KR20140138809A - 회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법 - Google Patents

회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법 Download PDF

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KR20140138809A
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히로시 하마찌
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 우수한 내블로킹성을 가짐과 함께, 우수한 접속 신뢰성을 갖는 회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법을 제공한다. 막 형성 수지와, 라디칼 중합성 수지와, 라디칼 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물에, 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자를 분산시킨다. 탄성체 입자가 50％ 이상의 변위가 가능한 유연성을 가짐으로써, 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력을 가할 수 있기 때문에, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다. 또한, 탄성체 입자의 압축 회복률이 50％ 이상임으로써, 릴의 교축에 의한 권압을 완화하고, 블로킹을 방지할 수 있다.

Description

회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법{CIRCUIT CONNECTION MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING MOUNTED UNIT USING SAME}
본 발명은 도전성 입자가 분산된 회로 접속 재료, 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은, 일본에 있어서 2012년 3월 2일에 출원된 일본 특허 출원 번호 제2012-046982를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이며, 이 출원을 참조함으로써, 본 출원에 원용된다.
도전성 입자가 분산된 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)은, 예를 들어 플랜지를 갖는 릴에 권회된 릴체로서 사용된다. 이 릴체에 있어서는, 예를 들어 온도 조건 등에 의해 이방성 도전 필름이 신축함으로써, 권장체의 교축(squeezing)이 발생한다. 그 결과, 이방성 도전 필름의 수지층(접착제 성분)이, 수지층의 길이 방향을 따른 폭 방향의 일단부보다도 외측으로 유동하여, 박리 기재의 측면으로부터 밀려나와 버리는 경우가 있다. 수지층이 박리 기재의 측면으로부터 밀려나와 버리면, 이방성 도전 필름에 있어서의 수지층이 릴의 플랜지 측면에 부착되어 버려, 이방성 도전 필름을 정상적으로 인출할 수 없게 되는 문제(이하, 「블로킹」이라고 칭함)가 발생한다.
특허문헌 1, 2에는, 이방성 도전 필름의 내블로킹성을 향상시키기 위해서, 미립자를 충전하여, 접착제 조성물의 유동을 적절하게 억제하는 것이 기재되어 있다. 그러나, 접착제 조성물에 미립자를 충전한 경우, 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력이 가해지지 않아, 접속 신뢰성이 저하되는 것이 염려된다.
일본 특허 공개 제2010-183049호 공보 일본 특허 공개 제2003-249287호 공보
본 발명은 이러한 종래의 실정에 감안하여 제안된 것이고, 우수한 내블로킹성을 가짐과 함께, 우수한 접속 신뢰성을 갖는 회로 접속 재료 및 그것을 사용한 실장체의 제조 방법을 제공한다.
본건 발명자는, 예의 검토를 행한 결과, 높은 압축 회복률을 갖는 탄성체 입자를 배합함으로써, 내블로킹성 및 접속 신뢰성이 개선되는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명에 따른 회로 접속 재료는, 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자가 분산되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 실장체의 제조 방법은, 제1 전자 부품의 전극 상에, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자가 분산된 이방성 도전 필름, 제2 전자 부품을 순서대로 배치하는 공정과, 상기 제2 전자 부품의 상면으로부터 압착 헤드에서 가압하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 높은 압축 회복률을 갖는 탄성체 입자가 배합되어 있기 때문에, 교축에 의한 권압을 완화하여, 우수한 내블로킹성을 얻을 수 있다. 또한, 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력을 가할 수 있기 때문에, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
도 1은, 릴로 권회된 회로 접속 재료를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 압착시에 있어서의 탄성체 입자의 평균 입자 직경의 영향을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 본 실시 형태에 있어서의 압착시의 단자 부분을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 하기 순서로 상세하게 설명한다.
1. 회로 접속 재료 및 그의 제조 방법
2. 실장체 및 그의 제조 방법
3. 실시예
<1. 회로 접속 재료 및 그의 제조 방법>
본 발명의 구체예로서 나타내는 회로 접속 재료는, 접착제 조성물에 높은 압축 회복률을 갖는 탄성체 입자와 도전성 입자를 분산시켜 구성된다. 이 회로 접속 재료는, 페이스트 또는 필름 형상이고, 목적에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
탄성체 입자는, 압축 회복률이 50％ 이상이다. 여기서, 압축 회복률은, 탄성체 입자의 직경을 2amm, 50％ 변위 부하시의 탄성체 입자의 두께를 amm, 제하 후의 두께를 bmm로 했을 때, (b-a)/a×100(％)로서 산출된다.
즉, 탄성체 입자는, 50％ 이상의 변위가 가능한 유연성을 갖는다. 이에 의해, 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력을 가할 수 있기 때문에, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다. 또한, 탄성체 입자는, 압축 회복률이 50％ 이상임으로써, 릴의 교축에 의한 권압을 완화하여, 접착제 조성물이 릴의 플랜지 측면에 부착되어 버려 회로 접속 재료를 정상적으로 인출할 수 없게 되는 블로킹을 방지할 수 있다.
도 1은, 릴로 권회된 회로 접속 재료를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 릴로 권회된 회로 접속 재료는, 박리 기재(20)에 협지되어 있다. 본 실시 형태에서는, 접착제 조성물(10) 중에 탄성체 입자(11)가 존재하기 때문에, 릴의 교축에 의한 권압에 대하여 탄성체 입자(11)의 회복하려고 하는 힘이 작용한다. 이에 의해, 릴의 교축에 의한 권압을 완화할 수 있다.
탄성체 입자로서는, 상기 압축 회복률의 조건을 만족하는 것이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 폴리우레탄, 폴리스티렌 등의 수지 입자를 들 수 있다. 이들 중에서도 폴리우레탄 입자가 바람직하게 사용된다.
탄성체 입자의 평균 입자 직경은, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 0.2배 이상 5.0배 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 우수한 내블로킹성 및 접속 신뢰성이 얻어진다. 탄성체 입자의 평균 입자 직경이, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 0.2배보다 작아지면, 릴의 교축에 의한 권압을 완화하는 것이 곤란해지고, 내블로킹성이 저하된다. 한편, 탄성체 입자의 평균 입자 직경이, 도전성 입자의 평균 입자 직경의 5.0배보다 커지면, 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력을 가하는 것이 곤란해지고, 접속 신뢰성이 저하된다. 또한, 평균 입자 직경은, 예를 들어 시차 주사 전자 현미경으로 관찰한 소정수의 탄성체 입자 또는 도전성 입자의 입자 직경의 평균값으로 할 수 있다.
도 2 및 도 3은, 압착시에 있어서의 탄성체 입자의 평균 입자 직경의 영향을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 이 도 2 및 도 3은, 기판(30) 상의 배선과 칩(40)의 범프(41)를 가열 가압에 의해 접속시키는 모습을 나타낸다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 도전성 입자(12)에 대하여 탄성체 입자(11)의 평균 입자 직경이 충분히 큰 경우, 탄성체 입자(11)가 범프(41)에 압궤될 때의 회복하려고 하는 힘이 크기 때문에, 도전성 입자(12)를 충분히 압궤할 수 없고, 접속 저항값이 상승해 버린다. 한편, 본 실시 형태와 같이 탄성체 입자의 평균 입자 직경을 도전성 입자의 평균 입자 직경의 0.2배 이상 5.0배 이하로 함으로써, 탄성체 입자(11)가 범프(41)에 압궤될 때의 회복하려고 하는 힘이 작아져, 도전성 입자(12)를 충분히 압궤할 수 있다.
탄성체 입자의 함유량은, 접착제 조성물에 대하여 1wt％ 이상 30wt％ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 우수한 내블로킹성 및 접속 신뢰성이 얻어진다. 탄성체 입자의 함유량이, 접착제 조성물에 대하여 1wt％ 미만이면, 릴의 교축에 의한 권압을 완화하는 것이 곤란해져, 내블로킹성이 저하된다. 한편, 탄성체 입자의 함유량이, 접착제 조성물에 대하여 30wt％를 초과하면, 압착시에 있어서의 접착제 조성물의 유동성이 저하되고, 단자 간으로부터 도전성 입자를 배제하는 것이 곤란해져, 접속 신뢰성이 저하된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 접착제 조성물은, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유한다.
막 형성 수지는, 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 수지에 상당하고, 필름 형성성의 관점에서, 10000 내지 80000 정도의 평균 분자량인 것이 바람직하다. 막 형성 수지로서는 페녹시 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 부티랄 수지 등의 다양한 수지를 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하거나, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서도 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지가 적절하게 사용된다. 막 형성 수지의 함유량은, 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 30 내지 80질량부, 바람직하게는 40 내지 70질량부이다.
중합성 수지는 라디칼 중합성 수지, 양이온 중합성 수지 등이고, 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
라디칼 중합성 수지는, 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 물질이고, 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서도, 본 실시 형태에서는, 에폭시아크릴레이트가 바람직하게 사용된다. 라디칼 중합성 수지의 함유량은, 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 10 내지 60질량부, 바람직하게는 20 내지 50질량부이다.
라디칼 중합성 수지를 사용하는 경우의 라디칼 중합 개시제는, 공지된 것을 사용할 수 있고, 그 중에서도 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다. 유기 과산화물로서는 퍼옥시케탈류, 디아실퍼옥시드류, 퍼옥시디카르보네이트류, 퍼옥시 에스테르류, 디알킬퍼옥시드류, 히드로퍼옥시드류, 실릴퍼옥시드류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서도, 본 실시 형태에서는, 퍼옥시케탈류가 바람직하게 사용된다. 라디칼 중합 개시제의 함유량은, 라디칼계 접착제 조성물 100질량부에 대하여, 통상 0.1 내지 30질량부, 바람직하게는 1 내지 20질량부이다.
양이온 중합성 수지는 1관능성 에폭시 화합물, 복소환 함유 에폭시 수지, 지방족계 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 특히 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
양이온 중합성 수지를 사용하는 경우의 양이온 경화제는, 양이온종이 에폭시 수지 말단의 에폭시기를 개환시켜, 에폭시 수지끼리를 자기 가교시킨다. 이러한 양이온 경화제로서는, 방향족 술포늄염, 방향족 디아조늄염, 요오도늄염, 포스포늄염, 셀레노늄염 등의 오늄염을 들 수 있다. 특히, 방향족 술포늄염은, 저온에서의 반응성이 우수하고, 가용 시간이 길기 때문에, 양이온 경화제로서 적합하다.
또한, 접착제 조성물은, 무기 기재에의 밀착성을 향상시키기 위해서, 실란 커플링제 등을 더 함유하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로서는, 메타크릴록시계, 에폭시계, 아미노계, 비닐계, 머캅토·술피드계, 우레이도계 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서도, 본 실시 형태에서는, 메타크릴록시계 실란 커플링제가 바람직하게 사용된다.
또한, 접착제 조성물에 분산시키는 도전성 입자는, 예를 들어 니켈, 금, 구리 등의 금속 입자, 수지 입자에 금 도금 등을 실시한 것 등을 사용할 수 있다. 또한, 도전성 입자의 평균 입경은, 접속 신뢰성의 관점에서, 바람직하게는 1 내지 20㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 10㎛이다. 또한, 접착제 조성물 중의 도전성 입자의 평균 입자 밀도는, 접속 신뢰성 및 절연 신뢰성의 관점에서, 바람직하게는 1000 내지 50000개/㎟, 보다 바람직하게는 5000 내지 30000개/㎟이다.
이어서, 상술한 회로 접속 재료를 포함하는 이방성 도전 필름의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 이방성 도전 필름의 제조 방법은, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자를 분산시키는 것이다. 이들을 용해시키는 유기 용제로서는 톨루엔, 아세트산 에틸, 또는 이들의 혼합 용제, 기타 각종 유기 용제를 사용할 수 있다.
구체적으로는 우선, 상술한 회로 접속 재료를 조정 후, 바 코터, 도포 장치 등을 사용하여 박리 기재 상에 도포한다. 박리 기재는, 예를 들어 실리콘 등의 박리제를 PET(Poly Ethylene Terephthalate; 폴리에틸렌 테레프탈레이트), OPP(Oriented Polypropylene; 배향 폴리프로필렌), PMP(Poly-4-methylpentene-1; 폴리-4-메틸펜텐-1), PTFE(Polytetrafluoroethylene; 폴리테트라플루오로에틸렌) 등에 도포한 적층 구조를 포함하고, 이방성 도전 재료 중의 수지의 건조를 방지하는 동시에, 수지의 형상을 유지한다.
이어서, 박리 기재 상에 도포된 이방성 도전 재료를 열 오븐, 가열 건조 장치 등에 의해 건조시킨다. 이에 의해, 두께 5 내지 50㎛ 정도의 이방성 도전 필름을 제조할 수 있다.
또한, 이방성 도전 필름의 릴체를 제조하는 경우, 예를 들어 이방성 도전 필름을 절단하고, 이 이방성 도전 필름을 박리 기재의 측면이 플랜지의 내면에 접하도록 하면서 권취부에 권취함으로써 릴체를 얻을 수 있다.
<2. 실장체의 실장 방법>
이어서, 상술한 회로 접속 재료를 사용한 전자 부품의 실장 방법에 대하여 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 전자 부품의 실장 방법은, 제1 전자 부품의 전극 상에, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자가 분산된 이방성 도전 필름, 제2 전자 부품을 순서대로 배치하는 공정과, 제2 전자 부품의 상면으로부터 압착 헤드에서 가압하는 공정을 갖는다. 이에 의해, 제1 전자 부품의 전극과 제2 전자 부품의 전극을 도전성 입자를 개재하여 접속함과 함께, 이방성 도전 필름을 경화시킬 수 있다.
여기서, 제1 전자 부품으로서는, 유리 기판에 IZO(Indium Zinc Oxide; 인듐 아연 산화물)막이 코팅된 IZO 코팅 유리, 유리 기판에 SiNx(실리콘 질화)막이 코팅된 SiNx 코팅 글라스 등을 들 수 있다. 또한, 제2 전자 부품으로서는 COF(Chip On Film; 칩 온 필름), IC(Integrated Circuit; 집적 회로) 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에서는, 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자가 포함되어 있기 때문에, 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력을 가할 수 있고, 높은 접속 신뢰성을 얻을 수 있다.
실시예
<3. 실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 여기에서는, 탄성체 입자로서 압축 회복률이 다른 폴리우레탄 입자를 제작하였다. 그리고, 폴리우레탄 입자를 함유하는 이방성 도전 필름의 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 이방성 도전 필름을 사용하여 실장체를 제작하였다. 평가 항목으로서 릴 샘플의 블로킹 시험, 및 실장체의 접속 저항의 측정을 행하였다. 또한, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
압축 회복률의 측정, 블로킹 시험의 평가 및 접속 저항의 측정은, 다음과 같이 행하였다.
[압축 회복률의 측정]
측정 기기로서 피셔 스코프 H100C(피셔 인스트루먼트 제조)를 사용하였다. 실온의 시료대 상에서 폴리우레탄 입자의 중심 방향에 대하여 압축 속도 0.33mN/초로 하중을 50％의 변위까지 부하하고, 5초간 유지한 후, 0.33mN/초로 제하하였다. 그리고, 변위 부하 전의 폴리우레탄 입자의 직경을 2amm, 50％ 변위 부하시의 폴리우레탄 입자의 두께를 amm, 제하 후 30분간 방치했을 때의 두께를 bmm로 하고, (b-a)/a×100(％)로서 산출하였다.
[블로킹 시험의 평가]
릴 샘플 선단에 75g의 추를 늘어뜨려, 35℃의 오븐에 3시간 방치하고, 그 후 이방성 도전 필름을 인출하여, 최후까지 인출할 수 있는지 여부의 시험을 행하였다. 5권 시험을 행하여, 5권 모두가 양호하게 최후까지 인출될 수 있었던 경우를 ○로 하고, 1권이라도 인출 불량이 발생한 경우를 ×로 하였다.
[접속 저항의 측정]
실장체에 대해서, 디지털 멀티 미터(디지털 멀티 미터 7555, 요꼬가와 덴끼사 제조)를 사용하여 4 단자법으로 전류 1mA를 흘렸을 때의 초기 접속 저항을 측정하였다.
<3.1 압축 회복률에 대해서>
[실시예 1]
(폴리우레탄 입자의 제작)
우선, 폴리우레탄 입자를 제작하였다. 이온 교환수 1000g에 현탁 안정제로서 트리칼슘포스페이트 30g을 용해시켜서 분산매로 하였다. 이것에, 3개의 수산기를 갖는 분자량 700의 카프로락탐트리올을 70g, 및 3개의 이소시아네이트기를 갖는 무황변 타입의 폴리이소시아네이트를 100g 첨가하고, 600rpm으로 30분간 교반하여 현탁액을 제조하였다. 이 현탁액을 3L의 플라스크에 넣어서 70℃로 승온한 후, 250rpm으로 6시간 반응시켜 냉각한 후, 원심 분리하여 고액 분리하였다. 이것을 물로 충분히 세정하여 건조하고, 평균 입자 직경 5㎛의 폴리우레탄 입자(PU-1)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-1)의 압축 회복률을 측정한 바, 90％였다. 또한, 평균 입자 직경은, 시차 주사 전자 현미경으로 관찰한 10개의 폴리우레탄 입자의 입자 직경 평균값으로 하였다.
(이방성 도전 필름의 제작)
이어서, 폴리우레탄 입자를 함유하는 이방성 도전 필름의 릴 샘플을 제작하였다. 페녹시 수지(품명: YP-50, 도토 가세이사 제조)를 고형분 환산으로 60질량부, 라디칼 중합성 수지(품명: EB-600, 다이셀·사이텍사 제조)를 15질량부, 및 반응 개시제(품명: 퍼헥사 C, 닛본 유시사 제조)를 2질량부로서 구성된 접착제 조성물 중에 평균 입자 직경 5㎛의 도전성 입자(품명: AUL704, 세끼스이 가가꾸 고교사 제조)를 평균 입자 밀도가 10000개/㎟가 되도록 분산시켰다. 또한, 평균 입자 직경 5㎛의 폴리우레탄 입자(PU-1)를 상기 접착제 조성물에 대하여 10wt％ 충전시켰다. 이 이방성 도전 접속 재료를 PET 필름 상에 바 코터를 사용하여 도포하고, 오븐에서 건조시켜, 두께 20㎛의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
(릴 샘플의 제작)
이방성 도전 필름을 1.5mm 폭으로 슬릿하고, 플라스틱 릴에 100M로 권취한 릴 샘플을 제작하였다.
(실장체의 제작)
평가용 유리 기판(IZO(인듐 아연 산화물) 250nm 코팅 글라스)에 1.5mm 폭으로 슬릿된 이방성 도전 필름을, 150㎛ 두께의 완충재(폴리테트라플루오로에틸렌)를 사용하여, 1.5mm 폭의 툴 가압착기에서 70℃-1MPa-1sec의 조건으로 가압착하였다. 계속해서, 평가용 COF(50㎛P, Cu 8㎛t-Sn 도금, 38㎛t)를 동일한 압력기에서 80℃-0.5MPa-0.5sec의 조건으로 임시 고정하고, 마지막으로 190℃-2MPa-10sec의 조건으로 1.5mm 폭의 툴을 사용한 본 압착기로 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 1에, 실시예 1의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 1.02Ω였다.
[실시예 2]
2개의 이소시아네이트기를 갖는 무황변 타입의 이소포론디이소시아네이트를 100g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 평균 입자 직경 5㎛의 폴리우레탄 입자(PU-2)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-2)의 압축 회복률을 측정한 바, 50％였다.
또한, 실시예 1과 동일하게, 폴리우레탄 입자(PU-2)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 1에, 실시예 2의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 1.12Ω였다.
[비교예 1]
2개의 수산기를 갖는 분자량 2000의 카프로락탐디올을 70g 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 평균 입자 직경 5㎛의 폴리우레탄 입자(PU-3)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-3)의 압축 회복률을 측정한 바, 40％였다.
또한, 실시예 1과 동일하게, 폴리우레탄 입자(PU-3)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 1에, 비교예 1의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ×였다. 또한, 접속 저항값은 0.99Ω였다.
[비교예 2]
폴리우레탄 입자 대신 Si 필러를 사용하였다. 이 Si 필러(Si-1)의 압축 회복률은, 필러가 깨져버리기 때문에 측정할 수 없었다.
또한, 실시예 1과 동일하게, Si 필러(Si-1)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 1에, 비교예 2의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 4.05Ω였다.
Figure pct00001
표 1에 나타낸 바와 같이, 압축 회복률이 50％ 미만의 탄성체 입자를 사용한 비교예 1은, 우수한 내블로킹성을 얻을 수 없었다. 또한, 탄성체 입자를 사용하지 않은 비교예 2는, 접속 저항값이 상승하였다. 한편, 실시예 1, 2와 같이 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자를 사용함으로써, 내블로킹성을 향상시킬 수 있었다. 또한, 도전성 입자에 적정한 압력이 가해지기 때문에, 실장체의 접속 저항값을 저하시킬 수 있었다.
<3.2 평균 입자 직경에 대해서>
[실시예 3]
이온 교환수 1000g에 현탁 안정제로서 트리칼슘포스페이트 70g을 용해시켜 분산매로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 평균 입자 직경 1㎛의 폴리우레탄 입자(PU-4)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-4)의 압축 회복률을 측정한 바, 88％였다.
또한, 실시예 1과 동일하게, 폴리우레탄 입자(PU-4)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 2에, 실시예 3의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 1.04Ω였다.
[실시예 4]
이온 교환수 1000g에 현탁 안정제로서 트리칼슘포스페이트 5g을 용해시켜 분산매로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 평균 입자 직경 20㎛의 폴리우레탄 입자(PU-5)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-5)의 압축 회복률을 측정한 바, 84％였다.
또한, 실시예 1과 동일하게, 폴리우레탄 입자(PU-5)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 2에, 실시예 4의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 1.06Ω였다.
[비교예 3]
이온 교환수 1000g에 현탁 안정제로서 트리칼슘포스페이트 80g을 용해시켜 분산매로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 평균 입자 직경 0.5㎛의 폴리우레탄 입자(PU-6)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-6)의 압축 회복률을 측정한 바, 86％였다.
또한, 실시예 1과 동일하게, 폴리우레탄 입자(PU-6)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 2에, 비교예 3의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ×였다. 또한, 접속 저항값은 1.00Ω였다.
[비교예 4]
이온 교환수 1000g에 현탁 안정제로서 트리칼슘포스페이트 2g을 용해시켜 분산매로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 평균 입자 직경 27㎛의 폴리우레탄 입자(PU-7)를 얻었다. 이 폴리우레탄 입자(PU-7)의 압축 회복률을 측정한 바, 88％였다.
또한, 실시예 1과 동일하게, 폴리우레탄 입자(PU-7)를 함유하는 이방성 도전 필름을 제작하고, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 2에, 비교예 3의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 2.04Ω였다.
Figure pct00002
표 2에 나타내는 바와 같이, 탄성체 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 미만, 즉 도전성 입자의 평균 입자 직경의 0.2배보다 작은 경우(비교예 3), 릴의 교축에 의한 권압을 완화하는 것이 곤란해지고, 양호한 내블로킹성이 얻어지지 않았다. 또한, 탄성체 입자의 평균 입자 직경이 25㎛보다 큰, 즉 도전성 입자의 평균 입자 직경의 5.0배보다 큰 경우(비교예 4), 압착시에 도전성 입자에 적정한 압력을 가하는 것이 곤란해지고, 접속 저항값이 상승하였다. 한편, 실시예 3, 4와 같이 탄성체 입자의 평균 입자 직경이 1㎛ 이상 25㎛ 이하, 즉 탄성체 입자의 평균 입자 직경이 도전성 입자의 평균 입자 직경의 0.2배 이상 5.0배 이하인 경우, 우수한 내블로킹성 및 접속 신뢰성이 얻어지는 것을 알 수 있었다.
<3.3 함유량에 대해서>
[실시예 5]
폴리우레탄 입자(PU-1)를 상기 접착제 조성물에 대하여 1wt％ 충전시켜 이방성 도전 필름을 제작한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 3에, 실시예 5의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 1.02Ω였다.
[실시예 6]
폴리우레탄 입자(PU-1)를 상기 접착제 조성물에 대하여 30wt％ 충전시켜 이방성 도전 필름을 제작한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 3에, 실시예 6의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 1.03Ω였다.
[비교예 5]
폴리우레탄 입자(PU-1)를 상기 접착제 조성물에 대하여 0.5wt％ 충전시켜 이방성 도전 필름을 제작한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 3에, 비교예 5의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ×였다. 또한, 접속 저항값은 0.98Ω였다.
[비교예 6]
폴리우레탄 입자(PU-1)를 상기 접착제 조성물에 대하여 35wt％ 충전시켜 이방성 도전 필름을 제작한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게, 릴 샘플을 제작하였다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 이방성 도전 필름을 사용하여 평가용 유리 기판과 평가용 COF를 압착하여, 실장체를 제작하였다.
(평가 결과)
표 3에, 비교예 6의 평가 결과를 나타내었다. 릴 샘플의 블로킹 시험의 결과는 ○였다. 또한, 접속 저항값은 3.05Ω였다.
Figure pct00003
표 3에 나타낸 바와 같이, 탄성체 입자의 함유량이, 접착제 조성물에 대하여 1wt％ 미만인 경우(비교예 5), 릴의 교축에 의한 권압을 완화하는 것이 곤란해지고, 양호한 내블로킹성이 얻어지지 않았다. 또한, 탄성체 입자의 함유량이, 접착제 조성물에 대하여 30wt％를 초과한 경우(비교예 6), 압착시에 있어서의 접착제 조성물의 유동성이 저하되고, 단자 간으로부터 도전성 입자를 배제하는 것이 곤란하게 되어, 접속 저항값이 상승하였다. 한편, 실시예 5, 6과 같이 탄성체 입자의 함유량이, 접착제 조성물에 대하여 1wt％ 이상 30wt％ 이하인 경우, 우수한 내블로킹성 및 접속 신뢰성이 얻어지는 것을 알 수 있었다.
10 접착제 조성물, 11 탄성체 입자, 12 도전성 입자, 20 박리 기재, 30 기판, 40 칩, 41 범프

Claims (5)

  1. 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자가 분산된 회로 접속 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 탄성체 입자의 평균 입자 직경이 상기 도전성 입자의 평균 입자 직경의 0.2배 이상 5.0배 이하인 회로 접속 재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄성체 입자의 함유량이 상기 접착제 조성물에 대하여 1wt％ 이상 30wt％ 이하인 회로 접속 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접착제 조성물은 막 형성 수지와, 라디칼 중합성 수지와, 라디칼 중합 개시제를 함유하고,
    상기 탄성체 입자는 폴리우레탄 입자인 회로 접속 재료.
  5. 제1 전자 부품의 전극 상에, 막 형성 수지와, 중합성 수지와, 중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물에 압축 회복률이 50％ 이상인 탄성체 입자와 도전성 입자가 분산된 이방성 도전 필름, 제2 전자 부품을 순서대로 배치하는 공정과,
    상기 제2 전자 부품의 상면으로부터 압착 헤드에서 가압하는 공정
    을 갖는 실장체의 제조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6429228B2 (ja) * 2014-04-24 2018-11-28 タツタ電線株式会社 金属被覆樹脂粒子及びそれを用いた導電性接着剤
KR102401753B1 (ko) * 2014-05-12 2022-05-26 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
CN108368409B (zh) * 2016-05-23 2019-05-07 拓自达电线株式会社 导电性粘接剂组合物
WO2018181589A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 日立化成株式会社 接着剤組成物及び構造体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249287A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電性接着剤、ヒートシールコネクター及び接続構造
JP2004043602A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Bridgestone Corp 異方性導電フィルム
EP2182585B1 (en) * 2003-06-25 2011-08-10 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit member connecting structure
CN101309993B (zh) * 2005-11-18 2012-06-27 日立化成工业株式会社 粘接剂组合物、电路连接材料、连接结构及电路部件连接方法
CN102244042A (zh) * 2005-12-26 2011-11-16 日立化成工业株式会社 粘接剂组合物、电路连接材料以及电路构件的连接结构
JP4650456B2 (ja) * 2006-08-25 2011-03-16 日立化成工業株式会社 回路接続材料、これを用いた回路部材の接続構造及びその製造方法
JP4985700B2 (ja) * 2008-04-28 2012-07-25 日立化成工業株式会社 接着剤リール

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