KR20130019926A - 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법 - Google Patents

식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 TFT-LCD 제조에 사용되는 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액의 식각 용량(etching capacity)을 증가시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법은 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액으로 식각을 반복할 때 발생하는 식각 속도, 테이퍼 프로파일, 식각 직진성 등의 식각 특성의 저하를 회복시켜 식각액의 식각 용량을 증가시킬 수 있으므로, TFT-LCD 등의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있다.

Description

식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법 {METHOD FOR ETCHING CU/MO ALLOY FILM WITH ETCHING CAPACITY OF ETCHING SOLUTION IMPROVED}
본 발명은 식각액의 식각 용량을 증대시키는 것을 특징으로 하는, TFT-LCD 제조에 사용되는 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 TFT-LCD 등의 액정표시장치의 미세 회로는 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금 등의 도전성 금속막, 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포한 다음, 패턴이 새겨진 마스크를 통하여 빛을 조사한 후 현상을 통하여 원하는 패턴의 포토레지스트를 형성시키고, 건식 또는 습식 식각으로 포토레지스트 하부에 있는 금속막 또는 절연막에 패턴을 전사한 후, 필요없는 포토레지스트를 박리 공정에 의해 제거하는, 일련의 리소그래피(lithography) 공정을 거쳐 완성된다.
대형 TFT-LCD 등에 사용되는 게이트 및 데이터 금속 배선은 종래 알루미늄 및 크롬 배선에 비해 저항이 낮고 환경적으로 문제가 없는 구리 금속이 사용되었으나, 유리기판 및 실리콘 절연막과의 접착력이 낮으며 실리콘 막으로 확산되는 문제점이 있어 최근에는 티타늄, 몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄 합금 등이 사용되고 있다.
한편, TFT-LCD가 대형화됨에 따라, 습식 식각에 사용되는 식각액의 사용량이 증가하는 추세에 있다. 따라서, 제조 원가의 절감을 위해, 식각액의 사용량을 감소시키거나, 동일한 양의 식각액으로 식각 가능한 식각 용량을 증가시키는 것이 매우 중요하다.
종래 기술로서, 대한민국 특허공개공보 제2003-0082375호, 특허공개공보 제2004-0051502호, 특허공개공보 제2006-0064881호, 특허공개공보 제2006-0099089호 등에 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액이 개시되어 있으나, 식각액의 조성에 관한 특성만을 설명하고 있어 위와 같은 목적을 달성하기에는 부족하다.
이에 본 발명자들은 식각액의 식각 용량을 개선하고자 연구하던 중, 식각 반복으로 인해 특성이 저하된 구리/몰리브데늄 합금용 식각액에 식각첨가제나 식각보조제를 첨가하는 경우 식각 특성을 유지시킬 수 있음을 확인함으로써 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 구리/몰리브데늄 합금막 식각시 동일한 식각액으로 식각을 반복할 때 식각 특성이 저하되는 문제를 해결함으로써 식각액의 식각 용량을 증가킬 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 공정 중 식각액이 식각 종말점에 도달하기 전 또는 후에, 상기 식각액에 무기산, 무기염, 유기산 및 킬레이트제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 식각 첨가제를 첨가하거나, 또는 상기 식각 첨가제, 과산화수소 및 물로 이루어진 식각 보조제를 첨가함으로써 식각액의 식각 용량을 증가시키는 단계를 포함하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법을 제공한다.
본 발명의 방법은 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액으로 식각을 반복할 때 발생하는 식각 속도, 테이퍼 프로파일, 식각 직진성 등의 저하된 식각 특성을 회복시켜 식각액의 식각 용량을 증가시킬 수 있으므로, TFT-LCD 등의 제조 비용을 현저히 감소시킬 수 있다.
