KR20150073069A - 페라이트 조성물, 페라이트 플레이트, 안테나 소자용 부재, 및 안테나 소자 - Google Patents

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KR20150073069A
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노리즈미 아사노
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Abstract

[과제] 고주파대역(예를 들면 13.56MHz)에 있어서 통신 거리가 긴 안테나 소자에 적합한 페라이트 조성물과, 당해 페라이트 조성물로 이루어진 페라이트 플레이트, 당해 페라이트 플레이트로 이루어진 안테나 소자용 자성 부재와, 당해 페라이트 플레이트, 또는 당해 안테나 소자용 부재를 갖는 안테나 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단] 주성분이, 산화철을 Fe2O3 환산으로 45.0 내지 49.5몰%, 산화구리를 CuO 환산으로 4 내지 16.0몰%, 산화아연을 ZnO 환산으로 19.0 내지 25.0몰%를 함유하고, 잔부가 산화니켈로 구성되어 있고, 상기 주성분에 대해, 불가피 불순물을 제외하고, 부성분으로서, 산화티탄을 TiO2 환산으로 0.5 내지 2질량%, 산화코발트를 CoO 환산으로 0.35 내지 2질량% 함유하는 것을 특징으로 하는 페라이트 조성물.

Description

페라이트 조성물, 페라이트 플레이트, 안테나 소자용 부재, 및 안테나 소자 {FERRITE COMPOSITION, FERRITE PLATE, MEMBER FOR ANTENNA ELEMENT, AND ANTENNA ELEMENT}
본 발명은, 통신 거리가 긴 안테나 소자에 적합한 페라이트 조성물과, 당해 조성물로 이루어진 페라이트 플레이트, 당해 페라이트 플레이트로 이루어진 안테나 소자용 부재, 및 이들 중 어느 하나를 구비한 안테나 소자에 관한 것이다.
13.56MHz대 RFID(Radio Frequency IDentification) 시스템, 또는 NFC(Near Field Communication) 시스템은, IC 카드나 IC 태그와, 리더/라이터 간에, 비접촉으로의 근거리 무선 통신을 실시하는 기술이다. 이러한 IC 카드나 IC 태그는, IC 칩 및 안테나 코일을 구비하고 있고, 리더/라이터에도 안테나 코일이 구비되어 있다.
IC 카드 등을 리더/라이터에 근접시킴으로써, 이들의 안테나 코일 간에 발생하는 전자 유도(電磁 誘導)에 의해 자속이 발생한다. 이 자속을 IC 카드 등과 리더/라이터 간에서 교환하는 것에 의해, 전력의 공급 및 IC 칩에 기록된 정보의 교환이 가능해진다.
이 때, 안테나 코일의 배면 등에 통신 회로 등의 금속이 하우징 내에 일체적으로 배치되어 있으면, 발생한 자속에 의해 금속에 와전류가 발생하고, 이 와전류가, 발생한 자속과는 역방향의 자계를 발생시켜 버린다. 그 결과, 발생한 자속이 약해져 통신 거리가 짧아지거나, 또는 통신이 불가능하게 된다는 결함이 발생한다. 또한, 와전류가 발생함으로써, 열적인 손실도 발생한다.
이러한 문제를 해결하기 위해, 안테나 코일과 금속과의 사이에 투자율(透磁率)이 높은 재료로 구성되는 자성체를 배치하는 것이 제안되어 있다. 일반적으로 투자율 μ은, 복소투자율(複素透磁率) μ = μ'-jμ"로서 표현된다(j는 허수 단위). 복소투자율의 실부(實部) μ'는 통상의 투자율 성분을, 허부(虛部) μ"는 손실을 나타내는 재료 상수이다. 이들 재료 상수가, 근거리 무선 통신에 있어서의 통신 거리를 지배하는 인자가 된다. 통신 거리를 향상시키기 위해서는 낮은 μ"로 열적인 손실을 억제하면서, 높은 μ'로 자속을 집속시키는 것이 중요해진다.
