KR20150100145A - 태양 전지 모듈의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 p-n 접합이 형성된 반도체 기판의 후면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 형성하여 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 형성하는 셀 형성 단계; 및 제1 태양 전지와 제2 태양 전지가 전기적으로 서로 직렬 연결되도록 금속성의 인터커넥터를 제1 태양 전지의 복수의 제1 전극 및 제2 태양 전지의 복수의 제2 전극에 접속하는 스트링 형성단계;를 포함하고, 여기서 스트링 형성 단계는 인터커넥터를 복수의 제1 전극 또는 복수의 제2 전극 각각에 고정시키는 가접합 공정;과 가접합 공정 이후, 인터커넥터와 복수의 제1, 2 전극 사이의 접촉 저항을 보다 향상시키는 본접합 공정을 포함하고, 가접합 공정의 최고 온도와 본접합 공정의 최고 온도는 서로 다르다.

Description

태양 전지 모듈의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양 전지 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.
특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수 개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.
상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.
본 발명은 태양 전지 모듈의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 p-n 접합이 형성된 반도체 기판의 후면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 형성하여 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 형성하는 셀 형성 단계; 및 제1 태양 전지와 제2 태양 전지가 전기적으로 서로 직렬 연결되도록 금속성의 인터커넥터를 제1 태양 전지의 복수의 제1 전극 및 제2 태양 전지의 복수의 제2 전극에 접속하는 스트링 형성단계;를 포함하고, 여기서 스트링 형성 단계는 인터커넥터를 복수의 제1 전극 또는 복수의 제2 전극 각각에 고정시키는 가접합 공정;과 가접합 공정 이후, 인터커넥터와 복수의 제1, 2 전극 사이의 접촉 저항을 보다 향상시키는 본접합 공정을 포함하고, 가접합 공정의 최고 온도와 본접합 공정의 최고 온도는 서로 다르다.
또한, 태양 전지 모듈의 제조 방법은 셀 형성 단계는 반도체 기판의 후면에 형성된 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각의 후면에 제1 보조 전극과 제2 보조 전극에 접속되는 접속 단계;를 더 포함하고, 스트링 형성 단계에서는 인터커넥터는 제1 태양 전지의 제1 보조 전극을 통해 제1 전극에 접속되고, 제2 태양 전지의 제2 보조 전극을 통해 제2 전극에 접속되며, 접속 단계 및 스트링 형성 단계 각각에서는 열처리 공정이 수행되고, 접속 단계에서의 열처리 공정은 제1 시간 동안 수행되고, 스트링 형성단계에서의 열처리 공정은 제1 시간과 다른 제2 시간 동안 수행될 수 있다.
이때, 스트링 단계에서 가접합 공정의 최고 온도는 본접합 공정의 최고 온도보다 낮을 수 있다.
여기서, 제2 시간은 제1 시간보다 짧을 수 있고, 일례로, 제1 시간은 10분에서 20분 사이, 제2 시간은 1초 ~ 1분 사이일 수 있다.
아울러, 접속 단계에서 열처리 공정의 최고 온도인 제1 온도는 스트링 형성 단계에서 열처리 공정 최고 온도인 제2 온도와 다를 수 있고, 일례로, 제1 온도는 제2 온도보다 낮을 수 있다.
일례로, 제1 온도는 140℃ ~ 180℃ 사이일 수 있으며, 제2 온도는 150℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다.
접속 단계에서는 복수의 제1, 2 전극이 형성된 반도체 기판과 제1, 2 보조 전극이 구비된 절연성 부재가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.
따라서, 접속 단계에서는 복수의 제1 전극과 제1 보조 전극, 및 복수의 제2 전극과 제2 보조 전극은 도전성 재질의 전극 접착제에 의해 서로 접속되고, 제1 전극과 제2 전극 사이, 및 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 사이에는 절연층이 형성될 수 있다.
아울러, 스트링 형성단계에서는 제1 태양 전지의 제1 보조 전극과 인터커넥터 사이 및 제2 태양 전지의 제2 보조 전극과 인터커넥터 사이는 도전성 재질의 인터커넥터 접착제에 의해 서로 접속될 수 있다.
또한, 인터커넥터는 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지며, 스트링 형성 단계에서는 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지는 인터커넥터가 제1 태양 전지의 복수의 제1 전극 및 제2 태양 전지의 복수의 제2 전극에 접속될 수 있다.
이때, 스트링 단계에서 가접합 공정의 최고 온도는 본접합 공정의 최고 온도보다 높을 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 스트링 형성단계에서의 열처리 공정 시간을 가접합 공정과 본접합 공정으로 나누어 수행 함으로써, 태양 전지 모듈의 결함을 최소화할 수 있고, 공정 수율을 향상시키며, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조되는 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3a은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 3b는 도 3a에 도시한 태양 전지를 라인 3b-3b를 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3a 및 도 3b에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 4에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이다.
도 6a는 도 5에서 6a-6a 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 6b는 도 5에서 6b-6b 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 6c는 도 5에서 6c-6c 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 도이다.
도 13 내지 도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 태양 전지의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 태양 전지의 반대면일 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대하여 설명한다.
이를 위하여, 먼저, 태양 전지 모듈의 구조에 대해 설명한 이후, 이를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조되는 태양 전지 모듈의 일례를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 1은 태양 전지 모듈에 포함되는 복수의 태양 전지가 인터커넥터(IC)에 연결된 모습을 위에서 본 모습이고, 도 2는 도 1에서 A영역의 단면을 도시한 것이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 따라 제조 되는 태양 전지 모듈의 일례는 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 및 인터커넥터(IC)를 포함한다.
여기서, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각은 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 한정되지는 않고, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에서 절연성 부재(200)만 생략될 수도 있다.
여기서, 반도체 기판(110)은 입사되는 빛을 전기로 변환하기 위해 p-n 접합이 형성될 수 있으며, 후면에 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)이 형성될 수 있다.
아울러, 절연성 부재(200)는 복수의 제1 전극(C141)에 접속되는 제1 보조 전극(P141)과 복수의 제2 전극(C142)에 접속되는 제2 보조 전극(P142)을 구비할 수 있다. 여기서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 각각은 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 후면에 접속될 수 있다. 또한, 복수의 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141), 및 복수의 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)에 의해 접속될 수 있다.
아울러, 인터커넥터(IC)는 도전성 금속 재질을 포함하여 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 서로 전기적으로 연결시키는 기능을 하며, 이에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)는 인터커넥터(IC)에 의해 제1 방향(x)으로 배열될 수 있다.
구체적으로 일례로, 도 2에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)의 양단 각각은 제1 태양 전지(CE1)의 제1 보조 전극(P141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다. 그러나, 이와 다르게, 인터커넥터(IC)의 양단 각각은 제1 태양 전지(CE1)의 제2 보조 전극(P142)과 제2 태양 전지(CE2)의 제1 보조 전극(P141)에 접속되는 것도 가능하다.
이때, 인터커넥터(IC)와 제1 보조 전극(P141), 및 인터커넥터(IC)와 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 서로 접속될 수 있다.
이와 같은 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에 대해 보다 구체적으로 설명하면, 다음과 같다.
도 3a 및 도 3b는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 3a은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 3b는 도 3a에 도시한 태양 전지를 라인 3b-3b를 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3a 및 도 3b에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 4의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)에서 4(b)-4(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 4의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 4의 (d)는 도 4의 (c)에서 4(d)-4(d) 라인에 따른 단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 및 절연성 부재(200)를 포함할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.
이하에서는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.
이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다.
에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.
이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 3a 및 도 3b에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.
복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 또는 증착 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.
복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장된다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.
또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다.
따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.
따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.
제1 보조 전극(P141)은 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 연결되며, 제1 패드부(PP141)는 도 4에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다.
이와 같은 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수도 있고, 이와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수도 있다.
아울러, 제1 접속부(PC141)가 복수 개로 형성된 경우, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 보조 전극(P142)은 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 연결되며, 제2 패드부(PP142)는 도 4에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다.
이와 같은 제2 접속부(PC142)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있고, 도시된 바와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수도 있다.
여기서, 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성된 경우, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
아울러, 도 3b의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같은 전극 접착제(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 140℃ ~ 180℃에서 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 녹는점은 달라질 수도 있다.
일례로, 도 3b의 (b)에 도시된 바와 같이, 전극 접착제(ECA)는 도전성 금속 입자가 절연성 수지 내에 포함되는 도전성 패이스트(conductive paste)가 이용될 수 있고, 이 외에도 솔더 페이스트 또는 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)과 같은 도전성 재질이 등이 이용될 수 있다.
또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지가 포함될 수 있다.
아울러, 도 3a 및 도 3b에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에도 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.
절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다.
이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.
이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.
즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다.
이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다.
이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이와 같은 절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.
즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접속 단계를 보다 용이하게 도와줄 수 있다.
따라서, 이와 같은 절연성 부재(200)는 접속 단계에 의해 제1, 2 전극(C141, C142)에 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 각각 접속된 이후, 제거될 수 있다. 따라서, 태양 전지의 최종 소자에서는 절연성 부재(200)가 생략될 수 있다. 이하에서는 지금까지와 같이, 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 설명한다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 보조 전극(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.
그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지는 인터커넥터(IC)에 의해 서로 인접하는 태양 전지를 연결할 수 있으며, 이에 따라 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결될 수 있다.
한편, 이와 같은 구조에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴과, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 패턴에 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 4의 (c) 및 (d)에 도시된 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.
이때, 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.
아울러, 도 4의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.
여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.
아울러, 제2 보조 전극(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.
여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.
따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.
여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.
이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다.
이와 같은 반도체 기판(110)의 후면과 절연성 부재(200)의 전면은 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 연결되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 연결될 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 6a는 도 5에서 6a-6a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 6b는 도 5에서 6b-6b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 6c는 도 5에서 6c-6c 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 6a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.
아울러, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 6c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.
아울러, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.
이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.
아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.
지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다.
또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극으로 형성되는 제1 접속부(PC141)에는 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수 있고, 하나의 통전극으로 형성되는 제2 접속부(PC142)에는 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.
지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다.
따라서, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부는 산화 방지막(IC1-AO, IC2-AO)이 코팅된 인터커넥터(IC)의 끝단에 직접 접속될 수 있다.
아울러, 도 3a 내지 도 6c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례에 대해서 설명하였지만, 이하에서는 전술한 태양 전지 모듈을 제조하는 방법의 일례에 대해 설명한다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대한 제조 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도이다.
본 발명의 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 도 7에 기재된 바와 같이, 셀 형성 단계와 스트링 형성 단계를 포함한다.
여기서, 셀 형성 단계에서 도 3a 내지 도 6c에서 설명한 바와 같이, 하나의 개별 소자로 형성되는 태양 전지 각각이 형성되고, 스트링 형성 단계에서는 각각의 개별 소자로 형성된 태양 전지가 인터커넥터(IC)에 의해 서로 직렬 연결될 수 있다.
구체적으로, 셀 형성 단계는 도 3a 내지 도 6c에서 설명한 바와 같이, p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)이 형성되는 공정(S0)을 포함될 수 있다.
아울러, 셀 형성 단계는 도 7에 기재된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2) 각각의 후면에 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 형성되는 접속 단계를 더 포함할 수 있다.
이와 같은 접속 단계에서는 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각이 전극 접착제(ECA)에 의해 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다.
아울러, 스트링 형성 단계에서는 제1 태양 전지(CE1)에 포함되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 태양 전지(CE2)에 포함되는 제2 보조 전극(P142)이 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 인터커넥터(IC)의 양단에 접속되어, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)가 전기적으로 서로 직렬로 연결될 수 있다.도 7에 기재된 바와 같이, 접속 단계 및 스트링 형성 단계 각각에서는 제1 열처리 공정(S3)과 제2 열처리 공정(S5)이 수행될 수 있다.
이때, 접속 단계에서의 제1 열처리 공정(S3)은 제1 시간 동안 수행되고, 스트링 형성단계에서의 제2 열처리 공정(S5)은 제1 시간과 다른 제2 시간 동안 수행될 수 있고, 일례로, 제2 시간은 제1 시간보다 짧을 수 있다.
아울러, 접속 단계에서 제1 열처리 공정(S3)의 최고 온도인 제1 온도는 스트링 형성 단계에서 제2 열처리 공정(S5) 최고 온도인 제2 온도와 다를 수 있고, 일례로, 제1 온도는 제2 온도보다 낮을 수 있다.
그러나, 인터커넥터 접착제(ICA)의 종류에 따라 제2 온도가 제1 온도보다 높을 수도 있다. 이하에서는 제1 온도가 제2 온도보다 낮은 경우를 일례로 설명한다.
이와 같은 태양 전지 모듈의 제조 방법은 접속 단계에서, 공정 온도가 상대적으로 낮고, 공정 시간이 상대적으로 긴 제1 시간 동안 수행되도록 함으로써, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.
아울러, 스트링 형성 단계에서, 공정 온도가 상대적으로 높지만, 공정 시간이 상대적으로 짧은 제2 시간 동안 수행되도록 함으로써, 인터커넥터(IC)를 연결할 때, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있고, 아울러, 이미 형성된 전극 접착제(ECA)의 접착력이나 접촉 저항이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 태양 전지 모듈의 결함을 최소화할 수 있고, 공정 수율을 향상시키며, 제조 공정을 보다 단순화할 수 있다.
이와 같은 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해 도 7 및 도 8 내지 도 12를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 접속 단계는 도 7에 기재된 바와 같이, 전극 접착제 패이스트 도포 공정(S1), 얼라인 공정(S2)과 제1 열처리 공정(S3)을 포함하고, 스트링 형성 단계는 인터커넥터 접착제 패이스트 도포 공정(S4) 및 제2 열처리 공정(S5)를 포함할 수 있다.
여기서, 전극 접착제 패이스트 도포 공정(S1)에서는 도 7 및 도 8과 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 전극 접착제 패이스트(ECAP)를 도포하고, 제1, 2 전극(C141, C142) 사이에 노출되는 반도체 기판(110)의 후면 위에는 절연층 패이스트(ILP)를 도포할 수 있다.
여기서, 절연층 패이스트(ILP)의 두께는 전극 접착제 패이스트(ECAP)의 두께의 보다 클 수 있고, 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면으로부터 절연층 패이스트(ILP) 끝단까지의 높이는 전극 접착제 패이스트(ECAP) 끝단까지의 높이보다 높을 수 있다.
이때, 전극 접착제 패이스트(ECAP)는 도전성 금속 입자(ECA-P)와 절연성 수지(ECA-I)를 포함되는 패이스트 형태로 구비되는 도전성 패이스트(conductive paste)가 이용될 수 있고, 절연층 패이스트(ILP)도 수지가 포함될 수 있다.
아울러, 전극 접착제 패이스트(ECAP)에 포함되는 수지와 절연층 패이스트(ILP)의 수지는 열가소성 수지일 수 있으며, 일례로, 에폭시 계열의 수지, 아크릴 계열의 수지, 실리콘 계열의 수지 중 적어도 하나일 수 있다.
또한, 전극 접착제 패이스트(ECAP)에 포함되는 수지(ECA-I)와 절연층 패이스트(ILP)의 수지는 동일한 재질의 수지일 수 있다. 따라서, 전극 접착제 패이스트(ECAP)에 포함되는 수지(ECA-I)와 절연층 패이스트(ILP)의 수지는 대략 동일한 열팽창 계수를 가질 수 있다.
이에 따라, 제1 열처리 공정(S3) 을 수행할 때에, 전극 접착제 패이스트(ECAP)에 포함되는 수지(ECA-I)와 절연층 패이스트(ILP) 사이에 화학적 반응을 억제할 수 있고, 기포가 발생되지 않도록 할 수 있고, 열팽창 계수 차이로 인하여 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 사이에 얼라인이 틀어지는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이 전극 접착제 패이스트 도포 공정(S1)이 수행된 이후, 도 7 및 도 9와 같이, 얼라인 공정(S2)이 수행될 수 있다.
구체적으로, 얼라인 공정(S2)에서는 도 9와 같이, 절연성 부재(200)에 구비된 각각의 제1, 2 보조 전극(P141, P142)을 반도체 기판(110)에 형성된 각각의 제1, 2 전극(C141, C142)에 중첩되도록 얼라인한 후, 절연성 부재(200)를 반도체 기판(110)의 후면 위에 화살표 방향으로 배치할 수 있다.
이후, 도 7에 기재된 바와 같이, 제1 열처리 공정(S3) 는 제1 온도로 제1 시간 동안 수행될 수 있다.
이와 같은 제1 열처리 공정(S3)에서는 반도체 기판(110)의 후면에 절연성 부재(200)가 배치된 상태로 열처리 공정과 함께 압력이 동시에 가해질 수 있다.
이때, 제1 시간은 10분에서 20분 사이일 수 있으며, 제1 열처리 공정(S3)의 최고 온도인 제1 온도는 상대적으로 낮은 온도일 수 있으며, 일례로, 140℃ ~ 180℃ 사이일 수 있다.
이와 같이, 접속 단계에서 상대적으로 낮은 제1 온도로 제1 열처리 공정(S3)을 수행함으로써, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.
이와 같은 제1 열처리 공정(S3)에 의해, 전극 접착제 패이스트(ECAP)는 경화되어 전극 접착제(ECA)로 형성되고, 절연층 패이스트(ILP)도 경화되어 절연층(IL)으로 형성될 수 있다.
이에 따라, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141), 및 복수의 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)은 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 접속되고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이는 절연층(IL)에 의해 서로 절연될 수 있다.
이와 같은 접속 단계에 의해 도 3a 내지 도 6c에서 설명한 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성된 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)가 형성될 수 있다.
이후, 절연성 부재(200)는 경우에 따라 제거될 수도 있으나, 이하에서는 절연성 부재(200)가 제거되지 않고 계속 구비되는 경우를 일례로 설명한다.
다음, 도 7의 인터커넥터 접착제 패이스트 도포 공정(S4)에서는 도 11과 같이, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 서로 인접하도록 배치한 상태에서, 각 태양 전지의 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 위에 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)가 도포될 수 있다.
이와 같은 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)는 도전성 재질이면 어떠한 재질이든 무방하나, 일례로, 솔더 패이스트일 수 있다.
그러나, 인터커넥터 접착제 패이스트 도포 공정(S4)에서는 솔더 패이스트 대신 도전성 금속 입자(ECA-P)와 절연성 수지(ECA-I)가 필름 형태로 구비되는 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)을 각 태양 전지의 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 위에 배치할 수 있다.
이후, 인터커넥터(IC)의 양단이 제1 태양 전지(CE1)의 제1 보조 전극(P141) 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 보조 전극(P142)에 중첩되도록, 인터커넥터(IC)를 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에 화살표 방향으로 배치할 수 있다.
다음, 도 7에 기재된 바와 같이, 제2 온도로 제2 시간 동안 제2 열처리 공정 (S5)을 수행할 수 있다. 이와 같은 제2 열처리 공정(S5)에서도 열과 압력이 함께 가해질 수 있다.
이때, 제2 열처리 공정(S5)의 공정 최고 온도인 제2 온도는 제1 열처리 공정(S3)의 최고 온도인 제1 온도보다 높을 수 있고, 일례로, 제2 열처리 공정(S5)의 최고 온도인 제2 온도는 150℃ ~ 300℃ 사이일 수 있다. 그러나, 제2 온도가 제1 온도보다 반드시 높을 필요는 없으며, 인터커넥터 접착제(ICA)의 재질에 따라 제2 온도가 더 낮을 수도 있다.
일례로, 인터커넥터 접착제(ICA)로 솔더 패이스트를 이용한 경우, 제2 열처리 공정(S5)의 공정 최고 온도인 제2 온도는 제1 온도보다 높을 수 있지만, 인터커넥터 접착제(ICA)로 도전성 금속 입자(ECA-P)와 절연성 수지(ECA-I)가 필름 형태로 구비되는 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)을 사용하는 경우, 제2 온도는 제1 온도보다 낮을 수 있다. 그러나, 제2 열처리 공정(S5)의 공정 시간인 제2 시간은 제1 시간보다 짧을 수 있다. 일례로, 제2 시간은 1초 ~ 1분 사이일 수 있다.
보다 구체적 일례로, 인터커넥터 접착제(ICA)로 솔더 패이스트를 이용하는 경우, 열과 압력을 동시에 가해질 수 있고, 이때, 제2 열처리 공정(S5) 은 1초 내지 4초 사이 동안 대략 240℃ ~ 280℃의 온도에서 수행될 수 있다.
아울러, 인터커넥터 접착제(ICA)로 도전성 접착 필름(conductive adhesive film)을 사용하는 경우, 제2 열처리 공정(S5)시간은 5초 내지 25초 사이일 수 있으며, 경우에 따라서는 1분까지 진행될 수 있다.
이때, 제2 열처리 공정(S5)은 가접합 공정과 본접합 공정으로 나뉘어 수행될 수 있다.
이와 같은 가접합 공정에서는 인터커넥터가 복수의 제1 전극 또는 복수의 제2 전극 각각에 고정될 수 있으며, 이와 같은 가접합 공정에 의해 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 포함하는 복수 개의 태양 전지가 직렬로 연결되는 스트링 형태를 구성할 수 있다.
본접합 공정은 가접합 공정 이후에 수행되며, 본접합 공정에서는 인터커넥터와 복수의 제1, 2 전극 사이의 접촉 저항을 보다 향상시키기 위하여 추가적으로 열처리 공정이 더 수행되는 공정이다.
이와 같은 본접합 공정에 의해 제1, 2 보조 전극과 인터커넥터 사이의 접촉 저항을 보다 현격하게 낮출 수 있다. 이와 같은 본접합 공정은 일례로 태양 전지 모듈의 제조 공정 중 하나인, 라미네이션 공정에 의해 수행될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 각 태양 전지에 포함되는 반도체 기판의 구부러짐(bowing)을 최소화하기 위하여 가접합 공정의 최고 온도와 본접합 공정의 최고 온도가 서로 다를 수 있다.
일례로, 가접합 공정의 최고 온도는 본접합 공정의 최고 온도보다 낮을 수 있다.
보다 구체적으로, 가접합 공정은 대략 1초 이내의 시간 동안, 80℃ ~ 100℃의 온도에서 0.2 MPa(Pascal)의 압력과 함께 수행될 수 있고, 본접합 공정은 대략 10초 내지 20초 정도의 시간 동안, 170℃ ~ 190℃ 사이의 온도에서 2 MPa(Pascal)의 압력과 함께 수행될 수 있다.
이와 같이, 제2 열처리 공정(S5)의 시간을 제1 열처리 공정(S3)의 시간보다 짧게 함으로써, 인터커넥터(IC)를 연결할 때, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있고, 전극 접착제(ECA)의 접착력이나 접촉 저항이 저하되는 것을 최소화할 수 있다.
이와 같은 제2 열처리 공정(S5)에 의해, 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)는 경화되어 인터커넥터 접착제(ICA)로 형성되고, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 제1 보조 전극(P141)과 인터커넥터(IC) 사이, 및 제2 태양 전지(CE2)의 제2 보조 전극(P142)과 인터커넥터(IC) 사이는 도전성 재질의 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 서로 접속될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 스트링 형성 단계에서의 열처리 공정 시간인 제2 시간을 접속 단계에서의 열처리 공정 시간인 제1 시간보다 짧게 함으로써, 제조 되는 태양 전지 모듈의 결함을 최소화할 수 있고, 제조 공정의 수율을 보다 향상시킬 수 있다. 아울러, 제조 공정을 보다 단순화시킬 수 있다.
다음의 도 13 내지 도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해 설명하기 위한 도이다.
이하의 도 13 내지 도 17에서는 앞선 도 1 내지 도 12와 중복되는 내용에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 제2 실시예에 따라 제조되는 태양 전지 모듈에서 하나의 개별 소자를 형성하는 태양 전지는 앞선 제1 실시예에 따라 제조되는 태양 전지 모듈의 태양 전지와는 다른 차이점이 있다.
즉, 제1 실시예에 따라 제조된 태양 전지 모듈에서 각 태양 전지는 p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 구비된 상태에서, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각에 접속되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 더 구비되고, 인터커넥터(IC)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 통해 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접속되었다.
