KR20150009289A - 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은, 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 그래핀 산화물층 상에 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제2 그래핀 산화물층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;를 제공할 수 있다.

Description

플렉서블 표시장치 및 그 제조방법{A flexible display apparatus and method thereof}
본 발명은 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)를 구비한 액정표시장치(liquid crystal display device) 및 유기발광표시장치(organic light emitting display device) 등은 현재 디지털 카메라나 비디오 카메라 또는 휴대정보단말기(PDA)나 휴대전화 등의 모바일 기기용 디스플레이로 그 시장을 확대하고 있다.
이러한 모바일 기기용 디스플레이는 휴대하기 쉽고, 다양한 형상의 표시장치에 적용되기 위해 얇고, 가볍고 더 나아가 곡면 구현이 가능한 플렉서블한 특성이 요구된다. 이를 위하여, 플렉서블 기판을 지지 기판 상에 합착한 후 공정을 진행하고, 상기 플렉서블 기판과 상기 지지 기판을 분리하는 방법이 도입되었다.
그러나 상기 플렉서블 기판과 상기 지지 기판을 분리하기 위하여 레이저를 사용하는 과정에서 에너지가 균일하게 조사되지 않아 분리가 불균일하게 되거나, 과도한 에너지 조사로 인하여 플렉서블 표시장치가 열화되는 문제점이 있다.
본 발명은 지지 기판과 플렉서블 기판을 용이하게 분리할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은, 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제1 그래핀 산화물층 상에 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 상기 제2 그래핀 산화물층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 지지 기판은, 유리 기판, 고분자 필름 또는 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계는, 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액을 상기 지지 기판에 코팅하는 단계; 및 상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판에 건조 공정을 수행하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제1 그래핀 산화물 용액을 상기 지지 기판에 코팅하는 단계는, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법을 사용하여 코팅할 수 있다.
상기 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액을 상기 지지 기판에 코팅하는 단계;와 상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판에 건조 공정을 수행하는 단계; 사이에, 상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판을 탈이온수(DI water;Deionized　water)를 이용하여 린스(Rinse)　공정을 수행하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 그래핀 산화물층 상에 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계는, 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액을 준비하는 단계; 상기 제2 그래핀 산화물 용액으로 상기 제1 그래핀 산화층을 코팅하는 단계; 및 상기 제2 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 제1 그래핀 산화층에 건조 공정을 수행하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제2 그래핀 산화물 용액으로 상기 제1 그래핀 산화층을 코팅하는 단계는, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법을 사용하여 코팅할 수 있다.
상기 제2 그래핀 산화물 용액으로 상기 제1 그래핀 산화층을 코팅하는 단계;와 상기 제2 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 제1 그래핀 산화층에 건조 공정을 수행하는 단계; 사이에, 상기 제2 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판을 탈이온수(DI water;Deionized　water)를 이용하여 린스(Rinse)　공정을 수행하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액은, 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액에 황산 용액을 넣어서 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 용액을 형성하며, 상기 제1 전하는 음전하, 상기 제2 전하는 양전하일 수 있다.
상기 지지 기판을 준비하는 단계;와 상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 사이에, 상기 지지 기판을 고분자 전해질에 침지하여, 상기 지지 기판의 표면이 제2 전하를 띄도록 할 수 있다.
상기 제1 전하는 음전하이고, 상기 제2 전하는 양전하이며, 상기 고분자 전해질은, 양이온계 고분자 전해질일 수 있다.
상기 양이온계 고분자 전해질은, PAH(Poly(allyamine)hydrochloride), PDDA(Polydiallyldimethylammonium) 또는 PEI(Poly(ethyleneimine))일 수 있다.
상기 제1 전하는 양전하이고, 상기 제2 전하는 음전하이며, 상기 고분자 전해질은, 음이온계 고분자 전해질일 수 있다.
상기 음이온계 고분자 전해질은, PSS(Poly(4-styrenesulfonate)) 또는 PAA(Poly(acrylic)acid)일 수 있다.
상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계; 상기 제1 그래핀 산화물층과 상기 제2 그래핀 산화물층이 서로 분리될 수 있다.
상기 플렉서블 기판은, 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성될 수 있다.
상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계는, 흡착력을 이용하여 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리할 수 있다.
상기 제1 전하를 띄는 상기 제1 그래핀 산화물층과 상기 제2 전하는 띄는 상기 제2 그래핀 산화물층은, 반데르발스 힘에 의하여 서로 결합될 수 있다.
상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계; 사이에, 상기 디스플레이 상에 봉지층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조 방법은, 지지 기판을 준비하는 단계; 상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층 및 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 서로 교번하도록 적층하여 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 상기 그래핀 산화물층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계; 상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부 및 봉지층을 순차적으로 형성하는 단계; 및 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 지지 기판을 준비하는 단계;와 상기 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 사이에, 상기 지지 기판을 제2 전하를 띄는 고분자 전해질에 침지하여, 상기 지지 기판의 표면이 제2 전하를 띄도록 할 수 있다.
상기 제1 전하는 음전하이고, 상기 제2 전하는 양전하이며, 상기 고분자 전해질은, 양이온계 고분자 전해질일 수 있다.
