KR20150020809A - 노광장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

노광장치는 광원, 조명부재, 투영부재, 스테이지, 검사부재 및 정보처리부재를 포함한다. 상기 광원은 소정의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 발생시킨다. 상기 조명부재는 상기 광을 복수개의 점형광들로 변형한다. 상기 투영부재는 복수개의 방향으로 연장되는 감광형상에 따라 상기 점형광들을 투영한다. 상기 스테이지는 상기 점형광들이 투영된다. 상기 검사부재는 상기 투영된 상기 점형광들에 의해 형성된 감광패턴을 검사한다. 상기 정보처리부재는 서로 다른 복수개의 조사주기들에 대응되는 서로 다른 복수개의 감광패턴들을 분석하여 각 감광패턴의 상기 서로 다른 방향들에 대한 오차가 가장 작은 조사주기를 공정조사주기로 결정한다. 따라서 미세패턴의 구현이 가능하다.

Description

노광장치 및 그 방법 {EXPOSING APPARATUS AND METHOD THEREOF}
본 발명은 노광장치 및 그 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 미세패턴 구현이 가능한 노광장치 및 그 방법에 관한 것이다.
기판 상에 패턴을 형성하기 위해서, 일반적으로, 사진식각공정이 사용된다. 그러나 사진식각공정은 노광장비, 마스크 등 고가의 장비가 필요하다. 특히 사진식각공정에 사용되는 마스크는 소모품으로서, 동일한 제품일지라도 공정이 진행됨에 따라 동일한 패턴을 갖는 다수의 마스크들이 소요된다. 또한, 현상액 등으로 인한 환경오염문제가 발생된다.
상기 문제점들을 극복하기 위하여 기판 상에 자외선, 레이저 등의 광을 직접 조사하여 노광하는 기술이 연구되어 왔다. 그러나 기판 상에 광을 직접 조사하여 노광하는 경우, 해상도가 낮아서 정밀한 가공이 어려우며 조사각도에 따라 선폭이 달라지는 문제점이 발생한다.
이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 미세패턴 구현이 가능한 노광장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 미세패턴 구현이 가능한 노광방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 노광장치는 광원, 조명부재, 투영부재, 스테이지, 검사부재 및 정보처리부재를 포함한다. 상기 광원은 소정의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 발생시킨다. 상기 조명부재는 상기 광을 복수개의 점형광들로 변형한다. 상기 투영부재는 복수개의 방향으로 연장되는 감광형상에 따라 상기 점형광들을 투영한다. 상기 스테이지는 상기 점형광들이 투영된다. 상기 검사부재는 상기 투영된 상기 점형광들에 의해 형성된 감광패턴을 검사한다. 상기 정보처리부재는 서로 다른 복수개의 조사주기들에 대응되는 서로 다른 복수개의 감광패턴들을 분석하여 각 감광패턴의 상기 서로 다른 방향들에 대한 오차가 가장 작은 조사주기를 공정조사주기로 결정한다.
일 실시예에서, 상기 정보처리부재는 하기의 식에 따라 조사주기를 결정할수 있다. 이때, LE는 라인에지 길이를, PEG는 조사주기를 ΔY는 조사간격을 각각 나타낸다.
LE/PEG= MOD{n x MOD(ΔY/PEG , 1) ,1}
일 실시예에서, 상기 광원은 레이저 발생기를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 조명부재는 도광라인을 통해 상기 광원과 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 조명부재는 상기 도광라인을 통해 가이드된 광의 전체적인 강도를 조절하는 감쇄기, 상기 강도가 조절된 광의 균일성을 향상시키는 균질화기, 및 상기 균일성이 향상된 광을 집광하여 상기 점형광을 생성하는 집광기를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 투영부재는 상기 정보처리장치로부터 투영신호를 인가받아 상기 점형광의 투영여부를 개별적으로 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 투영부재는 복수개의 투과홀들을 포함하는 마스크, 및 상기 마스크의 각 투과홀을 통과한 상기 점형광의 투영여부를 제어하는 투영기를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 투영부재는 인접하는 상기 투과홀들을 통과한 상기 점형광들 사이의 상대거리를 변경시키는 렌즈를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 렌즈는 볼록렌즈를 포함하여 상기 점형광들 사이의 상기 상대거리를 감소시킬 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 노광방법에 있어서, 먼저, 원시층 상에 배치된 감광층 상에 소정의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 조사한다. 이어서, 상기 감광층을 현상하여 감광패턴을 형성한다. 이후에, 복수개의 방향에 대한 감광패턴의 오차를 검사한다. 계속해서, 조사주기를 변경한다. 이어서, 상기 변경된 조사주기에 따라 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계, 상기 감광패턴을 형성하는 단계, 상기 오차를 검사하는 단계 및 상기 조사주기를 변경하는 단계를 복수회 반복한다. 이후에, 상기 복수회 반복된 공정을 통해서 구해진 오차들 중에서 가장 작은 값에 대응되는 조사주기를 공정조사주기로 결정한다. 계속해서, 상기 공정조사주기에 따라 감광층 상에 상기 광을 단속적으로 조사한다.
일 실시예에서, 상기 조사주기는 하기의 식을 만족할 수 있다. 이때, LE는 라인에지 길이를, PEG는 조사주기를 ΔY는 조사간격을 각각 나타낸다.
LE/PEG= MOD{n x MOD(ΔY/PEG , 1) ,1}
일 실시예에서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는, 상기 광이 조사되는 조사점이 감광형상 내에 배치되는 경우 상기 광을 상기 조사점에 조사하고, 상기 조사점이 상기 감광형상 외부에 배치되는 경우 상기 광을 차단할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는, 상기 조사점과 상기 조사간격만큼 이격된 인접하는 조사점이 상기 감광형상 내에 배치되는 경우 상기 광을 상기 인접하는 조사점에 조사하고, 상기 인접하는 조사점이 상기 감광형상 외부에 배치되는 경우 상기 광을 차단할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는, 복수개의 조사점들이 상기 조사점 및 상기 인접하는 조사점이 형성하는 열에 인접하는 열을 따라 배열되고, 상기 인접하는 열의 조사점이 상기 감광형상 내에 배치되는 경우 상기 광을 상기 인접하는 조사점에 조사하고, 상기 인접하는 열의 조사점이 상기 감광형상 외부에 배치되는 경우 상기 광을 차단할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 인접하는 열의 조사점은 하기의 식을 만족할 수 있다. 이때, LE는 라인에지 길이를, PEG는 조사주기를, ΔY는 조사간격을, n은 정수를 각각 나타낸다.
LE = MOD (n x ΔY, PEG)
일 실시예에서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는, 상기 광을 단속적으로 발생시키는 단계, 상기 광을 복수개의 점형광들로 변형하는 단계, 및 상기 점형광들을 상기 감광층 상에 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 점형광들을 상기 감광층 상에 조사하는 단계는 상기 점형광들 사이의 상기 상대거리를 감소시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 감광층 상에 상기 점형광들을 조사하는 단계는, 상기 점형광들을 개별적으로 투영할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수개의 방향에 대한 감광패턴의 오차를 검사하는 단계는 상기 감광패턴의 라인에지 거칠기(Line Edge Roughness; LER)를 검사할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수개의 방향에 대한 감광패턴의 오차를 검사하는 단계는 서로 다른 세 개 이상의 방향들에 대한 선폭을 검사할 수 있다.
