KR101806972B1 - 태양 전지 모듈 - Google Patents

태양 전지 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101806972B1
KR101806972B1 KR1020160092445A KR20160092445A KR101806972B1 KR 101806972 B1 KR101806972 B1 KR 101806972B1 KR 1020160092445 A KR1020160092445 A KR 1020160092445A KR 20160092445 A KR20160092445 A KR 20160092445A KR 101806972 B1 KR101806972 B1 KR 101806972B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solar cell
conductive
cell
rear surface
lead line
Prior art date
Application number
KR1020160092445A
Other languages
English (en)
Inventor
김보중
김민표
현대선
강병준
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020160092445A priority Critical patent/KR101806972B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101806972B1 publication Critical patent/KR101806972B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 제1, 2 도전성 배선이 접속된 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 복수의 셀 스트링; 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되는 복수의 버싱바; 및 복수의 버싱바 각각에 각각의 일단이 접속되고, 타단이 정션 박스(junction box)에 접속되는 복수의 리드선을 포함하고, 복수의 리드선 각각은 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되어 배치되어 서로 연결된다.
또한, 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 제1, 2 도전성 배선이 접속된 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 복수의 셀 스트링; 각각이 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되는 복수의 버싱바; 및 복수의 버싱바 각각에 각각의 접속되는 복수의 리드선을 포함하고, 복수의 버싱바 각각은 복수의 셀 스트링 각각에 구비된 마지막 태양 전지와 중첩되어, 제2 방향으로 길게 배치될 수 있다.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}
본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고, 이에 따라 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생산하는 태양 전지가 주목 받고 있다.
일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)에 의해 p-n 접합을 형성하는 반도체부, 그리고 서로 다른 도전성 타입의 반도체부에 각각 연결된 전극을 구비한다.
이러한 태양 전지에 빛이 입사되면 반도체부에서 복수의 전자-정공 쌍이 생성되고, 생성된 전자-정공 쌍은 전하인 전자와 정공으로 각각 분리되어, 전자는 n형의 반도체부 쪽으로 이동하고 정공은 p형의 반도체부 쪽으로 이동한다. 이동한 전자와 정공은 각각 n형의 반도체부와 p형의 반도체부에 연결된 서로 다른 전극에 의해 수집되고 이 전극들을 전선으로 연결함으로써 전력을 얻는다.
이와 같은 태양 전지는 복수 개가 인터커넥터에 의해 서로 연결되어 셀 스트링을 형성할 수 있고, 셀 스트링의 끝단에는 셀 스트링을 서로 직렬 연결하는 버싱바가 접속되고, 버싱바는 복수의 리드선을 통해 태양 전지 모듈의 외부에 위치하는 졍선 박스와 접속된다.
한편, 이와 같은 태양 전지 모듈에서 종래의 태양 전지 모듈은 복수의 리드선이나 버싱바가 각 셀 스트링의 외부에 위치하여, 태양 전지 모듈의 면적을 증가시키고, 더불어, 태양 전지 모듈에서 리드선이 위치한 영역은 태양 전지가 위치하지 않아, 태양 전지 모듈의 수광 면적을 극대화시키지 못하는 문제점이 있었다.
본 발명은 수광 면적이 극대화된 태양 전지 모듈을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 각각의 후면에 극성이 서로 다른 복수의 제1, 2 도전성 배선이 제1 방향으로 접속된 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 직렬 연결되어 형성되고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 셀 스트링; 각각이 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되고, 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 버싱바; 및 복수의 버싱바 각각에 각각의 일단이 접속되고, 타단이 정션 박스(junction box)에 접속되는 복수의 리드선을 포함하고, 복수의 리드선 각각은 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되어 배치되어 서로 연결되는 제1, 2, 3 서브 리드선을 포함하고, 제1 서브 리드선은 마지막 태양 전지의 후면 상에 제1 방향으로 길게 배치되고, 제2 서브 리드선은 마지막 태양 전지의 후면 상에 제2 방향으로 길게 배치되고, 제3 서브 리드선은 마지막 태양 전지의 후면 상에 제1 방향으로 길게 배치되고, 복수의 셀 스트링에서 제1 방향과 나란한 중심선을 기준으로 어느 한쪽의 제1 영역에 위치하는 제2 서브 리드선의 길이는 다른 한쪽의 제2 영역에 위치하는 제2 서브 리드선의 길이와 다르다.
여기서, 마지막 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선 또는 복수의 제2 도전성 배선 중 어느 하나의 도전성 배선은 버싱바에 접속될 수 있다.
일례로, 어느 하나의 도전성 배선은 전면이 버싱바의 후면에 중첩되어 접속될 수 있다.
여기서, 제1 영역의 제2 서브 리드선과 제2 영역의 제2 서브 리드선과의 길이 차이는 제1, 2 도전성 배선들 사이의 제1 간격보다 크고, 제1 간격의 3배보다 작을 수 있다.
일례로, 제1 영역의 제2 서브 리드선과 제2 영역의 제2 서브 리드선과의 길이 차이는 3mm ~ 8mm 사이일 수 있다.
또한, 제1 서브 리드선은 마지막 태양 전지에서 제2 방향과 나란한 반도체 기판의 측면과 교차할 수 있다.
또한, 복수의 리드선과 복수의 셀 스트링 사이에는 절연 시트가 더 포함될 수 있다.
또한, 버싱바의 후면에 제1 서브 리드선의 일단이 서로 중첩되어 접속되고, 제1 서브 리드선의 일단은 버싱바의 후면에 접속된 도전성 배선들 사이에 위치할 수 있다.
또한, 제1 서브 리드선에서 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되는 부분은 어느 하나의 도전성 배선을 제외한 나머지 하나의 도전성 배선과 중첩될 수 있다.
아울러, 제1 서브 리드선의 타단은 제2 서브 리드선의 일단과 도전성 접착제를 통해 접속되고, 제2 서브 리드선의 타단은 제3 서브 리드선의 일단과 도전성 접착제를 통해 접속될 수 있다.
여기서, 복수의 리드선은 복수의 셀 스트링 중 최외곽에 위치하는 제1 최외곽 셀 스트링에 접속된 제1 버싱바와 정션 박스를 연결하는 제1 리드선, 복수의 스트링 중 제1 최외곽 셀 스트링의 반대쪽 최외곽에 위치하는 제2 최외곽 셀 스트링에 접속된 제4 버싱바와 정션 박스를 연결하는 제4 리드선, 제1, 2 최외곽 셀 스트링 사이에서 제1 최외곽 셀 스트링에 인접하여 위치한 두 개의 셀 스트링에 공통으로 접속된 제2 버싱바와 정션 박스를 연결하는 제2 리드선, 및 제1, 2 최외곽 셀 스트링 사이에서 제2 최외곽 셀 스트링에 인접하여 위치한 두 개의 셀 스트링에 공통으로 접속된 제3 버싱바와 정션 박스를 연결하는 제3 리드선을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 리드선의 제2 서브 리드선과 제4 리드선의 제2 서브 리드선 길이는 서로 다를 수 있다.
또한, 제2 리드선의 제2 서브 리드선과 제3 리드선의 제2 서브 리드선 길이는 서로 다를 수 있다.
또한, 제2, 3 리드선 각각의 제2 서브 리드선의 길이는 제1, 4 리드선 각각의 제2 서브 리드선의 길이보다 작을 수 있다.
또한, 복수의 태양 전지 각각은 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향과 교차하는 제2 방향으로 길게 형성된 복수의 제1, 2 전극을 포함하고, 제1 도전성 배선은 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제1 전극에 접속되고, 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 제2 전극과 절연되고, 제2 도전성 배선은 제2 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 제2 전극에 접속되고, 제1 전극과 교차되는 절연층에 의해 제1 전극과 절연될 수 있다.
또한, 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 인터커넥터의 후면에 공통으로 접속될 수 있다.
여기서, 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격될 수 있다.
또한, 어느 하나의 도전성 배선의 끝부분은 마지막 태양 전지의 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 버싱바에 접속될 수 있다.
여기서, 버싱바는 마지막 태양 전지에 구비된 반도체 기판과 이격될 수 있다.
그러나, 이와 다르게, 복수의 버싱바 각각은 복수의 셀 스트링 각각에 구비된 마지막 태양 전지와 중첩되어, 제2 방향으로 길게 배치될 수 있다.
여기서, 절연 시트는 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 중첩되어, 제2 방향으로 길게 배치되고, 복수의 버싱바는 절연 시트 위에 중첩하여 위치할 수 있다.
아울러, 절연 시트는 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 접속된 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선을 노출되도록 복수의 홀을 구비하고, 복수의 버싱바 각각은 절연 시트에 형성된 복수의 홀과 중첩하고, 복수의 홀을 통해 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선에 접속될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일례에 따른 태양 전지 모듈은 각각의 후면에 극성이 서로 다른 복수의 제1, 2 도전성 배선이 제1 방향으로 접속된 복수의 태양 전지; 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 직렬 연결되어 형성되고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 셀 스트링; 각각이 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되고, 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 버싱바; 및 복수의 버싱바 각각에 각각의 일단이 접속되고, 타단이 정션 박스(junction box)에 접속되는 복수의 리드선을 포함하고, 복수의 버싱바 각각은 복수의 셀 스트링 각각에 구비된 마지막 태양 전지와 중첩되어, 제2 방향으로 길게 배치될 수 있다.
