TW201909241A - 曝光裝置及曝光方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的曝光裝置100係具備：主照明光源2，係產生第1曝光光L1A、L1B；視野光闌3，係俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部；複數個第1投影光學系統，係將由第1曝光光L1A、L1B形成的光像分別投影至被曝光體6；追加曝光用照明光源12，係配置成在第1方向與主照明光源2相鄰，產生照射至光罩1的第2曝光光L2A、L2B；及補正曝光部；在前述光闌構件係在第2方向交替形成有複合開口區域rC及單獨開口區域rS；前述補正曝光部係限定在光量補正區域來將第2曝光光L12A、L12B照射至被曝光體6。

Description

曝光裝置及曝光方法
本發明係有關曝光裝置及曝光方法。
本專利申請案係根據2017年7月25日向日本國特許廳提出的特願2017-143490號及特願2017-143443號專利申請案主張優先權，並於本說明書引用其內容。
就例如對液晶裝置等所使用的大型基板進行圖案(pattern)形成的裝置而言，已知有掃描型曝光裝置。
就該種掃描型曝光裝置的一例而言，可舉出下述專利文獻1記載的曝光裝置。
在專利文獻1記載的曝光裝置中，係以照明光對遮罩(mask)進行照明，將形成在遮罩之圖案的像，藉由複數個投影光學系統，曝光至被曝光體，該被曝光體為板(plate)。
遮罩與板係同步而能夠以相同速度相對於投影光學系統沿X方向移動。投影光學系統係分別以正立等倍實成像系統構成，沿正交於X方向的Y方向交錯排列。
照明光係通過排列在各投影光學系統各光軸上的複數個視野光闌而照射至遮罩。各視野光闌係具有在X方向有兩邊相對向的平行四邊形之形狀。各視野光闌係配 置成從掃描方向即X方向觀看時Y方向的對邊為重疊的位置關係。
各投影光學系統係將形成在遮罩之圖案的圖像，以俯視下交錯排列的複數個平行四邊形形狀的光像，投影至板。然而，藉由遮罩及板相對於各投影光學系統沿X方向移動，使各光像沿X方向掃描板的表面。因此，當X方向的掃描結束，板便受到整個遮罩的圖像的曝光。
在如上述的曝光裝置中，係在掃描方向產生第1區域與第2區域。在第1區域係藉由通過單一視野光闌的光進行曝光。在第2區域係藉由通過在Y方向相鄰的兩個視野光闌的光進行曝光。各視野光闌的形狀及排列係以使第1區域的掃描曝光量與第2區域的掃描曝光量相等的方式設定。
專利文獻1的曝光裝置係藉由照度感測器(senesor)而以使照明光的照明強度亦在各視野光闌上成為均一光強度的方式進行控制。
如上述的曝光裝置係將形成在遮罩之圖案正確地曝寫至板，藉此將遮罩的圖案複製至板上。
下述之專利文獻2記載的投影曝光方法，其目的在於抑制掃描型曝光裝置中由投影光學系統的投影區域的重疊誤差引起的「畫面分離」。因此，在專利文獻2係記載將倍縮光罩(reticle)的圖案的描繪位置與基板的搬送位置沿垂直於光學系統光軸且垂直於掃描方向的方向挪移預定量。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開平11-160887號公報
專利文獻2：日本特開平10-62809號公報
然而，在如上述的習知技術的掃描型曝光裝置中，會因各種原因而在遮罩的圖案與板上的曝光圖案之間產生製造誤差。
例如，在遮罩具有高均一性格子狀圖案的情形中，即便是比較個別圖案彼此的線寬也難以看出的變動，一定之區域的線寬在整體上或仍會發生變化。此時，有可能產生能夠容易觀看到的格子狀圖案的濃淡不均。例如，液晶裝置所使用的濾色器(color filter)的黑色矩陣(black matrix)圖案等係尤其容易觀看到如上述的不均。
因此，較佳為將沿曝光裝置的掃描方向產生的圖案的線寬等之變動予以抑制。
本案發明人們係發現一種現象，即，在如上述的掃描型曝光裝置中，即便令與各視野光闌對應的各曝光光量準確地一致，圖案的濃度不均仍以與視野光闌的配置間距(pitch)對應的間距產生。本案發明人們在致力於研究該現象後，得知該濃度不均的產生係因在朝掃描方向延伸的帶狀的區域，圖案的線寬稍微窄縮之故。此外，還得知產生濃度不均的區域乃是以相鄰的視野光闌進行曝光的曝光區域發生重疊的相接處區域。
上述問題乃係使用複數個投影光學系統的掃描型曝光裝置所特有的問題。例如，隨著液晶裝置的高精細度化等要求的高漲，益加強烈需要進一步降低如上述線寬不均的技術。
如上述的相接處區域的濃度不均乃係例如與專利文獻2中的「畫面分離」不同的現象，以專利文獻2記載的方法並無法解決。
本發明乃係鑒於上述問題而研創，目的在於提供一種曝光裝置及曝光方法，能夠減輕在使用交錯排列的複數個投影光學系統時由曝光區域的相接處引起的曝光不均。
為了解決上述課題，本發明第1態樣的曝光裝置係具備：第1光源，係產生第1曝光光；光闌構件，係俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部，且以使前述複數個開口部位在前述第1光源與曝光用光罩(photomask)之間的方式進行配置；複數個第1投影光學系統，係配置成與前述光闌構件的前述複數個開口部各者相對向，將由穿透前述複數個開口部各者的前述第1曝光光形成的光像分別投影至曝光對象物；第2光源，係配置成在沿前述第1軸線的第1方向與前述第1光源相鄰，產生照射至前述曝光用光罩的第2曝光光；及補正曝光部，係配置在前述曝光用光罩到前述曝光對象物之間的前述第2曝光光的光路上；前述複數個開口部的前述第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與 前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；前述補正曝光部係俯視下將穿透前述曝光用光罩的前述第2曝光光的照射至前述曝光對象物的照射範圍限定在前述複合開口區域的前述第2方向的寬度沿前述第1方向延長而成的區域即光量補正區域來照射前述第2曝光光。
在前述第1態樣的曝光裝置中，亦可為，前述補正曝光部係以使在前述光量補正區域的前述第2曝光光的前述第1方向的累計光量形成為前述光量補正區域的前述第2方向的中心部比兩端部高的方式照射前述第2曝光光。
在前述第1態樣的曝光裝置中，亦可為，前述補正曝光部係具備：第2投影光學系統，係將前述第2曝光光往前述曝光對象物投影；及光穿透量規範構件，係在前述曝光用光罩與前述曝光對象物之間將前述第2曝光光規範在前述光量補正區域的範圍。
在前述第1態樣的曝光裝置中，亦可為，前述光穿透量規範構件係配置在前述第2投影光學系統與前述曝光對象物之間。
在前述第1態樣的曝光裝置中，亦可為，前述光穿透量規範構件係含有光衰減濾光器。
在前述第1態樣的曝光裝置中，亦可為，前述光穿透量規範構件係含有孔徑光闌。
在前述第1態樣的曝光裝置中，亦可為，前述光穿透量規範構件係含有液晶光閘(shutter)。
本發明第2態樣的曝光方法係含有：準備俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部之光闌構件；進行如下述的第1曝光，即，將穿透前述光闌構件的前述複數個開口部的第1曝光光，沿沿著前述第1軸線的第1方向對曝光用光罩及曝光對象物進行相對掃描，藉此，將由前述第1曝光光形成的前述曝光用光罩的光像投影至前述曝光對象物；及進行如下述的第2曝光，即，在前述第1曝光之前或之後將第2曝光光照射至前述曝光用光罩，將穿透前述曝光用光罩的前述第2曝光光，於前述第1方向對前述曝光用光罩及前述曝光對象物進行相對掃描，藉此，將由前述第2曝光光形成的前述曝光用光罩的光像投影至前述曝光對象物；前述複數個開口部的前述第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；在進行前述第2曝光時，俯視下限定在前述複合開口區域的前述第2方向的寬度沿前述第1方向延長而成的區域即光量補正區域來將前述 第2曝光光照射至前述曝光對象物。
本發明第3態樣的曝光裝置係具備：光源，係產生曝光光；光闌構件，係俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部，且以使前述複數個開口部位在前述光源與曝光用光罩之間的方式進行配置；複數個投影光學系統，係配置成與前述光闌構件的前述複數個開口部各者相對向，將由穿透前述複數個開口部各者的前述曝光光形成的光像分別投影至曝光對象物；及光穿透量削減構件，係配置在前述光源到前述曝光對象物之間的前述曝光光的光路上；前述複數個開口部的沿前述第1軸線的第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；光穿透量削減構件係將照射至俯視下至少與前述單獨開口區域分別重疊的前述曝光對象物上的光量補正區域的前述曝光光的光量降低。
在前述第3態樣的曝光裝置中，亦可為，前述光穿透量削減構件係具備：第1光穿透量削減部，係將照射至俯視下至少與前述單獨開口區域重疊的前述曝光對象物上的第1光量補正區域的前述曝光光的光量降低；及第2光穿透量削減部，係設置成與前述第1光穿透量削減部在前述第2方向相鄰，將照射至俯視下與前 述複合開口區域重疊的前述曝光對象物上的第2光量補正區域的前述曝光光的光量降低。
在前述第3態樣的曝光裝置中，亦可為，前述第1光穿透量削減部係含有使前述曝光光的穿透率均一地降低的均一濃度濾光器；前述第2光穿透量削減部係含有前述曝光光的穿透率隨著遠離與前述第1光穿透量削減部在前述第2方向相鄰的部位而增大的漸變濃度濾光器。
在前述第3態樣的曝光裝置中，亦可為，前述光穿透量削減構件係配置在前述投影光學系統與前述曝光對象物之間。
本發明第4態樣的曝光方法係含有：準備在俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部之光闌構件；及進行如下述的曝光，即，將穿透前述光闌構件的前述複數個開口部的曝光光，沿沿著前述第1軸線的第1方向對曝光用光罩及曝光對象物進行相對掃描，藉此，將由前述曝光光形成的前述曝光用光罩的光像投影至前述曝光對象物；前述複數個開口部的前述第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；在進行前述曝光時，藉由產生前述曝光光的光源到前述 曝光對象物之間的前述曝光光的光路上所配置的光穿透量削減構件，將照射至俯視下至少與前述單獨開口區域分別重疊的前述曝光對象物上的光量補正區域的前述曝光光的光量降低。
依據本發明的曝光裝置及曝光方法，能夠減輕在使用交錯排列的複數個投影光學系統時由曝光區域的相接處引起的曝光不均。
1‧‧‧光罩(曝光用光罩)
2、32‧‧‧主照明光源(照明光源、第1光源)
3、4、33A、33B‧‧‧視野光闌(光闌構件)
3A、4A‧‧‧第1開口部(開口部)
3B、4B‧‧‧第2開口部(開口部)
5、15、25、35‧‧‧投影光學單元
5A‧‧‧第1排投影光學系統(投影光學系統、第1投影光學系統)
5B‧‧‧第2排投影光學系統(投影光學系統、第1投影光學系統)
6‧‧‧被曝光體(曝光對象物)
7‧‧‧底座
8、18、28‧‧‧光衰減濾光器(光穿透量削減構件)
8a、18a‧‧‧減光部(均一濃度濾光器)
9、19、29、49、59、69、79‧‧‧追加曝光用投影光學單元(補正曝光部)
9A、49A‧‧‧第1排投影光學系統
9B、49B‧‧‧第2排投影光學系統
9a‧‧‧透鏡單元(第2投影光學系統)
9b、19b‧‧‧濾光器(光穿透量規範構件、光衰減濾光器)
9d、19d‧‧‧第1減光部
9e、19e‧‧‧第2減光部
12、42、52‧‧‧追加曝光用照明光源(第2光源)
13A‧‧‧第1光像
13B‧‧‧第2光像
19A、59A、69A、79A‧‧‧投影光學系統
19dA‧‧‧第1補正用光像
19dB‧‧‧第4補正用光像
19eA‧‧‧第3補正用光像
19eB‧‧‧第2補正用光像
28a‧‧‧第1減光部(第1光穿透量削減部、均一濃度濾光器)
28b‧‧‧第2減光部(第2光穿透量削減部、漸變濃度濾光器)
28c‧‧‧第3減光部(第2光穿透量削減部、漸變濃度濾光器)
49a、49d、59a、59d‧‧‧光圈(光穿透量規範構件、孔徑光闌)
69a、69b、69c‧‧‧開口可變光圈(光穿透量規範構件、孔徑光闌)
79a‧‧‧液晶光閘面板(光穿透量規範構件、液晶光閘)
100、100A、101、102、103、104、105、106、107、110、120‧‧‧曝光裝置
AC‧‧‧複合曝光區域
AS、AS1、AS2‧‧‧單獨曝光區域
L1A、L1B、L11A、L11B、L5A、L5B、L15A、L15B、L25A、L25B‧‧‧第1曝光光(曝光光)
L2A、L2B、L12A、L12B、L22A‧‧‧第2曝光光
I5A、I8A‧‧‧第1光像
I5B、I8B‧‧‧第2光像
M、ML、MR、M1、M2‧‧‧光量補正區域
m1‧‧‧第1光量補正區域
m2‧‧‧第2光量補正區域
O3、O4‧‧‧軸線(第2軸線)
O5‧‧‧軸線(第1軸線)
O9、O13、O19‧‧‧軸線
P‧‧‧遮罩圖案
rC‧‧‧複合開口區域
rS‧‧‧單獨開口區域
圖1係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。
圖2係圖1中的A視角的俯視圖。
圖3係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的曝光用光罩的一例之俯視示意圖。
圖4係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的曝光用光罩的遮罩圖案的一例之放大示意圖。
圖5A係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的視野光闌的一例之俯視示意圖。
圖5B係顯示視野光闌的變形例之俯視示意圖。
圖6係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的補正用曝光部的一例之局部剖面示意圖。
圖7係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
圖8係顯示沿圖7中的B-B線的穿透率分布之示意 性曲線圖(graph)。
圖9係針對本發明第1實施形態的曝光方法中的第1曝光進行說明的示意圖。
圖10A係針對第1曝光的曝光時間的比率進行說明的示意圖。
圖10B係針對第1曝光的有效曝光量進行說明的示意圖。
圖11係針對本發明第1實施形態的曝光方法中的第2曝光進行說明的示意圖。
圖12係針對第2曝光的有效累計光量進行說明的示意性曲線圖。
圖13係針對以第1曝光及第2曝光的有效總曝光量進行說明的示意性曲線圖。
圖14A係顯示本發明第2實施形態的曝光裝置的主要部分的一例之俯視示意圖。
圖14B係圖14A的D-D剖面圖。
圖15係顯示本發明第2實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
圖16係顯示沿圖15中的E-E線的穿透率分布之示意性曲線圖。
圖17A係顯示本發明第3實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。
圖17B係圖17A中的F視角的俯視圖。
圖18A係顯示本發明第4實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。
圖18B係圖18A中的G視角的俯視圖。
圖19係顯示本發明第5實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
圖20係顯示本發明第5實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
圖21係顯示本發明第6實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
圖22係顯示本發明第6實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
圖23A係顯示本發明第7實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的主要部分的一例之俯視示意圖。
圖23B係顯示本發明第7實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的主要部分的一例之俯視示意圖。
圖23C係顯示本發明第7實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的主要部分的一例之俯視示意圖。
圖24A係顯示本發明第8實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之局部剖面示意圖。
圖24B係圖24A中的H視角的放大圖。
圖25係顯示本發明第9實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。
圖26係圖25中的J視角的俯視圖。
圖27係顯示本發明第9實施形態的曝光裝置的主要部分的構成之局部剖面示意圖。
圖28係顯示本發明第9實施形態的曝光裝置使用的光穿透量削減構件的一例之俯視示意圖。
圖29係顯示沿圖28中的K-K線的穿透率分布之示意性曲線圖。
圖30係針對本發明第9實施形態的曝光裝置的曝光進行說明的示意圖。
圖31係針對本發明第9實施形態的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。
圖32係顯示本發明第10實施形態的曝光裝置使用的光穿透量削減構件的一例之俯視示意圖。
圖33係顯示沿圖32中的N-N線的穿透率分布之示意性曲線圖。
圖34係針對本發明第10實施形態的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。
圖35係顯示本發明第11實施形態的曝光裝置使用的光穿透量削減構件的一例之俯視示意圖。
圖36係顯示沿圖35中的Q-Q線的穿透率分布之示意性曲線圖。
圖37係針對本發明第11實施形態的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。
圖38係顯示本發明第11實施形態的變形例的曝光裝置的光穿透量削減構件的穿透率分布之示意性曲線圖。
圖39係針對本發明第11實施形態的變形例的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。
以下，針對本發明的實施形態，參照添附圖 式進行說明。在全部的圖式中，即使實施形態不同，對相同或等同的構件仍給予相同的元件符號且將共通的說明省略。
[第1實施形態]
針對本發明第1實施形態的曝光裝置進行說明。
圖1係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。圖2係圖1中的A視角的俯視圖。圖3係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的曝光用光罩的一例之俯視示意圖。圖4係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的曝光用光罩的遮罩圖案的一例之放大示意圖。圖5A、圖5B係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的視野光闌的一例之俯視示意圖。
圖1、圖2所示的曝光裝置100乃係藉由複數個投影光學系統，將光罩1(曝光用光罩)的曝光用圖案，等倍掃描曝光至被曝光體6(曝光對象物)的掃描型曝光裝置。
在針對曝光裝置100的詳細構成進行說明之前，先針對光罩1的一例進行說明。
如圖3所示，光罩1係具備透光性基板1A及遮罩部1B。
就透光性基板1A而言，係能夠使用具有能夠讓曝光裝置100的照明光穿透的透光性的適宜的基板。例如，透光性基板1A係亦可由玻璃基板(glass)構成。透光性基板1A的外形並無特別限定。在圖3所示的例子中，透光 性基板1A的外形在俯視下為矩形形狀。
遮罩部1B係具備作為藉由曝光裝置100投影至被曝光體6的曝光用圖案之遮罩圖案P。遮罩圖案P係例如由積層在透光性基板1A上的金屬等遮光層經圖案成形(patterning)來構成。
等倍曝光的曝光裝置100使用的遮罩圖案P係只要採用與要形成在被曝光體6的曝光圖案相同的形狀即可。
遮罩圖案P係在透光性基板1A的表面，在沿透光性基板1A長邊的y方向與沿透光性基板1A短邊的x方向，以二維的形態形成。
為了記述透光性基板1A上的遮罩圖案P的位置，在x方向係設定x座標軸、在y方向係設定y座標軸。作為一例，在圖3中係設定以透光性基板1A的外形的一頂點作為原點O的x座標軸與y座標軸。但xy座標系的原點O係亦可設定在透光性基板1A的適宜位置。
遮罩圖案P的具體形狀乃係形成曝光圖案所必要的適宜的形狀。
以下，係就遮罩圖案P的一例，以俯視下光穿透部的形狀為矩形格子的例子進行說明。如上述的矩形格子狀的曝光圖案係例如亦可用於形成液晶裝置的濾色器所使用的黑色矩陣(BM)。
於圖4顯示遮罩圖案P的放大圖。
遮罩圖案P係由俯視下為矩形形狀的複數個遮光部1b在x方向及y方向排列成矩形格子狀。例如，遮光部 1b的排列間距係在x方向為Px、在y方向為Py。例如，當光罩1為BM形成用的光罩時，間距Px(Py)係與次像素(sub-pixel)的x方向(y方向)的排列間距一致。
在各遮光部1b之間係形成有露出透光性基板1A(參照圖3)表面的光穿透部1a。光穿透部1a係分成朝x方向延伸的第1線狀部1ax與朝y方向延伸的第2線狀部1ay。
第1線狀部1ax係具有一定的線寬L1y。同樣地，第2線狀部1ay係具有一定的線寬L1x。例如，當光罩1為BM形成用的光罩時，線寬L1y、L1x係分別等於BM的y方向、x方向的線寬。
此處，回到曝光裝置100的說明。
如圖1、圖2所示，曝光裝置100係具備：底座(base)7、第2驅動部11、第1驅動部10、主照明光源2(第1光源)、視野光闌3(光闌構件)、投影光學單元(unit)5、追加曝光用照明光源12(第2光源)、及追加曝光用投影光學單元9(補正曝光部)。
底座7係為了載置被曝光體6而具有沿橫方向(在本實施形態中為水平方向)配置的平坦的頂面7a。如圖1所示，底座7係以能夠藉由第2驅動部11而沿橫方向當中的Y方向(第1方向、從圖示左側往右側之方向)移動的方式獲得支撐。第2驅動部11的構成並無特別限定。例如，第2驅動部11係亦可由能夠沿Y方向往復移動的一軸載台(stage)所構成。但第2驅動部11係亦可構成為能夠使底座7在水平面沿正交(交叉)於Y方向的X 方向(第2方向、從圖1的紙面深處往觀者側之方向)移動。
如圖2所示，在本實施形態中，底座7的移動方向乃係沿著朝橫方向當中的Y方向(從圖2的左方往右方之方向)延伸的軸線O5(第1軸線)之方向。
第2驅動部11係能夠在將底座7如圖示的二點鏈線所示移動至Y方向的移動界限後，將底座7朝Y方向的反向移動而返回移動開始位置。
在被曝光體6，係藉由曝光裝置100而受到以光罩1的遮罩圖案P的光像為基礎的曝光圖案的曝光。被曝光體6係形成為比頂面7a小且為光罩1以下之大小的矩形板狀。被曝光體6係以使其長邊方向與Y方向一致的方式載置於頂面7a上。
被曝光體6係在適宜的基板上塗布供進行光微影(photolithography)之用的感光性的阻劑(resist)而構成。
如圖1所示，在曝光裝置100中，光罩1係配置在與載置在底座7的被曝光體6在上下方向(在本實施形態中為鉛直方向)相對向的位置。光罩1係由以能夠藉由第1驅動部10驅動的方式設置的支撐部(未圖示)所支撐。第1驅動部10係構成為能夠與底座7同步沿橫方向平行移動，俾使支撐部(未圖示)與底座7的頂面7a保持一定的間隔。同第2驅動部11一樣，第1驅動部10係亦可使用能夠沿Y方向移動的一軸載台、能夠沿XY方向移動的二軸載台等。
曝光裝置100中的光罩1係以y座標軸的正方向與 Y方向反向、x座標軸沿X方向的方式配置。
主照明光源2係為了對被曝光體6進行曝光而產生具有令被曝光體6上的阻劑發生感光之波長的照明光(第1曝光光)。主照明光源2係在光罩1的移動區域的上方，由支撐構件(未圖示)固定支撐。主照明光源2係朝下方照射照明光。
視野光闌3係在上下方向配置在主照明光源2與光罩1的移動區域之間。視野光闌3係由支撐構件(未圖示)固定支撐。視野光闌3係對主照明光源2所照射的照明光進行整形，將照明光分割成複數個照明區域。
如圖5A所示，視野光闌3係具有複數個第1開口部(開口部)3A與複數個第2開口部(開口部)3B。複數個第1開口部3A係沿X方向以w1+w2(其中，w1<w2)的間距排列。複數個第2開口部3B係在相對於複數個第1開口部3A沿Y方向平行偏移達△(其中，△>h/2)而至的軸線上沿X方向以w1+w2的間距排列。
俯視下，第1開口部3A的形狀為頂角非直角的等腰梯形。第1開口部3A係以第1邊3a、第2邊3b、第3邊3c、及第4邊3d構成。第1邊3a為等腰梯形的上底，第2邊3b為等腰梯形的下底。第1邊3a、第2邊3b的長度分別為w1、w2。第1邊3a、第2邊3b係配置成互相平行，在Y方向相距達等腰梯形的高h。第3邊3c、第4邊3d乃係在X方向依序配置的等腰梯形的腰。
俯視下，第2開口部3B的形狀為將第1開 口部3A旋轉180°而成的形狀。第2開口部3B在X方向的位置係相對於第1開口部3A偏移達(w1+w2)/2。因此，第2開口部3B在X方向係配置在與兩個第1開口部3A之間的中間點相對向的位置。
藉由如上述的配置，第1開口部3A及第2開口部3B係沿著朝X方向延伸的軸線O3(第2軸線)交錯排列。
從Y方向觀看，第1開口部3A及第2開口部3B各自的第3邊3c彼此和第4邊3d彼此係重疊。從Y方向觀看，第1開口部3A的第1邊3a(第2邊3b)的端部與第2開口部3B的第2邊3b(第1邊3a)的端部係位在相同位置。
設沿Y方向觀看視野光闌3時只有第1開口部3A與第2開口部3B其中任一者形成開口的區域為單獨開口區域rS。在單獨開口區域rS，第1開口部3A或第2開口部3B的Y方向的開口寬度係在X方向為一定。亦即，單獨開口區域rS的Y方向的開口寬度為等腰梯形的高h。
設在Y方向，第1開口部3A及第2開口部3B兩者皆形成開口的區域為複合開口區域rC。在複合開口區域rC，第1開口部3A及第2開口部3B係在Y方向隔著間隔相鄰。在複合開口區域rC，第1開口部3A及第2開口部3B係在Y方向形成開口，合計的開口寬度係與等腰梯形的高h相等且在X方向為一定。
如上述，單獨開口區域rS的Y方向的開口寬度與複合開口區域rC的Y方向的合計的開口寬度係與等腰梯形 的高h相等且在X方向為一定。以下，或有將等腰梯形的高h稱為開口寬度(開口量)h。
單獨開口區域rS及複合開口區域rC係沿X方向交替配置。
在視野光闌3，單獨開口區域rS的X方向的寬度為w1，複合開口區域rC的X方向的寬度為(w2-w1)/2。
視野光闌3中的第1開口部3A及第2開口部3B的形狀、配置係只要配合後述的投影光學單元5的排列等而設定成適宜的大小即可。以下，顯示與第1開口部3A及第2開口部3B相關的具體尺寸例。
(w2-w1)/2係例如可採用14mm(millimeter；毫米)以上18mm。開口寬度h係例如可採用25mm以上45mm。(w1+w2)/2係例如可採用95mm以上100mm以下。△係例如可採用200mm以上300mm以下。
曝光裝置100的視野光闌3係例如亦可置換成圖5B所示的視野光闌4。
視野光闌4係具有複數個第1開口部(開口部)4A與複數個第2開口部(開口部)4B。複數個第1開口部4A係沿X方向以2w3的間距排列。複數個第2開口部4B係在相對於複數個第1開口部4A沿Y方向平行偏移達△而至的軸線上沿X方向以2w2的間距排列。
俯視下，第1開口部4A的形狀為頂角非直角的平行四邊形。第1開口部4A係以第1邊4a、第2邊4b、第3邊4c、及第4邊4d構成。第1邊4a及第3邊4c為Y方向的對邊。第3邊4c及第4邊4d為X方 向的對邊。第1邊4a、第2邊4b的長度分別為w3。具有第3邊4c、第4邊4d的直角三角形的X方向的寬度分別為w4(其中，w4<w3)。
俯視下，第2開口部4B的形狀係與第1開口部4A相同。第2開口部4B在X方向的位置係相對於第1開口部4A偏移達w3。因此，第2開口部4B在X方向係配置在與兩個第1開口部4A之間的中間點相對向的位置。
藉由如上述的配置，第1開口部4A及第2開口部4B係沿著朝X方向延伸的軸線O4(第2軸線)交錯排列。
從Y方向觀看，第1開口部4A的第3邊4c(第4邊4d)與第2開口部4B的第4邊4d(第3邊4c)係分別彼此重疊。從Y方向觀看，第1開口部4A的第1邊4a(第2邊4b)的端部與第2開口部4B的第1邊4a(第2邊4b)的端部係位在相同位置。
設沿Y方向觀看視野光闌4時只有第1開口部4A與第2開口部4B其中任一者形成開口的區域為單獨開口區域rS。在單獨開口區域rS，第1開口部4A或第2開口部4B的Y方向的開口寬度係在X方向為一定。亦即，單獨開口區域rS的Y方向的開口寬度為平行四邊形的高h。
設在Y方向，第1開口部4A及第2開口部4B兩者皆形成開口的區域為複合開口區域rC。在複合開口區域rC，第1開口部4A及第2開口部4B係在Y方向隔著間隔相鄰。在複合開口區域rC，第1開口部4A及第2開 口部4B係在Y方向形成開口，合計的開口寬度係與平行四邊形的高h相等且在X方向為一定。
如上述，單獨開口區域rS的Y方向的開口寬度與複合開口區域rC的Y方向的合計的開口寬度係與平行四邊形的高h相等且在X方向為一定。以下，或有將平行四邊形的高h稱為開口寬度h。
單獨開口區域rS及複合開口區域rC係沿X方向交替配置。
在視野光闌4，單獨開口區域rS的X方向的寬度為(w3-w4)，複合開口區域rC的X方向的寬度為w4。
以下，只要未特別聲明，係以曝光裝置100具備視野光闌3時的例子進行說明。
如圖1所示，投影光學單元5係配置在比底座7上的被曝光體6更上方。投影光學單元5與視野光闌3係在上下方向相對向。在投影光學單元5與視野光闌3之間係配置光罩1的移動區域。投影光學單元5係由支撐構件(未圖示)固定支撐。
