KR20130098883A - 수지 조성물 및 이것을 사용한 프리프레그 및 적층판 - Google Patents

수지 조성물 및 이것을 사용한 프리프레그 및 적층판 Download PDF

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Abstract

우수한 내열성, 열전도성 및 흡수성을 갖는 수지 조성물을 제공한다. 본 발명에 의한 수지 조성물은 하기 식 (I) 로 나타내는 시안산에스테르 수지 (A) 와, 에폭시 수지 (B) 와, 무기 충전재 (C) 를 포함하여 이루어지고, 상기 시안산에스테르 수지 (A) 및 상기 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여 상기 무기 충전재 (C) 가 301 ∼ 700 질량부 포함되어 이루어지는 것이다.
[화학식 1]
Figure pct00005

(식 중, R 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타낸다)

Description

수지 조성물 및 이것을 사용한 프리프레그 및 적층판 {RESIN COMPOSITION, AND PREPREG AND LAMINATED SHEET USING SAME}
본 발명은 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프린트 배선판용 프리프레그에 사용되는 수지 조성물, 그 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포한 프리프레그 및 그 프리프레그를 경화시켜서 얻어지는 적층판에 관한 것이다.
최근, 전자기기나 통신기, 퍼스널 컴퓨터 등에 널리 사용되고 있는 반도체의 고집적화·고기능화·고밀도 실장화가 더욱 가속되고 있고, 그에 수반하여 프린트 배선판에 사용되는 금속박 피복 적층판에는 내열성이나 저흡수성 등의 특성이 우수한 적층판이 요구되고 있다. 종래, 프린트 배선판용 적층판으로는 에폭시 수지를 디시안디아미드로 경화시키는 FR-4 타입의 적층판이 널리 사용되고 있었다. 그러나, 이 타입의 적층판에서는 높은 내열성화의 요구에 대응하기에는 한계가 있었다.
내열성이 우수한 프린트 배선판용 수지로서 시안산에스테르 수지가 알려져 있다. 최근, 반도체 플라스틱 패키지용 등의 고기능성 프린트 배선판용의 수지 조성물로서, 예를 들어 비스페놀 A 형 시안산에스테르 수지와 다른 열경화성 수지나 열가소성 수지를 혼합한 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다. 이 비스페놀 A 형 시안산에스테르 수지는 전기 특성, 기계 특성, 내약품성, 접착성 등이 우수한 특성을 갖고 있지만, 가혹한 조건하에서 흡수성이나 흡습 내열성이 불충분해지는 경우가 있었다. 그 때문에, 추가적인 특성의 향상을 목표로 하여, 다른 구조를 갖는 시안산에스테르 수지의 개발이 진행되고 있다.
또, 반도체의 고집적화·고기능화·고밀도 실장화에 수반하여 프린트 배선판의 고방열성이 중시되도록 되어 있다. 그 때문에, 고내열, 저흡수성, 또한 고열전도성을 갖는 적층판이 희구되고 있다. 이와 같은 적층판용의 수지 조성물로서 고내열, 또한 저흡수성을 갖는 수지 조성물이 제안되어 있다 (특허문헌 1). 그러나, 이 수지 조성물은 열전도성이 불충분하였다.
또, 무기 충전재를 첨가하여 열전도성을 높인 수지 조성물도 제안되어 있다 (특허문헌 2). 그러나, 무기 충전재를 첨가하면 수지 조성물의 흡수율이 높아져, 고열전도율과 저흡수성을 양립시키는 것이 곤란하였다.
일본 공개특허공보 2007-45984호 일본 공개특허공보 평7-202364호
본 발명자들은 금번, 특정 시안산에스테르 수지 및 에폭시 수지에 특정량의 무기 충전재를 배합함으로써, 우수한 내열성, 열전도성 및 흡수성을 갖는 수지 조성물이 얻을 수 있다는 지견을 얻었다. 본 발명은 이러한 지견에 의한 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 우수한 내열성, 열전도성 및 흡수성을 갖는 수지 조성물을 제공하는 것이다.
또, 본 발명의 다른 목적은 상기 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포하여 이루어지는 프리프레그 및 그 프리프레그를 경화하여 얻어지는 적층판을 제공하는 것이다.
본 발명에 의한 수지 조성물은 하기 식 (I) 로 나타내는 시안산에스테르 수지 (A) 와, 에폭시 수지 (B) 와, 무기 충전재 (C) 를 포함하여 이루어지고,
상기 무기 충전재 (C) 가 상기 시안산에스테르 수지 (A) 및 상기 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 301 ∼ 700 질량부 포함되어 이루어지는 것이다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, R 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타낸다)
본 발명에 의한 수지 조성물은 상기 식 (I) 로 나타내는 시안산에스테르 수지를 포함하기 때문에, 그 분자 구조에서 기인하여 반응 저해 요인이 저감되므로 경화성이 우수하고, 또 본 발명에 의한 수지 조성물을 사용한 적층판이나 금속박 피복 적층판은 우수한 내열성, 열전도성 및 흡수성을 갖는 점에서 고밀도화 대응의 프린트 배선판 재료로 바람직하며, 공업적인 실용성은 매우 높다.
본 발명에 의한 수지 조성물은 상기 식 (I) 로 나타내는 시안산에스테르 수지 (A) 와, 에폭시 수지 (B) 와, 무기 충전재 (C) 를 필수 성분으로서 포함한다. 이하, 본 발명에 의한 수지 조성물을 구성하는 각 성분에 대하여 설명한다.
＜시안산에스테르 수지 (A)＞
본 발명에 있어서 사용되는 시안산에스테르 수지 (A) 는 상기 식 (I) 로 나타내는 폴리머 또는 프레폴리머이다. 이와 같은 시안산에스테르 수지 (A) 는 α-나프톨이나 β-나프톨 등의 나프톨류와 p-자일렌글리콜, α,α'-디메톡시-p-자일렌, 1,4-디(2-하이드록시-2-프로필)벤젠 등의 축합제와의 반응에 의해 얻어지는 나프톨아르알킬 수지를 시안산과 축중합시켜 얻어지는 것으로, 그 제법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 하기 식 (II) 로 나타내는 나프톨아르알킬 수지와 할로겐화시안을 불활성 유기 용매 중, 염기성 화합물의 존재하에서 반응시킴으로써, 상기 시안산에스테르 수지 (A) 를 제조할 수 있다. 또, 물을 함유하는 용액 중에서 상기 나프톨아르알킬 수지와 염기성 화합물로부터 염을 형성하고, 이어서 이 염과 할로겐화시안의 2 상계 계면 반응을 실시함으로써, 시안산에스테르 수지 (A) 를 제조할 수도 있다.
[화학식 2]
Figure pct00002
(식 중, R 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타낸다)
상기 식 (I) 에 있어서, 치환기 R 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내는데, 특히 치환기 R 이 수소인 α-나프톨아르알킬형의 시안산에스테르 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 상기 식 (I) 에 있어서, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타내는데, n 이 상이한 복수의 시안산에스테르 수지 (A) 를 1 종 혹은 2 종 이상을 적절히 혼합하여 사용해도 된다.
상기 시안산에스테르 수지 (A) 는 내열성, 용제 용해성 및 경화성의 관점에서 시안산에스테르 수지 (A) 및 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여 10 ∼ 90 질량부 포함되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70 질량부이다.
＜에폭시 수지 (B)＞
본 발명에 있어서 사용되는 에폭시 수지 (B) 는 1 분자 중에 2 개 이상의 에폭시 기를 갖는 화합물이면 특별히 제한없이, 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 브롬화 페놀노볼락형 에폭시 수지, 3 관능 페놀형 에폭시 수지, 4 관능 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 폴리올형 에폭시 수지, 인 함유 에폭시 수지, 글리시딜아민, 글리시딜에스테르, 부타디엔 등의 2 중 결합을 에폭시화한 화합물, 수산기 함유 실리콘 수지류와 에피클로르하이드린의 반응에 의해 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 브롬화 페놀노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 (B) 는 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다. 또, 상기한 에폭시 수지 (B) 는 모노머, 올리고머 및 수지 중 어떤 형태여도 된다.
에폭시 수지 (B) 는 내열성, 열전도성 및 흡수성의 관점에서 시안산에스테르 수지 (A) 및 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여 10 ∼ 90 질량부 포함되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 ∼ 70 질량부이다.
＜무기 충전재 (C)＞
본 발명에서 사용되는 무기 충전재 (C) 는 전기 배선판용의 수지 조성물에 통상적으로 사용되는 무기 충전재이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 천연 실리카, 용융 실리카, 아모르퍼스 실리카, 중공 실리카 등의 실리카류, 수산화알루미늄, 수산화알루미늄 가열 처리품 (수산화알루미늄을 가열 처리하여 결정수의 일부를 줄인 것), 베마이트, 수산화마그네슘 등의 금속 수화물, 산화몰리브덴, 몰리브덴산아연 등의 몰리브덴 화합물, 붕산아연, 주석산아연, 산화알루미늄, 클레이, 카올린, 질화붕소, 산화마그네슘, 질화알루미늄, 질화규소, 탄산마그네슘, 탤크, 소성 클레이, 소성 카올린, 소성 탤크, 마이카, 유리 단섬유 (E 유리나 D 유리 등의 유리 미분말류), 중공 유리 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 열전도율의 관점에서 수산화알루미늄, 수산화알루미늄 가열 처리품 (수산화알루미늄을 가열 처리하여, 결정수의 일부를 줄인 것), 베마이트, 수산화마그네슘 등의 금속 수화물, 붕산아연, 산화알루미늄, 질화붕소, 산화마그네슘, 질화알루미늄, 질화규소, 탄산마그네슘 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 무기 충전재는 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다.
무기 충전재 (C) 는 분산성의 관점에서 평균 입자 직경 (D 50) 이 0.1 ∼ 20 ㎛ 인 것이 바람직하다. 또한, D 50 이란 메디안 직경을 의미하며, 측정한 분체의 입도 분포를 2 개로 나누었을 때의 큰 측과 작은 측이 등량이 되는 직경이다. 무기 충전재의 D 50 값은 일반적으로는 습식 레이저 회절·산란법에 의해 측정된다. 또, 본 발명에 있어서는, 입도 분포나 평균 입자 직경이 상이한 무기 충전재를 2 종 이상 적절히 조합하여 사용해도 된다.
본 발명에 의한 수지 조성물은 무기 충전재 (C) 가 상기 시안산에스테르 수지 (A) 및 상기 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 301 ∼ 700 질량부 포함된다. 상기한 시안산에스테르 (A) 및 에폭시 수지 (B) 에 이와 같은 배합량으로 무기 충전재 (C) 를 첨가함으로써, 열전도율이 비약적으로 향상됨과 함께, 수지 조성물의 유동성이 향상되기 때문에 프리프레그 성형시의 보이드 등의 성형 불량을 저감시킬 수 있다. 보다 바람직한 범위는 351 ∼ 700 질량부이다.
무기 충전재 (D) 는 단독으로 수지 조성물에 첨가되어도 되지만, 실란 커플링제나 습윤 분산제와 병용하여 첨가되어도 된다. 실란커플링제로는 일반적으로 무기물의 표면 처리에 사용되고 있는 실란커플링제이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란계, γ-메타아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 비닐실란계, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란 염산염 등의 카티오닉실란계, 페닐실란계 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, 상기한 실란커플링제는 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다.
습윤 분산제로는 도료용으로 일반적으로 사용되고 있는 분산 안정제이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이들 분산 안정제는 시판되는 것을 사용해도 되고, 예를 들어 빅케미·재팬 (주) 제조의 Disperbyk-110, 111, 180, 161, BYK-W996, W9010, W903 등을 바람직하게 사용할 수 있다.
＜말레이미드 화합물 (D)＞
발명에 의한 수지 조성물은 추가로 말레이미드 화합물 (D) 를 포함하고 있어도 된다. 말레이미드 화합물 (D) 로는, 1 분자 중에 1 개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 트리스(4-말레이미드페닐)메탄 등을 들 수 있다. 이들 말레이미드 화합물은 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다. 또, 모노머의 형태만이 아니라, 프레폴리머의 형태여도 되고, 또 비스말레이미드 화합물과 아민 화합물의 프레폴리머의 형태여도 된다. 이들 중에서도, 내열성의 관점에서 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄을 바람직하게 사용할 수 있다.
말레이미드 화합물 (D) 는 내열성 및 흡수성의 관점에서 시안산에스테르 수지 (A) 및 말레이미드 화합물 (D) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 5 ∼ 75 질량부 포함되어 있는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 ∼ 70 질량부이다.
＜그 밖의 성분＞
본 발명에 의한 수지 조성물은 상기한 성분 이외에도 필요에 따라 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 예를 들어, 경화 속도를 적절히 조절하기 위하여 경화 촉진제가 포함되어 있어도 된다. 경화 촉진제로는, 시안산에스테르 수지 (A) 나 에폭시 수지 (B) 의 경화 촉진제로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 구리, 아연, 코발트, 니켈 등의 유기 금속염류, 이미다졸류 및 그 유도체, 제 3 급 아민 등을 들 수 있다. 또, 상기한 경화 촉진제는 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다. 경화 촉진제의 첨가량은 수지의 경화도나 수지 조성물의 점도 등의 관점에서 적절히 조정할 수 있고, 통상적으로는 수지의 총량 100 질량부에 대하여, 0.01 ∼ 15 질량부 정도이다.
또, 본 발명에 의한 수지 조성물은 소기의 특성이 저해되지 않는 범위에 있어서 다른 열경화성 수지, 열가소성 수지 및 그 올리고머나 엘라스토머류 등의 여러 가지의 고분자 화합물, 다른 난연성의 화합물, 첨가제 등이 첨가되어 있어도 된다. 이들은 일반적으로 사용되고 있는 것이면, 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 난연성의 화합물로는 인산에스테르, 인산멜라민 등의 인 화합물, 멜라민이나 벤조구아나민 등의 질소 함유 화합물, 옥사진 고리 함유 화합물, 실리콘계 화합물 등을 들 수 있다. 첨가제로는 자외선 흡수제, 산화 방지제, 광중합 개시제, 형광 증백제, 광증감제, 염료, 안료, 증점제, 활제, 소포제, 분산제, 레벨링제, 광택제, 중합 금지제 등을 들 수 있고, 필요에 따라 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다.
본 발명에 의한 수지 조성물은 필요에 따라 유기 용제를 포함하고 있어도 된다. 유기 용제는 수지 조성물의 점도를 낮추고 핸들링성을 향상시킴과 함께, 유리 크로스와의 함침성을 높이기 위해서 사용된다. 유기 용제로는 시안산에스테르 수지 (A) 및 에폭시 수지 (B) 의 혼합물이 상용되는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 벤젠, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소류, 디메틸포름아미드나 디메틸아세트아미드 등의 아미드류 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, 이들 유기 용제는 단독으로 또는 2 종 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다.
＜수지 조성물의 제조 방법＞
본 발명에 의한 수지 조성물은 상기한 시안산에스테르 수지 (A), 에폭시 수지 (B) 및 무기 충전재 (C) 를 혼합함으로써 얻을 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 시안산에스테르 수지 (A) 와 에폭시 수지 (B) 를 소정의 농도로 상기한 유기 용제에 용해시키고, 그 용액에 무기 충전재 (C) 를 첨가하여 디졸버나 호모 믹서로 30 ∼ 120 분간 교반함으로써, 수지 조성물을 제조할 수 있다.
＜프리프레그 및 적층판＞
본 발명에 의한 프리프레그는 상기한 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포한 것이다. 기재로는 각종 프린트 배선판 재료에 사용되고 있는 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, E 유리, D 유리, S 유리, NE 유리, 쿼츠 등의 무기 섬유, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리파라페닐렌벤조비스옥사졸 등의 유기 섬유를 들 수 있고, 사용 용도나 성능에 따라 적절히 선택할 수 있다. 또, 이들 기재는 필요에 따라 단독 또는 2 종류 이상을 적절히 조합하여 사용해도 된다.
기재의 형태로는 수지 조성물을 함침 또는 도포할 수 있는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 직포, 부직포, 로빙, 촙트 스트랜드 매트, 서페이싱 매트 등을 들 수 있다. 또, 기재의 두께는 통상적으로는 0.01 ∼ 0.30 ㎜ 정도이지만 이 범위로 한정되는 것은 아니다.
상기한 기재는 수지와의 밀착성이나 흡습 내열성의 관점에서 표면 처리가 실시되어 있어도 되고, 예를 들어 기재의 표면을 실란커플링제 등으로 표면 처리할 수 있다. 또, 기재로서 직포를 사용하는 경우, 직포를 물리적으로 개섬 (開纖) 해 두어도 된다.
또, 본 발명에 있어서는 박물 용도로 사용하는 기재로서 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르 등의 필름을 사용할 수도 있다. 이들 필름의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 0.002 ∼ 0.05 ㎜ 정도가 바람직하다. 또, 기재로서 필름을 사용하는 경우, 수지와의 밀착성의 관점에서 기재를 플라즈마 처리 등으로 표면 처리하여 두는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 프리프레그는 상기한 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포함으로써 제조할 수 있다. 예를 들어, 상기한 수지 조성물과 유기 용제로 이루어지는 수지 바니시를 기재에 함침 또는 도포시킨 후, 100 ∼ 200 ℃ 의 건조기 중에서 1 ∼ 60 분 가열시켜 수지를 반경화시킴으로써 제조한다. 기재에 대한 수지 조성물 (무기 충전재를 포함한다) 의 함유량은 프리프레그 전체에 대하여, 40 ∼ 95 질량％ 의 범위인 것이 바람직하다.
상기한 프리프레그를 적층하고, 성형 (경화) 시킴으로써 적층판을 형성할 수 있다. 적층판은 상기한 프리프레그를 1 장 또는 2 장 이상을 중첩하고, 원하는 바에 따라 그 편면 또는 양면에 구리나 알루미늄 등의 금속박을 배치하여 적층하고 성형 (경화) 함으로써 제조한다. 사용하는 금속박으로는 프린트 배선판 재료에 사용되는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 또, 적층 성형에는 통상적인 프린트 배선판용 적층판 및 다층판의 수법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 적층 성형의 조건으로는 다단 프레스, 다단 진공 프레스, 연속 성형, 오토클레이브 성형기나 진공 라미네이터 등을 사용하고, 온도는 100 ∼ 300 ℃, 압력은 2 ∼ 100 kgf/㎠, 가열 시간은 0.05 ∼ 5 시간의 범위가 일반적이다. 또, 본 발명에 있어서는 상기한 프리프레그와 별도 준비한 내층용의 배선판을 조합하여 적층 성형함으로써, 다층판으로 할 수도 있다.
실시예
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 상세하게 설명하지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
α- 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지의 합성
상기 식 (II) 로 나타내는 α-나프톨아르알킬 수지 (SN495V, OH 기 당량：236 g/eq., 신닛테츠 화학 제조：n 은 1 ∼ 5 인 것이 포함된다) 0.47 몰 (OH 기 환산) 을 클로로포름 500 ㎖ 에 용해시키고, 이 용액에 트리에틸아민 0.7 몰을 첨가하고, 이것에 0.93 몰의 염화시안의 클로로포름 용액 300 g 을 -10 ℃ 에서 1.5 시간에 걸쳐 적하시키고, 30 분 교반한 후 추가로 0.1 몰의 트리에틸아민과 클로로포름 30 g 의 혼합 용액을 적하시키고, 30 분 교반하여 반응을 완결시켰다. 생성되는 트리에틸아민의 염산염을 여과 분리한 후, 얻어진 여과액을 0.1 N 염산 500 ㎖ 에서 세정한 후, 물 500 ㎖ 로의 세정을 4 회 반복하였다. 이것을 황산나트륨에 의해 건조시킨 후, 75 ℃ 에서 이배퍼레이터하고, 추가로 90 ℃ 에서 감압 탈기함으로써, 갈색 고형의 상기 식 (I) 로 나타내는 α-나프톨아르알킬형의 시안산에스테르 수지를 얻었다. 얻어진 시안산에스테르 수지를 적외 흡수 스펙트럼에 의해 분석한 결과, 2264 ㎝-1 부근에 시안산에스테르기의 흡수를 확인하였다.
실시예 1
상기에서 얻어진 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 50 질량부와, 비페닐 아르알킬형 에폭시 수지 (NC-3000FH, 닛폰 화약 제조) 50 질량부와, 실란커플링제 (Z6040, 토레이 다우코닝 제조) 3 질량부와, 습윤 분산제 (BYK-W903, 빅케미 재팬 제조) 5 질량부를 혼합하여, 메틸에틸케톤에 용해시키고, 산화알루미늄 (DAW-03, 덴키 화학 공업 제조) 490 질량부 및 옥틸산망간 0.1 질량부를 혼합하여 바니시를 조제하였다. 얻어진 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 두께 0.05 ㎜ 의 E 유리 크로스에 함침 도공하여, 160 ℃ 에서 7 분간 가열 건조시킴으로써, 수지 함유량 82 질량％ 의 프리프레그를 얻었다.
상기와 같이 하여 얻어진 프리프레그를 8 장 겹치고, 그 상하에 12 ㎛ 두께인 전해 구리박 (3EC-III, 미츠이 금속 광업 (주) 제조) 을 배치하여, 압력 30 kgf/㎠, 온도 220 ℃ 에서 120 분간의 적층 성형을 실시함으로써, 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
실시예 2
실시예 1 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 40 질량부와, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄 (BMI-70, 케이아이 화성 제조) 20 질량부와, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지 (NC-3000FH) 40 질량부와, 실란커플링제 (Z6040) 5 질량부와, 습윤 분산제 (BYK-W903) 3 질량부를 혼합하여, 메틸에틸케톤에 용해시키고, 산화알루미늄 (DAW-03, 덴키 화학 공업 제조) 400 질량부, 질화붕소 (HP-4W, 미즈시마 합금철 제조) 50 질량부, 2,4,5-트리페닐이미다졸 (토쿄 화성 제조) 1 부 및 옥틸산망간 0.05 질량부를 혼합하여 바니시를 조제하였다. 얻어진 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 두께 0.05 ㎜ 의 E 유리 크로스에 함침 도공하여, 160 ℃ 에서 8 분간 가열 건조시킴으로써, 수지 함유량 81 질량％ 의 프리프레그를 얻었다. 이어서, 얻어진 프리프레그를 사용하여 실시예 1 과 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
실시예 3
실시예 1 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 35 질량부와, 비스말레이미드트리아진 레진 BT2670 (미츠비시 가스 화학 제조) 5 질량부와, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄 20 질량부와, 비페닐아르알킬형에폭시 수지 (NC-3000FH) 40 질량부와, 실란커플링제 (Z6040) 2 질량부와, 습윤 분산제 (BYK-W903) 5 질량부를 혼합하여, 메틸에틸케톤에 용해시키고, 베마이트 (BN100, 카와이 석회 제조) 310 질량부, 2,4,5-트리페닐이미다졸 (토쿄 화성 제조) 1 질량부 및 옥틸산망간 0.05 질량부를 혼합하여 바니시를 조제하였다. 얻어진 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 두께 0.05 ㎜ 의 E 유리 크로스에 함침 도공하여, 160 ℃ 에서 7 분간 가열 건조시킴으로써, 수지 함유량 79 질량％ 의 프리프레그를 얻었다. 이어서, 얻어진 프리프레그를 사용하여 실시예 1 과 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
실시예 4
실시예 1 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 60 질량부와, 페놀노볼락형 에폭시 수지 (N770, DIC 제조) 20 질량부와, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지 (ESN-475V, 신닛테츠 화학 제조) 20 질량부와, 습윤 분산제 (BYK-W903) 3 질량부를 혼합하여, 메틸에틸케톤에 용해시키고, 산화마그네슘 (PSF-WZ, 코우노시마 화학 공업 제조) 330 질량부 및 옥틸산망간 0.1 질량부를 혼합하여 바니시를 조제하였다. 얻어진 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 두께 0.05 ㎜ 의 E 유리 크로스에 함침 도공하여, 160 ℃ 에서 8 분간 가열 건조시킴으로써, 수지 함유량 80 질량％ 의 프리프레그를 얻었다. 이어서, 얻어진 프리프레그를 사용하여 실시예 1 과 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
실시예 5
실시예 1 에서 사용한 α-나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 25 질량부와, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄 25 질량부와, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지 (ESN-475V) 50 질량부를 혼합하여 메틸에틸케톤에 용해시키고, 산화알루미늄 (AA-3, 스미토모 화학 제조) 460 질량부, 2,4,5-트리페닐이미다졸 (토쿄 화성 제조) 1 질량부 및 옥틸산망간 0.05 질량부를 혼합하여 바니시를 조제하였다. 얻어진 바니시를 메틸에틸케톤으로 희석시키고, 두께 0.05 ㎜ 의 E 유리 크로스에 함침 도공하여, 160 ℃ 에서 7 분간 가열 건조시킴으로써, 수지 함유량 82 질량％ 의 프리프레그를 얻었다. 이어서, 얻어진 프리프레그를 사용하여 실시예 1 과 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
비교예 1
실시예 3 에 있어서, 나프톨아르알킬형 시안산에스테르 수지 대신에 2,2-비스(4-시아네이트페닐)프로판의 프레폴리머 (BT2070, 미츠비시 가스 화학 제조) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 3 과 동일하게 하여 바니시를 조제하고, 실시예 3 과 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
비교예 2
실시예 1 에 있어서, 산화알루미늄 (DAW03) 의 첨가량을 490 질량부에서 200 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 바니시를 조제하였다. 이 바니시를 사용하여 실시예 1 과 동일하게 하여 수지 함유량 79 질량％ 의 프리프레그를 얻었다. 이어서, 얻어진 프리프레그를 사용하여 실시예 1 과 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
비교예 3
실시예 4 에 있어서, 산화마그네슘 (PSF-WZ) 대신에 실리카 (FB-3SDC, 덴키 화학 공업 제조) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여 바니시를 조제하고, 실시예 4 와 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
비교예 4
실시예 4 에 있어서, 산화마그네슘 (PSF-WZ) 대신에 소성 탤크 (BST-200L, 닛폰 탤크 제조) 를 사용한 것 이외에는, 실시예 4 와 동일하게 하여 바니시를 조제하고, 실시예 4 와 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
비교예 5
실시예 2 에 있어서, 산화알루미늄 (DAW-03) 400 질량부 및 질화붕소 (HP-4W) 50 질량부의 사용을 산화알루미늄 (DAW-03) 750 질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 2 와 동일하게 하여 바니시를 조제하고, 실시예 2 와 동일하게 하여 두께 0.8 ㎜ 의 동장 적층판을 얻었다.
적층판의 평가
상기와 같이 하여 얻어진 각 적층판에 대하여, 하기와 같이 하여 열전도율, 유리 전이 온도 및 흡수율을 평가하였다. 또한, 비교예 5 의 적층판에 대해서는 보이드가 발생하였기 때문에 열전도율, 유리 전이 온도 및 흡수율 중 아무것도 평가를 실시할 수 없었다.
1) 열전도율：크세논 플래시 애널라이저를 사용하여 면방향의 열전도율을 산출하였다.
2) 유리 전이 온도：JIS C 6481 에 준거하여 DMA 법으로 측정하였다.
3) 흡수율：JIS C 6481 에 준거하여 프레셔 쿠커 시험기 (히라야마 제작소 제조, PC-3 형) 로 121 ℃, 2 기압에서 5 시간 처리 후의 흡수율을 측정하였다.
평가 결과는 하기의 표 1 에 나타내는 바와 같다.
Figure pct00003
표 1 로부터도 명확한 바와 같이, 실시예 1 ∼ 5 의 동장 적층판은 열전도율, 내열성 및 흡수율이 모두 우수하였다. 이에 반하여, 시안산에스테르 수지로서 2,2-비스(4-시아네이트페닐)프로판의 프레폴리머를 사용한 비교예 1 의 동장 적층판은 흡수율이 떨어져 있었다. 또, 무기 충전재로서 실리카나 소성 탤크 등의 규산 화합물계의 무기 충전재를 함유하는 비교예 3 및 4 의 동장 적층판은 열전도율이 떨어지고 흡수율도 불충분하였다. 또한, 무기 충전재의 배합량이 적은 비교예 2 의 동장 적층판은 열전도율이 불충분하고, 한편 무기 충전재의 배합량이 많은 비교예 5 의 동장 적층판은 보이드가 발생하여 실용에 견디지 못하는 것이었다.

Claims (9)

  1. 하기 식 (I) 로 나타내는 시안산에스테르 수지 (A) 와,
    에폭시 수지 (B) 와,
    무기 충전재 (C) 를 포함하여 이루어지고,
    상기 무기 충전재 (C) 가 상기 시안산에스테르 수지 (A) 및 상기 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 301 ∼ 700 질량부 포함되어 이루어지는 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pct00004

    (식 중, R 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, n 은 1 ∼ 50 의 정수를 나타낸다)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 충전재 (C) 가 수산화알루미늄, 수산화알루미늄 가열 처리품, 베마이트, 수산화마그네슘의 금속 수화물, 붕산아연, 산화알루미늄, 질화붕소, 산화마그네슘, 질화알루미늄 및 질화규소로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 시안산에스테르 수지 (A) 가 시안산에스테르 수지 (A) 및 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 10 ∼ 90 질량부 포함되어 이루어지는 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 (B) 가 시안산에스테르 수지 (A) 및 에폭시 수지 (B) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 10 ∼ 90 질량부 포함되어 이루어지는 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    말레이미드 화합물 (D) 를 추가로 포함하여 이루어지는 수지 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 말레이미드 화합물 (D) 가 시안산에스테르 수지 (A) 및 말레이미드 화합물 (D) 의 합계 배합량 100 질량부에 대하여, 5 ∼ 75 질량부 포함되어 이루어지는 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 기재에 함침 또는 도포하여 이루어지는 프리프레그.
  8. 제 7 항에 기재된 프리프레그를 경화하여 얻어지는 적층판.
  9. 제 7 항에 기재된 프리프레그와 금속박을 적층하고 경화하여 이루어지는 금속박 피복 적층판.
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