KR20150033423A - 열간가압성형 공정을 이용한 이방성 열간가압성형 자석의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 열간가압성형 자석 - Google Patents

열간가압성형 공정을 이용한 이방성 열간가압성형 자석의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 열간가압성형 자석 Download PDF

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Abstract

본 발명의 R-Fe-B(R은 Nd, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합) 열간가압성형 자석의 제조방법은, R-Fe-B 자성분말을 준비하는 단계; 상기 자성분말과, 고융점 금속(Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속) 또는 상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물을 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 가압소결하는 단계; 및 열과 압력을 가하여 상기 소결체를 열간가압성형(hot deformation) 시키는 단계를 포함하여, 결정립의 성장을 억제할 수 있고, 1000℃ 이상의 소결 공정이 필요 없으며, 열간가압성형으로 자기장의 인가 없이도 결정립의 자화방향이 한 방향으로 정렬되어 보다 경제적인 생산을 가능하게 한다. 또한, 본 발명의 R-Fe-B 열간가압성형 자석은, 평균 직경이 400 내지 900 nm인 이방화된 판상형 결정립이 자석 전체에 걸쳐 고르게 분포된 구조를 포함하여, 자석 내 결정립의 크기가 균일하고 미세하여 우수한 보자력을 확보할 수 있고, 열간가압성형으로 형성된 판상의 결정립은 자화방향이 한 방향으로 정렬되어 우수한 잔류자속밀도 값을 가질 수 있다.

Description

열간가압성형 공정을 이용한 이방성 열간가압성형 자석의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 열간가압성형 자석 {METHOD FOR FABRICATING ANISOTROPIC PERMANENT HOT-DEFORMED MAGNET USING HOT DEFORMAION AND THE MAGNET FABRICATED THEREBY}
본 발명은 이방성 열간가압성형 자석에 관한 것으로, 보자력과 잔류자속밀도가 우수하고, 열간가압성형 공정을 통해 고온(1000℃)의 열처리 및 공정 중 외부 자장의 부여 없이 이방성 열간가압성형 자석을 제조하는 방법과, 이러한 방법으로 제조된 열간가압성형 자석에 관한 것이다.
최근, 신재생 에너지 등 친환경 에너지 산업이 크게 주목받고 있지만, 에너지 생산방식의 전환과 동시에 에너지 소비 측면에서 에너지를 소비하는 기기의 효율을 향상시키는 것 또한 매우 중요하다 할 수 있다. 이러한 에너지 소비와 관련한 가장 중요한 기기는 모터이고, 이 모터의 핵심소재는 희토류 영구자석이다. 이러한 희토류 영구자석이 다양한 응용 분야에서 우수한 소재로 사용되기 위해서는 높은 잔류자속밀도(Br)와 안정적인 보자력(iHc)이 동시에 요구된다.
자성분말의 높은 보자력을 확보하는 방법 중 하나로 Dy와 같은 중희토류를 첨가하여 실온에서의 보자력을 높여 사용하는 방법이 있다. 하지만, 최근 Dy와 같은 중희토류 금속의 희소성과 이로 인한 가격급등으로 향후 소재로의 이용에 제한이 있을 것으로 보인다. 또한, Dy를 첨가하면 보자력은 향상되지만 잔류자화가 저하되어 결국 자석의 세기는 약해지는 단점이 있다.
한편, 이방성 네오디뮴계 영구자석을 제조하는 방법은, 통상 금속 용융, 급속냉각, 밀링을 통해 자성분말을 제조하고, 자기장을 인가하면서 성형한 후, 고온(1000℃ 이상)에서 소결하고 후열 처리하는 단계를 통해 제조된다. 이 과정에서, 자성분말의 높은 보자력을 확보하는 방법 중 또 다른 하나로 결정립의 크기를 단자구 크기까지 미세화하는 방법이 있다.
즉, 자성분말의 결정립을 물리적인 방법으로 작게 분쇄하여 미세화하는 것인데, 이 경우 자성분말의 결정립을 미세하게 하기 위해 상기 제조방법의 단계 중 소결 전에 자성분말 자체의 입경도 미세하게 할 필요가 있지만, 이 미세한 결정립의 자성분말을 최종제품 생성까지 유지시켜야 할 필요도 동시에 존재한다.