하지만, 제2 실시예에 따라 제조되는 태양 전지 모듈은 이와 다르게, 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 생략되며, 아울러, 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이, 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)에 접속되는 인터커넥터(IC)가 복수의 금속성 와이어 형태로 구비될 수 있다.
이하에서는 이와 같은 구성을 갖는 태양 전지 모듈을 제조하는 방법, 즉 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 13에 기재된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 제조 방법은 셀 형성 단계와 스트링 형성 단계를 포함한다.
셀 형성 단계에서는 도 14에 도시된 바와 같이, p-n 접합이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)을 형성(S0)하여, 하나의 개별 소자로 구성되는 제1 태양 전지(CE1’)와 제2 태양 전지(CE2’)를 형성할 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)의 전면에는 반사 방지막(130)이 형성될 수 있으며, 후면에는 복수 개의 에미터부(121)와 복수 개의 후면 전계부(172)가 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.
아울러, 복수 개의 에미터부(121)와 복수 개의 후면 전계부(172) 각각의 후면 위에는 복수의 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성될 수 있다.
또한, 스트링 형성 단계(S1’~S3’)에서는 도 14에 도시된 태양 전지의 후면에 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지는 인터커넥터(IC)가 제1 태양 전지(CE1’)의 제1 전극(C141) 및 제2 태양 전지(CE2’)의 제2 전극(C142)에 접속되어, 제1 태양 전지(CE1’)와 제2 태양 전지(CE2’)가 전기적으로 서로 직렬로 연결되도록 할 수 있다.
이와 같은 스트링 형성 단계 역시, 본 발명의 제1 실시예와 같이, 인터커넥터(IC)를 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)에 접합하는 공정이 공정의 최고 온도가 서로 다른 가접합 공정(S2’)과 본접합 공정(S3’)으로 나뉘어 수행될 수 있다.
구체적으로, 전술한 셀 형성 단계에 의해 형성되는 태양 전지들(CE1’~CE3’)은 도 15에 도시된 바와 같이, 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)이 반도체 기판(110)의 후면에 제1 방향(x)으로 서로 이격되어 형성될 수 있다.
이와 같이 제1 방향(x)으로 향하는 복수의 제1, 2 전극(C141, C142)을 구비한 태양 전지들(CE1’~CE3’)을 제2 방향(y)으로 배열한 후, 도 15에 도시된 바와 같이, 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)와 절연층 패이스트(ILP)를 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 도포하고, 이후, 도 16a 또는 도 16b에 도시된 바와 같이, 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지는 인터커넥터(IC)가 각 태양 전지들(CE1’~CE3’)의 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 배치(S1’)될 수 있다.
구체적으로, 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1’)의 제1, 2 전극(C141, C142)에서 제2 방향(y)으로 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)와 절연층 패이스트(ILP)를 교번하여 도포할 수 있다. 즉, 제1 태양 전지(CE1’)에서 제2 방향(y)으로 동일한 선상 위에 제1 전극(C141) 위에는 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)를 도포하고, 제2 전극(C142) 위에는 절연층 패이스트(ILP)를 도포할 수 있다.
아울러, 제2 태양 전지(CE2’)에서 제2 방향(y)으로 동일한 선상 위에 제1 전극(C141) 위에는 절연층 패이스트(ILP)를 도포하고, 제2 전극(C142) 위에는 인터커넥터(IC) 접착제를 도포할 수 있다.
이때, 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)는 솔더 패이스트일 수 있으며, 이와 같은 솔더 패이스트는 융점이 상대적으로 높은 제1 솔더 재질과 융점이 제1 솔더 재질보다 상대적으로 낮은 제2 솔더 재질을 포함할 수도 있다. 일례로, 제1 솔더 재질은 융점이 150℃ ~ 300℃ 사이일 수 있으며, 제2 솔더 재질은 융점이 제1 솔더 재질보다 낮되, 140℃ ~ 180℃사이일 수 있다.
이와 같이, 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)와 절연층 패이스트(ILP)가 도포된 이후, 도 16a 또는 도 16b에 도시된 바와 같은 인터커넥터(IC)를 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지는 인터커넥터(IC)가 각 태양 전지들(CE1’~CE3’)의 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 배치할 수 있다.
이때, 인터커넥터(IC)는 도 16a에 도시된 바와 같이, 복수 개의 금속성 와이어만을 구비하는 형태를 가질 수도 있고, 도 16b에 도시된 바와 같이, 복수 개의 금속성 와이어(MW)와 도전성 금속 패드(ICP)를 함께 구비할 수도 있다. 이때, 도전성 금속 패드(ICP)는 각 태양 전지들(CE1’~CE3’)의 반도체 기판(110) 사이에 이격되어 위치할 수 있다.
아울러, 본 발명의 제2 실시예에서는 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)로 사용되는 솔더 패이스트를 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 도포하는 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)로 사용되는 솔더 패이스트는 도 16a 또는 도 16b에 도시된 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지는 인터커넥터(IC)의 표면에 미리 코팅될 수도 있다.
도 16a 또는 도 16b와 같이, 복수 개의 금속성 와이어를 구비하는 인터커넥터(IC)가 태양 전지 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 배치된 이후, 가접합 공정(S2’)이 수행되어 인터커넥터(IC)가 각 태양 전지의 제1, 2 전극(C141, C142)에 고정되어 스트링이 형성될 수 있다.
이때, 가접합 공정(S2’)의 최고 온도는 후술할 본접합 공정(S3’)의 최고 온도보다 높을 수 있다.
예를 들어, 가접합 공정(S2’)의 최고 온도는 150℃ ~ 300℃ 사이에서 수행될 수 있으며, 이와 같은 가접합 공정(S2’)에서 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)는 경화되어 인터커넥터(IC)를 각 태양 전지(CE1’~CE3’)에 고정시킬 수 있다.
이와 같은 가접합 공정(S2’)에서는 태양 전지 제1, 2 전극(C141, C142) 위에 도포된 모든 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)에 열을 가하는 것이 아니라, 금속성 와이어를 각 태양 전지(CE1’~CE3’)에 고정시키기 위해 최소한의 일부 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)에만 예를 들어 레이저와 같은 포인트 접합 장치로 가접합 공정(S2’)이 수행될 수 있다.