도 1은 식각액에 구리/몰리브데늄 합금 분말을 5,000 ppm 용해하고, 구리/ 몰리브데늄 합금막을 식각한 후 단면을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 2는 본 발명의 실시예 3에서 구리/몰리브데늄 합금 분말을 7,000 ppm 용해하고, 구리 몰리브데늄 합금막 식각 후 단면을 주사전자현미경으로 관찰한 사진이다.
이하 본 발명에 사용된 용어를 정의한다.
본 발명에 사용된 용어 '식각액(etching solution)'은 TFT-LCD 등에 사용되는 구리/몰리브데늄 합금막의 두께를 줄이거나 패턴을 형성시키기 위해 사용되는 액체를 지칭한다.
본 발명에 사용된 용어 '식각첨가제(etching additive)'는 식각액에 사용되는 성분 중 산화된 금속 이온을 용해시키는 역할을 하는 성분을 지칭한다.
본 발명에 사용된 용어 '식각보조제(etching adjuvant)'는 상기 식각첨가제 외에 식각 용량을 증가시키는데 도움이 되는 물질이 함유된 용액을 지칭한다.
TFT-LCD에 사용되는 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액은, 구리/몰리브데늄 합금막을 산화시키는 주산화제로 작용하는 과산화수소; 산화된 구리/몰리브데늄 합금막을 이온 형태로 용액에 용해시키고 용해된 구리 이온을 안정화시키는 식각첨가제인 유기물 및 무기물; 식각 속도를 억제하여 테이퍼 프로파일을 형성하게 하는 식각억제제; 및 이온화된 금속에 의해서 과수 분해 반응이 촉진되는 것을 막기 위한 과수안정제(hydrogen peroxide stabilizer) 등으로 구성되어 있다.
상기 성분 중 과산화수소는 구리와 몰리브덴을 산화시키는 주성분으로 반도체 공정용의 순도를 가진 금속 불순물이 ppb 수준 이하인 것이 사용되며, 전체 조성물의 5 내지 40 중량%로 사용된다.
또한, 상기 성분 중 식각첨가제는 산화된 금속 이온을 용해시키는 기능을 하며 유기물 및 무기물이 사용된다. 유기물의 예로는 아세트산, 부탄산, 시트르산, 글리콜산, 옥살산, 말론산, 펜탄산, 프로피온산, 타프타르산, 숙신산, 글루콘산, 글리코산, 숙신산 및 그 외 수용성 유기산 및 이미노다이아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리니트릴펜타아세트산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 1-하이드록시에탄(1,1-디일비스프로폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌프로폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 사르코산, 알라닌, 글루탐산, 아미노부티르산, 및 글리신 등과 같이 아미노기와 카르복실산기를 동시에 가지고 있는 킬레이트제를 들 수 있다. 그리고, 무기물의 예로는 인산, 질산, 황산, 불산 등과 같은 무기산 및 인산염, 질산염, 황산염, 불화염 등과 같은 무기염을 들 수 있다.
또한, 상기 성분 중 식각억제제는 식각 속도를 조절하여 식각시 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 프로파일이 적절한 테이퍼 앵글을 유지하면서 식각이 되도록 하는 물질로서, 예로는 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 테트라졸, 아미노테트라졸, 인돌, 퓨린, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤리돈 및 피롤린 등과 같은 고리형 아민 화합물을 들 수 있다.
또한, 상기 과수안정제의 예로는 인산염, 글리콜류, 사이클릭아민를 들 수 있다.
대형 TFT-LCD 제조 장비는 식각이 진행되는 스프레이 챔버 아래에 일정량의 식각액을 담을 수 있는 식각액 탱크가 있다. 이 식각액 탱크에 일정량의 식각액을 채운 후 동일한 식각액으로 식각을 반복하고 있다. 하지만, 동일한 식각액을 반복하여 사용할 경우, 식각액의 특성이 저하되는 문제가 발생되어 식각액의 식각 가능 횟수가 줄어들게 된다. 식각액의 식각 가능 횟수는 동일한 식각액으로 식각을 반복했을 때 식각 속도, 테이퍼 프로파일, 식각 직진성 등의 식각 특성이 변하지 않을 때까지 식각 용량(etching capacity)이다.
대형 TFT-LCD 제조 장비는 식각액 사용량이 많으므로 식각액 사용량을 감소시키기 위해서 식각 용량을 증가 시키는 것이 매우 중요하다. 이를 위해서 본 발명은 식각 가능 횟수를 증가시키기 위한 방법, 즉 식각액의 식각 용량을 증가시키는 방법을 제공한다.
동일한 식각액을 이용하여 식각을 반복하게 되면, 식각액 내에 금속 이온들의 농도가 증가하게 된다. 산화제로 과산화수소를 이용하는 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액은 금속 이온이 산화환원 반응을 일으켜 과산화수소 분해를 촉진시키는 반응을 억제해야 하므로, 금속 이온과 과산화수소의 반응을 제어할 수 있는 물질이 반드시 필요하다. 금속 이온의 비활성화는 금속이온이 식각액 내의 물질과 킬레이트를 형성하도록 함으로써 금속 이온이 자유로운 상태로 과산화수소와 만나서 산화환원 반응이 이루어지는 것을 방지한다. 킬레이트를 형성하지 못한 금속 이온은 과산화수소와 반응하여 과산화수소를 분해시키며, 이로 인해 발생하는 반응열이 반응을 더욱 촉진하여 식각액의 폭발을 야기시킬 수 있다. 따라서, 금속 이온을 킬레이트화하는 것은 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액에서 매우 중요한 과정이다. 금속 이온의 킬레이트화는 식각첨가제인 무기물, 유기산, 킬레이트제 등 모두 가능하며, 가장 바람직하게는 킬레이트제와 결합하여 비활성화 되는 것이다.
금속의 식각속도, 테이퍼 프로파일 및 식각 직진성 등과 같은 식각 특성은 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액 성분 중 식각첨가제와 식각억제제의 비로서 결정된다. 식각첨가제가 식각억제제에 비해 많은 경우 식각 속도가 빠르고, CD(critical dimension)가 커지게 되며, 식각첨가제가 식각억제제에 비해 적은 경우 식각 속도가 느리고 테이퍼가 크게 증가하게 된다. 일정한 값 이상의 테이퍼가 형성되게 되면, 불균일한 금속 직진성을 보이게 되며, 잔사가 발생할 수 있고 얼룩 등의 불량을 야기할 수 있어 제품을 사용할 수 없게 된다. 따라서 식각액을 사용하는 과정에서 식각첨가제와 식각억제제가 균일한 비를 갖도록 유지시키는 것이 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액의 사용 가능 횟수, 즉 식각액의 식각 용량과 밀접한 관련이 있다.
동일한 식각액을 이용하여 식각을 반복하게 되면, 식각액 내의 식각첨가제는 식각되어 이온화된 금속 이온과 킬레이트를 형성하게 되므로 추가적으로 식각을 진행하는데 필요한 식각첨가제 양은 계속해서 감소하게 된다. 즉, 식각액 내의 식각첨가제 중에서 새롭게 식각에 참여할 수 있는 자유로운 식각첨가제가 감소하고, 대신 킬레이트를 형성하고 있는 식각첨가제가 증가하게 된다. 반면에 식각억제제는 균일한 테이퍼 프로파일을 형성하기 위해서 식각 속도를 제어하는 공정에서만 관여하므로 식각이 반복되어도 조성의 감소가 거의 없다. 따라서, 동일한 식각액을 이용하여 식각을 반복하여 식각액 내의 금속 이온이 증가하게 되면, 식각에 관여할 수 있는 식각첨가제에 비해 식각 속도를 제어하는 식각억제제의 많게 되어 식각 프로파일의 테이퍼가 증가하게 되며, 식각 속도 증가 및 식각 직진성에도 문제가 있다(도 1 참조). 이와 같은 식각첨가제와 식각억제제의 비의 변화는 상기 식각액의 사용 횟수, 즉 사용 용량을 감소시켜 더 이상 식각을 진행할 수 없게 만든다.
이를 해결하기 위하여, 본 발명은 식각이 반복됨에 따라 감소하는 식각첨가제를 식각액에 첨가하여 줌으로써, 식각액 내의 식각첨가제와 식각억제제의 비를 식각 특성을 발휘할 수 있는 상태로 유지시킬 수 있음을 제시한다. 또한, 본 발명은 금속 산화력을 일정하게 유지하기 위하여, 상기 식각첨가제 외에 과산화수소 및 물을 함유하는 식각 보조제를 식각액에 첨가하여 줌으로써, 식각 용량을 증가시킬 수 있음을 제시한다.
이에, 본 발명은 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 공정 중 식각액이 식각 종말점에 도달하기 전 또는 후에, 상기 식각액에 무기산, 무기염, 유기산 및 킬레이트제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 식각 첨가제를 첨가하거나, 또는 상기 식각 첨가제, 과산화수소 및 물로 이루어진 식각 보조제를 첨가함으로써 식각액의 식각 용량을 증가시키는 단계를 포함하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법을 제공한다.
본 발명에서 '식각 종말점'은 식각이 완료된 시점을 지칭하며, 이는 당해 기술분야의 숙련자에 의하여 육안으로 식별될 수 있다.
본 발명의 방법은 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액에 적용될 수 있으며, 상기 식각액의 성분 및 그 예는 상기 설명한 바와 같다.
본 발명의 방법에 사용되는 '식각첨가제'는 금속 이온과 킬레이트를 형성할 수 있는 물질을 의미하며, 무기산, 무기염, 유기산 및 킬레이트제로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 무기산, 무기염, 유기산 및 킬레이트제의 구체적인 예는 상기 설명한 바와 같다.
또한, 본 발명의 방법에 사용되는 '식각보조제'는 상기 식각첨가제, 과산화수소 및 물로 구성되는 수용액이다. 상기 식각보조제는 과산화수소를 포함함으로써 금속 산화력을 일정하게 유지시킬 수 있으며, 식각 첨가제에 비해 첨가가 보다 원활한 장점이 있다. 상기 과산화수소의 함량은 식각하기 이전의 식각액 내 과산화수소 함량과 동일하거나 식각액 내 과산화수소 함량에 비해 ±20% 이내의 범위로 증감시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 식각보조제는 5 내지 40 중량%의 과산화수소, 1 내지 10 중량%의 하나 이상의 식각첨가제 및 잔량의 물, 바람직하게는 탈이온수로 이루어진다.
상기 식각보조제 내 식각첨가제의 함량은 식각하기 이전의 식각액 내 식각첨가제의 함량보다 많은 양을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 식각보조제는 식각액에 추가로 첨가하는 조성물이므로 식각첨가제의 함량을 식각액보다 크게 하는 경우 상기 식각보조제의 첨가량이 적은 경우에도 보다 큰 식각 용량 증가를 이룰 수 있다.
구리/몰리브데늄 합금막용 식각액은 과산화수소, 여러 종류의 식각첨가제, 식각억제제 및 과수안정제 등으로 이루어져 있는데 반해, 본 발명의 방법에 사용되는 식각첨가제 또는 식각보조제는 보다 단순한 구성으로 이루어져 있으며, 특히 단가가 비싸 제조 경쟁력이 낮은 식각억제제를 사용하지 않으므로, 대형 TFT-LCD 제조의 경쟁력을 향상시킬 수 있다. 게다가, 본 발명에 사용되는 식각첨가제 또는 식각보조제는 동일한 양의 식각액을 추가로 첨가하는 경우에 비해 식각 용량을 보다 효과적으로 증가시킬 수 있는 장점이 있다.
