KR20150090066A - 플렉시블 디바이스용 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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도요 고한 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 내수분 배리어성이 좋고 절연층의 밀착성이 양호한 플렉시블 디바이스용 기판을 얻는 것을 과제로 한다. 본 발명의 플렉시블 디바이스용 기판(11)은 금속 베이스재(12)의 표면에 Ni 도금층(13)을 형성하고, 그 Ni 도금층(13)의 표면에 유리층(14)을 형성한 구성을 가지고 있다. 따라서, 내수분 배리어성이 우수하고 금속 베이스재(12)와의 밀착성이 우수한 유리를 적층한 경량이고 플렉시블성이 있는 플렉시블 디바이스용 금속 기판(11)을 얻을 수 있다. 나아가 유리층(14)으로서 전기 절연성의 비스무스계 유리를 적층하고 있으므로, 절연성, 평탄성도 우수하여 유기 EL용 기판에 이용할 수 있다.

Description

플렉시블 디바이스용 기판 및 그 제조 방법{Substrate for flexible devices and method for producing same}
본 발명은 예를 들어 유기 EL 조명이나 유기 EL 디스플레이, 유기 태양 전지 등의 유기 EL 관련의 기판에 이용되는 플렉시블 디바이스용 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 플라스틱 필름 베이스재(基材) 상에 투명 도전층, 유기 발광 매체층, 음극층을 순차적으로 적층하고, 접착층을 통해 금속박이 적층된 유기 EL(일렉트로루미네센스) 소자의 구조가 나타나 있다.
특허문헌 2에는 스테인레스 베이스재 상에 폴리이미드 수지를 평탄화한 평탄화층을 마련한 플렉시블 디바이스용 기판의 구조가 나타나 있다.
특허문헌 3에는 스테인레스 베이스재에 실리카계 유리를 성막한 플렉시블 태양 전지 기판의 구조가 나타나 있다.
특허문헌 1: 일본공개특허 2004-171806호 공보 특허문헌 2: 일본공개특허 2011-97007호 공보 특허문헌 3: 일본공개특허 2006-80370호 공보
특허문헌 1에서 이용되고 있는 필름 베이스재는 내수분 배리어성이 부족하여 수분이 유기 EL 소자의 열화를 촉진할 가능성이 있다. 특허문헌 2에서 이용되고 있는 폴리이미드 수지는 흡수성이 높아 유기 EL 기판에 이용한 경우, 흡수한 수분이 유기 EL 소자의 열화를 촉진할 가능성이 있다. 특허문헌 3에서 이용되고 있는 실리카계 유리는 일반적으로 철이나 스테인레스에 비해 열팽창계수가 작아 스테인레스 베이스재에 대한 밀착성이 떨어진다. 또한, 실리카계 유리는 굽힘 가공이나 충격에 약하다는 문제를 가지고 있다.
본 발명은 상기의 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 내수분 배리어성이 좋고 절연층의 밀착성이 양호한 플렉시블 디바이스용 기판을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 플렉시블 디바이스용 기판은 금속 베이스재와, 그 금속 베이스재의 표면에 형성된 Ni 도금층과, 그 Ni 도금층의 표면에 전기 절연성을 가지는 비스무스계 유리가 층형상으로 형성된 유리층을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
그리고, 본 발명의 플렉시블 디바이스용 기판의 제조 방법은 금속 베이스재의 표면에 Ni 도금층을 형성하는 도금 공정과, 그 Ni 도금층의 표면에 전기 절연성을 가지는 비스무스계 유리의 유리층을 형성하는 유리층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의하면 금속 베이스재의 표면에 Ni 도금층을 형성하고, 그 Ni 도금층의 표면에 유리층을 형성하고 있으므로, 내수분 배리어성이 우수하고 금속 베이스재와의 밀착성이 우수한 비스무스계 유리를 적층한 경량이고 플렉시블성이 있는 플렉시블 디바이스용 금속 기판을 얻을 수 있다. 나아가 전기 절연성의 비스무스계 유리를 적층하고 있으므로, 절연성, 평탄성도 우수하여 유기 EL용 기판에 이용할 수 있다. 또, 상기한 이외의 과제, 구성 및 효과는 이하의 실시형태의 설명에 의해 명확해진다. 본 명세서는 본원의 우선권 기초인 일본특허출원 2012-257541호의 명세서 및/또는 도면에 기재되어 있는 내용을 포함한다.
도 1은 본 실시형태에서의 플렉시블 디바이스용 기판의 단면 구조를 나타내는 모식도.
