KR102098758B1 - 회로 접속 재료 - Google Patents

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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 휘어짐의 발생을 억제할 수 있는 회로 접속 재료를 제공한다.
본 발명에 따른 회로 접속 재료는 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제를 함유한다. β-메틸형 에폭시 수지로서, 비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지, 비스페놀 F형 β-메틸 에폭시 수지, 및 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 이용함으로써, 저온 경화성이 향상되고, 휘어짐의 발생을 억제할 수 있다. 특히, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지는, 그의 부피가 큰 골격에 의해 응력을 경감시켜, 휘어짐량을 더 작게 할 수 있다.

Description

회로 접속 재료 {CIRCUIT CONNECTION MATERIAL}
본 발명은 전극간의 접속에 이용되는 회로 접속 재료에 관한 것이다.
최근 LCD(Liquid Crystal Display; 액정 디스플레이) 패널은 대화면화, 고정밀도화, 협액연화(狹額緣化)되고, 이에 따라 접속 피치의 미세화나 접속의 세선화도 급속히 진행되고 있다. 이 때문에, 예를 들면 COG(Chip On Glass; 칩 온 글라스) 실장에 의해서 발생하는 유리 기판의 약간의 휘어짐에도 액정 화면에 색 불균일을 발생시킨다. 이 색 불균일의 발생 원인은 실장시의 IC(Integrated Circuit; 집적 회로) 칩과 유리 기판의 열팽창량의 차이에 있기 때문에, 실장 온도의 저온화가 진행되고 있다.
예를 들면, ACF(Anisotropic Conductive Film; 이방성 도전 필름) 압착 조건의 저온화 공정으로서, 음이온 경화계보다도 신속한 경화 반응을 기대할 수 있는 양이온 경화계(예를 들면, 특허문헌 1 참조)나, 글리시딜 에테르형 에폭시 수지 대신에 반응성이 높은 지환식 에폭시 수지를 사용하는 것이 시도되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
그러나, 종래의 이방성 도전 필름의 저온 경화에서는, 휘어짐의 발생을 충분히 억제하는 것이 곤란하였다.
일본 특허 공개 제2007-162019호 공보 일본 특허 공개 제2007-238751호 공보
본 발명은 이러한 종래의 실정을 감안하여 제안된 것으로, 휘어짐의 발생을 억제할 수 있는 회로 접속 재료를 제공한다.
본건 발명자들은 예의 검토를 행한 결과, 에폭시 수지로서 β-메틸형 에폭시 수지를 배합함으로써, 저온 경화성이 향상되고 휘어짐의 발생을 억제할 수 있는 것을 발견하였다.
즉, 본 발명에 따른 회로 접속 재료는 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 실장체는, 상기 회로 접속 재료에 의해서 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 실장체의 제조 방법은, 상기 회로 접속 재료를 제1 전자 부품의 단자 상에 첩부하고, 상기 회로 접속 재료 상에 제2 전자 부품을 가(假)배치시키고, 상기 제2 전자 부품 위로부터 가열 가압 장치에 의해 가압하여, 상기 제1 전자 부품의 단자와 상기 제2 전자 부품의 단자를 접속시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 에폭시 수지로서 β-메틸형 에폭시 수지가 배합되어 있기 때문에, 저온 경화성이 향상되고 휘어짐의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 실장체의 휘어짐량 측정의 시험을 설명하기 위한 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 하기 순서로 상세하게 설명한다.
1. 회로 접속 재료
2. 실장체 및 실장체의 제조 방법
3. 실시예
<1. 회로 접속 재료>
본 실시 형태에 있어서의 회로 접속 재료는 β-메틸형 에폭시 수지와 양이온 중합 개시제를 함유한다.
β-메틸형 에폭시 수지로는 디시클로펜타디엔형, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 페놀 노볼락형, 지환형, 복소환형, 글리시딜 에스테르형, 글리시딜 아민형 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서도, 경화물의 물성 측면에서 하기 일반식 (I)로 표시되는 비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지, 비스페놀 F형 β-메틸 에폭시 수지, 및 하기 일반식 (II)로 표시되는 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지를 단독 또는 혼합하여 이용하는 것이 바람직하다. 특히, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지는, 그의 부피가 큰 골격에 의해 응력을 경감시켜, 휘어짐량을 작게 할 수 있다.
