157035915A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101615082B1 (ko
Inventor
이안 에이. 카일레스
개리 디. 맥코맥
Original Assignee
키사, 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 키사, 아이엔씨. filed Critical 키사, 아이엔씨.
Publication of KR20160003885A publication Critical patent/KR20160003885A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101615082B1 publication Critical patent/KR101615082B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q19/00Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
    • H01Q19/02Details
    • H01Q19/021Means for reducing undesirable effects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q7/00Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48Earthing means; Earth screens; Counterpoises
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q19/00Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
    • H01Q19/10Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces
    • H01Q19/18Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using reflecting surfaces having two or more spaced reflecting surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04Resonant antennas
    • H01Q9/16Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole
    • H01Q9/26Resonant antennas with feed intermediate between the extremities of the antenna, e.g. centre-fed dipole with folded element or elements, the folded parts being spaced apart a small fraction of operating wavelength
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • H01L2924/30111Impedance matching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

신호들의 송신 및 수신을 위한 시스템은 집적회로, 전기적 신호들 및 전자기장 신호들 사이에 변환을 위한 집적회로와 서로 연결된 트랜스듀서; 및 서로 연관하여 이격된 트랜스듀서 및 집적회로의 위치를 고정하는 절연 재료를 포함할 수 있다. 시스템은 집적회로상세서의 컨덕터들에 외부 연결들을 제공하는 리드 프레임을 더 포함할 수 있다. 전자기장-에너지 디렉팅 어셈블리는 트랜스듀서를 포함하는 영역에서 집적회로와 떨어진 방향으로 전자기장 에너지를 유도하기 위해 트랜스듀서와 연관하여 탑재될 수 있다. 디렉팅 어셈블리는 리드 프레임, 인쇄 회로 기판 접지면, 또는 트랜스듀서로부터 이격된 외부 전도성 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 수신기에서, 신호-검출기 회로는 수신기로부터의 출력을 활성화 또는 비활성화시키는 제어 신호를 생성하기 위해 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호를 나타내는 모니터 신호에 응답할 수 있다.

