KR20130057151A - 이방 전도성 조성물 및 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양이온 중합성 수지, 화학식 1의 양이온성 중합 촉매 및 유기 염기 물질을 포함하는 접착 조성물에 관한 것으로, 당해 조성물은 저온속경화가 가능할 뿐 아니라 접착력 저하율이 낮아 이방 전도성 필름용 조성물로써 사용시 높은 접속신뢰성을 달성한다.
[화학식 1]
Figure pat00011

상기 식에서,
R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
R2는 C1 -6 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.

Description

이방 전도성 조성물 및 필름{Anisotropic conductive composition and film}
본 발명은 양이온 중합성 수지, 양이온성 중합 촉매 및 유기 염기 물질을 포함하는 접착 조성물 및 접착 필름에 관한 것으로, 당해 조성물 및 필름은 150℃에서의 저온 속경화가 가능할 뿐 아니라 양이온성 중합 촉매로 인한 접착력 저하가 개선되어 이방 전도성 필름용으로 사용시 양호한 접속 신뢰성을 유지할 수 있다.
최근 대형화 및 박형화 추세에 있는 디스플레이 산업의 경향에 따라 전극 및 회로들 간의 피치 또한 점차 미세화되고 있다. 이러한 미세 회로 단자들을 접속하기 위한 배선 기구 중의 하나로서 이방 전도성 접착 필름이 매우 중요한 역할을 수행하고 있다. 그 결과 이방 전도성 접착 필름은 전기적 접속 재료로 많은 주목을 받고 있다.
이방 전도성 접착 필름을 접속 재료로 사용하기 위해서는 접속 신뢰성이 요구된다. 필름 초기 상태에 측정된 접속 저항, 접착력 등은 필름의 방치 조건에 따라 저항이 높아지거나 접착력이 낮아질 수 있어 접속 신뢰성을 낮출 수 있다.
한편, 에폭시 수지계 접착제는 높은 접착 강도가 얻어지고 내수성이나 내열성이 우수하여 전기, 전자, 건축 등의 각종 용도에 다용화되고 있으나, 20초 정도의 접속시간에서 140∼180℃ 정도의 가열, 10초에서는 180∼210℃ 정도의 가열이 필요하다. 근래, 전자기기의 분야에서 회로의 고밀도화로 전극 폭, 전극 간격이 좁아지고 있고, 이 때문에 종래 에폭시계 또는 이미다졸계의 조성물로는 배선의 탈락, 박리나 위치 이탈이 생기는 등의 문제를 피할 수 없다.
특허문헌 1(일본 등록 특허 제2706833호)에는 양이온 중합성 물질과 일반식 (1)의 설포늄염을 포함하는 중합성 조성물이 개시되어 있고, 특허문헌 2(일본 특허 출원 공개 제2010-132614호)에는 에폭시 수지와 설포늄 보레이트 착체를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 상기 조성물은 모두 상온에서 보관시 자외선 또는 열 등의 외부 자극에 의해 산이 발생하고 이로 인해 양이온 중합이 개시됨으로써 상온 보관시 접착력이 현저히 저하되는 문제가 발생하며, 상기 특허들에서는 조성물의 접착력 저하를 극복하기 위한 방안을 제시하고 있지 않다.
따라서, 양이온 중합성 수지와 양이온성 중합 촉매를 함유하는 접착 조성물에 있어서 접착율 저하를 개선하면서 저온 속경화를 이룰 수 있는 신규한 접착 조성물 및 접착 필름의 개발이 요구되고 있다.
특허문헌 1: 일본 등록 특허 제2706833호 특허문헌 2: 일본 특허 출원 공개 제2010-132614호
없음
본 발명은 양이온 중합성 수지와 양이온성 중합 촉매를 포함하는 조성물의 접착율 저하의 문제점을 개선하는 것을 발명의 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 이방 전도성 필름 용도로 사용시 접속신뢰성을 향상시킬 수 있는 신규한 접착 조성물을 제공하는 것을 발명의 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 보관 안정성이 우수하여 취급성 및 상온보관성이 용이한 양이온 경화의 접착 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 양이온 중합성 수지, 화학식 1의 양이온성 중합 촉매 및 유기 염기 물질을 포함하는 접착 조성물을 제공함으로써 저온속경화가 가능할 뿐 아니라 접착력 저하율이 낮아 양호한 접속신뢰성을 달성한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 식에서,
R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬 C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
R2는 C1 -6 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 양태는 양이온 중합성 수지 및 화학식 1의 양이온성 중합 촉매를 포함하며, 25℃에서 300시간 방치 후 접착력 저하율이 0.01 내지 30%인 것을 특징으로 하는 접착 필름에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 식에서, R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬 C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
R2는 C1 -6 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명에 따른 접착 필름은 25℃에서 300시간 방치시 접착력 저하율이 0.01 내지 30%로 낮아 이방 전도성 필름 용도로 사용시 접속신뢰성을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 접착 조성물은 50℃에서 30분 이상 방치시에도 겔화되지 않아 보관 안정성이 우수하며, 이로써 반도체 생산 라인에서 상기 접착 조성물 및 필름의 취급성 및 보관성이 용이한 이점을 제공한다.
본 발명의 일 양태는 양이온 중합성 수지, 화학식 1의 양이온성 중합 촉매 및 유기 염기 물질을 포함하는 접착 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 식에서,
R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
R2는 C1 -6 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 상기 R1이 수소, C1 -4 알킬, C(=O)R4 및 -C(=O)0R5로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1 -4 알킬이다);
R2는 C1 -4 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
더욱 바람직하게는, 상기 R1은 수소, 메틸, 아세틸, 메톡시 카르보닐 및 에톡시 카르보닐로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 상기 R2는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이고, 상기 R3은 니트로벤질기 또는 디니트로벤질기이다.
본 발명의 또 다른 양태는 양이온 중합성 수지 및 화학식 1의 양이온성 중합 촉매를 포함하며, 25℃에서 300시간 방치시 접착력 저하율이 0.01 내지 30%인 것을 특징으로 접착 필름에 관한 것이다. 상기 접착력 저하율은 바람직하게 0.01 내지 25%이고, 특히 바람직하게는 0.01 내지 23%이다.
상기 접착력 저하율은 본 발명의 조성물의 필름을 제조한 후 당해 필름을 ITO 배선 패턴에 전사하고, 이후 IC CHIP을 150℃×5초×70MPa로 부착한 후 측정된 접착력을 초기 접착력(A0)으로 하고, 이후 이 필름을 25℃에서 300시간 방치한 후 상기 동일 조건에서 IC Chip을 부착한 후 측정된 접착력을 후접착력(A1)이라 할 때, (A0-A1)/A0×100로 계산한다.
본 발명은 유기 염기 물질을 추가로 포함함으로써 양이온 중합성 수지 및 양이온성 중합 촉매의 상온 경화 반응을 억제하여 상온에서 보관시 접착력 저하를 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 접착 조성물의 용도는 이방 전도성 필름이며, 따라서 이방 전도성 필름용 조성물에 포함되는 통상의 성분들, 예를 들어, 도전성 입자 및/또는 실란커플링제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 접착 조성물을 이방 전도성 필름으로 사용함에 있어서 이중층 이방 전도성 필름으로 사용하는 것이 보다 바람직하며, 구체적으로 본 발명은 이방 전도성 필름층과 비전도성 필름층을 포함하는 이중층 이방 전도성 필름에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 접착 조성물은 상기 이방 전도성 필름층 및/또는 비전도성 필름층의 일성분으로 사용될 수 있다.
이에 따라 본 발명에 따른 접착 조성물 및 필름은 LCD 모듈에서 LCD 패널, 인쇄회로기판(PCB), 또는 드라이버 IC 회로 등을 패키징하는 접속 재료로 사용될 수 있다.
이하 본 발명에 따른 접착 조성물 및 필름의 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
양이온 중합성 수지
본 발명에 사용되는 양이온 중합성 수지는 특별히 한정되지 않으며, 종래부터 전자 재료의 접착에 사용되는 양이온 중합성 수지를 사용할 수 있다. 본 발명에서 바람직하게 사용될 수 있는 양이온 중합성 수지의 예로는 양이온 중합성 비닐 화합물, 환상 락톤류, 환상 에테르류 등을 들 수 있다. 상기 양이온 중합성 비닐 화합물로는 스티렌, 비닐 에테르 등을 들 수 있다. 환상 에테르류로서는, 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물, 스피로오르토 에스테르류 등을 들 수 있다. 또한 페녹시 수지가 바람직하게 사용될 수 있다.
특히 바람직하게는 열 경화형 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 에폭시 당량이 통상 90 내지 5000 정도이고, 분자 중에 2 이상의 에폭시기를 갖는 것이 바람직하다.
열 경화형 에폭시 수지로 비스페놀형, 노볼락형, 글리시딜형, 지방족, 지환족 및 방향족 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상온에서 고상인 에폭시 수지와 상온에서 액상인 에폭시 수지를 병용할 수 있으며, 여기에 추가로 가요성 에폭시 수지를 병용할 수 있다. 상기 고상의 에폭시 수지로서는 페놀 노볼락(phenol novolac)형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락(cresol novolac)형 에폭시 수지, 디사이클로 펜타디엔(dicyclo pentadiene)을 주골격으로 하는 에폭시 수지, 비스페놀(bisphenol) A형 혹은 F형의 고분자 또는 변성한 에폭시 수지 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 상온에서 액상의 에폭시 수지로는 비스페놀 A형 혹은 F형 또는 혼합형 에폭시 수지 등을 들 수 있으나, 이 또한 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 가요성 에폭시 수지의 예로는 다이머산(dimer acid) 변성 에폭시 수지, 프로필렌 글리콜(propylene glycol)을 주골격으로 한 에폭시 수지, 우레탄(urethane) 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 상기 방향족 에폭시 수지는 나프탈렌계, 안트라센계, 피렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용될 수 있는 페녹시 수지는 페녹시 모이어티를 포함하는 수지를 의미하는 것으로, 예를 들면 비스페놀 A계 페녹시 수지를 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다. 상기 페녹시 수지는 유리 전이 온도가 낮은 수지를 사용할 수 있다. 페녹시 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 예를 들면 60-80℃가 될 수 있다.
양이온성 중합 촉매
본원 발명에서는 화학식 1의 양이온성 중합 촉매를 양이온성 중합 수지의 중합 개시제로 사용한다.
[화학식 1]
Figure pat00004
상기 식에서,
R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
R2는 C1 -6 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게는, 상기 R1이 수소, C1 -4 알킬, C(=O)R4 및 -C(=O)0R5로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1 -4 알킬이다);
R2는 C1 -4 알킬이고;
R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
더욱 바람직하게는, 상기 R1은 수소, 메틸, 아세틸, 메톡시 카르보닐 및 에톡시 카르보닐로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 상기 R2는 메틸, 에틸, 프로필 또는 부틸이고, 상기 R3은 니트로벤질기 또는 디니트로벤질기이다.
상기한 화학식 1의 양이온성 중합 촉매를 사용함으로써 양이온 중합시에 생기는 불소 이온의 양을 최소화하여 불소 이온으로 인한 금속 배선이나 접속 패드 부식 등을 문제를 줄일 수 있고, 나아가 반도체 접착에 있어 충분한 저온 속경화를 달성할 수 있다.
상기 화학식 1에서 R1가 수소, 메틸 또는 아세틸이고, R2가 메틸 또는 에틸이며, R3가 트리니트로벤질기 또는 나프틸메틸기인 화합물이 특히 바람직하다.
상기 화학식 1에서 R1가 메틸이고, R2가 메틸이며, R3가 나프틸메틸기인 화합물이 더욱 특히 바람직하다.
또한, 상기 화학식 1에서, R1가 수소, 메틸 또는 아세틸이고, R2가 메틸 또는 에틸이며, R3가 니트로벤질기, 디니트로벤질기 또는 트리니트로벤질기인 화합물이 더욱 특히 바람직하다.
상기 화학식 1의 양이온성 중합 촉매의 양은 상기 양이온 중합성 수지 100 중량부에 대해 0.1 내지 20 중량부인 것이 바람직하며, 특히 1.0 내지 15 중량부인 것이 바람직하다. 상기 화학식 1의 양이온성 중합 촉매의 양이 20 중량부를 초과하면 보존 안정성이 저하되기 때문에 바람직하지 않고, 0.1 미만인 것은 경화가 불충분하게 되므로 바람직하지 않다.
유기 염기 물질
양이온 중합성 수지에 양이온성 중합 촉매를 첨가하면 양이온성 중합 촉매로부터 양이온이 자연 발생할 수 있고, 이 양이온에 의해 양이온 중합성 수지의 중합이 상온에서도 진행될 수 있다. 특별한 이론에 얽매이는 것은 아니지만, 본 발명은 유기 염기 물질을 추가로 포함함으로써 전자 공여체를 조성물에 제공하여 양이온성 중합 촉매로부터 양이온이 발생한 경우 이를 포착하여 접착 조성물의 겔화를 억제시킬 수 있다고 생각된다.
본원 발명에서 유기 염기 물질은 양이온성 중합 촉매의 기능을 저하시키는 기능을 갖는 염기성 화합물로, 아민 화합물이 바람직하게 사용될 수 있다. 상기 아민 화합물의 구체적인 예로는 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리옥틸아민, 트리이소데실아민, 트리에탄올아민, 암모늄염, 방향족 아민, 또는 이의 조합 등을 들 수 있다.
상기 유기 염기 물질은 상기 화학식 1의 양이온성 중합 촉매 100 중량부에 대해 0.1 내지 30 중량부, 바람직하게는 5 내지 25 중량부로 사용될 수 있다. 유기 염기 물질의 양이 30 중량부를 초과하면 접착 조성물의 경화를 억제시킬 수 있으므로 바람직하지 않고, 0.1 중량부 미만이면 양이온성 중합 촉매의 기능을 저하시키는 특성이 제대로 발휘되지 않을 수 있으므로 바람직하지 않다.
도전성 입자
본 발명에서 도전성 입자는 금속 입자를 사용하거나, 유기, 무기 입자 위에 금이나 은 등의 금속으로 코팅한 것을 사용할 수 있다. 또한 과량 사용시의 전기적 절연성을 확보하기 위하여 도전성 입자를 절연화 처리하여 사용할 수도 있다.
구체적으로, 도전성 입자는 Ni, Pd, Cu, Ag, Al, Ti, Cr, Au 등을 포함하는 금속 입자; 탄소; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리스티렌 및 폴리비닐알코올 중 선택된 하나 이상의 수지 및 그 변성 수지 입자를 금, 은, 구리, 니켈 등을 포함하는 금속으로 코팅한 입자; 상기 코팅 입자에 절연 입자를 추가로 코팅한 절연화 처리된 입자 중 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
도전성 입자의 평균 입경(D50)은 적용되는 회로의 피치(pitch)에 의해 달라질 수 있고, 2㎛ 내지 30㎛이며, 바람직하게는 2㎛ 내지 6㎛가 될 수 있다.
실란 커플링제
실란 커플링제는 비닐 트리메톡시 실란, 비닐 트리에톡시 실란, (메타)아크릴옥시 프로필 트리메톡시실란 등의 중합성 불화기 함유 규소 화합물; 3-글리시드옥시 프로필 트리메톡시실란, 3-글리시드옥시 프로필메틸 디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡실란 등의 에폭시 구조를 갖는 규소 화합물; 3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 메틸 디메톡시실란 등의 아미노기 함유 규소 화합물; 및 3-클로로 프로필 트리메톡시실란 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있지만, 이들에 제한되는 것은 아니다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
실시예 1 및 2: 접착 조성물의 제조
에폭시 수지 YP-50을 PGMEA(Propylene-Glycol-Monomethyl-Ether-Acetate) 에 고형분 30%로 사전에 용해하여 준비한 후 개량하고, 에폭시 수지 YD-128, 양이온 중합성 촉매, 트리에탄올 아민을 아래 표 1에 개시된 고형분 양으로 투입하여 실시예 1 및 2의 접착 조성물을 각각 제조하였다. 이 때, 트리에탄올아민은 PGMEA에 10%로 희석한 후 양이온 중합성 촉매와 혼합하여 투여하였다.
비교예 1: 접착 조성물의 제조
트리에탄올 아민 첨가를 제외하고는 상기 실시예 1 및 2의 접착 조성물의 제조 과정과 동일하게 실시하여 비교예 1의 접착 조성물을 제조하였다.
[표 1]
Figure pat00005
(상기 비율은 고형분 기준임)
A: 에폭시 수지 YP-50(국도화학)(분자량 Mn 10,000, Mw 70,000): PGMEA에 고형분 30% 용액으로 사용
B: 에폭시 수지 YD-128(국도화학): 에폭시 당량 185g/eq
C: 양이온 중합 촉매(화학식 1에서 R1이 메틸이고, R2가 메틸이고, R3이 나프틸 메틸인 화합물)
D: 트리에탄올아민
E: 평균입경 3.0㎛의 폴리머 입자에 Ni를 도금한 입자
실시예 3 및 4: 접착 필름의 제조
실시예 1 및 2의 접착 조성물을 이형필름인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름에 코팅하고 70℃에서 5분 동안 열풍 건조시켜 두께 20㎛인 실시예 3 및 4의 접착 필름을 각각 제조하였다.
비교예 2: 접착 필름의 제조
접착 조성물로 비교예 1의 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 3 및 4와 동일하게 실시하여 비교예 2의 접착 필름을 제조하였다.
실시예 5: 접착 필름의 물성 평가
접착력 측정을 위해 실시예 3, 4 및 비교예 2의 접착 필름을 유기 기판 표면에 ITO 배선 패턴(단자 최상층이 ITO, Corning 1737F, 10
Figure pat00006
/sq, t=0.5mm, ITO 두께 1400Å)에 2×20mm의 크기로 이형필름으로부터 전사하였다. 뒤이어, IC CHIP(Chip size = 1.5 mm×20 mm, Chip thickness = 0.3 mm, Bump size = 13 μm×110μm, Plating Au-plated bump height = 15μm, Bump pitch = 16.0μm)을 150 ℃×5초 ×70MPa(범프 면적 환산)으로 부착한 후 접착력을 측정하였다.
이후, 이 필름을 25℃에서 300시간 방치한 후 상기 동일 조건에서 IC Chip을 부착한 후 접착력을 측정하였다.
접착력 측정은 다이 쉐어 측정기(DIE SHEAR, BT400PTXY, DAGE사)로 측정하였다. 접착력은 25MPa 이상을 양호한 것으로 판단할 수 있다.
상기 접착력 측정 결과를 아래 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure pat00007
실시예 6: 접착 조성물의 물성 평가
보관 안정성을 평가하기 위해 10ml의 바이알병(Φ24×h72mm)에 실시예 1, 2 및 비교예 1의 접착 조성물 1.35mg 용액을 담은 뒤, 초기 및 50℃ 30분, 60분, 150분 방치 시료를 각각 만든 후, 뒤집어 상단에 도달하는 낙하 시간(초)을 측정하였다.
평가 용액들은 전체 고형분 50±10%(고형분은 170℃에서 측정)인 상태에서 평가되었다. 낙하 시간이 1000초 이상일 경우 겔화된 것으로 평가하였다.
상기 평가 결과를 아래 표 3에 나타내었다.
[표 3]
Figure pat00008

상기 표 2 및 표 3의 결과로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 접착 조성물 및 필름은 비교예 1이나 2에 비해 유기 염기 물질을 추가로 포함함으로써 25℃에서 300시간 방치시에도 접착력 저하가 양호할 뿐 아니라 보관 안정성이 우수한 이점이 있다.

Claims (11)

  1. 양이온 중합성 수지, 화학식 1의 양이온성 중합 촉매 및 유기 염기 물질을 포함하는 접착 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00009

    상기 식에서,
    R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
    R2는 C1 -6 알킬이고;
    R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R1이 수소, C1 -4 알킬, C(=O)R4 및 -C(=O)0R5로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4 및 R5는 각각 독립적으로 C1 -4 알킬이다);
    R2는 C1 -4 알킬이고;
    R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 접착 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기 염기 물질이 트리에틸아민, 트리이소부틸아민, 트리옥틸아민, 트리이소데실아민, 트리에탄올아민, 암모늄염 및 방향족 아민으로 이루어진 군으로부터 1종류 이상 선택되는 것을 특징으로 하는, 접착 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 양이온 중합성 수지가 에폭시 수지 또는 페녹시 수지인 것을 특징으로 하는 접착 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 화학식 1의 양이온성 중합 촉매가 상기 양이온 중합성 수지 100 중량부에 대해 0.1 내지 20 중량부이고, 상기 유기 염기 물질이 상기 화학식 1의 양이온성 중합 촉매 100 중량부에 대해 0.1 내지 30 중량부인 접착 조성물.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착 조성물이 도전성 입자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접착 조성물.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 접착 조성물의 용도가 이방 전도성 필름용인 접착 조성물.
  8. 양이온 중합성 수지 및 화학식 1의 양이온성 중합 촉매를 포함하며, 25℃에서 300시간 방치 후 접착력 저하율이 0.01 내지 30%인 것을 특징으로 하는 접착 필름.
    [화학식 1]
    Figure pat00010

    상기 식에서,
    R1은 수소, C1 -6 알킬, C6 -14 아릴, -C1 -6 알킬C6 -14 아릴, -C(=O)R4, -C(=O)0R5, 및 -C(=O)NHR6으로 이루어진 군으로부터 선택되고(여기서, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 C1 -6 알킬 및 C6 -14 아릴 중에서 선택된다);
    R2는 C1 -6 알킬이고;
    R3은 니트로벤질기, 디니트로벤질기, 트리니트로벤질기, C1 -6 알킬로 치환되거나 비치환된 벤질기 및 나프틸메틸기로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  9. 제8항에 있어서, 상기 양이온 중합성 수지가 에폭시 수지 또는 페녹시 수지인 것을 특징으로 하는 접착 필름.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 접착 필름이 도전성 입자를 추가로 포함하는 접착 필름.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 접착 필름에 의해 접속된 전자 부품.
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