그러나, 미세한 입경을 갖는 미분쇄된 자성분말을 자석으로 제조하는 과정에서 1000℃가 넘는 고열처리로 인해 에너지가 높고 결함이 많은 부분인 표면 부분에서 미세한 결정립의 성장이 일어나고, 이러한 표면부위의 결정립 조대화로 인해 입자 내 역자구의 핵생성을 억제하지 못하기 때문에 보자력이 현저히 저하되고, 입자크기가 불균일하여 한 방향으로 정렬된 결정립을 얻기 어려운 바, 잔류자속밀도 또한 현저히 낮게 측정된다는 단점이 있다.
미국 특허공보 제5,123,979호
본 발명은 1000℃ 이상의 고온 소결 공정 없이, 고융점 금속의 첨가로 분말 표면 부위에서의 결정립의 조대화를 억제시켜 보자력이 우수하며, 외부 자장의 부여 없이도 열간가압성형 공정의 적용으로 자화방향이 정렬되어 잔류자속밀도가 우수한 이방성 열간가압성형 자석의 제조방법과, 이 제조방법으로 제조된 열간가압성형 자석을 제공하고자 함이다.
본 발명에 따른 열간가압성형(hot deformation) 자석의 제조방법은 R-Fe-B(R은 Nd, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합) 자성분말을 준비하는 단계; 상기 자성분말과, 고융점 금속(Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속) 또는 상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물을 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 가압소결하는 단계; 및 열과 압력을 가하여 상기 소결체를 열간가압성형 시키는 단계를 포함한다.
상기 자성분말은 R-Fe-B 합금을 분쇄하여 제조되거나 HDDR(Hydrogenation Decomposition Desorption Recombination)법에 의하여 제조될 수 있다.
상기 자성분말은 다결정(multi-crystal) 입자일 수 있고, 상기 자성분말의 평균입경은 100 내지 500 ㎛일 수 있다.
상기 가압소결하는 단계는 핫 프레스 소결(hot press sintering), 열간 정수압 소결(hot isotactic pressing), 방전 플라즈마 소결(spark plasma sintering), 로 소결(furnace sintering) 및 마이크로파 소결(microwave sintering)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 수행되는 것일 수 있다.
상기 가압소결하는 단계는 온도 500 내지 800 ℃, 압력 30 내지 500 MPa의 조건에서 수행될 수 있고, 상기 열간가압성형단계는, 온도 600 내지 1000 ℃, 압력 50 내지 500 MPa의 조건에서 수행될 수 있다.
상기 제조방법은 외부자장을 인가하는 자장 성형 단계를 포함하지 않을 수 있다.
본 발명에 따른 자석은, R-Fe-B 열간가압성형 자석으로, 직경이 100 내지 1000 nm인 균일한 크기를 갖는 이방화된 판상형 결정립(grain)이 자석 전체에 걸쳐 고르게 분포된 구조를 포함하고, R은 Nd, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 결정립의 평균 직경은 400 내지 900 nm일 수 있고, 상기 자석은 결정립 경계(grain boundary)에 고융점 금속 성분을 포함할 수 있고, 상기 고융점 금속은 Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속일 수 있다.
상기 R-Fe-B 열간가압성형 자석은 네오디뮴계 자석 또는 비네오디뮴계 자석인 것일 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 열간가압성형 자석의 제조방법은 R-Fe-B(R은 Nd, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합) 자성분말을 준비하는 단계; 상기 자성분말과, 고융점 금속(Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속) 또는 상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물을 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 가압소결하는 단계; 및 열과 압력을 가하여 상기 소결체를 열간가압성형 시키는 단계를 포함한다.
우선 자성분말을 준비하는 단계에 대하여 설명한다.
상기 자성분말은 R-Fe-B 합금 잉곳(ingot)을 분쇄하여 제조되거나, HDDR법에 의하여 제조되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 합금 잉곳을 분쇄하여 제조하는 방법으로 합금 잉곳을 용융하고, 고속 롤링을 통하여 용융합금을 리본형상으로 제조한 후, 이를 밀링장치로 분쇄하는 방법에 의해 자성분말이 제조될 수 있다. 다른 방법으로는, 이 기술분야에 잘 알려진 방법으로서 HDDR 공정에 의해 수소화, 불균화, 탈수소 및 재결합을 거쳐 자성분말이 제조될 수 있다.