여기서, 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에는 제2 방향으로 길게 배치되는 절연 시트를 더 포함하고, 절연 시트 위에는 복수의 버싱바와 복수의 리드선이 중첩되어 배치될 수 있다.
여기서, 절연 시트는 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 접속된 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선을 노출되도록 복수의 홀을 구비하고, 복수의 버싱바 각각은 절연 시트에 형성된 복수의 홀을 통해 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선에 접속될 수 있다.
아울러, 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판과 반도체 기판의 후면에 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1, 2 전극을 포함하고, 복수의 제1 도전성 배선은 복수의 제1 전극에 도전성 접착제를 통해 접속하고, 복수의 제2 전극과 절연층에 의해 절연되고, 복수의 제2 도전성 배선은 복수의 제2 전극에 도전성 접착제를 통해 접속하고, 복수의 제1 전극과 절연층에 의해 절연될 수 있다.
여기서, 절연 시트에 구비된 홀의 제2 방향으로의 길이는 제1, 2 도전성 배선의 선폭보다 크고, 절연층의 제2 방향으로의 길이보다 짧을 수 있다.
또한, 절연 시트에 구비된 홀의 제1 방향으로의 길이는 버싱바의 선폭보다 크고, 버싱바 선폭의 2배보다 작을 수 있다.
아울러, 복수의 리드선 각각은 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되어 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 리드선이나 버싱바가 태양 전지의 후면에 중첩되어 배치되도록 하여, 태양 전지 모듈의 수광 면적을 극대화시킬 수 있다.
도 1는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 2은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 인터커넥터에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 단면을 개략적으로 도시한 일례이다.
도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 후면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 4 내지 도 6는 도 1에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 7 내지 도 9은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 10은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 복수의 리드선(400)에 대해 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 11은 도 10에 도시된 제1, 2, 3, 4 리드선(400)에서 제 2 서브 리드선의 길이 차이를 비교하기 위한 도이다.
도 12는 제1 서브 리드선을 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
도 13은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 복수의 버싱바의 위치를 설명하기 위하여, 태양 전지 모듈의 후면을 도시한 일례이다.
도 14는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 절연 시트에 구비된 복수의 홀의 평면 패턴을 설명하기 위한 도이다.
도 15는 도 14에서 절연 시트의 홀에 대해 구체적으로 설명하기 위하여, K10 부분을 확대 도시한 일례이다.
도 16은 도 14에서, 복수의 홀을 구비한 절연 시트 위에 중첩되어 버싱바가 배치된 일례를 도시한 도이다.
도 17은 절연 시트를 사이에 두고 서로 전기적으로 연결되는 도전성 배선과 버싱바의 연결 구조를 설명하기 위하여, 도 16에 도시된 500y-500y에 따른 단면을 도시한 도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한 어떤 부분이 다른 부분 위에 “전체적”으로 형성되어 있다고 할 때에는 다른 부분의 전체 면에 형성되어 있는 것뿐만 아니라 가장 자리 일부에는 형성되지 않은 것을 뜻한다.
이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 반도체 기판의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 반도체 기판의 반대면일 수 있다.
또한, 어떤 구성 부분의 두께나 폭이 다른 구성 부분의 두께나 폭과 동일하다는 의미는 공정 오차를 포함하여, 10%의 범위 내에서 동일함을 의미한다.
도 1는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 전면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이고, 도 2은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 인터커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 단면을 개략적으로 도시한 일례이고, 도 3은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈의 후면 전체 평면 모습을 설명하기 위한 도이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지 및 복수의 셀 스트링(ST1~ST6), 복수의 버싱바(350) 및 복수의 리드선(400)을 포함한다.
더불어, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220), 복수의 태양 전지를 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결하는 인터커넥터(300), 복수의 태양 전지가 서로 직렬 연결된 셀 스트링을 캡슐화하는 전면 투명 기판(10), 충진재(20, 30), 후면 시트(40) 및 프레임(50)을 더 구비할 수 있다.
여기서, 복수의 태양 전지는 반도체 기판(110)과 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 구비할 수 있고, 이와 같은 복수의 태양 전지 각각의 후면에는 서로 다른 극성을 갖는 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 제1 방향(x)으로 길게 접속될 수 있다.
여기서, 태양 전지에 대해서는 도 7 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.
복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 각각의 후면에 접속될 수 있다.
이와 같이, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속된 복수의 태양 전지는 제1 방향(x)으로 직렬 연결되어 스트링을 형성할 수 있다.
보다 구체적으로 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지 중 제1 방향(x)으로 서로 인접하여 배치되는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2)는 인터커넥터(300)를 통해 서로 직렬 연결될 수 있다.
이때, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(C1)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)의 전면과 제2 태양 전지(C2)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)의 전면이 인터커넥터(300)의 후면에 접속될 수 있고, 이에 따라, 복수의 태양 전지가 직렬 연결되는 셀 스트링이 형성될 수 있다.
이와 같은 셀 스트링 각각은 제1 방향(x)으로 길게 위치하고, 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있다.
아울러, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 버싱바(350) 각각은 제2 방향(y)으로 길게 각 셀 스트링의 상단 및 하단에 배치되어, 복수의 셀 스트링(ST1~ST6) 각각의 마지막 태양 전지(EC)에 접속되고, 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
이와 같은 복수의 버싱바(350)는 제2 방향(y)으로 인접한 두 개의 셀 스트링을 서로 연결하는 역할을 할 수 있다. 단, 복수의 셀 스트링(ST1~ST6) 중 최외곽 셀 스트링의 상단에 위치한 버싱바는 두 개의 셀 스트링을 연결하는 기능을 하지 않고, 셀 스트링과 리드선을 연결하는 기능을 할 수 있다.
일례로, 셀 스트링의 상단에 위치한 제1, 2, 3, 4 버싱바(350A, 350B, 350C, 350D) 중에서, 제2 버싱바(350B)는 제2 방향(y)으로 인접한 제2 셀 스트링(ST2)과 제3 셀 스트링(ST3)을 연결하고, 제3 버싱바(350C)는 제2 방향(y)으로 인접한 제4 셀 스트링(ST4)과 제5 셀 스트링(ST5)을 연결하는 역할을 할 수 있다.
그러나, 복수의 셀 스트링(ST1~ST6) 중 최외곽 셀 스트링인 제1 셀 스트링(ST1)과 제6 셀 스트링(ST6)의 상단에 위치하는 제1, 4 버싱바(350A, 350D)는 두 개의 셀 스트링을 연결하는 기능을 하지 않고, 셀 스트링과 리드선을 연결하는 기능을 할 수 있다.
아울러, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 리드선(400)은 각각의 일단이 복수의 버싱바(350) 각각에 접속되고, 타단이 정션 박스(600, junction box)에 접속될 수 있다.
여기선 정션 박스(600)는 태양 전지 모듈로부터 발생된 전력을 수집하여 외부로 공급하는 기능을 한다.
이와 같은 태양 전지 모듈은 전술한 복수의 셀 스트링(ST1~ST6), 복수의 버싱바(350) 및 복수의 리드선(400)이 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치된 상태에서 열압착되어 라미네이팅될 수 있다.
일례로, 복수의 셀 스트링(ST1~ST6), 복수의 버싱바(350) 및 복수의 리드선(400)은 전면 투명 기판(10)과 후면 시트(40) 사이에 배치되고, EVA 시트와 같이 투명한 충진재(20, 30)가 복수의 태양 전지 전체의 전면 및 후면에 배치된 상태에서, 열과 압력이 동시에 가해지는 라미네이션 공정에 의해 일체화되어 캡슐화될 수 있다.
이때, 복수의 리드선(400) 각각의 타단은 후면 시트(40)를 뚫고 외부로 노출될 수 있고, 라미네이션 공정 이후, 외부의 정션 박스(600)에 연결될 수 있다.
아울러, 도 1에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정으로 캡슐화된 전면 투명 기판(10), 후면 시트(40) 및 충진재(20, 30)는 프레임(50)에 의해 가장 자리가 고정되어 보호될 수 있다.
여기서, 전면 투명 기판(10)은 투과율이 높고 파손 방지 기능이 우수한 강화 유리 등으로 형성될 수 있다.
후면 시트(40)는 태양 전지들(C1, C2)의 후면에서 습기가 침투하는 것을 방지하여 태양 전지를 외부 환경으로부터 보호할 수 있다. 이러한 후면 시트(40)는 수분과 산소 침투를 방지하는 층, 화학적 부식을 방지하는 층과 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
이와 같은 후면 시트(40)는 FP (fluoropolymer) / PE (polyeaster) / FP (fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어진 얇은 시트로 이루어지지만, 다른 절연 물질로 이루어진 절연 시트(500)일 수 있다.
