KR20130104290A - 광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널 - Google Patents

광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널 Download PDF

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Abstract

개시된 광 센싱 트랜지스터는 게이트층; 상기 게이트층 위에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 형성되고, 반도체 물질로 이루어진 채널층; 상기 채널층 위의 일부 영역 상에 형성된 식각정지층; 상기 채널층 위에 상기 식각정지층을 사이에 두고 이격 형성된 소스 및 드레인; 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 패시베이션층;을 포함하며, 상기 소스는 상기 식각정지층과 이격되게 형성되어 있다.

Description

광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널{Photo-sensing transistor, method of manufacturing the same and display panel employing the photo-sensing transistor}
본 개시는 광 센싱 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(Thin film transistor)는 다양한 응용 분야에 이용되고 있으며 특히, 디스플레이 분야에서 스위칭 및 구동 소자로 이용되고 있다.
최근에, 박막 트랜지스터는 광 터치 스크린 장치의 광센싱 소자로 사용되는 것이 제안되고 있다. 터치 스크린 장치란 디스플레이 화면의 특정 위치에 사용자의 손이나 펜이 닿으면 그 위치를 파악하여 소프트웨어에 의해 특정 처리를 할 수 있도록, 화면에서 직접 입력 자료를 받을 수 있게 만든 장치를 말한다. 지금까지 널리 사용되고 있는 터치 스크린 장치는 손이나 펜 등을 이용하여 디스플레이 장치의 화면에 직접 터치하는 방식이다. 그러나, 디스플레이 장치가 점차 대형화되면서 사용자와 디스플레이 장치 사이의 거리가 멀어지는 경우에는 이러한 직접 터치 방식을 적용하기가 어려울 수 있다. 광 터치 스크린 장치는 손이나 펜의 접촉 대신에 광을 감지하여 기존의 터치 스크린과 동일한 기능을 수행할 수 있는 장치로서, 사용자와 단말기 간의 의사소통뿐만 아니라 사용자와 사용자 간의 의사소통에도 유리할 것으로 기대되고 있다.
이와 같이 광 센싱 트랜지스터가 광터치 스크린 장치에 적용될 때, 디스플레이 패널로 액정 패널이 사용되는 경우, 입력되는 광은 편광 필름을 통과하여 광센싱 트랜지스터에 입사하게 된다. 이 때, 편광 필름을 지나며 광 손실이 발생하며, 또한, 입사각에 따라서도 광손실 정도가 다르게 나타난다. 특정 입사각에 대해서는 광전류가 대략 10% 정도 수준으로 감소하여, 광 센싱 트랜지스터가 반응하지 않은 경우도 있어, 광센싱 효율을 높일 수 있는 방안에 대한 연구가 필요하다.
본 개시는 광 센싱 트랜지스터의 채널층이 광에 효율적으로 노출될 수 있는 구조의 광센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 광센싱 트랜지스터를 채용한 광터치 디스플레이 패널을 제공하고자 한다.
일 유형에 따르는 광 센싱 트랜지스터는 게이트층; 상기 게이트층 위에 형성된 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 위에 형성되고, 반도체 물질로 이루어진 채널층; 상기 채널층 위의 일부 영역 상에 형성된 식각정지층; 상기 채널층 위에 상기 식각정지층을 사이에 두고 이격 형성된 소스 및 드레인; 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 패시베이션층;을 포함하며, 상기 소스는 상기 식각정지층과 이격되게 형성되어 있다.
상기 채널층의 영역 중, 상기 소스와 상기 식각정지층 사이의 이격 영역에 대응하는 영역은 다른 영역보다 전도성이 높을 수 있다.
상기 드레인은 상기 식각정지층과 이격되게 형성될 수 있고, 이 경우, 상기 채널층의 영역 중, 상기 드레인과 상기 식각정지층 사이의 이격 영역에 대응하는 영역은 다른 영역보다 전도성이 높을 수 있다.