상기 자성분말은 다결정 입자일 수 있고, 자성분말의 평균입경은 100 내지 500 ㎛인 것일 수 있다. 기존의 영구 소결자석을 제조하는 방법에 있어서, 소결 공정에 이르기 전에, 자성분말은 단결정(single crystal) 입경인 약 3 ㎛까지 분쇄되어야 한다. 따라서, 자성분말 제조시 롤링은 저속으로 수행되어야 하고, 밀링도 조분쇄 및 미분쇄 과정을 모두 거쳐야 한다. 이에 반하여, 본 발명의 자성분말은, 입자 내에 결정립이 다수 존재하는 다결정 입자이면서 평균입경이 100 내지 500 ㎛이면 되기 때문에, 공정 비용이 절감되는 효과를 가져올 수 있다는 장점이 있다.
두 번째로 혼합하는 단계에 대하여 설명한다.
상기 혼합하는 단계는 상기 제조된 자성분말과 고융점 금속, 또는 자성분말과 상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물을 혼합하는 것일 수 있다. 즉 자성분말과 혼합되는 것은 고융점 금속뿐만 아니라 이 고융점 금속을 포함하는 금속화합물일 수 있다. 상기 고융점 금속은, 내화 금속이 주를 이루며, 예를 들면 Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 또는 Hf 등이 있을 수 있고, 상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물은, 예컨대 FeNb, Nb3Ga 와 같은 합금, Nb2O5와 같은 산화물, NbCl5와 같은 염화물, 또는 NbF5와 같은 불화물 등이 있을 수 있다.
상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물의 경우, 고융점 금속이 쉽게 용해될 수 있는 용매를 사용하는 것이 좋고, 용매를 건조한 이후 고융점 금속만 남아 고융점 금속이 분말의 표면에 고르게 도포될 수 있는 용매를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 용매는 수분 또는 탄소를 포함하지 않은 것으로, 자성분말의 산화와 자기특성의 열화를 최소화하는 것이 바람직하다.
상기 고융점 금속 또는 고융점 금속을 포함하는 금속화합물은 상기 자성분말과 건식 또는 습식으로 혼합되며, 습식혼합의 경우, 혼합 이후 용매를 모두 건조한 후 다음 공정이 수행될 수 있다. 이러한 혼합으로 고융점 금속이 상기 자성분말의 표면에 균일하게 코팅되어, 이후에 수행되는 가압소결이나 열간가압성형 중 거대 입자의 생성, 즉 결정립의 조대화를 억제할 수 있다.
상기 고융점 금속 또는 고융점 금속을 포함하는 금속화합물의 혼합과 관련하여 보자력 메커니즘을 살펴보면, 보자력은 자화된 자성체에 역자장을 인가하여 자화도를 0으로 만드는 자기장의 세기를 말하며, 역자장하에서 역자구(reverse domain)의 생성을 감소시킬수록 증가시킬 수 있다. 만일 표면 결함이 많은 경우라면, 역자장이 낮은 경우에도 역자구의 생성이 쉽게 발생하고, 역자구가 한번 생성되면 자벽이 이동하여 그에 따라 자화를 유지하는 힘인 보자력이 감소하게 되는 것이다.
구체적으로, 자성분말인 다결정 입자는 고온 환경에 있을수록 결정립의 본질적인 특성상 결정립간 경계면이 사라지면서 결정립의 조대화가 일어나게 된다. 이러한 조대화는 자성분말 내 포함되어 있는 결정립 중 자성분말 표면으로 노출되어 있는 결정립에서 조대화가 가장 먼저 시작되는데, 이는 표면이 에너지가 높아 불안정하고, 결함이 많기 때문이다.
그러나, 본 발명과 같이 상기 고융점 금속 또는 고융점 금속을 포함하는 금속화합물을 자성분말의 표면에 코팅시킬 경우, 가압소결 또는 열간가압성형 이후에도 상기 고융점 금속이 분말 표면에 존재하면서 고온에서 결정립의 성장을 억제하는 역할을 하기 때문에, 표면 결함이 많아 결정립의 조대화가 일어나기 쉬운 자성분말 표면에 위치하는 결정립들에서도 이러한 조대화를 억제할 수 있어 보자력을 증가시킬 수 있고, 나아가 거대 결정립에 의해 왜곡될 수 있는 결정립 정렬 방향의 균일성도 향상시킬 수 있는 것이다.