도 2는 본 실시형태에서의 플렉시블 디바이스용 기판을 이용한 유기 EL 조명용 기판의 단면 구조를 나타내는 모식도.
다음으로 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 실시형태에서의 플렉시블 디바이스용 기판의 일례에 대해 단면 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.
플렉시블 디바이스용 기판(11)은 금속 베이스재(12)와, 금속 베이스재(12)의 표면에 형성된 Ni 도금층(13)과, Ni 도금층(13)의 표면에 형성된 유리층(14)을 가진다.
금속 베이스재(12)의 두께는 25㎛ 이상 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상 150㎛ 이하, Ni 도금층(13)의 두께는 0.1㎛ 이상 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상 5㎛ 이하, 유리층(14)의 두께는 1㎛ 이상 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상 20㎛ 이하이다.
플렉시블 디바이스용 기판(11)의 제조 방법은 금속 베이스재(12)의 표면에 Ni 도금층(13)을 형성하는 도금 공정과, Ni 도금층(13)의 표면에 유리층(14)을 형성하는 유리층 형성 공정을 포함한다.
금속 베이스재(12)는 예를 들어 강판, 스테인레스, 티탄 등에 의해 구성되어 있고, 열팽창계수가 8×10-6/℃ 이상 14×10-6/℃ 이하, 보다 바람직하게는 9×10-6/℃ 이상 13×10-6/℃ 이하의 것을 이용하고 있다.
플렉시블 디바이스용 기판(11)은 금속 베이스재(12)의 표면과 Ni 도금층(13)의 사이에 열처리에 의해 형성된 합금층을 가지는 구성으로 해도 된다. 열처리는 금속 베이스재(12)에 Ni 도금층(13)을 형성한 후에 행해진다. 열처리는 300℃ 이상 900℃ 이하, 보다 바람직하게는 400℃ 이상 800℃ 이하로 10분 이내, 보다 바람직하게는 0.1분 이상 3분 이하의 조건으로 행해진다.
Ni 도금층은 Ni 도금에 의해 형성되는 층이면 되고, 전기 도금, 무전해 도금 중 어느 것으로 형성해도 된다. 연속 생산성 관점에서 전기 도금을 사용하는 것이 바람직하다. 도금 공정은 베이스재에 따라 변화하는데, 예를 들어 강판 상에 Ni 도금을 실시하는 경우 금속 기판(12)에 알칼리 전해 탈지, 황산 침지의 산세를 행한 후 Ni 도금을 실시한다. Ni 도금욕(bath)은 와트욕, 설파민산욕 등 일반적으로 널리 사용되고 있는 욕을 사용할 수 있다.
유리층(14)은 연화점 온도 330℃ 이상 450℃ 이하, 보다 바람직하게는 360℃ 이상 420℃ 이하의 전기 절연성을 가지는 비스무스계 유리에 의해 구성되어 있다. 비스무스계 유리는 유리 조성으로서 Bi2O3가 70wt% 이상을 주성분으로 한 것이 바람직하다.
탈바인더를 행하는 온도가 330℃이기 때문에 330℃ 부근의 저온에서 연화하는 유리의 경우 바인더의 분해 가스가 유리 중에 들어가 핀홀의 원인이 된다. 또한, 360℃보다 저온에서 연화하는 비스무스계 유리는 본 소성시에 결정화를 일으키기 쉽고, 결정화를 일으킨 비스무스계 유리의 표면은 표면 평활성이 없어져 버린다.
그리고, 450℃보다 고온의 연화점을 가지는 유리의 경우 본 소성시에 높은 온도가 필요하게 되어 Ni 도금의 내열 온도 부근에서의 제막(製幕)이 어려워진다. 또한, 비교적 저온에서 본 소성한 경우 유리가 녹는 것이 불충분하게 되어 표면의 평활성이 없어진다.
유리층(14)은 입경 1㎛ 이상 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1㎛ 이상 5㎛ 이하의 유리 프릿을 이용하여 소성함으로써 형성된다. 유리층(14)의 유리 형성의 소성 온도 및 소성 시간으로서는 430℃ 이상 580℃ 미만, 보다 바람직하게는 480℃ 이상 520℃ 이하로 5분 이상 30분 이하, 보다 바람직하게는 10분 이상 20분 이하의 조건으로 행해진다. 소성 온도가 430℃ 미만인 경우는 유리가 녹는 것이 불충분해지기 쉽고, 580℃ 이상인 경우는 비스무스계 유리의 결정화를 억제하지 못하여 표면 조도(Ra)가 거칠어진다. 유리층 형성 후는 표면 조도(Ra)가 10nm 이하인 것이 바람직하다. 표면 조도(Ra)가 10nm을 넘으면 플렉시블 디바이스로 하였을 때 전기적으로 단락할 우려가 있다.
상기 구성을 가지는 플렉시블 디바이스용 기판(11)은 종래 사용되었던 유리 기판보다 경량화를 도모할 수 있다.
플렉시블 디바이스용 기판(11)은 유기 EL 조명, 유기 EL 디스플레이, 유기 태양 전지 등의 유기 EL 관련의 기판에 이용할 수 있다.
도 2는 본 실시형태에서의 플렉시블 디바이스용 기판(11)을 이용한 유기 EL 조명용 기판의 단면 구조를 나타내는 모식도이다.
유기 EL 조명용 기판(21)은 플렉시블 디바이스용 기판(11)의 절연막인 유리층(14) 상에 전극층(Ag, Al)(22), 유기 박막 발광층(23), 투명 전극층(24), 투명 봉지층(25), 투명 봉지재(26)가 적층되고, 플렉시블 디바이스용 기판(11)의 금속 베이스재(12) 아래에 내식성층(27)이 적층되어 구성되어 있다.
상기 구성을 가지는 플렉시블 디바이스용 기판(11)에 의하면 금속 베이스재의 표면에 Ni 도금층을 형성하고, 그 Ni 도금층의 표면에 유리층을 형성하고 있으므로, 내수분 배리어성이 우수하고 금속 베이스재와의 밀착성이 우수한 유리를 적층한 경량이고 플렉시블성이 있는 플렉시블 디바이스용 금속 기판을 얻을 수 있다. 나아가 전기 절연성의 비스무스계 유리를 적층하고 있으므로, 절연성, 평탄성도 우수하여 유기 EL용 기판에 이용할 수 있다.
유기계 폴리머 등의 유기계 고분자 재료는 그물코 구조를 가지고 있고, 수증기화한 수분이 투과하는 것을 본질적으로 피할 수 없다. 이에 대조적으로 유리와 같은 무기 재료는 유기계 재료와 달리 조밀한 구조로 수분의 투과를 완전히 막는 것이 가능하다. 따라서, 플렉시블 디바이스용 기판(11)은 내수분 배리어성이 우수하다.
금속 베이스재와 유리를 양호한 밀착 상태로 하려면 금속 베이스재 표면에서 산화물화한 구성 성분이 유리 성분 중의 원소와 반응하는 것이 필요하다. 플렉시블 디바이스용 기판(11)은 유리층(14)의 비스무스계 유리와 Ni 도금층의 표면에 생긴 산화물이 반응함으로써 밀착층이 형성됨으로써 양호한 밀착 상태가 얻어진다.
실시예
[실험 1]
플렉시블 디바이스용 기판에서의 유리층 형성 직후의 밀착성에 대한 평가 실험을 행하였다.
1. 금속 베이스재
(1)시료 1, 2(Ni 도금 강판)
베이스체로서 하기에 나타내는 화학 조성을 가지는 보통강의 냉간압연판(두께 0.35mm)을 소둔 탈지하여 얻어진 강판을 준비하였다.
조성: C; 0.03중량%, Si; 0.01중량%, Mn; 0.25중량%, P; 0.008중량%, S; 0.005중량%, Al; 0.051중량%, 잔부; Fe 및 불가피하게 함유하는 성분을 포함한다.
그리고, 준비한 강판(크기: 세로 12cm, 가로 10cm, 두께 0.32mm, 표면 조도(Ra) 0.24㎛)에 대해 알칼리 전해 탈지, 황산 침지의 산세를 행한 후, 하기 조건으로 Ni 도금을 행하여 두께 2㎛, 표면 조도 0.24㎛의 Ni 도금층을 양면에 형성하였다.
욕 조성: 황산 니켈 300g/L, 염화 니켈 40g/L, 붕산 35g/L, 피트 억제제(라우릴 황산 나트륨) 0.4mL/L
pH: 4~4.6
욕 온도: 55℃~60℃
전류 밀도: 25A/dm2
(2)시료 3~5(Ni 도금 강판+열처리)
베이스체로서 하기에 나타내는 화학 조성을 가지는 보통강을 냉간압연과 소둔을 반복하여 얻어진 냉간압연판(두께 0.12mm)을 준비하였다.
조성: C; 0.02중량%, Si; 0.01중량%, Mn; 0.42중량%, P; 0.006중량%, S; 0.007중량%, Al; 0.053중량%, 잔부; Fe 및 불가피하게 함유하는 성분을 포함한다.
그리고, 준비한 강판(크기: 세로 12cm, 가로 10cm, 두께 0.12mm, 표면 조도(Ra) 0.10㎛)에 대해 알칼리 전해 탈지, 황산 침지의 산세를 행한 후, 하기 조건으로 Ni 도금을 행하여 두께 2㎛, 표면 조도 0.10㎛의 Ni 도금층을 베이스재 양면에 형성하였다.
욕 조성: 황산 니켈 300g/L, 염화 니켈 40g/L, 붕산 35g/L, 피트 억제제(라우릴 황산 나트륨) 0.4mL/L
pH: 4~4.6
욕 온도: 55℃~60℃
전류 밀도: 25A/dm2
다음으로 Ni 도금층을 형성한 강판에 대해 온도 800℃, 0.2분, 환원 분위기에서 열처리를 행하고 Ni 도금층에 대해 열확산 처리를 행함으로써, 금속 베이스재(12)의 표면과 Ni 도금층(13)의 사이에 Fe-Ni 합금층을 가지는 표면 처리 베이스재를 얻었다.
(3)시료 6(비교예: Cr 도금 강판)
베이스체로서 하기에 나타내는 화학 조성을 가지는 보통강의 냉간압연판(두께 0.32mm)에 소둔, 조질 압연을 행하여 얻어진 강판을 준비하였다.
조성: C; 0.05중량%, Si; 0.01중량%, Mn; 0.33중량%, P; 0.010중량%, S; 0.009중량%, Al; 0.054중량%, 잔부; Fe 및 불가피하게 함유하는 성분을 포함한다.
그리고, 준비한 강판(크기: 세로; 12cm, 가로; 10cm, 두께; 0.32mm, 표면 조도: 0.24㎛)에 대해 알칼리 전해 탈지, 황산 침지의 산세를 행한 후, 하기 조건으로 크롬 도금을 행하여 도금 두께 20nm, 표면 조도(Ra) 0.24㎛의 크롬 도금층을 베이스재 양면에 형성하였다.
욕 조성: 크롬산 30~200g/L, 불화 나트륨 1.5~10g/L
pH: 1 이하
욕 온도: 30℃~60℃
전류 밀도: 10~80A/dm2
(4)시료 7(비교예: 강판, 도금 없음)
베이스체로서 하기에 나타내는 화학 조성을 가지는 보통강을 냉간압연과 소둔을 반복하여 얻어진 냉간압연판(두께 0.30mm)을 준비하였다.
조성: C; 0.05중량%, Si; 0.01중량%, Mn; 0.30중량%, P; 0.012중량%, S; 0.011중량%, Al; 0.048중량%, 잔부; Fe 및 불가피하게 함유하는 성분을 포함한다.
크기: 세로 12cm, 가로 10cm, 두께 0.30mm
표면 조도(Ra): 0.22㎛
2. 유리층 형성
탈지 공정: 각 시료 1~7의 표면을 알코올에 담근 거즈로 닦아내고 탈지하였다.
도막 형성 공정: 유기용제와 바인더를 혼합한 바인더액을 준비하고, 바인더액과 연화 온도 405℃의 유리 프릿을 중량비가 25:75가 되도록 유발로 혼합하고, 세라믹제 롤로 분산 처리를 행하여 도막 형성용 유리 페이스트를 작성하였다. 유리 프릿으로는 Bi2O3가 70wt% 이상을 주성분으로서 함유하는 비스무스계 유리를 사용하였다. 그리고, 금속 베이스재의 한쪽 면을 바코터로 소성 후의 막두께가 20㎛가 되도록 유리 페이스트를 도포하여 도막을 형성하였다.
소성 공정: 프로그램 가능한 전기로를 이용하여 건조(온도: 110℃, 시간: 20분), 탈바인더(온도: 330℃, 시간: 20분), 소성(온도: 430℃~580℃, 시간: 10~20분)을 행하였다.
3. 평가 결과
표 1은 각 시료 1~7의 도금 처리의 내용, 소성 온도(℃), 소성 시간(분), 소성 후의 밀착성을 나타낸 것이다. 유리층의 밀착성은 육안으로 평가하였다. 그리고, 표면 성상은 육안으로 판단하였다.
