KR20160003714U - Wafer carrier having a multi-pocket configuration - Google Patents
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Abstract
34 개 내지 36개의 포켓들이 상부 표면에 배열된 웨이퍼 캐리어가 개시된다.A wafer carrier is disclosed wherein 34 to 36 pockets are arranged on the upper surface.
Description
본 고안은 반도체 제조 기술에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 고안은 공정이 진행되는 동안 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 화학적 기상 증착 공정 및 관련 장치에 관한 것이다.This invention relates to semiconductor manufacturing technology. More particularly, the present invention relates to a chemical vapor deposition process and related apparatus for holding a semiconductor wafer during a process.
발광 다이오드(Light-Emitting Diodes; LEDs) 또는 레이저 다이오드, 광학 검출기 및 전계 효과 트랜지스터와 같은 다른 고성능 디바이스의 제조에 있어서, 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정이 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 상에 질화 갈륨과 같은 물질을 이용하여 박막 적층 구조를 성장시키기 위하여 일반적으로 이용되고 있다. CVD 장치는 밀폐 환경으로 공급된 가스가 기판 (일반적으로 웨이퍼의 형태임) 상에서 반응하여 박막들을 성장시키는 공정 챔버를 포함한다. 상기 제조 장치에 관한 현재의 생산 라인의 예로서, 미국 뉴욕주 플레인뷰에 위치한 비코 인스트루먼트(Veeco Instrument)社에서 제조되는 금속 유기 화학적 기상 증착(MOCVD) 시스템의 TurboDisck® 및 EPIK 패밀리를 들 수 있다.In the fabrication of other high performance devices such as light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes, optical detectors and field effect transistors, a chemical vapor deposition (CVD) process is performed on a sapphire or silicon substrate And is generally used for growing a thin film laminated structure using a material such as gallium. A CVD apparatus includes a process chamber in which gases supplied in an enclosed environment react on a substrate (typically in the form of a wafer) to grow thin films. An example of a current production line for the manufacturing apparatus is TurboDisck (R) and EPIK family of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) systems manufactured by Veeco Instrument, Plainview, New York, USA.
온도, 압력 및 가스 유량과 같은 수많은 공정 변수들이 제어되어 원하는 결정 성장을 이룰 수 있다. 서로 다른 박막들은 물질 및 공정 변수를 변화시킴으로써 성장될 수 있다. 예를 들면, Ⅲ-Ⅴ반도체 물질들과 같은 화합물 반도체로부터 형성된 소자들은 MOCVD를 이용한 화합물 반도체의 연속 박막들을 성장시킴으로써 형성될 수 있다. 상기 공정에 있어서, 웨이퍼들은, 상승한 온도에서 유지되는 동안, 웨이퍼의 표면 상으로 흐르는 Ⅲ족 금속의 소스로서 금속 유기 화합물을 전형적으로 포함하고 Ⅴ족 원소의 소스를 포함하는 가스들의 조합에 노출된다. 일반적으로 금속 유기 화합물 및 Ⅴ족 소스는 예를 들면 질소와 같은 반응에서 참가하지 않는 캐리어 가스와 함께 혼합된다. Ⅲ-Ⅴ반도체의 일 예인 질화 갈륨(gallium nitride)은, 예를 들면 사파이어 웨이퍼와 같은 적절한 결정 격자 간격을 갖는 기판 상에 유기 갈륨 화합물 및 암모니아의 반응에 의하여 형성될 수 있다. 상기 웨이퍼는 질화 갈륨 및 관련 화합물의 증착 공정 동안 1,000 내지 1,100°C의 범위의 온도로 흔히 유지된다.Numerous process parameters such as temperature, pressure and gas flow rate can be controlled to achieve the desired crystal growth. Different thin films can be grown by changing material and process parameters. For example, devices formed from compound semiconductors such as III-V semiconductor materials can be formed by growing continuous thin films of compound semiconductors using MOCVD. In this process, the wafers are exposed to a combination of gases, typically containing a metal organic compound as a source of Group III metal flowing over the surface of the wafer and containing a source of Group V elements, while being held at elevated temperatures. In general, the metal organic compound and the Group V source are mixed together with a carrier gas not participating in a reaction such as, for example, nitrogen. Gallium nitride, an example of a III-V semiconductor, can be formed by reaction of an organic gallium compound and ammonia on a substrate having an appropriate crystal lattice spacing such as a sapphire wafer. The wafer is often kept at a temperature ranging from 1,000 to 1,100 ° C during the deposition of gallium nitride and related compounds.
MOCVD 공정에서, 결정 성장은 기판 표면 상에 화학 반응에 의하여 발생하며, 공정 변수들은 특별한 주의를 통하여 제어되어야 요구 조건 하에서 화학 반응이 진행되는 것을 확보할 수 있다. 상기 공정 조건에서 아주 작은 변화가 소자의 특성 및 생산 효율에 악영향을 줄 수 있다. 예를 들면, 질화 갈륨 및 질화 인듐 박막이 형성될 경우, 반도체 표면 온도의 변화가 조성 및 증착막의 밴드갭의 변화를 야기할 수 있다. 인듐은 상대적으로 높은 기압을 가짐에 따라, 증착막의 경우 표면온도가 높은 웨이퍼의 영역들에서는 낮은 인듐의 비율 및 높은 밴드갭을 가질 수 있다. 만약 증착막이 활성막, 엘이디 구조의 발광막일 경우, 상기 웨이퍼 상에 형성되는 엘이디의 발광 파장 또한 받아들이기 어려울 정도로 변할 수 있다.In the MOCVD process, crystal growth is caused by a chemical reaction on the substrate surface, and process parameters must be controlled with special care to ensure that the chemical reaction proceeds under the required conditions. Very small changes in the process conditions can adversely affect device characteristics and production efficiency. For example, when gallium nitride and indium nitride thin films are formed, a change in the semiconductor surface temperature may cause a change in the composition and the band gap of the deposited film. As indium has a relatively high atmospheric pressure, it can have a low indium content and a high band gap in regions of the wafer where the surface temperature is high for the vapor-deposited film. If the evaporation film is an active film or a light emitting film having an LED structure, the emission wavelength of the LED formed on the wafer may also vary to such an extent that it is difficult to accept the emission wavelength.
MOCVD 공정 챔버에 있어서, 박막의 여러 막들이 성장하는 반도체 기판이 빠르게 회전하는 캐로절(carousel, 웨이퍼 캐리어라 함) 상에 위치함으로써 반도체 물질의 층착을 위한 반응 챔버 내에 분위기 하에 반도체 기판의 표면을 균일하게 노출시킬 수 있다. 회전 속도는 1,000 rpm 의 정도이다. 웨이퍼 캐리어는 그라파이트와 같은 높은 열전도성 물질로 일반적으로 이루어지며, 실리콘 카바이드와 같은 보호층 물질로 종종 코팅될 수 있다. 각각의 웨이퍼 캐리어는 일련의 원형 오목 자국(circular indentation) 또는 포켓을 가짐으로써, 각각의 웨이퍼들이 그 상부 표면에 위치할 수 있다. 일반적으로 웨이퍼들은 웨이퍼의 에지 주면에 가스 플로어가 생길 수 있도록 각 포켓의 바닥 표면에 이격된 상태로 지지될 수 있다. 관련 기술의 예로는 미국특허공개번호 제2012/0040097호, 미국특허번호 제8,092,599호, 미국특허번호 제8,021,487호, 미국특허공개번호 제2007/0186853호, 미국특허번호 제6,902,623호, 미국특허번호 제6,506,252호 및 미국특허번호 제6,492,625호를 여기서 참고문헌으로 개시되어 있다.In a MOCVD process chamber, a semiconductor substrate on which various films of a thin film are grown is placed on a carousel (hereinafter referred to as a wafer carrier) in which the semiconductor substrate is rapidly rotated, . The rotation speed is about 1,000 rpm. The wafer carrier is typically made of a highly thermally conductive material, such as graphite, and can often be coated with a protective layer material such as silicon carbide. Each wafer carrier has a series of circular indentations or pockets so that each wafer can be located on its upper surface. In general, the wafers may be spaced apart from the bottom surface of each pocket so that a gas floor may be created on the edge of the wafer. Examples of related technologies are disclosed in U.S. Patent Publication No. 2012/0040097, U.S. Patent No. 8,092,599, U.S. Patent No. 8,021,487, U.S. Patent Publication No. 2007/0186853, U.S. Patent No. 6,902,623, U.S. Patent No. 6,506,252 and U.S. Patent No. 6,492,625, which are hereby incorporated by reference.
웨이퍼 캐리어는 반응 챔버 내의 스핀들 상에 지지되어, 웨이퍼의 노출된 표면을 갖는 웨이퍼 캐리어의 상부 표면은 가스 분배 장치를 향하여 상방으로 향한다. 스핀들이 회전하는 동안, 가스는 웨이퍼 캐리어의 상부 표면으로 하방으로 유도되어 웨이퍼 캐리어의 주변을 향하여 상부 표면을 가로질러서 흐른다. 사용된 가스는 웨이퍼 캐리어 아래에 배치된 포트를 통하여 반응 챔버로부터 배기된다. 웨이퍼 캐리어는 웨이퍼 캐리어의 하부 표면 아래에 배치된 전기 저항성 가열 소자와 같은 가열 소자들에 의하여 특정 상승 온도에서 유지된다. 상기 가열 소자들은 상기 웨이퍼의 표면의 요구 온도 이상의 온도로 유지되는 반면에, 가스 분배 장치는 소정 챔버 온도 이하의 온도로 유지됨에 따라 가스들 간의 예기치 않은 반응을 억제할 수 있다. 따라서, 열은 상기 히팅 소자로부터 웨이퍼 캐리어의 하부 표면으로 전달되어 상기 웨이퍼 캐리어를 통하여 개별 웨이퍼들을 향하여 상방으로 흐르게 된다.The wafer carrier is supported on the spindle within the reaction chamber such that the upper surface of the wafer carrier with the exposed surface of the wafer faces upwardly toward the gas distribution device. While the spindle is rotating, gas is directed downwardly to the upper surface of the wafer carrier and flows across the upper surface toward the periphery of the wafer carrier. The gas used is evacuated from the reaction chamber through a port disposed under the wafer carrier. The wafer carrier is maintained at a certain elevated temperature by heating elements such as an electrically resistive heating element disposed below the lower surface of the wafer carrier. The heating elements are maintained at a temperature above the required temperature of the surface of the wafer while the gas distribution device is maintained at a temperature below a predetermined chamber temperature to suppress unexpected reactions between the gases. Thus, heat is transferred from the heating element to the lower surface of the wafer carrier and flows upwardly through the wafer carrier toward the individual wafers.
상기 웨이퍼 상의 가스 흐름은 각 웨이퍼의 방사 방향의 위치에 따라 변화하여, 최외각 웨이퍼는 회전 중 더 높은 속도로 인하여 더 높은 유속(flow rate)에 노출된다. 심지어 각 개별 웨이퍼에 있어서도 열점(hot spot) 및 냉점(cold spot)과 같은 온도 불균일성이 이다. 상기 온도 불균일성의 형성에 영향을 미치는 변수들 중 하나는 웨이퍼 캐리어 내에 형성되는 포켓들의 형상이다. 일반적으로 포켓 형상은 웨이퍼 캐리어의 표면에 원형 형상으로 형성된다. 상기 웨이퍼가 회전함에 따라 웨이퍼는 최외각 에지(즉, 회전축으로부터 가장 멀리 떨어진 에지)에서 실질적으로 구심력에 영향을 받음으로서, 웨이퍼가 상기 웨이퍼 캐리어 내의 각 포켓의 내벽에 대하여 가압할 수 있다. 이런 조건하에서, 상기 웨이퍼의 최외각 에지 및 포켓 에지 사이에 직접적인 컨택이 발생할 수 있다. 상기 웨이퍼들의 이들 최외각부들에 증가하는 열전도는 온도 불균일성을 초래함으로써, 상술한 문제들을 더욱 악화시킨다. 에지부가 평탄한 웨이퍼(즉, 플랫 웨이퍼)를 고안하는 것과 같이 상기 웨이퍼의 에지 및 포켓의 내벽 사이의 갭을 증가시켜 온도 불균일성을 최소화하려는 노력이 있어 왔다. 상기 웨이퍼의 평탄부는 갭을 만들고 상기 포켓의 내벽과 컨택하는 포인트들을 감소시켜, 온도 불균일성을 완화시키고 있다. 상기 웨이퍼 캐리어에 의하여 유지되는 웨이퍼를 통하여 열 균일도에 영향을 미치는 다른 요소들로는 웨이퍼 포켓의 배치와 함께, 웨이퍼 캐리어의 열 전달 및 열 방출 특성을 들 수 있다. The gas flow on the wafer varies with the radial position of each wafer such that the outermost wafer is exposed to a higher flow rate due to the higher velocity during rotation. Even for each individual wafer there is a temperature non-uniformity such as a hot spot and a cold spot. One of the parameters affecting the formation of the temperature non-uniformity is the shape of the pockets formed in the wafer carrier. Generally, the pocket shape is formed in a circular shape on the surface of the wafer carrier. As the wafer rotates, the wafer is substantially centripetally influenced at the outermost edge (i.e., the edge furthest away from the rotational axis) so that the wafer can press against the inner wall of each pocket in the wafer carrier. Under these conditions, a direct contact may occur between the outermost edge of the wafer and the pocket edge. Increasing thermal conduction to these outermost portions of the wafers causes temperature non-uniformity, thereby exacerbating the problems described above. Efforts have been made to increase the gap between the edges of the wafer and the inner walls of the pockets, such as devising flat wafers (i.e., flat wafers), to minimize temperature non-uniformities. The flat portion of the wafer creates a gap and reduces points of contact with the inner wall of the pocket, thereby alleviating the temperature non-uniformity. Other factors affecting thermal uniformity through the wafer held by the wafer carrier include heat transfer and heat release characteristics of the wafer carrier along with placement of the wafer pocket.
온도 균일도가 요구되는 한편, 웨이퍼 캐리어의 다른 요구되는 특성은 CVD 공정의 생산성을 개선하는 것이다. 상기 생산성을 개선하는 데 있어서의 웨이퍼 캐리어의 역할은 더 많은 개별 웨이퍼들을 유지하는 것이다. 더 많은 웨이퍼들을 보유할 수 있는 웨이퍼 캐리어의 배열을 제공을 통하여 열적 모델에 영향을 초래할 수 있다. 예를 들면, 에지에 인접한 웨이퍼 캐리어의 부분들은 상기 웨이퍼 캐리어 에지들로부터의 방사열 손실에 의하여 다른 부분에 비하여 낮은 온도를 갖는 경향이 있다. While temperature uniformity is required, another desirable property of the wafer carrier is to improve the productivity of the CVD process. The role of the wafer carrier in improving the productivity is to retain more individual wafers. And can affect the thermal model through providing an array of wafer carriers that can hold more wafers. For example, portions of the wafer carrier adjacent to the edge tend to have a lower temperature than other portions due to radiation heat losses from the wafer carrier edges.
따라서, 고밀도 레이아웃에서 온도 균일도 및 기계적인 스트레스에 대한 실질적인 해결책에 대한 연구가 진행되고 있다. Therefore, research is underway on practical solutions to temperature uniformity and mechanical stress in high density layouts.
본 고안은 포켓의 새로운 배열을 포함한다. 여기서 기술되는 배열은 원형 웨이퍼의 성장을 위하여 포켓의 높은 팩킹 밀도 뿐만 아니라 열전달을 용이하게 하기 위한 것이다.The present design includes a new arrangement of pockets. The arrangement described herein is intended to facilitate heat transfer as well as high packing density of pockets for growth of circular wafers.
본 고안의 일 실시예에 따른 화학적 기상 증착 장치에 이용되도록 구성된 웨이퍼 캐리어는, 서로 대향하도록 구비된 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 몸체 및 상기 웨이퍼 캐리어의 상기 상부 표면에 정의되는 복수의 포켓들을 포함하고, 상기 복수의 포켓들은 전체적으로 34개 내지 36개의 포켓으로 구성되며, 상기 포켓들 각각은 3개의 원들 중 하나를 따라 배열되며, 상기 3개의 원들은 상호 동심원을 이루며 상기 상부 표면의 주변에 의하여 형성된 원형 외곽선과도 동심원을 이룬다.A wafer carrier configured for use in a chemical vapor deposition apparatus according to one embodiment of the present invention includes a body having an upper surface and a lower surface opposite to each other and a plurality of pockets defined on the upper surface of the wafer carrier , The plurality of pockets being comprised entirely of 34 to 36 pockets, each of the pockets being arranged along one of the three circles, the three circles being concentric with each other, It is also concentric with the outline.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 중 6개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, six of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles, twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles And eighteen of the plurality of pockets may be arranged along a third one of the three circles.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles, twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles And eighteen of the plurality of pockets may be arranged along a third one of the three circles.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 11개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고, 상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열될 수 있다.In one embodiment of the present invention, five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles, eleven of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles And eighteen of the plurality of pockets may be arranged along a third one of the three circles.
여기서, 상기 제1 원은 상기 제2 원에 의하여 둘러싸여지고, 상기 제2 원은 상기 제3원에 의하여 둘러싸여질 수 있다. Here, the first circle may be surrounded by the second circle, and the second circle may be surrounded by the third circle.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 각각은 50 mm의 포켓 직경을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the plurality of pockets may have a pocket diameter of 50 mm.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 포켓들 각각은 430 ㎛의 깊이를 갖는 원주형 벽(radial wall)을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the plurality of pockets may have a radial wall having a depth of 430 [mu] m.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 하부 표면에 배열된 잠금 구조가 추가적으로 구비될 수 있다.In one embodiment of the present invention, a locking structure arranged on the lower surface may additionally be provided.
여기서, 상기 잠금 구조는 상기 하부 표면의 기하학적 중심에 배열될 수 있다. 또한, 상기 잠금 구조는 스플라인, 척 또는 절삭된 피팅(keyed fitting)로부터 선택될 수 있다.Here, the locking structure may be arranged in the geometric center of the lower surface. In addition, the locking structure may be selected from splines, chucks, or keyed fittings.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 상부 표면 및 상기 하부 표면 각각은 직경을 가지며, 상기 상부 표면의 직경이 상기 하부 표면의 직경보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the upper surface and the lower surface has a diameter, and the diameter of the upper surface may be greater than the diameter of the lower surface.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어는 금속 산화물 화학 기상 증착 장치에 이용되도록 구비될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the wafer carrier may be adapted for use in a metal oxide chemical vapor deposition apparatus.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 포켓들은 삽입 공간을 통하여 상호 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the pockets may be interconnected through an insertion space.
본 고안의 일 실시예에 있어서, 상기 포켓들 각각은 공통되는 링 내에 포켓들 상호간을 서로 인접하게 배열되도록 평탄부를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the pockets may include a flat portion so that the pockets in the common ring are arranged adjacent to each other.
멀티 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어에 포함된 복수의 포켓들은 전체적으로 34개 내지 36개의 포켓으로 구성되며, 상기 포켓들 각각은 3개의 원들 중 하나를 따라 배열되며, 상기 3개의 원들은 상호 동심원을 이루며 상기 상부 표면의 주변에 의하여 형성된 원형 외곽선과도 동심원을 이룬다. 이로써, 웨이퍼 캐리어가 보다 많은 웨이퍼를 수용할 수 있는 고밀도 레이아웃을 이루는 동시에 전체적으로 개선된 온도 균일도를 이룰 수 있다.A plurality of pockets included in a wafer carrier having a multi-pocket configuration are generally comprised of 34 to 36 pockets, each of the pockets being arranged along one of the three circles, the three circles being concentric with each other, It is also concentric with the circular outline formed by the periphery of the upper surface. This allows the wafer carrier to achieve a high density layout that can accommodate more wafers while at the same time achieving an overall improved temperature uniformity.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 MOCVD 공정 챔버를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 측면도이다.
도 5는 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어를 나타내는 저면도이다.
도 6은 본 고안의 일 실시예에 따른 14 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어의 일부를 나타내며, 사시도로부터 하나의 포켓을 보여주는 상세도이다.
도 7 내지 도 9는 35개의 포켓들을 갖는 웨이퍼 캐리어의 일 예를 나타낸다.
도 10 내지 도 12는 34개의 포켓들을 갖는 웨이퍼 캐리어의 일 예를 나타낸다.1 is a schematic diagram illustrating a MOCVD process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
3 is a plan view showing a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
4 is a side view of a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
5 is a bottom view of a wafer carrier having a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention;
6 shows a portion of a wafer carrier with a 14 pocket configuration according to one embodiment of the present invention and is a detail view showing one pocket from a perspective view.
Figures 7-9 illustrate an example of a wafer carrier having 35 pockets.
Figures 10-12 illustrate an example of a wafer carrier having 34 pockets.
이하, 본 고안은 본 고안의 실시예들을 보여주는 첨부 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명된다. 그러나, 본 고안은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 고안이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 고안의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 고안의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings showing embodiments of the present invention. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art of the present invention, rather than being provided so that this disclosure will be thorough and complete.
하나의 요소가 다른 하나의 요소 또는 층 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로서 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들 또는 층들이 이들 사이에 게재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접적으로 배치되거나 연결되는 것으로서 설명되는 경우, 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.When an element is described as being placed on or connected to another element or layer, the element may be directly disposed or connected to the other element, and other elements or layers may be placed therebetween It is possible. Alternatively, if one element is described as being placed directly on or connected to another element, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .
하기에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 고안을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 고안의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 고안의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed as having a meaning consistent with their meaning in the context of the description of the relevant art and the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.
본 고안의 실시예들은 본 고안의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들인 단면 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화들은 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 고안의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되는 것은 아니라 형상들에서의 편차들을 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 영역들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상들은 영역의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 고안의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to cross-sectional illustrations that are schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, such as changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be expected. Accordingly, the embodiments of the present invention are not to be construed as being limited to the specific shapes of the regions illustrated by way of illustration, but rather to include deviations in shapes, the regions described in the Figures being entirely schematic and their shapes It is not intended to be exhaustive or to limit the scope of the invention.
이하에서는 본 고안에 의한 바람직한 실시예를 첨부도면을 기준으로 하여, 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 MOCVD 공정 챔버를 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a MOCVD process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 공정 챔버(10)는 공정이 진행되는 환경 공간을 정의한다. 가스 분배 장치(12)는 챔버의 일 단에 배열된다. 상기 가스 분배 장치(12)가 배열된 일 단은 상기 공정 챔버(10)의 상단으로 여기에서는 정의된다. 반드시 필요하지 않으나 상기 챔버의 일단은 일반적인 중력 프레임에서는 챔버의 상부에 배치된다. 따라서, 여기서 사용되는 하방은 가스 분배 장치(12)로부터 멀어지는 방향을 의미한다. 반면에, 상방은 챔버 내에서 가스 분배 장치(12)를 향하는 방향을 의미한다. 나아가, 이들 방향들은 중력에 따른 상방 및 하방에 배열되는 것과는 무관한다. 유사하게, 소자의 상부(top) 및 하부(bottom) 표면들은 반응 챔버(10) 및 가스 분배 장치(12)의 기본적인 표준(frame of reference)에 기초하여 기술된다.Referring to FIG. 1, the
가스 분배 장치(12)는 소스(14, 16 및 18)에 연결되어, 웨이퍼 처리 공정에서 이용되는 공정 가스, 예를 들면 캐리어 가스 및 금속 유기 화합물과 Ⅴ족 금속의 소스와 같은 공정 가스를 제공한다. 가스 분배 장치(12)는, 여러 가지 가스들을 공급받아 일반적으로 하방으로 공정 가스의 흐름을 유도한다. 바람직하게 가스 분배 장치(12)는 동작 중 특정 온도에서 가스 분배 장치(12)의 온도를 유지시키기 위하여 가스 분배 장치(12)를 통하여 액체를 순환시킬 수 있도록 배열된 쿨런트 시스템(coolant system)에 연결된다. 도시되어 있지 않지만 유사한 쿨런트 시스템이 상기 반응 챔버(10)의 벽을 냉각시키기 위하여 제공될 수 있다. 반응 챔버에는, 상기 가스 분배 장치(12)로부터 하방으로 가스의 연속적인 흐름을 가능하게 하도록 챔버의 바닥부에 또는 바닥부와 인접하게 포트(미도시)를 통하여 챔버(10) 내부로부터 소비된 가스를 제거하기 위하여 배열된 배기 시스템(22)이 구비된다.
스핀들(24)은 챔버(10) 내에 배열되어 스핀들(24)의 중심축(26)이 상방 및 하방으로 연장된다. 스핀들(24)은 베어링 및 밀봉재(미도시)를 이용하는 종래의 회전식 관통 장치(rotary pass-through device)에 의하여 챔버에 장착되어 스핀들(24)이 중심축(26)을 중심으로 회전하면서, 스핀들(24) 및 반응 챔버(10)의 벽 사이의 밀봉이 유지된다. 상기 스핀들(24)은 탑, 즉 가스 분배 장치(12)에 인접하는 스핀들의 단부에 피팅(fitting; 30)을 포함한다. 아래와 설명한 것과 같이, 피팅(30)은 상기 웨이퍼 캐리어에 이탈가능하게 개재되도록 적용된 웨이퍼 캐리어 유지 구조의 일 예이다. 기술된 특정 실시예에 있어서, 피팅(30)은 스핀들의 상단부(top end)를 향하여 테이퍼링되고 평탄한 탑 상부 표면에서 종단되는 절단된 원뿔 형상 소자에 해당한다. 상기 절단된 원뿔 소자는 원뿔의 절두체(frustum) 형상을 갖는 소자이다. 스핀들(24)은 전기 모터 드라이버와 같은 회전 드라이브 구조(32)에 연결되어 상기 중심축(26)에 대하여 스핀들(24)을 회전시키도록 구비된다.The
히팅 소자(34)는 챔버 내에 장착되어 피팅(30) 아래의 스핀들(24)을 감싸도록 구비된다. 반응 챔버(10)는 또한 곁방(antichamber; 38)으로 이르는 출입구(36) 및 상기 출입구를 개폐하는 도어(40)를 포함한다. 도어(40)는 도 1에서 단지 개략적으로 도시되어 있으며, 도어가 곁방(38)로부터 상기 반응 챔버(10)의 내부를 격리시키도록 실선으로 도시된 폐쇄 위치 및 파선(40')으로 도시된 개방 위치 사이세 이동가능하게 구비된다. 도어(40)는 적당한 컨트롤 및 액츄에이션 구조를 구비함으로써 상기 개방 위치 및 폐쇄 위치 사이에서 이동 가능하다. 실제로, 도어는 상방 및 하방으로 이동가능하게 구비된 셔터를 포함할 수 있으며, 이는, 예를 들면, 미국특허 제7,276,124호에서 참고적으로 개시되어 있다. 도1에 도시된 장치는 곁방(38)에서부터 챔버로 웨이퍼 캐리어를 이동시키고 구동 조건에서 웨이퍼 캐리어를 스핀들(24)에 장착시킬 수 있으며 나아가 스핀들(24)로부터 해제된 웨이퍼 캐리어를 곁방(38)으로 이동시킬 수 있는 로딩 구조(미도시)를 더 포함할 수 있다. A
또한, 장치는 복수의 웨이퍼 캐리어를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 구동 조건에서, 제1 웨이퍼 캐리어(42)는 구동 조건에서 반응 챔버(10) 내부에 배치되는 반면에, 제2 웨이퍼 캐리어(44)는 곁방(38) 내에 위치한다. 각각의 웨이퍼 캐리어는 중심축을 갖는 원형 디스크의 형태인 바디(46)를 포함한다(도 2 참조). 바디(46)는 축에 대하여 대칭으로 형성된다. 구동 조건에서, 상기 웨이퍼 캐리어 바디의 축은 스핀들(24)의 중심축(26)과 일치한다. 바디(46)는 단일 조각 또는 복수의 조각이 결합된 형태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 본원의 참조 문헌으로서 미국특허공개번호 제2009/0155028호에 개시된 것과 같이, 웨이퍼 캐리어 바디는 중심축을 둘러싸는 바디의 작은 영역(small region) 및 디스크 형상의 바디의 나머지로 정의되는 넓은 영역(large region)을 포함한다. 바디(46)는 공정을 오염시키지 않으면서 공정에서 적용되는 온도를 견딜 수 있는 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 디스크의 넓은 영역은 그라파이트, 실리콘 카바이드 또는 다른 내화성 물질과 같은 물질로 대략적으로 도는 전체적으로 형성될 수 있다. 바디(46)는 상호 평행하게 연장되며, 디스크의 중심축에 대하여 전체적으로 수직한 평탄한 상부면(48)을 포함한다. 바디(46)는, 복수의 웨이퍼들을 유지하도록 채택된 단수 또는 복수의 웨이퍼-홀딩 기능을 가진다.Further, the apparatus may comprise a plurality of wafer carriers. 1, the
구동 중에, 사파이어, 실리콘 카바이드 또는 다른 결정성 기판으로부터 형성된 디스크 형상의 웨이퍼(54)는 각 웨이퍼 캐리어의 각 포켓(56) 내에 배치된다. 일반적으로, 웨이퍼(54)는 주 표면(major surfaces)의 크기에 비교하여 작은 두께를 가진다. 예를 들면, 직경이 약 2인치(50 mm)의 원형 웨이퍼는 430㎛ 이하의 두께를 가진다. 도 1에 도시된 바와 같이 웨이퍼(54)는 상방으로 향하는 상부 표면과 함께 배치되어 상부 표면은 웨이퍼 캐리어의 상부에서 노출된다. 여러 실시예들에 있어서 웨이퍼 캐리어(42)는 서로 다른 개수의 웨이퍼들을 운반할 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 있어서, 웨이퍼 캐리는 6개의 웨이퍼를 유지하도록 채택될 수 있으며, 도 2에 도시된 것과 같이 다른 실시예에 있어서, 웨이퍼 캐리어는 25개의 웨이퍼를 유지한다.During operation, a disk-shaped
일반적인 MOCVD 공정에 있어서, 웨이퍼가 로딩된 웨이퍼 캐리어는 곁방(38)에서부터 반응 챔버(10)로 로딩되어 도1에 도시된 바와 같이 구동 위치에 위치하게 된다. 상기 상태에서, 웨이퍼의 상부 표면은 상방으로, 가스 분배 장치(12)를 향하고 있다. 히팅 소자(34)가 구동하고 회전 드라이버 구조(32)가 구동하여 스핀들(24) 및 웨이퍼 캐리어(42)를 축(26) 주위를 따라 회전시킨다. 일반적으로 스핀들(24)은 분당 50-1,500 회전수(rpm)를 갖는 회전 속도로 회전한다. 공정 가스 공급 유닛들(14, 16 및 18)이 구동하여 가스 분배 장치(12)를 통하여 가스를 공급한다. 가스는 웨이퍼 캐리어(42)를 향하고, 웨이퍼 캐리어(42) 및 웨이퍼(54)의 상부 표면의 위 및 웨이퍼 캐리어의 주변을 지나서 출구 및 배기 시스템(22)에 이르기 까지 하방으로 흐른다. 따라서, 웨이퍼 캐리어의 상부 표면 및 웨이퍼(54)의 상부 표면은 복수의 공정 가스 공급 유닛들에 의하여 공급되는 여러 가스들의 혼합물을 포함하는 공정 가스에 노출된다. 특히, 상부 표면에서 공정 가스는 캐리어 가스 공급 유닛(16)에 의하여 공급되는 캐리어 가스로 대부분 이루어진다. 특정한 화학적 기상 증착 공정에서, 캐리어 가스는 질소로 이루어져서, 웨이퍼 캐리어의 상부 표면에서의 공정 가스는 일정량의 반응 가스 성분과 함께 질소로 대부분 이루어진다.In a general MOCVD process, the wafer carrier loaded with wafers is loaded into the
히팅 소자(34)는 열을 웨이퍼 캐리어(42)의 하부 표면(52)에 복사 열전달에 의하여 전달한다. 웨이퍼 캐리어(42)의 하부 표면(52)에 인가되는 열은 웨이퍼 캐리어의 바디(46)를 통하여 웨이퍼 캐리어의 상부 표면(48)에 이르기까지 전달된다. 바디를 지나 상방으로 전달되는 열은 갭을 지나서 각 웨이퍼(54)의 하부 표면을 상방으로 지나게 된다. 열은 웨이퍼 캐리어(42)의 상부 표면(48)으로부터 또한 웨이퍼(54)의 상부 표면으로부터 공정 챔버의 차가운 소자들, 예를 들면 공정 챔버의 벽 및 가스 분배 장치(12)로 방출된다. 열은 웨이퍼 캐리어(42)의 상부 표면(48) 및 웨이퍼의 상부 표면으로부터 상기 표면들 상에 흐르는 공정 가스에 전달될 수 있다.The
기술된 실시예에 있어서, 시스템은 각 웨이퍼(54)의 표면의 히팅 균일도를 결정할 수 있는 여러 가지 구성들을 포함한다. 본 실시예에 있어서, 온도 프로파일링 시스템(58)은 온도 모니터(60)로부터 온도 및 온도 모니텅링 위치 정보를 포함하는 온도 과련 정보를 수집한다. 또한, 온도 프로파일링 시스셈(58)은 로터리 드라이버 구성(32)로부터 전달되는 웨이퍼 캐리어 위치 정보를 수집한다. 본 정보와 함께 온도 프로파일링 시스템(58)은 웨이퍼 캐리어(42)상의 포켓(56)의 온도 프로파일을 구성한다. 온도 프로파일은 각 포켓(56) 또는 포켓에 유지되는 웨이퍼(54)의 표면상의 온도 분포를 나타낸다.In the described embodiment, the system includes various configurations that can determine the heating uniformity of the surface of each
도 2 및 도 3을 참고하면, 도 2는 본 실시예에 따른 웨이퍼 캐리어(142)의 사시도에 해당하며, 도 3은 같은 웨이퍼 캐리어(142)의 평면도에 해당한다. 웨이퍼 캐리어(142)는 상부 표면(148)을 갖는 바디(146) 및 그 내부에 36개의 포켓들(162)을 포함한다. 도 2 및 도 3에 도시된 실시예에서, 포켓들(162)은 3개의 원(R1, R2 및 R3)에 따라 배열되며, 이들은 바디(146)의 외각 에지에 의하여 정의되는 원과 동심축이다. 방사 방향으로 내부 원(R1)에 있어서, 6개의 포켓들(162)이 방사각으로 균일하게 이격되어 있다. 이와 유사하게, 방사 방향으로 중간원(R2)에 있어서, 12개의 포켓들(162)이 방사각으로 균일하게 이격되어 있다. 방사 방향으로 외각원(R3)에 있어서, 18개의 포켓들(162)이 방사각으로 균일하게 이격되어 있다. 각 포켓들은 상부 표면(148)이 배열된 평면에 실질적으로 수직하게 연장되도록 바디(146)에 형성된 개구(aperture)에 해당한다.Referring to FIGS. 2 and 3, FIG. 2 corresponds to a perspective view of the
도 2 및 도3에서 도시된 포켓들은 배열은 상부 표면(148) 상에 상대적으로 높은 포켓(162)의 밀도를 유지한 상태에서, 원하는 정도의 열 균일성을 제공하는 데 이점이 있다. 실시예에 있어서, 상부 표면(148)은 약 300mm의 직경을 가질 수 있다. 포켓들(162)은 이 크기에 적합하게 크기가 조절된다. 예를 들면, 포켓(162)은 약 50mm 의 직경을 가질 수 있다. The pockets shown in Figures 2 and 3 have the advantage that the arrangement provides a desired degree of thermal uniformity while maintaining the density of the relatively
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 포켓들(162)은 상호 중첩되어 상기 포켓들(162)에서 성장된 웨이퍼는 해당 포켓들(162) 중 하나에 인접한 것과 각 원(R1, R2 및 R3)에서 연결된다. 완전히 성장될 경우, 포켓들(162)에 성장한 모든 웨이퍼들은 같은 원의 모든 포켓들(162)에서 성장된 다른 웨이퍼들 각각과 기계적으로 상호 연결된다. 웨이퍼들은 이후, 분리된다. 상기 웨이퍼들이 상호 기계적으로 연결되도록 성장됨에 따라 각 개별 포켓(162)에서 성장한 웨이퍼들은, 바디(146)가 회전할 때 회전할 수 없다. 이는 전술한 바와 같이 그들의 에지들 따라 성장하는 웨이퍼에 충격을 야기할 수 있다.As shown in Figures 2 and 3, the
도 4를 참고하면, 도 4는 도 2 및 도 3의 웨이퍼 캐리어(142)의 측면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이 상부 표면(148) 및 하부 표면(152)의 상대적인 크기 차이가 있다. 특히, 상부 표면(148)은 도4에 도시된 바와 같이 페이지의 상부 및 하부를 향하거나, 도 2 및 도3에 도시된 도면에서 방사 방향으로 추가적으로 연장된다. 이전에 도 2 및 도 3에서 도시된 각 포켓들(162)은 상부 표면(148)로부터 하부 표면(152)을 향하여 연장된다. 하부 표면(152)은 웨이퍼 캐리어(142)에서 웨이퍼가 성장할 수 있도록 단단한 베이스를 제공한다.Referring to FIG. 4, FIG. 4 is a side view of the
도 5는 도 2 내지 도 4를 참고로 전술한 웨이퍼 캐리어(142)의 저면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 캐리어(142)는 바닥면(152)의 중심에서 잠금 구조(164)를 포함한다. 잠금 구조(164)는 도1에 전술한 스핀들(24)의 피팅(30)과 같은 다른 구성과 결합하도록 구비된다. 여러 실시예에 있어서, 잠금 구조(164)는 예를 들면, 스플라인, 척 또는 절삭된 피팅(keyed fitting)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 본 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 여러 가지 구조들이 인접하는 구성으로부터 웨이퍼 캐리어에 회전 모멘텀을 부가할 수 있음을 알 수 있을 것이다.5 is a bottom view of the
하부 표면(152)은 열전달이 가능하게 고안된 모든 물질일 수 있다. 전술한 바와 같이 실시예에 있어서 인접하는 열 소자(도1에 도시된 히팅 소자(34)와 같이)로부터 하부 표면(152)에 열을 전달하도록 구비된다. 여기서, 하부 표면(152)은 상대적으로 낮은 반사도를 갖는 물질일 수 있으며, 이러한 물질로 코팅될 수 있다.The
웨이퍼 캐리어(142)는 그라파이트 또는 그라파이트-코팅 물질과 같이 에피택셜 성장에 적합한 물질로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 웨이퍼 캐리어(142)를 이루는 물질은 원하는 결정격자 배열 또는 크기에 부합하도록 선택될 수 있다. 이와 유사하게 성장시키고자 하는 웨이퍼에 따라, 포켓들(162)이 서로 다른 크기를 가질 수 있다.The
도 6은 포켓들(162) 중 하나를 나타내는 부분 사시도이다. 포켓들(162) 각각은 삽입 공간(170)을 제외하고는 실질적으로 실린더 형상을 갖는 측벽(166)을 포함한다. 여기서, 포켓(162)은 같은 원에서 인접하는 포켓(162A, 162B)에 중첩된다. 상기 측벽(166)에 의하여 형성되는 실린더의 바닥은 물질(168)에 해당한다. 본 실시예에 있어서, 측벽(166)은 약 430 ㎛의 깊이를 가질 수 있다.6 is a partial perspective view showing one of the
도 7 내지 도 9는 35개의 포켓들(262)을 갖는 웨이퍼 캐리어(242)의 다른 실시예를 나타낸다. Figures 7-9 illustrate another embodiment of a
도 7 내지 도 9에 도시된 각 구성들은 도 2 내지 도 6을 참고로 전술한 실시예의 참조번호로 표시된 구성에 실질적으로 유사하다. 보다 명확하게는, 도 7 내지 도 11에 도시된 유사한 구성들은 도 2 내지 도 6에 도시된 대응 구성에 대응되도록 참조 번호로 기술되며, 100 값으로 반복된다(즉, 예를 들면, 웨이퍼 캐리어(142)는 웨이퍼 캐리어(242)와 실질적으로 유사하며, 포켓(162)은 포켓(262)과 실질적으로 유사하다). 예를 들면, 웨이퍼 캐리어(242) 상에 포켓(262)의 다른 배열에 의하여 삽입 공간(270)의 크기와 같이 상기 구성들 중 부분적으로 다른 반면에, 도 2 내지 도 6을 참고로 전술한 배열의 효과는 도 7 내지 도 9를 참조로 도시된 실시예에서도 유효하다.7 to 9 are substantially similar to those shown by reference numerals in the above-described embodiments with reference to Figs. 2 to 6. Fig. More precisely, similar arrangements shown in Figs. 7 to 11 are described by reference numerals to correspond to the corresponding arrangements shown in Figs. 2 to 6 and are repeated with a value of 100 (i.e., for example, a
도 10 내지 도 12는 34개의 포켓들을 갖는 웨이퍼 캐리어(342)의 다른 실시예를 나타낸다. 도 10 내지 도 12에 도시된 각 구성들은 도 2 내지 도 6 또는 도 7 내지 도 9을 참고로 전술한 실시예의 참조번호로 표시된 구성에 실질적으로 유사하며, 100 값으로 반복된다(즉, 예를 들면 웨이퍼 캐리어(142, 242)는 웨이퍼 캐리어(342)와 실질적으로 유사하며, 포켓(162, 262)은 포켓(362)과 실질적으로 유사하다). 하나의 예외로서, 포켓(362)과 상기 원에서의 이웃들 사이의 가장 가까운 위치에 배열되는 평탄부(372A, 372B)가 있다. 평탄부(372A, 372B)에 의하여 인접하는 포켓들(362) 사이의 충분한 간격이 가능하게 된다. 따라서, 도 10 내지 도 12에 도시된 실시예에 있어서, 포켓들(362)들은, 도 2 내지 도 6 및 도 7 내지 도 9를 참고로 도시된 실시예와 같이 상호 연결되지 않다. 평탄부(372A, 372B)는 에피택셜 성장 중에서 각 포켓(362) 내에 성장되는 웨이퍼의 회전을 억제할 수 있다.10-12 illustrate another embodiment of a
지금까지는 본 고안의 바람직한 실시예를 기준으로 본 고안의 기술적 사상을 설명하였으나, 본 고안의 기술적 사상은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 실용신안등록청구범위에 구체화된 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범주에서 다양한 형태로 변형되어 구현될 수 있다.Although the technical idea of the present invention has been described based on the preferred embodiment of the present invention so far, the technical idea of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the technical idea of the present invention, And can be modified and implemented in various forms without departing from the scope.
Claims (14)
서로 대향하도록 구비된 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 몸체; 및
상기 웨이퍼 캐리어의 상기 상부 표면에 정의되는 복수의 포켓들을 포함하고,
상기 복수의 포켓들은 전체적으로 34개 내지 36개의 포켓으로 구성되며, 상기 포켓들 각각은 3개의 원들 중 하나를 따라 배열되며, 상기 3개의 원들은 상호 동심원을 이루며 상기 상부 표면의 주변에 의하여 형성된 원형 외곽선과도 동심원을 이루는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.A wafer carrier configured for use in a chemical vapor deposition apparatus,
A body having an upper surface and a lower surface facing each other; And
A plurality of pockets defined on the upper surface of the wafer carrier,
Wherein the plurality of pockets are comprised entirely of 34 to 36 pockets, each of the pockets being arranged along one of the three circles, the three circles being concentric with each other and having a circular contour Wherein the wafer carrier has a transverse concentric circle.
상기 복수의 포켓들 중 6개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The method according to claim 1,
Six of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles,
Twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles,
And eighteen of the plurality of pockets are arranged along a third one of the three circles.
상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 12개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The method according to claim 1,
Five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles,
Twelve of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles,
And eighteen of the plurality of pockets are arranged along a third one of the three circles.
상기 복수의 포켓들 중 5개는 상기 3개의 원들 중 제1 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 11개는 상기 3개의 원들 중 제2 원을 따라 배열되고,
상기 복수의 포켓들 중 18개는 상기 3개의 원들 중 제3 원을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 캐리어.The method according to claim 1,
Five of the plurality of pockets are arranged along a first one of the three circles,
Eleven of the plurality of pockets are arranged along a second one of the three circles,
And eighteen of the plurality of pockets are arranged along a third one of the three circles.
5. The wafer carrier of claim 4, wherein each of the pockets includes a flat portion such that the pockets in the common ring are arranged adjacent to one another.
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