如圖2所示，投影光學單元5係具備沿軸線O3交錯排列的複數個第1排投影光學系統5A(投影光學系統、第1投影光學系統)與複數個第2排投影光學系統5B(投影光學系統、第1投影光學系統)。
第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)乃係將物體像以正立等倍像成像在像面的成像光學系統。第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)係配置在使光罩1的遮罩圖案P與塗布有阻劑的被曝 光體6的頂面互成共軛的位置關係之位置。在本實施形態中，從第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)射往被曝光體6的出射光係形成為平行光束。
如圖5A中的二點鏈線所示，第1排投影光學系統5A係以能夠使穿透第1開口部3A的光的光像投影至被曝光體6的方式配置在第1開口部3A的下方。第2排投影光學系統5B係以能夠使穿透第2開口部3B的光的光像投影至被曝光體6的方式配置在第2開口部3B的下方。
第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)係將由穿透第1開口部3A(第2開口部3B)的光形成的光像以正立等倍像投影至被曝光體6。因此，第1開口部3A(第2開口部3B)的單獨開口區域rS、複合開口區域rC的光像亦分別投影至在上下方向相對向的被曝光體6上。
第1排投影光學系統5A及第2排投影光學系統5B係配置成與第1開口部3A及第2開口部3B相同的交錯排列的位置關係。因此，第1開口部3A及第2開口部3B之間的間隔係採用避免第1排投影光學系統5A及第2排投影光學系統5B互相干涉的尺寸。第1開口部3A與第2開口部3B的y方向的間距△係例如或有形成為y方向的開口寬度h的6倍至8倍程度大的值。
當使用如圖5B所示的視野光闌4取代視野光闌3時，第1排投影光學系統5A係以能夠使穿透第1開口部4A的光的光像投影至被曝光體6的方式配置在第 1開口部4A的下方。第2排投影光學系統5B係以能夠使透過第2開口部4B的光的光像投影至被曝光體6的方式配置在第2開口部4B的下方。
追加曝光用照明光源12係為了對被曝光體6進行曝光而產生具有令被曝光體6上的阻劑發生感光之波長的照明光(第2曝光光)。追加曝光用照明光源12係配置在光罩1的移動區域的上方。此外，由支撐構件(未圖示)固定支撐在與主照明光源2在Y方向相鄰的位置。追加曝光用照明光源12係朝下方照射照明光。
雖省略圖示，但追加曝光用照明光源12係具備適宜的遮光構件。遮光構件係依需要令照明光僅射入追加曝光用投影光學單元9的各投影光學系統，詳情於後說明。
如圖1所示，追加曝光用投影光學單元9係以與底座7上的被曝光體6相對向的方式配置在上方。追加曝光用投影光學單元9係配置在底座7上的被曝光體6與光罩1的移動區域之間。
追加曝光用投影光學單元9係由支撐構件(未圖示)固定支撐在與投影光學單元5在Y方向相鄰的位置。
如圖2所示，追加曝光用投影光學單元9係具備沿平行於軸線O3的軸線O9交錯排列的複數個第1排投影光學系統9A與複數個第2排投影光學系統9B。
第2排投影光學系統9B係具備與第1排投影光學系統9A相同的構成，僅配置不同於第1排投影光學系統9A。以下，以第1排投影光學系統9A的構成為中心進行說明。
圖6係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的補正用曝光部的一例之局部剖面示意圖。圖7係顯示本發明第1實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。圖8係顯示沿圖7中的B-B線的穿透率分布之示意性曲線圖。在圖8中，橫軸表示沿B-B線的位置，縱軸表示穿透率。
如圖6所示，第1排投影光學系統9A係具備：透鏡單元(lens unit)9a(第2投影光學系統)、濾光器9b(光穿透量規範構件、光衰減濾光器)、及濾光器保持具(holder)9c。
透鏡單元9a係具備：透鏡，係構成將物體像以正立等倍像成像在像面的成像光學系統；及鏡筒，係保持透鏡。透鏡單元9a係配置在使光罩1的遮罩圖案P與塗布有阻劑的被曝光體6的頂面互成共軛的位置關係之位置。在本實施形態中，從透鏡單元9a射往被曝光體6的出射光係形成為平行光束。
透鏡單元9a係亦可使用與投影光學單元5的第1排投影光學系統5A不同的構成。但在本實施形態中係使用與第1排投影光學系統5A、第2排投影光學系統5B相同的構成。
例如，第1排投影光學系統9A的透鏡單元9a係可構成為由與第1排投影光學系統5A相同的構成配置在從第1排投影光學系統5A沿Y方向平行移動達距離δ1(參照圖2)而至的位置。同樣地，第2排投影光學系統9B的透鏡單元9a係可構成為由與第2排投影光學系統5B 相同的構成配置在從第2排投影光學系統5B沿Y方向平行移動達距離δ1(參照圖2)而至的位置。
濾光器9b係將穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A(L2B)轉換為限定在被曝光體6上的光量補正區域M進行照射的第2曝光光L12A(L12B)。此處，所謂的被曝光體6上的光量補正區域M，係指俯視下複合開口區域rC的X方向的寬度沿Y方向延長而成的帶狀的區域。如圖7所示，在俯視下與濾光器9b重疊的光量補正區域M中，在X方向的負方向側(negative X direction側、X方向的一方側、圖示左側)係配置光量補正區域ML。此外，在X方向的正方向側(positive X direction側、X方向的另一方側、圖示右側)係配置光量補正區域MR。
在本實施形態中，如圖7所示，濾光器9b係具備：第1減光部9d、第2減光部9e、及遮光部9f。
第1減光部9d係在光量補正區域ML中靠X方向正方向側(圖示右側)配置。第1減光部9d的X方向的寬度為光量補正區域ML的X方向的寬度的一半。
第2減光部9e係在光量補正區域MR中靠X方向負方向側配置。第2減光部9e的X方向的寬度為光量補正區域MR的X方向的寬度的一半。
因此，沿Y方向觀看，第1排投影光學系統9A的濾光器9b的第1減光部9d與第2排投影光學系統9B的濾光器9b的第2減光部9e係分別以在彼此不重疊下將光量補正區域M的X方向的寬度不留空隙地佔滿之方式配置。
同樣地，沿Y方向觀看，第1排投影光學系統9A的濾光器9b的第2減光部9e與第2排投影光學系統9B的濾光器9b的第1減光部9d係分別以在彼此不重疊下將光量補正區域M的X方向的寬度不留空隙地佔滿之方式配置。
第1減光部9d、第2減光部9e的Y方向的長度係只要在濾光器9b的範圍內便無特別限定。
在濾光器9b中，第1減光部9d及第2減光部9e以外的區域係形成為穿透率0%的遮光部9f。
在本實施形態中，第1減光部9d、第2減光部9e係在X方向具有如圖8中的曲線201(參照實線)所示的穿透率分布。
圖8的橫軸的元件符號係表示圖7記載的B-B線上的相同元件符號的點的位置。
點a乃係B-B線上的濾光器9b的X方向負方向側的端點。點b至點d之區間乃係與光量補正區域ML重疊的區間。點e至點g之區間乃係與光量補正區域MR重疊的區間。點h乃係B-B線上的濾光器9b的X方向正方向側的端點。
第1減光部9d係配置在點c至點d之間。第2減光部9e係配置在點e至點f之間。點a至點b、點d至點e、及點g至點h各區間係配置有遮光部9f。
如曲線201所示，第1減光部9d的穿透率係擁有在點c為100%以下的最大值TL、往點d漸次減少、在點d成為0%的穿透率分布。第2減光部9e的穿透率係擁有 在點e為0%、往點f漸次增大、在點f成為最大值TL的穿透率分布。
第1減光部9d、第2減光部9e的穿透率的變化率係如後述，依光量補正區域M的光量補正的需要，例如根據實驗、模擬(simulation)等而進行設定。第1減光部9d、第2減光部9e的穿透率的變化率係可為一定(直線變化)，亦可為根據適宜的函數而變化。穿透率的變化率係可為單調變化，亦可為非單調變化。此外，穿透率的變化並不限定為連續性的變化。例如，穿透率係亦可為步階(step)狀變化。
如圖6所示，濾光器保持具9c係將濾光器9b相對於透鏡單元9a保持在一定位置。在濾光器保持具9c的中心部係形成有至少令穿透第1、第2減光部9d、9e的第2曝光光L12A(L12B)穿透的貫通孔9g。
濾光器保持具9c係以對透鏡單元9a能夠從下方拆裝的方式安裝。濾光器保持具9c的拆裝手段係只要能夠將濾光器9b的第1減光部9d及第2減光部9e配置成俯視下與前述的光量補正區域M的範圍重疊便無特別限定。例如，亦可使用能夠對透鏡單元9a沿周方向定位的適宜的固裝(mount)、螺合等。在本實施形態中，從透鏡單元9a射出的第2曝光光乃係沿著光軸的平行光束，故濾光器9b在光軸方向(上下方向)的對位亦可不高精度地進行。
藉由濾光器保持具9c，使保持濾光器9b以濾光器9b的橫方向的位置對到位的狀態保持。藉此，濾 光器9b係如上述，配置成使各濾光器9b的第1減光部9d及第2減光部9e俯視下與光量補正區域M重疊的位置關係。
因此，如圖8中的曲線201及曲線202(參照二點鏈線)所示，沿Y方向觀看，在沿X方向重疊於光量補正區域ML的範圍，因第2排投影光學系統9B的第2減光部9e和第1排投影光學系統9A的第1減光部9d而形成在點c具有峰值(peak)穿透率TL的山型(吊鐘型)的穿透率分布。同樣地，如圖8中的曲線201及曲線203(參照二點鏈線)所示，沿Y方向觀看，在沿X方向重疊於光量補正區域MR的範圍，因第1排投影光學系統9A的第2減光部9e和第2排投影光學系統9B的第1減光部9d而形成在點f具有峰值穿透率TL的山型(吊鐘型)的穿透率分布。
接著，針對曝光裝置100的動作，以本實施形態的曝光方法為中心進行說明。
本實施形態的曝光方法係藉由使用曝光裝置100而較佳地進行。
本實施形態的曝光方法係含有：(1)準備含有視野光闌3的曝光裝置100；(2)進行第1曝光；及(3)進行第2曝光。在進行第2曝光時，俯視下限定在光量補正區域M來將照射第2曝光光至被曝光體6。
在曝光裝置100中，係藉由將光罩1及被曝光體6沿Y方向移動而在被曝光體6的y方向的各位置依序進行第1曝光與第2曝光。
首先，針對與第1曝光相關的曝光裝置100的曝光動作進行說明。第1曝光係使用主照明光源2、視野光闌3、及投影光學單元5進行。
圖9係針對本發明第1實施形態的曝光方法中的第1曝光進行說明的示意圖。圖10A、圖10B係針對第1曝光的有效曝光量進行說明的示意圖。
圖9係將配置在投影光學單元5下方的被曝光體6的前端部的一部分予以放大顯示。在圖9的圖示中雖未呈現，但在視野光闌3與投影光學單元5之間，光罩1係以與被曝光體6相對向的狀態，與被曝光體6同步沿Y方向移動(參照圖1)。
如圖1所示，當主照明光源2點亮，第1曝光光L1A、L1B便照射至視野光闌3。第1曝光光L1A、L1B係穿透視野光闌3的各第1開口部3A、各第2開口部3B(參照圖5A)，照射至光罩1。
穿透光罩1的光穿透部1a的光當中的通過第1開口部3A的光係藉由第1排投影光學系統5A而以第1曝光光L11A等倍投影至被曝光體6。同樣地，通過第2開口部3B的光係藉由第2排投影光學系統5B而以第1曝光光L11B等倍投影至被曝光體6。
結果，如圖9所示，在被曝光體6上係成像第1開口部3A的光像即第1光像13A與第2開口部3B的光像即第2光像13B。在第1光像13A及第2光像13B係形成與遮罩圖案P等物體像對應的亮度分布。但在圖9中係為求簡單而省略了亮度分布的圖示。
第1光像13A及第2光像13B係同第1開口部3A及第2開口部3B一樣，在被曝光體6上，沿平行於x座標軸的軸線O13交錯排列。
當底座7沿Y方向移動，如圖示斜線所示，各第1光像13A及各第2光像13B便掃掠寬度w2的帶狀的區域。因此，各第1光像13A及各第2光像13B係沿y方向掃描在被曝光體6上。
其中，第1開口部3A與第2開口部3B係在Y方向偏差達△。因此，第1光像13A與第2光像13B同時掃掠的區域係在x方向偏移達距離(w1+w2)/2並且在y方向偏移達距離△。
設底座7的移動速度為v(參照圖1)，則第2光像13B係落後達T=△/v，而由第1光像13A先行到達掃描的y方向的區域。
例如，設掃描開始的時刻t0，則第2光像13B係在時刻t1=t0+T到達時刻t0時的第1光像13A的y方向的位置。此時，第2光像13B係剛剛好地嵌入至在時刻t0時成像的彼此相鄰的第1光像13A之間。
亦即，在時刻t0，第1光像13A並排的x方向的區域係僅藉由複數個第1光像13A隔著間隔進行曝光。在時刻t1，該區域的非曝光部係藉由複數個第2光像13B進行曝光。藉此，朝x方向延伸的區域係隔著時間差T，不留空隙地曝光成帶狀。這是因為第1光像13A的等腰梯形的腰與第2光像13B的等腰梯形的腰係構成了以第1光像13A與第2光像13B進行曝光的曝光區域的相接 處的接邊之故。
俯視下，光罩1的遮罩部1B係位在比時刻t0時的第1開口部3A的第2邊3b更靠Y方向的負方向側(negative Y direction側、圖示下側)。在圖9中，作為一例，係圖示遮罩部1B的y方向的前端在時刻t0時位在與第1開口部3A的第2邊3b相同位置的情形。因此，在時刻t0，第1光像13A的等腰梯形的下底係位在遮罩部1B的端緣。
在藉由掃描而由第1光像13A掃掠的區域，係藉由自時刻t0起的掃描使光罩1的遮罩圖案P陸續投影至被曝光體6上。遮罩圖案P的曝光時間乃係將第1開口部3A的Y方向的開口寬度h除以速度v而得之時間。在第1開口部3A的第1邊3a與第2邊3b所包夾的矩形形狀區域，曝光時間tf為h/v。以下，將曝光時間tf稱為曝光完整(full)時間。
然而，在第1開口部3A的第3邊3c與第4邊3d所夾、及第3邊3c與第2邊3b所夾的三角形區域，x方向的曝光時間係在0至曝光完整時間tf之間線性地變化。
同樣地，在藉由掃描而由第2光像13B掃掠的區域，係落後達時間T地進行與第1光像13A所進行的曝光相同的曝光。因此，第2光像13B掃掠的區域係分成以曝光完整時間tf曝光的區域與以未達曝光完整時間tf曝光的區域。
以未達曝光完整時間tf曝光的區域乃係關係到第1 光像13A與第2光像13B的相接處之曝光區域。
在本實施形態中，藉由第1光像13A及第2光像13B以曝光完整時間tf曝光的區域係彼此分隔。以曝光完整時間tf曝光的區域係分別為寬度w1且在y方向延伸成帶狀。設該在y方向以曝光完整時間tf曝光的區域為單獨曝光區域AS。
相對於此，單獨曝光區域AS之間的寬度(w1+w2)/2的區域係藉由第1光像13A及第2光像13B以未達曝光完整時間tf曝光。設在y方向以未達曝光完整時間tf曝光的區域為複合曝光區域AC。
複合曝光區域AC的x方向的各位置的曝光時間係僅第1光像13A與第2光像13B的曝光比例不同，合計的曝光時間則皆相等。
因此，單獨曝光區域AS的曝光量與複合曝光區域AC的曝光量係只要第1光像13A及第2光像13B的照明光強度相同便彼此相等。
然而，依據本案發明人等的觀察，發現有下述的傾向。相較於在被曝光體6上形成於單獨曝光區域AS的曝光圖案，形成於複合曝光區域AC的曝光圖案係有光穿透部的線寬稍微窄縮的傾向。