상기 소스 및 상기 드레인은 투명 전극 물질로 이루어지거나, 또는, 금속 물질로 이루어질 수 있다.
상기 채널층은 In, Ga, Zn 또는 Al을 포함하는 산화물로 이루어질 수 있다.
또한, 일 유형에 따른 광센싱 트랜지스터 제조방법은 상기 게이트층 위에 게이트 절연층과, 반도체 물질로 이루어진 채널층을 순차 형성하는 단계; 상기 채널층 위의 일부 영역 상에 식각정지층을 형성하는 단계; 상기 채널층과 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 전도성 물질층을 형성하는 단계; 상기 전도성 물질층이 소스 및 드레인으로 분리되고 상기 소스가 상기 식각정지층과 이격된 형태로 형성되도록, 상기 전도성 물질층의 일부 영역을 상기 식각정지층이 드러나도록 식각하는 단계; 상기 소스, 상기 드레인 및 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 전도성 물질층을 투명 전극 물질로 형성하거나, 또는 금속 물질로 형성할 수 있다.
상기 전도성 물질층의 일부 영역을 식각하는 단계에서, 상기 드레인을 상기 식각정지층과 이격되게 형성할 수 있다.
상기 채널층을 In, Ga, Zn 또는 Al을 포함하는 산화물로 형성할 수 있다.
또한, 일 유형에 따르는 광터치 디스플레이 패널은 화상 정보에 따라 온/오프 제어되는 디스플레이 셀; 입사광을 감지하는 것으로, 상술한 일 유형의 광센싱 트랜지스터;를 포함한다.
상술한 광센싱 트랜지스터는 채널층의 전영역이 광에 잘 노출되도록 소스/드레인 구조를 개선하여, 광 센싱 효율이 높다.
이러한 광 센싱 트랜지스터는 광터치 기능을 가지는 디스플레이 패널에 적용될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 비교예에 따른 광센싱 트랜지스터의 구조 및 입사광의 위치에 따른 광전류를 보인 그래프이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 6a 내지 도 6g는 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터 제조방법을 설명하는 도면들이다.
도 7은 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터(100)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 비교예에 따른 광센싱 트랜지스터(100)의 구조 및 입사광의 위치(beam position)에 따른 광전류(photo current)를 보인 그래프이다.
도 1을 참조하면, 광센싱 트랜지스터(100)는 게이트층(110), 게이트층(110) 위에 형성된 게이트 절연층(120), 게이트 절연층(120) 위에 형성되고, 반도체 물질로 이루어진 채널층(130), 채널층(130) 위의 일부 영역 상에 형성된 식각정지층(140), 채널층(130) 위에 식각정지층(140)을 사이에 두고 이격 형성된 소스(150) 및 드레인(160), 그리고, 소스(150), 드레인(160), 및 식각정지층(140)을 전체적으로 덮는 패시베이션층(170)을 포함한다.
도시된 광센싱 트랜지스터(100)는 비대칭적인 형태로 소스(150)와 드레인(160)을 구비하고 있으며, 즉, 소스(150)는 식각정지층(140)과 이격되게 형성되어 있고, 드레인(160)은 식각정지층(140)의 상면, 측면에 접하게 형성되어 있다.
광센싱 트랜지스터(100)의 이러한 구조는 입사광을 센싱하는 효율을 보다 높이기 위한 것으로, 채널층(130)이 입사광에 노출되는 영역을 가능한 넓게 하기 위한 것이다. 이에 대해, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명하기로 한다.
비교예에 따른 광센싱 트랜지스터(10)는 게이트(11), 게이트 절연층(12), 채널층(130), 식각정지층(14), 소스(15) 및 드레인(16)을 포함하며, 소스(15)와 드레인(16)은 서로 대칭적인 형상을 가지며 각각 식각정지층(14)의 상면 양측에서 양쪽 측면에 걸쳐 접하게 형성되어 있다. 이와 같은 구조에서 광센싱 트랜지스터(10)에 광이 입사할 때, 입사광은 소스(15) 또는 드레인(16), 그리고 식각정지층(14)을 투과하여 채널층(13)에 입사하게 되므로, 광손실이 발생한다. 특히, 발명자는, 입사광의 위치(beam position)에 따라 광전류(photo current)가 달라지는 것을 실험적으로 확인하고 있으며, 즉, 도 2b를 참조하면, 광센싱 트랜지스터(10)는 소스 측으로 입사하는 광에 더 민감하게 작용하는 것이 나타난다.