상기 양이온계 고분자 전해질은, PAH(Poly(allyamine)hydrochloride), PDDA(Polydiallyldimethylammonium) 또는 PEI(Poly(ethyleneimine))일 수 있다.
상기 제1 전하는 양전하이고, 상기 제2 전하는 음전하이며, 상기 고분자 전해질은, 음이온계 고분자 전해질일 수 있다.
상기 음이온계 고분자 전해질은, PSS(Poly(4-styrenesulfonate)) 또는 PAA(Poly(acrylic)acid)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 디스플레이 장치는 플렉서블 기판; 상기 플렉서블 기판의 하면에 형성된 전하를 띄는 그래핀 산화물층; 상기 플렉서블 기판 상에 형성되는 디스플레이부; 및 상기 디스플레이부를 덮도록 형성된 봉지층;을 포함할 수 있다.
상기 전하를 띄는 그래핀 산화물층은, 제1 전하 또는 제2 전하를 띄는 단일층의 그래핀 산화물층일 수 있다.
상기 전하를 띄는 그래핀 산화물층은, 서로 교번하여 형성된 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층 및 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 포함할 수 있다.
상기 디스플레이부는, 상기 기판 상에 형성되며, 복수의 구동 박막트랜지스터를 포함하는 화소 회로층; 및 상기 화소 회로층 상에 형성되며, 복수의 유기발광소자를 포함하는 발광층;을 포함할 수 있다.
상기 플렉서블 기판은, 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성될 수 있다.
상기 봉지층은, 무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성될 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 지지 기판과 플렉서블 기판 사이에 서로 다른 전하를 갖도록 적층된 복수의 그래핀 산화물층을 형성함으로써, 상기 플러서블 기판과 상기 지지 기판 각각을 용이하게 분리할 수 있다. 또한, 흡착력을 이용하여 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하므로, 상기 플렉서블 기판의 손상을 방지하고, 공정 신뢰도를 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 산화물을 이용하여 플렉서블 표시장치를 형성하는 제조 공정을 나타내는 순서도이다.
도 2a, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a 및 도 7a은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시장치를 형성하는 제조 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 2b, 도 3b, 도 4b, 도 5b, 도 6b 및 도 7b은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 산화물을 이용하여 플렉서블 표시장치를 형성하는 제조 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 실시예를 설명하는 도면에 있어서, 어떤 층이나 영역들은 명세서의 명확성을 위해 두께를 확대하여 나타내었다. 또한 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 산화물을 이용하여 플렉서블 표시장치를 형성하는 제조 공정을 나타내는 순서도이며, 도 2a 내지 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀 산화물을 이용하여 플렉서블 표시장치를 형성하는 제조 공정을 개략적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다. 도 2b, 도 3b, 도 4b, 도 5b, 도 6b, 도 7b는 각각 평면도인 도 2a, 도 3a, 도 4a, 도 5a, 도 6a, 도 7a의 X-X'의 부분을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시예는 상기 순서도를 기준으로, 상기 평면도 및 상기 단면도를 함께 참조하며 설명한다.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 그래핀 산화물을 이용하여 플렉서블 표시장치를 형성하는 과정에서 지지 기판과 플렉서블 기판을 레이저의 조사 없이 용이하게 분리할 수 있다.
도 1을 참조하면, 먼저 제1 그래핀 산화물 용액을 제조한다. (S10) 제1 그래핀 산화물 용액 제조 단계(S10)에서는 예를 들어, 그래핀 전구체(pre-graphene) 또는 기계적으로 분쇄된 그래핀(GP)을 이용하여, 먼저 액체 상태의 제1 그래핀 산화물 용액을 제조한다. 이렇게 제조된 제1 그래핀 산화물 용액은 적갈색 또는 황갈색을 띠게 된다.
이러한 제1 그래핀 산화물 용액의 제조방법은 당 업자에게는 다양한 방법이 알려져 있으며, 본 발명에서는 이렇게 알려진 모든 방법에 의해 제조된 제1 그래핀 산화물 용액을 이용할 수 있다. 예를 들어, 그래핀 전구체 또는 기계적으로 분쇄된 그래핀과 NaNO3를 H2SO4 용액에 넣고 냉각시키면서 KMnO4 (또는 염소산 칼륨)을 천천히 넣어 준다.
다음으로, H2SO4를 천천히 넣어주고, H2O-2를 넣어준다.
다음으로, 원심 분리하여 상층액을 버리고 H2SO4/H2O-2로 씻어주고, 마지막으로 물로 씻어준다. 이를 반복하면 적갈색의 걸쭉한 제1 그래핀 산화물 용액(약간 젤 상태)이 얻어진다. 이 중 화학적 산화제로서 Mn3+, Mn4+, MnO2, KMnO4, HNO3, HNO4, CrO3 등이 사용 가능하다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
상기 방법에 의하여 제조된 제1 그래핀 산화물 용액은 제1 전하를 띄게 되며, 제1 전하의 특성을 향상시키기 위하여, 상기 제1 그래핀 산화물 용액은 금속 나노-와이어 또는 금속 나노-입자를 더욱 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 은, 구리, 금 등이 포함될 수 있다. 또한, 상기 금속 나노-와이어 또는 상기 금속 나노-입자는 투명도 및 코팅선 측면에서 전체 제1 그래핀 산화물 용액에 대하여 50중량% 이하로 첨가될 수 있다.
다음으로, 지지 기판(100)을 상기 제1 그래핀 산화물 용액에 침지시켜, 상기 지지 기판(100)의 표면에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액을 코팅한다. (S11) 아울러, 상기 지지 기판(100)의 표면에 상기 제1 그래핀 산화물 용액을 코팅하는 방법으로서, 딥 코팅 이외에 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법이 사용될 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
다음으로, 도 1, 도 2a 및 도 2b를 함께 참조하면, 상기 지지 기판(100)의 표면에 코팅된 상기 제1 그래핀 산화물 용액을 건조시키는 건조 공정을 수행하여, 상기 지지 기판(100) 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층(200a)을 형성한다. (S11) 상기 건조 공정은 약 80 ℃의 온도에서 약 1시간 동안 수행될 수 있다.
또한, 추가적으로 상기 건조 공정을 수행하기 이전에, 상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판(100)을 탈이온수(DI water;Deionized　water)를 이용하여 린스(Rinse)　공정을 수행할 수 있다.
상기 지지 기판(100)은 플렉서블 표시 장치를 형성하기 위하여 플렉서블 기판(도 4b의 300)을 지지하는 기판으로서, 유리 기판, 고분자 필름 또는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 전하를 띌 수 있는 물질이라면 어느 것이든지 가능하다.
추가적으로, 제1 전하를 띄는 상기 제1 그래핀 산화물층(200a)을 상기 지지 기판(100)에 보다 용이하게 형성하기 위하여, 상기 지지 기판(100)의 표면을 친수성 처리하거나, 또는 상기 지지 기판(100)의 표면이 제2 전하를 띄게 하는 공정이 추가될 수 있다.
상기 지지 기판(100)은 H2SO4/H2O- 2 로 세척되어 상기 지지 기판(100)의 표면이 친수성 상태로 변환될 수 있다.
또는, 제2 전하를 띄는 고분자 전해질에 상기 지지 기판(100)을 침지시켜, 상기 지지 기판(100)의 표면이 제2 전하를 띄도록 할 수 있다. 제2 전하를 띄게 되는 지지 기판(100)이 제1 전하를 띄는 상기 제1 그래핀 산화물 용액에 침지되는 경우, 상기 지지 기판(100)의 표면에 상기 제1 그래핀 산화물층(200a)이 보다 용이하게 형성될 수 있다. 상기 제1 전하가 음전하이고, 상기 제2 전하가 양전하인 경우, 상기 제2 전하를 띄는 고분자 전해질 즉, 양이온계 고분자 전해질은 예를 들어, PAH(Poly(allyamine)hydrochloride), PDDA(Polydiallyldimethylammonium) 또는 PEI(Poly(ethyleneimine))일 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
아울러, 상기 지지 기판(100)의 표면이 제2 전하를 띄도록 하는 방법으로서, 상기 지지 기판(100)을 상기 제2 전하를 띄는 고분자 전해질에 침지하는 딥 코팅 방법 이외에 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법이 사용될 수 있다.
다음으로, 도 1, 도 3a 및 도 3b를 함께 참조하면, 제1 전하를 띈 제1 그래핀 산화물층(200a) 상에 제2 전하를 띈 제2 그래핀 산화물층(200b)을 형성한다. (S12) 서로 다른 전하를 갖는 제1 및 제2 그래핀 산화물층(200a, 200b)은 상기 지지 기판(100) 상에 그래핀 산화물층(200)을 형성한다.
상기 제1 그래핀 산화물층(200a) 상에 상기 제2 그래핀 산화물층(200b)을 형성하기 위하여, 상기 제1 그래핀 산화물층(200a) 상에 제2 그래핀 산화물 용액을 코팅한다. 보다 구체적으로, 제2 전하를 띈 제2 그래핀 산화물 용액에 상기 제1 그래핀 산화물층(200a)이 형성된 지지 기판(100)을 침지시킨다. 아울러, 상기 제1 그래핀 산화물층(200a)에 상기 제2 그래핀 산화물 용액을 코팅하기 위한 방법으로서, 딥 코팅 이외에 아울러, 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법이 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 제1 그래핀 산화물층(200a) 상에 코팅된 제2 그래핀 산화물 용액을 건조시키는 건조 공정을 수행하여, 상기 제1 그래핀 산화물층(200a) 상에 제2 그래핀 산화물층(200b)을 형성한다. 상기 건조 공정은 약 80 ℃의 온도에서 약 1시간 동에 수행될 수 있다.
또한, 추가적으로 상기 건조 공정을 수행하기 이전에, 상기 제2 그래핀 산화물이 코팅된 상기 지지 기판(100)을 탈이온수(DI water;Deionized　water)를 이용하여 린스(Rinse)　공정을 수행할 수 있다.
전술한 제1 그래핀 산화물 용액은 제1 전하, 즉 음전하를 띄므로, 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액을 형성하기 위한 공정이 요구된다.
이를 위하여, 당업자에게 알려진 다양한 방법을 이용하여 제2 그래핀 산화물 용액을 형성할 수 있으며, 또한, 상기 제1 그래핀 산화물 용액을 이용하여 상기 제2 그래핀 용액을 형성할 수 있다.
