KR20130122673A - 조광소자 및 이를 포함하는 제품 - Google Patents

조광소자 및 이를 포함하는 제품 Download PDF

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KR20130122673A
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고쿠리츠 다이가쿠 호우징 지바 다이가쿠
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Abstract

본 발명은 투과형으로도 사용이 가능하며, 높은 콘트라스트비를 가능하게 하는 고품질의 경면상태를 갖는 조광소자 및 이를 포함하는 제품을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 조광소자는, 한 쌍의 기판(2, 3)과, 한 쌍의 기판(2, 3)의 대향하는 면에 형성되고, 한쪽이 나노미터 오더의 요철이 있는 투명전극(31)인 한 쌍의 전극(21, 31)과, 한 쌍의 전극(21, 31) 사이에 협지되고, 전해질, 은을 포함하는 일렉트로크로믹 재료 및 조정자를 포함하는 전해질층(4)을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 따른 장치는, 상기 조광소자를 적어도 일부에 포함한다.

Description

조광소자 및 이를 포함하는 제품{LIGHT-ADJUSTING ELEMENT AND PRODUCT CONTAINING SAME}
본 발명은 조광(調光)소자 및 이를 포함하는 제품에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 일렉트로크로믹 재료를 포함하고, 일렉트로크로믹 재료의 광물성을 변화시킴으로써 조광하는 소자 및 이를 이용한 제품, 예를 들면 디스플레이 등 표시장치, 외부로부터 입사하는 빛의 양을 조절하는 조광필터, 방현(防眩)미러 등에 적합한 것에 관한 것이다.
투과하는 빛의 양을 조절하는 소자는, 예를 들어 표시장치, 조광필터 등으로 현재 시판되고 있다.
TV나 컴퓨터 모니터, 휴대전화 디스플레이를 비롯한 정보를 표시하기 위한 장치(표시장치)는 최근 정보화 사회에서 빼놓을 수 없는 장비이다. 또한 외부로부터 입사하는 빛의 양을 조절하는 조광필터, 방현미러 등은 실내, 자동차, 항공기 등의 공간에서 외부로부터의 빛을 조절할 수 있기 때문에 커튼 등과 같은 효과를 가지고, 생활에서 매우 유용한 것이다.
이상과 같은 표시장치의 표시방식은 일반적으로 반사형, 투과형, 발광형의 3 가지로 크게 나눌 수 있다. 표시장치를 제조하는 자는 표시장치의 제조에서 표시장치가 놓여진 환경을 상정하여 바람직한 표시방식을 선택하는 것이 일반적이다.
그런데, 최근 표시장치의 소형화, 박막화에 의해 표시장치의 휴대성이 향상되고, 다양한 밝기의 환경에 휴대 이동하여 표시장치를 사용하는 기회가 매우 많아지고 있으며, 사용자의 요구도 다양해지고 있다. 표시장치 모드로서 예를 들어, 명암의 표시뿐만 아니라 표시 화면을 경면(鏡面) 상태로 하는 수요 등도 요구되고 있다. 이 점은 조광필터 등에서도 마찬가지이다.
공지 기술로서, 예를 들면 하기 특허문헌 1에서는 한 쌍의 기판의 한쪽에 미러층이 형성되어 있는 일렉트로크로믹 미러가 개시되어 있다.
일본 특표평(特表平) 10-500225호 공보
그러나, 상기 특허문헌 1에 기재된 표시장치에서 미러층은 고정된 것으로서, 일렉트로크로믹 표시 소자의 경면(鏡面) 상태를 변화시키는 것에 지나지 않고, 표시장치로 사용에 대해서는 검토하고 있어 않고, 만일 사용하더라도 반사형 표시장치밖에 사용할 수 없다고 하는 과제가 있다.
따라서, 본 발명은 상기 과제를 감안하여, 투과형에서도 사용이 가능하며, 높은 콘트라스트비를 가능하게 하는 고품질 경면 상태를 갖는 조광소자 및 이를 포함하는 제품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 관한 표시장치는, 한 쌍의 기판과, 한 쌍의 기판의 대향하는 면에 형성되고, 한쪽이 나노미터 오더의 요철이 있는 투명전극인 한 쌍의 전극과, 한 쌍의 전극 사이에 협지(挾持)되어 전해질, 은을 포함하는 일렉트로크로믹 재료 및 조정자(mediator)를 포함하는 전해질층을 포함하는 것을 특징의 하나로 한다.
이상으로, 본 발명에 의하여, 투과형에서도 사용이 가능하며, 높은 콘트라스트비를 가능하게 하는 고품질 경면 상태를 갖는 조광소자 및 이를 포함하는 제품이 된다.
도 1은 실시형태에 관한 표시장치의 개략 단면을 보여주는 도면.
도 2는 실시형태에 관한 표시장치의 표시원리를 설명하는 도면.
도 3은 실시예에 관한 표시장치의 ITO 전극 및 ITO 입자 수식(修飾) 전극의 표면 프로파일을 나타내는 도면.
도 4는 실시예에 관한 표시장치의 투과 스펙트럼 측정 결과를 나타내는 도면.
도 5는 실시예에 관한 표시장치의 반사 스펙트럼 측정 결과를 나타내는 도면.
도 6은 실시예에 관한 표시장치의 투과상태의 사진.
도 7은 실시예에 관한 표시장치의 거울상태의 사진.
도 8은 실시예에 관한 표시장치의 검정(黑)상태의 사진.
도 9는 실시예에 관한 표시장치에 대하여 전압을 변화시켰을 경우의 투과율과 반사율을 나타내는 도면.
도 10은 실시예에 관한 표시장치에 대하여 전압을 변화시켰을 경우의 투과율과 반사율을 나타내는 도면.
도 11은 실시예에 관한 표시장치에 대하여 전압을 변화시켰을 경우의 투과율과 반사율을 나타내는 도면.
도 12는 실시예에 관한 표시장치에 대하여 전압을 변화시켰을 경우의 투과율과 반사율을 나타내는 도면.
이하, 본 발명의 실시형태에 관하여 도면을 참조하면서 설명한다. 그러나 본 발명은 여러가지의 서로 다른 측면에서 실시할 수 있으며, 이하에 나타낸 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 조광소자의 일 예로서 본 실시형태에 관한 표시장치(이하 “본 표시장치”라 함)(1)의 개략단면을 나타내는 도면이다. 도 1에서 나타낸 바와 같이, 본 표시장치(1)은, 한 쌍의 기판(2,3)과, 한 쌍의 기판의 대향하는 면에 형성된 한 쌍의 전극(21,31)과, 한 쌍의 전극(21,31) 사이에 협지(挾持)되고, 은을 포함하는 일렉트로크로믹 재료 및 조정자(mediator)를 포함하는 전해질층(4)를 구비한다.
본 실시형태에서, 한 쌍의 기판(2,3)은 전해질층(4)를 끼워 유지하기 위하여 사용되는 것으로서, 기판(2,3) 중 적어도 하나가 투명하여도 되고, 양쪽이 투명하면 투과형의 표시장치를 실현할 수 있다. 본 실시형태에는 설명을 위하여 양쪽이 투명한 경우로 설명한다. 또한, 기판 재료로서는 어느 정도의 경도, 화학적 안정성이 있고, 안정적으로 재료층을 유지할 수 있는 한, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 유리, 플라스틱, 금속, 반도체 등을 채용할 수 있고, 투명기판으로 사용하는 경우는 유리나 플라스틱을 사용할 수 있다.
또한 본 실시형태에서, 한 쌍의 기판(2,3)의 각각에는 대향하는 면측(내측)에 전극(21,31)이 형성되어 있다. 상기 전극은 한 쌍의 기판(2,3)에 의하여 협지되는 재료층에 전압을 인가하기 위하여 사용되는 것이다. 전극 재료로는 적합한 전도성을 갖는 한, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 기판 재질이 투명기판인 경우 ITO, IZO, SnO2, ZnO 등의 적어도 어느 하나를 포함하는 투명전극인 것이 바람직하다.
또한 본 실시형태에서, 전극(21,31) 중 어느 하나가 비교적 큰 요철이 부착된 투명 도전성의 입자 수식(修飾) 전극이고, 다른 하나는 평활한 전극인 것이 바람직하다. 여기서 입자 수식 전극이라 함은 입자가 전극 표면에 고정되어 비교적 큰 요철, 나노미터 오더의 요철이 형성된 전극을 말한다. 입자 수식 전극의 요철의 크기로서 한정되는 것은 아니지만, 측정된 영역에 있어 요철의 고저차(高低差)(최대 높이와 최소 높이의 차이)가 50nm 이상 500nm 이하의 범위에 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100nm 이상 500nm 이하의 범위이다. 이것은 예를 들어, 입경이 50nm 이상 500nm 이하, 보다 바람직하게는 100nm 이상 500nm 이하의 입자를 기판에 배치하여 고정하는 것으로 실현할 수 있다. 입자 재료로서 한정되는 것은 아니지만, ITO, IZO, 산화 티탄, NiO, SnO2 및 ZnO 등을 예시할 수 있으며, ITO, IZO 입자, 특히 ITO인 것으로 전도성을 확실히 할 수 있는 관점에서 보다 바람직하다. 또한 한편으로는, 평활(平滑)한 전극은 상기 정도의 요철이 없으며, 요철이 있어도 나노미터 오더 이하인 전극이며, 이에 한정되는 것은 아니지만, 고저차가 20nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10nm 이하, 더욱 바람직하게는 5nm 이하이다. 평활한 전극 재료로는 상기 입자 수식 전극과 같은 재료를 채택할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서, 입자 수식 전극의 표면 거칠기로는, 촉침(觸針)식 측정에 의한 표면 거칠기(Ra)가 100nm 이상 400nm 이하의 범위에 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50nm 이상 400nm 이하의 범위이다. 상기 범위로 하는 것으로써 나중에 상세하게 설명하는 검정(黑)상태를 실현할 수 있다. 한편, 평활한 전극인 경우, 표면 거칠기는 상기 이하인 것이 바람직하며, 구체적으로는 촉침식 측정에 의한 표면 거칠기(Ra)가 20nm이하, 보다 바람직하게는 10nm 이하, 보다 바람직하게는 5nm 이하인 것이 바람직하다. 상기 범위로 하는 것으로써, 나중에 상술하는 거울 상태를 실현할 수 있다.
또한 본 실시형태에 관한 전극은, 기판 상에 표시하고 싶은 문자 등의 패턴에 맞춘 형상으로 형성하여도 되고, 또한 같은 복수의 영역마다 구분된 전극패턴을 복수의 기판 상에 나열하여 형성한 것이어도 된다. 복수의 영역마다 구분하면, 상기 각 영역을 화소로 하고, 화소마다 표시를 제어하고, 복잡한 형상의 표시에도 대응할 수 있다는 이점이 있다.
전극 사이의 거리로서, 나중에 상술하는 일렉트로크로믹 재료에서 은 미립자로서 충분히 석출하고, 소실(消失)하는 전계를 인가할 수 있으면 이에 한정되는 것은 아니지만, 1μm 이상 10mm 이하가 가능하며, 바람직하게는 1μm 이상 1mm 이하의 범위이다.
또한 본 실시형태에 관한 전극은, 각각 전도성을 갖는 배선을 통해 전원에 접속되어 있으며, 상기 전원의 ON, OFF에 의하여 재료층에 전압을 인가, 인가 전압의 해제를 제어할 수 있다.
또한 본 실시형태에 관한 전해질층(4)는, 지지염(支持鹽)으로서의 전해질을 포함하는 동시에, 은 이온을 포함하는 일렉트로크로믹 재료 및 조정자(mediator)를 포함한다. 또한 본 실시형태에 관한 전해질층(4)는 상기 은을 포함하는 일렉트로크로믹 재료(41) 및 조정자(42) 외에도 이러한 재료를 유지하기 위한 용매를 포함한다.
본 실시형태의 전해질층의 전해질은, 일렉트로크로믹 재료의 산화환원 등을 촉진하기 위한 것이며, 지지염인 것은 바람직한 일 예이다. 전해질은 브롬 이온을 포함하는 것이 바람직하며, 예를 들어 LiBr, KBr, NaBr, 브롬화테트라부틸암모늄(TBABr) 등을 예시 할 수 있다. 또한 전해질 농도로서는 한정되는 것은 아니지만, 몰 농도로 일렉트로크로믹 재료의 5배 정도, 구체적으로는 3배 이상 6배 이하를 포함하는 것이 바람직하며, 예를 들어 3mM 이상 6M 이하 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5mM 이상 5M 이하, 보다 바람직하게는 6mM 이상 3M 이하, 더욱 바람직하게는 15mM 이상 600mM 이하, 더욱 바람직하게는 25mM 이상 500mM 이하, 30mM 이상 300mM 이하의 범위이다.
또한 본 실시형태에서 용매는, 상기 일렉트로크로믹 재료, 전기화학 발광재료 및 전해질을 안정적으로 유지할 수 있는 범위 내에 있으면 한정되는 것은 아니지만, 물 등의 극성 용매이어도 되고, 극성이 없는 유기용매 등 일반적인 것도 사용할 수 있다. 용매로는 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 DMSO를 사용할 수 있다.
본 실시형태에서 일렉트로크로믹 재료라 함은 직류 전압을 인가함으로써 산화환원 반응을 일으키는 재료이며, 은 이온을 포함하는 염(鹽)인 것이 바람직하다. 상기 일렉트로크로믹 재료는 산화환원 반응에 의해 은 미립자를 석출 또는 소실시켜, 이에 따라 색 변화를 일으켜서 표시를 할 수 있다. 은을 포함하는 일렉트로크로믹 재료로서는 한정되는 것은 아니지만, AgNO3 , AgClO4, AgBr을 예로 들 수 있다. 또한, 일렉트로크로믹 재료의 농도는 상기 기능을 갖는 범위 내라면, 특별히 한정되는 것은 아니고, 재료에 따라 적절하게 조정하는 것이 가능하지만, 5M 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1mM ~ 1M, 더욱 바람직하게는 5mM ~ 100mM이다.
본 실시형태에서 조정자(mediator)는 은보다 전기화학적으로 낮은 에너지로 산화환원을 할 수 있는 재료를 말한다. 조정자 산화체가 은으로부터 수시로 전자를 주고 받음으로써 산화에 의한 소색(消色) 반응을 보조할 수 있다. 또한 조정자로는 상기 기능을 갖는 범위에 있으면 한정되는 것은 아니지만, 구리(II) 이온의 염인 것이 바람직하며, 예를 들어 CuCl2, CuSO4, CuBr2를 들 수 있다. 또한 조정자의 농도로는 상기 기능을 달성하는 범위 내에서 제한되지 않고, 또한 재료에 따라 적절하게 조정이 가능하지만, 5mM 이상 20mM 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 15mM 이하이다. 20mM 이하로 함으로써 과도한 색 부착을 방지할 수 있다. 또한 은 이온과 구리 (II) 이온의 농도비로는 한정되는 것은 아니지만, 은 이온을 10으로 했을 경우, 구리(II) 이온은 1 이상 3 이하의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에서는 상기 구성 요건 이외에도, 예를 들면 증점제를 추가할 수 있다. 증점제를 더 넣는 것으로 일렉트로크로믹 소자의 메모리 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 증점제의 예로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 폴리비닐알코올을 예시할 수 있다. 또한 증점제의 농도로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 전해질층의 총 중량에 대해 5 중량 % 이상 20 중량 % 이하의 범위로 포함시켜 두는 것이 바람직하다.
본 표시장치는, 예를 들면 전압을 인가한 상태에서 반사상태 또는 검정상태를, 전압을 해제한 상태에서 투과상태를 실현할 수 있다. 본 실시형태에 관한 소자 상태의 개념도를 도 2에 나타낸다. 또한, 도 2(A)는 거울표시의 상태를 나타낸 것이고, 도 2 (B)는 검정표시의 상태를 나타낸 것이다.
본 표시장치에는, 전극 사이에 전압을 인가하면 한쪽 전극에는 일렉트로크로믹 중의 은 이온이 환원되어 은으로 석출하는 한편, 전압을 해제하면 은(銀)은 다시 은 이온으로 용해한다. 이 경우, 은이 평활한 전극 상에 형성되면 거울상태가 되고, 입자 수식 전극 상에 형성되면 빛은 난반사되어 검정상태가 된다. 또한 이 경우에서, 관찰자에게 평활한 전극이 형성된 기판이 앞쪽이 되며, 요철이 있는 입자 수식 전극이 형성된 기판이 뒤쪽이 된다. 또한, 직류전압 인가시의 전압 강도로는 한 쌍의 기판 사이의 거리, 한 쌍의 전극 사이의 거리에 따라 적절하게 조정이 가능하며, 한정되는 것은 아니고, 전계 강도로서 예를 들면 1.0 × 103 V/m이상 1.0 × 105 V/m이하의 범위에 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1.0 × 104 V/m 이하의 범위이다.
이상으로, 본 실시형태에 의하여 투과형에서도 사용이 가능하며, 높은 콘트라스트비를 가능하게 하는 고품질 경면(鏡面)상태를 갖는 표시장치가 된다. 특히, 본 실시형태에서는 조정자를 가지고 있으며, 은보다 낮은 에너지로 산화환원 재료가 가능하게 되고, 반복 내구성이 매우 뛰어나다. 따라서, 투과형에서도 사용이 가능하며, 높은 콘트라스트비를 가능하게 하는 고품질 경면상태를 갖는 조광소자 및 이를 포함하는 제품을 제공할 수 있다.
실시예
여기에, 실제로 표시장치를 제작하여 그 효과를 확인하였다. 이하 설명한다.
한 쌍의 기판으로서 유리 기판을 이용하고, 한 쌍의 전극으로서 ITO 전극을 이용하고, 일렉트로크로믹 재료로서 AgNO3를 이용하고, 용매로서 DMSO를 지지(支持) 전해질(대전극 반응 물질)로 TBABr을, 조정자로 CuCl2를 이용했다. 또한, 본 실시예에 있어서, 한쪽의 전극은 평활한 ITO가 형성된 전극기판(ITO 전극)으로 하고, 다른 한쪽의 전극은 ITO 전극 위에 100nm ~ 300nm 정도의 입자 크기의 ITO 입자 분산액을 스핀 코팅 (500rpm × 5 초, 1500rpm × 15 초)으로 도포하고, 250℃에서 1 시간 소성한 것(ITO 입자 수식 전극)을 사용하였다. 또한, 본 실시예에서 AgNO3의 농도는 50mM, TBABr의 농도는 250mM, 조정자의 농도는 10mM로 했다. 또한, 스페이서를 이용하여 한 쌍의 전극 사이의 거리를 500μm로 하여 상기 전해질층을 한 쌍의 기판 사이에 협지시켰다. 도 3에, ITO 전극 및 ITO 입자 수식 전극의 표면 프로파일을 나타낸다. 또한, 표면 프로파일은 3mm 폭의 넓은 범위에서 실시하고 있다.
상기 표면 프로파일에 따라 요철의 높낮이 차이를 구한 결과, 요철이 있는 투명 도전성 입자 수식 전극에서 약 400nm의 최대 높이와 최소 높이의 차이가 있었다는 것을 확인했다. 한편, 평활한 전극에서는 거의 요철이 없고, 20nm 이하 정도의 최대 높이와 최소 높이의 차이 정도 밖에 없었다.
또한, 표면 프로파일에 따라 촉침식 표면 거칠기를 구한 결과, 입자 수식 전극에서는 189nm이며, 평활한 전극에서는 1nm임을 확인할 수 있으며, 입자 수식 전극에서는 나노미터 오더의 요철이 형성되는 한편, 평활한 전극에 있어서는 그 이하의 요철이 형성되어, 거칠기가 매우 다른 것을 확인할 수 있었다.
다음으로, 상기 전극 사이에, +2.5 V ~ -2.5V의 전압을 인가했을 때의 투과 스펙트럼 측정을 실시했다. 상기 결과를 도 4에 나타낸다. 그 결과, +2.5 V 및-2.5V 중 어느 상태에 있어서도 빛을 충분히 차단시키고 있는 것을 확인할 수 있고, 색이 사라질 때에는 충분히 빛을 투과할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
다음으로, 상기 전압을 인가했을 때의 반사 스펙트럼에 대해서도 측정을 실시했다. 그 결과를 도 5에 나타낸다. 그 결과, -2.5V에서는 충분한 반사 특성을 가지고 있는 반면, +2.5 V에서는 매우 낮은 반사율을 보여주고 있다는 것을 확인할 수 있고, 검정상태로 되어있는 것을 확인할 수 있었다. 즉, 상기 결과에서 -2.5V에서는 반사상태, 즉 거울 상태를 실현할 수 있고, +2.5 V에서는 검정상태, 색이 사라질 때에는 광 투과 상태를 실현할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 각각의 상태에서 사진을 도 6 내지 8에 나타낸다. 도 6은 색이 사라질 때, 도 7은 반사 표시할 때, 도 8은 검정 표시할 때를 각각 나타내고 있다.
또한, -2.5V를 10초, 0.5V를 20초, 2.5V를 10초, -0.5V를 20초 실시한 경우에서 700nm의 투과율 및 반사율을 도 9에 나타낸다. 그 결과, ITO 전극 측에서는-2.5V인가 시에 반사율이 상승하는 한편, 투과율이 내려가 반사상태인 것을 확인할 수 있으며, 0.5V에서는 투과율이 상승하는 한편 반사율이 감소하여 투과상태가 된 것을 확인할 수 있으며, 2.5V에서는 투과율이 내려가는 한편 반사율도 감소한 상태로 검정상태임을 확인할 수 있으며, -0.5V에서는 투과율이 상승하여 반사율이 감소한 채로 있어서 투과상태임을 확인할 수 있었다. 게다가, 상기 상태는 상기 전압의 주기를 1000회 반복하여 실시해도 유지할 수 있는 것을 확인하였다. 그 결과를 도 10에 나타낸다.
본 실시예의 소자에 대해 다시 반복 특성을 확인했다. 그 결과를 도 11 및 도 12에 나타낸다. 도 11은-2.5V를 10 초, -0.5V를 15 초로 4000회 정도 반복 실시한 경우에 700nm의 투과율을, 도 12는 그 중에서 10회 정도 사이에서 범위를 확대 한 것이다. 또한, 비교예로서 본 실시예와 같은 소자이지만, CuCl2를 포함하지 않는 소자를 제작하여 같은 평가하였다(도 12 참조). 그 결과, CuCl2를 포함시킴으로써 탁월한 반복 내구성을 가지고 있음을 확인할 수 있었다.
이상으로 본 실시예에 따라 반사율이 높은 경면 표시 형태를 갖는 일렉트로크로믹 재료를 포함하는 조광소자 및 이를 포함하는 장치를 실현할 수 있는 것을 확인했다.
산업상 이용가능성
본 발명은 표시장치로서 산업상 이용가능성 있다.
1 : 표시장치
2, 3 : 기판
4 : 전해질층

Claims (11)

  1. 한 쌍의 기판,
    상기 한 쌍의 기판의 대향하는 면에 형성되고, 한쪽은 나노미터 오더의 요철이 있는 투명전극인, 한 쌍의 전극,
    상기 한 쌍의 전극 사이에 협지되어, 전해질, 은을 포함하는 일렉트로크로믹 재료, 및 조정자를 포함하는 전해질층을 구비하는 것을 특징으로 하는 조광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 요철이 있는 투명전극은 투명도전성 입자 수식 전극인 것을 특징으로 하는 조광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 요철이 있는 투명전극에 대향하는 다른 한쪽의 전극은 평활한 투명전극인 것을 특징으로 하는 조광소자
  4. 제1항에 있어서,
    상기 요철이 있는 투명전극은 최대 높이와 최소 높이의 차이가 100nm 이상 500nm 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 조광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 요철이 있는 투명전극은 촉침식에 의한 표면 거칠기가 50nm 이상 400nm 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 조광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 조정자는 구리(II) 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 조광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 조정자의 구리(II) 이온의 몰 농도는, 상기 일렉트로크로믹 재료의 은 이온의 몰 농도를 10으로 한 경우, 1 이상 3 이하의 범위인 것으로 특징으로 하는 조광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전해질은 상기 전해질층에 포함되는 상기 일렉트로크로믹 재료의 몰 농도의 3배 이상 6배 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 조광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전해질은 증점제를 포함하는 것을 특징으로 하는 조광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 요철이 있는 투명전극은 ITO, IZO, SnO2 및 ZnO에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 조광소자.
  11. 제1항에 기재된 조광소자를 적어도 일부에 포함하는 제품.
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