CN110945430B - 曝光装置及曝光方法 - Google Patents

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Abstract

曝光装置(100)具备：主照明光源(2)，产生第1曝光光(L1A、L1B)；视场光阑(3)，形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部；多个第1投影光学系统，将第1曝光光(L1A、L1B)的光像分别投影至被曝光体(6)；追加曝光用照明光源(12)，相对于主照明光源(2)在第1方向上相邻地配置，产生向光掩模(1)照射的第2曝光光(L2A、L2B)；以及校正曝光部。在所述光阑构件中，在第2方向上交替地形成有复合开口区域(rC)和单独开口区域(rS)，所述校正曝光部限定于光量校正区域将第2曝光光(L12A、L12B)照射于被曝光体(6)。

Description

曝光装置及曝光方法
技术领域
本发明涉及曝光装置及曝光方法。
本申请基于在2017年7月25日在日本提交的日本特愿2017-143490号以及日本特愿2017-143443号并主张优先权，在此引用其内容。
背景技术
作为在例如液晶装置等所使用的大型基板上进行图案形成的装置，已知有扫描型曝光装置。
作为这样的扫描型曝光装置的一例，可举出专利文献1中记载的曝光装置。
在专利文献1所记载的曝光装置中，利用照明光对掩模进行照明，利用多个投影光学系统将形成于掩模的图案的像曝光于作为被曝光体的板。
掩模和板能够同步地以相同速度相对于投影光学系统在X方向上移动。投影光学系统分别由正立等倍实像成像系统构成，沿着与X方向正交的Y方向交错排列。
照明光穿过在各投影光学系统的各光轴上排列的多个视场光阑而照射到掩模。各视场光阑具有在X方向上两边对置的平行四边形的形状。各视场光阑的Y方向上的对边配置成从作为扫描方向的X方向观察时重叠的位置关系。
各投影光学系统将形成于掩模的图案的图像作为在俯视时交错排列的多个平行四边形状的光像而投影到板。但是，通过掩模和板相对于各投影光学系统在X方向上移动，从而各光像在板的表面沿X方向扫描。因此，若X方向的扫描结束，则通过掩模的整个面的图像使板被曝光。
在这样的曝光装置中，在扫描方向上产生第1区域和第2区域。在第1区域中，通过穿过单个视场光阑的光进行曝光。在第2区域中，通过穿过在Y方向上相邻的两个视场光阑的光进行曝光。各视场光阑的形状以及排列被设定为使第1区域中的扫描曝光量与第2区域中的扫描曝光量相等。
专利文献1的曝光装置通过照度传感器进行控制，使得照明光的照明强度也在各视场光阑上成为均匀的光强度。
这样的曝光装置通过将形成于掩模的图案准确地转印到板上，来将掩模的图案复制到板上。
在专利文献2所记载的投影曝光方法中，其目的在于，在扫描型曝光装置中，抑制因投影光学系统的投影区域的重合误差引起的“画面分裂”。因此，在专利文献2中记载了使光罩(Reticle)的图案的描绘位置和基板的搬送位置在与光学系统的光轴垂直且与扫描方向垂直的方向上错开规定量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-160887号公报
专利文献2：日本特开平10-62809号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在上述那样的以往的扫描型曝光装置中，由于各种因素，在掩模的图案与板上的曝光图案之间产生制造误差。
例如，在掩模具有均匀性高的格子状图案的情况下，即使是比较各个图案的线宽彼此也难以视觉辨认到的变动，也可能是一定区域的线宽整体发生了变化。在该情况下，可能会产生能够被容易地视觉辨认到的格子状图案的浓淡不均。例如，液晶装置中使用的滤色器的黑色矩阵图案等特别容易被视觉辨认到这样的不均。
因此，沿着曝光装置的扫描方向产生的图案的线宽等的变动是希望被抑制的。
本申请的发明人发现了如下现象，即，在上述那样的扫描型曝光装置中，即便与各视场光阑对应的各曝光量准确地一致，也会以与视场光阑的配置间距对应的间距产生图案的浓度不均。发明人等对该现象进行了深入研究，结果得知，该浓度不均是由于在沿扫描方向延伸的带状的区域中图案的线宽稍微变窄而产生的。进而还得知，产生浓度不均的区域是由相邻的视场光阑引起的曝光区域重叠的接缝区域。
该问题是使用多个投影光学系统的扫描型曝光装置所特有的问题。例如，随着液晶装置的高精细化等的要求提高，强烈要求进一步降低这样的线宽的不均的技术。
这样的接缝区域中的浓度不均例如是与专利文献2中的“画面分裂”不同的现象，是无法通过专利文献2所记载的方法来解决。
本发明是鉴于上述那样的问题而完成的，其目的在于提供一种曝光装置以及曝光方法，在使用交错排列的多个投影光学系统的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
用于解决课题的手段
为了解决上述的课题，本发明的第1方式的曝光装置具备：第1光源，产生第1曝光光；光阑构件，形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部，配置成所述多个开口部位于所述第1光源与曝光用光掩模之间；多个第1投影光学系统，与所述光阑构件的所述多个开口部分别对置地配置，将从所述多个开口部分别透射的所述第1曝光光的光像分别投影到曝光对象物；第2光源，相对于所述第1光源在沿着所述第1轴线的第1方向上相邻地配置，产生向所述曝光用光掩模照射的第2曝光光；以及校正曝光部，配置在从所述曝光用光掩模到所述曝光对象物之间的所述第2曝光光的光路上；所述多个开口部的所述第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，所述校正曝光部将从所述曝光用光掩模透射的所述第2曝光光向所述曝光对象物的照射范围仅限定于光量校正区域照射所述第2曝光光，该光量校正区域是俯视时所述第2方向上的所述复合开口区域的宽度沿所述第1方向延长的区域。
在上述第1方式的曝光装置中，也可以是，所述校正曝光部以使所述光量校正区域中的所述第2曝光光的所述第1方向上的累计光量成为相比于所述第2方向上的所述光量校正区域的两端部而中心部更高的方式照射所述第2曝光光。
在上述第1方式的曝光装置中，也可以是，所述校正曝光部具备：第2投影光学系统，将所述第2曝光光朝向所述曝光对象物投影；以及透光量限制构件，在所述曝光用光掩模与所述曝光对象物之间，将所述第2曝光光限制在所述光量校正区域的范围内。
在上述第1方式的曝光装置中，也可以是，所述透光量限制构件配置在所述第2投影光学系统与所述曝光对象物之间。
在上述第1方式的曝光装置中，也可以是，所述透光量限制构件包括光衰减滤光器。
在上述第1方式的曝光装置中，也可以是，所述透光量限制构件包括开口光阑。
在上述第1方式的曝光装置中，也可以是所述透光量限制构件包括液晶快门。
本发明的第2方式所涉及的曝光方法包括：准备光阑构件的步骤，该光阑构件形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部；进行第1曝光的步骤，该第1曝光为，将从所述光阑构件的所述多个开口部透射的第1曝光光相对于曝光用光掩模及曝光对象物在沿着所述第1轴线的第1方向上进行相对扫描，由此，将由所述第1曝光光形成的所述曝光用光掩模的光像投影到所述曝光对象物；以及在所述第1曝光之前或之后进行第2曝光的步骤，该第2曝光为，将第2曝光光照射于所述曝光用光掩模，使从所述曝光用光掩模透射的所述第2曝光光相对于所述曝光用光掩模及所述曝光对象物在所述第1方向上进行相对扫描，由此，将由所述第2曝光光形成的所述曝光用光掩模的光像投影到所述曝光对象物，所述多个开口部的所述第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，在进行所述第2曝光时，限定于光量校正区域将所述第2曝光光向所述曝光对象物照射，该光量校正区域是俯视时所述第2方向上的所述复合开口区域的宽度沿所述第1方向延长的区域。
本发明的第3方式的曝光装置具备：光源，产生曝光光；光阑构件，形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部，配置成所述多个开口部位于所述光源与曝光用光掩模之间；多个投影光学系统，与所述光阑构件的所述多个开口部分别对置地配置，将从所述多个开口部分别透射的所述曝光光的光像分别投影到曝光对象物；以及透光量减少构件，配置在从所述光源到所述曝光对象物之间的所述曝光光的光路上，所述多个开口部的沿着所述第1轴线的第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，透光量减少构件减少照射到俯视时至少与所述单独开口区域分别重叠的所述曝光对象物上的光量校正区域的所述曝光光的光量。
在上述第3方式的曝光装置中，也可以是，所述透光量减少构件具备：第1透光量减少部，减少照射到俯视时至少与所述单独开口区域重叠的所述曝光对象物上的第1光量校正区域的所述曝光光的光量；以及第2透光量减少部，在所述第2方向上与所述第1透光量减少部相邻地设置，减少照射到俯视时与所述复合开口区域重叠的所述曝光对象物上的第2光量校正区域的所述曝光光的光量。
在上述第3方式的曝光装置中，也可以是，所述第1透光量减少部具有使所述曝光光的透射率均匀地下降的均匀浓度滤光器，所述第2透光量减少部具有随着在所述第2方向上远离与所述第1透光量减少部相邻的部位而所述曝光光的透射率增大的倾斜浓度滤光器。
在上述第3方式的曝光装置中，也可以是，所述透光量减少构件配置在所述投影光学系统与所述曝光对象物之间。
本发明的第4方式所涉及的曝光方法包括：准备光阑构件的步骤，该光阑构件形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部；以及进行曝光的步骤，该曝光为，将从所述光阑构件的所述多个开口部透射的曝光光相对于曝光用光掩模及曝光对象物在沿着所述第1轴线的第1方向上进行相对扫描，由此，将由所述曝光光形成的所述曝光用光掩模的光像投影到所述曝光对象物，所述多个开口部的所述第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，在进行所述曝光时，利用配置在从产生所述曝光光的光源到所述曝光对象物之间的所述曝光光的光路上的透光量减少构件，减少照射到俯视时至少与所述单独开口区域分别重叠的所述曝光对象物上的光量校正区域的所述曝光光的光量。
发明效果
根据本发明的曝光装置及曝光方法，在使用交错排列的多个投影光学系统的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。
图2是图1中的A向视的俯视图。
图3是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的曝光用光掩模的一例的示意性的俯视图。
图4是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的曝光用光掩模的掩模图案的一例的示意性的放大图。
图5A是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的视场光阑的一例的示意性的俯视图。
图5B是表示视场光阑的变形例的示意性的俯视图。
图6是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的校正用曝光部的一例的示意性的局部截面图。
图7是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
图8是表示沿着图7中的B-B线的透射率分布的示意性的曲线图。
图9是对本发明的第1实施方式的曝光方法中的第1曝光进行说明的示意图。
图10A是对第1曝光中的曝光时间的比率进行说明的示意图。
图10B是对第1曝光中的有效的曝光量进行说明的示意图。
图11是对本发明的第1实施方式的曝光方法中的第2曝光进行说明的示意图。
图12是对第2曝光中的有效的累计光量进行说明的示意性的曲线图。
图13是对第1曝光和第2曝光的有效的全部曝光量进行说明的示意性的曲线图。
图14A是表示本发明的第2实施方式的曝光装置的主要部分的一例的示意性的俯视图。
图14B是图14A的D-D剖视图。
图15是表示本发明的第2实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
图16是表示沿着图15中的E-E线的透射率分布的示意性的曲线图。
图17A是表示本发明的第3实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。
图17B是图17A的F向视的俯视图。
图18A是表示本发明的第4实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。
图18B是图18A的G向视的俯视图。
图19是表示本发明的第5实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
图20是表示本发明的第5实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
图21是表示本发明的第6实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
图22是表示本发明的第6实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
图23A是表示本发明的第7实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的主要部分的一例的示意性的俯视图。
图23B是表示本发明的第7实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的主要部分的一例的示意性的俯视图。
图23C是表示本发明的第7实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的主要部分的一例的示意性的俯视图。
图24A是表示本发明的第8实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的局部剖视图。
图24B是图24A的H向视的放大图。
图25是表示本发明的第9实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。
图26是图25中的J向视的俯视图。
图27是表示本发明的第9实施方式的曝光装置的主要部分的构成的示意性的局部剖视图。
图28是表示本发明的第9实施方式的曝光装置中使用的透光量减少构件的一例的示意性的俯视图。
图29是表示沿着图28中的K-K线的透射率分布的示意性曲线图。
图30是对本发明的第9实施方式的曝光装置中的曝光进行说明的示意图。
图31是对本发明的第9实施方式的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。
图32是表示本发明的第10实施方式的曝光装置中使用的透光量减少构件的一例的示意性的俯视图。
图33是表示沿着图32中的N-N线的透射率分布的示意性曲线图。
图34是对本发明的第10实施方式的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。
图35是表示本发明的第11实施方式的曝光装置中使用的透光量减少构件的一例的示意性的俯视图。