NiZn계의 페라이트 재료는, 높은 저항율을 갖기 때문에 고주파대역에서의 손실을 억제할 수 있어, 고주파용의 자성체 재료로서 사용되는 것이 많다. 특히 CoO를 함유시킴으로써 고주파 특성을 개선하기 위한 각종 연구가 이루어지고 있다. 예를 들면 특허문헌 1에서는 CoO를 함유시킴으로써 안테나 모듈용 자심(磁芯) 부재로서의 특성 개선이 이루어지고 있다. 또한, 특허문헌 2에서는, Co의 분산성 향상을 위해, 미리 스피넬화시킨 코발트 페라이트(CoFe2O4)의 첨가가 개시되어 있다. 특허문헌 3에서는 Co2O3·Fe2O3로서 첨가함으로써 CoO의 선택적 반응을 제어하고 있다. 그러나, 이러한 고주파 재료는 복소투자율의 실부 μ'의 저하를 수반하여, 안테나 소자로서 실장한 경우, 충분한 통신 거리가 얻어지지 않는다는 문제가 있었다.
일본 공개특허공보 특개2005-340759호 일본 특허공보 제5224495호 일본 공개특허공보 특개2013-133263호
본 발명은, 이러한 실상을 감안하여 이루어져, 고주파대역(예를 들면 13.56MHz)에 있어서의 통신 거리가 긴 안테나 소자에 적합한 페라이트 조성물과, 당해 페라이트 조성물로 이루어진 페라이트 플레이트, 당해 페라이트 플레이트로 이루어진 안테나 소자용 부재, 또는 당해 안테나 소자용 부재를 갖는 안테나 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르는 페라이트 조성물은, 주성분이, 산화철을 Fe2O3 환산으로 45.0 내지 49.5몰%, 산화구리를 CuO 환산으로 4 내지 16.0몰%, 산화아연을 ZnO 환산으로 19.0 내지 25.0몰% 함유하고, 잔부(殘部)가 산화니켈로 구성되어 있고, 상기 주성분에 대해, 불가피 불순물을 제외하고, 부성분으로서, 산화티탄을 TiO2 환산으로 0.5 내지 2질량%, 산화코발트를 CoO 환산으로 0.35 내지 2질량% 함유하는 것을 특징으로 한다. 특히 TiO2를 함유함으로써, μ"의 주파수 의존성이 급준(急峻)해지기 때문에, RFID, 또는 NFC의 통신 주파수인 13.56MHz 부근에 있어서, 높은 μ'를 유지하면서, μ"를 저감시키는 것이 가능해진다. 또한 본 발명에 따르는 페라이트 조성물로 이루어진 페라이트 플레이트, 또는 안테나 소자용 부재를 안테나 소자에 적용함으로써, 통신 거리의 향상을 실현할 수 있다.
본 발명에 의하면, 주성분을 구성하는 산화물의 함유량을 상기의 범위로 하고, 또한 부성분으로서 산화티탄, 산화코발트를 상기의 범위로 함유시킴으로써, 안테나 코일을 구비한 IC 카드나 IC 태그와, 리더/라이터와의 사이의 비접촉 근거리 무선 통신에 있어서, 통신 거리가 긴 안테나 소자에 적합한 페라이트 조성물이 얻어진다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따르는 안테나 소자의 개략 분해 사시도이다.
도 2는 점착재층, 보호층에 의해 보지(保持)되고 다수 개의 면상 소편(面狀 小片)으로 분할된, 안테나 소자용 부재의 부분 단면도이다.
도 3은 면상 소편으로 분할된 안테나 소자용 부재에 있어서, TiO2와 CoO를 모두 함유하는 경우와, CoO만 함유하는 경우와, TiO2와 CoO를 모두 함유하지 않는 경우의 복소투자율의 주파수 특성을 도시하는 그래프이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 관해 설명한다. 한편, 본 발명은 이하의 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한 이하에 기재한 구성 요소는, 적절히 조합할 수 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따르는 안테나 소자(1)는, 점착재층(18)과, 루프 형상의 안테나 코일(14)과, 보호층(16)과, 페라이트 플레이트(12)를 갖고 있다. 한편, 도 1에서는, 외부와의 접속 단자, 통신 처리 회로 등의 도시를 생략하고 있다.
본 실시형태에 따르는 페라이트 플레이트는, 본 실시형태에 따르는 페라이트 조성물로 구성되어 있다. 본 실시형태에 따르는 페라이트 조성물은, NiCuZn계 페라이트이고, 주성분으로서, 산화철, 산화구리, 산화아연 및 산화니켈을 함유하고 있다.
주성분 100몰% 중, 산화철의 함유량은, Fe2O3 환산으로, 45.0 내지 49.5몰%, 바람직하게는 45.5 내지 48.5몰%, 보다 바람직하게는 46.0 내지 48.0몰%이다. 산화철의 함유량이 지나치게 적으면, 고주파대역의 복소투자율의 실부 μ'가 저하되고, 지나치게 많으면, 고주파대역의 복소투자율의 허부 μ"가 증대되는 경향이 있다. 어느 것이나 안테나 소자로서 사용하는 경우, 통신 거리의 저하를 초래하는 요인이 된다.
주성분 100몰% 중, 산화구리의 함유량은, CuO 환산으로, 4.0 내지 16.0몰%, 바람직하게는 5.6 내지 14.8몰%, 보다 바람직하게는 6.8 내지 12.0몰%이다. 산화구리의 함유량이 지나치게 적으면, 고주파대역의 복소투자율의 실부 μ'가 저하되고, 지나치게 많으면, 이상(異常) 입자 성장을 야기하여, 복소투자율의 실부 μ'는 향상되지만, 허부 μ"가 급격하게 악화되는 경향이 있다. 어느 것이나 안테나 소자로서 사용하는 경우, 통신 거리의 저하를 초래하는 요인이 된다.
주성분 100몰% 중, 산화아연의 함유량은, ZnO 환산으로, 19.0 내지 25.0몰%, 바람직하게는 20.0 내지 24.5몰%, 보다 바람직하게는 21.0 내지 24.0몰%이다. 산화아연의 함유량이 지나치게 적으면, 고주파대역의 복소투자율의 실부 μ'가 저하되고, 지나치게 많으면, 고주파대역의 복소투자율의 허부 μ"가 증대되는 경향이 있다. 어느 것이나 안테나 소자로서 사용하는 경우, 통신 거리의 저하를 초래하는 요인이 된다.
주성분의 잔부는, 산화니켈만으로 구성되어 있어도 좋고, 불가피적 불순물인 산화망간 등을 함유하고 있어도 좋다. 주성분의 잔부에, 산화니켈이 함유되는 경우, Ni-Cu-Zn계 페라이트 소결체의 주성분 100몰% 중, 산화니켈의 함유량은, NiO 환산으로, 9.5 내지 32.0몰%, 바람직하게는 15.0 내지 30.0몰%, 보다 바람직하게는 17.0 내지 28.0몰%이다. 산화니켈의 함유량이 NiO 환산으로 9.5몰% 미만이었던 경우, 복소투자율의 공명 주파수가 저주파측으로 시프트하여, 고주파대역의 복소투자율의 허부 μ"가 증대되는 경향이 있다. 한편, 산화니켈의 함유량이 NiO 환산으로 32.0몰%보다 많았던 경우, 고주파대역 뿐만 아니라 저주파대역에 있어서도 복소투자율의 실부 μ'가 낮아지는 경향이 있다. 어느 것이나 안테나 소자로서 사용하는 경우, 통신 거리의 저하를 초래하는 요인이 된다.
본 실시형태에 따르는 페라이트 조성물은, 상기의 주성분에 더하여, 부성분으로서, 산화티탄 및 산화코발트를 함유하고 있다.
산화티탄의 함유량은, 주성분에 대해, TiO2 환산으로, 0.5 내지 2질량%, 바람직하게는 0.6 내지 1.9질량%, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.8질량%이다. 산화티탄의 함유량이 지나치게 적으면, 고주파대역의 복소투자율의 실부 μ'가 저하되고, 지나치게 많으면 복소투자율의 공명 주파수가 현저하게 저주파측으로 시프트하여, 그 결과, 고주파대역의 복소투자율의 허부 μ"가 증대되는 경향이 있다. 어느 것이나 안테나 소자로서 사용하는 경우, 통신 거리의 저하를 초래하는 요인이 된다.
