KR102622743B1 - 태양전지 및 태양전지 모듈 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에서는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 제1 방향으로 교대로 위치하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성된 제1 전극과 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 태양전지들, 상기 복수의 태양전지들 각각에 상기 제17 전극 및 제2 전극에 교차하게 제1 방향으로 길게 위치하고, 상기 제1 전극과 교차되는 교차점에서 제1 도전층에 의해 연결되고 상기 제2 전극과 교차되는 교차점에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되는 제1 도전성 배선과, 상기 제1 도전성 배선과 나란하게 위치하고, 상기 제2 전극과 교차되는 교차점에서 상기 제1 도전층에 의해 연결되고, 상기 제1 전극과 교차되는 교차점에서 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 제2 도전성 배선을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각, 이웃한 제1 전극끼리 또는 제2 전극끼리를 연결하는 브릿지 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전성 배선 각각은, 제2 도전층에 의해 상기 브릿지 전극에 접합된 태양전지 모듈을 개시한다.

Description

태양전지 및 태양전지 모듈{solar cell and solar cell module}
본 발명은 구조를 개선한 태양전지 및 이를 이용한 태양전지 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.
이와 같은 태양 전지는 발전량을 키우기 위해 수 내지 수십 장의 태양전지를 인터커넥터로 연결해 모듈로 구성해서 사용하기도 한다.
한편, 이와 같은 태양 전지 중 전극이 모두 후면에 접합되는 후면 접촉형 태양 전지는 반도체 기판의 후면에 위치한 전극에 금속 배선이 접합되는 구조를 갖는다.
그러나, 금속 배선을 태양 전지의 후면에 접합할 때, 금속 배선과 반도체 기판의 열팽창 계수 차이와 같은 물성 차이 등을 이유로, 금속 배선과 전극 사이가 제대로 접합되지 못하고, 단선되는 문제점이 있다.
본 발명은 이 같은 기술적 배경에서 창안된 것으로, 구조적 안정성을 갖춰 장시간 사용할 수 있는 태양전지 모듈을 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 제1 방향으로 교대로 위치하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성된 제1 전극과 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 태양전지들, 상기 복수의 태양전지들 각각에 상기 제1 전극 및 제2 전극에 교차하게 제1 방향으로 길게 위치하고, 상기 제1 전극과 교차되는 교차점에서 제1 도전층에 의해 연결되고 상기 제2 전극과 교차되는 교차점에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되는 제1 도전성 배선과, 상기 제1 도전성 배선과 나란하게 위치하고, 상기 제2 전극과 교차되는 교차점에서 상기 제1 도전층에 의해 연결되고, 상기 제1 전극과 교차되는 교차점에서 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 제2 도전성 배선을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각, 이웃한 제1 전극끼리 또는 제2 전극끼리를 연결하는 브릿지 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 도전성 배선 각각은, 제2 도전층에 의해 상기 브릿지 전극에 접합된 태양전지 모듈을 개시한다.
본 발명의 다른 실시예에서는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면 위로 형성되고, 제1 도전형 영역과 제2 도전형 영역을 포함하는 반도체층, 상기 반도체층 위로 제1 방향으로 교대로 위치하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성된 제1 전극과 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 전극은 각각, 이웃한 제1 전극끼리 또는 제2 전극끼리를 연결하는 브릿지 전극을 더 포함하는 태양전지를 개시한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 2개의 전극이 연결된 브릿지 전극에 도전성 배선을 접착시킨다. 이에, 태양전지가 스트레스에 의해 변형력이 발생하더라도 이를 도전층에서 효과적으로 분산시켜 전극과 도전성 배선 사이가 단선되지 않도록 한다.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위해 간략히 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 I-I′선에 따른 개략적인 단면 모습을 보여준다.
도 3은 인터커넥터 및 도전성 배선에 의해 연결된 태양전지의 후면 모습을 간략히 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ′선에 따른 단면 모습을 간략히 보여준다
도 5는 도 1의 태양전지 모듈 구성에 사용된 태양전지의 후면 모습을 보여준다.
도 6은 태양전지의 신뢰성을 검증하기 위하여 온도 싸이클 시험(Thermal Cycle Test) 전(A)과 후(B)에 각각 실시한 EL 검사의 이미지를 보여준다.
도 7 및 도 8은 브릿지 전극의 다양한 실시예를 설명하는 도면이다.
도 9는 태양전지에 접합된 도전성 배선의 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 Ⅲ - Ⅲ′선에 따른 단면 모습을 보여준다.
도 11은 도 9의 IV-IV′선에 따른 단면 모습을 보여준다.
도 12는 제1 도전층이 2층 구조를 갖는 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 13은 브릿지 전극이 2층 구조를 갖는 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 태양전지의 후면에 형성된 전극과 각 전극에 대응하게 형성된 도전형 영역을 보여준다.
도 15는 도 14의 V-V′선과 VI-VI′선에 따른 단면 모습을 보여준다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 간단히 하거나 생략될 수 있다. 또한, 도면에서 도시하고 있는 다양한 실시예들은 예시적으로 제시된 것이고, 설명의 편의를 위해 실제 축척에 맞춰 도시되지 않을 수 있고. 형상이나 구조 역시 단순화해서 도시될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일례에 따른 태양전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위해 간략히 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 I-I′선에 따른 개략적인 단면 모습을 보여준다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 태양전지 모듈은 복수의 태양 전지 및 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)을 포함한다.
아울러, 이에 더하여, 복수의 태양 전지를 제1 방향(도면의 x축 방향)으로 서로 직렬 연결하는 인터커넥터(300), 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 셀 스트링을 캡슐화하는 전면 투명 기판(10), 충진재(20, 30), 후면 시트(40) 및 프레임(50)을 더 구비할 수 있다.
여기서, 복수의 태양 전지는 도 1에 도시된 바와 같이, 각각이 제1 방향으로 길게 배열되며, 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 바람직한 한 예에서, 태양전지는 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 모두 반도체 기판(110)의 후면에 위치하는 후면 접촉형 태양전지가 사용될 수 있다.
복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접합될 수 있다.
이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)이 접합된 복수의 태양 전지는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향으로 직렬 연결될 수 있다.