시료 베이스재 소성온도(℃) 소성시간(분) 소성 후의 밀착 표면 성상
1 실시예 Ni도금 430 20 양호 일부 매트형상
2 실시예 Ni도금 480 20 양호 광택면
3 실시예 Ni도금+열처리 480 20 양호 광택면
4 실시예 Ni도금+열처리 500 10 양호 광택면
5 실시예 Ni도금+열처리 520 10 양호 광택면
6 비교예 Cr도금 480 20 소성 직후 유리 박리 소성 직후 유리 박리
7 비교예 강판(도금 없음) 480 20 양호 핀홀 다발
시료 6의 경우, 밀착력이 약하여 소성 직후의 유리 박리에 이르렀다. 이는 Cr 도금은 산화되기 쉬워 표층에 크롬 산화층을 만들고, 그 산화층이 비스무스계 유리와 금속의 반응을 억제시키고 있기 때문이라고 생각된다.
한편, 시료 1~5, 7의 경우, 소성 후의 유리층의 밀착성은 모두 양호하였다. 이는 강판 및 Ni 도금층도 산화되어 산화층이 생성되지만, 크롬 산화층과 철 및 Ni의 산화층에서는 산화층의 두께, 유리와의 사이에서 일어나는 산화 환원 등의 반응 거동에 차이가 있고, 이들 차이가 비스무스계 유리와의 밀착성에 차이를 발생시켰기 때문이라고 생각된다.
또한, 시료 7에서는 핀홀이 다발하였다. 이는 철의 산화층과 비스무스계 유리의 반응에 의해 가스가 발생하였기 때문이라고 생각된다. 나아가 플렉시블 디바이스를 구성한 경우, 유리가 적층되지 않은 면에 녹이 발생하기 때문에 플렉시블 디바이스용 기판으로서 사용하기에는 부적합하다.
표면 성상을 육안으로 확인한 결과 모두 허용 범위이지만, 시료 1에서는 유리가 녹는 것이 불량함에 기인하는 매트조의 광택 불량 부분이 관찰되었다.
[실험 2]
유리 소성 후의 밀착성, 표면 성상이 양호한 시료 3~5에 대해 평활성의 평가로서 표면 조도(Ra) 및 플렉시블 디바이스용 기판의 감김 밀착성에 대한 평가를 행하였다. 감김 밀착성의 평가 방법은 유리층에 인장 응력이 걸리도록 플렉시블 디바이스용 기판을 각 직경의 환봉에 감아 크랙의 유무나 박리를 육안으로 확인하였다.
1. 소성 후의 유리층의 표면 조도 계측
유리층의 소성 공정 후, 현미경(올림푸스사 제품, 나노 서치 현미경, 품번; OLS3500)의 SPM 측정 모드로 표면 조도(Ra)를 계측하였다.
(1)시료 3
유리의 표면 조도(Ra)가 8.3nm이었다.
(2)시료 4
유리의 표면 조도(Ra)가 1.7nm이었다.
(3)시료 5
유리의 표면 조도(Ra)가 0.8nm이었다.
2. 평가 결과
직경(Φ)이 50mm, 60mm, 70mm, 90mm, 120mm인 철의 환봉에 작성한 플렉시블 디바이스용 기판을 감아 박리 발생 유무를 육안으로 관찰하였다. 표 2는 그 결과를 나타내는 것이다.
직경(Φ) 시료 3 시료 4 시료 5
50mm × × ×
60mm × × ×
70mm × ○~△ ○
90mm ○ ○ ○
120mm ○ ○ ○
감김 시험에 의한 박리, 크랙 발생 유무(육안 관찰)
○: 유리/기판 계면으로부터의 박리 없음, 크랙 없음
△: 유리/기판 계면으로부터의 박리 없음, 크랙 있음(정도 매우 작음)
×: 유리/기판 계면으로부터의 박리 없음, 크랙 있음(정도 작음)
시료 3~5는 감김 시험에 의해 Ni 도금층(13)과 유리층(14)의 기판 계면에 박리가 발생하는 일은 없었다. 그러나, 직경이 60mm까지인 환봉에서는 모두 정도 작음의 크랙이 있고, 시료 3, 4에서는 70mm까지인 환봉을 이용한 경우에 정도 작음의 크랙과 정도 매우 작음의 크랙이 발생하였다. 한편, 90mm 및 120mm의 환봉에서는 박리 및 크랙 발생은 확인할 수 없었다.
본 시험 결과, 본 기판을 롤 투 롤의 공정에 제공한 경우에서도 박리 등이 일어나지 않음을 시사할 수 있고, 또한 플렉시블 디바이스용 기판으로서 이용 가능한 평활성 및 밀착성이 얻어지는 것이 명백해졌다.
11 플렉시블 디바이스용 기판
12 금속 베이스재
13 Ni 도금층
14 유리층
21 유기 EL 조명용 기판

Claims (7)

  1. 금속 베이스재와,
    그 금속 베이스재의 표면에 형성된 Ni 도금층과,
    그 Ni 도금층의 표면에 전기 절연성을 가지는 비스무스계 유리가 층형상으로 형성된 유리층을 가지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속 베이스재와 상기 Ni 도금층의 사이에 열처리에 의해 형성된 합금층을 가지는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 유리층은 연화점 온도가 330℃ 이상 450℃ 이하인 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판.
  4. 금속 베이스재의 표면에 Ni 도금층을 형성하는 도금 공정과,
    그 Ni 도금층의 표면에 전기 절연성을 가지는 비스무스계 유리의 유리층을 형성하는 유리층 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 도금 공정에서는 상기 Ni 도금층을 형성한 후에 열처리를 행하여 상기 금속 베이스재와 상기 Ni 도금층의 사이에 합금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판의 제조 방법.
  6. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 유리층 형성 공정에서는 430℃ 이상 580℃ 미만의 소성 온도로 5분 이상 30분 이내의 소성 시간 동안 유리 프릿을 소성하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판의 제조 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 플렉시블 디바이스용 기판과,
    그 플렉시블 디바이스용 기판의 상기 유리층 상에 형성된 전극층과,
    그 전극층 상에 형성된 유기 박막 발광층과,
    그 유기 박막 발광층 상에 형성된 투명 전극층을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 조명용 기판.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200022446A (ko) * 2017-06-23 2020-03-03 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 플렉시블 디바이스용 기판

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016103007A1 (fr) 2014-12-24 2016-06-30 Arcelormittal Procédé de contrôle d'un support comprenant un substrat métallique, un revêtement diélectrique, et une couche conductrice
JP6772897B2 (ja) * 2016-03-28 2020-10-21 東洋製罐グループホールディングス株式会社 フレキシブルデバイス用基板及びその製造方法
WO2017170038A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 東洋製罐グループホールディングス株式会社 フレキシブルデバイス用基板及びその製造方法
JP6915307B2 (ja) * 2016-03-28 2021-08-04 東洋製罐グループホールディングス株式会社 フレキシブルデバイス用基板用基材及びその製造方法
KR102135711B1 (ko) 2016-03-28 2020-07-20 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 플렉시블 디바이스용 기판 및 그의 제조 방법
US20210343953A1 (en) * 2018-09-12 2021-11-04 Toyo Seikan Group Holdings, Ltd. Substrate for flexible device
KR20220007769A (ko) 2020-07-09 2022-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102022108157A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Innovative Sensor Technology Ist Ag Dickschichtelement und Verfahren zur Herstellung eines Dickschichtelements

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH062104A (ja) * 1992-06-22 1994-01-11 Toyo Kohan Co Ltd 高耐食性ニッケルめっき鋼帯およびその製造法
JP2004171806A (ja) 2002-11-18 2004-06-17 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006080370A (ja) 2004-09-10 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池
JP2008243772A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法
JP2011097007A (ja) 2009-09-30 2011-05-12 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブルデバイス用基板、フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板およびフレキシブルデバイス
JP2012133944A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 面発光素子用基板、面発光素子用基板の製造方法、面発光素子、照明器具及び表示装置。

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006228647A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス用封止基板及びその製造方法
JP5816615B2 (ja) * 2010-11-17 2015-11-18 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 基材用金属箔
US9224983B2 (en) * 2010-12-20 2015-12-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate for surface light emitting device and method of manufacturing the substrate, surface light emitting device, lighting apparatus, and backlight including the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH062104A (ja) * 1992-06-22 1994-01-11 Toyo Kohan Co Ltd 高耐食性ニッケルめっき鋼帯およびその製造法
JP2004171806A (ja) 2002-11-18 2004-06-17 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006080370A (ja) 2004-09-10 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池
JP2008243772A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法
JP2011097007A (ja) 2009-09-30 2011-05-12 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブルデバイス用基板、フレキシブルデバイス用薄膜トランジスタ基板およびフレキシブルデバイス
JP2012133944A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 面発光素子用基板、面発光素子用基板の製造方法、面発光素子、照明器具及び表示装置。

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200022446A (ko) * 2017-06-23 2020-03-03 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 플렉시블 디바이스용 기판

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