Description

전자기 통신의 집적회로{INTEGRATED CIRCUIT WITH ELECTROMAGNETIC COMMUNICATION}
본 발명은 집적회로(ICs: integrated circuits)가 내장된 전자기장(EM: electromagnetic) 트랜스듀서(transducers)를 갖는 패키지, 안테나와 같은 통신을 위한 집적회로(ICs: integrated circuits)에 관한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 집적회로(ICs: integrated circuits)는 신호 검출기 회로(signal detector circuits) 및 전자기 에너지 유도 어셈블리(electromagnetic-energy directing assemblies) 포함할 수 있다.
반도체 제조 및 회로 설계 기술들의 발전은 점점 더 높은 동작 주파수(operational frequencies)의 집적회로(ICs: integrated circuits)의 생산 및 발전을 가능하게 했다. 결국, 집적회로와 같이 통합하는 전자제품들 및 시스템들은 제공할 수 있다. 이러한 추가적인 기능은 일반적으로 점점 더 빨라지는 스피드에서 점점 더 많아지는 데이터 양의 처리과정이 포함될 수 있다.
많은 전기 시스템들은 빠른 스피드 집적회로(ICs: integrated circuits)가 탑재된 멀티플 인쇄 회로 기판(PCB: printed circuit board)들을 포함할 수 있고, 집적회로(ICs: integrated circuits)와 다양한 신호들을 주고받을 수 있다. 적어도 두 개의 인쇄 회로 기판(PCB: printed circuit board)들을 구비하고, 인쇄 회로 기판 사이의 정보의 통신을 필요로 하는 전기 시스템에서, 커넥터 및 백플레인 아키텍처들(connector and backplane architectures)의 다양성은 기판들 사이의 정보 흐름을 촉진하기 위해 발전되었다. 유감스럽게도, 이러한 커넥터 및 백플레인 아키텍처들(connector and backplane architectures)은 신호의 품질 또는 무결성(quality or integrity)의 감소를 야기하는 다양한 임피던스 불연속을 신호 경로에 진행시킬 수 있다. 일반적으로 불연속(discontinuities)을 생성하는 신호 운반 기계적 커넥터들(signal-carrying mechanical connectors)과 같은 종래의 방법에 의한 기판에 연결은, 협상(negotiate)을 위해 고가의 전자부품(expensive electronics)을 필요로 할 수 있다. 종래의 기계적 커넥터들은 또한 시간이 지날수록 마모될 수 있고, 정확한 배치 및 제조 방법을 필요로 하고, 기계적 흔들림(mechanical jostling)에 취약할 수 있다.
이러한 종래 커넥터들의 특성들은 신호 무결성(integrity)의 감소 및 매우 높은 비율에서 데이터 송신을 필요로 하는 전기 시스템의 불안정으로 이어질 수 있고, 결과적으로 제품의 유틸리티를 제한할 수 있다.
하나의 예에서, 신호를 송신 또는 수신하기 위한 시스템은 전기적 신호들 및 전자기장 신호들 사이에 변환하기 위해 설정된 트랜스듀서, 트랜스듀서에 서로 연결될 수 있는 집적회로, 및 절연재료를 포함할 수 있다. 집적회로는 송신기 회로 및/또는 수신기 회로를 포함할 수 있다. 변환기 회로는 베이스밴드 신호를 무선-주파수 신호로 변환할 수 있고, 무선-주파수 전기적 신호를 전자기장 신호로서 송신하기 위해 트랜스듀서로 전도할 수 있다. 수신기 회로는 트랜스듀서로부터 전자기장 신호로서 수신된 무선-주파수 전기적 신호를 트래스듀서에 의해 수신할 수 있고, 전자기장 신호를 베이스밴드 신호로 변환할 수 있다. 집적회로 및 트랜스듀서는 적어도 부분적으로 절연 재료에 내장될 수 있고, 서로 관련하여 고정된 위치로 유지될 수 있다.
또 다른 예에서, 신호들을 송신 또는 수신하기 위한 시스템은 무선-주파수 전기적 신호들 및 무선-주파수 전자기장 신호들을 변환하도록 설정된 트랜스듀서, 트랜스듀서에 서로 연결된 집적회로, 및 트랜스듀서에 관련되어 탑재된 전자기장-에너지 디렉팅 어셈블리(electromagnetic-energy directing assembly)를 포함할 수 있다. 집적회로는 송신기 회로 및/또는 수신기 회로를 포함할 수 있다. 송신기 회로는 베이스밴드 신호를 무선-주파수 전기적 신호로 변환할 수 있고, 무선-주파수 신호를 트랜스듀서로 전도할 수 있다. 수신기 회로는 트랜스듀서로부터 무선-주파수 전기적 신호를 수신할 수 있고, 무선-주파수 전기적 신호를 베이스밴드 신호로 변환할 수 있다. 전자기장-에너지 디렉팅 어셈블리는 트랜스듀서를 포함하는 영여에서 집적회로로부터 떨어진 방향으로 전자기장 에너지를 유도할 수 있다.
또 다른 예에서, 시스템은 전자기장 신호들을 전기적 신호들로 변환하도록 설정된 트랜스듀서, 및 트랜스듀서와 서로 연결된 집적회로를 포함할 수 있다. 집적회로는 수신기 회로 및 신호-검출기 회로를 포함할 수 있다. 수신기 회로는 트랜스듀서로부터 무선-주파수 전기적 신호를 수신할 수 있고, 제어 신호가 제1 상태에 있을 때 무선-주파수 전기적 신호를 베이스밴드 신호로 변환할 수 있고, 제어 신호가 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있을 때 변화하지 않을 수 있다. 신호-검출기 회로는 모니터 신호가 수신된 제2 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호임을 나타낼 때 제1 상태와 함께 제어 신호를 생성하고, 모니터 신호가 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 불가능한 신호임을 나타낼 때 제2 상태와 함께 제어 신호를 생성하기 위해 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호를 나타내는 모니터 신호에 응답할 수 있다.
바람직한 방법은 트랜스듀서에 의해 무선-주파수 전자기장 신호를 수신하고, 트랜스듀서에 의해 제1 무선-주파수 전자기장 신호를 제1 무선-주파수 전기적 신호로 변환하는 단계를 포함할 수 있다. 집적회로의 수신기 회로는 제1 무선-주파수 전기적 신호를 수신할 수 있다. 수신된 무선-주파수 전기적 신호를 나타내는 모니터 신호는 생성될 수 있다. 신호-검출기 회로는 모니터 신호를 모니터할 수 있고, 모니터 신호가 수용 가능한 신호인 수신된 무선-주파수 전기적 신호를 나타내는지 여부를 결정할 수 있다.
제어 신호는 모니터 신호가 수신된 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호임을 나타낼 때 제1 상태와 함께 생성될 수 있고, 모니터 신호가 수신된 무선-주파수 전기적 신호가 수용 불가능한 신호임을 나타낼 때 제1 상태와 상이한 제2 상태와 함께 생성될 수 있다. 수신기 회로는 제어 신호가 제1 상태일 때 무선-주파수 전기적 신호로부터 베이스밴드 신호를 생성 및 출력할 수 있고, 제어 신호가 제2 상태일 때 무선-주파수 전기적 신호를 베이스밴드 신호로 변환하지 않을 수 있다.
도 1은 다이(die) 및 안테나를 포함하는 집적회로(IC: Integrated circuit) 패키지의 제1 실시예의 단순화된 도식적인 부감도(overhead view)를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 라인 2-2를 따른 집적회로 패키지의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 다이 및 안테나의 상호연결의 확대도(enlarged view)를 나타내는 도면이다.
도 4는 다이 및 안테나를 포함하는 집적회로 패키지의 제2 실시예의 도식적인 부감도를 나타내는 도면이다.
도 5는 다이 및 안테나를 포함하는 집적회로 패키지의 제3 실시예의 도식적인 부감도를 나타내는 도면이다.
도 6은 라인 6-6에 따른 도 5의 집적회로의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 7은 집적회로 패키지의 다른 실시예를 나타내는 도면이다.
도 8은 집적회로 패키지 및 인쇄 회로 기판을 포함하는 바람직한 통신 장치의 도시적 측면도를 나타내는 도면이다.
도 9는 바람직한 송신기 회로 및 안테나의 일부를 보여주는 단순화된 회로도를 나타내는 도면이다.
도 10은 바람직한 수신기 회로 및 안테나의 일부를 보여주는 회로도를 나타내는 도면이다.
도 11은 외부 회로 컨덕터들을 구비하는 집적회로를 포함하는 또 다른 바람직한 통신 장치의 투영도(isometric view)를 나타내는 도면이다.
도 12는 도 11의 바람직한 통신 장치의 밑면도(bottom view)를 나타내는 도면이다.
도 13 및 도 14는 도 11의 통신 장치로부터 야기된 대표적인 복사 패턴(representative radiation pattern)을 나타내는 도면이다.
도 15 및 도 16은 인쇄 회로 기판 접지면들의 두 개의 다른 바람직한 배치를 갖는 송신장치 및 복사 패턴 결과의 양식화된 묘사를 나타내는 도면이다.
도 17은 이격된 외부 디렉터 구조들(external director structures)을 구비하는 바람직한 송신장치의 도식적인 부감도를 나타내는 도면이다.
도 18은 도 17의 송신장치의 도식적인 측면도를 나타내고, 양식화된 대표적인 복사 패턴을 나타내는 도면이다.
무선 통신은 장치상의 부품들 사이의 신호 통신을 제공하기 위해 사용될 수 있고, 또는 장치 사이의 통신을 제공할 수 있다. 무선 통신은 기계적 및 전기적 감소의 제약을 받지 않는 인터페이스를 제공할 수 있다. 칩 사이의 무선 통신을 사용하는 시스템의 예는 미국등록특허 5,621,913 및 미국공개특허 2010/0159829에 제시되고, 본 발명은 모든 목적에 대해 이러한 것들을 전체적으로 참조함으로써 포함된다.
하나의 실시예에서, 밀접하게 연결된(tightly-coupled) 송신기/수신기 쌍은 제1 전도 경로(conduction path)의 단자 부분(terminal portion)에 배치된 송신기 및 제2 전도 경로(conduction path)의 단자 부분(terminal portion)에 배치된 수신기와 함께 배치될 수 있다. 송신기 및 수신기는 송신된 에너지 강도에 의존하여 서로 근접하여 배치될 수 있고, 제1 전도 경로 및 제2 전도 경로는 서로에 대하여 분리될 수 있다. 바람직한 버전에서, 송신기 및 수신기는 송신기/수신기 쌍의 안테나가 위치한 분리된 회로 캐리어(on separate circuit carriers)에 근접하여 배치될 수 있다.
아래에 설명된 것과 같이, 송신기 또는 수신기는 집적회로 패키지(integrated circuits package)로서 설정될 수 있고, 안테나는 다이(die)에 근접하여 위치할 수 있고, 유전체(dielectric) 또는 절연 캡슐화(insulating encapsulation) 또는 결합 재료(bond material)에 의해 유지될 수 있다. 송신기 또는 수신기는 집적회로 패키지(integrated circuits package)로서 설정될 수 있고, 안테나는 다이(die)에 근접하여 위치할 수 있고, 패키지 및/또는 리드 프레임 기판(lead frame substrate)의 캡슐화 재료(encapsulation material)에 의해 유지될 수 있다. 집적회로 패키지에 내장된 EHF(extremely high frequency) 안테나의 예는 도면과 아래 설명에서 보여진다.
도 1 내지 도 3은 바람직한 집적회로 패키지(integrated circuits package)를 나타내고, 일반적으로 10으로 표시된다. 집적회로 패키지(10)는 다이(die)(12), 전기적 신호와 전자기적(EM: electromagnetic) 신호 사이에 변환을 제공하는 트랜스듀서(transducer)(14) 및 트랜스듀서를 다이(12)에 포함된 송신기 또는 수신기 회로에 연결된 결합 패드들(bond pads)(22, 24)에 전기적으로 연결하는 결합 와이어들(bond wires)(18, 20)과 같은 전도성 커넥터들(conductive connectors)(16)을 포함할 수 있다. 집적회로 패키지(10)는 다이 및/또는 트랜스듀서의 적어도 일부 주위에 형성된 캡슐화 재료(26)더 포함할 수 있다. 이러한 예에서 캡슐화 재료(26)는 다이(12), 전도성 커넥터(16), 및 트랜스듀서(14)를 커버할 수 있고, 이것은 판톰 라인(phantom lines)으로 나타내었고, 다이(die)의 자세한 내용과 트랜스듀서(transducer)는 실선(solid lines)으로 나타내었다.
다이(12)는 적합한 다이 기판상에 소형화 회로(IC: miniaturized circuit)로서 설정된 어떠한 적합한 구조를 포함할 수 있고, 이것은 기능적으로 컴포넌트와 또한 "칩(chip)" 또는 "집적회로(integrated circuit)" 라고 언급된 것과 동일 할 수 있다. 다이 기판(die substrate)은 어떠한 적합한 반도체 재료(semiconductor material)일 수 있다; 예를 들어, 다이 기판은 실리콘(silicon)일 수 있다. 다이(12)는 리드 프레임(lead frame)과 같은 전기적 컨덕터들(electrical conductors)(16)가 더 탑재될 수 있으며(도면에 도시하지 않음). 외부 회로들과의 연결을 제공한다. 1-3은 외부 회로와의 연결을 제공한다. 대쉬라인(dashed lines)으로 나타낸 임피던스 변환기(impedance transformer)(28)는 다이(12)상에 회로 및 트?J스듀서 사이의 임피던스 매칭(impedance matching)을 제공할 수 있다.
트랜스듀서(Transducer)(14)는 폴디드 다이폴(folded dipole) 또는 루프 안테나(loop antenna)(30)의 모양일수 있고, EHF 스펙트럼(extremely high frequency spectrum)에서와 같이 무선 주파수에서 동작하도록 설정될 수 있고, 전자기장 신호들(electromagnetic signals)을 송신 및/또는 수신하도록 설정될 수 있다. 안테나(30)는 다이(die)(12)로부터 분리될 수 있지만 어떠한 적합한 컨덕터들(conductors)(16)에 의해 다이(12)와 서로 연결될 수 있고, 다이(12)에 근접하여 위치할 수 있다.
안테나(30)의 크기는 전자기장 주파수 스펙트럼(electromagnetic frequency spectrum)의 EHF(extremely high frequency) 밴드에서 동작하기에 적합할 수 있다. 일 실시예에서, 안테나(30)의 루프 배치는 0.1mm 밴드의 재료(material)를 포함할 수 있고, 1.4mm 길이 및 0.53mm 폭 루프에 놓일 수 있고, 루프의 입구(mouth)에서 0.1mm의 갭을 가질 수 있고, 다이(12)의 모서리로부터 대략 0.2mm의 루프의 모서리를 가질 수 있다.
캡슐화 재료(26)는 집적회로 패키지(10)의 다양한 부품들(components)을 고정된 상대 위치들(fixed relative positions)에서 유지하는 것을 돕기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 절연 재료(insulating material)로서 언급된 캡슐화 재료(26)는 몰드 화합물(mold compound), 글래스(glass), 플라스틱(plastic), 또는 세라믹(ceramic)일 수 있다. 예를 들어, 캡슐화 재료(26)는 다이를 외부 회로와 연결하는 컨덕터(16)의 연결되지 않은 끝들(unconnected ends)을 제외한 집적회로 캐키지(10)의 모든 부품들을 캡슐화하는 직사각형 블록(rectangular block)의 모양일 수 있다. 외부 연결들은 다른 회로들 또는 부품들과 함께 형성될 수 있다.
도 3은 결합 와이어들(bond wires)(18 및 20) 및 결합 패드들(bond pad)(22 및 24)에 의해 다이(12)에 연결된 트랜스듀서(14)의 바람직한 배치를 나타내는 도면이다. 결합 와이어들 및 결합 패드들은 트랜스듀서(14) 및 다이(12)의 회로 사이의 임피던스 미스매치(impedance mismatch)를 제한하도록 설정될 수 있다. 일 실시예에서, 대략 0.3mm의 오버헤드 측정(overhead measurement)(크기 "L"로서 나타낸)으로 결합 와이어들(bond wires)(18 및 20)은 0.6mm 길이일 수 있다. The bond pads may be approximately 0.066 mm square. 결합 패드들은 대략 0.066mm2 일 수 있다. 결합 와이어들 은 또한 대략 0.074mm 떨어져서 각각 결합 패드들에 대한 부착 포인트에 배치될 수 있고(크기 "B"로서 나타낸), 대략 0.2mm 떨어져서 안테나(20)에 대한 부착 포인트에 배치될 수 있다(크기 "S"로서 나타낸). 임피던스 패칭(Impedance matching)은 도 1에 나타낸 변환기(28)의 사용에 의해 더 용이해질 수 있다.
도 2에 보여진 것처럼, 집적회로 패키지(10)는 다이(12)의 표면 아랫면에 탑재된 접지면(ground plane)(32)을 더 포함할 수 있고, 패키지 유전체 기판(package dielectric substrate)(34)은 인쇄 회로 기판(PCB: printed circuit board)에 사용하는 유전체와 유사할 수 있다. 접지면(32)은 다이(12)에 대한 전기적 접지(electrical ground)를 제공하도록 설정된 어떠한 적합한 구조일 수 있다. 예를 들어, 패키지 접지면(32)은 기판(substrate)(34)상에서의 다이(12) 아래에 직접적으로 탑재된 전도성(conductive), 직사각형(rectangular), 평면 구조(planar structure)일 수 있다. 기판(34)은 안테나(30), 접지면(32), 및 컨덕터들(16)의 적합한 세트에 의해 다이(12)에 연결된 컨덕터를 포함하는 위 표면(top surface)상에서의 금속화 패턴(36)과 같은 두 면의 금속화 패들(two-sided metallization patterns)을 구비할 수 있다. 패키지(10)는 예를 들어, 플립-칩 솔더 볼들(flip-chip solder balls) 또는 범프들(bumps)(40)에 의해 나타낸 것과 같이 패키지를 외부 회로에 연결하는 외부 컨덕터(38)를 더 포함할 수 있다. 범프들(40)은 예를 들어, 비아(44)가 범프(46)를 접지면(32)에 연결하는 것과 같이 컨덕터들(conductors)에 볼 패드들(ball pads)(42) 및 비아들(vias)에 의해 금속화 패턴(metallization pattern)(36)으로 연결될 수 있다.
도 4 내지 도 6은 집적회로 패키지의 다른 배치를 나타내는 도면이다. 도 4는 다이(52), 안테나(54), 결합 와이어들(bond wires)(56, 58), 결합 패드들(bond pads)(60, 62), 임피던스 변환기(impedance transformer)(64) 및 캡슐화 재료(encapsulating material)(66)를 구비하는 집적회로 패키지(10)와 유사한 집적회로 패키지(50)를 나타낸다. 하지만, 이러한 예에서, 안테나(54)는 다이폴 안테나(dipole antenna)일 수 있다.
도 5 및 도 6은 다이(72), 폴디드 다이폴 안테나(folded dipole antenna)(74), 임피던스 변환기(impedance transformer)(76), 및 캡슐화 재료(encapsulating material)(78), 패키지 유전체 기판(package dielectric substrate)(80), 안테나(74)를 포함하는 금속화 패턴(metallization pattern)(82) 및 접지면(ground plane)(84), 패키지 범프들(package bumps)(86), 비아(via)(88), 및 볼 패드들(ball pads)(90) 구비하는 집적회로 패키지(10)와 유사한 집적회로 패키지(70)을 나타내는 도면이다. 캡슐화 재료(78)는 다이(72) 및 안테나(74)를 커버할 수 있다. 하지만, 이러한 예에서, 다이(12)는 금속화 패턴(82)상에 플립-칩 범프들(flip-chip bumps)(92)에 의해 플립 칩 배치(a flip chip configuration)로 탑재될 수 있다. 특히, 범프(94)와 같은 플립 칩 범프들(flip chip bumps)은 안테나(74)로부터 다이(72)의 밑면(underside)상에서의 해당하는 컨덕터 단자들(conductor terminals)까지 연장하여 컨덕터들을 연결할 수 있다.
도 7은 다이(102), 폴디드 다이폴 안테나(104), 캡슐화 재료(106), 패키지 유전체 재료(108), 안테나(104)를 포함하는 금속화 패턴(110) 및 접지면(112), 패키지 범프들(114), 비아(116), 볼 패드들(118), 및 플립-칩 범프들(120)을 구비하는 집적회로 패키지(70)와 유사한 집적회로 패키지(100)의 다른 대안적인 실시예를 나타내는 도면이다. 플립-칩 범프들(120)은 플립-칩 범프(122)를 포함할 수 있고, 안테나(104)로부터 플립-칩(flip-chip)이 기판(108)에 탑재되어있는 다이(102)의 밑면(underside)상에서의 해당하는 컨덕터 단자들(conductor terminals)까지 연장하여 컨덕터들(conductors)을 연결할 수 있다. 이러한 예에서, 캡슐화 재료(encapsulating material)(106)가 다이(102) 및 기판(108) 사잉에 언더필(underfill)로서 주로 사용될 수 있다.
위로부터 설명된 신호들을 송신 또는 수신하기 위한 시스템은 전기적 신호들 및 전자기장 신호들 사이에 변환하도록 설정된 트랜스듀서를 포함할 수 있고; 집적회로(IC: integrated circuit)는 트랜스듀서와 서로 연결될 수 있고, 집적회로는 베이스밴드 신호(baseband signal)를 무선-주파수 신호(radio-frequency signal)로 변환하고, 무선-주파수 전기적 신호를 전자기장 신호로서 송신하기 위해 트랜스듀서로 전도하는 적어도 하나의 송신기 회로, 및 트랜스듀서로부터 트랜스듀서에 의해 전자기장 신호로서 수신된 무선-주파수 전기적 신호를 수신하고, 전자기장 신호를 베이스밴드 신호로 변환하는 수신기 회로를 포함할 수 있고; 및 절연 재료는 집적회로 및 트랜스듀서에 적어도 부분적으로 내장될 수 있고, 절연 재료는 트랜스듀서 및 집적회로를 서로 이격된 위치들에서 고정되게 유지할 수 있다.
이러한 시스템은 트랜스듀서, 집적회로 및 절연 재료를 지지하는 유전체 기판을 더 포함할 수 있다. 절연 재료는 트랜스듀서를 완전히 커버(cover)할 수 있다.
도 8은 바람직한 인쇄 회로 기판(PCB: printed circuit board)(132)에 플립-탑재된(flip-mounted) 집적회로 패키지(130)를 포함하는 통신 장치(communication device)(128)의 구상적인 측면도를 나타내는 도면이다. 이러한 예에서, 집적회로 패키지(130)는 다이(die)(134), 안테나(antenna)(136), 다이를 안테나에 연결하는 결합 와이어(bond wire)(138)을 포함하는 결합 와이어들을 포함하는 것을 나타낸다. 다이, 안테나, 및 결합 와이어들은 패키지 기판(package substrate)(140)에 탑재될 수 있고, 캡슐화 재료(encapsulating material)(142)로 캡슐화될(encapsulated) 수 있다. 인쇄 회로 기판(132)은 주요 면(major face) 또는 표면(surface)(146)을 구비하는 상위 유전체 레이어(top dielectric layer)(144)를 포함할 수 있다. 집적회로 패키지(130)는 금속화 패턴(도면에 나타내지 않은)에 부착된 플립-탑재 범프들(148)로 표면(146)에 플립-탑재될 수 있다.
인쇄 회로 기판(132)은 접지면을 형성하는 전도성 재료로 만들어진 표면(146)으로부터 이격되어 놓인 레이어(150)를 더 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판 접지면은 인쇄 회로 기판(132)상세서의 회로들(circuits) 및 부품들(components)에 전기적 접지를 제공하도록 설정된 어떠한 적합한 구조일 수 있다. 접지면 레이어(150)는 안테나(136) 아래에 거리 D 만큼 이격되어 놓일 수 있다. 거리 D는 집적회로 패키지 및 인쇄 회로 기판의 배치 및 크기에 의존하는 설계 주파수(design frequency)의 파장 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판 접지면(150)은 인쇄 회로 기판(132)의 탑재 표면(mounting surface)(146)의 대략 0.4mm 아래에 위치할 수 있고, 안테나(136)는 탑재 표면(146)의 대략 0.25mm 위에 평면으로 탑재될 수 있고, 그 결과 안테나의 평면과 접지면의 평면 사이의 거리 D는 0.65mm이다. 30~300GHz 사이의 EHF 주파수 밴드에서 동작하는 파장은 1cm ~ 1mm사이일 수 있다.
도 9는 송신기 인터페이스 회로(162) 및 송신기 인터페이스 회로에 연결된 안테나(164)를 포함하는 송신기(160)의 단순화된 바람직한 전기적 회로도를 나타내는 도면이다. 송신기 인터페이스 회로는 도 1 내지 도 3에 보여진 다이(12)와 같이 다이상에 위치할 수 있고, 변환기(transformer)(166), 변조기(modulato)(168), 및 증폭기(amplifier)(170)를 포함할 수 있다. 이러한 예에서, 변환기(166)는 안테나(164)에 연결될 수 있고, 단자(terminal)(172)로부터 주요 와인딩(primary winding)상에 전력(power)을 수신할 수 있다. 변환기는 전력 증폭기(power amplifier)와 결합될 때, 공진 확장(resonant amplification)을 제공할 수 있고, DC 블록킹(DC blocking) 및 임피던스 변환(impedance transformation)을 제공할 수 있다. 변조기(168)는 어떠한 적합한 변조기일 수 있고, 캐스코드(cascode) 배치의 모스펫(MOSFET: metal-oxide semiconductor field-effect-transistor)들로 형성된 핀치 장치(pinch device)로서 나타내었고, 이것은 증폭기(170)에 의해 전도된 캐리어 신호(carrier signal)를 변조하기 위해 사용된 단자(terminal)(174)로 입력 신호를 수신할 수 있다. 이러한 예에서 증폭기(170)는 보완적으로 공동-소스 모스펫들(common-source MOSFETs)을 포함할 수 있고, 이것은 전압-제어 발진기(voltage-controlled oscillator)에의해 생성된 선택된 캐리어 주파수(carrier frequency)를 가진 단자들(176 및 178)에 적용된 신호에 의해 구동될 수 있다.
도 10은 수신기 인터페이스 회로(receiver interface circuit)(182) 및 안테나(184)를 포함하는 수신기(180)의 단순화된 다이어그램을 나타내는 도면이다. 인터페이스 회로(182)는 도 1 내지 도3에 나타낸 다이(12)와 같은 다이의 집적회로에 포함 될 수 있다. EHF 밴드에서의 신호와 같은 수신된 변조된 무선-주파수(RF: radio-frequency) 신호는 변환기의 직렬 연결(series connections) 및 제1 변환기(186), 증폭단(188), 제2 변환기(190), 제2 증폭단(192), 및 제3 변환기(194)를 포함하는 저잡음 증폭기와 연결된 변환기(transformer-coupled low-noise amplifiers)를 통해 전도될 수 있다. 변환기(186, 190 및 194)는 각각의 단자들(196, 198 및 200)에서 DC 바이어스 전압을 각각 수신할 수 있다. 증폭기 전력은 각각의 터미널(202 및 204)상에서의 터미널 변환기들(190 및294)의 해당 주요 와인딩에 적용될 수 있다.
증폭되고 조절된(conditioned) 무선-주파수 신호는 수신된 변조된 무선-주파수를 베이스밴드 신호(baseband signal)로 변환하는 복조기(demodulator)(206)로 입력될 수 있다. 복조기(206)로부터 신호 출력은 출력 비교기(output comparator)(208)로 더 공급될 수 있다. 비교기(208)는 또한 입력/출력 임계 레벨 기준 신호(threshold level reference signal)를 단자(210)로부터 수신할 수 있다. 이러한 예에서, 베이스밴드 신호(baseband signal)는 이진 신호(binary signal)일 수 있다. 비교기(208)로부터 출력은 복조된 베이스밴드 신호가 임계 이상일 경우 논리 1(logic 1)일 수 있고, 복조된 베이스밴드 신호가 임계 이하일 때는 논리 0(logic 0)일 수 있다.
하나 이상의 비교기는 또한 수신된 신호가 유효하다고 간주될 만큼 충분한 세기인지 결정하기 위해 모니터 신호(monitor signal)의 평균 레벨(average level)을 미리 결정된 최소 임계 레벨(minimum threshold level)과 비교할 수 있다. 수신기 안테나가 충분히 세기가 강한 신호를 통신하기 위해 송신기 안테나에 충분히 가까워야 할 필요가 있다. 미리 결정된 최소 임계 레벨은 송신기로부터의 전자기장 신호를 유효하다고 간주되는 것을 보장하도록 세팅될 수 있고, 송신기 안테나 및 수신기 안테나가 예를 들어, 5mm 내지 10mm와 같이 요구되는 물리적 통신 범위 내에 있을 경우 수신기에 의해 처리될 수 있다.
더욱 상세하게, 복조기(demodulator)(206)로부터 복조된 베이스밴드 신호 출력은 로우-패스 필터(low-pass filter)(212)로 단자(210)상으로 제공되는 입력-출력 기준(input-output reference)과 함께 입력될 수 있다. 필터의 출력은 수신된 복조된 베이스밴드 신호(baseband signal)의 평균 세기(average strength)를 나타내는 모니터 신호(monitor signal)일 수 있다. 이러한 평균-세기 모니터 신호는 단자(216)상에서 수신된 신호-검출 임계 기준 신호에 따른 제2 비교기(214)에 대한 입력일 수 있다. 그러므로 비교기(214)는 모니터 신호 출력을 필터(212)로부터 모니터할 수 있고, 수신된 신호가 충분히 강한 신호인지 결정할 수 있다.
비교기(214)로부터의 출력은 두 가지 상태 중 하나를 갖는 신호-검출 제어 신호이다. 제1 상태(first state)에서, 제어 신호는 유효한 신호라고 고려될만한 충분한 세기를 갖는 수신된 신호를 나타낼 수 있다. 제2 상태(second state)에서, 제어 신호는 수신된 신호가 충분히 강하지 않음을 나타낼 수 있다. 비교기(214)로부터 제어 신호 및 비교기(208)로부터 복조된 베이스밴드 신호는 AND 게이트(AND gate)(218)로 입력될 수 있다. AND 게이트(AND gate)는 제어 신호가 제1 상태에 있을 때 베이스밴드 신호를 출력할 수 있고, 수신되기에 충분히 강한 신호임을 나타낼 수 있다. 제어 신호가 제2 상태에 있을 경우, AND 게이트는 비활성화될 수 있고, 수신기 인터페이스 회로(182)로부터 베이스밴드 신호를 출력하지 않을 수 있다. 비교기(214)로부터 신호-검출 신호 출력(signal-detect signal output)은 또한 집적회로상에 다른 적절한 용도로 탑재된 다이 또는 인쇄 회로 기판상의 다른 회로들로 출력될 수 있다.
인터페이스 회로(Interface circuit)(182)는 또한 자동 이득 제어 회로(automatic gain control circuit)(219)를 가질 수 있다. 자동 이득 제어 회로(219)는 또한 필터(212)로부터 수신된 신호의 평균 세기를 나타내는 신호로서 출력을 수신하는 제3 비교기(third comparator)(220)을 포함할 수 있다. 비교기는 기준 신호로서 단자(222)상에서의 자동 이득 제어 타겟 레벨 신호(AGC target level signal)를 수신할 수 있다. 그러면 비교기는 증폭기들(amplifiers)의 이득을 제어하기 위해 증폭단들(amplifier stages)(188 및 192)로 다시 공급된 자동 이득 제어 신호(AGC: Automatic Gain Control) 출력을 생성할 수 있다. 자동 이득 제어 회로는 수신기 인터페이스 회로(receiver interface circuit)에 의해 수신된 충분히 강한 신호를 출력에 대한 요구된 레벨에서 유지할 수 있다. 신호-검출 비교기(214)로 입력되는 베이스밴드 신호는 조건부로 수신된 신호(conditioned received signal)이고, 상기 신호의 레벨은 자동 이득 제어(AGC) 신호에 응답하여 증폭단들(188 및 192)에 의해 수정될 수 있다. 모니터 신호와 자동 이득 제어가 충분히 강하지 않을 경우, AND 게이트(218)은 비활성화 될 수 있고, 베이스밴드 신호는 출력되지 않을 수 있다.
위 설명으로부터, 시스템은 전자기장 신호들을 전기적 신호들로 변환하기 위해 설정된 제1 트랜스듀서(first transducer)를 포함할 수 있다는 것이 어떠한 예에서 명백해질 수 있다; 그리고 제1 집적회로(first IC)는 트랜스듀서와 서로 연결될 수 있고, 집적회로는 트랜스듀서로부터 제1 무선-주파수 전기적 신호(first radio-frequency electrical signal)를 수신하고, 제1 무선-주파수 전기적 신호를 제1 베이스밴드 신호(first baseband signal)로 변환하고, 제어 신호가 제1 상태에 있을 때 제1 베이스밴드 신호를 출력하고, 제어 신호가 제1 상태와 상이한 제2 상태에 있을 때 출력하지 않기 위한 수신기 회로를 포함할 수 있고, 신호-검출 회로는 모니터 신호가 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수신 가능한 신호임을 나타낼 때 제1 상태와 함께 제어 신호를 생성하고, 모니터 신호가 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수신 불가능한 신호임을 나타낼 때 제2 상태와 함께 제어 신호를 생성하기 위해 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호를 나타내는 모니터 신호에 응답할 수 있다.
신호-검출기 회로는 모니터 신호의 특성을 기준과 비교하기 위한 비교기를 포함할 수 있고, 비교기는 모니터 신호의 특성을 기준과 어떻게 비교하는지 지시하는 출력 신호를 생성될 수 있고, 신호-검출기 회로는 출력 신호에 응답하여 제어 신호를 생성될 수 있다. 모니터 신호의 특성은 수신된 제1 무선-주파수 신호의 세기를 나타낼 수 있고 기준은 수신(reception)이 비활성화되는 신호의 세기 이하이고, 수신(reception 이 활성화되는 신호의 세기 이상인 임계 신호 세기를 나타낼 수 있다. 모니터 신호의 특성은 평균 신호 세기를 나타낼 수 있다.
어떠한 예에서, 이러한 시스템은 전기적 신호들을 전자기장 신호들로 변환하도록 설정된 제2 트랜스듀서(second transducer)를 더 포함할 수 있고, 제2 트랜스듀서는 제2 트랜스듀서에 의해 생성된 전자기장 신호들을 수신하기 위해 제1 트랜스듀서에 충분히 근접하여 배치될 수 있다; 그리고, 제2 집적회로(second IC)는 제2 트랜스듀서와 서로 연결될 수 있고, 제2 집적회로는 제2 베이스밴드 신호(second baseband signal)를 수신하고, 제2 베이스밴드 신호를 제2 무선-주파수 전기적 신호로 변화하고, 제2 무선-주파수 전기적 신호를 제2 트랜스듀서로 전도하기 위한 송신기 회로를 포함할 수 있다.
어떠한 예에서, 방법은 제1 트랜스듀서에 의해 제1 무선-주파수 전자기장 신호를 수신하는 단계; 제1 트랜스듀서에 의해 제1 무선-주파수 전자기장 신호를 주선-주파수 전기적신호로 변환하는 단계; 트랜스듀서로부터 집적회로의 수신기 회로에 의해 제1 무선-주파수 전기적 신호를 수신하는 단계; 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호를 나타내는 모니터 신호를 생성하는 단계; 신호-검출기 회로에 의해 모니터링 신호를 모니터링하는 단계; 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호인지 나타내는 모니터 신호를 결정하는 단계; 모니터 신호가 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호임을 나타낼 때 제1 상태와 함께 제어 신호를 생성하고, 모니터 신호가 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 불가능한 신호임을 나타낼 때 제1 상태와 상이한 제2 상태와 함께 제어 신호를 생성하는 단계; 제어 신호가 제1 상태일 때 수신기 회로에 의해 제1 무선-주파수 전기적 신호를 제1 베이스밴드 신호로 변환하는 단계; 및 제어 신호가 제2 상태일 때 수신기 회로에 의해 제1 무선-주파수 전기적 신호를 제1 베이스밴드 신호로 변환하지 않는 단계를 포함할 수 있다.
수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호인지 나타내는 모니터 신호를 결정하는 단계는 모니터 신호의 특성을 기준과 비교하는 단계; 모니터 신호의 특성을 기준과 어떻게 비교하는지를 나타내는 출력 신호를 생성하는 단계; 및 출력 신호에 응답하여 제어 신호를 생성하는 단계를 포함하는 제어 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 모니터 신호의 특성은 수신된 무선-주파수 신호의 세기를 나타낼 수 있고, 기준은 수신(reception)이 비활성화되는 신호의 세기 이하이고, 수신(reception)이 활성화되는 신호의 세기 이상인 임계 신호 세기를 나타낼 수 있다. 모니터 신호의 특성은 평균 신호 세기를 나타낼 수 있다.
어떠한 예에서, 이러한 방법은 송신기 회로를 포함하는 제2 집적회로에 의해 제2 베이스밴드 신호를 수신하는 단계; 제2 베이스밴드 신호를 제2 무선-주파수 전기적 신호로 변환하는 단계; 제2 무선-주파수 전기적 신호를 제2 트랜스듀서로 전도하는 단계; 제1 트랜스듀서가 제2 트랜스듀서에 의해 생성된 전자기장 신호들을 수신하기 위해 제2 트랜스듀서를 제1 트랜스에 충분히 근접하여 배치하는 단계; 및 더 포함할 수 있다. 제2 트랜스듀서에 의해 제2 무선-주파수 전기적 신호를 제1 무선-주파수 전자기장 신호로 변환하는 단계;
도 11 및 도 12는 외부 회로 컨덕터들(234 및 236)을 구비하는 집적회로 패키지(232)를 포함하는 또 다른 바람직한 통신 장치(230)를 나타내는 도면이다. 이러한 예에서, 집적회로 패키지(232)는 결합 와이어들(bond wires), 안테나(antenna)(244), 캡슐화 재료(encapsulating material)(246), 및 도면에 단순화하여 나타내지 않은 다른 부품들의 형태로, 다이(die)(238), 리드 프레임(lead frame)(240), 전도성 커넥터들(conductive connectors)(242)를 포함할 수 있다. 다이(236)는 전기적 통신에서 리드 프레임(240)으로 탑재될 수 있고, 이것은 하나 이상의 다른 회로들을 다이(238)와 서로 연결하는 것을 허용하도록 설정된 전기적 컨덕터들(electrical conductors)(248)의 어떠한 적합한 배치일 수 있다. 안테나(244)는 리드 프레임(240)을 생성하는 제조과정의 부분으로서 구성될 수 있다. 리드들(Leads)(248)은 도 2에 보여진 패키지 기판(package substrate)(34)에 해당하는, 판톰 라인들(phantom lines)로 나타낸, 리드 프레임 기판(lead frame substrate)(250)에 내장되거나 고정될 수 있다. 리드 프레임 기판(lead frame substrate)은 미리 결정된 배치에서 리드들(leads)(248)을 충분히 유지하기 위해 설정된 어떠한 적합한 절연 재료일 수 있다. 다이(238) 및 리드 프레임(240)의 리드들(248) 사이의 전기적 통신(Electrical communication)은 전도성 커넥터들(242)을 사용하는 어떠한 적합한 방법에 의해 수행될 수 있다. 언급된 것과 같이, 커넥터들(242)은 다이(238)의 회로상에서의 단자들을 해당 컨덕터들(conductors)(248)과 전기적으로 연결하는 결합 와이어들(bond wires)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 컨덕터(248)는 리드 프레임 기판(250)의 위 표면(upper surface)에 형성된 도금된 리드(plated lead)(253), 기판을 통해 연장된 비아(via)(254), 집적회로 패키지(232)를 도면에 나타내지 않은 인쇄 회로 기판과 같은 베이스 기판(base substrate)상에서의 회로에 연결하는 플립-탑재 범프(256)를 포함할 수 있다. 베이스 기판상에서의 회로는 외부 컨덕터(234)와 같은 외부 컨덕터들, 포함할 수 있고, 예를 들어, 범프(256)를 베이스 기판을 통해 연장되는 비아(260)와 더 연결하는 스트립 컨덕터(258)를 포함할 수 있다. 다른 비아들(262)은 리드 프레임 기판(250)을 통해 연장될 수 있고, 베이스 기판을 통해 연장되는 비아들(264)이 추가적으로 더 있을 수 있다.
또 다른 예에서, 다이(238)는 뒤집힐 수 있고, 앞서 설명된 것과 같이 전도성 커넥터들(connectors)(242)은 범프들(bumps) 또는 다이 솔더 볼들(die solder balls)을 포함할 수 있고, 이것은 다이(238)의 회로상에서의 해당 리드들(248)에 직접적인 전기적 연결 포인트들을 위해 설정될 수 있고, 이것은 흔히 "플립 침(flip chip)" 배치로 알려져 있다.
또는 외부 안테나로부터 수신된 복사를 위하여, 와이어 메쉬 백스탑(wire mesh backstop)을 효과적으로 형성하는 복사 셰이퍼(radiation shaper)(266) 생성을 위하여 설정될 수 있다. 다른 회로 커넥터들은 또한 외부 컨덕터들(234 및 236)의 다양한 조합의 전도성 커넥터들(conductive connectors)(242)을 포함하는, 복사 리플렉터(radiation reflector)에 기여할 수 있다. 또는 복사의 셰이핑(shaping)에 기여하는 전도성의 두 가지 유형의 충분히 높은 주파수의 전자기장 신호 때문에, 컨덕터들은 능동 신호들을 전도하거나 회로 접지들이 될 수 있다. 세이핑 효과는 송신된 복사뿐만 아니라, 수신된 복사에 적용할 수 있다. 추가적으로, 다양한 셰이핑 효과는 가능하고, 이것은 감소되거나 또는 비실질적인 방향성의 셰이핑 효과(insubstantial directional shaping effect)로서, 본질적으로 전방향(omni-directional) 또는 반구형의 재질들(hemispherical qualities)을 구비하는 전자기장 신호를 생성하는 효과를 가지는 어떤 실시예들에서는 바람직할 수 있다.
리드 프레임(240)은 도 12에 보여진 거리 G와 같은, 핀 피치(pin pitch) 또는 갭(gap)으로 분리된 컨덕터들(248)로 설정될 수 있다. 거리 G는 송신기 또는 수신기의 동작 주파수의 하나의 파장보다 충분히 작을 경우, 효과적일 수 있다. 예를 들어, 핀 피치는 파장의 1/10로 설정될 수 있다. 이러한 설정은 와이어 메쉬(wire mesh)를 효과적으로 생성할 수 있고, 안테나(244)에 대한 백스탑(backstop) 및 전자기장 신호와 관련된 방향 셰이핑(directionally shaping)을 제공할 수 있고, 다이(238)로부터 충분히 떨어지도록할 수 있다.
도 13 및 도 14는 도 11 및 도 12를 참조하여 설명된 복사 셰이퍼(266)을 구비하는 바람직한 송신하는 집적회로 패키지(232)로부터 생성하는 전자기장 신호의 시뮬레이션에 의해 생성된 복사 패턴 특성(characteristic radiation pattern)(270)을 나타낸 도면이다. 도면들에 나타낸 표시된 레이어들은 일반적으로 도 13 및 도 14에서 복사 패턴들(radiation patterns)로서 보여진 것과 같이 집적회로 패키지(232)로부터의 거리를 갖는 증가하는 이득에 해당할 수 있고, 복사는 도 11 및 도 12에 보여진 것과 같이 안테나(244)가 탑재된 다이(238)의 측면에 해당하는 방향으로 다이(238) 및 리드 프레임(240)으로부터 떨어질 수 있다.
게다가 또는 대안적으로 전자기장 신호의 셰이핑은 도 8을 참조하여 설명된 통신 장치의 인쇄 회로 기판(132)에서 접지면(150)의 배치에 의해 수행될 수 있고, 일반적으로 인쇄 회로 기판 접지면(150)의 배치에 의존하는 방향에서 전자기장 신호를 전향하는 것은 도 15 및 도 16에 보여진 것과 같이 집적회로 패키지(130)의 오른쪽 끝에 내장된 안테나(136)에 관련될 수 있다. 이러한 도면들은 다른 배치들로부터의 결과인 이상적인 복사 패턴들을 나타낼 수 있고, 이러한 배치들의 시뮬레이션의 결과가 아닐 수 있다. 실제 복사 패턴들은 배치들, 실제 구조들 및 적용된 신호들의 세기에 관련하여 의존할 수 있다.
도 15에 보여진 배치에서, 접지면(150)은 집적회로 패키지(130)에서 안테나를 통과하여 거리 F만큼 다이(134)의 위치로부터 반대의 안테나를 초과하여 연장될 수 있다. 이것은 접지면(150)으로부터 위쪽을 향하고, 집적회로 패키지(130)으로부터 떨어져 연장된 복사(280)의 결과를 보여줄 수 있다.
도 16에 보여진 것과 같이, 제1 집적회로 패키지(130')은 제2 집적회로 패키지(130'')와의 통신을 위해 탑재될 수 있다. 집적회로 패키지(10)는 전자기장 신호들을 송신 및/또는 수신하도록 설정될 수 있고, 두 개의 집적회로 패키지 및 각각 동반되는 어떠한 전기적 회로들 또는 각각 연결된 부품들 사이에 하나 또는 두 가지 통신 방법을 제공할 수 있다. 제1 인쇄 회로 기판(132')에 탑재된 제1 집적회로 패키지(130') 및 제2 인쇄 회로 기판(132'')에 탑재된 제2 집적회로 패키지(132'')에서, 집적회로 패키지들은 내부-인쇄 회로 기판 통신을 제공할 수 있다. 다른 예시들에서, 제1 및 제2 집적회로 패키지들(130' 및 130'')은 내부 인쇄 회로 기판 통신을 제공하기 위해 인쇄 회로 기판들 사이의 판톰 라인들(phantom lines)에 의해 나타낸 인쇄 회로 기판(132')과 같이 단일 인쇄 회로 기판(single PCB)상에서 공동 배치(co-located)될 수 있다.
제1 집적회로 패키지(130')는 도 9를 참조하여 설명된 송신기(160)를 포함할 수 있다. 상대적으로, 제2 집적회로 패키지(130'')는 도 10을 참조하여 설명된 것처럼 수신기(180)를 포함할 수 있다. 집적회로 패키지(130') 및 집적회로 패키지(130'')에 대한 적절한 상대적 위치는 도 10을 참조하여 설명된 수신기 인터페이스 회로(receiver interface circui)(182)의 신호 검출 회로의 동작(signal detect circuit)에 의해 결정될 수 있다.
추가적으로, 인쇄 회로 기판(132')에서 접지면(150')은 일반적으로 집적회로 패키지(130')의 안테나 끝(130A')에 줄 맞춰(in line) 리딩 에지(leading edge)(150A')를 구비할 수 있다. 집적회로 패키지(130') 아래에 단층(recessed)된 접지면과 함께, 복사(282)도 16에서 끝(130A')로부터 더 오른쪽으로 연장될 수 있다. 그러므로 복사는 더 수신기 집적회로 패키지(130'')를 향할 수 있고, 사용된 실제 배치에 의존할 수 있다. 안테나와 관련된 접지면의 배치는 또한 복사 셰이퍼(radiation shaper)로서의 기능을 할 수 있다.
추가적인 복사 다이렉팅(radiation directing)은 안테나로부터 이격된 전도성 엘리먼트들(conductive elements)에 의해 제공될 수 있고, 이러한 전도성 엘리먼트들은 또한 복사 셰이퍼(radiation shaper)로서의 기능을 할 수 있다. 도 17 및 도 18에 보여진 예시는, 패키지 탑재 범프들(package mounting bumps)에 의해 인쇄 회로 기판(294)에 탑재된 집적회로 패키지(292)를 포함하는 통신 장치(290)를 나타내는 도면이다. 인쇄 회로 기판은 다이(298) 및 안테나(300)를 포함하는 집적회로 패키지의 끝(292A)로부터 떨어져 집적회로 패키지(292)를 초과하여 예를 들어, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 것처럼 연장될 수 있다. 이러한 예에서, 외부 디렉터 구조들(external director structures)의 배열(302)은 집적회로 패키지 끝(292A)으로부터 떨어져 배치된 디렉터 구조들(director structures)(304 및 306)을 포함할 수 있다. 디렉터 구조들(director structures)의 다른 형태의 배열 또는 더 많거나 더 적은 디렉터 구조들(director structures)이 사용될 수 있다.
외부 디렉터 구조들(304 및 306)은 전자기장 복사를 바람직하게 재송신하도록 설정된 어떠한 적합한 구조일 수 있다. 외부 디렉터 구조들(304 및 306)은 어떠한 전도성 재료로 만들어질 수 있다; 예를 들어, 구리(copper), 알루미늄(aluminum), 및/또는 금(gold) 만들어질 수 있다. 디렉터 구조들은 송신기 집적회로 패키지(292)의 송신기 안테나 끝(292A)으로부터 주기적으로 또는 그렇지 않으면 이격된 간격들로 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 17 및 도 18에 일반적으로 보여진 것과 같이 외부 디렉터 구조들은 길이 Y는 대략 1mm길이이고, 이격된 거리 P는 대략 1mm 떨어진 전도성 바들(conductive bars)을 연장할 수 있다. 이러한 예에서, 안테나(300)에 의해 송신된 복사(308)은 디렉터 구조들(304)에게 동력을 공급할 수 있고, 복사(310)을 생성할 수 있다. 복사(310)은 차례로 디렉터 구조들(306)에게 동력을 공급할 수 있고, 복사(312)을 생성할 수 있다. 추가적인 디렉터 구조들은 복사 패턴(radiation pattern)을 더 연장할 수 있다. 합성 연장 복사 패턴(composite elongate radiation pattern)(314)은 복사는 생성될 수 있고, 복사를 초과하는 연관된 방향으로 복사를 연장할 수 있고, 그렇지 않으면 이러한 디렉터 구조들 없이 안테나(300)에 의해 생성될 수 있다.
그러므로 안테나 또는 다른 트랜드듀서 오프-칩(transducer off-chip)의 위치는 효과적으로 안테나 임피던스 매칭(antenna impedance matching), 독립 안테나 설계(independent antenna design), 증가된 송신 전력(increased transmission power), 및 선택적인 방향 셰이핑(selective directional shaping) 결과의 복사 패턴을 야기할 수 있다. 복사는 수신 안테나가 위치한 방향으로 유도될 수 있다. 패키지 내의 안테나 위치는 또한 커스토머에게 사양 및 맞춤형 동작 특성들을 만족시키기 위해 어셈블리의 특성들을 통합하는 더 완벽한 어셈블리 제공할 수 있고, 게다가 통합된 안테나(incorporated antenna)를 손상으로부터 보호할 수 있다.
따라서, 위에서 요구된 것과 같이 신호들을 송신 또는 수신하기 위한 시스템은 무선-주파수 전기적 신호들 및 무선-주파수 전자기장 신호들 사이에 변환하도록 설정된 트랜스듀서; 트랜스듀서와 서로 연결되는 집적회로로서, 집적회로는 베이스밴드 신호를 무선-주파수 전기적 신호로 변환하고, 무선-주파수 신호를 트랜스듀서 및 트랜스듀서로부터 무선-주파수 전기적 신호를 수신하는 수신기 회로로 전도하고, 무선-주파수 전기적 신호를 베이스밴드 신호로 변환하는 적어도 하나의 송신기 회로를 포함하는 집적회로; 및 트랜스 듀서를 포함하는 영역에서 집적회로와 떨어진 방향으로 전자기장 에너지를 유도하기 위해 트랜스듀서에 관련하여 탑재된 전자기장-에너지 디렉팅 어셈블리(electromagnetic-energy directing assembly)를 포함할 수 있다.
어떠한 예들에서, 디렉팅 어셈블리는 집적회로상에서의 컨덕터들에게 외부 연결들을 제공하는 리드 프레임, 및 미리 결정된 파장을 가진 신호들을 변환하기 위한 설정된 트랜스듀서를 포함할 수 있고, 리드 프레임은 트랜스듀서로부터 이격되고, 집적회로에 대하여 분산되고 미리 결정된 파장을 갖는 전자기장 에너지를 반영하도록 서로 충분히 근접하여 배치된 복수의 분리된 컨덕터 엘리먼트들(elements)을 포함할 수 있다. 컨덕터 엘리먼트들의 적어도 일부분에서 근접한 컨덕터 엘리먼트들로부터 미리 결정된 파장의 1/6보다 작게 떨어져서 각각 이격될 수 있다. 리드 프레임은 주로 리드 프레임으로부터 트랜스듀서와 연관된 방향으로 떨어져서 트랜스듀서에 의해 전자기장 에너지를 반영할 수 있다. 트랜스듀서는 리드 프레임이 배치되지 않은 집적회로의 제1 측면에 배치될 수 있다. 리드 프렘임은 적어도 각각 제1 측면에 근접한 집적회로의 제2 및 제3 측면을 따라 배치될 수 있다. 리드 프레임은 트랜스듀서를 포함하는 영역에서 강해지고, 리드 프레임을 포함하는 영역보다 리드 프레임으로부터 떨어져서 초과하고 트랜스듀서로부터 떨어져서 초과하도록 수신된 전자기장 에너지를 야기하도록 설정될 수 있다.
*집적회로, 리드 프레임, 및 트랜스듀서가 유전체 기판(dielectric substrate)에 탑재될 수 있고, 인쇄 회로 기판(printed circuit board)은 주요 면(major face)을 구비할 수 있고, 유전체 기판을 탑재할 수 있다. 디렉팅 어셈블리(directing assembly)는 인쇄 회로 기판상에 접지면을 더 포함할 수 있고, 접지면은 접지면으로부터 이격된 트랜스듀서와 함께 인쇄 회로 기판의 주요 면으로부터 병렬로 이격될 수 있다. 인쇄 회로 기판은 트랜스듀서로부터 떨어진 방향으로 초과하여 라인을 따라 인쇄 회로 기판상에서의 이격된 포지션들에 배치된 하나 이상의 연장 컨덕티브 엘리먼트들을 포함하는 디렉팅 어셈블리(directing assembly)로 트랜스듀서로부터 떨어져서 집적회로에 반대로 연장될 수 있다. 하나 이상의 컨덕티브 엘리먼트들은 라인을 가로질러 각각 연장할 수 있다.
시스템은 집적회로 및 트랜스듀서를 탑재하는 유전체 기판 및 유전체 기판이 탑재된 주요 면을 구비하는 인쇄 회로 기판과 트랜스듀서와 함께 라인에서 인쇄 회로 기판상에 탑재된 접지면을 더 포함하는 디렉팅 어셈블리를 더 포함할 수 있다. 트랜스듀서는 접지면으로부터 0.25mm보다 더 큰 미리 선택된 거리만큼 떨어져서 배치될 수 있다. 접지면은 집적회로 아래의 인쇄 회로 기판의 주요 면에 대해 병렬로 연장될 수 있고, 단자는 에지에서 트랜스듀서와 함께 정렬될 수 있고, 여기에서 트랜스듀서에 의해 송신된 복사는 트랜스듀서로부터 떨어져서 주로 집적회로로부터 떨어진 방향으로 유도될 수 있다. 접지면은 집적회로 및 트랜스듀서를 따라 트랜스듀서를 초과하여 연장될 수 있고, 여기에서 트랜스듀서에 의해 송신된 복사는 접지면으로부터 떨어져서 유도될 수 있다.
이러한 예시들에서, 시스템은 집적회로 및 트랜스듀서가 탑재된 주요 면(major face)을 구비하는 인쇄 회로 기판을 더 포함할 수 있다. 인쇄 회로 기판의 주요 면은 트랜스듀서로부터 떨어져서 집적회로의 반대로 연장될 수 있다. 디렉팅 어셈블리(directing assembly)는 트랜스듀서로부터 떨어진 방향으로 연장하는 라인을 따라 인쇄 회로 기판상에서 이격된 포지션(spaced-apart positions)으로 배치된 하나 이상의 연장 전도성 엘리먼트들(elongate conductive elements)을 포함할 수 있고, 하나 이상의 전도성 엘리먼트들은 라인을 가로질러 각각 연장할 수 있다.
본 발명은 다른 장치와 통신하는 장치 또는 장치에서 부품들 사이에 통신을 제공하는 장치를 사용하는 전자 및 통신 산업과 같은 산업 및 상업 산업에 관한 것이다.
공시 규정은 독립적인 유틸리티와 함께 여러 발명을 포함할 수 있다. 이러한 발명의 각각은 기본 형태로 제시될 수 있고, 여기에서 설명되고 도시된 상세한 실시예들은 다양한 변형이 가능한 것으로서 제한으로 간주되어서는 안된다. 각각의 예는 앞선 설명에서 설명된 실시예를 정의할 수 있지만, 어떠한 하나의 예는 청구범위의 조합 또는 모든 특성을 포함하는 것을 반드시 필요로 하는 것은 아니다. "a" 또는 "a first" 엘리먼트 또는 하나 이상의 이러한 엘리먼트들을 포함하는 설명과 같은 동일한 것을 인용하는 설명은 두 개 이상의 이러한 엘리먼트들을 필요로하지 않을 수 있다. 게다가 엘리먼트들의 확인을 위한 제1, 제2 또는 제3과 같은 서수 지시어들은 엘리먼트들 사이에 구분을 위해 사용될 수 있고, 엘리먼트들의 요구된 또는 제한된 수를 나타내지 않을 수 있고, 달리 특별히 명시되지 않는 한 특정 포지션 또는 이러한 엘리먼트들의 명령을 나타내지 않을 수 있다.

Claims (25)

  1. 전자기장 신호(electromagnetic signal)들을 전기적 신호들로 변환하도록 설정되는 제1 트랜스듀서; 및
    상기 제1 트랜스듀서에 서로 연결된 제1 집적회로
    를 포함하고,
    상기 집적회로는
    제어 신호가 제1 상태를 가지고 상기 제어 신호가 상기 제1 상태와 상이한 제2 상태를 가지지 않을 때, 상기 제1 트랜스듀서로부터 제1 무선-주파수 전기적 신호를 수신하고 상기 제1 무선-주파수 전기적 신호를 제1 베이스밴드 신호로 변환하고 상기 제1 베이스밴드 신호를 출력하는 수신기 회로; 및
    상기 제1 베이스밴드 신호에 기초하여 상기 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호의 세기를 나타내는 모니터 신호를 생성하는 신호-검출기 회로로서, 상기 모니터 신호가 상기 수신된 제1 무선-주파수가 수용가능한 신호인 것을 나타내는 상기 제1 상태를 가지는 제어 신호 및 상기 모니터 신호가 상기 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 불가능한 신호인 것을 나타내는 제2 상태를 가지는 제어 신호를 생성하는 상기 신호-검출기 회로
    를 포함하고,
    상기 신호-검출기 회로는 수신된 상기 무선-주파수 전기적 신호의 상기 세기를 나타내는 상기 모니터 신호를 미리 결정된 임계 레벨에 대응하는 기준과 비교하기 위한 비교기를 포함하고, 상기 신호-검출기 회로는 상기 비교기의 출력에 응답하여 상기 제어 신호를 생성하는, 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준은 수신이 비활성화되는 신호의 세기 이하이고 수신이 활성화되는 신호의 세기 이상인 임계 신호 세기를 나타내는
    시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 모니터 신호는 평균 신호 세기를 나타내는,
    시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    전기적 신호들을 전자기장 신호들로 변환하기 위해 설정되는 제2 트랜스듀서로서, 상기 제1 트랜스듀서가 상기 제2 트랜스듀서에 의해 생성된 전자기장 신호들을 수신하기 위하여, 상기 제1 트랜스듀서에 근접하여 배치되는 상기 제2 트랜스듀서; 및
    상기 제2 트랜스듀서에 서로 연결된 제2 집적회로로서, 제2 베이스밴드 신호를 수신하고, 상기 제2 베이스밴드 신호를 제2 무선-주파수 전기적 신호로 변환하고, 상기 제2 무선-주파수 전기적 신호를 상기 제2 트랜스듀서로 전도하기 위한 송신기 회로를 포함하는 상기 제2 집적회로
    를 더 포함하는 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜스듀서에 의해 변환되는 상기 전자기장 신호들은 EHF(extremely high frequency) 밴드 내의 신호인, 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 모니터 신호를 목표 레벨 신호와 비교하고 상기 비교에 기초하여 이득 제어 신호를 생성하기 위한 이득 제어 회로를 더 포함하고,
    상기 수신기 회로는 상기 이득 제어 신호에 기초하여 상기 제1 무선-주파수 전기적 신호를 증폭하기 위한 하나 이상의 증폭기를 포함하는, 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 신호-검출기 회로는 상기 제1 베이스밴드 신호를 로우 패스 필터링하여 상기 모니터 신호를 생성하기 위한 로우 패스 필터를 포함하는, 시스템.
  8. 제1 무선-주파수 전자기적 신호를 제1 트랜스듀서에 의해 수신하는 단계;
    상기 제1 트랜스듀서에 의해 상기 제1 무선-주파수 전자기장 신호를 제1 무선-주파수 전기적 신호로 변환하는 단계;
    상기 제1 트랜스듀서로부터 집적회로의 수신기 회로에 의해 상기 제1 무선-주파수 전기적 신호를 수신하는 단계;
    상기 수신기 회로에 의해 상기 제1 무선-주파수 전기적 신호를 제1 베이스밴드 신호로 변환하는 단계;
    상기 제1 베이스밴드 신호에 기초하여 상기 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호의 세기를 나타내는 모니터 신호를 생성하는 단계;
    신호-검출기 회로에 의해 상기 모니터 신호를 모니터링 하는 단계;
    상기 모니터 신호가 상기 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호인지를 나타내는지 여부를 결정하는 단계로서, 상기 모니터 신호를 미리 결정된 임계 레벨에 대응하는 기준에 비교하는 단계를 포함하는, 상기 결정 단계;
    상기 모니터 신호가 상기 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 가능한 신호인 것을 나타내는 제1 상태 및 상기 모니터 신호가 상기 수신된 제1 무선-주파수 전기적 신호가 수용 불가능한 신호인 것을 나타내는 상기 제1 상태와 상이한 제2 상태를 갖는 제어 신호를 생성 - 상기 제어 신호는 상기 모니터 신호를 상기 기준에 비교한 결과에 기초하여 생성됨 - 하는 단계;
    상기 제어 신호가 제1 상태를 가질 때, 상기 수신기 회로에 의해 상기 제1 베이스밴드 신호를 출력하는 단계; 및
    상기 제어 신호가 상기 제2 상태를 가질 때, 상기 수신기 회로에 의해 상기 제1 베이스밴드 신호가 출력되지 않도록 방지하는 단계
    를 포함하는 방법.
  9. 기판;
    상기 기판 상에 탑재된 집적회로로서, 베이스밴드 신호를 EHF(extremely high frequency) 전기적 신호로 변환하는 송신기 회로를 포함하는 상기 집적회로;
    상기 집적회로와 서로 연결된 트랜스듀서로서, 상기 EHF 전기적 신호를 파장을 가지는 EHF 전자기장 신호로 변환하기 위한 상기 트랜스듀서; 및
    상기 트랜스듀서로부터의 전자기 에너지를 상기 집적회로로부터 멀어지는 방향으로 유도하는 전자기-에너지 유도 어셈블리
    를 포함하고,
    상기 전자기-에너지 유도 어셈블리는,
    상기 기판을 통해 전장하는 복수의 비아(via)들 - 상기 복수의 비아들은 공간의 적어도 3면(three side)을 둘러싸는 비아 월(via wall)을 형성하고, 상기 복수의 비아들은 상기 EHF 전자기장 신호의 상기 파장의 일부(fraction)보다 공간적으로 더 작게 이격됨 -; 및
    상기 트랜스듀서 및 상기 비아와 겹쳐지는 접지면
    을 포함하는, 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 비아 월은,
    제1 비아 월;
    상기 제1 비아 월과 평행한 제2 비아 월; 및
    상기 제1 비아 월 및 상기 제2 비아 월과 수직인 제3 비아 월
    을 포함하는, 시스템.
  11. 제9항에 있어서,
    집적회로 패키지를 더 포함하고,
    상기 집적회로 패키지는 적어도 상기 기판, 상기 집적회로, 상기 트랜스듀서 및 상기 비아들을 포함하는, 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 트랜스듀서 및 상기 접지면 사이에 상기 기판의 적어도 일부가 위치한, 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 집적회로 패키지가 장착된 주요 면을 가지는 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB)을 더 포함하고,
    상기 유도 어셈블리의 상기 접지면은 상기 인쇄 회로 기판의 레이어인, 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 인쇄 회로 기판의 주요 면은 상기 트랜스듀서로부터 상기 집적회로와 반대되는 방향으로 연장하고, 상기 유도 어셈블리는 상기 트랜스듀서로부터 멀어지는 방향으로 연장하는 라인을 따라 상기 인쇄 회로 기판 상의 이격되어 분리된 위치들에 배치된 하나 이상의 연장 전도성 엘리먼트(elongate conductive element)들을 포함하고, 상기 하나 이상의 연장 전도성 엘리먼트 각각은 라인을 가로질러 연장하는, 시스템.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리의 상기 접지면은 상기 집적회로 패키지의 단부(end)와 에지에서 정렬되는, 시스템.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리의 상기 접지면은 상기 집적회로 패키지의 단부를 초과하여 연장하는, 시스템.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리는 상기 집적회로 상에서 컨덕터에 대한 외부 연결을 제공하는 리드 프레임을 포함하고, 상기 리드 프레임은 상기 트랜스듀서와 이격되고, 상기 리드 프레임은 상기 비아들로 연장하는 상기 집적회로에 대해 분산된 복수의 분리 리드들을 포함하고, 상기 복수의 분리 리드들은 상기 파장을 가지는 전자기 에너지를 반영하기 위하여 충분히 근접하게 함께 배치되는, 시스템.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 트랜스듀서는 상기 집적회로의 제1 면(side) 상에 배치되고 상기 리드 프레임은 상기 집적회로의 상기 제1 면을 따라 배치되지 않는, 시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 리드 프레임은 상기 제1 면과 각각 인접한 상기 집적회로의 제2 면 및 제3 면을 따라 배치되는, 시스템.
  20. 제9항에 있어서,
    상기 전자기-에너지 유도 어셈블리의 상기 접지면은 상기 집적회로와 추가적으로 겹쳐지는, 시스템.
  21. 제9항에 있어서,
    상기 트랜스듀서는 상기 접지면으로부터 상기 EHF 전자기장 신호의 상기 파장보다 더 작은 거리만큼 떨어져 배치되는, 시스템.
  22. 제9항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리의 상기 복수의 비아들은 접지 비아를 포함하는, 시스템.
  23. 제9항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리의 상기 복수의 비아들은 능동(active) 신호 비아를 포함하는, 시스템.
  24. 제9항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리의 상기 복수의 비아들은 상기 접지면으로부터 상기 EHF 전자기장 신호의 상기 파장의 1/6 만큼보다 더 작게 떨어져 이격되는, 시스템.
  25. 제9항에 있어서,
    상기 유도 어셈블리의 상기 복수의 비아들은 상기 접지면으로부터 상기 EHF 전자기장 신호의 상기 파장의 1/10 만큼보다 더 작게 떨어져 이격되는, 시스템.
KR1020157035915A 2011-03-24 2012-03-22 전자기 통신의 집적회로 KR101615082B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161467334P 2011-03-24 2011-03-24
US61/467,334 2011-03-24
PCT/US2012/030166 WO2012129426A2 (en) 2011-03-24 2012-03-22 Integrated circuit with electromagnetic communication

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137027865A Division KR101582395B1 (ko) 2011-03-24 2012-03-22 전자기 통신의 집적회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160003885A true KR20160003885A (ko) 2016-01-11
KR101615082B1 KR101615082B1 (ko) 2016-04-29

Family

ID=45955096

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137027865A KR101582395B1 (ko) 2011-03-24 2012-03-22 전자기 통신의 집적회로
KR1020157035915A KR101615082B1 (ko) 2011-03-24 2012-03-22 전자기 통신의 집적회로

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137027865A KR101582395B1 (ko) 2011-03-24 2012-03-22 전자기 통신의 집적회로

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9444146B2 (ko)
EP (1) EP2689492B1 (ko)
JP (2) JP2014510493A (ko)
KR (2) KR101582395B1 (ko)
CN (1) CN103563166B (ko)
TW (2) TWI568200B (ko)
WO (1) WO2012129426A2 (ko)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7994622B2 (en) * 2007-04-16 2011-08-09 Tessera, Inc. Microelectronic packages having cavities for receiving microelectric elements
US9474099B2 (en) 2008-12-23 2016-10-18 Keyssa, Inc. Smart connectors and associated communications links
US9219956B2 (en) 2008-12-23 2015-12-22 Keyssa, Inc. Contactless audio adapter, and methods
US9960820B2 (en) 2008-12-23 2018-05-01 Keyssa, Inc. Contactless data transfer systems and methods
US8554136B2 (en) 2008-12-23 2013-10-08 Waveconnex, Inc. Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips
US9954579B2 (en) 2008-12-23 2018-04-24 Keyssa, Inc. Smart connectors and associated communications links
US9191263B2 (en) * 2008-12-23 2015-11-17 Keyssa, Inc. Contactless replacement for cabled standards-based interfaces
TWI429136B (zh) * 2010-04-06 2014-03-01 Univ Nat Taiwan 堆疊天線之結構
KR101582395B1 (ko) 2011-03-24 2016-01-11 키사, 아이엔씨. 전자기 통신의 집적회로
US8714459B2 (en) 2011-05-12 2014-05-06 Waveconnex, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
US9614590B2 (en) 2011-05-12 2017-04-04 Keyssa, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
US8811526B2 (en) 2011-05-31 2014-08-19 Keyssa, Inc. Delta modulated low power EHF communication link
WO2012174350A1 (en) 2011-06-15 2012-12-20 Waveconnex, Inc. Proximity sensing and distance measurement using ehf signals
WO2013040396A1 (en) 2011-09-15 2013-03-21 Waveconnex, Inc. Wireless communication with dielectric medium
KR101995608B1 (ko) 2011-10-20 2019-10-17 키사, 아이엔씨. 저-프로파일 무선 커넥터들
TWI562555B (en) 2011-10-21 2016-12-11 Keyssa Inc Contactless signal splicing
JP6435194B2 (ja) 2011-12-14 2018-12-05 ケッサ・インコーポレーテッド 触覚フィードバックを提供するコネクタ
US9559790B2 (en) 2012-01-30 2017-01-31 Keyssa, Inc. Link emission control
US9344201B2 (en) 2012-01-30 2016-05-17 Keyssa, Inc. Shielded EHF connector assemblies
EP2810377B1 (en) 2012-01-30 2019-03-13 Keyssa, Inc. Link emission control
CN107276641B (zh) 2012-03-02 2021-07-02 凯萨股份有限公司 双工通信系统和方法
US8929834B2 (en) 2012-03-06 2015-01-06 Keyssa, Inc. System for constraining an operating parameter of an EHF communication chip
CN104322155B (zh) 2012-03-28 2018-02-02 凯萨股份有限公司 使用基片结构的电磁信号的重定向
WO2013158786A1 (en) 2012-04-17 2013-10-24 Waveconnex, Inc. Dielectric lens structures for interchip communication
EP2883270B1 (en) 2012-08-10 2018-04-11 Keyssa, Inc. Ehf enabled display systems
US9653927B2 (en) 2012-08-10 2017-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite integrated circuits and methods for wireless interactions therewith
EP2883271B1 (en) 2012-08-10 2020-07-22 Keyssa, Inc. Dielectric coupling systems for ehf communications
US9577314B2 (en) 2012-09-12 2017-02-21 International Business Machines Corporation Hybrid on-chip and package antenna
EP2896135B1 (en) 2012-09-14 2019-08-14 Keyssa, Inc. Wireless connections with virtual hysteresis
KR20150093830A (ko) 2012-12-14 2015-08-18 키사, 아이엔씨. 무접촉 디지털 저작권 관리 데이터 전송 시스템 및 방법
KR20150098645A (ko) 2012-12-17 2015-08-28 키사, 아이엔씨. 모듈식 전자장치
CN105230036B (zh) 2013-03-15 2019-06-28 凯萨股份有限公司 适于ehf无接触通信的物理层和虚拟化物理层
KR20150132459A (ko) 2013-03-15 2015-11-25 키사, 아이엔씨. Ehf 보안 통신 장치
KR102030878B1 (ko) 2013-03-15 2019-10-10 키사, 아이엔씨. 극고주파 시스템 및 그 동작 방법
US9473207B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Keyssa, Inc. Contactless EHF data communication
CN105264785B (zh) 2013-03-15 2017-08-11 凯萨股份有限公司 极高频率通信芯片
US9407731B2 (en) * 2013-05-16 2016-08-02 Keyssa, Inc. Extremely high frequency converter
US9490874B2 (en) 2013-10-18 2016-11-08 Keyssa, Inc. Contactless communication unit connector assemblies with signal directing structures
JP2016005178A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 株式会社東芝 アンテナ装置、情報処理装置及び記憶装置
US10014957B2 (en) * 2015-03-13 2018-07-03 Texas Instruments Incorporation High speed isolated and optical USB
US9602648B2 (en) 2015-04-30 2017-03-21 Keyssa Systems, Inc. Adapter devices for enhancing the functionality of other devices
US9940295B2 (en) 2015-08-14 2018-04-10 Keyssa, Inc. Extremely high frequency systems and methods of operating the same to establish USB data transport protocols
US9640496B2 (en) * 2015-09-17 2017-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device
US10049801B2 (en) 2015-10-16 2018-08-14 Keyssa Licensing, Inc. Communication module alignment
EP3400486B1 (en) * 2016-01-04 2023-06-07 Infinera Corporation Photonic integrated circuit package
US10250418B2 (en) * 2016-08-02 2019-04-02 Keyssa Systems, Inc. EHF receiver architecture with dynamically adjustable discrimination threshold
US10454526B1 (en) * 2017-01-04 2019-10-22 Keyssa Systems, Inc. Structures for cross-talk reduction
US10516207B2 (en) 2017-05-17 2019-12-24 Nxp B.V. High frequency system, communication link
US10469112B2 (en) * 2017-05-31 2019-11-05 Silicon Laboratories Inc. System, apparatus and method for performing automatic gain control in a receiver for a packet-based protocol
CN109873246B (zh) * 2017-12-01 2021-06-18 三星电机株式会社 天线设备及天线模块
KR102058667B1 (ko) * 2017-12-01 2019-12-23 삼성전기주식회사 안테나 장치 및 안테나 모듈
US11050150B2 (en) 2017-12-01 2021-06-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna apparatus and antenna module
KR102022354B1 (ko) * 2017-12-26 2019-09-18 삼성전기주식회사 안테나 모듈 및 안테나 장치
US10978796B2 (en) 2017-12-28 2021-04-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna apparatus and antenna module
CN110010509B (zh) * 2018-01-05 2023-10-20 光宝新加坡有限公司 双引线架磁耦合封装结构及其制造方法
US11038274B2 (en) 2018-01-23 2021-06-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna apparatus and antenna module
KR102035824B1 (ko) * 2018-01-23 2019-10-24 삼성전기주식회사 안테나 장치 및 안테나 모듈
CN112823504B (zh) 2018-12-17 2023-08-11 Oppo广东移动通信有限公司 摄像头安装模组、摄像头组合件及移动终端
JP7304166B2 (ja) * 2019-02-13 2023-07-06 パナソニックホールディングス株式会社 アンテナ装置
KR102117459B1 (ko) * 2019-08-29 2020-06-01 삼성전기주식회사 안테나 장치
US11296424B2 (en) * 2020-01-21 2022-04-05 Rockwell Collins, Inc. Bump mounted radiating element architecture
CN115066989B (zh) * 2020-02-05 2023-12-08 三菱电机株式会社 设备壳体、图像读取装置以及静电电容检测装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008079241A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Sharp Corp 検波回路、変調方式判定回路、集積回路、チューナ装置、および多方式共用受信装置
US20100283700A1 (en) * 2009-05-08 2010-11-11 Anokiwave, Inc. Antennas Using Chip-Package Interconnections for Millimeter-wave Wireless Communication

Family Cites Families (287)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2753551A (en) 1951-06-20 1956-07-03 Raytheon Mfg Co Circularly polarized radio object locating system
GB817349A (en) 1956-04-24 1959-07-29 Marie G R P Circularly polarised microwave lenses
US3796831A (en) 1972-11-13 1974-03-12 Rca Corp Pulse modulation and detection communications system
JPS5410466B2 (ko) 1974-03-01 1979-05-07
US3971930A (en) 1974-04-24 1976-07-27 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Polarization compensator for optical communications
JPS5272502A (en) 1975-12-13 1977-06-17 Mitsubishi Electric Corp Code transmitter
US4293833A (en) 1979-11-01 1981-10-06 Hughes Aircraft Company Millimeter wave transmission line using thallium bromo-iodide fiber
JPS57206125A (en) 1981-06-15 1982-12-17 Toshiba Corp Hysteresis circuit
US4497068A (en) 1982-01-25 1985-01-29 Eaton Corporation Encoding system for optic data link
JPS58191503A (ja) 1982-05-01 1983-11-08 Junkosha Co Ltd 伝送線路
US4678937A (en) 1984-02-03 1987-07-07 Rosemount Engineering Company Limited Electrical isolation circuit
US4800350A (en) 1985-05-23 1989-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Dielectric waveguide using powdered material
US4694504A (en) 1985-06-03 1987-09-15 Itt Electro Optical Products, A Division Of Itt Corporation Synchronous, asynchronous, and data rate transparent fiber optic communications link
US4771294A (en) 1986-09-10 1988-09-13 Harris Corporation Modular interface for monolithic millimeter wave antenna array
US4875026A (en) 1987-08-17 1989-10-17 W. L. Gore & Associates, Inc. Dielectric waveguide having higher order mode suppression
JP2700553B2 (ja) 1988-03-31 1998-01-21 株式会社 潤工社 伝送回路
US4946237A (en) 1989-06-30 1990-08-07 At&T Bell Laboratories Cable having non-metallic armoring layer
GB9019489D0 (en) 1990-09-06 1990-10-24 Ncr Co Antenna control for a wireless local area network station
US5199086A (en) 1991-01-17 1993-03-30 Massachusetts Institute Of Technology Electro-optic system
US5459405A (en) 1991-05-22 1995-10-17 Wolff Controls Corp. Method and apparatus for sensing proximity of an object using near-field effects
JPH05236031A (ja) 1991-07-23 1993-09-10 Hitachi Maxell Ltd データ伝送方式
JPH05327788A (ja) 1992-05-15 1993-12-10 Hitachi Maxell Ltd データ復調回路
US5621913A (en) 1992-05-15 1997-04-15 Micron Technology, Inc. System with chip to chip communication
JPH076817A (ja) 1993-06-15 1995-01-10 Hitachi Ltd コネクト装置
KR100317216B1 (ko) 1994-06-01 2002-02-28 에어네트 커뮤니케이션즈 코포레이션 모듈레이터/디모듈레이터자원과의스위치가능한접속을실시하기위해시분할다원접속버스를이용하는광대역무선기지국
US5471668A (en) 1994-06-15 1995-11-28 Texas Instruments Incorporated Combined transmitter/receiver integrated circuit with learn mode
DE19512334C1 (de) 1995-04-01 1996-08-29 Fritsch Klaus Dieter Elektromechanische Verbindungsvorrichtung
US5543808A (en) 1995-05-24 1996-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Dual band EHF, VHF vehicular whip antenna
US5749052A (en) 1995-05-24 1998-05-05 Tele Digital Development, Inc. Cellular telephone management system
US6351237B1 (en) 1995-06-08 2002-02-26 Metawave Communications Corporation Polarization and angular diversity among antenna beams
JP3166897B2 (ja) 1995-08-18 2001-05-14 株式会社村田製作所 非放射性誘電体線路およびその集積回路
JPH0983538A (ja) 1995-09-18 1997-03-28 Fujitsu Ltd 無線通信用のioカード及びioカードによる無線通信方式
CN2237914Y (zh) 1995-09-20 1996-10-16 汪雪松 无线助听器
SG46955A1 (en) 1995-10-28 1998-03-20 Inst Of Microelectronics Ic packaging lead frame for reducing chip stress and deformation
US5889449A (en) 1995-12-07 1999-03-30 Space Systems/Loral, Inc. Electromagnetic transmission line elements having a boundary between materials of high and low dielectric constants
EP0779746B1 (en) 1995-12-11 2004-12-01 Hitachi Denshi Kabushiki Kaisha Out-of-synchronization recovery method and apparatus of data transmission system
US5754948A (en) 1995-12-29 1998-05-19 University Of North Carolina At Charlotte Millimeter-wave wireless interconnection of electronic components
US5675349A (en) 1996-02-12 1997-10-07 Boeing North American, Inc. Durable, lightweight, radar lens antenna
US5894473A (en) 1996-02-29 1999-04-13 Ericsson Inc. Multiple access communications system and method using code and time division
US5786626A (en) * 1996-03-25 1998-07-28 Ibm Corporation Thin radio frequency transponder with leadframe antenna structure
US5956626A (en) 1996-06-03 1999-09-21 Motorola, Inc. Wireless communication device having an electromagnetic wave proximity sensor
US6072433A (en) 1996-07-31 2000-06-06 California Institute Of Technology Autonomous formation flying sensor
CN1178402A (zh) 1996-08-09 1998-04-08 住友电装株式会社 电动汽车用充电连接器
JPH1065568A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Oki Electric Ind Co Ltd 無線装置
JP3786497B2 (ja) 1997-06-13 2006-06-14 富士通株式会社 アンテナ素子を内蔵する半導体モジュール
JP3269448B2 (ja) 1997-07-11 2002-03-25 株式会社村田製作所 誘電体線路
CN2313296Y (zh) 1997-07-25 1999-04-07 电子工业部第五十四研究所 通信信号八重分集接收简易装置
US5941729A (en) 1997-09-10 1999-08-24 International Business Machines Corporation Safe-snap computer cable
US6947795B2 (en) 2001-10-01 2005-09-20 Transoma Medical, Inc. Frame length modulation and pulse position modulation for telemetry of analog and digital data
JP3221382B2 (ja) 1997-12-17 2001-10-22 株式会社村田製作所 非放射性誘電体線路およびその集積回路
JP3889885B2 (ja) 1998-02-27 2007-03-07 シャープ株式会社 ミリ波送信装置、ミリ波受信装置、ミリ波送受信システム及び電子機器
JPH11298343A (ja) 1998-04-15 1999-10-29 Sony Corp 携帯通信装置
JP3028804B2 (ja) 1998-07-03 2000-04-04 日本電気株式会社 Cdma受信方法及び受信回路
US7548787B2 (en) * 2005-08-03 2009-06-16 Kamilo Feher Medical diagnostic and communication system
US6590544B1 (en) 1998-09-01 2003-07-08 Qualcomm, Inc. Dielectric lens assembly for a feed antenna
US6607136B1 (en) 1998-09-16 2003-08-19 Beepcard Inc. Physical presence digital authentication system
US6492973B1 (en) 1998-09-28 2002-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Method of driving a flat display capable of wireless connection and device for driving the same
JP3498597B2 (ja) 1998-10-22 2004-02-16 株式会社村田製作所 誘電体線路変換構造、誘電体線路装置、方向性結合器、高周波回路モジュールおよび送受信装置
US6373447B1 (en) 1998-12-28 2002-04-16 Kawasaki Steel Corporation On-chip antenna, and systems utilizing same
US6542720B1 (en) 1999-03-01 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices, methods of operating microelectronic devices, and methods of providing microelectronic devices
DE19918059C1 (de) 1999-04-21 2000-11-30 Siemens Ag Transceiver mit bidirektionalen internen Schnittstellenleitungen
US6252767B1 (en) 1999-06-22 2001-06-26 Hewlett-Packard Company Low impedance hinge for notebook computer
WO2001017298A1 (en) 1999-09-02 2001-03-08 Automated Business Companies Communication and proximity authorization systems
US6590477B1 (en) 1999-10-29 2003-07-08 Fci Americas Technology, Inc. Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap
JP3393195B2 (ja) 1999-11-26 2003-04-07 株式会社ホンダエレシス 物体検知装置及び乗員検知システム
US6647246B1 (en) 2000-01-10 2003-11-11 Industrial Technology Research Institute Apparatus and method of synchronization using delay measurements
JP3932767B2 (ja) 2000-05-12 2007-06-20 日立電線株式会社 アレイアンテナ
JP2001339207A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Kyocera Corp アンテナ給電線路およびそれを用いたアンテナモジュール
US6741646B1 (en) 2000-07-25 2004-05-25 Thomson Licensing S.A. Modulation technique for transmitting a high data rate signal, and an auxiliary data signal, through a band limited channel
US6901246B2 (en) 2000-10-06 2005-05-31 Xg Technology, Llc Suppressed cycle based carrier modulation using amplitude modulation
DE10202480A1 (de) 2001-01-30 2002-08-14 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung eines Signals von einer Signalquelle zu einer Signalsenke in einem System
US7068733B2 (en) 2001-02-05 2006-06-27 The Directv Group, Inc. Sampling technique for digital beam former
JP2002237036A (ja) 2001-02-08 2002-08-23 Hitachi Ltd 情報記録方法、再生方法及び情報記録装置
US6512431B2 (en) 2001-02-28 2003-01-28 Lockheed Martin Corporation Millimeterwave module compact interconnect
JP2002261514A (ja) 2001-02-28 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Nrdガイド回路
JP3530829B2 (ja) 2001-03-12 2004-05-24 日本ピラー工業株式会社 電子部品用フッ素樹脂組成物
JP2002312000A (ja) 2001-04-16 2002-10-25 Sakai Yasue 圧縮方法及び装置、伸長方法及び装置、圧縮伸長システム、ピーク検出方法、プログラム、記録媒体
US7769347B2 (en) 2001-05-02 2010-08-03 Trex Enterprises Corp. Wireless communication system
US6882239B2 (en) 2001-05-08 2005-04-19 Formfactor, Inc. Electromagnetically coupled interconnect system
US6534784B2 (en) 2001-05-21 2003-03-18 The Regents Of The University Of Colorado Metal-oxide electron tunneling device for solar energy conversion
US6967347B2 (en) 2001-05-21 2005-11-22 The Regents Of The University Of Colorado Terahertz interconnect system and applications
US6531977B2 (en) 2001-08-03 2003-03-11 Mcewan Technologies, Llc Pulse center detector for radars and reflectometers
US7146139B2 (en) 2001-09-28 2006-12-05 Siemens Communications, Inc. System and method for reducing SAR values
JP2003218612A (ja) 2001-11-16 2003-07-31 Murata Mfg Co Ltd 誘電体線路、高周波回路、および高周波回路装置
JP3852338B2 (ja) 2002-01-15 2006-11-29 株式会社Kddi研究所 路車間通信システムにおける移動局の通信リンク接続切断方法
JP4523223B2 (ja) 2002-04-26 2010-08-11 株式会社日立製作所 レーダセンサ
US6977551B2 (en) * 2002-07-19 2005-12-20 Micro Mobio Dual band power amplifier module for wireless communication devices
JP4054634B2 (ja) 2002-08-27 2008-02-27 沖電気工業株式会社 半導体装置
DE10242645A1 (de) 2002-09-13 2004-03-25 Magcode Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer elektrischen Verbindung von Baugruppen und Modulen
US7436876B2 (en) 2002-11-15 2008-10-14 Time Domain Corporation System and method for fast acquisition of ultra wideband signals
AU2003274554A1 (en) 2002-11-21 2004-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of recognizing whether a transponder belongs to a group of transponders
JP4514463B2 (ja) 2003-02-12 2010-07-28 パナソニック株式会社 送信装置及び無線通信方法
US20040176056A1 (en) * 2003-03-07 2004-09-09 Shen Feng Single-tone detection and adaptive gain control for direct-conversion receivers
US7603710B2 (en) 2003-04-03 2009-10-13 Network Security Technologies, Inc. Method and system for detecting characteristics of a wireless network
US7113087B1 (en) 2003-04-08 2006-09-26 Microsoft Corporation Proximity sensing based on antenna impedance variation
US7024232B2 (en) 2003-04-25 2006-04-04 Motorola, Inc. Wireless communication device with variable antenna radiation pattern and corresponding method
US7039397B2 (en) 2003-07-30 2006-05-02 Lear Corporation User-assisted programmable appliance control
US7228102B2 (en) 2003-08-05 2007-06-05 Avago Technologie Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Resonant frequency user proximity detection
JP2005117153A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Toshiba Corp 無線通信装置、無線通信方法、及び無線通信媒体
JP4133747B2 (ja) 2003-11-07 2008-08-13 東光株式会社 誘電体導波管の入出力結合構造
US7213766B2 (en) 2003-11-17 2007-05-08 Dpd Patent Trust Ltd Multi-interface compact personal token apparatus and methods of use
US20050124307A1 (en) 2003-12-08 2005-06-09 Xytrans, Inc. Low cost broadband wireless communication system
US7761092B2 (en) 2004-02-06 2010-07-20 Sony Corporation Systems and methods for communicating with multiple devices
CN1938721B (zh) 2004-03-26 2012-08-22 株式会社半导体能源研究所 薄半导体器件和薄半导体器件的操作方法
JP4200939B2 (ja) 2004-05-19 2008-12-24 ソニー株式会社 無線通信システムと受信装置と受信方法
FR2871312B1 (fr) 2004-06-03 2006-08-11 St Microelectronics Sa Modulation de charge dans un transpondeur electromagnetique
US20060029229A1 (en) 2004-08-03 2006-02-09 Alexei Trifonov QKD station with EMI signature suppression
GB2419454A (en) 2004-10-19 2006-04-26 Pranil Ram Multiple monitor display apparatus
US8527003B2 (en) 2004-11-10 2013-09-03 Newlans, Inc. System and apparatus for high data rate wireless communications
US8060102B2 (en) 2004-12-14 2011-11-15 Bce Inc. System and method for coverage analysis in a wireless network
GB0428046D0 (en) 2004-12-22 2005-01-26 Artimi Ltd Contactless connector systems
US7787562B2 (en) 2004-12-29 2010-08-31 Motorola, Inc. Method and apparatus for adaptive modulation of wireless communication signals
JP3793822B1 (ja) 2005-01-07 2006-07-05 オプテックス株式会社 マイクロウエーブセンサ
US7881675B1 (en) 2005-01-07 2011-02-01 Gazdzinski Robert F Wireless connector and methods
GB0501593D0 (en) 2005-01-25 2005-03-02 Innovision Res & Tech Plc Demodulation apparatus and method
US7975079B2 (en) 2005-02-07 2011-07-05 Broadcom Corporation Computer chip set having on board wireless interfaces to support parallel communication
US8244179B2 (en) 2005-05-12 2012-08-14 Robin Dua Wireless inter-device data processing configured through inter-device transmitted data
US20060276157A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Chen Zhi N Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
US20070010295A1 (en) 2005-07-08 2007-01-11 Firefly Power Technologies, Inc. Power transmission system, apparatus and method with communication
JP2007036722A (ja) 2005-07-27 2007-02-08 Toshiba Corp 半導体装置
US7352567B2 (en) 2005-08-09 2008-04-01 Apple Inc. Methods and apparatuses for docking a portable electronic device that has a planar like configuration and that operates in multiple orientations
US7342299B2 (en) 2005-09-21 2008-03-11 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for packaging antennas with integrated circuit chips for millimeter wave applications
EP1969388A1 (en) 2005-09-23 2008-09-17 California Institute Of Technology A mm-WAVE FULLY INTEGRATED PHASED ARRAY RECEIVER AND TRANSMITTER WITH ON CHIP ANTENNAS
US7311526B2 (en) 2005-09-26 2007-12-25 Apple Inc. Magnetic connector for electronic device
US20070108296A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Konopka John A Radio frequency identification devices and methods
GB0525635D0 (en) 2005-12-16 2006-01-25 Innovision Res & Tech Plc Chip card and method of data communication
US20070147425A1 (en) 2005-12-28 2007-06-28 Wavesat Wireless modem
US7599427B2 (en) 2005-12-30 2009-10-06 Honeywell International Inc. Micro range radio frequency (RF) communications link
US7512395B2 (en) 2006-01-31 2009-03-31 International Business Machines Corporation Receiver and integrated AM-FM/IQ demodulators for gigabit-rate data detection
US8014416B2 (en) 2006-02-14 2011-09-06 Sibeam, Inc. HD physical layer of a wireless communication device
US7664461B2 (en) 2006-03-02 2010-02-16 Broadcom Corporation RFID reader architecture
US7899394B2 (en) 2006-03-16 2011-03-01 Broadcom Corporation RFID system with RF bus
US8681810B2 (en) 2006-04-13 2014-03-25 Qualcomm Incorporated Dynamic carrier sensing thresholds
JP4506722B2 (ja) 2006-05-19 2010-07-21 ソニー株式会社 半導体素子結合装置、半導体素子、高周波モジュール及び半導体素子結合方法
JP4702178B2 (ja) 2006-05-19 2011-06-15 ソニー株式会社 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール
US7598923B2 (en) 2006-05-22 2009-10-06 Sony Corporation Apparatus and method for communications via multiple millimeter wave signals
US7808087B2 (en) 2006-06-01 2010-10-05 Broadcom Corporation Leadframe IC packages having top and bottom integrated heat spreaders
US7467948B2 (en) 2006-06-08 2008-12-23 Nokia Corporation Magnetic connector for mobile electronic devices
US8674888B2 (en) 2006-06-21 2014-03-18 Broadcom Corporation Integrated circuit with power supply line antenna structure and methods for use therewith
JP2008022247A (ja) 2006-07-12 2008-01-31 Toshiba Corp Agcシステム
US8081699B2 (en) 2006-07-15 2011-12-20 Kazimierz Siwiak Wireless communication system and method with elliptically polarized radio frequency signals
US7936274B2 (en) 2006-08-30 2011-05-03 Exponent Inc. Shield for radio frequency ID tag or contactless smart card
JP2008083679A (ja) 2006-08-31 2008-04-10 Seiko Epson Corp 表示装置および電子機器
WO2008041222A2 (en) 2006-10-03 2008-04-10 Beam Networks Ltd. Phased shifted oscilator and antenna
US8271713B2 (en) 2006-10-13 2012-09-18 Philips Electronics North America Corporation Interface systems for portable digital media storage and playback devices
US7612674B2 (en) * 2006-10-27 2009-11-03 Sony Corporation Radio frequency identification system
US9065682B2 (en) 2006-11-01 2015-06-23 Silicon Image, Inc. Wireless HD MAC frame format
JP2008124917A (ja) 2006-11-14 2008-05-29 Sony Corp 無線通信システム並びに無線通信装置
US20080112101A1 (en) 2006-11-15 2008-05-15 Mcelwee Patrick T Transmission line filter for esd protection
US8041227B2 (en) 2006-11-16 2011-10-18 Silicon Laboratories Inc. Apparatus and method for near-field communication
JP2008129919A (ja) 2006-11-22 2008-06-05 Toshiba Corp 非接触式icカードリーダライタ装置及び送信電波出力レベル制御方法
US9697556B2 (en) 2007-09-06 2017-07-04 Mohammad A. Mazed System and method of machine learning based user applications
US7820990B2 (en) 2006-12-11 2010-10-26 Lockheed Martin Corporation System, method and apparatus for RF directed energy
GB0700671D0 (en) 2006-12-15 2007-02-21 Innovision Res & Tech Plc Nfc communicator and method of data communication
US7557303B2 (en) 2006-12-18 2009-07-07 Lsi Corporation Electronic component connection support structures including air as a dielectric
US8013610B1 (en) 2006-12-21 2011-09-06 Seektech, Inc. High-Q self tuning locating transmitter
US7460077B2 (en) 2006-12-21 2008-12-02 Raytheon Company Polarization control system and method for an antenna array
EP1936741A1 (en) 2006-12-22 2008-06-25 Sony Deutschland GmbH Flexible substrate integrated waveguides
US7557758B2 (en) 2007-03-26 2009-07-07 Broadcom Corporation Very high frequency dielectric substrate wave guide
US7974587B2 (en) 2006-12-30 2011-07-05 Broadcom Corporation Local wireless communications within a device
US8350761B2 (en) 2007-01-04 2013-01-08 Apple Inc. Antennas for handheld electronic devices
US8200156B2 (en) 2007-01-31 2012-06-12 Broadcom Corporation Apparatus for allocation of wireless resources
US8374157B2 (en) 2007-02-12 2013-02-12 Wilocity, Ltd. Wireless docking station
JP5034857B2 (ja) 2007-10-12 2012-09-26 ソニー株式会社 コネクタシステム
JP2008252566A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Av機器
JP2008250713A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
US8063769B2 (en) 2007-03-30 2011-11-22 Broadcom Corporation Dual band antenna and methods for use therewith
US20080290959A1 (en) 2007-05-22 2008-11-27 Mohammed Ershad Ali Millimeter wave integrated circuit interconnection scheme
US8351982B2 (en) 2007-05-23 2013-01-08 Broadcom Corporation Fully integrated RF transceiver integrated circuit
US7743659B2 (en) 2007-05-25 2010-06-29 The Boeing Company Structural health monitoring (SHM) transducer assembly and system
US7722358B2 (en) 2007-06-15 2010-05-25 Microsoft Corporation Electrical connection between devices
US7929474B2 (en) 2007-06-22 2011-04-19 Vubiq Incorporated System and method for wireless communication in a backplane fabric architecture
US7768457B2 (en) 2007-06-22 2010-08-03 Vubiq, Inc. Integrated antenna and chip package and method of manufacturing thereof
US7617342B2 (en) 2007-06-28 2009-11-10 Broadcom Corporation Universal serial bus dongle device with wireless telephony transceiver and system for use therewith
US7952531B2 (en) * 2007-07-13 2011-05-31 International Business Machines Corporation Planar circularly polarized antennas
US7830311B2 (en) * 2007-07-18 2010-11-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless IC device and electronic device
US7941110B2 (en) 2007-07-23 2011-05-10 Freescale Semiconductor, Inc. RF circuit with control unit to reduce signal power under appropriate conditions
US7908420B2 (en) 2007-07-31 2011-03-15 Broadcom Corporation Processing system with millimeter wave host interface and method for use therewith
US7825775B2 (en) 2007-07-31 2010-11-02 Symbol Technologies, Inc. Antenna-based trigger
EP2034623A1 (en) 2007-09-05 2009-03-11 Nokia Siemens Networks Oy Adaptive adjustment of an antenna arrangement for exploiting polarization and/or beamforming separation
US8965309B2 (en) 2007-09-18 2015-02-24 Broadcom Corporation Method and system for calibrating a power amplifier
US7881753B2 (en) 2007-09-28 2011-02-01 Broadcom Corporation Method and system for sharing multiple antennas between TX and RX in a repeat field of polarization isolation
US20090086844A1 (en) 2007-09-28 2009-04-02 Ahmadreza Rofougaran Method And System For A Programmable Local Oscillator Generator Utilizing A DDFS For Extremely High Frequencies
US8023886B2 (en) 2007-09-28 2011-09-20 Broadcom Corporation Method and system for repeater with gain control and isolation via polarization
US8244175B2 (en) 2007-09-28 2012-08-14 Broadcom Corporation Method and system for signal repeater with gain control and spatial isolation
US8634767B2 (en) 2007-09-30 2014-01-21 Broadcom Corporation Method and system for utilizing EHF repeaters and/or transceivers for detecting and/or tracking an entity
US8856633B2 (en) 2007-10-03 2014-10-07 Qualcomm Incorporated Millimeter-wave communications for peripheral devices
US7746256B2 (en) 2007-10-05 2010-06-29 Infineon Technologies Ag Analog to digital conversion using irregular sampling
US8121542B2 (en) 2007-10-16 2012-02-21 Rafi Zack Virtual connector based on contactless link
US8428528B2 (en) 2007-10-24 2013-04-23 Biotronik Crm Patent Ag Radio communications system designed for a low-power receiver
US20090153260A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Ahmadreza Rofougaran Method and system for a configurable transformer integrated on chip
US7880677B2 (en) * 2007-12-12 2011-02-01 Broadcom Corporation Method and system for a phased array antenna embedded in an integrated circuit package
EP2077518B1 (en) 2008-01-03 2013-10-02 Nxp B.V. Transponder detection by resonance frequency reduction
US7873122B2 (en) 2008-01-08 2011-01-18 Qualcomm Incorporated Methods and devices for wireless chip-to-chip communications
US9537566B2 (en) 2008-01-11 2017-01-03 Alcatel-Lucent Usa Inc. Realizing FDD capability by leveraging existing TDD technology
TWI348280B (en) 2008-01-21 2011-09-01 Univ Nat Taiwan Dual injection locked frequency dividing circuit
US8310444B2 (en) 2008-01-29 2012-11-13 Pacinian Corporation Projected field haptic actuation
US7750435B2 (en) 2008-02-27 2010-07-06 Broadcom Corporation Inductively coupled integrated circuit and methods for use therewith
US7795700B2 (en) 2008-02-28 2010-09-14 Broadcom Corporation Inductively coupled integrated circuit with magnetic communication path and methods for use therewith
US8415777B2 (en) 2008-02-29 2013-04-09 Broadcom Corporation Integrated circuit with millimeter wave and inductive coupling and methods for use therewith
WO2009113373A1 (ja) 2008-03-13 2009-09-17 日本電気株式会社 半導体装置
US20090236701A1 (en) 2008-03-18 2009-09-24 Nanyang Technological University Chip arrangement and a method of determining an inductivity compensation structure for compensating a bond wire inductivity in a chip arrangement
JP4292231B1 (ja) 2008-03-24 2009-07-08 株式会社東芝 電子機器
JP4497222B2 (ja) 2008-03-26 2010-07-07 ソニー株式会社 通信装置及び通信方法、並びにコンピュータ・プログラム
US8269344B2 (en) 2008-03-28 2012-09-18 Broadcom Corporation Method and system for inter-chip communication via integrated circuit package waveguides
JP2009239842A (ja) 2008-03-28 2009-10-15 Renesas Technology Corp 無線通信システム
US8416880B2 (en) 2008-03-31 2013-04-09 Nxp B.V. Digital modulator
US8184651B2 (en) 2008-04-09 2012-05-22 Altera Corporation PLD architecture optimized for 10G Ethernet physical layer solution
US8755849B2 (en) 2008-05-07 2014-06-17 Broadcom Corporation Method and system for power management in a beamforming system
US20090280765A1 (en) 2008-05-07 2009-11-12 Ahmadreza Rofougaran Method And System For On-Demand Filtering In A Receiver
CN102067682B (zh) 2008-06-16 2014-07-16 日本电气株式会社 基站控制模块、无线基站、基站控制设备和基站控制方法
US9300508B2 (en) 2008-08-07 2016-03-29 Trex Enterprises Corp. High data rate milllimeter wave radio on a chip
US8392965B2 (en) 2008-09-15 2013-03-05 Oracle International Corporation Multiple biometric smart card authentication
JP2010103982A (ja) 2008-09-25 2010-05-06 Sony Corp ミリ波伝送装置、ミリ波伝送方法、ミリ波伝送システム
US8131645B2 (en) 2008-09-30 2012-03-06 Apple Inc. System and method for processing media gifts
CN102483777A (zh) 2008-10-10 2012-05-30 S·E·特纳 到达远程用户的内容数据流的受控传递
EP3716673B1 (en) 2008-10-29 2022-09-14 Marvell Asia Pte, Ltd. Method and apparatus for performing transmit beamforming sector sweep in a multiantenna communication device
US8346234B2 (en) 2008-11-08 2013-01-01 Absolute Software Corporation Secure platform management with power savings capacity
EP2347440A1 (en) 2008-11-19 2011-07-27 Nxp B.V. Millimetre-wave radio antenna module
US8324990B2 (en) 2008-11-26 2012-12-04 Apollo Microwaves, Ltd. Multi-component waveguide assembly
US20100149149A1 (en) 2008-12-15 2010-06-17 Lawther Joel S Display system
FR2940568A1 (fr) 2008-12-22 2010-06-25 Thomson Licensing Procede de transmission dans un reseau sans-fil et procede de gestion de communication correspondant
US8554136B2 (en) 2008-12-23 2013-10-08 Waveconnex, Inc. Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips
US20120295539A1 (en) 2008-12-23 2012-11-22 Waveconnex, Inc. Ehf communication with electrical isolation and with dielectric transmission medium
US20100167645A1 (en) 2008-12-25 2010-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Information processing apparatus
JP5556072B2 (ja) 2009-01-07 2014-07-23 ソニー株式会社 半導体装置、その製造方法、ミリ波誘電体内伝送装置
TWI384814B (zh) 2009-02-06 2013-02-01 Univ Nat Taiwan 差動射頻訊號傳送機、差動射頻訊號接收機與無線射頻訊號收發系統
US8964634B2 (en) 2009-02-06 2015-02-24 Sony Corporation Wireless home mesh network bridging adaptor
US8326221B2 (en) 2009-02-09 2012-12-04 Apple Inc. Portable electronic device with proximity-based content synchronization
US20110311231A1 (en) 2009-02-26 2011-12-22 Battelle Memorial Institute Submersible vessel data communications system
WO2010114079A1 (ja) 2009-03-31 2010-10-07 京セラ株式会社 回路基板、ならびに、高周波モジュールおよびレーダ装置
JP2010245990A (ja) 2009-04-09 2010-10-28 Seiko Epson Corp 通信方法および通信システム
JP2010256973A (ja) 2009-04-21 2010-11-11 Sony Corp 情報処理装置
US8244189B2 (en) 2009-05-20 2012-08-14 Broadcom Corporation Method and system for chip-to-chip mesh networks
US8346847B2 (en) 2009-06-03 2013-01-01 Apple Inc. Installing applications based on a seed application from a separate device
EP2441313B1 (en) 2009-06-10 2018-08-08 The Regents of The University of California Milli-meter-wave-wireless-interconnect (m2w2 - interconnect) method for short-range communications with ultra-high data rate capability
US9007968B2 (en) 2009-06-16 2015-04-14 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for wireless multi-band networks association and maintenance
US8812833B2 (en) 2009-06-24 2014-08-19 Marvell World Trade Ltd. Wireless multiband security
JP5278210B2 (ja) 2009-07-13 2013-09-04 ソニー株式会社 無線伝送システム、電子機器
US8427296B2 (en) 2009-07-14 2013-04-23 Apple Inc. Method and apparatus for determining the relative positions of connectors
US8605826B2 (en) 2009-08-04 2013-12-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-gigabit millimeter wave receiver system and demodulator system
JP5316305B2 (ja) 2009-08-13 2013-10-16 ソニー株式会社 無線伝送システム、無線伝送方法
JP2011044944A (ja) 2009-08-21 2011-03-03 Sony Corp 通信装置、通信システム及び通信方法
JP2011044953A (ja) 2009-08-21 2011-03-03 Sony Corp Av機器用の有線伝送線路
ES2859780T3 (es) 2009-09-01 2021-10-04 G4S Monitoring Tech Limited Sensores de proximidad
FR2951321B1 (fr) 2009-10-08 2012-03-16 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur comprenant un guide d'ondes electro-magnetiques
EP2309608B1 (en) 2009-10-09 2014-03-19 Ondal Medical Systems GmbH Rotatable electrical coupling and connector therefor
CN201562854U (zh) 2009-11-25 2010-08-25 联想(北京)有限公司 磁性连接器及具有该磁性连接器的电子设备
US8390249B2 (en) 2009-11-30 2013-03-05 Broadcom Corporation Battery with integrated wireless power receiver and/or RFID
US8279611B2 (en) 2009-12-09 2012-10-02 Research In Motion Limited Flexible cable having rectangular waveguide formed therein and methods of manufacturing same
EP2360923A1 (en) 2010-02-24 2011-08-24 Thomson Licensing Method for selectively requesting adaptive streaming content and a device implementing the method
JP2011176672A (ja) 2010-02-25 2011-09-08 Olympus Corp 通信変換装置、通信中継システム、および、通信装置
JP5500679B2 (ja) 2010-03-19 2014-05-21 シリコンライブラリ株式会社 無線伝送システム並びにそれに用いられる無線送信機、無線受信機、無線送信方法、無線受信方法、及び無線通信方法
JP5665074B2 (ja) 2010-03-19 2015-02-04 シリコンライブラリ株式会社 無線伝送システム並びにそれに用いられる無線送信機、無線受信機、無線送信方法、無線受信方法、及び無線通信方法
US8781420B2 (en) 2010-04-13 2014-07-15 Apple Inc. Adjustable wireless circuitry with antenna-based proximity detector
US8774252B2 (en) * 2010-05-27 2014-07-08 Qualcomm Incorporated System and method for transmtting and receiving signal with quasi-periodic pulse sequence
US8843076B2 (en) 2010-07-06 2014-09-23 Intel Corporation Device, system and method of wireless communication over a beamformed communication link
US8871565B2 (en) 2010-09-13 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR101288173B1 (ko) 2010-09-17 2013-07-18 삼성전기주식회사 단말기 및 그의 무선 통신 방법
US8358596B2 (en) 2010-09-20 2013-01-22 Research In Motion Limited Communications system providing mobile wireless communications device application module associations for respective wireless communications formats and related methods
US9118217B2 (en) 2010-09-30 2015-08-25 Broadcom Corporation Portable computing device with wireless power distribution
US20120126794A1 (en) 2010-11-22 2012-05-24 Raymond Jensen Sensor Assembly And Methods Of Assembling A Sensor Probe
EP2461485B1 (en) 2010-12-01 2013-07-31 Dialog Semiconductor GmbH A device and method for the transmission and reception of high-fidelity audio using a single wire
KR101582395B1 (ko) 2011-03-24 2016-01-11 키사, 아이엔씨. 전자기 통신의 집적회로
US20120249366A1 (en) 2011-04-04 2012-10-04 Raytheon Company Communications on the move antenna system
US9141616B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Google Inc. Physical confirmation for network-provided content
US8714459B2 (en) 2011-05-12 2014-05-06 Waveconnex, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
KR101796341B1 (ko) 2011-05-12 2017-11-10 키사, 아이엔씨. 확장 가능한 고-대역폭 접속성
US9614590B2 (en) 2011-05-12 2017-04-04 Keyssa, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
TWI561020B (en) 2011-05-31 2016-12-01 Keyssa Inc Delta modulated low power ehf communication link
US8811526B2 (en) 2011-05-31 2014-08-19 Keyssa, Inc. Delta modulated low power EHF communication link
WO2012166502A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Marvell World Trade, Ltd. Method and apparatus for local oscillation distribution
WO2012174350A1 (en) 2011-06-15 2012-12-20 Waveconnex, Inc. Proximity sensing and distance measurement using ehf signals
US20130278360A1 (en) 2011-07-05 2013-10-24 Waveconnex, Inc. Dielectric conduits for ehf communications
WO2013040396A1 (en) 2011-09-15 2013-03-21 Waveconnex, Inc. Wireless communication with dielectric medium
KR101995608B1 (ko) 2011-10-20 2019-10-17 키사, 아이엔씨. 저-프로파일 무선 커넥터들
TWI562555B (en) 2011-10-21 2016-12-11 Keyssa Inc Contactless signal splicing
JP6435194B2 (ja) 2011-12-14 2018-12-05 ケッサ・インコーポレーテッド 触覚フィードバックを提供するコネクタ
US9559790B2 (en) 2012-01-30 2017-01-31 Keyssa, Inc. Link emission control
CN107276641B (zh) 2012-03-02 2021-07-02 凯萨股份有限公司 双工通信系统和方法
US8929834B2 (en) 2012-03-06 2015-01-06 Keyssa, Inc. System for constraining an operating parameter of an EHF communication chip
CN104322155B (zh) 2012-03-28 2018-02-02 凯萨股份有限公司 使用基片结构的电磁信号的重定向
EP2883271B1 (en) 2012-08-10 2020-07-22 Keyssa, Inc. Dielectric coupling systems for ehf communications
EP2883270B1 (en) 2012-08-10 2018-04-11 Keyssa, Inc. Ehf enabled display systems
US9179490B2 (en) 2012-11-29 2015-11-03 Intel Corporation Apparatus, system and method of disconnecting a wireless communication link
US9608862B2 (en) 2013-03-15 2017-03-28 Elwha Llc Frequency accommodation
US9490874B2 (en) 2013-10-18 2016-11-08 Keyssa, Inc. Contactless communication unit connector assemblies with signal directing structures

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008079241A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Sharp Corp 検波回路、変調方式判定回路、集積回路、チューナ装置、および多方式共用受信装置
US20100283700A1 (en) * 2009-05-08 2010-11-11 Anokiwave, Inc. Antennas Using Chip-Package Interconnections for Millimeter-wave Wireless Communication

Also Published As

Publication number Publication date
CN103563166B (zh) 2019-01-08
TWI631834B (zh) 2018-08-01
JP2014510493A (ja) 2014-04-24
EP2689492B1 (en) 2020-01-08
WO2012129426A3 (en) 2012-12-27
KR20130141680A (ko) 2013-12-26
US9444146B2 (en) 2016-09-13
KR101582395B1 (ko) 2016-01-11
TW201244391A (en) 2012-11-01
US20120263244A1 (en) 2012-10-18
CN103563166A (zh) 2014-02-05
KR101615082B1 (ko) 2016-04-29
US20160064827A1 (en) 2016-03-03
US9379450B2 (en) 2016-06-28
TWI568200B (zh) 2017-01-21
WO2012129426A2 (en) 2012-09-27
EP2689492A2 (en) 2014-01-29
JP6092269B2 (ja) 2017-03-08
JP2015092751A (ja) 2015-05-14
TW201717552A (zh) 2017-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101615082B1 (ko) 전자기 통신의 집적회로
US10305196B2 (en) Dielectric lens structures for EHF radiation
CN108233974B (zh) 收发模块
TWI606778B (zh) 具有電氣隔離且具有介電傳輸媒介的ehf通訊
KR101776821B1 (ko) 기판 구조들을 이용하는 전자기 신호의 재지향
US20210273326A1 (en) Shielded radio frequency component with integrated antenna and related methods
US9705204B2 (en) Low-profile wireless connectors
JP5959630B2 (ja) デルタ変調低電力ehf通信リンク
US20090230541A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP5734217B2 (ja) 半導体装置
US10098179B2 (en) Electronic device
CN210575925U (zh) 封装模组和雷达系统
CN111554664B (zh) 用于电磁通信的信号隔离结构
US9105462B2 (en) Semiconductor apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190409

Year of fee payment: 4