일례로, 인터커넥터(300)는 복수의 태양 전지 중 제1 방향으로 서로 인접하여 배치되는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)를 서로 직렬 연결할 수 있다.
이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접합된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 전면과 제2 태양 전지(C2)에 접합된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 전면이 인터커넥터(300)의 후면에 접합될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 셀 스트링이 형성될 수 있다.
이와 같은 셀 스트링은 도 2에 도시된 바와 같이, 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치된 상태에서 열압착되어 라미네이팅될 수 있다.
일례로, 복수의 태양 전지는 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치되고, 폴리머 시트(예로, EVA)와 같이 투명한 충진재(20, 30)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.
아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(10), 후면 시트(40) 및 충진재(20, 30)는 프레임(50)에 의해 가장 자리가 고정되어 보호될 수 있다.
더불어, 셀 스트링 각각은 제1 방향으로 길게 위치하고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향(도면의 y축 방향)으로 이격되어 배열될 수 있고, 이와 같은 복수의 셀 스트링은 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있는 버싱바(310)에 의해 제2 방향으로 직렬 연결 될 수 있다.
여기서, 전면 투명 기판(10)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 형성될 수 있다.
후면 시트(40)는 태양 전지들(C1, C2)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 이러한 후면 시트(40)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
이와 같은 후면 시트(40)는 FP(fluoropolymer), PE(polyeaster), FP (fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어진 얇은 시트로 이루어지지만, 다른 절연 물질로 이루어진 절연 시트일 수 있다.
바람직한 한 형태에서, 라미네이션 공정은 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 시트 형상을 갖는 충진재(20, 30)가 배치된 상태에서 진행될 수 있다.
여기서, 충진재(20, 30)의 재질은 절연층(252)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지 (C1, C2)를 충격으로부터 보호하고, 이를 위해 충격을 흡수할 수 있는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 형성될 수 있다.
따라서, 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 배치된 면 형상의 충진재(20, 30)는 라미네이션 공정 중에 열과 압력에 의해 연화 및 경화될 수 있다.
이하에서는 도 1, 2 에 도시된 태양 전지 모듈에서, 복수의 태양 전지가 제1, 2 도전성 배선(200) 및 인터커넥터(300)에 의해 직렬 연결되는 구조를 보다 구체적으로 설명한다.
도 3은 인터커넥터(300) 및 도전성 배선(200)에 의해 연결된 태양전지의 후면 모습을 간략히 도시한 것이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ′선에 따른 단면 모습을 간략히 보여준다. 이 도면들은 설명의 편의를 위해 구성 요소를 단순화해 도시하고 있어 실제와 다를 수 있다.
이 도면들을 참조하면, 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 반도체 기판(110)의 후면에 접합될 수 있다.
제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향으로 이격되어 배열될 수 있으며, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 의 후면에 서로 이격되어 제2 방향으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다. 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제2 방향에서 교번하게 배열될 수 있다.
그리고, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 상기 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)에 교차하게 제1 방향으로 길게 길게 뻗어 배치되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 접합될 수 있다. 제1, 2 도전성 배선(200)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접합되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접합되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에서 복수의 제1 도전성 배선(210)은 제1 전극들(141)과 교차되는 복수의 교차점에서 도전성 물질로 형성된 도전층(251)을 통하여 제1 전극들(141)에 접합되고, 제2 전극들(142)과 교차되는 복수의 교차점에서 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다. 여기서, 도전층(251)은 브릿지 전극을 도전성 배선(200)에 접합시키는 제2 도전층과 전극(141, 142)과 도전성 배선(200) 사이에 위치하는 제1 도전층을 포함할 수 있으며, 이에 대해서는 자세히 후술한다.
제1 도전층과 제2 도전층을 포함하며, 각각은 도전성 접착제가 열경화되어 형성된 것으로, 도전성 접착제는 주성분을 폴리머 기재와 도전 필러 입자로 구성되어 도전 필러들의 기계적 물리적 접촉에 의해 부재 사이를 접합 및 도전시킨다. 이 도전성 접착제는 솔더　분말과 플러스(Flux)를 혼합하여 만든 페이스트(paste) 형태나 크림(cream) 형태 등의 접착제를 말한다.
아울러, 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에서 복수의 제2 도전성 배선(220)은 제2 전극들(142)과 교차되는 복수의 교차점에서 제2 전극들(142)에 도전층(251)을 통하여 접합되고, 제1 전극들(141)과 교차되는 복수의 교차점에서 절연층(252)에 의해 제1 전극들(141)과 절연될 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(200)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 금속과 도전성 금속을 피복하고, 같은 솔더 물질로 이뤄진 솔더층을 포함할 수 있다. 바람직한 형태로, 도전성 금속은 구리(Cu)이고, 솔더층은 Sn-Cu계, Sn-Ag계, Sn-Ag-Cu계　, Sn-Ag-Bi계　, Sn-Ag-Bi-In계　, Sn-Ag-Zn계　, Sn-Zn계　, Sn-Bi계　, Sn-In계 솔더 등 범용적으로 사용되는 다양한 종류의 솔더 물질로 형성될 수 있다. 보다 바람직하게, 솔더층은 라미네이션 과정에서 금속과 접합될 수 있게, 라미네이션 온도 범위 내에서 융점을 갖는 솔더 물질이 사용될 수 있다.
제1 도전성 배선(210)은 제1 태양전지(C1)를 가로질러 그 끝이 인터 커넥터(300) 상에 위치하고, 제2 도전성 배선(220)은 제2 태양전지(C2)를 가로 질러 그 끝이 인터 커넥터(300) 상에 위치할 수 있다. 여기서 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220)은 바람직하게 인터커넥터(300)의 동일한 면 위에 놓이는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 단면이 폭이 두께보다 큰 리본 형상을 가지는 것이 바람직하다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(200)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.
이와 같이 제1, 2 도전성 배선(200) 각각이 하나의 태양 전지에 접합되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(200)이 하나의 태양 전지에 접합되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.
절연층(252)은 제1 도전성 배선들(210)과 제2 전극들(142)이 교차되는 복수의 교차점 및 제2 도전성 배선들(220)과 제1 전극들(141)이 교차되는 복수의 교차점에서 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142) 사이 및 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141) 사이에 각각 위치할 수 있다.