이와 같은 실시예들에 따르면, 노광장치는 조사주기(PEG)를 포함하는 노광조건이 최적화된 디지털타입의 장치를 포함한다. 또한, 투영기를 통과한 빔의 선폭들이 다양한 방향에 대하여 균일도가 상승하여 감광패턴의 선폭 균일도가 상승한다. 따라서 공정마진이 개선된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 노광장치의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 3는 도 2에 도시된 노광장치의 일부를 확대한 사시도이다.
도 4은 도 2에 도시된 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 스테이지를 나타내는 평면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 2에 도시된 노광장치를 이용하여 광을 조사하여 감광패턴을 형성하는 단계를 나타내는 평면도이다.
도 7a는 도 2에 도시된 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 단면도이다.
도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 단면도이다.
도 7c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1에 도시된 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 흐름도이다.
도 9a 내지 도 9i는 도 8에 도시된 노광방법의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 조사하는 단계를 나타내는 평면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 도 8에 도시된 노광방법에 따라 다양한 방향으로 연장되는 감광형상 및 감광패턴을 나타내는 평면도이다.
도 11은 도 8에 도시된 노광방법에 따라 공정조사주기를 결정하는 단계를 나타내는 그래프이다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법을 이용하여 형성된 감광패턴들을 나타내는 이미지들이다.
도 13는 도 12a 내지 도 12c에 도시된 패턴들의 공정능력을 나타내는 그래프이다.
도 14a 내지 도 14c는 도 8에 도시된 노광방법을 이용하여 형성된 감광패턴들을 나타내는 이미지들이다.
도 15a 내지 도 15c는 도 14a 내지 도 14c에 도시된 감광패턴들의 단면을 나타내는 이미지들이다.
도 16은 도 15a 내지 도 15c에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다.
도 17a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법에서 조사주기가 0.50μm일 때의 조사점에 대응되는 빔의 크기를 나타내는 이미지이다.
도 17b는 도 17a에 도시된 노광방법에 따라 형성된 감광패턴들을 나타내는 이미지이다.
도 17c는 도 17b에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다.
도 18a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법에서 조사주기가 0.99μm일 때의 조사점에 대응되는 빔의 크기를 나타내는 이미지이다.
도 18b는 도 18a에 도시된 노광방법에 따라 형성된 패턴들을 나타내는 이미지이다.
도 18c는 도 18b에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다.
도 19a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법에서 조사주기가 1.00μm일 때의 조사점에 대응되는 빔의 크기를 나타내는 이미지이다.
도 19b는 도 19a에 도시된 노광방법에 따라 형성된 패턴들을 나타내는 이미지이다.
도 19c는 도 19b에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 노광장치를 나타내는 블록도이고, 도 2는 도 1에 도시된 노광장치의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 노광장치는 광원(100), 조명부재(200), 투영부재(300), 스테이지(400), 몸체(500), 정보처리부재(600), 입력부재(700) 및 검사부재(800)를 포함한다.
광원(100)은 노광에 적합한 광을 생성한다. 상기 노광에 적합한 광은 파장이 짧고 균일한 광을 포함한다. 예를 들어, 상기 노광에 적합한 광은 레이저, 자외선, 엑스선(X-ray), 청색광 등을 포함한다. 상기 노광에 적합한 광이 가시광선을 포함할 수도 있다.
광원(100)은 정보처리부재(600)에 전기적으로 연결되어, 정보처리부재(600)의 광원 구동 신호에 의해 상기 광을 생성한다.
본 실시예에서, 광원(100)은 레이저발생기를 포함한다. 예를 들어, 광원(100)은 엑시머 레이저(Excimer Laser), 연속파 레이저(Continuous Wave Laser; CW Laser), 등을 포함한다. 다른 실시예에서, 광원(100)은 자외선 발생기, 엑스선(X-ray) 발생기 등을 포함할 수도 있다.
도 3은 도 2에 도시된 노광장치의 일부를 확대한 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 조명부재(200)는 광원(100)에 인접하게 배치되고, 도광라인(150)을 통해 광학적으로 연결된다. 도광라인(150)은 광원(100)에서 생성된 광을 조명부재(200)쪽으로 가이드한다.
조명부재(200)는 감쇄기(attenuator, 210), 균질화기(homogenizer, 220) 및 집광기(condenser, 230)를 포함한다. 감쇄기(210)는 도광라인(150)을 통하여 가이드된 광의 전체적인 강도를 조절한다. 예를 들어, 광원(100)이 레이저를 포함하고 상기 레이저의 강도가 일시적으로 상승하는 경우, 감쇄기(210)는 상기 일시적으로 상승된 레이저의 강도를 저하시킨다.
균질화기(220)는 감쇠기(210)를 통하여 강도가 조절된 광의 균일성을 향상시킨다. 예를 들어, 각 감쇄기(210)를 통과한 광의 중심부와 주변부의 휘도차가 존재하는 경우, 균질화기(220)는 상기 광의 중심부와 주변부의 휘도차를 제거한다. 즉, 균질화기(220)는 상기 광의 휘도균일성을 향상시킨다.
집광기(230)는 상기 균일한 광을 집광한다. 본 실시예에서, 스테이지(400)로 노광되는 광은 점형광의 형태를 갖는다. 점형광은 단면에서 볼 때, 소정의 단면크기를 갖는 점상 형태의 광을 의미한다. 예를 들어, 상기 점형광은 단면에서 볼 때, 원형, 타원형 등을 가질 수 있다.
상기 집광된 광은 조명부재(200)로부터 출사되어 투영부재(320)로 가이드된다.
투영부재(320)는 조명부재(200)로부터 출사된 광을 스테이지(400)에 투영한다. 본 실시예에서, 투영부재(320)는 정보처리부재(600)에 전기적으로 연결되어, 정보처리부재(600)의 투영신호에 따라 상기 광의 투영여부를 개별적으로 조절한다.
투영부재(320)는 마스크(310) 및 투영기(320)를 포함한다.
도 4은 도 2에 도시된 마스크를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 마스크(310)는 평판 형상의 차광매질 및 상기 차광매질을 내에 배치되어 광을 투과시키는 복수개의 투과홀들(311)을 포함한다. 상기 투과홀들(311)은 매트릭스 형상(M x N)으로 배열되어 빔조사 어레이(도 5의 420)에 대응된다.
본 실시예에서, 인접하는 투과홀들(311) 사이의 이격거리(D)는 일정하다. 본 실시예에서, 이격거리(D)보다 작은 크기를 갖는 패턴을 형성하기 위하여, 마스크(310)는 스테이지(400)의 이동방향(Y)을 기준으로 소정각도(θ) 기울어진 방향(Y')으로 배열된다.
마스크(310)가 스테이지(400)의 이동방향(Y)을 기준으로 소정각도(θ) 기울어진 방향(Y')으로 배열되는 경우, 노광장치는 인접하는 투과홀들(311) 사이의 이격거리(D)보다 작은 크기의 패턴을 형성할 수 있다.
