KR20120108957A - 노광용 마스크, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

노광용 마스크, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

노광에 의해 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 노광용 마스크에 있어서, 기판 상에, 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴이 형성된 패턴 형성 영역과, 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴이 형성된 서브 패턴 형성 영역을 형성한다. 서브 패턴 형성 영역은 패턴 형성 영역을 둘러싸도록 프레임 형상으로 형성하고, 서브 패턴이 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 패턴 형성 영역으로부터 이격시킨다.

Description

노광용 마스크, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법{EXPOSURE MASK, METHOD FOR MANUFACTURING THE MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 출원은 일본 특허 출원 제2009-131463호(2009년 5월 29일)에 기초한 것으로서, 그 우선권을 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에서 참조로서 인용된다.
본 발명은, 노광용 마스크, 그 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼 상에 패턴을 전사하기 위한 노광용 마스크, 그 제조 방법 및 이 노광용 마스크를 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
LSI(large scale integrated circuit: 대규모 집적 회로)나 플래시 메모리 등의 반도체 장치의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술이 많이 이용되고 있다. 리소그래피 기술에 있어서는, 웨이퍼 상에 레지스트막을 형성하고, 이 레지스트막을 포토마스크 또는 EUV(extreme ultraviolet: 극단 자외선) 마스크 등의 노광용 마스크를 사용하여 노광하고, 현상함으로써, 레지스트막을 패터닝한다.
[특허문헌1]일본특허공개제2006-30221호공보
그리고, 이 패터닝된 레지스트막을 마스크로서 사용하고, 웨이퍼에 대하여 미세한 가공을 실시하고 있다. 이로 인해, 반도체 장치의 미세화에 수반하여, 노광용 마스크에 형성된 패턴의 치수 정밀도에 대한 요구도 엄격해져 오고 있다(예를 들어, 일본 특허 공개 제2006-30221호 공보 참조).
본 발명의 일 형태에 따르면, 노광에 의해 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 노광용 마스크이며, 기판과, 상기 기판 상에 설치되고, 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴이 형성된 패턴 형성 영역과, 상기 기판 상에 설치되고, 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴이 형성된 서브 패턴 형성 영역을 구비하고, 상기 서브 패턴 형성 영역은, 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크가 제공된다.
본 발명의 다른 일 형태에 따르면, 노광에 의해 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 노광용 마스크의 제조 방법이며, 기판 상에 패턴 형성막이 형성된 구조체 상에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과, 상기 노광 후의 레지스트막을 현상함으로써, 상기 레지스트막을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 선택적으로 제거된 레지스트막을 마스크로 하여 에칭을 실시하고, 상기 패턴 형성막을 선택적으로 제거하는 공정을 구비하고, 상기 레지스트막을 노광하는 공정에 있어서, 패턴 형성 영역에 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴을 묘화하고, 서브 패턴 형성 영역에 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴을 묘화하고, 상기 서브 패턴 형성 영역을 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격시키는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 일 형태에 따르면, 웨이퍼 상에 레지스트막을 형성하는 공정과, 노광용 마스크를 사용하여 상기 레지스트막을 노광하는 공정을 구비하고, 상기 노광용 마스크에는, 기판 상에, 패턴이 형성된 패턴 형성 영역 및 서브 패턴이 형성되고, 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격한 서브 패턴 형성 영역이 형성된 마스크를 사용하고, 상기 노광하는 공정에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 상기 패턴을 전사시키고, 상기 서브 패턴은 전사시키지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
치수 정밀도가 높은 노광용 마스크를 얻을 수 있고, 이 노광용 마스크를 사용하여 반도체 장치를 고정밀도로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 노광용 마스크를 예시하는 평면도.
도 3은 도 2에 도시한 노광용 마스크를 예시하는 일부 확대 평면도.
도 4의 (a) 내지 (c)는 제1 실시 형태에 관한 노광용 마스크의 제조 방법을 예시하는 공정 단면도.
도 5의 (a) 내지 (c)는 제1 실시 형태에 관한 노광용 마스크의 제조 방법을 예시하는 공정 단면도.
도 6은 제1 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 모식적으로 예시하는 광학 모델도.
도 7은 제1 실시 형태의 비교예에 관한 노광 마스크를 예시하는 평면도.
도 8은 횡축에 도 7의 A-A'선에 있어서의 위치를 취하고, 종축에 패턴의 폭의 기준값으로부터의 변동량을 취하여, 패턴의 폭의 변동량에 있어서의 위치 의존성을 모식적으로 예시하는 그래프도.
도 9의 (a) 및 (b)는 횡축에 노광 마스크에 있어서의 위치를 취하고, 종축에 패턴의 폭의 기준값으로부터의 변동량의 측정값을 취하여, 패턴의 폭의 변동량에 있어서의 위치 의존성을 예시하는 그래프도이며, 도 9의 (a)는 비교예를 나타내고, 도 9의 (b)는 제1 실시 형태를 나타냄.
도 10은 제1 실시 형태의 제1 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 평면도.
도 11은 제1 실시 형태의 제2 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도.
도 12는 제1 실시 형태의 제3 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도.
도 13은 제1 실시 형태의 제4 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도.
도 14는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다.
우선, 본 발명의 제1 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도이고,
도 2는 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크를 예시하는 평면도이며,
도 3은 도 2에 도시한 노광용 마스크를 예시하는 일부 확대 평면도이다.
또한, 도 1 내지 도 3에 있어서는, 설명의 편의상, XYZ 직교 좌표계를 표시하고 있다. 또한, 도면을 보기 쉽게 하기 위해, 각 부의 치수는 각 도면에 있어서 적절하게 조정하고 있고, 도면간에 있어서 정합하고 있지 않고, 또한 실제의 제품에도 대응하고 있지 않다.
본 실시 형태에 관한 노광용 마스크는, 노광에 의해 웨이퍼 상에 패턴을 전사하여 반도체 장치를 제조하기 위한 노광용 마스크이며, 투과형의 포토마스크이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크(1)에 있어서는, 기판(11)이 설치되어 있고, 기판(11) 상의 대략 전체 면에는, 패턴 형성막으로서 하프톤막(12)이 형성되어 있다. 또한, 노광용 마스크(1)의 주변 부분 S에 있어서는, 하프톤막(12) 상에 차광막(13)이 연속적으로 형성되어 있다. 기판(11)은, 노광에 사용하는 광(노광광)을 투과시키는 기판이며, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다. 기판(11)의 형상은 직사각형의 판 형상이며, 예를 들어 한 변의 길이가 각각 152㎜인 정사각형의 판 형상이다. 하프톤막(12)은, 노광광의 대부분을 차단하는 막이며, 예를 들어 입사한 노광광의 94％를 차단하고, 6％를 투과시키는 막이다. 하프톤막(12)은 예를 들어 몰리브덴 실리사이드(MoSi)에 의해 형성되어 있고, 그 막 두께는 예를 들어 69㎚이다. 차광막(13)은, 입사한 노광광의 실질적으로 전체를 차단하는 막이다. 차광막(13)은 예를 들어 크롬(Cr)에 의해 형성되어 있고, 그 막 두께는 예를 들어 50㎚이다. 차광막(13)은, 노광용 마스크(1)의 외측 모서리를 따른 프레임 형상의 영역으로, 연속막으로서 형성되어 있다.
도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이, 노광용 마스크(1)의 중앙 부분 C에 있어서는, 패턴 형성 영역(15)이 형성되어 있다. 패턴 형성 영역(15)은, 복수 군데, 예를 들어 도 1에 도시한 예에서는, 12군데에 형성되어 있고, 서로 이격하여 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 각 패턴 형성 영역(15)의 형상은, 예를 들어 직사각형이다. 패턴 형성 영역(15)에 있어서는, 하프톤막(12)이 선택적으로 제거됨으로써 패턴(16)이 형성되어 있다. 패턴(16)의 크기는, 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기이며, 이로 인해, 패턴(16)은 노광시에 웨이퍼 상에 전사된다. 본 실시 형태에 있어서는, 패턴(16) 중, 도시한 Y방향으로 연장되는 패턴은, 도시한 X방향으로 연장되는 패턴보다도 배열 주기가 짧게 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 한 쌍의 패턴 형성 영역(15)으로 이루어지는 칩 영역(17)이, 제조되는 1개의 반도체 장치에 대응한다. 즉, 웨이퍼 상에 전사된 칩 영역(17)마다 1매의 칩이 제작된다.
패턴 형성 영역(15)의 주위에는 서브 패턴 형성 영역(18)이 형성되어 있다. 서브 패턴 형성 영역(18)의 형상은, 패턴 형성 영역(15)을 둘러싸는 프레임 형상이며, 그 폭은 예를 들어 2㎜이다. 그리고, 패턴 형성 영역(15)끼리 근접하고 있는 부분에서는, 각 패턴 형성 영역(15)을 둘러싸는 서브 패턴 형성 영역(18)끼리 연결되어 있고, 패턴 형성 영역(15)끼리 이격되어 있는 부분에서는, 각 패턴 형성 영역(15)을 둘러싸는 서브 패턴 형성 영역(18)끼리도 이격되어 있다.
서브 패턴 형성 영역(18)에 있어서는, 하프톤막(12)이 선택적으로 제거됨으로써 서브 패턴(19)이 형성되어 있다. 서브 패턴(19)의 크기는, 노광시에 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기이다. 따라서, 서브 패턴(19)은 웨이퍼 상에 전사되지 않는다. 서브 패턴(19)은, 도시한 X방향으로 연장되는 복수개의 라인 형상 부분에 의해 구성되어 있다. 즉, 서브 패턴(19)이 연장되는 방향(X방향)은, 패턴(16) 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향(Y방향)에 대하여 직교하고 있다.
서브 패턴(19)의 배열 주기는, 서브 패턴(19)이 웨이퍼 상에 투영되었다고 가정하였을 때의 투영상(像)의 배열 주기의 절반의 길이(하프 피치)를 R로 하고, 노광에 사용하는 렌즈의 개구수를 NA로 하고, 노광에 사용하는 광(노광광)의 파장을 λ로 할 때, 하기 수학식 1을 만족하도록 설정되어 있다. 또한, 하기 수학식 1 중의 계수(0.25)는, 레지스트 프로세스에 의해 결정되는 계수이며, 일반적으로는 계수 k1로 표기된다.
Figure pat00001
예를 들어, 렌즈의 개구수 NA가 1.35이고, 노광광의 파장이 193㎚인 경우, 상기 수학식 1로부터, R<35.7㎚로 된다. 따라서, 노광시의 축소 배율이 (1/4)배인 것으로 하면, 노광용 마스크(1)에 있어서의 서브 패턴(19)의 하프 피치가 약 143㎚ 미만이면, 상기 수학식 1을 만족한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 서브 패턴 형성 영역(18)은, 패턴 형성 영역(15)으로부터 서브 패턴(19)이 패턴(16)에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격되어 있고, 서브 패턴 형성 영역(18)과 패턴 형성 영역(15) 사이에는 하프톤막(12)이 연속적으로 형성되어 있고, 패턴(16) 및 서브 패턴(19)의 어느 것도 형성되어 있지 않은 간극 영역(20)이 존재한다. 광 근접 효과를 미치지 않는 거리의 하한값은, 노광광의 강도 및 렌즈의 개구수 등의 노광 조건에 의존하기 때문에 일의적으로는 결정할 수 없지만, 예를 들어 1㎛이다. 따라서, 서브 패턴 형성 영역(17)은, 패턴 형성 영역(15)으로부터 1㎛ 이상 이격되어 있는 것이 바람직하고, 예를 들어 1.8㎛ 이격되어 있다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 4의 (a) 내지 (c) 및 도 5의 (a) 내지 (c)는, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크의 제조 방법을 예시하는 공정 단면도이다.
우선, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(11) 상의 전체 면에 하프톤막(12) 및 차광막(13)이 이 순서대로 적층된 구조체(31)를 준비한다.
다음에, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 구조체(31) 상의 전체 면에 레지스트막(32)을 형성한다. 레지스트막(32)은, 전자선에 의해 감광하는 재료에 의해 형성하고, 그 막 두께는 예를 들어 150㎚로 한다.
다음에, 도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 레지스트막(32)에 대하여 전자선 EB를 선택적으로 조사하여, 레지스트막(32)을 노광한다. 이때, 구조체(31)의 패턴 형성 영역(15)(도 2 참조)에 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴(16)(도 3 참조)을 묘화함과 함께, 서브 패턴 형성 영역(18)(도 2 참조)에 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴(19)(도 3 참조)을 묘화한다. 또한, 서브 패턴 형성 영역(18)은, 패턴 형성 영역(15)을 둘러싸도록 배치하고, 또한 패턴 형성 영역(15)으로부터 패턴(16)에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격시킨다. 구체적으로는, 레지스트막(32)이 포지티브형의 레지스트 재료로 이루어지는 경우에는, 패턴(16) 및 서브 패턴(19)이 형성될 예정인 영역에 전자선 EB를 조사한다.
또한, 이때, 서브 패턴(19)의 적어도 일부를, 패턴(16) 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되도록 묘화한다. 예를 들어, 본 실시 형태에 있어서는, 패턴(16) 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향은 Y방향이기 때문에, 서브 패턴(19)은, X방향으로 연장되는 라인 앤드 스페이스 형상의 패턴으로 한다.
다음에, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 레지스트막(32)을 현상한다. 이에 의해, 레지스트막(32)에 있어서의 전자선 EB가 조사된 부분이 용해되어, 선택적으로 제거된다. 이 결과, 레지스트막(32)이 패터닝된다.
다음에, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 패터닝된 레지스트막(32)을 마스크로 하여 에칭을 실시한다. 이에 의해, 차광막(13) 및 하프톤막(12)이 패터닝되어, 패턴(16) 및 서브 패턴(19)이 형성될 예정인 영역으로부터 제거된다. 그 후, 레지스트막(32)을 제거한다.
다음에, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 주변 부분 S를 덮고, 중앙 부분 C를 노출시키도록 레지스트막(33)을 형성한다. 그리고, 이 레지스트막(33)을 마스크로 하여 에칭을 실시함으로써, 중앙 부분 C에 있어서 차광막(13)을 제거하고, 하프톤막(12)을 잔류시킨다. 이 결과, 패턴 형성 영역(15)에 있어서 하프톤막(12)이 선택적으로 제거된 패턴(16)이 형성되고, 서브 패턴 형성 영역(18)에 있어서 하프톤막(12)이 선택적으로 제거된 서브 패턴(19)이 형성된다. 한편, 주변 부분 S에 있어서는, 하프톤막(12) 및 차광막(13)이 함께 잔류한다. 그 후, 레지스트막(33)을 제거한다. 이에 의해, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크(1)가 제조된다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크의 사용 방법, 즉, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 6은, 본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 모식적으로 예시하는 광학 모델도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 우선, 실리콘 웨이퍼(41)를 준비하고, 실리콘 웨이퍼(41) 상에 레지스트막(42)을 형성한다.
다음에, 상술한 노광용 마스크(1)를 사용하여, 레지스트막(42)을 노광한다. 구체적으로는, 노광광 L을 출사하는 광원(45) 및 노광광 L을 집광하는 렌즈(46)를 포함하는 노광용의 광학계를 구성하고, 이 광학계에 있어서의 광원(45)과 렌즈(46) 사이에 노광용 마스크(1)를 개재시키고, 렌즈(46)에 의해 노광광 L이 집광되는 위치에 실리콘 웨이퍼(41)를 위치시킨다. 이때, 노광광 L에는, 노광용 마스크(1)의 패턴(16) 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향으로 편광한 광을 사용한다.
이러한 광학계에 있어서, 광원(45)이 노광용 마스크(1)에 대하여 노광광 L을 조사하면, 노광용 마스크(1)에는 하프톤막(12) 및 차광막(13)이 선택적으로 형성되어 있기 때문에, 노광광 L은 노광용 마스크(1)를 선택적으로 투과하여, 렌즈(46)에 입사한다. 그리고, 노광광 L은 렌즈(46)에 의해 집광되어, 실리콘 웨이퍼(41) 상에 형성된 레지스트막(42)에 입사한다. 이때, 노광광 L의 빔 직경은, 렌즈(46)에 의해 예를 들어 (1/4)배로 축소된다.
이에 의해, 레지스트막(42)이 선택적으로 감광한다. 이때, 패턴(16)은, 실리콘 웨이퍼(41) 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기로 형성되어 있기 때문에, 레지스트막(42)에 있어서 결상한다. 한편, 서브 패턴(19)은, 실리콘 웨이퍼(41) 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기로 형성되어 있기 때문에, 레지스트막(42)에 있어서 결상하지 않는다.
또한, 서브 패턴(19)을 (1/4)배로 축소한 상의 배열 주기의 절반의 길이(하프 피치)를 R로 하고, 렌즈(46)의 개구수를 NA로 하고, 노광광 L의 파장을 λ로 할 때, 이들 R, NA 및 λ는, 상기 수학식 1을 만족한다. 또한, 도 6에 있어서는, 광원(45) 및 렌즈(46) 이외의 광학적 요소를 생략하고 있지만, 실제의 노광 장치에 있어서는, 보다 복잡한 광학계가 구성되어 있다.
다음에, 레지스트막(42)을 현상한다. 이에 의해, 노광용 마스크(1)의 패턴(16)이 레지스트막(42)에 전사되어, 레지스트막(42)이 패터닝된다. 한편, 노광용 마스크(1)의 서브 패턴(19)은 레지스트막(42)에 전사되지 않는다. 즉, 노광용 마스크(1)에 있어서의 서브 패턴(19)의 존재는, 레지스트막(42)의 패터닝에는 실질적으로 영향을 미치지 않는다.
다음에, 패터닝된 레지스트막(42)을 마스크로 하여, 실리콘 웨이퍼(41)에 대하여 에칭 또는 불순물 주입 등의 처리를 실시한다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼(41)가 가공된다. 이후, 통상의 반도체 프로세스를 실시함으로써 반도체 장치가 제조된다.
다음에, 본 실시 형태의 작용 효과에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에 있어서는, 패턴 형성 영역(15)의 주위에 서브 패턴(19)을 형성하고 있다. 이에 의해, 노광 마스크(1)를 제조할 때에, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역에 있어서, 패턴(16)의 크기가 변동하는 것을 방지할 수 있다.
이하, 이 효과에 대하여 상세하게 설명하기 위해, 본 실시 형태의 비교예에 대해 설명한다. 도 7은, 본 실시 형태의 비교예에 관한 노광 마스크를 예시하는 평면도이고,
도 8은, 횡축에 도 7의 A-A'선에 있어서의 위치를 취하고, 종축에 패턴의 폭의 기준값으로부터의 변동량을 취하여, 패턴의 폭의 변동량에 있어서의 위치 의존성을 모식적으로 예시하는 그래프도이다.
또한, 도 8의 횡축이 나타내는 범위는, 도 7에 도시한 노광 마스크(101)에 있어서의 1개의 패턴 형성 영역(15)의 X방향 전체 길이에 상당한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 비교예에 관한 노광용 마스크(101)에 있어서는, 서브 패턴(19)(도 2 참조)이 형성되어 있지 않다. 노광용 마스크(101)에 있어서의 이것 이외의 구성은, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크(1)(도 1 내지 도 3 참조)와 마찬가지이다. 그리고, 도 8에 도시한 바와 같이, 이러한 노광용 마스크(101)에 있어서는, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역(15s)에 형성된 패턴(16)의 폭은, 기준값에 대하여 크게 변동하고 있다.
이 이유는, 이하와 같이 고려된다. 즉, 도 5의 (a)에 도시한 현상 공정에 있어서, 패턴 형성 영역(15)의 중앙 영역(15c)(도 8 참조)의 임의의 1점에 있어서는, 이 1점으로부터 보아 전체 방위로 패턴(16)이 형성되기 때문에, 주위의 레지스트막(32)에 있어서의 용해되는 부분과 용해되지 않는 부분과의 비율, 즉 패턴 피복률이 전체 방위에 대하여 대략 균일하다. 이로 인해, 현상의 환경이 안정되어 있고, 형성되는 패턴(16)의 크기도 안정된다.