图36是表示沿着图35中的Q-Q线的透射率分布的示意性曲线图。
图37是对本发明的第11实施方式的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。
图38是表示本发明的第11实施方式的变形例的曝光装置的透光量减少构件的透射率分布的示意图。
图39是对本发明的第11实施方式的变形例的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在所有附图中，即使在实施方式不同的情况下，对相同或相当的构件也标注相同的附图标记，并省略共通的说明。
[第1实施方式]
对本发明的第1实施方式的曝光装置进行说明。
图1是表示本发明的第1实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。图2是图1中的A向视的俯视图。图3是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的曝光用光掩模的一例的示意性的俯视图。图4是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的曝光用光掩模的掩模图案的一例的示意性的放大图。图5A、图5B是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的视场光阑的一例的示意性的俯视图。
图1、2所示的曝光装置100是利用多个投影光学系统将光掩模1(曝光用光掩模)的曝光用图案向被曝光体6(曝光对象物)进行等倍扫描曝光的扫描型曝光装置。
在对曝光装置100的详细构成进行说明之前，对光掩模1的一例进行说明。
如图3所示，光掩模1具备透光性基板1A和掩模部1B。
作为透光性基板1A，能够使用具有可使曝光装置100的照明光透射的透光性的适当的基板。例如，透光性基板1A也可以由玻璃基板构成。透光性基板1A的外形没有特别限定。在图3所示的例子中，透光性基板1A的外形在俯视时为矩形状。
掩模部1B具备成为由被曝光装置100向被曝光体6投影的曝光用图案的掩模图案P。掩模图案P例如是在透光性基板1A上层叠的金属等遮光层被图案化而构成的。
等倍曝光的曝光装置100中使用的掩模图案P设为与形成于被曝光体6的曝光图案相同的形状即可。
掩模图案P在透光性基板1A的表面，二维地形成在沿着透光性基板1A的长边的y方向、和沿着透光性基板1A的短边的x方向上。
为了描述透光性基板1A上的掩模图案P的位置，分别在x方向上设定x坐标轴、在y方向上设定y坐标轴。在图3中，作为一例，设定有以透光性基板1A的外形的一个顶点为原点O的x坐标轴和y坐标轴。但是，xy坐标系的原点O也可以设定在透光性基板1A的适当的位置。
掩模图案P的具体形状是曝光图案所需的适当的形状。
以下，作为掩模图案P的一例，以在俯视时透光部的形状为矩形格子的情况为例进行说明。这种矩形格子状的曝光图案例如也可以用于形成液晶装置中的滤色器所使用的黑矩阵(BM)。
图4示出了掩模图案P的放大图。
掩模图案P为，俯视时呈矩形状的多个遮光部1b在x方向以及y方向上排列成矩形格子状。例如，遮光部1b的排列间距在x方向上为Px，在y方向上为Py。例如，在光掩模1为BM形成用的情况下，间距Px(Py)与x方向(y方向)上的子像素的排列间距一致。
在各遮光部1b之间形成有透光性基板1A(参照图3)的表面露出的透光部1a。透光部1a分为沿x方向延伸的第1线状部1ax和沿y方向延伸的第2线状部1ay。
第1线状部1ax具有恒定的线宽L1y。同样，第2线状部1ay具有恒定的线宽L1x。例如，在光掩模1为BM形成用的情况下，线宽L1y、L1x分别与y方向、x方向上的BM的线宽相等。
这里，返回到曝光装置100的说明。
如图1、2所示，曝光装置100具备基座7、第2驱动部11、第1驱动部10、主照明光源2(第1光源)、视场光阑3(光阑构件)、投影光学单元5、追加曝光用照明光源12(第2光源)以及追加曝光用投影光学单元9(校正曝光部)。
基座7为了载置被曝光体6而具有沿横向(在本实施方式中为水平方向)配置的平坦的上表面7a。如图1所示，基座7被支承为能够通过第2驱动部11在横向中的Y方向(第1方向、从图示左侧朝向右侧的方向)上移动。第2驱动部11的构成没有特别限定。例如，第2驱动部11也可以由能够在Y方向上往复移动的1轴工作台构成。但是，第2驱动部11也可以构成为能够使基座7在水平面内沿与Y方向正交(交叉)的X方向(第2方向，从图1中的纸面里侧朝向外侧的方向)移动。
如图2所示，在本实施方式中，基座7的移动方向是沿着横向中的在Y方向(从图2的左向右的方向)上延伸的轴线O5(第1轴线)的方向。
第2驱动部11如图示双点划线所示，能够在将基座7移动到Y方向上的移动限度后使基座7向Y方向的相反方向移动而返回到移动开始位置。
通过曝光装置100对被曝光体6曝光基于光掩模1的掩模图案P的光像的、曝光图案。被曝光体6比上表面7a小，形成为光掩模1以下的大小的矩形板状。被曝光体6以其长度方向与Y方向一致的方式载置于上表面7a上。
被曝光体6通过在适当的基板上涂敷用于进行光刻的感光性的抗蚀剂而构成。
如图1所示，在曝光装置100中，光掩模1配置在与载置于基座7的被曝光体6在上下方向(在本实施方式中为铅垂方向)上对置的位置。光掩模1由设置为能够由第1驱动部10驱动的支承部(未图示)支承。第1驱动部10能够使支承部(未图示)以与基座7的上表面7a保持一定的间隔的方式与基座7同步地在横向上平行移动。第1驱动部10与第2驱动部11同样，也可以使用能够在Y方向上移动的1轴工作台、能够在XY方向上移动的2轴工作台等。
曝光装置100中的光掩模1被配置为y坐标轴的正方向为与Y方向相反的朝向，x坐标轴沿着X方向。
主照明光源2为了对被曝光体6进行曝光，产生具有使被曝光体6上的抗蚀剂感光的波长的照明光(第1曝光光)。主照明光源2在光掩模1的移动区域的上方由支承构件(未图示)进行固定支承。主照明光源2向下方照射照明光。
视场光阑3在上下方向上配置于主照明光源2与光掩模1的移动区域之间。视场光阑3由支承构件(未图示)进行固定支承。视场光阑3对主照明光源2照射的照明光进行整形，将照明光分割为多个照明区域。
如图5A所示，视场光阑3具有多个第1开口部(开口部)3A和多个第2开口部(开口部)3B。多个第1开口部3A在X方向上以w1+w2(其中，w1＜w2)的间距排列。多个第2开口部3B在相对于多个第1开口部3A在Y方向上平行地错开Δ(其中Δ＞h/2)的轴线上，在X方向上以w1+w2的间距排列。
俯视时，第1开口部3A的形状是顶角不为直角的等腰梯形。第1开口部3A由第1边3a、第2边3b、第3边3c以及第4边3d构成。第1边3a是等腰梯形的上底，第2边3b是等腰梯形的下底。第1边3a、第2边3b的长度分别为w1、w2。第1边3a、第2边3b相互平行地配置，在Y方向上分离等腰梯形的高度h。第3边3c、第4边3d是在X方向上依次配置的等腰梯形的腰。
俯视时，第2开口部3B的形状是使第1开口部3A旋转180°后的形状。X方向上的第2开口部3B的位置相对于第1开口部3A错开(w1+w2)/2。因此，第2开口部3B在X方向上配置于与两个第1开口部3A之间的中间点对置的位置。
通过这样的配置，第1开口部3A以及第2开口部3B沿着在X方向上延伸的轴线O3(第2轴线)交错排列。
若从Y方向观察，则第1开口部3A以及第2开口部3B中的第3边3c彼此、第4边3d彼此相互重叠。若从Y方向观察，则第1开口部3A的第1边3a(第2边3b)的端部与第2开口部3B的第2边3b(第1边3a)的端部处于相同的位置。
在沿Y方向观察视场光阑3时，将第1开口部3A或者第2开口部3B中的仅某一方开口的区域设为单独开口区域rS。在单独开口区域rS，Y方向上的第1开口部3A或第2开口部3B的开口宽度在X方向上恒定。即，单独开口区域rS的Y方向的开口宽度是等腰梯形的高度h。
将在Y方向上第1开口部3A以及第2开口部3B双方开口的区域设为复合开口区域rC。在复合开口区域rC，在Y方向上，第1开口部3A以及第2开口部3B空出间隔地相邻。在复合开口区域rC，在Y方向上第1开口部3A以及第2开口部3B开口，其合计的开口宽度与等腰梯形的高度h相等并在X方向上恒定。
这样，单独开口区域rS中的Y方向的开口宽度和复合开口区域rC中的Y方向的合计开口宽度与等腰梯形的高度h相等，并在X方向上恒定。以下，有时将等腰梯形的高度h称为开口宽度(开口量)h。
单独开口区域rS以及复合开口区域rC在X方向上交替配置。
在视场光阑3中，单独开口区域rS的X方向上的宽度为w1，复合开口区域rC的X方向上的宽度为(w2-w1)/2。
视场光阑3中的第1开口部3A以及第2开口部3B的形状、配置根据后述的投影光学单元5的排列的情况等而设定为适当的大小即可。以下，示出与第1开口部3A以及第2开口部3B相关的具体的尺寸例。
(w2-w1)/2例如可以为14mm以上18mm以下。开口宽度h例如可以为25mm以上45mm以下。(w1+w2)/2例如可以设为95mm以上100mm以下。Δ例如可以为200mm以上300mm以下。
曝光装置100的视场光阑3例如也可以置换为图5B所示的视场光阑4。
视场光阑4具有多个第1开口部(开口部)4A和多个第2开口部(开口部)4B。多个第1开口部4A在X方向上以2w3的间距排列。多个第2开口部4B在相对于多个第1开口部4A在Y方向上平行地错开Δ的轴线上，在X方向上以2w2的间距排列。
俯视时，第1开口部4A的形状是顶角不为直角的平行四边形。第1开口部4A由第1边4a、第2边4b、第3边4c以及第4边4d构成。第1边4a和第3边4c是Y方向上的对边。第3边4c和第4边4d是X方向上的对边。第1边4a、第2边4b的长度分别为w3。具有第3边4c、第4边4d的直角三角形的X方向的宽度分别为w4(其中，w4＜w3)。
俯视时，第2开口部4B的形状与第1开口部4A相同。X方向上的第2开口部4B的位置相对于第1开口部4A错开w3。因此，在X方向上，第2开口部4B配置在与两个第1开口部4A之间的中间点对置的位置。
通过这样的配置，第1开口部4A和第2开口部4B沿着在X方向上延伸的轴线O4(第2轴线)交错排列。
若从Y方向观察，则第1开口部4A中的第3边4c(第4边4d)与第2开口部4B中的第4边4d(第3边4c)分别相互重叠。若从Y方向观察，则第1开口部4A的第1边4a(第2边4b)的端部与第2开口部4B的第1边4a(第2边4b)的端部处于相同的位置。
在沿Y方向观察视场光阑4时，将第1开口部4A或第2开口部4B中的仅某一方开口的区域设为单独开口区域rS。在单独开口区域rS中，Y方向上的第1开口部4A或第2开口部4B的开口宽度在X方向上恒定。即，单独开口区域rS的Y方向的开口宽度是平行四边形的高度h。
将在Y方向上第1开口部4A和第2开口部4B双方开口的区域设为复合开口区域rC。在复合开口区域rC中，在Y方向上，第1开口部4A以及第2开口部4B空开间隔地相邻。在复合开口区域rC中，在Y方向上第1开口部4A和第2开口部4B开口，其合计的开口宽度与平行四边形的高度h相等且在X方向上恒定。
这样，单独开口区域rS中的Y方向的开口宽度和复合开口区域rC中的Y方向的合计的开口宽度与平行四边形的高度h相等，并在X方向上恒定。以下，有时将平行四边形的高度h称为开口宽度h。
单独开口区域rS以及复合开口区域rC在X方向上交替配置。
在视场光阑4中，单独开口区域rS的X方向上的宽度为(w3-w4)，复合开口区域rC的X方向上的宽度为w4。
以下，只要没有特别说明，以曝光装置100具备视场光阑3的情况为例进行说明。
如图1所示，投影光学单元5配置在比基座7上的被曝光体6靠上方的位置。投影光学单元5和视场光阑3在上下方向上对置。在投影光学单元5与视场光阑3之间配置有光掩模1的移动区域。投影光学单元5由支承构件(未图示)进行固定支承。
如图2所示，投影光学单元5具备沿着轴线O3交错排列的多个第1列投影光学系统5A(投影光学系统、第1投影光学系统)和多个第2列投影光学系统5B(投影光学系统、第1投影光学系统)。
第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)是将物体像作为正立等倍像成像于像面的成像光学系统。第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)配置在使光掩模1的掩模图案P与涂布有抗蚀剂的被曝光体6的上表面处于相互共轭的位置关系的位置。在本实施方式中，从第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)朝向被曝光体6的射出光成为平行光束。
如图5A中双点划线所示，第1列投影光学系统5A以能够将透射第1开口部3A的光的光像投影到被曝光体6的方式配置在第1开口部3A的下方。第2列投影光学系统5B以能够将透射第2开口部3B的光的光像投影到被曝光体6的方式配置在第2开口部3B的下方。
第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)将透射第1开口部3A(第2开口部3B)的光的光像作为正立等倍像，向被曝光体6投影。因此，第1开口部3A(第2开口部3B)中的单独开口区域rS、复合开口区域rC的光像也被投影到与它们分别在上下方向上对置的被曝光体6上。
第1列投影光学系统5A及第2列投影光学系统5B配置成与第1开口部3A及第2开口部3B相同的交错排列的位置关系。因此，第1开口部3A以及第2开口部3B之间的间隔被设为第1列投影光学系统5A以及第2列投影光学系统5B相互不干涉的尺寸。第1开口部3A与第2开口部3B的y方向上的间距Δ例如也有成为y方向的开口宽度h的6倍至8倍左右这样的较大的值的情况。
如图5B所示，在使用视场光阑4来代替视场光阑3的情况下，第1列投影光学系统5A以能够将透射第1开口部4A的光的光像投影到被曝光体6的方式配置在第1开口部4A的下方。第2列投影光学系统5B以能够将透射第2开口部4B的光的光像投影到被曝光体6的方式配置在第2开口部4B的下方。
追加曝光用照明光源12为了对被曝光体6进行曝光而产生具有使被曝光体6上的抗蚀剂感光的波长的照明光(第2曝光光)。追加曝光用照明光源12配置在光掩模1的移动区域的上方。另外，追加曝光用照明光源12在Y方向上与主照明光源2相邻的位置由支承构件(未图示)进行固定支承。追加曝光用照明光源12向下方照射照明光。
虽然省略了图示，但追加曝光用照明光源12具备适当的遮光构件。如后所述，遮光构件根据需要使照明光仅入射到追加曝光用投影光学单元9的各投影光学系统。
如图1所示，追加曝光用投影光学单元9以与基座7上的被曝光体6对置的方式配置在上方。追加曝光用投影光学单元9配置在基座7上的被曝光体6与光掩模1的移动区域之间。
追加曝光用投影光学单元9在Y方向上与投影光学单元5相邻的位置由支承构件(未图示)进行固定支承。
如图2所示，追加曝光用投影光学单元9具备沿着与轴线O3平行的轴线O9交错排列的多个第1列投影光学系统9A和多个第2列投影光学系统9B。
第2列投影光学系统9B与第1列投影光学系统9A仅配置不同，具备与第1列投影光学系统9A同样的构成。以下，以第1列投影光学系统9A的构成为中心进行说明。
图6是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的校正用曝光部的一例的示意性的局部剖视图。图7是表示本发明的第1实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。图8是表示沿着图7中的B-B线的透射率分布的示意性的曲线图。在图8中，横轴表示沿着B-B线的位置，纵轴表示透射率。
如图6所示，第1列投影光学系统9A具备透镜单元9a(第2投影光学系统)、滤光器9b(透光量限制构件、光衰减滤光器)以及滤光器保持架9c。
透镜单元9a具备：透镜，构成将物体像作为正立等倍像成像于像面的成像光学系统；和镜筒，保持透镜。透镜单元9a配置在使光掩模1的掩模图案P与涂布有抗蚀剂的被曝光体6的上表面处于相互共轭的位置关系的位置。在本实施方式中，从透镜单元9a朝向被曝光体6的射出光成为平行光束。
透镜单元9a也可以使用与投影光学单元5中的第1列投影光学系统5A不同的构成。但是，在本实施方式中，使用与第1列投影光学系统5A、第2列投影光学系统5B相同的构成。
例如，第1列投影光学系统9A的透镜单元9a也可以是通过与第1列投影光学系统5A同样的构成配置在从第1列投影光学系统5A沿Y方向平行移动了距离δ1(参照图2)的位置而构成。同样，第2列投影光学系统9B的透镜单元9a也可以是通过与第2列投影光学系统5B同样的构成配置在从第2列投影光学系统5B沿Y方向平行移动了距离δ1(参照图2)的位置而构成。
滤光器9b将透射透镜单元9a的第2曝光光L2A(L2B)转换为仅限于向被曝光体6上的光量校正区域M进行照射的第2曝光光L12A(L12B)。在此，被曝光体6上的光量校正区域M是指俯视时X方向上的复合开口区域rC的宽度沿Y方向延长的带状的区域。如图7所示，俯视时与滤光器9b重叠的光量校正区域M中的X方向的负方向侧(negative X direction侧、X方向的一侧、图示左侧)配置有光量校正区域ML。另外，在X方向的正方向侧(positive Xdirection侧、X方向的另一侧、图示右侧)配置有光量校正区域MR。
在本实施方式中，如图7所示，滤光器9b具备第1减光部9d、第2减光部9e、以及遮光部9f。
第1减光部9d在光量校正区域ML中偏靠X方向正方向侧(图示右侧)而配置。第1减光部9d的X方向上的宽度是光量校正区域ML的X方向上的宽度的一半。
第2减光部9e在光量校正区域MR中偏靠X方向负方向侧而配置。第2减光部9e的X方向上的宽度是光量校正区域MR的X方向上的宽度的一半。
因此，若沿Y方向观察，则第1列投影光学系统9A中的滤光器9b的第1减光部9d和第2列投影光学系统9B中的滤光器9b的第2减光部9e分别配置成彼此不重合且将光量校正区域M的X方向上的宽度无间隙地填埋。
同样，若沿Y方向观察，则第1列投影光学系统9A中的滤光器9b的第2减光部9e和第2列投影光学系统9B中的滤光器9b的第1减光部9d分别配置成彼此不重合且将光量校正区域M的X方向上的宽度无间隙地填埋。
第1减光部9d、第2减光部9e的Y方向的长度只要在滤光器9b的范围内即可，没有特别限定。
在滤光器9b中，除第1减光部9d及第2减光部9e以外的区域成为透射率0％的遮光部9f。
在本实施方式中，第1减光部9d、第2减光部9e在X方向上具有如图8中曲线201(参照实线)所示的透射率分布。
图8的横轴上的符号表示图7所记载的B-B线上的同符号的点的位置。
点a是B-B线上的滤光器9b的X方向负方向侧的端点。从点b到点d的区间是与光量校正区域ML重叠的区间。从点e到点g的区间是与光量校正区域MR重叠的区间。点h是B-B线上的滤光器9b的X方向正方向侧的端点。
第1减光部9d配置在从点c到点d之间。第2减光部9e配置在从点e到点f之间。在从点a到点b、从点d到点e、以及从点g到点h的各区间配置有遮光部9f。
如曲线201所示，第1减光部9d的透射率具有在点c为100％以下的最大值TL、朝向点d逐渐减少、在点d成为0％的透射率分布。第2减光部9e的透射率具有在点e为0％、朝向点f逐渐增大、在点f成为最大值TL的透射率分布。
第1减光部9d、第2减光部9e中的透射率的变化率如后所述那样根据光量校正区域M中的光量校正的需要，例如基于实验、模拟等而被设定。第1减光部9d、第2减光部9e中的透射率的变化率既可以恒定(直线变化)，也可以基于适当的函数而变化。透射率的变化率可以是单调的，也可以是非单调的。进而，透射率的变化并不限定于平滑的变化。例如，透射率也可以呈阶梯状变化。
如图6所示，滤光器保持架9c将滤光器9b相对于透镜单元9a保持在一定位置。在滤光器保持架9c的中心部至少形成有供透射了第1、第2减光部9d、9e的第2曝光光L12A(L12B)透射的贯通孔9g。
滤光器保持架9c相对于透镜单元9a以能够从下方装卸的方式被安装。滤光器保持架9c的装卸方式只要是能够将滤光器9b的第1减光部9d以及第2减光部9e配置成俯视时与上述的光量校正区域M的范围重叠即可，没有特别限定。例如，也可以使用能够相对于透镜单元9a在周向上进行定位的适当的装配、螺钉嵌合等。在本实施方式中，从透镜单元9a射出的第2曝光光是沿着光轴的平行光束，因此，光轴方向(上下方向)上的滤光器9b的对位也可以不高精度地进行。
通过滤光器保持架9c，使得滤光器9b以滤光器9b的横向位置被对位的状态被保持。由此，如上所述，滤光器9b配置成各滤光器9b的第1减光部9d和第2减光部9e在俯视时与光量校正区域M重叠的位置关系。
因此，如图8中曲线201和曲线202(参照双点划线)所示，若沿Y方向观察，则在与光量校正区域ML在X方向上重叠的范围内，在第2列投影光学系统9B的第2减光部9e和第1列投影光学系统9A的第1减光部9d，形成了在点c具有峰值透射率TL的山型(吊钟型)的透射率分布。同样，如图8中曲线201和曲线203(参照双点划线)所示，若沿Y方向观察，则在与光量校正区域MR在X方向上重叠的范围内，在第1列投影光学系统9A的第2减光部9e和第2列投影光学系统9B的第1减光部9d，形成了在点f具有峰值透射率TL的山型(吊钟型)的透射率分布。
接着，关于曝光装置100的动作，以本实施方式的曝光方法为中心进行说明。
本实施方式的曝光方法优选通过使用曝光装置100来进行。
本实施方式的曝光方法包括：(1)准备包括视场光阑3的曝光装置100，(2)进行第1曝光，(3)进行第2曝光，在进行第2曝光时，在俯视时仅限于向被曝光体6照射第2曝光光。
在曝光装置100中，通过使光掩模1和被曝光体6在Y方向上移动，从而，在被曝光体6的y方向上的各位置，依次进行第1曝光和第2曝光。
首先，对与第1曝光有关的曝光装置100的曝光动作进行说明。第1曝光使用主照明光源2、视场光阑3以及投影光学单元5而进行。
图9是对本发明的第1实施方式的曝光方法中的第1曝光进行说明的示意图。图10A、图10B是对第1曝光中的有效的曝光量进行说明的示意图。
在图9中放大表示在投影光学单元5的下方配置的被曝光体6的前端部的一部分。虽然在图9的图示中没有图示，但在视场光阑3与投影光学单元5之间，光掩模1在与被曝光体6对置的状态下与被曝光体6同步地在Y方向上移动(参照图1)。
如图1所示，若主照明光源2被点亮，则第1曝光光L1A、L1B被照射到视场光阑3。第1曝光光L1A、L1B透射视场光阑3的各第1开口部3A、各第2开口部3B(参照图5A)，照射到光掩模1。
从光掩模1的透光部1a透射的光中，穿过了第1开口部3A的光由第1列投影光学系统5A作为第1曝光光L11A，被等倍投影到被曝光体6上。同样，穿过了第2开口部3B的光由第2列投影光学系统5B作为第1曝光光L11B，被等倍投影到被曝光体6上。
结果，如图9所示，在被曝光体6上成像出第1开口部3A的光像即第1光像13A和第2开口部3B的光像即第2光像13B。在第1光像13A和第2光像13B中，形成了与掩模图案P等的物体像对应的亮度分布。但是，在图9中为了简单而省略了亮度分布的图示。
第1光像13A和第2光像13B与第1开口部3A和第2开口部3B同样，在被曝光体6上沿着与x坐标轴平行的轴线O13交错排列。
若基座7沿Y方向移动，则如图示斜线所示，各第1光像13A和各第2光像13B扫过宽度w2的带状的区域。因此，各第1光像13A和各第2光像13B在被曝光体6上沿y方向扫描。
但是，第1开口部3A和第2开口部3B在Y方向上错开Δ。因此，第1光像13A和第2光像13B同时扫过的区域在x方向上错开距离(w1+w2)/2并且在y方向上错开距离Δ。
若将基座7的移动速度设为v(参照图1)，则第2光像13B延迟T＝Δ/v到达第1光像13A先行扫描的y方向的区域。
例如，如果设为开始扫描的时刻为t0，则第2光像13B在时刻t1＝t0+T，到达时刻t0的第1光像13A的y方向的位置。此时，第2光像13B正好嵌入到在时刻t0成像的彼此相邻的第1光像13A之间。
即，在时刻t0，第1光像13A排列的x方向的区域只是通过多个第1光像13A空开间隔地被曝光。在时刻t1，同区域的非曝光部通过多个第2光像13B而被曝光。由此，沿x方向延伸的区域隔开时间差T而无间隙地被曝光为带状。这是因为，第1光像13A中的等腰梯形的腰与第2光像13B中的等腰梯形的腰构成各自的曝光区域的接缝的边界。
俯视时，光掩模1中的掩模部1B位于比时刻t0的第1开口部3A的第2边3b靠Y方向的负方向侧(negativeY direction侧、图示下侧)。在图9中，作为一例，图示了在时刻t0，掩模部1B的y方向上的前端与第1开口部3A的第2边3b处于同位置的情况。因此，在时刻t0，第1光像13A中的等腰梯形的下底位于掩模部1B的端部。
在通过扫描而第1光像13A扫过的区域中，通过时刻t0以后的扫描，光掩模1的掩模图案P逐步被投影到被曝光体6上。掩模图案P的曝光时间是将第1开口部3A中的Y方向的开口宽度h除以速度v而得到的时间。在由第1开口部3A的第1边3a和第2边3b夹着的矩形状区域中，曝光时间tf为h/v。以下，将曝光时间tf称为全曝光时间。
然而，在由第1开口部3A的第3边3c和第4边3d与第2边3b夹着的三角形区域中，x方向上的曝光时间在从0到全曝光时间tf的期间线性地变化。
同样，在通过扫描而第2光像13B扫过的区域，延迟时间T进行与第1光像13A的曝光同样的曝光。因此，第2光像13B扫过的区域被分为以全曝光时间tf被曝光的区域和以小于全曝光时间tf被曝光的区域。
曝光不足全曝光时间tf的区域是与第1光像13A和第2光像13B的接缝相关的曝光区域。
在本实施方式中，由第1光像13A和第2光像13B以全曝光时间tf进行曝光的区域相互分离。以全曝光时间tf被曝光的区域分别以宽度w1在y方向上呈带状延伸。将在该y方向上以全曝光时间tf被曝光的区域设为单独曝光区域AS。
与此相对，单独曝光区域AS之间的宽度(w1+w2)/2的区域由第1光像13A和第2光像13B以不足全曝光时间tf进行曝光。将在y方向上以不足全曝光时间tf被曝光的区域设为复合曝光区域AC。
复合曝光区域AC中的x方向的各位置处的曝光时间只是第1光像13A与第2光像13B的曝光比例不同，合计的曝光时间均相等。
因此，如果第1光像13A和第2光像13B中的照明光强度相同，则单独曝光区域AS中的曝光量与复合曝光区域AC中的曝光量彼此相等。
但是，根据发明人的观察，得知具有以下的倾向。与在被曝光体6上形成于单独曝光区域AS的曝光图案相比，形成于复合曝光区域AC的曝光图案具有透光部的线宽稍微变窄的倾向。
复合曝光区域AC以一定宽度沿y方向延伸，且在x方向上以等间距形成。因此，y方向上的复合曝光区域AC的线宽的变化容易被视觉辨认为曝光图案中的带状的浓度不均。
例如，若通过曝光装置100形成BM形成用的光掩模，则成为子像素的开口的大小的不均。因此，有可能形成容易被视觉辨认出规则的颜色不均的液晶装置。
曝光时间相同但线宽却不同的理由还不完全清楚，但可以想到由时间T表示的时间差的影响。
若进行曝光则光化学反应进展，作为结果，抗蚀剂能够由显影液除去。然而，抗蚀剂的光化学反应为了使反应开始是需要一定程度的时间的。另一方面，若曝光中断，则反应急速停止，已开始的光反应被复位。
结果，与连续曝光相比，断续的曝光的有效的曝光时间变短，因此认为产生与曝光量降低同样的效果。
因此，可以认为，如果第1光像13A和第2光像13B的曝光量是相同的光量，那么在被曝光体6上的复合曝光区域AC中被用在抗蚀剂的实际的感光中的有效的曝光量，是由第1光像13A与第2光像13B的曝光时间的比率决定的。
图10A所示的复合曝光区域AC由第1光像13A所扫描的单独曝光区域AS1和在x方向上相邻的第2光像13B所扫描的单独曝光区域AS2夹着。在此，对复合曝光区域AC中的、基于第1光像13A和第2光像13B的曝光时间的比率进行考察。图10A示意性地表示上述的复合曝光区域AC中的曝光时间的比率。在复合曝光区域AC中，第1光像13A的曝光时间和第2光像13B的曝光时间沿着x方向线性地变化。
例如，点p1所示的位置是与单独曝光区域AS1的边界位置，因此第1光像13A的曝光时间为100％，第2光像13B的曝光时间为0％。若将各点处的曝光时间的比率(％)如pn[tA/tB]那样表示，则例如为p1[100/0]、p2[90，10]、p3[80，20]、p4[70，30]、p5[60，40]、p6[50，50]、p7[40，60]、p8[30，70]、p9[20，80]、p10[20，80]、p11[0，100]。以下，用xn表示这些点pn在x方向上的位置坐标(其中，n＝1、…、11)。
此时，如图10B所示，影响线宽等的有效的曝光量(以下，有时简称为曝光量)在复合曝光区域AC中以向下凸的大致V字状的曲线表示。这被认为是因为，由于在复合曝光区域AC中有效的曝光时间变短，因此产生了与曝光量降低同样的效果。位置x1、x11处的曝光量q1、q11分别与单独曝光区域AS中的曝光量q0相等。例如，位置x6处的曝光量q6低于曝光量q0，是复合曝光区域AC中的曝光量的最小值。位置x1、x11的附近以及位置x6附近的曝光量的变化率平滑地变化。该曲线相对于从位置x6穿过的纵轴而左右对称。
这样，复合曝光区域AC中的曝光量通过以x方向的位置坐标为独立变量的连续函数来表示，但也可以简易地通过阶梯状的变化来近似。
例如，也可以将区间An设为位置x2n-1与位置x2n+1之间，利用区间An的平均曝光量来近似区间An内的各曝光量。
如以上说明的那样，在第1曝光中，在复合曝光区域AC中有效的曝光量降低。在本实施方式中，将复合曝光区域AC作为光量校正区域M，在光量校正区域M进行第2曝光，由此消除有效的曝光量的不足。以下，对第2曝光进行说明。
图11是对本发明的第1实施方式的曝光方法中的第2曝光进行说明的示意图。图12是对第2曝光中的有效的累计光量进行说明的示意性的曲线图。在图12中，横轴表示位置，纵轴表示第2曝光中的有效的累计光量。图13是对第1曝光和第2曝光的有效的全部曝光量进行说明的示意性的曲线图。在图13中，横轴表示位置，纵轴表示有效的全部曝光量。
第2曝光使用追加曝光用照明光源12、追加曝光用投影光学单元9而进行。
如图1所示，若追加曝光用照明光源12被点亮，则第2曝光光L2A、L2B被照射到光掩模1。
从光掩模1的透光部1a透射的光中、入射到第1列投影光学系统9A的光由第1列投影光学系统9A作为第2曝光光L12A，等倍投影到被曝光体6上。同样，入射到第2列投影光学系统9B的光由第2列投影光学系统9B作为第2曝光光L12B，等倍投影到被曝光体6上。
结果，在Y方向上，在被曝光体6上的光量校正区域M上，从第1减光部9d、第2减光部9e透射的第2曝光光L12A、L12B进行扫描。
因此，如图11所示，在光量校正区域ML成像出第1列投影光学系统9A中的第1减光部9d的透射光的光像即第1校正用光像19dA和第2列投影光学系统9B中的第2减光部9e的透射光的光像即第2校正用光像19eB。同样，在光量校正区域MR成像出第1列投影光学系统9A中的第2减光部9e的透射光的光像即第3校正用光像19eA和第2列投影光学系统9B中的第1减光部9d的透射光的光像即第4校正用光像19dB。