도 5는 도 2에 도시된 스테이지를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 마스크(310)는 스테이지(400) 상에서, 스캔라인(410)에 수직한 방향으로 이동하고, 동시에 투영부재(300)는 마스크(310)의 투과홀들(311)을 통하여 스테이지(400) 상의 조사점들(422)에 광을 조사한다.
마스크(310)의 투과홀들(311)은 조사점들(422) 및 비조사점들(424)에 대응된다. 조사점들(422)는 포토레지스트(404)의 감광형상(430)에 대응된다. 비조사점들(424)은 포토레지스트(404)의 감광형상(430)을 제외한 나머지 영역에 대응된다.
투영부재(300)의 투영기(320)는 마스크(310)의 투과홀들(311)을 통과한 광 중에서 조사점들(422)에 대응되는 광은 투영시키고, 비조사점들(424)에 대응되는 광은 차단한다. 본 실시예에서, 투영부재(300)는 디지털 마이크로미러 장치(Digital Micromirror Device; DMD)를 포함한다. 디지털 마이크로미러 장치는 전기신호에 따라 각도가 변하는 미세한 크기의 거울을 포함하여, 입사된 광의 일부는 출사시키고, 나머지는 출사방향과 다른 방향으로 반사시킨다.
도 6a 내지 도 6c는 도 2에 도시된 노광장치를 이용하여 광을 조사하여 감광패턴을 형성하는 단계를 나타내는 평면도이다.
도 1 내지 도 6a를 참조하면, 마스크(310)는 스테이지(400)의 하부에서부터 상부쪽으로 이동한다.
마스크(310)가 이동하면서 조사점들(422)을 통하여 감광형상(430)에 광이 조사된다.
도 1 내지 도 6b를 참조하면, 마스크(310)의 이동에 따라 후행하는 조사점(422)은 선행하는 조사점(422)이 이미 조사한 영역에 반복하여 겹쳐진다. 즉, 감광형상(430)의 각 부분은 마스크(310)의 진행방향을 따라서 배열된 복수개의 조사점들(422)에 의해 복수 회 조사된 광들의 합에 해당하는 광량으로 노광된다.
도 1 내지 도 6c를 참조하면, 노광된 포토레지스트를 현상하여 감광패턴(440)을 형성한다.
도 7a는 도 2에 도시된 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 단면도이다.
도 1 내지 도 7a를 참조하면, 원시광(110)은 마스크(310)의 투과홀들(311)을 통과하여 투영기(320)에 입사한다.
투영기(320)는 마스크(310)의 투과홀들(311)을 통과한 광 중에서 조사점(422)에 대응되는 광만을 통과시킨다. 투영기(320)에 입사된 광 중에서 비조사점(424)에 대응되는 광은 차단된다.
복수개의 조사점들(422)에 대응되는 광들은 렌즈(322)에 의해 상대거리가 변경되어 투영광(120)이 된다. 본 실시예에서, 렌즈(322)는 볼록렌즈를 포함하여, 투영광들(120) 사이의 인접거리는 원시광들(110) 사이의 인접거리에 비해 작다. 예를 들어, 투영광들(120)과 원시광들(110) 사이의 인접거리의 비율은 1:1 내지 10:1일 수 있다. 렌즈(322)를 이용하여 투영광들(120)과 원시광들(110) 사이의 인접거리의 비율이 증가시키는 경우, 노광장치의 해상도가 증가하지만 노광오차도 증가하여 정밀도가 감소될 수 있다. 본 발명에서는 후술될 최적화된 공정조사주기(PEG)를 구하는 방법을 통하여 노광오차를 감소시키고 정밀도를 증가시킬 수 있다. 본 실시예에서, 투영광들(120)과 원시광들(110) 사이의 인접거리의 비율은 1:4일 수 있다.
따라서, 투영기(300)에 의해 투영광(120)을 제어하여, 동일한 마스크(310)를 사용하더라도 다양한 형상의 광을 투영할 수 있다. 또한, 복수회 노광을 중첩하여 감광패턴(440)을 형성하여, 노광오류가 감소하며 정밀도가 향상된다.
도 7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 단면도이다.
도 7b를 참조하면, 상기 노광장치는 투영기(도 7a의 320)를 포함하지 않고, 마스크(1310) 자체의 패턴들(1312, 1314)을 이용하여 투영광을 제어한다.
마스크(1310)는 포토레지스트(404)에 밀착된다. 마스크(1310)은 투광패턴(1312) 및 차광패턴(1314)을 포함한다. 투광패턴(1312)은 광을 투과시키고, 차광패턴(1314)은 광을 차단한다.
투광패턴(1312)을 투과한 원시광(110)은 포토레지스트(404)의 감광패턴에 조사된다.
본 실시예에서, 마스크(1310)는 감광패턴의 형상에 따라 교체되어야 한다. 또한, 1회 노광으로 감광패턴이 형성되므로, 노광순간 오류가 발생하는 경우 수율이 감소할 수 있다.
도 7c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 마스크의 배치를 제외한 나머지 구성요소들은 도 7b의 실시예와 동일하므로, 동일한 구성요소에 대한 중복되는 설명은 생략한다.
도 7c를 참조하면, 마스크(1310)는 포토레지스트(404)와 이격되어 배치된다.
마스크(1310)와 포토레지스트(404) 사이의 거리가 감소하면, 감광패턴의 해상도가 증가하지만, 마스크(1310)와 포토레지스트(404)의 접촉으로 인한 오염이 발생할 수 있다.
본 실시예와 같이, 마스크(1310)와 포토레지스트(404)가 이격되는 경우, 마스크(1310)와 포토레지스트(404)의 접촉으로 인한 오염이 방지되고 마스크(1310)의 수명이 연장된다.
도 8은 도 1에 도시된 노광장치를 이용한 노광방법을 나타내는 흐름도이고, 도 9a 내지 도 9i는 도 8에 도시된 노광방법의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 조사하는 단계를 나타내는 평면도이다.
도 1, 도 8 및 도 9a를 참조하면, 광의 조사주기(Pulse Event Generation; PEG)를 결정한다(S50).
노광의 품질은 선폭(Critical Dimension; CD), 라인에지 거칠기(Line Edge Roughness; LER) 등에 의해 나타낼 수 있다. 선폭(CD)의 경우, 감광패턴이 형성된 각도에 따라 달라지기 때문에 투영부재(300)를 이용하여 감광패턴(440)을 직접 형성하는 경우, 투영과정에서 투영광(120)이 불균일해진다. 특히, 렌즈(322)를 이용하여, 원시광(110)보다 해상도가 높은 투영광(120)을 생성하는 경우, 해상도가 높아질수록 투영광(120)이 불균일한 정도가 증가한다.
노광의 품질에 영향을 미치는 변수들로는, 노광위치에 관한 오차, 측정오차, 디지털 마이크로미러 장치(DMD)의 기울기에 대한 상수인 K값, 조사주기(PEG), 노광 파워 분포에 대한 보정값, 흑점(dark defect), 각 조사점(422)의 평균크기(mean size), 크기편차(size variation over field), 타원정도(ellipticity), 자동초점기능(autofocus) 및 스테이지(400)가 평평한 정도(stage flatness), 광학헤드의 초점깊이(Depth of Focus; DOF), 스테이지가 직선으로 이동하는 정도, 광학 배율(spot pitch) 등이 있다.