아울러, 제1 도전성 배선들(210)과 제2 전극들(142)이 교차되는 복수의 교차점 및 제2 도전성 배선들(220)과 제1 전극들(141)이 교차되는 복수의 교차점 각각에 위치한 절연층(252)은 각각이 서로 이격될 수 있다.
이와 같은 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.
이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(200)은 각각의 일단이 인터커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.
보다 구체적으로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(도면의 y축 방향)으로 길게 뻗어 있을 수 있다. 태양 전지를 평면에서 봤을 때, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110) 사이에 배치될 수 있다.
아울러, 이와 같은 인터커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접합된 제1 도전성 배선(210)의 일단과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접합된 제2 도전성 배선(220)의 일단이 공통으로 접합되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(도면의 x축 방향)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(200) 각각의 일단은 인터커넥터(300)와 중첩되어, 도전층(350)을 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다. 여기서, 제1, 2 도전성 배선(200)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 도전층(350)은 상술한 도전층(251)과 동일할 수가 있다.
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 인터커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(200)과 제1, 2 전극(200) 사이에 접합 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)와 복수의 제1, 2 도전성 배선(200) 사이의 연결을 끊어, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.
이하, 도 5를 참조로 본 발명의 일 실시예에서 사용되는 태양전지의 전극 구조에 대해 살펴본다. 도 5는 도 1의 태양전지 모듈 구성에 사용된 태양전지의 후면 모습을 보여준다. 도 5 이하에서 도시한 태양전지의 전극은 설명의 편의를 위해 단순화 하였기 때문에 실제 구조와 다를 수 있다.
바람직한 한 형태에서, 태양전지(100)는 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 모두 반도체 기판(110)의 후면에 위치하는 후면 접촉형 태양전지일 수 있다.
제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(도면의 x축 방향)에서 교번하도록 배치되며, 이웃한 것과는 나란하게 배열될 수 있다. 그리고, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 각각, 제2 방향으로 길게 뻗어 있어 전체적으로 스트라이프 배열을 이룰 수 있다.
제1 및 제2 전극(141, 142)은 각각, 선폭(W1)이 200(um) ∼ 400(um) 일 수 있고, 이때 제1 전극(141)과 제2 전극 사이의 거리(또는 피치)(D1)은 400(um) ∼ 600(um) 일 수 있다. 결과적으로, 제1 전극(141)끼리의 간격(D1a), 또는 제2 전극(142)끼리의 간격(D1b)은 각각 800(um) ∼ 1,200(um)가 될 수 있다. 여기서 전극 사이의 거리(D1, D1a, D1b)는 각 전극의 중심선을 기준으로 한다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 반도체 기판(110)의 크기, 전극의 두께 등을 변수로 그에 맞춰 조정될 수 있다.
제1 및 제2 전극(141, 142) 각각은, 제1 방향(도면의 x축 방향)에서 제1 전극끼리 또는 제2 전극끼리 연결시키는 브릿지 전극(143)을 더 포함할 수 있다. 이 브릿지 전극(143)은 제1 및 제2 전극(141, 142)의 선폭(W1)보다 큰 선폭(W2)을 갖도록 형성될 수 있는데, 바람직하게는 도전성 배선(200)의 선폭과 같거나 큰 것이 바람직하다. 브릿지 전극(143)위로 도전성 배선(200)이 위치하고 도전층(251)에 의해 접합되므로, 공정마진과 얼라인을 고려해 브릿지 전극(143)의 선폭(W2)은 도전성 배선의 선폭 대비 1∼1.3배인 것이 바람직하다.
또한, 제1 브릿지 전극(143a)의 길이(L1)는 바람직하게 제1 전극끼리의 간격(D1a)과 동일하고, 제2 브릿지 전극(143b)의 길이(L2)는 제2 전극끼리의 간격(D1b)와 동일할 수가 있으며, 단선부(151)를 최소화해 단선부(151)로 인해 떨어지는 태양전지의 효율이 떨어지는 것을 최소화할 수가 있다. 여기서 제1 브릿지 전극(143a)의 길이(L1)와 제2 브릿지 전극(143b)의 길이(L2)는 각각 제1 전극(141) 및 제2 전극(142)의 중심선을 기준으로 한다.
이 브릿지 전극(143)은 도전성 배선(200)과의 접촉 면적을 키워 도전성 배선(200)이 브릿지 전극(143)에 견고히 부착될 수 있도록 하며, 보다 바람직하게는 도전성 배선(200)이 그 길이 방향으로 열팽창과 수축함에 따라 발생하는 스트레스로 인해 도전층(251)이 떨어져 전극과 도전성 배선(200) 사이가 단락되는 문제를 해소할 수 있도록 한다.
보다 상세히, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 모두 반도체 기판의 후면에 존재하기 때문에 열 팽창과 수축에 의한 스트레스는 제1 전극(141)과 제2 전극(142)의 길이 방향으로 전파돼 반도체 기판을 휘게 만든다. 그런데, 반도체 기판의 휨은 전극(141, 142)과 도전성 배선(200)을 부착하고 있는 도전층(251)에 스트레스로 작용해, 결과적으로 도전층(251)이 도전성 배선(200) 또는 전극(141, 142)으로부터 박리되도록 한다. 그런데, 이 같은 문제는 도전성 배선(200)의 끝이 부착된 반도체 기판의 측면에서 심하게 발생한다. 이 같은 사실은 도 6을 통해 알 수가 있다.
도 6은 태양전지의 신뢰성을 검증하기 위하여 온도 싸이클 시험(Thermal Cycle Test) 전(A)과 후(B)에 각각 실시한 EL 검사의 이미지를 보여준다. 여기서 EL(Electro luminance) 검사는 태양전지에 인위적으로 전기를 주어 미세 크랙(Micro crack), 션트(shunt), 핑거 인터럽션(Finger Interruption) 등을 식별하여 결함 여부를 판단하는 검사를 말한다. 도 6에서 (A)는 온도 싸이클 시험(Thermal Cycle Test) 전 태양전지 모듈의 EL 사진이며, (B)는 온도 싸이클 600회 시험 후 태양전지 모듈의 EL 사진이다
도 6의 사진은 모듈의 전면을 보여주며, 도면의 x축이 도전성 배선이 연결된 방향을 나타낸다. 도 6에 따른 신뢰성 테스트는 브릿지 전극이 없는 경우에 있어 그 결과를 알아보기 위해 실시가 되었다.
도 6에서 보여지는 바처럼, 온도 싸이클 시험 전(A)과 후(B)의 EL 모습을 비교해 보면, 온도 Cycle 600회 시험(B) 후 태양전지가 이웃하는 부분에서 어두운 영역(점선 박스)이 증가하여 유효발광면적이 줄어든 것을 볼 수 있다.
이것은 태양전지의 측면, 즉 태양전지의 측면에 이웃하게 부착된 도전성 배선의 끝이 신뢰성 테스트 과정에서 전극과 떨어졌음을 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에서는 이러한 문제점을 개선하고자, 브릿지 전극(143)을 더 포함하도록 태양전지를 구성할 수 있다.
바람직한 한 형태에서, 브릿지 전극(143)은 반도체 기판(110)의 제1 측면(110a)에 이웃한 적어도 2 이상의 제1 전극(141)을 연결하는 제1 브릿지 전극(143a)과 반도체 기판(110)의 제2 측면(110b)에 이웃한 적어도 2 이상의 제2 전극(143)을 연결하는 제2 브릿지 전극(143b)을 포함할 수 있다.
도 5에서는 제1 브릿지 전극(143a)이 제1 측면(110a)에 바로 이웃하고 있는 2개의 제1 전극(141)을 연결시키는 것을 예시하며, 제2 브릿지 전극(143b)은 제2 측면(110b)에 바로 이웃하고 있는 2개의 제2 전극(142)을 연결시키는 것을 예시하나, 브릿지 전극에 의해 연결되는 전극의 개수는 태양전지의 크기, 전극의 선폭, 피치 등을 변수로 조정될 수가 있다.
그리고, 제1 브릿지 전극(143a) 사이의 간격(W4)은 바람작하게 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선 사이의 간격과 실질적으로 동일할 수가 있다. 여기서, 제1 브릿지 전극(143a) 사이의 간격(W4)은 제1 브릿지 전극(143a)의 중심과 중심 사이의 간격을 말한다.
한편, 제1 전극(141) 사이로는 제2 전극(142)이 존재하기 때문에, 제1 브릿지 전극(143a)으로 인해 제1 전극(141)과 제2 전극(142) 사이가 숏트되는 것을 방지하기 위해, 제2 전극(142)은 전극의 일부가 끊어져 있는 단선부(151)를 포함해서 구성이 된다. 단선부(151)는 제1 브릿지 전극(143a)과 제2 전극(142)이 교차하는 지점으로 형성되고, 그 폭(W3)은 제1 브릿지 전극(143a)의 폭(W2)보다 커야 한다. 바람직하게, 단선부(151)는 제1 브릿지 전극(143a)마다 형성될 수 있다. 단선부(151)에 의해 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 제1 방향으로 교번하게 위치하고 있고, 제1 브릿지 전극(143a)이 제1 방향에서 제1 전극(141) 사이를 연결하고 있더라도, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 숏트되는 것을 방지할 수가 있다.
단선부(151)는 제2 브릿지 전극(143b)에 대응하게도 형성되는데 이에 대해서 설명하면 다음과 같다. 도시된 바처럼, 제2 브릿지 전극(143b)은 반도체 기판(110)이 제2 측면(110b)에 측면에 이웃한 제2 전극(142) 사이를 제1 방향에서 연결하고 있다. 이에, 제2 전극(142) 사이에 위치하는 제1 전극(141) 또한 단선부(151)를 포함하도록 구성된다.
이처럼 제1 및 제2 브릿지 전극(143a, 143b)이 반도체 기판(110)의 측면(110a, 110b)에 각각 이웃하게 형성되므로, 제1 도전성 배선의 시작 단부와 제2 도전성의 배선의 시작 단부는 각각 면적이 커진 제1 및 제2 브릿지 전극(143a, 143b)에 각각 위치할 수가 있고, 도전층(251)에 의해 둘 사이가 견고히 결합될 수가 있어 상술한 문제점을 해결할 수가 있다. 이에 대해서는 보다 자세히 후술한다.
한편, 도 5를 통해서는 브릿지 전극(143)이 반도체 기판(110)의 측면에 위치해 도전성 배선의 단부와 대응하도록 형성되는 경우를 설명하였다. 그러나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도전성 배선의 길이 방향에 대응하는 부분에서 다양한 위치로 형성되는 것 역시 가능하다.
도 7에서는 브릿지 전극(143)이 제3 브릿지 전극()을 더 포함하도록 구성된 실시예를 보여준다.
도 7에서, 제1 브릿지 전극(143a)은 제1 측면(110a)에 이웃하게 위치해서 제1 전극(141) 사이를 연결하도록 구성되며, 제1 도전성 배선(210)의 시작 단부(210a)와 접합된다. 그리고, 제3 브릿지 전극(143c)은 제1 방향(도면의 x축 방향)에서 동일 선 상에 위치하며, 제2 측면(110b)에 이웃하게 위치해서 제2 측면(110b)에 이웃하게 배치된 제1 전극(141)를 연결하도록 구성된다. 이처럼, 제3 브릿지 전극(143c)은 제1 브릿지 전극(143a)과 비교해서 위치에 있어서만 차이가 있을 뿐 구성은 동일할 수가 있다. 또한, 제3 브릿지 전극(143c)은 제1 측면(110a)에 이웃하게 위치해서 제2 전극(142) 사이를 연결하도록 구성될 수도 있다. 이때, 제3 브릿지 전극(143c)은 제2 측면(110b)에 이웃하게 형성된 제2 브릿지 전극(143b)과 제1 방향에서 동일 선상에 위치할 수가 있다.
이에 따라, 제1 도전성 배선(210)은 제1 및 제3 브릿지 전극(143a, 143c)에 각각 접합이 되고, 제2 도전성 배선(220)은 제2 및 제3 브릿지 전극(143a, 143c)에 각각 접합이 되므로, 도전층이 쉽게 박리되는 부분을 보다 견고하게 접합시킬 수가 있다.
