KR20130143648A - 산화 아연계 막 형성용 조성물, 산화 아연계 막의 제조방법 및 아연 화합물 - Google Patents
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 198
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 17
- -1 β-diketone complexes Chemical class 0.000 description 16
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 15
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N acetic acid anhydride Natural products CC(=O)OC(C)=O WFDIJRYMOXRFFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical group CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- HFZLSTDPRQSZCQ-UHFFFAOYSA-N 1-pyrrolidin-3-ylpyrrolidine Chemical group C1CCCN1C1CNCC1 HFZLSTDPRQSZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylcyclohexane Chemical compound CC1(C)CCCCC1 QEGNUYASOUJEHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical group CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical group CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZXRXKLUIMKDEL-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl propanoate Chemical group CCC(=O)OCC(C)C FZXRXKLUIMKDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical group CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical group CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPFCZYUVICHKDS-UHFFFAOYSA-N 3-methylbutane-1,3-diol Chemical compound CC(C)(O)CCO XPFCZYUVICHKDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical group O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical group O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Chemical group CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- PFURGBBHAOXLIO-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diol Chemical compound OC1CCCCC1O PFURGBBHAOXLIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical group CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical group CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Chemical group COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical group CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical group CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical group CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical group CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N n-butyl methyl ketone Chemical group CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical group CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 2
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940015975 1,2-hexanediol Drugs 0.000 description 1
- 229940031723 1,2-octanediol Drugs 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQSCDZCQPMZHQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylpropoxy)propan-2-yl acetate Chemical group CC(C)COCC(C)OC(C)=O PQSCDZCQPMZHQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical group CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZYHBQLFAGLGQU-UHFFFAOYSA-N 1-butan-2-yloxypropan-2-yl acetate Chemical group CCC(C)OCC(C)OC(C)=O HZYHBQLFAGLGQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical group CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical group CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFFKAYOHINCUNU-UHFFFAOYSA-N 1-methylcycloheptan-1-ol Chemical group CC1(O)CCCCCC1 XFFKAYOHINCUNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAKWRXVKWGUISE-UHFFFAOYSA-N 1-methylcyclopentan-1-ol Chemical group CC1(O)CCCC1 CAKWRXVKWGUISE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQTIDYJFCNWJFO-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-yloxypropan-2-yl acetate Chemical group CC(C)OCC(C)OC(C)=O JQTIDYJFCNWJFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical group CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethylhexane-2,5-diol Chemical compound CC(C)(O)CCC(C)(C)O ZWNMRZQYWRLGMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical group COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADWVSLCVBOTERL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylpropoxy)ethyl acetate Chemical group CC(C)COCCOC(C)=O ADWVSLCVBOTERL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 2-Hexanol Chemical group CCCC[C@H](C)O QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZECKCYHBLKAAK-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethyl acetate Chemical group CC(=O)OCCOC(C)(C)C PZECKCYHBLKAAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZAMRKFVRIVNJU-UHFFFAOYSA-N 2-butan-2-yloxyethyl acetate Chemical group CCC(C)OCCOC(C)=O XZAMRKFVRIVNJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical group CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-2-ethylpropane-1,3-diol Chemical compound CCCCC(CC)(CO)CO DSKYSDCYIODJPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical group CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDJVEYJSSTYSW-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethyl acetate Chemical group CC(C)OCCOC(C)=O HCDJVEYJSSTYSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMAQLCVJIYANPZ-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethyl acetate Chemical group CCCOCCOC(C)=O QMAQLCVJIYANPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYSGFFTXMUWEOT-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propan-1-ol Chemical compound CN(C)CCCO PYSGFFTXMUWEOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound OCCC(C)CCO SXFJDZNJHVPHPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMCQBHZCMKCKCR-UHFFFAOYSA-N 4-(2-methylpropoxy)butyl acetate Chemical group CC(C)COCCCCOC(C)=O IMCQBHZCMKCKCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYHSJTFEMIRNOY-UHFFFAOYSA-N 4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]butyl acetate Chemical group CC(=O)OCCCCOC(C)(C)C CYHSJTFEMIRNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVBMGOUDBGPPNB-UHFFFAOYSA-N 4-butan-2-yloxybutyl acetate Chemical group CCC(C)OCCCCOC(C)=O QVBMGOUDBGPPNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHZLERYEWPUBHM-UHFFFAOYSA-N 4-butoxybutyl acetate Chemical group CCCCOCCCCOC(C)=O UHZLERYEWPUBHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBWLLBDCDDWTBV-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxybutyl acetate Chemical group CCOCCCCOC(C)=O VBWLLBDCDDWTBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMLBDDCTBHGHEO-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybutyl acetate Chemical group COCCCCOC(C)=O LMLBDDCTBHGHEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical group CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFHBJXGNIOYUJO-UHFFFAOYSA-N 4-propan-2-yloxybutyl acetate Chemical group CC(C)OCCCCOC(C)=O LFHBJXGNIOYUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGBAEJOFXMSUPI-UHFFFAOYSA-N 4-propoxybutyl acetate Chemical group CCCOCCCCOC(C)=O XGBAEJOFXMSUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Chemical group COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXAGIRHBJJLWHW-UHFFFAOYSA-N Ethyl 2-ethylhexanoate Chemical group CCCCC(CC)C(=O)OCC YXAGIRHBJJLWHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N Isopropyl propionate Chemical group CCC(=O)OC(C)C IJMWOMHMDSDKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical group CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L Zinc lactate Chemical compound [Zn+2].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O CANRESZKMUPMAE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1 YIMQCDZDWXUDCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGSQMMDXHKARNZ-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Zn].[Bi] Chemical compound [Nb].[Zn].[Bi] KGSQMMDXHKARNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid phenyl ester Chemical group CC(=O)OC1=CC=CC=C1 IPBVNPXQWQGGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N adiponitrile Chemical compound N#CCCCCC#N BTGRAWJCKBQKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- SHLNMHIRQGRGOL-UHFFFAOYSA-N barium zinc Chemical compound [Zn].[Ba] SHLNMHIRQGRGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-dicarbonitrile Chemical compound N#CC1=CC=C(C#N)C=C1 BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N butane-1,2-diol Chemical compound CCC(O)CO BMRWNKZVCUKKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USPADFUBVAGYOJ-UHFFFAOYSA-N butyl 2-ethylhexanoate Chemical group CCCCOC(=O)C(CC)CCCC USPADFUBVAGYOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N cis-4-Hydroxy-L-proline Chemical compound O[C@@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- QCRFMSUKWRQZEM-UHFFFAOYSA-N cycloheptanol Chemical group OC1CCCCCC1 QCRFMSUKWRQZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWYSXZGBRHJNE-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-dicarbonitrile Chemical compound N#CC1CCC(C#N)CC1 MGWYSXZGBRHJNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBWIZSYFQSOUFQ-UHFFFAOYSA-N cyclohexanecarbonitrile Chemical compound N#CC1CCCCC1 VBWIZSYFQSOUFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical group OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N cyclopentanol Chemical group OC1CCCC1 XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical group C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical group CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHRLOJCOIKOQGL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methoxypropanoate Chemical group CCOC(=O)C(C)OC WHRLOJCOIKOQGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJAKCEHATXBFJT-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-oxobutanoate Chemical group CCOC(=O)C(=O)CC FJAKCEHATXBFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N glutaronitrile Chemical compound N#CCCCC#N ZTOMUSMDRMJOTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N heptanenitrile Chemical compound CCCCCCC#N SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2-diol Chemical compound CCCCC(O)CO FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N lead zinc Chemical compound [Zn].[Pb] JQJCSZOEVBFDKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethoxypropanoate Chemical group CCOC(C)C(=O)OC YVWPDYFVVMNWDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KICUISADAVMYCJ-UHFFFAOYSA-N methyl 2-ethylhexanoate Chemical group CCCCC(CC)C(=O)OC KICUISADAVMYCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPIWVCAMONZQCP-UHFFFAOYSA-N methyl 2-oxobutanoate Chemical group CCC(=O)C(=O)OC XPIWVCAMONZQCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical group COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N neopentyl alcohol Chemical compound CC(C)(C)CO KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117969 neopentyl glycol Drugs 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEIJTFQOBWATKX-UHFFFAOYSA-N octane-1,2-diol Chemical compound CCCCCCC(O)CO AEIJTFQOBWATKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N octane-1,8-diol Chemical compound OCCCCCCCCO OEIJHBUUFURJLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTNXBLUGMAMSSH-UHFFFAOYSA-N octanedinitrile Chemical compound N#CCCCCCCC#N BTNXBLUGMAMSSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N phenyl propanoate Chemical group CCC(=O)OC1=CC=CC=C1 DYUMLJSJISTVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical group O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical group OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWJPCZGVGLPKMD-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-ethylhexanoate Chemical group CCCCC(CC)C(=O)OC(C)C KWJPCZGVGLPKMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHIQOKFJGANDOX-UHFFFAOYSA-N propyl 2-ethylhexanoate Chemical group CCCCC(CC)C(=O)OCCC IHIQOKFJGANDOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical group COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical group CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011576 zinc lactate Substances 0.000 description 1
- 229940050168 zinc lactate Drugs 0.000 description 1
- 235000000193 zinc lactate Nutrition 0.000 description 1
- ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L zinc;oxalate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C([O-])=O ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
본 발명은, 여러 가지의 기체(基體) 상에 산화 아연계 막을 형성하기 위한 산화 아연계 막 형성용 조성물, 그것을 이용하는 산화 아연계 막의 제조방법 및 산화 아연막 형성용 조성물에 적합하게 이용되는 아연 화합물에 관한 것이다.