以下，有时将第1校正用光像19dA、第2校正用光像19eB、第3校正用光像19eA以及第4校正用光像19dB统称为各校正用光像。在各校正用光像中形成了与掩模图案P等的物体像对应的亮度分布。但是，在图11中为了简单而省略了亮度分布的图示。
利用各校正用光像进行的第2曝光的累计光量根据各第1减光部9d以及各第2减光部9e在X方向上的透射率分布来决定。例如，在图12中用曲线211表示在图11中沿着在X方向上延伸的C-C线的累计光量分布。累计光量分布具有在光量校正区域M的X方向(横轴方向)上的两端部为0、在光量校正区域M的X方向上的中心成为最大值qm的山型的分布。但是，为了简单起见，图12省略了依赖于掩模图案P的光量变化的显示。即，图12示出了掩模图案P的透射率恒定的区域中的累计光量。
图12的曲线212(参照双点划线)表示第1曝光中的有效的曝光量。曲线211所示的山型的累计光量分布成为能够对曲线212的光量校正区域M中的曝光量的降低进行校正的分布。
图13的曲线213表示第1曝光和第2曝光的有效的全部曝光量。如图13中曲线213所示，进行了第1曝光和第2曝光后的被曝光体6上的有效的全部曝光量与X方向(横轴方向)的位置无关而大致恒定。
此外，由于图13是示意图，所以曲线213被简化而以与横轴平行的直线绘出，但只要在有效的曝光量的允许范围内，则也可以成为根据横轴的位置而在纵轴方向上变动的曲线。
如以上说明的那样，在本实施方式的曝光方法中，通过在与复合曝光区域AC一致的光量校正区域M中进行第2曝光，来校正通过第1曝光而在复合曝光区域AC产生的有效的曝光量的降低。因此，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
[第2实施方式]
对本发明的第2实施方式的曝光装置进行说明。
图14A是表示本发明的第2实施方式的曝光装置的主要部分的一例的示意性的俯视图。图14B是图14A中的D-D剖视图。图15是表示本发明的第2实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。图16是表示沿着图15中的E-E线的透射率分布的示意性的曲线图。在图16中，横轴表示沿着E-E线的位置，纵轴表示透射率。
如图1所示，本实施方式的曝光装置101具备追加曝光用照明光源42(第2光源)和追加曝光用投影光学单元19(校正曝光部)，代替上述第1实施方式的曝光装置100的追加曝光用照明光源12和追加曝光用投影光学单元9。
以下，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明。
追加曝光用照明光源42除了Y方向上的光照射范围窄以外，与上述第1实施方式中的追加曝光用投影光学单元9同样地构成。具体而言，追加曝光用照明光源42只要能够照射与上述追加曝光用投影光学单元9照射的第2曝光光L2A相同的光束即可。
如图1所示，追加曝光用投影光学单元19配置在与上述第1实施方式中的追加曝光用投影光学单元9相同的位置。
如图14A所示，追加曝光用投影光学单元19具备沿着与轴线O3平行的轴线O19排列的多个投影光学系统19A(第2投影光学系统)。
如图14A所示，投影光学系统19A具备滤光器19b(透光量限制构件、光衰减滤光器)，代替上述第1实施方式中的第1列投影光学系统5A的滤光器9b。
投影光学系统19A与上述第1实施方式中的第1列投影光学系统9A同样，配置在从第1列投影光学系统5A沿Y方向平行移动了距离δ1的位置。
如图14B所示，滤光器19b将透射透镜单元9a的第2曝光光L2A转换为仅限于向被曝光体6上的光量校正区域M进行照射的第2曝光光L22A。
在本实施方式中，如图15所示，滤光器19b具备第1减光部19d、第2减光部19e和遮光部19f。
第1减光部19d形成在俯视时与X方向上的光量校正区域ML的整个宽度重叠的矩形的范围内。
第2减光部19e形成在俯视时与X方向上的光量校正区域MR的整个宽度重叠的矩形的范围内。
第1减光部19d以及第2减光部19e的Y方向的长度只要在滤光器19b的范围内即可，没有特别限定。
在滤光器19b中，除第1减光部19d以及第2减光部19e以外的区域成为遮光部19f。遮光部19f的透射率为0％。
在本实施方式中，第1减光部19d以及第2减光部19e在X方向上具有如图16所示的透射率分布。
图16的横轴上的符号表示图15所记载的E-E线上的同符号的点的位置。点i是E-E线上的滤光器19b的X方向负方向侧的端点。从点j到点k的区间是与光量校正区域ML重叠的区间。从点m到点n的区间是与光量校正区域MR重叠的区间。点p是E-E线上的滤光器19b的X方向正方向侧的端点。
第1减光部19d配置在从点j到点k的区间。第2减光部19e配置在从点m到点n的区间。在从点i到点j、从点k到点m、以及从点n到点p的各区间配置有遮光部19f。
如图16中曲线221所示，第1减光部19d的透射率具有在点j与点k之间的中央部为100％以下的最大值TL、朝向点j以及点k逐渐减少、在点j以及点k成为0％的山型(吊钟型)的透射率分布。第2减光部19e的透射率具有在点m以及点n为0％、朝向点m与点n之间的中央部逐渐增大、在点f成为最大值TL的山型(吊钟型)的透射率分布。
具体而言，曲线221成为与上述第1实施方式中的图8中说明的曲线202和曲线201(曲线201和曲线203)所表示的透射率分布同样的山型的透射率分布。
第1减光部19d、第2减光部19e中的透射率的变化率与上述第1实施方式同样，根据光量校正区域M中的光量校正的需要，例如基于实验、模拟等而被设定。第1减光部19d、第2减光部19e中的透射率的变化率既可以是恒定(直线变化)，也可以基于适当的函数而变化。透射率的变化率可以是单调的，也可以是非单调的。进而，透射率的变化并不限定于平滑的变化。例如，透射率也可以呈阶梯状变化。
根据这样的构成的追加曝光用照明光源42以及追加曝光用投影光学单元19，能够在与上述第1实施方式同样的第1曝光之后，通过与轴线O19平行地配置为1列的多个投影光学系统19A，在各光量校正区域M中，进行具有与上述第1实施方式相同的累计光量分布的第2曝光光L22A的第2曝光。
即，根据具备追加曝光用照明光源42以及追加曝光用投影光学单元19的曝光装置101，能够进行与上述第1实施方式同样的曝光方法。
因此，根据本实施方式的曝光装置101，与上述第1实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
并且，根据本实施方式，追加曝光用投影光学单元19中的透镜单元9a、滤光器19b以及滤光器保持架9c的个数与第1实施方式中的追加曝光用投影光学单元9的透镜单元9a、滤光器9b以及滤光器保持架9c的个数相比大致减半。同样，追加曝光用照明光源42中的光照射范围也与追加曝光用照明光源12相比大致减半。因此，在曝光装置101中，与曝光装置100相比，能够实现部件成本降低以及小型化。
[第3实施方式]
对本发明的第3实施方式的曝光装置进行说明。
图17A是表示本发明的第3实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。图17B是图17A中的F向视的俯视图。
如图17A所示，本实施方式的曝光装置102具备追加曝光用照明光源52(第2光源)和追加曝光用投影光学单元29(校正曝光部)，代替上述第1实施方式的曝光装置100的追加曝光用照明光源12和追加曝光用投影光学单元9。
以下，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明。
追加曝光用照明光源52具备照射与上述第1实施方式同样的第2曝光光L2A的第1光源部52A、以及照射与上述第1实施方式同样的第2曝光光L2B的第2光源部52B。
第1光源部52A配置于主照明光源2的Y方向负方向侧(negative Y direction侧、Y方向一侧、图示左侧)。第2光源部52B配置于主照明光源2的Y方向正方向侧(positive Ydirection侧、Y方向另一侧、图示右侧)。主照明光源2在Y方向上与第1光源部52A和第2光源部52B相邻配置。
如图17A、图17B所示，追加曝光用投影光学单元29具备第1光学单元29A和第2光学单元29B。第1光学单元29A将第2曝光光L2A转换成与上述第1实施方式相同的第2曝光光L12A。第2光学单元29B将与上述第1实施方式同样的第2曝光光L2B转换为第2曝光光L12B。
第1光学单元29A具备与上述第1实施方式同样的多个第1列投影光学系统9A(第2投影光学系统)。第1光学单元29A配置在投影光学单元5的Y方向负方向侧。
第2光学单元29B具备与上述第1实施方式同样的多个第2列投影光学系统9B(第2投影光学系统)。第2光学单元29B配置在投影光学单元5的Y方向正方向侧。
投影光学单元5在Y方向上与第1光学单元29A和第2光学单元29B相邻配置。
第1光学单元29A中的各第1列投影光学系统9A沿着与轴线O3平行的直线排列。各第1列投影光学系统9A与各第1列投影光学系统5A的距离也可以是δ2。第2光学单元29B中的各第2列投影光学系统9B沿着与轴线O3平行的直线排列。各第2列投影光学系统9B与各第2列投影光学系统5B的距离也可以是δ2。
根据这样的构成，第1光源部52A和第2光源部52B具有与上述第1实施方式中的追加曝光用照明光源12在Y方向上被二分割的构成相同的构成。
本实施方式中的主照明光源2在Y方向上被夹在第1光源部52A与第2光源部52B之间而配置。
第1光学单元29A和第2光学单元29B具有与上述第1实施方式中的追加曝光用投影光学单元9在Y方向上被二分割的构成相同的构成。
本实施方式中的投影光学单元5在Y方向上被夹在第1光学单元29A与第2光学单元29B之间而配置。
但是，各第1列投影光学系统9A与各第1列投影光学系统5A在X方向上的位置关系、以及各第2列投影光学系统9B与各第2列投影光学系统5B在X方向上的位置关系与上述第1实施方式相同。
根据这种构成的曝光装置102，光掩模1和被曝光体6在Y方向上移动。通过移动，依次进行基于第2曝光光L12A的第2曝光、基于第1曝光光L11A、L11B的第1曝光、以及基于第2曝光光L12B的第2曝光。除了该曝光的顺序以外，进行与上述第1实施方式同样的曝光方法。
因此，根据本实施方式的曝光装置102，与上述第1实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
并且，根据本实施方式，在Y方向上，第1列投影光学系统5A与第1列投影光学系统9A相邻地配置，第2列投影光学系统5B与第2列投影光学系统9B相邻地配置。因此，各自之间的分离距离δ2能够比上述第1实施方式中的分离距离δ1短。
由此，能够进一步缩短第1曝光与第2曝光之间的时间差，因此即使是更少的曝光量也能够进行良好的校正。
[第4实施方式]
对本发明的第4实施方式的曝光装置进行说明。
图18A是表示本发明的第4实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。图18B是图18A中的G向视的俯视图。
如图18A所示，本实施方式的曝光装置103具备主照明光源32(第1光源)、视场光阑33A、33B(光阑构件)以及投影光学单元35，代替上述第1实施方式的曝光装置100的主照明光源2和投影光学单元5。
以下，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明。
主照明光源32具备照射与上述第1实施方式同样的第1曝光光L1A的第1光源部32A、以及照射与上述第1实施方式同样的第1曝光光L1B的第2光源部32B。
第1光源部32A配置在追加曝光用照明光源12的Y方向负方向侧。第2光源部32B配置在追加曝光用照明光源12的Y方向正方向侧。追加曝光用照明光源12与第1光源部32A和第2光源部32B相邻配置。
视场光阑33A、33B具有与将上述第1实施方式中的视场光阑3在Y方向上进行了分割的构成相同的构成。
视场光阑33A包含上述第1实施方式中的视场光阑3的多个第1开口部3A的排列。视场光阑33A为了使第1曝光光L1A透射而配置在第1光源部32A的下方。
视场光阑33B包含上述第1实施方式中的视场光阑3的多个第2开口部3B的排列。视场光阑33B为了使第1曝光光L1B透射而配置在第2光源部32B的下方。
如图18A、图18B所示，投影光学单元35具备第1光学单元35A和第2光学单元35B。第1光学单元35A将透射了视场光阑33A的第1曝光光L1A的光像投影到被曝光体6。第2光学单元35B将透射了视场光阑33B的第1曝光光L1B的光像投影到被曝光体6。
第1光学单元35A具备与上述第1实施方式同样的多个第1列投影光学系统5A(第1投影光学系统)。第1光学单元35A配置在追加曝光用投影光学单元9的Y方向负方向侧。
第2光学单元35B具备与上述第1实施方式同样的多个第2列投影光学系统5B(第1投影光学系统)。第2光学单元35B配置在追加曝光用投影光学单元9的Y方向正方向侧。
追加曝光用投影光学单元9与第1光学单元35A和第2光学单元35B相邻配置。
第1光学单元35A中的各第1列投影光学系统5A沿着与轴线O9平行的直线排列。各第1列投影光学系统5A与各第1列投影光学系统9A的距离也可以是δ2。第2光学单元35B中的各第2列投影光学系统5B沿着与轴线O9平行的直线排列。各第2列投影光学系统5B与各第2列投影光学系统9B的距离也可以是δ2。
根据这样的构成，第1光源部32A和第2光源部32B具有与上述第1实施方式中的主照明光源2在Y方向上被二分割的构成相同的构成。
本实施方式的追加曝光用照明光源12被夹在第1光源部32A和第2光源部32B之间而配置。
第1光学单元35A及第2光学单元35B具有与上述第1实施方式中的投影光学单元5在Y方向上被二分割的构成相同的构成。
本实施方式的追加曝光用投影光学单元9被夹在第1光学单元35A与第2光学单元35B之间而配置。
但是，各第1列投影光学系统9A与各第1列投影光学系统5A在X方向上的位置关系、以及各第2列投影光学系统9B与各第2列投影光学系统5B在X方向上的位置关系与上述第1实施方式相同。
根据这种构成的曝光装置103，光掩模1和被曝光体6在Y方向上移动。通过移动，依次进行基于第1曝光光L11A的第1曝光、基于第2曝光光L12A、L12B的第2曝光、以及基于第1曝光光L11B的第1曝光。除了该曝光的顺序以外，进行与上述第1实施方式同样的曝光方法。
因此，根据本实施方式的曝光装置103，与上述第1实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
并且，根据本实施方式，在Y方向上，第1列投影光学系统5A与第1列投影光学系统9A相邻地配置，第2列投影光学系统5B与第2列投影光学系统9B相邻地配置。因此，各自之间的分离距离δ2能够比上述第1实施方式中的分离距离δ1短。
因此，能够进一步缩短第1曝光与第2曝光之间的时间差，因此即使是更少的曝光量也能够进行良好的校正。
[第5实施方式]
对本发明的第5实施方式的曝光装置进行说明。
图19、20是表示本发明的第5实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
如图1所示，本实施方式的曝光装置104具备追加曝光用投影光学单元49(校正曝光部)，代替上述第1实施方式的曝光装置100的追加曝光用投影光学单元9。
以下，以与上述第1实施方式的不同点为中心进行说明。
如图6所示，追加曝光用投影光学单元49具备第1列投影光学系统49A、第2列投影光学系统49B，代替上述第1实施方式中的第1列投影光学系统9A、第2列投影光学系统9B。
第1列投影光学系统49A(第2列投影光学系统49B)具备孔径49a(透光量限制构件、开口光阑)，代替第1列投影光学系统9A(第2列投影光学系统9B)的滤光器9b。
孔径49a将透射透镜单元9a的第2曝光光L2A(L2B)转换为仅限于向被曝光体6上的光量校正区域M进行照射的第2曝光光L12A(L12B)。
在本实施方式中，如图19所示，孔径49a是在具有遮光性的金属板形成有作为多个贯通孔的第1开口部49b和第2开口部49c而构成的。
第1开口部49b开口为由沿Y方向延伸的上底边S1及下底边S2、连结上底边S1及下底边S2的腰S3、S4围起的等腰梯形形状。下底边S2比上底边S1长。在第1开口部49b中，上底边S1配置在X方向正方向侧，下底边S2配置在X方向负方向侧。第1开口部49b的X方向上的宽度和配置位置与上述第1实施方式中的第1减光部9d相同。
在此，在图19中，例如，在Y方向上，上底边S1的长度与开口部3A、3B的等腰梯形的高度h相同。但是，上底边S1的Y方向的长度被调整成图13的曲线213所说明的有效的曝光量的允许范围内即可。
通过这样的构成，第1开口部49b在Y方向上的开口宽度从X方向正方向侧朝向X方向负方向侧逐渐增大。因此，第1开口部49b能够限制X方向上的第2曝光光L2A(L2B)的透射光量，因此能够使透射了透镜单元9a的第2曝光光L2A(L2B)的X方向上的光量分布从光量校正区域ML的X方向上的端部朝向中心部增大。
第2开口部49c以将第1开口部49b在X方向上反转的等腰梯形形状开口。第2开口部49c的X方向上的宽度和配置位置与上述第1实施方式中的第2减光部9e相同。
通过这样的构成，第2开口部49c的Y方向上的开口宽度从X方向负方向侧朝向X方向正方向侧逐渐增大。因此，第2开口部49c能够限制X方向上的第2曝光光L2A(L2B)的透射光量，因此能够使透射了透镜单元9a的第2曝光光L2A(L2B)的X方向上的光量分布从光量校正区域MR的X方向上的端部朝向中心部增大。
通过这样的构成，从追加曝光用照明光源12照射第2曝光光L2A(L2B)，透射透镜单元9a。与上述第1实施方式同样，Y方向上的第2曝光光L12A(L12B)的有效的累计光量呈现图12中曲线211所示那样的山型的分布。
根据曝光装置104，透光量限制构件由孔径49a构成。除此以外，具有与上述第1实施方式的曝光装置100相同的构成，所以进行与上述第1实施方式同样的曝光方法。
根据本实施方式的曝光装置104，与上述第1实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
而且，根据本实施方式，与具有第1减光部9d、第2减光部9e的滤光器9b相比，使用能够廉价地制造的孔径49a，因此能够进一步低成本化。
并且，孔径49a通过变更第1开口部49b以及第2开口部49c的开口形状，能够容易地变更累计光量的大小以及X方向上的光量分布。
上述的孔径49a的第1开口部49b、第2开口部49c的形状是一例。孔径49a的开口形状只要是Y方向上的开口宽度沿着X方向变化的形状即可，并不限定于等腰梯形。
例如，在曝光装置104中，也可以取代孔径49a而使用图20所示的孔径49d(透光量限制构件、开口光阑)。
孔径49d中取代孔径49a的第1开口部49b、第2开口部49c而分别具备第1开口部49e、第2开口部49h。
第1开口部49e以由沿Y方向延伸的直线部49g和从直线部49g的两端部向X方向正方向侧伸出的弧状部49f围起的Y方向细长的半月状开口。
通过这样的构成，第1开口部49e的Y方向上的开口宽度从X方向正方向侧朝向X方向负方向侧逐渐增大。
第2开口部49h以将第1开口部49e在X方向上反转的Y方向细长的半月状开口。
通过这样的构成，第2开口部49h的Y方向上的开口宽度从X方向负方向侧朝向X方向正方向侧逐渐增大。
第1、第2开口部49e、49h为具有由包含曲线的形状构成的开口形状的例子。
[第6实施方式]
对本发明的第6实施方式的曝光装置进行说明。
图21、22是表示本发明的第6实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的俯视图。
如图1所示，本实施方式的曝光装置105具备追加曝光用投影光学单元59(校正曝光部)，代替上述第2实施方式的曝光装置101的追加曝光用投影光学单元19。
以下，以与上述第2实施方式的不同点为中心进行说明。
如图14A所示，追加曝光用投影光学单元59具备投影光学系统59A，代替上述第2实施方式中的投影光学系统19A。
如图14B所示，投影光学系统59A具备孔径59a(透光量限制构件、开口光阑)，代替上述第2实施方式中的滤光器19b。
孔径59a将透射透镜单元9a的第2曝光光L2A转换为仅限于向被曝光体6上的光量校正区域M进行照射的第2曝光光L22A。
在本实施方式中，如图21所示，孔径59a是在具有遮光性的金属板形成有作为多个贯通孔的第1开口部59b和第2开口部59c而构成的。
第1开口部59b在X方向上具有与光量校正区域ML相同的宽度，以Y方向细长的六边形状开口。例如，第1开口部59b形成为使上述第5实施方式中的第1开口部49b的下底边S2与第2开口部49c的下底边S2一致而形成的六边形形状。第1开口部59b的X方向上的配置位置与上述第2实施方式中的第1减光部19d相同。
通过这样的构成，第1开口部59b的Y方向上的开口宽度从X方向的两端部向中心部逐渐增大。因此，第1开口部59b能够限制X方向上的第2曝光光L2A的透射光量，因此能够使透射了透镜单元9a的第2曝光光L2A的X方向上的光量分布从光量校正区域ML的X方向上的两端部朝向中心部增大。
第2开口部59c以与第1开口部59b相同形状的六边形状开口。第2开口部49c的X方向上的配置位置与上述第2实施方式中的第2减光部19e相同。
通过这样的构成，第2开口部59c能够限制X方向上的第2曝光光L2A的透射光量，因此能够使透射了透镜单元9a的第2曝光光L2A的X方向上的光量分布从光量校正区域MR的X方向上的两端部朝向中心部增大。
通过这样的构成，从追加曝光用照明光源42照射第2曝光光L2A，透射透镜单元9a。与上述第2实施方式同样，Y方向上的第2曝光光L12A的有效的累计光量呈现图12中曲线211所示那样的山型的分布。
根据曝光装置105，透光量限制构件由孔径59a构成。除此以外，具有与上述第2实施方式的曝光装置101相同的构成，所以进行与上述第2实施方式同样的曝光方法。
根据本实施方式的曝光装置105，与上述第2实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
并且，根据本实施方式，与具有第1减光部19d、第2减光部19e的滤光器19b相比，使用能够廉价地制造的孔59a，因此能够进一步低成本化。
进而，孔径59a通过变更第1开口部59b和第2开口部59c的开口形状，能够容易地变更累计光量的大小以及X方向上的光量分布。
上述孔径59a的第1开口部59b、第2开口部59c的形状是一例。孔59a的开口形状只要是Y方向上的开口宽度沿着X方向变化的形状即可，并不限定于等腰梯形。
例如，在曝光装置105中，也可以使用图22所示的孔径59d(透光量限制构件、开口光阑)，代替孔径59a。
孔径59d中取代孔径59a的第1开口部59b、第2开口部59c而分别具备第1开口部59e、第2开口部59f。
第1开口部59e以Y方向细长的椭圆状开口。通过这样的构成，第1开口部59e的Y方向上的开口宽度从X方向的两端部朝向中心部逐渐增大。
第2开口部59f以与第1开口部59e相同的形状开口。
第1开口部59e、第2开口部59f成为具有由曲线构成的开口形状的例子。
[第7实施方式]
对本发明的第7实施方式的曝光装置进行说明。
图23A、图23B、图23C是表示本发明的第7实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的主要部分的一例的示意性的俯视图。
如图1所示，本实施方式的曝光装置106具备追加曝光用投影光学单元69(校正曝光部)，代替上述第6实施方式的曝光装置105的追加曝光用投影光学单元59。
以下，以与上述第6实施方式的不同点为中心进行说明。
如图14A所示，追加曝光用投影光学单元69具备投影光学系统69A，代替上述第6实施方式中的投影光学系统59A。
如图14B中主要部分的构成所示，投影光学系统69A具备开口可变孔径69a(透光量限制构件、开口光阑)，代替上述第6实施方式中的孔径59a。
开口可变孔径69a中取代上述第6实施方式中的孔径59a的第1开口部59b、第2开口部59c，在与它们分别相同的位置具有开口形状可变的开口部60a(参照图23A)。
如图23A所示，开口可变孔径69a的开口部60a具备在Y方向上相互对置的两个第1快门61和在X方向上相互对置的两个第2快门62。
第1快门61通过在X方向上排列能够在Y方向上独立进退的多个移动片61a而构成。各移动片61a的各前端61b的整体构成Y方向上的开口部60a的内缘。Y方向上的开口部60a的内缘(以下称为第1内缘)的位置及形状根据各移动片61a的进退位置而变化。在图23A所示的例子中，第1内缘的形状成为X方向宽度的中心部最凹陷的V字状。
第2快门62具备板状构件，该板状构件具有沿Y方向延伸的前端62a且能够在X方向上进退。第2快门62的各前端62a构成X方向上的开口部60a的内缘(以下称为第2内缘)。X方向上的开口部60a的第2内缘的位置根据各第2快门62的各前端62a的进退位置而变化。在图23A所示的例子中，各第2内缘之间的分离距离与光量校正区域M的宽度相等。
在图23A所示的例子中，俯视时的开口部60a的形状是与上述第6实施方式大致同样的六边形状。
虽然省略了图示，但在各第1快门61以及各第2快门62上连接有分别驱动自己的驱动部。作为驱动部的构成，例如也可以使用将马达与凸轮组合而成的机构、微距计、微型滚珠丝杠、压电马达等。
通过这样的构成，开口可变孔径69a起到与上述第6实施方式相同的透光量限制构件的功能。
根据曝光装置106，透光量限制构件由开口可变孔径69a构成。除此以外，具有与上述第2实施方式的曝光装置101相同的构成，所以进行与上述第2实施方式同样的曝光方法。
根据本实施方式的曝光装置106，与上述第2实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
并且，根据本实施方式，由于能够变更开口可变孔径69a的开口部60a的形状以及大小，因此即使视场光阑3的第1开口部3A以及第2开口部3B的形状以及Y方向上的配置改变，也能够适当地进行第2曝光。因此，即使在视场光阑3被变更的情况下，也可以不用更换开口可变孔径69a，因此曝光装置106的运转效率提高。
进而，通过对开口部60a的形状进行微调，能够实现第2曝光的曝光量的最优化，因此能够进一步降低曝光不均。
图23A所示的开口可变孔径69a的开口部60a的形状是一例。
开口可变孔径69a的开口形状例如也可以是上述第6实施方式中的孔径59d那样的细长的椭圆状的形状。
在曝光装置106中，开口可变孔径69a也可以置换为图23B所示的开口可变孔径69b(透光量限制构件、开口光阑)。
开口可变孔径69b具有开口部60b，代替开口可变孔径69a的开口部60a。开口可变孔径69b通过将开口可变孔径69a的第1快门61之一置换为第3快门63而构成。
第3快门63具备具有沿X方向延伸的前端63a且能够在Y方向上进退的板状构件。第3快门63的前端63a构成与由第1快门61的前端61b构成的第1内缘对置的、开口部60b的内缘(以下称为第3内缘)。Y方向上的开口部60b的第3内缘的位置根据第3快门的前端63a的进退位置而变化。第3快门63具备与第2快门62同样的省略图示的驱动部。
在图23B所示的例子中，俯视时的开口部60b的形状为大致五边形状。这样的开口部60b的Y方向上的开口宽度从X方向的两端部朝向中心部逐渐增大。
通过这样的构成，开口可变孔径69b作为与上述第6实施方式大致相同的透光量限制构件发挥功能。
在曝光装置106中，开口可变孔径69a也可以置换为图23C所示的开口可变孔径69c(透光量限制构件、开口光阑)。
开口可变孔径69c具有开口部60c，代替开口可变孔径69a的开口部60a。开口可变孔径69c是将开口可变孔径69a的第1快门61之一置换为第4快门64而构成的。
第4快门64具备具有向Y方向凹陷的V字状的前端缺口64a且能够在Y方向上进退的板状构件。前端缺口64a具有相对于图示省略的光量校正区域M的X方向的中心轴线对称的形状。
第4快门64的前端缺口64a构成与由第1快门61的前端61b构成的第1内缘对置的开口部60c的内缘(以下称为第4内缘)。Y方向上的开口部60c的第4内缘的位置根据第4快门的前端缺口64a的进退位置而变化。第4快门64具备与第2快门62同样的省略图示的驱动部。
在图23C所示的例子中，俯视时的开口部60c的形状为大致六边形状。这样的开口部60c的Y方向上的开口宽度从X方向的两端部朝向中心部逐渐增大。但是，根据第1快门61的各移动片61a的移动位置，俯视时的开口部60c的形状变化为大致六边形以外的形状。
通过这样的构成，开口可变孔径69c作为与上述第6实施方式大致相同的透光量限制构件发挥功能。
[第8实施方式]
对本发明的第8实施方式的曝光装置进行说明。
图24A是表示本发明的第8实施方式的曝光装置中使用的透光量限制构件的一例的示意性的局部剖视图。图24B是图24A中的H向视的放大图。
如图1所示，本实施方式的曝光装置107具备追加曝光用投影光学单元79(校正曝光部)，代替上述第6实施方式的曝光装置105的追加曝光用投影光学单元59。
以下，以与上述第6实施方式的不同点为中心进行说明。
如图14A所示，追加曝光用投影光学单元79具备投影光学系统79A，代替上述第6实施方式中的投影光学系统59A。
如图24A、图24B中主要部分的构成所示，投影光学系统79A具备遮蔽板80、液晶快门面板79a(透光量限制构件、液晶快门)，代替上述第6实施方式中的孔径59a。
遮蔽板80由具有遮光性的薄板形成。遮蔽板80将透射透镜单元9a的第2曝光光L2A的透射范围限制在将上述第6实施方式中的孔径59a的第1开口部59b、第2开口部59c的形成位置包含在内的范围。在本实施方式中，具有形成为将上述第6实施方式中的孔径59a的第1开口部59b、第2开口部59c分别包围的矩形状的开口部80a、80b。
遮蔽板80在透镜单元9a的下方以与透镜单元9a对置的方式固定于滤光器保持架9c。
液晶快门面板79a在遮蔽板80的下方与遮蔽板80相邻配置，并固定于滤光器保持架9c。液晶快门面板79a在俯视时至少与遮蔽板80的开口部80a(80b)重叠的范围内具备液晶快门部79d(参照图24B)。
如图24A所示，液晶快门面板79a电连接到对液晶快门部79d的各像素的浓度进行切换的液晶快门控制器79e。例如，在图24B中图示了通过液晶快门控制器79e形成了与上述第6实施方式中的第1开口部59b、第2开口部59c同样的六边形状的透光部79b、和包围透光部79b的遮光部79c的状态。
液晶快门控制器79e通过使液晶快门部79d的各像素独立地接通断开，能够变更透光部79b及光遮蔽部79c的图案。
因此，根据投影光学系统79A，能够将第2曝光光L2A转换为在开口部80a、80b的范围内被整形为俯视时包含六边形的适当形状的第2曝光光L22A，对省略图示的被曝光体6进行曝光。
通过这样的构成，液晶快门面板79a作为与上述第6实施方式同样的透光量限制构件发挥功能。
根据曝光装置107，透光量限制构件由液晶快门面板79a构成。除此以外，具有与上述第2实施方式的曝光装置101相同的构成，所以进行与上述第2实施方式同样的曝光方法。
根据本实施方式的曝光装置107，与上述第2实施方式同样，在使用交错排列的多个投影光学系统(第1投影光学系统)的情况下，减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
进而，根据本实施方式，能够变更液晶快门面板79a的透光部79b的形状和大小。因此，即使视场光阑3的第1开口部3A以及第2开口部3B的形状以及Y方向上的配置改变，也能够适当地进行第2曝光。并且，在视场光阑3被变更的情况下，可以不用更换液晶快门面板79a，因此曝光装置107的运转效率提高。
进而，通过对透光部79b的形状进行微调，能够实现第2曝光的曝光量的最优化，因此能够进一步降低曝光不均。
另外，在上述各实施方式的说明中，说明了在曝光装置中第1光源、第2光源、光阑构件、第1投影光学系统以及校正曝光部(以下称为曝光部)被固定、通过曝光用光掩模及曝光对象物(以下称为被曝光物)移动而进行扫描曝光的情况的例子。但是，扫描曝光只要使曝光部和被曝光物在扫描方向(Y方向、第1方向)上相对移动，进行相对扫描即可。因此，也可以是，在曝光装置中，曝光部在扫描方向上移动，被曝光物被固定。进而，也可以是，在曝光装置中，曝光部及被曝光物分别移动。
在上述各实施方式的说明中，以第1方向与第2方向相互正交的情况为例进行了说明。但是，第1方向和第2方向只要是在平面上相互交叉的方向即可，交叉角并不限定于直角。
在上述各实施方式的说明中，以光掩模1通过第1驱动部10而被移动、被曝光体6通过使基座7移动的第2驱动部11而被移动的情况为例进行了说明。但是，也可以是，光掩模1和基座7通过一个驱动部而在扫描方向上被移动。
在上述各实施方式的说明中，以第2投影光学系统配置在使第1投影光学系统在第1方向上进行了平行移动后的位置的情况为例进行了说明。但是，第2投影光学系统只要能够仅向光量校正区域照射第2曝光光即可，因此第2投影光学系统的光轴也可以配置在使第1投影光学系统的光轴在第1方向上进行了平行移动后的位置以外的位置。例如，也可以是，第2投影光学系统配置于在俯视时在光量校正区域重叠的位置具有光轴的位置。
在上述各实施方式的说明中，以将透光量限制构件配置在第2投影光学系统与曝光对象物之间的情况为例进行了说明。但是，透光量限制构件只要在从第2光源至曝光对象物之间，则可以配置在任意位置。
在上述第7、第8实施方式的说明中，对用于在与上述第6实施方式的第1开口部59b以及第2开口部59c大致相同的位置形成开口部的透光量限制构件的构成进行了说明。但是，上述第7、第8实施方式的透光量限制构件的构成例如也可以用于形成上述第5实施方式中的第1开口部49b及第2开口部49c。
在上述第8实施方式的说明中，以使用了在与开口部80a、80b重合的区域配置有液晶快门部79d的一个液晶快门面板79a的情况为例进行了说明。但是，也可以在与开口部80a、80b重叠的范围内分别各设置一个液晶快门面板。在该情况下，能够使用更小型的液晶快门面板。
在上述第8实施方式的说明中，以使用了屏蔽板80的构成为例进行了说明。但是，根据第2曝光光的光量、液晶快门面板的消光比，也可以省略遮蔽板80。
在上述第8实施方式的说明中，以通过液晶快门面板79a的透光部79b形成与孔径的开口形状对应的光学开口的情况为例进行了说明。
但是，在通过液晶驱动能够控制透射率分布的情况下，也可以形成具有与上述第1及第2实施方式中的滤光器对应的透射率分布的光学开口。作为通过液晶驱动来控制透射率分布的方法，可举出液晶的透射率的多值控制、基于面积灰度法的透射率控制等。
在上述各实施方式的说明中，以投影光学单元5对X方向上的被曝光体6的整个宽度进行曝光的情况为例进行了说明。但是，只要能够通过单个光掩模1对被曝光体6的曝光图案进行曝光，则投影光学单元5也可以是覆盖X方向的一部分的大小。在该情况下，通过使曝光装置100中的Y方向的扫描曝光在X方向上错开地进行多次，被曝光体6的整体被曝光。
[第9实施方式]
对本发明的第9实施方式的曝光装置进行说明。
图25是表示本发明的第9实施方式的曝光装置的一例的示意性的主视图。图26是图25中的J向视的俯视图。图27是表示本发明的第9实施方式的曝光装置的主要部分的构成的示意性的局部剖视图。图28是表示本发明的第9实施方式的曝光装置中使用的透光量减少构件的一例的示意性的俯视图。图29是表示沿着图28中的K-K线的透射率分布的示意性的曲线图。图29的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示透射率。
图25、图26所示的曝光装置100A是利用多个投影光学系统将光掩模1(曝光用光掩模、参照图3)的曝光用图案、等倍扫描曝光于被曝光体6(曝光对象物)的扫描型曝光装置。曝光装置100A具备基座7、第2驱动部11、第1驱动部10、照明光源2(光源、主照明光源)、视场光阑3(光阑构件)、投影光学单元5。基座7、第2驱动部11、第1驱动部10、照明光源2(光源、主照明光源)、视场光阑3(光阑构件)以及投影光学单元5具备与曝光装置100中使用的各部分相同的构成。
以下，以与上述第1实施方式的曝光装置100的不同点为中心进行说明。
如图26所示，投影光学单元5具备沿着轴线O3交错排列的多个第1列投影光学系统5A(投影光学系统)和多个第2列投影光学系统5B(投影光学系统)。在各第1列投影光学系统5A和各第2列投影光学系统5B中分别设置有后述的光衰减滤光器(透光量减少构件)8(参照图27)。
各第2列投影光学系统5B与第1列投影光学系统5A仅配置不同，具备与第1列投影光学系统5A相同的构成。
如图27所示，第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)具备透镜5a和透镜镜筒5b。
透镜5a由将物体像作为正立等倍像成像于像面的成像光学系统构成。
透镜镜筒5b以透镜5a的光轴与上下轴平行的姿势保持透镜5a。
第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)配置在使光掩模1的掩模图案P与涂布有抗蚀剂的被曝光体6的上表面处于相互共轭的位置关系的位置。在本实施方式中，从第1列投影光学系统5A朝向被曝光体6的射出光成为平行光束。
如图27所示，曝光装置100A在投影光学单元5中的各透镜镜筒5b的下端部分别配置有光衰减滤光器8(透光量减少构件)。各光衰减滤光器8通过与透镜镜筒5b的下端部固定的滤光器保持架9c，相对于透镜5a被固定于所决定的位置。
光衰减滤光器8将透射第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)的曝光光L1A(L1B)转换为至少一部分光量被减少了的曝光光L5A(L5B)。
曝光光L5A(L5B)照射到被曝光体6上的后述的光量校正区域M1(参照图28、图30)。在此，被曝光体6上的光量校正区域M1是指俯视时至少与单独开口区域rS重叠的区域。在本实施方式中，作为一例，光量校正区域M1设为仅与单独开口区域rS重叠的区域。即，光量校正区域M1在俯视时与X方向上的单独开口区域rS的宽度在Y方向上延长的带状的区域重叠。
另外，在滤光器保持架9c的中心部形成有供至少透射了减光部8a的曝光光L5A(L5B)透射的贯通孔9g。
滤光器保持架9c相对于镜头镜筒5b以能够从下方装卸的方式被安装。滤光器保持架9c的装卸方式只要能够将光衰减滤光器8的减光部8a配置成俯视时与上述的光量校正区域M1的范围重叠即可，没有特别限定。例如，也可以使用能够相对于镜头镜筒5b在周向上定位的适当的装配、螺钉嵌合等。在本实施方式中，从透镜5a射出的曝光光L5A(L5B)是沿着光轴的平行光束，因此，光轴方向(上下方向)上的光衰减滤光器8的对位也可以不用高精度地进行。
通过滤光器保持架9c，光衰减滤光器8以横向的位置被对位的状态被保持。由此，如上所述，光衰减滤光器8配置成俯视时减光部8a与光量校正区域M1重叠的位置关系。
接着，如图28所示，光衰减滤光器8具备减光部8a(均匀浓度滤光器)和透光部8b。
减光部8a是使从视场光阑3以及透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)以一定的透射率TL1衰减的部位。
减光部8a形成为俯视时外形沿着X方向以及Y方向的矩形状。减光部8a形成于俯视时将光衰减滤光器8所对置的第1开口部3A(第2开口部3B)的单独开口区域rS的X方向的整体覆盖的部位。因此，减光部8a的X方向上的宽度与光衰减滤光器8所对置的第1开口部3A(第2开口部3B)的单独开口区域rS的X方向上的宽度相等。减光部8a的Y方向上的宽度是光衰减滤光器8所对置的第1开口部3A(第2开口部3B)的单独开口区域rS的Y方向上的宽度以上。
透光部8b在光衰减滤光器8中形成于除减光部8a以外的区域。透光部8b的透射率Tmax比减光部8a的透射率TL1大。透光部8b的透射率更优选为90％以上100％以下。
通过这样的构成，光衰减滤光器8在X方向上具有如图29中曲线231所示的透射率分布。
图29的横轴上的符号表示图28所记载的K-K线上的同符号的点的位置。
点a是K-K线的光衰减滤光器8的X方向负方向侧(negative X direction侧、X方向的一侧、图示左侧)的端点。从点b到点d的区间以及从点e到点g的区间是分别与复合开口区域rC重叠的区间。点c、f分别是复合开口区域rC的X方向上的中点。从点d到点e的区间是与单独开口区域rS重叠的区间。点h是K-K线的光衰减滤光器8的X方向正方向侧(positive Xdirection侧、X方向的另一侧、图示右侧)的端点。
减光部8a配置在从点d到点e的区间。透光部8b形成在从点a到点d以及从点e到点h的各区间。
曲线231是在从点d到点e的区间取恒定值TL1、在除此以外的位置取恒定值Tmax(其中，Tmax＞TL1)的折线。
光衰减滤光器8例如也可以通过在玻璃基板的表面在成为减光部8a的部位蒸镀金属薄膜等来制造。
通过这种构成的光衰减滤光器8，从视场光阑3以及透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)被变换为与减光部8a、透光部8b的透射率相应地进行了光衰减的曝光光L5A(L5B)。减光部8a的透射率TL1以能够减少因曝光光L5A(L5B)引起的后述的有效的曝光量的不均的方式从超过0％且小于100％的范围中选择。关于减光部8a的透射率TL1的决定方法，在后述的动作说明中进行说明。
接着，对曝光装置100A的动作进行说明。图30是说明本发明的第9实施方式的曝光装置中的曝光的示意图。图31是对本发明的第9实施方式的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。在图31的曲线图中，横轴表示X方向上的位置，纵轴表示累计光量。
在对曝光装置100A的曝光动作进行说明之前，首先，对图25所示的比较例的曝光装置300的曝光动作和曝光量进行说明。曝光装置300具备投影光学单元305，代替上述第9实施方式的曝光装置100A的投影光学单元5。投影光学单元305通过从投影光学单元5中删除光衰减滤光器8而构成。即，比较例的曝光装置300与从第1实施方式的曝光装置100中删除了追加曝光用照明光源12(第2光源)以及追加曝光用投影光学单元9(校正曝光部)的构成相同。
比较例的曝光方法与图9所示的第1实施方式的第1曝光相同。另外，比较例中的有效的曝光量与图10A、图10B所示的示意图相同。
与图9、图10A以及图10B所示的第1实施方式的第1曝光同样，在比较例的曝光装置300的曝光中，即使在视场光阑3中沿Y方向观察的开口宽度在X方向上恒定，复合曝光区域AC中的有效的曝光量也与单独曝光区域AS相比降低。
在本实施方式中，投影光学单元5具备光衰减滤光器8，从而减少单独曝光区域AS中的曝光量。由此，能够减少由复合曝光区域AC中的有效的曝光量的降低引起的有效的曝光不均。
以下，以与上述比较例的动作不同的点为中心，对本实施方式的曝光方法进行说明。
本实施方式的曝光方法优选通过使用曝光装置100A来进行。
本实施方式的曝光方法包括(1)准备包括视场光阑3的曝光装置100A；(2)进行曝光，在进行曝光时，通过透光量减少构件，在俯视时减少光量校正区域中的曝光量。
在曝光装置100A的曝光动作中，以下的点与曝光装置300的动作不同。从投影光学单元5射出的曝光光L5A、L5B透射光衰减滤光器8。因此，通过曝光光L5A、L5B投影到被曝光体6的光像的光量分布与第1光像13A、第2光像13B的光量分布不同。投影到被曝光体6上的光像的光量下降基于光衰减滤光器8的减光部8a的透射率和透光部8b的透射率。
如图30所示，通过曝光光L5A(L5B)投影到被曝光体6的第1光像I5A(第2光像I5B)由第1光衰减像I8a和第2光衰减像I8b构成。
第1光衰减像I8a形成在第1开口部3A(第2开口部3B)的范围内与减光部8a重叠的区域。在本实施方式的情况下，第1光衰减像I8a是单独开口区域rS的范围的光像。第1光衰减像I8a的光量从第1光像13A(第2光像13B)的光量，与减光部8a的透射率TL1相应地下降。
第2光衰减像I8b形成在第1开口部3A(第2开口部3B)的范围内与透光部8b重叠的区域。在本实施方式的情况下，第2光衰减像I8b是复合开口区域rC的范围的光像。第2光衰减像I8b的光量从第1光像13A(第2光像13B)的光量，与透光部8b的透射率Tmax相应地下降。但是，由于Tmax＞TL1，所以第2光衰减像I8b的光量比第1光衰减像I8a的光量大。
因此，第1光像I5A、第2光像I5B在被曝光体6上进行了扫描的情况下的累计光量在复合开口区域rC不怎么下降，与此相对，在单独开口区域rS更加下降。
为了容易与比较例进行对比，在图31中示出透射率Tmax为100％的情况下的扫描曝光时的累计光量。
图31的横轴上的符号表示图30所记载的L-L线上的同符号的点的位置。L-L线上的点i、j、k、m、n、p、q、r分别对应于光衰减滤光器8的K-K线上的点a、b、c、d、e、f、g、h。因此，从点j到点m的区间以及从点n到点q的区间分别是俯视时与复合开口区域rC重叠的复合曝光区域AC。从点m到点n的区间是俯视时与单独开口区域rS重叠的单独曝光区域AS。在本实施方式中，单独曝光区域AS成为光量校正区域M1。
图31中的曲线232(参照实线)表示本实施方式中的累计光量，曲线233(参照单点划线)表示比较例中的累计光量。但是，在复合曝光区域AC中，曲线233与曲线232重叠。
如曲线232、233所示，本实施方式中的累计光量在复合曝光区域AC中与比较例的累计光量相同。因此，在复合曝光区域AC中，例如在点j与点k之间，累计光量下降ΔQ(＝q0-q6)。
与此相对，与光量校正区域M1重叠的单独曝光区域AS的累计光量与比较例中的同区域的累计光量相比，与减光部8a的透射率TL1相应地降低。另外，与光量校正区域M1重叠的单独曝光区域AS的累计光量为恒定值Q(其中，q6＜Q＜q0)。
这样，在本实施方式中，累计光量的整体变动幅度ΔQ与比较例没有变化。但是，与比较例相比，单独曝光区域AS的累计光量从q0下降至Q。由此，复合曝光区域AC的曝光量相对于单独曝光区域AS的曝光量的变动量小于ΔQ。
特别是，通过适当地设定减光部8a的透射率TL1，设为Q＝(q0+q6)/2。此时，复合曝光区域AC的曝光量相对于单独曝光区域AS的曝光量的变动量为ΔQ/2，因此曝光不均被最小化。因此，减光部8a的透射率TL1更优选设定为使得Q＝(q0+q6)/2。
这样，若复合曝光区域AC的曝光量相对于单独曝光区域AS的曝光量的不均减少，则因曝光区域的接缝引起的曝光不均减少。由此，例如，与掩模图案P对应的线宽的变动等被减少，能够得到更高精度的曝光图案。
如以上说明的那样，根据本实施方式的曝光装置100A，在使用了交错排列的多个投影光学系统的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
[第10实施方式]
对本发明的第10实施方式的曝光装置进行说明。
图32是表示本发明的第10实施方式的曝光装置中使用的透光量减少构件的一例的示意性的俯视图。图33是表示沿着图32中的N-N线的透射率分布的示意性的曲线图。图33的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示透射率。图34是对本发明的第10实施方式的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。图34的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示累计光量。
如图25、图26所示，本实施方式的曝光装置110具备投影光学单元15，代替上述第9实施方式的曝光装置100A的投影光学单元5。
如图27所示，投影光学单元15具备光衰减滤光器18(透光量减少构件)，代替上述第9实施方式中的投影光学单元5的光衰减滤光器8。
以下，以与上述第9实施方式的不同点为中心进行说明。
如图27所示，与上述第9实施方式中的光衰减滤光器8同样，光衰减滤光器18分别配置于投影光学单元15中的第1列投影光学系统5A、第2列投影光学系统5B的各透镜镜筒5b的下端部。各光衰减滤光器18通过与透镜镜筒5b的下端部固定的滤光器保持架9c，相对于透镜5a的位置被固定。
光衰减滤光器18将从第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)透射的曝光光L1A(L1B)转换为至少一部分光量被减少的曝光光L15A(L15B)。
曝光光L15A(L15B)照射到被曝光体6上的后述的光量校正区域M2(参照图32)。在此，被曝光体6上的光量校正区域M2是指俯视时至少与单独开口区域rS重叠的区域。在本实施方式中，作为一例，光量校正区域M2被设为与单独开口区域rS和与单独开口区域rS的两端部相邻的各复合开口区域rC的一部分重叠的区域。
如图32所示，光衰减滤光器18具备减光部18a(均匀浓度滤光器)，代替上述第9实施方式的减光部8a。
减光部18a通过使上述第9实施方式的减光部8a的X方向的两端部向外侧延伸而构成。减光部8a的X方向的两端部分别被延长了复合开口区域rC的X方向的宽度的不足50％。在图32所示的例子中，作为一例，减光部18a比减光部8a向X方向的两侧各扩宽了复合开口区域rC的X方向的宽度的25％。
减光部18a配置成俯视时与第1开口部3A(第2开口部3B)的单独开口区域rS的整体、以及与其相邻的X方向的两侧的复合开口区域rC的一部分区域(在图32中为复合开口区域rC的四分之一的区域)分别重叠。
减光部18a的透射率与上述第9实施方式中的减光部8a相同。
本实施方式中的透光部8b在光衰减滤光器18中形成于除减光部18a以外的区域。
通过这样的构成，光衰减滤光器18在X方向上具有图33中曲线234所示那样的透射率分布。
图33的横轴上的符号表示图32所记载的N-N线上的同符号的点的位置。点a～点h的意思与上述第9实施方式的说明相同。点c’(f’)是线段cd(ef)的中点。
曲线234在点c’与点f’的区间，与上述第9实施方式中的减光部8a同样，取最小值TL1，在除此以外的位置取恒定值Tmax。
光衰减滤光器18与光衰减滤光器8同样地制造。
通过这样的构成的光衰减滤光器18，从视场光阑3以及透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)被变换为与减光部18a以及透光部8b的透射率相应地进行了光衰减的曝光光L15A(L15B)。
根据曝光装置110，与上述第9实施方式的曝光装置100A同样地进行曝光。
在曝光装置110的曝光动作中，从投影光学单元15射出的曝光光L15A、L15B透射光衰减滤光器18。因此，以下方面与曝光装置100A的动作不同。通过曝光光L15A、L15B投影到被曝光体6的第1光像(第2光像)的光像的光量分布与第1光像I8A、第2光像I8B的光量分布不同。
在图34中示出曝光光L15A、L15B在被曝光体6上进行了扫描的情况下的累计光量的曲线图。但是，在图34中，与图31同样，为了容易与上述比较例进行对比，示出了透射率Tmax为100％的情况下的扫描曝光时的累计光量。
图34的横轴上的符号i～r表示被曝光体6上的图32的点a～h的对应点。其中，与点c’、f’对应的位置分别用符号m’、n’表示。点j’、q’表示与配置在与第1列投影光学系统5A相邻的第2列投影光学系统5B中的减光部8a的点f’、c’相当的位置。
因此，从点j到点m的区间以及从点n到点q的区间分别是俯视时与复合开口区域rC重叠的复合曝光区域AC。从点m到点n的区间是俯视时与单独开口区域rS重叠的单独曝光区域AS。
在本实施方式中，光衰减滤光器18的减光部18a的透射光所照射的光量校正区域M2由在X方向上与单独开口区域rS的整体重叠的区域、以及在其X方向两侧与复合开口区域rC的四分之一重叠的区域构成。
图34中的曲线235(参照实线)表示本实施方式中的累计光量，曲线233(参照单点划线)表示比较例中的累计光量。曲线236(参照虚线)表示各光衰减滤光器18作用下的光衰减量。
如曲线236所示，本实施方式中的累计光量在光量校正区域M2的范围内，透射量以一定的比例下降。因此，与由曲线233表示的比较例的累计光量相比，在光量校正区域M2的范围内透射量整体下降。在曲线图上，比较例的累计光量向下方平行移动。例如，从点m到点n的累计光量从q0下降到Q。同样，从点j到点j’、从点m’到点m、从点n到点n’、以及从点q到点q’的各区域的光量下降到从点m到点n的光量Q以下。
因此，如曲线235所示，本实施方式中的累计光量呈现在单独曝光区域AS为Q(其中，q6＜Q＜q0)、在复合曝光区域AC中在q6至Q之间振动的光量分布。
通过本实施方式中的光衰减滤光器18，适当地设定透射率TL1、减光部18a以及透光部8b的透射率的变化率。由此，能够使累计光量的整体变动幅度Q-q6的大小比比较例的累计光量的整体变动幅度ΔQ小。
这样，在本实施方式中，与比较例相比，能够减小累计光量的总变动幅度Q-q6自身。进而，复合曝光区域AC中的曝光量的不均的大小也被减小，因此能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。由此，例如，能够减少与掩模图案P对应的线宽的变动等，得到更高精度的曝光图案。
如以上说明的那样，根据本实施方式的曝光装置110，在使用交错排列的多个投影光学系统的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
[第11实施方式]
对本发明的第11实施方式的曝光装置进行说明。
图35是表示在本发明的第11实施方式的曝光装置中使用的透光量减少构件的一例的示意性的俯视图。图36是表示沿着图35中的Q-Q线的透射率分布的示意性的曲线图。图36的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示透射率。图37是对本发明的第11实施方式的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。图37的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示累计光量。
如图25、图26所示，本实施方式的曝光装置120具备投影光学单元25，代替上述第9实施方式的曝光装置100A的投影光学单元5。
如图27所示，投影光学单元25具备光衰减滤光器28(透光量减少构件)，代替上述第9实施方式中的投影光学单元5的光衰减滤光器8。
以下，以与上述第9实施方式的不同点为中心进行说明。
如图27所示，与上述第9实施方式中的光衰减滤光器8同样，光衰减滤光器28分别配置于投影光学单元25中的第1列投影光学系统5A、第2列投影光学系统5B的各透镜镜筒5b的下端部。各光衰减滤光器28通过与透镜镜筒5b的下端部固定的滤光器保持架9c，相对于透镜5a的位置被固定。
光衰减滤光器28将从第1列投影光学系统5A(第2列投影光学系统5B)透射的曝光光L1A(L1B)转换为至少一部分光量被减少的曝光光L25A(L25B)。
曝光光L25A(L25B)照射到被曝光体6上的与上述第10实施方式相同的光量校正区域M2(参照图35)。
如图35所示，光衰减滤光器28具备第1减光部28a(第1透光量减少部、均匀浓度滤光器)、第2减光部28b(第2透光量减少部、倾斜浓度滤光器)、第3减光部28c(第2透光量减少部、倾斜浓度滤光器)、和与所述第10实施方式的透光部8b同样的透光部18c。
第1减光部28a是使从视场光阑3和透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)在第1开口部3A(第2开口部3B)中的第1光量校正区域m1中以一定的透射率TL3衰减的部位。第1减光部28a除了透射率不同以外，与上述第9实施方式中的减光部8a同样地形成。
第2减光部28b是使从视场光阑3和透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)在第1开口部3A(第2开口部3B)中的第2光量校正区域m2中以透射率Tmax至TL3的范围向X方向正方向逐渐衰减的部位。
第3减光部28c是使从视场光阑3和透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)在第1开口部3A(第2开口部3B)中的第2光量校正区域m2中以透射率Tmax至TL3的范围向X方向负方向逐渐衰减的部位。
第2减光部28b及第3减光部28c中的透射率的变化率根据光量校正区域M2中的光量校正的需要，例如基于实验、模拟等而设定。第2减光部28b以及第3减光部28c中的透射率的变化率既可以恒定(直线变化)，也可以基于适当的函数而变化。透射率的变化率可以是单调的，也可以是非单调的。进而，透射率的变化并不限定于平滑的变化。例如，透射率也可以呈阶梯状变化。
通过这样的构成，光衰减滤光器28在X方向上具有图36中曲线237所示那样的透射率分布。
图36的横轴上的符号表示图35所记载的Q-Q线上的同符号的点的位置。点a～点h的意思与上述第9实施方式的说明相同。
曲线237在点c处取Tmax，从点c朝向点d而透射率逐渐减少，在从点d到点e之间取恒定值TL3。曲线237为，从点e朝向点f而透射率逐渐增大，在点f处取Tmax。曲线237在除此以外的位置取恒定值Tmax。
光衰减滤光器28例如也可以通过在玻璃基板的表面对成为第1减光部28a、第2减光部28b以及第3减光部28c的部位蒸镀金属薄膜等来制造。
通过这样的构成的光衰减滤光器28，从视场光阑3以及透镜5a透射的曝光光L1A(L1B)被变换为与第1减光部28a、第2减光部28b、第3减光部28c以及透光部18c的透射率相应地进行了光衰减的曝光光L25A(L25B)。透射率TL3以能够减少由曝光光L25A(L25B)引起后述的有效的曝光量的不均的方式在超过0％小于100％的范围内被选择。
根据曝光装置120，与上述第9实施方式的曝光装置100A同样地进行曝光。
在曝光装置120的曝光动作中，从投影光学单元25射出的曝光光L25A、L25B透射光衰减滤光器28。因此，以下方面与曝光装置100A的动作不同。通过曝光光L25A、L25B投影到被曝光体6的第1光像(第2光像)光像的光量分布与第1光像I8A、第2光像I8B的光量分布不同。
在图37中示出曝光光L25A、L25B在被曝光体6上进行了扫描的情况下的累计光量的曲线图。但是，在图37中，与图31同样，为了容易与上述比较例进行对比，示出了透射率Tmax为100％的情况下的扫描曝光时的累计光量。
图37的横轴上的符号i～r表示被曝光体6上的图35的点a～h的对应点。
因此，从点j到点m的区间以及从点n到点q的区间分别是俯视时与复合开口区域rC重叠的复合曝光区域AC。从点m到点n的区间是俯视时与单独开口区域rS重叠的单独曝光区域AS。
图37中的曲线238(参照实线)表示本实施方式中的累计光量，曲线233(参照单点划线)表示比较例中的累计光量。曲线239(参照虚线)表示各光衰减滤光器28作用下的光衰减量。
在本实施方式中，单独曝光区域AS和复合曝光区域AC两者成为光量校正区域M2。因此，与曲线233所表示的比较例的累计光量相比，曲线238所示的本实施方式中的累计光量整体下降。
在本实施方式中，以通过第1减光部28a使第1光量校正区域m1的累计光量成为Q4(其中，q6＜Q4＜q0)的方式设定透射率TL3。
因此，第2减光部28b(第3减光部28c)作用下的第2光量校正区域m2的累计光量的最大值Q3满足Q4＜Q3＜q0。第2光量校正区域m2的累计光量的最小值为q6。
其结果，曲线238所示的累计光量的整体变动幅度Q3-q6比比较例的变动幅度ΔQ小(成为Q3-q6＜ΔQ)，因此累计光量的变动幅度自身减少。
进而，通过适当设定透射率TL3，能够将大部分的单独曝光区域AS中的成为累计光量的Q4的值设定为Q3与q6的中间的值。在该情况下，由于能够使累计光量Q4的变动幅度为(Q3-q6)/2(＜ΔQ/2)，因此与上述第9实施方式相比，能够进一步降低因曝光区域的接缝引起的曝光不均。由此，例如，掩模图案P的曝光图案的线宽的变动减少，因此可得到通过本发明制作的液晶显示装置等滤色器的黑矩阵不易被视觉辨认到不均的曝光图案。
在上述第10实施方式中，为了降低累计光量的整体变动幅度，产生比比较例的最低的累计光量更低的光量的部位。与此相对，根据本实施方式的光衰减滤光器28，累计光量的最低值与比较例相同。因此，根据本实施方式，累计光量的相对下降量比上述第10实施方式少。
如以上说明的那样，根据本实施方式的曝光装置120，在使用交错排列的多个投影光学系统的情况下，能够减少因曝光区域的接缝引起的曝光不均。
[变形例]
接着，在本实施方式中，对能够进一步降低曝光不均的具体的变形例进行说明。
图38是表示本发明的第11实施方式的变形例的曝光装置的透光量减少构件的透射率分布的示意性的曲线图。图38的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示透射率。图39是对本发明的第11实施方式的变形例的曝光装置的曝光中的累计光量进行说明的示意性的曲线图。图39的曲线图的横轴表示X方向的位置，纵轴表示累计光量。
本变形例中，仅光衰减滤光器28的透射率的设定与上述第11实施方式不同。
如图38所示，在本变形例中，第1减光部28a的透射率TL3为能够将单独曝光区域AS中的累计光量设定为q6的大小。
在本变形例中，第2减光部28b(第3减光部28c)的透射率被设定为抵消复合曝光区域AC中的比较例的有效的累计光量的下降量。即，设定为从点d朝向点c(从点e朝向点f)，使透射率从TL3逐渐增大到Tmax。
这样的本变形例的光衰减滤光器28中的累计光量的校正效果如图39中的曲线239(参照虚线)那样，用使表示比较例的累计光量的曲线233(参照单点划线)在上下方向反转的曲线来表示。
结果，本变形例的从光衰减滤光器28透射的曝光光的有效的累计光量成为图39中曲线238(参照实线)所示那样的恒定值q6。
这样，根据本变形例，通过使光学衰减滤光器28的透射率分布相对于比较例的有效的累计光量实现最优化，能够减少曝光不均。
另外，在上述各实施方式的说明中，以在曝光装置中光源、光阑构件以及投影光学系统(以下称为曝光部)被固定、通过曝光用光掩模以及曝光对象物(以下称为被曝光物)移动而进行扫描曝光的情况为例进行了说明。
但是，扫描曝光只要使曝光部和被曝光物在扫描方向(Y方向、第1方向)上相对移动，进行相对扫描即可。因此，也可以是，在曝光装置中，曝光部在扫描方向上移动，被曝光物被固定。进而，也可以是，在曝光装置中，曝光部及被曝光物分别移动。
在上述各实施方式的说明中，以第1方向与第2方向相互正交的情况为例进行了说明。但是，第1方向和第2方向只要是在平面上相互交叉的方向即可，交叉角并不限定于直角。
在上述各实施方式的说明中，以光掩模1通过第1驱动部10而被移动、被曝光体6通过使基座7移动的第2驱动部11而被移动的情况为例进行了说明。但是，光掩模1和基座7也可以通过一个驱动部而在扫描方向上被移动。
在上述第1～第8实施方式的说明中，说明了用1片的视场光阑3、4来应对第1投影光学系统的整体的构成，另外在上述第9～第11实施方式的说明中，说明了用1片的视场光阑3、4来应对投影光学系统的整体的构成。但是，视场光阑3、4只要是不使透射开口部的光以外的照明光入射到第1投影光学系统或投影光学系统的构成，视场光阑3、4也可以由2个以上的片数构成。
在上述各实施方式的说明中，以将透光量减少构件配置在投影光学系统与曝光对象物之间的情况为例进行了说明。但是，透光量减少构件只要在光源到曝光对象物之间，则可以配置在任何位置。
在上述第9实施方式的说明中，以投影光学单元5对X方向上的被曝光体6的整个宽度进行曝光的情况为例进行了说明。但是，只要能够通过单个光掩模1对被曝光体6的曝光图案进行曝光，则投影光学单元5也可以是覆盖X方向的一部分的大小。在该情况下，通过使曝光装置100A中的Y方向的扫描曝光在X方向上错开地进行多次，被曝光体6的整体被曝光。
以上，对本发明的优选的各实施方式进行了说明，但本发明并不限定于这些实施方式。在不脱离本发明的主旨的范围内，能够进行构成的附加、省略、置换以及其他变更。
另外，本发明并不限定于上述的说明，仅由所附的权利要求书限定。
符号说明
1 光掩模(曝光用光掩模)
2、32 主照明光源(照明光源、第1光源)
3、4、33A、33B 视场光阑(光阑构件)
3A、4A 第1开口部(开口部)
3B、4B 第2开口部(开口部)
5、15、25、35 投影光学单元
5A 第1列投影光学系统(投影光学系统、第1投影光学系统)
5B 第2列投影光学系统(投影光学系统、第1投影光学系统)
6 被曝光体(曝光对象物)
7 基座
8、18、28 光衰减滤光器(透光量减少构件)
8a、18a 减光部(均匀浓度滤光器)
9、19、29、49、59、69、79 追加曝光用投影光学单元(校正曝光部)
9A、49A 第1列投影光学系统
9B、49B 第2列投影光学系统
9a 透镜单元(第2投影光学系统)
9b、19b 滤光器(透光量限制构件、光衰减滤光器)
9d、19d 第1减光部
9e、19e 第2减光部
12、42、52 追加曝光用照明光源(第2光源)
13A 第1光像
13B 第2光像
19A、59A、69A、79A 投影光学系统
19dA 第1校正用光像
19dB 第4校正用光像
19eA 第3校正用光像
19eB 第2校正用光像
28a 第1减光部(第1透光量减少部、均匀浓度滤光器)
28b 第2减光部(第2透光量减少部、倾斜浓度滤光器)
28c 第3减光部(第2透光量减少部、倾斜浓度滤光器)
49a、49d、59a、59d 孔径(透光量限制构件、开口光阑)
69a、69b、69c 开口可变孔径(透光量限制构件、开口光阑)
79a 液晶快门面板(透光量限制构件、液晶快门)
100、100A、101、102、103、104、105、106、107、110、120 曝光装置
AC 复合曝光区域
AS、AS1、AS2 单独曝光区域
L1A、L1B、L11A、L11B、L5A、L5B、L15A、L15B、L25A、L25B 第1曝光光(曝光光)
L2A、L2B、L12A、L12B、L22A 第2曝光光
I5A、I8A 第1光像
I5B、I8B 第2光像
M、ML、MR、M1、M2 光量校正区域
m1 第1光量校正区域
m2 第2光量校正区域
O3、O4 轴线(第2轴线)
O5 轴线(第1轴线)
O9、O13、O19 轴线
P 掩模图案
rC 复合开口区域
rS 单独开口区域

Claims (13)

1.一种曝光装置，具备：
第1光源，产生第1曝光光；
光阑构件，形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部，配置成所述多个开口部位于所述第1光源与曝光用光掩模之间；
多个第1投影光学系统，与所述光阑构件的所述多个开口部分别对置地配置，将从所述多个开口部分别透射的所述第1曝光光的光像分别投影到曝光对象物；
第2光源，相对于所述第1光源在沿着所述第1轴线的第1方向上相邻地配置，产生向所述曝光用光掩模照射的第2曝光光；以及
校正曝光部，配置在从所述曝光用光掩模到所述曝光对象物之间的所述第2曝光光的光路上；
所述多个开口部的所述第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，
在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，
所述校正曝光部将从所述曝光用光掩模透射的所述第2曝光光向所述曝光对象物的照射范围仅限定于光量校正区域照射所述第2曝光光，该光量校正区域是俯视时所述第2方向上的所述复合开口区域的宽度沿所述第1方向延长的区域。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其中，
所述校正曝光部以使所述光量校正区域中的所述第2曝光光的所述第1方向上的累计光量成为相比于所述第2方向上的所述光量校正区域的两端部而中心部更高的方式照射所述第2曝光光。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其中，
所述校正曝光部具备：
第2投影光学系统，将所述第2曝光光朝向所述曝光对象物投影；以及
透光量限制构件，在所述曝光用光掩模与所述曝光对象物之间，将所述第2曝光光限制在所述光量校正区域的范围内。
4.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，
所述透光量限制构件配置在所述第2投影光学系统与所述曝光对象物之间。
5.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，
所述透光量限制构件包括光衰减滤光器。
6.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，
所述透光量限制构件包括开口光阑。
7.根据权利要求3所述的曝光装置，其中，
所述透光量限制构件包括液晶快门。
8.一种曝光方法，包括：
准备光阑构件的步骤，该光阑构件形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部；
进行第1曝光的步骤，该第1曝光为，将从所述光阑构件的所述多个开口部透射的第1曝光光相对于曝光用光掩模及曝光对象物在沿着所述第1轴线的第1方向上进行相对扫描，由此，将由所述第1曝光光形成的所述曝光用光掩模的光像投影到所述曝光对象物；以及
在所述第1曝光之前或之后进行第2曝光的步骤，该第2曝光为，将第2曝光光照射于所述曝光用光掩模，使从所述曝光用光掩模透射的所述第2曝光光相对于所述曝光用光掩模及所述曝光对象物在所述第1方向上进行相对扫描，由此，将由所述第2曝光光形成的所述曝光用光掩模的光像投影到所述曝光对象物，
所述多个开口部的所述第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，
在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，
在进行所述第2曝光时，限定于光量校正区域将所述第2曝光光向所述曝光对象物照射，该光量校正区域是俯视时所述第2方向上的所述复合开口区域的宽度沿所述第1方向延长的区域。
9.一种曝光装置，具备：
光源，产生曝光光；
光阑构件，形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部，配置成所述多个开口部位于所述光源与曝光用光掩模之间；
多个投影光学系统，与所述光阑构件的所述多个开口部分别对置地配置，将从所述多个开口部分别透射的所述曝光光的光像分别投影到曝光对象物；以及
透光量减少构件，配置在从所述光源到所述曝光对象物之间的所述曝光光的光路上，
所述多个开口部的沿着所述第1轴线的第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，
在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，
透光量减少构件减少照射到俯视时至少与所述单独开口区域分别重叠的所述曝光对象物上的光量校正区域中的所述曝光光的光量。
10.根据权利要求9所述的曝光装置，其中，
所述透光量减少构件具备：
第1透光量减少部，减少照射到俯视时至少与所述单独开口区域重叠的所述曝光对象物上的第1光量校正区域中的所述曝光光的光量；以及
第2透光量减少部，在所述第2方向上与所述第1透光量减少部相邻地设置，减少照射到俯视时与所述复合开口区域重叠的所述曝光对象物上的第2光量校正区域中的所述曝光光的光量。
11.根据权利要求10所述的曝光装置，其中，
所述第1透光量减少部包括使所述曝光光的透射率均匀地下降的均匀浓度滤光器，
所述第2透光量减少部包括随着在所述第2方向上远离与所述第1透光量减少部相邻的部位而所述曝光光的透射率增大的倾斜浓度滤光器。
12.根据权利要求9～11中任一项所述的曝光装置，其中，
所述透光量减少构件配置在所述投影光学系统与所述曝光对象物之间。
13.一种曝光方法，包括：
准备光阑构件的步骤，该光阑构件形成有俯视时以第1轴线为中心交错排列的多个开口部；以及
进行曝光的步骤，该曝光为，将从所述光阑构件的所述多个开口部透射的曝光光相对于曝光用光掩模及曝光对象物在沿着所述第1轴线的第1方向上进行相对扫描，由此，将由所述曝光光形成的所述曝光用光掩模的光像投影到所述曝光对象物，
所述多个开口部的所述第1方向的开口宽度在俯视时在沿着与所述第1轴线交叉的第2轴线的第2方向上恒定，
在所述光阑构件中，在所述第2方向上交替地形成有：在所述第1方向上所述多个开口部中的两个开口部隔开间隔而相邻的复合开口区域；以及在所述第1方向上所述多个开口部中的一个开口部开口的单独开口区域，
在进行所述曝光时，利用配置在从产生所述曝光光的光源到所述曝光对象物之间的所述曝光光的光路上的透光量减少构件，减少照射到俯视时至少与所述单独开口区域分别重叠的所述曝光对象物上的光量校正区域中的所述曝光光的光量。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7446069B2 (ja) * 2019-09-03 2024-03-08 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000298353A (ja) * 1999-02-12 2000-10-24 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2000331909A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Nikon Corp 走査型露光装置
CN102959470A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 株式会社V技术 曝光装置
CN103728841A (zh) * 2007-04-02 2014-04-16 株式会社尼康 聚光图案形成组件、曝光方法以及元件制造方法
WO2016194378A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 株式会社アドテックエンジニアリング 光源装置、露光装置及び光源制御方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1062809A (ja) 1996-08-13 1998-03-06 Nikon Corp 投影露光方法
US6235438B1 (en) * 1997-10-07 2001-05-22 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JPH11160887A (ja) 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 露光装置
AU4167199A (en) * 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2001215718A (ja) * 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2001297975A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2002258489A (ja) * 2000-04-20 2002-09-11 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP5294488B2 (ja) * 2009-12-03 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
JP2016001258A (ja) * 2014-06-12 2016-01-07 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000298353A (ja) * 1999-02-12 2000-10-24 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2000331909A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Nikon Corp 走査型露光装置
CN103728841A (zh) * 2007-04-02 2014-04-16 株式会社尼康 聚光图案形成组件、曝光方法以及元件制造方法
CN102959470A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 株式会社V技术 曝光装置
WO2016194378A1 (ja) * 2015-06-02 2016-12-08 株式会社アドテックエンジニアリング 光源装置、露光装置及び光源制御方法

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