그리고, 도 8은 제1 브릿지 전극(143a)과 제2 브릿지 전극(143b) 사이에 위치하는 제4 브릿지 전극(143d)을 더 포함해 구성되는 점이 도 5의 실시예와 다르다. 바람직한 한 형태에서 제4 브릿지 전극(143d)은 제1 전극(141) 사이를 연결하거나, 제2 전극(142)을 연결하거나 또는 제1 전극 및 제2 전극 사이를 각각 연결하도록 구성될 수 있고, 각 브릿지 전극에 대응하게는 단선부(151)를 더 포함해 구성된다.
여기서, 제4 브릿지 전극(143d)은 반도체 기판에 가해지는 스트레스가 큰 경우에 이 스트레스를 효과적으로 분산시키기 위해서 제1 브릿지 전극(143a) 또는 제2 브릿지 전극(143b)에 추가해 구성되며, 반도체 기판에 전달되는 스트레스는 제1 브릿지 전극(143a)과 제2 브릿지 전극(143b)에 의해 1차적으로 분산되고, 또한 제3 브릿지 전극(143c)에 의해 2차로 분산되므로, 도 5의 실시예보다 효과적으로 스트레스를 분산시켜 도전층(251)이 전극 또는 도전성 배선에서 떨어지는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수가 있다.
바람직한 한 형태에서, 제4 브릿지 전극(143d)의 길이(W5)는 제1 또는 제2 브릿지 전극과 비교해 동일하거나 이보다 작을 수 있고 또한 선폭 역시 제1 또는 제2 브릿지 전극과 비교해 동일하거나 이보다 작을 수 있다. 주지하는 바처럼 브릿지 전극(143)이 형성되는 곳으로는 단선부(151)가 같이 형성이 되기 때문에, 단선부(151)로 인해 대응하는 영역에서는 전하를 수집할 수가 없어 태양전지의 출력이 떨어지게 된다. 본 발명에서는 이러한 점을 고려해, 제4 브릿지 전극(143d)의 크기를 제1 및 제2 브릿지 전극(143a, 143b)와 같거나 그보다 작게 형성한다.
한편, 도 8에서는 도 5의 실시예에 제4 브릿지 전극(143d)이 형성된 경우를 도시하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 도 7에서 도시한 실시예에도 동일하게 형성될 수가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로, 도전성 배선(210, 220)이 도전층(251)에 의해 전극(141, 142)에 접합된 구조에 대해서 자세히 살펴본다. 이하의 설명은 도 5에서 설명한 전극 구조에 도전성 배선이 위치하는 것을 예로 설명하나, 특별한 제한이 없는 한 도 7 및 도 8을 통해 설명된 전극 구조에도 동일하게 적용될 수 있다.
도 9는 태양전지에 접합된 도전성 배선의 모습을 보여주는 도면이고, 도 10은 도 9의 Ⅲ - Ⅲ′선에 따른 단면 모습, 도 11은 도 9의 IV-IV′선에 따른 단면 모습을 각각 보여준다.
이 도면들을 참조하면, 도전성 배선(200)은 제1 전극(141)에만 연결된 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142)에만 연결된 제2 도전성 배선을 포함한다. 도시된 바에 따르면, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220)은 반도체 기판(110)을 제1 방향에서 가로지르도록 위치하며, 제2 방향에서는 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220)이 교번하도록 위치하고 있다.
제1 도전성 배선(210)은 시작 단부(210a)는 반도체 기판(110)의 제1 측면(110a)에 바로 이웃하면서 그 안쪽에 위치하고 있으며, 다른 쪽 끝은 제1 측면(110b)을 가로질러 반도체 기판(110)의 밖으로 돌출된다. 제1 도전성 배선(210)의 시작 단부(210a)는 제1 측면(110a)에 이웃하게 위치해 제1 브릿지 전극(143a)에 제2 도전층(251b)에 의해 접합되고, 나머지 부분은 제1 전극(141)과 교차하는 지점마다 배치된 제1 도전층(251a)에 의해 제1 전극(141)과 접합될 수가 있다.
그리고, 제2 도전성 배선(220)은 제1 도전성 배선(210)과 반대로, 시작 단부(220a)가 반도체 기판(110)의 제2 측면(110b)에 바로 이웃해서 그 안쪽으로 위치하고 있으며, 다른 쪽은 제1 측면(110a)을 가로질러 반도체 기판(110) 밖으로 돌출된다. 여기서, 제2 도전성 배선(220)의 시작 단부(220a)는 제2 브릿지 전극(143b)에 제2 도전층 (251b)에 의해 접합되고, 나머지 부분은 제2 전극(142)과 교차하는 지점마다 배치된 제1 도전층(251a)에 의해 제2 전극(142)과 접합될 수가 있다.
한편, 제1 브릿지 전극(143a)은 제1 도전성 배선(210)의 시작 단부(210a)와 대응하도록 위치하며, 또한 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220)은 제2 방향에서 교번하도록 배치되므로, 제1 브릿지 전극(143a)은 제2 방향에서 이웃한 제2 도전성 배선(220) 사이마다 위치하고, 제2 브릿지 전극(143b)은 제1 도전성 배선(210) 사이마다 위치할 수가 있다.
그리고, 제1 브릿지 전극(143a)과 제2 브릿지 전극(143b)은 각각 제1 및 제2 도전성 배선(210, 220)의 길이 방향으로 길게 형성되므로, 이 둘 사이를 접합 및 연결시키는 도전층(251)의 면적을 그 길이 방향으로 크게 형성할 수가 있기 때문에 도전성 배선(210, 220)을 따라 전파되는 스트레스를 효과적으로 분산시킬 수 있다.
보다 상세히, 도전성 배선(200)은 제1 및 제2 전극(141, 142)과 각각 제1 너비(s1)를 갖는 제1 도전층(251a)에 의해 접합되고, 그 끝(210a, 220a)은 제1 너비(s1)보다 큰 제2 너비(s2)를 갖는 제2 도전층(251b)에 의해 제1 및 제2 브릿지 전극(143a, 143b)에 각각 접합된다. 여기서, 도시된 바에 따르면 제2 도전층(251b)의 제2 너비(s2)는 제1 전극(141) 또는 제2 전극(142) 사이의 거리에 대응하는 반면, 제1 너비(s1)는 제1 전극(141) 또는 제2 전극(142)의 선폭에 대응하므로, 제2 너비(s2)는 제1 너비(s1)대비 약 4∼5배 클 수가 있다. 따라서, 도전성 배선(200)의 길이 방향(도면의 x축 방향)을 따라 전파되는 스트레스를 제2 도전층(251b)에서 효과적으로 흡수해, 도전층(251)이 떨어지던 문제를 해소할 수가 있다.
여기서, 제1 및 제2 도전층(251a, 251b)은 동일한 도전성 접착제를 통해 만들어질 수 있으며, 이때 사용되는 도전성 접착제는 도전성 배선(200) 및 전극(141, 142)과의 접합성을 고려해 도전성 입자가, Sn-Cu계, Sn-Ag계, Sn-Ag-Cu계, Sn-Ag-Bi계　, Sn-Ag-Bi-In계　, Sn-Ag-Zn계　, Sn-Zn계　, Sn-Bi계　, Sn-In계 솔더 등 범용적으로 사용되는 다양한 종류의 솔더 물질에서 선택될 수 있다.
일 예로, 제1 및 제2 도전층(251a, 251b)은 도전성 배선(200)의 솔더층보다 높은 융점을 갖는 솔더 물질로 형성될 수 있다. 이 경우에, 제1 및 제2 도전층(251a, 251b)은 라미네이션 공정 전에 전극(141, 142) 상에 먼저 형성되고, 라미네이션 공정 중 라미네이션의 공정 온도 범위의 융점을 갖는 도전성 배선(200)의 솔더층이 융융되어 제1 및 제2 도전층(251a, 251b)에 결합될 수가 있다.
한편, 이상의 설명에서는 도전층(251)이 1층으로 구성되는 것을 설명했으나, 제1층과 제2층의 2층 구조를 갖는 것도 가능하다. 도 12는 제1 도전층이 2층 구조를 갖는 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 12를 참조하면, 제1 도전층(251a)은 제1 전극(141) 또는 제2 전극(142) 위에 형성된 제1층(251a1)과 제1 층(251a1)과 도전성 배선(200) 사이에 형성되는 제2층(251a2)을 포함할 수 있다.
바람직한 한 형태에서, 제1 층(251a1)과 제2 층(251a2)은 서로 다른 솔더 물질을 통해 형성될 수가 있으며, 제2 층(251a2)은 도전성 배선(200)의 솔더층과 동일한 솔더 입자를 포함하도록 구성될 수 있다.
제1 층(251a1)은 전극(141, 142)과 접합성을 고려해 형성 물질이 선택될 수 있고, 또한 라미네이션 공정의 온도보다는 높은 용융 온도를 가지고 있어 라미네이션 공정 중 변화가 없는 것이 바람직하다. 일 예로, SAC(Sn-Ag-Cu) 솔더는 융점이 약 217℃이므로, 라미네이션 공정 온도가 150 ∼170℃라고 가정했을 때 라미네이션 공정 중 상 변화를 일으키지 않는다.
바람직한 한 형태에서, 제1 층(251a1)은 도전성 접착제 또는 도전성 페이스트가 열 경화를 일으켜 형성될 수 있고, 또한 라미네이션 공정 전에 형성될 수 있다. 이때, 제1층(251a1)은 제1 폭(t1)을 갖도록 형성될 수 있다.
제2 층(251a2)은 도전성 배선(200), 특히 도전성 배선(200)을 피복하고 있는 솔더층과의 접합성을 고려해 형성 물질이 선택될 수 있고, 또한 생산 공정을 간단히 하기 위해서 라미네이션 공정 중에 도전성 배선(200)과 접합될 수 있는 것이 바람직하다.
바람직한 한 형태로, 제2 층(251a2)은 Sn-In계, Sn-Bi계, Sn-Ag-Bi계　솔더물질 중 어느 하나로부터 형성될 수 있는데, 이 솔더 물질들은 위에서 예시한 라미네이션 공정 온도와 비숫하거나 그보다 낮은 융점을 가지고 있다.
또한, 제2 층(251a2)은 바람직하게 도전성 배선의 솔더층과 동일한 물질로 형성될 수 있는데, 이 경우에 제2 층(251a2)과 도전성 배선(200) 사이의 접합성이 매우 우수하다는 장점이 있다. 제2 층(251a2)이 도전성 배선의 솔더층과 동일한 물질로 형성된 경우에, 솔더층과 제2 층(251a2) 형성용 솔더 물질은 라미네이션 공정 중 동시에 융융되어 서로 융화된 상태에서 솔더링이 이뤄진다. 이에, 제2층(251a2)은 도전성 배선(200)을 향하면서 점진적으로 폭이 커지는 단면을 가지게 되는데, 제2층(251a2)의 최대 폭(t2)은 제1층(251a1)과 비교해 클 수가 있다.
이처럼, 도전층을 제1층과 제2층으로 구성하면, 각 층을 이루는 솔더 물질을 전극 또는 도전성 배선에 맞춰 각각 취사 선택할 수가 있어 전극과 도전성 배선 사이의 접합성을 더욱 좋게 할 수가 있다.
이에 반해서, 제2 도전층(251b)은 제1 도전층(251a)과 다르게 단일 층으로 형성된다. 융점이 낮은 솔더 물질들은 일반적으로 융점을 떨어트리기 위해 융점을 낮춘다고 알려진 비스무스(Bi)를 포함하고 있다. 그런데 비스무스는 취성(brittleness)이 나빠 스트레스에 대해 쉽게 파괴되는 문제가 있다. 때문에, 이러한 점을 고려해 제2 도전층(251b)은 제1 도전층(251a)을 이루는 제1층(251a1)과 제2층(251a2) 중 제1층(251a1)과 동일한 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 도 12를 통해서는 제2 도전층(251b)은 단일 층으로 구성되는 것을 설명했으나, 도 13에서 예시하는 바처럼, 제1 도전층(251a)와 동일하게 제1층(251b1)과 이 제1층(251b1) 위에 형성된 제2층(251b2)의 2층 구조로 형성되는 것도 가능하다.
이하, 도 14 및 도 15를 참조로 전극과 도전형 영역에 대해 설명한다. 도 14는 태양전지의 후면에 형성된 전극과 각 전극에 대응하게 형성된 도전형 영역을 보여주며, 도 15는 도 14의 V-V′선과 VI-VI′선에 따른 단면 모습을 보여준다.
제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 각각 반도체 기판(110)의 후면에서 제2 방향(도면의 y축 방향)으로는 반도체 기판(110)의 한 쪽 끝에서 다른 쪽 끝까지 길게 형성되고, 제1 방향(도면의 x축 방향)으로는 제1 전극(141)과 제2 전극(142)이 교번하게 배치되어 있다.
그리고, 도전형 영역은 도전성에 따라 제1 도전형 영역(121)과 제2 도전형 영역(171)을 포함하며, 예로 제1 도전형 영역(121)은 반도체 기판(110)과 반대되는 극성을 갖는 영역(121)일 수 있고, 제2 도전형 영역(171)은 반도체 기판(110)과 동일한 극성을 갖는 영역(171)일 수 있다. 제1 도전형 영역(121)과 제2 도전형 영역(171) 사이로는 불순물이 없는 진성 영역(150)이 존재해 둘 사이를 분리한다. 이 같은 도전형 영역은 결정질 실리콘층에 불순물을 주입해 형성될 수가 있다.
이 중 제1 도전형 영역(121)은 제1 전극(141)과 마찬가지로 제2 방향으로 반도체 기판(110)의 한 쪽 끝에서 다른 쪽 끝까지 길게 연속적으로 형성된다. 제1 전극(141) 상에 형성된 단선부(151)에서도 제1 도전형 영역(121)은 제2 방향으로 길게 형성되어 단선부(151)에 대응하게도 형성이 된다.
그리고, 제2 도전형 영역(171)도 이와 동일하게 제2 방향으로 반도체 기판(110)의 한 쪽 끝에서 다른 쪽 끝까지 길게 연속적으로 형성되어, 제2 전극(142) 상에 형성된 단선부(151)에도 형성되어 있다.
이에, 제1 도전형 영역(121)은 제1 전극(141)끼리 연결시키는 제2 브릿지 전극(143b)와 교차하게 제1 도전형 영역(121)이 위치하고, 제2 도전형 영역(171)은 제2 전극(143)끼리 연결시키는 제1 브릿지 전극(143a)과 교차하게 위치하나, 그 사이에 절연물질로 형성된 패시베이션막(190)이 존재하고 있어, 제1 및 제2 도전형 영역(121, 171)이 브릿지 전극(143a, 143b)에 의해 숏트되는 것을 방지한다.
이와 비교해서, 제1 전극(141)은 패시베이션막(190)에 형성된 제1 접촉구(191)를 통해 제1 도전형 영역(121)과 연결되며, 제2 전극(142)은 제2 접촉구(192)를 통해 제2 도전형 영역(171)에 연결될 수가 있다.
본 발명의 태양전지에서는 이처럼 단선부(151)에도 도전형 영역을 형성해 도전형 영역의 패턴을 단순화해 제조가 쉽도록 한다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (24)

  1. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 제1 방향으로 교대로 위치하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성된 제1 전극과 제2 전극을 각각 포함하는 복수의 태양전지들; 및,
    상기 복수의 태양전지들 각각에 상기 제1 전극 및 제2 전극에 교차하게 제1 방향으로 길게 위치하고, 상기 제1 전극과 교차되는 교차점에서 제1 도전층에 의해 연결되고 상기 제2 전극과 교차되는 교차점에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되는 제1 도전성 배선과,
    상기 제1 도전성 배선과 나란하게 위치하고, 상기 제2 전극과 교차되는 교차점에서 상기 제1 도전층에 의해 연결되고, 상기 제1 전극과 교차되는 교차점에서 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 제2 도전성 배선,
    을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 전극은 각각, 이웃한 제1 전극끼리 또는 제2 전극끼리를 연결하는 브릿지 전극을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 도전성 배선 각각은, 제2 도전층에 의해 상기 브릿지 전극에 접합되며;
    상기 제1 전극과 제2 전극은 각각, 상기 브릿지 전극의 선폭보다 큰 폭을 가지며, 상기 브릿지 전극과 교차하게 상기 제2 방향으로 형성된 단선부를 포함하고;
    상기 브릿지 전극은 상기 반도체 기판의 제1 측면에 이웃한 적어도 2 이상의 제1 전극을 연결하는 제1 브릿지 전극과, 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면에 이웃한 적어도 2 이상의 제2 전극을 연결하는 제2 브릿지 전극을 포함하며;
    상기 제1 브릿지 전극의 길이는 상기 제1 전극 사이의 거리와 같고, 상기 제2 브릿지 전극의 길이는 상기 제2 전극 사이의 거리와 같은 태양전지 모듈.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 브릿지 전극은 상기 제1 도전성 배선의 시작 단부가 위치하는 곳에 형성되고, 상기 제2 브릿지전극은 상기 제2 도전성 배선의 시작 단부가 위치하는 곳에 형성된 태양전지 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 브릿지 전극은 각각, 상기 제2 측면에 바로 이웃한 위치에서 상기 제1 전극을 연결하거나, 상기 제1 측면에 바로 이웃한 위치에서 상기 제2 전극을 연결하는 제3 브릿지 전극을 더 포함하는 태양전지 모듈.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 브릿지 전극은 각각, 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 위치해서 상기 제1 전극 또는 제2 전극을 연결하는 제4 브릿지 전극을 더 포함하는 태양전지 모듈.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 브릿지 전극의 선폭은 상기 제1 및 제2 도전성 배선의 선폭 대비 1 ∼1.3 배인 태양전지 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향에서의 상기 제2 도전층의 너비는 상기 제1 도전층의 너비보다 큰 태양전지 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전성 배선들 각각은, 도전성 금속과 상기 도전성 금속을 피복하는 솔더층을 포함하는 태양전지 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 도전층과 상기 제2 도전층은 각각, 상기 솔더층의 융점보다 높은 융점을 갖는 솔더 물질로 이뤄진 태양전지 모듈.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 도전층은, 상기 제1 또는 제2 전극에 접합된 제1 층과 상기 제1 층보다 융점이 낮으며 상기 제1 층 위로 형성된 제2 층을 포함하는 태양전지 모듈.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 도전층은, 상기 제1 도전층과 동일하게 상기 제1층과 제2층을 포함하거나, 상기 제1 층과 동일한 물질로 형성된 태양전지 모듈.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2층은 상기 솔더층과 동일한 물질로 형성된 태양전지 모듈.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 태양전지들 각각은,
    상기 반도체 기판의 후면 위로 형성되고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 각각 연결된 제1 도전형 영역과 제2 도전형 영역을 포함하는 반도체층; 및,
    상기 반도체층을 덮는 패시베이션막을 포함하고,
    상기 브릿지 전극은 상기 패시베이션막 위로 형성된 태양전지 모듈.