Figure 112013070500752-pat00001
단, 일반식 (I) 중, R1, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, n은 0 내지 5이다.
Figure 112013070500752-pat00002
단, 일반식 (II) 중, n은 0 내지 5이다.
비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지는 비스페놀 A에 β-메틸 에피클로로히드린을 반응시켜 얻을 수 있고, 비스페놀 F형 β-메틸 에폭시 수지는 비스페놀 F에 β-메틸 에피클로로히드린을 반응시켜 얻을 수 있다. 또한, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지는 페놀 디시클로펜타디엔에 β-메틸 에피클로로히드린을 반응시켜 얻을 수 있다.
또한, β-메틸형 에폭시 수지의 함유량은 10 내지 35 질량％인 것이 바람직하다. β-메틸형 에폭시 수지의 함유량이 접착제 성분의 10 내지 35 질량％임으로써, 우수한 저온 경화성을 나타낼 뿐 아니라, 휘어짐의 발생을 억제할 수 있다. 배합량이 10 질량％ 미만인 경우, 저온 경화시에 경화 부족이 발생한다.
또한, 막 형성성을 향상시키기 위해, 에피클로로히드린과 비스페놀로 제조되는 고분자량 에폭시 수지인 페녹시 수지를 혼합하는 것이 바람직하다. 페녹시 수지의 함유량은, 너무 적으면 필름을 형성하지 못하고, 너무 많으면 전기 접속을 얻기 위한 수지의 배제성이 낮아지는 경향이 있기 때문에, 절연성 접착 수지 전체에 대해서 20 내지 60 질량％인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 내지 60 질량％이다.
양이온 중합 개시제는, 양이온종이 에폭시 수지 말단의 에폭시기를 개환시켜 에폭시 수지끼리 자기 가교시킨다. 이러한 양이온 경화제로는 술포늄염, 디아조늄염, 요오도늄염, 포스포늄염, 셀레노늄염 등의 오늄염을 들 수 있다. 특히, 아릴기를 갖는 술포늄염은 저온에서의 반응성이 우수하고, 가용 시간이 길기 때문에, 양이온 중합 개시제로서 바람직하다.
또한, 접착제 성분의 다른 첨가 조성물로서 실란 커플링제를 첨가하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로는 에폭시계, 아미노계, 메르캅토·술피드계, 우레이도계 등을 사용할 수 있지만, 본 실시 형태에서는 에폭시계 실란 커플링제가 바람직하게 이용된다. 이에 따라, 유기 재료와 무기 재료의 계면에서의 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 무기 충전재를 첨가시킬 수도 있다. 무기 충전재로는 실리카, 탈크, 산화티탄, 탄산칼슘, 산화마그네슘 등을 사용할 수 있으며, 무기 충전재의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니다. 무기 충전재의 함유량에 의해 유동성을 제어하여, 입자 포착률을 향상시킬 수 있다. 또한, 이들 각 성분을 배합할 때에는 톨루엔, 아세트산에틸, 또는 이들의 혼합 용제가 바람직하게 이용된다.
본 실시 형태에 있어서의 회로 접속 재료는, 비도전성 필름(NCF: Non Conductive Film)이나, 접착제 중에 도전성 입자가 분산되어 필름상으로 형성된 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)에 적용된다.
ACF에 분산되는 도전성 입자로는, 이방성 도전 필름에서 사용되고 있는 공지된 어느 하나의 도전성 입자를 들 수 있다. 도전성 입자로는, 예를 들면 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속 또는 금속 합금의 입자, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌(AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 수지 입자의 표면에 금속을 코팅한 것, 이들 입자의 표면에 절연 박막을 더 코팅한 것 등을 사용할 수 있다. 또한, 도전성 입자의 평균 입경은 1 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 6㎛이다. 또한, 접착제 성분 중 도전성 입자의 평균 입자 밀도는, 접속 신뢰성 및 절연 신뢰성 측면에서 1000 내지 80000개/mm2인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3000 내지 50000개/mm2이다.