이에 반해, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역(15s)(도 8 참조)의 임의의 1점에 있어서는, 이 1점으로부터 보아 패턴 형성 영역(15)의 내측의 영역에서는 패턴(16)이 형성되지만, 패턴 형성 영역(15)의 외측의 영역에서는 패턴(16)이 형성되지 않기 때문에, 현상의 환경이 중앙 영역(15c)과는 상이하다. 이로 인해, 주변 영역(15s)에서는, 중앙 영역(15c)과 비교하여 현상의 환경이 상이하고, 이 결과, 현상 후의 패턴(16)의 크기가 변동하게 된다.
따라서, 본 실시 형태에 있어서는, 패턴 형성 영역(15)의 주위에 서브 패턴(19)을 형성하고 있다. 이에 의해, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역(15s)에 있어서도, 레지스트막(32)에 있어서의 용해되는 부분과 용해되지 않는 부분과의 비율(패턴 피복률)이 전체 방위에 대하여 대략 균일해져, 현상의 환경이 중앙 영역(15c)에 있어서의 현상의 환경에 근접하게 된다. 이 결과, 주변 영역(15s)에 있어서, 패턴(16)의 폭이 변동하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 서브 패턴 형성 영역(18)의 패턴 피복률은, 패턴 형성 영역(15)의 피복률에 완전히 일치시킬 필요는 없고, 예를 들어 절반 정도로 하면, 일정한 효과가 얻어진다.
다음에, 이 효과를 나타내는 실험 데이터에 대하여 설명한다.
도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는, 횡축에 노광 마스크에 있어서의 위치를 취하고, 종축에 패턴의 폭의 기준값으로부터의 변동량의 측정값을 취하여, 패턴의 폭의 변동량에 있어서의 위치 의존성을 예시하는 그래프도이며, 도 9의 (a)는 비교예를 나타내고, 도 9의 (b)는 본 실시 형태를 나타낸다.
또한, 도 9의 (a) 및 (b)의 횡축이 나타내는 범위는, 도 7에 도시한 노광 마스크(101) 및 도 2에 도시한 노광 마스크(1)에 있어서의 X방향 전체 길이에 상당한다. 또한, 도 9의 (a) 및 (b)에 있어서는, 각 패턴 형성 영역(15)의 중앙 영역(15c)에 있어서의 측정값을 흰색 사각형(□)으로 나타내고, 주변 영역(15s)에 있어서의 측정값을 검은색 원형(●)으로 나타내고 있다.
도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 비교예에 있어서는, 패턴(16)의 폭은 각 패턴 형성 영역(15) 내의 위치에 의존하고 있고, 중앙 영역(15c)에 있어서는, 변동량의 측정값은 0㎚ 부근에 작도되어 있지만, 주변 영역(15s)에 있어서는, 변동량의 측정값은 마이너스측으로 크게 변동하고 있다. 이에 반해, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 중앙 영역(15c) 및 주변 영역(15s)의 양쪽에 있어서, 변동량의 측정값은 0㎚ 부근에 작도되어 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역(15s)에 있어서의 패턴(16)의 크기의 변동을 억제할 수 있다.
서브 패턴 형성 영역(18)의 폭, 즉, 서브 패턴 형성 영역(18)에 있어서의 패턴 형성 영역(15)측의 외측 모서리와 패턴 형성 영역(15)의 반대측의 외측 모서리와의 사이의 거리는, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역(15s)의 폭, 즉, 비교예에 관한 노광용 마스크(101)에 있어서 패턴(16)의 폭이 패턴 형성 영역(15)의 중앙 영역(15c)에 형성된 패턴(16)의 폭에 대하여 변동하는 영역의 폭 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 패턴(16)의 크기의 변동을 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 서브 패턴(19)은 실리콘 웨이퍼(41) 상에서 해상 한계 미만의 크기로 되기 때문에, 레지스트막(42)에 전사되는 일이 없다. 이로 인해, 서브 패턴(19)의 존재에 의해, 실리콘 웨이퍼(41)의 가공이 영향을 받는 일은 없다.
또한, 서브 패턴 형성 영역(18)은, 패턴 형성 영역(15)으로부터 서브 패턴(19)이 패턴(16)에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격되어 있다. 이로 인해, 서브 패턴(19)의 존재에 의해, 패턴(16)의 형상이 영향을 받지 않고, 설계대로의 형상을 실현할 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 치수 정밀도가 높은 노광용 마스크를 얻을 수 있고, 이 노광용 마스크를 사용하여 반도체 장치를 고정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 패턴(16)의 완성 치수를 균일화하기 위해, 패턴 데이터 자체를 보정하는 방법도 고려된다. 그러나, 이 방법에서는, 동일 형상, 동일 크기의 패턴(16)이어도, 그 패턴(16)이 형성되는 위치에 따라서 패턴 데이터를 상이하게 할 필요가 있기 때문에, 패턴의 위치와 형상을 별개로 기억한다는 기존의 계층 구조를 적용할 수 없게 된다. 이로 인해, 패턴 데이터의 데이터량이 팽대하게 되어 현실적이지 않다. 이에 반해, 본 실시 형태에 따르면, 패턴(16)의 패턴 데이터 자체를 보정할 필요는 없고, 서브 패턴(19)의 패턴 데이터를 단순히 부가하는 것뿐이기 때문에, 데이터량이 과잉으로 증대되는 일은 없다. 또한, 기존의 설계 자산을 그대로 이용할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 노광용 마스크(1)의 주변 부분 S에 차광막(13)이 형성되어 있기 때문에, 주변 부분 S에 입사한 노광광 L이 노광용 마스크(1)를 투과하여 레지스트막(42)에 도달하는 일이 없다. 이에 의해, 레지스트막(42)에 있어서, 노광용 마스크(1)의 중앙 부분 C가 투영되는 영역끼리 근접하도록 하여, 1매의 실리콘 웨이퍼(41)에 대하여 복수회의 노광을 행할 수 있어, 실리콘 웨이퍼(41)를 유효하게 이용할 수 있다.
게다가 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 패턴(16)에 있어서의 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 Y방향으로 연장되어 있고, 서브 패턴(19)이 X방향으로 연장되는 라인 앤드 스페이스에 의해 구성되어 있다. 이로 인해, 노광광으로서, Y방향으로 편광한 광을 사용하면, 패턴(16)의 해상도는 보다 한층 향상되고, 서브 패턴(19)의 해상도는 보다 한층 저하된다. 이에 의해, 패턴(16)은 보다 전사되기 쉬워지고, 서브 패턴(19)은 보다 전사되기 어려워진다. 이 결과, 상술한 효과가 보다 한층 커진다. 또한, 상술한 효과는, 패턴(16)이 연장되는 방향과 서브 패턴(19)이 연장되는 방향을 직교시켰을 때에 가장 커지지만, 직교에 한정되지 않고 양방향을 서로 교차시키면, 상술한 효과를 어느 정도 실현할 수 있다.
게다가 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 서브 패턴 형성 영역(18)이 패턴 형성 영역(15)을 둘러싸도록 배치되어 있기 때문에, 패턴 형성 영역(15)의 주변 영역(15s) 전체에 대하여 패턴(16)의 크기의 변동을 억제할 수 있다.
게다가 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 서브 패턴(19)의 크기가 상기 수학식 1을 만족하고 있기 때문에, 서브 패턴(19)이 웨이퍼 상에 전사되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 서브 패턴(19)의 크기를, 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기로 하는 예를 나타내었지만, 반드시 이것에는 한정되지 않고, 노광 공정에 있어서, 웨이퍼 상에 패턴(16)은 전사시키고, 서브 패턴(19)은 전사시키지 않으면 된다. 예를 들어, 서브 패턴(19)의 크기를 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기로 해도, 노광광의 광량을 통상보다도 낮게 함으로써, 서브 패턴(19)을 웨이퍼 상에 전사시키지 않으면, 본 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 제1 실시 형태의 제1 변형예에 대하여 설명한다.
도 10은, 본 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 평면도이다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 변형예에 관한 노광용 마스크(2)에 있어서는, 각 칩 영역(17)에 1개의 패턴 형성 영역(15)이 형성되어 있다. 그리고, 각 패턴 형성 영역(15)을 둘러싸도록 프레임 형상의 서브 패턴 형성 영역(18)이 형성되어 있고, 모든 서브 패턴 형성 영역(18)은 서로 이격되어 있다. 본 변형예에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 사용 방법 및 작용 효과는, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
다음에, 제1 실시 형태의 제2 변형예에 대하여 설명한다.
도 11은, 본 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도이다.
도 11에 도시한 바와 같이, 본 변형예에 관한 노광용 마스크(3)에 있어서는, 서브 패턴 형성 영역(18)의 일부가 주변 부분 S에 진입하고 있다. 즉, 서브 패턴(19)의 일부는, 하프톤막(12) 단층의 부분이 아니라, 하프톤막(12)과 차광막(13)이 적층된 부분에 형성되어 있다. 이 경우도, 서브 패턴(19)은 웨이퍼 상에는 전사되지 않고, 전술한 제1 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있다. 본 변형예에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 사용 방법 및 작용 효과는, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
다음에, 제1 실시 형태의 제3 변형예에 대하여 설명한다.
도 12는 본 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도이다.
도 12에 도시한 바와 같이, 본 변형예에 관한 노광용 마스크(4)는, 전술한 제1 실시 형태에 관한 노광용 마스크(1)(도 1 내지 도 3 참조)와 비교하여, 차광막(13) 대신에 가공용 막(14)이 형성되어 있는 점이 상이하다. 가공용 막(14)은 노광용 마스크(4)의 가공에 사용된 막이며, 차광막(13)보다도 얇은 막이다. 가공용 막(14)은, 예를 들어 크롬에 의해 형성되어 있다. 본 변형예에 따르면, 노광용 마스크(4)의 제조시에 사용한 가공용 막(14)을 주변 부분 S에 잔류시킴으로써, 차광막으로서 사용하고 있기 때문에, 특별히 차광막(13)을 형성할 필요가 없게 되어, 제조 비용을 저감시킬 수 있다. 본 변형예에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 사용 방법 및 작용 효과는, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
다음에, 제1 실시 형태의 제4 변형예에 대하여 설명한다.
도 13은 본 변형예에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도이다.
도 13에 도시한 바와 같이, 본 변형예에 관한 노광용 마스크(5)는, 전술한 제1 실시 형태에 관한 노광용 마스크(1)(도 1 내지 도 3 참조)와 비교하여, 하프톤막(12)이 형성되어 있지 않고, 전체 면에 차광막(13)이 형성되어 있는 점이 상이하다. 그리고, 중앙 부분 C에 있어서 차광막(13)이 패터닝됨으로써 패턴(16) 및 서브 패턴(19)이 형성되어 있다. 즉, 패턴 형성막으로서, 노광광을 실질적으로 모두 차단하는 차광막(13)을 사용한다. 이러한 완전 차광형의 포토마스크에 대해서도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 변형예에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 사용 방법 및 작용 효과는, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다.
도 14는, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크를 예시하는 단면도이다.
도 14에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크(6)는, 반사형의 EUV 마스크이다. 노광용 마스크(6)에 있어서는, 노광광을 반사하는 기판(61)이 설치되어 있다. 기판(61)에 있어서는, 저열팽창 유리로 이루어지는 기재(62)가 설치되어 있고, 이 기재(62) 상에, 예를 들어 두께가 4.0㎚인 실리콘층(도시하지 않음)과 두께가 2.9㎚인 몰리브덴층(도시하지 않음)이 교대로 40쌍 적층된 다층막(63)이 형성되어 있다. 다층막(63) 상에는, 예를 들어 실리콘으로 이루어지고 두께가 11㎚인 캐핑층(64)이 형성되어 있다.
또한, 캐핑층(64) 상에는, 패턴 형성막으로서 광 흡수막(66)이 형성되어 있다. 광 흡수막(66)은, 예를 들어 두께가 37㎚인 탄탈 붕소 질화물(TaBN)층 상에, 두께가 14㎚인 탄탈 붕소 산화물(TaBO)층이 적층된 2층 막이다. 광 흡수막(66)은, 예를 들어 노광광의 일부를 투과시키는 하프톤형의 막이다.
본 실시 형태에 있어서도, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지로, 중앙 부분 C에 있어서, 패턴 형성 영역(15)의 주위에 서브 패턴 형성 영역(18)이 형성되어 있다. 패턴 형성 영역(15)에 있어서는, 웨이퍼 상에서의 투영 크기가 해상 한계 이상이며, 웨이퍼 상에 전사되는 패턴(16)이 형성되어 있다. 한편, 서브 패턴 형성 영역(18)에 있어서는, 웨이퍼 상에서의 투영 크기가 해상 한계 미만이며, 웨이퍼 상에 전사되지 않는 서브 패턴(19)이 형성되어 있다. 패턴(16) 및 서브 패턴(19)은, 광 흡수막(66)이 패터닝됨으로써 형성되어 있다.
한편, 주변 부분 S에 있어서는, 광 흡수막(66)이 연속적으로 형성되어 있다. 또한, 주변 부분 S와 중앙 부분 C의 경계 부분 B에 있어서는, 다층막(63), 캐핑층(64) 및 광 흡수막(66)이 형성되어 있지 않아, 기재(62)가 노출되어 있다. 이에 의해, 경계 부분 B는, 노광광을 실질적으로 반사하지 않는 차광 영역으로서 기능한다.
또한, 본 실시 형태에 관한 노광용 마스크(6)는, 마스크 블랭크스로서, 기판(61) 상의 전체 면에 광 흡수막(66)이 형성된 구조체를 사용하고, 이 구조체에 대하여 전술한 제1 실시 형태(도 4 및 도 5 참조)와 같은 프로세스를 실시함으로써 제조할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 사용 방법 및 작용 효과는, 전술한 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
이상, 실시 형태 및 그 변형예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 이들의 실시 형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니다. 전술한 각 실시 형태 및 변형예에 대하여 당업자가 적절하게 구성 요소의 추가, 삭제 혹은 설계 변경을 행한 것, 또는 공정의 추가, 생략 혹은 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.

