KR20150110696A - 유리 성형 몰드 및 그 제조방법 - Google Patents

유리 성형 몰드 및 그 제조방법 Download PDF

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데이비드 미런 리네맨
케빈 토마스 모리스
웬차오 왕
킴 이 워머
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Abstract

유리를 성형하기 위한 몰드가 다음을 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다:
적어도 약 90% 니켈을 포함하는 성형 표면을 갖는 몰드 바디를 제공하는 단계; 및 상기 성형 표면을 산화 가열 처리에 노출시켜 상기 성형 표면 상에 니켈 산화물층을 형성하여 상기 성형 표면의 조성을 개질하는 단계. 상기 산화 가열 처리는 램핑 가열 처리, 고정 가열 처리, 또는 상기 램핑 가열 처리와 고정 가열 처리 모두를 포함할 수 있다. 상기 램핑 가열 처리는 약 700℃에서 약 1000℃까지의 온도에서 약 20℃/시간에서 약 500℃/시간까지의 속도로 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 고정 가열 처리는 적어도 약 5분의 유지 시간 동안 약 700℃에서 약 1000℃까지의 가열 온도를 유지하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

유리 성형 몰드 및 그 제조방법 {Molds for shaping glass and methods for making the same}
본 출원은 35 U.S.C.§119 하에 2013년 1월 21일자로 출원된 미국 가출원번호 제61/754,798호의 우선일을 갖는, 미국 출원번호 제14/158,262호의 우선권을 주장하며, 본 출원은 2014년 1월 17일자로 출원된 미국 출원번호 제14/158,262호에 관한 것으로서, 이러한 기초 출원 특허의 전체 내용은 참조로서 본원에 포함된다.
본 발명은 몰드에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는 유리 성형용 몰드에 관한 것이다.
매우 높은 수준의 표면 품질을 갖는 얇은 3차원의 유리 기판의 현대 전자 소자에 대한 현재 요구는 무결점 성형 유리 기판을 상업적으로 제공할 수 있는 새로운 물질 및 공정에 대한 필요성을 생산하였다. 성형 유리 형성은 일반적으로 조작할 수 있는 온도로 형성될 유리를 가열한 다음, 몰드에 넣고 디자인된 형상을 얻는 단계를 포함한다. 유리 기판을 성형하는 고전적인 방법은 연화된 유리 고부(gob)를 수(male) 몰드와 암(female) 몰드 사이에서 가압하는 텔레비젼 튜브 형성, 및 유리를 한 쌍의 속이 빈 몰드 내에서 블로우(blow)하는 병 성형을 포함한다.
성형 작업에서 몰드 물질의 선택은 자주 성공의 주요 열쇠가 된다. 성형된 유리 제품의 형상 및 표면 품질을 최적화하기 위하여, 상기 몰드 물질은 다음을 충족하여야 한다: 1) 공정 온도에서 우수한 내산화 및 내부식성을 가져야 하며, 2) 유리와의 반응이 최소화되어야 하며(점착되지 않아야 하며), 그리고 3) 형성력에 대한 내 변형성 및 내 왜곡성을 갖도록 공정 온도에서 충분히 견고해야 함.
실제, 상술한 요구조건을 모두 충족시키는 하나의 물질을 선택하는 것은 어려울 수 있다. 하나의 해결방법은 성공적인 형성을 위해서 다양한 물질들의 결합적 장점이 얻어지도록 몰드 표면 상에 코팅을 적용하는 것이었다. 코팅된 몰드는 현재 유리 형성 산업에서 가장 흔하게 사용되고 있다. 비코팅 몰드(또는 베어 몰드)는 흔치 않으며, 높은 표면 품질이 요구되지 않는 병 및 특정 유리 그릇과 같은 저-사양(lower-end) 유리 제품에 제한적이다. 베어 몰드가 사용되는 경우, 형성 공정을 돕고 표면 품질을 유지하기 위해 적용되는 어느 정도의 윤활유가 일반적으로 존재한다. 이러한 윤활유는 일관되게 적용하기 어렵고 제거하기 위한 2차 세척 단계를 필요로 한다. 고-사양(higher-end) 제품을 위하여, 특히 가압-형성 카메라와 같은 광학-품질 제품을 위하여, 코팅은 필수적인 것으로 여겨진다.
유리 형성 공정에서 상기와 같은 도전들을 충족시키는데 코팅이 도움을 주지만, 이들은 새로운 문제를 야기한다. 예를 들어, 코팅은 상당한 비용 및 공정을 다루기 위한 새로운 변수를 부가한다. 좀 더 중요하게는, 코팅은 작업 시 자주 기능성을 저하시키고 잃어버리며, 몰드의 수명을 제한하고, 그리고 빈번한 재-코팅을 필요로 한다. 따라서, 고-사양, 고 품질 유리 기판 영역에서, 무 결점, 성형 유리 기판을 상업적으로 제공할 수 있는 보다 나은 몰드 물질을 얻기 위한 요구가 존재하고 있다.
여기에 기술된 구현예들은 유리 성형용 몰드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 일 구현예에 따르면, 유리 성형용 몰드는 적어도 약 90% 니켈을 포함하는 성형 표면을 갖는 몰드 바디를 제공하는 단계; 및 상기 몰드 바디의 성형 표면을 산화 가열 처리에 노출시켜 상기 상기 성형 표면의 조성을 개질하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 상기 산화 가열 처리는 램핑 가열 처리, 고정 가열 처리, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 상기 램핑 가열 처리는 약 700℃에서 약 1000℃까지의 온도에서 약 20℃/시간에서 약 500℃/시간까지의 속도로 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 고정 가열 처리는 적어도 약 5분의 유지 시간 동안 약 700℃에서 약 1000℃까지의 가열 온도를 유지하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 니켈 산화물층은 약 500nm 내지 약 20마이크론의 평균 두께를 가질 수 있다.
또 다른 구현예에서, 유리 성형용 몰드는 성형 표면 및 상기 성형 표면 상의 니켈 산화물층을 갖는 몰드 바디를 포함할 수 있다. 상기 성형 표면 부근의 몰드 바디의 적어도 일부는 적어도 약 90%의 니켈을 포함할 수 있다. 상기 니켈 산화물층은 약 500nm 내지 약 20마이크론의 평균두께를 가지며, 상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 약 1 마이크론 이하의 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다.
또 다른 구현예에서, 유리 제품이 유리 성형용 몰드를 제공하는 단계; 및 유리를 성형하기에 충분한 온도에서 유리를 몰드에 접촉시켜 유리 제품을 형성하는 단계를 포함하는 방법에 의해 제조될 수 있다. 상기 몰드는 성형 표면을 갖는 몰드 바디; 및 상기 성형 표면 상의 니켈 산화물층을 포함할 수 있다. 상기 성형 표면 부근의 몰드 바디의 적어도 일부는 적어도 약 90%의 니켈을 포함할 수 있다. 상기 니켈 산화물층은 약 500nm 내지 약 30마이크론의 평균두께를 가지며, 상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 약 1 마이크론 이하의 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다.
부가적인 특징 및 장점이 아래 기재된 상세한 설명에 설명되어 있고, 그리고 부분적으로 상세한 설명으로부터 당업자에게 용이하게 파악될 수 있거나 또는 기재된 상세한 설명 및 청구범위뿐만 아니라 첨부된 도면에 나타낸 바와 같은 구현예를 실시함으로써 알 수 있을 것이다.
상기 일반적인 설명과 아래 상세한 설명 모두는 단지 예시적인 것이며, 청구범위의 특성과 특질의 전반적인 이해나 또는 개괄적인 이해를 돕기 위한 것임을 알 수 있을 것이다. 첨부한 도면은 이해를 더욱 돕기 위해 포함되어 있고, 본 명세서의 일부를 이룬다. 도면은 하나 이상의 구현예를 나타내고 있고, 상세한 설명과 함께 청구대상의 원리 및 작동을 설명하기 위해 사용된다.
도 1은 여기에 도시되고 기술되는 하나 이상의 구현예에 따른 유리 성형용 몰드 구조를 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 2는 여러 가지 고정된 온도 및 유지 시간으로 형성된 니켈 산화물층의 평균 두께를 나타낸 그래프이고,
도 3은 여러 가지 고정된 온도 및 유지 시간으로 형성된 니켈 산화물층의 최대 표면 거칠기를 나타낸 그래프이다.
첨부된 도면에 도시된 실시예인 유리 성형용 몰드의 제조방법 및 유리 성형용 몰드의 다양한 구현예를 설명하기 위하여 참조부호가 사용될 것이다. 가능하다면, 동일한 부재번호는 동일하거나 유사한 부품을 지시하도록 도면에서 사용된다. 유리 형성용 몰드의 구현예 뿐 아니라, 유리 성형용 몰드의 제조방법에 대한 구현예가 첨부된 도면을 참조로 상세히 설명될 것이다.
다음의 설명은 실시가능함을 설명하기 위하여 제공된다. 이러한 목적을 위하여, 당업자라면, 여기에 기술된 다양한 구현예에 대하여 다양한 변경이 이루어질 수 있으며, 나아가 유리한 효과를 얻을 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 당업자에게는, 다른 특징들을 이용하지 않고도 일부의 특징들을 선택함으로써 원하는 이익들의 일부를 얻을 수 있음이 명백할 것이다. 따라서, 당업자라면 본 구현예에 대한 많은 변형 및 적응이 특정 환경에서 가능하며 또한 바람직할 수 있으며, 본 설명의 일부를 구성하는 것으로 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 다음의 설명은 설명을 위하여 제공되는 것으로서 한정되는 것으로 의도되는 것은 아니다.
설명된 방법 및 조성의 구현예가 기술되며, 여기에 사용되거나 결합되어 사용되거나 또는 제조에 사용될 수 있는 물질, 화합물, 조성 및 구성성분이 기술된다. 이들 및 다른 물질들이 여기에 기술되며, 이러한 화합물들의 각각의 다양한 개별적이고 총체적인 결합 및 순열의 특정 참조가 기술되나 한정적인 것은 아니며, 각각은 따로 고려되며, 여기에 기술된다. 따라서, 치환기 A, B 및 C의 분류가 기술되고, 또한 치환기 D, E 및 F의 분류가 기술되고, 조합의 구현예 A-D가 기술된다면, 각각은 개별적으로 그리고 총체적으로 고려된다. 따라서, 본 예에서, 각각의 조합 A-E, A-F, B-D, B-E, B-F, C-D, C-E, 및 C-F가 따로 고려되며 A, B 및 C; D, E 및 F; 및 A-D의 결합 예의 기술로부터 기재된 것으로 고려되어야 한다. 이와 유사하게, 이들의 모든 부분집합 또는 조합이 또한 따로 고려되어 기술된다. 따라서, 예를 들어, A-E, B-F, 및 C-E의 하부 그룹이 따로 고려되어 A, B 및 C; D, E 및 F; 및 A-D의 결합 예의 기술로부터 기재된 것으로 고려되어야 한다. 이러한 개념은 기술되는 조성을 제조하는 방법 및 이용하는 방법의 단계 및 조성의 모든 구성성분에 제한 없이 본 기재의 모든 측면에 적용된다. 따라서, 수행될 다양한 추가적인 단계들이 있는 경우, 이러한 각각의 추가적인 단계들은 모든 특정 구현예 또는 기술된 방법의 구현예의 조합으로 수행될 수 있으며, 이러한 각각의 조합은 개시된 것으로 고려되어야 함이 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서 및 후술되는 청구항에서, 여기에 상세히 설명되는 의미를 갖도록 정의되어야 하는 다수의 용어에 대하여 참조가 이루어질 것이다.
용어 "약"은 다르게 언급되지 않는 한 범위에 관한 모든 용어를 표시한다. 예를 들어, 약 1, 2 또는 3은 약 1, 약 2, 또는 약 3과 동등한 표현이며, 나아가 약 1-3으로부터, 약 1-2로부터, 및 약 2-3으로부터를 포함한다. 조성, 구성성분, 재료, 첨가제 및 기타 측면들 및 이들의 범위에 대해 기재된 특정 및 바람직한 값은 단지 설명을 위한 것으로서; 다른 정의된 값이나 또는 정의된 범위 내의 다른 값들을 배제하는 것은 아니다. 본 기재의 조성 및 방법은 여기에 기술된 값, 특정 값, 그 이상의 특정 값, 및 바람직한 값의 모든 값 또는 그 모든 조합을 포함한다.
여기에서 사용되는 바에 따라, 부정관사, "일(a)", 및 여기에 사용되는 대응되는 정관사 "상기(the)"는 다르게 특정되지 않는 한, 적어도 하나, 또는 하나 이상을 의미한다.
여기에 사용되는 바에 따라, 용어 "기판"은 3차원 구조로 형성될 수 있는 유리 시트를 기술한다.
일반적으로, 유리 성형용 몰드는 성형 표면을 갖는 몰드 바디를 제공하는 단계와 상기 성형 표면 상에 니켈 산화물층을 형성하여 상기 성형 표면의 조성을 개질하는 단계를 포함하는 공정에 의해 수행될 수 있다. 상기 성형 표면의 조성에 대한 개질은 상기 성형 표면을 산화 가열 처리에 노출시킴으로써 수행될 수 있다. 상기 산화 가열 처리는 일반적으로 램핑 가열 처리, 고정 가열 처리, 또는 둘 모두를 포함할 수 있으며, 여기서 상기 램핑 가열 처리는 주어진 온도 속도로 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있으며, 고정 가열 처리는 특정 유지 시간 동안 주어진 온도에서 가열 온도를 유지하는 단계를 포함할 수 있다. 몇몇 구체예에서, 상기 산화 가열 처리는 상기 램핑 가열 처리를 포함하지 않을 수 있고, 다른 몇몇 구체예에서, 상기 산화 가열 처리는 상기 고정 가열 처리를 포함하지 않을 수 있다. 상기 가열은 일반적으로 공기중, 또는 기타 모든 산소 함유 분위기에서 수행될 수 있다.
본 구현예는 3차원 유리 기판과 같은 유리 기판의 형성에 유용한 니켈 금속계 몰드를 포함한다. 상기 유리 기판은 전화기, 전자 태블릿, 텔레비전 등과 같은 전자 소자용 정면 및/또는 후면 커버로서 유용할 수 있다. 이러한 전자 적용에서, 상기 유리 기판의 형상 및 표면의 품질은 심미적 매력을 제공할 뿐 아니라 유리 표면의 취약점, 잠재적인 전자적 문제를 최소화하고 비용을 최소화하기 위하여 매우 엄격한 허용 오차 내에 존재해야 할 것이다.
도 1을 참조하면, 유리-성형을 위한 니켈 산화물층을 포함하는 몰드(100)의 일 구현예가 도시되어 있다. 일 구현예에서, 몰드(100)는 상기 몰드 바디(120) 상에 배치된 성형 표면(122)을 포함하는 몰드 바디(120)를 포함할 수 있다. 상기 니켈 산화물층(110)은 상기 몰드 바디(120)의 성형 표면(122)의 적어도 일부 상에 위치될 수 있다. 도 1에 도시된 일 구현예에서, 성형 표면(122)의 기하학적 구조는 상기 몰드 바디(120) 내의 캐비티를 규정한다. 그러나, 다른 구현예에서, 상기 성형 표면(122)의 기하학적 구조는 형성되는 유리와 접촉할 몰드 바디(120)의 돌출 영역과 같은 다른 형상을 규정할 수 있다. 상기 몰드 바디(120)의 폭 넓은 기하학적 구조가 다양한 3차원 유리 제품을 형성하는데 사용될 수 있다. 몇몇 구현예에서, 하나 이상의 몰드 바디(120)가 유리 제품을 형성하는데 이용될 것이다. 예를 들어, 2개의 몰드 바디(120)가 상기 유리 바디를 성형하기 위하여 유리 바디의 반대면에 접촉할 수 있다. 따라서, 2-몰드 구현예에서, 각각의 몰드 바디(120)는 각각 상기 유리와 접하고 니켈 산화물층(110)으로 코팅된 성형 표면(122)을 포함할 수 있다.
상기 산화 가열 처리 이전에, 상기 몰드(100)는 약 90%를 초과하는 니켈을 포함하는 성형 표면(122)을 포함할 수 있다. 상기 몰드(100)는 약 90%의 니켈보다 큰 벌크 물질로 제조되거나, 또는 또 다른 벌크 물질 상에 적어도 약 90% 니켈층을 포함할 수 있다. 상기 몰드(100)는 3차원 유리 기판의 형성을 위하여 상업적으로-순수한 니켈과 같은 고순도 니켈을 가질 수 있다. 후술되는 바와 같이, 고순도 및 초고순도 니켈 물질은 연화된 유리에 의해서 접촉될 때 우수한 고온 산화 및 내부식성 뿐만 아니라 우수한 비-점착 특성을 가질 수 있다. 고순도 및 초고순도 니켈은 상대적으로 무를 수 있고(soft), 따라서, 통상적인 유리 형성 작업에 대해 충분히 견고하지 않은 것으로 생각되어 왔다. 그러나, 본 구현예의 공정은 상기 몰드(100) 상에 강력한 힘(heavy force)를 적용하지 않으므로, 신규한 방식으로 이러한 물질의 사용을 가능하게 한다.
일 구현예에서, 상기 성형 표면(122)은 고순도 니켈을 포함할 수 있다. 상기 고순도 니켈 몰드(100)는 광학-품질 유리 제품의 형성을 가능하게 한다. 여기서 사용되는 바에 따라, 고순도 니켈 몰드는 적어도 90%, 93%, 95%, 97%, 98%, 99%, 99.5%, 99.9%, 99.95%, 또는 99.99%의 니켈을 포함하는 조성물을 갖는 몰드(100)를 포함한다. 일부 구현예에서, 상기 성형 표면(122)은 약 95% 내지 약 99.99% 니켈, 약 97% 내지 약 99.99% 니켈, 약 98% 내지 약 99.99% 니켈, 약 99% 내지 약 99.99% 니켈, 약 99.5% 내지 약 99.99% 니켈, 약 99.9% 내지 약 99.99% 니켈, 약 95% 내지 약 99.95% 니켈, 약 97% 내지 약 99.95% 니켈, 약 98% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99.5% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99.9% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99.9% 내지 약 99.95% 니켈, 약 95% 내지 약 99.9% 니켈, 약 97% 내지 약 99.9% 니켈, 약 98% 내지 약 99.9% 니켈, 약 99% 내지 약 99.9% 니켈, 약 99.5% 내지 약 99.9% 니켈, 약 95% 내지 약 99.5% 니켈, 약 97% 내지 약 99.5% 니켈, 약 98% 내지 약 99.5% 니켈, 약 99% 내지 약 99.5% 니켈, 약 95% 내지 약 99% 니켈, 약 97% 내지 약 99% 니켈, 약 98% 내지 약 99% 니켈, 약 95% 내지 약 98% 니켈, 약 97% 내지 약 98% 니켈, 또는 약 95% 내지 약 97% 니켈을 포함할 수 있다.
일부 구현예에서, 상기 성형 표면(122)은 초고순도 니켈을 포함할 수 있다. 여기에 사용되는 바에 따라, 초고순도 니켈은 적어도 99%, 99.5%, 99.9%, 99.95%, 또는 99.99% 니켈을 포함한다. 일부 구현예에서, 초고순도 니켈은 약 99% 내지 약 99.99% 니켈, 약 99.5% 내지 약 99.99% 니켈, 약 99.9% 내지 약 99.99% 니켈, 약 99% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99.5% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99.9% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99.9% 내지 약 99.95% 니켈, 약 99% 내지 약 99.9% 니켈, 약 99.5% 내지 약 99.9% 니켈, 또는 약 99% 내지 약 99.5% 니켈로부터를 포함한다.
여기서 사용될 수 있는 니켈 조성의 예는 상업적으로 순수 니켈 등급 200 (99.6% Ni, 0.04% C), 201 (99.6% Ni, 0.02% C 최대), 205 (99.6% Ni, 0.04% C, 0.04% Mg), 212 (97.0% Ni), 222 (99.0% Ni), 233 (99% Ni), 및 270 (99.97% Ni) (예를 들어, 특별-목적의 니켈 합금(Special-Purpose Nickel Alloys, ASM 스페셜티 핸드북: 니켈, 코발트 및 그 합금, #06178G (ASM 인터네셔널 2000) 참조, 여기에 그 전체내용이 참고로 포함됨)을 포함하나, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 몰드(100)의 성형 표면(122) 조성은 상기 성형 표면(122)을 산화 가열 처리에 노출시킴으로써 개질될 수 있다. 상기 산화 가열 처리는 상기 몰드(100)의 성형 표면(122)에서의 적어도 일부가 니켈 산화물로 변환되기에 충분하도록 높은 온도에 상기 몰드(100)를 노출시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 니켈 산화물은 상기 몰드(100)의 실질적으로 전체 성형 표면(122) 위의 층을 포함할 수 있다.
상기 산화 가열 처리는 램핑 가열 처리, 고정 가열 처리, 또는 이들 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 산화 가열 처리는 주어진 온도에서 상기 가열 온도를 램핑(ramping)시킨 다음, 대략적으로 그 온도에서 유지시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 램핑 가열 처리는 주어진 온도 속도에서 목적하는 온도로 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 여기서 사용되는 바에 따라, 가열 온도는 상기 몰드(100)가 상기 산화 가열 처리 동안 노출되는 온도이다. 상기 속도는 완전하게 스테디(steady)(선형 함수의 가열 커브)할 필요는 없으나, 실질적으로 완전하게 스테디하거나, 또는 확립된 범주의 가열 속도 내에 있어야 한다. 고정 가열 처리는 특정된 유지 시간 동안 주어진 온도에서 상기 가열 온도를 유지하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 고정된 가열 처리의 특정된 온도는 상기 유지 시간의 전체 코스에 걸쳐 완전히 일정할 필요는 없으나, 상기 특정된 고정 온도의 약 25℃ 내에 있어야 한다. 예를 들어, 고정된 가열 처리가 약 800℃에서 온도를 유지시키는 단계를 포함하는 경우, 시간에 걸친 실제 온도는 약 775℃ 내지 약 825℃ 사이에서 변화될 수 있다.
일부 구현예에서, 램핑 가열 처리는 약 20℃/시간, 약 30℃/시간, 약 40℃/시간, 약 50℃/시간, 약 60℃/시간, 약 70℃/시간, 약 80℃/시간, 약 90℃/시간, 약 100℃/시간, 110℃/시간, 약 120℃/시간, 약 130℃/시간, 140℃/시간, 약 150℃/시간, 약 200℃/시간, 약 300℃/시간, 약 400℃/시간, 또는 약 500℃/시간의 속도로 목적하는 온도까지 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 램핑 가열 온도는 상기 가열 온도를 약 20℃/시간에서 약 500℃/시간까지, 약 30℃/시간에서 약 300℃/시간까지, 약 40℃/시간에서 약 200℃/시간까지, 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지, 약 60℃/시간에서 약 140℃/시간까지, 약 70℃/시간에서 약 130℃/시간까지, 약 80℃/시간에서 약 120℃/시간까지, 또는 약 90℃/시간에서 약 110℃/시간까지의 속도로 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 목적하는 온도는 약 800℃에서 약 1000℃까지, 약 900℃에서 약 1000℃까지, 약 700℃에서 약 900℃까지, 약 800℃에서 약 900℃까지, 또는 약 700℃에서 약 800℃까지와 같은 약 700℃에서 약 1000℃일 수 있다.
일부 구현예에서, 상기 고정 가열 처리는 유지 시간 동안 적어도 약 300℃, 400℃, 500℃, 600℃, 700℃, 800℃, 900℃, 또는 1000℃에서 상기 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함할 수 있다. 일부 구현예에서, 상기 고정 가열 처리는 적어도 약 300℃에서 약 1000℃까지, 약 400℃에서 약 1000℃까지, 약 500℃에서 약 1000℃까지, 약 600℃에서 약 1000℃까지, 약 700℃에서 약 1000℃까지, 약 800℃에서 약 1000℃까지, 약 900℃에서 약 1000℃까지, 약 300℃에서 약 900℃까지, 약 400℃에서 약 900℃까지, 약 500℃에서 약 900℃까지, 약 600℃에서 약 900℃까지, 약 700℃에서 약 900℃까지, 약 800℃에서 약 900℃까지, 약 300℃에서 약 800℃까지, 약 400℃에서 약 800℃까지, 약 500℃에서 약 800℃까지, 약 600℃에서 약 800℃까지, 약 700℃에서 약 800℃까지, 약 300℃에서 약 700℃까지, 약 400℃에서 약 700℃까지, 약 500℃에서 약 700℃까지, 약 600℃에서 약 700℃까지, 약 300에서 약 600℃까지, 약 400℃에서 약 600℃까지, 약 500℃에서 약 600℃까지, 약 300℃에서 약 500℃까지, 약 400℃에서 약 500℃까지, 또는 약 300℃에서 약 400℃까지의 온도로 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함할 수 있다. 상기 유지 시간은 적어도 약 5분일 수 있다. 예를 들어, 상기 유지 시간은 약 15분부터 약 1주일까지일 수 있다. 예를 들어, 상기 유지 시간은 적어도 약 15분, 30분, 45분, 1시간, 1.5시간, 2시간, 3시간, 4시간, 5시간, 6시간, 7시간, 8시간, 9시간, 10시간, 11시간, 12시간, 13시간, 14시간, 15시간, 16시간, 18시간, 20시간, 22시간, 또는 24시간일 수 있다. 일부 구현예에서, 상기 유지 시간은 약 15분에서 약 4시간까지, 약 30분에서 약 1.5시간까지, 약 8시간에서 약 24시간까지, 약 12시간에서 약 20시간까지, 약 14에서 약 18시간까지, 또는 약 15시간에서 약 17시간까지일 수 있다.
상기 램핑 가열 처리 또는 고정 가열 처리에 이어서, 무엇이든 이후의 것에 이어서, 상기 몰드의 주위 온도는 대기 조건 또는 대기 조건 부근으로(약 실온으로) 되돌려질 수 있다. 상기 램핑 가열 처리는 대기 조건 또는 대기 조건 부근에서 개시될 수 있다.
일부 구현예에서, 상기 산화 가열 처리는 램핑 가열 처리 및 고정 가열 처리 모두를 포함한다. 예를 들어, 상기 램핑 가열 처리는 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지의 속도에서 약 700℃에서 약 900℃까지의 온도로 상기 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고정 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 700℃에서 약 900℃까지 약 14시간에서 약 18시간까지의 유지시간 동안 유지시키는 단계를 포함할 수 있다. 다른 구현예에서, 상기 램핑 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 70℃/시간에서 약 130℃/시간까지, 약 80℃/시간에서 약 120℃/시간까지, 약 90℃/시간에서 약 110℃/시간까지, 또는 약 100℃/시간의 속도에서 약 750℃에서 약 850℃까지, 약 750℃에서 약 825℃, 약 790℃에서 약 810℃까지, 또는 약 800℃의 온도로 증가시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고정 가열 처리는 상기 유지 온도를 약 750℃에서 약 850℃까지, 약 750℃에서 약 825℃까지, 약 790℃에서 약 810℃까지, 또는 약 800℃에서 약 10시간에서 약 22시간까지, 14시간에서 약 18시간까지, 15시간에서 약 17시간까지, 또는 약 16시간의 유지 시간 동안 유지시키는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 램핑 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지의 속도로 약 800℃에서 약 1000℃까지의 온도로 증가시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고정 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 800℃에서 약 1000℃까지 약 30분에서 약 1.5시간까지의 유지 시간 동안 유지시키는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 램핑 가열 처리는 상기 온도를 약 70℃/시간에서 약 130℃/시간까지, 약 80℃/시간에서 약 120℃/시간까지, 약 90℃/시간에서 약 110℃/시간까지, 또는 약 100℃/시간의 속도에서 약 850℃ 내지 약 950℃까지, 약 875℃에서 약 925℃까지, 약 890℃에서 약 910℃까지, 또는 약 900℃의 온도로 증가시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고정 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 850℃에서 약 950℃까지, 약 875℃에서 약 925℃까지, 약 890℃에서 약 910℃까지, 또는 약 900℃까지, 약 5분 내지 4시간까지, 약 15분에서 약 2시간까지, 약 30분에서 약 1.5시간까지, 약 45분에서 약 1.25시간까지, 또는 약 1시간까지의 유지 시간 동안 유지시키는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 산화 가열 처리는 실질적인 고정 가열 처리 없이, 또는 약 15분 미만의 고정 가열 처리와 단지 램핑 가열 처리만을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 램핑 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지의 속도로 약 950℃에서 약 1000℃까지의 온도로 증가시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고정 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 950℃에서 약 1000℃까지 0초에서 약 30분까지의 유지 시간 동안 유지시키는 단계를 포함할 수 있다. 다른 구현예에서, 상기 램핑 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 70℃/시간에서 130℃/시간까지, 약 80℃/시간에서 약 120℃/시간까지, 약 90℃/시간에서 약 110℃/시간까지, 또는 약 100℃/시간까지의 속도로 약 900℃에서 약 1050℃까지, 약 950℃에서 약 1000℃까지, 약 950℃에서 약 970℃까지, 또는 약 960℃까지의 온도로 증가시키는 단계를 포함할 수 있고, 상기 고정 가열 처리는 상기 가열 온도를 약 900℃에서 약 1050℃까지, 약 950℃에서 약 1000℃까지, 약 950℃에서 약 970℃까지, 또는 약 960℃에서 약 1 시간 미만, 약 45분 미만, 약 30분 미만, 약 15분 미만, 약 10분 미만, 또는 약 5분 미만과 같은 0초에서 약 30분까지의 유지 시간 동안 유지시키는 단계를 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 산화 가열 처리는 약 1시간 미만, 약 45분 미만, 약 30분 미만, 약 15분 미만, 약 10분 미만, 또는 약 5분 미만 동안 램핑 가열 처리의 최대 온도에서 고정 가열 처리를 포함할 수 있다.
상기 몰드(100) 상의 니켈 산화물층(110)은 약 500 nm 내지 약 20 마이크론, 약 1 마이크론 내지 약 14 마이크론, 약 1 마이크론 내지 약 10 마이크론, 또는 약 1.5 마이크론 내지 약 2.5 마이크론의 평균 두께를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 상기 몰드(100) 상의 니켈 산화물층(110)은 약 100 nm, 약 200 nm, 약 300 nm, 약 400 nm, 약 500 nm, 약 750 nm, 약 1 마이크론, 약 2 마이크론, 약 3 마이크론, 약 4 마이크론, 약 5 마이크론, 약 6 마이크론, 약 7 마이크론, 약 8 마이크론, 약 9 마이크론, 약 10 마이크론, 약 12 마이크론, 약 15 마이크론, 약 18 마이크론, 또는 약 20 마이크론의 평균 두께를 가질 수 있다.
여기에 기술된 니켈 산화물층(110)을 갖는 몰드(100)를 이용하여 형성된 유리 제품은 감소된 수의 결점(defect)을 가질 수 있다. 이상적으로, 형성되는 부품의 품질은 사용되는 유리 시트 만큼 좋을 것이다. 가장 경제적인 공정으로서, 이러한 표면 품질이 형성된 표면의 재작업 또는 연마를 추가로 수행하지 않고 달성되기를 원한다. 여기서 사용된 바에 따라, 결점은 딤플(유리 제품 내의 움푹한 곳), 표면 체크/크랙, 기포, 칩, 코드(cords), 다이스(dice), 식별가능한 결정, 랩(laps), 시드(seeds), 스톤, 오렌지 필 결점(상기 몰드 표면 상의 예를 들어, 0.1 마이크론의 높이와 30 마이크론을 초과하는 직경을 갖는, 높은 영역으로부터 형성된 유리 내의 피트(pits)) 및 가는 홈(stria)을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 구현예에서, 모든 표면 상의 25 mm×25 mm 영역 1000 럭스에서 평균 50, 40, 30, 20, 10, 5, 4, 3, 2, 또는 1 미만의 육안으로 식별가능한 결점이 존재한다. 일부 구현예에서, 광학 현미경으로 측정된 바에 따라, 모든 표면 상의 25 mm×25 mm 영역에서 가장 큰 크기로 150 마이크론인 평균 50, 40, 30, 20, 10, 5, 4, 3, 2, 또는 1 미만의 결점이 존재한다. 일부 구현예에서, 상기 결점은 가장 큰 디멘전으로 1, 2, 3, 5, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 125, 또는 150 마이크론이다.
또 다른 구현예에서, 여기에 기술된 니켈 산화물층(110)을 갖는 몰드(100)를 이용하여 형성된 유리 제품은 필수적으로 결함이 없다(flawless). "필수적으로 결함이 없다"는 것은 광학 현미경 기술을 이용하여 측정한 바에 따라, 표면에 150 마이크론을 초과하는 직경을 갖는 압입(identation)(또는 딤플)이 존재하지 않음을 의미한다. 일부 구현예에서, 광학 현미경으로 측정된 바에 따라, 모든 표면 상의 25 mm×25 mm 영역에서 가장 큰 크기로 150 마이크론의 직경을 초과하는 평균 50, 40, 30, 20, 10, 5, 4, 3, 2, 또는 1 미만의 압입(또는 딤플)이 존재한다. 일부 구현예에서, 상기 딤플의 크기는 가장 큰 디멘전으로 1, 2, 3, 5, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 125, 또는 150 마이크론보다 크다.
특정 이론에 국한되는 것은 아니나, 고순도 및 초고순도 니켈 몰드(100)로 형성된 유리 표면 상의 결점 수준의 감소는 적어도 2가지 원인에 기인한 것으로 여겨진다. 첫째, 니켈 및 니켈 산화물은 유리와 반응하지 않는 것 같다. 특히, 알루미노실리케이트 유리는 높은 비반응성을 나타내는 것 같다. 비반응성은 유리가 Ni 몰드 물질에 쉽게 점착되지 않고 몰드 표면 상의 물질의 빌드-업을 야기시키는 유리 또는 유리 휘발물 사이에 어떠한 유의미한 화학 반응도 일으키지 않는 것을 의미한다.
고순도 및 초고순도 니켈로 형성된 유리 표면 상의 결점 수준 감소의 두번째 이유는 니켈에 함유된 불순물 및 함유물 수준의 감소이다. 이러한 불순물들은 다음 중 하나 이상을 포함한다: Cu, Fe, Mn, C, Si, S, Mg, Al 및 Ti. 상기 불순물들은 통상적으로 산화물, 황화물 및 탄화물로서 Ni계 합금 내에 존재한다. 대부분의 경우는 아니나 여러 경우 상기 산화물, 황화물 및 탄화물은 합금 전체에 걸쳐 무작위로 분포된, 통상적으로 함유물(inclusion)이라 불리는 구별되는 상(distinct phase)으로서 Ni 합금의 미세 구조 내에 존재한다. 이러한 함유물의 특정 %는 상기 몰드의 가공 및 연마된 표면 상에 이를 것이다. 상기 유리 형성 공정 시, 상기 몰드 표면 또는 표면 부근에 존재하는 함유물들은 상기 유리와 반응성을 가져 점착될 수 있고, 또는 벌크 금속과 다른 속도로 산화하고 반응하여 상기 몰드 표면 상에 돌출부를 형성할 수 있다.
두 가지 경우 모두 유리 상에 점착될 수 있는 몰드 표면 상의 국부 영역을 초래하거나 또는 상기 형성 공정 시 유리 표면을 가로지르는(drag across) 고압점을 야기시키고 형성된 표면에 결점을 초래한다. 고순도 및 초고순도 니켈 몰드가 더욱 순수해질수록 금속 내의 함유물의 수가 더욱 줄고 가공된 몰드 표면을 교차하는 함유물의 빈도가 더욱 감소한다. 상기 성형 표면(122) 상의 감소된 함유물은 형성된 유리 표면 상에 결점 생성의 감소로 이어진다.
일부 구현예에서, 상기 니켈 산화물층(110)은 상기 몰드(100)의 성형 표면(122) 상에서 약 1 마이크론 이하의 평균 표면 거칠기(Ra)를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 상기 평균 표면 거칠기(Ra)는 100㎛, 10mm, 100mm, 등과 같은 평가 길이에 걸쳐 결정되거나, 또는 전체 성형 표면의 분석에 기초하여 결정될 수 있다. 여기서 사용되는 바에 따라, Ra는 국부적인 표면 높이와 평균 표면 높이 사이의 차이의 산술평균으로 정의되며, 다음의 수학식으로 기술될 수 있다:
Figure pct00001
,
여기서, yi는 국부적인 표면 높이 대비 평균 표면 높이이다. 다른 구현예에서, Ra는 10mm의 평가 길이에 걸쳐 약 0.75 마이크론, 0.5 마이크론, 또는 0.25 마이크론 이하일 수 있다.
일부 구현예에서, 상기 니켈 산화물층(110)은 상기 몰드(100)의 성형 표면(122) 상에서 약 1.5 마이크론 이하의 최대 표면 거칠기(Rp)를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 이러한 평균 표면 거칠기(Rp)는 100㎛, 10mm, 100mm, 1cm 등과 같은 평가 길이에 걸쳐 결정된다. 여기서 사용되는 바에 따라, Rp는 최대 높이와 평균 높이 사이의 차이로서 정의되며, 다음의 수학식으로 기술될 수 있다:
Figure pct00002
여기서, yi는 최대 높이 대비 평균 표면 높이이다. 다른 구현예에서, Rp는 10mm의 평가 길이에 걸쳐 약 1.25 마이크론, 1 마이크론, 0.75 마이크론, 0.5 마이크론, 또는 0.25 마이크론 이하일 수 있다.
여기에 기술된 몰드(100)의 구현예들은 3D 유리 형성 공정과 같은 모든 형성 공정에서 사용될 수 있다. 상기 몰드(100)는 미국출원번호 제13/480,172호 및 제13/709,594호에 기술된 방법 및 소자와 조합하여 사용될 때 3D 유리 제품 형성에 특히 유용하며, 상기 문헌들은 그 전체내용이 참고로서 본원에 포함된다. 미국출원번호 제13/480,172호 및 제13/709,594호에 구현된 공정들은 상기 유리의 온도와 상당히 근접한 몰드 온도를 사용한다 - 이는 600 내지 700℃의 온도 범위에서 몰드(100)가 작동함을 의미한다. 상기 형성 공정 시 몰드(100)에 점착되는 유리 문제는 증진된 몰드/금속 온도로 증가한다는 것이 알려져 있다. 이러한 몰드 온도는 가압 공정에 사용되는 몰드(100)의 통상적인 온도보다 적어도 100-200℃ 뜨겁고, 작업자가 진공을 형성하는 작업 범위는 유리에의 몰드 점착이 일어나고 유리 내에 미관상 그리고 구조적인 결함을 초래하는 부분 내에 존재한다. 상기 구현된 고순도 및 초고순도 니켈 몰드는 이러한 점착 또는 접착 문제를 다루는 신규한 수단을 제공하며 약간의 표면 결점 또는 결함을 갖거나, 또는 표면 결점 또는 결함을 갖지 않는 유리 제품을 제공한다.
여기에 기술된 몰드(100)는 유리를 성형하기에 충분한 온도에서 유리에 몰드(100)를 접촉시켜 유리 제품을 형성함으로써 유리 제품 제조에 사용될 수 있다. 일부 구현예에서, 상기 니켈 몰드(100)는 다음의 공정에 사용될 수 있다: 전형적인 열개질 공정은 상기 2D 유리 시트를 형성 온도, 예를 들어 상기 유리의 강화점(annealing point)과 연화점 사이 또는 107 푸아즈 내지 1011 푸아즈의 유리 점도에 대응되는 온도 범위의 온도로 가열하는 단계를 포함하며, 한편, 상기 2D 유리 시트는 몰드(100)의 상면 상에 위치한다. 상기 가열된 2D 유리 시트는 한번 가열되면 새깅(sagging)하기 시작한다. 통상적으로, 다음으로, 상기 유리 시트와 몰드(100) 사이에 진공이 적용되어 상기 유리 시트를 성형 표면(122)에 맞게 함으로써 상기 유리를 3D 유리 제품으로 형성한다. 상기 3D 유리 제품의 형성 후, 상기 3D 유리 제품은 유리의 스트레인점 아래의 온도로 냉각되며, 이로써 상기 3D 유리의 취급이 가능하다.
본 구현예를 통해 형성된 유리 제품은 미국 가출원번호 제61/653.476호에 의해 기술될 수 있다. 상기 3차원(3D) 유리 제품은 예를 들어 소자의 정면, 후면 또는 측면의 일부 또는 모두로서 디스플레이를 갖는 전자 소자를 커버하는데 사용될 수 있다. 상기 3D 커버 유리는 디스플레이를 보호할 수 있는 한편, 상기 디스플레의 견망(viewing) 및 디스플레이와의 상호작용을 가능하게 한다. 정면 커버로 사용되는 경우, 상기 유리 제품은 상기 디스플레이가 위치되는 상기 전자 소자의 정면을 커버하기 위한 정면 커버 유리 섹션, 및 상기 전자 소자의 둘레면 부근을 감싸는 하나 이상의 측면 커버 유리 섹션을 가질 수 있다. 상기 정면 커버 유리 섹션은 상기 측면 커버 유리 섹션과 인접하여 제작될 수 있다.
여기에 기술되는 공정에 사용되는 예비성형 유리는 통상적으로 2차원(2D) 유리 시트로서 시작한다. 상기 2D 유리 시트는 용융(fusion) 또는 플로트(float) 공정에 의해 제작될 수 있다. 일부 구현예에서, 상기 2D 유리 시트는 용융 공정에 의해 형성되는 유리의 원래 시트(pristine sheet)로부터 추출된다. 상기 유리의 원래 성질은 이온-교환 화학 강화 공정과 같은 강화 공정(strengthening process)을 수행하기 전까지 보존된다. 2D 유리 시트 형성 공정은 당업계에 공지되어 있으며, 고품질 2D 유리 시트는 예를 들어, 미국특허번호 제5,342,426호, 제6,502,423호, 제6,758,064호, 제7,409,839호, 제7,685,840호, 제7,770,414호, 및 제8,210,001호에 기술되어 있다.
일 구현예에서, 상기 유리는 알칼리 알루미노실리케이트 유리 조성물로부터 제조된다. 예시적인 알칼리 알루미노실리케이트 유리 조성물은 약 60몰% 내지 약 70몰%의 SiO2; 약 6몰% 내지 약 14몰%의 Al2O3; 0몰% 내지 약 15몰%의 B2O3; 0몰% 내지 약 15몰%의 Li2O; 0몰% 내지 약 20몰%의 Na2O; 0몰% 내지 약 10몰%의 K2O; 0몰% 내지 약 8몰%의 MgO; 0몰% 내지 약 10몰%의 CaO; 0몰% 내지 약 5몰%의 ZrO2; 0몰% 내지 약 1몰%의 SnO2; 0몰% 내지 약 1몰%의 CeO2; 약 50ppm 미만의 As2O3; 및 약 50 ppm 미만의 Sb2O3를 포함하며; 여기서 12몰% ≤ Li2O + Na2O + K2O ≤ 20몰% 그리고 0몰% ≤ MgO + CaO ≤ 10몰%이다. 상기 알칼리 알루미노실리케이트 유리는 미국특허번호 제8,158,543호에 기술되어 있다.
또 다른 예시적인 알칼리-알루미노실리케이트 유리 조성물은 적어도 약 50몰%의 SiO2 및 적어도 약 11몰%의 Na2O를 포함하며, 압축력이 적어도 약 900 MPa이다. 일부 구현예에서, 상기 유리는 Al2O3 및 B2O3, K2O, MgO 및 ZnO 중 적어도 하나를 더욱 포함하며, 여기서, -340 + 27.1·Al2O3 - 28.7·B2O3 + 15.6·Na2O - 61.4·K2O + 8.1·(MgO + ZnO) ≥ 0몰%이다. 특정 구현예에서, 상기 유리는 약 7몰% 내지 약 26몰%의 Al2O3; 0몰% 내지 약 9몰%의 B2O3; 약 11몰% 내지 약 25몰%의 Na2O; 0몰% 내지 약 2.5몰%의 K2O; 0몰% 내지 약 8.5몰%의 MgO; 및 0몰% 내지 약 1.5몰%의 CaO를 포함한다. 상기 유리는 매튜 제이. 데네카 등에 의해 "높은 압축력을 갖는 이온 교환형 유리"의 명칭으로 2011년 7월 1일자로 출원된 미국 가출원번호 제61/503,734호에 기술되어 있으며, 상기 문헌의 전체내용은 참고로서 본원에 포함된다.
전술한 것 외에 그리고 알칼리-알루미노실리케이트 유리 조성물 외에 다른 형태의 유리 조성물이 3D 커버 유리용으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 알칼리-알루미노보로실리케이트 유리 조성물이 상기 3D 커버 유리용으로 사용될 수 있다. 바람직하게는, 상기 사용되는 유리 조성물은 이온-교환형 유리 조성물이며, 이들은 일반적으로 거대 알칼리 또는 알칼리토 금속 이온과 이온교환될 수 있는 작은 알칼리 또는 알칼리토 금속 이온을 함유하는 유리 조성물이다. 이온-교환형 유리 조성물의 추가적인 예는 미국특허번호 제7,666,511호, 제4,483,700호, 및 미국특허번호 제5,674,790호 및 미국특허출원번호 제12/277,573호(데네카 등; 2008.11.25), 제12/392,577호(고메즈 등; 2009.02.25), 제12/856,840호(데네카 등; 2010.08.10), 제12/858,490호(베어푸트 등; 2010.08.18), 및 제13/305,271호(북바인더 등; 2010.11.28)에서 찾을 수 있다.
본 발명을 한정된 수의 구현예로 기술하였으나, 당업자라면 본 기재로부터 여기에 기술된 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 다른 구현예가 창안될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 한정되어야 한다.
여기에 기술된 몰드는 상기 몰드에 의해 성형된 유리의 표면 상에 감소된 결함의 이점을 제공할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한, 우수한 표면 특성을 갖는 몰드가 여기에 기술된 방법에 의해 생산될 수 있으며, 특히 상기 몰드의 성형 표면 상에 산화물층을 제조하기 위하여 여기에 기술된 가열 체제를 이용하여 생산될 수 있음이 이해되어야 한다.
용어 "실질적으로" 및 "약"은 여기서 모든 양적인 비교, 값, 측정 또는 다른 표현에 사용되어 불확실성의 고유 정도를 나타내는데 사용될 수 있음이 주지되어야 한다. 이러한 용어들은 또한 양적인 표현이 여기서 청구 대상의 기본적인 기능을 변화시키지 않고 언급되는 참고로부터 변할 수 있는 정도를 표현하는데 사용된다.
본 청구 대상의 범위를 벗어나지 않고 여기에 기술된 구현예에 대하여 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. 이러한 모든 변형 및 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
실시예
예비 성형 고순도 니켈 몰드를 100℃/시간으로 실온에서부터의 고정된 가열 온도까지의 가열 온도를 램핑하고 주어진 시간의 기간 동안 유지시키는 산화 가열 처리에 노출시켜 몰드를 제작하였다. 도 2는 형성된 니켈 산화물층의 평균 두께를 나타내며, 도 3은 상기 고정 가열 처리 온도 및 유지 시간에 기초하여 최대 표면 거칠기를 나타낸다. 상기 니켈 몰드는 적어도 99%의 니켈을 함유하였으며, 때로 "201 니켈"로서 언급되었다. 상기 가열은 공기 중에서 수행되었다.

Claims (20)

  1. 적어도 약 90% 니켈을 포함하는 성형 표면을 갖는 몰드 바디를 제공하는 단계; 및
    상기 성형 표면을 산화 가열 처리에 노출시켜 상기 성형 표면 상에 니켈 산화물층을 형성하여 상기 성형 표면의 조성을 개질하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 가열 처리는 램핑 가열 처리, 고정 가열 처리, 또는 이들 모두를 포함하며,
    상기 램핑 가열 처리는 약 700℃에서 약 1000℃까지의 온도에서 약 20℃/시간에서 약 500℃/시간까지의 속도로 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함하며,
    상기 고정 가열 처리는 적어도 약 5분의 유지 시간 동안 약 700℃에서 약 1000℃까지의 가열 온도를 유지하는 단계를 포함하며,
    여기서, 상기 니켈 산화물층은 약 500nm 내지 약 30마이크론의 평균 두께를 갖는 유리 성형용 몰드를 제조하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 산화 가열 처리는 상기 램핑 가열 처리 및 상기 고정 가열 처리를 모두 포함하는 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 램핑 가열 처리는 약 700℃에서 약 900℃까지의 온도로 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지의 속도에서 상기 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 고정 가열 처리는 약 14시간에서 약 18시간까지의 유지 시간 동안 약 700℃에서 약 900℃까지의 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 램핑 가열 처리는 약 775℃에서 약 825℃까지의 온도로 약 90℃/시간에서 약 110℃/시간까지의 속도에서 상기 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 고정 가열 처리는 약 14시간에서 약 18시간까지의 유지 시간 동안 약 775℃에서 약 820℃까지의 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  5. 청구항 2에 있어서,
    상기 램핑 가열 처리는 약 800℃에서 약 1000℃까지의 온도로 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지의 속도에서 상기 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 고정 가열 처리는 약 30분에서 약 1.5시간까지의 유지 시간 동안 약 800℃에서 약 1000℃까지의 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  6. 청구항 2에 있어서,
    상기 램핑 가열 처리는 약 875℃에서 약 925℃까지의 온도로 약 90℃/시간에서 약 110℃/시간까지의 속도에서 상기 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 고정 가열 처리는 약 30분에서 약 1.5시간까지의 유지 시간 동안 약 875℃에서 약 925℃까지의 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 램핑 가열 처리는 약 950℃에서 약 1000℃까지의 온도로 약 50℃/시간에서 약 150℃/시간까지의 속도에서 상기 가열 온도를 증가시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 고정 가열 처리는 약 0초에서 약 30분까지의 유지 시간 동안 약 950℃에서 약 1000℃까지의 가열 온도를 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 약 1마이크론 내지 약 40마이크론의 평균 두께를 갖는 방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 약 1마이크론 내지 약 30마이크론의 평균 두께를 갖는 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 약 2마이크론 내지 약 20마이크론의 평균 두께를 갖는 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 10mm의 평가 길이에 걸쳐 약 1 마이크론 이하의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는 방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 10mm의 평가 길이에 걸쳐 약 1.5 마이크론 이하의 최대 표면 거칠기(Rp)를 갖는 방법.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰드 바디는 상기 성형 표면의 조성을 개질하기 이전에 약 95%보다 높은 니켈을 포함하는 성형 표면을 갖는 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 몰드 바디는 상기 성형 표면의 조성을 개질하기 이전에 약 99%보다 높은 니켈을 포함하는 성형 표면을 갖는 방법.
  15. 청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 따른 방법에 따라 제조된 유리 성형용 몰드.
  16. 성형 표면을 갖는 몰드 바디; 및
    상기 성형 표면 상의 니켈 산화물층;
    을 포함하며,
    여기서, 상기 성형 표면 부근의 몰드 바디의 적어도 일부는 적어도 약 90%의 니켈을 포함하며,
    여기서, 상기 니켈 산화물층은 약 500nm 내지 약 30마이크론의 평균두께를 가지며, 상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 약 1 마이크론 이하의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는 유리 성형용 몰드.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 약 1 마이크론 내지 약 20 마이크론의 평균 두께를 갖는 몰드.
  18. 청구항 16 또는 청구항 17에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 약 1.5 마이크론 이하의 최대 표면 거칠기(Rp)를 갖는 몰드.
  19. 유리 성형용 몰드를 제공하는 단계; 및
    유리를 성형하기에 충분한 온도에서 유리를 몰드에 접촉시켜 유리 제품을 형성하는 단계;
    를 포함하며,
    여기서, 상기 몰드는:
    성형 표면을 갖는 몰드 바디; 및
    상기 성형 표면 상의 니켈 산화물층;
    을 포함하며,
    여기서, 상기 성형 표면 부근의 몰드 바디의 적어도 일부는 적어도 약 90%의 니켈을 포함하며,
    여기서, 상기 니켈 산화물층은 약 500nm 내지 약 30마이크론의 평균두께를 가지며, 상기 니켈 산화물층은 상기 몰드의 성형 표면 상에서 약 1 마이크론 이하의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는 유리 제품의 제조방법.
  20. 청구항 19에 있어서,
    상기 니켈 산화물층은 약 1 마이크론 내지 약 20 마이크론의 평균 두께를 갖는 방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9145323B2 (en) * 2013-01-21 2015-09-29 Corning Incorporated Molds for shaping glass and methods for making the same
US10087100B2 (en) * 2013-04-10 2018-10-02 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method of manufacturing glass plate having curved surface shape, and glass plate having a curved surface shape
US9902641B2 (en) 2015-03-20 2018-02-27 Corning Incorporated Molds for shaping glass-based materials and methods for making the same
US10351459B2 (en) 2015-08-14 2019-07-16 Corning Incorporated Molds and methods to control mold surface quality
WO2017087204A1 (en) 2015-11-18 2017-05-26 Corning Incorporated Powder, process of making the powder, and articles made therefrom
US11097973B2 (en) 2016-04-05 2021-08-24 Corning Incorporated Mold stack for forming 3D glass-based articles
JP2018020958A (ja) * 2016-07-22 2018-02-08 旭硝子株式会社 成形型、成形装置、及び屈曲ガラスの製造方法
EP3692002A1 (en) * 2017-10-06 2020-08-12 Corning Incorporated Process and system for forming curved glass via differential heating of edge region
CN109354392A (zh) * 2018-11-19 2019-02-19 全鸿精研（淮北）有限公司 一种曲面玻璃及其制备方法
TWI841629B (zh) * 2018-11-29 2024-05-11 美商康寧公司 用於抬頭顯示系統之反曲率非球面鏡及其形成方法
JP7259161B2 (ja) 2019-01-30 2023-04-18 東芝情報システム株式会社 画像処理装置及び画像処理プログラム
US10914018B2 (en) * 2019-03-12 2021-02-09 Infineon Technologies Ag Porous Cu on Cu surface for semiconductor packages
CN112374736A (zh) * 2020-11-09 2021-02-19 江苏铁锚玻璃股份有限公司 多曲面、大拱高硅酸盐玻璃的物理强化方法及成型模具

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE132711C (ko)
US1575122A (en) 1919-06-25 1926-03-02 Madsenell Corp Mold, die, and the like and method of making the same
US2746209A (en) 1949-08-20 1956-05-22 Libbey Owens Ford Glass Co Equipment for bending glass sheets
JPS5130528A (ja) * 1974-09-10 1976-03-15 Citizen Watch Co Ltd Garasunetsukanseikeigatayogokin
JPS5952715B2 (ja) * 1977-09-05 1984-12-21 ソニー株式会社 メツキ方法
US4405670A (en) 1982-05-28 1983-09-20 Rca Corporation Capacitance electronic disc stamper having improved stain resistance and method for the manufacture thereof
DE3322523C2 (de) * 1983-06-23 1985-05-15 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum Ausformen von aus Glas bestehenden optischen Bauelementen hoher Oberflächengüte
US4483700A (en) 1983-08-15 1984-11-20 Corning Glass Works Chemical strengthening method
DE3542285C1 (de) 1985-11-29 1986-08-21 Oloid Ag, Basel Vorrichtung zum Antrieb eines Koerpers,der eine taumelnde und rotierende Bewegung ausfuehrt
DE3719200A1 (de) 1987-06-09 1988-12-29 Ibm Deutschland Optische speicherplatte und verfahren zu ihrer herstellung
JP2662286B2 (ja) * 1989-02-09 1997-10-08 オリンパス光学工業株式会社 光学素子成形用型の製造方法
US5037070A (en) 1990-09-20 1991-08-06 General Motors Corporation Melt containment apparatus with protective oxide melt contact surface
US5756130A (en) * 1993-05-20 1998-05-26 Hitaci Maxell, Ltd. Stamper for producing recording medium
US5342426A (en) 1993-07-16 1994-08-30 Corning Incorporated Making glass sheet with defect-free surfaces and alkali metal-free soluble glasses therefor
JPH0826739A (ja) * 1994-07-15 1996-01-30 Canon Inc ガラス素子の製造方法及び装置
US5656104A (en) 1994-10-14 1997-08-12 Nippon Steel Corporation Metal mold for glass forming
JPH08133760A (ja) * 1994-11-01 1996-05-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ガラス素子のプレス成形用型及びその製造方法並びに光学ガラス素子のプレス成形方法
US5674790A (en) 1995-12-15 1997-10-07 Corning Incorporated Strengthening glass by ion exchange
JPH10330123A (ja) * 1997-05-27 1998-12-15 Asahi Glass Co Ltd ガラス成形用金型及びガラス成形方法
US6207247B1 (en) * 1998-03-27 2001-03-27 Nikon Corporation Method for manufacturing a molding tool used for sustrate molding
DE19918936A1 (de) 1999-04-27 2000-11-02 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einzelglasscheiben
JP3586142B2 (ja) 1999-07-22 2004-11-10 エヌエッチ・テクノグラス株式会社 ガラス板の製造方法、ガラス板の製造装置、及び液晶デバイス
JP2008024000A (ja) * 2000-04-10 2008-02-07 Konica Minolta Holdings Inc 光学素子成形用金型、光学素子の製造方法及び光学素子
MY128559A (en) * 2000-07-21 2007-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Molded glass substrate for magnetic disk and method for manufacturing the same
JP2002226221A (ja) * 2000-11-30 2002-08-14 Ngk Insulators Ltd ガラスプレス用金型及びその製造方法
GB0120263D0 (en) 2001-08-21 2001-10-10 Alphatex Hyperformance Coating Coating composition
JP2003212569A (ja) * 2002-01-23 2003-07-30 Olympus Optical Co Ltd 光学素子およびその製造方法
TW200511296A (en) * 2003-09-01 2005-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for manufacturing stamper, stamper and optical recording medium
DE10351718A1 (de) 2003-10-31 2005-06-16 Schott Ag Verfahren zur Herstellung einer genoppten Platte aus einem Glas oder einer Glaskeramik, damit hergestellte Platte und hierzu eingesetztes Werkzeug
US7231786B2 (en) 2004-07-29 2007-06-19 Corning Incorporated Process and device for manufacturing glass sheet
CN100347332C (zh) 2004-08-11 2007-11-07 江门市威霖贸易有限公司 一种用于玻璃模具和铸铁火焰喷焊的镍基合金粉末
JP2007181882A (ja) * 2004-12-06 2007-07-19 Konica Minolta Opto Inc 転写光学面の加工方法、光学素子用成形金型及び光学素子
JP4584754B2 (ja) * 2005-04-06 2010-11-24 株式会社日立産機システム ナノプリント金型、その製造方法及びこの金型を用いたナノプリント装置並びにナノプリント方法
US7409839B2 (en) 2005-04-29 2008-08-12 Corning Incorporated Method and apparatus for making a glass sheet
US7685840B2 (en) 2006-03-24 2010-03-30 Corning Incorporated Method of minimizing distortion in a sheet of glass
DE112007003026B4 (de) 2006-12-14 2011-03-24 Toshiba Kikai K.K. Verfahren zur Herstellung eines Glas-Formwerkzeugs
KR101073717B1 (ko) 2007-04-10 2011-10-13 도시바 기카이 가부시키가이샤 글래스 성형용 금형 및 그 제조 방법
US7666511B2 (en) 2007-05-18 2010-02-23 Corning Incorporated Down-drawable, chemically strengthened glass for cover plate
CN101910079A (zh) 2007-11-29 2010-12-08 康宁股份有限公司 具有改进的韧性和抗刮性的玻璃
EP2262741B1 (en) 2008-02-26 2017-05-24 Corning Incorporated Fining agents for silicate glasses
US9010153B2 (en) 2008-07-02 2015-04-21 Corning Incorporated Method of making shaped glass articles
JP5470805B2 (ja) * 2008-11-07 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 金型部材、金型部材の製造方法、及び、金型
CN101413102A (zh) * 2008-12-05 2009-04-22 长春理工大学 两步制备NiO透明导电薄膜的方法
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
JP5099053B2 (ja) 2009-03-13 2012-12-12 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 ガラス成形用金型の製造方法及びガラス成形体の製造方法
CN101549946B (zh) 2009-05-11 2010-12-29 苏州东方枫晟科技有限公司 硅铜合金为母材基体的玻璃模具型腔内填充镍基合金的方法
US8802581B2 (en) 2009-08-21 2014-08-12 Corning Incorporated Zircon compatible glasses for down draw
CN102167507B (zh) 2010-02-26 2016-03-16 肖特玻璃科技(苏州)有限公司 用于3d紧密模压的薄锂铝硅玻璃
US8887532B2 (en) * 2010-08-24 2014-11-18 Corning Incorporated Glass-forming tools and methods
US8210001B2 (en) 2010-11-10 2012-07-03 Corning Incorporated Method of producing uniform light transmission fusion drawn glass
US9346703B2 (en) 2010-11-30 2016-05-24 Corning Incorporated Ion exchangable glass with deep compressive layer and high damage threshold
JP5303725B2 (ja) * 2010-12-27 2013-10-02 トーカロ株式会社 溶融ガラス塊成形用金型およびその製造方法
CN102248358A (zh) 2011-04-18 2011-11-23 常熟市建华模具有限责任公司 铸铁合金为母材基体的玻璃模具型腔内填充镍基合金的方法
US8783066B2 (en) 2011-05-27 2014-07-22 Corning Incorporated Glass molding system and related apparatus and method
TWI591039B (zh) * 2011-07-01 2017-07-11 康寧公司 具高壓縮應力的離子可交換玻璃
CN102501047A (zh) 2011-11-30 2012-06-20 苏州东方模具科技股份有限公司 玻璃模具杯挺模模腔填充镍基焊材的方法
CN102560265A (zh) 2012-03-06 2012-07-11 常熟市精工模具制造有限公司 1Cr17Ni2Mo玻璃模具
CN102626847A (zh) 2012-04-06 2012-08-08 常熟市建华模具有限责任公司 玻璃模具用的冲头的加工方法
US9512029B2 (en) 2012-05-31 2016-12-06 Corning Incorporated Cover glass article
CN102730943B (zh) 2012-06-27 2014-03-26 常熟建华模具科技股份有限公司 制造玻璃容器用的玻璃模具的口模结构
CN102775047B (zh) * 2012-07-31 2014-06-04 苏州东方模具科技股份有限公司 玻璃模具的双金属口模及其制备方法
US9145323B2 (en) * 2013-01-21 2015-09-29 Corning Incorporated Molds for shaping glass and methods for making the same

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