조사주기(PEG)는 광을 조사하는 주기를 의미하는 것으로, 본 실시예에서는, 디지털 마이크로미러 장치의 온/오프 주기에 대응된다.
[표 1]은 노광의 품질 및 관련 변수들 사이의 연관성을 나타낸다.
Figure pat00001

[표 1]에서, ◎부호는 노광의 품질과 변수 사이의 관계가 매우 높은 경우이며, ○부호는 노광의 품질과 변수 사이의 관계가 약간 높은 경우이고, △부호는 노광의 품질과 변수 사이의 관계가 조금 있는 경우를 나타낸다.
선폭(CD)은 폭, 형상, 높이 등의 다양한 요소들에 영향을 받으므로 노광의 품질에 대한 정량적 분석에 적합하지 않다. 또한 서로 다른 패턴의 연장 방향에 대해서 일관된 영향을 받는 변수가 존재하지 않는다.
선폭균일도(Critical Dimension Uniformity; CDU)는 선폭에 따라 달라지며, 선폭은 전술한 바와 같이 다양한 요소들에 영향을 받으므로 노광의 품질에 대한 정량적 분석에 적합하지 않다.
라인에지 거칠기(LER)의 경우, 패턴의 폭, 형상, 높이 등에 의한 영향이 선폭(CD) 보다 적다. 더욱이, 라인에지 거칠기(LER)는 조사주기(PEG)에 대한 관계에서, 패턴의 연장방향이 수직방향, 수평방향, +45'방향 또는 -45'방향이던지 상관없이 매우 높은 상관관계를 갖는다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 선폭이나 선폭균일도를 검사하는 방법을 권리범위에서 제외시키는 것은 아니다.
따라서 노광의 품질을 분석하는 경우, 선폭(CD)보다 라인에지 거칠기(LER)를 이용하는 것이 유리하다.
[식 1]은 라인에지 길이(LE)를 조사간격(ΔY)과 조사주기(PEG)의 함수로 나타낸 것이다.
LE = MOD (n x ΔY, PEG)
라인에지 길이(LE)는 라인에지(el)과 조사점의 중심선(도 9c의 cl_1, 도 9d의 cl_2) 사이의 거리를 의미한다. 조사간격(ΔY)는 스캔라인(410)에 수직한 방향을 기준으로 인접하는 조사점들 사이의 거리를 의미한다. MOD는 수학연산자로서 나머지를 구한다. 예를 들어, MOD (3,2)라고 하면, 3을 2로 나눈 나머지인 1을 의미한다.
[식 2]는 조사간격(ΔY)과 조사주기(PEG) 사이의 관계식을 나타낸다.
[식 2]
ΔY/PEG = M + α
이때, M은 정수를 나타내고, |α|는 1보다 작은 값을 나타낸다.
[식 1]과 [식 2]를 조합하면 [식 3]과 같이 된다.
[식 3]
LE = MOD (n x M + n x α ,1) x PEG
이때, n, M은 정수이므로 [식 3]을 다시 정리하면 [식 4]와 같이 된다.
[식 4]
LE = MOD(n xα,1) x PEG
[식 4]에 다시 [식 2]를 결합하면 [식 5]를 구할 수 있다.
[식 5]
LE = MOD{n x MOD(ΔY/PEG,1) ,1} x PEG
[식 5]의 양변을 조사주기(PEG)로 나누면 최종적으로 [식 6]을 구할 수 있다.
[식 6]
LE/PEG= MOD{n x MOD(ΔY/PEG , 1) ,1}
[식 6]의 좌변에서, LE/PEG는 라인에지 길이(LE)를 조사주기(PEG)로 정규화(normalize)한 것을 나타낸다. 우변에서, ΔY/PEG는 조사간격(ΔY)을 조사주기(PEG)로 나눈 값을 나타낸다.
즉, 라인에지 길이(LE)를 조사주기(PEG)로 정규화할 경우, 조사간격(ΔY)을 조사주기(PEG)로 나눈 값의 소수점 이하의 값과 같아진다.
[식 6]에 따르면, 라인에지 길이(LE)는 조사주기(PEG)와 조사간격(ΔY)의 함수로 나타낼 수 있다.
이어서, 상기 조사주기(PEG)에 따라 스테이지(400)의 포토레지스트(404)에 광을 단속적으로 조사한다(S100).
도 5, 도 6a 및 도 9a를 다시 참조하면, 마스크(310)의 투과홀(311)이 감광형상(430) 내에 배치되는 경우, 0번째 라인의 조사점(422, 도 9a의 어두운 타원)에 광이 조사된다. 이때, 1번째 및 2번째 라인의 조사점(422, 도 9a의 밝은 타원)은 아직 감광형상(430) 내에 배치되지 않으므로, 광이 조사되지 않는다.
도 5, 도 6a 및 도 9b를 참조하면, 마스크(310)가 스캔라인(410)에 수직한 방향으로 조사주기(PEG)만큼 이동한다. 이어서 마스크(310)의 감광형상(430) 내에 배치된 투과홀들(311)을 통하여 0번째 라인의 두 개의 조사점들(422, 도 9b의 어두운 타원들)에 광이 조사된다. 이때, 1번째 및 2번째 라인의 조사점(422, 도 9b의 밝은 타원)은 아직 감광형상(430) 내에 배치되지 않으므로, 광이 조사되지 않는다.
도 5, 도 6a 및 도 9c를 참조하면, 마스크(310)가 계속해서 스캔라인(410)에 수직한 방향으로 조사주기(PEG)만큼 이동한다. 이어서 마스크(310)의 감광형상(430) 내에 배치된 투과홀들(311)을 통하여 0번째 라인의 세 개의 조사점들(422, 도 9c의 좌측열의 어두운 타원들) 및 1번째 라인의 하나의 조사점(422, 도 9c의 가운데열의 어두운 타원)에 광이 조사된다. 이때, 2번째 라인의 조사점(422, 도 9c의 밝은 타원)은 아직 감광형상(430) 내에 배치되지 않으므로, 광이 조사되지 않는다.
라인에지(el)과 1번째 라인의 조사점(422, 도 9c의 가운데열의 어두운 타원)의 중심선(도 9c의 cl_1) 사이의 거리는 제1 라인에지 길이(LE_1)가 된다. 제1 라인에지 길이(LE_1)는 [식 5]에서 n에 1을 대입하면 구할 수 있다.
도 5, 도 6a 및 도 9d를 참조하면, 마스크(310)가 계속해서 스캔라인(410)에 수직한 방향으로 조사주기(PEG)만큼 이동한다. 이어서 마스크(310)의 감광형상(430) 내에 배치된 투과홀들(311)을 통하여 0번째 라인의 네 개의 조사점들(422, 도 9d의 좌측열의 어두운 타원들), 1번째 라인의 두 개의 조사점들(422, 도 9d의 가운데열의 어두운 타원들) 및 2번째 라인의 하나의 조사점(422, 도 9d의 우측열의 어두운 타원)에 광이 조사된다.
