JPS6179267A - 光感応素子 - Google Patents

光感応素子

Info

Publication number
JPS6179267A
JPS6179267A JP59200885A JP20088584A JPS6179267A JP S6179267 A JPS6179267 A JP S6179267A JP 59200885 A JP59200885 A JP 59200885A JP 20088584 A JP20088584 A JP 20088584A JP S6179267 A JPS6179267 A JP S6179267A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drain
source
electrode
gate
photosensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59200885A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH051633B2 (ja
Inventor
Masahiko Oota
昌彦 太田
Masafumi Shinpo
新保　雅文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP59200885A priority Critical patent/JPS6179267A/ja
Publication of JPS6179267A publication Critical patent/JPS6179267A/ja
Publication of JPH051633B2 publication Critical patent/JPH051633B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
    • H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イメージセンサなど光感応素子の選択トラ
ンジスタとの一体化に関する。
〔従来の技術〕
従来、第２図に示すように光センサ一部と素子選択トラ
ンジスタを同基板上に作成する場合、光センサ一部は透
明導電層５とそれとショットキー接合で接触しているキ
ャリア発生層８と対向電極７によって構成されており、
選択トランジスタ部は同様にゲート電極１とゲート絶縁
膜２及びチャンネル領域８と遮光性絶縁膜６と電極金属
４から構成されている１以上の様な構造で光センサ一部
と選択トランジスタ部を別領域に設け、金属電極におい
て両者を接続する方法が一般的に用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、従来の選択トランジスタオンチップ化光感応素
子（たとえばイメージセンサ）では主要領域が２つに別
れているため集積化が困難で下面績を必要とし、かつセ
ンサ一部と選択トランジスタをつなぐ配線間のクロスト
ークなどによって検出信号にノイズが載る可能性があっ
た。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を解決する
ため、新たな工程及び手間を追加することなく、より少
ない面積の中に互いの信号同志影響を与えることのない
選択トランジスタ一体化光感応素子を作り込むことを目
的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、この発明は、選択トラン
ジスタのソースかドレインの少なくともどちらか一方の
取り出し部に光センサ部を作り込んだ構成とし、小型化
を図った。
〔作用〕
上記の様に構成された選択トランジスタ一体化光感応素
子は選択トランジスタ領域の一部を光センサ部として用
いているために、選択トランジスタ部と光センサ部を配
線する必要が省け、結果小型化が可能となり接続配線間
のクロストーク等も防ぐことができる。
〔実施例〕
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図において、基板上に設けられたゲート領域１の上
にゲート絶縁膜２を堆積させさらにチャンネル領域８を
選択的に形成した後、遮光性絶縁膜を堆積させ、ソース
・ドレインに相当する箇所を穴あけする、８の後片方に
は金属電極４をオーミック接触させ他方には透明電極（
例えば工Ｔ　Ｏ，）　５をショットキー接合にて選択的
に形成する。この際ソース・ドレインの少なくともいず
れか一方光センサとして駆動させる側には透明電極５を
形成し、かつゲート１に対して前記透明電極５が平面的
に重さならないように、いわゆるオフセットゲートとな
る様に注意する。
この様に選択トランジスタのソース・ドレインの少なく
とも一方のチャンネル領域と透明電極を使ってショット
キーダイオード型光センサーを作り込むことができる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したように、選択トランジスタのソ
ース・ドレイン少なくとも一方の取り出し部を光センサ
として使用するため、基本的構造を変えずに小型化、微
細化、耐ノイズ性を高める効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明にかかる選択トランジスタ一体化光
感応菓子の縦断面図、第２図は、従来の光感応系子の縦
断面図である。 １・１ゲート ２・・響ゲート絶縁膜 ８・・・チャンネル領域 ５・・・透明電極 以　　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　薄膜技術を用いて作成するスイッチングトランジスタ
    において、該スイッチングトランジスタの少なくともソ
    ース・ドレインのどちらか一方がオフセットゲートで、
    かつそのオフセット部を光センサとして使用することを
    特徴とする光感応素子。
JP59200885A 1984-09-26 1984-09-26 光感応素子 Granted JPS6179267A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59200885A JPS6179267A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 光感応素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59200885A JPS6179267A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 光感応素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6179267A true JPS6179267A (ja) 1986-04-22
JPH051633B2 JPH051633B2 (ja) 1993-01-08

Family

ID=16431859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59200885A Granted JPS6179267A (ja) 1984-09-26 1984-09-26 光感応素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6179267A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130104290A (ko) * 2012-03-13 2013-09-25 삼성전자주식회사 광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130104290A (ko) * 2012-03-13 2013-09-25 삼성전자주식회사 광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널
EP2639838A3 (en) * 2012-03-13 2015-07-29 Samsung Electronics Co., Ltd Photosensing transistor for optical touch screen device and method of manufacturing the photosensing transistor

Also Published As

Publication number Publication date
JPH051633B2 (ja) 1993-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4432007A (en) Ultrasonic transducer fabricated as an integral part of a monolithic integrated circuit
JPS5870155A (ja) イオンに応答する半導体装置
US5065202A (en) Amorphous silicon thin film transistor array substrate and method for producing the same
EP0820096A3 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
KR880001179A (ko) 박막트랜지스터 배열기판의 제조방법
KR900002110A (ko) 액티브 매트릭스 패널의 제조 방법
KR980006265A (ko) 액티브매트릭스기탄 및 그 제조방법
DE10207147A1 (de) Kapazitiver Feuchtigkeitssensor und dessen Herstellungsverfahren
KR920015623A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
EP0191587A1 (en) Charge transfer devices
KR940012640A (ko) 과잉 소거를 보정하는 불휘발성 메모리 소자
JPS6179267A (ja) 光感応素子
KR830008400A (ko) 고체촬상 장치
KR910003755A (ko) 박막 트랜지스터를 이용한 메모리소자 및 메모리 회로
JPH079972B2 (ja) 半導体装置
JPS6331161A (ja) 光電変換装置
KR920017256A (ko) 반도체 집적회로의 제조방법
KR850005734A (ko) 반도체 기억장치
JPH0384963A (ja) 薄膜トランジスタ
JPH03164716A (ja) 反射型液晶画像表示装置
KR940022873A (ko) 박막트랜지스터 어레이 배선 제조방법
KR960032585A (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
JPS6431471A (en) Semiconductor device
JPH055181B2 (ja)
JP2956080B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法