複合曝光區域AC係以一定寬度朝y方向延伸且沿x方向等間距地形成。因此，y方向的複合曝光區域AC的線寬的變化會成為曝光圖案中的帶狀的濃度不均而容易被觀看到。
例如，當藉由曝光裝置100形成BM形成用的光罩， 會造成次像素的開口的大小的不均。因此有形成容易觀看到規則性色不均的液晶裝置之虞。
關於即使曝光時間相同，線寬仍會不同的原因，雖然仍不一定明確，但研判是時間T所代表的時間差的影響。
當阻劑一受到曝光，光化學反應便開始進行，結果使阻劑能夠以顯像液去除。然而，關於阻劑的光化學反應，反應的啟動需要某一程度的時間。另一方面，曝光一旦中斷，反應便會急速停止，導致已開始的的光反應重置(reset)。
如此一來，研判是因斷續性曝光的有效曝光時間比連續曝光的有效曝光時間短，而發生與曝光量低相同的效果。
因此，關於在被曝光體6上的複合曝光區域AC，用於阻劑的實質感光之有效曝光量，係若第1光像13A與第2光像13B的曝光量為相同光量，便由以第1光像13A與第2光像13B進行曝光的曝光時間的比率決定。
圖10A中所示的複合曝光區域AC係夾在由第1光像13A掃描的單獨曝光區域AS1與沿x方向相鄰的由第2光像13B掃描的單獨曝光區域AS2之間。此處，針對複合曝光區域AC中以第1光像13A與第2光像13B進行曝光的曝光時間的比率進行考察。圖10A示意性顯示上述的複合曝光區域AC的曝光時間的比率。在複合曝光區域AC中，以第1光像13A進行曝光的曝光時間與以第2光像13B進行曝光的曝光時間係沿x方向線性地 變化。
例如，點p1所示的位置乃係與單獨曝光區域AS1接邊的接邊位置，故以第1光像13A進行曝光的曝光時間為100%、以第2光像13B進行曝光的曝光時間為0%。將各點的曝光時間的比率(%)以pn[tA,tB]的形式表示，則例如為p1[100,0]、p2[90,10]、p3[80,20]、p4[70,30]、p5[60,40]、p6[50,50]、p7[40,60]、p8[30,70]、p9[20,80]、p10[20,80]、p11[0,100]。以下，將該些點pn的x方向的位置座標以xn表示(其中，n=1、......、11)。
此時，對線寬等造成影響的有效曝光量(以下，或有簡稱為曝光量)係如圖10B所示，在複合曝光區域AC係以向下凸的大致V字狀的曲線圖表示。研判這是因為在複合曝光區域AC，有效曝光時間變短，而發生與曝光量低相同的效果。位置x1、x11的曝光量q1、q11係分別等於單獨曝光區域AS的曝光量q0。例如，位置x6的曝光量q6係比曝光量q0低，乃係複合曝光區域AC的曝光量的最小值。位置x1、x11附近及位置x6附近的曝光量的變化率係連續性地變化。該曲線圖係就通過位置x6的縱軸呈左右對稱。
如上述，複合曝光區域AC的曝光量係利用以x方向的位置座標為獨立變數的連續函數表示，但亦可簡化而以階梯狀的變化進行近似。
例如，亦可設區間An為位置x2n-1與位置x2n+1之間，以區間An的平均曝光量來近似區間An內的各曝光量。
如上述說明，於第1曝光中，在複合曝光區 域AC，有效曝光量低。在本實施形態中，係以複合曝光區域AC作為光量補正區域M，對光量補正區域M進行第2曝光，藉此解決有效曝光量的不足。以下，針對第2曝光進行說明。
圖11係針對本發明第1實施形態的曝光方法中的第2曝光進行說明的示意圖。圖12係針對第2曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。在圖12中，橫軸表示位置，縱軸表示第2曝光的累計光量。圖13係針對以第1曝光及第2進行曝光的有效總曝光量進行說明的示意性曲線圖。在圖13中，橫軸表示位置，縱軸表示有效總曝光量。
第2曝光係使用追加曝光用照明光源12、追加曝光用投影光學單元9進行。
如圖1所示，當追加曝光用照明光源12點亮，第2曝光光L2A、L2B便照射至光罩1。
穿透光罩1的光穿透部1a的光當中的射入第1排投影光學系統9A的光係藉由第1排投影光學系統9A而以第2曝光光L12A等倍投影至被曝光體6。同樣地，射入第2排投影光學系統9B的光係藉由第2排投影光學系統9B而以第2曝光光L12B等倍投影至被曝光體6。
結果，穿透第1減光部9d、第2減光部9e的第2曝光光L12A、L12B係在Y方向掃描在被曝光體6上的光量補正區域M上。
因此，如圖11所示，在光量補正區域ML係成像第1排投影光學系統9A的第1減光部9d的穿透光的光像 即第1補正用光像19dA與第2排投影光學系統9B的第2減光部9e的穿透光的光像即第2補正用光像19eB。同樣地，在光量補正區域MR係成像第1排投影光學系統9A的第2減光部9e的穿透光的光像即第3補正用光像19eA與第2排投影光學系統9B的第1減光部9d的穿透光的光像即第4補正用光像19dB。
以下，在將第1補正用光像19dA、第2補正用光像19eB、第3補正用光像19eA、及第4補正用光像19dB予以合稱時，或有稱為各補正用光像。在各補正用光像係形成與遮罩圖案P等物體像對應的亮度分布。但在圖11中係為求簡單而省略了亮度分布的圖示。
以各補正用光像進行曝光的第2曝光的累計光量係取決於各第1減光部9d及各第2減光部9e的X方向的穿透率分布。例如，以圖12中的曲線211表示圖11中沿著朝X方向延伸的C-C線之累計光量分布。累計光量分布係擁有在光量補正區域M的X方向(橫軸方向)的兩端部成為0、在光量補正區域M的X方向的中心成為最大值qm的山形的分布。但圖12係為求簡單而省略了依存於遮罩圖案P的光量變化的表示。亦即，圖12係顯示遮罩圖案P的穿透率為一定的區域的累計光量。
圖12的曲線212(參照二點鏈線)係顯示第1曝光的有效曝光量。曲線211顯示的山形的累計光量分布，係形成為能夠將曲線212的光量補正區域M的曝光量低予以補正的分布。
圖13的曲線213係顯示以第1曝光及第2曝光進行 曝光的有效總曝光量。如圖13中的曲線213所示，進行第1曝光及第2曝光後的被曝光體6上的有效總曝光量係無關於X方向(橫軸方向)的位置地大致一定。
另外，圖13為示意圖，故曲線213係單純化而以平行於橫軸的直線描繪，但只要為有效曝光量的容許範圍內，則亦可形成為依橫軸的位置而沿縱軸方向變動的曲線。
以上，如說明所述，在本實施形態的曝光方法中，藉由第1曝光而發生在複合曝光區域AC的有效曝光量低係藉由在與複合曝光區域AC一致的光量補正區域M進行第2曝光來予以補正。因此，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
[第2實施形態]
針對本發明第2實施形態的曝光裝置進行說明。
圖14A係顯示本發明第2實施形態的曝光裝置的主要部分的一例之俯視示意圖。圖14B係圖14A的D-D剖面圖。圖15係顯示本發明第2實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。圖16係顯示沿圖15中的E-E線的穿透率分布之示意性曲線圖。在圖16中，橫軸表示沿E-E線的位置，縱軸表示穿透率。
如圖1所示，本實施形態的曝光裝置101係具備追加曝光用照明光源42(第2光源)及追加曝光用投影光學單元19(補正曝光部)取代前述第1實施形態的曝 光裝置100的追加曝光用照明光源12及追加曝光用投影光學單元9。
以下，以與前述第1實施形態之間的相異點為中心進行說明。
追加曝光用照明光源42係除了Y方向的光照射範圍狹窄之外，構成為與前述第1實施形態的追加曝光用投影光學單元9相同。具體而言，追加曝光用照明光源42係只要能夠照射與前述追加曝光用投影光學單元9所照射的第2曝光光L2A相同的光束即可。
如圖1所示，追加曝光用投影光學單元19係配置在與前述第1實施形態的追加曝光用投影光學單元9相同的位置。
如圖14A所示，追加曝光用投影光學單元19係具備沿平行於軸線O3的軸線O19排列的複數個投影光學系統19A(第2投影光學系統)。
如圖14A所示，投影光學系統19A係具備濾光器19b(光穿透量規範構件、光衰減濾光器)，以取代前述第1實施形態的第1排投影光學系統5A的濾光器9b。
投影光學系統19A係同前述第1實施形態的第1排投影光學系統9A一樣，構成為配置在從第1排投影光學系統5A沿Y方向平行移動達距離δ1而至的位置。
如圖14B所示，濾光器19b係將穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A轉換為限定在被曝光體6上的光量補正區域M進行照射的第2曝光光L22A。
在本實施形態中，如圖15所示，濾光器19b係具備： 第1減光部19d、第2減光部19e、及遮光部19f。
第1減光部19d係形成為俯視下與光量補正區域ML的X方向的全寬重疊的矩形的範圍。
第2減光部19e係形成為俯視下與光量補正區域MR的X方向的全寬重疊的矩形的範圍。
第1減光部19d及第2減光部19e的Y方向的長度係只要在濾光器19b的範圍內便無特別限定。
在濾光器19b中，第1減光部19d及第2減光部19e以外的區域係形成為遮光部19f。遮光部19f的穿透率為0%。
在本實施形態中，第1減光部19d及第2減光部19e係在X方向具有如圖16所示的穿透率分布。
圖16的橫軸的元件符號係表示圖15記載的E-E線上的相同元件符號的點的位置。點i乃係E-E線上的濾光器19b的X方向負方向側的端點。點j至點k之區間乃係與光量補正區域ML重疊的區間。點m至點n之區間乃係與光量補正區域MR重疊的區間。點p乃係E-E線上的濾光器19b的X方向正方向側的端點。
第1減光部19d係配置在點j至點k之間。第2減光部19e係配置在點m至點n之間。點i至點j、點k至點m、及點n至點p各區間係配置有遮光部19f。
如圖16中的曲線221所示，第1減光部19d的穿透率係擁有在點j與點k之間的中央部為100%以下的最大值TL、往點j及點k漸次減少、在點j及點k成為0%的山型(吊鐘型)的穿透率分布。第2減光部19e的穿透率 係擁有在點m及點n為0%、往點m與點n之間的中央部漸次增大、在點f成為最大值TL的山型(吊鐘型)的穿透率分布。
具體而言，曲線221係形成為與以前述第1實施形態的圖8說明的曲線202與曲線201(曲線201與曲線203)所顯示的穿透率分布相同的山型的穿透率分布。
第1減光部19d、第2減光部19e的穿透率的變化率係同前述第1實施形態一樣，依光量補正區域M的光量補正的需要，例如根據實驗、模擬等而進行設定。第1減光部19d、第2減光部19e的穿透率的變化率係可為一定(直線變化)，亦可為根據適宜的函數而變化。穿透率的變化率係可為單調變化，亦可為非單調變化。此外，穿透率的變化並不限定為連續性的變化。例如，穿透率係亦可為步階狀變化。
依據如上述構成的追加曝光用照明光源42及追加曝光用投影光學單元19，能夠在進行與前述第1實施形態相同的第1曝光後，藉由平行於軸線O19配置成一排的複數個投影光學系統19A，對各光量補正區域M，進行以具有與前述第1實施形態相同累計光量分布的第2曝光光L22A進行的第2曝光。
亦即，依據具備追加曝光用照明光源42及追加曝光用投影光學單元19的曝光裝置101，能夠進行與前述第1實施形態相同的曝光方法。
因此，依據本實施形態的曝光裝置101，同前述第1實施形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統 (第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，追加曝光用投影光學單元19的透鏡單元9a、濾光器19b、及濾光器保持具9c的個數係減為第1實施形態的追加曝光用投影光學單元9的透鏡單元9a、濾光器9b、及濾光器保持具9c的個數的大致一半。同樣地，追加曝光用照明光源42的光照射範圍亦相較於追加曝光用照明光源12減為大致一半。因此，曝光裝置101係能夠比曝光裝置100更降低零件成本(cost)及小型化。
[第3實施形態]
針對本發明第3實施形態的曝光裝置進行說明。
圖17A係顯示本發明第3實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。圖17B係圖17A中的F視角的俯視圖。
如圖17A所示，本實施形態的曝光裝置102係具備追加曝光用照明光源52(第2光源)及追加曝光用投影光學單元29(補正曝光部)取代前述第1實施形態的曝光裝置100的追加曝光用照明光源12及追加曝光用投影光學單元9。
以下，以與前述第1實施形態之間的相異點為中心進行說明。
追加曝光用照明光源52係具備照射與前述第1實施形態相同的第2曝光光L2A之第1光源部52A及照射與前述第1實施形態相同的第2曝光光L2B之第2 光源部52B。
第1光源部52A係配置在主照明光源2的Y方向負方向側(negative Y direction側、Y方向一方側、圖示左側)。第2光源部52B係配置在主照明光源2的Y方向正方向側(positive Y direction側、Y方向另一方側、圖示右側)。主照明光源2係配置成在Y方相鄰第1光源部52A與第2光源部52B。
如圖17A、圖17B所示，追加曝光用投影光學單元29係具備第1光學單元29A與第2光學單元29B。第1光學單元29A係將第2曝光光L2A轉換為與前述第1實施形態相同的第2曝光光L12A。第2光學單元29B係將與前述第1實施形態相同的第2曝光光L2B轉換為第2曝光光L12B。
第1光學單元29A係具備與前述第1實施形態相同的複數個第1排投影光學系統9A(第2投影光學系統)。第1光學單元29A係配置在投影光學單元5的Y方向負方向側。
第2光學單元29B係具備與前述第1實施形態相同的複數個第2排投影光學系統9B(第2投影光學系統)。第2光學單元29B係配置在投影光學單元5的Y方向正方向側。
投影光學單元5係配置成在Y方向相鄰第1光學單元29A與第2光學單元29B。
第1光學單元29A的各第1排投影光學系統9A係沿平行於軸線O3的直線排列。各第1排投影光學系統 9A與各第1排投影光學系統5A的距離係亦可為δ2。第2光學單元29B的各第2排投影光學系統9B係沿平行於軸線O3的直線排列。各第2排投影光學系統9B與各第2排投影光學系統5B的距離係亦可為δ2。
藉由如上述的構成，第1光源部52A及第2光源部52B係具有與前述第1實施形態的追加曝光用照明光源12沿Y方向一分為二後相同的構成。
本實施形態的主照明光源2係配置成在Y方向夾在第1光源部52A與第2光源部52B之間。
第1光學單元29A及第2光學單元29B係具有與前述第1實施形態的追加曝光用投影光學單元9沿Y方向一分為二後相同的構成。
本實施形態的投影光學單元5係配置成在Y方向夾在第1光學單元29A與第2光學單元29B之間。
但，各第1排投影光學系統9A與各第1排投影光學系統5A的X方向的位置關係、及各第2排投影光學系統9B與各第2排投影光學系統5B的X方向的位置關係係與前述第1實施形態相同。
依據如上述構成的曝光裝置102，光罩1及被曝光體6係沿Y方向移動。藉由移動，依序進行以第2曝光光L12A進行的第2曝光、以第1曝光光L11A、L11B進行的第1曝光、及以第2曝光光L12B進行的第2曝光。除了上述曝光的順序之外，係以與前述第1實施形態相同的曝光方法進行。
因此，依據本實施形態的曝光裝置102，同前述第1 實施形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，係以使第1排投影光學系統5A與第1排投影光學系統9A在Y方向相鄰、使第2排投影光學系統5B與第2排投影光學系統9B在Y方向相鄰的方式配置。因此，各者間的分隔距離δ2便能夠比前述第1實施形態中的分隔距離δ1更縮短。
藉此，能夠進一步縮短第1曝光與第2曝光之間的時間差，故即使以較少的曝光量仍能夠做到良好的補正。
[第4實施形態]
針對本發明第4實施形態的曝光裝置進行說明。
圖18A係顯示本發明第4實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。圖18B係圖18A中的G視角的俯視圖。
如圖18A所示，本實施形態的曝光裝置103係具備主照明光源32(第1光源)、視野光闌33A、33B(光闌構件)、及投影光學單元35取代前述第1實施形態的曝光裝置100的主照明光源2及投影光學單元5。
以下，以與前述第1實施形態之間的相異點為中心進行說明。
主照明光源32係具備照射與前述第1實施形態相同的第1曝光光L1A之第1光源部32A及照射與前述第1實施形態相同的第1曝光光L1B之第2光源部32B。
第1光源部32A係配置在追加曝光用照明光源12 的Y方向負方向側。第2光源部32B係配置在追加曝光用照明光源12的Y方向正方向側。追加曝光用照明光源12係配置成相鄰第1光源部32A與第2光源部32B。
視野光闌33A、33B係具有與將前述第1實施形態的視野光闌3沿Y方向分割後相同的構成。
視野光闌33A係含有前述第1實施形態的視野光闌3的複數個第1開口部3A的排列。視野光闌33A係為了讓第1曝光光L1A穿透而配置在第1光源部32A的下方。
視野光闌33B係含有前述第1實施形態的視野光闌3的複數個第2開口部3B的排列。視野光闌33B係為了讓第1曝光光L1B穿透而配置在第2光源部32B的下方。
如圖18A、圖18B所示，投影光學單元35係具備第1光學單元35A與第2光學單元35B。第1光學單元35A係將由穿透視野光闌33A的第1曝光光L1A形成的光像投影至被曝光體6。第2光學單元35B係將由穿透視野光闌33B的第1曝光光L1B形成的光像投影至被曝光體6。
第1光學單元35A係具備與前述第1實施形態相同的複數個第1排投影光學系統5A(第1投影光學系統)。第1光學單元35A係配置在追加曝光用投影光學單元9的Y方向負方向側。
第2光學單元35B係具備與前述第1實施形態相同的複數個第2排投影光學系統5B(第1投影光學系統)。第2光學單元35B係配置在追加曝光用投影光學單元9的Y方向正方向側。
追加曝光用投影光學單元9係配置成相鄰第1光學單元35A與第2光學單元35B。
第1光學單元35A的各第1排投影光學系統5A係沿平行於軸線O9的直線排列。各第1排投影光學系統5A與各第1排投影光學系統9A的距離係亦可為δ2。第2光學單元35B的各第2排投影光學系統5B係沿平行於軸線O9的直線排列。各第2排投影光學系統5B與各第2排投影光學系統9B的距離係亦可為δ2。
藉由如上述的構成，第1光源部32A及第2光源部32B係具有與前述第1實施形態的主照明光源2沿Y方向一分為二後相同的構成。
本實施形態的追加曝光用照明光源12係配置成夾在第1光源部32A與第2光源部32B之間。
第1光學單元35A及第2光學單元35B係具有與前述第1實施形態的投影光學單元5沿Y方向一分為二後相同的構成。
本實施形態的追加曝光用投影光學單元9係配置成夾在第1光學單元35A與第2光學單元35B之間。
但，各第1排投影光學系統9A與各第1排投影光學系統5A的X方向的位置關係、及各第2排投影光學系統9B與各第2排投影光學系統5B的X方向的位置關係係與前述第1實施形態相同。
依據如上述構成的曝光裝置103，光罩1及被曝光體6係沿Y方向移動。藉由移動，依序進行以第1曝光光L11A進行的第1曝光、以第2曝光光L12A、L12B 進行的第2曝光、及以第1曝光光L11B進行的第1曝光。除了上述曝光的順序之外，係以與前述第1實施形態相同的曝光方法進行。
因此，依據本實施形態的曝光裝置103，同前述第1實施形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，係以使第1排投影光學系統5A與第1排投影光學系統9A在Y方向相鄰、使第2排投影光學系統5B與第2排投影光學系統9B在Y方向相鄰的方式配置。因此，各者間的分隔距離δ2便能夠比前述第1實施形態中的分隔距離δ1更縮短。
因此，能夠進一步縮短第1曝光與第2曝光之間的時間差，故即使以較少的曝光量仍能夠做到良好的補正。
[第5實施形態]
針對本發明第5實施形態的曝光裝置進行說明。
圖19、20係顯示本發明第5實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
如圖1所示，本實施形態的曝光裝置104係具備追加曝光用投影光學單元49(補正曝光部)取代前述第1實施形態的曝光裝置100的追加曝光用投影光學單元9。
以下，以與前述第1實施形態之間的相異點為中心進行說明。
如圖6所示，追加曝光用投影光學單元49係具備第1排投影光學系統49A、第2排投影光學系統49B取代前述第1實施形態的第1排投影光學系統9A、第2排投影光學系統9B。
第1排投影光學系統49A(第2排投影光學系統49B)係具備光圈(aperture)49a(光穿透量規範構件、孔徑光闌)取代第1排投影光學系統9A(第2排投影光學系統9B)的濾光器9b。
光圈49a係將穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A(L2B)轉換為限定在被曝光體6上的光量補正區域M進行照射的第2曝光光L12A(L12B)。
在本實施形態中，如圖19所示，光圈49a係構成為在具遮光性的金屬板形成有複數個貫通孔即第1開口部49b及第2開口部49c。
第1開口部49b係形成為由朝Y方向延伸的上底邊S1與下底邊S2及連結上底邊S1及下底邊S2的腰S3、S4所圍起的等腰梯形形狀的開口。下底邊S2係比上底邊S1長。在第1開口部49b，上底邊S1係配置在X方向正方向側、下底邊S2係配置在X方向負方向側。第1開口部49b的X方向的寬度及配置位置係與前述第1實施形態的第1減光部9d相同。
此處，圖19中所示的上底邊S1係形成為與視野光闌3A的等腰梯形的高相同長度，而該S1的長度係以做到在以圖13的曲線213說明的有效曝光量的容許範圍內的方式調整。
藉由如上述的構成，關於第1開口部49b，Y方向的開口寬度係從X方向正方向側往X方向負方向側漸次增大。因此，第1開口部49b係能夠規範X方向的第2曝光光L2A(L2B)的穿透光量，因而能夠令穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A(L2B)的X方向的光量分布從光量補正區域ML的X方向的端部往中心部增大。
第2開口部49c係形成為將第1開口部49b沿X方向翻轉而得的等腰梯形形狀的開口。第2開口部49c的X方向的寬度及配置位置係與前述第1實施形態的第2減光部9e相同。
藉由如上述的構成，關於第2開口部49c，Y方向的開口寬度係從X方向負方向側往X方向正方向側漸次增大。因此，第2開口部49c係能夠規範X方向的第2曝光光L2A(L2B)的穿透光量，因而能夠令穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A(L2B)的X方向的光量分布從光量補正區域MR的X方向的端部往中心部增大。
藉由如上述的構成，從追加曝光用照明光源12照射第2曝光光L2A(L2B)，穿透透鏡單元9a。同前述第1實施形態一樣，Y方向的第2曝光光L12A(L12B)的有效累計光量係呈現如圖12中的曲線211所示的山型的分布。
依據曝光裝置104，光穿透量規範構件係以光圈49a構成。除了此點之外係具有與前述第1實施形態的曝光裝置100相同的構成，故以與前述第1實施形態相同的曝光方法進行。
依據本實施形態的曝光裝置104，同前述第1實施形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，由於使用能夠比具有第1減光部9d、第2減光部9e的濾光器9b更低廉地製造的光圈49a，故能夠更進一步低成本化。
此外，光圈49a係能夠藉由變更第1開口部49b、及第2開口部49c的開口形狀而容易地變更累計光量的大小及X方向的光量分布。
上述光圈49a的第1開口部49b、第2開口部49c的形狀僅是一例。光圈49a的開口形狀係只要為Y方向的開口寬度沿X方向變化的形狀便不限定為等腰梯形。
例如，在曝光裝置104，亦可使用圖20所示的光圈49d(光穿透量規範構件、孔徑光闌)取代光圈49a。
光圈49d係具備第1開口部49e、第2開口部49h分別取代光圈49a的第1開口部49b、第2開口部49c。
第1開口部49e係形成為由朝Y方向延伸的直線部49g及從直線部49g的兩端部朝X方向正方向側伸出連成的弧狀部49f所圍起的沿Y方向呈細長半月狀的開口。
藉由如上述的構成，關於第1開口部49e，Y方向的開口寬度係從X方向正方向側往X方向負方向側漸次增大。
第2開口部49h係形成為將第1開口部49e沿X方 向翻轉而得的沿Y方向呈細長半月狀的開口。
藉由如上述的構成，關於第2開口部49h，Y方向的開口寬度係從X方向負方向側往X方向正方向側漸次增大。
第1、第2開口部49e、49h係成為具有以含有曲線的形狀構成的開口形狀之例。
[第6實施形態]
針對本發明第6實施形態的曝光裝置進行說明。
圖21、22係顯示本發明第6實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之俯視示意圖。
如圖1所示，本實施形態的曝光裝置105係具備追加曝光用投影光學單元59(補正曝光部)取代前述第2實施形態的曝光裝置101的追加曝光用投影光學單元19。
以下，以與前述第2實施形態之間的相異點為中心進行說明。
如圖14A所示，追加曝光用投影光學單元59係具備投影光學系統59A取代前述第2實施形態的投影光學系統19A。
如圖14B所示，投影光學系統59A係具備光圈59a(光穿透量規範構件、孔徑光闌)取代前述第2實施形態的濾光器19b。
光圈59a係將穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A轉換為限定在被曝光體6上的光量補正區域M進行照射的 第2曝光光L22A。
在本實施形態中，如圖21所示，光圈59a係構成為在具遮光性的金屬板形成有複數個貫通孔即第1開口部59b及第2開口部59c。
第1開口部59b係形成為在X方向具有與光量補正區域ML相同寬度、沿Y方向呈細長六角形形狀的開口。例如，第1開口部59b係形成為令前述第5實施形態的第1開口部49b的下底邊S2與第2開口部49c的下底邊S2接齊而形成的六角形形狀。第1開口部59b的X方向的配置位置係與前述第2實施形態的第1減光部19d相同。
藉由如上述的構成，關於第1開口部59b，Y方向的開口寬度係從X方向的兩端部往中心部漸次增大。因此，第1開口部59b係能夠規範X方向的第2曝光光L2A的穿透光量，因而能夠令穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A的X方向的光量分布從光量補正區域ML的X方向的兩端部往中心部增大。
第2開口部59c係形成為與第1開口部59b相同形狀的六角形形狀的開口。第2開口部49c的X方向的配置位置係與前述第2實施形態的第2減光部19e相同。
藉由如上述的構成，第2開口部59c係能夠規範X方向的第2曝光光L2A的穿透光量，因而能夠令穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A的X方向的光量分布從光量補正區域MR的X方向的兩端部往中心部增大。
藉由如上述的構成，從追加曝光用照明光源42照射第2曝光光L2A，穿透透鏡單元9a。與前述第2實施形態一樣，Y方向的第2曝光光L12A的有效累計光量係呈現如圖12中的曲線211所示的山型的分布。
依據曝光裝置105，光穿透量規範構件係以光圈59a構成。除了此點之外係具有與前述第2實施形態的曝光裝置101相同的構成，故以與前述第2實施形態相同的曝光方法進行。
依據本實施形態的曝光裝置105，同前述第2實施形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，由於使用能夠比具有第1減光部19d、第2減光部19e的濾光器19b更低廉地製造的光圈59a，故能夠更進一步低成本化。
此外，光圈59a係能夠藉由變更第1開口部59b、及第2開口部59c的開口形狀而容易地變更累計光量的大小及X方向的光量分布。
上述光圈59a的第1開口部59b、第2開口部59c的形狀僅是一例。光圈59a的開口形狀係只要為Y方向的開口寬度沿X方向變化的形狀便不限定為等腰梯形。
例如，在曝光裝置105，亦可使用圖22所示的光圈59d(光穿透量規範構件、孔徑光闌)取代光圈59a。
光圈59d係具備第1開口部39e、第2開口部59f 分別取代光圈59a的第1開口部59b、第2開口部59c。
第1開口部59e係形成為沿Y方向呈細長橢圓狀的開口。藉由如上述的構成，關於第1開口部59e，Y方向的開口寬度係從X方向的兩端部往中心部漸次增大。
第2開口部59f係形成為與第1開口部59e相同形狀的開口。
第1開口部59e、第2開口部59f係成為具有以曲線構成的開口形狀之例。
[第7實施形態]
針對本發明第7實施形態的曝光裝置進行說明。
圖23A、圖23B、圖23C係顯示本發明第7實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的主要部分的一例之俯視示意圖。
如圖1所示，本實施形態的曝光裝置106係具備追加曝光用投影光學單元69(補正曝光部)取代前述第6實施形態的曝光裝置105的追加曝光用投影光學單元59。
以下，以與前述第6實施形態之間的相異點為中心進行說明。
如圖14A所示，追加曝光用投影光學單元69係具備投影光學系統69A取代前述第6實施形態的投影光學系統59A。
如圖14B所示的主要部分的構成所示，投影光學系統69A係具備開口可變光圈69a(光穿透量規範構件、孔 徑光闌)取代前述第6實施形態的光圈59a。
開口可變光圈69a係在分別與前述第6實施形態的光圈59a的第1開口部59b、第2開口部59c相同的位置改具有開口形狀可變的開口部60a(參照圖23A)而予以取代。
如圖23A所示，開口可變光圈69a的開口部60a係具備在Y方向彼此相對向的兩個第1光閘61、及在X方向彼此相對向的兩個第2光閘62。
第1光閘61係由複數個能夠獨立沿Y方向進退的移動片61a沿X方向排列而構成。各移動片61a的各前端61b全體係構成開口部60a的Y方向的內緣。開口部60a的Y方向的內緣(以下，稱為第1內緣)的位置及形狀係依各移動片61a的進退位置而變化。在圖23A所示的例子中，第1內緣的形狀係形成為X方向寬度的中心部最凹陷的V字狀。
第2光閘62係具備具有朝Y方向延伸的前端62a且能夠沿X方向進退的板狀構件。第2光閘62的各前端62a係構成開口部60a的X方向的內緣(以下，稱為第2內緣)。開口部60a的X方向的第2內緣的位置係依各第2光閘62的各前端62a的進退位置而變化。在圖23A所示的例子中，各第2內緣之間的分隔距離係等於光量補正區域M的寬度。
在圖23A所示的例子中，俯視下的開口部60a的形狀為與前述第6實施形態大致相同的六角形形狀。
雖省略圖示，但在各第1光閘61及各第2 光閘62係連接有驅動各自的驅動部。就驅動部的構成而言，例如可使用組合馬達(motor)與凸輪(cam)而成的機構、測微器(micrometer)、微型滾珠螺桿(micro ball screw)、壓電馬達(piezoelectric motor)等。
藉由如上述的構成，開口可變光圈69a係作為與前述第6實施形態相同的光穿透量規範構件發揮功能。
依據曝光裝置106，光穿透量規範構件係以開口可變光圈69a構成。除了此點之外係具有與前述第2實施形態的曝光裝置101相同的構成，故以與前述第2實施形態相同的曝光方法進行。
依據本實施形態的曝光裝置106，同前述第2實施形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，能夠變更開口可變光圈69a的開口部60a的形狀及大小，故即使視野光闌3的第1開口部3A及第2開口部3B的形狀及Y方向的配置改變，第2曝光仍恰當地進行。因此，當視野光闌3變更時亦可不更換開口可變光圈69a，因此曝光裝置106的運轉效率係提升。
此外，藉由對開口部60a的形狀進行微調整，能夠謀求第2曝光的曝光量的最佳化，故能夠進一步減輕曝光不均。
圖23A所示的開口可變光圈69a的開口部 60a的形狀僅是一例。
開口可變光圈69a的開口形狀係例如亦能夠為如前述第6實施形態的光圈59d所示的細長橢圓狀的形狀。
在曝光裝置106，開口可變光圈69a係亦可替換為圖23B所示的開口可變光圈69b(光穿透量規範構件、孔徑光闌)。
開口可變光圈69b係具有開口部60b取代開口可變光圈69a的開口部60a。開口可變光圈69b係將開口可變光圈69a的一個第1光閘61替換為第3光閘63而構成。
第3光閘63係具備具有朝X方向延伸的前端63a且能夠沿Y方向進退的板狀構件。第3光閘63的前端63a係構成開口部60b的與由第1光閘61的前端61b形成的第1內緣相對向的內緣(以下，稱為第3內緣)。開口部60b的Y方向的第3內緣的位置係依第3光閘的前端63a的進退位置而變化。第3光閘63係具備與第2光閘62相同的省略圖示的驅動部。
在圖23B所示的例子中，俯視下的開口部60b的形狀為大致五角形形狀。關於如上述的開口部60b，Y方向的開口寬度係從X方向的兩端部往中心部漸次增大。
藉由如上述的構成，開口可變光圈69b係作為與前述第6實施形態大致相同的光穿透量規範構件發揮功能。
在曝光裝置106，開口可變光圈69a係亦可替換為圖23C所示的開口可變光圈69c(光穿透量規範構件、孔徑光闌)。
開口可變光圈69c係具有開口部60c取代開口可變光圈69a的開口部60a。開口可變光圈69c係將開口可變光圈69a的一個第1光閘61替換為第4光閘64而構成。
第4光閘64係具備具有沿Y方向凹陷的V字狀的前端缺口64a且能夠沿Y方向進退的板狀構件。前端缺口64a係就省略圖示的光量補正區域M的X方向的中心軸線具有對稱的形狀。
第4光閘64的前端缺口64a係構成開口部60c的與由第1光閘61的前端61b形成的第1內緣相對向的內緣(以下，稱為第4內緣)。開口部60c的Y方向的第4內緣的位置係依第4光閘的前端缺口64a的進退位置而變化。第4光閘64係具備與第2光閘62相同的省略圖示的驅動部。
在圖23C所示的例子中，俯視下的開口部60c的形狀為大致六角形形狀。關於如上述的開口部60c，Y方向的開口寬度係從X方向的兩端部往中心部漸次增大。但，視第1光閘61的各移動片61a的移動位置，俯視下的開口部60c的形狀還能變化成大致六角形以外的形狀。
藉由如上述的構成，開口可變光圈69c係作為與前述第6實施形態大致相同的光穿透量規範構件發揮功能。
[第8實施形態]
針對本發明第8實施形態的曝光裝置進行說明。
圖24A係顯示本發明第8實施形態的曝光裝置使用的光穿透量規範構件的一例之局部剖面示意圖。圖24B係圖24A中的H視角的放大圖。
如圖1所示，本實施形態的曝光裝置107係具備追加曝光用投影光學單元79(補正曝光部)取代前述第6實施形態的曝光裝置105的追加曝光用投影光學單元59。
以下，以與前述第6實施形態之間的相異點為中心進行說明。
如圖14A所示，追加曝光用投影光學單元79係具備投影光學系統79A取代前述第6實施形態的投影光學系統59A。
如圖24A、圖24B所示的主要部分的構成所示，投影光學系統79A係具備遮蔽板80、液晶光閘面板(panel)79a(光穿透量規範構件、液晶光閘)取代前述第6實施形態的光圈59a。
遮蔽板80係以具遮光性的薄板形成。遮蔽板80係將穿透透鏡單元9a的第2曝光光L2A的穿透範圍規範在將前述第6實施形態的光圈59a的第1開口部59b、第2開口部59c的形成位置涵蓋在內之範圍。在本實施形態中，係具有形成為將前述第6實施形態的光圈59a的第1開口部59b、第2開口部59c分別圍起的矩形形狀的開口部80a、80b。
遮蔽板80係在透鏡單元9a下方以與透鏡單元9a相對向的方式固定在濾光器保持具9c。
液晶光閘面板79a係配置成在遮蔽板80下方與遮蔽板80相鄰，固定在濾光器保持具9c。液晶光閘面板79a係在俯視下至少與遮蔽板80的開口部80a(80b)重疊的範圍具備液晶光閘部79d(參照圖24B)。
如圖24A所示，液晶光閘面板79a係與切換液晶光閘部79d的各像素的濃度之液晶光閘控制器(controller)79e電性連接。例如，圖24B係圖示藉由液晶光閘控制器79e而形成有與前述第6實施形態的第1開口部59b、第2開口部59c相同的六角形形狀的光穿透部79b及包圍光穿透部79b的光遮蔽部79c之狀態。
液晶光閘控制器79e係藉由對液晶光閘部79d的各像素獨立進行開啟/關斷(on/off)而能夠變更光穿透部79b及光遮蔽部79c的圖案。
因此，依據投影光學系統79A，能夠將第2曝光光L2A轉換為在開口部80a、80b的範圍內整形成俯視下包括六角形在內的適宜形狀之第2曝光光L22A，對省略圖示的被曝光體6進行曝光。
藉由如上述的構成，液晶光閘面板79a係作為與前述第6實施形態相同的光穿透量規範構件發揮功能。
依據曝光裝置107，光穿透量規範構件係以液晶光閘面板79a構成。除了此點之外係具有與前述第2實施形態的曝光裝置101相同的構成，故以與前述第2實施形態相同的曝光方法進行。
依據本實施形態的曝光裝置107，同前述第2實施 形態一樣，在使用交錯排列的複數個投影光學系統(第1投影光學系統)時由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。
此外，依據本實施形態，能夠變更液晶光閘面板79a的光穿透部79b的形狀及大小。因此，即使視野光闌3的第1開口部3A及第2開口部3B的形狀及Y方向的配置改變，第2曝光仍恰當地進行。此外，當視野光闌3變更時亦可不更換液晶光閘面板79a，因此曝光裝置107的運轉效率係提升。
此外，藉由對光穿透部79b的形狀進行微調整，能夠謀求第2曝光的曝光量的最佳化，故能夠進一步減輕曝光不均。
另外，在前述各實施形態的說明中，係以在曝光裝置中，藉由第1光源、第2光源、光闌構件、第1投影光學系統及補正曝光部(以下，稱為曝光部)固定而曝光用光罩及曝光對象物(以下，稱為被曝光物)移動來進行掃描曝光時的例子進行說明。然而，關於掃描曝光，係只要曝光部與被曝光物沿掃描方向(Y方向、第1方向)相對移動而進行相對掃描即可。因此，在曝光裝置中，亦可為曝光部沿掃描方向移動而被曝光物固定。此外，在曝光裝置中，亦可為曝光部及被曝光物各進行移動。
在前述各實施形態的說明中，係以第1方向與第2方向彼此正交時的例子進行說明。然而，第1方向與第2方向係只要為在平面上彼此交叉的方向即可，交叉角並不限定為直角。
在前述各實施形態的說明中，係以光罩1藉由第1驅動部10而移動、被曝光體6藉由驅使底座7移動的第2驅動部11而移動時的例子進行說明。然而，光罩1與底座7係亦可藉由單一驅動部而沿掃描方向移動。
在前述各實施形態的說明中，係以第2投影光學系統配置在將第1投影光學系統在第1方向平行移動而至的位置時的例子進行說明。然而，第2投影光學系統係只要能夠將第2曝光光僅照射光量補正區域即可，故第2投影光學系統的光軸係亦可配置在將第1投影光學系統的光軸沿第1方向平行移動而至的位置以外之位置。例如，第2投影光學系統係亦可配置在俯視下在與光量補正區域重疊的位置具有光軸的位置。
在前述各實施形態的說明中，係以光穿透量規範構件配置在第2投影光學系統與曝光對象物之間時的例子進行說明。然而，光穿透量規範構件係只要在第2光源至曝光對象物之間便可配置在任意位置。
在前述第7、第8實施形態的說明中，係針對供在與前述第6實施形態的第1開口部59b及第2開口部59c大致相同的位置形成開口部之用的光穿透量規範構件的構成進行說明。然而，前述第7、第8實施形態的光穿透量規範構件的構成係例如亦可用於形成前述第5實施形態的第1開口部49b及第2開口部49c。
在前述第8實施形態的說明中，係以使用對與開口部80a、80b重疊的區域配置液晶光閘部79d的單一個液晶光閘面板79a時的例子進行說明。然而，亦可 分別對與開口部80a、80b重疊的範圍逐一設置一個液晶光閘面板。此時，能夠使用更小型的液晶光閘面板。
在前述第8實施形態的說明中，係以使用遮蔽板80的構成例進行說明。然而，視第2曝光光的光量與液晶光閘面板的消光比，遮蔽板80係亦可省略。
在前述第8實施形態的說明中，係以藉由液晶光閘面板79a的光穿透部79b來形成與光圈的開口形狀對應的光學式開口時的例子進行說明。
然而，在能夠藉由液晶驅動控制穿透率分布的情形中，係亦可形成具有與前述第1及第2實施形態的濾光器對應的穿透率分布的光學式開口。就藉由液晶驅動控制穿透率分布的方法而言，可舉出液晶的穿透率的多值控制、以面積階調法進行的穿透率控制等。
在前述各實施形態的說明中，係以投影光學單元5對被曝光體6的X方向的全寬進行曝光時的例子進行說明。然而，若能夠藉由單一個光罩1進行被曝光體6的曝光圖案之曝光，則投影光學單元5係亦可為覆蓋X方向的一部分之大小。此時，藉由將曝光裝置100的Y方向的掃描曝光沿X方向挪移進行複數次，而對被曝光體6全體進行曝光。
[第9實施形態]
針對本發明第9實施形態的曝光裝置進行說明。
圖25係顯示本發明第9實施形態的曝光裝置的一例之前視示意圖。圖26係圖25中的J視角的俯視圖。圖 27係顯示本發明第9實施形態的曝光裝置的主要部分的構成之局部剖面示意圖。圖28係顯示本發明第9實施形態的曝光裝置使用的光穿透量削減構件的一例之俯視示意圖。圖29係顯示沿圖28中的K-K線的穿透率分布之示意性曲線圖。圖29的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示穿透率。
圖25、圖26所示的曝光裝置100A乃係藉由複數個投影光學系統，將光罩1(曝光用光罩)的遮罩圖案P(參照圖3)，等倍掃描曝光至被曝光體6(曝光對象物)的掃描型曝光裝置。曝光裝置100A係具備：底座7、第2驅動部11、第1驅動部10、照明光源2(光源、主照明光源)、視野光闌3(光闌構件)、投影光學單元5。底座7、第2驅動部11、第1驅動部10、照明光源2(光源、主照明光源)、視野光闌3(光闌構件)、及投影光學單元5係具備與曝光裝置100中所使用者相同的構成。
以下，以與前述第1實施形態的曝光裝置100之間的相異點為中心進行說明。
如圖26所示，投影光學單元5係具備沿軸線O3交錯排列的複數個第1排投影光學系統5A(投影光學系統)與複數個第2排投影光學系統5B(投影光學系統)。在各第1排投影光學系統5A及各第2排投影光學系統5B係分別設有後述的光衰減濾光器(光穿透量削減構件)8(參照圖27)。
各第2排投影光學系統5B係具備與第1排投影光學系統5A相同的構成，僅配置不同於第1排投影光學系統 5A。
如圖27所示，第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)係具備透鏡5a與透鏡鏡筒5b。
透鏡5a係由將物體像以正立等倍像成像在像面的成像光學系統所構成。
透鏡鏡筒5b係將透鏡5a以透鏡5a的光軸平行於上下軸的姿勢保持。
第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)係配置在使光罩1的遮罩圖案P與塗布有阻劑的被曝光體6的頂面互成共軛的位置關係之位置。在本實施形態中，從第1排投影光學系統5A射往被曝光體6的出射光係形成為平行光束。
如圖27所示，曝光裝置100A係在投影光學單元5的各透鏡鏡筒5b的下端部分別配置有光衰減濾光器8(光穿透量削減構件)。各光衰減濾光器8係藉由與透鏡鏡筒5b的下端部固定在一起的濾光器保持具9c而固定在相對於透鏡5a已規定好的位置。
光衰減濾光器8係將穿透第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)的曝光光L1A(L1B)轉換為降低至少一部分光量後的曝光光L5A(L5B)。
曝光光L5A(L5B)係照射至被曝光體6上的後述的光量補正區域M1(參照圖28、圖30)。此處，所謂的被曝光體6上的光量補正區域M1，係指俯視下至少與單獨開口區域rS重疊的區域。在本實施形態中，就一例而言，光量補正區域M1係採用僅與單獨開口區域rS重疊的區 域。亦即，光量補正區域M1係與俯視下單獨開口區域rS的X方向的寬度沿Y方向延長而成的帶狀的區域重疊。
在濾光器保持具9c的中心部係形成有至少令穿透減光部8a的曝光光L5A(L5B)穿透的貫通孔9g。
濾光器保持具9c係以對透鏡鏡筒5b能夠從下方拆裝的方式安裝。濾光器保持具9c的拆裝手段係只要能夠將光衰減濾光器8的減光部8a配置成俯視下與前述的光量補正區域M1的範圍重疊便無特別限定。例如，亦可使用能夠對透鏡鏡筒5b沿周方向定位的適宜的固裝、螺合等。在本實施形態中，從透鏡5a射出的曝光光L5A(L5B)乃係沿著光軸的平行光束，故光衰減濾光器8在光軸方向(上下方向)的對位亦可不高精度地進行。
藉由濾光器保持具9c，使光衰減濾光器8以橫方向的位置對到位的狀態保持。藉此，光衰減濾光器8係如上述，配置成使減光部8a俯視下與光量補正區域M1重疊的位置關係。
接著，如圖28所示，光衰減濾光器8係具備減光部8a(均一濃度濾光器)與光穿透部8b。
減光部8a乃係使穿透視野光闌3及透鏡5a的曝光光L1A(L1B)以一定的穿透率TL1衰減之部位。
減光部8a係形成為俯視下外形沿著X方向及Y方向的矩形形狀。減光部8a係形成在俯視下覆蓋光衰減濾光器8所相對向的第1開口部3A(第2開口部3B)的單獨開口區域rS的X方向全體的部位。因此，減光部8a的X 方向的寬度係與光衰減濾光器8所相對向的第1開口部3A(第2開口部3B)的單獨開口區域rS的X方向的寬度相等。減光部8a的Y方向的寬度乃係光衰減濾光器8所相對向的第1開口部3A(第2開口部3B)的單獨開口區域rS的Y方向的寬度以上。
光穿透部8b係形成在光衰減濾光器8中減光部8a以外的區域。光穿透部8b的穿透率Tmax係比減光部8a的穿透率TL1大。光穿透部8b的穿透率係更佳為90%以上100%以下。
藉由如上述的構成，光衰減濾光器8係在X方向具有如圖29中的曲線231所示的穿透率分布。
圖29的橫軸的元件符號係表示圖28記載的K-K線上的相同元件符號的點的位置。
點a乃係K-K線上的光衰減濾光器8的X方向負方向側(negative X direction側、X方向的一方側、圖示左側)的端點。點b至點d之區間及點e至點g之區間係分別為與複合開口區域rC重疊的區間。點c、點f係分別為複合開口區域rC的X方向的中點。點d至點e之區間乃係與單獨開口區域rS重疊的區間。點h乃係K-K線上的光衰減濾光器8的X方向正方向側(positive X direction側、X方向的另一方側、圖示右側)的端點。
減光部8a係配置在點d至點e之間。光穿透部8b係形成在點a至點d及點e至點h各區間。
曲線231乃係在點d至點e之間取一定值TL1、在其餘位置取一定值Tmax(其中，Tmax>TL1)的折線。
光衰減濾光器8係例如亦可採用在玻璃基板的表面對成為減光部8a的部位蒸鍍金屬薄膜等方式來製造。
藉由如上述構成的光衰減濾光器8，穿透視野光闌3及透鏡5a的曝光光L1A(L1B)係轉換為相應於減光部8a、光穿透部8b的穿透率而光衰減後的曝光光L5A(L5B)。減光部8a的穿透率TL1係以使以曝光光L5A(L5B)進行曝光所產生的後述的有效曝光量的不均能夠減輕的方式，從超過0%但未達100%的範圍中選擇。關於減光部8a的穿透率TL1的決定方法，於後述的動作說明中進行說明。
接著，針對曝光裝置100A的動作進行說明。圖30係針對本發明第9實施形態的曝光裝置的曝光進行說明的示意圖。圖31係針對本發明第9實施形態的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。在圖31的曲線圖中，橫軸表示X方向的位置，縱軸表示累計光量。
在針對曝光裝置100A的曝光動作進行說明之前，先針對以圖25所示的比較例的曝光裝置300進行的曝光動作及曝光量進行說明。曝光裝置300係具備投影光學單元305取代前述第9實施形態的曝光裝置100A的投影光學單元5。投影光學單元305係構成為從投影光學單元5中移除光衰減濾光器8。亦即，比較例的曝光裝置300係與從第1實施形態的曝光裝置100移除追加曝光用照明光源12(第2光源)及追加曝光用投影光學 單元9(補正曝光部)後的構成相同。
比較例的曝光方法係與圖9所示的第1實施形態的第1曝光相同。此外，比較例中的有效曝光量係與圖10A、圖10B所示的示意圖相同。
同圖9、圖10A、及圖10B所示的第1實施形態的第1曝光一樣，在以比較例的曝光裝置300進行的曝光中，即使視野光闌3中沿Y方向所見得的開口寬度在X方向為一定，複合曝光區域AC的有效曝光量仍比單獨曝光區域AS低。
在本實施形態中，投影光學單元5係具備光衰減濾光器8，藉此，使單獨曝光區域AS的曝光量降低。藉此，基於複合曝光區域AC的有效曝光量低而引起的有效曝光不均係減輕。
以下，以與前述比較例的動作之間的相異點為中心說明本實施形態的曝光方法。
本實施形態的曝光方法係藉由使用曝光裝置100A而較佳地進行。
本實施形態的曝光方法係含有：(1)準備含有視野光闌3的曝光裝置100A；及(2)進行曝光。在進行曝光時，藉由光穿透量削減構件，降低俯視下光量補正區域的曝光量。
在曝光裝置100A的曝光動作中，下述之點係不同於曝光裝置300的動作。從投影光學單元5射出的曝光光L5A、L5B係穿透光衰減濾光器8。因此，藉由曝光光L5A、L5B而投影至被曝光體6的光像的光量分布 係不同於第1光像13A、第2光像13B的光量分布。投影至被曝光體6的光像的光量降低係根據光衰減濾光器8的減光部8a的穿透率與光穿透部8b的穿透率。
如圖30所示，藉由曝光光L5A(L5B)而投影至被曝光體6的第1光像I5A(第2光像I5B)係由第1光衰減像I8a與第2光衰減像I8b所構成。
第1光衰減像I8a係形成在第1開口部3A(第2開口部3B)的範圍中與減光部8a重疊的區域。在本實施形態的情形中，第1光衰減像I8a乃係單獨開口區域rS的範圍的光像。第1光衰減像I8a的光量係從第1光像13A(第2光像13B)的光量，相應於減光部8a的穿透率TL1而降低。
第2光衰減像I8b係形成在第1開口部3A(第2開口部3B)的範圍中與光穿透部8b重疊的區域。在本實施形態的情形中，第2光衰減像I8b乃係複合開口區域rC的範圍的光像。第2光衰減像I8b的光量係從第1光像13A(第2光像13B)的光量，相應於光穿透部8b的穿透率Tmax而降低。其中，Tmax>TL1，故第2光衰減像I8b的光量係比第1光衰減像I8a的光量大。
因此，關於第1光像I5A、第2光像I5B掃描在被曝光體6上時的累計光量，相對於在複合開口區域rC並不怎麼降低，在單獨開口區域rS係大幅地降低。
為了方便與比較例進行比對，在圖31顯示的是穿透率Tmax為100%時的掃描曝光的累計光量。
圖31的橫軸的元件符號係表示圖30記載的L-L線 上的相同元件符號的點的位置。L-L線上的點i、j、k、m、n、p、q、r係分別對應光衰減濾光器8的K-K線上的點a、b、c、d、e、f、g、h。因此，點j至點m之區間及點n至點q之區間係分別為俯視下與複合開口區域rC重疊的複合曝光區域AC。點m至點n之區間為俯視下與單獨開口區域rS重疊的單獨曝光區域AS。在本實施形態中，單獨曝光區域AS係成為光量補正區域M1。
圖31中的曲線232(參照實線)係表示本實施形態的累計光量，曲線233(參照鏈線)係表示比較例的累計光量。其中，在複合曝光區域AC，曲線233係與曲線232重疊。
如曲線232、233所示，關於本實施形態的累計光量，在複合曝光區域AC係與比較例的累計光量相同。因此，在複合曝光區域AC，例如在點j與點k之間，累計光量係降低達△Q(=q0-q6)。
相對於此，與光量補正區域M1重疊的單獨曝光區域AS的累計光量係相應於減光部8a的穿透率TL1而比比較例的同區域的累計光量降低。此外，與光量補正區域M1重疊的單獨曝光區域AS的累計光量為一定值Q(其中，q6<Q<q0)。
如上述，在本實施形態中，累計光量的總體變動幅度△Q係與比較例沒有差別。然而，相較於比較例，單獨曝光區域AS的累計光量係從q0降低至Q。藉此，複合曝光區域AC的曝光量相對於單獨曝光區域AS的曝光量之變動量便比△Q小。
具體而言，藉由適宜設定減光部8a的穿透率TL1使Q=(q0+q6)/2。此時，複合曝光區域AC的曝光量相對於單獨曝光區域AS的曝光量之變動量係成為△Q/2，故曝光不均係最小化。因此，減光部8a的穿透率TL1係更佳為以成為Q=(q0+q6)/2的方式設定。
當如上述進行而使複合曝光區域AC的曝光量相對於單獨曝光區域AS的曝光量之不均減輕，由曝光區域的相接處引起的曝光不均便減輕。藉此，例如，與遮罩圖案P對應的線寬的變動等係減輕，可獲得更高精度的曝光圖案。
如上述說明，依據本實施形態的曝光裝置100A，能夠減輕在使用交錯排列的複數個投影光學系統時由曝光區域的相接處引起的曝光不均。
[第10實施形態]
針對本發明第10實施形態的曝光裝置進行說明。
圖32係顯示本發明第10實施形態的曝光裝置使用的光穿透量削減構件的一例之俯視示意圖。圖33係顯示沿圖32中的N-N線的穿透率分布之示意性曲線圖。圖33的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示穿透率。圖34係針對本發明第10實施形態的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。圖34的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示累計光量。
如圖25、圖26所示，本實施形態的曝光裝置110係具備投影光學單元15取代前述第9實施形態的 曝光裝置100A的投影光學單元5。
如圖27所示，投影光學單元15係具備光衰減濾光器18(光穿透量削減構件)取代前述第9實施形態的投影光學單元5的光衰減濾光器8。
以下，以與前述第9實施形態之間的相異點為中心進行說明。
如圖27所示，光衰減濾光器18係同前述第9實施形態的光衰減濾光器8一樣，分別配置在投影光學單元15的第1排投影光學系統5A、第2排投影光學系統5B的各透鏡鏡筒5b的下端部。各光衰減濾光器18係藉由與透鏡鏡筒5b的下端部固定在一起的濾光器保持具9c而固定在與透鏡5a相對的位置。
光衰減濾光器18係將穿透第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)的曝光光L1A(L1B)轉換為降低至少一部分光量後的曝光光L15A(L15B)。
曝光光L15A(L15B)係照射至被曝光體6上的後述的光量補正區域M2(參照圖32)。此處，所謂的被曝光體6上的光量補正區域M2，係指俯視下至少與單獨開口區域rS重疊的區域。在本實施形態中，就一例而言，光量補正區域M2係採用與單獨開口區域rS及在單獨開口區域rS的兩端部相鄰的各複合開口區域rC的一部分重疊的區域。
如圖32所示，光衰減濾光器18係具備減光部18a(均一濃度濾光器)取代前述第9實施形態的減光部8a。
減光部18a係將前述第9實施形態的減光部8a的X方向的兩端部往外側延伸而構成。減光部8a的X方向的兩端部係分別延伸達未達複合開口區域rC的X方向的寬度的50%。在圖32所示的例子中，作為一例，減光部18a係比減光部8a，往X方向的兩側各延伸有複合開口區域rC的X方向的寬度的25%。
減光部18a係以俯視下分別與第1開口部3A(第2開口部3B)的單獨開口區域rS全體及相鄰該單獨開口區域rS的X方向的兩側的複合開口區域rC的一部分區域(在圖32中為複合開口區域rC的四分之一的區域)重疊的方式配置。
減光部18a的穿透率係與前述第9實施形態的減光部8a相同。
本實施形態的光穿透部8b係形成在光衰減濾光器18中減光部18a以外的區域。
藉由如上述的構成，光衰減濾光器18係在X方向具有如圖33中的曲線234所示的穿透率分布。
圖33的橫軸的元件符號係表示圖32記載的N-N線上的相同元件符號的點的位置。點a至點h的意義係與前述第9實施形態的說明相同。其中，點c’(f’)為線段cd(ef)的中點。
同前述第9實施形態的減光部8a一樣，曲線234係在點c’與點f’之間取最小值TL1、在其餘位置取一定值Tmax。
光衰減濾光器18係採用與光衰減濾光器8相同的方 式製造。
藉由如上述構成的光衰減濾光器18，穿透視野光闌3及透鏡5a的曝光光L1A(L1B)係轉換為相應於減光部18a及光穿透部8b的穿透率而光衰減後的曝光光L15A(L15B)。
依據曝光裝置110，同前述第9實施形態的曝光裝置100A一樣地進行曝光。
在曝光裝置110的曝光動作中，從投影光學單元15射出的曝光光L15A、L15B係穿透光衰減濾光器18。因此，下述之點係不同於曝光裝置100A的動作。藉由曝光光L15A、L15B而投影至被曝光體6的第1光像(第2光像)的光量分布係不同於第1光像I8A、第2光像I8B的光量分布。
圖34顯示曝光光L15A、L15B掃描在被曝光體6上時的累計光量的曲線圖。其中，同圖31一樣，為了方便與前述的比較例進行比對，在圖34顯示的是穿透率Tmax為100%時的掃描曝光的累計光量。
圖34的橫軸的元件符號i至r係表示被曝光體6上的圖32的點a至h的對應點。其中，與點c’、f’對應的位置係分別以元件符號m’、n’表示。點j’、q’係表示相當於配置在與第1排投影光學系統5A相鄰的第2排投影光學系統5B的減光部8a的點f’、c’之位置。
因此，點j至點m之區間及點n至點q之區間係分別為俯視下與複合開口區域rC重疊的複合曝光區域AC。點m至點n之區間為俯視下與單獨開口區域rS重疊 的單獨曝光區域AS。
在本實施形態中，受光衰減濾光器18的減光部18a的穿透光照射的光量補正區域M2係由在X方向與單獨開口區域rS全體重疊的區域及在單獨開口區域rS的X方向兩側與複合開口區域rC的四分之一重疊的區域所組成。
圖34中的曲線235(參照實線)係表示本實施形態的累計光量，曲線233(參照鏈線)係表示比較例的累計光量。曲線236(參照虛線)係表示因各光衰減濾光器18的作用而衰減的光衰減量。
如曲線236所示，關於本實施形態的累計光量，在光量補正區域M2的範圍，穿透量係以一定的比例降低。因此，相較於曲線233所表示的比較例的累計光量，在光量補正區域M2的範圍，穿透量係全體降低。在曲線圖上，比較例的累計光量係往下方平行移動。例如，點m至點n的累計光量係從q0降低至Q。同樣地，點j至點j’、點m’至點m、點n至點n’、及點q至點q’各區域的光量係降低至點m至點n的光量Q以下。
因此，如曲線235所示，關於本實施形態的累計光量係呈現在單獨曝光區域AS為Q(其中，q6<Q<q0)、在複合曝光區域AC為在q6至Q之間振動的光量分布。
藉由本實施形態的光衰減濾光器18，適宜設定穿透率TL1、與減光部18a及光穿透部8b的穿透率的變化率。藉此，能夠使累計光量的總體變動幅度Q-q6的大小比比較例的累計光量的總體變動幅度△Q縮減。
如上述，在本實施形態中，能夠使累計光量的總體變動幅度Q-q6本身比比較例縮減。此外，複合曝光區域AC的曝光量的不均的大小亦減輕，故由曝光區域的相接處引起的曝光不均係減輕。藉此，例如，與遮罩圖案P對應的線寬的變動等係減輕，可獲得更高精度的曝光圖案。
如上述說明，依據本實施形態的曝光裝置110，能夠減輕在使用交錯排列的複數個投影光學系統時由曝光區域的相接處引起的曝光不均。
[第11實施形態]
針對本發明第11實施形態的曝光裝置進行說明。
圖35係顯示本發明第11實施形態的曝光裝置使用的光穿透量削減構件的一例之俯視示意圖。圖36係顯示沿圖35中的Q-Q線的穿透率分布之示意性曲線圖。圖36的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示穿透率。圖37係針對本發明第11實施形態的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。圖37的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示累計光量。
如圖25、圖26所示，本實施形態的曝光裝置120係具備投影光學單元25取代前述第9實施形態的曝光裝置100A的投影光學單元5。
如圖27所示，投影光學單元25係具備光衰減濾光器28(光穿透量削減構件)取代前述第9實施形態的投影光學單元5的光衰減濾光器8。
以下，以與前述第9實施形態之間的相異點為中心進行說明。
如圖27所示，光衰減濾光器28係同前述第9實施形態的光衰減濾光器8一樣，分別配置在投影光學單元25的第1排投影光學系統5A、第2排投影光學系統5B的各透鏡鏡筒5b的下端部。各光衰減濾光器28係藉由與透鏡鏡筒5b的下端部固定在一起的濾光器保持具9c而固定在與透鏡5a相對的位置。
光衰減濾光器28係將穿透第1排投影光學系統5A(第2排投影光學系統5B)的曝光光L1A(L1B)轉換為降低至少一部分光量後的曝光光L25A(L25B)。
曝光光L25A(L25B)係照射至被曝光體6上的與前述第10實施形態相同的光量補正區域M2(參照圖35)。
如圖35所示，光衰減濾光器28係具備：第1減光部28a(第1光穿透量削減部、均一濃度濾光器)、第2減光部28b(第2光穿透量削減部、漸變濃度濾光器)、第3減光部28c(第2光穿透量削減部、漸變濃度濾光器)、及與前述第10實施形態的光穿透部8b相同的光穿透部18c。
第1減光部28a乃係使穿透視野光闌3及透鏡5a的曝光光L1A(L1B)在第1開口部3A(第2開口部3B)的第1光量補正區域m1以一定的穿透率TL3衰減之部位。第1減光部28a係除了穿透率不同之外，與前述第9實施形態的減光部8a同樣地形成。
第2減光部28b乃係使穿透視野光闌3及透 鏡5a的曝光光L1A(L1B)在第1開口部3A(第2開口部3B)的第2光量補正區域m2以穿透率Tmax至TL3的範圍往X方向正方向漸次衰減之部位。
第3減光部28c乃係使穿透視野光闌3及透鏡5a的曝光光L1A(L1B)在第1開口部3A(第2開口部3B)的第2光量補正區域m2以穿透率Tmax至TL3的範圍往X方向負方向漸次衰減之部位。
第2減光部28b及第3減光部28c的穿透率的變化率係依光量補正區域M2的光量補正的需要，例如根據實驗、模擬等而進行設定。第2減光部28b及第3減光部28c的穿透率的變化率係可為一定(直線變化)，亦可為根據適宜的函數而變化。穿透率的變化率係可為單調變化，亦可為非單調變化。此外，穿透率的變化並不限定為連續性的變化。例如，穿透率係亦可為步階狀變化。
藉由如上述的構成，光衰減濾光器28係在X方向具有如圖36中的曲線237所示的穿透率分布。
圖36的橫軸的元件符號係表示圖35記載的Q-Q線上的相同元件符號的點的位置。點a至點h的意義係與前述第9實施形態的說明相同。
曲線237係在點c取Tmax、從點c往點d穿透率漸次減少、在點d至點e之間取一定值TL3。曲線237係從點e往點f穿透率漸次增大、在點f取Tmax。曲線237係在其餘位置取一定值Tmax。
光衰減濾光器28係例如亦可採用在玻璃基 板的表面對成為第1減光部28a、第2減光部28b、及第3減光部28c的部位蒸鍍金屬薄膜等方式來製造。
藉由如上述構成的光衰減濾光器28，穿透視野光闌3及透鏡5a的曝光光L1A(L1B)係轉換為相應於第1減光部28a、第2減光部28b、第3減光部28c、及光穿透部18c的穿透率而光衰減後的曝光光L25A(L25B)。穿透率TL3係以使以曝光光L25A(L25B)進行曝光所產生的後述的有效曝光量的不均能夠減輕的方式，從超過0%但未達100%的範圍中選擇。
依據曝光裝置120，同前述第9實施形態的曝光裝置100A一樣地進行曝光。
在曝光裝置120的曝光動作中，從投影光學單元25射出的曝光光L25A、L25B係穿透光衰減濾光器28。因此，下述之點係不同於曝光裝置100A的動作。藉由曝光光L25A、L25B而投影至被曝光體6的第1光像(第2光像)的光量分布係不同於第1光像I8A、第2光像I8B的光量分布。
圖37顯示曝光光L25A、L25B掃描在被曝光體6上時的累計光量的曲線圖。其中，同圖31一樣，為了方便與前述的比較例進行比對，在圖37顯示的是穿透率Tmax為100%時的掃描曝光的累計光量。
圖37的橫軸的元件符號i至r係表示被曝光體6上的圖35的點a至h的對應點。
因此，點j至點m之區間及點n至點q之區間係分別為俯視下與複合開口區域rC重疊的複合曝光區域 AC。點m至點n之區間為俯視下與單獨開口區域rS重疊的單獨曝光區域AS。
圖37中的曲線238(參照實線)係表示本實施形態的累計光量，曲線233(參照鏈線)係表示比較例的累計光量。曲線239(參照虛線)係表示因各光衰減濾光器28的作用而衰減的光衰減量。
在本實施形態中，單獨曝光區域AS及複合曝光區域AC雙方係成為光量補正區域M2。因此，相較於曲線233所表示的比較例的累計光量，曲線238所表示的本實施形態的累計光量係全體降低。
在本實施形態中，係以藉由第1減光部28a使第1光量補正區域m1的累計光量成為Q4(其中，q6<Q4<q0)的方式設定穿透率TL3。
因此，以第2減光部28b(第3減光部28c)形成的第2光量補正區域m2的累計光量的最大值Q3係滿足Q4<Q3<q0。第2光量補正區域m2的累計光量的最小值係成為q6。
結果，曲線238所表示的累計光量的總體變動幅度Q3-q6係比比較例的變動幅度△Q小(Q3-q6<△Q)，故累計光量的變動幅度本身係減輕。
此外，藉由適宜設定穿透率TL3，能夠將大部分的單獨曝光區域AS的累計光量即Q4之值設定為Q3與q6中間的值。此時，能夠使累計光量Q4的變動幅度成為(Q3-q6)/2(<△Q/2)，故相較於前述第9實施形態，由曝光區域的相接處引起的曝光不均係進一步減輕。藉此，例 如，與遮罩圖案P對應的線寬的變動等係減輕，可獲得更高精度的曝光圖案。
在前述第10實施形態中係為了減輕累計光量的總體變動幅度而形成光量比比較例的最低的累計光量更低的部位。相對於此，依據本實施形態的光衰減濾光器28，累計光量的最低值係與比較例相同。因此，依據本實施形態，累計光量的相對降低量係比前述第10實施形態少。
如上述說明，依據本實施形態的曝光裝置120，能夠減輕在使用交錯排列的複數個投影光學系統時由曝光區域的相接處引起的曝光不均。
[變形例]
接著，針對能夠進一步減輕本實施形態的曝光不均的具體變形例進行說明。
圖38係顯示本發明第11實施形態的變形例的曝光裝置的光穿透量削減構件的穿透率分布之示意性曲線圖。圖38的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示穿透率。圖39係針對本發明第11實施形態的變形例的曝光裝置的曝光的累計光量進行說明的示意性曲線圖。圖39的曲線圖的橫軸表示X方向的位置、縱軸表示累計光量。
本變形例係僅光衰減濾光器28的穿透率的設定不同於前述第11實施形態。
如圖38所示，在本變形例中，第1減光部28a的穿 透率TL3係採用能夠將單獨曝光區域AS的累計光量設定成q6的大小。
在本變形例中，第2減光部28b(第3減光部28c)的穿透率係以將複合曝光區域AC的比較例的有效累計光量的降低量抵消掉的方式設定。亦即，以使穿透率從點d往點c(從點e往點f)從TL3漸次增大至Tmax的方式設定。
如上述的本變形例的光衰減濾光器28的累計光量的補正效果係如圖39中的曲線239(參照虛線)所示，以將表示比較例的累計光量的曲線233(參照鏈線)上下方向翻轉而得的曲線表示。
結果，穿透本變形例的光衰減濾光器28的曝光光的有效累計光量係成為如圖39中的曲線238(參照實線)所示的一定值q6。
如上述，依據本變形例，將光衰減濾光器28的穿透率分布針對比較例的有效累計光量謀求最佳化，藉此而能夠減輕曝光不均。
另外，在前述各實施形態的說明中，係以在曝光裝置中，藉由光源、光闌構件及投影光學系統(以下，稱為曝光部)固定而曝光用光罩及曝光對象物(以下，稱為被曝光物)移動來進行掃描曝光時的例子進行說明。
然而，關於掃描曝光，係只要曝光部與被曝光物沿掃描方向(Y方向、第1方向)相對移動而進行相對掃描即可。因此，在曝光裝置中，亦可為曝光部沿掃描方向移 動而被曝光物固定。此外，在曝光裝置中，亦可為曝光部及被曝光物各進行移動。
在前述各實施形態的說明中，係以第1方向與第2方向彼此正交時的例子進行說明。然而，第1方向與第2方向係只要為在平面上彼此交叉的方向即可，交叉角並不限定為直角。
在前述各實施形態的說明中，係以光罩1藉由第1驅動部10而移動、被曝光體6藉由驅使底座7移動的第2驅動部11而移動時的例子進行說明。然而，光罩1與底座7係亦可藉由單一驅動部而沿掃描方向移動。
在前述各實施形態的說明中，係以視野光闌3、4以一片來應對投影光學系統全體的構成進行說明。但只要視野光闌3、4為防止穿透開口部的光以外的照明光射入第1投影光學系統的構成，則視野光闌3、4係亦可以採用兩片以上的片數來構成。
在前述各實施形態的說明中，係以光穿透量削減構件配置在投影光學系統與曝光對象物之間時的例子進行說明。然而，光穿透量削減構件係只要在光源至曝光對象物之間便可配置在任意位置。
在前述第9實施形態的說明中，係以投影光學單元5對被曝光體6的X方向的全寬進行曝光時的例子進行說明。然而，若能夠藉由單一個光罩1進行被曝光體6的曝光圖案之曝光，則投影光學單元5係亦可為覆蓋X方向的一部分之大小。此時，藉由將曝光裝置100A的Y方向的掃描曝光沿X方向挪移進行複數次， 而對被曝光體6全體進行曝光。
以上，說明了本發明的各較佳實施形態，但本發明並不由該些實施形態所限定。在不脫離本發明主旨的範圍內，當能夠進行構成的添加、省略、置換、及其他變更。
此外，本發明並不由前述的說明所限定，而是僅由添附的申請專利範圍所限定。

Claims (13)

  1. 一種曝光裝置，係具備：第1光源，係產生第1曝光光；光闌構件，係俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部，且以使前述複數個開口部位在前述第1光源與曝光用光罩之間的方式進行配置；複數個第1投影光學系統，係配置成與前述光闌構件的前述複數個開口部各者相對向，將由穿透前述複數個開口部各者的前述第1曝光光形成的光像分別投影至曝光對象物；第2光源，係配置成在沿前述第1軸線的第1方向與前述第1光源相鄰，產生照射至前述曝光用光罩的第2曝光光；及補正曝光部，係配置在前述曝光用光罩到前述曝光對象物之間的前述第2曝光光的光路上；前述複數個開口部的前述第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；前述補正曝光部係俯視下將穿透前述曝光用光罩 的前述第2曝光光的照射至前述曝光對象物的照射範圍限定在前述複合開口區域的前述第2方向的寬度沿前述第1方向延長而成的區域即光量補正區域來照射前述第2曝光光。
  2. 如請求項1之曝光裝置，其中前述補正曝光部係以使在前述光量補正區域的前述第2曝光光的前述第1方向的累計光量形成為前述光量補正區域的前述第2方向的中心部比兩端部高的方式照射前述第2曝光光。
  3. 如請求項1或2之曝光裝置，其中前述補正曝光部係具備：第2投影光學系統，係將前述第2曝光光往前述曝光對象物投影；及光穿透量規範構件，係在前述曝光用光罩與前述曝光對象物之間將前述第2曝光光規範在前述光量補正區域的範圍。
  4. 如請求項3之曝光裝置，其中前述光穿透量規範構件係配置在前述第2投影光學系統與前述曝光對象物之間。
  5. 如請求項3或4之曝光裝置，其中前述光穿透量規範構件係含有光衰減濾光器。
  6. 如請求項3至5中任一項之曝光裝置，其中前述光穿透量規範構件係含有孔徑光闌。
  7. 如請求項3至6中任一項之曝光裝置，其中前述光穿透量規範構件係含有液晶光閘。
  8. 一種曝光方法，係含有： 準備俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部之光闌構件；進行如下述的第1曝光，即，將穿透前述光闌構件的前述複數個開口部的第1曝光光，沿沿著前述第1軸線的第1方向對曝光用光罩及曝光對象物進行相對掃描，藉此，將由前述第1曝光光形成的前述曝光用光罩的光像投影至前述曝光對象物；及進行如下述的第2曝光，即，在第1曝光之前或之後將第2曝光光照射至前述曝光用光罩，將穿透前述曝光用光罩的前述第2曝光光，沿前述第1方向對前述曝光用光罩及前述曝光對象物進行相對掃描，藉此，將由前述第2曝光光形成的前述曝光用光罩的光像投影至前述曝光對象物；前述複數個開口部的前述第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；在進行前述第2曝光時，俯視下限定在前述複合開口區域的前述第2方向的寬度沿前述第1方向延長而成的區域即光量補正區域來將前述第2曝光光照射至前述曝光對象物。
  9. 一種曝光裝置，係具備：光源，係產生曝光光；光闌構件，係俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部，且以使前述複數個開口部位在前述光源與曝光用光罩之間的方式進行配置；複數個投影光學系統，係配置成與前述光闌構件的前述複數個開口部各者相對向，將由穿透前述複數個開口部各者的前述曝光光形成的光像分別投影至曝光對象物；及光穿透量削減構件，係配置在前述光源到前述曝光對象物之間的前述曝光光的光路上；前述複數個開口部的沿前述第1軸線的第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；光穿透量削減構件係將照射至俯視下至少與前述單獨開口區域分別重疊的前述曝光對象物上的光量補正區域的前述曝光光的光量降低。
  10. 如請求項9之曝光裝置，其中前述光穿透量削減構件係具備：第1光穿透量削減部，係將照射至俯視下至少與 前述單獨開口區域重疊的前述曝光對象物上的第1光量補正區域的前述曝光光的光量降低；及第2光穿透量削減部，係設置成與前述第1光穿透量削減部在前述第2方向相鄰，將照射至俯視下與前述複合開口區域重疊的前述曝光對象物上的第2光量補正區域的前述曝光光的光量降低。
  11. 如請求項10之曝光裝置，其中前述第1光穿透量削減部係含有使前述曝光光的穿透率均一地降低的均一濃度濾光器；前述第2光穿透量削減部係含有前述曝光光的穿透率隨著遠離與前述第1光穿透量削減部在前述第2方向相鄰的部位而增大的漸變濃度濾光器。
  12. 如請求項9至11中任一項之曝光裝置，其中前述光穿透量削減構件係配置在前述投影光學系統與前述曝光對象物之間。
  13. 一種曝光方法，係含有：準備俯視下以第1軸線為中心且形成有交錯排列的複數個開口部之光闌構件；及進行如下述的曝光，即，將穿透前述光闌構件的前述複數個開口部的曝光光，沿沿著前述第1軸線的第1方向對曝光用光罩及曝光對象物進行相對掃描，藉此，將由前述曝光光形成的前述曝光用光罩的光像投影至前述曝光對象物；前述複數個開口部的前述第1方向的開口寬度，係俯視下在沿與前述第1軸線交叉的第2軸線之第2 方向為一定；在前述光闌構件係在前述第2方向交替形成有複合開口區域及單獨開口區域，前述複合開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的兩個隔著間隔相鄰，前述單獨開口區域係在前述第1方向由前述複數個開口部中的一個形成開口；在進行前述曝光時，藉由產生前述曝光光的光源到前述曝光對象物之間的前述曝光光的光路上所配置的光穿透量削減構件，將照射至俯視下至少與前述單獨開口區域分別重疊的前述曝光對象物上的光量補正區域的前述曝光光的光量降低。
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