이와 같은 라미네이션 공정은 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 면 형상의 충진재(20, 30)가 배치된 상태에서 진행될 수 있다.
여기서, 충진재(20, 30)의 재질은 절연층(252)의 재질과 다른 재질로 형성될 수 있으며, 습기 침투로 인한 부식을 방지하고 태양 전지 (C1, C2)를 충격으로부터 보호하고, 이를 위해 충격을 흡수할 수 있는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate)와 같은 물질로 형성될 수 있다.
따라서, 전면 투명 기판(10)과 태양 전지 사이 및 태양 전지와 후면 기판 사이에 배치된 시트 형상의 충진재(20, 30)는 라미네이션 공정 중에 열과 압력에 의해 연화 및 경화될 수 있다.
한편, 이와 같은 태양 전지 모듈에서, 본 발명에 따른 복수의 리드선(400)은 각각이 마지막 태양 전지(EC)의 후면과 중첩되어 배치되어, 일단이 복수의 버싱바(350) 각각에 접속되고, 타단이 정션 박스(600)에 접속될 수 있다.
이와 같은 복수의 리드선(400)은 일례로, 도 3에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 중첩되어 배치되는 제1, 2, 3, 4 리드선(400)을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 리드선(410)은 복수의 셀 스트링(ST1~ST6) 중 최외곽에 위치하는 제1 최외곽 셀 스트링인 제1 셀 스트링(ST1)에 접속된 제1 버싱바(350A)와 정션 박스(600)를 연결할 수 있다.
제4 리드선(440)은 복수의 스트링 중 제1 셀 스트링(ST1)의 반대쪽 최외곽에 위치하는 제2 최외곽 셀 스트링인 제6 셀 스트링(ST6)에 접속된 제4 버싱바(350D)와 정션 박스(600)를 연결할 수 있다.
제2 리드선(420)은 제1, 6 셀 스트링(ST1, ST6) 사이에서 제1 셀 스트링(ST1)에 인접하여 위치한 두 개의 셀 스트링인 제2, 3 셀 스트링(ST2, ST3)에 공통으로 접속된 제2 버싱바(350B)와 정션 박스(600)를 연결할 수 있다.
아울러, 제3 리드선(430)은 제1, 6 셀 스트링(ST1, ST6) 사이에서 제6 셀 스트링(ST6)에 인접하여 위치한 두 개의 셀 스트링인 제4, 5 셀 스트링(ST4, ST5)에 공통으로 접속된 제3 버싱바(350C)와 정션 박스(600)를 연결할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 리드선(400)을 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 중첩되어 배치함으로써, 태양 전지 모듈의 수광 면적을 극대화시킬 수 있다.
아울러, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 리드선(400)이 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 중첩되므로, 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 접속되는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 복수의 리드선(400) 각각의 단락을 방지하기 위해, 복수의 리드선(400)과 복수의 셀 스트링(ST1~ST6) 사이에는 절연 시트(500)가 구비될 수 있다.
보다 구체적으로, 절연 시트(500)는 도 3에 도시된 바와 같이, 셀 스트링(ST1~ST6) 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 중첩하여 형성될 수 있으며, 복수의 리드선(400)이 절연 시트(500) 위에 형성되어, 셀 스트링(ST1~ST6) 각각의 후면에 형성된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 복수의 리드선(400) 각각이 서로 절연될 수 있다.
이와 같은 절연 시트(500)는 후면 시트(40)와 동일하거나 동일한 계열의 표면 색상을 가지고 있어, 태양 전지 모듈의 전면 외관을 더욱 깔끔하게 할 수 있으며, 각 셀 스트링 사이로 리드선(400)이 보여지지 않도록, 복수의 리드선(400)을 시각적으로 차단할 수 있다.이와 같은 복수의 리드선(400)에 대해서는 도 10 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.
이하에서는 도 1 내지 도 3에 도시된 태양 전지 모듈에서, 복수의 태양 전지가 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 및 인터커넥터(300)에 의해 직렬 연결되는 구조를 보다 구체적으로 설명한다.
도 4 내지 도 6는 도 1에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 직렬 연결 구조를 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
여기서, 도 4은 도 1에서 제1 방향(x)으로 서로 인접하여, 인터커넥터(300)에 의해 연결된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 전면을 도시한 일례이고, 도 5는 도 4에 도시된 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 후면을 도시한 일례이고, 도 6는 도 4 및 도 5 에서 X1-X1 라인에 따른 단면을 도시한 것이다.
도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)에 구비된 반도체 기판(110)의 후면에 접속될 수 있다.
여기서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각은 적어도 반도체 기판(110) 및 반도체 기판(110)의 후면에 서로 이격되어 제1 방향(x)과 교차하는 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성되는 복수의 제1 전극(141)과 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.
아울러, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)의 배열 방향인 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 배치되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 접속될 수 있다.
이와 같은, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 복수의 제1 전극(141)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제1 도전성 배선(210)과 복수의 제2 전극(142)에 교차 및 중첩되어 접속되는 복수의 제2 도전성 배선(220)을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 도전성 배선(210)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제1 전극(141)에 도전성 재질의 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연성 재질의 절연층(252)에 의해 제2 전극(142)과 절연될 수 있다.
아울러, 제2 도전성 배선(220)은 복수의 태양 전지(C1, C2) 각각에 구비된 제2 전극(142)에 제1 도전성 접착제(251)를 통하여 접속되고, 절연층(252)에 의해 제1 전극(141)과 절연될 수 있다.
이와 같은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 도전성 금속 재질로 형성되되, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나를 포함하는 도전성 코어와, 코어(CR)의 표면을 코팅하고, 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 도전성 코팅층을 포함할 수 있다.
바람직한 일례로, 코어는 구리(Cu)로 형성될 수 있으며, 코팅층은 주석(Sn)을 포함하는 합금인 SnBiAg로 형성될 수 있다.
이와 같은 제1 도전성 배선(210)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 일단은 반도체 기판(110)의 일측면 밖으로 돌출될 수 있고, 제2 도전성 배선(220)의 양단 중 인터커넥터(300)와 접속하는 일단은 반도체 기판(110)의 타측면 밖으로 돌출될 수 있다.
따라서, 제1 도전성 배선(210)의 일단 및 제2 도전성 배선(220)의 일단은 각각 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출될 수 있고, 제1 도전성 배선(210)의 타단 및 제2 도전성 배선(220)의 타단은 반도체 기판의 투영 영역 내에 위치할 수 있다.
여기서, 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 단면이 원형을 갖는 도전성 와이어 형태이거나 폭이 두께보다 큰 리본 형태를 가질 수 있다.
여기서, 도 5및 도 6에 도시된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 선폭은 도전성 배선의 선저항을 충분히 낮게 유지하면서, 제조 비용이 최소가 되도록 고려하여, 0.5mm ~ 2.5mm 사이로 형성될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220) 사이의 간격은 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 총 개수를 고려하여, 태양 전지 모듈의 단락 전류가 훼손되지 않도록 4mm ~ 6.5mm 사이로 형성될 수 있다.
이와 같이 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각이 하나의 태양 전지에 접속되는 개수는 10개 ~ 20개일 수 있다. 따라서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 하나의 태양 전지에 접속되는 총 개수의 합은 20개 ~ 40개일 수 있다.
여기서, 제1 도전성 접착제(251)는 도전성 금속 재질로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로, 제1 도전성 접착제(251)는 혼합 합금층으로 형성되거나, 솔더 페이스트층 또는 에폭시 솔더 페이스트층 중 어느 하나의 층과 혼합 합금층이 함께 포함되어 형성될 수 있다.
여기서, 솔더 페이스트층은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성되고, 에폭시 솔더 페이스트층은 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
이와 같은 제1 도전성 접착제(251)의 상세한 구조에 대해서는 도 10 이하에서 보다 구체적으로 설명한다.
여기서, 절연층(252)은 절연성 재질이면 어떠한 것이든 상관 없으며, 일례로, 에폭시 계열, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 아크릴 계열 또는 실리콘 계열 중 어느 하나의 절연성 재질이 사용될 수 있다.
이와 같은 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220)은 각각의 일단이 인터커넥터(300)에 연결되어, 복수의 태양 전지를 서로 직렬 연결할 수 있다.
보다 구체적으로, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)와 제2 태양 전지(C2) 사이에 위치하고, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 있을 수 있다.
여기서, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 태양 전지를 평면에서 봤을 때, 인터커넥터(300)는 제1 태양 전지(C1)의 반도체 기판(110) 및 제2 태양 전지(C2)의 반도체 기판(110)과 이격되어 배치될 수 있다.
아울러, 이와 같은 인터커넥터(300)에 제1 태양 전지(C1)의 제1 전극(141)에 접속된 제1 도전성 배선(210)의 일단과 제2 태양 전지(C2)의 제2 전극(142)에 접속된 제2 도전성 배선(220)의 일단이 공통으로 접속되어, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1 방향(x)으로 서로 직렬 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 제1 방향(x)으로 배열된 상태에서, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)에 의해 제1 방향(x)으로 길게 뻗어 직렬 연결되는 하나의 스트링을 형성할 수 있다.
여기서, 일례로, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 각각의 일단은 인터커넥터(300)와 중첩되어, 제2 도전성 접착제(350)를 통해 인터커넥터(300)에 접착될 수 있다.
여기서, 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 인터커넥터(300)를 서로 접착시키는 제2 도전성 접착제(350)는 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 금속 재질로 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 제2 도전성 접착제(350)는 (1) 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금을 포함하는 솔더 페이스트(solder paste) 형태로 형성되거나, (2) 에폭시에 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금이 포함된 에폭시 솔더 페이스트(epoxy solder paste) 또는 도전성 페이스트(Conductive psate) 형태로 형성될 수 있다.
이와 같은 구조를 갖는 태양 전지 모듈은 별도의 인터커넥터(300)를 구비하므로, 복수 개의 태양 전지 중 제1, 2 도전성 배선(210, 220)과 제1, 2 전극(200) 사이에 접속 불량이 발생한 태양 전지가 있는 경우, 인터커넥터(300)과 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 사이의 접속을 해제하여, 해당 태양 전지만 보다 용이하게 교체할 수 있다.
지금까지는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈에서, 서로 인접한 임의의 제1, 2 태양 전지(C1, C2) 각각의 후면에 제1, 2 도전성 배선(210, 220)이 접속되고, 제1, 2 태양 전지(C1, C2)가 인터커넥터(300)로 직렬 연결되는 구조를 설명하였다.
이하에서는 이와 같은 제1, 2 태양 전지(C1, C2)로 적용 가능한 태양 전지의 구체적인 구조에 대해서 설명한다.
도 7 내지 도 9은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도로서, 도 7은 본 발명에 적용되는 태양 전지의 일례를 나타내는 일부 사시도이고, 도 8은 도 7에 도시된 태양 전지의 제1 방향(x) 단면을 도시한 것이고, 도 9은 반도체 기판의 후면에 형성된 제1, 2 전극(200)의 패턴을 도시한 것이다.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반사 방지막(130), 반도체 기판(110), 터널층(180), 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172), 진성 반도체부(150), 패시베이션층(190), 복수의 제1 전극(141) 및 복수의 제2 전극(142)을 구비할 수 있다.
여기서, 반사 방지막(130), 터널층(180) 및 패시베이층(190)은 생략될 수도 있으나, 구비된 경우 태양 전지의 효율이 더 향상되므로, 이하에서는 구비된 경우를 일례로 설명한다.
반도체 기판(110)은 제 1 도전성 타입 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 반도체 기판(110)은 단결정 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다.
여기서, 반도체 기판(110)에 함유된 제 1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물은 n형 또는 p형 도전성 타입 중 어느 하나일 수 있다.
반도체 기판(110)이 p형의 도전성 타입을 가질 경우, 붕소(B), 갈륨, 인듐 등과 같은 3가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑(doping)된다. 하지만, 반도체 기판(110)이 n형의 도전성 타입을 가질 경우, 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소의 불순물이 반도체 기판(110)에 도핑될 수 있다.
이하에서는 이와 같은 반도체 기판(110)의 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물이고, n형인 경우를 일례로 설명한다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 반도체 기판(110)의 전면에 복수의 요철면을 가질 수 있다. 이로 인해 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치한 제1 반도체부(121) 역시 요철면을 가질 수 있다.
이로 인해, 반도체 기판(110)의 전면에서 반사되는 빛의 양이 감소하여 반도체 기판(110) 내부로 입사되는 빛의 양이 증가할 수 있다.
반사 방지막(130)은 외부로부터 반도체 기판(110)의 전면으로 입사되는 빛의 반사를 최소화하기 위하여, 반도체 기판(110)의 전면 위에 위치하며, 알루미늄 산화막(AlOx), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 및 실리콘 산화질화막(SiOxNy) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
터널층(180)은 반도체 기판(110)의 후면 전체에 직접 접촉하여 배치되며, 유전체 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 터널층(180)은 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)에서 생성되는 캐리어를 통과시킬 수 있다.
이와 같은 터널층(180)은 반도체 기판(110)에서 생성된 캐리어를 통과시키며, 반도체 기판(110)의 후면에 대한 패시베이션 기능을 수행할 수 있다.
아울러, 터널층(180)은 600℃ 이상의 고온 공정에도 내구성이 강한 SiCx 또는 SiOx로 형성되는 유전체 재질로 형성될 수 있다.
제1 반도체부(121)는 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에 배치되되, 일례로, 터널층(180)의 후면의 일부에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.
아울러, 이와 같은 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)의 후면에 제2 방향(y)으로 길게 배치되며, 제2 도전성 타입과 반대인 제1 도전성 타입을 갖는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
여기서, 제1 반도체부(121)는 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑될 수 있으며, 반도체 기판(110)에 함유된 불순물이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우, 제1 반도체부(121)는 터널층(180)을 사이에 두고 반도체 기판(110)과 p-n 접합을 형성할 수 있다.
각 제1 반도체부(121)는 반도체 기판(110)과 p-n접합을 형성하므로, 제1 반도체부(121)는 p형의 도전성 타입을 가질 수 있으며, 복수의 제1 반도체부(121)가 p형의 도전성 타입을 가질 경우 제1 반도체부(121)에는 3가 원소의 불순물이 도핑될 수 있다.
제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면에 제1 반도체부(121)와 나란한 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되며, 일례로 터널층(180)의 후면 중에서 전술한 제1 반도체부(121) 각각과 이격된 일부 영역에 직접 접촉하여 형성될 수 있다.
이와 같은 제2 반도체부(172)는 제2 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 도핑되는 다결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 n형 타입의 불순물로 도핑되는 경우, 복수의 제2 반도체부(172)는 n+의 불순물 영역일 수 있다.
이러한 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 제2 반도체부(172)와의 불순물 농도 차이로 인한 전위 장벽에 의해 전자의 이동 방향인 제2 반도체부(172) 쪽으로의 정공 이동을 방해하는 반면, 제2 반도체부(172) 쪽으로의 캐리어(예, 전자) 이동을 용이하게 할 수 있다.
따라서, 제2 반도체부(172) 및 그 부근 또는 제1, 2 전극(200)에서 전자와 정공의 재결합으로 손실되는 전하의 양을 감소시키고 전자 이동을 가속화시켜 제2 반도체부(172)로의 전자 이동량을 증가시킬 수 있다.
지금까지의 도 7 내지 도 8에서는 반도체 기판(110)이 제2 도전성 타입의 불순물인 경우를 일례로 설명하면서, 제1 반도체부(121)가 에미터부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 후면 전계부로서 역할을 하는 경우를 일례로 설명하였다.
그러나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)이 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 경우, 제1 반도체부(121)가 후면 전계부로서 역할을 하고, 제2 반도체부(172)가 에미터부로서 역할을 할 수도 있다.
아울러, 여기의 도 7 및 도 8에서는 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)가 터널층(180)의 후면에 다결정 실리콘 재질로 형성된 경우를 일례로 설명하였다.
그러나, 이와 다르게, 터널층(180)이 생략된 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내에 불순물이 확산되어 도핑될 수 있고, 이와 같은 경우, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 단결정 실리콘 재질로 형성될 수 있다.
진성 반도체부(150)은 도 7 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 반도체부(121)와 제2 반도체부(172) 사이에 노출된 터널층(180)의 후면에 형성될 수 있고, 이와 같은 진성 반도체부(150)은 제1 반도체부(121) 및 제2 반도체부(172)와 다르게 제1 도전성 타입의 불순물 또는 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되지 않은 진성 다결정 실리콘층으로 형성될 수 있다.
아울러, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 진성 반도체부(150)의 양측면 각각은 제1 반도체부(121)의 측면 및 제2 반도체부(172)의 측면에 직접 접촉되는 구조를 가질 수 있다.
패시베이션층(190)은 제1 반도체부(121), 제2 반도체부(172) 및 진성 반도체부(150)에 형성되는 다결정 실리콘 재질의 층의 후면에 형성된 뎅글링 본드(dangling bond)에 의한 결함을 제거하여, 반도체 기판(110)으로부터 생성된 캐리어가 뎅글링 본드(dangling bond)에 의해 재결합되어 소멸되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제1 반도체부(121)에 접속하는 복수의 제1 전극(141)은 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제1 전극(141)은 제1 반도체부(121) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어 정공을 수집할 수 있다.
제2 반도체부(172)에 접속하는 복수의 제2 전극(142)은 제1 전극(141)과 나란하게 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 형성될 수 있다. 이와 같은, 제2 전극(142)은 제2 반도체부(172) 쪽으로 이동한 캐리어, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.
이와 같은 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 제1 방향(x)으로 이격될 수 있다. 아울러, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 제1 방향(x)으로 교번하여 배치될 수 있다.
이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 전극(141)을 통하여 수집된 정공과 제2 전극(142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈에 적용된 태양 전지는 반드시 도 7 내지 도 9에만 한정하지 않으며, 태양 전지에 구비되는 제1, 2 전극(200)이 반도체 기판(110)의 후면에만 형성되는 점을 제외하고 다른 구성 요소는 얼마든지 변경이 가능하다.
예를 들어 본 발명의 태양 전지 모듈에는 제1 전극(141)의 일부 및 제1 반도체부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 제1 전극(141)의 일부가 반도체 기판(110)에 형성된 홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(141)의 나머지 일부와 연결되는 MWT 타입의 태양 전지도 적용이 가능하다.
이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈의 후면에 배치되는 복수의 리드선(400)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
도 10은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 복수의 리드선(400)에 대해 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이고, 도 11은 도 10에 도시된 제1, 2, 3, 4 리드선(400)에서 제 2 서브 리드선의 길이 차이를 비교하기 위한 도이고, 도 12는 제1 서브 리드선을 보다 구체적으로 설명하기 위한 도이다.
한편, 도 11에서는 이해의 편의를 위해 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)에 대한 도시는 생략하였다.
아울러, 도 12의 (a)는 도 11에 도시된 태양 전지 모듈의 상단에서 제1 방향(x)으로 제1 셀 스트링(ST1)을 바라봤을 때, 제1 버싱바(350A)와 제1 리드선(410)에 포함된 제1 서브 리드선(411)의 접속 구조를 도시한 형상이고, 도 12의 (b)는 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 서브 리드선(411)을 평면에서 바라본 형상이고, 도 12의 (c)는 도 12의 (b)에서 X2-X2 라인에 따른 단면을 도시한 형상이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210) 또는 복수의 제2 도전성 배선(220) 중 어느 하나의 도전성 배선은 버싱바에 접속될 수 있다.
이때, 버싱바에 접속되는 어느 하나의 도전성 배선은 끝부분이 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 버싱바에 접속될 수 있다.
아울러, 버싱바는 마지막 태양 전지(EC)에 구비된 반도체 기판(110)과 이격되어 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
일례로, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1, 2, 3, 4 버싱바(350A, 350B, 350C, 350D)는 태양 전지 모듈의 상단에 위치한 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 구비된 각 반도체 기판(110)과 이격되어 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
여기서, 제1 버싱바(350A)는 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제1 리드선(410)을 서로 연결하고, 제4 버싱바(350D)는 제6 셀 스트링(ST6)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)과 제4 리드선(440)을 서로 연결하는 기능을 할 수 있다.
아울러, 제2 버싱바(350B)는 제2 셀 스트링(ST2)과 제3 셀 스트링(ST3)을 제2 방향(y)으로 직렬 연결하고, 제3 버싱바(350C)는 제4 셀 스트링(ST4)과 제5 셀 스트링(ST5)을 연결하는 제2 방향(y)으로 직렬 역할을 할 수 있다.
따라서, 제2 버싱바(350B)에는 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)과 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)이 공통으로 접속할 수 있고, 제 3 버싱바에는 제4 셀 스트링(ST4)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제2 도전성 배선(220)과 제4 셀 스트링(ST4)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)이 공통으로 접속할 수 있다.
일례로, 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)은 마지막 태양 전지(EC)의 반도체 기판(110) 투영 영역 밖으로 돌출되어 제1 버싱바(350A)에 접속될 수 있다.
도 12의 (a) 내지 도 12의 (c)에서는 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)이 제1 버싱바(350A)에 접속되는 경우를 일례로 설명하였지만, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 어느 하나의 도전성 배선은 반도체 기판(110)의 투영 영역 밖으로 돌출되어 각각의 버싱바에 접속될 수 있다.
따라서, 버싱바에 접속되는 어느 하나의 도전성 배선은 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210) 또는 제2 도전성 배선(220) 중 어느 하나일 수 있다.
이때, 어느 하나의 도전성 배선은 전면이 버싱바의 후면에 중첩되어 접속될 수 있다.
일례로, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1 도전성 배선(210)은 제1 버싱바(350A)의 후면에 접속될 수 있다.
복수의 리드선(400)은 도 1 내지 도 3에서 전술한 바와 같이, 각 셀 스트링의 버싱바에 접속되고, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 중첩되는 제1 리드선(410), 제2 리드선(420), 제3 리드선(430), 제4 리드선(440)을 포함할 수 있다.
이와 같은 복수의 리드선(400) 각각은 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441), 제2 서브 리드선(412, 422, 432, 442), 제3 서브 리드선(413, 423, 433, 443)을 포함할 수 있다.
여기서, 각 리드선의 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)은 마지막 태양 전지(EC)의 후면 상에 제1 방향(x)으로 길게 배치되고 일단이 버싱바(350A, 350B, 350C, 350D)에 접속될 수 있다.
이때, 각 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)의 일단은 전면이 각 버싱바(350A, 350B, 350C, 350D)의 후면에 서로 중첩되어 접속될 수 있다. 아울러, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)의 일단은 각 버싱바(350A, 350B, 350C, 350D)의 후면에 접속된 어느 하나의 도전성 배선들 사이에 위치할 수 있다.
일례로, 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411)은 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)의 후면과 중첩되어 제1 방향(x)으로 길게 배치되어, 제1 버싱바(350A)의 후면에 접속될 수 있다.
이때, 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411)은 제1 버싱바(350A)의 후면에 접속된 제1 도전성 배선(210)들 사이에 위치할 수 있다.
아울러, 각 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)은 마지막 태양 전지(EC)에서 제2 방향(y)과 나란한 반도체 기판(110)의 측면과 교차할 수 있다.
일례로, 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411)은 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)에서 제2 방향(y)과 나란한 반도체 기판(110)의 측면과 교차할 수 있다.
이와 같이, 각 리드선의 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)이 반도체 기판(110)의 제2 방향(y) 측면과 교차하도록 하는 것은 제조 공정 중 반도체 기판(110)의 크랙 발생을 최소화하기 위함이다.
아울러, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)에서 마지막 태양 전지(EC)의 후면과 중첩되는 부분은 어느 하나의 도전성 배선을 제외한 나머지 하나의 도전성 배선과 중첩될 수 있다.
일례로, 도 12의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411)에서 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)의 후면과 중첩되는 부분은 어느 하나의 제2 도전성 배선(220)과 중첩될 수 있다.
또한, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)에서 마지막 태양 전지(EC)의 후면과 중첩된 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)의 타단은 제2 서브 리드선(412, 422, 432, 442)의 일단과 도전성 접착제(451)를 통해 접속될 수 있다.
일례로, 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411) 타단은 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)의 후면 상에서 제1 리드선(410)에 포함된 제2 서브 리드선(412)의 일단과 도전성 접착제(451)를 통해 접속될 수 있다.
이때, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)에서 제1 셀 스트링(ST1)의 마지막 태양 전지(EC)의 후면과 중첩되는 부분과 제2 도전성 배선(220) 사이에는 절연 시트(500)가 위치하여, 리드선과 도전성 배선 사이의 단락을 방지할 수 있다.
도 12의 (a) 내지 도 12의 (c)에서는 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411)을 일례로 설명하였지만, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)에 관련된 특징은 다른 리드선(420, 430, 440)의 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)에도 동일하게 적용될 수 있다.
이와 같이, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)의 일단에 접속되는 각 리드선의 제2 서브 리드선(412, 422, 432, 442)은 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC) 후면 상에 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
이와 같은 각 리드선의 제2 서브 리드선(412, 422, 432, 442)의 타단은 제3 서브 리드선(413, 423, 433, 443)의 일단과 도전성 접착제를 통해 접속될 수 있다.
아울러, 각 리드선의 제3 서브 리드선(413, 423, 433, 443)은 마지막 태양 전지(EC)의 후면 상에 제1 방향(x)으로 길게 배치되고, 일단이 제2 서브 리드선(412, 422, 432, 442)의 타단에 접속되며, 타단이 후면 시트(40)를 통과하여 정션 박스(600)에 접속될 수 있다.
또한, 복수의 셀 스트링(ST1~ST6)에서 제1 방향(x)과 나란한 중심선(CL)을 기준으로 어느 한쪽의 제1 영역(S1)에 위치하는 제2 서브 리드선(412, 422)의 길이(L1, L3)는 다른 한쪽의 제2 영역(S2)에 위치하는 제2 서브 리드선(432, 442)의 길이(L2, L4)와 다를 수 있다.
보다 구체적 일례로, 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 복수의 셀 스트링(ST1~ST6)에서 제1 방향(x)과 나란한 중심선(CL)을 기준으로 어느 한쪽의 제1 영역(S1)으로 정의하고, 다른 한쪽을 제2 영역(S2)으로 정의할 수 있다.
여기서, 제1 영역(S1)에 위치하는 제2 서브 리드선(412, 422)의 길이(L1, L3)는 제2 영역(S2)에 위치하는 제2 서브 리드선(412, 422, 432, 442)의 길이(L2, L4)와 다를 수 있다.
여기서, 제1 영역(S1)의 제2 서브 리드선(412, 422)과 제2 영역(S2)의 제2 서브 리드선(432, 442)과의 길이가 다른 것은 각 버싱바에 접속되는 도전성 배선들의 접속 위치가 다르기 때문이다.
즉, 각 셀 스트링에 포함된 복수의 태양 전지 각각의 후면에는 전술한 바와 같이, 제1 도전성 배선(210)과 제2 도전성 배선(220)이 접속될 수 있고, 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속되는 제1 도전성 배선(210)의 위치는 복수의 셀 스트링(ST1~ST6)의 중심선(CL)을 기준으로 각 셀 스트링의 마지막 태양 전지(EC)에 접속되는 제2 도전성 배선(220)의 위치와 다를 수 있다.
따라서, 일례로, 제1 버싱바(350A)에 접속된 제1 도전성 배선(210)들 사이에 접속하는 제1 리드선(410)의 제1 서브 리드선(411) 위치는 제4 버싱바(350D)에 접속된 제2 도전성 배선(220)들 사이에 접속하는 제4 리드선(440)의 제1 서브 리드선(441)의 위치와 다를 수 있다.
따라서, 도 11에서 제2 방향(y)으로 길게 위치하는 제1 리드선(410)에 포함된 제2 서브 리드선(412)의 길이(L1)는 제4 리드선(440)에 포함된 제2 서브 리드선(442)의 길이(L2)와 다를 수 있다.
그러나, 만약 제1 리드선(410)에 포함된 제2 서브 리드선(412)의 길이(L1)와 제4 리드선(440)에 포함된 제2 서브 리드선(442)의 길이(L2)를 동일하게 하는 경우, 제1 리드선(410)에 포함된 제1 서브 리드선(411) 또는 제4 리드선(440)에 포함된 제1 서브 리드선(441) 중 어느 하나는 각 버싱바에 접속된 제1 도전성 배선(210)이나 제2 도전성 배선(220)과 중첩되어 접속되어야 하는데, 이와 같은 경우, 제1 서브 리드선(411, 421, 431, 441)과 중첩되어 접속되는 해당 도전성 배선으로 과부하가 걸려, 해당 도전성 배선의 저항이 높아질 수 있고, 이로 인하여 태양 전지 모듈의 효율이 저하될 수 있다.
그러나, 본 발명과 같이, 제1 영역(S1)에 위치하는 제2 서브 리드선(412, 422)과 제2 영역(S2)에 위치하는 제2 서브 리드선(432, 442)의 길이를 각각 다르게 하여, 제1 영역(S1)에 위치하는 제1 서브 리드선(411, 421)과 제2 영역(S2)에 위치하는 제1 서브 리드선(431, 441) 각각이 각 버싱바 상에서 도전성 배선들 사이에 위치하도록 할 수 있어, 태양 전지 모듈의 효율 저하를 방지할 수 있다.
따라서, 제1 리드선(410)에 포함된 제2 서브 리드선(412)의 길이(L1)와 제4 리드선(440)에 포함된 제2 서브 리드선(442)의 길이(L2)는 서로 다르고, 제2 리드선(420)에 포함된 제2 서브 리드선(422)의 길이(L3)와 제3 리드선(430)에 포함된 제2 서브 리드선(432)의 길이(L4)는 서로 다를 수 있다.
여기서, 제1 영역(S1)의 제2 서브 리드선(412, 422)과 제2 영역(S2)의 제2 서브 리드선(432, 442)과의 길이 차이는 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)들 사이의 제1 간격(D)보다 크고, 제1 간격(D)의 3배보다 작을 수 있다.
이는, 제1 영역(S1)의 제2 서브 리드선(412, 422)과 제2 영역(S2)의 제2 서브 리드선(432, 442)과의 길이 차이는 각 태양 전지의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 접속 위치 차이와 효율 저하를 방지하기 위하여, 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)들 사이의 제1 간격(D)보다 크게 형성될 수 있고, 제1 간격(D)의 3배 이하가 되도록 하여, 제1 영역(S1)의 제2 서브 리드선(412, 422)과 제2 영역(S2)의 제2 서브 리드선(432, 442)과의 길이 차이에 의한 저항 차이를 최소화할 수 있다.
일례로, 제1 리드선(410)의 제2 서브 리드선(412)과 제4 리드선(440)의 제2 서브 리드선(442) 사이의 길이 차이 및 제2 리드선(420)의 제2 서브 리드선(422)과 제3 리드선(430)의 제2 서브 리드선(432) 사이의 길이 차이는 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220)들 사이의 제1 간격(D)보다 크고, 제1 간격(D)의 3배보다 작을 수 있다.
이와 같은 점을 고려하여, 제1 영역(S1)의 제2 서브 리드선(412, 422)과 제2 영역(S2)의 제2 서브 리드선(432, 442)과의 길이 차이는 일례로, 3mm ~ 8mm 사이 일 수 있다.
즉, 제1 리드선(410)의 제2 서브 리드선(412)과 제4 리드선(440)의 제2 서브 리드선(442) 사이의 길이 차이 및 제2 리드선(420)의 제2 서브 리드선(422)과 제3 리드선(430)의 제2 서브 리드선(432) 사이의 길이 차이는 3mm ~ 8mm 사이에서 형성될 수 있다.
아울러, 제2, 3 리드선(420, 430) 각각의 제2 서브 리드선(422, 432)의 길이(L3, L4)는 제1, 4 리드선(410, 440) 각각의 제2 서브 리드선(412, 442)의 길이(L1, L2)보다 작을 수 있다.
도 1, 3, 10에 도시된 바와 같이, 지금까지는 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D)(350)가 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 마지막 태양 전지(EC)로부터 이격되어, 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 마지막 태양 전지(EC)와 프레임(50) 사이의 공간에 배치되는 경우를 일례로 설명하였다.
그러나, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 모듈의 전면을 보다 수려하게 하기 위하여, 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D) 각각은 복수의 셀 스트링 각각에 구비된 마지막 태양 전지(EC)와 중첩되어, 제2 방향(y)으로 길게 배치되도록 할 수 있다.
이에 따라, 태양 전지 모듈의 전면에서 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D)가 보이지 않도록 할 수 있다.
이와 같은 구조에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 13은 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D)의 위치를 설명하기 위하여, 태양 전지 모듈의 후면을 도시한 일례이다.
본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈은 도 13에 도시된 바와 같이, 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D) 각각이 복수의 셀 스트링(ST1 ~ ST6) 각각에 구비된 마지막 태양 전지(EC)와 중첩되어, 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 13에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 하단에 위치하는 복수의 버싱바(350)와, 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 상단에 위치하여, 제2 방향(y)으로 길게 뻗어 배치되는 복수의 버싱바(350A ~ 350D)는 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 중첩되어 위치할 수 있다.
아울러, 이와 같은 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D) 중 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 상부 마지막 태양 전지(EC)에 중첩된 제1, 2, 3, 4 버싱바(350A ~ 350D)에 제1, 2, 3, 4 리드선(410, 420, 430, 440) 각각이 접속될 수 있다.
이와 같은 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D) 각각은 셀 스트링(ST1~ST6) 각각의 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 중첩하여 위치한 절연 시트(500) 위에 중첩되어 위치할 수 있다.
이와 같은 절연 시트(500)는 도 13에 도시된 바와 같이, 셀 스트링(ST1~ST6) 각각의 마지막 태양 전지(EC)를 가로지르는 제2 방향(y)으로 길게 배치될 수 있다.
아울러, 도 13에는 도시되지는 않았지만, 절연 시트(500)는 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D) 각각과 셀 스트링(ST1~ST6) 각각의 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210) 또는 복수의 제2 도전성 배선(220)과 전기적으로 접속되도록 하기 위한 연결 통로를 제공하는 복수의 홀(500H)이 구비될 수 있다.
이에 따라, 복수의 버싱바(350, 350A ~ 350D) 각각은 절연 시트(500)에 구비된 복수의 홀(500H)을 통하여, 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 접속된 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 원하는 도전성 배선과 전기적으로 접속할 수 있으며, 원하지 않는 도전성 배선과 절연될 수 있다.
이를 위해, 절연 시트(500)는 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지(EC)의 후면에 접속된 제1 도전성 배선(210) 또는 제2 도전성 배선(220)을 노출되도록 복수의 홀(500H)을 구비할 수 있다.
이에 대해 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 14는 본 발명의 일례에 따른 태양 전지 모듈에서 절연 시트(500)에 구비된 복수의 홀(500H)의 평면 패턴을 설명하기 위한 도이다.
도 14에서는 도 15에 구비된 절연 시트(500)의 홀(500H) 패턴을 설명하기 위해, 절연 시트(500) 중에서 제2 방향(y)으로 서로 인접한 제2, 3 셀 스트링 위에 구비된 홀(500H)을 일례로 도시하였다.
아울러, 도 15는 도 14에서 절연 시트(500)의 홀(500H)에 대해 구체적으로 설명하기 위하여, K10 부분을 확대 도시한 일례이고, 도 16은 도 14에서, 복수의 홀(500H)을 구비한 절연 시트(500) 위에 중첩되어 버싱바가 배치된 일례를 도시한 도이다.
또한, 도 17은 절연 시트(500)를 사이에 두고 서로 전기적으로 연결되는 도전성 배선과 버싱바의 연결 구조를 설명하기 위하여, 도 16에서 500y-500y에 따른 단면을 도시한 도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1)에 접속되는 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 복수의 제2 도전성 배선(220)은 제1 방향(x)으로 인접한 인터커넥터(300)에 접속될 수 있으며, 제1 도전성 배선(210)은 도 16에 도시된 제2 버싱바(350B)에 접속될 수 있다.
따라서, 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 버싱바(350B)와의 접속을 위해, 도 14에 도시된 바와 같이, 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1)와 중첩되는 절연 시트(500)에서는 복수의 제1 도전성 배선(210) 각각의 일부와 중첩되는 부분에 복수의 홀(500H)이 구비될 수 있다.
이에 따라, 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1)에서는 제1 도전성 배선(210) 각각의 일부가 절연 시트(500)에 구비된 복수의 홀(500H)을 통하여 노출될 수 있다.
아울러, 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1)에 접속된 제2 도전성 배선(220)은 절연 시트(500)에 의해 완전히 덮힐 수 있다.
아울러, 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2)에 접속되는 복수의 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 복수의 제1 도전성 배선(210)은 제1 방향(x)으로 인접한 인터커넥터(300)에 접속될 수 있으며, 제2 도전성 배선(220)은 도 16에 도시된 제2 버싱바(350B)에 접속될 수 있다.
따라서, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2)에 접속된 제2 도전성 배선(220)과 제2 버싱바(350B)와의 접속을 위해, 도 14에 도시된 바와 같이, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2)와 중첩되는 절연 시트(500)에서는 복수의 제2 도전성 배선(220) 각각의 일부와 중첩되는 부분에 복수의 홀(500H)이 구비될 수 있다.
이에 따라, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2)에서는 제2 도전성 배선(220) 각각의 일부가 절연 시트(500)에 구비된 복수의 홀(500H)을 통하여 노출될 수 있다.
아울러, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2)에 접속된 제1 도전성 배선(210)은 절연 시트(500)에 의해 완전히 덮힐 수 있다.
이와 같은 절연 시트(500)에 구비된 복수의 홀(500H)은 제2 방향(y)으로 이격되어 배열될 수 있으며, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2) 위에 위치한 복수의 홀(500H)과 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1) 위에 위치한 복수의 홀(500H)은 동일한 제2 방향(y) 라인 선상에 형성될 수 있다.
이와 같이 절연 시트(500)가 구비된 상태에서, 도 16에 도시된 바와 같이, 절연 시트(500)에서 제2 방향(y)으로 길게 이격되어 위치하는 복수의 홀(500H)과 중첩되도록 제2 버싱바(350B)를 배치하여, 제3 셀 스트링(ST3)의 마지막 태양 전지(EC1)에 접속된 제1 도전성 배선(210)과 제2 버싱바(350B)를 접속시킬 수 있으며, 제2 셀 스트링(ST2)의 마지막 태양 전지(EC2)에 접속된 제2 도전성 배선(220)과 제2 버싱바(350B)를 접속시킬 수 있다.
여기서, 절연 시트(500)에 구비된 복수의 홀(500H)의 구체적인 폭 및 길이는 일례로 도 15에 도시된 바와 같이 형성될 수 잇다.
도 15에 도시된 바와 같이, 각 셀 스트링(ST1 ~ ST6)의 마지막 태양 전지(EC)는 복수의 제1, 2 전극(141, 142)이 반도체 기판의 후면에 제2 방향(y)으로 길게 형성될 수 있다.
아울러, 도 15에 도시된 바와 같이, 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제1 도전성 배선(210)은 복수의 제1 전극(141)에 도전성 접착제(251)를 통해 접속하고, 복수의 제2 전극(142)과 절연층(252)에 의해 절연되고, 마지막 태양 전지(EC)에 접속된 복수의 제2 도전성 배선(220)은 복수의 제2 전극(142)에 도전성 접착제(251)를 통해 접속하고, 복수의 제1 전극(141)과 절연층(252)에 의해 절연될 수 있다.
여기서, 제1 도전성 배선(210)과 제2 전극(142) 사이의 절연 및 제2 도전성 배선(220)과 제1 전극(141) 사이의 절연을 보다 확실하게 하기 위하여, 각각의 절연층(252)의 제2 방향(y) 길이는 각 도전성 접착제(25)의 제2 방향(y) 길이보다 클 수 있다.
여기서, 절연 시트(500)에 구비된 홀(500H)의 제2 방향(y)으로의 길이(500Hy)는 제1, 2 도전성 배선(210, 220)의 선폭보다 크고, 절연층의 제2 방향(y)으로의 길이보다 짧을 수 있다.
이에 따라, 절연 시트(500)에 구비된 홀(500H)을 통해 원하는 도전성 배선과 전극(일례로, 제2 도전성 배선(220)과 제2 전극(142))만 노출될 수 있고, 원하지 않는 도전성 배선과 전극(일례로, 제1 도전성 배선(210)과 제1 전극(141))은 노출되지 않을 수 있고, 절연 시트(500)를 통해 충분히 절연시킬 수 있다.
아울러, 절연 시트(500)에 구비된 홀(500H)의 제1 방향(x)으로의 길이(500Hx)는 원하는 도전성 배선(일례로, 제2 도전성 배선(220))과 버싱바(350) 사이의 전기적 물리적 접속을 원할하게 하기 위하여, 버싱바(350)의 선폭(W350)보다 크고, 버싱바 선폭(W350)의 2배보다 작게 할 수 있다.
이와 같이, 도 17에 도시된 바와 같이, 절연 시트(500)의 홀(500H)을 통해 노출되는 마지막 태양 전지(EC1, EC2)의 각 도전성 배선(210 OR 220)은 버싱바(350)와 도전성 접착제(330)를 통해 접속될 수 있다.
도 14 내지 도 17에서는 제2 버싱바(350B)를 일례로 설명하였지만, 나머지 버싱바(350, 350A, 350C, 350D) 역시, 절연 시트(500)에 형성된 복수의 홀(500H)을 통해 제1, 2 도전성 배선(210, 220) 중 원하는 도전성 배선에 접속될 수 있고, 원하지 않는 도전성 배선과는 절연 시트(500)를 통해 절연될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (29)

  1. 후면에 극성이 서로 다른 복수의 제1, 2 도전성 배선이 제1 방향으로 접속된 복수의 태양 전지;
    상기 복수의 태양 전지가 제1 방향으로 직렬 연결되어 형성되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 셀 스트링;
    상기 복수의 셀 스트링을 전기적을 연결하기 위해 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속된 상기 제1 도전성 배선이나 상기 제2 도전성 배선에 접속되고, 상기 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 버싱바; 및
    일단이 상기 복수의 버싱바에 전기적으로 접속되고, 타단이 정션 박스(junction box)에 접속되는 복수의 리드선을 포함하고,
    상기 복수의 리드선은 상기 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되어 배치되어 서로 연결되는 제1, 2, 3 서브 리드선을 포함하고,
    상기 제1 서브 리드선은 상기 마지막 태양 전지의 후면 상에 상기 제1 방향으로 길게 배치되어, 일단이 상기 복수의 버싱바 각각에 접속되고, 타단이 상기 마지막 태양 전지의 후면 상에 위치하고,
    상기 제2 서브 리드선은 일단이 상기 제1 서브 리드선의 타단에 연결되고, 상기 마지막 태양 전지의 후면 상에 상기 제2 방향으로 길게 배치되어, 타단이 상기 마지막 태양 전지의 후면 상에 위치하고,
    상기 제3 서브 리드선은 상기 마지막 태양 전지의 후면 상에 상기 제1 방향으로 길게 배치되어, 일단이 상기 제2 서브 리드선의 타단에 연결되고, 타단이 상기 정션 박스에 연결되고,
    상기 복수의 셀 스트링 전체의 중앙에 위치하고, 상기 제1 방향과 나란한 중심선을 기준으로 어느 한쪽의 제1 영역에 위치하는 상기 제2 서브 리드선의 길이는 다른 한쪽의 제2 영역에 위치하는 상기 제2 서브 리드선의 길이와 다른 태양 전지 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 마지막 태양 전지에 접속된 상기 복수의 제1 도전성 배선 또는 상기 복수의 제2 도전성 배선 중 어느 하나의 도전성 배선은 상기 버싱바에 접속되는 태양 전지 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 어느 하나의 도전성 배선은 전면이 상기 버싱바의 후면에 중첩되어 접속되는 태양 전지 모듈.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 제2 서브 리드선과 상기 제2 영역의 제2 서브 리드선과의 길이 차이는 상기 제1, 2 도전성 배선들 사이의 제1 간격보다 크고, 상기 제1 간격의 3배보다 작은 태양 전지 모듈.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 제2 서브 리드선과 상기 제2 영역의 제2 서브 리드선과의 길이 차이는 3mm ~ 8mm 사이인 태양 전지 모듈.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 리드선은 상기 마지막 태양 전지에서 상기 제2 방향과 나란한 반도체 기판의 측면과 교차하는 태양 전지 모듈.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 리드선과 상기 복수의 셀 스트링 사이에는 절연 시트가 더 포함되는 태양 전지 모듈.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 버싱바의 후면에 상기 제1 서브 리드선의 일단이 서로 중첩되어 접속되고, 상기 제1 서브 리드선의 일단은 상기 버싱바의 후면에 접속된 도전성 배선들 사이에 위치하는 태양 전지 모듈.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 서브 리드선에서 상기 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되는 부분은 상기 어느 하나의 도전성 배선을 제외한 나머지 하나의 도전성 배선과 중첩되는 태양 전지 모듈.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 리드선의 타단은 상기 제2 서브 리드선의 일단과 도전성 접착제를 통해 접속되고,
    상기 제2 서브 리드선의 타단은 상기 제3 서브 리드선의 일단과 상기 도전성 접착제를 통해 접속되는 태양 전지 모듈.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 리드선은
    상기 복수의 셀 스트링 중 최외곽에 위치하는 제1 최외곽 셀 스트링에 접속된 제1 버싱바와 상기 정션 박스를 연결하는 제1 리드선,
    상기 복수의 스트링 중 상기 제1 최외곽 셀 스트링의 반대쪽 최외곽에 위치하는 제2 최외곽 셀 스트링에 접속된 제4 버싱바와 상기 정션 박스를 연결하는 제4 리드선,
    상기 제1, 2 최외곽 셀 스트링 사이에서 상기 제1 최외곽 셀 스트링에 인접하여 위치한 두 개의 셀 스트링에 공통으로 접속된 제2 버싱바와 상기 정션 박스를 연결하는 제2 리드선, 및
    상기 제1, 2 최외곽 셀 스트링 사이에서 상기 제2 최외곽 셀 스트링에 인접하여 위치한 두 개의 셀 스트링에 공통으로 접속된 제3 버싱바와 상기 정션 박스를 연결하는 제3 리드선을 포함하는 태양 전지 모듈.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 리드선의 제2 서브 리드선과 상기 제4 리드선의 제2 서브 리드선 길이는 서로 다른 태양 전지 모듈.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 리드선의 제2 서브 리드선과 상기 제3 리드선의 제2 서브 리드선 길이는 서로 다른 태양 전지 모듈.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제2, 3 리드선 각각의 제2 서브 리드선의 길이는 상기 제1, 4 리드선 각각의 제2 서브 리드선의 길이보다 작은 태양 전지 모듈.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판과 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제1, 2 도전성 배선의 길이 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 길게 형성된 복수의 제1, 2 전극을 포함하고,
    상기 제1 도전성 배선은 상기 제1 전극과 교차되는 부분에서 도전성 접착제에 의해 상기 제1 전극에 접속되고, 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 절연층에 의해 상기 제2 전극과 절연되고,
    상기 제2 도전성 배선은 상기 제2 전극과 교차되는 부분에서 상기 도전성 접착제에 의해 상기 제2 전극에 접속되고, 상기 제1 전극과 교차되는 상기 절연층에 의해 상기 제1 전극과 절연되는 태양 전지 모듈.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지 중 어느 하나의 제1 태양 전지에 접속된 복수의 제1 도전성 배선의 끝부분과 상기 제1 태양 전지에 이웃한 제2 태양 전지에 접속된 복수의 제2 도전성 배선의 끝부분 각각은 상기 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 인터커넥터의 후면에 공통으로 접속되는 태양 전지 모듈.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지의 각 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
  18. 제2 항에 있어서,
    상기 어느 하나의 도전성 배선의 끝부분은 상기 마지막 태양 전지의 반도체 기판의 투영 영역 밖으로 돌출되어, 상기 버싱바에 접속되는 태양 전지 모듈.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 버싱바는 상기 마지막 태양 전지에 구비된 반도체 기판과 이격되는 태양 전지 모듈.
  20. 제7 항에 있어서,
    상기 복수의 버싱바 각각은 상기 복수의 셀 스트링 각각에 구비된 마지막 태양 전지와 중첩되어, 상기 제2 방향으로 길게 배치되는 태양 전지 모듈.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 절연 시트는 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 중첩되어, 상기 제2 방향으로 길게 배치되고,
    상기 복수의 버싱바는 상기 절연 시트 위에 중첩하여 위치하는 태양 전지 모듈.
  22. 제20 항에 있어서,
    상기 절연 시트는 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 접속된 상기 제1 도전성 배선 또는 상기 제2 도전성 배선을 노출되도록 복수의 홀을 구비하고,
    상기 복수의 버싱바 각각은 상기 절연 시트에 형성된 복수의 홀과 중첩하고, 상기 복수의 홀을 통해 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선에 접속되는 태양 전지 모듈.
  23. 후면에 극성이 서로 다른 복수의 제1, 2 도전성 배선이 제1 방향으로 접속된 복수의 태양 전지;
    상기 복수의 태양 전지가 상기 제1 방향으로 직렬 연결되어 형성되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격되는 복수의 셀 스트링;
    상기 복수의 셀 스트링을 전기적으로 연결하도록 하기 위해 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지에 접속되고, 상기 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 버싱바;
    상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에는 상기 제2 방향으로 길게 배치되는 절연 시트; 및
    상기 복수의 버싱바 각각에 각각의 일단이 접속되고, 타단이 정션 박스(junction box)에 접속되는 복수의 리드선;을 포함하고,
    상기 절연 시트는 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지의 후면에 접속된 상기 제1 도전성 배선 또는 상기 제2 도전성 배선을 노출되도록 복수의 홀을 구비하고,
    상기 복수의 버싱바 각각은 상기 복수의 셀 스트링 각각에 구비된 마지막 태양 전지와 중첩되어, 상기 제2 방향으로 길게 배치되되, 상기 절연 시트는 상기 복수의 버싱바와 상기 복수의 셀 스트링 각각의 마지막 태양 전지 사이에 위치하고,
    상기 복수의 버싱바 각각은 상기 절연 시트에 형성된 복수의 홀을 통해 제1 도전성 배선 또는 제2 도전성 배선에 접속되는 태양 전지 모듈.
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 제23 항에 있어서,
    상기 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판과 상기 반도체 기판의 후면에 상기 제2 방향으로 길게 배치되는 복수의 제1, 2 전극을 포함하고,
    상기 복수의 제1 도전성 배선은 상기 복수의 제1 전극에 도전성 접착제를 통해 접속하고, 상기 복수의 제2 전극과 절연층에 의해 절연되고,
    상기 복수의 제2 도전성 배선은 상기 복수의 제2 전극에 상기 도전성 접착제를 통해 접속하고, 상기 복수의 제1 전극과 상기 절연층에 의해 절연되는 태양 전지 모듈.
  27. 제26 항에 있어서,
    상기 절연 시트에 구비된 홀의 상기 제2 방향으로의 길이는 상기 제1, 2 도전성 배선의 선폭보다 크고, 상기 절연층의 상기 제2 방향으로의 길이보다 짧은 태양 전지 모듈.
  28. 제23 항에 있어서,
    상기 절연 시트에 구비된 홀의 상기 제1 방향으로의 길이는 상기 버싱바의 선폭보다 크고, 상기 버싱바 선폭의 2배보다 작은 태양 전지 모듈.
  29. 제23 항에 있어서,
    상기 복수의 리드선 각각은 상기 마지막 태양 전지의 후면과 중첩되어 배치되는 태양 전지 모듈.
KR1020160092445A 2016-07-21 2016-07-21 태양 전지 모듈 KR101806972B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160092445A KR101806972B1 (ko) 2016-07-21 2016-07-21 태양 전지 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160092445A KR101806972B1 (ko) 2016-07-21 2016-07-21 태양 전지 모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101806972B1 true KR101806972B1 (ko) 2018-01-18

Family

ID=61028631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160092445A KR101806972B1 (ko) 2016-07-21 2016-07-21 태양 전지 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101806972B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110061092A (zh) * 2018-01-19 2019-07-26 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 一种太阳能电池组件叠层工序用工装

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990116B1 (ko) * 2010-05-17 2010-10-29 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP2016005002A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池モジュール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990116B1 (ko) * 2010-05-17 2010-10-29 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
JP2016005002A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110061092A (zh) * 2018-01-19 2019-07-26 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 一种太阳能电池组件叠层工序用工装

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101816164B1 (ko) 태양전지 모듈
EP3142156B1 (en) Solar cell module and method for manufacturing the same
US11538950B2 (en) Solar cell panel
KR101658733B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102244597B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101642231B1 (ko) 태양 전지 모듈
US11810985B2 (en) Method for manufacturing solar cell, solar cell, solar cell device, and solar cell module
KR101747339B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101714778B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101788160B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101806972B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101788169B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 태양 전지
KR101806978B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101806971B1 (ko) 태양 전지 모듈의 제조 방법과 그에 의한 태양 전지 모듈
KR101816181B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102298447B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101788166B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101806980B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101816180B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101656622B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101806981B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR101816151B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102619351B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR102394105B1 (ko) 태양 전지 모듈
KR20190030881A (ko) 태양 전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant