KR20140125272A

KR20140125272A - 인듐 타깃 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20140125272A
Application number: KR20130074730A
Authority: KR
Inventors: 요우스케 엔도
Original assignee: 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2012-10-25
Filing date: 2013-06-27
Publication date: 2014-10-28
Also published as: KR20140097070A; JP2014084511A; JP5281186B1; TW201400634A; TWI458849B

Abstract

(과제) 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함하는 인듐 타깃.

Description

인듐 타깃 및 그 제조 방법{INDIUM TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은 인듐 타깃 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

인듐 타깃은, 종래, 배킹 플레이트 상에 인듐 합금 등을 부착시킨 후, 금형에 인듐을 흘려 넣어 주조함으로써 제작되고 있다. 이와 같은 인듐 타깃의 용해 주조법에 있어서는, 주형에 공급된 인듐 원료가 공기 중의 산소와 반응하여 산화물을 형성하는 경우가 있는데, 이와 같은 절연성의 산화물이 인듐 타깃 중에 존재하고 있으면, 스퍼터링에 의한 박막 형성시의 이상 방전이나, 형성한 박막 중에 대한 파티클 발생 등의 문제가 발생한다.

이와 같은 문제에 대하여, 본 발명자들에 의한 특허문헌 1 에서는, 인듐 타깃 중에 존재하는 미량의 개재물 (介在物) 에 대하여 문제시하여, 이들을 제거 또는 저감시키는 검토를 행하고 있다. 그리고, 특허문헌 1 에서는, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하여, 입경이 0.5 ∼ 20 ㎛ 인 개재물을 1500 개/g 이하, 더욱 바람직하게는 500 개/g 이하인 인듐 타깃을 제안하고 있다. 또, 그 제조 방법으로서, 인듐 원료를 용기 내에서 용해하고, 배관을 통하여 주형에 공급하여, 주형 내에서 냉각시킴으로써 주조하는 인듐의 제조 방법으로서, 용기, 배관 및 주형에 있어서, 인듐 원료와 접하는 부분의 표면 조도 (Ra) 를 5 ㎛ 이하로 하는 방법을 제안하고 있다.

일본 특허공보 제4884561호

본 발명은, 특허문헌 1 에 대하여, 상이한 수단에 의해, 추가로 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위하여 더욱 예의 검토한 결과, 스퍼터링시에 문제가 되는 입자는, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 의 화합물의 입자이며, 이들 입자가 스퍼터링시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생의 원인이 되는 것이 판명되었다. 특히 5.0 ㎛ 이상의 입경의 이물질이 스퍼터시의 이상 방전의 주된 원인인 것이 판명되었다. 그래서, 이 5.0 ㎛ 이상의 입자의 개수 밀도를 소정의 범위로 제어함으로써, 스퍼터시의 이상 방전의 발생 등이 일어나지 않는 것을 알아냈다. 이로써, 본 발명자들은, 특허문헌 1 에 대하여, 상이한 수단에 의해, 추가로 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃을 제공할 수 있는 것을 알아냈다.

이상의 지견 (知見) 을 기초로 하여 완성한 본 발명은 일 측면에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함하는 인듐 타깃이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 500 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 450 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.55 배 이하이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 400 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.50 배 이하이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.01 배 이상 0.50 배 이하이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 포함하지 않고, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물을 1 개/g 이상 1000 개/g 이하 포함한다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 40 ㎜ 이하이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 개재물이, 금속, 금속 산화물, 탄소, 탄소 화합물, 염소 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃은 또한 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 개재물이, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 금속 또는 그 산화물이다.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 인듐 원료를 용기 내에서 용해하고, 용해된 인듐 원료를 주형에 공급하여, 주형 내에서 냉각시킴으로써 주조하는 인듐 타깃의 제조 방법으로서, 인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는 인듐 타깃의 제조 방법이다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 버블링하면서 1 시간 이상 교반한다.

본 발명에 의하면, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 양호하게 억제할 수 있는 신규의 인듐 타깃 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

본 발명의 인듐 타깃은, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함한다. 개재물은, 인듐 원료에 포함되어 있던 불순물이나, 주로 제조 공정에서 혼입된 불순물 또는 생성물에서 기인하는 것이며, 인듐 타깃의 조직 중에 존재하는 고형물을 의미한다. 개재물은, 예를 들어, 금속, 금속 산화물, 탄소, 탄소 화합물, 염소 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상이다. 또, 개재물은, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 금속 또는 그 산화물이어도 된다.

인듐 타깃 중의 개재물은, 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등의 문제를 일으킨다. 본 발명자는, 특히, 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물이 이상 방전 등에 영향을 주며, 이와 같은 입경의 개재물의 개수 밀도를 제어함으로써, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 매우 양호하게 억제할 수 있는 것을 알아냈다. 한편, 특허문헌 1 과 같은 기술에서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물의 제어라는 사상이 없어, 이와 같은 특징적인 개재물 제어가 이루어지지 않았다. 이에 반하여, 본 발명의 인듐 타깃은, 상기와 같이 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물의 개수 밀도가 500 개/g 이하로 제어되고 있기 때문에, 특허문헌 1 에 기재된 발명과 비교하여, 스퍼터시의 이상 방전이나 형성하는 막 중의 파티클 발생을 보다 양호하게 억제할 수 있다.

본 발명의 인듐 타깃은, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 500 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하여도 된다. 여기서, 개재물의 입경을 20 ㎛ 이하로 하고 있는 것은, 입경이 20 ㎛ 를 초과하는 개재물이 혼입되는 경우는 적은 점, 또한 20 ㎛ 를 초과하는 개재물이 혼입되어 있어도 그 양은 입경이 20 ㎛ 이하인 개재물의 양과 상관이 있으므로, 20 ㎛ 이하인 개재물의 밀도를 고려하면 충분하기 때문이다. 또, 본 발명의 인듐 타깃은, 소입경의 개재물의 개수 밀도에 대한 대입경의 개재물의 개수 밀도가 제어되어 있어도 된다. 상기와 같이, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하이면, 보다 양호한 이상 방전 억제 효과를 갖는다.

또한, 개재물의 입경을 2.0 ㎛ 이상으로 하고 있는 것은, 입경이 2.0 ㎛ 이하인 개재물은 매우 작으므로, 이상 방전에 대한 영향이 거의 없기 때문이다.

본 발명에 있어서, 「개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배」등과 같은, 개수 밀도에 소정값을 곱한 값에 대해서는, 소수점 이하는 버리는 것으로 한다. 예를 들어, 개수 밀도가 333 (개/g) 인 경우의 「개수 밀도의 0.60 배」는, 333 × 0.60 ＝ 199.8, 즉, 199 (개/g) 로 한다.

또, 보다 양호하게 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제하기 위해서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 450 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.55 배 이하여도 된다. 또한, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제하기 위해서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 400 개/g 이하 포함하고, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.50 배 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의, 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 에 대한 비의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 있어서는 전형적으로는 0.01 배 이상이다.

또한, 더욱더 양호하게 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제하기 위해서는, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 포함하지 않고, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물을 1 개/g 이상 1000 개/g 이하 포함하는 것이 바람직하다.

개재물 등의 이물질은 결정 입계에 많이 석출되는 경향이 있다. 또, 입자경이 작을수록 입계의 수는 많아져, 존재하는 이물질의 분산이 양호해진다. 그 때문에, 입자경이 큰 경우에는 입계가 적어져, 한 지점에 이물질이 많이 모여 이상 방전을 유발한다. 한편, 결정립이 작은 경우에는 이물질이 넓게 분산되어 있기 때문에, 이상 방전을 저감시킬 수 있다. 이와 같은 관점에서, 인듐 타깃의 평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 40 ㎜ 이하이면, 보다 엄격한 스퍼터링 조건하에 있어서도, 양호하게 스퍼터시의 이상 방전이나, 형성한 막 중의 파티클 발생 등을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다. 이와 같은 구성에 의하면, 허용되는 스퍼터링의 조건을 보다 넓게 할 수 있다. 인듐 타깃의 평균 결정 입경은, 보다 바람직하게는 0.1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하이다.

상기 개재물의 사이즈는, 「액체용 광 산란식 자동 입자 계수기」(큐슈 리온 주식회사 제조) 로 측정되어 얻어진다. 이 측정법은, 액 중에서 입자의 사이즈를 선별하여, 그 입자 농도나 입자수를 측정하는 것으로서, 「액 중 파티클 카운터」라고도 일컬어지고 있으며, JIS B 9925 에 기초하는 것이다 (이하, 이 측정을 「액 중 파티클 카운터」라고도 칭한다).

이 측정 방법을 구체적으로 설명하면, 5 g 을 샘플링하여, 개재물이 용해되지 않도록 천천히 200 ㎖ 의 농염산 (염화수소의 35.0 ∼ 37.0 ％ 수용액) 으로 용해하고, 48 시간 방치한 후, 추가로 이것을 500 ㎖ 가 되도록 순수로 희석시키고, 이 10 ㎖ 를 취하여, 희석시킨 당일 중에 상기 액 중 파티클 카운터로 측정하는 것이다. 예를 들어, 개재물의 개수가 1000 개/㎖ 인 경우에서는, 10 ㎖ 중에는 0.1 g 의 샘플이 측정되게 되기 때문에, 개재물은 10000 개/g 이 된다.

또한, 본 발명에 있어서, 개재물의 개수는, 액 중 파티클 카운터에 의한 측정에 한정되지 않고, 마찬가지의 개수의 측정이 가능하면, 다른 수단을 사용하여 측정해도 된다.

본 발명의 인듐 타깃은, 예를 들어, CIGS 계 박막 태양 전지용 광 흡수층의 스퍼터링 타킷 등, 각종 스퍼터링 타킷으로서 바람직하게 사용할 수 있다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃의 제조 방법의 바람직한 예를 순서에 따라 설명한다. 먼저, 원료인 인듐을 소정의 용기 내에서 용해한다. 사용하는 인듐 원료는, 불순물이 포함되어 있으면, 그 원료에 의해 제작되는 태양 전지의 변환 효율이 저하되어 버린다는 이유에 의해 높은 순도를 갖고 있는 것이 바람직하고, 예를 들어, 순도 99.99 질량％ (순도 4 N) 이상의 인듐을 사용할 수 있다.

본 발명에 관련된 인듐 타깃의 제조 방법은, 이 인듐 원료 용해시에, 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는 것을 특징으로 하고 있다. 상기 서술한 바와 같이, 스퍼터링시에 문제가 되는 입자는, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 의 화합물의 입자이며, 이들 입자가 스퍼터링시의 결함의 원인이 된다. 이들 입자의 제어는, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 바와 같은, 용기, 배관 및 주형에 있어서, 인듐 원료와 접하는 부분의 표면 조도 (Ra) 를 제어하는 것으로는 불충분하다. 특히, 입경이 5.0 ㎛ 이상인 개재물의 제어에는 효과가 불충분하다. 그래서, 본 발명에서는, Fe, Cr 등의 화합물 등의 불순물은 슬래그측에 부상하기 쉽다는 지견으로부터, 그래서 용탕 (溶湯) 의 교반 시간을 많게 함으로써, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 의 화합물의 입경 5.0 ㎛ 를 초과하는 입자를 슬래그측에 분배시킨다. 그리고, 구체적으로는, 인듐 원료 용해시에, 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는 것이 바람직한 것을 알아냈다. 또, 이 때, 버블링을 사용하여 교반함으로써, 보다 양호하게 상기 Fe, Cr 등의 원소의 화합물을 슬래그측에 분배할 수 있다. 일반적으로, 액체 중의 입자의 침강 속도는, 밀도가 동일한 경우, 입자경의 2 제곱에 비례하여 빨라진다. 즉, 조대한 입자일수록 빠르게 침강하여, 슬래그측으로의 분배의 기회가 적어진다. 본 발명에 관련된 제조 방법에서는, 교반 시간의 증가 및 버블링에 의해, 큰 입자의 재부상의 기회를 증가시켜, 5.0 ㎛ 이상의 입자의 슬래그측으로의 분배 비율을 크게 향상시키고 있다.

다음으로, 용해된 인듐 원료를 배킹 플레이트 상에 설치한 주형에 공급한다.

그 후, 실온까지 냉각시켜, 인듐 타깃 부재를 형성한다. 냉각 속도는 공기의 송풍에 의한 강제 냉각으로 한다. 계속해서, 표면의 절삭 가공을 실시함으로써, 인듐 타깃을 제작한다.

실시예

이하에 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 나타내지만, 이들 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위하여 제공하는 것이며, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.

(실시예 1)

먼저, 순도 4 N 의 인듐을 원료로서 사용하여, 이 인듐 원료를 용기 내에서 180 ℃ 에서 1 시간 교반하면서 용해시켰다. 다음으로, 이 용체를, 핫 플레이트 상에서 180 ℃ 가열해 둔 배킹 플레이트 상에 설치한 주형에 흘려 넣고, 핫 플레이트의 전원을 끄고, 공기를 송풍하여, 강제 냉각시켰다. 이 때의 냉각 응고 시간 (용탕을 주입하고 나서 응고가 완료될 때까지의 시간) 은 100 초였다. 이 조작에 의해, 배킹 플레이트와 일체화된 인듐 타깃을 제작하였다. 계속해서, 직경 204 ㎜, 두께 5 ㎜ 의 원판상으로 선반 가공하여, 스퍼터링 타킷으로 하였다.

(실시예 2 ∼ 7)

실시예 2 ∼ 7 은, 실시예 1 에 대하여, 교반 시간만 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(실시예 8)

실시예 8 은, 실시예 1 에 대하여, 교반 중에 용해조 하부로부터 공기를 가하여 버블링한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(실시예 9)

실시예 9 는, 실시예 7 에 대하여, 교반 중에 용해조 하부로부터 공기를 가하여 버블링한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(실시예 10)

실시예 10 은, 실시예 3 에 대하여, 인듐을 주형에 흘려 넣은 후, 방랭시켜, 냉각 응고 시간을 300 초로 길게 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(실시예 11)

실시예 11 은, 실시예 3 에 대하여, 인듐을 주형에 흘려 넣은 후, 빙수를 이용하여 급랭시켜, 냉각 응고 시간을 10 초로 짧게 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(실시예 12)

실시예 12 는, 실시예 8 에 대하여, 교반 및 버블링 시간을 8 시간으로 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(실시예 13)

실시예 13 은, 실시예 3 에 대하여, 인듐을 주형에 흘려 넣은 후, 핫 플레이트의 온도 제어에 의해 배킹 플레이트 및 주형의 온도를 제어하여, 실시예 10 보다 냉각 응고 시간을 500 초로 길게 한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(비교예 1 ∼ 4)

비교예 1 ∼ 4 는, 실시예 1 에 대하여, 교반 시간만 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 타킷을 제작하였다.

(개재물, 이상 방전 및 평균 결정 입경의 측정)

실시예 및 비교예에서 얻어진 인듐 타깃에 대하여, 각각 5.0 g 만큼 채취하여, 200 ㎖ 원액 염산으로 용해한 후, 48 시간 방치하고, 초순수로 500 ㎖ 까지 희석시켰다. 계속해서, 당해 희석액을 10 ㎖ 취하여, 큐슈 리온 주식회사 제조의 액체용 광 산란식 자동 입자 계수기 (액 중 파티클 카운터) 로 액 중의 개재물 개수를 측정하였다. 이 측정을 3 회 반복하여, 평균값을 산출하였다.

또, 이들 실시예 및 비교예의 인듐 타깃을, ANELVA 제조 SPF-313H 스퍼터 장치로, 스퍼터 개시 전의 챔버 내의 도달 진공도 압력을 1 × 10^-4 ㎩, 스퍼터시의 압력을 0.5 ㎩, 아르곤 스퍼터 가스 유량을 5 SCCM, 스퍼터 파워를 650 W 로 30 분간 스퍼터하여, 육안으로 관찰된 스퍼터 중의 이상 방전 횟수를 계측하였다.

또한, 이들 실시예 및 비교예의 인듐 타깃의 평균 결정 입경을 이하와 같이 측정하였다.

먼저, 측정 대상이 되는 타킷 부재의 표면을 디지털 카메라에 의해 촬영하여, 그 화상 표면의 임의의 영역 내 (당해 영역의 면적 S₁ 을 10000 ㎟ 로 하였다) 에 존재하는 결정립의 개수 (N) 를 세었다. 또한, 표면을 보기 쉽게 하기 위하여, 연마, 전해 연마, 에칭을 이용해도 된다. 영역의 경계에 걸쳐 존재하는 결정립은 0.5 개로 하고, 전체가 영역 내에 존재하는 결정립은 0.25 개로 하였다. 측정 대상 영역의 면적 (S₁) 을 N 으로 나눔으로써, 결정립의 평균 면적 (S₂) 를 산출하였다. 결정립을 구로 가정하여, 평균 결정 입경 (A) 를 이하의 식으로 산출하였다.

A ＝ 2(S₂/π)^1/2

각 측정 조건 및 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

(평가)

실시예 1 ∼ 13 은, 모두, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함하고, 스퍼터시의 이상 방전을 양호하게 억제할 수 있었다.

비교예 1 ∼ 4 는, 모두, 입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 을 초과하여 포함하고, 스퍼터시의 이상 방전 횟수가 실시예에 비해 많았다.

Claims

입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 500 개/g 이하 포함하는, 인듐 타깃.
제 1 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 500 개/g 이하 포함하고,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.60 배 이하인, 인듐 타깃.
제 2 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 450 개/g 이하 포함하고,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.55 배 이하인, 인듐 타깃.
제 3 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 1 개/g 이상 400 개/g 이하 포함하고,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.50 배 이하인, 인듐 타깃.
제 1 항에 있어서,
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 가, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물의 개수 밀도 (개/g) 의 0.01 배 이상 0.50 배 이하인, 인듐 타깃.
입경이 5.0 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 개재물을 포함하지 않고, 입경이 2.0 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 미만인 개재물을 1 개/g 이상 1000 개/g 이하 포함하는, 인듐 타깃.
제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 40 ㎜ 이하인, 인듐 타깃.
제 7 항에 있어서,
평균 결정 입경이 0.1 ㎜ 이상 30 ㎜ 이하인, 인듐 타깃.
제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
상기 개재물이, 금속, 금속 산화물, 탄소, 탄소 화합물, 염소 화합물로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상인, 인듐 타깃.
제 9 항에 있어서,
상기 개재물이, Fe, Cr, Ni, Si, Al, Co 로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 금속 또는 그 산화물인, 인듐 타깃.
인듐 원료를 용기 내에서 용해하고, 용해된 인듐 원료를 주형에 공급하여, 주형 내에서 냉각시킴으로써 주조하는 인듐의 제조 방법으로서, 인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 1 시간 이상 교반하는, 인듐 타깃의 제조 방법.
제 11 항에 있어서,
인듐 원료 용해시에, 상기 용해된 인듐 원료를 버블링하면서 1 시간 이상 교반하는, 인듐 타깃의 제조 방법.