산화 아연계 막은, 투명 도전막, 전극 재료, 반도체막으로서 여러 가지의 응용이 검토되고 있다. 산화 아연의 전구체 화합물을 사용하여 산화 아연계 막을 형성하는 방법으로는 CVD법, ALD법 등의 전구체 화합물을 기화시킨 가스를 기체(기재)에 접촉시키는 기상(氣相) 프로세스;MOD법, 졸-겔법 등의 전구체 화합물의 용액이나 분산액을 기체에 접촉시키는 액상 프로세스가 보고되고 있다.
이들 프로세스에 사용되는 산화 아연의 전구체 화합물인 아연 화합물로는 알콕시드, β-디케톤 착체, 유기산 금속염, 알킬아연, 무기염 등이 있다. 이들 전구체 화합물은, 가열 및/또는 산화제에 의한 반응에 의해서 산화아연으로 전화(轉化)된다.
예를 들어 특허문헌 1에는, 아연 화합물의 분말 또는 미립자를 분산시킨 서스펜션(suspension)을 기체 표면에 접촉시킨 후, 아연 화합물을 열분해시키고 산화아연으로 전화하는 산화 아연 박막의 제조방법이 개시되어 있다. 한편, 아연 화합물로는 아연 아세테이트, 아연 아세틸아세토네이트, 아연 옥살레이트, 아연 락테이트가 개시되어 있다.
또, 특허문헌 2에는, 대기압 또는 대기압 근방의 압력하에 있어서 플라스마 상태로 한 유기 금속 화합물 가스를 기체에 접촉시키고, 투명 도전막을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 2에는, 투명 도전막으로서 산화 아연이 예시되어 있고, 유기 금속을 형성하는 배위자로서 에틸 아세토아세테이트가 예시되어 있다. 또, 아연 화합물로서 아연 아세틸아세토네이트가 예시되어 있다.
일반적으로, 전구체 화합물을 사용하여 산화 아연계 막을 형성하는 경우, 기대되는 기능을 발현하는데 충분한 품질의 산화 아연계 막으로 전화시키는데 필요한 온도는 350℃ 이상이라고 되어 있다. 그렇지만, 수지 기체로의 적응성이나, 기체에 대한 데미지 저감 등의 이유로, 보다 저온에서 산화 아연계 막으로 전화시킬 수 있는 것이 바람직하다. 이 때문에, 종래에 비교하여 저온의 성막 온도에서 산화 아연계 막을 제조하는 방법을 개발하는 것이 요망되고 있다.
본 발명은, 이러한 종래기술이 가지는 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 과제로 하는 것은, 투명성, 균질성 및 도전성을 가지는 고품질인 산화 아연계 막을 300℃ 이하의 저온으로 성막하는 것이 가능한 산화 아연계 막 형성용 조성물 및 그것에 이용되는 아연 화합물을 제공하는 것에 있다. 또, 본 발명의 과제로 하는 것은, 투명성, 균질성 및 도전성을 가지는 고품질인 산화 아연계 막을 300℃ 이하의 저온으로 성막하는 것이 가능한 산화 아연계 막의 제조방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 예의 검토한 결과, 특정의 구조를 가지는 아연 화합물을 이용함으로써, 상기 과제를 달성 가능한 것을 찾아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명에 따르면, 필수 성분으로서 하기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물을 함유하는 산화 아연계 막 형성용 조성물이 제공된다.
(상기 일반식 (1)에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다)
본 발명에 있어서는, 상기 일반식 (1)에서 R1 및 R2가 메틸기인 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 따르면, 전술한 산화 아연계 막 형성용 조성물을 기체상에 도포하여 도포층을 형성하는 공정과, 상기 도포층을 150 내지 300℃로 처리하여 막으로 전화하는 공정을 포함하는 산화 아연계 막의 제조방법이 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 하기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물이 제공된다.
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물 및 아연 화합물을 이용하면, 투명성, 균질성 및 도전성을 가지는 고품질인 산화 아연계 막을 300℃ 이하의 저온으로 성막할 수 있다. 또, 본 발명의 산화 아연계 막의 제조방법에 따르면, 투명성, 균질성 및 도전성을 가지는 고품질인 산화 아연계 막을 300℃ 이하의 저온으로 성막할 수 있다.
도 1은 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 IR 차트이다.
도 2는 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 1H-NMR 차트이다.
도 3은 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 TG-DTA 차트이다.
도 2는 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 1H-NMR 차트이다.
도 3은 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 TG-DTA 차트이다.
이하, 본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물에 대하여 설명한다. 본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물은 상기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물을 필수 성분으로서 함유한다. 이 아연 화합물은 산화 아연 전구체 화합물로서 기능할 수 있는 성분이다. 상기 일반식 (1)에서 R1 및 R2로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다. R1로는 원료가 염가이기 때문에 메틸기인 것이 바람직하다. 또한, R2로는 여러 가지의 유기용제에 대한 용해성이 양호하고, 안정한 조성물을 부여하는 메틸기 또는 에틸이 바람직하고, 메틸기가 더 바람직하다.
상기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물 중에서 가장 바람직한 것은 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물이다. 한편 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물은 신규 화합물이다.
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물에 필수 성분으로서 함유되는 아연 화합물은 예를 들면 하기 일반식 (3)으로 표시되는 아실아세테이트 에스테르의 아연 착체 또는 그의 수화물과 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을 혼합함으로써 조제할 수 있다. 예를 들면 상기 식 (2)로 표시되는 아연 화합물은 메틸 아세토아세테이트의 아연 착체(수화물)와 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을, 유기용제 중에서 실온 또는 가열하에서 교반함으로써 얻어진다.
(상기 일반식 (3)에서 R1 및 R2는 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다)
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물에는, 필수 성분인 특정의 아연 화합물 이외의 임의 성분이 함유되어 있어도 좋다. 본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물의 전형적인 예로는 (a) 상기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물과, 이것을 용해 또는 분산시키는 유기용제를 함유하는 조성물, (b) 상기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물과 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민과, 이들 성분을 용해 또는 분산시키는 유기용제를 함유하는 조성물 등을 들 수 있다.
아세토아세테이트 에스테르의 아연 착체의 수화물(아연 원료)과, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을, 원하는 유기용제 중에서 반응시켰을 경우, 얻어지는 산화 아연계 막 형성용 조성물에는, 아연 원료에 유래하는 수화수가 포함되게 된다. 얻어진 산화 아연계 막 형성용 조성물로부터, 이 수화수를 제거해도 좋고, 제거하지 않아도 좋다. 또, 아연 원료에 대하여, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을 과잉으로 반응시키면, 얻어지는 산화 아연계 막 형성용 조성물에는 과잉 분의 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민이 포함되게 된다. 얻어진 산화 아연계 막 형성용 조성물로부터, 이 과잉분의 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을 제거해도 좋고, 제거하지 않아도 좋다.
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물에는, 적당량의 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민이 함유되어 있으면, 조성물의 안정성이 좋고, 얻어지는 막의 품질(산화 아연막의 경우는, 투명성과 도전성)이 향상되므로 바람직하다.
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물에는, 통상, 용매 또는 분산매로서의 유기용제가 함유된다. 이 유기용제는, 단일 용제라도 혼합 용제라도 좋다. 유기용제로는 알코올계 용제, 디올계 용제, 케톤계 용제, 에스테르계 용제, 에테르계 용제, 지방족 또는 지환족 탄화수소계 용제, 방향족 탄화수소계 용제, 시아노기를 가지는 탄화수소계 용제 및 그 외의 용제 등을 들 수 있다.
알코올계 용제의 구체적인 예로는 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 1-부탄올, 이소부탄올, 2-부탄올, 제 3 급 부탄올, 펜탄올, 이소펜탄올, 2-펜탄올, 네오펜탄올, 제 3 급 펜탄올, 헥산올, 2-헥산올, 헵탄올, 2-헵탄올, 옥탄올, 2-에틸헥산올, 2-옥탄올, 시클로펜탄올, 시클로헥산올, 시클로헵탄올, 메틸시클로펜탄올, 메틸시클로헥산올, 메틸시클로헵탄올, 벤질알코올, 2-메톡시에틸알코올, 2-부톡시에틸알코올, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 2-(N, N-디메틸아미노) 에탄올, 3-(N, N-디메틸아미노) 프로판올 등을 들 수 있다.
디올계 용제로는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,2-부탄디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 이소프렌글리콜(3-메틸-1,3-부탄디올), 1,2-헥산디올, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,2-옥탄디올, 옥탄디올(2-에틸-1,3-헥산디올), 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올, 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 1,2-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 등을 들 수 있다.
케톤계 용제로는 아세톤, 에틸메틸케톤, 메틸부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 에틸부틸케톤, 디프로필케톤, 디이소부틸케톤, 메틸아밀케톤, 시클로헥사논, 메틸시클로헥사논 등을 들 수 있다.
에스테르계 용제로는 메틸 포르메이트, 에틸 포르메이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 이소프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 이소부틸 아세테이트, 제 2 급 부틸 아세테이트, 제 3 급 부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트, 이소아밀 아세테이트, 제 3 급 아밀 아세테이트, 페닐 아세테이트, 메틸 프로피오네이트, 에틸 프로피오네이트, 이소프로필 프로피오네이트, 부틸 프로피오네이트, 이소부틸 프로피오네이트, 제 2 급 부틸 프로피오네이트, 제 3 급 부틸 프로피오네이트, 아밀 프로피오네이트, 이소아밀 프로피오네이트, 제 3 급 아밀 프로피오네이트, 페닐 프로피오네이트, 메틸 2-에틸헥사노에이트, 에틸 2-에틸헥사노에이트, 프로필 2-에틸헥사노에이트, 이소프로필 2-에틸헥사노에이트, 부틸 2-에틸헥사노에이트, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 메틸 메톡시프로피오네이트, 메틸 에톡시프로피오네이트, 에틸 메톡시프로피오네이트, 에틸 에톡시프로피오네이트, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노 제 2 급 부틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소부틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노 제 3 급 부틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노 제 2 급 부틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노이소부틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노 제 3 급 부틸 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노 제 2 급 부틸 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노이소부틸 에테르 아세테이트, 부틸렌 글리콜 모노 제 3 급 부틸 에테르 아세테이트, 메틸 아세토아세테이트, 에틸 아세토아세테이트, 메틸 옥소부타노에이트, 에틸 옥소부타노에이트, γ-부티롤락톤, δ-발레롤락톤 등을 들 수 있다.
에테르계 용제로는 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 모르폴린, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디부틸 에테르, 디에틸 에테르, 디옥산 등을 들 수 있다.
지방족 또는 지환족 탄화수소계 용제로는 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 메틸 시클로헥산, 디메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 헵탄, 옥탄, 데칼린, 솔벤트 나프타 등을 들 수 있다.
방향족 탄화수소계 용제로는 벤젠, 톨루엔, 에틸벤젠, 크실렌, 메시틸렌, 디에틸벤젠, 쿠멘, 이소부틸벤젠, 시멘(cymene), 테트랄린 등을 들 수 있다.
시아노기를 가지는 탄화수소계 용제로는 1-시아노프로판, 1-시아노부탄, 1-시아노헥산, 시아노시클로헥산, 시아노벤젠, 1,3-디시아노프로판, 1,4-디시아노부탄, 1,6-디시아노헥산, 1,4-디시아노시클로헥산, 1,4-디시아노벤젠 등을 들 수 있다.
그 외의 유기용제로는 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아미드 등을 들 수 있다.
상기의 유기용제 중에서도, 알코올계 용제 및 에스테르계 용제는, 염가인 것과 함께, 아연 화합물에 대한 충분한 용해성을 나타내고, 또, 실리콘 기체, 금속 기체, 세라믹스 기체, 유리 기체, 수지 기체 등의 여러 가지 기체에 대한 도포 용매로서 양호한 도포성을 나타내므로 바람직하다. 또, 혼합 용제를 이용하는 경우도, 알코올계 용제와 에스테르계 용제의 적어도 어느 하나를 50 질량% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하다. 또, 막으로의 전화 온도보다 비점이 낮은 유기용제가 바람직하고, 비점이 150℃ 이하의 유기용제가 보다 바람직하다.
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물의 바람직한 형태는, 상기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민 및 유기용제를 필수 성분으로 하고, 아연 화합물이 용해되어 있는 용액이다. 산화 아연계 막 형성용 조성물 중의 아연 화합물의 농도는, 안정한 용액으로 되는 농도인 것이 바람직하다. 구체적으로는 산화 아연계 막 형성용 조성물에 포함되는 아연 화합물의 비율은, 0.01 내지 0.1mol/L인 것이 바람직하다. 또, 산화 아연계 막 형성용 조성물에 포함되는 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민의 양은, 아연 화합물에 대하여 2 내지 20배 몰(mol)인 것이 바람직하다. 한편 유기용제는 비점 150℃ 이하의 에스테르계 용제 및/또는 알코올계 용제가 바람직하다.
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물에는, 필요에 따라서, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 전술한 성분 이외의 「기타 성분」이 함유되어 있어도 좋다. 「기타 성분」으로는 겔화 방지제, 가용화제, 소포제, 증점제, 요변제 및 레벨링제 등의 조성물의 안정성이나 도포성을 개선하는 첨가제;반응제, 반응조제, 가교조제 등의 성막조제를 들 수 있다. 산화 아연계 막 형성용 조성물에 함유되는 「기타 성분」의 비율은, 각각 10 질량% 이하인 것이 바람직하고, 5 질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.
예를 들어 상기 일반식 (1)로 표시되는 아연 화합물의 가용화제로는 아연 화합물의 배위자와 동일한 아실아세테이트 에스테르가 바람직하다. 산화 아연계 막 형성용 조성물에 함유되는 아실아세테이트 에스테르의 비율은 0.05 내지 5 질량%인 것이 바람직하다. 아실아세테이트 에스테르의 함유 비율이 0.05 질량% 미만이면, 가용화제로서의 효과를 얻을 수 없는 경우가 있다. 한편, 아실아세테이트 에스테르의 함유 비율을 5 질량% 초과로 해도, 가용화제로서의 효과는 그다지 향상되지 않고, 오히려 경제적이지 못하게 되는 경우가 있다.
또, 산화 아연계 막 형성용 조성물에는, 전구체 화합물로서의 아연 화합물을 산화아연으로 전화할 수 있는 산화제가 함유되는 것이 바람직하다. 산화제로는 물이 적합하다. 물은, 아연 화합물이 산화아연으로 전화할 때에 작용하고, 형성되는 산화 아연계 막의 고품질화에 기여한다. 산화 아연계 막 형성용 조성물에 함유되는 물의 비율은 1 내지 10 질량%인 것이 바람직하다. 물의 함유 비율이 1 질량% 미만이면, 물을 사용한 효과를 얻을 수 없는 경우가 있다. 한편, 물의 함유 비율이 10 질량%를 초과하면, 아연 화합물이 분해하기 쉬워져, 겔화나 고체 생성 등의 조성물 변질의 요인이 되는 경우가 있다. 물은, 산화 아연계 막 형성용 조성물에 필요량을 미리 첨가해 두어도 좋고, 산화 아연계 막을 제조하기 직전에 첨가해도 좋다.
다음에, 본 발명의 산화 아연계 막의 제조방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 산화 아연계 막의 제조법은, 전술한 산화 아연계 막 형성용 조성물의 특징이 효과적으로 발휘되는 방법이다. 구체적으로는 본 발명의 산화 아연계 막의 제조방법은, (1) 전술한 산화 아연계 막 형성용 조성물을 기체상에 도포하여 도포층을 형성하는 공정(이하, 「도포공정」이라고도 기재한다)과, (2) 형성된 도포층을 150 내지 300℃로 처리하여 막으로 전화하는 공정(이하, 「막 전화공정」이라고도 기재한다)을 포함한다.
도포공정에 있어서의 산화 아연계 막 형성용 조성물의 도포방법으로는 스핀 코트법, 딥법, 스프레이 코트법, 미스트 코트법, 플로우 코트법, 커텐 코트법, 롤 코트법, 나이프 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 솔칠 등을 들 수 있다. 또, 산화 아연계 막 형성용 조성물이 도포되는 기체의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 유리, 실리콘 등의 무기 기체, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 수지 기체 등을 들 수 있다.
기체 상에 형성된 도포층을 150 내지 300℃, 바람직하게는 200 내지 300℃로 처리하고, 아연 화합물을 산화시켜 산화 아연계 막을 형성한다. 한편 산화 아연계 막 형성용 조성물의 도포 후에 150 내지 300℃로 처리해도 좋고, 산화 아연계 막 형성용 조성물의 도포와 동시에 150 내지 300℃로 처리해도 좋다. 즉, 도포공정과 막 전화공정은, 대체로 동시에 행해도 좋다. 산화 아연계 막 형성용 조성물의 도포와 동시에 150 내지 300℃로 처리하려면, 예를 들어 기체를 원하는 전화온도로 해 두고, 이 기체에 산화 아연계 막 형성용 조성물을 도포하면 좋다. 이러한 방법은, 스프레이 코트법이나 미스트 코트법으로 적용할 수 있다.
막 전화공정의 분위기는, 산소, 오존, 이산화질소, 일산화질소, 수증기, 과산화수소, 포름산, 아세트산, 무수 아세트산 등의 산화성 물질이 존재하는 산화성 분위기가 바람직하다. 산화성 분위기를 조정하기 위해서, 불활성 가스를 희석 가스로서 사용해도 좋다.
산화 아연계 막 형성용 조성물을 도포한 후에, 유기용제 등의 저 비점 성분을 기화시키기 위해서 건조공정을 구비하는 것도 바람직하다. 또, 양호한 품질의 산화 아연계 막을 형성하기 위해서, 막 전화한 후, 불활성 분위기하, 산화성 분위기하, 또는 환원성 분위기하에서 어닐링 처리를 행해도 좋다. 어닐링 처리(annealing treatment)의 온도는 통상적으로는 150 내지 400℃, 바람직하게는 150 내지 300℃이다.
또, 형성되는 산화 아연계 막을 필요한 막 두께로 하기 위해서, 도포공정과 막 전화공정을 여러 차례 반복해도 좋다. 예를 들어 도포공정으로부터 막 전화공정까지를 여러 차례 반복해도 좋고, 도포공정과 건조공정을 각각 여러 차례 반복해도 좋다. 또한, 각각의 공정에 있어서, 플라스마나 각종 방사선 등의 열 이외의 에너지를 인가 또는 조사해도 좋다.
본 발명에 있어서는, 산화 아연계 막 형성용 조성물에 다른 성분의 프리커서(precursor)를 함유시키는, 각 공정의 조건을 적당히 선택한다, 혹은 각 공정으로 반응성 가스를 사용하는 것 등에 의해, 산화 아연 세라믹스, 산화 아연과 다른 원소와의 복합 산화물, 산화아연과 다른 원소와의 복합막 등, 원하는 특성을 나타내는 산화 아연계 막(박막)을 형성할 수 있다.
제조되는 산화 아연계 막(박막)의 종류로는 예를 들어 산화아연, 아연-인듐 복합 산화물, 납-아연 복합 산화물, 납-아연-니오브 복합 산화물, 비스무트-아연-니오브 복합 산화물, 바륨-아연-탄탈 복합 산화물, 주석-아연 복합 산화물, 리튬 첨가 산화 아연, 아연 첨가 페라이트 등을 들 수 있다. 또, 이들의 산화 아연계 막(박막)의 용도로는 예를 들어 반도체, 투명도전체, 발광체, 형광체, 광촉매, 자성체, 도전체, 전극, 고(高) 유전체, 강(强) 유전체, 압전체, 마이크로파 유전체(microwave dielectrics), 광도파로, 광증폭기, 광스위치, 전자파 실드(electromagnetic shield), 솔라 셀(solar cell) 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예로서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해서 어떠한 제한을 받는 것은 아니다.
(1) 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 제조
[실시예 1]
염화아연 1 몰부, 나트륨 메틸레이트 2 몰부 및 염화아연에 대하여 8배 질량의 메탄올을 혼합하여 얻어진 반응액을 실온에서 30분간 교반하였다. 석출한 염화나트륨을 여별(濾別; filtering off)하였다. 얻어진 여과액을, 메틸 아세토아세테이트 2 몰부와, 메틸 아세토아세테이트의 3배 질량의 메탄올을 포함하는 용액에 더하여, 실온에서 30분 교반하였다. 석출한 결정을 여과하여 취한 후, 메탄올로 세정 및 건조시키고, 중간체인 아연의 메틸 아세토아세테이트착체를 수율 95%로 얻었다. 이 중간체 1 몰부 및 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민 1 몰부를, 중간체에 대하여 1배 질량의 헥산에 더하여, 가열 환류하에서 1시간 교반하였다. 얻어진 용액을 여별하여, -30℃로 재결정 처리를 행하고, 목적물의 식 (2)로 표시되는 아연 화합물(백색 결정)을 수율 97%로 얻었다. 얻어진 백색 결정에 대하여 IR, 1H-NMR 및 TG-DTA를 측정하였다. 얻어진 IR 차트를 도 1, 1H-NMR 차트를 도 2 및 TG-DTA 차트를 도 3에 나타낸다. 한편 측정 조건은 이하에 나타내는 바와 같다.
〈IR측정〉
측정장치:상품명 「Nicolet 6700」(서모피셔 사이언티픽사제)
〈1H-NMR 측정〉
측정장치:상품명 「JNM-ECA 400」(닛뽄덴시(日本電子)사제), 주파수:400 MHz, 용매:중(重) 벤젠
〈TG-DTA〉
측정장치:상품명 「EXSTRA6000」(에스·아이아이·나노테크놀러지사제), 샘플량:6㎎, 공기:300mL/mL, 온도상승 속도:10℃/분 , 레퍼런스:알루미나
(2) 산화 아연계 막 형성용 조성물의 조제
[실시예 2]
실시예 1에서 얻은 식 (2)로 표시되는 아연 화합물을 메틸 아세테이트로 용해시키고, 산화 아연계 막 형성용 조성물(실시예 2)을 조제하였다. 한편 식 (2)로 표시되는 아연 화합물의 농도는 0.05mol/L로 하였다.
[실시예 3 내지 9, 비교예 1 내지 10]
표 1에 나타내는 각 성분을 혼합하여, 산화 아연계 막 형성용 조성물(실시예 3 내지 9, 비교예 1 내지 10)을 조제하였다. 또한, 식 (4)로 표시되는 아연 성분 및 식 (5)로 표시되는 아연 성분을 이하에 나타낸다.
(3) 산화 아연계 막의 제조
[실시예 10 내지 17, 비교예 11 내지 20]
실시예 2 내지 9 및 비교예 1 내지 10에서 얻어진 각각의 산화 아연계 막 형성용 조성물을 사용하여, 이하의 조건으로 아연계 산화막을 형성하였다. 핫 플레이트로 200℃로 가열한 4㎝ 사방의 유리 기판에, 각각의 산화 아연계 막 형성용 조성물을 스프레이에 의해서 분무하였다. 스프레이의 1회 분무량을 0.1 mL로 하고, 200회 반복 분무하여 합계 20 mL를 분무하였다. 스프레이 후, 유리 기판을 200℃로 30분 유지하고 막을 형성하여 막 부착 유리 기판을 얻었다.
얻어진 막 부착 유리 기판을 육안으로 관찰하고, 형성된 막의 균질성을 평가하였다. 평가 결과를 표 2 및 3에 나타낸다. 평가 기준은, 도막 얼룩이 있는 것을 「얼룩짐」, 응집물이 있는 것을 「응집물 있음」, 균질인 물건을 「균질」이라고 하였다. 또한, 막을 얻을 수 없었던 것은 「막 없음」이라고 하였다.
또, 형성된 막의 투명성 및 도전성을 평가하였다. 투명성은, 탁도계(상품명 「NDH2000)(닛뽄덴쇼쿠코오교(日本電色工業)사제))를 사용하여, D65 광원에 의한 전(全) 광선 투과율을 측정함으로써 평가하였다. 또, 도전성은, 상품명 「Loresta-EP MCP-T360」(미츠비시카가쿠(三菱化學)사제)을 사용하여, 4탐침법에 의한 체적 저항률을 측정함으로써 평가하였다. 또한, 체적 저항률은, 임의의 수 개소의 측정점으로 측정하고, 평균치로 나타냈다. 또한, 측정치가 측정 한계인 107Ω·㎝를 초과한 것을 「∞」로 표시하였다. 투과율 및 저항률의 측정 결과를 표 2 및 3에 나타낸다.
또한, 형성된 막의 헤이즈(haze) 및 막 두께를 측정하였다. 헤이즈는, 탁도계(상품명 「NDH2000)(닛뽄덴쇼쿠코오교(日本電色工業)사제))를 사용하여 측정하였다. 또, FE-SEM를 사용하여 막의 중앙부의 두께를 측정하였다. 헤이즈 및 막 두께의 측정 결과를 표 2 및 3에 나타낸다.
표 2 및 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 2 내지 9에서 얻은 산화 아연계 막 형성용 조성물을 이용한 경우에는, 200℃로 처리한 경우라도 균질로 투명한 산화 아연계 막을 형성 가능한 것을 확인할 수 있었다. 이것에 대하여, 비교예 1 내지 10에서 얻은 산화 아연계 막 형성용 조성물을 이용한 경우에는, 양호한 막이 형성되지 않았다. 또, 형성된 막의 저항률에 대해서도, 측정 불가능한 만큼 높은 것이었다.
산업상의 이용 가능성
본 발명의 산화 아연계 막 형성용 조성물을 이용하면, 예를 들어 반도체, 투명 도전체, 발광체, 형광체, 광촉매, 자성체, 도전체, 전극, 고 유전체, 강 유전체, 압전체, 마이크로파 유전체, 광도파로, 광증폭기, 광스위치, 전자파 실드, 솔라 셀 등에 이용되는 산화 아연계 막을 용이하게 형성할 수 있다.
Claims (4)
- 제 1 항에 있어서,
상기 일반식 (1)에서 R1 및 R2가 메틸기인 산화 아연계 막 형성용 조성물. - 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 산화 아연계 막 형성용 조성물을 기체(基體)상에 도포하여 도포층을 형성하는 공정과,
상기 도포층을 150 내지 300℃로 처리하여 막으로 전화(轉化)하는 공정
을 포함하는 산화 아연계 막의 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011052024A JP5823141B2 (ja) | 2011-03-09 | 2011-03-09 | 酸化亜鉛系膜の製造方法 |
JPJP-P-2011-052024 | 2011-03-09 | ||
PCT/JP2012/050486 WO2012120918A1 (ja) | 2011-03-09 | 2012-01-12 | 酸化亜鉛系膜形成用組成物、酸化亜鉛系膜の製造方法、及び亜鉛化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130143648A true KR20130143648A (ko) | 2013-12-31 |
KR101507673B1 KR101507673B1 (ko) | 2015-03-31 |
Family
ID=46797889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020137026603A KR101507673B1 (ko) | 2011-03-09 | 2012-01-12 | 산화 아연계 막 형성용 조성물, 산화 아연계 막의 제조방법 및 아연 화합물 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9133349B2 (ko) |
EP (1) | EP2684917B1 (ko) |
JP (1) | JP5823141B2 (ko) |
KR (1) | KR101507673B1 (ko) |
CN (1) | CN103415576B (ko) |
TW (1) | TWI548640B (ko) |
WO (1) | WO2012120918A1 (ko) |
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2011
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-
2012
- 2012-01-12 EP EP12755681.9A patent/EP2684917B1/en not_active Not-in-force
- 2012-01-12 KR KR1020137026603A patent/KR101507673B1/ko active IP Right Grant
- 2012-01-12 WO PCT/JP2012/050486 patent/WO2012120918A1/ja active Application Filing
- 2012-01-12 CN CN201280012284.5A patent/CN103415576B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-02 TW TW101106903A patent/TWI548640B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-08-07 US US13/961,124 patent/US9133349B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210128709A (ko) * | 2020-04-17 | 2021-10-27 | 광주과학기술원 | 향균성을 갖는 미세먼지 집진 필터 구조체, 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201242972A (en) | 2012-11-01 |
KR101507673B1 (ko) | 2015-03-31 |
JP2012188510A (ja) | 2012-10-04 |
TWI548640B (zh) | 2016-09-11 |
JP5823141B2 (ja) | 2015-11-25 |
EP2684917B1 (en) | 2016-07-06 |
EP2684917A1 (en) | 2014-01-15 |
CN103415576A (zh) | 2013-11-27 |
US20130323413A1 (en) | 2013-12-05 |
US9133349B2 (en) | 2015-09-15 |
WO2012120918A1 (ja) | 2012-09-13 |
CN103415576B (zh) | 2016-03-30 |
EP2684917A4 (en) | 2015-04-29 |
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