  15. 삭제
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 도전형 영역과 제2 도전형 영역은 각각, 상기 단선부에도 형성되는 태양전지 모듈.
  17. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판의 후면 위로 형성되고, 제1 도전형 영역과 제2 도전형 영역을 포함하는 반도체층; 및,
    상기 반도체층 위로 제1 방향으로 교대로 위치하고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성된 제1 전극과 제2 전극;
    을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 전극은 각각, 이웃한 제1 전극끼리 또는 제2 전극끼리를 연결하는 브릿지 전극을 더 포함하며;
    상기 제1 전극과 제2 전극은 각각, 상기 브릿지 전극의 선폭보다 큰 폭을 가지며, 상기 브릿지 전극과 교차하게 상기 제2 방향으로 형성된 단선부를 포함하고;
    상기 브릿지 전극은 상기 반도체 기판의 제1 측면에 이웃한 적어도 2 이상의 제1 전극을 연결하는 제1 브릿지 전극과, 상기 제1 측면에 대향하는 제2 측면에 이웃한 적어도 2 이상의 제2 전극을 연결하는 제2 브릿지 전극을 포함하며;
    상기 제1 브릿지 전극의 길이는 상기 제1 전극 사이의 거리와 같고, 상기 제2 브릿지 전극의 길이는 상기 제2 전극 사이의 거리와 같은 태양전지.
  18. 삭제
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 브릿지 전극은 각각, 상기 제2 측면에 이웃한 위치에서 상기 제1 전극을 연결하거나, 상기 제1 측면에 이웃한 위치에서 상기 제2 전극을 연결하는 제3 브릿지 전극을 더 포함하는 태양전지.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 브릿지 전극은 상기 제2 측면에 바로 이웃한 위치에서 상기 제1 전극을 연결하거나, 상기 제1 측면에 바로 이웃한 위치에서 상기 제2 전극을 연결하는 제3 브릿지 전극을 더 포함하는 태양전지.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 브릿지 전극은 각각, 상기 제1 측면과 상기 제2 측면 사이에 위치해서 상기 제1 전극 또는 제2 전극을 연결하는 제4 브릿지 전극을 더 포함하는 태양전지.
  22. 삭제
  23. 제17항에 있어서,
    상기 제1 도전형 영역과 제2 도전형 영역은 각각, 상기 단선부에도 형성된 태양전지.
  24. 제17항에 있어서,
    상기 반도체층 위로 형성되고, 상기 제1 도전형 영역과 상기 제2 도전형 영역을 노출시켜 상기 제1 전극 및 제2 전극과 각각 연결시키는 접촉구가 형성된 패시베이션막을 더 포함하고,
    상기 브릿지 전극은 상기 패시베이션막 위로 형성된 태양전지.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3094570B1 (fr) * 2019-04-01 2021-09-10 Commissariat Energie Atomique Cellule et chaîne photovoltaïques et procédés associés
US20220216357A1 (en) * 2019-05-23 2022-07-07 Alpha Assembly Solutions Inc. Solder paste for module fabrication of solar cells
EP4006993A4 (en) 2019-07-31 2023-07-05 Kaneka Corporation METHOD OF MANUFACTURING A SOLAR CELL, SOLAR CELL, SOLAR CELL DEVICE AND SOLAR CELL MODULE
CN114242810B (zh) * 2022-02-24 2022-04-29 广东爱旭科技有限公司 背接触电池的电极结构、电池、组件以及电池系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014176380A1 (en) 2013-04-23 2014-10-30 Solexel, Inc. Solar cell metallization
US20150013742A1 (en) 2013-07-09 2015-01-15 Inventec Solar Energy Corporation Back contact solar cell
US20150059822A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Solarworld Industries Thueringen Gmbh Process for Manufacturing a Solar Cell and Solar Cell
KR101656622B1 (ko) * 2015-09-08 2016-09-22 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3905100B2 (ja) * 2004-08-13 2007-04-18 株式会社東芝 半導体装置とその製造方法
DE102007059486A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Rückkontaktsolarzelle mit länglichen, ineinander verschachtelten Emitter- und Basisbereichen an der Rückseite und Herstellungsverfahren hierfür
JP2010129675A (ja) 2008-11-26 2010-06-10 Sharp Corp レーザ接合方法、太陽電池の製造方法および太陽電池製造装置
JP2010272725A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池モジュールとその製造方法
KR102175893B1 (ko) 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
JP6325925B2 (ja) 2014-07-14 2018-05-16 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
CN107408583B (zh) * 2015-02-13 2019-09-03 株式会社钟化 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池组件
JP6444268B2 (ja) 2015-06-08 2018-12-26 三菱電機株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
JP6307131B2 (ja) 2015-09-08 2018-04-04 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池モジュール及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014176380A1 (en) 2013-04-23 2014-10-30 Solexel, Inc. Solar cell metallization
US20150068592A1 (en) * 2013-04-23 2015-03-12 Solexel, Inc. Solar cell metallization
US20150013742A1 (en) 2013-07-09 2015-01-15 Inventec Solar Energy Corporation Back contact solar cell
US20150059822A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Solarworld Industries Thueringen Gmbh Process for Manufacturing a Solar Cell and Solar Cell
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