KR20150048126A - 방사선상 변환 패널 - Google Patents

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KR20150048126A
KR20150048126A KR1020157004678A KR20157004678A KR20150048126A KR 20150048126 A KR20150048126 A KR 20150048126A KR 1020157004678 A KR1020157004678 A KR 1020157004678A KR 20157004678 A KR20157004678 A KR 20157004678A KR 20150048126 A KR20150048126 A KR 20150048126A
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준 사쿠라이
가츠히코 스즈키
이치노부 시미즈
고우지 가미무라
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하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
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Abstract

방사선상 변환 패널은 지지체와, 지지체의 표면상에 마련되고, 복수의 주상 결정으로 이루어진 휘진성 형광체층과, 휘진성 형광체층상에 마련된 제1 여기광 흡수층을 구비하고, 복수의 주상 결정의 각각은, 지지체측에 있어서 나선 모양으로 적층되어 이루어진 나선 구조부와, 나선 구조부로부터 제1 여기광 흡수층을 향해 연장되어 이루어진 주상부를 가지고, 휘진성 형광체층은 입사된 방사선을 축적하고, 제1 여기광 흡수층을 통해서 여기광이 조사됨으로써, 축적되어 있는 방사선에 따른 광을 제1 여기광 흡수층을 통해서 출사한다.

Description

방사선상 변환 패널{RADIATION IMAGE CONVERSION PANEL}
본 발명의 일 측면은 방사선상 변환 패널에 관한 것이다.
휘진성 형광체층(photo stimulable phosphor layer)을 이용한 방사선상 변환 패널에 있어서는, 방사선상의 해상도 및 콘트라스트를 향상시키기 위해서 여기광(勵起光)의 산란 및 난반사를 억제할 필요가 있다. 종래, 방사선상 변환 패널을 구성하는 어느 층을 여기광 흡수성을 가지는 여기광 흡수층으로 함으로써, 여기광의 산란 및 난반사를 억제하는 것이 행해지고 있다. 　
예를 들면, 특허 문헌 1에는, 지지체와, 지지체상에 마련된 인광체층(phosphor panel layer)과, 인광체층상에 마련된 폴리파라크실릴렌(polyparaxylylene) 등으로 이루어진 층 및 착색제가 더해진 방사선 경화성 피복 조성물로 이루어진 폴리머층의 2층 구조의 보호층을 구비하는 인광체 패널이 개시되어 있다. 또, 특허 문헌 2에는, 지지체의 일면에 휘진성 형광체층이 마련되고, 타면에 여기광 흡수층(착색 수지층)이 마련된 방사선 화상 변환 패널이 개시되어 있다. 또, 특허 문헌 3에는, 지지체, 밑칠층(under coat layer), 형광체층 및 보호층을 차례로 적층해서 이루어지고, 이 적어도 한층이 착색제에 의해서 착색되어 있는 방사선상 변환 패널이 개시되어 있다. 　
또, 휘진성 형광체층을 이용한 방사선상 변환 패널에 있어서, 휘도를 향상시키기 위해서, 지지체와 휘진성 형광체층의 사이에 휘진 발광광의 반사층(백색 도료, 금속막 및 유전체 다층막 등)을 마련하는 구성이 있다. 예를 들면, 특허 문헌 4에는, 지지체, 재귀성 반사층(retroreflection layer) 및 도포형 형광체층을 차례로 적층해서 이루어지고, 재귀성 반사층은 여기광 및 휘진 발광광 모두를 반사하는 방사선상 변환 패널이 개시되어 있다.
특허 문헌 1: 일본국 특개 2003－75596호 공보　　 특허 문헌 2: 일본국 특개 2003－248091호 공보 특허 문헌 3: 일본국 특공소 59－23400호 공보 특허 문헌 4: 일본국 특개평 9－90100호 공보
그렇지만, 상술의 여기광 흡수층을 구비하는 방사선상 변환 패널에서는, 여기광 흡수층에 의해서 휘진 발광광이 조금이라도 흡수되므로, 휘도가 저하되어 버린다. 이와 같이, 종래의 휘진성 형광체를 이용한 방사선상 변환 패널에 있어서는, 해상도의 향상을 위한 구조는 휘도의 저하를 가져와 버린다. 　
한편, 상술의 휘진 발광 반사층을 구비하는 방사선상 변환 패널에서는, 휘진 발광 반사층에 의해서 여기광이 조금이라도 반사되므로, 여기광의 산란의 원인이 되어 버린다. 또, 라인 모양으로 휘진 발광광을 판독하는 판독 방법의 경우에는, 반사층에서의 휘진 발광광 확대가 해상도 저하의 원인이 되어 버린다. 즉, 여기광 및 휘진 발광광이 반사층에 의해서 주상(柱狀) 결정 사이를 넘어서 확산 반사되므로, 휘도는 향상되지만, 해상도는 저하된다. 이와 같이, 종래의 휘진성 형광체를 이용한 방사선상 변환 패널에 있어서는, 휘도의 향상을 위한 구조는 해상도의 저하를 가져와 버린다. 　
이상과 같이, 종래의 휘진성 형광체를 이용한 방사선상 변환 패널에서는, 휘도와 해상도가 트레이드·오프의 관계에 있으므로, 용도에 따라 휘도와 해상도의 밸런스를 이루도록 패널의 구조를 생각할 필요가 있다. 또, 여기광 흡수층을 마련한 해상도 및 콘트라스트를 중요시하는 타입의 패널에 있어서는, 휘도를 향상시키는 것은 충분히 고려되어 있지 않았다. 　
본 발명의 일 측면은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 해상도(콘트라스트)의 저하를 억제하면서, 휘도(광 출력)의 향상이 가능한 구조를 가지는 방사선상 변환 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면은 방사선상 변환 패널에 관한 것이다. 이 방사선상 변환 패널은 지지체와, 지지체의 표면상에 마련되고, 복수의 주상 결정으로 이루어진 휘진성 형광체층과, 휘진성 형광체층상에 마련된 제1 여기광 흡수층을 구비한다. 복수의 주상 결정의 각각은, 지지체측에 있어서 나선 모양으로 적층되어 이루어진 나선 구조부와, 나선 구조부로부터 제1 여기광 흡수층을 향해 연장되어 이루어진 주상부를 가지고, 휘진성 형광체층은 입사된 방사선을 축적하고, 제1 여기광 흡수층을 통해서 여기광이 조사됨으로써, 축적되어 있는 방사선에 따른 광을 제1 여기광 흡수층을 통해서 출사한다. 　