Claims (18)

  1. 노광에 의해 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 노광용 마스크이며,
    기판과,
    상기 기판 상에 설치되고, 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴이 형성된 패턴 형성 영역과,
    상기 기판 상에 설치되고, 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴이 형성된 서브 패턴 형성 영역을 구비하고,
    상기 서브 패턴 형성 영역은, 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격되어 있고,
    상기 서브 패턴 형성 영역에 있어서의 상기 패턴 형성 영역측의 외측 모서리와 상기 패턴 형성 영역의 반대측의 외측 모서리와의 사이의 거리는, 상기 서브 패턴 형성 영역이 형성되어 있지 않은 경우에, 상기 패턴의 폭이 상기 패턴 형성 영역의 중앙 영역에 형성된 상기 패턴의 폭에 대하여 변동하는 주변 영역의 폭 이상인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노광용 마스크의 주변 부분에 형성된 차광막을 더 구비한 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 적어도 일부의 상기 서브 패턴은, 상기 패턴 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 적어도 일부의 서브 패턴은, 상기 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 서브 패턴 형성 영역은, 상기 패턴 형성 영역을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 패턴 형성 영역은 복수 형성되어 있고, 서로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 서브 패턴이 상기 웨이퍼 상에 투영되었다고 가정하였을 때의 투영상(投影像)의 배열 주기의 절반의 길이를 R로 하고, 상기 노광에 사용하는 렌즈의 개구수를 NA로 하고, 상기 노광에 사용하는 광의 파장을 λ로 할 때, 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
    <수학식 1>
    Figure pat00002
  8. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 노광에 사용하는 광을 투과시키는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판은, 상기 노광에 사용하는 광을 반사하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  10. 노광에 의해 웨이퍼 상에 패턴을 전사하는 노광용 마스크의 제조 방법이며,
    기판 상에 패턴 형성막이 형성된 구조체 상에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막을 노광하는 공정과,
    상기 노광 후의 레지스트막을 현상함으로써 상기 레지스트막을 선택적으로 제거하는 공정과,
    상기 선택적으로 제거된 레지스트막을 마스크로 하여 에칭을 실시하고, 상기 패턴 형성막을 선택적으로 제거하는 공정을 구비하고,
    상기 레지스트막을 노광하는 공정에 있어서, 패턴 형성 영역에 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴을 묘화하고, 서브 패턴 형성 영역에 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴을 묘화하고, 상기 서브 패턴 형성 영역을 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격시키고, 상기 서브 패턴 형성 영역에 있어서의 상기 패턴 형성 영역측의 외측 모서리와 상기 패턴 형성 영역의 반대측의 외측 모서리와의 사이의 거리는, 상기 서브 패턴 형성 영역이 형성되어 있지 않은 경우에, 상기 패턴의 폭이 상기 패턴 형성 영역의 중앙 영역에 형성된 상기 패턴의 폭에 대하여 변동하는 주변 영역의 폭 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 구조체로서, 상기 패턴 형성막 상에 차광막이 형성된 구조체를 사용하고,
    상기 패턴 형성 영역에 배치된 상기 차광막을 제거하는 공정을 더 구비하고,
    상기 패턴 형성막을 선택적으로 제거하는 공정에 있어서, 상기 패턴 형성막 및 상기 차광막을 상기 노광용 마스크의 주변 부분에 잔류시키는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 레지스트막을 노광하는 공정에 있어서, 적어도 일부의 상기 서브 패턴을, 상기 패턴 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되도록 묘화하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 레지스트막을 노광하는 공정에 있어서, 상기 적어도 일부의 서브 패턴을, 상기 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되도록 묘화하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 서브 패턴 형성 영역을, 상기 패턴 형성 영역을 둘러싸도록 배치하는 것을 특징으로 하는 노광용 마스크의 제조 방법.
  15. 웨이퍼 상에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    노광용 마스크를 사용하여 상기 레지스트막을 노광하는 공정을 구비하고,
    상기 노광용 마스크에는, 기판 상에, 패턴이 형성된 패턴 형성 영역 및 서브 패턴이 형성되고, 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격한 서브 패턴 형성 영역이 형성되고, 패턴 형성 영역에 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 이상으로 되는 크기의 패턴을 묘화하고, 서브 패턴 형성 영역에 상기 웨이퍼 상에서 해상 한계 미만으로 되는 크기의 서브 패턴을 묘화하고, 상기 서브 패턴 형성 영역을 상기 패턴 형성 영역으로부터 상기 패턴에 광 근접 효과를 미치지 않는 거리만큼 이격시키고, 상기 서브 패턴 형성 영역에 있어서의 상기 패턴 형성 영역측의 외측 모서리와 상기 패턴 형성 영역의 반대측의 외측 모서리와의 사이의 거리는, 상기 서브 패턴 형성 영역이 형성되어 있지 않은 경우에, 상기 패턴의 폭이 상기 패턴 형성 영역의 중앙 영역에 형성된 상기 패턴의 폭에 대하여 변동하는 주변 영역의 폭 이상으로 하는 마스크를 사용하고,
    상기 노광하는 공정에 있어서, 상기 웨이퍼 상에 상기 패턴을 전사시키고, 상기 서브 패턴은 전사시키지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 적어도 일부의 상기 서브 패턴은, 상기 패턴 중 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장되어 있고,
    상기 노광에는, 상기 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향으로 편광한 광을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 적어도 일부의 서브 패턴은, 상기 가장 배열 주기가 짧은 패턴이 연장되는 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 서브 패턴이 상기 웨이퍼 상에 투영되었다고 가정하였을 때의 투영상의 배열 주기의 절반의 길이를 R로 하고, 상기 노광에 사용하는 렌즈의 개구수를 NA로 하고, 상기 노광에 사용하는 광의 파장을 λ로 할 때, 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    <수학식 1>
    Figure pat00003
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