KR20140074037A - 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140074037A
KR20140074037A KR1020120142202A KR20120142202A KR20140074037A KR 20140074037 A KR20140074037 A KR 20140074037A KR 1020120142202 A KR1020120142202 A KR 1020120142202A KR 20120142202 A KR20120142202 A KR 20120142202A KR 20140074037 A KR20140074037 A KR 20140074037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrode
film
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
KR1020120142202A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101994227B1 (ko
Inventor
이지노
송상무
김중철
나세환
타로 하스미
김지윤
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120142202A priority Critical patent/KR101994227B1/ko
Priority to US14/069,589 priority patent/US9312319B2/en
Priority to CN201310567045.2A priority patent/CN103872078B/zh
Priority to DE102013113462.9A priority patent/DE102013113462A1/de
Priority to TW102144956A priority patent/TWI578593B/zh
Publication of KR20140074037A publication Critical patent/KR20140074037A/ko
Priority to US15/068,095 priority patent/US9525015B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101994227B1 publication Critical patent/KR101994227B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 개시된 발명은 기판상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 형성되고, 상기 기판의 비표시영역에 수분 차단부가 구비된 평탄화막; 상기 평탄화막 상에 형성되고, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 형성된 뱅크; 상기 제1 전극 위로 각 화소영역 별로 분리 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제;를 포함하여 구성된다.

Description

유기전계 발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Light Emitting Diode Device, 이하 "OLED"라 칭함)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 외부로부터 수분이 유기전계 발광소자 내부로 침투하는 것을 차단하여 유기전계 발광소자의 환경 신뢰성을 개선할 수 있는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
평판 디스플레이(FPD: Flat Panel Display) 중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 명암 대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(μs) 정도로 동화상 구형이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며, 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15 V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.
또한, 상기 유기전계 발광소자의 제조공정은 증착(Deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에 제조 공정이 매우 단순하다.
이러한 특성을 갖는 유기전계 발광소자는 크게 패시브 매트릭스 타입과 매트릭스 타입으로 나뉘어지는데, 패시브 매트릭스 방식에서는 주사선(scan line)과 신호선(signal line)이 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하며, 각각의 픽셀을 구동하기 위하여 주사선을 시간에 따라 순차적으로 구동하므로, 요구되는 평균 휘도를 나타내기 위해서는 평균 휘도에 라인수를 곱한 것 만큼의 순간 휘도를 내야만 한다.
그러나, 액티브 매트릭스 방식에서는, 화소영역을 온(on)/오프(off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)가 각 화소영역별로 위치하고, 이러한 스위칭 박막트랜지스터와 연결되며 구동 박막트랜지스터가 전원배선 및 유기전계 발광 다이오드와 연결되며, 각 화소영역별로 형성되고 있다.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 제1 전극은 화소영역 단위로 온(on)/오프(off)되고, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극은 공통전극의 역할을 함으로써 이들 두 전극 사이에 개재된 유기 발광층과 더불어 상기 유기전계 발광 다이오드를 이룬다.
이러한 특징을 갖는 액티브 매트릭스 방식에서는 화소영역에 인가되는 전압이 스토리지 커패시터(Cst)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선 수에 관계없이 한 화면동안 계속해서 구동한다.
따라서, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가지므로 최근에는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광소자가 주로 이용되고 있다.
이러한 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 구성 회로도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역은 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 구동 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)로 이루어진다.
제1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 이 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 배치되어 상기 게이트 배선(GL)과 더불어 화소영역(P)을 정의하며 데이터 배선(DL)이 형성되어 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원 전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다.
또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 각 화소영역(P) 내부에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기전계 발광 다이오드(E)와 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고, 타측 단자인 제2 전극은 전원배선(PL)과 연결되어 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)은 전원 전압을 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터 (DTr)의 게이트전극과 소스 전극사이에는 스토리지 커패시터(Cst)가 형성되어 있다.
따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on)되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on)되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며 이로 인해 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 그레이 스캐일(gray scale)을 구현할 수 있게 된다.
또한, 상기 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계 발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
한편, 도 2는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 유기전계 발광소자(10)는 기판(11)에 표시영역(AA)이 정의되어 있으며, 상기 표시영역(AA) 외측으로 비표시영역(NA)이 정의되어 있으며, 상기 표시영역(AA)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 포획되는 영역으로 정의되는 다수의 화소영역(P)이 구비되어 있으며, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 구비되어 있다.
여기서, 상기 다수의 각 화소영역(P)에는 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다.
종래기술에 따른 유기전계 발광소자(10)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계 발광소자(E)가 형성된 기판(11)이 보호필름(미도시)에 의해 인캡슐레이션 (encapsulation)되어 있다.
종래기술에 따른 유기전계 발광소자(10)를 구체적으로 설명하면, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(11)에는 표시영역(AA)이 정의되어 있으며, 상기 표시영역 (AA) 외측으로 비표시영역(NA)이 정의되어 있으며, 상기 표시영역(AA)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 포획되는 영역으로 정의되는 다수의 화소영역(P)이 구비되어 있으며, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 구비되어 있다.
여기서, 상기 비표시영역(NA)의 기판(11)에는 다수의 구동회로배선(GIP) 및 접지배선(GND) 등이 형성되어 있다.
상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는, 도면에는 도시하지 않았지만, 반도체층과 게이트 절연막 및, 상기 반도체층 상의 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극과, 이 게이트 전극을 포함한 게이트 절연막 상에 형성되는 층간절연막 상에 형성되고, 서로 이격하며 형성된 소스전극 및 드레인 전극으로 이루어진다.
한편, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 층간절연막(13) 및 유기 평탄화 막(15)이 적층되어 있다.
또한, 상기 유기 평탄화 막(15) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(미도시)과 상기 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 가지는 애노드(anode)인 제1 전극(19)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제1 전극(19) 위로 각 화소영역(P)을 분리 형성하는 뱅크(21)가 형성되어 있다. 이때, 상기 뱅크(21)는 인접하는 화소영역(P)들 사이에 배치되어 있다. 또한, 상기 뱅크(21)는 인접하는 화소영역(P)들 사이뿐만 아니라, 그 일부(21)는 패널 외곽부, 즉 비표시영역(NA)에도 형성되어 있다.
상기 뱅크(21)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 제1 전극(19) 위로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층 (23)이 형성되어 있다.
또한, 상기 유기 발광층(23)과 상기 뱅크(21)의 상부에는 상기 표시영역 (AA) 및 비표시영역(NA) 전면에 캐소드(cathode)인 제2 전극(25)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 전극(19)과 제2 전극(25) 및 이들 두 전극(19, 25) 사이에 개재된 유기 발광층(23)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.