라인에지(el)과 2번째 라인의 조사점(422, 도 9d의 우측열의 어두운 타원)의 중심선(도 9d의 cl_2) 사이의 거리는 제2 라인에지 길이(LE_2)가 된다. 제1 라인에지 길이(LE_2)는 [식 5]에서 n에 2를 대입하면 구할 수 있다.
도 5, 도 6a 및 도 9e 내지 도 9i를 참조하면, 동일한 방식으로 마스크(310)가 계속해서 스캔라인(410)에 수직한 방향으로 조사주기(PEG)만큼 이동한다. 이어서 마스크(310)의 감광형상(430) 내에 배치된 투과홀들(311)을 통하여 0번째 내지 2번째 라인들의 조사점들에 광이 조사된다.
본 실시예에서, 마스크(310)가 이동하는 것으로 기재하였으나, 이는 마스크(310)와 스테이지(400)의 상대적인 이동을 나타내는 것일 뿐, 실제 물리적으로는 스테이지(400)만이 이동될 수도 있다.
도 6c 및 도 8을 다시 참조하면, 광이 조사된 포토레지스트(404)를 현상하여 감광패턴(440)을 형성한다(S200).
도 10a 내지 도 10c는 도 8에 도시된 노광방법에 따라 다양한 방향으로 연장되는 감광형상 및 감광패턴을 나타내는 평면도이다. 도 10a 내지 도 10c에서 직선은 감광형상(도 6a의 430)을 나타내고, 꺾인 선은 감광패턴(도 6c의 440)을 나타낸다.
도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 이후에 감광패턴(440)의 오차를 검사한다(S300).
도 6a 내지 도 6c 및 도 10a를 다시 참조하면, 감광형상(430)이 마스크(310)의 이동방향과 동일한 경우, 감광형상(430)의 방향을 0'로 한다. 감광형상(430)의 방향이 0'인 경우, 감광패턴(440)은 감광형상(430)과 일치한다. 감광패턴(440)이 감광형상(430)과 일치하는 경우, 라인에지 길이(LE)에 상관없이 선폭(CD)이 일정하다.
감광형상(430)이 마스크(310)의 이동방향에 수직한 경우, 감광형상(430)의 방향은 90'로 한다. 감광형상의 방향이 90'인 경우, 감광패턴(440)의 형상은 라인에지 길이(LE)의 분포와 일치하기 때문에 감광패턴(440)은 감광형상(430)과 불일치한다. 그러나, 라인에지 길이(LE)의 분포는 n값에 따라 일정한 분포를 갖기 때문에, [식 6]에 따라 조사주기(PEG)를 미리 조절하면 감광패턴(440)의 조절이 가능하다.
도 6a 내지 도 6c 및 도 10b를 참조하면, 감광형상(430)이 마스크(310)의 이동방향에 +45'의 각도를 갖는 경우, 감광패턴(440)의 형상은 라인에지 길이(LE)의 분포와 +45'의 각도만큼 영향을 받기 때문에 감광패턴(440)은 감광형상(430)과 불일치한다. 그러나, 라인에지 길이(LE)의 분포는 n값에 따라 일정한 분포를 갖기 때문에, [식 6]에 따라 조사주기(PEG)를 미리 조절하면 감광패턴(440)의 조절이 가능하다.
도 6a 내지 도 6c 및 도 10c를 참조하면, 감광형상(430)이 마스크(310)의 이동방향에 -45'의 각도를 갖는 경우, 감광패턴(440)의 형상은 라인에지 길이(LE)의 분포와 -45'의 각도만큼 영향을 받기 때문에 감광패턴(440)은 감광형상(430)과 불일치한다. 그러나, 라인에지 길이(LE)의 분포는 n값에 따라 일정한 분포를 갖기 때문에, [식 6]에 따라 조사주기(PEG)를 미리 조절하면 감광패턴(440)의 조절이 가능하다.
다만, 서로 다른 방향들에 대해서도 감광패턴(440)과 감광형상(430)을 일치시키는 조사주기(PEG)를 구하기 위해서는 후술되는 별도의 방법이 필요하다.
도 11은 도 8에 도시된 노광방법에 따라 공정조사주기를 결정하는 단계를 나타내는 그래프이다. 도 11에서 가로축은 조사주기(PEG)를 나타내고, 세로축은 라인에지 거칠기(LER)를 나타낸다. 라인에지 거칠기(LER)은 라인에지 길이(LE)를 조사주기(PEG)로 정규화한 값이 증가함에 따라 증가한다.
도 8 및 도 11을 참조하면, 계속해서, 라인에지 거칠기(LER)의 분포(n)가 기준값(M) 내에 분포하는지 검사한다(S400).
본 실시예에서, 0.5 μm 에서 1.5 μm의 범위 내의 조사주기(PEG)에 대하여 라인에지 거칠기(LER)를 테스트하였다. 또한 각 조사주기(PEG)에 대하여 90'방향, +45'방향 및 -45'방향에 대한 라인에지 거칠기(LER)를 검사하였다.
라인에지 거칠기(LER)의 분포(n) 기준값(M)에 미치지 못하는 경우, 조사주기(PER)를 변경하여(S500) 라인에지 거칠기(LER)를 구하는 과정을 반복한다.
라인에지 거칠기(LER)의 분포가 1 시그마의 범위를 만족하는 조사주기(PEG)는 0.67μm, 0.71μm, 0.75μm, 0.87μm, 0.99μm, 1μm 및 1.23μm이었다. 또한, 라인에지 거칠기(LER)의 분포가 1.2 시그마의 범위를 만족하는 조사주기(PEG)는 0.87 μm, 0.99 μm 및 1.23 μm이었다.
본 실시예에서, 기준값(M)은 1.2시그마이고, 공정조사주기(PEG)는 0.87 μm, 0.99 μm 또는 1.23 μm 중에서 결정할 수 있다. 바람직하게는, 오차가 가장 작은 값을 공정조사주기(PEG)로 결정한다. 예를 들어, 조사주기(PEG)를 0.99 μm로 결정한다(S600).
따라서, 공정조사주기(PEG)는 조사주기(PEG)들 중에서 감광패턴(440)과 감광형상(430)에 가장 근접한 조사주기(PEG)가 결정된다.
이후에, 결정된 공정조사주기(PEG)에 따라 포토레지스트(404)에 광을 단속적으로 조사한다(S700).
계속해서, 베이스 기판(402) 상에 최종적인 감광패턴(440)을 형성한다.
마지막으로, 최종적인 감광패턴(440)을 식각마스크로 이용하여 식각패턴을 형성한다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법을 이용하여 형성된 감광패턴들을 나타내는 이미지들이다. 본 실시예에서는 캐논(Canon) 사의 SOP-502노광장치를 사용하여 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴을 형성하였다.
도 12a를 참조하면, 수직방향으로 연장된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 2.96μm 내지 3.12μm의 분포를 나타냈다. 수직방향 선폭의 차이는 0.16 μm (3.12μm - 2.96μm)이었다.
도 12b를 참조하면, +45'방향으로 연장된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 2.59μm 내지 3.42μm의 분포를 나타냈다. +45'방향 선폭의 차이는 0.93 μm (3.42μm - 2.59μm)이었다.
도 12c를 참조하면, -45'방향으로 연장된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 2.05μm 내지 3.94μm의 폭을 나타냈다. -45'방향 선폭의 차이는 1.89 μm (3.94μm - 2.05μm)이었다.
본 실시예에서, 수직방향 선폭은 감광형상과 거의 일치하는 모습을 나타냈으나, 감광패턴의 방향이 변경되는 경우 감광형상에 비해 선폭의 차이가 증가했다. 특히, -45'방향에서 오차가 가장 컷다.
도 13는 도 12a 내지 도 12c에 도시된 패턴들의 공정능력을 나타내는 그래프이다. 본 실시예에서, 가로축은 선폭(CD)을 μm단위로 나타낸 것이며, 세로축은 해당 선폭의 출현빈도를 나타낸다. 본 실시예에서, 하한 시방 한계선(Lower Specification Limit; LSL)은 2.5 μm이며, 상한 시방 한계선(Upper Specification Limit; USL)은 3.5 μm으로 설정했다.
도 13을 참조하면, 다양한 각도로 배열된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 그 편차가 컷다. 특히, 상한 시방 한계선(USL)을 벗어나는 선폭들도 다수 관찰되었다.
양품여부를 판단하는 그래프 내에 배치된(Within) 감광패턴들의 공정 능력에 관한 피피케이(ppk)지수는 0.38에 불과했다.
도 14a 내지 도 14c는 도 8에 도시된 노광방법을 이용하여 형성된 감광패턴들을 나타내는 이미지들이고, 도 15a 내지 도 15c는 도 14a 내지 도 14c에 도시된 감광패턴들의 단면을 나타내는 이미지들이다. 본 실시예에서는 도 1에 도시된 노광장치를 사용하여 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴을 형성하였으며, 조사주기(PEG)는 0.99μm 이었다. 다른 실시예와의 구별을 위하여 본 실시예의 실험결과는 AZ 38이라고 명명한다.
도 14a 및 도 15a를 참조하면, 수직방향으로 연장된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 2.93μm 내지 3.11μm의 분포를 나타냈다. 수직방향 선폭의 차이는 0.28 μm (3.11μm - 2.93μm)이었다. 비록, 도 12a에 도시된 선폭의 분포 0.16 μm 에 비해 다소 증가했으나 이는 측정오차범위 내에 위치하는 것으로 도 12a에 도시된 선폭 분포에 비해 분포가 불량하다고 볼 수는 없다.
도 14b 및 도 15b를 참조하면, +45'방향으로 연장된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 2.76μm 내지 3.35μm의 분포를 나타냈다. +45'방향 선폭의 차이는 0.59 μm (3.35μm - 2.76μm)이었다. 도 12b에 도시된 선폭의 분포가 0.93 μm이었으므로, +45'방향에서는 약 37%의 오차감소가 있었다.
도 14c 및 도 15c를 참조하면, -45'방향으로 연장된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 2.42μm 내지 3.58μm의 폭을 나타냈다. -45'방향 선폭의 차이는 1.16 μm (3.58μm - 2.42μm)이었다. 도 12b에 도시된 선폭의 분포가 1.89 μm이었으므로, -45'방향에서는 약 39%의 오차감소가 있었다.
본 실시예에서, 수직방향 선폭은 도 12a에 도시된 실시예와 거의 동일한 오차를 나타냈으며, +45'방향 및 -45'방향에서는 각각 37% 및 39%의 오차감소가 있었다.
도 16은 도 15a 내지 도 15c에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다. 본 실시예에서, 가로축은 선폭(CD)을 μm단위로 나타낸 것이며, 세로축은 해당 선폭의 출현빈도를 나타낸다. 본 실시예에서, 하한 시방 한계선(Lower Specification Limit; LSL) 및 상한 시방 한계선(Upper Specification Limit; USL)은 도 13에서와 마찬가지고 2.5 μm 및 3.5 μm으로 설정했다.
도 16을 참조하면, 다양한 각도로 배열된 3μm의 폭을 갖는 감광형상에 대응되는 감광패턴의 선폭은 그 편차가 감소했다. 하한 시방 한계선(Lower Specification Limit; LSL) 및 상한 시방 한계선(USL)을 벗어나는 선폭들은 거의 관찰되지 않았다.
양품여부를 판단하는 그래프 내에 배치된(Within) 감광패턴들의 공정 능력에 관한 ppk지수는 0.88에 달했으며, 도 13의 ppk지수 0.38에 비해 132%의 향상을 보였다.
도 17a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법에서 조사주기가 0.50μm일 때의 조사점에 대응되는 빔의 크기를 나타내는 이미지이다.
도 6a 및 도 17a를 참조하면, 조사점(422)에 대응되는 빔의 크기는 +45'방향, -45'방향 및 수직방향에 대하여 0.06μm이었다.
도 17b는 도 17a에 도시된 노광방법에 따라 형성된 감광패턴들을 나타내는 이미지이고, 도 17c는 도 17b에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다. 본 실시예에서, 광민감도(Photo sensitivity, EOP)는 30mJ이었고, 조사주기는 0.50μm이었다.
도 17b 및 도 17c를 참조하면, +45'방향 선폭의 최저값은 0.07μm이었고, 최대값은 0.37μm이었으며, 평균값은 0.26μm이었다. -45'방향 선폭의 최저값은 0.15μm이었고, 최대값은 0.30μm이었으며, 평균값은 0.20μm이었다. 따라서 서로 다른 방향에 대한 선폭의 편차는 0.06μm(0.26μm 0.20μm)이었다.
본 실시예에서, 하한 시방 한계선(Lower Specification Limit; LSL) 및 상한 시방 한계선(USL)은 각각 0 μm 및 0.2 μm 이었다. 하한 시방 한계선(LSL)은 0 μm 이므로, 하한 시방 한계선을 벗어나는 선폭은 존재할 수 없다. 상한 시방 한계선(USL)을 벗어나는 선폭들은 다수 관찰되었다.
양품여부를 판단하는 그래프 내에 배치된(Within) 감광패턴들의 공정 능력에 관한 Cpk지수는 -0.06이었다.
도 18a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법에서 조사주기가 0.99μm일 때의 조사점에 대응되는 빔의 크기를 나타내는 이미지이다.
도 6a 및 도 18a를 참조하면, 조사점(422)에 대응되는 빔의 크기는 +45'방향, -45'방향 및 수직방향에 대하여 0.1μm, 0.1μm 및 0.14μm 이었다.
도 18b는 도 18a에 도시된 노광방법에 따라 형성된 패턴들을 나타내는 이미지이고, 도 18c는 도 18b에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다. 본 실시예에서, 광민감도(Photo sensitivity, EOP)는 27mJ이었고, 조사주기는 0.99μm이었다.
도 18b 및 도 18c를 참조하면, +45'방향 선폭의 최저값은 0.15μm이었고, 최대값은 0.30μm이었으며, 평균값은 0.23μm이었다. -45'방향 선폭의 최저값은 0.08μm이었고, 최대값은 0.45μm이었으며, 평균값은 0.26μm이었다. 따라서 서로 다른 방향에 대한 선폭의 편차는 0.03μm(0.26μm 0.23μm)이었으며, 도 17b 및 도 17c의 실시예에 비하여 50%의 감소효과를 나타냈다.
본 실시예에서, 하한 시방 한계선(Lower Specification Limit; LSL) 및 상한 시방 한계선(USL)은 각각 0 μm 및 0.2 μm 이었다. 하한 시방 한계선(LSL)은 0 μm 이므로, 하한 시방 한계선을 벗어나는 선폭은 존재할 수 없다. 상한 시방 한계선(USL)을 벗어나는 선폭들이 일부 관찰되었다.
양품여부를 판단하는 그래프 내에 배치된(Within) 감광패턴들의 공정 능력에 관한 Cpk지수는 -0.15이었다. 비록, 본 실시예의 Cpk지수가 도 17b 및 도 17c의 실시예에 비하여 소폭 상승하였으나, 이는 오차범위 내의 미미한 상승일 뿐이다.
도 19a는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광방법에서 조사주기가 1.00μm일 때의 조사점에 대응되는 빔의 크기를 나타내는 이미지이다.
도 6a 및 도 19a를 참조하면, 조사점(422)에 대응되는 빔의 크기는 +45'방향, -45'방향 및 수직방향에 대하여 0.12μm, 0.12μm 및 0.16μm 이었다.
도 19b는 도 19a에 도시된 노광방법에 따라 형성된 패턴들을 나타내는 이미지이고, 도 19c는 도 19b에 도시된 패턴들에 대응되는 공정능력을 나타내는 그래프이다. 본 실시예에서, 광민감도(Photo sensitivity, EOP)는 27mJ이었고, 조사주기는 1.00μm이었다.
도 19b 및 도 19c를 참조하면, +45'방향 선폭의 최저값은 0.08μm이었고, 최대값은 2.22μm이었으며, 평균값은 1.15μm이었다. -45'방향 선폭의 최저값은 0.48μm이었고, 최대값은 2.38μm이었으며, 평균값은 1.42μm이었다. 따라서 서로 다른 방향에 대한 선폭의 편차는 0.27μm(1.42μm 1.15μm)이었으며, 도 18b 및 도 18c의 실시예에 비하여 800%나 증가했다.
본 실시예에서, 하한 시방 한계선(Lower Specification Limit; LSL) 및 상한 시방 한계선(USL)은 각각 0 μm 및 0.2 μm 이었다. 하한 시방 한계선(LSL)은 0 μm 이므로, 하한 시방 한계선을 벗어나는 선폭은 존재할 수 없다. 상한 시방 한계선(USL)을 벗어나는 선폭들이 매우 많이 관찰되었다.
양품여부를 판단하는 그래프 내에 배치된(Within) 감광패턴들의 공정 능력에 관한 Cpk지수는 -0.6이었다. 본 실시예의 Cpk지수가 도 18b 및 도 18c의 실시예에 비하여 대폭 상승하였다.
도 17a 내지 도 17c의 실시예에 비하여 도 18a 내지 도 18c의 실시예에서는 조사주기(PEG)가 2배 가까이 증가하였으며, 선폭의 편차가 급격히 감소하고 공정능력이 소폭 상승하였다.
그러나, 도 18a 내지 도 18c의 실시예에 비하여 도 19a 내지 도 19c의 실시예에서는 조사주기(PEG)가 0.01 μm 만큼만 증가하였을 뿐이나, 선폭의 편차가 급격히 증가하고 공정능력 또한 대폭 상승하였다.
따라서 본 발명에 따라 최적화된 공정조사주기(PEG)를 이용하여 형성된 감광패턴은 선폭의 변화 및 선폭의 변화에 직접 관련된 라인에지 거칠기(LER)의 편차가 최소한도록 줄어들고 공정능력 또한 우수한 값을 갖는다. 또한, 공정조사주기(PEG)는 선폭의 변화 및 라인에지 거칠기(LER)와 매우 높은 상관관계가 있음을 알 수 있다.
이상 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 노광장치는 조사주기(PEG)를 포함하는 노광조건이 최적화된 디지털타입의 장치를 포함한다. 또한, 투영기를 통과한 빔의 선폭들이 다양한 방향에 대하여 균일도가 상승하여 감광패턴의 선폭 균일도가 상승한다. 따라서 공정마진이 개선된다.
본 발명의 실시예들은 액정표시장치, 유기전계발광장치와 같은 표시장치, 반도체 장치 등 포토공정을 사용하는 모든 종류의 장치 및 방법에 이용될 수 있다.
100 : 광원 110 : 원시광
120 : 투영광 200 : 조명부재
210 : 감쇄기 220 : 균질화기
230 : 집광기 300 : 투영부재
310 : 마스크 311 : 투과홀
320 : 투영기 322 : 렌즈
400 : 스테이지 402 : 베이스 기판
404 : 포토레지스트 410 : 스캔라인
420 : 빔조사 어레이 422 : 조사점
424 : 비조사점 430 : 감광형상
440 : 감광패턴 500 : 몸체
600 : 정보처리부재 700 : 입력부재
800 : 검사부재

Claims (20)

  1. 소정의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 발생시키는 광원;
    상기 광을 복수개의 점형광들로 변형하는 조명부재;
    복수개의 방향으로 연장되는 감광형상에 따라 상기 점형광들을 투영하는 투영부재;
    상기 점형광들이 투영되는 스테이지;
    상기 투영된 상기 점형광들에 의해 형성된 감광패턴을 검사하는 검사부재; 및
    서로 다른 복수개의 조사주기들에 대응되는 서로 다른 복수개의 감광패턴들을 분석하여 각 감광패턴의 상기 서로 다른 방향들에 대한 오차가 가장 작은 조사주기를 공정조사주기로 결정하는 정보처리부재를 포함하는 노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정보처리부재는 하기의 식에 따라 조사주기를 결정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
    LE/PEG= MOD{n x MOD(ΔY/PEG , 1) ,1}
    (LE는 라인에지 길이를, PEG는 조사주기를 ΔY는 조사간격을 각각 나타낸다)
  3. 제1항에 있어서, 상기 광원은 레이저 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 조명부재는 도광라인을 통해 상기 광원과 연결되는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 조명부재는
    상기 도광라인을 통해 가이드된 광의 전체적인 강도를 조절하는 감쇄기;
    상기 강도가 조절된 광의 균일성을 향상시키는 균질화기; 및
    상기 균일성이 향상된 광을 집광하여 상기 점형광을 생성하는 집광기를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 투영부재는 상기 정보처리장치로부터 투영신호를 인가받아 상기 점형광의 투영여부를 개별적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 투영부재는
    복수개의 투과홀들을 포함하는 마스크; 및
    상기 마스크의 각 투과홀을 통과한 상기 점형광의 투영여부를 제어하는 투영기를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 투영부재는 인접하는 상기 투과홀들을 통과한 상기 점형광들 사이의 상대거리를 변경시키는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 렌즈는 볼록렌즈를 포함하여 상기 점형광들 사이의 상기 상대거리를 감소시키는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 원시층 상에 배치된 감광층 상에 소정의 조사주기에 따라 광을 단속적으로 조사하는 단계;
    상기 감광층을 현상하여 감광패턴을 형성하는 단계;
    복수개의 방향에 대한 감광패턴의 오차를 검사하는 단계;
    조사주기를 변경하는 단계;
    상기 변경된 조사주기에 따라 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계, 상기 감광패턴을 형성하는 단계, 상기 오차를 검사하는 단계 및 상기 조사주기를 변경하는 단계를 복수회 반복하는 단계;
    상기 복수회 반복된 공정을 통해서 구해진 오차들 중에서 가장 작은 값에 대응되는 조사주기를 공정조사주기로 결정하는 단계; 및
    상기 공정조사주기에 따라 감광층 상에 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계를 포함하는 노광방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 조사주기는 하기의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
    LE/PEG= MOD{nx MOD(ΔY/PEG , 1) ,1}
    (LE는 라인에지 길이를, PEG는 조사주기를 ΔY는 조사간격을 각각 나타낸다)
  12. 제10항에 있어서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는,
    상기 광이 조사되는 조사점이 감광형상 내에 배치되는 경우 상기 광을 상기 조사점에 조사하고, 상기 조사점이 상기 감광형상 외부에 배치되는 경우 상기 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는,
    상기 조사점과 상기 조사간격만큼 이격된 인접하는 조사점이 상기 감광형상 내에 배치되는 경우 상기 광을 상기 인접하는 조사점에 조사하고, 상기 인접하는 조사점이 상기 감광형상 외부에 배치되는 경우 상기 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는,
    복수개의 조사점들이 상기 조사점 및 상기 인접하는 조사점이 형성하는 열에 인접하는 열을 따라 배열되고,
    상기 인접하는 열의 조사점이 상기 감광형상 내에 배치되는 경우 상기 광을 상기 인접하는 조사점에 조사하고, 상기 인접하는 열의 조사점이 상기 감광형상 외부에 배치되는 경우 상기 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 인접하는 열의 조사점은 하기의 식을 만족하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
    LE = MOD (n x ΔY, PEG)
    (LE는 라인에지 길이를, PEG는 조사주기를, ΔY는 조사간격을, n은 정수를 각각 나타낸다)
  16. 제10항에 있어서, 상기 광을 단속적으로 조사하는 단계는,
    상기 광을 단속적으로 발생시키는 단계;
    상기 광을 복수개의 점형광들로 변형하는 단계; 및
    상기 점형광들을 상기 감광층 상에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 점형광들을 상기 감광층 상에 조사하는 단계는
    상기 점형광들 사이의 상기 상대거리를 감소시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 감광층 상에 상기 점형광들을 조사하는 단계는, 상기 점형광들을 개별적으로 투영하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  19. 제10항에 있어서, 상기 복수개의 방향에 대한 감광패턴의 오차를 검사하는 단계는 상기 감광패턴의 라인에지 거칠기(Line Edge Roughness; LER)를 검사하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  20. 제10항에 있어서, 상기 복수개의 방향에 대한 감광패턴의 오차를 검사하는 단계는 서로 다른 세 개 이상의 방향들에 대한 선폭을 검사하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160024285A (ko) * 2014-08-25 2016-03-04 삼성디스플레이 주식회사 마스크리스 노광 장치, 마스크리스 노광 방법 및 이에 의해 제조되는 표시 기판

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050004069A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 화상기록방법 및 화상기록장치
JP2010533310A (ja) * 2007-07-10 2010-10-21 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド マスクレス露光方法
KR20110064361A (ko) * 2009-12-08 2011-06-15 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 패턴 보정 방법
KR20110064570A (ko) * 2009-12-08 2011-06-15 삼성전자주식회사 마스크리스 노광장치 및 그 제어방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5027132A (en) * 1988-03-25 1991-06-25 Texas Instruments Incorporated Position compensation of laser scan for stage movement
JPH08130181A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Nikon Corp 投影露光装置
EP2302457B1 (en) 2002-10-25 2016-03-30 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system
JP4150250B2 (ja) * 2002-12-02 2008-09-17 富士フイルム株式会社 描画ヘッド、描画装置及び描画方法
JP4315694B2 (ja) * 2003-01-31 2009-08-19 富士フイルム株式会社 描画ヘッドユニット、描画装置及び描画方法
JP2004235487A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Renesas Technology Corp パターン描画方法
CN1573414A (zh) * 2003-06-10 2005-02-02 富士胶片株式会社 像素位置特定方法、图像偏移修正方法、及图像形成装置
JP4373731B2 (ja) * 2003-07-22 2009-11-25 富士フイルム株式会社 描画装置及び描画方法
US6831768B1 (en) 2003-07-31 2004-12-14 Asml Holding N.V. Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography
KR20060120606A (ko) * 2003-08-27 2006-11-27 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광 이미지 형성을 위한 제어 회로 및 방법
US6876440B1 (en) 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
TW200602814A (en) * 2004-03-29 2006-01-16 Fuji Photo Film Co Ltd Exposure device
TW200606601A (en) * 2004-06-17 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd A plotting device and a plotting method
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7609362B2 (en) * 2004-11-08 2009-10-27 Asml Netherlands B.V. Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100524037C (zh) 2004-11-09 2009-08-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 空间光调制器阵列和制造空间光调制器设备的方法
JP2006337696A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Fujifilm Holdings Corp 液晶パネルの製造方法
JP2007003830A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp フレームデータ作成装置及び方法並びにプログラム、描画装置
JP4179477B2 (ja) * 2005-09-29 2008-11-12 富士フイルム株式会社 描画データ取得方法および装置並びに描画方法および装置
JP4948866B2 (ja) * 2006-03-27 2012-06-06 富士フイルム株式会社 描画状態調整方法及び装置
JP2008233343A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Advanced Mask Inspection Technology Kk 試料検査装置、補正画像生成方法及びプログラム
JP2008250140A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 露光装置における露光方法及び露光装置
KR101095549B1 (ko) 2010-04-29 2011-12-19 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 스티칭 노광 방법
KR101202319B1 (ko) * 2010-07-26 2012-11-16 삼성전자주식회사 노광 장치 및 그 제어 방법
KR101214657B1 (ko) 2011-02-24 2012-12-24 에이티엘(주) 디지털 노광 장치 및 그 방법
KR20120100208A (ko) 2011-03-03 2012-09-12 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 누적 조도 보정 방법
KR20120107772A (ko) 2011-03-22 2012-10-04 삼성디스플레이 주식회사 감광성 패턴의 형성 방법, 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판
JP2012243917A (ja) 2011-05-18 2012-12-10 Nikon Corp 荷電粒子線露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US8767170B2 (en) 2011-06-03 2014-07-01 Silicon Light Machines Corporation Flow through MEMS package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050004069A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 화상기록방법 및 화상기록장치
JP2010533310A (ja) * 2007-07-10 2010-10-21 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド マスクレス露光方法
KR20110064361A (ko) * 2009-12-08 2011-06-15 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치와 이를 이용한 패턴 보정 방법
KR20110064570A (ko) * 2009-12-08 2011-06-15 삼성전자주식회사 마스크리스 노광장치 및 그 제어방법

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