세 번째로 가압소결하는 단계에 대하여 설명한다.
상기 가압소결하는 단계는, 소결이 이루어질 수 있다면 특별히 그 방법에 있어서 제한사항은 없으나, 예를 들면 핫 프레스 소결, 열간 정수압 소결, 방전 플라즈마 소결, 로 소결 및 마이크로파 소결로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 수행되는 것일 수 있다. 상기 가압소결 공정은 자성분말을 조밀하게 결속시키는 단계로 결정립의 변형 없이 일정 형상으로 자석을 치밀화하는 단계라 할 수 있고, 이 때의 자성분말 입자 내 결정립의 크기는 30 내지 100 nm정도가 된다.
상기 가압소결하는 단계는 온도 500 내지 800℃, 압력 30 내지 500 MPa의 조건에서 수행되는 것일 수 있다. 이 가압소결 온도는 기존의 영구 소결자석을 제조할 때의 온도보다 약 200 내지 500℃ 낮은 것으로, 이러한 온도 조건의 완화로 인해 공정 비용이나 장치 비용의 절감을 가져올 수 있다. 상기 가압소결 공정을 상기 온도 및 압력 범위에서 수행할 경우, 자성분말이 치밀하게 소결되고, 자성분말 표면의 결정립에서 성장이 일어나지 않아 보자력의 향상을 기대할 수 있다.
네 번째로 열간가압성형하는 단계에 대하여 설명한다.
이 단계는 상기 가압소결에서 보다 높은 온도 및 압력에서 수행되는 것으로, 치밀하게 성형된 자석을 압축시키는 단계이므로 두께는 줄어들고, 면적은 넓어질 수 있도록 압력을 가하는 방향에 수직인 측면부위가 개방된 장치에서 수행되는 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 가압소결 공정에서 자성분말이 치밀화를 이루고, 열간가압성형 공정에서 높은 압력으로 인한 강한 압축으로 자성분말 입자 내 존재하는 30 내지 100 nm 정도 크기의 결정립은 일정 크기로 확산 및 성장이 일어나면서 판상 형태로 변형되며, 이러한 형상의 결정립은 결정학적 특성상 자화방향이 한 방향으로 정렬되어 이방성을 갖게 된다. 즉, 보자력과 함께 자석의 성능을 평가하는 척도인 잔류자속밀도에 영향을 미치는 단계로, 상기와 같은 열간가압성형으로 우수한 잔류자속밀도를 가질 수 있다.
상기 열간가압성형하는 단계는, 온도 600 내지 1000℃, 압력 50 내지 500 MPa의 조건에서 수행되는 것일 수 있다. 만일, 상기 온도를 600℃ 밑으로 낮출 경우에는 상기 소결된 자석의 결정립이 확산에 의한 성장이 일어나지 않아 판상형으로 형성되지 않고, 1100℃ 위로 높일 경우에는 자성분말 표면에서 결정립의 조대화가 급격히 발생하여 고융점 금속의 효과가 사라지게 된다. 따라서, 열간가압성형의 온도는 600 내지 1000℃가 적절할 수 있다.
상기 방법은 외부자장을 인가하는 자장 성형 단계를 포함하지 않는 것일 수 있다. 본 발명과 같이 열간가압성형으로 계속적인 압축을 통해 결정립을 판상형으로 변형시킬 경우, 외부자장을 인가하여 자석에 자장을 부여하지 않더라도, 결정학적으로 판상형의 결정립은 자화방향이 한 방향으로 정렬되기 때문에, 우수한 잔류자속밀도를 갖게 할 수 있다. 이에 따라, 자장부여 장치나, 자장 성형과 같은 단계가 필요가 없어 공정 비용 및 장치 비용을 절감할 수 있는 효과를 가져온다.
본 발명에 따른 자석은 R-Fe-B열간가압성형 자석으로서, 직경이 100 내지 1000 nm인 균일한 크기를 갖는 이방화된 판상형 결정립을 포함하며, 상기 R-Fe-B 열간가압성형 자석은 네오디뮴계 자석 또는 비네오디뮴계 자석인 것일 수 있다. 여기서, R은 Nd, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 발명에 따른 자석은, 결정립이 전부 판상형(팬케이크 형상)을 가지며, 결정립의 크기가 자석 전체에 걸쳐 균일한 크기로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는데, 이는 분말 표면 부위에서 결정립이 성장되는 것을 효과적으로 억제하여 얻어지는 결과이다.
상기 결정립의 평균 직경은 400 내지 900 nm일 수 있고, 결정립의 두께는 약 50 내지 200 nm, 너비는 약 100 내지 1000 nm인 것일 수 있다.
이처럼 결정립 크기가 미세하고, 판상 형태의 결정립이 자석 전체에 걸쳐 균일한 크기로 형성되어 있음으로 인해 우수한 보자력과 잔류자속밀도를 가질 수 있다.
상기 자석은 결정립 경계에 고융점 금속, 예컨대 Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속 성분을 포함하는 것일 수 있다.
상기 고융점 금속 및 이방화된 판상형의 결정립에 관한 설명은 전술한 열간가압성형 자석의 제조방법의 설명과 중복되므로 설명을 생략한다.
본 발명의 이방성 열간가압성형 자석의 제조방법은 고융점 금속을 첨가하고, 열간가압성형단계를 도입함으로써 고온의 소결과정에서도 분말의 표면 부위에서 발생하는 결정립의 성장을 억제할 수 있고, 1000℃ 이상의 소결 공정이 필요 없으며, 열간가압성형으로 자기장의 인가 없이도 결정립의 자화방향이 한 방향으로 정렬되어 보다 경제적인 공정으로 열간가압성형 자석을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 열간가압성형 자석은 자석 내 결정립의 크기가 균일하고 미세하여 우수한 보자력을 확보할 수 있고, 열간가압성형으로 형성된 판상형의 결정립은 자화방향이 한 방향으로 정렬되어 우수한 잔류자속밀도 값을 가질 수 있다.
도 1은 실시예 2에서 제조한 열간가압성형 자석의 내부구조를 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 사진이다. 분말의 표면 부위(화살표)에서 입자의 성장이 억제되었음을 확인할 수 있다.
도 2는 비교예 1에서 제조한 열간가압성형 자석의 내부구조를 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 사진이다. 분말의 표면 부위(화살표)에서 조대한 결정립을 관찰할 수 있다.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
실시예
실시예 1: 네오디뮴계 자성분말의 제조
원재료인 NdFeB계 분말(Nd30Co5 .0Ga0 .5B0.9FeBal .)을 용융시키고, 상기 용융액을 고속으로 회전하는 냉각롤에 주입하여 리본형태의 합금을 제조하였다. 상기 롤링 공정으로 생성된 리본형태의 잉곳을 스탬프 밀로 밀링하여 약 200 ㎛ 정도의 크기로 분쇄하여, 네오디뮴계 자성분말을 제조하였다 [자성분말제조단계].
실시예 2: 고융점 금속을 첨가한 열간가압성형 자석의 제조
상기 실시예 1에서 제조한 네오디뮴계 자성분말에 고융점 금속의 코팅을 위해 고융점 금속으로서 니오븀(Nb)이 포함된 불화물인 NbF5 용액과 상기 자성분말을 비활성 가스인 아르곤 분위기에서 혼합하고, 혼합에 의해 슬러리 형태가 된 자성분말을 건조시켰다 [코팅단계]. 성형을 위해 압출 몰드에 상기 자성분말을 주입하고, 90 MPa의 압력과 700℃ 정도의 온도로 가압하여 분말이 분해되지 않고 형상을 유지할 수 있을 정도로 가압소결하였다 [가압소결단계]. 다음으로, 상기 몰드에서 가압소결된 자석을 빼내어, 사방이 개방되어 있는 프레스 장치를 이용하여 상부 및 하부 방향으로만 압력 100 MPa, 온도 800℃로 가압하여, 상기 고융점 금속으로 코팅된 분말 내의 결정립이 모두 판상형이 되도록 하였다 [열간가압성형단계]. 상기 가압으로 인해 자장의 부여 없이도, 각 결정립의 자화방향이 한 방향으로 정렬되었고, 이로써 이방성 열간가압성형 자석이 제조되었다.