이러한 점을 고려하여, 실시예의 광센싱 트랜지스터(100)는 소스(150)에 인접한 채널층(130)의 영역으로 광이 더 잘 입사될 수 있도록 소스(150)와 식각정지층(140)이 이격되도록 소스(150)를 형성하고 있다.
이하, 광센싱 트랜지스터(100)의 구체적인 재질들을 상세히 살펴보면 다음과 같다.
게이트층(110)은 전기 전도성이 높은 금속 재질, 예를 들어, Pt, Ru, Au, Ag, Mo, Al, W 또는 Cu등의 재료로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(120)은 절연 물질로서, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용할 수 있다. 예를 들어, SiO2 또는 SiO2보다 유전율이 높은 High-K 물질인 HfO2, Al2O3, Si3N4 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 또는 이들 물질로 이루어지는 이중층 막을 사용할 수 있다.
채널층(130)은 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 산화물 반도체로 이루어지는 트랜지스터는 비정질 실리콘 박막트랜지스터(a-Si TFT)의 장점과 다결정 박막트랜지스터(poly-Si TFT)의 장점을 지닐 수 있다는 점에서 각광받는 소자이다. 예를 들어, ZnO계 반도체 소자는 저온 공정으로 제작이 가능하고 비정질 상이기 때문에 대면적화가 용이한 장점을 가진다. 또한, ZnO계 반도체 필름은 고이동도의 물질로서 다결정 실리콘과 같은 매우 양호한 전기적 특성을 갖는다. 채널층(130)은 In, Ga, Zn, Al을 포함하는 산화물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ZnO, InO, SnO, InZnO, ZnSnO, InSnO 등과 같은 산화물 반도체 재료를 사용할 수 있다. 또는 전술한 산화물 반도체 재료에 Hf, Zr, Ti, Ta, Ga, Nb, V, Al, Sn 등의 재료가 하나 이상 추가적으로 혼합된 재료를 사용할 수 있다. 채널층(130)은 하나의 단일 층으로 형성될 수 있지만, 광센싱 트랜지스터(100)의 성능 및 신뢰성을 향상시키기 위하여 다층 구조로 형성될 수도 있다.
식각정지층(140)은 채널층(130)에 접하는 소스(150), 드레인(160)을 형성하기 위해 전도성 물질을 채널층(130) 상에 형성하고 식각하는 식각 공정에서 채널층(130)의 손상을 방지하기 위해, 채널층(130)이 식각에 노출되지 않도록 마련되는 것이다. 식각정지층(140)은, 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 유기절연물 등과 같은 재질로 이루어질 수 있다.
소스(150), 드레인(160)은 전도성 물질로 이루어질 수 있으며, 또한, 채널층(140)에 입사되는 입사광의 손실이 적도록, 투명 전극 재질인 투명 전도성 산화물, 예를 들어, IZO(indium zinc oxide) 또는 ITO(induim tin oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
패시베이션층(170)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물로 이루어질 수 있다.
상술한 구조에서 채널층(130)의 영역 중 소스(150)와 식각정지층(140) 사이의 이격 영역에 대응하는 영역(132)은 다른 영역보다 전도성이 높은 영역이 되며, 소스(150)와 식각정지층(140)이 이격됨에 따라 패시베이션층(170)의 형성시, 패시베이션층(170)과 직접 접하는 채널층(130)의 영역으로 수소 원자(hydrogen atoam)가 주입되기 때문이다. 수소 원자는 전하를 공급하여, 전하가 공급된 부분의 채널층의 전하농도가 높아지며, 이 영역이 고전도성 영역이 된다.
도 3은 다른 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터(200)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예의 광센싱 트랜지스터(200)는 도 1의 광센싱 트랜지스터(100)와 마찬가지로, 서로 비대칭적인 형상으로 소스(250), 드레인(260)이 형성되어 있다. 다만, 소스(250), 드레인(260)이 금속 재질로 형성된 점에서 도 1의 광센싱 트랜지스터(100)와 차이가 있다. 소스(250), 드레인(260)은 예를 들어, Pt, Ru, Au, Ag, Mo, Al, W 또는 Cu등의 재료로 이루어질 수 있다. 소스(250), 드레인(260)을 금속 재질로 형성하는 경우, 투명 전도성 산화물을 사용하는 경우에 비해, 광손실 측면에서는 불리하나, 전기 전도성이 매우 높아 소자의 저항을 줄일 수 있다는 이점이 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터(300)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예의 광센싱 트랜지스터(300)는 소스(350)와 드레인(360)이 모두 식각정지층(140)에 접하지 않고 이격된 형상을 갖는다. 이에 따라, 채널층(130)의 영역 중, 소스(350)와 식각정지층(140)이 이격된 영역에 대응하는 영역(332), 그리고, 드레인(360)과 식각정지층(140)이 이격된 영역에 대응하는 영역(334)이 다른 영역에 비해 전도성이 높은 영역이 된다. 소스(350)와 드레인(360)이 모두 식각정지층(140)에 이격되므로, 채널층(130)이 노출되는 영역이 보다 넓어진 형태이다. 또한, 소스(350)와 드레인(360)을 투명 전도성 산화물로 형성하여, 광손실을 줄이고 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터(400)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예의 광센싱 트랜지스터(400)는 소스(450), 드레인(460)을 금속 재질로 형성한 점에서 도 4의 광센싱 트랜지스터(400)와 차이가 있다.
도 6a 내지 도 6g는 실시예에 따른 광센싱 트랜지스터 제조방법을 설명하는 도면들이다.
먼저, 도 6a를 참조하면, 게이트층(119) 위에 게이트 절연층(120)과, 반도체 물질로 이루어진 채널층(130)을 순차 형성한다.
게이트층(120)은 전기 전도성이 높은 금속 재질, 예를 들어, Pt, Ru, Au, Ag, Mo, Al, W 또는 Cu등의 재료로 이루어질 수 있다.
게이트 절연층(120)은 절연 물질로서, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 사용할 수 있다. 예를 들어, SiO2 또는 SiO2보다 유전율이 높은 High-K 물질인 HfO2, Al2O3, Si3N4 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 또는 이들 물질로 이루어지는 이중층 막을 사용할 수 있다.
채널층(130)은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 채널층(130)은 In, Ga, Zn, Al을 포함하는 산화물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ZnO, InO, SnO, InZnO, ZnSnO, InSnO 등과 같은 산화물 반도체 재료를 사용할 수 있다. 또는 전술한 산화물 반도체 재료에 Hf, Zr, Ti, Ta, Ga, Nb, V, Al, Sn 등의 재료가 하나 이상 추가적으로 혼합된 재료를 사용할 수 있다. 채널층(130)은 하나의 단일 층으로 형성되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이고, 다층 구조로 형성될 수도 있다.
다음, 도 6b와 같이, 채널층(130) 위의 일부 영역 상에 식각정지층(140)을 형성한다. 식각정지층(140)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 유기절연물 등과 같은 재질로 형성될 있다.
다음, 도 6c와 같이, 채널층(130)과 식각정지층(140)을 전체적으로 덮는 전도성 물질층(CM)을 형성한다.
전도성 물질층(CM)은 투명 전도성 산화물 또는 금속 물질로 형성될 수 있다.
다음, 도 6d와 같이, 전도성 물질층(CM)을 식각하여, 소스(150,250), 드레인(160,260)을 형성한다. 즉, 전도성 물질층(CM)의 일부 영역을 식각정지층(140)이 드러나도록 식각하여, 전도성 물질층(CM)을 소스(150,250) 및 드레인(160, 260)으로 분리하며, 이 때, 소스(150,250)가 식각정지층(140)과 이격된 형태로 형성되도록 한다.
다음, 도 6e와 같이, 소스(150,250), 드레인(160,260) 및 식각정지층(140)을 전체적으로 덮는 패시베이션층(170)을 형성한다.
도 1 및 도 3에서 설명한 바와 같은 구조의 광센싱 트랜지스터(100)(200)가 제조된다.
한편, 도 6d의 식각 단계는 소스(350,450), 드레인(360,460)이 모두 식각정지층(140)과 이격되게 하는 도 6f의 단계로 변형될 수 있으며, 이에 따라, 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 같은 구조의 광센싱 트랜지스터(300)(400)가 제조된다.
도 7은 실시예에 따른 광터치 디스플레이 패널(500)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
광터치 디스플레이 패널(500)은 화상 정보에 따라 온/오프 제어되는 디스플레이 셀(560)과 입사광을 감지하는 광센싱 트랜지스터(100, 200)를 구비하는 다수의 화소를 포함하며, 도면에서는 하나의 화소만을 도시하고 있다.
광터치 디스플레이 패널(500)의 보다 상세한 구조를 살펴보면 다음과 같다.
광터치 디스플레이 패널(500)은 서로 마주하여 배치된 투명한 배면 기판(510)과 투명한 전면 기판(570), 배면 기판(510)과 전면 기판(570) 사이의 디스플레이 셀(560)을 포함한다.
디스플레이 셀(260)은 액정물질로 이루어진 액정셀일 수 있다.
디스플레이 셀(260)의 하부 및 상부에는 각각 액정의 계면 특성 및 배향 특성을 향상시키기 위하여 제1배향막(542), 제2배향막548)이 형성될 수 있다. 또한, 배면 기판(510)의 하면에는 제1편광판(582)이, 전면 기판(570)의 상면에는 제2 편광판(584)이 배치될 수 있다.
한편, 전면 기판(570)의 하면에는 순차적으로, 컬러 필터(552), 패시베이션층(539), 및 투명전극층(536)이 형성되어 있다.
배면 기판(510)의 상면에는 도 1 및 도 3에서 설명한 것과 같은 구조의 광센싱 트랜지스터(100, 200)가 마련된다. 드레인(150,160)은 패시베이션 층(170)을 관통하여 투명전극층(533)과 연결된다.
또한, 도시되지는 않았으나, 배면 기판(510)의 상면에는 디스플레이 셀(260)의 온/오프를 제어하기 위한 구동 트랜지스터가 형성될 수 있으며, 구동 트랜지스터는 광센싱 트랜지스터(100, 200)와 동일한 구조, 또는 비교예의 광센싱 트랜지스터(10)와 동일한 구조를 가질 수 있다.
광터치 디스플레이 패널(500)은 채널층(130)이 입사광에 대해 노출되는 영역을 가능한 크게 한 구조의 광센싱 트랜지스터(100, 200)를 채용하여, 광센싱 효율이 높다. 더욱이, 액정셀로 이루어진 디스플레이 셀(560)을 채용하는 실시예의 경우, 제1편광판(582), 제2편광판(584)이 필수적으로 구비되는데, 전면에서 입사되는 광이 제2편광판(584)에서 입사광의 많은 부분이 손실되는 것을 감안할 때, 광효율이 높은 구조의 광센싱 트랜지스터(100)(200)를 구비하는 것이 중요하다.
도 8은 다른 실시예에 따른 디스플레이 패널(600)의 개략적인 구조를 보이는 단면도이다.
본 실시예의 광터치 디스플레이 패널(600)은 광센싱 트랜지스터(300, 400)로서 도 4 및 도 5에서 설명한 구조가 채용되는 점에서 도 7의 디스플레이 패널(500)과 차이가 있다.
이러한 본원 발명인 광센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 광센싱 트랜지스터를 채용한 디스플레이 패널은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
100, 200, 300, 400...광센싱 트랜지스터 500,600...디스플레이 패널
110...게이트층 120...게이트 절연층
130...채널층 140...식각정지층
150, 250...소스 160,260...드레인
170, 539...패시베이션 층 510...배면기판
533, 536...투명전극층 542...제1배향막
548...제2배향막 552...컬러필터
570...전면기판 582...제1편광판
584...제2편광판

Claims (19)

  1. 게이트층;
    상기 게이트층 위에 형성된 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 위에 형성되고, 반도체 물질로 이루어진 채널층;
    상기 채널층 위의 일부 영역 상에 형성된 식각정지층;
    상기 채널층 위에 상기 식각정지층을 사이에 두고 이격 형성된 소스 및 드레인;
    상기 소스, 상기 드레인 및 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 패시베이션층;을 포함하며,
    상기 소스는 상기 식각정지층과 이격되게 형성된 광센싱 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 채널층의 영역 중,
    상기 소스와 상기 식각정지층 사이의 이격 영역에 대응하는 영역은 다른 영역보다 전도성이 높은 광센싱 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소스 및 상기 드레인은 투명 전극 물질로 이루어진 광센싱 트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 소스 및 상기 드레인은 금속 물질로 이루어진 광센싱 트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 드레인은 상기 식각정지층과 이격되게 형성된 광센싱 트랜지스터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 채널층의 영역 중,
    상기 드레인과 상기 식각정지층 사이의 이격 영역에 대응하는 영역은 다른 영역보다 전도성이 높은 광센싱 트랜지스터.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 소스 및 상기 드레인은 투명 전극 물질로 이루어진 광센싱 트랜지스터.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 소스 및 상기 드레인은 금속 물질로 이루어진 광센싱 트랜지스터.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널층은 In, Ga, Zn 또는 Al을 포함하는 산화물로 이루어진 광센싱 트랜지스터.
  10. 게이트층 위에 게이트 절연층과, 반도체 물질로 이루어진 채널층을 순차 형성하는 단계;
    상기 채널층 위의 일부 영역 상에 식각정지층을 형성하는 단계;
    상기 채널층과 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 전도성 물질층을 형성하는 단계;
    상기 전도성 물질층이 소스 및 드레인으로 분리되고 상기 소스가 상기 식각정지층과 이격된 형태로 형성되도록, 상기 전도성 물질층의 일부 영역을 상기 식각정지층이 드러나도록 식각하는 단계;
    상기 소스, 상기 드레인 및 상기 식각정지층을 전체적으로 덮는 패시베이션층을 형성하는 단계;를 포함하는 광센싱 트랜지스터 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 전도성 물질층을 투명 전극 물질로 형성하는 광센싱 트랜지스터 제조방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 전도성 물질층을 금속 물질로 형성하는 광센싱 트랜지스터 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 전도성 물질층의 일부 영역을 식각하는 단계에서,
    상기 드레인이 상기 식각정지층과 이격되게 형성되도록 하는 광센싱 트랜지스터 제조방법.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 채널층을 In, Ga, Zn 또는 Al을 포함하는 산화물로 형성하는 광센싱 트랜지스터 제조방법.
  15. 화상 정보에 따라 온/오프 제어되는 디스플레이 셀;
    입사광을 감지하는 것으로, 제1항의 광센싱 트랜지스터;를 포함하는 광터치 디스플레이 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 드레인은 상기 식각정지층과 이격되게 마련된 광터치 디스플레이 패널.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 소스 및 상기 드레인은 투명 전극 물질로 이루어진 광터치 디스플레이 패널.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 소스 및 상기 드레인은 금속 물질로 이루어진 광터치 디스플레이 패널.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 디스플레이 셀은 액정 물질을 포함하는 광터치 디스플레이 패널.
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