한편, 상기 제2 전극(25)을 포함한 기판 전면에는 투습을 방지하기 위한 절연막으로 제1 패시베이션막(27)이 형성되어 있다.
또한, 상기 제1 패시베이션막(27) 상의 표시영역(AA)에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(29)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 유기막(29)을 포함한 상기 제1 패시베이션막(27) 상에는 상기 유기막(29)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 제2 패시베이션막(31)이 추가로 형성되어 있다.
더욱이, 상기 제2 패시베이션막(31)을 포함한 기판 전면에는 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션 및 상부 투습을 방지하기 위한 보호 필름(barrier film)(미도시)이 대향하여 위치하게 되는데, 상기 기판(11)과 보호 필름(미도시) 사이에는 점착제(Press Senstive Adhesive; 이하 PSA라 침함) (미도시)가 공기층 없이 상기 기판(11) 및 보호필름(미도시)과 완전 밀착되어 개재되어 있다. 이때, 상기 제2 패시베이션막(31), 점착제(미도시) 및 보호필름(미도시)은 페이스 씰(face seal) 구조를 이룬다.
이렇게 점착제(미도시)에 의해 상기 기판(11)과 보호필름(barrier film) (미도시)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 종래기술에 따른 유기전계 발광소자(10)가 구성된다.
그러나, 종래기술에 따른 유기전계 발광소자에 따르면, 페이스 씰(face seal), 예를 들어 보호필름 및 점착제 등에 결함(defect)이 발생하였을 때 수분 (H2O)이 이 결함과 평탄화막 등을 통해 표시영역(Active Area)에 빨리 침투하게 된다. 이때, 상기 평탄화막을 통해 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해, 비표시영역 (NA)에 평탄화막을 형성하지 않는 경우에 유기전계 발광소자 위에 배치하는 무기 절연막, 예를 들어 패시베이션막 등의 품질이 단차 때문에 떨어지게 된다.
또한, 보호필름 및 점착제 등에 결함(defect)이 발생하였을 때, 수분(H2O)이 이 결함과 함께 뱅크를 통해 표시영역(Active Area)에 빨리 침투하게 된다. 이때, 상기 뱅크를 통해 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해, 상기 비표시영역에 뱅크를 형성하는 않는 경우에 평탄화 막이 있기 때문에, 이 평탄화 막을 통해 수분이 확산하게 되어 수분 침투를 방지하는 데는 한계가 있다.
본 발명은 종래기술의 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 비표시영역의 평탄화막에 수분 차단부를 형성하여 외부로부터 표시영역으로 침투하는 수분을 차단함으로써 유기전계 발광소자의 환경 신뢰성을 개선할 수 있는 유기전계 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판; 상기 기판상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터; 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 형성되고, 상기 기판의 비표시영역에 수분 차단부가 구비된 평탄화 막; 상기 평탄화 막 상에 형성되고, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 제1 전극; 상기 제1 전극을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 형성된 뱅크; 상기 제1 전극 위로 각 화소영역 별로 분리 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 제2 전극; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막; 상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 제조방법은, 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상의 상기 각 화소영역에 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 평탄화막을 형성하는 단계; 상기 비표시영역의 평탄화막에 수분 차단부를 형성하는 단계; 상기 평탄화막 상에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하는 단계; 상기 화소영역의 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계; 상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름을 형성하는 단계; 상기 기판과 보호필름 사이에 상기 기판과 보호필름을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제를 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자 및 그 제조방법에 따르면, 비표시영역에 있는 비표시영역에 위치하는 평탄화 막에 수분 차단부를 형성함으로써, 제1 패시베이션막 또는 제2 패시베이션막 등에 이물 또는 충격에 의해 크랙(crack)이 발생하여 수분이 침투되어 평탄화막과 뱅크를 통하여 수분이 전파되더라도 비표시영역에 위치하는 평탄화막에 형성된 수분 차단부에 의해 수분이 표시영역으로 전파되는 것이 차단된다. 특히, 발광영역의 유기물의 저하(degradation)을 유발하는 평탄화 막의 아웃 개씽(out gassing)을 사전에 유도하기 위하여, 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 상기 보조 전극패턴에 형성되는 애노드 홀(anode hole)들을 통하여 상기 평탄화 막과 뱅크가 맞닿아 연결되게 되므로 인해, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 동시에 표시영역(AA)으로 전달하는 경로로 작용할 수 있는데, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 상기 애노드 홀(121)을 통해 전달되더라도, 상기 수분이 상기 보조 전극패턴 하부의 평탄화 막에 형성된 수분 차단부들에 의해 표시영역(AA)으로 더 이상 전파되지 못하고 차단된다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 및 그 제조방법은 수분이 보조 전극패턴 하부의 평탄화 막에 형성된 수분 차단부들에 의해 표시영역(AA)으로 더 이상 전파되지 못하고 차단되기 때문에, 전면 씰(seal)을 적용하는 상부 방출형 유기전계 발광소자에서 환경 신뢰성을 개선할 수 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 구성 회로도이다.
도 2는 종래기술에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 "A"의 확대 단면도로서, 평탄화막의 수분 차단부 및 금속패턴으로부터 수분 침투가 차단되는 것을 확대 도시한 개략도이다.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조공정 단면도들이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 유기전계 발광소자에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 발광된 빛의 투과 방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 상부 발광방식을 일례로 설명하도록 하겠다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도로서, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 "A"의 확대 단면도로서, 평탄화막의 수분 차단부 및 금속패턴으로부터 수분 침투가 차단되는 것을 확대 도시한 개략도이다.
도 3 내지 5를 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(100)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계 발광소자(E)가 형성된 기판(101)이 보호필름(137)에 의해 인캡슐레이션(encapsulation)되어 있다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자(100)는, 도 3 및 4를 참조하면,다수의 화소영역(P)을 포함하는 표시영역(AA)과 이의 외측으로 비표시영역(NA)이 정의된 기판(101)과; 상기 기판(101) 상의 상기 각 화소영역(P)에 형성된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 구동 박막트랜지스터(DTr)와; 상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터(DTr)를 포함한 기판(101) 상에 형성되고, 상기 기판의 비표시영역 (NA)에 수분 차단부(115b)가 구비된 평탄화 막(113)과; 상기 평탄화 막(113) 상에 형성되고, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(111)과 연결된 제1 전극 (117)과; 상기 제1 전극(117)을 포함한 기판의 각 화소영역(P) 주위 및 비표시영역 (NA)에 형성된 뱅크(123)와; 상기 제1 전극(117) 위로 각 화소영역(P) 별로 분리 형성된 유기 발광층(123)과; 상기 유기 발광층(123)을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 제2 전극(127)과; 상기 제2 전극(127)을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막(129)과; 상기 제1 패시베이션막(129) 상에 형성된 유기막(131)과; 상기 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129) 상에 형성된 제2 패시베이션막(133)과; 상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름(137)과; 상기 기판(101)과 보호필름(137) 사이에 개재되어 상기 기판(101)과 보호필름(137)을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제(135);를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 유기전계 발광소자(100)를 구체적으로 설명하면, 도 3 내지 5에 도시된 바와 같이, 기판(101)에는 표시영역(AA)이 정의되어 있으며, 상기 표시영역(AA) 외측으로 비표시영역(NA)이 정의되어 있으며, 상기 표시영역(AA)에는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 포획되는 영역으로 정의되는 다수의 화소영역(P)이 구비되어 있으며, 상기 데이터 배선(미도시)과 나란하게 전원배선(미도시)이 구비되어 있다.