산화코발트의 함유량은, 주성분에 대해, CoO 환산으로, 0.35 내지 2질량%, 바람직하게는 0.4 내지 1.5질량%, 보다 바람직하게는 0.5 내지 1질량%이다. 산화코발트의 함유량이 지나치게 적으면, 고주파대역의 허부 μ"가 급격하게 악화된다. 지나치게 많으면 고주파대역의 실부 μ'가 저하되기 때문에, 어느 것이나 안테나 소자로서 사용하는 경우, 통신 거리의 저하를 초래하는 요인이 된다.
한편, 산화티탄이 단독으로 함유되어 있는 경우에는 상기의 효과는 충분히 얻어지지 않는다. 즉, 상기의 효과는, 산화티탄 및 산화코발트의 2종이 함유되고, 또한 산화티탄과 산화코발트의 함유량이 본 발명의 범위 내로 제어된 경우에 비로소 얻어지는 복합적인 효과이다.
본 실시형태에 따르는 페라이트 조성물에 있어서는, 주성분의 조성 범위가 상기의 범위로 제어되어 있는 것에 더하여, 부성분으로서, 산화티탄 및 산화코발트가 특정량 함유되어 있다. 특히 산화티탄을 첨가함으로써, 복소투자율의 허부 μ"의 주파수 의존성이 급준한 거동을 나타내고, RFID, 또는 NFC의 통신 주파수 13.56MHz 근방에 있어서, 높은 μ'를 유지하면서 낮은 μ"화가 가능해진다. 이러한 페라이트 조성물을 안테나 소자로서 사용한 경우에, 통신 거리의 향상이 가능해진다.
다음으로, 본 실시형태에 따르는 페라이트 조성물로 구성되는 페라이트 플레이트의 제조 방법의 일례를 설명한다.
우선, 출발 원료(주성분의 원료 및 부성분의 원료)를, 소정의 조성비가 되도록 칭량하고 혼합하여, 원료 혼합물을 수득한다. 혼합하는 방법으로서는, 예를 들면, 볼밀을 사용하여 실시하는 습식 혼합이나, 건식 믹서를 사용하여 실시하는 건식 혼합을 들 수 있다. 한편, 평균 입자 직경이 0.1 내지 3㎛인 출발 원료를 사용하는 것이 바람직하다.
주성분의 원료로서는, 산화철(α-Fe2O3), 산화구리(CuO), 산화아연(ZnO), 산화니켈(NiO), 또는 이들을 함유하는 복합 산화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 기타, 소성에 의해 상기한 산화물이나 복합 산화물이 되는 각종 화합물 등을 사용할 수 있다. 소성에 의해 상기한 산화물이 되는 것으로서는, 예를 들면, 금속단체(金屬單體), 탄산염, 옥살산염, 질산염, 수산화물, 할로겐화물, 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다.
부성분의 원료로서는, 산화티탄(TiO2), 및 산화코발트(Co3O4)를 사용할 수 있다. 산화코발트에 관해서는, CoO, 코발트 페라이트(CoFe2O4)라도 좋지만, Co3O4는, 보관이나 취급이 용이한 점, 공기 중에서도 가수(價數)가 안정되어 있는 점, 양산성(量産性)이 우수한 점에서 산화코발트의 원료로서 바람직하다.
다음으로, 원료 혼합물의 가소(假燒)를 실시하여, 가소 재료를 수득한다. 가소는, 원료의 열분해, 성분의 균질화, 페라이트의 생성, 소결에 의한 초미분(超微粉)의 소실과 적당한 정도의 입자 사이즈로의 입자 성장을 촉진시켜, 원료 혼합물을 후공정에 적합한 형태로 변환시키기 위해 실시된다. 이러한 가소는, 바람직하게는 800 내지 1100℃의 온도에서, 통상 1 내지 3시간 정도 실시한다. 가소는, 대기(공기) 중에서 실시해도 좋고, 대기중보다도 산소 분압이 높은 분위기나 순산소(純酸素) 분위기에서 실시해도 좋다. 한편, 주성분의 원료와 부성분의 원료의 혼합은, 가소 전에 실시해도 좋고, 가소 후에 실시해도 좋다.
다음으로, 가소 재료의 분쇄를 실시하여, 분쇄 재료를 수득한다. 분쇄는, 가소 재료의 응집을 무너뜨려 적당한 정도의 소결성을 갖는 분체로 하기 위해 실시된다. 가소 재료가 큰 덩어리를 형성하고 있을 때에는, 조분쇄(粗粉碎)를 실시한 후 볼밀이나 아트라이터 등을 사용하여 습식 분쇄를 실시한다. 습식 분쇄는, 분쇄 재료의 평균 입자 직경이, 바람직하게는 0.5 내지 2㎛ 정도가 될 때까지 실시한다.
수득된 분쇄 재료를 사용하여, 본 실시형태에 따르는 페라이트 플레이트를 제조한다. 당해 페라이트 플레이트를 제조하는 방법에 관해서는 제한되지 않지만, 이하에서는, 시트법을 사용한다.
우선, 수득된 분쇄 재료를, 용매, 바인더, 분산제, 가소제 등의 첨가제와 함께 슬러리화하여, 페이스트를 제작한다. 그리고, 이 페이스트를 사용하여 50 내지 350㎛의 두께를 갖는 그린 시트를 형성한다. 한편, 수득된 그린 시트를 복수 매 적층해도 좋다. 이어서, 형성된 그린 시트를 소정의 형상으로 가공하고, 탈바인더 공정, 소성 공정을 거쳐, 본 실시형태에 따르는 30 내지 300㎛의 두께를 갖는 페라이트 플레이트가 수득된다. 소성은, 바람직하게는 900 내지 1300℃의 온도에서, 통상 2 내지 5시간 정도 실시한다. 또한, 소성은, 대기(공기) 중에서 실시해도 좋고, 대기중보다도 산소 분압이 높은 분위기에서 실시해도 좋다. 이와 같이 하여 본 실시형태에 따르는 페라이트 플레이트가 수득된다.
상기한 실시형태에서는, 페라이트 플레이트를 시트법에 의해 제조했지만, 예를 들면, 페라이트 분말과 바인더 수지를 혼합한 후, 분말 압축 성형법, 사출 성형법, 캘린더법, 압출법 등의 공지의 방법에 의해 제조해도 좋다.
이어서, 수득된 페라이트 플레이트의 편면(한쪽 표면)에 점착재층(18), 예를 들면, 양면 점착 테이프를 설치한다. 그리고, 점착재층이 형성되어 있는 면과 반대측의 표면(다른쪽의 표면)에는, 페라이트 플레이트의 탈락을 방지하기 위한 보호층(16)을 설치한다. 보호층의 형성은, 보호층을 구성하는 수지의 필름 또는 시트를, 필요에 따라 접착제를 개재하여 소결 페라이트판의 표면에 접착함으로써, 또는, 보호층을 구성하는 수지를 함유하는 도료를 소결 페라이트판의 표면에 도포함으로써 실시한다. 페라이트 플레이트의 양면을 상기 2층(점착재층(18)과 보호층(16))으로 보지한 상태로 하여, 이들을 압연 장치의 롤러에 대해 0도 방향, 90도 방향으로 1회씩 통과시킴으로써, 페라이트 플레이트가 격자상으로 다수 개의 면상 소편으로 분할되어 공극(19)이 발생한다(도 2 참조). 이와 같이 하여 본 실시형태에 따르는, 굴곡성 및 유연성을 갖는 안테나 소자용 부재가 수득된다.
이어서, 수득된 안테나 소자용 부재(20)의 점착재층(18)의 면에 대해, 비접촉 통신용의 안테나 코일(14)을 붙인다. 안테나 코일(14)은, 중앙에 개구부를 구비한 루프 형상의 루프 안테나 구조로 되어 있고, 루프 형상은 원형 또는 대략 직사각형 또는 다각형의 어느 것이라도 좋다. 또한, 안테나 코일(14)의 재질로서는, 도전성의 금속제 선재(線材), 금속제 판재(板材), 금속제 박재(箔材), 또는 금속제 통재(筒材) 등으로부터 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들면, 금속선, 금속박, 도전체 페이스트, 도금 전사(轉寫), 스퍼터링, 증착, 또는 스크린 인쇄에 의해 안테나 코일(14)을 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 본 실시형태에 따르는 안테나 소자(1)가 수득된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명해 왔지만, 본 발명은 이러한 실시형태로 조금도 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 다양한 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
[실시예]
이하, 본 발명을 더욱 상세한 실시예에 기초하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되지 않는다.
우선, 주성분의 원료로서, Fe2O3, NiO, CuO, ZnO를, 부성분의 원료로서, TiO2 및 Co3O4를 준비하고, 표 1에 기재한 소정의 배합이 되도록 칭량하고, 여기에 500mL의 이온 교환수를 용매로서 가하고 강철제 볼밀로 16시간 혼합하여 원료 혼합물을 수득하였다.
수득된 원료 혼합물을 가열노를 사용하여 최고 온도 800℃에서 2시간 가소한 후, 이것을 노를 냉각시켜 가소 재료를 수득하였다. 가소 재료를 30메쉬의 체로 해쇄(解碎)한 후, 다시 500mL의 이온 교환수를 용매로서 가하고, 강철제 볼밀로 16시간 습식 분쇄를 실시하여 분쇄 재료를 수득하였다.
수득된 분쇄 재료의 페라이트 분말 100질량%에, 아디프산디옥틸 3.5질량%, 부티랄 수지 8질량%, 및 용매로서 크실렌과 이소부틸알코올의 혼합 용액(크실렌:이소부틸알코올 = 6:4(질량비)) 72질량%를 볼밀로 혼합, 용해, 분산시켜 혼합물(페이스트)을 수득하였다. 혼합물을 유(油) 로터리 진공 펌프로 감압 탈포한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름에, 수득된 혼합물을 닥터 블레이드로 일정한 두께로 도포하고, 100℃ 열풍으로 30분간 건조시켜, 두께 120㎛의 그린 시트를 수득하였다.
이어서, 수득된 그린 시트를 승온 속도 1℃/분으로 실온에서부터 500℃까지 승온시키고, 500℃에서 3시간 보지하여 탈지한 후, 1000℃로 가열하여 2시간 소결을 실시하여, 두께 약 100㎛의 페라이트 플레이트를 수득하였다.
수득된 페라이트 플레이트의 한쪽 표면에 점착재층으로서 시판 아크릴계 양면 테이프(30㎛)를, 다른쪽 표면에 보호층으로서, 시판 아크릴계 점착제를 도포한 편면 점착 시트(30㎛)를 붙이고, 점착재층과 보호층에 의해 보지된 상태의 페라이트 플레이트를 GAP양: 150㎛으로 조정한 압연 장치의 롤러에 대해, 0도 방향과 90도 방향으로 1회씩 통과시킴으로써, 페라이트 플레이트가 격자상으로 다수 개의 면상 소편으로 분할된 안테나 소자용 부재를 수득하였다.
안테나 소자용 부재의 편면 점착 시트를 박리하여, 분할된 페라이트 플레이트의 형상과 사이즈를 확인한 결과, 2 내지 3mm의 격자상으로 분할되어 있었다.
<자기 특성 평가>
복소투자율은, 다수 개의 면상 소편으로 분할된 두께 160㎛의 안테나 소자용 부재(페라이트 플레이트의 두께는 100㎛)로부터, 외부 직경 18mm, 내부 직경 10mm의 피나클 금형을 사용하여 원환체 형상으로 천공하고, 천공한 안테나 소자용 부재 6매를 서로 맞붙인 것을 사용하여, 임피던스 애널라이저(Agilent Technologies사 제조, 상품명: RF임피던스/머티리얼·애널라이저, 형식: E4991A)와 자성 재료 측정 전극(Agilent Technologies사 제조, 상품명: 자성 재료 테스트 픽쳐, 형식: 16454A)을 사용하여, 측정 온도 25℃에서 자기 특성 평가를 실시하였다.
<안테나 통신 거리>
다수 개의 면상 소편으로 분할된 두께 160㎛의 안테나 소자용 부재(페라이트 플레이트의 두께는 100㎛)로부터, 피나클 금형에 의해, 50mm×40mm의 치수를 갖는 장방형으로 천공하여 통신 거리 측정용의 시료로 하였다. 안테나 소자용 부재의 보호층을 갖는 면에 하우징 셀, 전지 팩 등의 금속을 본뜬 구리판을 배치하고, 그리고 점착재층을 갖는 면에 50mm×40mm의 치수를 갖는 NFC 시스템용의 안테나 코일(루프 안테나 구조, 패턴: 대략 직사각형)을 붙여 측정용의 태그로 하였다. 태그와 NFC용 리더 라이터(ID Tech사 제조, 상품명: 콘택트리스 리더, 형식: ViVOpay 5000)와의 사이에 안테나 모듈을 구성하여, 13.56MHz의 공진 주파수에 있어서의 25℃의 통신 거리를 측정하였다.
얻어진 측정 평가 결과를 표 1에 기재한다. Ni-Cu-Zn계 페라이트 소결체의 참고예로서 IBF 10(시리즈명, TDK사 제조)을 기재하였다. 본 실시예에서는, 통신 거리가 IBF 10보다 양호(50.0mm 이상)한 것이 바람직하며, μ'는 165 이상, μ"는 7 이하인 것이 더욱 바람직하다.
Figure pat00001
표 1로부터 부성분인 TiO2 및 CoO의 2종이 함유되고, 또한 함유량이 본 발명의 범위 내인 경우(실시예 1 내지 38), 높은 μ'를 유지하면서 낮은 μ"화가 가능해져, 양호한 통신 거리가 수득되는 것이 확인되었다. 이에 반해, 부성분인 TiO2 및 CoO의 2종이 모두 함유되지 않는 경우(비교예 13), μ"의 증대를 초래하여, 통신 거리의 저하가 확인되었다. 또한, 어느 1종류밖에 함유되지 않는 경우(비교예 1, 3, 11, 12), μ'의 저하 또는 μ"의 증대를 초래하여, 통신 거리의 저하가 확인되었다. 특히, 동등한 μ'가 수득되는 실시예 9와 비교예 12의 복소투자율 주파수 특성을 도시한 도 3으로부터, TiO2를 함유하고 있는 실시예 9의 μ" 프로파일이 보다 급준해지고 있는 것을 확인할 수 있다.
또한 Fe2O3, CuO, 및 ZnO 중 어느 하나의 함유량이 본 발명의 범위외가 되는 경우(비교예 5 내지 10), μ'의 저하 또는 μ"의 증대를 초래하여, 통신 거리의 저하가 확인되었다.
이들 결과에 의해, 본 발명에 의한 실시예의 페라이트 조성물은, 비교예 및 참고예의 것에 비해, 높은 μ'화, 낮은 μ"화로 우위성이 나타나서, 안테나 소자용으로서 적용함으로써 통신 거리가 각별하게 향상되는 것이 확인되었다.
이상과 같이, 본 발명에 따르는 페라이트 조성물을, 안테나 소자용 부재에 적용함으로써, 통신 거리를 비약적으로 향상시키는 것이 확인되었다. 또한 일정한 통신 거리를 유지한 채, 안테나의 박형화도 가능해지기 때문에, 스페이스 절약화라는 의미에서도 유용하다.
1 … 안테나 소자
12 … 페라이트 플레이트
14 … 안테나 코일
16 … 보호층
18 … 점착재층
19 … 공극
20 … 안테나 소자용 부재

Claims (5)

  1. 주성분이, 산화철을 Fe2O3 환산으로 45.0 내지 49.5몰%, 산화구리를 CuO 환산으로 4 내지 16.0몰%, 산화아연을 ZnO 환산으로 19.0 내지 25.0몰% 함유하고, 잔부(殘部)가 산화니켈로 구성되어 있고, 상기 주성분에 대해, 불가피 불순물을 제외하고, 부성분으로서, 산화티탄을 TiO2 환산으로 0.5 내지 2질량%, 산화코발트를 CoO 환산으로 0.35 내지 2질량% 함유하는 것을 특징으로 하는, 페라이트 조성물.
  2. 제1항에 기재된 조성물로 이루어진 페라이트 플레이트.
  3. 페라이트 플레이트의 한쪽 표면에 점착재층, 다른쪽 표면에 보호층이 설치되어 있고, 상기 2층에 의해 보지(保持)된 상태에서, 페라이트 플레이트가 다수 개의 면상 소편(面狀 小片)으로 분할된, 제2항에 기재된 페라이트 플레이트를 사용한 안테나 소자용 부재.
  4. 제2항에 기재된 페라이트 플레이트를 갖는 안테나 소자.
  5. 제3항에 기재된 안테나 소자용 부재를 갖는 안테나 소자.
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