KR20140019330A - 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프 - Google Patents
반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140019330A KR20140019330A KR1020137022288A KR20137022288A KR20140019330A KR 20140019330 A KR20140019330 A KR 20140019330A KR 1020137022288 A KR1020137022288 A KR 1020137022288A KR 20137022288 A KR20137022288 A KR 20137022288A KR 20140019330 A KR20140019330 A KR 20140019330A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- adhesive tape
- carboxyl group
- adhesive
- weight part
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 87
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 84
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 62
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 39
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 58
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 46
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 28
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 42
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 41
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 76
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 66
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 26
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 22
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 238000011176 pooling Methods 0.000 description 16
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 15
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 8
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 8
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 3
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical group C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical class OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFSYUSUFCBOHGU-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-[(4-isocyanatophenyl)methyl]benzene Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=CC=C1N=C=O LFSYUSUFCBOHGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C=C DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPKCTSIVDAWGFA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3C(=O)C2=C1 FPKCTSIVDAWGFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POYODSZSSBWJPD-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyloxy 2-methylprop-2-eneperoxoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OOOC(=O)C(C)=C POYODSZSSBWJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound OCCCOC(=O)C=C QZPSOSOOLFHYRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWHJJLTXBKSHJG-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxy-2-methylpent-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)=CCCO DWHJJLTXBKSHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 6-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCCCOC(=O)C=C FIHBHSQYSYVZQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004836 Glue Stick Substances 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N N-Methylolacrylamide Chemical compound OCNC(=O)C=C CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQBRAHLFLCMLBA-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=CC(C)=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=CC(C)=C1 UQBRAHLFLCMLBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001283 Polyalkylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;isocyanic acid Chemical group N=C=O.CCOC(N)=O RJLZSKYNYLYCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- MLMVPBFKPWONNM-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;urea Chemical compound NC(N)=O.OC(=O)C=C MLMVPBFKPWONNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002397 thermoplastic olefin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229940096522 trimethylolpropane triacrylate Drugs 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J175/04—Polyurethanes
- C09J175/14—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J175/04—Polyurethanes
- C09J175/14—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J175/16—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds having terminal carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
- C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
- C09J201/06—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups containing oxygen atoms
- C09J201/08—Carboxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
- C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J7/385—Acrylic polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2170/00—Compositions for adhesives
- C08G2170/40—Compositions for pressure-sensitive adhesives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2475/00—Presence of polyurethane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
- Y10T428/2852—Adhesive compositions
- Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
- Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
본 발명의 과제는 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착제의 양을 충분히 저감시킬 수가 있는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프를 제공하는 것이다. 본 발명에 관계되는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프(100)는 기재층(200)과 점착층(300)을 구비한다. 점착층(300)은 기재층(200)의 적어도 일방의 면에 형성된다. 또, 점착층(300)은 주로 카복실기 함유 폴리머로 이루어진다. 카복실기 함유 폴리머는 방사선 중합 화합물(특히 우레탄아크릴레이트)을 함유한다.
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프에 관한 것이다.
본원은 2011년 3월 30일에 일본에 출원된 특허출원 2011-075003호 및 2012년 1월 11일에 일본에 출원된 특허출원 2012-003125호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
이전부터 반도체 웨이퍼나 패키지품의 다이싱(dicing) 가공에 이용되는 반도체 웨이퍼 등의 가공용 점착 테이프(이하 「다이싱 테이프」라고 한다)가 여러 가지 제안되고 있다. 일반적으로 다이싱 테이프에서는 기재층(기층) 상에 점착층이 형성되어 있고, 이 점착층에 의해 반도체 웨이퍼 등이 고정된다. 반도체 웨이퍼 등의 다이싱 가공 후 반도체칩을 용이하게 픽업(pick up)할 수가 있도록, 점착층에는 통상, 방사선 중합 화합물(광경화형 수지), 방사선 중합 개시제(광중합 개시제), 및 가교제 등이 첨가되어 있다. 즉, 다이싱 가공 후 점착층에 자외선 등의 방사선(광)이 조사되면, 이들 성분이 경화하여 점착층의 점착성이 저하하여 반도체칩의 픽업이 용이하게 된다.
그런데, 다이싱 테이프를 피착체로부터 박리시키는 공정에 있어서, 피착체의 표면에 점착층을 구성하는 점착제의 일부가 남는 이른바 풀남음이 발생한다고 하는 문제가 있다. 또, 다이싱 테이프로 피착체를 보지(保持)하는 공정에 있어서, 다이싱 테이프는 요철이 있는 피착체를 안정하게 보지할 수가 없다고 하는 문제가 있다. 그래서, 예를 들면, 특허문헌 1, 2에는 상기의 문제를 해결하기 위해서 점착층의 재료가 적의 선택된 다이싱 테이프가 개시되어 있다. 이들 다이싱 테이프는 요철이 있는 피착체를 안정하게 보지할 수가 있다.
그러나, 이들 다이싱 테이프에서는 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착제의 양을 충분히 저감시킬 수가 없었다.
본 발명의 목적은 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착제의 양을 저감시킬 수가 있는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 이하의 (1)~(9)에 기재되는 본 발명에 의해 달성된다.
(1) 기재층과, 상기 기재층의 적어도 일방의 면에 형성되는 점착층을 구비하고, 상기 점착층은 카복실기 함유 폴리머와, 방사선 중합 화합물과, 가교제를 포함하고, 상기 방사선 중합 화합물은 중량평균분자량이 500 이상 20000 이하이고, 또한 관능기수가 5관능기 이상이고, 상기 가교제의 함유량은 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 3중량부 이상 14중량부 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(2) 상기 방사선 중합 화합물의 중량평균분자량이 1000 이상 20000 이하이고, 또한 관능기수가 10관능기 이상인 상기 (1)에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(3) 상기 카복실기 함유 폴리머는 에스터기를 더 함유하고, 상기 카복실기 함유 폴리머의 상기 에스터기의 개수와 상기 카복실기의 개수의 비(에스터기/카복실기)는 80/20 이상 95/5 이하인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(4) 상기 방사선 중합 화합물의 중량평균분자량이 500 이상 3000 이하이고, 또한 관능기수가 15관능기 이하인 상기 (1)~(3)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(5) 상기 관능기가 비닐기인 상기 (1)~(4)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(6) 상기 방사선 중합 화합물의 함유량은 상기 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 30중량부 이상 70중량부 이하인 상기 (1)~(5)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(7) 상기 방사선 중합 화합물은 우레탄아크릴레이트인 상기 (1)~(6)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(8) 상기 가교제는 이소시아네이트기를 함유하는 상기 (1)~(7)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
(9) 상기 카복실기 함유 폴리머는 아크릴산 에스터와 아크릴산의 공중합체인 상기 (1)~(8)의 어느 하나에 기재된 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
상기 구성을 구비함으로써 본 발명에 관계되는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 요철이 있는 피착체를 보다 안정하게 보지할 수가 있는 것으로 된다.
또, 본 발명에 관계되는 다이싱 테이프는 피착체에 대해서 양호한 점착력, 또한 픽업성의 향상을 목적으로 하고 있고, 점착층 상에 다이 어태치(die attach) 필름 등을 설치하지 않는 구조로 되어 있다.
이러한 구조 때문에, 다이 어태치 필름 등이 점착층 상에 적층되어 있는 경우에 일어나는 하기 문제 (I)~(IV) 등을 고려할 필요가 없다.
(I) 다이싱시에 다이 어태치 필름이 용융함으로써, 커트 품질이 저하하고, 점착층과 다이 어태치 필름의 접착에 의해 픽업성이 저하한다. (II) 다이 어태치 필름과 점착층의 밀착에 의해, 장기간 보관했을 때에 픽업성이 저하한다. (III) 다이 어태치 필름을 적층하기 때문에 제조 공정이 증가한다. (IV) 다이 어태치 필름과 점착층이 반응할 가능성이 있기 때문에 상온 수송을 할 수 없다.
본 발명에 관계되는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착제의 양을 저감시킬 수가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 관계되는 다이싱 테이프의 단면도이다.
이하, 본 발명의 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프에 대해서 구체적인 실시 형태에 기초하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 기재층과, 상기 기재층의 적어도 일방의 면에 형성되는 점착층을 구비하고, 상기 점착층은 카복실기 함유 폴리머와 방사선 중합 화합물을 포함하고, 상기 방사선 중합 화합물은 중량평균분자량이 500 이상 3000 이하이고, 또한 관능기수가 5관능기 이상 15관능기 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프이다.
도 1은 본 발명의 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프(이하 「점착 테이프」 또는 「다이싱 테이프」라고 한다)(100)의 실시 형태를 설명하기 위한 도이다. 도 1에 도시되듯이, 본 발명의 일실시 형태에 관계되는 점착 테이프(100)는 기재층(200)과 점착층(300)을 포함하여 구성된다. 이하, 점착 테이프가 다이싱 테이프로서 이용되는 경우에 대한 기재층(200) 및 점착층(300)에 대해서 각각 상세하게 설명한다.
<기재층(기층)>
기재층(200)은 주로 재료 수지를 포함하고, 점착층(300)을 지지하는 역할을 담당하고 있다. 또, 이 기재층(200)은 다이싱 공정 후에 실시되는 익스팬드(expand) 공정에 있어서, 인연(引延)에 견딜 수 있을 만큼의 강도를 가진다. 익스팬드 공정이란 점착 테이프(100)를 잡아늘여 칩 간격을 확장하는 공정이다. 이 익스팬드 공정의 목적은 픽업시에 칩의 인식성을 높이는 것, 및 인접하는 칩끼리의 접촉에 의한 디바이스의 파손을 방지하는 것이다.
상기 재료 수지는 통상의 필름 성형 방법에 따라 필름으로 성형된다. 이 재료 수지로서 방사선(가시광선, 근적외선, 자외선, X선, 전자선 등)을 투과하는 것이면 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀계 수지, 에틸렌·초산비닐 공중합체, 아이오노머, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메트)아크릴산 에스터 공중합체 등의 올레핀계 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리알킬렌테레프탈레이트계 수지, 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 올레핀계 열가소성 엘라스토머, 폴리비닐이소프렌, 폴리카보네이트 등의 열가소성 수지나, 이들 열가소성 수지의 혼합물이 이용된다.
특히, 재료 수지로서 폴리프로필렌과 엘라스토머의 혼합물, 또는 폴리에틸렌과 엘라스토머의 혼합물이 이용되는 것이 바람직하다. 또, 이 엘라스토머로서 일반식 (1)로 표시되는 폴리스티렌 세그먼트(segment)와, 일반식 (2)로 표시되는 비닐 폴리이소프렌 세그먼트를 포함하는 블록 공중합체가 바람직하다. 또, 폴리이소프렌 세그먼트는 수소첨가하고 있는 것이 내후성의 관점에서 바람직하다.
(식 (1) 중 n은 2 이상의 정수)
(식 (2) 중 n은 2 이상의 정수)
상기 기재층(200)의 두께는, 특히 한정되지 않지만, 50㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 80㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 기재층(200)의 두께가 상기 범위 내이면, 비용면 및 다이싱 공정 또는 익스팬드 공정에 있어서의 작업성의 관점에서 뛰어난 경우가 있다.
상기 기재층(200)의 제법으로서, 특히 한정되지 않지만, 캘린더법, 압출 성형법 등의 일반적인 성형 방법이 이용된다. 상기 기재층(200)의 표면에는 점착층(300)을 구성하는 재료와 반응하는 관능기, 예를 들면, 히드록실기 또는 아미노기 등이 노출되어 있는 것이 바람직하다. 또, 기재층(200)과 점착층(300)의 밀착성을 향상시키기 위해서, 기재층(200)의 표면을 코로나 처리 또는 앵커코트 등으로 표면 처리해 두는 것이 바람직하다.
<점착층>
점착층(300)은 다이싱 공정에 있어서 피착체인 반도체 웨이퍼 등을 점착하여 보지하는 역할을 담당하고 있다. 이 점착층(300)은 다이싱 공정 후에 방사선(광)이 조사되면, 반도체 웨이퍼 등의 절단편을 용이하게 박리시킬 수가 있는 상태로 된다. 또한, 사용전 점착 테이프(100)에서는 통상, 점착층(300)이 이형 필름으로 보호되어 있다.
상기 점착층(300)은 기재층(200)의 적어도 일방의 면에 형성되어 있다(도 1 참조). 또한, 점착층(300)의 재료인 수지 용액은 통상, 다이코트, 커튼다이코트, 그라비어코트, 콤마코트, 바코트, 또는 립코트 등의 도포 방법에 의해 기재층(200)에 도포된다. 건조 후의 점착층(300)의 두께는, 특히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10㎛ 이상 25㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 건조 후의 점착층의 두께를 상기 범위 하한치 이상으로 함으로써, 피착체의 보지력이 뛰어나게 된다. 또 건조 후의 점착층의 두께를 상기 범위 상한치 이하로 함으로써, 비용면, 및 다이싱시에 칩에 풀부스러기가 부착하는 문제를 방지한다고 하는 면에서 뛰어난 다이싱 필름이 얻어진다.
상기 점착층(300)은 카복실기 함유 폴리머를 포함한다. 또, 점착층(300)은 방사선 중합 화합물(점착층(300)을 경화시키는 경화 성분)을 포함한다. 또한, 이 점착층(300)에는 임의 성분으로서 대전방지제 및 점착부여제 등이 포함되어 있어도 좋다. 이하 각 성분에 대해서 각각 상술한다.
(1) 카복실기 함유 폴리머
카복실기 함유 폴리머는, 예를 들면, 카복실기를 가지는 부가형 모노머와, 아크릴산 에스터, 초산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 공중합체를 들 수 있지만, 그 중에서도 특히 카복실기를 가지는 부가형 모노머와 아크릴산 에스터의 공중합체, 즉 에스터기를 함유하는 카복실기 함유 아크릴계 폴리머인 것이 바람직하다. 이 에스터기를 함유하는 카복실기 함유 폴리머의 에스터기 개수와 카복실기 개수의 비(에스터기/카복실기)는 80/20 이상 95/5 이하인 것이 바람직하고, 85/15 이상 95/5 이하인 것이 보다 바람직하고, 85/15 이상 90/10 이하인 것이 더 바람직하다. 에스터기를 함유하는 카복실기 함유 폴리머의 에스터기 개수와 카복실기 개수의 비(에스터기/카복실기)를 상기 범위 내로 함으로써, 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는, 요철이 있는 피착 체표면에 보다 추종하기 쉬워져 안정하게 보지할 수가 있다. 또한, 이 카복실기 함유 아크릴계 폴리머에는 본 발명의 취지를 손상시키지 않는 범위에서, 초산비닐 모노머, 및 카복실기 이외의 관능기를 가지는 부가형 모노머의 적어도 일방이 공중합되어 있어도 상관없다.
상기 카복실기를 가지는 부가형 모노머로서, 예를 들면, 메타크릴산, 아크릴산, 이타콘산, 무수 말레산 등을 들 수 있다. 아크릴산 에스터로서 예를 들면 아크릴산에틸, 아크릴산부틸, 아크릴산2-에틸헥실, 아크릴산글리시딜, 아크릴산2-히드록시에틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산부틸, 메타크릴산2-에틸헥실, 메타크릴산글리시딜, 메타크릴산2-히드록시에틸, 메타크릴산디메틸아미노에틸 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 및 아크릴산2-에틸헥실, 메타크릴산디메틸아미노에틸을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 1종의 아크릴산 에스터가 바람직하다. 카복실기를 가지는 아크릴산 에스터를 이용함으로써, 피착체와의 밀착성이 향상되기 때문에, 반도체 부재의 마운트(mount), 단재(端材) 날아감 및 치핑(chipping)의 억제에 특히 적합한 것으로 된다.
또, 카복실기 이외의 관능기를 가지는 부가형 모노머로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 히드록시에틸메타크릴레이트, 히드록시에틸아크릴레이트, 히드록시프로필메타크릴레이트, 히드록시프로필아크릴레이트, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 디메틸아미노에틸아크릴레이트, 아크릴아미드, 메틸올아크릴아미드, 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다.
예를 들면, 카복실기 함유 아크릴계 폴리머로서 하기 화학 구조식 (3)으로 표시되는 아크릴계 수지, 즉 카복실기를 가지는 부가형 모노머인 아크릴산과, 아크릴산 에스터인 아크릴산2-에틸헥실의 공중합체가 이용된다. 이 화학 구조식에 있어서 n은 85~95중량부 상당 몰수이고, m은 5~15중량부 상당 몰수인 것이 바람직하다. m이 상기 기재 범위보다 적게 되면, 피착체 표면의 요철에의 추종이 나빠져, 다이싱시에 칩 날아감 및 칩 이면에의 절삭수 침입의 우려가 있고, 또 m이 상기 기재 범위보다 많아지면, 피착체와의 밀착성 과잉으로 되어 픽업 문제가 생길 우려가 있다. 상기 범위 중에서도 n은 90중량부 상당 몰수, m은 10중량부 상당 몰수인 것이 더 바람직하다.
(2) 방사선 중합 화합물(자외선 경화 수지, 경화 성분)
방사선 중합 화합물은 점착층(300)을 경화시키는 경화 성분으로서 이용되고, 상기 방사선 중합 화합물로서는 단관능 아크릴레이트, 다관능 아크릴레이트, 단관능 메타크릴레이트, 다관능 메타크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 우레탄메타크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에폭시메타크릴레이트, 폴리에스터아크릴레이트, 또는 요소아크릴레이트 등을 들 수 있지만, 그들 중에서 우레탄아크릴레이트인 것이 바람직하다. 이것은 우레탄아크릴레이트의 골격이 강인하고 유연하므로, 픽업시의 니들(needle)에 의한 풀깨짐을 저감시킬 수가 있기 때문이다. 또, 우레탄아크릴레이트는 자외선이 조사되면 경화한다. 이 경화에 의해 베이스 수지가 우레탄아크릴레이트의 가교 구조로 받아들여진 결과, 점착층(300)의 점착력이 저하한다. 또한, 경화 성분으로서, 본 발명의 취지를 손상시키지 않는 범위에서, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크리레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크리레이트, 1, 4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1, 6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 시판의 올리고에스터아크릴레이트 등을 우레탄아크릴레이트와 함께 이용해도 좋다.
상기 방사선 중합 화합물(특히 우레탄아크릴레이트)은 중량평균분자량이 500 이상이고, 700 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 보다 바람직하고, 더 바람직하게는 1200 이상이다. 또, 20000 이하이고, 3000 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 2500 이하이고, 가장 바람직하게는 2000 이하이다. 방사선 중합 화합물의 중량평균분자량이 500 미만이면, 다이싱시에 풀이 비산하기 쉬워져 칩 표면에의 오염이 생길 우려가 있고, 또 피착체에의 풀전사가 생기기 쉬워진다고 할 우려가 있어 바람직하지 않다. 상기 중합 화합물의 중량평균분자량이 20000을 넘는 경우, 방사선 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착층(300)을 구성하는 점착제의 양을 충분히 저감시킬 수가 없고, 또한 피착체에 대해서 양호한 점착력이 얻어지지 않을 우려가 있다. 또, 피착체 표면의 요철에의 추종이 나빠져, 다이싱시에 칩 날아감 및 칩 이면에의 절삭수 침입의 가능성이 낮아지는 것을 고려하면, 방사선 중합 화합물의 중량평균분자량은 3000 이하인 것이 바람직하다.
상기 방사선 중합 화합물(특히 우레탄아크릴레이트)의 중량평균분자량을 측정하는 방법으로서는, 예를 들면, 겔 크로마토그래피법(약하여 GPC법)을 들 수 있다. 상기 GPC 측정은 특히 한정되지 않지만, Waters사제 얼라이언스(2695 Separations Module, 2414 Refractive Index Detector, TSK Gel GMHHR-L×2+TSK Guard Column HHR-L×1, 이동상: THF, 1.0ml/분)를 이용하여 칼럼 온도 40.0℃, 시차굴절률계 내 온도 40.0℃, 샘플 주입량 100㎕의 조건으로 행하였다.
또, 상기 방사선 중합 화합물(특히 우레탄아크릴레이트)은 관능기수가 5관능기 이상, 7관능기 이상인 것이 바람직하고, 8관능기 이상인 것이 보다 바람직하고, 더 바람직하게는 10 이상이다. 관능기수가 15관능기 이하이고, 13관능기 이하인 것이 바람직하고, 12관능기 이하인 것이 보다 바람직하다. 방사선 중합 화합물의 관능기수가 상기 5관능기 미만인 경우, 방사선 조사 후의 경화가 불충분하게 되어 픽업 문제가 생길 우려가 있다. 방사선 중합 화합물의 관능기수가 15관능기를 넘는 경우, 경화 수축에 의해 테이프에 느슨함이 생겨 치핑 문제나 픽업 문제가 생길 우려가 있다. 또, 과잉인 경화에 의해 풀이 부서지기 쉽게 되어 픽업시에 풀부스러기가 칩 이면에 부착한다고 하는 문제가 생길 우려가 있다.
상기 방사선 중합 화합물(특히 우레탄아크릴레이트)은 중량평균분자량이 500 이상 3000 이하이고, 또한 관능기수가 5관능기 이상 15관능기 이하인 것에 의해, 본 발명에 관계되는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착층(300)을 구성하는 점착제의 양을 충분히 저감시킬 수가 있고, 또한 피착체에 대해서 양호한 점착력을 가지는 것으로 된다. 또, 양호한 마운트성 및 픽업성을 가져, 요철이 있는 피착체를 안정하게 보지할 수가 있는 것으로 된다.
또한, 상기 방사선 중합 화합물의 상기 관능기는 비닐기인 것이 바람직하다.
상기 방사선 중합 화합물(특히 우레탄아크릴레이트)의 함유량은 상기 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 30중량부 이상 70중량부 이하이고, 40중량부 이상 60중량부 이하인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 45중량부 이상 55중량부 이하이다. 방사선 중합 화합물의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써, 점착 테이프(100)의 픽업성은 매우 적합한 것으로 된다.
상기 경화 성분은, 본 발명의 취지를 손상시키지 않는 범위에서, 방사선 중합 개시제, 가교제를 함께 이용하는 것이 바람직하다.
상기 방사선 (광)중합 개시제는 경화 성분의 중합 개시를 용이하게 하기 위해 첨가된다. 방사선 중합 개시제로서, 예를 들면, 2, 2-디메톡시-1, 2-디페닐에탄-1-온, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에터, 벤조인에틸에터, 벤조인이소프로필에터, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.
상기 가교제로서, 예를 들면, 에폭시계 가교제, 이소시아네이트계 가교제, 메틸올계 가교제, 킬레이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 다가 금속 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 생산성(포트라이프(pot life))이 높은 것이나 불순물이 적은 것으로부터 이소시아네이트계 가교제를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 이소시아네이트계 가교제로서, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 다가 이소시아네이트의 폴리이소시아네이트 화합물 및 폴리이소시아네이트 화합물의 삼량체, 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 화합물의 삼량체 또는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머를 페놀, 옥심류 등으로 봉쇄한 블록화 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 적당한 가교 네트워크를 구축할 수가 있다고 하는 관점에서, 다가 이소시아네이트를 이용하는 것이 바람직하다. 이것은 가교시킴으로써 점착층의 응집력이 높아져 피착체에의 풀남음을 억제할 수가 있기 때문이다.
상기 다가 이소시아네이트로서, 예를 들면, 2, 4-톨릴렌디이소시아네이트, 2, 6-톨릴렌디이소시아네이트, 1, 3-자일렌디이소시아네이트, 1, 4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4, 4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2, 4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4, 4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2, 4'-디이소시아네이트 등이 이용된다. 이들 중에서도 2, 4-톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4, 4'-디이소시아네이트 및 헥사메틸렌디이소시아네이트를 포함하는 군에서 선택되는 적어도 1종의 다가 이소시아네이트를 들 수 있다.
상기 점착층(300)은 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 3중량부 이상 14중량부 이하의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 4중량부 이상 10중량부 이하의 가교제를 함유하는 것이 보다 바람직하고, 5중량부 이상 7중량부 이하의 가교제를 함유하는 것이 더 바람직하다. 가교제가 상기 범위 내에서 함유되어 있음으로써, 본 발명에 관계되는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착제의 양을 충분히 저감시킬 수가 있고, 또한 피착체에 대해서 보다 양호한 점착력을 가지는 것으로 된다. 또한, 본 발명에 관계되는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 보다 양호한 픽업성을 가지는 것으로 된다.
(3) 대전방지제
대전방지제로서, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양(兩)이온성 계면활성제 등의 계면활성제가 이용된다. 또, 온도 의존성을 나타내지 않는 대전방지제로서, 예를 들면, 카본블랙, 은, 니켈, 안티몬 도프 주석 산화물, 주석 도프 인듐 산화물 등의 분체가 이용된다.
(4) 점착부여제
점착부여제로서, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 로진 수지, 터펜 수지, 쿠마론 수지, 페놀 수지, 스티렌 수지, 지방족계 석유 수지, 방향족계 석유 수지, 지방족 방향족 공중합계 석유 수지 등이 이용된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프의 용도로서는, 다이싱 테이프 외에 백그라인드 테이프, 프린트 기판 보호 테이프 등의 일렉트로닉스 용도, 창유리 보호용 필름, 장식용 마킹 필름, 의료, 위생용 약제의 기재 등을 들 수 있다.
<점착 테이프(다이싱 테이프)의 사용 방법>
점착 테이프(100)의 사용 방법은 공지의 방법을 이용할 수가 있다. 예를 들면, 점착 테이프(100)를 피착체인 반도체 웨이퍼 등에 첩부하여 고정한 후, 회전환 날로 반도체 디바이스를 소자 소편마다 절단한다. 절단 후 점착 테이프(100)의 기재층(200)측으로부터 자외선을 조사한다. 조사 후 전용 지그를 이용하여 점착 테이프(100)를 방사상으로 확장하여 칩 사이를 일정 간격으로 넓힌 후, 반도체 디바이스를 니들 등으로 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 디바이스는 진공 콜렉트(collect) 또는 에어 핀셋에 의한 흡착 등으로 픽업된 후 마운팅되거나 또는 트레이에 수납된다.
실시예
다음에, 본 발명의 점착 테이프(100)에 관계되는 실시예 1~7과 비교예 1~5에 대해서 설명한다. 또한, 실시예에 의해 본 발명은 하등 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
<다이싱 테이프의 제작>
기재층(200)을 구성하는 재료로서, 폴리프로필렌 60중량부, 일반식 (1)로 표시되는 폴리스티렌 세그먼트와 일반식 (2)로 표시되는 비닐 폴리이소프렌 세그먼트로 이루어지는 블록 공중합체 40중량부를 준비하였다.
(식 (1) 중 n은 2 이상의 정수)
(식 (2) 중 n은 2 이상의 정수)
상기의 기재층(200)을 구성하는 재료를 2축 혼련기로 혼련한 후, 혼련한 것을 압출기로 압출하여 두께 150㎛의 기재층(200)을 제작하였다.
점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머로서 카복실기 함유 아크릴계 폴리머를 준비하였다. 카복실기 함유 아크릴계 폴리머는 부틸아크릴레이트 90중량% 및 아크릴산10중량%를 통상의 방법에 의해 톨루엔 용매 중에서 용액 중합시킨 것이다. 이 카복실기 함유 아크릴계 폴리머는 중량평균분자량 600,000의 수지이고, 에스터기 개수와 카복실기 개수의 비(에스터기/카복실기)가 90/10이다.
점착층(300)의 경화 성분으로서, 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 중량평균분자량의 측정은 20mg의 우레탄아크릴레이트를 6ml의 테트라히드로퓨란(이하 THF)에 용해하여 GPC 측정을 행하였다. GPC 측정은 Waters사제 얼라이언스(2695 Separations Module, 2414 Refractive Index Detector, TSK Gel GMHHR-L×2+TSK Guard Column HHR-L×1, 이동상: THF, 1.0ml/분)를 이용하여 칼럼 온도 40.0℃, 시차굴절률계 내 온도 40.0℃, 샘플 주입량 100㎕의 조건으로 행하였다. 또, 방사선 중합 개시제인 2, 2-디메톡시-2-페닐아세토페논을 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 3중량부 준비하였다. 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
상기 점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머, 우레탄아크릴레이트, 방사선 중합 개시제, 및 가교제가 배합된 수지 용액을 제작하였다. 이 수지 용액을 건조 후의 점착층(300)의 두께가 15㎛로 되도록 하여 기재층(200)에 바코트 도포한 후, 80℃에서 5분간 건조시켜 소망의 점착 테이프(100)를 얻었다.
<피착체에의 점착에 관한 평가>
제작 후 23℃에서 7일간 이상이 경과한 점착 테이프(100)를 피착체인 반도체 웨이퍼에 첩착(貼着)하였다. 첩착 후 20분이 경과한 점착 테이프(100)의 반도체 웨이퍼 경면(鏡面)에 대한 점착력을 180о 박리 시험에 의해 측정하였다. 180о 박리 시험은 만능 시험기(주식회사 에이앤드디제, 품명: 텐실론)를 이용하여, 환경 온도: 23℃, 환경 압력: 상압, 인장 속도: 300mm/min의 조건하에서 행해졌다. 그리고, 얻어진 점착력 차트의 평균치를 점착층(300)의 점착력(cN/25mm)으로 하였다. 측정한 점착력이 1000cN/25mm 이상인 것을 ◎, 500cN/25mm 이상 1000cN/25mm미만인 것을 ○, 500cN/25mm미만인 것을 ×로 평가하였다.
상기의 평가를 행한 결과, 점착력이 1600cN/25mm이고, 점착 테이프(100)의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
<픽업성의 평가 및 풀남음에 관한 평가>
점착 테이프(100)에 반도체 웨이퍼를 23℃의 조건하에서 압착하여 20분간 방치 후, 10mm×10mm 크기로 다이싱하였다. 다이싱 후 점착 테이프(100)에 자외선을 조사하고, 진공 흡착하는 콜렉트를 이용하여 다이싱된 반도체 웨이퍼의 표면을 흡착하고, 4mm 간격의 4개의 니들을 점착 테이프(100)의 아래로부터 500㎛ 밀어올려 반도체 웨이퍼를 점착 테이프(100)로부터 픽업하였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼 중 99% 이상 픽업할 수 있었던 것을 ◎, 90% 이상 99% 미만 픽업할 수 있었던 것을 ○, 그 외의 것을 ×로 평가하였다.
또한, 점착 테이프(100)를 박리한 후의 반도체 웨이퍼의 표면에 점착층(300)을 구성하는 점착제의 일부가 남는 이른바 풀남음이 발생하고 있는지 아닌지에 대해서 평가를 행하였다. 구체적으로, 다이싱 후의 반도체 웨이퍼의 점착 테이프(100)가 첩착되어 있었던 면에 남는 풀남음, 및 점착 테이프(100)가 첩착되어 있었던 면의 역의 면, 또는 측면에 대해서 다이싱시에 비산한 풀의 부착을 눈으로 관찰하였다. 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 전혀 발생하고 있지 않는 것을 ◎, 풀남음 및 풀이 부착하고 있는 반도체 웨이퍼가 전체의 5% 이하인 것을 ○, 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 전체의 5%를 넘게 발생하고 있는 것을 ×로 평가하였다.
상기의 평가를 행한 결과, 다이싱한 칩 중 99%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ◎였다. 다이싱 후의 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
(실시예 2)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 점착 테이프(100)를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1800이고, 관능기수가 6관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer PU610)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 또, 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 실시예에 관계되는 점착력이 1400cN/25mm이고, 점착 테이프(100)의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ◎였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
(실시예 3)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 30중량부 준비하였다. 또, 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 2000cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다. 다이싱한 칩 중 96%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
(실시예 4)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 70중량부 준비하였다. 또, 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 1200cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ◎였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 전체의 2%의 풀남음 및 풀의 부착이 발생하여 풀남음에 관한 평가는 ○였다(하기 표 1 참조).
(실시예 5)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 20중량부 준비하였다. 또, 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 2200cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다. 다이싱한 칩 중 92%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
(실시예 6)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 20중량부를 준비하였다. 또, 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 900cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ○였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ◎였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 전체의 5%의 풀남음 및 풀의 부착이 발생하여 풀남음에 관한 평가는 ○였다(하기 표 1 참조).
(실시예 7)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머 대신에, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 제조한 카복실기 함유 폴리머(에스터기 개수와 카복실기 개수의 비 98/2)를 준비하였다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 800cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ○였다. 다이싱한 칩 중 95%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 전체의 3%의 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ○였다(하기 표 1 참조).
(비교예 1)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 467이고, 관능기수가 4관능인 우레탄아크릴레이트(일본화약주식회사제, 품명: Kayarad T-1420(T))를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 1900cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다. 다이싱한 칩 중 67%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ×였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 전체의 16%의 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ×였다(하기 표 1 참조).
(비교예 2)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 20000이고, 관능기수가 15관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer SC2152)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 400cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ×였다. 다이싱한 칩 중 92%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
(비교예 3)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 11000이고, 관능기수가 3관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer PU320)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 870cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ◎였다. 다이싱한 칩 중 73%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ×였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ◎였다(하기 표 1 참조).
(비교예 4)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머 대신에, 아크릴계 폴리머(소켄화학주식회사제, 품명: SK 다인 1491H)를 준비하였다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 400cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ×였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ◎였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 전체의 10%의 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ×였다(하기 표 1 참조).
(비교예 5)
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머 대신에, 실리콘계 폴리머(Momentive Performance Materials사제, 품명: TSE3221S)를 준비하였다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 1400이고, 관능기수가 9관능인 우레탄아크릴레이트(신나카무라화학공업주식회사제, 품명: UA-33H)를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 50중량부 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 점착 테이프(100)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 픽업성의 평가, 풀남음에 관한 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 340cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ×였다. 다이싱한 칩 중 95%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다. 다이싱된 반도체 웨이퍼에 전체의 25%의 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ×였다(하기 표 1 참조).
실시예 1, 2에 관계되는 점착 테이프(100)에서는 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가가 모두 ◎였다. 또, 실시예 3, 4에 관계되는 점착 테이프(100)에서는 ◎가 2개, ○가 1개이고, 실시예 5, 6에 관계되는 점착 테이프(100)에서는 ◎가 1개, ○가 2개, 실시예 7에 관계되는 점착 테이프(100)에서는 모두 ○였다. 이에 반해 비교예 1~5에 관계되는 다이싱 테이프에서는 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가 중 적어도 하나가 ×였다.
(실시예 A1)
<다이싱 테이프의 제작>
하기 이외에 대해서는 실시예 1과 마찬가지로 하여 다이싱(점착) 테이프(100)를 얻었다.
점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 3200g/mol이고, 관능기수가 10관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer MU9500)를 준비하였다.
<피착체에의 점착에 관한 평가>
이하의 평가 외에는 실시예 1에 있어서의 피착체에의 점착에 관한 평가와 a마찬가지다.
측정한 점착력이 500cN/25mm 이상인 것을 ○, 500cN/25mm 미만인 것을 ×로 평가하였다.
<풀남음에 관한 평가>
다이싱 테이프(100)를 박리한 후의 반도체 웨이퍼의 표면에 점착층(300)을 구성하는 점착제의 일부가 남는 이른바 풀남음이 발생하고 있는지 아닌지에 대해서 평가를 행하였다. 구체적으로, 다이싱 테이프(100)를 박리한 후의 반도체 웨이퍼의 다이싱 테이프(100)가 첩착되어 있었던 면에 남는 풀남음, 다이싱 테이프(100)가 첩착되어 있었던 면의 역의 면, 또는 측면에 대해서 다이싱시에 비산한 풀의 부착을 눈으로 관찰하였다. 반도체 웨이퍼에 풀남음 및 풀의 부착이 발생하고 있지 않는 것을 ○, 반도체 웨이퍼에 풀남음 또는 풀의 부착이 발생하고 있는 것을 ×로 평가하였다.
상기의 평가를 행한 결과, 점착력이 1300cN/25mm여서 다이싱 테이프(100)의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ○였다. 다이싱 테이프(100)로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ○였다(하기 표 2 참조).
<픽업성의 평가>
이하의 평가 외에는 실시예 1에 있어서의 픽업성의 평가와 마찬가지다.
다이싱된 반도체 웨이퍼 중 95% 이상을 픽업할 수 있었던 것을 ○, 그 외인 것을 ×로 평가하였다.
상기의 평가를 행한 결과, 다이싱한 칩 중 99%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다(하기 표 2 참조).
(실시예 A2)
하기 이외에 대해서는 실시예 A1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프(100)를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 14000g/mol이고, 관능기수가 15관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer MU9510)를 준비하였다. 또, 가교제인 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 7중량부 준비하였다.
이 다이싱 테이프(100)에 대해서 실시예 A1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가를 행하였다.
그 결과 본 실시예에 관계되는 점착력이 900cN/25mm여서 다이싱 테이프(100)의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ○였다. 다이싱 테이프(100)로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ○였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다(하기 표 2 참조).
(비교예 A1)
하기 이외에 대해서는 실시예 A1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 467g/mol이고, 관능기수가 4관능인 우레탄아크릴레이트(일본화약주식회사제, 품명: Kayarad T-1420(T))를 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 다이싱 테이프에 대해서 실시예 A1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 1900cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ○였다. 다이싱 테이프로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ×였다. 다이싱한 칩 중 67%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ×였다(하기 표 2 참조).
(비교예 A2)
하기 이외에 대해서는 실시예 A1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 20787g/mol이고, 관능기수가 15관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer SC2152)를 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 7중량부 준비하였다.
이 다이싱 테이프에 대해서 실시예 A1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 400cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ×였다. 다이싱 테이프로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ○였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다(하기 표 2 참조).
(비교예 A3)
하기 이외에 대해서는 실시예 A1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 11000g/mol이고, 관능기수가 3관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer PU320)를 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 다이싱 테이프에 대해서 실시예 A1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 870cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ○였다. 다이싱 테이프로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있지 않아 풀남음에 관한 평가는 ○였다. 다이싱한 칩 중 73%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ×였다(하기 표 2 참조).
(비교예 A4)
하기 이외에 대해서는 실시예 A1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머로서 아크릴계 폴리머(소켄화학주식회사제, 품명: SK 다인 1491H)를 준비하였다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 8000g/mol이고, 관능기수가 10관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer MU9500)를 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 다이싱 테이프에 대해서 실시예 A1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 300cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ×였다. 다이싱 테이프로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ×였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다(하기 표 2 참조).
(비교예 A5)
하기 이외에 대해서는 실시예 A1과 마찬가지로 하여 다이싱 테이프를 얻었다. 점착층(300)의 카복실기 함유 폴리머로서 실리콘계 폴리머(Momentive Performance Materials사제, 품명: TSE3221S)를 준비하였다. 점착층(300)의 경화 성분으로서 중량평균분자량이 8000g/mol이고, 관능기수가 10관능인 우레탄아크릴레이트(Miwon Specialty Chemical사제, 품명: Miramer MU9500)를 준비하였다. 점착층(300)의 가교제로서 폴리이소시아네이트계 가교제를 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 5중량부 준비하였다.
이 다이싱 테이프에 대해서 실시예 A1과 마찬가지로 하여 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가를 행하였다.
그 결과 본 비교예에 관계되는 점착력이 340cN/25mm여서 다이싱 테이프의 피착체에의 점착에 관한 평가는 ×였다. 다이싱 테이프로부터 박리된 반도체 웨이퍼에 풀남음이 발생하고 있어 풀남음에 관한 평가는 ×였다. 다이싱한 칩 중 100%를 픽업할 수 있어 픽업성의 평가는 ○였다(하기 표 2 참조).
실시예 A1, A2에 관계되는 다이싱 테이프(100)에서는 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가가 모두 ○였다. 이에 반해 비교예 A1~A5에 관계되는 다이싱 테이프에서는 피착체에의 점착에 관한 평가, 풀남음에 관한 평가, 픽업성의 평가 중 적어도 하나가 ×였다.
산업상 이용가능성
본 발명의 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프는 테이프 박리 후의 피착체의 표면에 남는 점착제의 양을 저감시킬 수가 있는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프이다.
100 다이싱 테이프(반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프)
200 기재층(기층)
300 점착층
200 기재층(기층)
300 점착층
Claims (9)
- 기재층과, 상기 기재층의 적어도 일방의 면에 형성되는 점착층을 구비하고,
상기 점착층은 카복실기 함유 폴리머와, 방사선 중합 화합물과, 가교제를 포함하고,
상기 방사선 중합 화합물은 중량평균분자량이 500 이상 20000 이하이고, 또한 관능기수가 5관능기 이상이고,
상기 가교제의 함유량은 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 3중량부 이상 14중량부 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 방사선 중합 화합물의 중량평균분자량이 1000 이상 20000 이하이고, 또한 관능기수가 10관능기 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 카복실기 함유 폴리머는 에스터기를 더 함유하고,
상기 카복실기 함유 폴리머의 상기 에스터기 개수와 상기 카복실기 개수의 비(에스터기/카복실기)는 80/20 이상 95/5 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 방사선 중합 화합물의 중량평균분자량이 500 이상 3000 이하이고, 또한 관능기수가 15관능기 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 관능기는 비닐기인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 방사선 중합 화합물의 함유량은 상기 카복실기 함유 폴리머 100중량부에 대해서 30중량부 이상 70중량부 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 방사선 중합 화합물은 우레탄아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 가교제는 이소시아네이트기를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프. - 제1항에 있어서,
상기 카복실기 함유 폴리머는 아크릴산 에스터와 아크릴산의 공중합체인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011075003A JP5761596B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 半導体ウエハ加工用粘着テープ |
JPJP-P-2011-075003 | 2011-03-30 | ||
JPJP-P-2012-003125 | 2012-01-11 | ||
JP2012003125A JP5990910B2 (ja) | 2012-01-11 | 2012-01-11 | 半導体ウエハ等加工用粘着テープ |
PCT/JP2012/057952 WO2012133418A1 (ja) | 2011-03-30 | 2012-03-27 | 半導体ウエハ等加工用粘着テープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140019330A true KR20140019330A (ko) | 2014-02-14 |
KR101882539B1 KR101882539B1 (ko) | 2018-07-26 |
Family
ID=46931134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137022288A KR101882539B1 (ko) | 2011-03-30 | 2012-03-27 | 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140011025A1 (ko) |
KR (1) | KR101882539B1 (ko) |
CN (1) | CN103443229B (ko) |
MY (1) | MY162761A (ko) |
SG (1) | SG193464A1 (ko) |
TW (1) | TWI671799B (ko) |
WO (1) | WO2012133418A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012094834A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-05-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングフィルム |
KR20140020882A (ko) * | 2011-03-24 | 2014-02-19 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프 |
JP6212859B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-10-18 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム |
JP5603453B1 (ja) * | 2013-04-26 | 2014-10-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ保護用粘着テープ |
CN104516576B (zh) * | 2013-09-29 | 2016-04-13 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 触控面板的制作方法 |
CN106488963B (zh) | 2014-07-14 | 2020-02-28 | 电化株式会社 | 粘合片、电子部件的制造方法 |
TWI678409B (zh) * | 2015-01-09 | 2019-12-01 | 日商電化股份有限公司 | 切割膠帶 |
JP6539336B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-07-03 | リンテック株式会社 | 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法 |
WO2017018270A1 (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | デンカ株式会社 | 半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法 |
CN111115563A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-05-08 | 湖南大学 | 一种全干法功能材料剥离的方法 |
US12011057B2 (en) * | 2020-01-13 | 2024-06-18 | Msa Technology, Llc | Safety helmet |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105283A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toyo Chem Co Ltd | 電子部材用粘着テープ |
JP2005136298A (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Nitto Europ Nv | 粘着テープ |
JP2006165004A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハ加工用粘着テープ |
JP2007291147A (ja) * | 2005-04-19 | 2007-11-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 粘着剤、それを用いた粘着シート、粘着シートを用いた電子部品製造方法。 |
JP2008013692A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法。 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004041888A1 (ja) * | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | 放射線硬化性樹脂組成物及びその硬化物 |
EP1591504B1 (en) * | 2003-02-05 | 2012-05-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Pressure-sensitive adhesive tape for pasting wafer thereto |
TWI333672B (en) * | 2005-03-29 | 2010-11-21 | Furukawa Electric Co Ltd | Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same |
JP2009164556A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
JP2009246302A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | ダイソートテープ |
WO2010018767A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 電気化学工業株式会社 | 半導体加工方法及び粘着テープ |
-
2012
- 2012-03-23 TW TW101110076A patent/TWI671799B/zh active
- 2012-03-27 CN CN201280015419.3A patent/CN103443229B/zh active Active
- 2012-03-27 US US14/006,186 patent/US20140011025A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-27 MY MYPI2013003425A patent/MY162761A/en unknown
- 2012-03-27 KR KR1020137022288A patent/KR101882539B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-27 WO PCT/JP2012/057952 patent/WO2012133418A1/ja active Application Filing
- 2012-03-27 SG SG2013069216A patent/SG193464A1/en unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003105283A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Toyo Chem Co Ltd | 電子部材用粘着テープ |
JP2005136298A (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Nitto Europ Nv | 粘着テープ |
JP2006165004A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハ加工用粘着テープ |
JP2007291147A (ja) * | 2005-04-19 | 2007-11-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 粘着剤、それを用いた粘着シート、粘着シートを用いた電子部品製造方法。 |
JP2008013692A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法。 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MY162761A (en) | 2017-07-14 |
TWI671799B (zh) | 2019-09-11 |
CN103443229B (zh) | 2015-09-02 |
SG193464A1 (en) | 2013-10-30 |
CN103443229A (zh) | 2013-12-11 |
WO2012133418A1 (ja) | 2012-10-04 |
KR101882539B1 (ko) | 2018-07-26 |
US20140011025A1 (en) | 2014-01-09 |
TW201246285A (en) | 2012-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20140019330A (ko) | 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프 | |
KR102106145B1 (ko) | 점착 시트 | |
TWI823944B (zh) | 半導體加工用黏著帶及半導體裝置的製造方法 | |
KR102632032B1 (ko) | 반도체 가공용 점착 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2008280520A (ja) | 半導体固定用粘着テープ | |
JP5414953B1 (ja) | ダイシングシートおよびデバイスチップの製造方法 | |
JP5990910B2 (ja) | 半導体ウエハ等加工用粘着テープ | |
JP5415833B2 (ja) | 半導体固定用粘着テープ、およびその製造方法 | |
JP6645959B2 (ja) | ダイシングシートおよび当該ダイシングシートを用いるチップの製造方法 | |
TW201700665A (zh) | 表面保護薄膜 | |
KR102368740B1 (ko) | 반도체 가공용 점착 시트 | |
KR20140020882A (ko) | 반도체 웨이퍼 등 가공용 점착 테이프 | |
JP5761596B2 (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着テープ | |
JP6212859B2 (ja) | ダイシングフィルム | |
JP5907472B2 (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着テープ | |
JP6087122B2 (ja) | ダイシングシート | |
KR102638358B1 (ko) | 유리 다이싱용 점착 시트 및 그 제조 방법 | |
TW202031832A (zh) | 電漿切割用切割片 | |
KR20220136043A (ko) | 워크 가공용 시트 | |
JP5949065B2 (ja) | 工程用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
KR20090081103A (ko) | 반도체 패키징용 다이싱 테이프 및 그의 제조방법 | |
KR20220136045A (ko) | 워크 가공용 시트 | |
KR20220136044A (ko) | 워크 가공용 시트 | |
KR20220136042A (ko) | 워크 가공용 시트 | |
KR20170113062A (ko) | 유리 다이싱용 점착 시트 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |