KR20150118549A - 유기 전계발광 물질 및 소자 - Google Patents

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Abstract

인접 분자의 비양성자화를 방지하는 분자내 H 결합 특성을 갖는 인광성 착물이 설계된다.

Description

유기 전계발광 물질 및 소자{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 각각의 전체 내용을 본 명세서에서 참고로 인용하는, 2014년 4월 14일 출원된 미국 가특허 출원 제61/979,103호 및 2014년 5월 12일 출원된 미국 가특허 출원 제61/991,720호의 우선권을 주장한다.
공동 연구 계약에 대한 당사자
당해 발명은 합동 산학 연구 협약에 따라 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간, 프린스턴 유니버시티, 더 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 및 더 유니버셜 디스플레이 코포레이션 당사자 중 하나 이상에 의하여, 이를 대신하여 및/또는 이와 관련하여 완성되었다. 협약은 당해 발명이 완성된 일자에 그리고 일자 이전에 발효되었으며, 당해 발명은 협약서의 범주내에서 수행된 활동의 결과로서 완성되었다.
발명의 분야
본 발명은 에미터로서 사용하기 위한 화합물, 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드와 같은 소자에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 소자는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 소자를 제조하는데 사용되는 다수의 물질은 비교적 저렴하여 유기 광전자 소자는 무기 소자에 비하여 경제적 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 성질, 예컨대 이의 가요성은 가요성 기판상에서의 제조와 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 될 수 있다. 유기 광전자 소자의 예로는 유기 발광 소자(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 소자를 가로질러 전압을 인가시 광을 방출하는 유기 박막을 사용하게 한다. OLED는 평판 패널 디스플레이, 조명 및 역광과 같은 적용예에 사용하기 위한 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 물질 및 형상은 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
인광 발광 분자에 대한 하나의 적용예는 총 천연색 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로서 지칭하는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 색상은 당업계에 공지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다.
녹색 발광 분자의 일례로는 하기 화학식을 갖는 Ir(ppy)3으로 나타낸 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다:
Figure pat00001
본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)으로의 배위 결합을 직선으로 도시한다.
본원에서, 용어 "유기"라는 것은 유기 광전자 소자를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬 기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제거하지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄상에서의 측쇄기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 투입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 부분상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 부분으로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 부분은 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 밝혀졌다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층"의 상부에 위치하는" 것으로 기재될 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재할 수 있을지라도, 캐소드는 애노드"의 상부에 위치하는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있거나 및/또는 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 직접적으로 기여하는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 성질을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 기여하지 않는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1의 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 레벨이 진공 에너지 레벨에 근접할 경우, 제1의 에너지 레벨은 제2의 HOMO 또는 LUMO보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 레벨에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 레벨은 더 작은 절대값을 갖는 IP에 해당한다(IP는 음의 값이 더 작다). 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 레벨은 절대값이 더 작은 전자 친화도(EA)에 해당한다(EA의 음의 값이 더 작다). 상부에서의 진공 레벨을 갖는 통상의 에너지 레벨 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 레벨은 동일한 물질의 HOMO 에너지 레벨보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 레벨은 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 레벨보다 상기 다이아그램의 상부에 더 근접한다는 것을 나타낸다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1의 일 함수의 절대값이 더 클 경우, 제1의 일 함수는 제2의 일 함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일 함수는 일반적으로 진공 레벨에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일 함수의 음의 값이 더 크다는 것을 의미한다. 상부에서 진공 레벨을 갖는 통상의 에너지 레벨 다이아그램에서, "더 높은" 일 함수는 진공 레벨로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 도시된다. 그래서, HOMO 및 LUMO 에너지 레벨의 정의는 일 함수와는 상이한 조약을 따른다.
OLED에 대한 세부사항 및 전술한 정의는 미국 특허 제7,279,704호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌의 개시내용은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
비배위 질소를 포함하는 착물의 분해에 대해 제안된 기전은 비배위 질소가 인접 분자를 비양성자화함으로써 염기로서 작용하여 비발광성 및 잠재적 이온성 반응 생성물을 생성시키는 사건에 대한 것이다. 이 사건은 여기 상태에서 또는 소자 환경에서 발견되는 하전 상태의 존재 하에서 일어날 수 있다. 그러나, 비배위 질소의 비양성자화를 최소화하기 위해 사용되는 일부 방법은 예컨대 광발광 양자 수율(PLQY)을 감소시켜 착물의 다른 특성에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 소정의 물리적 특성을 유지하면서 비배위 질소의 양성자화를 받지 않는 신규한 화합물이 당업계에 필요하다. 본 발명은 이 충족되지 않은 필요를 해결한다.
발명의 개요
일구체예에 따르면, 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물이 제공된다:
Figure pat00002
Figure pat00003
상기 화학식에서,
X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
리간드 L은 금속 M에 배위되며;
리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성하고;
여기서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 포함하며:
식 1
Figure pat00004
상기 식에서, Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택되며;
식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드로 이동된다.
일구체예에서, 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.4 ppm 이상 다운필드로 이동된다. 다른 구체예에서, 상기 화합물은 77K에서보다 실온에서 더 작은 고에너지 말단에서의 제1 피크 파장으로 발광한다. 다른 구체예에서, Z1은 탄소이고, Z2는 질소이다. 다른 구체예에서, Z1은 알킬의 탄소이고, Z2는 피리딘의 질소이다. 다른 구체예에서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된다. 다른 구체예에서, M은 Ir 또는 Pt이다. 다른 구체예에서, 상기 화합물은 동종리간드성(homoleptic)이다. 다른 구체예에서, 상기 화합물은 이종리간드성(heteroleptic)이다. 다른 구체예에서, Z2는 X1~X13 중 하나이고, 질소이다. 다른 구체예에서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 4개 이상의 공유 결합이다. 다른 구체예에서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 5개 이상의 공유 결합이다. 다른 구체예에서, X는 O이다.
일구체예에서, 상기 화합물은 Ir(L)n(L')3-n의 화학식을 가지며;
여기서, L'는 군 A에서 선택되고;
n은 1, 2, 또는 3이다.
일구체예에서, n은 3이다. 다른 구체예에서, L'는 L과 상이하다.
일구체예에서, 상기 화합물은 Pt(L)m(L')2-m의 화학식을 가지며;
여기서, L'는 군 A에서 선택되고;
m은 1 또는 2이다.