이러한 구성으로 이루어지는 회로 접속 재료는 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제가 배합되어 있기 때문에, 저온 경화성을 향상시킬 뿐 아니라, 휘어짐의 발생을 억제할 수 있다.
다음으로, 상술한 회로 접속 재료의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 회로 접속 재료의 제조 방법은, 박리 기재 상에 결합제 조성물을 도포하는 도포 공정과, 박리 기재 상의 조성물을 건조시키는 건조 공정을 갖는다.
도포 공정에서는, 상술한 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제를 함유하는 결합제 조성물을 배합하고, 유기 용제를 이용하여 조정한 후, 이 조성물을 박리 기재 상에 바 코터, 도포 장치 등을 이용하여 도포한다.
유기 용제로는 톨루엔, 아세트산에틸, 또는 이들의 혼합 용제, 기타 각종 유기 용제를 사용할 수 있다. 또한, 박리 기재는, 예를 들면 실리콘 등의 박리제를 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트), OPP(배향된 폴리프로필렌), PMP(폴리-4-메틸펜텐-1), PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌) 등에 도포한 적층 구조로 이루어지며, 조성물의 필름 형상을 유지한다.
다음 건조 공정에서는, 박리 기재 상의 결합제 조성물을 열 오븐, 가열 건조 장치 등에 의해 건조시킨다. 이에 따라, 회로 접속 재료가 막상으로 형성된 접착 필름을 얻을 수 있다.
<2. 실장체 및 실장체의 제조 방법>
다음으로, 상술한 회로 접속 재료를 이용한 실장체 및 그의 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시 형태에 있어서의 실장체는, 상술한 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제를 함유하는 회로 접속 재료에 의해서 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 전기적으로 접속되어 이루어지는 것이다.
제1 전자 부품으로는, 예를 들면 IZO(Indium Zinc Oxide; 인듐 아연 산화물), 비결정 ITO(Indium Tin Oxide; 인듐 주석 산화물) 등, 표면이 평활한 파인 피치의 단자를 갖는 배선재를 들 수 있다. 또한, 제2 전자 부품으로는, 파인 피치의 범프 등의 단자가 형성된 IC(Integrated Circuit; 집적 회로)를 들 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서의 실장체의 제조 방법은, 상술한 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제를 함유하는 회로 접속 재료를 제1 전자 부품의 단자 상에 첩부하고(가압착), 회로 접속 재료 상에 제2 전자 부품을 가배치시키고, 제2 전자 부품 위로부터 가열 가압 장치에 의해 가압하여, 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자를 접속시키는 것이다. 이에 따라, 도전성 입자를 통해 제1 전자 부품의 단자와 제2 전자 부품의 단자가 접속된 실장체가 얻어진다.
본 실시 형태에 있어서의 실장체는 β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제가 배합된 회로 접속 재료를 이용하고 있기 때문에, 저온에서 경화시킬 수 있고, 휘어짐량을 작게 할 수 있다.
[실시예]
<3. 실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 본 실시예에서는, 회로 접속 재료로서 β-메틸형 에폭시 수지를 배합한 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)을 제작하고, 실장체의 도통 저항, 휘어짐량에 대해서 평가하였다. 또한, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
이방성 도전 필름의 제작, 실장체의 제작, 도통 저항의 평가, 및 휘어짐량의 평가는 다음과 같이 행하였다.
[이방성 도전 필름의 제작]
페녹시 수지(상품명: YP50, 도토 가세이사 제조), 에폭시 수지, 실란 커플링제(상품명: KBM403, 신에쓰 가가꾸사 제조), 경화제(상품명: SI-60L, 산신 가가꾸사 제조)로 구성된 접착제 중에, 도전성 입자(품명: AUL704, 세키스이 가가꾸 고교사 제조)를 입자 밀도 50000개/mm2가 되도록 분산시켜, 두께 20㎛의 이방성 도전 필름을 제작하였다. 에폭시 수지는 비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지(1몰의 비스페놀 A에 2몰의 β-메틸 에피클로로히드린을 반응시켜 얻음), 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지(1몰의 페놀 디시클로펜타디엔에 2몰의 β-메틸 에피클로로히드린을 반응시켜 얻음), 비스페놀 A형 에폭시 수지(상품명: EP-828, 재팬 에폭시 레진사 제조), 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(상품명: EP-4088S, 아데카(ADEKA)사 제조) 중으로부터 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용하였다.
[실장체의 제작]
이방성 도전 필름을 이용하여 평가용 IC(외형: 1.8mm×20mm, 범프 높이: 15㎛)와 평가용 ITO 코팅 유리(유리 두께 0.5mm)의 접합을 행하였다. 우선, 1.5mm 폭으로 슬릿된 이방성 도전 필름을 평가용 ITO 코팅 유리에 첩부하여 가압착하고(조건: 70℃-1MPa-1초), 그 위에 평가용 IC를 위치 정렬한 후, 압착 조건 135℃-60MPa-5초로 본압착을 행하여 실장체를 완성시켰다.
[도통 저항의 평가]
실장체에 대해서, 초기의 접속 저항과, 온도 85℃, 습도 85％RH, 500시간의 TH 테스트(Thermal Humidity Test; 온도 습도 시험) 후의 접속 저항을 측정하였다. 측정에는 디지털 멀티미터(품번: 디지털 멀티미터 7555, 요꼬가와 덴끼사 제조)를 이용하여, 4 단자법으로 전류 2 mA를 흘렸을 때의 저항값을 측정하였다. TH 테스트 후의 접속 저항값이 10.0Ω 미만인 것을 ○, 10.0Ω 이상인 것을 ×라고 평가하였다.
[휘어짐량의 평가]
도 1에 도시한 바와 같이, 촉침식 표면조도계(상품명: SE-3H, 고사카 겡뀨쇼사 제조)를 이용하여, 유리 기판 (11)과 IC 칩 (12)가 이방성 도전 필름 (13)을 통해 접속된 실장체의 유리 기판 (11)의 하측으로부터 촉침 (20)으로 스캔하여, 유리 기판면의 휘어짐량(㎛)을 측정하였다.
[실시예 1]
페녹시 수지 55 질량부, 비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
실시예 1의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 6.3Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 11.5㎛였다.
[실시예 2]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
실시예 2의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 6.2Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 9.8㎛였다.
[실시예 3]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지 25 질량부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 10 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
실시예 3의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 6.8Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 9.7㎛였다.
[실시예 4]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지 15 질량부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 20 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
실시예 4의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 7.7Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 9.4㎛였다.
[실시예 5]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지 5 질량부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 30 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
실시예 5의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 19.7Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ×였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 8.7㎛였다.
[비교예 1]
페녹시 수지 55 질량부, 비스페놀 A형 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
비교예 1의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.4Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 38.1Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ×였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 8.5㎛였다.
[비교예 2]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
비교예 2의 이방성 도전 필름을 이용하여 제작한 실장체의 초기의 접속 저항은 0.4Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 35.2Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ×였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 8.3㎛였다.
[참조예 1]
페녹시 수지 55 질량부, 비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 실시예 1과 동일한 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
참조예 1의 이방성 도전 필름을 이용하여, 170℃-60MPa-5초의 조건으로 열 압착하여 실장체를 제작하였다. 이 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 4.8Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 16.7㎛였다.
[참조예 2]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 실시예 2와 동일한 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
참조예 2의 이방성 도전 필름을 이용하여, 170℃-60MPa-5초의 조건으로 열 압착하여 실장체를 제작하였다. 이 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 4.0Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 15.7㎛였다.
[참조예 3]
페녹시 수지 55 질량부, 비스페놀 A형 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 비교예 1과 동일한 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
참조예 3의 이방성 도전 필름을 이용하여, 170℃-60MPa-5초의 조건으로 열 압착하여 실장체를 제작하였다. 이 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 6.0Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 16.9㎛였다.
[참조예 4]
페녹시 수지 55 질량부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 35 질량부, 실란 커플링제 2 질량부, 및 경화제 8 질량부로 구성된 비교예 2와 동일한 접착제의 이방성 도전 필름을 제작하였다.
참조예 4의 이방성 도전 필름을 이용하여, 170℃-60MPa-5초의 조건으로 열 압착하여 실장체를 제작하였다. 이 실장체의 초기의 접속 저항은 0.2Ω이고, TH 테스트 후의 접속 저항은 5.8Ω이었다. 따라서 도통 저항의 평가는 ○였다. 또한, 실장체의 휘어짐량은 16.0㎛였다.
하기 표 1에 실시예 1 내지 5에 있어서의 이방성 도전 필름의 배합 및 평가 결과를 나타내고, 하기 표 2에 비교예 1, 2 및 참조예 1 내지 4에 있어서의 이방성 도전 필름의 배합 및 평가 결과를 나타내었다.
Figure 112013070500752-pat00003
Figure 112013070500752-pat00004
통상의 압착 조건(170℃-60MPa-5초)에서는, 참조예 1 내지 4와 같이, 비스 A형 β-메틸 에폭시 수지, DCP형 β-메틸 에폭시 수지, 비스 A형 에폭시 수지, DCP형 에폭시 수지 중 어느 하나의 에폭시 수지를 이용한 경우, 양호한 도통 저항이 얻어졌지만, 휘어짐량이 컸다.
저온의 압착 조건(135℃-60MPa-5초)에서는, 비교예 1, 2와 같이, 비스 A형 에폭시 수지, DCP형 에폭시 수지를 이용한 경우, 경화 부족 때문에 양호한 도통 저항이 얻어지지 않았다.
한편, 실시예 1 내지 5와 같이, 비스 A형 β-메틸 에폭시 수지, DCP형 β-메틸 에폭시 수지를 이용한 경우, 저온의 압착 조건에서도 양호한 도통 저항이 얻어지고, 휘어짐량을 작게 할 수 있었다. 특히, DCP형 β-메틸 에폭시 수지를 이용한 경우, 부피가 큰 골격의 효과에 의해서 휘어짐량을 더 작게 할 수 있었다.
11 유리 기판
12 IC 칩
13 이방성 도전 필름

Claims (8)

  1. 페녹시 수지와, β-메틸형 에폭시 수지와, 양이온 중합 개시제를 함유하고,
    상기 페녹시 수지의 배합량이 20 내지 60 질량％이고,
    상기 β-메틸형 에폭시 수지의 배합량이 10 내지 35 질량％인 회로 접속 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 β-메틸형 에폭시 수지가 비스페놀 A형 β-메틸 에폭시 수지 또는 디시클로펜타디엔형 β-메틸 에폭시 수지인 회로 접속 재료.
  3. 제2항에 있어서, 상기 양이온 중합 개시제가 아릴기를 갖는 술포늄염인 회로 접속 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 도전성 입자를 함유하는 회로 접속 재료.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 회로 접속 재료에 의해서 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 전기적으로 접속되어 이루어지는 실장체.
  6. 제4항에 기재된 회로 접속 재료에 의해서 제1 전자 부품과 제2 전자 부품이 도전성 입자를 통해 이방성 도전 접속되어 이루어지는 실장체.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 회로 접속 재료를 제1 전자 부품의 단자 상에 첩부하고,
    상기 회로 접속 재료 상에 제2 전자 부품을 가(假)배치시키고,
    상기 제2 전자 부품 위로부터 가열 가압 장치에 의해 가압하여, 상기 제1 전자 부품의 단자와 상기 제2 전자 부품의 단자를 접속시키는 실장체의 제조 방법.
  8. 제4항에 기재된 회로 접속 재료를 제1 전자 부품의 단자 상에 첩부하고,
    상기 회로 접속 재료 상에 제2 전자 부품을 가배치시키고,
    상기 제2 전자 부품 위로부터 가열 가압 장치에 의해 가압하여, 상기 제1 전자 부품의 단자와 상기 제2 전자 부품의 단자를 도전성 입자를 통해 이방성 도전 접속시키는 실장체의 제조 방법.
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