대형 TFT-LCD 제조시 식각 특성이 유지되는 식각 용량은 식각액에 이온화되어 있는 금속 이온의 농도를 측정하여 식각액의 식각 반복 횟수를 정하고 있다. 따라서, 식각액의 식각 농도가 정해진 식각 용량(한계 사용 용량)에 도달한 경우 본 발명에 따른 식각첨가제 또는 식각보조제를 일정량 첨가하여, 다시 식각 가능한 금속 이온 농도를 증가시킬 수 있으며, 이후 다시 정해진 식각 용량에 도달 하는 경우에 반복적으로 식각첨가제 또는 식각보조제를 첨가할 수 있다. 이 과정은 식각액 내의 식각억제제가 특성을 발휘할 수 있는 과정까지 반복 진행 할 수 있다. 이 횟수는 식각 장비의 식각액 탱크 양 및 식각 용량과 관계가 있으므로 반복 평가에 의해서 결정될 수 있다.
본 발명의 방법에서, 식각첨가제 또는 식각보조제는 일정량을 분할하여 또는 연속적으로 첨가될 수 있다. 즉, 식각액 내의 식각억제제가 특성을 발휘할 수 있을 때까지 일정 함량을 분할하여 첨가되거나, 연속적으로 첨가되도록 프로그래밍하여 첨가될 수 있으며, 이를 통해 식각액의 식각 용량을 증가시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 보다 상세하게 설명하고자 하지만, 이들 실시예는 본 발명의 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
제조예 1 내지 3: 식각보조제의 제조
식각보조제(제조예 1 내지 3) 및 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액(참고예)을 하기 표 1에 따라 제조하였다. 하기 표 1의 성분 함량은 중량% 값이다.
조성 참고예 제조예 1 제조예 2 제조예 3
식각액 보조제 1 보조제 2 보조제 3
과산화수소 20 20 20 20
식각첨가제 킬레이트제 이미노다이아세트산 1.5 3 3 3
유기산 글리콜산 1.5 - 3 -
무기물 황산 1.5 - - 3
식각억제제 아미노테트라졸 1.0 - - -
물(탈이온수) 100 중량%까지
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 2: 식각 평가
본 발명에 따른 방법의 효용성을 평가하기 위하여, 하기와 같은 방식으로 식각시 식각액에 제조예 1 내지 3의 용액을 첨가한 후 비교예와 식각 특성을 비교하였다. 구체적으로, 구리/몰리브데늄 합금은 몰리브데늄 합금을 100Å으로 증착한 후 구리 3000Å을 증착시키고, 상기 시편을 포토리소그래피 공정을 진행하여 패터닝한 글라스를 이용하였다. 식각은 스프레이가 가능한 장비(Mini-etcher ME-001)에서 진행하였고, 식각액은 상기 표 1의 참고예를 이용하였다. 식각을 진행하면서 육안으로 식각종말점을 관찰하였으며, 식각 특성인 CD(critical dimension) 손실, 테이퍼 앵글 및 식각 직진성은 주사전자 현미경(Hitachi, S-4800)을 이용하여 관찰하였다.
식각액에 구리/몰리브데늄 합금을 첨가하면서 식각 평가를 진행하고, CD 손실, 테이퍼 앵글 및 식각 직진성 등의 식각 특성을 잃게 되는 금속 농도인 5,000 ppm 이상에서 제조예 1 내지 3의 용액을 첨가하고 추가적으로 구리/몰리브데늄 합금을 첨가하면서 식각 평가를 진행하여 식각 특성을 확인하였다. 비교를 위하여, 비교예 1은 어떠한 용액도 첨가하지 않았고, 비교예 2는 식각액(참고예 1)을 첨가하였다. 측정 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
구분 참고예
(식각액)		 첨가액 구리/몰리브데늄
합금 분말
(ppm)		 식각
종말점(초)		 CD
loss
(㎛)		 Taper angle
(°)		 식각
직진성
종류 함량(%)
실시예1 90 제조예 1 10 5,000 40 0.82 58 양호
6,000 40 0.81 59 양호
7,000 45 0.70 78 불량
8,000 잔사 0.53 90 불량
실시예2 90 제조예2 10 5,000 40 0.80 59 양호
6,000 39 0.81 60 양호
7,000 39 0.82 60 양호
8,000 45 0.54 85 불량
실시예3 90 제조예3 10 5,000 40 0.79 58 양호
6,000 40 0.80 57 양호
7,000 39 0.80 59 양호
8,000 48 0.45 87 불량
실시예4 90 제조예3 20
(2회
분할
첨가)		 5,000 40 0.79 58 양호
6,000 40 0.80 57 양호
7,000 39 0.80 59 양호
8,000 48 0.81 60 양호
비교예1 100 - - 4,000 40 0.82 59 양호
5,000 50 0.65 85 불량
6,000 잔사 0.20 90 불량
비교예2 90 참고예 10 5,000 45 0.70 79 불량
6,000 50 0.64 84 불량
7,000 잔사 0.18 90 불량
식각액이 식각 특성을 잃게 되는 금속 함량인 5,000 ppm일 때 제조예 1 내지 3 및 참고예의 용액 및 식각액을 10% 첨가하고 구리/몰리브데늄 합금을 첨가하면서 식각 평가를 진행한 결과, 상기 표에서 보는 바와 같이 아무것도 첨가하지 않은 비교예 1 및 식각액을 첨가한 비교예 2에 비해 제조예 1 내지 3의 용액을 첨가한 실시예 1 내지 3에서 식각 특성이 유지되는 구리/몰리브데늄 합금 함량이 증가하였다. 또한, 실시예 4와 같이 제조예 3의 용액을 2회로 분할하여 첨가한 경우 식각 용량이 더욱 증가하였다.
상기 결과는 구리/몰리브데늄 합금막용 식각액을 사용하는 경우, 식각 공정 중에 상기 식각액에 본 발명에 따른 식각보조제를 첨가함으로써 식각 특성을 유지시키고, 식각액의 식각 용량을 증가시킬 수 있음을 보여준다.

Claims (9)

  1. 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 공정 중 식각액이 식각 종말점에 도달하기 전 또는 후에, 상기 식각액에 무기산, 무기염, 유기산 및 킬레이트제로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 식각 첨가제를 첨가하거나, 또는 상기 식각 첨가제, 과산화수소 및 물로 이루어진 식각 보조제를 첨가함으로써 식각액의 식각 용량을 증가시키는 단계를 포함하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무기산이 인산, 질산, 황산 및 불산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 무기염이 인산염, 질산염, 황산염 및 불화염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기산이 수용성 유기산인 것을 특징으로 하는 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 수용성 유기산이 아세트산, 부탄산, 시트르산, 글리콜산, 옥살산, 말론산, 펜탄산, 프로피온산, 타프타르산, 숙신산, 글루콘산, 글리코산 및 숙신산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 킬레이트제가 이미노다이아세트산, 니트릴로트리아세트산, 에틸렌디아민테트라아세트산, 디에틸렌트리니트릴펜타아세트산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 1-하이드록시에탄(1,1-디일비스프로폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌프로폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 사르코산, 알라닌, 글루탐산, 아미노부티르산, 및 글리신으로 이루어진 군으로부터 선택되는 아미노기와 카르복실산기를 동시에 가지고 있는 킬레이트제인 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 식각보조제가 5 내지 40 중량%의 과산화수소, 1 내지 10 중량%의 식각첨가제 및 잔량의 물로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 식각보조제가 식각액의 총 중량에 대하여 5 내지 50 중량%의 양으로 첨가되는 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 식각첨가제 또는 상기 식각보조제가 분할하여 또는 연속적으로 첨가되는 것을 특징으로 하는, 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법.
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