상기 제조된 자석의 내부구조를 주사전자현미경(SEM; scanning electron microscope)으로 관찰하여 이를 도 1에 나타내었다. 도 1을 참조하면, 자석 전체에 걸쳐 판상형의 결정립이 균일한 크기로 형성되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
비교예 1: 고융점 금속을 첨가하지 않은 열간가압성형 자석의 제조
이방성 네오디뮴계 열간가압성형 자석을 상기 실시예 1에서 제조한 자성분말에 고융점 금속을 코팅하는 단계를 제외한 것 이외에는 상기 실시예 2와 동일하게 제조하였다.
상기 제조된 자석의 내부구조를 주사전자현미경으로 관찰하여 이를 도 2에 나타내었다. 분말 입자 주변부에서 입자가 성장하여 마이크로미터 수준의 거대입자가 형성된 것을 확인할 수 있었다.
비교예 2: 기존 소결자석 제조방법에 의한 영구 자석의 제조
상기 실시예 1에서 제조한 자성분말을 제트 밀로 입자 직경 약 3 ㎛ 정도가 되도록 분쇄하였다. 이 후, 고융점 금속의 코팅을 위해 고융점 금속으로서 니오븀(Nb)이 포함된 용액과 상기 자성분말을 비활성 가스인 아르곤 분위기에서 혼합하고, 혼합에 의해 슬러리 형태가 된 자성분말을 건조시켰다. 상기 자성분말을 약 600℃에서 플라즈마 가열로 가소처리하고, 상기 가소처리된 가소체를 성형틀에 주입한 후, 외부로부터 자장을 인가하면서 일정 형상으로 압출하였다. 이 후, 압력 10-4 torr, 온도 약 1000℃에서 2시간 동안 소결하고, 냉각 후 다시 온도 약 800℃에서 2시간과 500℃에서 2시간 동안 각각 열처리를 하여, 영구 소결자석을 제조하였다.
상기 제조된 자석의 내부구조를 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 0.8 내지 1.2 ㎛의 직경을 갖는 구형의 결정립이 형성된 것을 확인할 수 있었다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (12)

  1. R-Fe-B(R은 Nd, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합) 자성분말을 준비하는 단계;
    상기 자성분말과, 고융점 금속(Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속) 또는 상기 고융점 금속을 포함하는 금속화합물을 혼합하는 단계;
    상기 혼합물을 가압소결하는 단계; 및
    열과 압력을 가하여 상기 소결체를 열간가압성형(hot deformation) 시키는 단계
    를 포함하는 R-Fe-B 열간가압성형 자석의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자성분말은 R-Fe-B 합금을 분쇄하여 제조되거나 HDDR(Hydrogenation Decomposition Desorption Recombination)법에 의하여 제조되는 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자성분말은 다결정(multi-crystal) 입자인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자성분말의 입경은 100 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가압소결하는 단계는 핫 프레스 소결(hot press sintering), 열간 정수압 소결(hot isotactic pressing), 방전 플라즈마 소결(spark plasma sintering), 로 소결(furnace sintering) 및 마이크로파 소결(microwave sintering)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가압소결하는 단계는 온도 500 내지 800 ℃, 압력 30 내지 500 MPa의 조건에서 수행되는 것인 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열간가압성형단계는, 온도 600 내지 1000 ℃, 압력 50 내지 500 MPa의 조건에서 수행되는 것인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 방법은 외부자장을 인가하는 자장 성형 단계를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. R-Fe-B(R은 Nd, Dy, Pr, Tb, Ho, Sm, Sc, Y, La, Ce, Pm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb 및 Lu으로부터 선택되는 희토류 금속 또는 이들의 조합) 열간가압성형 자석으로, 직경이 100 내지 1000 nm인 균일한 크기를 갖는 이방화된 판상형 결정립이 자석 전체에 걸쳐 고르게 분포된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자석.
  10. 제9항에 있어서, 상기 결정립(grain)의 평균 직경이 400 내지 900 nm인 것을 특징으로 하는 자석.
  11. 제9항에 있어서, 상기 자석은 결정립 경계(grain boundary)에 고융점 금속(Nb, V, Ti, Cr, Mo, Ta, W, Zr 및 Hf로부터 선택되는 1종 이상의 금속) 성분을 포함하는 것인 자석.
  12. 제9항에 있어서, 상기 R-Fe-B 열간가압성형 자석은 네오디뮴계 자석 또는 비네오디뮴계 자석인 것을 특징으로 하는 자석.
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