KR20150010647A - 열박리형 점착 테이프 및 전자 부품의 절단 방법 - Google Patents
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Abstract
전자 부품 절단 가공 시에 충분한 유지성을 갖고, 가열 박리 공정 후의 전자 부품에 전극 오염이 없는 것을 특징으로 하는 전자 부품 절단용 열박리형 점착 테이프 및 해당 열박리형 점착 테이프를 사용한 전자 부품의 절단 가공 방법을 제공한다.
열팽창성 점착제층을 갖는 열박리형 점착 테이프이며, 상기 열팽창성 점착제층의 프로브 태크값(침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec.)이 60N/5mmφ 이상인 열박리형 점착 테이프.
열팽창성 점착제층을 갖는 열박리형 점착 테이프이며, 상기 열팽창성 점착제층의 프로브 태크값(침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec.)이 60N/5mmφ 이상인 열박리형 점착 테이프.
Description
본 발명은 열박리형 점착 테이프 및 그것을 사용한 전자 부품의 절단 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 전자 부품에 대하여 부품 자체의 소형화나 정밀화가 요구되고 있고, 세라믹 콘덴서를 비롯해, 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화에 탑재되는 모듈 부품이나 센서에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 전자 부품의 전극 부분의 요철 형상, 깊이, 재질 등은, 다종 다양하다.
이들 전자 부품을 소편화하는 공정에서는, 열박리형 점착 테이프를 이용하는 방법이 널리 보급되어 있다. 열박리형 점착 테이프를 이용함으로써, 절단 공정 시는 전자 부품을 확실히 고정할 수 있고, 절단 공정 후는 가열에 의해 점착력이 저하하기 때문에, 절단 완료 전자 부품을 간단하게 열박리형 점착 테이프로부터 박리시킬 수 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 내지 특허문헌 6 참조).
앞서 기재한 것 같이, 지금까지 전자 부품의 절단 용도에 열박리형 점착 테이프를 이용하는 것은 공지이며, 일반적으로 실용되고 있다. 그러나, 최근 들어, 특히 모듈 부품이나 센서와 같이, 도금이나 증착, 스퍼터 등에 의해 형성된 금속의 전극을 갖는 전자 부품의 절단 가공, 특히 다이싱 절단 가공에 있어서 종래의 열박리형 점착 테이프를 사용한 경우, 전극면과 점착제면이 접한 부분에 있어서, 열박리형 점착 테이프를 가열 박리한 후의 전극면이 점착제 성분으로 오염되어버리는, 소위 「전극 오염」이 발생하고, 그것에 의한 수율 저하가 문제가 되고 있었다. 그러나, 이 과제에 대한 대처법은 명확히 되어 있지 않았다.
「전극 오염」은, 열박리형 점착 테이프의 점착력을 컨트롤하기 위하여 첨가되는 점착 부여 수지에 기인하는 것으로 여겨지고 있다. 그러나, 전극 오염을 방지하기 위하여 점착 부여 수지의 첨가량을 감소시키면, 필연적으로 점착력도 저하하기 때문에, 전자 부품의 유지성이 극단적으로 저하되고, 소위 「칩 비산」에 의한 수율의 저하가 문제가 된다. 그로 인해, 절단 가공 시의 칩 비산 억제와, 가공 후의 전극 저오염성과의 양립이 과제가 되고 있다.
상기 「전극 오염」에 대해서는, 전술한 바와 같이, 점착 부여 수지의 존재가 크게 영향을 미치고 있다고 생각된다. 또한, 전극면에 직접 점착 부여 수지가 접촉함으로써, 프린트 오염을 발생시키고, 결과로서 전극면의 오염, 후속 공정에서의 실장 문제로 발전하여, 수율이 저하되게 한다.
점착 부여 수지는 점착제 중에 첨가함으로써, 점착제의 점착력을 컨트롤할 목적으로 일반적으로 사용된다. 「전극 오염」을 방지하기 위하여 점착 부여 수지를 첨가하지 않는 방법을 생각할 수 있지만, 점착 부여 수지를 첨가하지 않는 배합계에서는 점착력이 현저하게 낮고, 전자 부품 절단 가공(예를 들어, 다이싱 공정)에 있어서 전자 부품의 유지성이 부족하기 때문에 전자 부품을 유지할 수 없고, 칩 비산이 발생하여 수율의 저하 뿐만 아니라, 장치의 정지나 파손으로 연결될 가능성이 있다.
또한, 점착 부여 수지의 첨가량을 삭감하는 방법도 생각할 수 있지만, 소량 첨가하는 것만으로 극적으로 점착력을 향상시킬 수 있는 점착 부여 수지의 종류에 한계가 있는 점, 첨가량의 상한이 제한되어 점착력의 컨트롤이 곤란해지는 점 등의 이유로 점착제 설계의 자유도를 빼앗기고, 결과로서 프로세스에 매치한 열박리형 점착 테이프의 제공이 불가능하게 되기 때문에, 바람직하다고는 말할 수 없다. 그 밖에도, 점착 부여 수지를 저감시킨 배합계에 있어서, 다른 수단으로 점착력을 향상시키는 방법, 예를 들어 가교제량을 저감시키고, 점착제 두께를 두껍게 하는 등을 생각할 수 있는 방법이다.
그러나, 가교제량을 저감시키면, 점착제의 겔 분율이 저하되고, 가열시켜서 박리시킬 때, 열박리형 점착 테이프 위에 피착체가 잔존하거나 점착제 잔류가 발생하는, 소위 「박리 불량」이 발생해버릴 가능성이 있다. 또한, 점착제층을 두껍게 하는 것도 설비상의 제한이 있고, 생산성을 고려하면 바람직하지 않다. 즉, 상기 방법에서는 「전극 오염」과 「칩 비산」의 과제를 양립시키는 것은 곤란하였다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 전자 부품 절단 가공 시에 충분한 유지성을 갖고, 가열 박리 공정 후의 전자 부품에 전극 오염을 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 부품 절단용 열박리형 점착 테이프 및 해당 열박리형 점착 테이프를 사용한 전자 부품의 절단 가공 방법을 제공하는 데 있다.
즉, 본 발명은 이하의 1 내지 15를 제공한다.
1. 열팽창성 점착제층을 갖는 열박리형 점착 테이프이며, 상기 열팽창성 점착제층의 프로브 태크값(침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec.)이 60N/5mmφ 이상인 열박리형 점착 테이프.
2. 상기 열팽창성 점착제층의 겔 분율이 50％ 이상인, 상기 1에 기재된 열박리형 점착 테이프.
3. 상기 열팽창성 점착제층이 점착 부여 수지를 함유하는, 상기 1 또는 2에 기재된 열박리형 점착 테이프.
4. 상기 점착 부여 수지의 수산기가가 40KOHmg/g 이상인, 상기 3에 기재된 열박리형 점착 테이프.
5. 23℃에서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께: 25㎛)에 접착시킨 후 23℃의 분위기 하에서 30분간 방치했을 때의 23℃에서의 상기 열팽창성 점착제층의 점착력(박리 각도: 180°, 인장 속도: 300mm/min)이 0.2N/20mm폭 내지 20N/20mm폭인, 상기 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
6. 상기 열팽창성 점착제층이 열팽창성 미소구를 함유하는, 상기 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
7. 상기 열팽창성 점착제층을 구성하는 점착제가 아크릴계 점착제인, 상기 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
8. 상기 열팽창성 점착제층이 가교제를 함유하는, 상기 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
9. 상기 열팽창성 점착제층의 두께가 5 내지 300㎛인, 상기 1 내지 8 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
10. 기재의 적어도 한쪽에 직접 상기 열박리형 점착제층이 형성되어 이루어지는, 상기 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
11. 기재의 적어도 한쪽에 고무상 유기 탄성층을 개재하여 상기 열박리형 점착제층이 형성되어 이루어지는, 상기 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
12. 상기 고무상 유기 탄성층의 두께가 3 내지 200㎛인, 상기 11에 기재된 열박리형 점착 테이프.
13. 전자 부품의 절단 시에 사용되는, 상기 1 내지 12 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프.
14. 세라믹 콘덴서용 부재 절단에 사용되는, 상기 12에 기재된 열박리형 점착 테이프.
15. 1 내지 13 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프에 전자 부품을 접합하는 공정, 및 상기 전자 부품에 절단 가공 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 전자 부품의 절단 가공 방법.
전자 부품 등을 다이싱 절단 가공할 때에 칩 비산을 발생하는 일이 없고, 또한, 가열에 의해 전극 오염을 발생하지 않고 절단 가공된 칩을 용이하게 가열 박리시킬 수 있다.
도 1은, 본 발명의 열박리형 점착 테이프의 모식도이다.
본 발명에 있어서, 「전극 오염」과 「칩 비산」의 2개의 과제의 양립이 중요해진다. 또한, 열박리형 점착 테이프의 필요 기능인 「가열 박리성」도 손상시킬 수는 없다.
이러한 2개의 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 본 발명자들은, 열박리형 점착 테이프에 있어서의 프로브 태크의 값을 특정한 값으로 함으로써, 「칩 비산」을 일으키는 일이 없고 전자 부품의 절단 가공을 실시할 수 있고, 또한 가열 박리 공정 후의 「전극 오염」이 없고 소편화한 전자 부품을 회수할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명은 또한, 열팽창성 점착제층의 겔 분율을 특정한 범위로 하는 것, 열팽창성 점착제층에 점착 부여 수지를 함유시키는 것, 또는 해당 점착 부여 수지의 수산기가를 특정한 범위로 함으로써 열박리형 점착 테이프의 점착력을 특정한 값으로 하는 것, 나아가, 열팽창성 점착제층을 구성하는 점착제로서 아크릴계 점착제를 사용하는 것, 열팽창성 점착제층에 열팽창성 미소구 또는 가교제를 함유시키는 것, 또는 열팽창성 점착제층의 두께를 특정한 범위로 함으로써, 보다 확실하게 전자 부품을 절단할 수 있는 것이다.
여기에서 말하는 「전극」이란, 예를 들어 유리 에폭시기판이나 베이크라이트 기판과 같은 프린트 기판에 증착, 인쇄, 도금 및 스퍼터로 대표되는 여러가지 처리로 형성한 Au, Ag, Cu, Al, Ni, Pt, Pb, Pd, Cu, Fe 등의 금속을 가리키고, 금속종에 대해서는 단체 및 합금에 한정되지 않는다. 또한, 예를 들어 실리콘 웨이퍼나 사파이어 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼 단체나 회로 인쇄 후의 웨이퍼, 밀봉 후의 PKG에 대해서도 이것에 해당한다. 단, 상기는 일례에 지나지 않고, 이것에 한정되지 않는다.
프로브 태크값에 대해서는, 점착 부여 수지가 점착제 표면에 편재되어 있을 경우에는 프로브 태크값은 저하된다. 통상 점착 부여 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 25℃ 이상이고, 이것으로부터, 점착 부여 수지가 점착제 표면에 편재함으로써, 점착제 표면의 외관 탄성률이 높아지기 때문이다. 즉, 점착제의 프로브 태크값을 측정함으로써, 점착 부여 수지의 편재를 확인하는 것이 가능하다.
「전극 오염」이 발생하는 경우의 테이프 단면을 관찰한 결과, 테이프 표면층에 점착 부여 수지 성분이 편재되어 있는 것이 확인되었다. 이 표면층에의 점착 부여 수지 성분의 편재는, 점착 부여 수지의 점착제 표면에의 블리드에 의존한다.
이로 인해, 본 발명에 있어서는, 점착 부여 수지의 블리드를 더 억제함으로써, 점착제 표면에의 점착 부여 수지의 편재를 방지하고, 전극면에의 접촉 비율을 저감시킬 수 있고, 이에 의해, 「전극 오염」을 저감시킬 수 있는 것이다.
점착 부여 수지의 점착제 표면에의 블리드 즉, 점착제에의 상분리를 방지하기 위해서는, 점착제에의 상용성이 좋은 점착 부여 수지를 선정하여 채용하는 것을 생각할 수 있다. 이에 의해, 점착 부여 수지의 점착제 표면에의 편재를 방지하고, 전극에의 점착 부여 수지의 접촉을 억제함으로써 「전극 오염」을 방지할 수 있다고 생각된다.
이로 인해, 본 발명의 열박리형 점착 테이프는 열팽창성 점착제층의 프로브 태크값(침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec.)이 60N/5mmφ 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
도 1에 본 발명에 사용하는 가열 박리형 점착 테이프의 일례를 나타낸다.
이 예에 있어서, 1이 지지 기재, 2가 고무상 유기 탄성층, 3이 열팽창성 점착제층, 4가 평활한 박리 가능한 필름(세퍼레이터)이다. 여기서, 본 발명에서는 3이 필수적이고, 1, 2, 4는 임의 선택하여 설치되기 때문에, 있어도 없어도 된다. 또한, 1, 2, 4가 설치될 경우에는, 3의 적어도 편면이 접착면으로서 이용 가능하도록 설치되는 한, 어떤 순서로 설치되어도 된다. 이하에 본 발명의 열박리형 점착 테이프에 대하여 설명한다.
(기재)
기재는, 열박리형 양면 점착 테이프 또는 시트의 지지 모체로서 사용되고 있다. 기재로서는, 예를 들어 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재, 부직포, 금속박, 종이, 천, 고무 시트 등의 고무계 기재, 발포 시트 등의 발포체나, 이 적층체(특히, 플라스틱계 기재와 다른 기재와의 적층체나, 플라스틱 필름(또는 시트)끼리의 적층체 등) 등의 적절한 박엽체를 사용할 수 있다.
(플라스틱계 기재)
기재로서는, 특히 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재를 적절하게 사용할 수 있다. 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 등의 α-올레핀을 단량체 성분으로 하는 올레핀계 수지, 폴리아미드(나일론), 전체 방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 아미드계 수지, 폴리이미드(PI) 필름, 폴리염화비닐(PVC) 필름, 폴리페닐렌술피드(PPS) 필름, 불소 필름, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 필름 등을 들 수 있다. 이 소재는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름으로서는, 도레이(주) 「루미러」, 테이진 듀퐁 필름(주) 「테이진테트론필름」 「메리넥스」, 미쯔비시 주시(주) 「다이어포일」 등, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름으로서는, 테이진 듀퐁 필름(주) 「테오넥스」 등, 폴리이미드(PI) 필름으로서는, 도레이 듀퐁(주) 「캡톤」, (주)가네카 「아피칼」, 우베 고산(주) 「유피렉스」 등, 폴리프로필렌(PP) 필름으로서는, 도레이(주) 「트레이닝팬」, 산·독스(주) 「산독스」, 도요 보세끼(주) 「파이렌 필름」 등, 폴리염화비닐(PVC) 필름으로서는, 미쯔비시 주시(주) 「알토론」, 아킬레스(주) 「아킬레스 타입C+」 등, 폴리에틸렌(PE) 필름으로서는 오쿠라고교(주) 「NSO」 등, 폴리페닐렌술피드(PPS) 필름으로서는, 도레이(주) 「트레리나」 등, 불소 필름으로서는, 도레이(주) 「도요프론」, 듀퐁(주) 「테트라필름」 등을 들 수 있다. 또한, 기재로서, 플라스틱계 기재가 사용되고 있는 경우에는, 연신 처리 등에 의해 신장률 등의 변형성을 제어하고 있어도 된다.
(부직포)
부직포로서는, 내열성을 갖는 천연 섬유에 의한 부직포를 적절하게 사용할 수 있고, 그 중에서 마닐라 마를 포함하는 부직포가 적합하다. 또한 합성 수지 부직포로서는, 예를 들어 폴리프로필렌 수지 부직포, 폴리에틸렌 수지 부직포, 에스테르계 수지 부직포 등을 들 수 있다.
(금속박)
금속박으로서는, 특별히 한정되지 않고 구리박, 스테인리스박, 알루미늄박 등의 일반적인 금속박 외에, 상기 두께를 갖는 은, 철, 니켈과 크롬과의 합금 등, 각종 재질를 포함하는 것을 사용할 수 있다.
(종이)
종이로서는, 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로, 일본 종이, 크라프트지, 글라신지, 상질지, 합성지, 톱 코팅지 등을 사용할 수 있다.
기재의 두께는, 강도나 유연성, 사용 목적 등에 따라 적절하게 선택할 수 있고, 예를 들어 일반적으로는 1000㎛ 이하(예를 들어, 1 내지 1000㎛), 바람직하게는 1 내지 500㎛, 더욱 바람직하게는 3 내지 300㎛, 특히 바람직하게는 5 내지 250㎛ 정도인데, 이들에 한정되지 않는다. 또한, 기재는 단층 또는 적층체를 포함하어도 된다.
기재의 표면은, 열팽창성 점착제층(3) 등과의 밀착성을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어 코로나 처리, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 실시되어도 되고, 하도제에 의한 코팅 처리 등이 실시되어도 된다.
(열팽창성 점착제층)
열팽창성 점착제층(3)은, 점착성을 부여하기 위한 점착제를 포함하고 있고, 또한 열팽창성을 부여하기 위한 열팽창성 미소구를 포함하고 있어도 된다. 열팽창성 점착제층(3)이 열팽창성 미소구를 포함하고 있을 경우, 점착 테이프를 피착체에 접착한 후, 임의의 경우에 열팽창성 점착제층(3)을 가열하고, 열팽창성 미소구를 발포 및/또는 팽창 처리함으로써, 열팽창성 점착제층(3)과 피착체와의 접착 면적을 감소시켜서, 점착 테이프를 용이하게 박리할 수 있다.
그 열팽창성 점착제층(3)의 두께는, 일반적으로는 3 내지 300㎛, 바람직하게는 5 내지 150㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 100㎛ 정도이다.
또한, 가열 처리 전의 적당한 접착력과 가열 처리 후의 접착력의 저하성의 밸런스의 관점에서, 보다 바람직한 점착제는, 동적 탄성률이 25 내지 150℃에서 5kPa 내지 1MPa의 범위에 있는 중합체를 베이스로 한 감압 점착제이다.
또한 본 발명에서는, 열팽창성 점착제층은, 다음의 구성 또는 특성을 갖고 있는 것이 중요하다. 그리고, 열팽창성 점착제층의 겔 분율을 조정함으로써, 열팽창성 점착제층의 점착성과 가열 박리성을 컨트롤할 수 있다.
열팽창성 점착제층의 겔 분율은, 50중량％ 이상이며, 바람직하게는 60중량％ 이상(더욱 바람직하게는 65중량％ 이상)이다. 열팽창성 점착제층의 겔 분율이 50중량％ 이상이면 피착체로부터 박리시킬 때, 열박리형 점착 테이프 위에 피착체가 잔존하지 않고, 가열만에 의한 박리(자연 박리)를 유효하게 행할 수 있다.
구체적으로는, 열팽창성 점착제층의 겔 분율이 50중량％ 이상이면 열팽창성 점착제층에 가열 처리를 실시한 후, 열박리형 점착 테이프를, 공중에서 상하가 반대로 되도록 뒤집는(열팽창성 점착제층상의 절단 가공된 칩이 하측 방향을 향하도록 하는)것만으로, 절단 가공된 칩을 박리시킬 수 있다. 게다가, 피착체(또는 절단 가공된 칩)의 표면에의 점착제 잔류도 억제 또는 방지할 수 있다.
열팽창성 점착제층(3)을 구성하는 점착제로서는, 가열 시에 열팽창성 미소구의 발포 및/또는 팽창을 가급적 구속하지 않는 것이 바람직하다. 그러한 점착제로서, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제, 이 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 배합한 크리프 특성 개량형 점착제, 방사선 경화형 점착제 등의 공지된 점착제 중에서 적절히 선택하고, 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 소56-61468호 공보, 일본 특허 공개 소63-17981호 공보 등 참조).
또한 점착제로서는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제를 적절하게 사용할 수 있고, 특히 아크릴계 점착제가 적합하다. 아크릴계 점착제로서는, (메트)아크릴산알킬에스테르에 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.
상기 아크릴계 점착제에 있어서의 (메트)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산프로필, (메트)아크릴산이소프로필, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산이소부틸, (메트)아크릴산s-부틸, (메트)아크릴산t-부틸, (메트)아크릴산펜틸, (메트)아크릴산헥실, (메트)아크릴산헵틸, (메트)아크릴산옥틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산이소옥틸, (메트)아크릴산노닐, (메트)아크릴산이소노닐, (메트)아크릴산데실, (메트)아크릴산이소데실, (메트)아크릴산운데실, (메트)아크릴산도데실, (메트)아크릴산트리데실, (메트)아크릴산테트라데실, (메트)아크릴산펜타데실, (메트)아크릴산헥사데실, (메트)아크릴산헵타데실, (메트)아크릴산옥타데실, (메트)아크릴산노나데실, (메트)아크릴산에이코실 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄상의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴산알킬에스테르 등을 들 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서 「(메트)아크릴」이란, 「아크릴」 및/또는 「메타크릴」을 의미한다. 상기한 중에서도, 알킬기의 탄소수가 4 내지 18인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 보다 바람직하다. 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르의 함유량은, 아크릴계 점착제를 구성하는 단량체 성분 전량(100중량％)에 대하여 50 내지 100 중량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 70 내지 100중량％이다.
또한, 상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하고, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다.
이러한 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산히드록시에틸, (메트)아크릴산히드록시프로필, (메트)아크릴산히드록시부틸, (메트)아크릴산히드록시헥실, (메트)아크릴산히드록시옥틸, (메트)아크릴산히드록시데실, (메트)아크릴산히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환)아미드계 단량체; (메트)아크릴산아미노에틸, (메트)아크릴산N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산아미노알킬계 단량체; (메트)아크릴산메톡시에틸, (메트)아크릴산에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산알콕시알킬계 단량체; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필 말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 단량체; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 단량체; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 단량체; 아세트산비닐, 프로피온산비닐, N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산아미드류, 스티렌, α-메틸스티렌, N-비닐카프로락탐 등의 비닐계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 단량체; (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴 수지계 단량체; (메트)아크릴산폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 단량체; (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 불소(메트)아크릴레이트, 실리콘(메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산에스테르계 단량체; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등의 다관능 단량체; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체 등을 들 수 있다. 이 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 상기 단량체 성분 중에서도, 응집력이나 가교성을 향상시키는 관점에서 히드록실기 함유 단량체 또는 카르복실기 함유 단량체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 (메트)아크릴산히드록시에틸 또는 아크릴산이다. 상기의 히드록실기 함유 단량체의 함유량은, 아크릴계 중합체를 구성하는 단량체 성분 전량(100중량％)에 대하여 10중량％ 미만이 바람직하고, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하이고, 특히 바람직하게는 5중량부 이하이다. 카르복실기 함유 단량체의 함유량은, 아크릴계 점착제를 구성하는 단량체 성분 전량(100중량％)에 대하여 20중량％ 미만이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5중량％ 이하이다.
또한, 고무계 점착제로서는, 천연 고무나 각종 합성 고무(예를 들어, 폴리이소프렌 고무, 스티렌·부타디엔(SB) 고무, 스티렌·이소프렌(SI) 고무, 스티렌·이소프렌·스티렌 블록 공중합체(SIS) 고무, 스티렌·부타디엔·스티렌 블록 공중합체(SBS) 고무, 스티렌·에틸렌·부틸렌·스티렌 블록 공중합체(SEBS) 고무, 스티렌·에틸렌·프로필렌·스티렌 블록 공중합체(SEPS) 고무, 스티렌·에틸렌·프로필렌 블록 공중합체(SEP) 고무, 재생 고무, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌이나, 이들의 변성체 등)를 베이스 중합체로 한 고무계 점착제를 들 수 있다.
또한, 열팽창성 점착제층(3)을 구성하는 상기 점착제는, 점착성 성분(베이스 중합체) 등의 중합체 성분 이외에, 가교제, 점착 부여 수지, 안료, 염료, 충전제, 노화예방제, 도전재, 대전 방지제, 자외선 흡수제, 광안정제, 박리 조정제, 연화제, 계면 활성제, 난연제, 산화 방지제 등의 적당한 첨가제를 포함하고 있어도 된다.
(가교제)
가교제로서는, 예를 들어 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제 외에, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있고, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제를 적절하게 사용할 수 있다.
(이소시아네이트계 가교제)
상기 이소시아네이트계 가교제로서는, 구체적으로는, 부틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 저급 지방족 폴리이소시아네이트류, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 지환족 이소시아네이트류, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트류, 트리메틸올프로판/톨릴렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(상품명 코로네이트L, 닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조), 트리메틸올프로판/헥사메틸렌디이소시아네이트 삼량체 부가물(상품명 코로네이트HL, 닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조), 헥사메틸렌디이소시아네이트의 이소시아누레이트체(상품명 코로네이트HX, 닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조) 등의 이소시아네이트 부가물 등을 예시할 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
이소시아네이트계 가교제의 배합량은, 점착력을 컨트롤하는 데 따라서 적절하게 결정해도 된다. 일반적으로는, 베이스 중합체 100중량부당 0.1 내지 20중량부, 바람직하게는 0.5 내지 10중량부 배합된다.
(에폭시계 가교제)
상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들어 N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민, 디글리시딜아닐린, 1,3-비스(N,N-글리시딜아미노메틸)시클로헥산(제품명 「테트래드C」미쯔비시 가스 가가꾸(주)제), 1,6-헥산디올디글리시딜에테르(제품명 「에폴라이트1600」교에샤 가가꾸(주)제), 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르(제품명 「에폴라이트1500NP」교에샤 가가꾸(주)제), 에틸렌글리콜디글리시딜에테르(제품명 「에폴라이트40E」교에샤 가가꾸(주)제), 프로필렌글리콜디글리시딜에테르(제품명 「에폴라이트70P」교에샤 가가꾸(주)제), 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르(제품명 「에피택셜 올E-400」닛본 유시(주)제), 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르(제품명 「에피택셜 올P-200」닛본 유시(주)제), 소르비톨폴리글리시딜에테르(제품명 「데나콜EX-611」 나가세 켐텍스(주)제), 글리세롤폴리글리시딜에테르(제품명 「데나콜EX-314」 나가세 켐텍스(주)제), 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르(제품명 「데나콜EX-512」 나가세 켐텍스(주)제), 소르비탄폴리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 아디프산디글리시딜에스테르, o-프탈산디글리시딜에스테르, 트리글리시딜-트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 레조르신디글리시딜에테르, 비스페놀-S-디글리시딜에테르 외에, 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시계 수지 등을 들 수 있다. 이 가교제는 단독으로 사용해도 되고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
에폭시계 가교제의 배합량은, 점착력을 컨트롤하는 데 따라서 적절하게 결정해도 된다. 일반적으로는, 베이스 중합체 100중량부당 0.01 내지 10중량부, 바람직하게는 0.03 내지 5중량부 배합된다.
(점착 부여 수지)
점착제에의 상용성이 좋은 점착 부여 수지를 선택하는 기준으로서, 점착 부여 수지의 수산기가에 착안하여, 구체적으로는 40KOHmg/g 이상, 바람직하게는 50 내지 500KOHmg/g 이상, 더욱 바람직하게는 70 내지 400KOHmg/g 이상의 점착 부여 수지를 채용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 수산기가의 수치 범위는, JIS K 0070-1992에 기초하는 아세틸화법에 의해 측정한 값이다.
수산기가의 값을 40KOHmg/g 이상으로 함으로써, 아크릴 중합체 함유의 에스테르기와의 친화성이 확보되어, 점착제 중에 분산한 상태를 유지할 수 있고, 결과로서 상분리가 좋은 상태가 된다. 한편 수산기가가 작은 값이면, 중합체에 대하여 친화성이 저하되어 점착 부여 수지끼리 도메인을 형성하는 것이 안정 상태로 되고, 그 도메인은 일반적으로 점착제의 표면에 형성되기 때문에, 결과로서 점착 부여 수지가 점착제 표면에 편재되게 되므로, 「전극 오염」을 야기하는 요인이 된다.
본 발명에 있어서, 상기의 조건을 만족하여 사용할 수 있는 점착 부여 수지로서 특별히 제한은 되지 않지만, 테르펜페놀이나 알킬페놀, 로진 페놀 등의 페놀기를 공중합한 점착 부여 수지가 바람직하다. 테르펜페놀이나 알킬페놀, 로진 페놀의 분자 구조는, 입체적으로 복잡하지 않고, 페놀기가 갖는 수산기와 아크릴 점착제 중의 에스테르기가 상호 작용하기 쉽기 때문에 상용성이 향상하기 때문이다.
구체적으로는, 테르펜페놀 수지로서는 야스하라케미컬(주)제 YS 폴리스타 S145나, 아라까와 가가꾸(주)제 타마노르 901을 들 수 있고, 알킬페놀계 수지로서는, 아라까와 가가꾸(주)제 「타마노르 1010R」, 「타마노르 200N」 등이 사용 가능하다.
점착 부여 수지의 배합량은, 일반적으로는 열팽창성 점착제층을 형성하는 베이스 중합체 100중량부에 대하여 5 내지 100중량부, 바람직하게는 10 내지 50중량부이다.
(가소제)
본 발명에 있어서 사용하는 가소제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산 에스테르계 가소제, 폴리에스테르계 가소제, 아디프산계 가소제 등을 사용할 수 있고, 트리멜리트산에스테르계 가소제, 피로멜리트산 에스테르계 가소제를 적절하게 사용할 수 있다. 가소제는 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
구체적으로는, 트리멜리트산에스테르계 가소제로서는, 예를 들어 트리멜리트산트리(n-옥틸), 트리멜리트산트리(2-에틸헥실), 트리멜리트산트리이소옥틸, 트리멜리트산트리이소노닐, 트리멜리트산트리이소데실 등의 트리멜리트산트리알킬에스테르 등을 들 수 있다. 또한, 피로멜리트산에스테르계 가소제로서는, 예를 들어 피로멜리트산테트라(n-옥틸), 피로멜리트산테트라(2-에틸헥실) 등의 피로멜리트산테트라알킬에스테르 등을 들 수 있다.
가소제의 배합량은, 목적에 따라서 적절하게 결정되지만, 베이스 중합체 100중량부당 1 내지 30중량부, 바람직하게는 1 내지 20중량부 배합된다.
(열팽창성 미소구)
열팽창성 미소구는 특별히 제한되지 않고, 공지된 열팽창성 미소구로부터 적절히 선택할 수 있고, 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 열팽창성 미소구로서는, 예를 들어 프로판, 프로필렌, 부텐, 노르말부탄, 이소부탄, 이소펜탄, 네오펜탄, 노르말펜탄, 노르말헥산, 이소헥산, 헵탄, 옥탄, 석유 에테르, 메탄의 할로겐화물, 테트라알킬실란과 같은 저비점 액체, 가열에 의해 열분해하여 가스 상태가 되는 아조디카르본아미드 등 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을, 탄성을 갖는 껍질 내에 내포시킨 미소구이면 된다.
또한, 열팽창성 미소구를 형성하는 껍질 형성 물질로서는, 예를 들어 라디칼 중합 가능한 단량체의 중합체에 의해 구성된다. 단량체의 예로서는, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, α-클로르아크릴로니트릴, α-에톡시아크릴로니트릴, 푸마로니트릴과 같은 니트릴 단량체; 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 시트라콘산과 같은 카르복실산 단량체; 염화비닐리덴; 아세트산비닐; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, β-카르복시에틸아크릴레이트와 같은 (메트)아크릴산에스테르; 스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌과 같은 스티렌 단량체; 아크릴아미드, 치환 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 치환 메타크릴아미드와 같은 아미드 단량체 또는 이들의 임의의 혼합물 등이 예시되지만, 본 발명에 있어서 열용융성 물질이나 열팽창으로 파괴하는 물질 등을 포함하고 있으면 된다.
또한, 껍질 형성 물질은 1종류 이상의 물질에 의한 공중합에 의해 제조되는 경우가 많고, 예를 들어 염화비닐리덴-메타크릴산메틸-아크릴로니트릴 공중합체, 메타크릴산메틸-아크릴로니트릴-메타크릴로니트릴 공중합체, 메타크릴산메틸-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-메타크릴로니트릴-이타콘산 공중합체 등을 들 수 있다.
열팽창성 미소구는, 관용의 방법, 예를 들어 코아세르베이션법, 계면 중합법 등에 의해 제조할 수 있다.
이러한 열팽창성 미소구로서, 예를 들어 마쯔모또 유시 세야꾸(주)제 「마쯔모토마이크로스페어」(제품명 F-30, F-36LV, F-50, F-65, FN-100SS, FN-180SS, F-190D, F-260D, F-2800D), 닛폰 피라이트(주)제 「엑스팬슬」(제품명 053-40, 031-40, 920-40, 909-80, 930-120), 구레하 가가꾸 고교(주)제 「다이폼」(제품명 H750, H850, H1100, S2320D, S2640D, M330, M430, M520), 세끼스이 가가꾸 고교(주)제 「어드반셀」(제품명 EML101, EMH204, EHM301, EHM302, EHM303, EM304, EHM401, EM403, EM501) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명에서는, 열팽창성 미소구로서, 상기 이외의 것도 사용할 수 있다. 이러한 열팽창성 미소구로서, 다양한 무기계 발포제나 유기계 발포제 등을 들 수 있다. 무기계 발포제의 대표적인 예로서는, 예를 들어, 탄산암모늄, 탄산수소암모늄, 탄산수소나트륨, 아질산암모늄, 수소화붕소나트륨, 각종 아지드류 등을 들 수 있다. 또한, 유기계 발포제의 대표적인 예로서는, 예를 들어, 물; 트리클로로모노플루오로메탄, 디클로로모노플루오로메탄 등의 염 불화알칸계 화합물; 아조비스이소부티로니트릴, 아조디카르본아미드, 바륨아조디카르복실레이트 등의 아조계 화합물; 파라톨루엔술포닐히드라지드, 디페닐술폰-3,3'-디술포닐히드라지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐히드라지드), 알릴비스(술포닐히드라지드) 등의 히드라진계 화합물; p-톨루일렌술포닐세미카르바지드, 4,4'-옥시비스(벤젠술포닐세미카르바지드) 등의 세미카르바지드계 화합물; 5-모르포릴-1,2,3,4-티아트리아졸 등의 트리아졸계 화합물; N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민, N,N'-디메틸-N,N'-디니트로소테레프탈아미드 등의 N-니트로소계 화합물 등을 들 수 있다.
열팽창성 미소구로서는, 가열 처리에 의해 점착층의 접착력을 효율적으로 저하되게 하기 위해서, 체적 팽창률이 5배 이상, 그 중에서도 7배 이상, 특히 10배 이상으로 될 때까지 파열되지 않는 적당한 강도를 갖는 열팽창성 미소구가 바람직하다.
열팽창성 미소구의 배합량은, 점착층의 팽창 배율이나 접착력의 저하성 등에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 일반적으로는 열팽창성 점착제층(2)을 형성하는 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 1 내지 150중량부, 바람직하게는 10 내지 130중량부, 더욱 바람직하게는 25 내지 100중량부이다.
(고무상 유기 탄성층)
열박리형 점착 테이프의 변형성의 부여나 가열 후의 박리성을 향상시키기 위해서, 기재와 열팽창성 점착제층(3)과의 사이에 고무상 유기 탄성층(2)이 설치되어 있지만, 고무상 유기 탄성층(2)은 필요에 따라서 설치되는 층이며, 반드시 설치되어 있지는 않아도 된다. 이와 같이, 고무상 유기 탄성층(2)을 설치함으로써, 열박리형 점착 테이프를 열팽창성 점착제층(3)을 이용하여 피착체(피가공품 등)에 접착시킬 때, 상기 열박리형 점착 테이프에 있어서의 열팽창성 점착제층(3)의 표면을 피착체의 표면 형상에 양호하게 추종시켜서, 접착 면적을 크게 할 수 있다.
또한, 상기 열박리형 점착 테이프를 피착체로부터 가열 박리시킬 때, 열팽창성 점착제층(3)의 가열 팽창을 고도로(고정밀도로) 컨트롤하고, 열팽창성 점착제층(3)을 두께 방향으로 우선적으로 그리고 균일하게 팽창시킬 수 있다.
즉, 고무상 유기 탄성층(2)은, 열박리형 점착 테이프를 피착체에 접착시킬 때 그 표면이 피착체의 표면 형상에 추종하여 큰 접착 면적을 제공하는 작용을 구비하고 있다. 또한, 열박리형 점착 테이프로부터 피착체를 박리하기 위해서, 열팽창성 점착제층(3)을 가열하여 발포 및/또는 팽창시킬 때, 열박리형 점착 테이프의 면 방향에 있어서의 발포 및/또는 팽창의 구속을 적게 하여 열팽창성 점착제층(3)이 삼차원적으로 구조 변화하는 것에 의한 굴곡 구조 형성을 조장하는 작용도 구비하고 있다.
고무상 유기 탄성층(2)은, 열팽창성 점착제층(3)의 기재측 면에, 열팽창성 점착제층(3)에 중첩시킨 형태로 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 고무상 유기 탄성층(2)은, 기재와 열팽창성 점착제층(3)과의 사이 이외에도 설치할 수 있다. 고무상 유기 탄성층(2)은, 기재의 편면 또는 양면에 개재시킬 수 있다.
고무상 유기 탄성층(2)에는 점착제층을 채용할 수 있고, 그 재료로서는 특별히 제한되지 않고, 상기 열팽창성 점착제층(3)에 예시된 점착제 등을 구성 재료로서 적절하게 사용할 수 있다. 상기 점착제로서는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제, 크리프특성 개량형 점착제, 방사선 경화형 점착제 등 중에서 적절하게 선택할 수 있다.
보다 구체적으로는, 예를 들어 천연 고무나 합성 고무를 베이스 중합체로 하는 고무계 점착제, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기 등의, 탄소수 20 이하의 알킬기를 갖는 아크릴산 내지 메타크릴산 등의 아크릴산계 알킬에스테르, 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 아크릴산히드록시에틸, 메타크릴산히드록시에틸, 아크릴산히드록시프로필, 메타크릴산히드록시프로필, N-메틸아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, 아세트산비닐, 스티렌, 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌, 비닐에테르 등을 주성분으로 하는 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
고무상 유기 탄성층(2)으로서는, 상기의 점착제로부터 구성하는 것 이외에, 천연 고무, 합성 고무 또는 고무 탄성을 갖는 합성 수지에 의해 형성할 수도 있다. 상기 합성 수지로서는, 예를 들어 니트릴계, 디엔계, 아크릴 수지계 등의 합성 고무; 폴리올레핀계, 폴리에스테르계 등의 열가소성 엘라스토머; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 폴리우레탄, 폴리부타디엔, 연질 폴리염화비닐 등의 고무 탄성을 갖는 합성 수지 등을 들 수 있다. 또한, 폴리염화비닐 등과 같이 본질적으로는 경질계 중합체이더라도, 가소제나 유연제 등의 배합제와의 조합에 의해 고무 탄성을 발현시켜서 사용할 수 있다.
또한, 이들 재료를 포함하는 고무상 유기 탄성층(2)은, 상기의 열팽창성 점착제층과 마찬가지로, 상기 점착제나 합성 수지에, 가교제, 점착 부여 수지, 가소제, 충전제, 노화 예방제 등의 적당한 첨가제를 배합한 것이어도 된다.
고무상 유기 탄성층(2)의 형성은, 예를 들어 고무상 유기 탄성층의 구성 재료를 포함하는 코팅액을 기재(1) 상에 도포하는 방식(코팅법), 상기 고무상 유기 탄성층 형성재를 포함하는 필름, 또는 미리 1층 이상을 포함하는 열팽창성 점착제층(3) 상에 상기 고무상 유기 탄성층 형성재를 포함하는 층을 형성한 적층 필름을 기재(1)와 접착하는 방식(드라이 라미네이트법), 지지 기재(1)의 구성 재료를 포함하는 수지 조성물과 상기 고무상 유기 탄성층 형성재를 포함하는 수지 조성물을 공압출하는 방식(공압출법) 등의 적당한 방식으로 행할 수 있다.
또한, 고무상 유기 탄성층(2)은, 이러한 성분을 주체로 하는 발포 필름 등으로 형성되어 있어도 된다. 발포는, 관용의 방법, 예를 들어 기계적인 교반에 의한 방법, 반응 생성 가스를 이용하는 방법, 발포제를 사용하는 방법, 가용성 물질을 제거하는 방법, 스프레이에 의한 방법, 신택틱 폼을 형성하는 방법, 소결법 등에 의해 행할 수 있다. 고무상 유기 탄성층(2)은 1층, 또는 2 이상의 층을 포함하는 적층 구조에 의해 구성해도 된다.
이러한 고무상 유기 탄성층(2)의 두께는, 3 내지 200㎛, 바람직하게는 5 내지 100㎛이다. 3 내지 200㎛의 범위라면, 너무 얇지 않고, 열박리형 점착 테이프가 피착체의 표면 형상에 추종하여 큰 접착 면적을 제공하는 작용과, 열팽창성 점착제층(3)이 삼차원적 구조 변화하는 것에 의한 굴곡 구조 형성을 조장하는 작용을 발현할 수 있다. 또한, 필요 이상으로 두껍지 않으므로 발포 후에 고무상 유기 탄성층(2)에서 응집 파괴가 일어나는 일도 없다.
(세퍼레이터)
열팽창성 점착제층(3) 등의 표면(점착면)의 보호재로서, 세퍼레이터가 사용되고 있지만, 세퍼레이터는, 필요에 따라서 사용할 수 있고, 반드시 사용되지 않아도 된다. 세퍼레이터로서는, 양면이 이형면인 것이어도 되고, 한쪽 면만 이형면인 것이어도 된다. 또한, 세퍼레이터는, 해당 세퍼레이터에 의해 보호되는 점착제층을 이용할 때에, 박리된다.
이러한 세퍼레이터로서는, 공지 내지 관용의 박리지 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 세퍼레이터로서는, 예를 들어 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면처리된 플라스틱 필름이나 종이 등의 박리제층을 갖는 기재; 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·불화비닐리덴 공중합체 등의 불소계 중합체를 포함하는 저접착성 기재; 올레핀계 수지(예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등) 등의 무극성 중합체를 포함하는 저접착성 기재 등을 사용할 수 있다. 물론, 박리제층을 갖는 기재에서는, 박리제층 표면이 이형면이며, 저접착성 기재에서는, 저접착성 기재의 표면이 이형면이다.
또한, 세퍼레이터는 공지 내지 관용의 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 세퍼레이터의 두께 등도 특별히 제한되지 않는다.
열박리형 점착 테이프는, 열팽창성 점착제층(3)을, 예를 들어 필요에 따라 용매를 사용하여 점착제, 열팽창성 미소구를 포함하는 코팅액을 제조하고, 이것을 지지 기재(1) 또는 미리 지지 기재(1) 상에 형성한 하기에 나타내는 고무상 유기 탄성층(2) 상에 도포하는 방식, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상기 코팅액을 도포하여 열팽창성 점착제층을 형성하고, 이것을 지지 기재(1) 또는 해당 고무상 유기 탄성층(2) 상에 전사(이착)하는 방법 등, 관용의 방법에 의해 형성할 수 있다. 이때, 열팽창성 점착제층(3)은 단층, 복층의 어느 것이어도 된다.
열박리형 점착 테이프는, 열팽창성 점착제층의 프로브 태크값(침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec.)이 60N/5mmφ 이상인 것을 특징으로 하고 있다.
이 프로브 태크값은, 점착제 표면에의 점착 부여 수지의 편재를 확인하는 방법으로서 채용한 것이다. 점착력 측정은, 계면 물성뿐만 아니라 기재의 강성 등의 다인자의 복합력으로 표현되지만, 한편 프로브 태크 측정은 기재 강성의 영향을 무시할 수 있고, 보다 점착제 표면의 물성이 검출가능하다.
점착 부여 수지가 점착제 표면에 편재되어 있을 경우에는 프로브 태크값은 저하된다. 통상 점착 부여 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 25℃ 이상이고, 이것으로부터 점착 부여 수지가 점착제 표면에 편재함으로써, 점착제 표면의 외관 탄성률이 높아지기 때문이다. 즉, 점착제의 프로브 태크값을 측정함으로써, 점착 부여 수지의 편재를 확인하는 것이 가능하다.
프로브 태크값은 구체적으로는, 60N/5mmφ 이상, 바람직하게는 80 내지 700N/5mmφ 이상, 더욱 바람직하게는 100N 내지 500/5mmφ 이상이 좋다. 프로브 태크값을 상기에 규정함으로써, 점착 부여 수지의 편재를 방지하고, 결과로서 「전극 오염」을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 열박리형 점착 테이프는, 열팽창성 점착제층의 면을 실리콘 웨이퍼의 표면에 부착하여 가열 박리한 후의 실리콘 웨이퍼의 표면(열팽창성 점착제층의 면이 접촉하고 있던 실리콘 웨이퍼의 표면)에 있어서의 XPS에 의한 탄소 원소 비율(RC1)(％)이 이하의 관계식(1)을 충족하는 특성을 갖고 있는 것이 바람직하다.
RC1≤60+RC2 관계식 (1)
[관계식 (1)에 있어서, RC2는, 부착되기 전의, XPS에 의한 실리콘 웨이퍼의 표면에 있어서의 탄소 원소 비율(％)을 나타냄]
즉, 본 발명의 열박리형 점착 테이프는, 열팽창성 점착제층의 면이 실리콘 웨이퍼의 표면에 접촉하도록, 실리콘 웨이퍼의 표면에 부착하여 가열 박리한 후의 실리콘 웨이퍼의 표면(열박리형 점착 테이프의 박리면)에 있어서의 XPS에 의한 탄소 원소 비율(RC1)(％)과, 상기 열박리형 점착 테이프가 부착되기 전의 실리콘 웨이퍼의 표면에 있어서의 XPS에 의한 탄소 원소 비율(RC2)(％)과의 차[RC1-RC2](「ΔRC1 -2」라고 칭하는 경우가 있음)가 50 이하가 되는 특성을 갖고 있는 것이 바람직하다.
ΔRC1 -2가 50 이하이면 바람직하지만, 예를 들어 0 내지 50 [바람직하게는 30 이하(예를 들어, 0.1 내지 30), 더욱 바람직하게는 20 이하(예를 들어, 0.5 내지 20), 특히 5 이하(예를 들어, 1 내지 5)]의 범위로부터 선택할 수 있다. 또한, ΔRC1-2는 마이너스의 수치이어도 된다. ΔRC1 -2가 50을 초과하면, 열팽창성 점착제층의 면이 접촉하고 있던 전자 부품의 전극면에 있어서의 오염도가 높아지고, 즉 전극 오염이 발생하고, 가공된 전자 부품은 불량품이 되는 경우가 있다.
이러한 원소 비율[탄소 원소 비율(RC1)(％), 탄소 원소 비율(RC2)(％) 등]은, XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy; X선 광전자 분광 분석)에 의해 측정된다.
구체적으로는, XPS에 의한 탄소 원소 비율(RC1)(％)은 예를 들어 열박리형 점착 테이프를 열팽창성 점착제층의 면이 실리콘 웨이퍼의 표면에 접촉하도록, 실리콘 웨이퍼의 표면에 부착시킨 후, 각 소정 온도(열박리형 점착 테이프가 자연 박리하는 임의의 온도)의 열풍 건조기 중에서 3분간 가열 처리를 행하고, 실리콘 웨이퍼로부터 박리시킨 후, X선 광전자 분광 분석 장치(알박 파이사제의 모델명「5400」)를 사용하여, X선원: MgKα15KV(300W), 취출각: 45°, 측정 면적: 1×3.5mm의 조건에서, 실리콘 웨이퍼에 있어서의 점착 테이프의 박리면의 X선 광전자 분광 분석을 행함으로써, 탄소 원소 비율(RC1)(％)을 측정할 수 있다.
한편, XPS에 의한 탄소 원소 비율(RC2)(％)은 예를 들어 X선 광전자 분광 분석 장치(알박 파이사제의 모델명 「5400」)를 사용하여, X선원: MgKα15KV(300W), 취출각: 45°, 측정 면적: 1×3.5mm의 조건에서 [탄소 원소 비율(RC1)(％)의 측정과 동일 장치 및 동일한 조건에서], 열박리형 점착 테이프를 부착하기 전의 실리콘 웨이퍼의 표면 X선 광전자 분광 분석을 행함으로써, 탄소 원소 비율(RC2)(％)을 측정할 수 있다.
점착 테이프를 피착체보다 용이하게 박리할 수 있도록 하기 위한 가열 처리 조건은, 피착체의 표면 상태나 열팽창성 미소구의 종류 등에 의한 접착 면적의 감소성, 기재나 피착체의 내열성이나 가열 방법 등의 조건에 의해 결정되지만, 일반적인 조건은 100 내지 250℃, 1 내지 90초간(핫 플레이트 등) 또는 5 내지 15분간(열풍 건조기 등)이다.
열박리형 점착 테이프는, 23℃에서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께:25㎛)에 접착시킨 후에 23℃ 분위기 하에서 30분간 방치했을 때에 23℃에서의 열팽창성 점착제층의 점착력(박리 각도: 180°, 인장 속도: 300mm/min)이 0.2 내지 20N/20mm 폭, 바람직하게는 1.0 내지 20N/20mm 폭인 것이 좋다. 23℃ 분위기 하의 점착력이 0.2 내지 20N/20mm 폭일 경우, 충분히 피착체를 유지할 수 있고, 절단 가공 시에 칩이 박리되는 일이 없다. 0.2N/20mm 폭 미만의 경우에는 충분히 피착체를 유지하는 것이 곤란해서, 절단 가공 시에 칩의 박리가 발생하는 경우가 있다. 또한 20N/20mm 폭 이상의 경우에는, 가열 처리를 실시하여 열팽창성 미소구가 발포해도 피착체가 박리되지 않는다고 하는 불량이 발생하는 경우가 있다.
(접착제층)
본 발명의 열박리형 점착 테이프에 있어서, 기재의 한쪽 면에 열팽창성 미소구를 함유하는 열박리 점착제층을 형성했을 경우에는, 기재의 다른 쪽 면에는, 예를 들어 적어도 피절단물의 절단 공정 시 등, 고정해야 할 대상물을 고정시키는 동안, 피절단물을 고정시키기 위해서, 별도 준비한 베이스에 열박리형 점착 테이프를 고정시키기 위한 접착제 층을 형성할 수 있다.
이때의 접착제층도, 예를 들어 절단 등의 가공에 있어서 발생하는 열이나 진동 등의 자극에 대하여 안정되는 것이 필요하다. 그 접착제층으로서는, 예를 들어 상기 점착제에 사용한 수지를 베이스로 한 것을 사용할 수 있다.
(본 발명의 열박리형 점착 테이프의 사용 방법)
본 발명의 열박리형 점착 테이프는, 오로지 전자 부품을 절단할 때에, 해당 전자 부품을 기판 상에 고정시키기 위한 점착 테이프로서 사용된다.
절단되는 해당 전자 부품으로서는, 콘덴서 또는 인덕터 또는 코일 또는 저항 또는 압전 소자 또는 진동자 또는 LED 또는 반도체 또는 표시 장치 등의 전자 부품이며, 임의의 수단에 의해 절단되는 전자 부품이다. 특히 세라믹 콘덴서용 부재 절단에 사용되는 것이 바람직하다.
이러한 전자 부품을 기판 상에 대하여 본 발명의 열박리형 점착 테이프를 개재하여 점착력에 의해 고정한다. 그 후, 압박 절단 날에 의한 압박 절단 수단, 또는 회전 날에 의한 절단 방법 등의 임의의 수단에 의해 해당 전자 부품을 절단하고, 그 후 본 발명의 열박리형 점착 테이프를 가열하고, 열팽창성 점착제층을 발포시킴으로써, 열팽창성 점착제층에 대한 절단된 전자 부품의 점착력을 저하되게 해서, 절단된 전자 부품을 픽업한다.
본 발명에 있어서의 각종 측정 방법 및 판단 기준은 이하의 실시예에 나타내었다.
[실시예]
(실시예 1)
아크릴계 공중합체(아크릴산에틸:아크릴산2에틸헥실:히드록시에틸아크릴레이트:메타크릴산메틸=70중량부:30중량부:5중량부:6중량부) 100중량부에, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조) 2중량부를 배합하고, 톨루엔을 첨가하여 균일하게 혼합한 용액을 제조하고, 두께 100㎛의 PET 기재 상에 건조 후의 두께가 10㎛가 되도록 도포했다(고무상 유기 탄성층 도포).
또한, 상기의 공중합체 100중량부에, 수산기가 100KOHmg/g, 산가 2mgKOH/g인 테르펜페놀계 점착 부여 수지(상품명 「YS 폴리스타 S145」야스하라 케미컬 가부시끼가이샤 제조) 30중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조) 1.7부, 발포제(열팽창성 미소구; 상품명 「마쯔모토 마이크로 스페어 F-50」 마쯔모또 유시 세야꾸 가부시끼가이샤 제조; 120℃ 발포 팽창 타입):30부 및 톨루엔을 균일하게 혼합하고, 용해한 도공액을 PET 기재 세퍼레이터(38㎛) 상에 건조 후의 두께가 35㎛가 되도록 도포하고, 건조 후, 상기 고무상 유기 탄성층을 도포한 폴리에스테르 필름의 고무상 유기 탄성층 측에 접합하고, 열박리형 점착 테이프(열박리형 점착 테이프(1))를 얻었다.
(실시예 2)
아크릴계 공중합체(아크릴산에틸:아크릴산2에틸헥실:히드록시에틸아크릴레이트:메타크릴산메틸=70중량부:30중량부:5중량부:6중량부) 100중량부에, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조) 2중량부를 배합하고, 톨루엔을 첨가하여 균일하게 혼합한 용액을 제조하고, 두께 100㎛의 PET 기재 상에 건조 후의 두께가 10㎛가 되도록 도포했다(고무상 유기 탄성층 도포).
또한, 상기의 공중합체 100중량부에, 수산기가 45KOHmg/g인 테르펜페놀계 점착 부여 수지(상품명 「타마 노르901」 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 50중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조) 1.7부, 발포제(열팽창성 미소구; 상품명 「마쯔모토 마이크로 스페어 F-50」 마쯔모또 유시 세야꾸 가부시끼가이샤 제조; 120℃ 발포 팽창 타입):30부 및 톨루엔을 균일하게 혼합하고, 용해한 도공액을 PET 기재 세퍼레이터(38㎛) 상에 건조 후의 두께가 35㎛가 되도록 도포하고, 건조 후, 상기 고무상 유기 탄성층을 도포한 폴리에스테르 필름의 고무상 유기 탄성층 측에 접합하고, 열박리형 점착 테이프(열박리형 점착 테이프(2))를 얻었다.
(실시예 3)
아크릴계 공중합체(아크릴산에틸:아크릴산부틸:히드록시에틸아크릴레이트:아크릴산:트리메틸올프로판트리아크릴레이트=50중량부:50중량부:0.1중량부:5중량부:0.3중량부) 100중량부에, 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸(주)제 테트래드C) 1중량부, 수산기가 100mgKOH/g, 산가 2mgKOH/g인 테르펜페놀계 점착 부여 수지(상품명 「YS 폴리스타 S145」야스하라 케미컬 가부시끼가이샤 제조) 20중량부, 열팽창성 미소구(마쯔모또 유시 세야꾸 가부시끼가이샤 제조 마쯔모토 마이크로 스페어 F50) 30중량부 및 톨루엔을 균일하게 혼합한 혼합액을 제조하고, 두께 100㎛의 PET 기재 상에 건조 후의 두께가 38㎛가 되도록 도포하여 열박리형 점착 테이프(열박리형 점착 테이프(3))를 얻었다.
(비교예 1)
아크릴계 공중합체(아크릴산에틸:아크릴산2에틸헥실:히드록시에틸아크릴레이트:메타크릴산 메틸=70중량부:30중량부:5중량부:6중량부) 100중량부에, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」닛본 폴리우레탄 고교 가부시끼가이샤 제조) 2중량부를 배합하고, 톨루엔을 첨가하여 균일하게 혼합한 용액을 제조하고, 두께 100㎛의 PET 기재 상에 건조 후의 두께가 10㎛가 되도록 도포했다(고무상 유기 탄성층 도포).
또한, 상기의 공중합체 100중량부에, 수산기가 30KOHmg/g인 테르펜페놀계 점착 부여 수지(상품명 「YS 폴리스타 U115」야스하라 케미컬 가부시끼가이샤 제조) 20중량부, 이소시아네이트계 가교제(상품명 「코로네이트 L」 닛본 폴리우레탄사제) 1.7부, 발포제(열팽창성 미소구; 상품명 「마쯔모토 마이크로 스페어 F-50」 마쯔모또 유시 세야꾸 가부시끼가이샤 제조; 120℃ 발포 팽창 타입): 30부 및 톨루엔을 균일하게 혼합하고, 용해한 도공액을 PET 기재 세퍼레이터(38㎛) 상에 건조 후의 두께가 35㎛가 되도록 도포하고, 건조 후, 상기 고무상 유기 탄성층을 도포한 폴리에스테르 필름의 고무상 유기 탄성층 측에 접합하고, 열박리형 점착 테이프(열박리형 점착 테이프(4))를 얻었다.
(절단 가공성)
각 열박리형 점착 테이프의 열팽창성 점착제층 상에, 금속 도금된 전극면을 갖는 전자 부품 기판(사이즈: 100mm×100mm×두께 1mm; 전극면은 10㎛의 요철이 형성되어 있음)을 접착시키고(임시 고정), 그것을 다이싱 링에 장착 고정하여 다이서를 개재하고, 1mm×1mm의 사이즈의 칩으로 풀컷하고(다이싱에 의한 절단 가공 처리를 실시하고), 이 커트 시에, 칩 비산의 발생 개수를 산출하였다. 이때 다이싱 블레이드에는 DISCO(주)사제 ZH05-SD2000-N1-110-DD를 사용하였다. 다이싱 블레이드의 이송 속도는 70mm/S, 다이싱 블레이드의 회전 수를 50000/s로 하였다.
절단 가공 중의 칩이 열박리형 점착 테이프로부터 박리된(칩 플라이한) 개수의 비율(칩 비산율)(％)을 구하여, 절단 가공성의 평가로 하였다. 또한, 모든 칩이 열박리형 점착 테이프에 접착하고 있어 박리되지 않은 경우에는, 칩 비산율은 0％(즉, 칩 비산율은 0％)가 된다. 다이싱한 칩의 수를 A0, 칩이 비산한 수를 A로 하고, 칩 비산율(X)은 식(1)에 따라 구하였다.
따라서, 칩이 박리되어 있는 비율(칩 비산율)이 작을수록, 칩 비산 방지성이 양호한 것을 의미한다. 해당 칩 절단 가공성의 평가 결과는, 표 1의 「절단 가공성(％)」의 란에 나타냈다.
(가열 박리성)
상기 커트 후, 항온기(열풍 건조기)(에스펙(주)제, 「SPH-201」)를 사용하여, 130℃에서 10분간 가열 처리를 실시하였다. 가열 처리 후, 열박리형 점착 테이프를 공중에서 상하가 반대로 되게 뒤집어(칩이 아래로 되도록), 열박리형 점착 테이프로부터 칩을 자연 낙하에 의해 박리시켜서, 가열 박리성으로서 칩이 박리한 비율(가열 박리율(％))을 구한다. 또한, 모든 칩이 박리하여 열박리형 점착 테이프에 잔존하고 있지 않은 경우에는, 가열 박리율은 100％가 된다. 따라서, 칩이 박리에 의해 잔존하고 있지 않은 비율(가열 박리율)이 클수록, 가열 박리성이 양호한 것을 의미한다. 해당 가열 박리성의 평가 결과는, 표 1의 「가열 박리성(％)」란에 나타냈다. 박리하기 전의 칩수를 B0, 자연 낙하한 칩의 수를 B로 하고, 가열 박리성(X)는 식(2)에 따라 구하였다.
(전극 오염성)
상기 자연 낙하에 의해 열박리형 점착 테이프를 박리시킨 칩에 대해서, 그 표면(열박리형 점착 테이프가 접착되어 있던 면)의 오염 정도를 육안으로 관찰하고, 전극 오염이 있는 비율(오염율)(％)을 구한다. 또한, 모든 전극면이 오염되어 있지 않은 경우에는, 오염율은 0％가 된다. 따라서, 전극 오염이 있는 비율(오염율)이 작을수록, 전극 오염성이 양호한 것을 의미한다. 해당 오염율의 평가 결과는, 표 1의 「전극 오염성」란에 나타냈다. 자연 박리한 칩수를 C0, 전극이 오염되어 있던 칩의 수를 C로 하고, 전극 오염성(X)은 식(3)에 따라 구하였다.
(프로브 태크 측정 방법)
제각기 열박리형 점착 테이프를 폭: 20mm, 길이: 50mm의 크기로 절단하고, 마쓰나미 가라스 고교(주)제 슬라이드 글래스(76mm×26mm)에 닛토덴코(주)제 양면 접착 테이프 No.531을 접합하고, 그 위로부터 절단한 샘플을 핸드 롤러를 사용하여 접합하였다. 열팽창성 점착제층을 위로 한 상태에서 프로브 태크 측정기(상품명 「TACKINESS TESTER Model TAC-II」RHESCA사제)에 세트하고, 침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec., 프로브 면적: 5mmφcircle(SUS)의 조건 하에서 측정한 값을 프로브 태크값(N/5mmφ)으로 하였다. 또한, 해당 점착력의 측정 결과는, 표 1의 「프로브 태크(N/5mmφ)」 란에 나타냈다.
(점착력 측정 방법)
제각기 열박리형 점착 테이프를 폭: 20mm, 길이: 140mm의 크기로 절단하고, 열팽창성 점착제층 상에, 피착체로서의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(상품명 「루미러 S-10」도레이 가부시끼가이샤 제조; 두께: 25㎛, 폭: 20mm)을 JIS Z 0237(2000년)에 준하여 접합한 후(구체적으로는, 온도: 23±2℃ 및 습도: 65±5％ RH의 분위기 하에서, 2kg의 롤러를 1왕복시켜서 압착하여 접합하였음), 23℃로 설정된 항온조가 딸린 인장 시험기(상품명 「시마즈 오토그래프 AG-120kN」 가부시끼가이샤 시마즈 세이사꾸쇼제)에 세트하여, 30분간 방치하였다. 방치 후, 23℃의 온도 하에서, 피착체를, 박리 각도: 180°, 박리 속도(인장 속도): 300mm/min의 조건에서, 열박리형 점착 테이프로부터 박리했을 때의 하중을 측정하고, 그때의 최대 하중(측정 초기의 피크 톱을 제외한 하중의 최대값)을 구하고, 이 최대 하중을 열팽창성 점착제층의 점착력(N/20mm 폭)으로 하였다. 또한, 해당 점착력의 측정 결과는, 표 1의 「점착력(N/20mm)」 란에 나타냈다.
(겔 분율의 측정 방법)
열팽창성 점착제층(열팽창을 위한 가열 처리는 행하지 않음)으로부터 약 0.1g를 샘플링하여 정칭하고(시료의 중량), 해당 샘플을 메쉬 형상 시트(상품명 「NTF-1122」닛토덴코 가부시키가이샤 제조)로 둘러싼 후, 약 50ml의 톨루엔 중에 실온에서 1주일간 침지시켰다. 그 후, 용제 불용분(메쉬 형상 시트의 내용물)을 톨루엔으로부터 취출하고, 70℃에서 약 2시간 건조시키고, 건조 후의 용제 불용분을 칭량하여(침지·건조 후의 중량), 하기 식(a)로부터 겔 분율(중량％)을 산출하였다.
겔 분율(중량％)=[(침지·건조 후의 중량)/(시료의 중량)]×100 (a)
또한, 열팽창성 점착제층의 겔 분율은, 열팽창성 점착제층을 형성하기 위한 점착제 베이스 중합체 조성, 점착제에 첨가하는 가교제의 종류나 함유량, 점착 부여 수지의 종류나 함유량 등을 조절함으로써 컨트롤할 수 있다.
(수산기가의 측정 방법)
샘플의 수산기가는, JIS K 0070-1992(아세틸화법)에 준하여 평가하였다. 무수아세트산 약 25g를 취하고, 피리딘을 첨가하고, 전량을 100mL로 해서, 충분히 교반하여 아세틸화 시약을 제조하였다. 바닥이 평평한 플라스크에 시료 약 2g를 정칭 채취하고, 아세틸화 시약 5mL 및 피리딘 10mL를 첨가하고, 공기 냉각관을 장착하였다. 100℃에서 70분간 가열 후, 방냉하고, 냉각관 상부로부터 용제로서 톨루엔 35mL를 첨가하여 교반한 후, 물 1mL를 첨가하여 교반하고, 무수아세트산을 분해하였다. 분해를 완전하게 하기 위하여 다시 10분간 가열하여 방냉하였다. 에탄올 5mL로 냉각관을 씻어 제거하고, 용제로서 피리딘 50mL를 첨가하여 교반하였다. 이 용액에 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액을 홀 피펫을 사용하여 25mL 첨가하고, 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액으로 전위차 적정을 행하여 이하의 식으로부터 수산기가를 산출하였다.
B: 공시험에 사용한 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 양(mL)
C: 시료에 사용한 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 양(mL)
f: 0.5mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 팩터
S: 시료의 채취량 (g)
D: 산가
(산가의 측정 방법)
샘플의 산가는 JIS K 0070-1992(전위차 적정 방법)에 준하여 평가하였다. 디에틸에테르와 에탄올을 체적비로 4:1로 혼합한 용제에 페놀프탈레인 용액을 지시약으로서 첨가하고, 0.1mol/L 수산화칼륨에탄올 용액으로 중화하였다. 비이커에 시료 약 5g를 정칭 채취하고, 용제 50mL를 첨가하고, 패널 히터(80℃) 위에서 완전히 교반 용해하고, 0.1mol/L 수산화칼륨에탄올 용액으로, 전위차 적정을 행하였다. 산가는 하기 식으로부터 구하였다.
B: 시료에 사용한 0.1mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 양(mL)
F: 0.1mol/L 수산화칼륨에탄올 용액의 팩터
S: 시료의 채취량 (g)
표 1로부터, 실시예 1 내지 3에 관한 열박리형 점착 테이프 1 내지 3은, 칩 비산을 발생시키지 않고 다이싱 절단 가공을 유효하게 실시할 수 있고, 또한, 가열에 의해 전극 오염을 발생시키지 않고 피착체(절단 가공된 칩)를 용이하게 박리시킬 수 있는 것이 확인되었다.
한편, 비교예 1에 관한 열박리형 점착 테이프 4에서는, 첨가한 점착 부여 수지의 수산기가가 작기 때문에, 점착제의 주성분인 아크릴 중합체와의 상분리를 일으켜, 점착 부여 수지 성분이 점착제 표면에 편재되기 쉽다고 생각된다. 즉, 통상 점착 부여 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 25℃ 이상이고, 점착제 표면에 점착 부여 수지 성분이 편재함으로써, 점착제 표면의 외관상 탄성률이 상승하고, 프로브 태크값이 저하된 것으로 추측된다. 또한, 점착 부여 수지가 점착제 표면에 편재되기 때문에 전극과 밀접하게 되므로 전극 오염을 발생시키는 결과가 되었다.
본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 여러 변형이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에 있어서 명확하다.
본 출원은, 2013년 7월 19일자 출원의 일본 특허 출원 제2013-151140호에 기초하는 것이고, 그 내용은 본 명세서에 참조로서 도입된다.
1… 지지 기재
2… 고무상 유기 탄성층
3… 열팽창성 점착제층
4… 평활한 박리 가능한 필름
2… 고무상 유기 탄성층
3… 열팽창성 점착제층
4… 평활한 박리 가능한 필름
Claims (15)
- 열팽창성 점착제층을 갖는 열박리형 점착 테이프이며, 상기 열팽창성 점착제층의 프로브 태크값(침지 속도: 30mm/min, 테스트 속도: 30mm/min, 예비 하중: 100gf, 압착 시간: 1.0sec.)이 60N/5mmφ 이상인 열박리형 점착 테이프.
- 제1항에 있어서,
상기 열팽창성 점착제층의 겔 분율이 50％ 이상인, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 열팽창성 점착제층이 점착 부여 수지를 함유하는, 열박리형 점착 테이프. - 제3항에 있어서,
상기 점착 부여 수지의 수산기가가 40KOHmg/g 이상인, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
23℃에서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(두께: 25㎛)에 접착시킨 후 23℃의 분위기 하에서 30분간 방치했을 때의 23℃에서의 상기 열팽창성 점착제층의 점착력(박리 각도: 180°, 인장 속도: 300mm/min)이 0.2N/20mm 폭 내지 20N/20mm 폭인, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 열팽창성 점착제층이 열팽창성 미소구를 함유하는, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 열팽창성 점착제층을 구성하는 점착제가 아크릴계 점착제인, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 열팽창성 점착제층이 가교제를 함유하는, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 열팽창성 점착제층의 두께가 5 내지 300㎛인, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
기재의 적어도 한쪽에 직접 상기 열박리형 점착제층이 형성되어 이루어지는, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
기재의 적어도 한쪽에 고무상 유기 탄성층을 개재하여 상기 열박리형 점착제층이 형성되어 이루어지는, 열박리형 점착 테이프. - 제11항에 있어서,
상기 고무상 유기 탄성층의 두께가 3 내지 200㎛인, 열박리형 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
전자 부품의 절단 시에 사용되는, 열박리형 점착 테이프. - 제12항에 있어서,
세라믹 콘덴서용 부재 절단에 사용되는, 열박리형 점착 테이프. - 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 열박리형 점착 테이프에 전자 부품을 접합하는 공정, 및 상기 전자 부품에 절단 가공 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 전자 부품의 절단 가공 방법.
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