KR20140007288A - 발광 장치 - Google Patents

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KR20140007288A
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모또까즈 야마다
다다아끼 미야따
나오끼 모리
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니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

발광 소자와 기판과의 사이에 가해지는 부하를 억제 가능한 발광 장치를 제공한다. 발광 장치(100)는, 제1 방향으로 연신하는 기판(10)과, 밀봉 수지(20)와, 발광 소자(30)를 구비한다. 기판(10)은, 가요성을 갖는 기체(11)와, 복수의 배선부(12)와, 복수의 배선부(12)의 사이에 형성되는 홈부(14)를 갖는다. 밀봉 수지(20)는, 기판(10)의 일부와 발광 소자(30)를 밀봉한다. 밀봉 수지(20)는, 홈부(14) 중 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제1 홈부분(141)으로부터 이격되어 있다.

Description

발광 장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은, 가요성을 갖는 기판 및 발광 소자를 구비하는 발광 장치에 관한 것이다.
종래, 가요성을 갖는 기판 상에 배치된 발광 소자와 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 부재를 구비하는 발광 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 발광 장치는, 제조 공정 중이나 출하시에 권취할 수 있고, 또한, 원하는 사이즈로 절단하여 이용할 수 있다.
일본 특허 출원 공개 제2005-322937호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재된 발광 장치에서는, 예를 들면 발광 장치가 권취된 경우 등에 있어서, 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 부재와 기판과의 사이에 부하가 가해지기 쉽다고 하는 문제가 있다.
본 발명은, 상술한 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 부재와 기판과의 사이에 가해지는 부하를 억제 가능한 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 발광 장치는, 기판과, 적어도 1개의 발광 소자와, 적어도 1개의 밀봉 수지를 구비한다. 기판은, 길이 방향인 제1 방향으로 연신하는 가요성을 갖는 기체와, 상기 기체 상에 설치되는 복수의 배선부와, 상기 복수의 배선부가 이격하여 형성되는 홈부를 갖는다. 발광 소자는, 상기 기판 상에 배치되고, 상기 복수의 배선부에 전기적으로 접속된다. 밀봉 수지는, 상기 기판과 상기 발광 소자를 밀봉한다. 상기 밀봉 수지는, 상기 홈부 중 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제1 홈부분으로부터 이격되어 있다.
본 발명에 따르면, 밀봉 부재와 기판과의 사이에 가해지는 부하를 억제 가능한 발광 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 발광 장치의 개요 평면도.
도 2는 발광 소자 부근의 확대 평면도.
도 3은 도 2의 A-A 단면도.
도 4는 도 1의 확대도.
도 5는 제2 실시 형태에 따른 발광 장치의 개요 평면도.
도 6은 제3 실시 형태에 따른 발광 장치의 개요 평면도.
도 7은 홈부의 확대 평면도.
다음으로, 도면을 이용하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사한 부분에는, 동일 또는 유사한 부호를 부여하고 있다. 단, 도면은 모식적인 것이며, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 따라서, 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 하는 것이다. 또한, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
1. 제1 실시 형태
[발광 장치(100)의 구성]
제1 실시 형태에 따른 발광 장치(100)의 구성에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 발광 장치(100)의 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는, 도 1 중 발광 소자(30) 부근의 확대 평면도이다. 도 3은, 도 2의 A-A 단면도이다.
발광 장치(100)는, 기판(10)과, 복수의 밀봉 수지(20)와, 복수의 발광 소자(30)를 구비한다. 발광 장치(100)는, 가요성을 갖기 때문에, 릴 등에 의해 롤 형상으로 권취된 상태로 보관할 수 있음과 함께, 곡면을 따르게 하여 설치할 수 있다.
기판(10)은, 가요성을 갖는 장척 부재이다. 제1 방향은, 기판(10)의 길이 방향에 상당하고, 제1 방향에 대략 직교하는 제2 방향은, 기판(10)의 폭 방향에 상당한다. 기판(10)의 길이 방향과 폭 방향의 길이의 비는, 적절히 선택할 수 있지만, 예를 들면 6:1, 30:1, 100:1로 할 수 있다. 기판(10)의 길이 방향에 있어서의 길이는, 예를 들면, 1150㎜로 할 수 있고, 기판(10)의 폭 방향에 있어서의 길이는, 15㎜로 할 수 있다. 기판(10)은, 가요성을 갖는 기체(11)와, 복수의 배선부(12)와, 한 쌍의 단자부(13)와, 홈부(14)와, 반사막(15)을 가질 수 있다.
기체(11)는, 가요성을 갖는 절연 재료에 의해 구성된다. 이와 같은 재료로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트나 폴리이미드 등의 절연성 수지를 바람직하게 이용할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기체(11)는, 가늘고 긴 테이프 형상의 동박이나 알루미늄박을 절연성 수지로 피복함으로써 구성되어 있어도 된다. 기체(11)의 두께는, 예를 들면, 10㎛ 내지 100㎛ 정도로 할 수 있다. 기체(11)의 재료는, 발광 소자(30)의 실장이나, 광반사율, 다른 부재와의 밀착성 등을 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 발광 소자(30)의 실장에 납땜을 이용하는 경우에는, 내열성이 높은 폴리이미드를 이용하는 것이 바람직하고, 기체(11) 상에 후술하는 반사막(15)을 형성하지 않는 경우에는, 광반사율이 높은 재료(예를 들면, 백색의 재료)를 이용하는 것이 바람직하다.
복수의 배선부(12)는, 기체(11)의 주면 상에 배치된다. 복수의 배선부(12)는, 예를 들면 동박이나 알루미늄 등의 금속 박막에 의해 구성된다. 복수의 배선부(12) 각각은, 도 1에 도시한 바와 같이, 크랭크 형상으로 형성되어 있어도 된다. 복수의 배선부(12)는, 제1 방향을 따라 지그재그 격자 형상으로 배열되어 있어도 된다. 단, 복수의 배선부(12)는, 서로 이격하도록 배치되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 복수의 배선부(12)는, 반사막(15)에 의해 피복되어 있고, 후술하는 개구부(151)에 있어서 발광 소자(30)와 접속되어 있다.
배선부(12)의 두께는, 기판(10)의 가요성을 손상시키지 않는 두께이면 되고, 8㎛ 내지 150㎛인 것이 바람직하다.
배선부(12)는, 기체(11)의 표면 상에 있어서, 가능한 한 넓은 면적에 설치되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 방열성을 높일 수 있다.
배선부(12)의 각부는, 라운딩을 띠고 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 각부에 있어서의 R은 반경 100㎛ 이상인 것이 바람직하다.
한 쌍의 단자부(13)는, 기체(11)의 주면 상에 있어서, 제1 방향을 따라 연장하도록 형성되어 있어도 된다. 한 쌍의 단자부(13)는, 복수의 배선부(12)의 제2 방향 양측에 배치되어 있어도 된다. 본 실시 형태와 같이, 제1 방향을 따라 기체(11)의 대략 전체에서 끊긴 곳 없이 연장하는 한 쌍의 단자부(13)를 가짐으로써, 기판(10)이 구부러졌을 때의 발광 소자(30)나 밀봉 수지(20)에의 부하를 경감할 수 있다. 한 쌍의 단자부(13)에는, 한 쌍의 외부 배선(131)이 접속된다. 한 쌍의 단자부(13)에는, 한 쌍의 외부 배선(131)으로부터 전력이 공급된다. 한 쌍의 외부 배선(131)은, 기판(10) 상에 설치된 공지의 커넥터(도시 생략) 등에 접속되어 있어도 된다.
배선부(12) 이외에, 한 쌍의 단자부(13)를 가짐으로써, 발광 소자(30)의 배치 자유도를 높일 수 있다. 예를 들면, 제1 방향으로 3개씩, 제2 방향으로 2개씩 배열된 6개의 발광 소자(30)를 1블록으로 하여 병렬로 접속하고, 제1 방향으로 배열된 12블록을 한 쌍의 단자부(13)에 의해 직렬로 접속하는 것 등이 가능하게 된다. 한 쌍의 단자부(13)는, 플러스측 단자부와 마이너스측 단자부에 의해 구성되어 있으면 되고, 한 쌍의 단자부(13) 각각을 구성하는 단자수는 특별히 한정되지 않는다. 따라서, 한 쌍의 단자부(13) 각각은, 1개의 단자에 의해서만 구성되어 있어도 되고, 복수의 단자에 의해 구성되어 있어도 된다.
홈부(14)는, 기체(11) 상의 복수의 배선부(12) 및 한 쌍의 단자부(13)가 설치되어 있지 않은 부분이다. 즉, 홈부(14)는, 서로 이격하는 복수의 배선부(12)의 사이나, 서로 이격하는 배선부(12)와 단자부(13)와의 사이에 형성된다. 또한, 홈부(14)는, 서로 이격하는 한 쌍의 단자부(13)의 사이에 형성되어 있어도 된다. 홈부(14)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 크랭크 형상으로 형성되어 있어도 된다. 홈부(14)의 간격은, 배선부(12)의 폭보다 좁은 것이 바람직하고, 예를 들면 0.05㎜ 내지 5㎜ 정도로 할 수 있다. 홈부(14)의 구성에 대해서는 후술한다.
반사막(15)은, 기체(11) 및 복수의 배선부(12) 및 한 쌍의 단자부(13) 및 홈부(14)를 피복하고 있어도 된다. 반사막(15)은, 후술하는 개구부(151)를 제외하고, 기판(10)의 표면의 대략 전체면을 피복하고 있어도 된다. 반사막(15)은, 복수의 발광 소자(30)의 출사광 및 후술하는 파장 변환 부재에 의해 변환된 파장의 광을 반사하는 재료에 의해 구성된다. 이와 같은 재료로서는, 실리콘계 수지에 산화티탄을 함유시킨 백색 레지스트라고 불리는 절연성의 백색 잉크를 바람직하게 이용할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 반사막(15)은, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 개구부(151)를 갖고 있어도 된다. 개구부(151)는, 발광 소자(30)를 2개의 배선부(12) 혹은 배선부(12)와 단자부(13)에 접속하기 위해 형성되어 있다.
복수의 밀봉 수지(20)는, 기판(10) 상에 있어서, 반사막(15)의 개구부(151)를 덮도록 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 복수의 밀봉 수지(20)는, 제1 방향을 따라 일렬로 배열되어 있다. 각 밀봉 수지(20)는, 발광 소자(30)를 밀봉하고 있다. 밀봉 수지(20)의 형상은, 본 실시 형태에서는, 발광 소자(30)를 중심으로 하는 반구 형상이지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 밀봉 수지(20)는, 투광성 수지(예를 들면, 에폭시 수지, 요소 수지, 실리콘 수지 등)에 의해 구성할 수 있다. 밀봉 수지(20)는, 광산란재(황산바륨, 산화티탄, 산화알루미늄, 산화규소 등)를 함유하고 있어도 된다.
또한, 발광 소자(30)로부터의 광을 흡수하여 상이한 파장의 광을 내는 형광체 등의 파장 변환 부재를 함유하고 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 파장 변환 부재로서는, 예를 들면, 산화물계나 황화물계, 질화물계 형광체 등을 들 수 있고, 발광 소자에 청색 발광하는 질화갈륨계 발광 소자를 이용하고, 청색 광을 흡수하여 황색 내지 녹색계 발광하는 YAG계, LAG계, 녹색 발광하는 SiAlON계나 적색 발광하는 SCASN, CASN계의 형광체를 단독으로 또는 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. 특히, 액정 디스플레이나 텔레비전의 백라이트 등의 표시 장치에 이용하는 발광 장치는, SiAlON계 형광체와 SCASN 형광체를 조합하여 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 조명 용도로서는, YAG계 또는 LAG계의 형광체와 SCASN 또는 CASN 형광체를 조합하여 이용하는 것이 바람직하다.
복수의 발광 소자(30)는, 기판(10) 상에 있어서, 반사막(15)의 개구부(151)의 내측에 배치된다. 즉, 복수의 발광 소자(30)는, 각각, 홈부 중 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제1 홈부분으로부터 이격하도록, 배치된다. 이에 의해, 복수의 발광 소자(30)가 기판(10)으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다. 본 실시예에서, 복수의 발광 소자(30)는, 제1 방향을 따라 일렬로 배치된다. 열의 중앙에 배치된 2개의 발광 소자(30)는, 배선부(12)와 단자부(13)에 접속되어 있다. 그 외의 발광 소자(30)는, 2개의 배선부(12)에 접속되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 발광 소자(30)는, 발광 소자(30)의 길이 방향이 제2 방향과 대략 평행해지도록 배치된 상태에서, 기판(10)에 플립 칩 실장되어 있다. 구체적으로, 발광 소자(30)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 구조(31)와, p측 전극(32)과, n측 전극(33)과, 절연 재료층(34)을 갖는다. 반도체 구조(31)는, 투광성을 갖는 사파이어 기판 상에 순차 적층된 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 n형층, 활성층 및 p형층을 갖고 있다. n측 전극(33)은, 절연 재료층(34)을 통해 p형층의 하부까지 연신하여 설치되어 있다. p측 전극(32) 및 n측 전극(33)은, 한 쌍의 접합 부재(35)를 개재하여 한 쌍의 배선부(12)에 접속되어 있다. 접합 부재는, Sn-Ag-Cu계, Au-Sn계를 비롯한 납땜이나, Au 등의 금속의 범프 등이 바람직하게 이용된다. 언더필 재료(36)는, 발광 소자(30)와 기판(10)과의 사이에 충전되어 있다. 언더필 재료(36)는, 예를 들면 실리콘 수지나 에폭시 수지 등에 의해 구성할 수 있다. 또한, 언더필 재료(36)에는, 광반사성을 갖는 것이 바람직하고, 구체적으로는 백색의 산화티탄이나 산화규소 등이 함유되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같은 언더필 재료(36)는, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 홈부(14)의 위, 복수의 배선부(12)의 위, 또한 반사막(15)의 위에도 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 광의 취출 효율을 높임과 함께, 발광 소자(30)가 배치되어 있는 부분을 효율적으로 보강할 수 있다.
또한, 발광 소자(30)의 실장은, 플립 칩 실장으로 한정되지 않고, 다이 본딩과 와이어 본딩을 이용해도 된다.
[홈부(14)의 구성]
다음으로, 도면을 참조하면서, 홈부(14)의 구성에 대해 설명한다. 도 4는, 도 1의 확대도이다.
홈부(14)는, 적어도 1개의 제1 홈부분(141)과, 적어도 1개의 제2 홈부분(142)과, 적어도 1개의 제3 홈부분(143)을 갖는다.
제1 홈부분(141)은, 기판의 길이 방향인 제1 방향과 교차하는 방향을 따라 연신된다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 홈부분(141)은, 기판의 폭 방향인 제2 방향을 따라 연신되어 있다. 제1 홈부분(141)의 길이(141S)는, 제2 방향에 있어서의 기판(10)의 폭(10S)의 약 4분의 1 정도이다.
제2 홈부분(142)은, 길이 방향인 제1 방향과 교차하는 방향을 따라 연신한다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 홈부분(142)은, 제1 홈부분(141)과 마찬가지로, 폭 방향인 제2 방향을 따라 연신되어 있다. 따라서, 제1 홈부분(141)과 제2 홈부분(142)은, 서로 평행하게 형성되어 있다. 또한, 제1 홈부분(141)과 제2 홈부분(142)은, 제1 방향에 있어서 상이한 위치에 형성되어 있다. 즉, 제1 홈부분(141)과 제2 홈부분(142)은, 제2 방향에 있어서 일직선상에는 형성되어 있지 않다. 또한, 제1 홈부분(141)과 제2 홈부분(142)은, 제2 방향에 있어서 상이한 위치에 형성되어 있다. 제2 홈부분(142)의 길이(142S)는, 제1 홈부분(141)과 마찬가지로, 기판(10)의 폭(10S)의 약 4분의 1 정도이다.
제3 홈부분(143)은, 적어도 1개의 제1 홈부분(141) 및 적어도 1개의 제2 홈부분(142)에 이어진다. 제3 홈부분(143)은, 제1 홈부분(141) 및 제2 홈부분(142) 각각과 교차하는 방향을 따라 연신한다. 본 실시 형태에 있어서, 제3 홈부분(143)은, 길이 방향인 제1 방향을 따라 연신되어 있다. 따라서, 제3 홈부분(143)은, 제1 홈부분(141) 및 제2 홈부분(142) 각각과 대략 직교한다. 제3 홈부분(143)의 길이(143S)는, 제1 홈부분(141)의 길이(141S) 및 제2 홈부분(142)의 길이(142S) 각각보다도 길지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 제3 홈부분(143) 상에는, 적어도 1개의 발광 소자(30)가 배치되어 있어도 된다. 또한, 제3 홈부분(143) 상에는, 발광 소자(30)를 밀봉하는 밀봉 수지(20)가 배치되어 있다.
제1 홈부분(141)과 제3 홈부분(143)은, 서로 만곡하듯이 연결되어 있고, 제2 홈부분(142)과 제3 홈부분(143)은, 서로 만곡하듯이 연결되어 있다. 이에 의해, 제1 홈부분(141)과 제3 홈부분(143)이 매끄럽게 이어지고, 제2 홈부분(142)과 제3 홈부분(143)이 매끄럽게 이어져 있다. 이와 같이, 복수의 홈부분이 만곡하듯이 연결되어 매끄럽게 이어짐으로써, 복수의 홈부분이 서로 연결되는 영역에 있어서의 응력의 집중을 억제할 수 있다. 그로 인해, 기판(10)의 휨에 의해 홈부(14) 및 배선부(12)가 손상되는 것을 억제할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 제1 홈부분(141)은, 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30) 각각으로부터 이격하고 있다. 마찬가지로, 제2 홈부분(142)은, 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30) 각각으로부터 이격하고 있다. 즉, 제1 방향에 있어서, 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30) 각각은, 제1 홈부분(141)과 제2 홈부분(142) 사이에 배치되어 있다. 따라서, 제1 방향에 있어서의 제1 홈부분(141)의 위치는, 제1 방향에 있어서의 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30) 각각의 위치와 상이하다. 마찬가지로, 제1 방향에 있어서의 제2 홈부분(142)의 위치는, 제1 방향에 있어서의 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30) 각각의 위치와 상이하다. 구체적으로는, 제1 방향에 있어서, 제2 홈부분(142)과 밀봉 수지(20)는, 0.5㎜ 이상 이격하고 있는 것이 바람직하다.
또한, 제2 방향에 있어서의 제1 홈부분(141)의 위치는, 제2 방향에 있어서의 제2 홈부분(142)의 위치와 상이하지만, 기판(10)은, 제1 홈부분(141) 및 제2 홈부분(142) 각각에 있어서 절곡되기 쉽다. 한편, 기판(10)은, 길이 방향으로 길게 형성되어 있으므로, 길이 방향을 따라 형성된 제3 홈부분(143)에 있어서는 절곡되기 어렵다.
이상과 같은 발광 장치(100)는, 가요성을 갖는 기판(10)을 이용하고 있으므로, 롤투롤 공법으로 제조할 수 있다.
(작용 및 효과)
(1) 제1 실시 형태에 따른 발광 장치(100)에 있어서, 밀봉 수지(20)는, 홈부(14) 중 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제1 홈부분(141)으로부터 이격하고 있다.
이와 같이, 밀봉 수지(20)가 제1 홈부분(141)으로부터 이격하고 있으므로, 기판(10)이 제1 홈부분(141)을 따라 절곡된 경우에, 기판(10)이 절곡되려고 하는 힘이 밀봉 수지(20)와의 접속 부분에 가해지는 것을 억제할 수 있다. 바꾸어 말하면, 밀봉 수지(20)로부터 이격한 제1 홈부분(141)을 따라 기판(10)을 절곡하기 쉽게 함으로써, 기판(10)과 밀봉 수지(20)와의 접속 부분에 부하가 가해지는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 밀봉 수지(20)가 기판(10)으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.
(2) 제1 방향에 있어서의 제2 홈부분(142)의 위치는, 제1 방향에 있어서의 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30) 각각의 위치와 상이하다.
따라서, 기판(10)이 절곡되려고 하는 힘이 밀봉 수지(20)와의 접속 부분에 가해지는 것을 더욱 억제할 수 있다.
(3) 밀봉 수지(20)는, 제3 홈부분(143) 상에 설치되어 있다.
따라서, 밀봉 수지(20)는, 제1 홈부분(141) 및 제2 홈부분(142) 각각과 이격하고 있으므로, 기판(10)이 절곡되려고 하는 힘이 밀봉 수지(20)와의 접속 부분에 가해지는 것을 억제할 수 있다.
2. 제2 실시 형태
다음으로, 제2 실시 형태에 따른 발광 장치(100A)의 구성에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 제2 실시 형태의 제1 실시 형태와의 상이점은, 한 쌍의 배선부(12)에 5개의 발광 소자(30)가 접속되어 있는 점이다. 이하에 있어서, 당해 상이점에 대해 주로 설명한다.
도 5는, 발광 장치(100A)의 구성을 도시하는 부분 확대 평면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 발광 장치(100A)는, 제1 및 제2 배선부(121, 122)와, 홈부(14A)와, 5개의 밀봉 수지(20)와, 5개의 발광 소자(30)에 의해 형성되는 기본 패턴이 길이 방향으로 복수 연속해 있는 구성을 갖고 있어도 된다.
제1 및 제2 배선부(121, 122)는, 홈부(14A)를 통해 인접하고 있다. 제1 배선부(121)는, 평면에서 보아, 4개의 제1 볼록부(121a)와, 5개의 제1 오목부(121b)를 가질 수 있다. 4개의 제1 볼록부(121a)는, 제2 배선부(122)측을 향하여 돌출되어 있다. 5개의 제1 오목부(121b)는, 4개의 제1 돌출부(121a) 각각의 양측에 형성되어 있다.
또한, 제2 배선부(122)는, 5개의 제2 볼록부(122a)와, 4개의 제2 오목부(122b)를 가질 수 있다. 5개의 제2 볼록부(122a)는, 제1 배선부(121)측을 향하여 돌출되어 있다. 4개의 제2 오목부(122b)는, 5개의 제2 돌출부(122a) 각각의 사이에 형성되어 있다. 4개의 제1 볼록부(121a)는, 4개의 제2 오목부(122b)에 인입되어 있고, 5개의 제2 볼록부(122a)는, 5개의 제1 오목부(121b)에 인입되어 있다.
홈부(14A)는, 제1 홈부분(141)과, 제2 홈부분(142)과, 5개의 제3 홈부분(143)과, 4개의 제4 홈부분(144)과, 8개의 제5 홈부분(145)을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 홈부분(141 내지 143)의 구성은, 상기 제1 실시예와 마찬가지이다.
4개의 제4 홈부분(144)은, 제2 방향에 있어서 5개의 제3 홈부분(143)과 상이한 위치에 배치되어 있다. 또한, 4개의 제4 홈부분(144)은, 제1 방향에 있어서 5개의 제3 홈부분(143)의 사이에 배치된다. 본 실시 형태에 있어서, 4개의 제4 홈부분(144)은, 제1 방향을 따라 연신되어 있고, 5개의 제3 홈부분(143)과 평행하다.
8개의 제5 홈부분(145) 각각은, 제3 홈부분(143)과 제4 홈부분(144)에 이어진다. 즉, 제3 홈부분(143)과 제4 홈부분(144)은, 제5 홈부분(145)을 통해 이어지고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 제5 홈부분(145)은, 제2 방향을 따라 연신되어 있고, 제1 홈부분(141) 및 제2 홈부분(142) 각각과 평행하다.
이와 같은 제2 실시 형태에 따른 발광 장치(100A)에 있어서도, 밀봉 수지(20)는, 홈부(14A)의 제1 홈부분(141)이나 제2 홈부분(142)으로부터 이격하고 있다. 따라서, 밀봉 수지(20)가 기판(10)으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.
3. 제3 실시 형태
다음으로, 제3 실시 형태에 따른 발광 장치(100B)의 구성에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 제3 실시 형태의 제1 실시 형태와의 상이점은, 홈부(14)의 형상이 상이한 점과, 3 이상의 단자부(13)가 설치되어 있는 점과, 각각 발광 소자(30)를 밀봉하는 2개의 밀봉 수지(20)가 제2 방향으로 배열되어 있는 점이다. 이하에 있어서, 당해 상이점에 대해 주로 설명한다.
도 6은, 발광 장치(100B)의 구성을 도시하는 부분 확대 평면도이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 발광 장치(100B)는, 제3 내지 제6 배선부(123 내지 126)와, 홈부(14B)와, 홈부(14C)를 구비할 수 있다. 또한, 도 6에서는, 발광 장치(100B)의 일부를 확대하여 도시되어 있지만, 발광 장치(100B)에서는, 도 6에 도시되는 패턴이 길이 방향에 있어서 반복해서 형성되어 있다.
홈부(14B)는, 제3 배선부(123)와 제4 배선부(124)와의 사이에 형성된다. 홈부(14C)는, 제5 배선부(125)와 제6 배선부(126)와의 사이에 형성된다. 홈부(14B) 및 홈부(14C)의 각각은, 제6 홈부분(146)과, 제7 홈부분(147)과, 제8 홈부분(148)을 가질 수 있다.
제6 홈부분(146)은, 제1 방향과 교차하는 방향을 따라 연신한다. 본 실시 형태에 있어서, 제6 홈부분(146)은, 폭 방향인 제2 방향을 따라 연신하고 있다. 제7 홈부분(147)은, 제1 방향과 교차하는 방향을 따라 연신한다. 본 실시 형태에 있어서, 제7 홈부분(147)은, 폭 방향인 제2 방향을 따라 연신하고 있다. 또한, 제6 홈부분(146)과 제7 홈부분(147)은, 제1 방향에 있어서 상이한 위치에 형성되어 있다. 한편, 제6 홈부분(146)과 제7 홈부분(147)은, 제2 방향에 있어서 동일한 위치에 형성되어 있다.
제8 홈부분(148)은, 제6 홈부분(146) 및 제7 홈부분(147)에 이어진다. 제8 홈부분(148)은, 제6 홈부분(146) 및 제7 홈부분(147) 각각과 교차하는 방향을 따라 연신한다. 본 실시 형태에 있어서, 제8 홈부분(148)은, 길이 방향인 제1 방향을 따라 연신하고 있다. 따라서, 제8 홈부분(148)은, 제6 홈부분(146) 및 제7 홈부분(147) 각각과 대략 직교한다. 제8 홈부분(148) 상에는, 발광 소자(30)가 배치되어 있다. 또한, 제8 홈부분(148) 상에는, 발광 소자(30)를 밀봉하는 밀봉 수지(20)가 배치되어 있다.
이와 같은 제3 실시 형태에 따른 발광 장치(100B)에 있어서도, 밀봉 수지(20)는, 홈부(14B)나 홈부(14C)의 제6 홈부분(146)이나 제7 홈부분(147)으로부터 이격하고 있다. 따라서, 밀봉 수지(20)가 기판(10)으로부터 박리되는 것을 억제할 수 있다.
(그 외의 실시 형태)
본 발명은 상기한 실시 형태에 의해 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 본 발명을 한정하는 것이라고 이해해서는 안 된다. 이 개시로부터 당업자에게는 다양한 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명확해질 것이다.
(A) 상기 실시 형태에서는, 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30)는, 기판(10)의 한쪽측 주면에 배치되는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 밀봉 수지(20) 및 발광 소자(30)는, 기판(10)의 양면에 배치되어 있어도 된다.
(B) 상기 실시 형태에서는, 발광 소자(30)는, 2개의 배선부(12)에 접속되는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 발광 소자(30)는, 3개의 배선부(12)에 접속되어 있어도 된다. 또한, 밀봉 수지(20)는, 2개의 배선부(12) 상에 배치되는 것으로 하였지만, 3개의 배선부(12) 상에 배치되어도 된다.
(C) 상기 실시 형태에서는, 모든 배선부(12) 상에 밀봉 부재(20) 및 발광 소자(30)가 설치되는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 일부의 배선부(12) 상에는, 발광 소자(30) 또는／및 밀봉 부재(20)가 설치되어 있지 않아도 된다.
(D) 상기 실시 형태에서는, 기판(10)은, 3 이상의 배선부(12)를 구비하는 것으로 하였지만, 적어도 2개의 배선부(12)를 구비하고 있으면 된다. 따라서, 발광 장치(100)는, 적어도 밀봉 수지(20)와 발광 소자(30)를 1개씩 구비하고 있으면 된다.
(E) 상기 실시 형태에서는, 한 쌍(2개)의 배선부(12)에 대해 1개의 발광 소자(30)가 접속되는 것으로 하였지만, 한 쌍의 배선부(12)에 대해 복수의 발광 소자(30)가 접속되어 있어도 된다. 또한, 한 쌍의 단자부(13) 상에 발광 소자(30)가 접속되어 있어도 된다.
(F) 상기 실시 형태에서는, 1개의 밀봉 부재(20)가 1개의 발광 소자(30)를 밀봉하는 것으로 하였지만, 1개의 밀봉 부재(20)가 복수의 발광 소자(30)를 밀봉하고 있어도 된다.
(G) 상기 실시 형태에서는, 도 2 및 도 4 내지 도 6에 있어서 배선부(12)의 평면 형상을 예시하였지만, 배선부(12)의 평면 형상은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 배선부(12)의 평면 형상은, 기판(10)의 사이즈나 필요한 발광 소자(30)의 수 등에 따라 적절히 변경 가능하다.
(H) 상기 실시 형태에서는, 홈부(14)는, 제2 방향으로 연신하는 홈부[예를 들면, 제1 및 제2 홈부분(141, 142) 등]를 갖는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 홈부(14)는, 제1 방향과 교차하는 방향으로 연신하는 홈부를 갖고 있으면 된다.
(I) 상기 실시 형태에서는, 홈부(14)는, 직선 형상으로 형성된 복수의 홈부분을 조합함으로써 구성되는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 복수의 홈부분 중 적어도 1개는, 곡선 형상 혹은 파선 형상 등으로 형성되어 있어도 된다.
(J) 상기 실시 형태에서는 특별히 언급하고 있지 않지만, 기판(10) 상 또는 배선부(12) 상에는, 상술한 부재 외에, 제너 다이오드 등의 관련 부품이 배치되어 있어도 된다. 이와 같은 관련 부품에 대해서도, 배선부(12) 및 홈부(14)에 대한 위치를 상기한 발광 소자(30)와 마찬가지로 함으로써, 관련 부품과 기판(10)과의 사이에 가해지는 부하를 억제하는 것이 가능하다.
(K) 상기 제1 실시예에서는, 기판(10)은, 한 쌍의 단자부(13)를 구비하는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 기판(10)은, 제1 방향으로 3개씩, 제2 방향으로 2개씩 배열된 6개의 발광 소자(30)를 1블록으로 하여 전기적으로 접속하고, 제1 방향으로 배열된 12블록과, 12블록 각각에 접속된 12세트의 단자부(13)를 구비하고 있어도 된다. 이와 같은 결선 방법을 이용하면, 발광 장치(100)를 텔레비전 등의 디스플레이용의 백라이트로서의 이용하는 경우에, 디밍이 가능해진다.
(L) 상기 실시 형태에서는 특별히 언급하고 있지 않지만, 홈부(14) 중 T자 형상으로 형성되어 있는 부분에서는, 기체(11)가 복수의 배선부의 각부(角部)에 있어서, 홈부를 따라 크게 절곡되어, 기판(10)에 손상을 부여할 우려가 있으므로, 기체(11)가 다방향으로 절곡되도록 하는 것이 유효하다.
구체적으로는, 홈부(14)를 확대하여 도시하는 도 7에 도시한 바와 같이, 기판(10)은, 제1 내지 제3 배선부(201 내지 203)와, 적어도 1개의 제1 직선 홈(301)과, 적어도 1개의 제2 직선 홈(302)을 가질 수 있다. 제1 배선부(201)는, 제2 및 제3 배선부(202, 203) 각각과 인접한다. 제2 및 제3 배선부(202, 203)는, 서로 인접한다. 제1 직선 홈(301)은, 제1 배선부(201)와 제2 및 제3 배선부(202, 203) 각각과의 사이에 직선 형상으로 형성된다. 제2 직선 홈(302)은, 제2 배선부(202)와 제3 배선부(203)와의 사이에 직선 형상으로 형성된다. 또한, 제2 직선 홈(302)은, 제1 직선 홈(301)에 대해 대략 수직으로 형성되어 있다. 따라서, 제1 직선 홈(301)과 제2 직선 홈(302)은, T자 형상으로 교차하고 있다.
여기서, 제1 배선부(201)는, 제1 직선 홈(301)으로 돌출되는 돌출부(201A)를 갖는다. 돌출부(201A)는, 평면에서 보아, 제2 직선 홈(302)을 향하여 형성되어 있다. 도 7에 도시하는 예에서는, 돌출부(201A)의 평면 형상은 반원형이지만, 삼각 형상이나 사다리꼴 형상 등이어도 된다. 이와 같이, 제1 직선 홈(301)과 제2 직선 홈(302)이 교차하는 영역에서는, 돌출부(201A)에 의해 홈이 Y자 형상으로 분기된 것 같이 형성되어 있다. 이에 의해, 기체(11)가 제1 직선 홈(301) 또는 제2 직선 홈(302)을 따라 심하게 절곡되는 것이 억제된다.
또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 돌출부(201A)와 제2 배선부(202)와의 최소 간격(Wmin1)과, 제1 직선 홈(301)의 홈 폭(W1)은, 동등하다. 돌출부(201A)와 제3 배선부(203)와의 최소 간격(Wmin2)과 제1 직선 홈(301)의 홈 폭(W1)은, 동등하다. 최소 간격(Wmin1)과 최소 간격(Wmin2)은 동등하다. 이와 같이, 돌출부(201A)를 형성함으로써, 제1 내지 제3 배선부(201 내지 203) 사이의 홈 폭을 동등하게, 또는 폭의 넓이의 차를 적게 할 수 있고, 기체(11)가 크게 절곡되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제2 직선 홈(302)의 홈 폭(W1)은, 돌출부(201A)에 근접할수록 넓어져 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제2 직선 홈(302)의 양 측벽이 곡면 형상으로 형성되고, 제2 직선 홈(302)은 제1 직선 홈(301)에 매끄럽게 접속된다.
상기에 있어서는, 홈부는 복수의 배선부 각각의 사이에 형성되는 것으로 하였지만, 상술한 한 쌍의 단자부와 1개 내지 복수의 배선부와의 사이에 형성되어도 된다.
이와 같이, 본 발명은 여기서는 기재하고 있지 않은 다양한 실시 형태 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기한 설명으로부터 타당한 특허청구범위에 따른 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.
100, 100A, 100B : 발광 장치
10 : 기판
11 : 기체
12 : 배선부
13 : 단자부
14, 14A, 14B : 홈부
141 내지 148 : 제1 내지 제8 홈부분
15 : 반사막
20 : 밀봉 수지
30 : 발광 소자

Claims (12)

  1. 길이 방향인 제1 방향으로 연신하는 가요성을 갖는 기체와, 상기 기체 상에 설치되는 복수의 배선부와, 상기 복수의 배선부가 이격하여 형성되는 홈부를 갖는 기판과,
    상기 기판 상에 배치되고, 상기 복수의 배선부에 전기적으로 접속되는 발광 소자와,
    상기 기판의 일부와 상기 발광 소자를 밀봉하는 밀봉 수지
    를 구비하고,
    상기 밀봉 수지는, 상기 홈부 중 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제1 홈부분으로부터 이격되어 있는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 밀봉 수지와 상기 제1 홈부분은, 상기 제1 방향에 있어서 상이한 위치에 형성되어 있는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 홈부는, 상기 제1 홈부분과, 상기 제2 방향으로 연신되는 제2 홈부분과, 상기 제1 홈부분과 상기 제2 홈부분을 연결하는 제3 홈부분을 갖고 있고,
    상기 밀봉 수지는, 상기 제3 홈부분 상에 설치되어 있는 발광 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 홈부분과 상기 제2 홈부분은, 상기 제3 홈부분보다도 상기 제2 방향에 있어서 굴곡이 용이한 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는, 상기 홈부 중 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하는 제1 홈부분으로부터 이격되어 있는 발광 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 밀봉 수지와 상기 제2 홈부분은, 상기 제1 방향에 있어서 상이한 위치에 형성되어 있는 발광 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 밀봉 수지는, 상기 제1 방향에 있어서 상기 제1 홈부분과 상기 제2 홈부분의 사이에 위치하는 발광 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 제1 홈부분과 상기 제2 홈부분은, 상기 제3 홈부분으로부터 동일 방향으로 연장하는 발광 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 제1 홈부분과 상기 제2 홈부분은, 상기 제3 홈부분으로부터 반대 방향으로 연장하는 발광 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 홈부는 T자 형상의 영역을 갖는 발광 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 배선부 중 적어도 1개는, 상기 홈부분의 T자 형상의 영역에 돌출부를 갖고 있는 발광 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 방향은, 상기 제1 방향에 대해 대략 직교하는 발광 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101705224B1 (ko) * 2015-11-03 2017-02-14 (주) 파루 플라스틱 기판을 이용한 표면 실장용 발광소자의 제조방법

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012214887A1 (de) * 2012-08-22 2014-02-27 Ridi - Leuchten Gmbh LED-Flächenstrahler
JP6301097B2 (ja) * 2013-10-01 2018-03-28 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20150279651A1 (en) * 2014-04-01 2015-10-01 General Electric Company Color shifted lamps
US9799812B2 (en) 2014-05-09 2017-10-24 Kyocera Corporation Light emitting element mounting substrate and light emitting device
US9876152B2 (en) * 2014-05-27 2018-01-23 Epistar Corporation Light emitting device with an adhered heat-dissipating structure
JP2016058463A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6565153B2 (ja) * 2014-09-30 2019-08-28 大日本印刷株式会社 配線基板およびその製造方法、実装基板およびその製造方法、並びに実装基板を備えた照明装置
WO2016055318A1 (en) * 2014-10-06 2016-04-14 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device
US9791112B2 (en) * 2014-12-24 2017-10-17 Bridgelux, Inc. Serial and parallel LED configurations for linear lighting modules
JP6458492B2 (ja) * 2014-12-25 2019-01-30 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板、及びそれを用いたｌｅｄ実装モジュールの製造方法
JP6458493B2 (ja) * 2014-12-25 2019-01-30 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板、及びそれを用いたｌｅｄ実装モジュールの製造方法
JP6447116B2 (ja) * 2014-12-25 2019-01-09 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子用基板及びｌｅｄ表示装置
JP2016167034A (ja) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社東芝 表示装置、発光装置及びライトユニット
JP6260593B2 (ja) * 2015-08-07 2018-01-17 日亜化学工業株式会社 リードフレーム、パッケージ及び発光装置、並びにこれらの製造方法
JP6604505B2 (ja) * 2015-09-10 2019-11-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
JP2017163058A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
JP6817599B2 (ja) * 2016-03-10 2021-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
US11382973B2 (en) * 2016-06-02 2022-07-12 Riken Adjuvant composition and use thereof
JP7039162B2 (ja) * 2016-07-11 2022-03-22 キヤノン株式会社 光照射装置及び画像形成装置
US20180323239A1 (en) * 2017-05-03 2018-11-08 Innolux Corporation Display device
AT519741B1 (de) * 2017-07-18 2018-10-15 Zkw Group Gmbh Thermische Kopplung von Kupferspreizflächen
CN107911939B (zh) * 2017-11-24 2024-05-10 惠州市鹏程电子科技有限公司 一种柔性印刷电路板
DE102017130008A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Siteco Beleuchtungstechnik Gmbh Led-bauteil mit kachelartigem muster von kontaktflächen
DE102017130764B4 (de) * 2017-12-20 2024-01-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Vorrichtung mit Halbleiterchips auf einem Primärträger und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung
CN108538826A (zh) * 2018-02-06 2018-09-14 苏州达方电子有限公司 可挠式发光装置及其制造方法
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR20210084789A (ko) * 2019-12-27 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545812U (ja) * 1991-11-22 1993-06-18 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
KR20010006914A (ko) * 1999-06-09 2001-01-26 다카노 야스아키 혼성 집적 회로 장치
JP2005322937A (ja) 2004-05-05 2005-11-17 Lumileds Lighting Us Llc フレキシブル基板を備えた半導体発光素子
US20120068622A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Ward Calvin B Flexible Distributed LED-Based Light Source and Method for Making the Same
KR20120061655A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000188001A (ja) 1998-12-21 2000-07-04 Hiyoshi Denshi Kk Ｌｅｄ報知灯
JP2009260396A (ja) * 1999-06-09 2009-11-05 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
DE10025563B4 (de) * 2000-05-24 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Modul für die Anordnung von elektrischen lichtemittierenden Elementen,integrierbar in ein Leuchtengehäuse,und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Moduls
TW591990B (en) * 2001-07-25 2004-06-11 Sanyo Electric Co Method for making an illumination device
JP2004103993A (ja) 2002-09-12 2004-04-02 Ichikoh Ind Ltd Ｌｅｄ設置用フレキシブル基板及びそのｌｅｄ設置用フレキシブル基板を用いた車両用灯具
WO2004082036A1 (ja) 2003-03-10 2004-09-23 Toyoda Gosei Co., Ltd. 固体素子デバイスおよびその製造方法
JP4029843B2 (ja) 2004-01-19 2008-01-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2004356144A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Fujikura Ltd 部品実装フレキシブル回路基板
KR101062935B1 (ko) * 2004-03-17 2011-09-08 니뽄 고어-텍스 인크. 발광체용 회로기판의 제조방법, 발광체용 회로기판 전구체,발광체용 회로기판, 및 발광체
JP4632697B2 (ja) 2004-06-18 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US20080018556A1 (en) 2004-09-28 2008-01-24 John Gregory Method for Micropackaging of Leds and Micropackage
CN101151741B (zh) 2005-03-30 2010-06-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 柔性led阵列
UA79057C2 (en) * 2006-06-09 2007-05-10 State Entpr Scient Res I Of Mi Matrix of luminodiodes
PL2061991T3 (pl) * 2006-09-12 2011-08-31 Paul Lo Integralnie utworzony jednoelementowy przewód świetlny z diod elektroluminescencyjnych
US8052303B2 (en) * 2006-09-12 2011-11-08 Huizhou Light Engine Ltd. Integrally formed single piece light emitting diode light wire and uses thereof
CN200952660Y (zh) * 2006-09-14 2007-09-26 李建胜 柔性线型led光源
JP5053688B2 (ja) 2007-04-09 2012-10-17 株式会社ジャパンディスプレイイースト 光源モジュール，光源ユニット、及び液晶表示装置，照明装置
JP2008288228A (ja) 2007-05-15 2008-11-27 Sony Corp 発光装置、光源装置、及び液晶表示装置
CN101690423B (zh) * 2007-05-18 2011-10-05 电气化学工业株式会社 金属基底电路板
JP4107349B2 (ja) 2007-06-20 2008-06-25 ソニー株式会社 光源装置、表示装置
JP5290543B2 (ja) * 2007-07-20 2013-09-18 スタンレー電気株式会社 発光装置
WO2009038072A1 (ja) 2007-09-21 2009-03-26 Showa Denko K.K. 発光装置、表示装置、および発光装置の製造方法
JP2010021400A (ja) 2008-07-11 2010-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 放熱特性に優れたプリント配線基板
US8915610B2 (en) * 2008-08-11 2014-12-23 Rohm Co., Ltd. Lighting device
KR20100080423A (ko) 2008-12-30 2010-07-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5278023B2 (ja) 2009-02-18 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP5322801B2 (ja) 2009-06-19 2013-10-23 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
TWI477555B (zh) * 2009-06-26 2015-03-21 Asahi Rubber Inc White reflective material and its manufacturing method
WO2011055635A1 (ja) 2009-11-09 2011-05-12 シャープ株式会社 光源ユニット用母材、照明装置、表示装置、及びテレビ受信装置
WO2011070697A1 (ja) 2009-12-07 2011-06-16 パナソニック株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
JP5533183B2 (ja) 2010-04-20 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法
TWM397590U (en) * 2010-04-21 2011-02-01 Cheng Feng Electro Optical Ltd Company Flexible LED package structure
JP2011258916A (ja) 2010-05-13 2011-12-22 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
RU101771U1 (ru) * 2010-05-13 2011-01-27 Общество с ограниченной ответственностью "ЛЕДРУ" Светодиодный модуль и светильник, содержащий его
JP5756803B2 (ja) * 2010-07-23 2015-07-29 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2012089357A (ja) 2010-10-20 2012-05-10 Sumitomo Light Metal Ind Ltd Ｌｅｄ照明基板用積層体及びそれを用いたｌｅｄ照明
JP5303579B2 (ja) * 2011-01-11 2013-10-02 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子取付用モジュール、及び、半導体発光素子モジュール

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545812U (ja) * 1991-11-22 1993-06-18 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
KR20010006914A (ko) * 1999-06-09 2001-01-26 다카노 야스아키 혼성 집적 회로 장치
JP2005322937A (ja) 2004-05-05 2005-11-17 Lumileds Lighting Us Llc フレキシブル基板を備えた半導体発光素子
US20120068622A1 (en) * 2010-09-22 2012-03-22 Ward Calvin B Flexible Distributed LED-Based Light Source and Method for Making the Same
KR20120061655A (ko) * 2010-12-03 2012-06-13 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101705224B1 (ko) * 2015-11-03 2017-02-14 (주) 파루 플라스틱 기판을 이용한 표면 실장용 발광소자의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201810708A (zh) 2018-03-16
BR102013017491B1 (pt) 2021-05-18
ZA201304926B (en) 2015-06-24
TWI643358B (zh) 2018-12-01
ZA201409541B (en) 2016-08-31
US20150084073A1 (en) 2015-03-26
RU2638585C2 (ru) 2017-12-14
TW201403857A (zh) 2014-01-16
ZA201409542B (en) 2016-08-31
EP3789655A1 (en) 2021-03-10
JP5609925B2 (ja) 2014-10-22
ZA201409543B (en) 2016-08-31
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