KR20140148379A

KR20140148379A - 감광성 수지 조성물, 및 이것을 사용한 가공 유리 기판의 제조 방법, 및 터치 패널 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20140148379A
Application number: KR1020147025839A
Authority: KR
Inventors: 마사토시 야마구치; 토시히코 타카사키; 야스시 스기모토; 타케오 토미야마; 타카코 에지리; 카즈노리 야마모토; 타쿠 카와구치; 야스히로 세리; 마유미 사토
Original assignee: 히타치가세이가부시끼가이샤
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2013-03-21
Publication date: 2014-12-31
Also published as: CN104204948A; TW201407280A; JPWO2013141286A1; WO2013141286A1

Abstract

유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 조성물이 개시된다. 그 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제 및 (D)실란 화합물을 함유하고, 상기 (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함한다.

Description

감광성 수지 조성물, 및 이것을 사용한 가공 유리 기판의 제조 방법, 및 터치 패널 및 그 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING PROCESSED GLASS SUBSTRATE USING SAME, AND TOUCH PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은, 감광성 수지 조성물, 및 이것을 사용한 가공 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 터치 패널 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 관련되는 터치 패널은, 액정 디스플레이, 유기 EL디스플레이 등에 있어서 사용할 수 있다.

포토패브리케이션(photofabrication)이란, 감광성 수지 조성물을 가공물 표면에 도포하고, 포토리소그래피(photolithography) 기술에 의해 감광성 수지 조성물의 도막을 패터닝하여 레지스터를 형성하고, 이것을 마스크로 하여 가공물 표면을 화학 에칭, 전해 에칭 또는 전기도금을 주체로 하는 일렉트로포밍(electroforming) 기술을 단독으로 또는 조합하여 각종 정밀 부품을 제조하는 기술의 총칭이다. 포토패브리케이션은, 현재의 정밀 미세 가공 기술의 주류(主流)가 되고 있다.

최근, 전자기기의 다운사이징에 수반하여, 반도체 집적회로(LSI)의 고집적화, 다층화가 급격하게 진행되고 있고, LSI를 전자기기에 탑재하기 위한 기판에의 다핀 실장(實裝) 방법이 요구되고 있다. 그 때문에, TAB(Tape Automated Bonding) 방식 또는 플립 칩 방식에 의한 베어 칩(bare chip) 실장 등이 주목되고 있다. 이러한 고밀도 실장에 있어서는, 가공의 미세화가 진행되고 있다.

예를 들면, 유기 전계 발광 디스플레이(OELD)의 배면 캡에 있어서는, 패널을 박형화하기 위해, 배면 캡으로서 유리를 사용하는 것이 검토되고 있다. 이 유리제의 배면 캡은, 유리 기판을 에칭에 의해 가공하여 제조된다. 예를 들면, 유리 기판 표면의 일부를 덮는, 감광성 수지 조성물로 이루어지는 레지스터(포토레지스트막)를 형성하고, 원하는 영역만을 불화수소산을 성분으로 하는 에칭액으로 에칭한다. 또한, 스마트폰 및 모바일 PC의 터치 패널의 커버 유리에 사용되고 있는 강화유리는, 강화 처리 전후에 루터 등의 방법을 사용하여 가공된다.

레지스터를 형성하기 위한 재료로서, 종래, 여러 가지의 감광성 수지 조성물이 사용되고 있다. 예를 들면, 에틸렌성 불포화 이중 결합을 측쇄에 가지는 아크릴 수지와, 폴리실란과, 광증감제를 함유하는 것을 특징으로 하는 광경화성 레지스터 수지 조성물이 제안되고 있다(특허문헌 1 참조).

그런데, 특허문헌 2에서는, (A)불포화기 함유 알칼리 가용성 수지, (B)에틸렌성 불포화 이중 결합을 가지는 화합물 및 (C)방사선 라디칼 중합 개시제를 함유하는 감방사선성 수지 조성물, 및 그 조성물을 사용한 금속 패턴의 제조 방법이 제안되어 있다. 여기서는 금속 패턴을 형성하기 위해 요구되는 특성을 가진 감방사선성 수지 조성물에 관하여 기술되어 있지만, 그 조성물은, 유리 기판을 에칭하기 위해 사용되는 것은 아니다.

한편, 종래의 터치 패널에 있어서는, 액정 패널 등을 보호하기 위해, 유리 기판 등의 투명 커버 기재(基材)가 설치되어 있다. 이러한 투명 커버 기재의 이면(裏面) 측(입력면과는 반대의 면측)에는, 장식을 목적으로 하여 가식부(加飾部)가 설치되는 경우가 있다. 그 경우, 통상, 터치 패널 센서는, 입력면으로부터 보아서 가식부보다 더 안쪽에 배치된다.

가식부는, 예를 들면, 폴리머를 주성분으로 하는 잉크를 사용하여 형성된다. 그 때문에, 일반적으로, 잔류 유기용제 또는 수지 바인더의 분해에 의한 저분자 가스의 배출 방지를 목적으로 하여, 가식부를 덮는 오버코트층이 설치된다. 터치 패널 센서는, 오버코트층 위에 배치된다.

액정 패널 등을 보호하기 위해, 액정 패널과 투명 커버 기재를 접합시키는 방법에 관하여, 많은 제안이 이루어지고 있다(예를 들면, 특허문헌 3, 특허문헌 4를 참조). 또한, 터치 패널의 제조 방법으로서는, 상기 가식부가 형성되는 전(前) 단계에서, 투명 커버 기재에 가식부와 동일 형(型) 동일 치수의 오목부(凹部)를 형성하고, 그 위치에 가식부를 형성하는 방법이 제안되고 있다(특허문헌 5).

특허문헌 1 : 일본 특허공개 특개2005-164877호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허공개 특개2003-241372호 공보 특허문헌 3 : 일본 특허공개 특개2007-178758호 공보 특허문헌 4 : 일본 특허공개 특개2009-69321호 공보 특허문헌 5 : 일본 특허공개 특개2012-73726호 공보

레지스터를 마스크로서 사용하여 유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭하는 경우에 있어서, 에칭 중의 레지스터의 밀착성과, 에칭 후의 유리 기판으로부터의 박리성의 양쪽 모두를 만족하는 것은, 종래에 매우 곤란하였다. 예를 들면, 특허문헌 1의 조성물은, 유리 기판에 대한 밀착성은 양호하지만, 밀착성이 좋기 때문에 레지스터의 박리성에 곤란함이 있었다.

레지스터의 유리 기판과의 밀착성이 부족하면, 사이드 에칭량이 증가하기 때문에, 에칭 가공의 정밀도에 지장을 초래하는 경우가 있다. 또한, 불화수소는 분자량이 20으로 작기 때문에, 침투성이 높고, 레지스터의 내부에 침투하기 쉽다. 레지스터 내부에 침투한 불화수소가 유리 기판에 도달하면, 레지스터가 벗겨질 가능성이 있다.

그래서, 본 발명은, 유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되었을 때에, 불화수소산에 의한 에칭 중은 유리 기판과의 밀착을 유지하면서, 에칭 후는 유리 기판으로부터 용이하게 박리할 수 있는 레지스터를 형성하는 것이 가능한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.

또한, 특허문헌 5의 터치 패널의 제조 방법의 경우, 터치 패널 센서의 단선(斷線)이 발생하기 쉬운 경향이 있어, 실용상 충분한 제품 수율을 얻을 수 없는 경우가 있다는 것이 분명해졌다. 이는, 액상의 레지스터를 사용하고 있기 때문에, 에칭에 의해 유리 기판을 깊게 파는 것이 곤란하다는 것이 주된 요인이라고 생각된다.

그래서, 본 발명의 다른 목적은, 가식부를 가지는 터치 패널의 제조 방법에 있어서, 터치 패널 센서의 단선의 발생을 억제하는 데 있다.

본 발명은, 유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 혹은, 본 발명은, 유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 조성물로서의 조성물의 응용, 또는 그 감광성 수지 조성물의 제조를 위한 조성물의 응용에 관한 것이다.

하나의 측면에 있어서, 본 발명에 관련되는 감광성 수지 조성물은, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제 및 (D)실란 화합물을 함유하고, (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환(環)을 가지는 화합물을 포함한다. 혹은, 본 발명에 관련되는 감광성 수지 조성물은, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유하고, (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하고, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 함유량이, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 25∼40질량부이어도 된다.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 구성을 가짐으로써, 불화수소산에 의한 에칭 중은 유리 기판과의 밀착을 유지하면서, 에칭 후는 유리 기판으로부터 용이하게 박리할 수 있는 레지스터를 형성하는 것이 가능하다.

유리 기판과의 밀착력, 박리성, 및 내불화수소산성의 관점, 및 감광성 수지 조성물의 유연성의 관점으로부터, (D)실란 화합물의 함유량은, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.5∼12질량부이어도 된다.

(B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 일부 또는 전부가, 수산기를 더 가지고 있어도 된다.

본 발명에 관련되는 감광성 수지 조성물은 필름상(狀)이어도 된다. 즉, 본 발명은, 그 감광성 수지 조성물로 이루어지는 감광성 수지 필름을 제공할 수 있다.

본 발명은 또한, 유리 기판의 표면의 일부를 덮는 레지스터를, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 공정과, 레지스터를 마스크로 하여, 유리 기판의 표면을 불화수소산에 의해 에칭하는 공정을 구비하는, 가공된 유리 기판의 제조 방법을 제공한다.

상기 제조 방법에 의하면, 루터 등을 사용할 필요가 없다는 점에서 높은 생산성을 얻을 수 있다. 또한, 매끄러운 가공면을 가지며, 강도가 뛰어난 유리 기판을 제조할 수 있다.

상기 제조 방법은, 유리 기판의 표면을 불화수소산에 의해 에칭하는 공정 후, 가열에 의해 레지스터를 제거하는 공정을 더 구비하고 있어도 된다. 이러한 공정을 구비함으로써, 레지스터를 유리 기판으로부터 용이하게 제거할 수 있기 때문에, 보다 높은 생산성을 얻을 수 있다.

본 발명의 터치 패널의 제조 방법은, 터치 패널 센서와, 터치 패널 센서에 대향하는 투명 커버 기재를 구비하며, 투명 커버 기재 측에 입력면을 가지는 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 하나의 측면에 있어서, 본 발명의 터치 패널의 제조 방법은, 투명 커버 기재의, 그 터치 패널에 있어서 상기 터치 패널 센서측의 표면이 되는 이면의 일부를 덮는 레지스터를, 감광성 수지 필름을 사용하여 형성하는 공정과, 레지스터를 마스크로서, 이면을 에칭하여 깊이 40㎛ 이상의 오목부를 형성하는 공정과, 레지스터를 제거하는 공정과, 오목부의 일부 또는 전부에 충전되는 가식부를 형성하는 공정과, 이면 측에서 상기 투명 커버 기재 위로부터 가식부 위까지 연재(延在)하는 오버코트층을 형성하는 공정과, 오버코트층 위에 터치 패널 센서를 배치하는 공정을 구비하고 있다.

상기 본 발명에 관련되는 제조 방법에 의하면, 가식부를 가지는 터치 패널을, 터치 패널 센서의 단선의 발생을 충분히 억제하면서 제조하는 것이 가능하다. 오목부를 충전하는 가식부를 형성할 때, 오목부와 동일 형 동일 치수의 가식부를 형성하는 것을 의도하려고 했더라도, 실제로는 가식부와 투명 커버 기재와의 경계에서 미소한 단차(段差)가 형성되는 경우가 있다. 이 단차를 반영하여, 오버코트층 표면에도 단차가 형성될 수 있다. 오버코트층 표면의 단차가 예상보다 크면, 그곳에 형성되는 터치 패널 센서의 단선이 발생되기 쉽다고 생각된다. 에칭에 의해 형성되는 오목부의 깊이는, 일반적으로는 20㎛ 이하 정도이지만, 40㎛ 이상의 깊이의 오목부를 투명 커버 기재 표면에 형성함으로써, 가식부와 투명 커버 기재와의 경계의 단차를 과도하게 크게 하지 않고, 용이하게 가식부를 형성할 수 있다. 오목부의 깊이가 40㎛ 미만이면, 예를 들면, 가식부를 형성하기 위해 사용되는 잉크가 고점도인 경우는 특히, 단차를 설계상 문제 없는 범위까지 작게 하는 것은 곤란하다.

감광성 수지 필름의 두께는 10∼200㎛이어도 된다. 투명 커버 기재는 유리 기판이어도 된다.

감광성 수지 필름은, 예를 들면, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제, 및 (D)실란 화합물을 함유한다. 광중합성 화합물은, 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하고 있어도 된다. 이들 성분을 함유하는 감광성 수지 필름을 사용하여 형성되는 레지스터를 마스크로 하여 에칭함으로써, 깊이 40㎛ 이상의 오목부를 용이하게 형성할 수 있다.

상기 가식부는, 입력면에 수직한 방향에서 보았을 때에, 입력면의 주연부(周緣部)와 겹치도록 설치되어 있어도 된다.

본 발명은 또한, 상기 제조 방법에 의해 얻을 수 있는 터치 패널을 제공한다.

본 발명에 의하면, 레지스터를 마스크로서 사용하면서, 유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때에, 불화수소산에 의한 에칭 중은 레지스터와 유리 기판과의 밀착을 유지하면서, 에칭 후는 레지스터를 유리 기판으로부터 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 매끄러운 가공면을 가지며, 강도가 뛰어난 가공된 유리 기판을 높은 생산성으로 제조할 수 있다. 또한, 강화유리를, 강화 전(前) 마더 유리(mother glass)로부터 1매씩 루터로 가공할 필요가 없기 때문에, 보다 한층 생산성 향상이 가능하다. 얻어지는 가공 유리 기판의 가공면이 매끄럽다는 점에서, 거친 표면을 기점으로 하는 파손을 억제할 수도 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 가식부를 가지는 터치 패널의 제조 방법에 있어서, 터치 패널 센서의 단선의 발생을 억제할 수 있다. 그 결과, 터치 패널을 고품위로 안정하게 제조할 수 있다.

도 1은 가공 유리 기판의 일 실시형태를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선 단면도이다.
도 3은 가공 유리 기판의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 터치 패널의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 5는 터치 패널의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 6은 터치 패널의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 7은 터치 패널의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.

이하, 적절히 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 적절히 변형이 가능하다. 도면의 설명에 있어서 중복되는 설명은 적절히 생략된다. 도면은 이해를 용이하게 하기 위해 일부를 과장하여 도시하고 있으며, 치수 비율은 설명의 것과는 반드시 일치하지 않는다.

본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, 유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용된다. 해당 용도의 상세(詳細)에 대하여는 후술한다.

일 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제 및 (D)실란 화합물을 함유한다. (B)광중합성 화합물은, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하고 있어도 된다.

다른 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유한다. (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하고, (B1)성분의 함유량이, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 25∼40질량부이어도 된다.

(A)바인더 폴리머는, 예를 들면, 아크릴계 수지((메타)아크릴산 에스테르를 단량체 단위로서 포함하는 호모폴리머 또는 코폴리머), 스티렌계 수지(스티렌을 단량체 단위로서 포함하는 호모폴리머 또는 코폴리머), 에폭시계 수지, 아미드계 수지, 아미드 에폭시계 수지, 알키드계 수지, 및 페놀계 수지로부터 선택된다. 알칼리 현상성의 관점에서는, 아크릴계 수지가 바람직하다. 이들 폴리머는 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 바인더 폴리머로서 사용할 수 있다. 2종류 이상의 폴리머의 조합의 예로서는, 다른 공중합 성분으로 이루어지는 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 중량평균분자량의 2종류 이상의 바인더 폴리머, 다른 분산도의 2종류 이상의 바인더 폴리머를 들 수 있다. 일본 특허공개 평11-327137호 공보 기재의 멀티 모드 분자량 분포를 가지는 폴리머를 사용할 수도 있다. 필요에 따라, 바인더 폴리머는 감광성기를 가지고 있어도 된다.

아크릴계 수지 및 스티렌계 수지는, 예를 들면, 중합성 단량체를 라디칼 중합시킴으로써 제조할 수 있다. 중합성 단량체는, 예를 들면, 스티렌; 비닐톨루엔,α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-에틸스티렌 등의 중합 가능한 스티렌 유도체; 아크릴아미드; 아크릴로니트릴; 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에스테르; (메타)아크릴산 알킬 에스테르; (메타)아크릴산 테트라히드로푸루푸릴 에스테르; (메타)아크릴산 디메틸아미노에틸에스테르; (메타)아크릴산 디에틸아미노에틸에스테르; (메타)아크릴산 글리시딜 에스테르; (메타)아크릴산 2,2,2-트리플루오로에틸; (메타)아크릴산 2,2,3,3-테트라플루오로프로필; (메타)아크릴산; α-브로모(메타)아크릴산; α-크롤(메타)아크릴산; β-푸릴(메타)아크릴산; β-스티릴(메타)아크릴산; 말레산; 말레산 무수물; 말레산 모노메틸, 말레산 모노에틸, 말레산 모노이소프로필 등의 말레산 모노에스테르; 푸말산; 계피산; α-시아노계피산; 이타콘산; 크로톤산; 프로피올산으로부터 선택된다. 아크릴계 수지 및 스티렌계 수지는, 이들 단량체를 단독으로 사용하여 얻어지는 호모폴리머이어도 되고, 2종류 이상을 조합하여 얻어지는 코폴리머이어도 된다.

본 명세서에 있어서 (메타)아크릴산이란, 아크릴산 및 그에 대응하는 메타크릴산을 의미한다. (메타)아크릴산 에스테르 등의 다른 유사한 표현에 관하여도 동일하다.

(메타)아크릴산 알킬 에스테르로서는, 필름 형성성과 접착성의 관점으로부터, 알킬기의 탄소수가 1∼10인 (메타)아크릴산 알킬 에스테르를 선택할 수 있다. 알킬기의 탄소수가 1∼10인 (메타)아크릴산 알킬 에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 헵틸, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, 및 이들의 구조 이성체를 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

바인더 폴리머는, 알칼리 현상성의 견지로부터, 카르복실기를 가지고 있어도 된다. 카르복실기를 가지는 바인더 폴리머는, 예를 들면, 카르복실기를 가지는 중합성 단량체와 그 외의 중합성 단량체를 라디칼 중합시킴으로써 제조할 수 있다. 카르복실기를 가지는 중합성 단량체로서는, 안정성의 관점으로부터 (메타)아크릴산을 선택할 수 있다.

바인더 폴리머의 산가는, 현상 시간의 관점으로부터 30mgKOH/g 이상, 또는 45mgKOH/g 이상이어도 된다. 바인더 폴리머의 산가는, 레지스터의 내현상액성의 관점으로부터 250mgKOH/g 이하, 또는 200mgKOH/g 이하이어도 된다. 현상 공정으로서 용제에 의한 현상을 실시하는 경우는, 카르복실기를 가지는 중합성 단량체의 사용량을 억제하여 바인더 폴리머를 조제할 수 있다.

바인더 폴리머의 중량평균분자량(겔 침투 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스티렌을 사용한 검량선에 의해 환산된 값)은, 내현상액성의 관점으로부터 20000 이상, 25000 이상, 또는 30000 이상이어도 된다. 현상 시간을 짧게 할 수 있는 관점으로부터, 바인더 폴리머의 중량평균분자량은 300000 이하, 150000 이하, 또는 100000 이하이어도 된다.

(B)성분의 광중합성 화합물은, 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하고 있어도 된다. 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 레지스터에 의하면, 에칭액에 의한 박리를 발생하기 어렵기 때문에, 깊이 40㎛ 이상의 오목부를 용이하게 형성할 수 있다.

불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물은, 수산기를 더 가지고 있어도 된다. (B)성분의 광중합성 화합물은, 불포화기 및 이소시아눌환을 가지며, 수산기를 가지지 않는 화합물과, 수산기, 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 양쪽 모두 포함할 수도 있다.

불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물로서는, 밀착성의 관점으로부터, 예를 들면, 일반식(I)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

식(I) 중, R¹은, 하기 식(II), (III), 또는 (IV)로 표시되는 기를 나타내며, R¹ 중 적어도 하나는, 식(II) 또는 식(IV)로 표시되는 기이며, 동일 분자 중의 복수의 R¹은 동일해도 상이해도 된다.

식(II) 중, R²는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며, m은 1∼14의 정수이다.

식(III) 중, m은 1∼14의 정수이다.

식(IV) 중, R²는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n는 1∼9의 정수이며, m은 1∼14의 정수이다.

식(I)에 있어서, R¹ 중 적어도 1개가 식(III)으로 표시되는 기이며, R1 중 적어도 1개가 식(II) 또는 식(IV)로 표시되는 기일 때, 해당 화합물은, 수산기, 불포화기 및 이소시아눌환을 가진다.

식(II) 또는 식(III) 중의 m이 14를 초과하면, 내약품성이 저하하는 경우가 있다. 동일 관점으로부터, 식(II) 또는 식(III) 중의 m은 1∼6이어도 된다. 식(IV) 중의 m이 14 이하이면, 내약품성이 더욱 향상하는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, 식(IV) 중의 m도 1∼6이어도 된다. 식(IV) 중의 n이 9 이하이면, 레지스터의 기계 강도가 보다 향상하는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, 식(IV) 중의 n이 3∼6이어도 된다.

불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물은, 하기 식(V)로 표시되는 화합물이어도 된다.

수산기, 불포화기 및 이소시아눌환구조를 가지는 화합물은, 하기 식(VI)로 표시되는 화합물이어도 된다.

상기 식(I)로 표시되는 화합물의 시판의 것으로서는, 예를 들면, NK올리고 UA-21(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤 상품명, 일반식(I) 중, R¹이 모두 일반식(III)으로 표시되는 기를 나타낸다.), M-315(토아고우세이 가부시키가이샤 상품명, 일반식(I) 중, R¹이 모두 일반식(II)로 표시되는 기를 나타낸다.), M-215(토아고우세이 가부시키가이샤 상품명, 일반식(I) 중, 2개의 R¹이 일반식(II)로 표시되는 기를 나타내며, 1개의 R¹이 일반식(III)으로 표시되는 기를 나타낸다.)를 들 수 있다.

불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물 이외의, 에틸렌성 불포화기를 가지는 광중합성 화합물의 예로서는, 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물은, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 하기 식(VII)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

식(VII) 중, R¹ 및 R²는, 각각 독립하여 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. 식(VII) 중, X 및 Y는 각각 독립하여 탄소수 2∼6의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 2∼6의 알킬렌기로서는, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. X 및 Y는, 에틸렌기 또는 프로필렌기이어도 되고, 에틸렌기이어도 된다. 식(VII) 중, p 및 q는, p+q=4∼40이 되도록 선택되는 양의 정수이다. p+q는, 6∼34, 8∼30, 8∼28, 8∼20, 8∼16, 또는 8∼12이어도 된다. p+q가 4보다 작으면, 바인더 폴리머와의 상용성(相溶性)이 저하하는 경향이 있어, p+q가 40보다 크면 친수성이 증가하여, 레지스터의 흡수율이 높아지는 경향이 있다.

식(VII) 중의 방향환(벤젠환)은 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기로서는, 예를 들면, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 3∼10의시클로알킬기, 탄소수 6∼18의 아릴기, 페나실기, 아미노기, 탄소수 1∼10의 알킬아미노기, 탄소수 2∼20의 디아킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 카르보닐기, 메르캅토기, 탄소수 1∼10의 알킬메르캅토기, 알릴기, 수산기, 탄소수 1∼20의 히드록시알킬기, 카르복실기, 알킬기의 탄소수가 1∼10의 카르복시알킬기, 알킬기의 탄소수가 1∼10의 아실기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 1∼20의 알콕시카르보닐기, 탄소수 2∼10의 알킬카르보닐기, 탄소수 2∼10의 알케닐기, 탄소수 2∼10의 N-알킬카바모일기, 복소환을 포함하는 기, 및 이들의 치환기로 치환된 아릴기를 들 수 있다. 상기 치환기는, 방향환과 함께 축합환을 형성하고 있어도 된다. 형성된 축합환의 수소 원자는 상기 치환기로 치환되고 있어도 된다. 치환기의 수가 2이상인 경우, 2이상의 치환기는 서로 동일해도 상이해도 된다.

식(VII)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들면, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리부톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판 등의 비스페놀 A계 (메타)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다.

2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리에톡시)페닐)프로판으로서는, 예를 들면, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시디에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시트리에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시테트라에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시펜타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헥사에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헵타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시옥타에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시노나에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시운데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시도데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시트리데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시테트라데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시펜타데카에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헥사데카에톡시)페닐)프로판을 들 수 있다. 2,2-비스(4-(메타크릴록시펜타에톡시)페닐)프로판은, BPE-500(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤 제, 제품명)으로서 상업적으로 입수 가능하다. 2,2-비스(4-(메타크릴록시펜타데카에톡시)페닐)프로판은, BPE-1300(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤 제, 제품명)으로서 상업적으로 입수 가능하다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.

2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리프로폭시)페닐)프로판으로서는, 예를 들면, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시디프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시트리프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시테트라프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시펜타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헥사프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헵타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시옥타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시노나프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시운데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시도데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시트리데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시테트라데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시펜타데카프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헥사데카프로폭시)페닐)프로판을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.

2,2-비스(4-((메타)아크릴록시폴리에톡시폴리프로폭시)페닐)프로판으로서는, 예를 들면, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시디에톡시옥타프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시테트라에톡시테트라프로폭시)페닐)프로판, 2,2-비스(4-((메타)아크릴록시헥사에톡시헥사프로폭시)페닐)프로판 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.

그 외의 광중합성 화합물로서, 예를 들면, 트리시클로데칸디메탄올, 네오펜틸글리콜 변성 트리메티롤프로판디아크릴레이트, 다가 알코올에 α,β-불포화 카르본산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 글리시딜기를 함유하는 화합물에 α,β-불포화 카르본산을 반응시켜 얻어지는 화합물, 우레탄 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트, 노닐페닐디옥실렌(메타)아크릴레이트, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시에틸-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-히드록시프로필-β'-(메타)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, (메타)아크릴산 알킬 에스테르, EO(에틸렌옥시드) 변성 노닐페닐(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.

다가 알코올에 α,β-불포화 카르본산을 반응시켜 얻어지는 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌기의 수가 2∼14인 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2∼14인 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판테트라에톡시트리(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판펜타에톡시트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라(메타)아크릴레이트, 프로필렌기의 수가 2∼14인 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.

글리시딜기를 함유하는 화합물에 α,β-불포화 카르본산을 반응시켜 얻어지는 화합물로서는, 예를 들면, 트리메티롤프로판트리글리시딜에테르트리(메타)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메타)아크릴록시2-히드록시-프로필옥시)페닐, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 살리실알데히드형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지와 α,β-불포화 카르본산을 반응시켜 얻어지는 에폭시아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. α,β-불포화 카르본산으로서는, (메타)아크릴산 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 비스페놀형 에폭시 수지의 일종인 비스페놀 A의 디글리시딜에테르에 아크릴산을 부가시켜 얻어지는 화합물을, 광중합성 화합물로서 사용할 수 있다. 이 화합물은, 예를 들면, 비스코트＃540(오사카유키가가쿠고교 가부시키가이샤 제, 제품명)으로서 상업적으로 입수 가능하다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.

우레탄 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트(이하, 경우에 따라 「우레탄(메타)아크릴레이트」라고 한다.)로서는, 예를 들면, β위(位)에 OH기를 가지는 (메타)아크릴 모노머와, 이소포론디이소시아네이트, 2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4-톨루엔디이소시아네이트, 1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물; 트리스((메타)아크릴록시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트)헥사메틸렌이소시아누레이트; EO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트; EO 또는 PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트; 카르복실기 함유 우레탄(메타)아크릴레이트; β위에 OH기를 가지는 (메타)아크릴 모노머와, 디이소시아네이트 화합물과, 폴리에테르디올, 폴리에스테르디올, 폴리카프로락톤디올, 실리콘디올 등의 디올 화합물과의 부가 반응물; 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 등의 수산기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물과, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 폴리메틸렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등의 알릴렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등의 시클로알킬렌디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물을 들 수 있다. 활성 광선 조사 전의 접착성(박리강도)을 보다 향상할 수 있는 관점으로부터, 우레탄(메타)아크릴레이트는, 에틸렌성 불포화기와, 폴리카보네이트 골격, 폴리에테르 골격, 폴리에스테르 골격, 폴리카프로락톤디올 골격 및 실리콘 골격으로부터 선택되는 적어도 1개의 골격을 가지고 있어도 된다. 이러한 화합물은, 예를 들면, β위에 OH기를 가지는 (메타)아크릴 모노머와, 디이소시아네이트 화합물과, 폴리카보네이트디올, 폴리에테르디올, 폴리에스테르디올, 폴리카프로락톤디올, 실리콘디올과를 부가 반응에 의해 얻을 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

본 명세서에 있어서, 「EO」란 「에틸렌옥시드」를 의미하며, 「PO」란 「프로필렌옥시드」를 의미한다. 또한, 「EO변성」이란 에틸렌옥시드 유닛(-CH₂CH₂O-)의 블록 구조가 포함되는 것을 의미하며, 「PO변성」이란 프로필렌옥시드 유닛(-CH₂CH(CH₃)O-)의 블록 구조가 포함되는 것을 의미한다.

우레탄(메타)아크릴레이트로서, 접착성을 보다 향상할 수 있고, 내약품성 및 내수성도 보다 향상할 수 있는 관점으로부터, 폴리카보네이트 골격을 가지는 화합물을 사용할 수 있다. 폴리카보네이트 골격을 가지는 화합물은, 상온에 있어서 높은 결정성을 가지지만, 고온에 있어서는 결정성이 붕괴하여 비정질이 되기 때문에, 고온으로 하여 압착시켰을 때(열압착)에 피착체(被着體)와 높은 접착성을 나타내는 것이라고 생각된다. 폴리카보네이트 골격을 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 하기 일반식(VIII)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.

식(VIII) 중, R은 탄소수 1∼18의 알킬렌기를 나타내고, R²는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 2가의 유기기를 나타내고, Z는 2∼6가의 유기기를 나타내고, m 및 n는 각각 독립하여 1∼30의 정수를 나타내며, p 및 q는 각각 독립하여 1∼5의 정수를 나타낸다. 동일 분자 중의 복수의 R, R², X 및 Y는 각각 동일해도 상이해도 된다. n이 2이상인 경우, 복수의 m은 각각 동일해도 상이해도 된다. X는, 예를 들면, 알릴렌디이소시아네이트(2,6-톨루엔디이소시아네이트, 2,4-톨루엔디이소시아네이트 등), 폴리메틸렌디이소시아네이트(1,6-헥사메틸렌디이소시아네이트 등), 및 시클로알킬렌디이소시아네이트(이소포론디이소시아네이트 등)로부터 선택되는 디이소시아네이트 화합물의 잔기(殘基)(이소시아네이트기를 제외한 부분)일 수 있다.

식(VIII)으로 표시되는 화합물은, 하기 식(IX)로 표시되는 디이소시아네이트 화합물과, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트 등의 에틸렌성 불포화기 및 히드록실기를 가지는 화합물과를 반응시킴으로써 얻을 수 있다.

식(IX) 중, R은 탄소수 1∼18의 알킬렌기를 나타내고, X는 2가의 유기기를 나타내며, m 및 n는 각각 독립하여 1∼30의 정수를 나타낸다. 동일 분자 중의 복수의 R 및 X는 각각 동일해도 상이해도 된다. n이 2이상인 경우, 복수의 m은 각각 동일해도 상이해도 된다.

우레탄(메타)아크릴레이트의 수평균 분자량(겔 침투 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스티렌을 사용한 검량선에 의한 환산값)는, 500∼6000, 1000∼5000, 또는 1500∼5000이어도 된다.

(B)성분은, 박리성을 보다 향상할 수 있는 관점으로부터, 3개 이상의 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물을 포함하고 있어도 된다. 보존 안정성의 관점에서는, 에틸렌성 불포화기의 수는, 20 이하이어도 된다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

3개 이상의 에틸렌성 불포화기를 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 수산기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물과 디이소시아네이트 화합물과의 부가 반응물, 에폭시 수지와 (메타)아크릴산과를 반응시켜 얻어지는 에폭시아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. 수산기를 가지는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물은, 예를 들면, 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, EO변성 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, PO변성 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, EO 또는 PO변성 트리메티롤프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄트리(메타)아크릴레이트, 테트라메티롤메탄테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트로부터 선택된다. 디이소시아네이트 화합물은, 예를 들면, 헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 폴리메틸렌디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트 등의 알릴렌디이소시아네이트, 및 이소포론디이소시아네이트 등의 시클로알킬렌디이소시아네이트로부터 선택된다. 에폭시 수지는, 예를 들면, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 및 살리실알데히드형 에폭시 수지로부터 선택된다.

(C)성분의 광중합 개시제는, 밀착성 및 감도의 견지로부터, 치환기를 가지고 있어도 되는 헥사아릴비이미다졸(이하, 간단히 헥사아릴비이미다졸이라고 하는 경우가 있다.), 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체(이하, 간단히 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체라고 하는 경우가 있다.)를 포함하고 있어도 된다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체로서는, 예를 들면, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체를 들 수 있다. 이량체를 구성하는 2개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는, 동일해도 되고, 상이해도 된다.

광중합 개시제의 그 외의 예로서는, 벤조페논, N,N,N',N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미히라케톤), N,N,N',N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르포리노페닐)-부탄온-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르포리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물: 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체; 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐) 헵탄 등의 아크리딘 유도체; N-페닐글리신 등의 글리신 유도체; 쿠마린계 화합물을 들 수 있다. 디에틸티옥산톤과 디메틸아미노 안식향산과의 조합과 같이, 티옥산톤계 화합물과 3급 아민 화합물을 조합한 것이어도 된다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다.

(D)성분의 실란 화합물은, 1 또는 2이상의 규소 원자를 포함하는 화합물이며, 알콕시실릴기를 가지는 경우가 많다. 실란 화합물을 사용함으로써, 특히 투명 커버 기재로서 유리 기판을 사용했을 경우의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 알콕시실릴기와 반응성 치환기를 가지는 실란 화합물을 사용할 수 있다. 반응성 치환기는, 예를 들면, 카르복실기, 아미노기, 이소시아네이트기, 메타크릴로일기 및 에폭시기로부터 선택될 수 있다. 카르복실기를 가지는 실란 화합물로서는, 트리메톡시실릴 안식향산 등을 들 수 있다. 아미노기를 가지는 실란 화합물로서는, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이소시아네이트기를 가지는 실란 화합물로서는, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 메타크릴로일기를 가지는 실란 화합물로서는, 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 에폭시기를 가지는 실란 화합물로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. (A)성분, (B)성분 및 (C)성분과의 상용성, 유리 기판과의 밀착성의 관점을 고려하여 메타크릴로일기를 가지는 실란 화합물을 사용할 수 있다. 3-메타크릴로일옥시프로필트리에톡시실란은 핸들링의 면에서 특별히 우수하다. 이들의 실란 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

(A)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 40∼80질량부이어도 된다. (A)성분의 함유량이 40질량부 이상이면 레지스터가 깨지기 쉽거나, 도막성이 저하하거나 하는 것을 방지할 수 있다. (A)성분의 함유량이 80질량부 이하이면, 보다 높은 감도를 얻을 수 있는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, (A)성분의 함유량은 45∼70질량부이어도 된다.

(B)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 20∼60질량부이어도 된다. (B)성분의 함유량이 20질량부 이상인 것에 의해, 특히 뛰어난 해상성을 얻을 수 있다. (B)성분의 함유량이 60질량부 이하인 것에 의해, 엣지 퓨전의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 동일 관점으로부터, (B)성분의 함유량은 30∼55질량부이어도 된다.

(B)성분의 함유량은, (A)성분 100질량부에 대하여, 10∼200질량부이어도 된다. (B)성분의 함유량이 10질량부 이상인 것에 의해, 충분한 광경화에 의한 뛰어난 박리성을 보다 용이하게 얻을 수 있는 경향이 있다. (B)성분의 함유량이 200질량부 이하인 것에 의해, 활성 광선 조사전의 접착성 및 성막성의 점에서도 보다 뛰어난 특성을 얻을 수 있는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, (B)성분의 함유량은 20∼150질량부, 또는 40∼120질량부이어도 된다.

(B)성분으로서의 (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1∼40질량부이어도 된다. (B1)성분의 함유량이 1질량부 이상인 것에 의해, 보다 뛰어난 유리 기판과의 밀착성을 얻을 수 있다. (B1)성분의 함유량이 40질량부 이하인 것에 의해, 조성물의 유동성이 너무 높아 지지 않아, 권취된 감광성 수지 필름의 단부(端部)로부터 성분이 스며나온다(엣지 퓨전)라고 하는 문제를 억제할 수 있다. 동일 관점으로부터, (B1)성분의 함유량은, 3∼30질량부, 또는 6∼25질량부이어도 된다.

(B1)성분의 함유량은, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 5∼40질량부, 또는 7∼35질량부이어도 된다. (B1)성분의 함유량이 이들 수치 범위 내에 있음으로써, 밀착성, 박리성 등에 관한 효과를 보다 한층 현저하게 얻을 수 있다.

감광성 수지 조성물이, (B)성분으로서 (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물 이외의 광중합성 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 1∼50질량부이어도 된다. 이 함유량이 1질량부 이상이면, 보다 뛰어난 해상성을 얻을 수 있는 경향이 있다. 이 함유량이 50질량부 이하이면, 보다 용이하게 필름을 형성할 수 있는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, (B1)성분 이외의 광중합성 화합물의 함유량은, 10∼45질량부, 또는 15∼43질량부이어도 된다.

(C)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.1∼20질량부이어도 된다. (C)성분의 함유량이 0.1질량부 이상이면 보다 높은 광감도를 얻을 수 있는 경향이 있다. (C)성분의 함유량이 20질량부 이하이면 노광 시에 감광성 수지 필름의 표면 근방에서의 흡수가 억제되고, 보다 용이하게 내부까지 충분히 광경화할 수 있는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, (C)성분의 함유량은 0.2∼10질량부이어도 된다.

(C)성분이 헥사아릴비이미다졸를 포함하는 경우, (C)성분 중의 헥사아릴비이미다졸의 함유량은, (C)성분의 총량을 기준으로서 10∼99질량%이어도 된다. 이 함유량이 10질량% 이상이면 밀착성이 더욱 향상하는 경향이 있고, 99질량% 이하이면 현상 처리시의 현상 슬러지가 억제되는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, 헥사아릴비이미다졸의 함유량은, 20∼98질량%이어도 된다.

(D)성분의 함유량은, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.5∼12질량부이어도 된다. (D)성분의 함유량이 0.5질량부 이상이면 기판과의 밀착력이 보다 향상하는 경향이 있다. (D)성분의 함유량이 12질량부 이하이면, 감광성 수지 조성물이 과도하게 부드러워져 엣지 퓨전이 발생하는 것을 회피할 수 있는 경향이 있다. 동일 관점으로부터, (D)성분의 함유량은 1∼8질량부이어도 된다.

감광성 수지 조성물 또는 이것으로 형성되는 감광성 수지 필름은, 티올기를 가지는 화합물을 (E)성분으로서 함유하고 있어도 된다. 티올기를 가지는 화합물은, 수소 공여체로서 유효하게 기능하여, 광감도를 향상시키거나, 투명 커버 기재와의 밀착성을 보다 향상시키거나 할 수 있다.

티올기를 가지는 화합물의 구체적인 예로서는, 메르캅토벤조옥사졸(MBO), 메르캅토벤조티아졸(MBT), 메르캅토벤조이미다졸(MBI), 에탄티올, 벤젠티올, 메르캅토페놀, 메르캅토톨루엔, 2-메르캅토에틸아민, 메르캅토에틸알코올, 메르캅토크실렌, 티옥시레놀, 2-메르캅토퀴놀린, 메르캅토아세트산, α-메르캅토프로피온산, 3-메르캅토프로피온산, 메르캅토숙신산, 티오살리실산, 메르캅토시클로헥산, α-메르캅토디페닐메탄, C-메르캅토테트라졸, 메르캅토나프탈린, 메르캅토나프톨, 4-메르캅토비페닐, 메르캅토히포크산틴, 메르캅토피리딘, 2-메르캅토피리미딘, 메르캅토푸린, 티오쿠마존, 티오크모티아존, 부탄-2,3-디티올, 티오시아눌산, 2,4,6-트리메르캅토-s-트리아진, 2-디부틸아미노-4,6-디메르캅토-s-트리아진, 2-아닐리노-4,6-디메르캅토-s-트리아진을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 티올을 가지는 화합물은, 메르캅토벤조옥사졸(MBO), 메르캅토벤조티아졸(MBT), 메르캅토벤조이미다졸(MBI) 또는 이들의 조합을 함유하고 있어도 된다.

티올기를 가지는 화합물의 함유량은, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01∼2질량부, 0.05∼1질량부, 또는 0.1∼0.5질량부이어도 된다.

감광성 수지 조성물 또는 감광성 수지 필름은, 필요에 따라, 말라카이트그린 등의 염료, 트리브로모페닐설폰, 로이코 크리스탈 바이올렛 등의 광발색제, 열발색방지제, p-톨루엔설폰아미드 등의 가소제, 안료, 충전제, 소포제, 난연제, 안정제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리촉진제, 산화방지제, 향료, 이미징제, 열가교제 등의 그 외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용된다. 그 외의 성분 각각의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 예를 들면, 0.01∼20질량부 정도이다.

감광성 수지 필름은, 예를 들면, (A)성분, (B)성분, (C)성분 및 그 외 적절히 사용되는 성분을 혼합하여 얻은 감광성 수지 조성물을 필름상(狀)으로 성형함으로써 얻을 수 있다. 감광성 수지 조성물은, 예를 들면, 각 성분을 롤 밀, 비즈 밀 등으로 균일하게 혼련하여, 혼합함으로써 얻을 수 있다. 필요에 따라, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 용제 또는 이들의 혼합 용제에 감광성 수지 조성물의 각 성분을 용해하여, 고형분 30∼60질량% 정도의 용액을 조제하고, 이 용액을 사용하여 감광성 수지 필름을 형성할 수 있다.

감광성 수지 조성물을 필름상으로 성형하는 방법으로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 폴리에틸렌 필름 등의 지지체 위에 감광성 수지 조성물의 용액을 균일하게 도포하고, 도막을 건조하는 방법을 들 수 있다. 필요에 따라 감광성 수지 필름을 보호 필름으로 피복해도 된다. 보호 필름으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 중합체 필름을 들 수 있다. 용액의 도포는, 예를 들면, 롤 코터, 콤마 코터, 그라비아 코터, 에아나이프 코터, 다이 코터, 바 코터 등의 방법으로 실시할 수 있다. 도막의 건조는, 70∼150℃, 5∼30분간 정도의 가열에 의해 실시할 수 있다. 지지체 및 보호 필름을 사용하는 경우, 지지체, 감광성 수지 필름 및 보호 필름으로 구성되는 감광성 시트를 얻을 수 있다.

감광성 수지 필름의 건조 후의 두께는, 용도에 따라 다르지만, 예를 들면, 10∼200㎛, 20∼180㎛, 30∼160㎛, 또는 50∼160㎛이어도 된다. 이러한 두께를 가지는 감광성 수지 필름을 사용함으로써, 투명 커버 기재에 깊은 오목부 또는 높은 볼록부(凸部)를 특히 용이하게 형성할 수 있다.

감광성 시트는, 통상, 원통상(圓筒狀)의 권심에 권취된 상태로 저장된다. 이 때 보호 필름이 외측이 되도록 감광성 시트가 롤상(狀)으로 권취되는 것이 바람직하다. 롤상의 감광성 시트의 단면(端面)에는, 단면 보호의 견지에서 단면 세퍼레이터(separator)를 설치할 수 있다. 내(耐)엣지 퓨전의 견지로부터 방습 단면 세퍼레이터를 설치할 수 있다. 감광성 시트는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장할 수 있다. 권심으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱의 심(芯)을 들 수 있다.

이하, 도면을 참조하면서, 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용한 가공 유리 기판의 제조 방법의 일 실시형태를 설명한다.

본 발명의 가공 유리 기판의 제조 방법은, 유리 기판의 표면의 일부를 덮는 레지스터를, 상기 감광성 수지 조성물 또는 상기 감광성 수지 필름을 사용하여 형성하는 공정과, 레지스터를 마스크로 하여, 유리 기판의 표면을 불화수소산에 의해 에칭하는 공정을 구비한다.

도 1은, 가공 유리 기판의 일 실시형태를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 II-II선 단면도이다. 도 1, 2에 나타내는 가공 유리 기판(10)에 있어서는, 유리 기판을 관통하는 관통공(2)이 형성되어 있다.

도 3은, 가공 유리 기판의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다. 이 방법에서는, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 우선 유리 기판(20)을 준비한다.

도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(20)의 표면의 일부를 덮는 레지스터(4)을 형성한다. 레지스터(4)는 감광성 수지 조성물 또는 감광성 수지 필름을 사용하여 형성된다. 레지스터(4)의 막두께는, 예를 들면, 30∼80㎛ 정도이다. 감광성 수지 필름을 사용하는 경우, 감광성 수지 필름을 유리 기판(20) 위에 적층하고, 적층된 감광성 수지 필름을, 관통공(2)이 형성되는 영역 이외의 부분이 투명한 포토마스크를 통하여 노광하고, 현상함으로써 레지스터(4)를 형성할 수 있다. 감광성 수지 필름은, 핫 롤 라미네이트, 진공 가압 프레스법 등에 의해 유리 기판에 붙일 수 있다. 감광성 수지 조성물을 사용하는 경우, 도포 등의 방법에 의해 유리 기판 위에 감광성 수지 조성물을 성막(成膜)하고, 형성된 감광성 수지 조성물층을 노광 및 현상함으로써, 레지스터(4)가 형성된다.

포토마스크는, 네가티브형이어도 포지티브형이어도 되며, 일반적으로 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 노광에 있어서의 광원으로서는, 공지의 광원, 예를 들면, 카본 아크등, 수은 증기 아크등, 고압 수은등, 크세논램프 등의 자외선, 가시광선 등을 유효하게 방사하는 것이 사용된다. 포토마스크를 사용하지 않고, 레이저 직접 묘화(描畵) 노광을 실시할 수도 있다.

현상은, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제 등의 현상액에 의한 웨트 현상, 드라이 현상 등으로 미(未)노광부를 제거함으로써 실시된다. 본 실시형태의 경우, 알칼리성 수용액을 선택할 수 있다. 알칼리성 수용액으로서는, 예를 들면, 0.1∼5질량% 탄산나트륨의 희박용액, 0.1∼5질량% 탄산칼륨의 희박용액, 0.1∼5질량% 수산화나트륨의 희박용액을 들 수 있다. 이 알칼리성 수용액의 pH는 9∼11이어도 된다. 알칼리성 수용액의 온도는, 감광성 수지 조성물의 현상성에 맞추어 조절된다. 알칼리성 수용액은, 표면활성제, 소포제, 유기용제 등을 포함하고 있어도 된다. 현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 슬래핑 등을 들 수 있다.

현상 후의 처리로서, 필요에 따라 60∼250℃ 정도의 가열 처리에 의해, 형성된 레지스터(4)를 더 경화해도 된다.

유리 기판의 이면(레지스터(4)와는 반대측의 면)에, 불화수소산으로부터 보호하기 위한 마일러 테이프(6)를 붙일 수 있다. 마일러 테이프로서는, 폴리에스테르 테이프 등의 유기물, Cr/Au 등의 금속막을 적용할 수 있다.

이 상태에서, 유리 기판(20)을 레지스터(4)와 함께 불화수소산에 침지함으로써 유리 기판(20)을 에칭하고, 유리 기판(20)의 레지스터(4)에 의해 덮이지 않은 부분을 불화수소산에 의해 에칭하여, 도 3(c)과 같이 관통공(2)을 형성시킨다. 에칭 방법은, 예를 들면, 에칭액에 기판을 침지하여 요동(遙動)하는 디핑법, 질소 가스 또는 공기의 기포를 기판 표면에 덧씌우게 하여, 기판 표면의 액대류(液對流)를 촉진하는 버블링법, 스프레이를 분사하여, 기판 표면의 액대류를 촉진하는 스프레이법이 적용될 수 있다. 관통공을 형성하는 것 대신에, 홈 형상 등의 오목부를 형성할 수도 있다.

불화수소산의 농도는 0.5∼20질량% 또는 8∼18질량%이어도 된다. 불화수소산의 농도가 이들 수치 범위 내에 있으면, 적당히 높은 에칭 레이트(etching rate)를 얻을 수 있어, 높은 생산성을 유지하면서, 에칭 깊이를 용이하게 조정할 수 있는 경향이 있다. 불화수소산은, 황산, 질산, 염산 등의 산, 계면활성제 등의 유기 화합물을 포함하고 있어도 된다.

에칭 후, 레지스터(4) 및 마일러 테이프(6)를 제거하여, 관통공(2)이 설치된 가공 유리 기판(10)을 얻을 수 있다(도 3(d)) 。 레지스터(4)는, 예를 들면, 수산화나트륨 수용액 등의 알칼리 수용액에 침지함으로써, 제거할 수도 있지만, 생산성의 관점으로부터, 가열에 의해 제거해도 된다. 이 경우, 에칭 후의 유리 기판 위의 레지스터를, 예를 들면, 30∼70℃에서 10∼50분간 가열함으로써, 레지스터를 제거할 수 있다. 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물로 형성된 레지스터는 뛰어난 박리성을 가지기 때문에, 가열에 의해 용이하게 제거할 수 있다.

이하, 도면을 참조하면서, 터치 패널 및 그 제조 방법의 실시형태를 설명한다.

도 4는, 터치 패널의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다. 터치 패널(100)은, 터치 패널 센서(40)와, 터치 패널 센서(40)에 대향하는 투명 커버 기재(11)와, 이들 사이에 설치된 가식부(50) 및 오버코트층(30)을 구비하고 있다. 투명 커버 기재(11)의 터치 패널 센서(40)와는 반대측의 표면이, 터치 패널(100)의 입력면(12)이다.

가식부(50)는, 투명 커버 기재(11)의 터치 패널 센서(40) 측의 이면(14) 위에 설치되어 있다. 이면(14)은, 그 주연부에 있어서 오목부를 형성하고 있고, 가식부(50)는 이면(14)의 오목부를 충전하여, 이면(14)과 함께 대략 평탄한 면을 형성하고 있다. 입력면(12)에 수직한 방향에서 보았을 때에, 가식부(50)는, 입력면의 주연부와 겹치도록 설치되어 있다. 가식부(50)의 전체 형상은 액자 형상 또는 프레임 형상이다. 가식부(50)의 폭은, 1∼20mm 정도이어도 된다. 가식부(50)의 두께는, 5∼300㎛ 정도이어도 된다. 가식부(50)는, 예를 들면, 정보입력장치 및 화상표시유닛의 주연(周緣) 부분에 설치되는 입출력용의 배선이, 입력면(12) 측으로부터 시인(視認)되는 것을 방지하기 위해 설치된다. 장식을 위해 가식부(50)를 설치할 수도 있다. 가식부(50)는, 투명 커버 기재(11)의 주연부 전체에 걸쳐 설치될 필요는 반드시 없다. 예를 들면, 직사각형의 입력면의 4변 중 적어도 1변을 따라 가식부(50)를 설치할 수 있다.

투명 커버 기재(11)의 이면(14) 측에 있어서, 오버코트층(30)이 투명 커버 기재(11) 위로부터 가식부(50) 위까지 연재하여 있다. 오버코트층(30)의 두께는, 1∼20㎛ 정도이어도 된다. 오버코트층(30)의 투명 커버 기재(11)와는 반대측의 표면 위에, 복수의 터치 패널 센서(40)이 설치되어 있다.

도 4의 터치 패널(100)은, 예를 들면, 이하에 설명하는 실시형태에 관련되는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.

도 5는, 터치 패널의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다. 우선, 터치 패널의 입력면(12)과, 그 뒤쪽의 이면(14)을 가지는 시트상(狀)의 투명 커버 기재(11)를 준비한다(도 5(a)). 투명 커버 기재(11)는, 제조 방법의 공정에 지장이 없을 정도의 투명성, 내열성, 기계강을 가지고 있으면 된다. 투명 커버 기재(11)로서는, 예를 들면, 유리 기판, 열가소성 수지 필름, 유기 무기 복합재 기판이 사용된다. 투명 커버 기재(11)의 두께는, 30∼2000㎛ 정도이어도 된다.

계속하여, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 투명 커버 기재(11)의 이면(14)의 일부를 덮는 레지스터(4a)를 형성한다. 레지스터(4a)는, 예를 들면, 투명 커버 기재(11) 위에 적층된 감광성 수지 필름 중, 후술하는 오목부가 형성되는 영역 이외의 부분을, 포토마스크를 사용하여 노광하고, 현상하는 방법에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지 필름은, 핫 롤 라미네이트, 진공 가압 프레스법 등에 의해 적층할 수 있다. 붙인 후, 후술하는 감광성 수지 필름을 노광하고, 현상함으로써 형성할 수 있다. 노광 및 현상은, 투명 커버 기재(11)의 입력면(12)에 마일러 테이프(6)를 붙인 상태로 실시할 수 있다.

도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 레지스터(4a)를 마스크로 하여 투명 커버 기재(11)의 이면(14)을 에칭하여, 오목부(22)를 형성한다. 오목부(22)의 깊이(깊이의 최대값) d는 40㎛ 이상이어도 된다. 오목부(22)가 평탄한 저면(底面)을 가지는 경우, 저면 전체에 있어서 깊이 d가 40㎛ 이상이어도 되고, 저면의 일부에 있어서 깊이 d가 40㎛ 이상이어도 된다. 투명 커버 기재의 에칭은, 예를 들면, 불화물염, 황산염, 불화수소산, 황산 등으로부터 선택되는 에칭액을 사용하여 실시할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 감광성 수지 필름을 적절히 선택함으로써, 40㎛ 이상의 깊이를 가지는 오목부를 용이하게 형성할 수 있다.

에칭 후, 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 레지스터(16) 및 마일러 테이프(18)를 제거한다. 레지스터(16)는, 예를 들면, 수산화나트륨 수용액 등의 알칼리성 수용액에 담그는 것에 의해 제거해도 된다. 레지스터(16)를 가열에 의해 제거하여, 생산성의 향상을 도모할 수도 있다.

도 5(e)에 나타내는 바와 같이, 에칭에 의해 형성한 오목부(22)의 일부 또는 전부에 충전되는 가식부(50)를 형성한다. 배선을 보기 어렵게 한다고 하는 관점으로부터, 가식부(50)는 차광성 재료로 형성된다. 이 차광성 재료는, 예를 들면, 안료(예를 들면, 흑색 안료)를 포함하는 수지 조성물(예를 들면, 아크릴계 수지 조성물), 또는 금속 산화물을 포함하는 저융점 유리 중 어느 쪽일 수 있다. 다만, 가식부(50)는 장식 등의 목적으로 설치하는 경우, 투명한 재료를 사용하여 가식부(50)를 형성해도 된다.

가식부(50)는, 예를 들면, 가식부 형성용의 잉크를, 스크린 인쇄 등의 인쇄에 의해 오목부(22)에 충전하고, 충전된 잉크를 필요에 따라 건조 또는 경화하는 방법에 의해, 형성할 수 있다. 도 5의 실시형태에 관련되는 제조 방법의 경우, 가식부(50)와 투명 커버 기재(11)의 이면(14)의 경계에 실질적으로 단차가 형성되지 않도록, 가식부(50)가 형성된다. 바꾸어 말하면, 투명 커버 기재(11) 위로부터 가식부(50) 위에 걸쳐 평탄면이 형성된다. 오목부(22)의 깊이 d가 크다는 점으로부터, 단차가 형성되지 않거나, 또는 후술하는 바와 같이 설계상 문제없는 범위의 단차가 형성되도록, 가식부(50)를 용이하게 형성할 수 있다.

도 5(f)에 나타내는 바와 같이, 투명 커버 기재(11)의 이면(14) 측에서 투명 커버 기재(11) 위로부터 가식부(50) 위에 걸쳐 연재하는 오버코트층(30)을 형성한다. 오버코트층(30)의 재료는, 투명 커버 기재(11) 및 가식부(50)와의 밀착성에 더하여, 투명성, 내열성, 기계 강도 등의 원하는 특성을 가지는 것으로부터 선택된다. 오버코트층(30)은, 예를 들면, 아크릴계 광경화성 수지 등의 광경화성 수지를 사용하여 형성할 수 있다.

계속하여, 오버코트층(30) 위에 터치 패널 센서(40)를 배치한다. 터치 패널 센서(40)는, 예를 들면, 터치 센서로서 기능하는 투명 전극과, 인출 배선을 가진다. 투명 전극은, 예를 들면, 진공증착법, 스퍼터링법 등의 박막 형성 방법을 적절히 선택하여 형성할 수 있다. 투명 전극으로서는, 예를 들면, ITO(Indium-Tin-Oxide) 막이 사용된다. 터치 패널 센서(40)의 인출 배선으로서의 금속 전극의 형성에 있어서도, 예를 들면, 진공증착법, 스퍼터링법 등의 박막 형성 방법을 적절히 선택할 수 있다. 금속 전극으로서는, 예를 들면, MAM(Molybdenum-Aluminum-Molybdenum) 전극이 사용된다.

마지막으로, 도 5(g)에 나타내는 바와 같이, 투명 커버 기재(11)를, 소정의 절단면(15)을 따라 가식부(50) 및 오버코트층(30)과 함께 절단함으로써, 도 4의 터치 패널(100)이 잘라진다. 절단은 그라인더 등을 사용하여 실시할 수 있다. 절단면(15)이 가식부(50) 및 오버코트층(30)을 포함하고 있을 필요는, 반드시 없다.

도 6도, 터치 패널의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다. 이 제조 방법은, 도 6(b), (c)에 나타내는 바와 같이, 투명 커버 기재(11)의 입력면(12) 측에, 오목부(22)의 뒤쪽에 위치하는 절단용의 오목부(23)를 형성하는 점이, 도 5의 방법과 상이하다. 절단용의 오목부(23)를 형성함으로써, 보다 매끄럽게 투명 커버 기재를 절단하는 것이 가능하다. 절단용의 오목부(23)는, 레지스터(4b)를 마스크로 하는 에칭에 의해 형성할 수 있다. 레지스터(4b)를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 필름은, 레지스터(4a)를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 필름과 동일해도 되고, 상이해도 된다.

도 7도, 터치 패널의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다. 도 7(e)에 나타내는 바와 같이, 이 제조 방법의 경우, 가식부(50)와 투명 커버 기재(11)의 경계에 있어서 높이 d2의 단차가 형성된다. 이 단차에 기인하여, 오버코트층의 표면에도 단차가 형성될 수 있다(도 7(f)) 。 그러나, 단차를 전제로 하여 터치 패널 센서(40)가 설계됨으로써, 높이 d2가 설계상 문제없는 범위 내가 되도록 제어되면, 단선의 발생을 충분히 효과적으로 억제할 수 있다. 가식부(50)의 두께는, 오목부(22)의 깊이 d와, 높이 d2와의 합계이다. d2는, 예를 들면, 50㎛ 이하, 40㎛ 이하, 30㎛ 이하, 또는 20㎛ 이하이어도 된다. 도 5, 6의 실시형태와 같이, d2가 실질적으로 0이어도 된다.

레지스터(4a)를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 필름은, 예를 들면, 위에서 설명한 감광성 수지 조성물로 형성된다. 구체적으로는, 감광성 수지 필름이, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제 및 (D)실란 화합물을 함유하는 감광성 수지 조성물로 이루어지는 것이어도 된다. 감광성 수지 필름은, 지지체 위에 설치되어 있어도 된다.

실시예

이하에, 실시예에 의해 본 발명을 더 상세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니다. 실시예 중 「%」는 질량%를 의미한다.

(감광성 수지 조성물)

표 1에 나타내는 배합비로 각각의 성분을 혼합하고 교반하여, 감광성 수지 조성물의 용액을 얻었다. 표 1 중의 (A)성분인 바인더 폴리머(I)는, 하기의 합성예에 따라 합성하였다. 표 1중, 각 수치는 질량부를 나타낸다.

(합성예)

[바인더 폴리머(I)의 합성]

교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 질량비 3:2인 메틸셀로솔브 및 톨루엔의 배합물 500g를 첨가하고, 질소 가스를 불어 넣으면서 교반하여, 85℃까지 가열하였다.

한편, 중합성 단량체로서의 메타크릴산 150g, 메타크릴산 메틸에스테르 110g, 아크릴산 에틸에스테르 65g, 메타크릴산 부틸에스테르 50g 및 스티렌 125g와, 아조비스이소부티로니트릴 2.5g를 혼합하여 단량체 용액을 준비하였다. 이 중합체 용액을, 85℃로 가열된 상기 플라스크 내의 배합물에 4시간 걸쳐 적하(滴下)하였다. 그 후, 플라스크 내의 용액을, 교반 하면서 2시간 85℃로 보온하였다.

또한, 질량비 3:2인 메틸셀로솔브 및 톨루엔의 배합물 150g에 아조비스이소부티로니트릴 0.5g를 용해하여 얻은 용액을, 10분 걸쳐 플라스크 내에 적하하였다. 적하 후의 용액을 교반하면서 85℃에서 5시간 보온하고, 바인더 폴리머(I)로서의 아크릴계 수지를 생성시켰다. 냉각 후, 질량비 3:2인 아세톤 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르의 혼합 용매로 용액을 희석하여, 불휘발분 (고형분)의 농도가 43질량%인 바인더 폴리머(I) 용액을 얻었다. 얻어진 바인더 폴리머(I)의 중량평균분자량은 50000, 분산도는 2.0, 산가는 195mgKOH/g였다.

바인더 폴리머(I)의 중량평균분자량은, 겔 침투 크로마토그래피법에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산함으로써 도출하였다. 겔 침투 크로마토그래피(GPC)의 측정 조건은, 이하에 나타낸다.

(GPC 측정 조건)

펌프: 히타치 L-6000형(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 제)

컬럼: Gelpack GL-R420 + Gelpack GL-R430 + Gelpack GL-R440(합계 3개)(이상, 히타치가세이고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

용리액: 테트라히드로푸란

측정 온도: 실온(25℃)

유량: 2.05mL/분

검출기: 히타치 L-3300형 RI(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 제)

표 중의 각 성분은 하기와 같다.

(B)광중합성 화합물

M-215: 비스(아크릴록시에틸)히드록시에틸이소시아눌레이트(토아고우세이 가부시키가이샤 제, 상품명)

HT-9082-95: 말단에 히드록실기를 가지는 폴리카보네이트 화합물, 유기 이소시아네이트 및 2-히드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜 얻어진 화합물(중량평균분자량 4000, 히타치가세이고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

FA-MECH: γ-클로로-2-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트(오사카 유키가가쿠고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

FA-314A: 노닐페닐 EO변성 모노아크릴레이트(1분자 중에 에틸렌옥시드(EO)기를 4몰 부가시킨 것, 히타치가세이고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

FA-321M: EO변성 비스페놀 A 디메타크릴레이트(1분자 중에 에틸렌옥시드(EO)기를 10몰 부가시킨 것, 히타치가세이고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

TMPT-21: 트리메티롤프로판 EO변성 트리아크릴레이트(1분자 중에 에틸렌옥시드(EO)기를 21몰 부가시킨 것, 히타치가세이고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

(C)광중합 개시제

B-CIM: 2-(2-클로로페닐)-1-[2-(2-클로로페닐)-4,5-디페닐-1,3-디아졸-2-일]-4,5-디페닐이미다졸(호도가야가가쿠고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

EAB: N,N,N',N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논(호도가야가가쿠고교 가부시키가이샤 제, 상품명)

(D)실란 화합물

KBM-503: 3-메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란(신에츠실리콘 가부시키가이샤, 상품명)

KBE-503: 3-메타크릴로일옥시프로필트리에톡시실란(신에츠실리콘 가부시키가이샤, 상품명)

(E)티올기를 가지는 화합물

MBO: 메르캅토벤조옥사졸

MBI: 메르캅토벤조이미다졸

얻어진 감광성 수지 조성물의 용액을, 16㎛ 두께의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 균일하게 도포하고, 100℃의 열풍 대류식 건조기로 10분간 건조하여, 막두께 140㎛의 감광성 수지 필름을 형성하였다. 감광성 수지 필름 위에, 폴리에틸렌 필름(필름 길이 방향의 인장강도: 16MPa, 필름 폭 방향의 인장강도: 12MPa, 상품명: NF-15, 타마폴리 가부시키가이샤 제)를 보호 필름으로서 적층하여, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 감광성 수지 필름 및 폴리에틸렌 필름으로 구성되는 감광성 시트를 얻었다.

유리 기판(코닝사 제 Gorilla-IOX 글라스(등록상표), 외형 100mm×100mm, 두께 0.55mm)를 이소프로필알코올로 수세하고, 기류 건조하였다. 80℃로 가온한 유리 기판의 표면에, 감광성 시트를, 폴리에틸렌 필름을 박리하면서 라미네이트하였다. 라미네이트는 110℃로 가열한 라미네이트 롤을 사용하여 실시했다. 이것에 의해, 유리 기판, 감광성 수지 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 순서로 적층된 구성을 가지는 적층물을 얻었다.

얻어진 적층물을 사용하여, 이하의 방법에 의해, 각 감광성 수지 조성물의 박리성, 내불화수소산성 및 현상성을 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타냈다.

<박리성>

라인폭/공간폭이 5/1∼5/5(단위:mm, 라인폭은 5mm로 일정, 공간폭은 1mm단위로 증가)인 배선 패턴을 가지는 포토마스크를, 현상용 네가티브로서 적층물의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 밀착시켰다. 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 측으로부터, 초고압 수은등 램프를 가지는 평행광 노광기 MAP1200(다이닛뽕스크린인사쯔 가부시키가이샤 제)을 사용하여, 365nm의 파장으로 400mJ/cm²의 에너지량으로 노광을 실시하였다. 노광 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 1질량%탄산나트륨 수용액을 30℃에서 120초간 스프레이하여, 감광성 수지 필름의 미노광 부분을 제거함으로써, 레지스터를 형성하였다.

200℃로 가열한 상형(箱型)건조기에, 레지스터와 함께 유리 기판을 넣고, 1시간의 가열 처리를 실시하였다. 가열 후의 유리 기판의 이면에 보호막으로서 폴리에스테르 테이프를 붙이고, 불화수소산(농도10%, 25℃)에 4시간 30분 침지하고, 유리 기판 표면을 에칭하여, 오목부를 형성하였다.

침지 후, 유리 기판을 수세하고, 에어 블로우에 의해 물을 날려버리고 나서, 80℃에서 10분간의 가열에 의해, 유리 기판을 건조하였다. 이 때의 레지스터 상태를 관찰하고, 이하의 기준에 따라 박리성을 평가하였다.

A: 레지스터가, 수세(水洗) 후 물을 날려버린 시점에서는 유리 기판과 밀착하여 있고, 건조 중 또는 건조 후 30분 이내에 유리 기판으로부터 완전하게 박리되었다.

B: 레지스터가, 건조 후 30분간 방치해도 부분적으로 유리 기판에 밀착하여 있었다.

C: 레지스터가, 수세 후 물을 날려버린 시점에서 완전하게 박리되었다. 또는, 건조 후 30분간 방치 후도 레지스터 전체가 유리 기판에 밀착하여 있었다.

<내불화수소산성>

박리성의 평가와 동일한 순서로, 유리 기판 표면을 에칭하여, 오목부를 형성하였다. 불화수소산에의 침지 중의 레지스터 상태를 관찰하고, 이하의 기준으로 내불화수소산성을 평가하였다.

A: 레지스터가 박리되지 않았다.

B: 레지스터가 일부 박리되었다.

C: 레지스터가 완전하게 박리되었다.

<현상성>

박리성의 평가와 동일한 순서로, 레지스터를 형성하였다. 형성된 레지스터를 배율 50배의 현미경으로 관찰하고, 이하의 기준으로 현상성을 평가하였다.

A: 1∼5mm의 공간에 레지스터 잔사(殘渣)가 관찰되지 않고, 5mm폭의 레지스터가 형성되었다.

B: 5mm폭의 레지스터가 남고, 1∼5mm의 공간 중 1∼4mm의 공간에 레지스터 잔사가 관찰되지 않았다.

C: 5mm폭의 레지스터가 남고, 1∼5mm의 공간 모두에 레지스터 잔사가 관찰되었다. 또는, 5mm폭의 레지스터가 상실되었다.

<심굴성(深掘性)>

라인폭/공간폭이 5/1∼5/5(단위:mm, 라인폭은 5mm로 일정, 공간폭은 1mm단위로 증가)인 배선 패턴을 가지는 포토마스크를, 현상용 네가티브로서 적층물의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 밀착시켰다. 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 측으로부터, 초고압 수은등 램프를 가지는 평행광 노광기 MAP1200(다이닛뽕스크린인사쯔 가부시키가이샤 제)을 사용하여, 365nm의 파장으로 400mJ/cm²의 에너지량으로 노광을 실시하였다. 노광 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 1질량% 탄산나트륨 수용액을 30℃에서 120초간 스프레이하여, 감광성 수지 필름의 미노광 부분을 제거함으로써, 레지스터로서의 광경화물 패턴을 얻었다.

200℃로 가열한 상형건조기에, 레지스터와 함께 유리 기판을 넣고, 1시간의 가열 처리를 실시하였다. 가열 후의 유리 기판의 이면에 보호막으로서 폴리에스테르 테이프를 붙이고, 불화수소산(농도10%, 25℃)에 30분 침지하고, 유리 기판 표면을 에칭하여, 오목부를 형성하였다. 다음으로 레지스터를 5% 수산화나트륨 수용액 50℃에 1시간 침지하고, 박리하였다. 에칭 단차(오목부의 깊이)를 촉침식(觸針式) 단차계 DekTak3ST(ULVAC)에 의해 계측하고, 이하의 기준으로 심굴성을 평가하였다.

A: 에칭 단차가 40㎛ 이상였다.

B: 에칭 단차가 30㎛ 이상 40㎛ 미만였다.

C: 에칭 단차가 30㎛ 미만였다.

표 중, 「-」은 불화수소산에 침지 중에 레지스터가 박리된 것을 나타낸다.

표 2에 나타내는 바와 같이, 실란 화합물을 함유하지 않고, 게다가 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 함유량이 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 25∼40질량부의 범위 내에 없는 비교예 1의 감광성 수지 조성물은, 박리성, 내불화수소산성 및 심굴성이 뒤떨어진다. 이것에 대하여, 실란 화합물을 함유하거나, 또는 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 함유량이 (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여 25∼40질량부인 실시예의 감광성 수지 조성물은 양호한 박리성, 내불화수소산성, 현상성 및 심굴성을 가지는 것이 확인되었다.

[터치 패널의 제작]

<실시예 9>

투명 커버 기재로서의 유리 기판(코닝사 제 Gorilla-IOX 유리(등록상표), 세로 100mm×가로 100mm×두께 0.55mm)를 이소프로필알코올로 수세하고, 기류 건조하였다. 80℃로 가온한 유리 기판의 표면에, 실시예 1의 감광성 수지 조성물의 용액으로부터 제작한 감광성 시트를, 폴리에틸렌 필름을 박리하면서 라미네이트하였다. 라미네이트는 110℃로 가열한 라미네이트 롤을 사용하여 실시하였다. 이에 의해, 유리 기판, 감광성 수지 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 순서로 적층된 구성을 가지는 적층물을 얻었다.

얻어진 적층물의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 포토마스크를 밀착시키고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 측으로부터, 초고압 수은등 램프를 가지는 평행광 노광기(MAP1200, 다이닛뽕스크린인사쯔 가부시키가이샤, 상품명)를 사용하여 365nm의 파장으로 400mJ/cm²의 에너지량으로 노광을 실시하였다. 노광 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 1질량% 탄산나트륨 수용액을 30℃으로 120초간 스프레이함으로써, 감광성 수지 필름의 미노광 부분을 제거하였다. 계속하여, 200℃로 가열한 상형건조기에 의해 1시간의 가열 처리를 실시하고, 유리 기판 표면의 일부를 덮는 패턴을 가지는 레지스터를 형성하였다.

유리 기판의 레지스터와는 반대 측의 면에 보호막으로서 마일러 테이프를 붙이고 나서, 10% 불화수소산을 주성분으로 하는 케미컬 에칭 용액(칸토가가쿠 가부시키가이샤 제, 상품명: 불화수소산)에 40분 침지함으로써, 레지스터를 마스크로 하여 유리 기판 표면(이면 중 레지스터에 덮이지 않은 부분)을 에칭하여, 깊이 70㎛의 오목부를 형성하였다. 계속하여, 유리 기판을 수세하고, 에어 블로우 등에 의해 물을 날려버렸다. 그 후, 레지스터를 제거하였다.

스크린 인쇄법(메쉬#250의 스크린판)에 의해, 열경화형 잉크(흑색 안료를 포함하는 아크릴계 열경화성 수지 조성물, 데이코쿠잉크세이조우 가부시키가이샤 제, 상품명: GLS912)를 충전하여, 가식부를 형성하였다. 가식부의 두께는 80㎛이며, 가식부와 투명 커버 기재의 단차는 10㎛였다.

다음으로, 투명 커버 기재 위 및 가식부 위에, 아크릴 수지계 광경화 타입의 네가티브형 오버코트제(JSR 가부시키가이샤 제, 상품명: NN901)를, 스핀 코트법에 의해 도공(塗工)하였다. 도공된 오버코트제에 자외선 조사하고, 오븐에서 소성함으로써 두께 10㎛의 오버코트층을 형성하였다. 가식부와 투명 커버 기재의 단차에 기인하여 오버코트층 표면에 형성된 단차는 5㎛였다.

오버코트층 위에, 막두께 0.2㎛의 ITO(Indium-Tin-Oxide)막을 스퍼터링법에 의해 형성하고, ITO막을 포토리소그래피에 의해 패턴 가공하였다. 이어서, 막두께 0.2㎛의 MAM(Molybdenum-Aluminum-Molybdenum) 전극을 스퍼터링법에 의해 형성하고, 소정의 패턴이 되도록, 포토리소그래피에 의해 패턴 가공하였다. 이와 같이 하여, ITO막 및 MAM 전극을 가지는 터치 패널 센서를 오버코트층 위에 배치하였다.

이어서, 유리 기판을 소정의 절단면을 따라, 가식부 및 오버코트층과 함께 그라인더를 사용하여 절단하여, 터치 패널을 얻었다.

얻어진 터치 패널은, 가식부와 투명 커버 기재의 단차가 작기 때문에, 터치 패널 센서의 전극의 단선이 발생하지 않았다. 또한, 형성된 가식부는 두께가 크다는 점으로부터, 높은 광학 농도를 가지고 있었다.

<실시예 10>

가식부를 형성하기 위한 오목부의 뒤쪽의 위치에 있어서, 유리 기판의 입력면 측의 표면에, 절단용의 오목부를, 레지스터를 마스크로 한 에칭에 의해 형성하였다. 이외는 실시예 9와 동일하게 하여 터치 패널을 얻었다. 절단용의 오목부의 폭은, 그라인더의 드릴의 직경보다 크게 하였다.

<비교예 3>

폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, 와코준야꾸고교 가부시키가이샤 제)를 메틸에틸케톤(MEK)에 용해하여, 농도 30질량%의 PMMA 용액을 얻었다. 이 용액을 유리 기판 위에 스핀 코트법에 의해 도공하고, 건조함으로써, PMMA막을 얻었다. 이어서, PMMA막에 전자선을 조사하여 감광시키고, 현상함으로써, 실시예 9와 동일한 패턴을 가지는 PMMA 레지스터를 형성하였다.

10% 불화수소산을 주성분으로 하는 케미컬 에칭 용액(칸토가가쿠 가부시키가이샤 제, 상품명: 불화수소산)에의 침지에 의해, 유리 기판을 에칭하였다. 침지 후 20분에 PMMA 레지스터가 박리되기 시작하고, 21분 후에는 PMMA 레지스터가 완전하게 유리 기판으로부터 이탈되었다. 수세 후, 에칭에 의해 형성된 오목부의 깊이를 계측하였던바, 20㎛였다.

다음으로, 유리 기판의 오목부에 스크린 인쇄법(메쉬#250의 스크린판)에 의해, 열경화형 잉크(데이코쿠잉크세이조우 가부시키가이샤 제, 상품명: GLS912)를 충전하여, 가식부를 형성하였다. 가식부의 두께는 80㎛이며, 가식부와 투명 커버 기재의 단차는, 60㎛였다.

이어서, 투명 커버 기재 위 및 가식부 위에, 아크릴 수지계 광경화 타입의 네가티브형 오버코트제(JSR 가부시키가이샤 제, 상품명: NN901)를, 스핀 코트법에 의해 도공하였다. 도공된 오버코트제에 자외선 조사하고, 오븐에서 소성함으로써 막두께 10㎛의 오버코트층을 형성하였다. 가식부와 투명 커버 기재의 단차에 기인하여 오버코트층 표면에 형성된 단차는 40㎛였다.

오버코트층 위에, ITO(Indium-Tin-Oxide)막을 스퍼터링법에 의해 0.2㎛두께로 형성하고, ITO막을 포토리소그래피에 의해 패턴 가공하였다. 이어서, MAM(Molybdenum-Aluminum-Molybdenum) 전극을 스퍼터링법에 의해 0.2㎛두께로 형성하고, 소정의 패턴이 되도록, 포토리소그래피에 의해 패턴 가공하였다. 가식부와 투명 커버 기재의 경계 근방에서 단차에 기인하는 단선이 발생하였기 때문에, 제품 수율은 약 40%였다.

<비교 결과>

이하에, 실시예와 비교예의 비교 결과에 관하여 설명한다.

실시예 9 및 실시예 10의 터치 패널은, 비교예 3의 터치 패널에 비해, 가식부와 투명 커버 기재의 단차가 매우 저감되고, 그 위에 형성된 오버코트층이 평탄한 면을 가지고 있었다.

또한, 오버코트층 위에 배치된 터치 패널 센서의 저항값 측정 평가 및 동작 확인에 있어서, 실시예 9 및 실시예 10에서는, 양호한 저항값을 얻을 수 있고, 동작 확인도 양호하였다. 한편, 비교예 3의 터치 패널은, 터치 패널 센서의 단선 등에 의해 저항값 이상(異常)이 확인되고, 정상적으로 작동하지 않았다.

2 … 관통공
4, 4a, 4b … 레지스터
6 … 마일러 테이프
10 … 가공 유리 기판
11 … 투명 커버 기재
12 … 입력면
14 … 이면
15 … 절단면
20 … 유리 기판
22 … 오목부
23 … 절단용의 오목부
30 … 오버코트층
40 … 터치 패널 센서(ITO막, MAM 전극)
100 … 터치 패널
50 … 가식부
d … 오목부의 깊이

Claims

유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 조성물로서,
그 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제 및 (D)실란 화합물을 함유하고, 상기 (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하는, 감광성 수지 조성물.
유리 기판을 불화수소산에 의해 에칭할 때 마스크로서의 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 감광성 수지 조성물로서,
그 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B)광중합성 화합물이, (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하고, 상기 (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 함유량이, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 25∼40질량부인, 감광성 수지 조성물.
제1항에 있어서,
상기 (D)실란 화합물의 함유량이, (A)성분, (B)성분 및 (C)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.5∼12질량부인, 감광성 수지 조성물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (B1)불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물의 일부 또는 전부가, 수산기를 더 가지는, 감광성 수지 조성물.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
그 감광성 수지 조성물이 필름상(狀)인, 감광성 수지 조성물.
유리 기판의 표면의 일부를 덮는 레지스터를, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 공정과,
상기 레지스터를 마스크로 하여, 상기 유리 기판의 표면을 불화수소산에 의해 에칭하는 공정을 구비하는, 가공 유리 기판의 제조 방법.
제6항에 있어서,
상기 유리 기판의 표면을 불화수소산에 의해 에칭하는 공정 후, 가열에 의해 상기 레지스터를 제거하는 공정을 더 구비하는, 가공 유리 기판의 제조 방법.
터치 패널 센서와, 상기 터치 패널 센서에 대향하는 투명 커버 기재(基材)를 구비하고, 상기 투명 커버 기재 측에 입력면을 가지는 터치 패널의 제조 방법으로서,
상기 투명 커버 기재의, 그 터치 패널에 있어서 상기 터치 패널 센서측의 표면이 되는 이면(裏面)의 일부를 덮는 레지스터를, 감광성 수지 필름을 사용하여 형성하는 공정과,
상기 레지스터를 마스크로 하여, 상기 이면을 에칭하여 깊이 40㎛ 이상의 오목부를 형성하는 공정과,
상기 레지스터를 제거하는 공정과,
상기 오목부의 일부 또는 전부에 충전되는 가식부(加飾部)를 형성하는 공정과,
상기 이면 측에서 상기 투명 커버 기재 위로부터 상기 가식부 위까지 연재(延在)하는 오버코트층을 형성하는 공정과,
상기 오버코트층 위에 터치 패널 센서를 배치하는 공정을 구비하는, 터치 패널의 제조 방법.
제8항에 있어서,
상기 감광성 수지 필름의 두께가 10∼200㎛인, 터치 패널의 제조 방법.
제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 투명 커버 기재가 유리 기판인, 터치 패널의 제조 방법.
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 필름이, (A)바인더 폴리머, (B)광중합성 화합물, (C)광중합 개시제, 및 (D)실란 화합물을 함유하고, 상기 (B)광중합성 화합물이, 불포화기 및 이소시아눌환을 가지는 화합물을 포함하는, 터치 패널의 제조 방법.
제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 입력면에 수직한 방향에서 보았을 때에, 상기 가식부가, 상기 입력면의 주연부(周緣部)와 겹치도록 설치되어 있는, 터치 패널의 제조 방법.
제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻을 수 있는, 터치 패널.