즉, 음전하를 띄는 상기 제1 그래핀 산화물 용액에 H2SO4 용액, HNO3 용액 또는 HCL 용액을 넣어 양전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액을 형성할 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 양전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액을 형성하기 위한 다양한 다른 방법이 이용될 수 있음은 물론이다.
또한, 위에서는 상기 지지 기판(100)이 제2 전하 즉, 양전하를 띄도록, 제2 전하를 띄는 고분자 전해질에 상기 지지 기판(100)을 침지시키는 것을 설명하였다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 상기 지지 기판(100)이 제1 전하 즉, 음전하를 띄도록, 음이온계 고분자 전해질에 침지될 수도 있다. 상기 음이온계 고분자 전해질은 예를 들어, PSS(Poly(4-styrenesulfonate)) 또는 PAA(Poly(acrylic)acid)일 수 있다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다.
상기 지지 기판(100)이 제1 전하를 띄는 고분자 전해질에 침지되어 제1 전하를 띄는 경우, 상기 지지 기판(100) 상에 그래핀 산화물층을 용이하게 형성하기 위하여, 상기 지지 기판(100)을 제2 전하를 띈 제2 그래핀 산화물 용액에 침지시킨다. 그 후, 건조 공정을 거쳐 상기 제1 전하를 띈 지지 기판(100) 상에 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 형성할 수 있다.
제2 전하를 띄는 상기 제2 그래핀 산화물층 상에는 적층이 용이하도록 제1 전하를 띈 제1 그래핀 산화물층을 형성한다.
상기 제2 그래핀 산화물층 상에 제1 그래핀 산화물층을 형성하기 위하여, 상기 지지 기판(100)을 제1 그래핀 산화물 용액에 침지시킨 후 건조 공정을 수행한다. 이를 통하여, 상기 지지 기판(100) 상에 서로 다른 전하를 갖는 제2 그래핀 산화물층 및 제1 그래핀 산화물층으로 이뤄진 그래핀 산화물층을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 1, 도 4a, 및 도 4b를 함께 참조하면, 상기 그래핀 산화물층(200) 상에 플렉서블 기판(300)을 형성한다. (S13)
상기 플렉서블 기판(300)은 가요성이 있는 플라스틱 기판으로서, 폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET) 등으로 이루어진 군에서 선택된 물질로 이루어질 수 있다.
상기 플렉서블 기판(300)은 상기 그래핀 산화물층(200)을 고분자 물질로 코팅하고 상기 고분자 물질을 경화시켜 형성될 수 있으며, 상기 코팅방법은 프레이 코팅, 딥코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법일 수 있다. 그러나, 상기 그래핀 산화물층(200) 상에 상기 플렉서블 기판(300)을 형성하는 방법은 이에 한정되지 않고, 다른 방법에 의할 수도 있다.
다음으로, 도 1, 도 5a, 및 도 5b를 함께 참조하면, 상기 플렉서블 기판(300) 상에 순차적으로 디스플레이부(400) 및 봉지층(500)을 형성한다. (S14)
상기 디스플레이부(400)는 구동TFT부(미도시) 및 발광부(미도시)를 포함한다. 상기 봉지층(500)은 외부의 수분 또는 산소 등 외적 요인에 의한 디스플레이부(400)의 열화를 방지하기 위하여, 상기 디스플레이부(400)를 덮도록 형성된다. 상기 디스플레이부(400) 및 상기 봉지층(500)에 대해서는 도 8을 참조하여 자세히 후술한다.
다음으로, 도 1, 도 6a, 및 도 6b를 함께 참조하면, 상기 지지 기판(100)으로부터 상기 플렉서블 기판(300)을 분리한다. (S15)
상기 지지 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(300) 사이에는 서로 반대의 전하를 띈 제1 그래핀 산화물층(200a)과 제2 그래핀 산화물층(200b)이 형성되어 있다. 따라서, 서로 다른 전하의 제1 및 제2 그래핀 산화물층(200a, 200b) 간에는 약한 분자력의 일종인 반데르발스 힘이 작용한다. 또한, 상기 제1 및 제2 그래핀 산화물층(200a, 200b) 은 π-π 궤도 함수의 전자가 표면상에 넓게 퍼져 분포하므로, 매끈한 표면을 가질 수 있다.
따라서, 흡착력 예를 들어, 테이프를 이용하여, 상기 지지 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(300)을 쉽게 분리할 수 있다. 서로 분리된 상기 플렉서블 기판(300)의 하면에는 제2 그래핀 산화물층(200b)이 잔존할 수 있으며, 상기 지지 기판(100) 상에는 제1 그래핀 산화물층(200a)이 잔존할 수 있다.
도 7은 본 발명의 기술적 사상에 따른 지지 기판(100)으로부터 분리된 플렉서블 표시장치(10)를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 플렉서블 기판(300)의 하부에 제2 그래핀 산화물층(200b)이 잔존하는 것을 알 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 플렉서블 기판(300)의 하부에는 상기 지지 기판(100)으로부터 분리된 제2 그래핀 산화물층(200b) 및 제1 그래핀 산화물층(200a)이 잔존할 수도 있다.
또한, 상기 지지 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(300) 사이에 제1 전하를 띈 제1 그래핀 산화물층(200a)과 제2 전하를 띈 제2 그래핀 산화물층(200b)이 형성되는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 상기 제2 그래핀 산화물층(200b) 상에 제1 전화를 띈 제3 그래핀 산화물층(미도시)이 더 형성될 수 있음은 물론이다.
또한, 상기 그래핀 산화물층(200)이 제1 그래핀 산화물층(200a) 및 상기 제2 그래핀 산화물층(200b)으로 이루어진 두 개의 층으로 형성되어, 상기 플렉서블 기판(300)의 하면에 분리 공정 후, 단층(200a) 또는 두 개의 층(200a, 200b)이 잔존할 수 있다. 그러나, 상기 그래핀 산화물층이 서로 반대 전하를 갖도록 적층된 3개 이상의 그래핀 산화물층을 포함하는 경우, 상기 플렉서블 기판(300)의 하면에 잔존하는 그래핀 산화물층의 종류는 달라질 수 있다.
또한, 상기 지지 기판(100)과 상기 플렉서블 기판(300)의 분리를 위하여 레이저와 같은 포톤(photon) 에너지를 이용하지 않으므로, 상기 레이저에 의한 플렉서블 기판의 열화 등과 같은 문제점을 방지하여 플렉서블 표시장치의 신뢰성을 높일 수 있다.
도 8은 본 발명의 기술적 사상에 따른 디스플레이 표시장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8을 참조하면, 디스플레이부(400)는 화소 회로층(400a) 및 발광층(400b)를 포함한다.
상기 플렉서블 기판(300) 상에 구비된 화소 회로층(400a)은 상기 발광층(400b)에 형성되는 복수의 유기발광소자(OLED)를 구동시키는 구동 박막트랜지스터(TFT), 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 등을 포함할 수 있다.
탑 게이트형 박막 구동트랜지스터(TFT)가 구비될 경우, 상기 플렉서블 기판(300) 상에 반도체층(421), 게이트 절연막(413), 게이트 전극(422), 층간 절연막(414), 콘택홀(424), 소스 전극(423s) 및 드레인 전극(423d)이 차례로 형성된다.
상기 반도체층(421)은 폴리 실리콘으로 형성될 수 있으며, 이 경우 소정 영역이 불순물로 도핑될 수도 있다. 물론, 상기 반도체층(421)은 폴리 실리콘이 아닌 아모포스 실리콘으로 형성될 수도 있고, 나아가 펜타센 등과 같은 다양한 유기 반도체 물질로 형성될 수도 있다.
상기 구동 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(421), 게이트 전극(422), 소스 전극(423s) 및 드레인 전극(423d)을 포함한다.
또한, 상기 소스 및 드레인 전극(423s, 423d)의 상부에는 평탄화막(보호막 및/또는 패시베이션층)(415)이 구비되어 하부의 구동 박막트랜지스터(TFT)를 보호하고 평탄화시킨다.
상기 화소 회로층(400a) 상에 배치되며, 화소정의막(416)에 의하여 정의되는 유기발광소자(OLED)는 화소 전극(431), 상기 화소 전극(431) 상에 배치된 유기 발광층(432) 및, 상기 유기 발광층(432) 상에 형성된 대향 전극(433)을 포함한다.
본 실시예에서, 상기 화소 전극(431)은 애노드(anode)이고, 상기 대향 전극(433)은 캐소드(cathode)로 구성된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 플렉서블 표시장치(10) 의 구동 방법에 따라 상기 화소 전극(431)이 캐소드이고, 상기 대향 전극(433)이 애노드일 수도 있다. 상기 화소 전극(431) 및 상기 대향 전극(433)으로부터 각각 정공과 전자가 상기 유기 발광층(432) 내부로 주입되어 결합함으로써 광을 방출한다.
상기 화소 전극(431)은 상기 화소 회로층(400a)에 형성된 구동 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결된다.
본 실시예에서는, 상기 발광층(400b)이 구동 박막트랜지스터(TFT)가 배치된 화소 회로층(400a) 상에 배치된 구조에 관하여 기재하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상기 발광층(400b)의 상기 화소 전극(431)이 상기 구동 박막트랜지스터(TFT)의 상기 반도체층(421)과 동일 층에 형성된 구조, 또는 상기 화소 전극(431)이 상기 게이트 전극(422)과 동일 층에 형성된 구조, 또는 상기 화소 전극(431)이 상기 소스 전극(423s) 및 상기 드레인 전극(423d)과 동일 층에 형성된 구조 등 다양한 형태로 변형이 가능하다.
또한, 본 실시예에서 구동 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 전극(422)이 상기 반도체층(421) 상에 배치되지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 상기 게이트 전극(422)이 상기 반도체층(421)의 하부에 배치될 수도 있다.
본 실시예의 상기 유기발광소자(OLED)에 구비된 상기 화소 전극(431)은 반사 전극을 포함할 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 화소 전극(431)은 투명 또는 반투명 전극층을 포함할 수 있다.
상기 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
상기 화소 전극(431)과 대향되도록 배치된 상기 대향 전극(433)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O-3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
상기 화소 전극(431)과 상기 대향 전극(433)의 사이에는 유기 발광층(432)이 배치되며, 상기 유기 발광층(432)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
상기 화소 전극(431)과 상기 대향 전극(433)의 사이에는 상기 유기 발광층(432) 이외에, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 중간층이 선택적으로 배치될 수 있다.
상기 유기 발광층(432)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 상기 화소 전극(431)에 의해 반사되어, 상기 대향 전극(433) 측으로 방출되는 전면 발광형일 수 있다.
그러나, 본 발명의 플렉서블 표시장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 상기 유기 발광층(432)에서 방출된 광이 상기 플렉서블 기판(300) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 상기 화소 전극(431)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 상기 대향 전극(433)은 반사 전극으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 플렉서블 표시장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
상기 화소 회로층(400a)을 덮도록 형성되는 상기 봉지층(500)은 하나 이상의 유기층과 하나 이상의 무기층이 상호 교번하여 적층 형성될 수 있다.
상기 봉지층(500)는 외부의 수분과 산소 등이 상기 유기발광소자(OLED)에 침투하는 것을 방지하는 기능을 수행한다.
상기 무기층 또는 상기 유기층은 각각 복수 개일 수 있다.
상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함한다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 봉지층(500) 중 외부로 노출된 최상층은 유기발광소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 잇다.
상기 봉지층(500)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
상기 봉지층(500)은 상기 디스플레이부(400)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층(500)은 상기 디스플레이부(400)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 봉지층(500)은 상기 디스플레이부(400)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 디스플레이부(400)와 상기 제1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제1 무기층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 디스플레이부가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 플렉서블 표시장치 100: 지지 기판
200: 그래핀 산화물층 200a: 제1 그래핀 산화물층
200b: 제2 그래핀 산화물층 300: 플렉서블 기판
400: 디스플레이부 400b: 발광층
400a: 화소 회로층 413: 게이트 절연막
414: 층간 절연막 416: 화소정의막
421: 반도체층 422: 게이트 전극
423d: 드레인 전극 423s: 소스 전극
424: 콘택홀 431: 화소 전극
432: 유기 발광층 433: 대향 전극
500: 봉지층

Claims (31)

  1. 지지 기판을 준비하는 단계;
    상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계;
    상기 제1 그래핀 산화물층 상에 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계;
    상기 제2 그래핀 산화물층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
    상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및
    상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;
    를 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판은,
    유리 기판, 고분자 필름 또는 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계는,
    제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액을 상기 지지 기판에 코팅하는 단계; 및
    상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판에 건조 공정을 수행하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 그래핀 산화물 용액을 상기 지지 기판에 코팅하는 단계는,
    딥 코팅, 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법을 사용하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액을 상기 지지 기판에 코팅하는 단계;와 상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판에 건조 공정을 수행하는 단계; 사이에,
    상기 제1 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판을 탈이온수(DI water;Deionized　water)를 이용하여 린스(Rinse)　공정을 수행하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 그래핀 산화물층 상에 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 형성하는 단계는,
    제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액을 준비하는 단계;
    상기 제2 그래핀 산화물 용액으로 상기 제1 그래핀 산화층을 코팅하는 단계; 및
    상기 제2 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 제1 그래핀 산화층에 건조 공정을 수행하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 그래핀 산화물 용액으로 상기 제1 그래핀 산화층을 코팅하는 단계는,
    딥 코팅, 스프레이 코팅, 스핀코팅, 스크린 코팅, 옵셋 인쇄, 잉크젯 프린팅, 패드 프린팅, 나이프코팅, 키스코팅, 그라비아 코팅, 붓질, 초음파 미쇄분무코팅, 및 스프레이-미스트 분무코팅 중 선택된 어느 하나의 방법을 사용하여 코팅하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제2 그래핀 산화물 용액으로 상기 제1 그래핀 산화층을 코팅하는 단계;와 상기 제2 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 제1 그래핀 산화층에 건조 공정을 수행하는 단계; 사이에,
    상기 제2 그래핀 산화물 용액이 코팅된 상기 지지 기판을 탈이온수(DI water;Deionized　water)를 이용하여 린스(Rinse)　공정을 수행하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물 용액은,
    제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물 용액에 황산 용액을 넣어서 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 용액을 형성하며,
    상기 제1 전하는 음전하, 상기 제2 전하는 양전하인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판을 준비하는 단계;와 상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 사이에,
    상기 지지 기판을 고분자 전해질에 침지하여, 상기 지지 기판의 표면이 제2 전하를 띄도록 하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 전하는 음전하이고, 상기 제2 전하는 양전하이며,
    상기 고분자 전해질은, 양이온계 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 양이온계 고분자 전해질은,
    PAH(Poly(allyamine)hydrochloride), PDDA(Polydiallyldimethylammonium) 또는 PEI(Poly(ethyleneimine))인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 전하는 양전하이고, 상기 제2 전하는 음전하이며,
    상기 고분자 전해질은, 음이온계 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 음이온계 고분자 전해질은,
    PSS(Poly(4-styrenesulfonate)) 또는 PAA(Poly(acrylic)acid)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;
    상기 제1 그래핀 산화물층과 상기 제2 그래핀 산화물층이 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은,
    폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계는,
    흡착력을 이용하여 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전하를 띄는 상기 제1 그래핀 산화물층과 상기 제2 전하는 띄는 상기 제2 그래핀 산화물층은,
    반데르발스 힘에 의하여 서로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조 방법.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및 상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계; 사이에,
    상기 디스플레이 상에 봉지층을 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  20. 지지 기판을 준비하는 단계;
    상기 지지 기판 상에 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층 및 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 서로 교번하도록 적층하여 그래핀 산화물층을 형성하는 단계;
    상기 그래핀 산화물층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
    상기 플렉서블 기판 상에 디스플레이부 및 봉지층을 순차적으로 형성하는 단계; 및
    상기 지지 기판과 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계;
    를 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 지지 기판을 준비하는 단계;와 상기 그래핀 산화물층을 형성하는 단계; 사이에,
    상기 지지 기판을 제2 전하를 띄는 고분자 전해질에 침지하여, 상기 지지 기판의 표면이 제2 전하를 띄도록 하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제1 전하는 음전하이고, 상기 제2 전하는 양전하이며,
    상기 고분자 전해질은, 양이온계 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 양이온계 고분자 전해질은,
    PAH(Poly(allyamine)hydrochloride), PDDA(Polydiallyldimethylammonium) 또는 PEI(Poly(ethyleneimine))인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 제1 전하는 양전하이고, 상기 제2 전하는 음전하이며,
    상기 고분자 전해질은, 음이온계 고분자 전해질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 음이온계 고분자 전해질은,
    PSS(Poly(4-styrenesulfonate)) 또는 PAA(Poly(acrylic)acid)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  26. 플렉서블 기판;
    상기 플렉서블 기판의 하면에 형성된 전하를 띄는 그래핀 산화물층;
    상기 플렉서블 기판 상에 형성되는 디스플레이부; 및
    상기 디스플레이부를 덮도록 형성된 봉지층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 전하를 띄는 그래핀 산화물층은,
    제1 전하 또는 제2 전하를 띄는 단일층의 그래핀 산화물층인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 전하를 띄는 그래핀 산화물층은,
    서로 교번하여 형성된 제1 전하를 띄는 제1 그래핀 산화물층 및 제2 전하를 띄는 제2 그래핀 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 디스플레이부는,
    상기 기판 상에 형성되며, 복수의 구동 박막트랜지스터를 포함하는 화소 회로층; 및
    상기 화소 회로층 상에 형성되며, 복수의 유기발광소자를 포함하는 발광층;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  30. 제20항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은,
    폴리에스테르(polyester), 폴리비닐(polyvinyl), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리아세테이트(polyacetate), 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulphone; PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate; PAR), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthelate; PEN) 및 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethyleneterephehalate; PET)로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
  31. 제20항에 있어서,
    상기 봉지층은,
    무기막과 유기막이 서로 교번하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9923157B2 (en) 2015-08-10 2018-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display
KR20180055641A (ko) 2016-11-14 2018-05-25 (주)씨앤켐 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자
KR20180055642A (ko) 2016-11-14 2018-05-25 (주)씨앤켐 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자
KR20190053313A (ko) * 2017-11-09 2019-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20190093232A (ko) * 2018-01-31 2019-08-09 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
US10692890B2 (en) 2018-02-19 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device, stacked substrate including the same, and method for manufacturing the display device
KR20200105098A (ko) 2019-02-28 2020-09-07 김용석 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자
US11145846B2 (en) 2019-04-02 2021-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing display device
US11276831B2 (en) 2018-11-09 2022-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and manufacturing method thereof
US11588141B2 (en) 2020-01-20 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015036797A (ja) * 2013-08-15 2015-02-23 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
TWI583043B (zh) * 2014-03-31 2017-05-11 長興材料工業股份有限公司 電解質組合物
CN106784311A (zh) * 2016-12-27 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 柔性面板及其制作方法
CN107910458B (zh) 2017-11-21 2020-03-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 柔性显示基板及其制作方法、显示面板
KR102356595B1 (ko) 2017-11-28 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 장치의 제조방법 및 제조장치
US11786346B2 (en) 2019-01-11 2023-10-17 Trion Concepts, Inc. Bone-mounted dental arch veneers and methods for fabricating and utilizing the same
KR20210041671A (ko) * 2019-10-07 2021-04-16 삼성디스플레이 주식회사 기능화된 그래핀 옥사이드를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 적층 구조의 형성 방법 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
CN112002704A (zh) * 2020-08-07 2020-11-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法与柔性显示装置
KR20220094294A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220108855A (ko) 2021-01-27 2022-08-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114850010B (zh) * 2022-05-17 2023-08-04 伊诺福科光学技术有限公司 石墨烯超材料三维保形涂层的制备方法及三维保形涂层

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090169819A1 (en) * 2007-10-05 2009-07-02 Paul Drzaic Nanostructure Films
JP2009194039A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Rohm Co Ltd フレキシブル基板及びその製造方法
KR20110062382A (ko) 2009-12-03 2011-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
US20110195239A1 (en) * 2008-10-17 2011-08-11 Nobuaki Takane Film having low refractive index film and method for producing the same, anti-relection film and method for producing the same, coating liquid set for low refractive index film, substrate having microparticle-laminated thin film and method for producing the same, and optical member
KR101093133B1 (ko) * 2011-05-12 2011-12-12 한국기계연구원 무기고체층을 포함하는 플렉서블 장치 및 그 제조 방법
KR20120031698A (ko) * 2010-09-27 2012-04-04 엘지디스플레이 주식회사 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법
KR101142525B1 (ko) * 2011-03-17 2012-05-07 한국전기연구원 그래핀을 이용한 플렉시블 디스플레이의 제조방법 그리고 이를 이용한 디스플레이
KR20120045682A (ko) * 2010-10-30 2012-05-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블한 유기전계 발광소자 제조 방법
US20120141799A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Francis Kub Film on Graphene on a Substrate and Method and Devices Therefor
US20120171108A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-05 Korea Institute Of Science And Technology Method for fabricating graphene sheets or graphene particles using supercritical fluid
US20120208027A1 (en) * 2008-03-20 2012-08-16 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Reduced graphene oxide film
KR20120100274A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시장치의 제조 방법
KR101188988B1 (ko) * 2011-05-23 2012-10-08 한양대학교 산학협력단 그래핀 박막의 분리 방법
KR20120127074A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 현대자동차주식회사 폴리우레탄과 알루미늄의 접착을 위한 접착제

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3242452B2 (ja) * 1992-06-19 2001-12-25 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
US7141348B2 (en) 2003-05-23 2006-11-28 Intelleflex Corporation Lamination and delamination technique for thin film processing
US20070210420A1 (en) 2006-03-11 2007-09-13 Nelson Curt L Laser delamination of thin metal film using sacrificial polymer layer
KR101119913B1 (ko) 2009-10-30 2012-03-05 삼성전자주식회사 그래핀 박막을 포함하는 전자 소자 및 그 제조 방법
KR101206352B1 (ko) 2011-05-26 2012-11-29 경희대학교 산학협력단 플렉서블 기판의 제조방법
CN102769109B (zh) * 2012-07-05 2015-05-13 青岛海信电器股份有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
US8916451B2 (en) * 2013-02-05 2014-12-23 International Business Machines Corporation Thin film wafer transfer and structure for electronic devices
US10822725B2 (en) * 2013-04-15 2020-11-03 Global Graphene Group, Inc. Continuous graphitic fibers from living graphene molecules
US9337274B2 (en) * 2013-05-15 2016-05-10 Globalfoundries Inc. Formation of large scale single crystalline graphene

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090169819A1 (en) * 2007-10-05 2009-07-02 Paul Drzaic Nanostructure Films
JP2009194039A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Rohm Co Ltd フレキシブル基板及びその製造方法
US20120208027A1 (en) * 2008-03-20 2012-08-16 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Reduced graphene oxide film
US20110195239A1 (en) * 2008-10-17 2011-08-11 Nobuaki Takane Film having low refractive index film and method for producing the same, anti-relection film and method for producing the same, coating liquid set for low refractive index film, substrate having microparticle-laminated thin film and method for producing the same, and optical member
KR20110062382A (ko) 2009-12-03 2011-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120031698A (ko) * 2010-09-27 2012-04-04 엘지디스플레이 주식회사 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법
KR20120045682A (ko) * 2010-10-30 2012-05-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블한 유기전계 발광소자 제조 방법
US20120141799A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Francis Kub Film on Graphene on a Substrate and Method and Devices Therefor
US20120171108A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-05 Korea Institute Of Science And Technology Method for fabricating graphene sheets or graphene particles using supercritical fluid
KR20120100274A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시장치의 제조 방법
KR101142525B1 (ko) * 2011-03-17 2012-05-07 한국전기연구원 그래핀을 이용한 플렉시블 디스플레이의 제조방법 그리고 이를 이용한 디스플레이
KR101093133B1 (ko) * 2011-05-12 2011-12-12 한국기계연구원 무기고체층을 포함하는 플렉서블 장치 및 그 제조 방법
KR20120127074A (ko) * 2011-05-13 2012-11-21 현대자동차주식회사 폴리우레탄과 알루미늄의 접착을 위한 접착제
KR101188988B1 (ko) * 2011-05-23 2012-10-08 한양대학교 산학협력단 그래핀 박막의 분리 방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9923157B2 (en) 2015-08-10 2018-03-20 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing flexible display
KR20180055641A (ko) 2016-11-14 2018-05-25 (주)씨앤켐 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자
KR20180055642A (ko) 2016-11-14 2018-05-25 (주)씨앤켐 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자
KR20190053313A (ko) * 2017-11-09 2019-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US10930895B2 (en) 2017-11-09 2021-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US11832503B2 (en) 2017-11-09 2023-11-28 Samsung Display Co. Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US11647665B2 (en) 2018-01-31 2023-05-09 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing flexible display device
KR20190093232A (ko) * 2018-01-31 2019-08-09 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법
US10886480B2 (en) 2018-01-31 2021-01-05 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing flexible display device
US10692890B2 (en) 2018-02-19 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Display device, stacked substrate including the same, and method for manufacturing the display device
US11276831B2 (en) 2018-11-09 2022-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus and manufacturing method thereof
KR20200105098A (ko) 2019-02-28 2020-09-07 김용석 플렉시블 전자 소자의 제조방법 및 그로부터 제조된 플렉시블 전자 소자
US11145846B2 (en) 2019-04-02 2021-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method for manufacturing display device
US11588141B2 (en) 2020-01-20 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same

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