이 방사선상 변환 패널에 있어서는, 지지체상에 주상 결정 구조를 가지는 휘진성 형광체층이 마련되고, 복수의 주상 결정의 각각은, 지지체측에 있어서 나선 모양으로 적층되어 이루어진 나선 구조부와, 나선 구조부로부터 제1 여기광 흡수층을 향해 연장되어 이루어진 주상부를 가지고 있다. 이 나선 구조부는, 휘진 발광광 반사층으로서 기능하므로, 1개의 주상 결정 내에 있어서 휘진 발광한 광 중 지지체측을 향하는 광을 반사하여 제1 여기광 흡수층을 통해서 출사할 수 있어, 광출력(휘도)의 향상이 가능해진다. 또, 나선 구조부는 지지체측에 있어서 주상 결정이 나선 모양으로 적층되어 이루어지고, 주상부에 이어져 있으므로, 나선 구조부에서 반사된 휘진 발광광은 주상부를 따라서 도광된다. 즉, 1개의 주상 결정에 있어서 휘진 발광한 광 중 지지체측을 향하는 광은, 그 주상 결정의 나선 구조부에 의해서 반사되고, 반사된 광은 그 주상 결정의 주상부를 따라서 도광된다. 이 때문에, 주상 결정에 있어서의 휘진 발광광이 반사에 의해서 다른 주상 결정으로 확산되는 것을 방지할 수 있어, 반사에 의한 해상도의 저하를 억제할 수 있다. 또, 나선 구조부는 여기광도 반사하지만, 휘진 발광광과 마찬가지로 여기광이 입사된 주상 결정 내에서 반사되므로, 입사된 주상 결정 이외의 주상 결정에 있어서 잠상(潛像)을 여기하는 일이 없어, 해상도의 저하를 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도의 저하를 억제하면서, 휘도의 향상이 가능해진다. 　
방사선상 변환 패널은, 휘진성 형광체층을 사이에 두고 제1 여기광 흡수층과 대향하는 제2 여기광 흡수층을 추가로 구비해도 좋다. 또, 제2 여기광 흡수층은, 지지체와 휘진성 형광체층의 사이에 마련되어도 좋다. 또, 제2 여기광 흡수층은, 지지체의 표면과 반대측의 지지체의 이면에 마련되어도 좋다. 이것에 의해, 나선 구조부에서 반사되지 않고 휘진성 형광체층을 투과한 여기광을, 제2 여기광 흡수층에 의해서 흡수할 수 있어, 지지체측에서의 여기광의 산란 및 난반사를 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도 저하의 추가 억제가 가능해진다.
제2 여기광 흡수층은, 휘진성 형광체층에서 휘진 발광된 광을 흡수해도 좋다. 이것에 의해, 나선 구조부에서 반사할 수 없었던 휘진 발광광을 지지체측에서 흡수할 수 있어, 휘진 발광광 산란을 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도 저하의 추가 억제가 가능해진다. 　
지지체는 여기광 흡수성을 가져도 좋다. 이것에 의해, 나선 구조부에서 반사되지 않고 휘진성 형광체층을 투과한 여기광을, 지지체에 의해서 흡수할 수 있어, 지지체측에서의 여기광의 산란 및 난반사를 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도 저하의 추가 억제가 가능해진다. 　
지지체는 휘진성 형광체층에서 휘진 발광된 광을 흡수해도 좋다. 이것에 의해, 나선 구조부에서 반사할 수 없었던 휘진 발광광을 지지체로 흡수할 수 있어, 휘진 발광광 산란을 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도 저하의 추가 억제가 가능해진다. 　
제1 여기광 흡수층은 휘진성 형광체층을 보호하는 내습성 보호막이어도 좋다. 이것에 의해, 휘진성 형광체층이 공기 중의 수증기를 흡습하는 것을 억제할 수 있어, 휘진성 형광체층의 조해를 억제할 수 있다.
휘진성 형광체층은 Eu를 도프한 CsBr을 포함하는 휘진성 형광체로 구성되어도 좋다. 이것에 의해, 방사선의 축적 성능, 및 축적된 방사선의 광으로의 변환 성능을 향상시킬 수 있다. 　
제1 여기광 흡수층은 휘진성 형광체층의 표면 및 측면을 덮도록 마련되어도 좋다. 제1 여기광 흡수층이 휘진성 형광체층의 표면 및 측면을 덮음으로써, 휘진성 형광체층의 표면 및 측면에서 여기광을 흡수할 수 있어, 휘진성 형광체층의 표면 및 측면에 있어서의 여기광의 산란 및 난반사를 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도 저하의 추가 억제가 가능해진다. 　
또, 제1 여기광 흡수층은 지지체의 측면을 덮도록 마련되어도 좋다. 제1 여기광 흡수층이 지지체의 측면을 덮음으로써, 지지체의 측면에서 여기광을 흡수할 수 있어, 지지체의 측면에 있어서의 여기광의 산란 및 난반사를 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도 저하의 추가 억제가 가능해진다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 해상도의 저하를 억제하면서, 휘도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다. 　　
도 2 도 1의 방사선상 변환 패널을 확대하여 도시한 개략 측단면도이다. 　
도 3은 도 1의 휘진성 형광체층을 구성하는 주상 결정의 지지체에 직교하는 방향의 개략 단면도이다.
도 4는 도 3의 주상 결정의 나선 구조부의 지지체에 직교하는 방향의 개략 단면도이다.
도 5는 방사선상 변환 패널의 광출력과 해상도의 관계를 도시한 도면이다.
도 6는 제2 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다.　　
도 7은 제3 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다.　　
도 8은 제4 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다.
도 9는 제5 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 일 측면에 따른 방사선상 변환 패널의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에 있어서는 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 부여하고, 중복하는 설명을 생략한다. 　
［제1 실시 형태］
도 1은 제1 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다. 도 2는 도 1의 방사선상 변환 패널을 확대하여 도시한 개략 측단면도이다. 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 방사선상 변환 패널(10)은, 입사된 X선 등의 방사선 R을 광 L로 변환하여 검출하기 위한 패널로서, 예를 들면 사각형판 형상을 나타내고 있다. 방사선상 변환 패널(10)의 길이는 100mm 정도, 폭은 100mm 정도, 두께는 0.4mm 정도이다. 　
방사선상 변환 패널(10)은, 예를 들면 치과용의 이미징 플레이트(Needle　Imaging　Plate；NIP)로서 이용된다. 또, 방사선상 변환 패널(10)은, 도시되지 않은 HeNe 레이저 및 PMT(Photomultiplier　Tube；광전자 증배관) 등과 조합함으로써, 방사선 이미지 센서로서 이용된다. 이 방사선상 변환 패널(10)은, 지지체(1)와, 휘진성 형광체층(2)과, 제1 여기광 흡수층(3)을 구비하고 있다.
지지체(1)는 사각형 모양을 나타내고 있는 기재(基材)이다. 지지체(1)는, 예를 들면 폴리이미드, PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트), PEEK(폴리에테르 에테르 케톤), Al(알루미늄) 등의 금속, PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트), LCP(액정 폴리머), PA(폴리아미드), PES(폴리에테르 설폰), PPS(폴리페닐렌 설파이드), PBT(폴리부틸렌 테레프탈레이트), 유리, SUS박, CFRP(탄소섬유 강화 수지), 아모퍼스 카본으로 구성되어 있다. 지지체(1)의 두께는 예를 들면 10㎛ 이상이며, 예를 들면 500㎛ 이하이다. 이 지지체(1)는 일정한 가요성을 필요로 하는 경우는, 수지 필름을 선택하는 것이 바람직하다. 　
휘진성 형광체층(2)은 입사된 방사선 R을 흡수하여 축적하고, 여기광 E가 조사됨으로써 축적되어 있는 방사선 R의 에너지에 따른 휘진 발광광 L을 방출하는 층이다. 휘진성 형광체층(2)은 지지체(1)의 표면(1a)상에 마련되고, 그 두께는 예를 들면 80㎛ 이상이며, 예를 들면 600㎛ 이하이다. 　
이 휘진성 형광체층(2)은, 예를 들면 Eu(유로퓸)를 도프한 CsBr(브롬화 세슘)(이하, 「CsBr：Eu」라고 함)을 포함하는 휘진성 형광체로 구성되고, 복수의 주상 결정(25)(침상 결정이라고도 함)이 임립(林立)한 구조를 가진다. 또한, CsBr：Eu는 방사선의 축적 성능, 및 축적된 방사선의 광으로의 변환 성능이 높지만, 흡습성이 높고, 노출된 상태에서는 공기 중의 수증기를 흡습하여 조해되어 버린다. 또, 휘진성 형광체층(2)에 조사되는 여기광 E의 파장 범위는, 550~800nm 정도이고, 휘진성 형광체층(2)에 의해서 방출되는 휘진 발광광 L의 파장 범위는, 350~500nm 정도이다. 　
휘진성 형광체층(2)은 복수의 주상 결정(25)에 의해서 구성된 반사층(21) 및 주상층(22)을 가지고 있다. 휘진성 형광체층(2)의 두께는, 예를 들면 50㎛ ~1000㎛ 정도이고, 반사층(21)은 그 중의 약 1%~10% 정도를 차지하는 두께이고, 약 5㎛ ~ 약 50㎛ 정도의 두께를 가지고 있다. 　
주상 결정(25)은 휘진성 형광체(CsBr：Eu)의 결정을 성장시켜 얻은 것으로, 지지체(1)측의 근원 부분이 나선 구조부(23)가 되고, 나선 구조부(23)보다도 상측(상면(2a)측)의 부분이 주상부(24)가 되어 있다. 각 주상 결정(25)에 있어서, 나선 구조부(23)와 주상부(24)는, 휘진성 형광체의 결정이 연속해서 적층됨으로써 일체적으로 형성되어 있다. 또한, 주상 결정(25)은 나선 구조부(23)의 외경(外徑)보다도 주상부(24)의 외경이 작고, 선단측(先端側)(지지체(1)와 반대측)으로 갈수록 굵어지는 테이퍼 모양으로 형성되어 있다. 그리고 최선단부는 첨두(尖頭) 모양으로 되어 있으므로, 첨두 부분을 제외한 주상부(24)가 테이퍼 모양으로 형성된다. 　
나선 구조부(23)는 휘진성 형광체의 결정이 지지체(1)의 표면(1a)에서부터 나선 모양으로 적층되어 구성된 것으로, 중심축 X의 둘레 1주분(周分)의 부분(나선 루프)이 표면(1a)과 직교하는 방향으로 거의 규칙적으로 형성된 나선 구조를 가지고 있다. 도 3에서는, 23a, 23b로 도시된 범위가 1개 1개의 나선 루프를 구성하고 있다. 표면(1a)과 직교하는 방향의 나선 루프의 치수(이하 「나선 피치」라고도 말함)는, 약 0.5㎛ ~ 약 15㎛ 정도이고, 거의 마찬가지인 나선 루프가 복수(예를 들면 5개~ 약 15개 정도) 겹겹이 쌓여 나선 구조부(23)를 구성하고 있다. 　
또, 나선 구조부(23)는, 도 3에 도시된 것 같은 지지체(1)의 표면(1a)에 직교하는 방향(법선축 방향)의 단면에 있어서, 휘진성 형광체의 결정이 중심축 X를 사이에 두고 좌우에 반복하여 거의 규칙적으로 굴곡되어, 복수의 V자형 부분(23a, 23b)이 연결되어 얻어지는 굴곡 구조를 가지고 있다. 각 V자형 부분(23a, 23b)은 도 3에 있어서 우측으로 가장 돌출되는 부분이 절반부(折返部)(23c)가 되고, 각각의 연결되는 부분이 접속부(23d)가 되어 있다. 　
주상부(24)는 스트레이트부로서 나선 구조부(23)에 이어서 형성되고, 휘진성 형광체의 결정이 표면(1a)에 교차하는 방향을 따라서 거의 곧게 연장되어 형성된 주상 구조를 가지고 있다. 그리고 나선 구조부(23)와 주상부(24)는, 증착에 의해 연속해서 일체로 형성되어 있다. 　
또한, 주상 결정(25)은 입사 방사선 R에 따른 방사선 정보가 축적 기록되고, 여기광 E로서 적색 레이저광 등이 조사되면, 축적 정보에 따른 광이 주상부(24)를 도광되어 선단측(지지체(1)와 반대측)으로부터 방출된다. 반사층(21)은 주상 결정(25)을 도광되는 광 중, 반사층(21)측에 도광되는 광을 반사하여, 선단측으로부터 방출되는 광량을 증가시킨다. 　
그리고 주상 결정(25)은, 도 4의 (a)에 도시된 것처럼, 양옆의 주상 결정(26, 27)과의 관계에 있어서, 한쪽에 있어서의 상하로 떨어진 부분의 사이에, 다른 한쪽이 끼워져 들어간 삽입 구조를 가지고 있다. 즉, 도 4의 (a)을 확대한 도 4의 (b)에 도시된 것처럼, 서로 서로 이웃하는 주상 결정(26, 27)에 대해서, 주상 결정(25)의 접속부(23d)의 우측의, V자형 부분(23a, 23b)의 사이에 형성되는 간극(23e)에, 주상 결정(26)의 접속부(23d)가 끼워져 들어간 삽입 구조를 가지고 있다. 　
이 삽입 구조에 의해, 주상 결정(25)의 나선 구조부(23)에 있어서의 주상 결정(26)측의 부분과 주상 결정(26)의 나선 구조부(23)에 있어서의 주상 결정(25)측의 부분이, 지지체(1)의 표면(1a)과 수직인 방향에서 볼 때 서로 겹쳐있다. 보다 구체적으로는, 주상 결정(25)의 절반부(23c)와 주상 결정(26)의 접속부(23d)가 상측에서 볼 때 서로 겹쳐있다. 그리고 주상 결정(25)의 나선 구조부(23)와 주상 결정(26)의 나선 구조부(23)의 간극은, 지지체(1)의 표면(1a)과 평행한 방향(지지체(1)의 측면(1c)측)에서 볼 때 파선 모양으로 되어 있다. 　
이상과 같은 구조를 가지는 주상 결정(25) 중, 나선 구조부(23)에 의해서 반사층(21)이 구성되고, 주상부(24)에 의해서 주상층(22)이 구성되어 있다. 반사층(21)은 주상 결정(25)에서 발광한 광 L이 입사되었을 때에, 그 주상 결정(25)에서 입사된 광 L을 반사한다. 또, 주상층(22)은 주상 결정(25)에서 발광한 광 L, 및 반사층(21)에 의해서 반사된 광 L을 도광한다.
제1 여기광 흡수층(3)은, 여기광 E를 소정의 흡수율로 흡수하여, 휘진성 형광체층(2)에 있어서의 여기광 E의 확산 및 반사를 방지하기 위한 층이다. 제1 여기광 흡수층(3)은, 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)의 전체를 덮으면서, 또한 휘진성 형광체층(2)의 복수의 주상 결정(25)의 간극을 메우도록 마련되어 있다. 제1 여기광 흡수층(3)의 두께는 예를 들면 2㎛ 이상이며, 예를 들면 20㎛ 이하이다.
제1 여기광 흡수층(3)은, 예를 들면 우레탄 아크릴계 수지로 구성되고, 여기광 E를 선택적으로 흡수하는 색소를 함유하고 있다. 제1 여기광 흡수층(3)은, 예를 들면, 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율이 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율보다도 높아지는 색소를 함유하고 있다. 제1 여기광 흡수층(3)의 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 20~99.9% 정도, 제1 여기광 흡수층(3)의 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 0.1~40% 정도이다. 이러한 색소로서는, 예를 들면 사본 퍼스트 블루(Sabon first blue)3G(헤키스트(Hoechst)제), 에스트롤 브릴블루(Estrol Brillblue) N－3 RL(스미토모 화학제), D＆C 블루 No.1(네셔널 아닐린(National aniline)제), 스피릿 블루(Spirit Blue)(호도가야(Hodogaya) 화학제), 오일 블루(Oil blue) No.603(오리엔트제), 키튼 블루(Kitten Blue)-A(치바가이기((Ciba-geigy))제), 아이젠 캐딜론 블루(Eisen Cathilon Blue) GLH(호도가야 화학제), 레이크 블루(Lake Blue)-AFH(쿄오와 산업제), 프리모시아닌(Primocyanine) 6GX(이나바타 산업제), 브릴애시드 그린(Brillacid Green) 6BH(호도가야 화학제), 시안 블루(Cyan blue) BNRCS(토요 잉크제), 라이오놀 블루(Lionol Blue) SL(토요 잉크제) 등이 이용된다. 또 칼라 인덱스 No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460 등의 유기계 금속 착염색재도 들 수 있다. 무기계 색재로서는 군청, 코발트 블루, 셀룰리안 블루, 산화 크롬, TiO2－ZnO－Co－NiO계 안료 등을 들 수 있고, 제1 여기광 흡수층(3)은, 예를 들면 청색으로 착색되어 있다. 그리고 이러한 수지와 색소로 이루어진 제1 여기광 흡수층(3)은, 용융 수지의 도포 건조, 수지 필름의 접착층을 통한 접합, 스크린 인쇄에 의한 전사 등에 의해서 형성할 수 있다.
이상과 같이 구성된 방사선상 변환 패널(10)에서는, 제1 여기광 흡수층(3)을 통해서 방사선 R(방사선상)이 입사되면, 입사된 방사선 R이 휘진성 형광체층(2)에 의해서 흡수되어 축적된다. 그 후, 여기광 E로서 적색 레이저광 등이 제1 여기광 흡수층(3)을 통해서 휘진성 형광체층(2)에 조사되면, 휘진성 형광체층(2)에 의해서 축적되어 있는 방사선 R의 에너지에 따른 휘진 발광광 L이 주상 결정(25)에 도광되어, 선단으로부터 방출된다. 그리고 휘진성 형광체층(2)으로부터 방출된 휘진 발광광 L은, 제1 여기광 흡수층(3)을 투과하여 출사된다. 　
여기서, 방사선상 변환 패널(10)의 제조 방법의 일례를 설명한다. 우선, 지지체(1)의 표면(1a)에, CsBr：Eu의 주상 결정(25)을 진공 증착법 등의 기상(氣相) 퇴적법에 의해 성장시켜, 휘진성 형광체층(2)을 형성한다. 구체적으로 설명하면, 휘진성 형광체층(2)은, 지지체(1)를 중앙에 올려 놓는 재치용 원판과, 증착원(蒸着源)이 넣어진 링 모양의 수납부를 가지는 증착 용기를, 동축에 구비하는 도시되지 않은 제조 장치를 이용하여 형성된다. 수납부는 원판측의 평면은 폐쇄되어 있지만, 그 일부에 구멍부가 형성되어 있고, 셔터에 의해 개폐하도록 되어 있다. 　
원판과, 증착 용기를 동축으로 회전시켜, 수납부에 넣어진 증착원을 증발시킴과 아울러, 셔터를 개방하여, 증발시킨 증착원을 지지체(1)의 표면(1a)상에 적층시키는 것에 의해서 결정 성장을 행한다. 그때, 양쪽의 단위 시간당 회전수에 차(差)를 갖게 하여 원판의 회전 속도보다도 증착 용기의 회전 속도를 느리게 한다.
제조 장치에 있어서, 원판의 단위시간당 회전수(즉, 지지체(1)의 단위시간당 회전수)와, 증착 용기의 단위시간당 회전수(즉, 구멍부의 단위시간당 회전수)의 차를 회전수차라고 했을 때에, 그 회전수차를 어느 값보다도 작게 하면, 휘진성 형광체층(2)의 주상 결정(25)에 전술한 나선 구조부(23)가 나타난다. 이 때문에, 제조 개시부터 어느 정도의 시간 동안은 회전수차를 어느 값보다도 작게 한 상태에서 결정 성장을 행하여, 그것에 따라 전술한 나선 구조부(23)를 형성한다. 그 후, 회전수차를 크게 하여 주상부(24)를 형성함으로써 휘진성 형광체층(2)을 형성한다. 　
다음으로, 도포 건조에 의해서, 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)을 덮도록 제1 여기광 흡수층(3)을 10㎛ 정도의 두께로 형성한다. 이상과 같이 하여, 방사선상 변환 패널(10)이 제작된다.
도 5는 각 방사선상 변환 패널의 광출력과 해상도의 관계를 도시한 도면이다. 제1 비교예인 방사선상 변환 패널(100)은, 휘진성 형광체층이 나선 구조부를 가지지 않는다는 점, 및 제1 여기광 흡수층(3)을 대신하여 투명한 보호막(클리어 코트)을 가진다는 점에서 방사선상 변환 패널(10)과 상위하다. 제2 비교예인 방사선상 변환 패널(200)은, 제1 여기광 흡수층(3)을 대신하여 투명한 보호막(클리어 코트)을 가진다는 점에서 방사선상 변환 패널(10)과 상위하다. 방사선상 변환 패널(10), 방사선상 변환 패널(100) 및 방사선상 변환 패널(200)을 이용하여, 각각 2회씩 광출력 및 해상도를 측정했다. 도 5에서는, 방사선상 변환 패널(100)의 1회째의 측정 결과의 해상도 및 광출력을 1로 하여, 다른 측정 결과의 해상도 및 광출력을 규격화하고 있다.
도 5에 도시된 것처럼, 방사선상 변환 패널(200)의 광출력은 방사선상 변환 패널(100)의 광출력에 비해서 1.7배 정도 향상되어 있지만, 방사선상 변환 패널(200)의 해상도는 방사선상 변환 패널(100)의 해상도에 비해서 0.8배 정도로 저하해 있다. 한편, 방사선상 변환 패널(10)의 광출력은 방사선상 변환 패널(100)의 광출력에 비해서 1.4~1.5배 정도 향상되고, 방사선상 변환 패널(10)의 해상도는 방사선상 변환 패널(100)의 해상도에 대해서 약간 향상되어 있다.
이 결과로부터, 방사선상 변환 패널(10)은 제1 여기광 흡수층(3) 및 나선 구조부(23)를 구비함으로써, 방사선상 변환 패널(100)과 비교하여, 해상도의 저하를 억제하면서, 광출력을 향상시킨다는 것을 알 수 있다. 　
이상 설명한 것처럼, 방사선상 변환 패널(10)은, 복수의 주상 결정(25)으로 이루어진 휘진성 형광체층(2)을 지지체(1)상에 구비하고 있다. 이 복수의 주상 결정(25)의 각각은, 지지체(1)측에 있어서 나선 모양으로 적층되어 이루어진 나선 구조부(23)와, 나선 구조부(23)로부터 제1 여기광 흡수층(3)을 향해서 연장되어 이루어진 주상부(24)를 가지고 있다. 이 나선 구조부(23)는, 휘진 발광광 L의 반사층으로서 기능하므로, 1개의 주상 결정(25) 내에 있어서 휘진 발광한 광 L 중 지지체(1)측을 향하는 광을 반사하여 제1 여기광 흡수층(3)을 통해서 출사할 수 있어, 광출력(휘도)을 향상시키는 것이 가능해진다. 또, 나선 구조부(23)는, 지지체(1)측에 있어서 주상 결정(25)이 나선 모양으로 적층되어 이루어지고, 주상부(24)에 이어져 있으므로, 1개의 주상 결정(25) 내에 있어서 휘진 발광한 광 L 중 지지체(1)측을 향하는 광은, 그 주상 결정(25)의 나선 구조부(23)에 의해서 반사되고, 반사된 광은 그 주상 결정(25)의 주상부(24)를 따라서 도광된다. 이 때문에, 주상 결정(25)에 있어서의 휘진 발광광 L이 반사에 의해서 다른 주상 결정(25)에 확산하는 것을 방지할 수 있어, 반사에 의한 해상도의 저하를 억제할 수 있다. 또, 나선 구조부(23)는 여기광 E도 반사하지만, 휘진 발광광 L과 마찬가지로 여기광 E가 입사된 주상 결정(25) 내에서 반사되므로, 입사된 주상 결정(25) 이외의 주상 결정(25)에서 잠상을 여기하는 일이 없어, 해상도의 저하를 억제할 수 있다. 그 결과, 해상도의 저하를 억제하면서, 휘도의 향상이 가능해진다. 　
또, 방사선상 변환 패널(10)은 휘진성 형광체층(2)상에 마련된 제1 여기광 흡수층을 구비하고, 휘진성 형광체층(2)은 입사된 방사선 R을 축적하고, 제1 여기광 흡수층(3)을 통해서 여기광 E가 조사됨으로써, 축적되어 있는 방사선 R에 따른 광 L을 제1 여기광 흡수층(3)을 통해서 출사한다. 이것에 의해, 입사 표면에 있어서의 여기광 E의 산란 및 난반사를 줄일 수 있어, 해상도 및 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
또, 방사선상 변환 패널(10)은 반사율을 높이기 위한 금속막 등의 광 반사막을 가지고 있지 않더라도 양호한 광 반사 특성을 발휘하여, 상면(2a)으로부터의 발광량을 증가시킬 수 있기 때문에, 방사선 R을 검출하는 감도를 높게 할 수 있다. 그리고 방사선상 변환 패널(10)은, 방사선 R을 검출하는 감도를 높이는데 금속막을 형성하고 있지 않기 때문에, 금속막에 기인한 부식의 우려가 없다. 　
이에 더하여, 방사선상 변환 패널(10)에서는, 반사층(21)이 주상 결정(25) 중 나선 구조부(23)에 의해서 구성되어 있다. 전술했던 대로, 주상 결정(25)은 나선 구조부(23)에 있어서 인접해 있는 것 끼리가 끼워져 들어가는 삽입 구조를 형성하고 있기 때문에, 나선 구조부(23)에서는, 휘진성 형광체의 결정이 존재하지 않는 공간을 매우 작게 할 수 있다. 그 때문에, 반사층(21)에 있어서의 휘진성 형광체의 결정의 밀도가 높게 되어 있기 때문에, 높은 반사율을 발휘하도록 되어 있다. 　
그리고 상술한 것처럼, 다소의 간극이 형성되는 삽입 구조를 나선 구조부(23)에 적용함으로써, 나선 구조부(23)가 접촉했을 경우에 나선 구조부(23)에서 반사된 광이 인접하는 주상 결정(25)에 도광되어 콘트라스트가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 추가로, 나선 구조부(23)에 있어서도 패널면 내의 형성 밀도(packing　density)를 높게 하여 반사율을 향상시킬 수 있다. 또한, 콘트라스트를 높이기 위해서는, 패널면 내에 있어서 모든 주상 결정(25)이 나선 구조부(23)를 포함하여 1개 1개의 주상 결정(25)으로 분리되어 있는 것이 바람직하다. 주상 결정(25)은 증착에 의해 형성되므로, 모든 주상 결정(25)을 완벽하게 분리하는 것은 곤란하지만, 대략 분리되도록 형성하면, 양호한 방사선상 변환 패널(10)이 얻어진다.
그런데, 휘진성 형광체층(2)의 여기광 E의 흡수율은 높기는 하지만, 여기광 E는 주상 결정(25) 내나 주상 결정(25)의 간극을 통해서, 여기광 E의 일부는 휘진성 형광체층(2)을 투과한다. 그리고 휘진성 형광체층(2)을 투과한 여기광 E는, 추가로 지지체(1)를 투과하는 것이 있다. 휘진성 형광체층(2)을 투과한 여기광 E 및 지지체(1)를 투과한 여기광 E가 산란 및 난반사하는 것에 의해서, 휘진성 형광체층(2)의 다른 주상 결정(25)을 여기하여 해상도가 저하되는 일이 있다. 여기서, 제2 ~ 제5 실시 형태에서는, 해상도의 저하를 추가로 억제 가능한 구조를 가지는 방사선상 변환 패널을 제공한다.
［제2 실시 형태］
도 6은 제2 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다. 도 6에 도시된 것처럼, 제2 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 휘진성 형광체층(2)을 사이에 두고 제1 여기광 흡수층(3)과 대향하는 제2 여기광 흡수층(4)을 추가로 구비한다는 점, 및 접착층(6)을 통해서 착색 수지 필름으로 이루어진 제1 여기광 흡수층(3)을 마련한다(휘진성 형광체층(2)에 접합시킴)는 점에 있어서, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 상위하다. 　
접착층(6)은 지지체(1)의 표면(1a), 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)상에 마련되어 있다. 접착층(6)은, 예를 들면 PE(폴리에틸렌), 아크릴계 수지, 에폭시계 수지로 구성되어 있다. 접착층(6)의 두께는 예를 들면 2㎛ 이상이며, 예를 들면 30㎛ 이하이다. 제1 여기광 흡수층(3)은 접착층(6)을 통해서 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)의 전체를 덮도록 마련되어 있다. 　
제2 여기광 흡수층(4)은 제1 여기광 흡수층(3)과 동등하게 여기광 E를 소정의 흡수율로 흡수하여, 여기광 E의 확산 및 반사를 방지할 수 있는 층이다. 제2 여기광 흡수층(4)은 지지체(1)의 이면(1b)의 전체를 덮도록, 이면(1b)에 마련되어 있다. 제2 여기광 흡수층(4)의 두께는, 예를 들면 2㎛ 이상이며, 예를 들면 50㎛ 이하이다. 제2 여기광 흡수층(4)은, 예를 들면 청색으로 착색되어 있다. 이 제2 여기광 흡수층(4)은 용융 수지의 도포 건조, 수지 필름의 접착층을 통한 접합, 스크린 인쇄에 의한 전사(轉寫) 등에 의해서 형성될 수 있다. 　
추가로, 제2 여기광 흡수층(4)은 휘진 발광광을 흡수하는 기능을 겸하고 있어도 좋다. 이 경우, 제2 여기광 흡수층(4)은, 예를 들면 세라믹, 우레탄 아크릴계 수지, 에폭시계 수지로 구성되고, 여기광 E 및 휘진 발광광 L을 흡수하는 색소를 함유하고 있다. 제2 여기광 흡수층(4)의 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 60~99.9% 정도, 제2 여기광 흡수층(4)의 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 60~99.9% 정도이다. 이러한 색소로서는, 예를 들면 카본 블랙, 산화 크롬, 산화 니켈, 산화철 등을 들 수 있고, 제2 여기광 흡수층(4)은, 예를 들면 흑색으로 착색되어 있다. 그리고 제2 여기광 흡수층(4)이 휘진 발광광 흡수층을 겸하는 경우도, 마찬가지의 방법으로 형성할 수 있다.
이상의 제2 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 마찬가지의 효과가 달성된다. 또, 제2 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 지지체(1)의 이면(1b)을 덮도록 마련된 제2 여기광 흡수층(4)을 구비하고 있다. 이 때문에, 휘진성 형광체층(2) 및 지지체(1)를 투과한 여기광 E를 흡수할 수 있어, 여기광 E의 산란 및 난반사를 줄이는 것이 가능해진다. 그 결과, 해상도 및 콘트라스트의 저하를 추가로 억제할 수 있다. 　
［제3 실시 형태］
도 7은 제3 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다. 도 7에 도시된 것처럼, 제3 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 휘진성 형광체층(2)을 사이에 두고 제1 여기광 흡수층(3)과 대향하는 제2 여기광 흡수층(4)을 추가로 구비한다는 점에 있어서, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 상위하다. 　
제2 여기광 흡수층(4)은, 지지체(1)의 표면(1a)의 전체를 덮도록, 지지체(1)와 휘진성 형광체층(2)의 사이에 마련되고, 지지체(1)의 이면(1b) 및 측면(1c)의 위에는 마련되지 않는다. 환언하면, 제3 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)에서는, 휘진성 형광체층(2)의 양면에 여기광 흡수층(3, 4)이 각각 마련되고, 제1 여기광 흡수층(3) 및 제2 여기광 흡수층(4)에 의해서 휘진성 형광체층(2)이 끼워져 있다. 또, 제2 여기광 흡수층(4)은 지지체(1)의 표면(1a) 및 휘진성 형광체층(2)의 나선 구조부(23)의 사이에 마련되어 있다. 제2 여기광 흡수층(4)의 두께는, 예를 들면 2㎛ 이상이며, 예를 들면 50㎛ 이하이다. 제2 여기광 흡수층(4)은 용융 수지의 도포 건조, 수지 필름의 접착층을 통한 접합, 스크린 인쇄에 의한 전사 등에 의해서 형성될 수 있다. 　
이 제2 여기광 흡수층(4)은, 예를 들면 세라믹, 우레탄 아크릴계 수지, 에폭시계 수지로 구성되고, 여기광 E를 흡수하는 색소를 함유하고 있다. 제2 여기광 흡수층(4)은, 예를 들면, 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율이 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율보다도 높아지는 색소를 함유하고 있다. 제2 여기광 흡수층(4)의 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 30~99.9% 정도, 제2 여기광 흡수층(4)의 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 0.1~40% 정도이다. 이러한 색소로서는, 예를 들면 사본 퍼스트 블루3G(헤키스트제), 에스트롤 브릴블루 N－3RL(스미토모 화학제), D＆C 블루 No.1(네셔널 아닐린제), 스피릿 블루(호도가야 화학제), 오일 블루 No.603(오리엔트제), 키튼 블루-A(치바가이기제), 아이젠 캐딜론 블루 GLH(호도가야 화학제), 레이크 블루-AFH(쿄오와 산업제), 프리모시아닌 6GX(이나바타 산업제), 브릴애시드 그린 6BH(호도가야 화학제), 시안 블루 BNRCS(토요 잉크제), 라이오놀 블루 SL(토요 잉크제) 등이 이용된다. 또 칼라 인덱스 No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460 등의 유기계 금속 착염색재도 들 수 있다. 무기계 색재로서는 군청, 코발트 블루, 셀룰리안 블루, 산화 크롬, TiO2－ZnO－Co－NiO계 안료 등을 들 수 있고, 제2 여기광 흡수층(4)은, 예를 들면 청색으로 착색되어 있다.
이상의 제3 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 마찬가지의 효과가 달성된다. 또, 제3 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 지지체(1)와 휘진성 형광체층(2)의 사이에 마련된 제2 여기광 흡수층(4)을 구비하고 있다. 이 때문에, 휘진성 형광체층(2)을 투과한 여기광 E를 흡수할 수 있어, 휘진성 형광체층(2)과 지지체(1)의 사이에 있어서의 여기광 E의 산란 및 난반사를 줄이는 것이 가능해진다. 그 결과, 해상도 및 콘트라스트의 저하를 추가로 억제할 수 있다. 　
［제4 실시 형태］
도 8은 제4 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다. 도 8에 도시된 것처럼, 제4 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 지지체(1)를 대신하여 지지체(11)를 구비한다는 점에 있어서, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 상위하다. 　
지지체(11)는 수지 필름이며, 예를 들면 사각형 모양을 나타내고 있다. 이 지지체(11)의 두께는 예를 들면 50㎛ 이상이며, 예를 들면 500㎛ 이하이다. 또, 지지체(11)는 여기광 E를 소정의 흡수율로 흡수하는 여기광 흡수성을 가지고, 여기광 E의 확산 및 반사를 방지하는 여기광 흡수층으로서 기능한다. 지지체(11)는, 예를 들면 폴리이미드, PET, PEN 등으로 구성되어, 여기광 E를 흡수하는 색소를 함유하고 있다. 지지체(11)는, 예를 들면, 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율이 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율보다도 높아지는 색소를 함유하고 있다. 　
지지체(11)의 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 50~99.9% 정도, 지지체(11)의 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 0.1~40% 정도이다. 이러한 색소로서는, 예를 들면 사본 퍼스트 블루3G(헤키스트제), 에스트롤 브릴블루 N－3 RL(스미토모 화학제), D＆C블루 No.1(네셔널 아닐린제), 스피릿 블루(호도가야 화학제), 오일 블루 No.603(오리엔트제), 키튼 블루-A(치바가이기제), 아이젠 캐딜론 블루 GLH(호도가야 화학제), 레이크 블루-AFH(쿄오와 산업제), 프리모시아닌 6GX(이나바타 산업제), 브릴애시드 그린 6BH(호도가야 화학제), 시안 블루 BNRCS(토요 잉크제), 라이오놀 블루 SL(토요 잉크제) 등이 이용된다. 또 칼라 인덱스 No. 24411, 23160, 74180, 74200, 22800, 23154, 23155, 24401, 14830, 15050, 15760, 15707, 17941, 74220, 13425, 13361, 13420, 11836, 74140, 74380, 74350, 74460 등의 유기계 금속 착염색재도 들 수 있다. 무기계 색재로서는 군청, 코발트 블루, 셀룰리안 블루, 산화 크롬, TiO2－ZnO－Co－NiO계 안료 등을 들 수 있고, 지지체(11)는, 예를 들면 청색으로 착색되어 있다. 　
추가로, 지지체(11)는 휘진 발광광 L을 흡수하는 기능을 겸하고 있어도 좋다. 이 경우, 지지체(11)는 세라믹, 카본 블랙, 산화 크롬, 산화 니켈, 산화철 등의 색소를 가지고, 여기광 E의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 50~99.9% 정도, 휘진 발광광 L의 파장 범위에 대한 흡수율은 예를 들면 50~99.9% 정도가 된다. 그리고 지지체(11)는, 예를 들면 흑색으로 착색되어 있다.
이상의 제4 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 마찬가지의 효과가 달성된다. 또, 제4 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 여기광 E, 또는 여기광 E 및 휘진 발광광 L의 양쪽을 소정의 흡수율로 흡수하는 지지체(11)를 구비하고 있다. 이 때문에, 휘진성 형광체층(2)을 투과한 여기광 E, 또는 여기광 E 및 휘진 발광광 L의 양쪽을 흡수할 수 있어, 여기광 E, 또는 여기광 E 및 휘진 발광광 L의 양쪽의 산란 및 난반사를 줄이는 것이 가능해진다. 그 결과, 해상도 및 콘트라스트의 저하를 추가로 억제할 수 있다. 　
［제5 실시 형태］
도 9는 제5 실시 형태에 따른 방사선상 변환 패널의 구성을 도시한 개략 측단면도이다. 도 9에 도시된 것처럼, 제5 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 제1 여기광 흡수층(3)이 마련되어 있은 범위, 및 휘진성 형광체층(2)을 사이에 두고 제1 여기광 흡수층(3)과 대향하는 제2 여기광 흡수층(4)을 추가로 구비한다는 점에 있어서, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 상위하다.
제1 여기광 흡수층(3)은 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c), 및 지지체(1)의 측면(1c)의 전체를 덮도록 마련되어 있다. 제2 여기광 흡수층(4)은 지지체(1)의 이면(1b)의 전체를 덮도록 마련되어 있다. 환언하면, 제5 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)에서는, 제1 여기광 흡수층(3) 및 제2 여기광 흡수층(4)에 의해서 지지체(1) 및 휘진성 형광체층(2)이 완전하게 덮여 있다.
또, 제1 여기광 흡수층(3)은 지지체(1)의 표면(1a) 및 측면(1c), 및 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)에 접촉을 이루고 있다. 또, 제2 여기광 흡수층(4)은, 지지체(1)의 이면(1b)에 접촉을 이루고 있다. 즉, 제1 여기광 흡수층(3)은 도포에 의해서 형성되고, 지지체(1)의 표면(1a) 및 측면(1c), 및 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)에 마련되어 있다. 제2 여기광 흡수층(4)은 용융 수지의 도포 건조, 수지 필름의 접착층을 통한 접합, 스크린 인쇄에 의한 전사 등에 의해서 형성되어, 지지체(1)의 이면(1b)에 마련되어 있다. 이 제2 여기광 흡수층(4)은 제2 실시 형태의 제2 여기광 흡수층(4)과 마찬가지로 구성되어 있다. 　
이상의 제5 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)에 의해서도, 상술한 제1 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)과 마찬가지의 효과가 달성된다. 또, 제5 실시 형태의 방사선상 변환 패널(10)은, 지지체(1)의 이면(1b)을 덮도록 마련된 제2 여기광 흡수층(4)을 구비하고 있다. 이 때문에, 휘진성 형광체층(2) 및 지지체(1)를 투과한 여기광 E, 또는 여기광 E 및 휘진 발광광 L의 양쪽을 흡수할 수 있어, 여기광 E, 또는 여기광 E 및 휘진 발광광 L의 양쪽의 산란 및 난반사를 줄이는 것이 가능해진다. 그 결과, 해상도 및 콘트라스트의 저하를 추가로 억제할 수 있다. 추가로, 제1 여기광 흡수층(3)이 지지체(1)의 측면(1c)을 덮도록 마련되어 있으므로, 측면(1c)에 있어서의 여기광 E의 산란 및 난반사를 줄일 수 있어, 해상도 및 콘트라스트의 저하를 추가로 억제할 수 있다. 　
또한, 본 발명의 일 측면에 따른 방사선상 변환 패널은 상기 실시 형태에 기재한 것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 지지체(1)는 SUS박, 유리, Al, CFRP 등이어도 좋다. 　
또, 방사선상 변환 패널(10)은 휘진성 형광체층(2)과 제1 여기광 흡수층(3)의 사이, 또는 제1 여기광 흡수층(3)의 위에, 추가로 내습성 보호막을 구비해도 좋다. 내습성 보호막은, 휘진성 형광체층(2)이 공기 중의 수증기를 흡습하는 것을 억제하기 위한 방습막이다. 이 내습성 보호막은, 예를 들면 폴리파라크실릴렌 및 폴리 요소 등의 유기막, 또는 상기 유기막과 질화막(예를 들면 SiN, SiON)이나 탄화막(예를 들면 SiC) 등의 무기막의 조합으로 구성되어 있다. 이 경우, 휘진성 형광체층(2)이 공기 중의 수증기를 흡습하는 것을 억제할 수 있어, 휘진성 형광체층(2)이 조해되는 것을 억제할 수 있다.
또, 제1 여기광 흡수층(3)을 대신하여, 휘진성 형광체층(2)의 상면(2a) 및 측면(2c)을 덮으면서, 또한 휘진성 형광체층(2)의 복수의 주상 결정(25)의 간극을 메우도록 마련된 내습성 보호막과, 내습성 보호막상에 마련된 내찰상성 보호막을 구비해도 좋다. 이 경우, 내습성 보호막 및 내찰상성 보호막 중 적어도 한쪽을 착색함으로써, 여기광 흡수층으로서 기능시켜도 좋다. 　
또, 제2 여기광 흡수층(4)은 지지체(1)의 이면(1b) 및 지지체(1)와 휘진성 형광체층(2)의 사이의 양쪽에 마련되어도 좋다.
[산업상의 이용 가능성] 　
본 발명의 일 측면에 의하면, 해상도 저하를 억제하면서, 휘도를 향상시킬 수 있다.
1, 11: 지지체, 1a: 표면,
1b: 이면, 2: 휘진성 형광체층,
3: 제1 여기광 흡수층, 4: 제2 여기광 흡수층,
10: 방사선상 변환 패널, 23: 나선 구조부,
24: 주상부, 25: 주상 결정,
E: 여기광, L: 휘진 발광광.

Claims (11)

  1. 지지체와,
    상기 지지체의 표면상에 마련되고, 복수의 주상(柱狀) 결정으로 이루어진 휘진성 형광체층과,
    상기 휘진성 형광체층상에 마련된 제1 여기광 흡수층을 구비하고,
    상기 복수의 주상 결정의 각각은, 상기 지지체측에 있어서 나선 모양으로 적층되어 이루어진 나선 구조부와, 상기 나선 구조부로부터 상기 제1 여기광 흡수층을 향해 연장되어 이루어진 주상부를 가지고,
    상기 휘진성 형광체층은 입사된 방사선을 축적하고, 상기 제1 여기광 흡수층을 통해서 여기광이 조사됨으로써, 축적되어 있는 방사선에 따른 광을 상기 제1 여기광 흡수층을 통해서 출사(出射)하는 방사선상 변환 패널.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 휘진성 형광체층을 사이에 두고 상기 제1 여기광 흡수층과 대향하는 제2 여기광 흡수층을 추가로 구비하는 방사선상 변환 패널.
  3. 청구항 2에 있어서,　
    상기 제2 여기광 흡수층은, 상기 지지체와 상기 휘진성 형광층의 사이에 마련되는 방사선상 변환 패널.
  4. 청구항 2에 있어서,　
    상기 제2 여기광 흡수층은, 상기 지지체의 상기 표면과 반대측인 상기 지지체의 이면(裏面)에 마련되는 방사선상 변환 패널.
  5. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 여기광 흡수층은, 상기 휘진성 형광체층에서 휘진 발광된 광을 흡수하는 방사선상 변환 패널.
  6. 여기광 흡수성을 가지는 지지체와,
    상기 지지체의 표면상에 마련되고, 복수의 주상 결정으로 이루어진 휘진성 형광체층과,
    상기 휘진성 형광체층상에 마련된 제1 여기광 흡수층을 구비하고,
    상기 복수의 주상 결정의 각각은, 상기 지지체측에 있어서 나선 모양으로 적층되어 이루어진 나선 구조부와, 상기 나선 구조부로부터 상기 제1 여기광 흡수층을 향해 연장되어 이루어진 주상부를 가지고,
    상기 휘진성 형광체층은 입사된 방사선을 축적하고, 상기 제1 여기광 흡수층을 통해서 여기광이 조사됨으로써, 축적되어 있는 방사선에 따른 광을 상기 제1 여기광 흡수층을 통해서 출사하는 방사선상 변환 패널.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 지지체는 상기 휘진성 형광체층에서 휘진 발광된 광을 흡수하는 방사선상 변환 패널.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,　
    상기 제1 여기광 흡수층은, 상기 휘진성 형광체층을 보호하는 내습성 보호막인 방사선상 변환 패널.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 휘진성 형광체층은 Eu를 도프한 CsBr을 포함하는 휘진성 형광체로 구성되어 있는 방사선상 변환 패널.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 여기광 흡수층은, 상기 휘진성 형광체층의 표면 및 측면을 덮도록 마련되어 있는 방사선상 변환 패널.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 여기광 흡수층은, 상기 지지체의 측면을 덮도록 마련되어 있는 방사선상 변환 패널.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2879641B9 (en) * 2012-07-31 2016-12-21 Invacare International Sàrl Foldable wheelchair frame including a self locking device
JP5947155B2 (ja) * 2012-08-29 2016-07-06 浜松ホトニクス株式会社 放射線像変換パネル

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5923400B2 (ja) * 1979-06-07 1984-06-01 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
JPS5942500A (ja) * 1982-09-01 1984-03-09 富士写真フイルム株式会社 放射線像変換パネル
US5012107A (en) * 1988-06-13 1991-04-30 Konica Corporation Radiation image storage panel
JP3561856B2 (ja) 1995-09-28 2004-09-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 放射線増感スクリーン及び放射線像変換パネル
US7122790B2 (en) * 2000-05-30 2006-10-17 The Penn State Research Foundation Matrix-free desorption ionization mass spectrometry using tailored morphology layer devices
EP1286364B1 (en) 2001-08-23 2008-05-28 Agfa HealthCare NV A phosphor panel with good humidity resistance
JP4254109B2 (ja) 2002-02-26 2009-04-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 放射線画像変換パネル
US7122808B2 (en) * 2003-11-14 2006-10-17 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiation image conversion panel
JP2005164576A (ja) * 2003-11-14 2005-06-23 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル
KR101585286B1 (ko) * 2009-03-13 2016-01-13 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 방사선 상변환 패널 및 그 제조방법

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