따라서, 가접합 공정(S2’)에서는 레이저와 같은 포인트 접합 장치에 의해 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)로 사용되는 솔더 패이스트 중 상대적으로 융점이 높은 제1 솔더 재질만 녹일 수 있다.
따라서, 공정 최고 온도가 높은 가접합 공정(S2’)의 열처리를 최소화함으로써, 열처리 공정으로 인하여 반도체 기판(110)에 가해지는 영향을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 반도체 기판(110)이 밴딩되거나 손상되는 것을 최소화할 수 있다.
이와 같은 가접합 공정(S2’)이 수행된 이후, 도 17에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)에 의해 고정된 복수 개의 태양 전지를 태양 전지 모듈의 전면 유리 기판(FG) 위에 배치한 후 라미네이션 공정을 통하여 상대적으로 공정 최고 온도가 낮은 본접합 공정(S3’)이 수행될 수 있다.
즉, 도 17에 도시된 바와 같이, 전면 유리 기판(FG) 위에 에바(EVA)와 같은 제1 봉지재(EC1)를 배치하고, 제1 봉지재(EC1) 위에 태양 전지들(CE1’~CE3’)로 구성되는 스트링을 배치하고, 스트링 위에 에바(EVA)와 같은 제2 봉지재(EC2)를 배치하고, 제2 봉지재(EC2) 위에 후면 시트(BS)를 배치한 상태에서 라미네이션 공정이 수행될 수 있다.
이와 같은 라미네이션 공정은 본 발명의 본접합 공정(S3’)으로 사용될 수 있다. 이때, 본접합 공정(S3’)으로 사용되는 라미네이션 공정의 최고 온도는 140℃ ~ 180℃ 사이일 수 있으며, 이와 같은 본접합 공정(S3’)에 의해 가접합 공정(S2’)에서 융용되지 않았던 제2 솔더 재질이 녹아, 인터커넥터 접착제 패이스트(ICAP)가 완전히 태양 전지의 각 제1, 2 전극(C141, C142)에 접속될 수 있다.
이와 같은 본접합 공정(S3’)인 라미네이션 공정에서, 예를 들어, 제1 솔더 재질은 녹지 않고, 제2 솔더 재질만 녹을 수 있다.
따라서, 라미네이션 공정에 의해 각 태양 전지(CE1’~CE3’)의 배열이 흐트러지는 것을 방지할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. p-n 접합이 형성된 반도체 기판의 후면에 서로 나란하게 형성되는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 형성하여 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 형성하는 셀 형성 단계; 및
    상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지가 전기적으로 서로 직렬 연결되도록 금속성의 인터커넥터를 상기 제1 태양 전지의 복수의 제1 전극 및 상기 제2 태양 전지의 복수의 제2 전극에 접속하는 스트링 형성단계;를 포함하고,
    상기 스트링 형성 단계는
    상기 인터커넥터를 상기 복수의 제1 전극 또는 상기 복수의 제2 전극 각각에 고정시키는 가접합 공정;과
    상기 가접합 공정 이후, 상기 인터커넥터와 상기 복수의 제1, 2 전극 사이의 접촉 저항을 보다 향상시키는 본접합 공정을 포함하고,
    상기 가접합 공정의 최고 온도와 상기 본접합 공정의 최고 온도는 서로 다른 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 태양 전지 모듈의 제조 방법은
    상기 셀 형성 단계는 반도체 기판의 후면에 형성된 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각의 후면에 제1 보조 전극과 제2 보조 전극에 접속되는 접속 단계;를 더 포함하고,
    상기 스트링 형성 단계에서는 상기 인터커넥터는 상기 제1 태양 전지의 제1 보조 전극을 통해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 태양 전지의 제2 보조 전극을 통해 상기 제2 전극에 접속되며,
    상기 접속 단계 및 상기 스트링 형성 단계 각각에서는 열처리 공정이 수행되고,
    상기 접속 단계에서의 열처리 공정은 제1 시간 동안 수행되고, 상기 스트링 형성단계에서의 열처리 공정은 상기 제1 시간과 다른 제2 시간 동안 수행되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 스트링 단계에서 상기 가접합 공정의 최고 온도는 상기 본접합 공정의 최고 온도보다 낮은 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 시간은 상기 제1 시간보다 짧은 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 시간은 10분에서 20분 사이인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 시간은 1초 ~ 1분 사이인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 접속 단계에서 열처리 공정의 최고 온도인 제1 온도는 상기 스트링 형성 단계에서 열처리 공정 최고 온도인 제2 온도와 다른 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 온도는 상기 제2 온도보다 낮은 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 온도는 140℃ ~ 180℃ 사이인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 온도는 150℃ ~ 300℃ 사이인 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 접속 단계에서는
    상기 복수의 제1, 2 전극이 형성된 상기 반도체 기판과 상기 제1, 2 보조 전극이 구비된 절연성 부재가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  12. 제2 항에 있어서,
    상기 접속 단계에서는
    상기 복수의 제1 전극과 상기 제1 보조 전극, 및 상기 복수의 제2 전극과 상기 제2 보조 전극은 도전성 재질의 전극 접착제에 의해 서로 접속되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  13. 제2 항에 있어서,
    상기 접속 단계에서는
    상기 제1 전극과 제2 전극 사이, 및 제1 보조 전극과 제2 보조 전극 사이에는 절연층이 형성되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  14. 제2 항에 있어서,
    상기 스트링 형성단계에서,
    상기 제1 태양 전지의 제1 보조 전극과 상기 인터커넥터 사이 및 상기 제2 태양 전지의 제2 보조 전극과 상기 인터커넥터 사이는 도전성 재질의 인터커넥터 접착제에 의해 서로 접속되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지며,
    상기 스트링 형성 단계에서는 상기 복수 개의 금속성 와이어 형태를 가지는 인터커넥터가 상기 제1 태양 전지의 복수의 제1 전극 및 상기 제2 태양 전지의 복수의 제2 전극에 접속되는 태양 전지 모듈의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 스트링 단계에서 상기 가접합 공정의 최고 온도는 상기 본접합 공정의 최고 온도보다 높은 태양 전지 모듈의 제조 방법.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656622B1 (ko) * 2015-09-08 2016-09-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101661859B1 (ko) * 2015-09-09 2016-09-30 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20180000333A (ko) * 2017-12-20 2018-01-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR20180102432A (ko) * 2017-03-07 2018-09-17 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20180116197A (ko) * 2018-10-17 2018-10-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
WO2019160264A1 (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 엘지전자 주식회사 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20190098570A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 엘지전자 주식회사 정렬이 우수한 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US11417787B2 (en) 2015-09-08 2022-08-16 Lg Electronics Inc. Solar cell module and method for manufacturing the same
WO2023283248A1 (en) * 2021-07-06 2023-01-12 GAF Energy LLC Jumper module for photovoltaic systems

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150100146A (ko) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR102319471B1 (ko) * 2014-06-11 2021-10-28 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 태양전지 및 태양전지의 제조 방법
EP2958152B1 (en) * 2014-06-18 2021-04-21 LG Electronics Inc. Solar cell module
JP6199839B2 (ja) 2014-09-30 2017-09-20 信越化学工業株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP6665166B2 (ja) * 2015-03-31 2020-03-13 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
KR20170028548A (ko) * 2015-09-04 2017-03-14 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101747339B1 (ko) * 2015-09-15 2017-06-14 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
CN105140329A (zh) * 2015-09-18 2015-12-09 友达光电股份有限公司 太阳能电池模块及其制作方法
EP3163630B1 (en) 2015-10-08 2024-02-21 Shangrao Xinyuan YueDong Technology Development Co. Ltd Solar cell module
KR101714778B1 (ko) * 2015-12-29 2017-03-09 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR20180000070A (ko) * 2016-06-22 2018-01-02 현대중공업그린에너지 주식회사 후면접합 양면수광형 태양전지 및 그 제조방법
KR20180001203A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 현대중공업그린에너지 주식회사 태양전지 모듈
CN106010321B (zh) * 2016-08-10 2019-07-02 苏州赛伍应用技术股份有限公司 一种导电性粘结胶膜
CN106169513A (zh) * 2016-08-17 2016-11-30 泰州中来光电科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件及其制备方法和系统
KR101816164B1 (ko) * 2016-09-22 2018-01-08 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
WO2018070636A1 (ko) * 2016-10-13 2018-04-19 현대중공업그린에너지 주식회사 태양전지 모듈
KR102626554B1 (ko) * 2016-10-25 2024-01-18 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조방법
KR102622743B1 (ko) * 2017-02-13 2024-01-10 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양전지 및 태양전지 모듈
CN110603649B (zh) 2017-05-10 2024-04-26 夏普株式会社 光电转换装置以及具备其的太阳能电池组件
CN107195702A (zh) * 2017-05-19 2017-09-22 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种新型无栅线全背接触太阳能电池片
JP6741626B2 (ja) * 2017-06-26 2020-08-19 信越化学工業株式会社 高効率裏面電極型太陽電池及びその製造方法
EP3664156A4 (en) * 2017-12-04 2020-12-09 Kaneka Corporation SOLAR CELL AND ELECTRONIC DEVICE EQUIPPED WITH THE SAID SOLAR CELL
CN108269873B (zh) * 2017-12-30 2019-06-11 英利能源（中国）有限公司 Ibc太阳能电池及其制备方法
CN111640812B (zh) * 2017-12-30 2023-02-28 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 光伏组件
WO2019191689A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Sunpower Corporation Wire-based metallization and stringing for solar cells
JP7176265B2 (ja) * 2018-07-18 2022-11-22 セイコーエプソン株式会社 裏面電極型光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器
KR102576589B1 (ko) 2018-09-05 2023-09-08 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 및 이를 포함하는 태양 전지 패널
US11581843B2 (en) * 2018-09-14 2023-02-14 Tesla, Inc. Solar roof tile free of back encapsulant layer
JP7203546B2 (ja) * 2018-09-25 2023-01-13 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
WO2020121694A1 (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社カネカ 太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール
CN109713074A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 浙江晶科能源有限公司 一种基于ibc电池的电池串
US11282976B2 (en) 2019-03-22 2022-03-22 Northrop Grumman Systems Corporation Solar panel module
JP2020161515A (ja) * 2019-03-25 2020-10-01 セイコーエプソン株式会社 光電変換モジュール、電子時計、電子機器および光電変換モジュールの製造方法
WO2021020465A1 (ja) 2019-07-31 2021-02-04 株式会社カネカ 太陽電池セルの製造方法、太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュール
US11527665B2 (en) * 2021-05-06 2022-12-13 GAF Energy LLC Photovoltaic module with transparent perimeter edges

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110123A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池モジュールの製造方法
JP2008034592A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子及びその製造方法
WO2008090718A1 (ja) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールならびに太陽電池アレイの製造方法
JP2009088145A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
KR20100036315A (ko) * 2007-07-13 2010-04-07 산요덴키가부시키가이샤 태양 전지 모듈의 제조 방법

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62223276A (ja) * 1986-03-25 1987-10-01 Matsushita Electric Works Ltd プリント回路用絶縁膜材料
US6337522B1 (en) * 1997-07-10 2002-01-08 International Business Machines Corporation Structure employing electrically conductive adhesives
US6476314B2 (en) 2001-03-20 2002-11-05 The Boeing Company Solar tile and associated method for fabricating the same
US7390961B2 (en) 2004-06-04 2008-06-24 Sunpower Corporation Interconnection of solar cells in a solar cell module
FR2877144B1 (fr) 2004-10-22 2006-12-08 Solarforce Soc Par Actions Sim Structure multicouche monolithique pour la connexion de cellules a semi-conducteur
JP2007149871A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Sharp Corp インターコネクタ、インターコネクタの接続方法、太陽電池ストリング、太陽電池ストリングの製造方法および太陽電池モジュール
WO2007099955A1 (ja) 2006-03-01 2007-09-07 Sanyo Electric Co., Ltd. 太陽電池セル、及び、この太陽電池セルを用いた太陽電池モジュール
US8198712B2 (en) * 2006-06-07 2012-06-12 International Rectifier Corporation Hermetically sealed semiconductor device module
US20080216887A1 (en) * 2006-12-22 2008-09-11 Advent Solar, Inc. Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules
US20110120530A1 (en) * 2007-08-23 2011-05-26 Takayuki Isaka Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
JP2009206366A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP5089456B2 (ja) 2008-03-26 2012-12-05 三洋電機株式会社 圧着装置及び太陽電池モジュールの製造方法
EP2344058A4 (en) * 2008-07-23 2014-03-19 Univ Louisville Res Found DEVICE AND METHOD FOR PREVENTING FRACTURES OF THE HIP
NL2001958C (en) 2008-09-05 2010-03-15 Stichting Energie Method of monolithic photo-voltaic module assembly.
JP5203176B2 (ja) * 2008-12-26 2013-06-05 シャープ株式会社 配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2010082594A1 (ja) * 2009-01-16 2010-07-22 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
JPWO2010116973A1 (ja) * 2009-04-08 2012-10-18 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シート付き太陽電池セルの製造方法
KR20120022863A (ko) 2009-04-16 2012-03-12 유우겐가이샤 에코 엔드 엔지니어링 태양전지 소자의 접속 방법 및 교정 방법 및 이들 장치
JP2010258158A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Sharp Corp 配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP5472297B2 (ja) * 2009-06-02 2014-04-16 村田機械株式会社 搬送車システム
JP2011003724A (ja) * 2009-06-18 2011-01-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
WO2011001883A1 (ja) * 2009-06-29 2011-01-06 シャープ株式会社 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール
JPWO2011001837A1 (ja) 2009-07-02 2012-12-13 シャープ株式会社 配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シート付き太陽電池セルの製造方法
WO2011011855A1 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Day4 Energy Inc. Method for interconnecting back contact solar cells and photovoltaic module employing same
JP5046308B2 (ja) * 2009-10-09 2012-10-10 シャープ株式会社 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール
JP2011088165A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Nisshinbo Mechatronics Inc ハンダ付け装置及びハンダ付け方法
JP2012009503A (ja) * 2010-06-22 2012-01-12 Sharp Corp 配線シート、それを備えた裏面電極型太陽電池モジュール、および、裏面電極型太陽電池モジュールのリペア方法
JP2012064871A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Nippon Avionics Co Ltd 太陽電池用接続部材の接続方法および接続装置
JP4944240B1 (ja) * 2010-11-30 2012-05-30 シャープ株式会社 裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、配線シート付き裏面電極型太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法
JP5231515B2 (ja) * 2010-12-17 2013-07-10 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP2012138533A (ja) 2010-12-28 2012-07-19 Sharp Corp 太陽電池ストリング、および太陽電池モジュール
JP6060684B2 (ja) 2011-01-27 2017-01-18 日立化成株式会社 太陽電池モジュールの製造方法
JP2012204442A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュールの製造方法
KR20120108723A (ko) * 2011-03-25 2012-10-05 삼성전기주식회사 태양전지모듈 및 그 제조방법
KR101254564B1 (ko) * 2011-05-18 2013-04-19 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101157768B1 (ko) * 2011-05-25 2012-06-25 현대중공업 주식회사 후면전극형 태양전지 모듈
KR101732633B1 (ko) 2011-05-26 2017-05-04 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
US9010616B2 (en) * 2011-05-31 2015-04-21 Indium Corporation Low void solder joint for multiple reflow applications
NL2006966C2 (en) 2011-06-17 2012-12-18 Stichting Energie Photovoltaic system and connector for a photovoltaic cell with interdigitated contacts.
KR101282943B1 (ko) * 2011-09-29 2013-07-08 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
US9490376B2 (en) 2011-09-29 2016-11-08 Lg Electronics Inc. Solar cell module
IN2014CN04167A (ko) * 2011-12-08 2015-07-17 Dow Global Technologies Llc
JP2013143426A (ja) 2012-01-10 2013-07-22 Nitto Denko Corp 導電性接着シートおよび太陽電池モジュール
EP2624303A1 (en) 2012-01-31 2013-08-07 Samsung SDI Co., Ltd. Solar cell module and fabrication method thereof
JP2013165248A (ja) 2012-02-13 2013-08-22 Nippon Avionics Co Ltd 太陽電池モジュール製造方法および製造装置
JP5894470B2 (ja) 2012-03-09 2016-03-30 株式会社神戸製鋼所 熱間プレス用鋼板およびプレス成形品、並びにプレス成形品の製造方法
US9293635B2 (en) * 2012-03-19 2016-03-22 Rec Solar Pte. Ltd. Back junction back contact solar cell module and method of manufacturing the same
CN102723380A (zh) * 2012-06-08 2012-10-10 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种背接触太阳能电池组件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110123A (ja) * 2001-10-01 2003-04-11 Fuji Electric Co Ltd 太陽電池モジュールの製造方法
JP2008034592A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力素子及びその製造方法
WO2008090718A1 (ja) * 2007-01-25 2008-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha 太陽電池セル、太陽電池アレイおよび太陽電池モジュールならびに太陽電池アレイの製造方法
KR20100036315A (ko) * 2007-07-13 2010-04-07 산요덴키가부시키가이샤 태양 전지 모듈의 제조 방법
JP2009088145A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656622B1 (ko) * 2015-09-08 2016-09-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US11417787B2 (en) 2015-09-08 2022-08-16 Lg Electronics Inc. Solar cell module and method for manufacturing the same
KR101661859B1 (ko) * 2015-09-09 2016-09-30 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US10002985B2 (en) 2015-09-09 2018-06-19 Lg Electronics Inc. Method for manufacturing solar cell module
US11152525B2 (en) 2015-09-09 2021-10-19 Lg Electronics Inc. Solar cell module
KR20180102432A (ko) * 2017-03-07 2018-09-17 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20180000333A (ko) * 2017-12-20 2018-01-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
WO2019160264A1 (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 엘지전자 주식회사 페로브스카이트 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20190098570A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 엘지전자 주식회사 정렬이 우수한 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR20180116197A (ko) * 2018-10-17 2018-10-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
WO2023283248A1 (en) * 2021-07-06 2023-01-12 GAF Energy LLC Jumper module for photovoltaic systems

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