일구체예에서, m은 1이고, L 및 L'는 연결되어 네자리 리간드를 형성한다. 다른 구체예에서, m은 1이고; L 및 L'는 2개의 위치에서 연결되어 대환식(macrocyclic) 네자리 리간드를 형성한다.
일구체예에서, 리간드 L은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:
Figure pat00005
Figure pat00006
Figure pat00007
Figure pat00008
.
일구체예에서, 상기 화합물은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:
Figure pat00009
Figure pat00010
Figure pat00011
Figure pat00012
Figure pat00013
.
다른 구체예에 따르면, 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물이 제공된다:
Figure pat00014
Figure pat00015
상기 화학식에서,
X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
리간드 L은 금속 M에 배위되며;
리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성하고;
여기서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 포함하며:
식 1
Figure pat00016
상기 식 중,
Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택되며;
식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동된다.
일구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 37% 이상 다운필드로 이동된다.
다른 구체예에 따르면, 제1 유기 발광 소자를 포함하는 제1 소자도 제공된다. 제1 유기 발광 소자는 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함할 수 있다. 상기 유기층은 리간드 L을 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 상기 제1 소자는 소비자 제품, 유기 발광 소자, 전자 부품 모듈 및/또는 조명 패널일 수 있다.
일구체예에서, 상기 제1 소자는 제1 유기 발광 소자를 포함하며, 제1 유기 발광 소자는
애노드;
캐소드; 및
애노드와 캐소드 사이에 배치되며, 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
을 포함한다:
Figure pat00017
Figure pat00018
상기 화학식에서,
X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
리간드 L은 금속 M에 배위되며;
리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성하고;
여기서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 가지며:
식 1
Figure pat00019
Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택되며;
여기서,
(a) 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드로 이동되거나; 또는
(b) 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동된다.
일구체예에서, 제1 소자는 소비자 제품, 전자 부품 모듈, 유기 발광 소자 및 조명 패널로 이루어진 군에서 선택된다. 다른 구체예에서, 유기층은 발광층이고, 화합물은 발광성 도펀트 또는 비발광성 도펀트이다. 다른 구체예에서, 유기층은 전하 수송층이고, 화합물은 유기층 내 전하 수송 물질이다. 다른 구체예에서, 유기층은 차단층이고, 화합물은 유기층 내 차단 물질이다.
일구체예에서, 유기층은 호스트를 더 포함하며; 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합된 티오펜 또는 벤조 융합된 푸란을 포함하고;
호스트 내 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡CCnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, CnH2n-Ar1로 이루어진 군에서 선택되는 비융합 치환기이거나, 또는 비치환이며;
n은 1~10이고;
Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군에서 선택된다.
일구체예에서, 유기층은 호스트를 더 포함하며, 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화학적 기를 포함한다.
일구체예에서, 유기층은 호스트를 더 포함하며, 호스트는 하기로 이루어진 군에서 선택된다:
Figure pat00020
Figure pat00021
및 이의 조합.
일구체예에서, 유기층은 호스트를 더 포함하며, 호스트는 금속 착물을 포함한다.
다른 구체예에 따르면, 본 발명의 화합물을 포함하는 제제도 제공된다.
도 1은 유기 발광 소자를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역전된 유기 발광 소자를 도시한다.
도 3은 화합물 1의 X선 결정 구조를 도시한다. 아릴 치환은 비배위 질소의 고립쌍을 차폐하면서 평면 밖에서 트위스트된다.
도 4는 화합물 3에 대한 최소화 기하 구조의 이미지를 도시한다. 메틸기가 질소 고립쌍 주위에 포켓을 형성하면서 입체 상호작용을 최소화하도록 배열된다.
도 5는 화합물 7의 최소화 기하 구조의 이미지를 도시한다. 명확화를 위해 2개의 리간드는 뺐다.
도 6은 화합물 13의 최소화 기하 구조의 이미지를 도시한다. 명확화를 위해 2개의 리간드는 뺐다.
도 7은 CD2Cl2 용매 중에서의 화합물 7의 리간드의 1H NMR 스펙트럼을 도시한다.
도 8은 CD2Cl2 용매 중에서의 화합물 8의 리간드의 1H NMR 스펙트럼을 도시한다.
도 9는 CD2Cl2 용매 중에서의 화합물 7의 1H NMR 스펙트럼을 도시한다.
도 10은 DMSO-d6 용매 중에서의 화합물 7의 1H NMR 스펙트럼을 도시한다.
도 11은 2-MeTHF 중에서의 화합물 7의 실온 및 77K 발광 스펙트럼을 도시한다.
도 12는 2-MeTHF 중에서의 화합물 13의 실온 및 77K 발광 스펙트럼을 도시한다.
일반적으로, OLED는 애노드 및 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 1종 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 정공을 유기층(들)에 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자 및 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘에 의하여 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완도 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제 4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 기간으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 예시되어 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998 ("Baldo-I")] 및 [Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]을 참조하며, 이들 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 인광은 그 전문이 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
도 1은 유기 발광 소자(100)를 도시한다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 소자(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 차단층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1의 전도층(162) 및 제2의 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 소자(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제조될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시의 물질의 성질 및 기능은 그 전문이 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 각각의 층에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성 및 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제 5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson et al.)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 그 전문이 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제 6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
도 2는 역전된 OLED(200)를 도시한다. 소자는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 소자(200)는 기재된 순서로 층을 적층시켜 제조될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구조는 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있고 소자(200)가 애노드(230)의 아래에 캐소드(215)가 배치되어 있으므로, 소자(200)는 "역전된" OLED로 지칭될 수 있다. 소자(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 소자(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 소자(100)의 구조로부터 일부 층이 얼마나 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공하며, 본 발명의 실시양태는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 작용성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략할 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 이들 구체적으로 기재된 층을 제외한 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질, 예컨대 호스트 및 도펀트의 혼합물 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 층은 다수의 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 소자(200)에서 정공 수송층(225)은 정공을 수송하며, 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 하나의 실시양태에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일층을 포함할 수 있거나 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제 5,247,190호(Friend et al.)에 기재된 바와 같은 중합체 물질(PLED)을 포함하는 OLED를 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제 5,707,745호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제 6,091,195호(Forrest et al.)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제 5,834,893호(Bulovic et al.)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 실시양태의 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의하여 적층될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제 6,337,102호(Forrest et al.)(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기상 증착(OVPD), 미국 특허 출원 제10/233,470호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적절한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및, 잉크-제트 및 OVJD와 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기는 이의 용액 가공의 처리 능력을 향상시키기 위하여 소분자에 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있는데, 비대칭 물질은 재결정화되는 경향이 낮을 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 가공을 처리하는 소분자의 능력을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 실시양태에 의하여 제조된 소자는 차단층을 추가로 임의로 포함할 수 있다. 차단층의 하나의 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 한다. 차단층은 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서, 전극 또는, 엣지를 포함하는 소자의 임의의 기타 부분의 위에서 증착될 수 있다. 차단층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 차단층은 각종 공지의 화학적 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다. 임의의 적절한 물질 또는 물질의 조합을 차단층에 사용할 수 있다. 차단층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘다를 혼입할 수 있다. 바람직한 차단층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌의 개시내용은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"을 고려하면, 차단층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건하에서 및/또는 동일한 시간에서 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위내일 수 있다.　중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
본 발명의 실시양태에 따라 제조된 소자는 다양한 전자 제품 또는 중간 컴포넌트에 도입될 수 있는 광범위한 전자 부품 모듈 (또는 유닛)에 도입될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 컴포넌트의 예는 최종 제품 제조자에 의해 이용될 수 있는 디스플레이 스크린, 조명 소자 예컨대 개별 광원 소자 또는 조명 패널, 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 경우에 따라 구동 전자장치 및/또는 전원(들)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시양태에 따라 제조된 소자는 그 속에 하나 이상의 전자 부품 모듈 (또는 유닛)이 도입되어 포함되는 광범위한 소비재에 도입될 수 있다. 이러한 소비재는 하나 이상의 광원(들) 및/또는 몇몇 종류의 시청 디스플레이 중 하나 이상을 포함하는 임의 종류의 제품을 포함한다. 이러한 소비재의 일부 예로는 평판 패널 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 옥외 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 타블렛, 파블렛, 개인용 정보 단말기(PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이, 3-D 디스플레이, 비히클, 대형벽, 극장 또는 스타디움 스크린, 또는 간판을 포함한다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 제어 메카니즘을 사용하여 본 발명에 의한 소자를 제어할 수 있다. 다수의 소자는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하도록 의도되지만, 이러한 온도 범위를 벗어나서, 예를 들면 -40℃ 내지 +80℃에서 사용될 수 있다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 소자에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 소자, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 소자, 예컨대 유기 트랜지스터는 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
본원에서 사용될 때 "할로", "할로겐" 또는 "할라이드"는 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.
본원에서 사용될 때 "알킬"은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알킬기는 1∼15 개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, tert-부틸 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "시클로알킬"은 시클릭 알킬 라디칼을 의미한다. 바람직한 시클로알킬기는 3∼7 개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알케닐기는 2∼15 개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알킨 라디칼을 모두 의미한다. 바람직한 알키닐기는 2∼15 개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호 혼용되며 치환기로서 방향족 기를 갖는 알킬기를 의미한다. 추가로, 알킬아릴기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "복소환식 기"는 방향족 및 비방향족 시클릭 라디칼이 고려된다. 헤테로-방향족 시클릭 라디칼은 또한 헤테로아릴을 의미한다. 바람직한 헤테로-비방향족 시클릭 기는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하고 모르폴리노, 피페르디노, 피롤리디노 등과 같은 시클릭 아민 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 등과 같은 시클릭 에테르를 포함하는 3 또는 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 복소환식 기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 "아릴" 또는 "방향족 기"는 단일 고리 기 및 폴리시클릭 고리계가 고려된다. 폴리시클릭 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리에 공통인 2개 이상의 고리("축합" 고리)를 가질 수 있으며, 고리들 중 하나 이상은 예컨대 방향족이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 추가로, 아릴 기는 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용될 때 용어 "헤테로아릴"은 예컨대, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 트리아졸, 피라졸, 피리딘, 피라진 및 피리미딘 등과 같이 1∼3 개의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 단일 고리 헤테로방향족 기가 고려된다. 용어 헤테로아릴은 또한 2개의 원자가 두 인접 고리에 공통인 2 이상의 고리("축합" 고리)를 갖는 폴리시클릭 헤테로방향족계를 포함하며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 예컨대 헤테로아릴이고, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 추가로, 헤테로아릴 기는 임의 치환될 수 있다.
알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 아르알킬, 복소환식 기, 아릴, 및 헤테로아릴은 수소, 듀테륨, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 시클릭 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기로 임의 치환될 수 있다.
본원에서 사용된 "치환된"은 H 이외의 치환기가 관련 위치, 예컨대 탄소에 결합됨을 나타낸다. 따라서, 예를 들어, R1이 단일 치환되는 경우, 하나의 R1은 H 외외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 이치환된 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 비치환된 경우, R1은 모든 가능한 위치에 대하여 수소이다.
본원에 기술된 분절, 즉 아자-디벤조푸란, 아자-디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 분절에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면(이에 한정되지 않음) 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린 모두를 포함한다. 당업자는 상기 기술된 아자-유도체의 기타 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어를 포괄하는 것으로 간주된다.
당업자라면 분자 분절이 치환기인 것으로 기술되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 결합될 때 이의 명칭은 분절(예, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 본원에 사용된 바와 같이, 이러한 치환기 또는 결합된 분절의 상이한 표기 방식은 동일한 것으로 간주된다.
비배위 질소를 포함하는 착물의 분해에 대해 제안된 기전은 비배위 질소가 인접 분자를 비양성자화함으로써 염기로서 작용하여 비발광성 및 잠재적 이온성 반응 생성물을 생성시키는 사건에 대한 것이다. 이 사건은 여기 상태에서 또는 소자 환경에서 발견되는 하전 상태의 존재 하에서 일어날 수 있다. 아자페난트리딘 벤즈이미다졸(APBI) 리간드와 같은 다환 골격(scaffold)은 이 분해 기전을 해결하기 위해 치환될 수 있는 작용 위치의 제공에 유용할 수 있다.
안정성을 개선하기 위해 2가지 접근법이 수행되었다. 제1 접근법은, 비배위 질소의 고립쌍이 인접 분자 상의 양성자에 노출되는 것을 차폐하기 위해 특정 위치에 입체 기를 배치하는 것이다. 예컨대, 하기 화합물 1-6은 양성자화로부터 질소를 입체적으로 차폐하도록 설계된 치환을 포함한다:
Figure pat00022
화합물 1 및 화합물 2에서, 비배위 질소에 대향하는 고리 상에 아릴기가 치환된다. 입체 상호작용으로 인해, 고리가 평면 밖으로 크게 트위스트되어 삼중항 에너지의 최소 증가를 일으킨다. 또한, 아릴 고리의 평면은, 인접 분자의 가까운 양성자에 대한 노출을 억제해야 하는 비배위 질소의 고립쌍 위에 위치한다. 아릴 고리의 배열을 화합물 1의 X선 결정 구조에서 볼 수 있다(도 3). 그러나, 이 위치에서의 예상되지 않았던 방향족 치환의 부정적인 결과는 PLQY의 감소이다. 이는 화합물 2에서와 같이 트위스트된 아릴 고리에 2,6-알킬 치환을 도입함으로써 고리계를 더욱 강고하게 하여 어느 정도 완화될 수 있다. 화합물 1은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 매트릭스 내에 13%의 PLQY를 갖는 것으로 측정된다. 이는 더욱 강고한 2,6-디메틸 페닐 치환을 갖는 화합물 2에 대해 28% 현저하게 개선시킨다. 그러나, 이 위치에서의 아릴 치환이 없는 APBI 착물은 통상적으로 70~90%의 PLQY를 갖는다. 비배위 질소의 위치에서의 비방향족 치환기의 사용은, 치환기가 방향족일 때 관찰되는 PLQY의 감소를 회피하기 위해 바람직할 수 있다. 예컨대, 트리메틸실릴(TMS)기로의 비방향족 치환을 갖는 화합물 3의 에너지 최소화 산출 기하 구조에 있어서, TMS기의 메틸기는 방향족 고리계로부터 평면 밖을 가리켜, 잠재적 반응성의 비배위 질소의 고립쌍 주위에 포켓을 생성시킨다(도 4).
본 명세서에서 증명된 바와 같이, 안정성을 개선시키는 제2의 접근법은, 비배위 질소 상의 수소 원자와 전자의 고립쌍 사이에 정적 수소 결합 상호작용이 확립되도록, 수소 원자를 제공하는 것을 포함한다.
이 배열은 고립쌍의 반응성을 완화시켜 분자내 분해로부터 분자를 안정화시키고, 이에 따라 소자 내 착물의 안정성을 개선시키는 역할을 한다. 예시적인 아자페난트리딘 벤즈이미다졸(APBI) 리간드를 하기에 도시하며, 여기서 수소는 H*로서 정의된다:
Figure pat00023
H*는 질소의 고립쌍을 가리키는 것을 알 수 있다. 비배위 질소에 대한 양성자의 근접성은 APBI 상의 고리계 및 이소프로필기 상의 메틸 치환기 사이의 입체적 척력에 의해 발생된다. 이 전략을 이용하여, 정적 분자내 수소 결합을 형성하기 위해 질소의 고립쌍에 친밀하게 근접하여 양성자를 배치하도록 착물을 설계할 수 있다. 따라서, 질소의 고립쌍이 여기 또는 하전 상태에서 염기성을 증가시키려고 하는 경우, 고립쌍 및 H*는 가역적으로 상호작용할 수 있어야 한다. 한편, 분자내 수소 결합이 없는 분자는 여기 또는 하전 상태에서 가까운 분자를 탈양성자화함으로써 비가열적인 분해 사건을 유도할 수 있다.
본 발명의 화합물:
본 발명의 화합물은 유기 합성 분야에 잘 알려진 기술을 이용하여 합성할 수 있다. 합성에 필요한 출발 물질 및 중간체는 당업계의 숙련자에게 공지된 방법에 따라 합성할 수 있거나 또는 상업적 공급원으로부터 얻을 수 있다.
일측면에서, 본 발명의 화합물은 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물이다:
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
상기 화학식에서,
X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
리간드 L은 금속 M에 배위되며;
리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성하고;
여기서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 가지며:
식 1
Figure pat00027
상기 식에서,
Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택되며;
식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드로 이동된다.
다른 측면에서, 본 발명의 화합물은 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물이다:
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
상기 화학식에서,
X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
리간드 L은 금속 M에 배위되며;
리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성하고;
여기서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 가지며:
Figure pat00031
상기 식에서,
Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택되며;
여기서,
(a) 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드로 이동되거나; 또는
(b) 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동된다.
다른 측면에서, 본 발명의 화합물은 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물이다:
Figure pat00032
Figure pat00033
상기 화학식에서,
X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
리간드 L은 금속 M에 배위되며;
리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성하고;
여기서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 포함하고:
식 1
Figure pat00034
상기 식에서,
Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택되며;
식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동된다.
금속 M은 특별히 한정되지 않는다. 본 발명의 화합물에 유용한 금속의 예는 전이 금속, 예컨대 Ir, Pt, Au, Re, Ru, W, Rh, Ru, Os, Pd, Ag, Cu, Co, Zn, Ni, Pb, Al 및 Ga를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 일구체예에서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된다. 다른 구체예에서, M은 Ir 또는 Pt이다. 일구체예에서, M은 Ir이다. 다른 구체예에서, M은 Pt이다.
일구체예에서, X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택된다. 일구체예에서, X는 O이다.
일측면에서, 본 발명의 화합물은 인접 분자의 탈양성자화를 방지하고 비배위 질소의 양성자화를 방지하기 위해 1 이상의 분자내 수소 결합 상호작용을 포함한다. 예시적인 분자내 수소 결합 상호작용은 하기 식 1에서 찾을 수 있다:
식 1
Figure pat00035
당업자가 이해하는 바와 같이, Z1은 H와의 공유 결합을 형성할 수 있는 임의의 원자일 수 있는 반면, Z2는 H와 수소 결합 상호작용을 형성할 수 있는 임의의 원자일 수 있다. 일구체예에서, Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택된다. 일구체예에서, Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택된다. 다른 구체예에서, Z1은 탄소이고, Z2는 질소이다. 다른 구체예에서, Z1은 알킬의 탄소이고, Z2는 피리딘의 질소이다. 다른 구체예에서, Z2는 X1~X13 중 하나이고, 질소이다. 일부 구체예에서, Z2에 대한 Z1의 화합물 내 위치는 Z1과 Z2 사이의 공유 결합의 수에 의해 결정될 수 있다. 일구체예에서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 3개 이상의 공유 결합이다. 일구체예에서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 4개 이상의 공유 결합이다. 다른 구체예에서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 5개 이상의 공유 결합이다. 일구체예에서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 6개 이상의 공유 결합이다.
수소와 Z2 사이의 상호작용은 당업계에 공지된 임의의 방법을 이용하여 결정할 수 있다. 일구체예에서, 상호작용은 최소화 기하 구조에서의 공간 배치 및 Z2-H 거리를 조사하는 것과 같은 계산 방법을 이용하여 결정된다. 일구체예에서, H와 Z2 사이의 거리는 1.5 Å~2.4 Å 범위이다. 일구체예에서, H와 Z2 사이의 거리는 2.2 Å 이하이다. 다른 구체예에서, H와 Z2 사이의 거리는 2.16 Å 이하이다. 다른 구체예에서, H와 Z2 사이의 거리는 2.15 Å 이하이다. 다른 구체예에서, 상호작용은 수소 결합 양성자의 1H(양성자) NMR 화학적 이동을 측정하는 것과 같은 실험적 방법을 이용하여 측정된다. 일구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 4.5 ppm~7.0 ppm 다운필드로 이동된다. 일부 구체예에서, H의 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상, 1.4 ppm 이상, 1.5 ppm 이상, 1.6 ppm 이상, 1.7 ppm 이상, 1.8 ppm 이상, 1.9 ppm 이상, 또는 2.0 ppm 이상 다운필드로 이동된다. 일구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드로 이동된다. 다른 구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.4 ppm 이상 다운필드로 이동된다. 일구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 30%~60% 다운필드로 이동된다. 일부 구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상, 37% 이상, 39% 이상, 40% 이상, 45% 이상, 또는 50% 이상 다운필드로 이동될 수 있다. 일구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동된다. 다른 구체예에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 37% 이상 다운필드로 이동된다.
일구체예에서, 상호작용은 실온에서 고에너지 말단에서의 제1 피크 파장의 발광을 측정하고 이것을 상이한 온도에서의 발광과 비교하여 측정된다. 본 명세서에서 사용되는 바의 용어 "실온"은 약 20℃~약 30℃의 온도를 지칭한다. 본 명세서에서 증명되는 바와 같이, 분자내 수소 결합 상호작용을 나타내는 화합물은 또한 더 낮은 온도에서의 발광에 비해 실온 용액 중에서 특이한 삼중항 발광 청색 이동을 가질 수 있음이 관찰되었다. 일구체예에서, 상기 화합물은 77K에서보다 실온에서 더 작은 고에너지 말단에서의 제1 피크 파장으로 발광한다.
일구체예에서, 리간드 L은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:
Figure pat00036
Figure pat00037
Figure pat00038
Figure pat00039
.
일부 구체예에서, 상기 화합물은 동종리간드성이다. 상기 화합물이 동일한 리간드 L인 2 이상의 리간드 L을 포함하는 경우, 화합물은 동종리간드성일 수 있다. 다른 구체예에서, 상기 화합물은 이종리간드성이다. 상기 화합물이, 리간드 L 중 1 이상이 다른 리간드 L과 상이한 리간드인 2 이상의 리간드 L을 포함하는 경우, 상기 화합물은 이종리간드성일 수 있다. 일부 구체예에서, 상기 화합물은 1 이상의 리간드 L 및 1 이상의 리간드 L'를 포함한다. 일구체예에서, L'는 L과 상이하다. 다른 구체예에서, L'는 L과 동일한 리간드이다. 다른 구체예에서, L은 군 A에서 선택된다. L'는 특별히 한정되지 않는다. 일구체예에서, L'는 두자리 리간드이다. 추가로, 리간드 L'는 임의로 치환될 수 있고, 임의의 인접한 치환기가 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하거나 또는 다중자리 리간드를 형성할 수 있다. 일부 구체예에서, L 및 L'는 연결되어 다중자리 리간드, 예컨대 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성한다. 일구체예에서, L 및 L'는 연결되어 네자리 리간드를 형성한다. L 및 L'는 한 위치 또는 장소에서 연결되어 다중자리 리간드를 형성할 수 있거나, 또는 L 및 L'는 2 이상의 위치 또는 장소에서 연결되어 대환식 다중자리 리간드를 형성할 수 있다. 일구체예에서, L 및 L'는 2개 위치에서 연결되어 대환식 네자리 리간드를 형성한다.
일구체예에서, 상기 화합물은 Ir(L)n(L')3-n의 화학식을 가지며;
여기서, L'는 군 A에서 선택되고;
n은 1, 2 또는 3이다.
일구체예에서, n은 1이다. 다른 구체예에서, n은 2이다. 다른 구체예에서, n은 3이다.
일구체예에서, 상기 화합물은 Pt(L)m(L')2-m의 화학식을 가지며;
여기서, L'는 군 A에서 선택되고;
m은 1 또는 2이다.
일구체예에서, m은 1이다. 다른 구체예에서, m은 2이다.
일구체예에서, 상기 화합물은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
.
일부 구체예에서, 화합물은 발광성 도펀트일 수 있다. 일부 구체예에서, 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉 TADF(E형 지연 형광으로로 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸, 또는 이들 공정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다.
소자:
본 개시의 다른 측면에 따르면, 제1 소자도 제공된다. 제1 소자는 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하는 제1 유기 발광 소자를 포함한다. 유기층은 호스트 및 인광성 도펀트를 포함할 수 있다. 발광층은 리간드 L을 포함하는 화합물, 및 본 명세서에 기재된 이의 변형물을 포함할 수 있다.
상기 제1 소자는 소비자 제품, 전자 부품 모듈, 유기 발광 소자 및 조명 패널 중 1 이상일 수 있다. 상기 유기층은 발광층일 수 있으며, 일부 구체예에서 상기 화합물은 발광성 도펀트일 수 있는 반면, 다른 구체예에서는 상기 화합물이 비발광성 도펀트일 수 있다. 일부 구체예에서, 상기 유기층은 전하 수송층일 수 있으며, 상기 화합물은 유기층 내 전하 수송 물질일 수 있다. 일부 구체예에서, 상기 유기층은 차단층일 수 있으며, 상기 화합물은 유기층 내 차단 물질일 수 있다.
유기층은 또한 호스트를 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 상기 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합된 티오펜 또는 벤조 융합된 푸란일 수 있다. 호스트 내 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡CCnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2 및 CnH2n-Ar1로 이루어진 군에서 선택되는 비융합 치환기일 수 있거나, 또는 비치환일 수 있다. 상기 치환기에서, n은 1~10 범위일 수 있고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화학적 기를 포함하는 화합물일 수 있다. 상기 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 상기 호스트는 하기로 이루어진 군에서 선택되는 특정 화합물일 수 있다:
Figure pat00045
Figure pat00046
및 이의 조합.
제제:
본 개시의 또 다른 측면에서, 리간드 L을 포함하는 화합물을 포함하는 제제가 기재된다. 상기 제제는 본 명세서에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 및 전자 수송층 물질로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.
기타의 물질과의 조합
유기 발광 소자에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 소자에 존재하는 다양한 기타의 물질과의 조합에 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타의 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 지칭된 물질은 본원에 개시된 화합물과 조합하여 유용할 수 있는 비제한적인 물질이며, 당업자중 하나는 조합에 유용할 수 있는 기타의 물질을 확인하는 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.
HIL/HTL:
본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 한정되지 않으며, 화합물이 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로탄화수소를 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다.
HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 화학식을 들 수 있다:
Figure pat00047
각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 고리형 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 시놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 복소환식 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 복소환식 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기에 서로 직접 또는 이들 중 1종 이상을 통하여 결합되는 2 내지 10개의 고리형 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 추가로 치환된다.
하나의 구체예에서, Ar1 내지 Ar9는 독립적으로 하기로 이루어진 군으로부터 선택되며:
Figure pat00048
여기서, k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 갖는다.
HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기를 들 수 있다:
Figure pat00049
여기서, Met는 금속이며; (Y101-Y102)는 2좌 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
하나의 구체예에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 구체예에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 구체예에서, Met은 Ir, Pt, Os 및 Zn으로부터 선택된다. 추가의 구체예에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 갖는다.
호스트:
본 발명의 유기 EL 소자의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예로는 특정하여 한정되지는 않았으나, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 것보다 더 크기만 하다면 사용할 수 있다. 하기 표는 각종 색상을 발광하는 소자에 바람직한 것으로서 호스트 물질을 분류하지만, 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질은 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.
호스트로서 사용된 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00050
여기서, Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 2좌 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속이 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.
하나의 구체예에서, 금속 착물은
Figure pat00051
이다.
여기서, (O-N)은 원자 O 및 N에 배위결합된 금속을 갖는 2좌 리간드이다.
또 다른 구체예에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가의 구체예에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.
호스트로서 사용된 유기 화합물의 예는 방향족 탄화수소 고리형 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 복소환식 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 고리형 기 및 방향족 복소환식 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 그리고 서로 직접 결합되거나 또는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 고리형 기 중 1종 이상에 의하여 결합되는 2 내지 10개의 고리형 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 여기서 각각의 기는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 추가로 치환된다.
하나의 구체예에서, 호스트 화합물은 분자에서 하기 기 중 1종 이상을 포함한다:
Figure pat00052
여기서, R101 내지 R107은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 1 내지 20의 정수이며; k"'는 0 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108는 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
Z101 및 Z102는 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.
HBL:
정공 차단층(HBL)은 발광층에서 배출되는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키는데 사용될 수 있다. 소자에서의 이러한 차단층의 존재는 실질적으로 차단층이 결여된 유사한 소자에 비하여 더 높은 효율을 초래할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 소정의 부위로 방출을 한정시키는데 사용될 수 있다.
하나의 구체예에서, HBL에 사용된 화합물은 전술한 호스트로서 사용된 동일한 작용기 또는 동일한 분자를 포함한다.
또 다른 구체예에서, HBL에 사용된 화합물은 분자에서 하기의 기 중 1종 이상을 포함한다:
Figure pat00053
여기서, k는 1 내지 20의 정수이고; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.
ETL:
전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도율을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특정하게 한정되지는 않았으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 사용될 수 있다.
하나의 구체예에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 1종 이상을 포함한다:
Figure pat00054
여기서, R101은 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. Ar1 내지 Ar3은 전술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다.
또 다른 구체예에서, ETL에 사용된 금속 착물은 하기의 화학식을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure pat00055
여기서, (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N,N에 배위결합된 금속을 갖는 2좌 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이다.
OLED 소자의 각각의 층에 사용된 임의의 전술한 화합물에서, 수소 원자는 부분 또는 완전 중수소화될 수 있다. 그래서, 메틸, 페닐, 피리딜 등의 임의의 구체적으로 제시된 치환기(이에 한정되지 않음)는 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화 형을 포함한다. 유사하게는, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등의 치환기의 유형(이에 한정되지 않음)은 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화 형을 포함한다.
본원에 개시된 물질 이외에 및/또는 이와 조합하여, 다수의 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 호스트 물질, 도펀트 물질, 엑시톤/정공 차단층 물질, 전자 수송 및 전자 주입 물질이 OLED에 사용될 수 있다. 본원에 개시된 물질과 조합하여 OLED에 사용될 수 있는 물질의 비제한적인 예는 하기 표 1에 제시되어 있다. 하기 표 1는 물질의 비제한적인 유형, 각각의 유형에 대한 화합물의 비제한적인 예 및 물질을 개시하는 참고 문헌을 제시한다.
[표 1]
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00061
Figure pat00062
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Figure pat00076
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Figure pat00078
Figure pat00079
Figure pat00080
실험
분자내 수소 결합을 포함하는 본 발명의 화합물의 비제한적인 예는 하기를 포함한다:
Figure pat00081
이들 착물은 정적 분자내 수소 결합을 형성하기 위해 질소의 고립쌍에 친밀하게 근접하여 양성자를 배치하도록 설계되었다. 77K에 비해 실온 용액 중에서 특이한 삼중항 발광 청색 이동에서 이 상호작용의 분광 광도 신호도 발견되었다.
분자내 수소 결합 사건에 대한 계산적인 증거를 다루기 위해, 화합물 7에 대한 최소화 기하 구조를 도 5에 도시한다. 명확화를 위해 2개의 리간드는 뺐다. H*가 31.6°의 C-C-C-H 이면각 및 2.15 Å의 H*-N 거리를 갖는 질소의 고립쌍의 평면 약간 위에 있음을 볼 수 있다. 임의의 특정 이론에 의해 구속되길 바라지는 않지만, APBI 상의 고리계 및 이소프로필기 상의 메틸 치환기 사이의 입체적 척력에 의해 비배위 질소의 양성자의 근접성이 초래되는 것으로 가정된다. 이 가정은, 직접적인 N-H* 상호작용이 관찰되지 않고, 메틸기 상의 양성자가 물리적으로 가능한 한 질소 고립쌍으로부터 멀리 떨어져 가리키는, 메틸 치환된 화합물 13에 대한 비교(도 6)에 의해 지지된다.
Figure pat00082
이 경우, C-C-C-H 이면각은 61.8°이고, N-H* 결합 거리는 2.52 Å이다. 화합물 8 및 화합물 9의 최소화 기하 구조는 화합물 7과 유사한 N-H* 상호작용을 나타낸다. 화합물 8에 대한 C-C-C-H 이면각 및 N-H* 결합 거리는 각각 34.7° 및 2.16 Å이다. 해당 C-C-C-H 이면각을 하기와 같이 강조한다:
Figure pat00083
비배위 질소의 고립쌍에의 정적 분자내 수소 결합에 대한 실험적 증거는 유리 리간드 및 이리듐 착물 모두에 대해 1H NMR에서 관찰 가능하다. 참고로, 화합물 13의 리간드에 대한 메틸 양성자는 CD2Cl2 중에서 3.26 ppm에서 측정된다. 비교로, 화합물 7 및 8의 리간드 내 H* 양성자는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 각각 5.6 ppm 및 5.2 ppm으로 상당히 다운필드로 이동된다. 용매 극성에 관계없이 5.9 ppm의 화학적 이동을 갖는, CD2Cl2 및 DMSO-d6 중에서의 착물 7에 대한 1H NMR 스펙트럼(각각 도 9 및 10)에서 증명된 바와 같이, 유사한 다운필드로의 이동이 이리듐(III)으로의 고리금속화 후에 관찰된다. 이 다운필드로의 이동은 분자내 수소 결합 상호작용을 나타내는, 잘 알려진 현상인 수소 결합 유도 양성자 탈차폐의 결과이다.
H*의 1H NMR 화학적 이동도 비교예 1~8과 함께 화합물 7, 화합물 8 및 화합물 13의 리간드 및 이의 상응하는 화합물에 대해 산출되었다. 산출은 가우시안(Gaussian) 소프트웨어 패키지 상의 B3LYP/6-31g* 범함수 및 기본 함수조를 이용하여 실시하였다. 산출된 값은 실험값에 매우 가까이 일치하였다. H*의 산출된 화학적 이동을 분자내 H 결합이 이용 가능하지 않는 비교예 1~8과 비교하여 분자내 H 결합의 추가의 증거를 찾았다. 이들 경우 모두에 있어서, C-H*--N 유사체에서의 H*의 NMR 화학적 이동은 모두 이들 C-H*--N 유사체에 비해 상당히 다운필드로 이동되었고, 차이는 C-H*--N 유사체를 기준으로 하여 1.4~2.1 ppm, 또는 37%~50% 범위였다(하기 표 1).
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
H 결합 상호작용의 추가의 증거는 화합물 7의 발광 스펙트럼의 특징에서 찾을 수 있다. 도 11은 실온 및 77K에서 2-메틸 테트라히드로푸란(2-MeTHF) 용매 중에서의 화합물 7의 발광 스펙트럼을 도시한다. 실온 방출은 이미 측정된 임의의 다른 Ir(APBI)3 착물과는 달리, 77K에 비해 상당히 청색 이동되는 것으로 밝혀졌다. 임의의 특정 이론에 의해 구속되길 바라지는 않지만, 이 청색 이동은 공유 부착된 고리 상의 전자 밀도를 감소시켜 발광 스펙트럼을 청색 이동시키는 유발 끌기 효과로 인한 것일 수 있다. 임의의 특정 이론에 의해 구속되길 바라지는 않지만, 이 효과가 실온에서 더욱 현저하다는 사실은, 77K에서 냉동되는 H 및 N 원자 사이의 진동 상호작용을 시사한다. 비교를 목적으로, 화합물 13에 대한 스펙트럼을 도 12에 도시한다. 이 화합물은, 대부분의 인광성 착물에 통상적인 것처럼 분자가 77K에서 경화(rigidification)되므로 청색 이동을 나타낸다.
예시적인 리간드 및 착물의 합성:
화합물 7의 합성:
10-클로로벤조[h][1,6]나프티리딘-5-아민의 합성:
Figure pat00087
3-클로로-2-요오도아닐린(9.60 g, 37.9 mmol), CyJohnPhos(0.506 g, 1.443 mmol) 및 Pd(CH3CN)2Cl2(0.187 g, 0.722 mmol)의 혼합물을 디옥산(80 ml)에 용해시켰다. 트리에틸아민(15.09 ml, 108 mmol) 및 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(11.00 ml, 76 mmol)을 주사기를 통해 차례로 용액에 첨가하였다. 반응물을 4 시간 동안 환류시켰다. 반응물을 실온으로 냉각시키고, 2-클로로니코티노니트릴(5 g, 36.1 mmol), S-Phos Pd G2(0.520 g, 0.722 mmol), S-Phos(0.296 g, 0.722 mmol) 및 탄산칼륨(9.97 g, 72.2 mmol)의 고상 혼합물을 반응 혼합물에 직접 첨가한 후, 디옥산(20 ml) 및 물(20 ml)을 첨가하고, 반응물을 밤새 85℃로 가열하였다. 디옥산을 제거하고, 미정제 생성물을 디클로로메탄(DCM)으로 추출하였다. 유기물 부분을 증발시켜 유성 생성물을 얻었다. 생성물을 THF(80 ml)에 용해시키고, 수화나트륨(2.165 g, 54.1 mmol)을 0℃에서 직접 첨가하고, 25 분 동안 교반하였다. 반응물을 염수(~150 ml)로 켄칭하였다. THF를 증발시킨 후, 헥산 및 디에틸 에테르(~1:2, 총 대략 30 ml)를 현탁액에 첨가한 후, 이것을 약 3 분 동안 교반하였다. 고체를 여과에 의해 수집하고, 디에틸 에테르로 세정하여 미정제 10-클로로벤조[h][1,6]나프티리딘-5-아민을 얻었고, 이것을 추가의 정제 없이 다음 단계에서 직접 사용하였다(60% 수율).
5-클로로벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘의 합성:
Figure pat00088
10-클로로벤조[h][1,6]나프티리딘-5-아민(3.11 g, 13.54 mmol), 디아세톡시팔라듐(0.152 g, 0.677 mmol), Xantphos(0.392 g, 0.677 mmol) 및 탄산세슘(17.65 g, 54.2 mmol)의 혼합물을 진공 상태로 만들고, 질소로 수 회 역충전하고, 1,2-디요오도벤젠(1.947 ml, 14.90 mmol) 및 톨루엔(70 ml)을 용액에 첨가하였다. 반응물을 3 시간 동안 환류시켰다. 생성물을 실리카 상에서의 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH=20/1)에 의해 정제하였다. 생성물을 디에틸에테르로 세정하였다(52% 수율).
5-(프로프-1-엔-2-일)벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘의 합성:
Figure pat00089
5-클로로벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘(1 g, 3.29 mmol), SPhos Pd G2(0.237 g, 0.329 mmol), SPhos(0.135 g, 0.329 mmol) 및 탄산세슘(0.536 g, 1.646 mmol)의 혼합물을 진공 상태로 만들고, 질소로 수 회 역충전하였다. 톨루엔(45 ml), 물(15 ml) 및 4,4,5,5-테트라메틸-2-(프로프-1-엔-2-일)-1,3,2-디옥사보롤란(1.257 ml, 6.58 mmol)을 첨가하고, 밤새 환류하면서 가열하였다. 반응 혼합물을 셀라이트 상에서 코팅하고, 실리카 상에서 크로마토그래피(DCM/EtOAc/헵탄=6/1/2)하였다(50% 수율).
5-이소프로필벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘의 합성:
Figure pat00090
5-(프로프-1-엔-2-일)벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘(1.05 g, 3.39 mmol)을 아세트산에틸(60 ml)에 용해시키고, 에탄올(50 ml) 및 팔라듐(0.361 g, 0.339 mmol)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 진공 상태로 만들고, 수소 풍선으로 3 회 역충전하고, 밤새 실온에서 교반하였다. 반응물을 셀라이트를 통해 여과하고, 용매를 증발시켰다. 고체를 디에틸 에테르 및 헥산(~1:2)으로 세정하여 순수한 생성물을 얻었다(99% 수율).
화합물 7의 합성:
Figure pat00091
5-이소프로필벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘(900 mg, 2.89 mmol), Ir(acac)3(283 mg, 0.578 mmol) 및 펜타데센(2 ml)을 슐렌크관에서 합하고, 관을 진공 상태로 만들고, N2로 3 회 역충전하였다. 관을 2 일 동안 290℃로 가열하였다. 미정제 생성물을 알루미나(100 g, 10% H2O로 탈활성화시킴, DCM/Hep=3/2) 상에서 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하였다. 생성물을 실리카 겔 컬럼(DCM) 상에서 추가로 정제하여 화합물 7을 얻었다(15.4%).
화합물 8의 합성:
5-(시클로헥스-1-엔-1-일)벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘의 합성:
Figure pat00092
5-클로로벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘(2.13 g, 7.01 mmol), SPhos Pd G2(0.505 g, 0.701 mmol), SPhos(0.288 g, 0.701 mmol) 및 인산칼륨 일수화물(4.84 g, 21.04 mmol)의 혼합물을 진공 상태로 만들고, 질소로 수 회 역충전하였다. 톨루엔(75 ml), 물(25 ml) 및 2-(시클로헥스-1-엔-1-일)-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(2.292 ml, 10.52 mmol)을 첨가하고, 밤새 환류하면서 가열하였다. 반응물을 DCM 및 염수로 추출하고, 실리카 상에서의 컬럼 크로마토그래피(EA/Hep=1/3)(75% 수율)에 의해 정제하였다.
화합물 8의 리간드의 합성:
Figure pat00093
5-(시클로헥스-1-엔-1-일)벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘(1.59 g, 4.55 mmol)을 아세트산에틸(90 ml)에 용해시키고, 에탄올(70 ml) 및 팔라듐(0.484 g, 0.455 mmol)을 첨가하였다. 반응 혼합물을 진공 상태로 만들고, 수소 풍선으로 3 회 역충전하고, 3 일 동안 실온에서 교반하였다. 반응물을 셀라이트를 통해 여과하고, 증발시켰다. 생성물을 실리카 상에서 순수한 EA로 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제했다(54% 수율).
화합물 8의 합성:
Figure pat00094
5-시클로헥실벤조[h]벤조[4,5]이미다조[2,1-f][1,6]나프티리딘(1 g, 2.85 mmol), Ir(acac)3(279 mg, 0.569 mmol) 및 펜타데센(4 ml)의 혼합물을 글로브 박스 내 산 분해 장치(acid digestion bomb)에 첨가하고, 밤새 모래욕 중에서 285℃에서 가열하였다. 생성물을 실리카 컬럼 상에서의 컬럼 크로마토그래피(DCM)에 의해 정제하였다. 생성물을 MeOH 및 디에틸 에테르 중에서 분쇄하고, 여과하였다(26% 수율).
비교예 5의 합성:
1-클로로페난트리딘-6-아민의 합성:
Figure pat00095
3-클로로-2-요오도아닐린(8.77 g, 34.6 mmol), CyJohnPhos(0.462 g, 1.319 mmol) 및 Pd(CH3CN)2Cl2(0.171 g, 0.659 mmol)이 혼합물을 디옥산(80 ml)에 용해시켰다. 트리에틸아민(13.78 ml, 99 mmol) 및 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(10.04 ml, 69.2 mmol)을 주사기를 통해 차례로 용액에 첨가하였다. 반응물을 4 시간 동안 환류시켰다. 반응물을 실온으로 냉각시키고, 2-브로모벤조니트릴(6 g, 33 mmol), S-Phos Pd G2(0.475 g, 0.659 mmol), S-Phos(0.271 g, 0.659 mmol) 및 탄산칼륨(9.11 g, 65.9 mmol)의 고상 혼합물을 직접 반응 혼합물에 첨가한 후, 디옥산(20 ml) 및 물(20 ml)을 첨가하고, 반응물을 밤새 85℃로 가열하였다. 디옥산을 제거하고, 미정제 생성물을 디클로로메탄(DCM)으로 추출하였다. 유기물 부분을 증발시켜 유성 생성물을 얻었다. 생성물을 THF(80 ml)에 용해시키고, 수화나트륨(1.978 g, 49.4 mmol)을 0℃에서 직접 첨가하고, 20 분 동안 교반하였다. 반응물을 염수(~150 ml)로 켄칭하였다. THF를 증발시키고, 미정제 생성물을 DCM 및 염수로 추출하였다. 고체를 디에틸 에테르 및 헥산 중에서의 분쇄에 의해 수집하였다(52% 수율).
Figure pat00096
1-클로로페난트리딘-6-아민(3.93 g, 17.19 mmol), 2-클로로아세트알데히드(4.68 ml, 34.4 mmol) 및 중탄산나트륨(2.89 g, 34.4 mmol)을 합하고, 2 시간 동안 환류시켰다. 반응 혼합물을 DCM 및 염수 중 10 % MeOH로 추출하였다. 미정제 생성물을 실리카 상에서의 컬럼 크로마토그래피(DCM/MeOH=9/1)에 의해 정제하였다. 생성물을 디에틸 에테르 및 헥산으로 세정하여 8-클로로이미다조[1,2-f]페난트리딘을 얻었다(78%).
비교예 5의 리간드의 합성:
Figure pat00097
8-클로로이미다조[1,2-f]페난트리딘(900 mg, 3.56 mmol) 및 SPhos Pd G2(128 mg, 0.178 mmol)의 혼합물을 진공 상태로 만들고, 질소로 수 회 역충전하였다. THF(40 ml) 및 브롬화시클로헥실아연(II)(14.25 ml, 7.12 mmol)을 부가 깔때기를 통해 첨가하고, 밤새 실온에서 교반하였다. 반응물을 물로 켄칭하고, DCM으로 추출하였다. 미정제 생성물을 실리카 상에서 크로마토그래피(EA)하여 8-시클로헥실이미다조[1,2-f]페난트리딘을 얻었다(80% 수율).
비교예 5의 합성:
Figure pat00098
8-시클로헥실이미다조[1,2-f]페난트리딘(180 mg, 5.99 mmol), Ir(acac)3(58.7 mg, 120 mmol) 및 트리데칸(0.8 ml)을 글로브 박스 내 산 분해 장치에서 합하고, 모래욕 중에서 밤새 245℃에서 가열하였다. 생성물을 실리카 컬럼 상에서의 컬럼 크로마토그래피(DCM)에 의해 정제하였다(60% 수율).
당업자라면 본원에 기술된 다양한 구체예는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아님을 이해할 것이다. 예를 들면, 본원에 기술된 많은 재료 및 구조는 본 발명의 취지에서 벗어나는 일 없이 다른 재료 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 청구된 본 발명은 당업자가 알 수 있는 바와 같이 본원에 기술된 특정예 및 바람직한 구체예로부터의 변형을 포함할 수 있다. 당업자라면 본 발명에 적용된 다양한 이론은 한정하고자 하는 것이 아님을 이해할 것이다.
본 명세서에 기재된 각각의 그리고 모든 특허, 특허 출원 및 공개의 개시 내용을 그 전체를 본 명세서에서 참고로 인용한다. 본 발명을 특정 구체예를 참고로 하여 개시하였지만, 본 발명의 참사상 및 범위에서 벗어나지 않고서 당업자의 다른 숙련자에 의해 본 발명의 다른 구체예 및 변경이 고안될 수 있음은 명백하다. 청구 범위는 이러한 모든 구체예 및 등가 변형을 포함하는 것으로 해석되기를 바란다.

Claims (20)

  1. 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물로서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 포함하고, 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드(downfield)로 이동되는 것인 화합물:
    [군 A]
    Figure pat00099

    Figure pat00100

    Figure pat00101

    (상기 화학식에서,
    X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
    X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
    R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
    Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
    R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
    리간드 L은 금속 M에 배위되며;
    리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성함)
    [식 1]
    Figure pat00102

    (상기 식에서,
    Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
    Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택됨).
  2. 제1항에 있어서, 77K에서보다 실온에서 더 작은 고에너지 말단에서의 제1 피크 파장으로 발광하는 것인 화합물.
  3. 제1항에 있어서, Z1은 탄소이고, Z2는 질소인 화합물.
  4. 제1항에 있어서, Z1은 알킬의 탄소이고, Z2는 피리딘의 질소인 화합물.
  5. 제1항에 있어서, M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Au 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물.
  6. 제1항에 있어서, M은 Ir 또는 Pt인 화합물.
  7. 제1항에 있어서, Z2는 X1~X13 중 하나이고, 질소인 화합물.
  8. 제1항에 있어서, Z1은 Z2와 떨어져 있는 4개 이상의 공유 결합인 화합물.
  9. 제1항에 있어서, X는 O인 화합물.
  10. 제1항에 있어서, Ir(L)n(L')3-n의 화학식을 가지며;
    여기서, L'는 군 A에서 선택되고;
    n은 1, 2 또는 3인 것인 화합물.
  11. 제1항에 있어서, Pt(L)m(L')2-m의 화학식을 가지며;
    여기서, L'는 군 A에서 선택되고;
    m은 1 또는 2인 것인 화합물.
  12. 제1항에 있어서, 리간드 L은 하기로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00103

    Figure pat00104

    Figure pat00105

    Figure pat00106
    .
  13. 제1항에 있어서, 하기로 이루어진 군에서 선택되는 것인 화합물:
    Figure pat00107

    Figure pat00108

    Figure pat00109

    Figure pat00110
    .
  14. 제1 유기 발광 소자를 포함하는 제1 소자로서, 제1 유기 발광 소자가
    애노드;
    캐소드; 및
    애노드와 캐소드 사이에 배치되며, 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물을 포함하는 유기층
    을 포함하며,
    상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 포함하고,
    (a) 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 1.3 ppm 이상 다운필드로 이동되거나; 또는
    (b) 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동되는 것인 제1 소자:
    [군 A]
    Figure pat00111

    Figure pat00112

    Figure pat00113

    상기 화학식에서,
    X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
    X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
    R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
    Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
    R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
    리간드 L은 금속 M에 배위되며;
    리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성함)
    [식 1]
    Figure pat00114

    (상기 식에서,
    Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
    Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택됨).
  15. 제14항에 있어서, 소비자 제품, 전자 부품 모듈, 유기 발광 소자 및 조명 패널로 이루어진 군에서 선택되는 것인 제1 소자.
  16. 제14항에 있어서, 유기층은 발광층이고, 화합물은 발광성 도펀트 또는 비발광성 도펀트인 제1 소자.
  17. 제14항에 있어서, 유기층은 호스트를 더 포함하며; 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합된 티오펜 또는 벤조 융합된 푸란을 포함하며;
    호스트 내 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡CCnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, CnH2n-Ar1로 이루어진 군에서 선택되는 비융합 치환기이거나, 또는 비치환이며;
    n은 1~10이고;
    Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어진 군에서 선택되는 제1 소자.
  18. 제14항에 있어서, 유기층은 호스트를 더 포함하며, 호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 화학적 기를 포함하는 것인 제1 소자.
  19. 제14항에 있어서, 유기층은 호스트를 더 포함하며, 호스트는 하기로 이루어진 군에서 선택되는 것인 제1 소자:
    Figure pat00115

    Figure pat00116

    및 이의 조합.
  20. 하기로 이루어진 군 A에서 선택되는 리간드 L을 포함하는 화합물로서, 상기 화합물은 1 이상의, 하기 식 1에 도시된 분자내 수소 결합 상호작용을 포함하고, 식 1에서, H의 양성자 NMR 화학적 이동은, Z2가 탄소인 경우의 화합물에 비해, 35% 이상 다운필드로 이동되는 것인 화합물:
    [군 A]
    Figure pat00117

    Figure pat00118

    Figure pat00119

    상기 화학식에서,
    X1~X13 각각은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되고;
    X는 BR, NR, PR, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CRR', SiRR' 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며;
    R 및 R'는 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
    Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 일치환 내지 가능한 최대 수의 치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있고;
    R, R', Ra, Rb, Rc 및 Rd 각각은 독립적으로 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; Ra, Rb, Rc 및 Rd가 적어도 이치환을 나타낼 경우, 2개의 인접한 Ra, 2개의 인접한 Rb, 2개의 인접한 Rc 및 2개의 인접한 Rd 각각은 임의로 융합 또는 결합하여 고리를 형성하고;
    리간드 L은 금속 M에 배위되며;
    리간드 L은 다른 리간드와 임의로 링크되어 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 구성함)
    [식 1]
    Figure pat00120

    (상기 식에서,
    Z1은 탄소, 규소, 질소 및 산소로 이루어진 군에서 선택되고;
    Z2는 질소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택됨).
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