여기서, 상기 기판(101)으로는 유리기판 또는 플렉서블(Flexible)한 기판을 사용할 수 있는데, 플렉서블한 기판으로는 플렉서블 유기전계 발광소자(OLED)가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 유연한 특성을 갖는 플렉서블(flexible) 유리기판이나 플라스틱 재질로 이루어진다.
또한, 상기 기판(101) 상에는 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 형성되어 있다. 이때, 상기 버퍼층(미도시)을 후속 공정에서 형성되는 반도체층(103) 하부에 형성하는 이유는 상기 반도체층(103)의 결정화시에 상기 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하기 위함이다.
또한, 상기 버퍼층(미도시) 상부의 표시영역(AA) 내의 각 화소영역(P)에는 상기 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 대응하여 각각 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고 상기 제1 영역 (103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)이 형성되어 있다.
상기 반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에는 게이트 절연막(105)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(105) 위로는 상기 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 있어 상기 각 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극 (107)이 형성되어 있다.
또한, 상기 게이트 절연막(105) 위로는 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성된 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일층 구조를 가질 수도 있으며, 또는 둘 이상의 상기 제1 금속물질로 이루어짐으로써 이중 층 또는 삼중 층 구조를 가질 수도 있다. 도면에 있어서는 상기 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)이 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 도시하였다. 또한, 상기 게이트 전극(107) 형성시에, 상기 기판(101)의 비표시영역(NA)에는 게이트 구동회로배선(GIP)(107a) 및 접지배선(GND; 107b)이 형성된다.
한편, 상기 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)을 포함한 기판의 표시영역 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간 절연막(109)이 형성되어 있다. 이때, 상기 층간 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)에는 상기 각 반도체층(103)의 제1 영역 (103a) 양 측면에 위치한 상기 제2 영역(103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(미도시)이 구비되어 있다.
상기 반도체층 콘택홀(미도시)을 포함하는 상기 층간 절연막(109) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하며, 상기 화소영역(P)을 정의하며 제2 금속 물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진 데이터배선(미도시)과, 이와 이격하여 전원배선(미도시)이 형성되어 있다. 이때, 상기 전원배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)이 형성된 층, 즉 게이트 절연막(105) 상에 상기 게이트 배선(미도시)과 이격하며 나란히 형성될 수도 있다.
도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 상기 층간 절연막(109) 상의 각 구동영역 (미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에는 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 상기 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선(미도시)과 동일한 제2 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)이 형성되어 있다. 이때, 상기 구동영역(미도시)에 순차적으로 적층된 상기 반도체층 (103)과 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과 층간 절연막(109)과 서로 이격하며 형성된 상기 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)은 구동 박막트랜지스터 (미도시, 도 6b의 DTr 참조)를 이룬다.
한편, 도면에 있어서는 상기 데이터배선(미도시)과 소스전극(111a) 및 드레인전극(111b)은 모두 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 나타내고 있지만, 이들 구성 요소는 이중 층 또는 삼중 층 구조를 이룰 수도 있다.
이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 적층 구조를 갖는 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성되어 있다. 이때, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(113)과 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)은 각각 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시) 및 소스 전극(미도시)과 연결되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(107)과 전기적으로 연결되어 있다.
한편, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층(103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 상기 구동 스위칭 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성될 수 있음은 자명하다.
상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시; STr)가 바텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 그 적층 구조는 게이트 전극/ 게이트절연막/ 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹 콘택층으로 이루어진 반도체층과/ 서로 이격하는 소스전극 및 드레인 전극으로 이루어지게 된다. 이때, 게이트 배선은 상기 게이트 전극이 형성된 층에 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되도록 형성되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스전극이 형성된 층에 상기 소스 전극과 연결되도록 형성된다.
한편, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화 막(113)이 형성되어 있다. 이때, 상기 평탄화 막 (113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기기 절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. 본 발명에서는 유기 절연물질을 이용하여 평탄화 막(113)을 형성하는 경우를 실례로 들어 설명한다.
또한, 상기 기판(101)의 표시영역에 대응하는 평탄화 막(113)에는 후속 공정에서 형성되는 제1 전극(117)이 상기 드레인 전극(111b)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀(115a)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 기판(101)의 비표시영역에 대응하는 평탄화 막(113)에는 외부로부터 수분이 침투하여 표시영역으로 전파되는 것을 방지하기 위해, 다수 개의 수분 차단부(115b)가 형성되어 있다. 이때, 상기 다수 개의 수분 차단부(115b) 각각은 상기 기판(101)의 비표시영역(NA)에 위치하는 상기 평탄화 막(113)이 일정 폭만큼 절단되어 형성되는 것이며, 기판의 비표시영역(NA)의 외주면을 따라 형성된다. 또한, 상기 수분 차단부(115b)는 상기 게이트 구동회로배선(107b) 중에서 전원(DC)으로 인가되는 구동회로배선 상부에 대응하여 배치한다.
따라서, 외부로부터 수분이 침투되더라도 이 수분이 상기 비표시영역(NA)의 평탄화 막(113)에 형성된 상기 수분 차단부(115b)에 의해 더 이상 표시영역(AA)으로 전파되지 못하게 된다. 즉, 상기 수분 차단부(115b)는 상기 수분이 침투되는 경로 역할을 하는 평탄화 막(113)을 절단하여 형성됨으로써, 상기 수분이 상기 평탄화 막(113)을 통해 침투되더라도 이 절단된 수분 차단부(115b)까지만 전파되고, 더이상 표시영역 측의 평탄화 막으로는 진행하지 못하게 된다.
한편, 상기 평탄화 막(113) 위로는 상기 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(111b)과 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(117)이 형성되어 있다. 이때, 상기 비표시영역(NA)의 평탄화 막(113) 위로는 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극인 제2 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 보조 전극패턴(119)이 형성되어 있다. 이는 상기 제2 전극 (127)이 투명 도전물질로 형성되어 있어 저항값이 크기 때문에 일정한 전류를 균일하게 인가함에 있어 문제가 될 수 있기 때문에, 이러한 제2 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 보조 전극패턴(119)을 형성하여 상기 제2 전극(127)과 전기적으로 연결시켜 줌으로써 제2 전극(127)의 저항값을 낮출 수 있게 된다. 이때, 상기 보조 전극패턴(119)은 상기 제2 전극(127) 및 상기 접지배선(107b)과 전기적으로 연결되어 있다. 이때, 상기 보조전극패턴(119)은 접지배선 콘택홀(미도시, 도 5의 115c 참조)을 통해 상기 접지배선(107b)과 전기적으로 연결된다.
또한, 발광영역의 유기물의 저하(degradation)을 유발하는 평탄화 막(113)의 아웃 개씽(out gassing)을 사전에 유도하기 위하여, 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 상기 보조 전극패턴(119)에는 애노드 홀(anode hole)(121)들이 형성되어 있다. 이때, 상기 애노드 홀(121)을 통하여 상기 평탄화 막(113)과 뱅크(123)가 맞닿아 연결되게 되므로, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 동시에 표시영역(AA)으로 전달하는 경로로 작용하기도 한다. 그러나, 상기 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 상기 애노드 홀(121)을 통해 전달되더라도, 상기 보조 전극패턴(119) 하부의 평탄화 막(113)에 형성된 수분 차단부(115b) 들에 의해 수분이 더 이상 표시영역(AA)으로 전파되지 못하고 차단된다.
상기 제1 전극(117) 위로는 각 화소영역(P)의 경계 및 비표시영역(NA)에는 절연물질 특히 예를 들어 벤소사이클로부텐(BCB), 폴리 이미드(Poly -Imide) 또는 포토아크릴(photo acryl)로 이루어진 뱅크(123)가 형성되어 있다. 이때, 상기 뱅크 (123)는 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제1 전극(121a)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(AA) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 또한, 상기 뱅크(123)는 패널 외곽부인 비표시영역(NA)에도 형성되어 있다.
한편, 상기 뱅크(123)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 제1 전극 (121a) 위로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)이 형성되어 있다. 상기 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
또한, 상기 유기 발광층(125)과 상기 뱅크(123)를 포함한 기판의 표시영역 (AA)에는 제2 전극(127)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 전극(121a)과 제2 전극 (127) 및 이들 두 전극(121a, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. 상기 제2 전극(127)은 상기 보조 전극패턴 (119)과 전기적으로 연결된다.
따라서, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극 (121a)과 제2 전극(127)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(117)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(127)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(125)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 제2 전극 (127)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기전계 발광소자(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
한편, 상기 제2 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막 (129)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제2 전극(127) 만으로는 상기 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 완전히 억제할 수 없기 때문에, 상기 제2 전극(127) 위로 상기 제1 보호층(129)을 형성함으로써 상기 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 완전히 억제할 수 있게 된다.
또한, 상기 제1 패시베이션막(129) 상에는 폴리머(polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)이 형성되어 있다. 이때, 상기 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지(epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.
그리고, 상기 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129)을 포함한 기판 전면에는 상기 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)이 추가로 형성되어 있다.
상기 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에는 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)이 대향하여 위치하게 되는데, 상기 기판(101)과 보호 필름(137) 사이에는 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿(frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)가 공기층 없이 상기 기판(101) 및 보호 필름(Barrier film) (137)과 완전 밀착되어 개재되어 있다. 이때, 본 발명에서는 상기 점착제(미도시)로는 PSA (Press Sensitive Adhesive)를 이용하는 경우를 일례로 들어 설명한다.
이렇게 점착제(135)에 의해 상기 기판(101)과 보호필름(Barrier film) (137)이 고정되어 패널 상태를 이룸으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자(100)가 구성된다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자에 따르면, 비표시영역에 있는 비표시영역에 위치하는 평탄화막에 수분 차단부를 형성함으로써, 제1 패시베이션막 또는 제2 패시베이션막 등에 이물 또는 충격에 의해 크랙(crack)이 발생하여 수분이 침투되어 평탄화막과 뱅크를 통하여 수분이 전파되더라도 비표시영역에 위치하는 평탄화막에 형성된 수분 차단부에 의해 수분이 표시영역으로 전파되는 것이 차단된다. 특히, 발광영역의 유기물의 저하(degradation)을 유발하는 평탄화 막의 아웃 개씽(out gassing)을 사전에 유도하기 위하여, 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 상기 보조 전극패턴에 형성되는 애노드 홀(anode hole)들을 통하여 상기 평탄화 막과 뱅크가 맞닿아 연결되게 되므로 인해, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 동시에 표시영역(AA)으로 전달하는 경로로 작용할 수 있는데, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 상기 애노드 홀(121)을 통해 전달되더라도, 상기 수분이 상기 보조 전극패턴 하부의 평탄화 막에 형성된 수분 차단부들에 의해 표시영역(AA)으로 더 이상 전파되지 못하고 차단된다.
그러므로, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 수분이 보조 전극패턴 하부의 평탄화 막에 형성된 수분 차단부들에 의해 표시영역(AA)으로 더 이상 전파되지 못하고 차단되기 때문에, 전면 씰(seal)을 적용하는 상부 방출형 유기전계 발광소자에서 환경 신뢰성을 개선할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 제조방법에 대해 도 6a 내지 6h를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 6a 내지 6h는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 제조방법을 개략적으로 도시한 공정 단면도들이다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 표시영역(AA)과, 상기 표시영역(AA) 외측으로 비표시영역(NA)이 정의된 기판(101)을 준비한다. 이때, 상기 기판(101)은 유리기판 또는 플렉서블(Flexible) 기판을 사용하는데, 상기 플렉서블(Flexible)한 기판으로는 플렉서블 유기전계 발광소자(OLED)가 종이처럼 휘어져도 표시 성능을 그대로 유지할 수 있도록 유연한 특성을 갖는 플렉서블(flexible) 유리기판이나 플라스틱 재질로 이루어진다.
그 다음, 상기 기판(101) 상에 절연물질 예를 들면 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 버퍼층(미도시)을 후속 공정에서 형성되는 반도체층(103) 하부에 형성하는 이유는 상기 반도체층(103)의 결정화시에 상기 기판(101)의 내부로부터 나오는 알칼리 이온의 방출에 의한 상기 반도체층(103)의 특성 저하를 방지하기 위함이다.
이어서, 상기 버퍼층(미도시) 상부의 표시영역(AA) 내의 각 화소영역(P)에 상기 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 대응하여 각각 순수 폴리실리콘으로 이루어지며, 그 중앙부는 채널을 이루는 제1 영역(103a) 그리고 상기 제1 영역(103a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제2 영역(103b, 103c)으로 구성된 반도체층(103)을 형성한다.
그 다음, 상기 반도체층(103)을 포함한 버퍼층 상에 게이트 절연막(105)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(105) 상에 상기 구동 영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 있어 상기 각 반도체층(103)의 제1 영역(103a)에 대응하여 게이트 전극(107)을 형성한다.
또한, 상기 게이트 절연막(105) 위로는 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성된 게이트 전극(107)과 연결되며 일 방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)은 저저항 특성을 갖는 제1 금속물질, 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi) 중 어느 하나로 이루어져 단일층 구조를 가질 수도 있으며, 또는 둘 이상의 상기 제1 금속물질로 이루어짐으로써 이중 층 또는 삼중 층 구조를 가질 수도 있다. 도면에 있어서는 상기 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)이 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 도시하였다. 또한, 상기 게이트 전극(107) 형성시에, 상기 기판(101)의 비표시영역(NA)에는 게이트 구동회로배선(GIP)(107a) 및 접지배선(GND; 107b)이 동시에 형성된다.
그 다음, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 전극(107)과 게이트 배선(미도시)을 포함한 기판 전면에 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘 (SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)으로 이루어진 절연막(109)을 형성한다.
이어서, 상기 절연막(109)과 그 하부의 게이트 절연막(105)을 선택적으로 패터닝하여, 상기 각 반도체층의 제1 영역(103a) 양 측면에 위치한 상기 제2 영역 (103b, 103c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(미도시)을 형성한다.
그 다음, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 반도체층 콘택홀(미도시)을 포함하는 상기 층간 절연막(109) 상부에 게이트 배선(미도시)과 교차하며, 상기 화소영역(P)을 정의하는 금속물질층(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진다.
이어서, 상기 금속물질층(미도시)을 선택적으로 패터닝하여, 게이트 배선(미도시)과 교차하며, 상기 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(미도시)과 데이터 구동회로배선(미도시)과, 이와 이격하여 전원배선(미도시)을 형성한다. 이때, 상기 전원배선(미도시)은 상기 게이트 배선(미도시)이 형성된 층, 즉 게이트 절연막 상에 상기 게이트 배선(미도시)과 이격하며 나란히 형성될 수도 있다.
그리고, 상기 데이터 배선(미도시) 형성시에, 상기 절연막(109) 위로 상기 각 구동영역(미도시) 및 스위칭 영역(미도시)에 서로 이격하며 상기 반도체층 콘택홀(미도시)을 통해 노출된 상기 제2 영역(103b, 103c)과 각각 접촉하며 상기 데이터 배선(미도시)과 동일한 금속물질로 이루어진 소스전극(111a) 및 드레인전극 (111b)을 동시에 형성한다. 이때, 상기 구동영역(미도시)에 순차적으로 적층된 상기 반도체층(103)과 게이트 절연막(105) 및 게이트 전극(107)과 층간 절연막(109)과 서로 이격하며 형성된 상기 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이룬다.
한편, 도면에 있어서는 상기 데이터배선(미도시)과 소스전극(111a) 및 드레인 전극(111b)은 모두 단일 층 구조를 갖는 것을 일례로 나타내고 있지만, 이들 구성 요소는 이중 층 또는 삼중 층 구조를 이룰 수도 있다.
이때, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 적층 구조를 갖는 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 스위칭 영역(미도시)에 형성되어 있다. 이때, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(113)과 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(미도시)은 각각 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트 전극(미도시) 및 소스 전극(미도시)과 연결되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(미도시)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(107)과 전기적으로 연결되어 있다.
한편, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층 (103)을 가지며, 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 나타내고 있지만, 상기 구동 스위칭 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 비정질 실리콘의 반도체층을 갖는 바텀 게이트 타입 (Bottom gate type)으로 구성될 수 있음은 자명하다.
상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시; STr)가 바텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 그 적층 구조는 게이트 전극/ 게이트절연막/ 순수 비정질 실리콘의 액티브층과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹 콘택층으로 이루어진 반도체층과 서로 이격하는 소스전극 및 드레인 전극으로 이루어지게 된다. 이때, 게이트 배선은 상기 게이트 전극이 형성된 층에 상기 스위칭 박막트랜지스터의 게이트 전극과 연결되도록 형성되며, 상기 데이터 배선은 상기 스위칭 박막트랜지스터의 소스전극이 형성된 층에 상기 소스 전극과 연결되도록 형성된다.
그 다음, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 위로는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(111b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화 막(113)을 형성한다. 이때, 상기 평탄화 막(113)으로는 절연물질, 예를 들어 산화실리콘(SiO2)과 질화 실리콘(SiNx)을 포함하는 무기절연물질 중에서 어느 하나 또는 포토 아크릴(Photo-Acyl)을 포함하는 유기기 절연물질 중에서 어느 하나를 선택하여 사용한다. 본 발명에서는 유기 절연물질을 이용하여 평탄화 막(113)을 형성하는 경우를 실례로 들어 설명한다.
이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화 막(113)을 노광 및 현상 공정을 거친 후 선택적으로 패터닝하여, 상기 기판(101)의 표시영역에 대응하는 평탄화 막(113)에 후속 공정에서 형성되는 제1 전극(117)이 상기 드레인 전극(111b)과 전기적으로 접촉시키기 위한 드레인 콘택홀(115a)을 형성한다.
또한, 상기 기판(101)의 비표시영역에 대응하는 평탄화 막(113)에는 외부로부터 수분이 침투하여 표시영역(AA)으로 전파되는 것을 방지하기 위해, 다수 개의 수분 차단부(115b)를 형성한다. 이때, 상기 다수 개의 수분 차단부(115b) 각각은 상기 기판(101)의 비표시영역(NA)에 위치하는 상기 평탄화 막(113)이 일정 폭만큼 절단되어 형성되는 것이며, 상기 기판(101)의 비표시영역(NA)의 외주면을 따라 형성된다. 또한, 상기 수분 차단부(115b)는 상기 게이트 구동회로배선(107b) 중에서 전원(DC)으로 인가되는 구동회로배선 상부에 대응하여 배치한다.
따라서, 수분이 외부로부터 침투되더라도 이 수분이 상기 비표시영역(NA)의 평탄화 막(113)에 형성된 상기 수분 차단부(115b)에 막혀 더 이상 표시영역(AA)으로 전파되지 못하게 된다.
그리고, 상기 드레인 콘택홀(115a) 및 수분 차단부(115b) 형성시에, 상기 접지 배선(107b)을 노출시키는 접지 배선 콘택홀(107c)도 형성한다.
그 다음, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화 막(113)을 포함한 기판 전면에 금속 물질층(미도시)을 증착한 후 이 금속 물질층을 선택적으로 패터닝하여, 상기 평탄화 막(113) 위로는 상기 드레인 콘택홀(115a)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극 (111b)과 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 분리된 형태를 가지는 제1 전극(117)을 형성한다. 이때, 상기 비표시영역(NA)의 평탄화 막 (113) 위로는 후속 공정에서 형성되는 캐소드 전극인 제2 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 보조 전극패턴(119)도 동시에 형성한다. 이는 상기 제2 전극 (127)이 투명 도전물질로 형성되어 있어 저항값이 크기 때문에 일정한 전류를 균일하게 인가함에 있어 문제가 될 수 있기 때문에, 이러한 제2 전극(127)의 저항값을 낮추기 위해 보조 전극패턴(119)을 형성하여 상기 제2 전극(127)과 전기적으로 연결시켜 줌으로써 제2 전극(127)의 저항값을 낮출 수 있게 된다. 이때, 상기 보조 전극패턴 (119)은 상기 제2 전극(127) 및 상기 접지배선(107b)과 전기적으로 연결되어 있다. 이때, 상기 보조전극패턴(119)은 상기 접지배선 콘택홀(115c)을 통해 상기 접지배선(107b)과 전기적으로 연결된다. 이때, 상기 금속물질층(미도시)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리 합금, 몰리브덴(Mo), 몰리티타늄(MoTi), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로서 이루어진다.
또한, 상기 제1 전극(117) 형성시에 상기 보조 전극패턴(119)과 함께, 발광영역의 유기물의 저하(degradation)을 유발하는 평탄화 막(113)의 아웃 개씽(out gassing)을 사전에 유도하기 위하여, 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 상기 보조 전극패턴(119)에 애노드 홀(anode hole)(121)들을 동시에 형성한다. 이때, 상기 애노드 홀(121)을 통하여 상기 평탄화 막(113)과 뱅크(123)가 맞닿아 연결되게 되므로, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 동시에 표시영역(AA)으로 전달하는 경로로 작용하기도 한다. 그러나, 상기 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 상기 애노드 홀 (121)을 통해 전달되더라도, 상기 보조 전극패턴(119) 하부의 평탄화 막(113)에 형성된 수분 차단부(115b) 들에 의해 수분이 더 이상 표시영역(AA)으로 전파되지 못하고 차단된다.
이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 제1 전극(117) 위로는 각 화소영역 (P)의 경계 및 비표시영역(NA)에는 절연물질 특히 예를 들어 벤소사이클로부텐 (BCB), 폴리 이미드 (Poly -Imide) 또는 포토아크릴 (photo acryl)로 이루어진 뱅크(123)를 형성한다. 이때, 상기 뱅크(123)는 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 상기 제1 전극(121a)의 테두리와 중첩되도록 형성되어 있으며, 표시영역(AA) 전체적으로는 다수의 개구부를 갖는 격자 형태를 이루고 있다. 또한, 상기 뱅크(123)는 패널 외곽부인 비표시영역(NA)에도 형성되어 있다.
그 다음, 상기 뱅크(123)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내의 상기 제1 전극 (121a) 위로는 각각 적, 녹 및 청색을 발광하는 유기발광 패턴(미도시)으로 구성된 유기 발광층(125)을 형성한다. 상기 유기 발광층(125)은 유기 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 또는 도면에 나타나지 않았지만 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광 물질층(emitting material layer), 전자 수송층 (electron transporting layer) 및 전자 주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
이어서, 도 6f에 도시된 바와 같이, 상기 유기 발광층(125)과 상기 뱅크 (123)를 포함한 기판 전면에, 예를 들어 ITO, IZO를 포함한 투명 도전 물질 중에서 어느 하나로 이루어진 투명 도전물질층(미도시)을 증착한 후, 이를 선택적으로 패터닝하여 상기 유기 발광층(125)과 상기 뱅크 (123)를 포함한 기판의 표시영역(AA)에 제2 전극(127)을 형성한다. 이때, 상기 제1 전극(121a)과 제2 전극(127) 및 이들 두 전극 (121a, 127) 사이에 개재된 유기 발광층(125)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다. 상기 제2 전극(127)은 상기 보조 전극패턴(119)과 전기적으로 연결된다.
따라서, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극 (121a)과 제2 전극(127)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(117)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(127)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(125)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 제2 전극 (127)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기전계 발광소자(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
그 다음, 도 6g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 전극(127)을 포함한 기판 전면에는 절연물질, 특히 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제1 패시베이션막(129)을 형성한다. 이때, 상기 제2 전극(127) 만으로는 상기 유기발광층(125)으로의 수분 침투를 완전히 억제할 수 없기 때문에, 상기 제2 전극(127) 위로 상기 제1 패시베이션막(129)을 형성함으로써 상기 유기발광층 (125)으로의 수분 침투를 완전히 억제할 수 있게 된다.
이어서, 도 6h에 도시된 바와 같이, 상기 제1 패시베이션막(129) 상의 표시영역(AA)에는 폴리머 (polymer)와 같은 고분자 유기 물질로 이루어진 유기막(131)을 형성한다. 이때, 상기 유기막(131)을 구성하는 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자 (polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 에폭시 수지 (epoxy resin), 플루오르 수지(fluoro resin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.
그 다음, 상기 유기막(131) 및 제1 패시베이션막(129)을 포함한 기판 전면에 상기 유기막(131)을 통해 수분이 침투되는 것을 차단하기 위해 절연물질, 예를 들어 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 제2 패시베이션막(133)을 추가로 형성한다.
이어서, 상기 제2 패시베이션막(133)을 포함한 기판 전면에 상기 유기발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위해 보호 필름(137)을 대향하여 위치시키게 되는데, 상기 기판(101)과 보호 필름(137) 사이에 투명하며 접착 특성을 갖는 프릿 (frit), 유기절연물질, 고분자 물질 중 어느 하나로 이루어진 점착제(135)를 개재하여, 공기층 없이 상기 기판(101) 및 보호 필름(137)이 완전 밀착되도록 한다. 이때, 본 발명에서는 상기 점착제(135)로는 PSA(Press Sensitive Adhesive)를 이용하는 경우를 일례로 들어 설명한다.
이렇게 점착제(135)에 의해 상기 기판(101)과 보호필름(barrier film) (137)이 고정되어 패널 상태를 이루도록 함으로써 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 (100) 제조공정을 완료한다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 제조방법에 따르면, 비표시영역에 있는 비표시영역에 위치하는 평탄화막에 수분 차단부를 형성함으로써, 제1 패시베이션막 또는 제2 패시베이션막 등에 이물 또는 충격에 의해 크랙(crack)이 발생하여 수분이 침투되어 평탄화막과 뱅크를 통하여 수분이 전파되더라도 비표시영역에 위치하는 평탄화막에 형성된 수분 차단부에 의해 수분이 표시영역으로 전파되는 것이 차단된다. 특히, 발광영역의 유기물의 저하(degradation)을 유발하는 평탄화 막의 아웃 개씽(out gassing)을 사전에 유도하기 위하여, 표시영역(AA)의 외곽에 위치하는 상기 보조 전극패턴에 형성되는 애노드 홀(anode hole)들을 통하여 상기 평탄화 막과 뱅크가 맞닿아 연결되게 되므로 인해, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 동시에 표시영역(AA)으로 전달하는 경로로 작용할 수 있는데, 외곽으로부터 침투한 수분(H2O)이 상기 애노드 홀(121)을 통해 전달되더라도, 상기 수분이 상기 보조 전극패턴 하부의 평탄화 막에 형성된 수분 차단부들에 의해 표시영역(AA)으로 더 이상 전파되지 못하고 차단된다.
그러므로, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자 제조방법은 수분이 보조 전극패턴 하부의 평탄화 막에 형성된 수분 차단부들에 의해 표시영역(AA)으로 더 이상 전파되지 못하고 차단되기 때문에, 전면 씰(seal)을 적용하는 상부 방출형 유기전계 발광소자에서 환경 신뢰성을 개선할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
101: 기판 103: 반도체층
103a: 제1 영역 103b, 103c: 제2 영역
105: 게이트 절연막 107: 게이트 전극
109: 층간 절연막 111a: 소스 전극
111b: 드레인 전극 113: 평탄화 막
115a: 드레인 콘택홀 115b: 수분 차단부
115c: 접지배선 콘택홀 117: 제1 전극
119: 보조 전극패턴 121: 애노드 홀(anode hole)
123: 뱅크 125: 유기 발광층
127: 제2 전극 129: 제1 패시베이션막
131: 유기막 133: 제2 패시베이션막
135: 점착제 137: 보호필름
AA: 표시영역 NA: 비표시영역
P: 화소영역

Claims (13)

  1. 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판;
    상기 기판상의 상기 각 화소영역에 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터;
    상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 형성되고, 상기 기판의 비표시영역에 수분 차단부가 구비된 평탄화막;
    상기 평탄화막 상에 형성되고, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 제1 전극;
    상기 제1 전극을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 형성된 뱅크;
    상기 제1 전극 위로 각 화소영역 별로 분리 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 제2 전극;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 형성된 제1 패시베이션막;
    상기 제1 패시베이션막 상에 형성된 유기막;
    상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 형성된 제2 패시베이션막;
    상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름; 및
    상기 기판과 보호필름 사이에 개재되어 상기 기판과 보호필름을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제;를 포함하여 구성되는 유기전계 발광소자.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 수분 차단부는 상기 기판의 비표시영역의 외부면을 따라 적어도 하나 이상 형성된 것을 포함하여 구성되는 유기전계 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수분 차단부는 상기 기판의 비표시영역에 형성되는 구동회로배선와 대응하는 평탄화 막에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 수분 차단부는 상기 구동 회로배선들 중에서 전원(DC)으로 인가되는 배선 상부에 위치하는 평탄화 막에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판의 비표시영역에 위치하는 평탄화 막 상에 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 보조 전극패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판은 유리기판, 플렉서블(flexible) 유리기판 또는 플라스틱 재질 중에서 선택된 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자.
  7. 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 이의 외측으로 비표시영역이 정의된 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판상의 상기 각 화소영역에 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함한 기판상에 평탄화막을 형성하는 단계;
    상기 비표시영역의 평탄화막에 수분 차단부를 형성하는 단계;
    상기 평탄화막 상에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 포함한 기판의 각 화소영역 주위 및 비표시영역에 뱅크를 형성하는 단계;
    상기 화소영역의 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층을 포함한 상기 기판 전면에 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제2 전극을 포함한 기판 전면에 제1 패시베이션막을 형성하는 단계; 상기 제1 패시베이션막 상에 유기막을 형성하는 단계;
    상기 유기막 및 제1 패시베이션막 상에 제2 패시베이션막을 형성하는 단계;
    상기 기판과 마주하며 위치한 보호필름을 형성하는 단계; 및
    상기 기판과 보호필름 사이에 상기 기판과 보호필름을 접착하여 패널 상태를 이루도록 하는 점착제를 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 유기전계 발광소자 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 수분 차단부는 상기 기판의 비표시영역의 외부면을 따라 적어도 하나 이상 형성되는 것을 포함하여 구성되는 유기전계 발광소자 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 수분 차단부는 상기 기판의 비표시영역에 형성되는 구동 회로배선와 대응하는 평탄화 막에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 수분 차단부는 상기 구동 회로배선들 중에서 전원(DC)으로 인가되는 배선 상부에 위치하는 평탄화 막에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 기판의 비표시영역에 위치하는 평탄화 막 상에 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되고, 다수의 애노드 홀을 구비한 보조 전극패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 보조 전극패턴은 상기 제1 전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 기판은 유리기판, 플렉서블(flexible) 유리기판 또는 플라스틱 재질 중에서 선택된 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.
KR1020120142202A 2012-12-07 2012-12-07 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 KR101994227B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120142202A KR101994227B1 (ko) 2012-12-07 2012-12-07 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US14/069,589 US9312319B2 (en) 2012-12-07 2013-11-01 Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
CN201310567045.2A CN103872078B (zh) 2012-12-07 2013-11-14 有机发光二极管装置及其制造方法
DE102013113462.9A DE102013113462A1 (de) 2012-12-07 2013-12-04 Organische leuchtdiodenvorrichtung und verfahren zum herstellen derselben
TW102144956A TWI578593B (zh) 2012-12-07 2013-12-06 有機發光二極體裝置及其製造方法
US15/068,095 US9525015B2 (en) 2012-12-07 2016-03-11 Organic light emitting diode device and method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120142202A KR101994227B1 (ko) 2012-12-07 2012-12-07 유기전계 발광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140074037A true KR20140074037A (ko) 2014-06-17
KR101994227B1 KR101994227B1 (ko) 2019-09-30

Family

ID=50778285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120142202A KR101994227B1 (ko) 2012-12-07 2012-12-07 유기전계 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9312319B2 (ko)
KR (1) KR101994227B1 (ko)
CN (1) CN103872078B (ko)
DE (1) DE102013113462A1 (ko)
TW (1) TWI578593B (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160035712A (ko) * 2014-09-23 2016-04-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20160071880A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시소자
KR20160083588A (ko) * 2014-12-31 2016-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20160088799A (ko) * 2015-01-16 2016-07-26 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시장치
KR20190075483A (ko) * 2017-12-21 2019-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 형성방법
KR20200003337A (ko) * 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR20200006131A (ko) * 2017-11-24 2020-01-17 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 디스플레이 장치
US11329122B2 (en) 2017-08-04 2022-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, display module, and electronic device having auxiliary wiring connected to common electrode

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014132525A (ja) * 2013-01-04 2014-07-17 Japan Display Inc 有機ｅｌ表示装置
KR102100880B1 (ko) * 2013-06-26 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102213702B1 (ko) * 2014-11-07 2021-02-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR102331597B1 (ko) * 2015-01-21 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160122895A (ko) * 2015-04-14 2016-10-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102483434B1 (ko) * 2015-05-28 2022-12-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102545253B1 (ko) 2015-05-28 2023-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102486876B1 (ko) * 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9799713B2 (en) 2015-07-23 2017-10-24 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with barrier layer
US10121843B2 (en) 2015-09-30 2018-11-06 Apple Inc. Corrosion resistant test lines
KR102524535B1 (ko) * 2016-03-29 2023-04-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102654924B1 (ko) * 2016-06-16 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102693312B1 (ko) * 2016-09-30 2024-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102656842B1 (ko) * 2016-10-24 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102598926B1 (ko) * 2016-10-31 2023-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102328679B1 (ko) * 2016-11-23 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106711176B (zh) * 2016-12-15 2019-08-23 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及其制作方法
JP6818590B2 (ja) * 2017-02-27 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置、及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN106910765B (zh) 2017-05-04 2020-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
JP6906363B2 (ja) * 2017-05-16 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7114601B2 (ja) 2017-08-25 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル及び表示装置
CN107742676B (zh) * 2017-09-12 2019-04-30 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置
WO2019064437A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
CN109728031B (zh) * 2017-10-31 2020-03-24 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件、显示器及移动通信设备
KR102470063B1 (ko) 2017-12-15 2022-11-22 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 oled 패널
KR102536257B1 (ko) * 2018-01-25 2023-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108321181B (zh) * 2018-03-09 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR102480881B1 (ko) * 2018-07-25 2022-12-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치 및 이의 제조 방법
KR102658427B1 (ko) * 2018-09-11 2024-04-17 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US11925078B2 (en) * 2018-09-21 2024-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device including frame region, and bending region around display region
CN112133738B (zh) * 2018-11-28 2024-07-19 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109638059A (zh) * 2018-12-20 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置
KR20200089789A (ko) * 2019-01-17 2020-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200100238A (ko) 2019-02-15 2020-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN109904208B (zh) * 2019-03-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示器及其制备方法、显示装置
KR20200119452A (ko) * 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US11011591B2 (en) * 2019-05-28 2021-05-18 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode display panel and method for fabricating same
CN110752312A (zh) 2019-10-30 2020-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
KR20210073850A (ko) * 2019-12-11 2021-06-21 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN115299180A (zh) * 2020-01-07 2022-11-04 Ghsp公司 感应式灶台显示器
KR102705561B1 (ko) * 2020-01-29 2024-09-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7570896B2 (ja) * 2020-11-17 2024-10-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20220083047A (ko) 2020-12-11 2022-06-20 엘지디스플레이 주식회사 터치센서를 포함하는 표시장치 및 그의 제조방법
KR20220166400A (ko) 2021-06-09 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010048837A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
KR20110025956A (ko) * 2008-06-09 2011-03-14 캐논 가부시끼가이샤 유기발광장치
KR20120114685A (ko) * 2011-04-07 2012-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100473999B1 (ko) 2002-07-05 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP4702009B2 (ja) 2005-11-22 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4770519B2 (ja) 2006-03-01 2011-09-14 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置、有機発光装置の製造方法および電子機器
KR100805154B1 (ko) * 2006-09-15 2008-02-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101570471B1 (ko) 2008-09-18 2015-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
KR101002662B1 (ko) * 2008-12-10 2010-12-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5424738B2 (ja) 2009-06-23 2014-02-26 キヤノン株式会社 表示装置
KR101256545B1 (ko) 2009-08-05 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치
KR101699911B1 (ko) * 2010-04-05 2017-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101908514B1 (ko) * 2012-08-22 2018-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102050434B1 (ko) * 2012-10-31 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110025956A (ko) * 2008-06-09 2011-03-14 캐논 가부시끼가이샤 유기발광장치
JP2010048837A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
KR20120114685A (ko) * 2011-04-07 2012-10-17 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160035712A (ko) * 2014-09-23 2016-04-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20160071880A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시소자
KR20160083588A (ko) * 2014-12-31 2016-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US10084151B2 (en) 2015-01-16 2018-09-25 Japan Display Inc. Display device
US9722204B2 (en) 2015-01-16 2017-08-01 Japan Display Inc. Display device
US9929371B2 (en) 2015-01-16 2018-03-27 Japan Display Inc. Display device
KR20160088799A (ko) * 2015-01-16 2016-07-26 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 표시장치
US10644257B2 (en) 2015-01-16 2020-05-05 Japan Display Inc. Display device
US11329122B2 (en) 2017-08-04 2022-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, display module, and electronic device having auxiliary wiring connected to common electrode
US11997904B2 (en) 2017-08-04 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with second electrode provided below top surface of first electrode
KR20200006131A (ko) * 2017-11-24 2020-01-17 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 디스플레이 장치
KR20190075483A (ko) * 2017-12-21 2019-07-01 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 형성방법
US10770682B2 (en) 2017-12-21 2020-09-08 Lg Display Co., Ltd. Display panel and method for fabricating the same
KR20200003337A (ko) * 2018-06-29 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
US11600797B2 (en) 2018-06-29 2023-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus having peripheral dam containing metal-containing layer
US11127921B2 (en) 2018-06-29 2021-09-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus having peripheral area including metal-containing layer and plurality of dams

Also Published As

Publication number Publication date
US9525015B2 (en) 2016-12-20
US20160254335A1 (en) 2016-09-01
DE102013113462A1 (de) 2014-06-12
CN103872078A (zh) 2014-06-18
TWI578593B (zh) 2017-04-11
US9312319B2 (en) 2016-04-12
CN103872078B (zh) 2017-04-12
US20140159002A1 (en) 2014-06-12
TW201424079A (zh) 2014-06-16
KR101994227B1 (ko) 2019-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140074037A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR101978783B1 (ko) 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101967600B1 (ko) 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US10411080B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US11069876B2 (en) Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof
KR102028505B1 (ko) 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
KR102652822B1 (ko) 전계 발광 표시 장치
KR102009802B1 (ko) 플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR101980760B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR20140055529A (ko) 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR102016070B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
KR20170080224A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR101956227B1 (ko) 플렉서블 유기전계발광소자
KR101992903B1 (ko) 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR101621297B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR20140086637A (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR102034050B1 (ko) 플렉서블 유기발광 표시장치
KR102132225B1 (ko) 유기막 형성용 마스크, 그 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 유기전계 발광소자 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant