KR20120106985A - 이방성 도전 필름, 접속 구조체 및 그들의 제조 방법 - Google Patents

이방성 도전 필름, 접속 구조체 및 그들의 제조 방법 Download PDF

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KR20120106985A
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야스시 아쿠츠
고우이치 사토
시게유키 요시자와
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소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤
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Abstract

이방성 도전 필름은, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 도전 입자를 분산시킨 것이다. (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물은, 식 (1) 의 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유한다.
Figure pct00009

식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기이고, R2 는 알킬렌기 또는 알킬옥시기이고, R3 은 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 할로겐 원자이고, n 은 0 ? 3 의 정수이고, R4 는 존재하지 않거나 또는 산소 원자로 치환해도 되는 알킬렌기이고, R4 가 존재하지 않는 경우, R4 의 양측 점선은 그것들로 단결합을 나타내고, X1 은 존재하지 않거나 또는 산소 원자 혹은 탄소 원자이고, X1 이 존재하지 않는 경우, X1 의 양측 실선은 그것들로 단결합을 나타내고, X2 는 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자이다.

Description

이방성 도전 필름, 접속 구조체 및 그들의 제조 방법{ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM, CONNECTION STRUCTURE BODY, AND PROCESSES FOR PRODUCTION OF THESE MATERIALS}
본 발명은, 배선 기판에 IC 칩을 실장하는 경우 등에 바람직하게 사용할 수 있는 이방성 도전 필름에 관한 것이다.
종래부터, 이방성 도전 필름의 열경화성 접착 조성물의 주성분으로는 에폭시 화합물이 사용되고 있었지만, 이방성 도전 접속시의 경화 온도의 저온화, 택트 타임의 단축화를 위해서, 유기 과산화물로 라디칼 중합을 개시하는 아크릴계 모노머를 열경화성 접착 주성분으로서 사용하게 되었다. 이 경우, 에폭시 화합물과 달리, 중합 중에 수산기가 형성되지 않기 때문에, 열경화성 접착 조성물의 경화물의 접착 강도가 충분하지는 않았다. 그 때문에, 열경화성 접착 조성물에, 인산기 함유 아크릴레이트를 절연성 접착 조성물에 배합하는 것이 제안되어 있다 (특허문헌 1).
일본 공개특허공보 2003-313533호
그러나, 인산아크릴레이트의 경우, 폴리이미드나 금속 배선에 대한 접착성이 향상되기는 하지만, 인산아크릴레이트에 함유되어 있던 불순물이나 분해물에 의해 금속 배선의 부식이 발생하는 것이 염려되기 때문에, 충분한 양으로 배합할 수 없어, 의도한 접착성을 실현하는 것이 곤란하였다. 또, 우레탄아크릴레이트의 경우, 응력 완화성을 고려하면 비교적 고분자량의 것을 사용해야 하지만, 고분자량의 우레탄아크릴레이트를 배합하면 절연성 접착제 조성물의 점도가 높아지기 때문에, 이방성 도전 접속시에 접속해야 할 전극 사이로부터 절연성 접착 조성물이 충분히 배제되기 전에 경화되어 버린다는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은, 이상의 종래 기술의 문제점을 해결하는 것으로서, 유기 과산화물로 라디칼 중합을 개시하는 아크릴계 모노머를 열경화성 접착 주성분으로서 사용하는 이방성 도전 필름에 있어서, 인산기 함유 아크릴레이트를 사용하지 않고 접착 강도를 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 이방성 도전 필름의 절연성 접착제 조성물의 열경화 성분인 아크릴계 모노머로서, 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머를 사용함으로써, 상기 서술한 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은, 도전 입자가, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 분산되어 이루어지는 이방성 도전 필름에 있어서, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물이 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유하는 이방성 도전 필름을 제공한다.
또, 본 발명은, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 도전 입자를 균일하게 분산 혼합시켜, 얻어진 혼합물을 박리 필름에 도포하고, 건조시킴으로써 이방성 도전 필름을 제조하는 방법에 있어서, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물로서, 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용하는 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가, 상기 서술한 본 발명의 이방성 도전 필름을 개재하여 이방성 도전 접속되어 이루어지는 접속 구조체를 제공한다.
또한, 본 발명은, 이 접속 구조체의 제조 방법으로서,
제 1 전자 부품의 단자 상에 전술한 본 발명의 이방성 도전 필름을 가(假)점착하고,
가점착된 이방성 도전 필름 상에 제 2 전자 부품을, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 대향하도록 가설치하고,
가설치된 제 2 전자 부품을 가열 가압함으로써, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속하는 제조 방법을 제공한다.
도전 입자가, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 분산되어 이루어지는 본 발명의 이방성 도전 필름에 있어서는, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물이 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유한다. 이 때문에, 이방성 도전 필름의 접착 강도를, 인산기 함유 아크릴레이트를 사용하지 않고 향상시킬 수 있다. 따라서, 도통 저항치를 낮게 할 수 있고, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은, 도전 입자가, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 분산되어 이루어지는 이방성 도전 필름으로서, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물이 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유하는 것을 특징으로 한다.
고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트에 있어서의 당해 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기로는, 예를 들어, 하이드록시카르복실산의 카르복실기와 하이드록실기가 탈수 고리화하여 형성된 고리형 카르복실산에스테르 잔기 (락톤, 락티드), 티올카르복실산의 카르복실기와 티올기가 축합 탈수 고리화하여 형성된 고리형 카르복실산티오에스테르 잔기, 포스겐의 염소기와 알코올의 하이드록시기가 탈염화수소 고리화하여 형성된 고리형 카보네이트 잔기, 아미노산의 카르복실기와 아미노기가 탈수 고리화하여 형성된 고리형 아미드 잔기 등을 들 수 있다.
본 발명에서 사용하는 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트는, 구체적으로는 이하의 식 (1) 의 구조식으로 나타내어진다.
Figure pct00001
식 (1) 에 있어서, R1, R2, R3, n, R4, X1, 및 X2 는 이하의 의미를 갖는다.
R1 은 수소 원자 또는 메틸기이다.
R2 는 알킬렌기 또는 알킬옥시기이다. 여기서, 알킬렌기로는, 메틸렌기, 디메틸렌기, 트리메틸렌기 등을 들 수 있다. 알킬옥시기로는, -CH2O- 기, -C2H4O- 기, -C3H6O- 기, -CH(CH3)CH2O- 기 등을 들 수 있다. 알킬렌기 및 알킬옥시기는, 하이드록시기, 메틸기, 염소 원자, 페닐기 등의 치환기로 치환되어도 된다.
R3 은 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 할로겐 원자이다. 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 등을 들 수 있다. 알킬렌기로는, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, 나프틸기 등을 들 수 있다. 이들은, 하이드록시기, 메틸기, 염소 원자, 페닐기 등의 치환기로 치환되어도 된다. n 은 0 ? 3 의 정수이다.
R4 는 존재하지 않거나 또는 산소 원자로 치환해도 되는 알킬렌기이고, R4 가 존재하지 않는 경우, R4 의 양측 점선은 그것들로 하나의 단결합을 나타낸다. 산소 원자로 치환해도 되는 알킬렌기로는, 메틸렌기, 디메틸렌기, 트리메틸렌기, -CH2OCH2- 기, -C2H4OC2H4- 기,-CH2O- 기, -C2H4O- 기, -C3H6O- 기, -CH(CH3)CH2O- 기 등을 들 수 있다.
X1 은 존재하지 않거나 또는 산소 원자 혹은 탄소 원자이고, X1 이 존재하지 않는 경우, X1 의 양측 실선은 그것들로 하나의 단결합을 나타낸다.
X2 는 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자이다.
본 발명에서는 (메트)아크릴레이트로서, 접착 강도 향상의 면에서 고리형 에스테르 잔기를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는, 이하 식 (2) 또는 (3) 의 구조식 (식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기이다) 으로 나타내는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
Figure pct00002
본 발명에 있어서, 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머의 (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물 중의 배합량은, 지나치게 적으면 접착 강도가 낮아지는 경향이 있고, 지나치게 많으면 필름 강도가 저하되고, 필름 형상이 되지 않게 되는 경향이 있으므로, 바람직하게는 1 ? 50 질량％, 보다 바람직하게는 3 ? 30 질량％ 이다.
본 발명에 있어서는, (메트)아크릴레이트계 모노머로서, 이상 설명한 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 것 외에, 필요에 따라, 단관능 (메트)아크릴레이트, 2 관능 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 접착제를 열경화성으로 하기 위해서, (메트)아크릴계 모노머의 적어도 일부에 다관능 (메트)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다.
단관능 (메트)아크릴레이트 (여기서, (메트)아크릴레이트에는 아크릴레이트와 메타크릴레이트가 포함된다) 로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, i-프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, i-부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸부틸(메트)아크릴레이트, n-펜틸(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, n-헵틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 2-부틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 이소펜틸(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 페녹시(메트)아크릴레이트, n-노닐(메트)아크릴레이트, n-데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 헥사데실(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 2 관능 (메트)아크릴레이트로는, 비스페놀 F-EO 변성 디(메트)아크릴레이트, 비스페놀 A-EO 변성 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메틸올디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디엔(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 3 관능 (메트)아크릴레이트로는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 PO 변성 (메트)아크릴레이트, 이소시아누르산 EO 변성 트리(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 4 관능 이상의 (메트)아크릴레이트로는, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 그 외에, 다관능 우레탄(메트)아크릴레이트도 사용할 수 있다. 구체적으로는, M1100, M1200, M1210, M1600 (이상, 토아 합성 공업 (주)), AH-600, AT-600 (이상, 쿄에이샤 화학 (주)) 등을 들 수 있다.
고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유하는 (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물의 절연성 접착제 조성물 중의 배합량은, 지나치게 적으면 접착 강도가 낮아지는 경향이 있고, 지나치게 많으면 필름 강도가 저하되고, 필름 형상이 되지 않게 되는 경향이 있으므로, 바람직하게는 1 ? 50 질량％, 보다 바람직하게는 3 ? 30 질량％ 이다.
라디칼 중합 개시제로는, 공지된 라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥사이드, 하이드로퍼옥사이드 등의 과산화물계 중합 개시제, 아조비스부티로니트릴 등의 아조계 중합 개시제, 레독스계 중합 개시제 등을 들 수 있다. 특히 재료의 입수 용이성, 경화 특성의 면에서 과산화벤조일을 바람직하게 사용할 수 있다.
라디칼 중합 개시제의 절연성 접착제 조성물 중의 배합량은, 지나치게 적으면 경화가 불충분해지는 경향이 있고, 지나치게 많으면 중합도가 낮아져 필름 특성이 악화되는 경향이 있으므로, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ? 40 질량부, 보다 바람직하게는 2 ? 20 질량부이다.
성막용 수지로는, 이방성 도전 필름의 사용 용도 등에 따라 공지된 성막용 수지 중에서 적절히 선택할 수 있고, 예를 들어 페녹시 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있고, 이들의 1 종 또는 2 종 이상을 병용할 수 있다. 이들 중에서도, 제막성(製膜性), 가공성, 접속 신뢰성의 면에서, 비스페놀 A 와 에피클로르히드린으로부터 합성되는 것과 같은 페녹시 수지를 바람직하게 사용할 수 있고, 시판품을 사용할 수도 있다.
성막용 수지의 절연성 접착제 조성물 중의 배합량은, 지나치게 적으면 필름성이 저하되는 경향이 있고, 지나치게 많으면 압착시의 수지 배제성이 악화되는 경향이 있으므로, 용제를 제외한 절연성 접착제 조성물 중에 바람직하게는 10 ? 80 질량부, 보다 바람직하게는 20 ? 60 질량부이다.
본 발명에서 사용하는 절연성 접착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 이방성 도전 필름의 절연성 접착제에 종래부터 첨가되어 있는 각종 첨가제, 예를 들어 실란 커플링제, 무기 필러, 고무 성분, 안료, 산화 방지제, 희석제, 용제, 대전 방지제 등을 배합할 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 필름을 구성하는 도전 입자로는, 이방성 도전 접착제에 종래 사용되고 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어 니켈, 코발트, 은, 구리, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 폴리스티렌 입자나 구아나민 수지 입자의 표면을 무전해 도금 금속으로 피복한 무전해 도금 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 이와 같은 수지 입자의 크기는, 바람직하게는 1 ? 20 ㎛, 보다 바람직하게는 2 ? 10 ㎛ 이다.
또, 도전 입자의 이방성 도전 필름 중의 함유량은, 지나치게 적으면 접속 신뢰성의 저하가 염려되고, 지나치게 많으면 쇼트의 발생이 염려되므로, 바람직하게는 1 ? 50 질량％, 보다 바람직하게는 2 ? 30 질량％ 이다.
본 발명의 이방성 도전 필름에는, 절연성 접착 필름을 적층해도 된다. 언더필 적용 공정을 생략할 수 있게 된다. 이와 같은 절연성 접착 필름으로는, 도전 입자를 사용하지 않는 것 이외에는 본 발명의 이방성 도전 필름과 원칙적으로 동일한 구성을 취할 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 필름은, 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유하는 (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에, 도전 입자를 공지된 분산 수법에 의해 균일하게 분산 혼합하고, 얻어진 혼합물을 실리콘 박리 처리 폴리에스테르 필름 등의 박리 필름에 바코터 등의 공지된 도포 수법에 의해 건조 두께로 10 ? 50 ㎛ 가 되도록 도포하고, 예를 들어, 50 ? 90 ℃ 의 항온조에 투입하여 건조시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 절연성 접착 필름을 적층하는 경우에는, 이방성 도전 필름에, 절연성 접착제 조성물을 도포하고, 건조시키면 된다.
이와 같이 제조되는 본 발명의 이방성 도전 필름은, 이방성 도전 접속에 의해 접속 구조체를 제조할 때에 바람직하게 적용할 수 있다. 이와 같은 접속 구조체는, 유리 배선 기판, 실리콘 배선 기판, 유리 에폭시 배선 기판 등의 제 1 전자 부품의 구리나 금 등의 전극 패드나 범프 등의 단자와, IC 칩, LED 칩, 플렉시블 프린트 배선판 (FPC) 등의 제 2 전자 부품의 금이나 땜납 범프 등의 단자 사이를, 본 발명의 이방성 도전 필름을 개재하여 이방성 도전 접속되어 이루어지는 접속 구조체이다.
이 접속 구조체는, 이하와 같이 제조할 수 있다.
먼저, 제 1 전자 부품의 단자 상에 본 발명의 이방성 도전 필름을 가점착한다. 보다 구체적으로는, 제 1 전자 부품의 단자 상에 본 발명의 이방성 도전 필름을 위치 맞춤시켜 재치 (載置) 하고, 이방성 도전 필름을 가열 가압 본더로 가압하면서, 본 경화 온도보다 저온에서 가열함으로써, 이방성 도전 필름의 표면에 점착성을 발현시켜, 그 점착성으로 제 1 전자 부품에 가점착한다.
또한, 가열 가압 본더로는, 공지된 본더를 사용할 수 있다. 또한, 본더의 가압면은, 스테인리스 스틸 등의 금속면이어도 되지만, 일본 공개특허공보 2005-32952호, 일본 공개특허공보 2006-24554호의 각각의 청구항 1 에 기재된 실장 방법에 적용되고 있는 열압착 헤드와 같이 탄성체여도 된다.
다음으로, 가점착된 이방성 도전 필름 상에 제 2 전자 부품을, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 대향하도록 가설치한다. 이 가설치는, 이방성 도전 필름의 표면이 점착성을 나타내고 있는 동안에 실시하는 것이 바람직하다.
또한, 가설치된 제 2 전자 부품을, 가열 가압 본더로 가열 가압함으로써, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자를, 그들 사이에 끼워져 뭉개진 도전 입자로 인접 단자 사이에서의 쇼트 발생을 방지하면서 도통시키고, 또한, 절연성 접착제 조성물을 경화시킴으로써 제 1 전자 부품과 제 2 전자 부품을 접착시킨다. 이로써, 접속 구조체를 얻을 수 있다. 이와 같은 접속 구조체의 구체예로는, 액정 패널, 유기 EL 패널, LED, 반도체 장치 등을 들 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
참고예 1 (락톤아크릴레이트의 합성)
아크릴산 (72.1 g, 1 몰), α-하이드록시-γ-부티로락톤 (112.3 g, 1.1 몰), p-톨루엔술폰산 3 g, 및 톨루엔 1 ℓ 를 반응 용기에 투입하고, 물을 제거하면서 5 시간 가열 환류시켜 에스테르화하였다. 톨루엔을 감압 증류 제거하고, 잔류물을 감압 증류 처리함으로써, γ-부티로락톤-2-일아크릴레이트를 50 ％ 의 수율로 얻었다.
참고예 2 (고리형 카보네이트아크릴레이트의 합성)
α-하이드록시-γ-부티로락톤을 4-하이드록시메틸-1,3-디옥소란-2-온으로 대신한 것 이외에는, 참고예 1 의 합성 공정을 반복함으로써 1,3-디옥소란-2-온-4-일메틸아크릴레이트를 얻었다.
참고예 3 (락탐아크릴레이트의 합성)
α-하이드록시-γ-부티로락톤을 α-하이드록시-γ-부티로락탐으로 대신한 것 이외에는, 참고예 1 의 합성 공정을 반복함으로써 γ-부티로락탐-2-일아크릴레이트를 얻었다.
참고예 4 (절연성 접착 페이스트의 조제)
페녹시 수지 (YP50, 토토 화성 (주)) 60 질량부, 참고예 2 에서 조제한 고리형 카보네이트아크릴레이트 30 질량부, 우레탄아크릴레이트 (U-4HA, 신나카무라 화학 공업 (주)) 20 질량부, 및 과산화벤조일 (나이파 BW, 니치유 (주)) 5 질량부를, 아세트산에틸과 톨루엔의 혼합 용매 (1/1 (V/V)) 로 고형분 50 ％ 가 되도록 혼합함으로써 절연성 접착 페이스트를 조제하였다.
참고예 5 (절연성 접착 페이스트의 조제)
페녹시 수지 (YP50, 토토 화성 (주)) 60 질량부, 사슬형 에스테르아크릴레이트 (NK 에스테르 A-SA, 신나카무라 화학 공업 (주)) 30 질량부, 우레탄아크릴레이트 (U-4HA, 신나카무라 화학 공업 (주)) 20 질량부, 및 과산화벤조일 (나이파 BW, 니치유 (주)) 5 질량부를, 아세트산에틸과 톨루엔의 혼합 용매 (1/1 (V/V)) 로 고형분 50 ％ 가 되도록 혼합함으로써 절연성 접착 페이스트를 조제하였다.
실시예 1 ? 5 및 비교예 1 (단층 이방성 도전 필름의 제조)
표 1 의 실시예 1 ? 5 및 비교예 1 의 배합 성분을, 아세트산에틸과 톨루엔의 혼합 용매 (1/1 (V/V)) 로 고형분 50 ％ 가 되도록 혼합하여 이방성 도전 접착제 페이스트를 조제하였다. 이 페이스트를 50 ㎛ 두께의 박리 처리가 완료된 폴리에틸렌테레프탈레이트에, 건조 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포하고, 70 ℃ 의 오븐 중에서 5 분간 건조시킴으로써 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 6 ? 15 및 비교예 2 ? 3 (2 층 구조의 이방성 도전 필름의 제조)
표 2 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 ? 5 및 비교예 1 의 이방성 도전 필름에 대하여, 참고예 4 또는 5 의 절연성 접착 페이스트를, 각각 실시예 1 ? 5 및 비교예 1 의 이방성 도전 필름에 건조 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포하고, 70 ℃ 의 오븐 중에서 5 분간 건조시킴으로써 절연성 접착층이 적층된 2 층 구조의 이방성 도전 필름을 제조하였다.
＜평가＞
얻어진 이방성 도전 필름에 대하여, 이하에 설명하는 바와 같이 접착 강도, 도통 저항, 접속 신뢰성을 시험하였다.
(접착 강도)
200 ㎚ 두께의 ITO 막이 전체면에 형성된 0.7 ㎜ 두께의 유리 기판에, 10 ㎜ 폭의 이방성 도전 필름을 가점착하고, 그 위로부터 플렉시블 프린트 배선판 (소니 케미컬 ＆ 인포메이션 디바이스 (주) 제조, 사이즈：20 ㎜ × 40 ㎜ × 총두께 46 ㎛ (PI/Cu = 38 ㎛/8 ㎛, 피치 50 ㎛)) 을 가고정하였다. 160 ℃, 4 ㎫, 4 초간이라는 조건에서 첩부(貼付)하고, 박리 시험기 (텐실론, (주) 오리엔테크) 를 사용하여 박리 속도 50 ㎜/분으로 90 도 박리 시험을 실시하였다. 얻어진 접착 강도 [N/㎝] 를 표 1 에 나타낸다. 접착 강도는 실용상 6 N/㎝ 이상인 것이 바람직하다.
(도통 저항)
플렉시블 프린트 배선판 (소니 케미컬 ＆ 인포메이션 디바이스 (주) 제조, 사이즈：20 ㎜ × 40 ㎜ × 총두께 46 ㎛ (PI/Cu = 38 ㎛/8 ㎛, 피치 50 ㎛)) 과, 20 ㎛ 두께의 핸더 표면층이 형성된 전극 패드 (Au/Ni 도금 Cu 베이스) 를 갖는 유리 에폭시 기판 (679F, 히타치 화성 공업 (주)：38 ㎜ × 38 ㎜ × 0.6 ㎜ 두께) 사이에 이방성 도전 필름을 협지시키고, 가열 가압 본더로, 160 ℃, 4 ㎫ 의 압력으로 4 초 가열 가압함으로써 접속 구조체를 얻었다. 이 접속 구조체에 있어서의 IC 칩과 배선 기판 사이의 도통 저항을 4 단자법에 의해 측정하고, 측정한 저항치를 표 1 에 나타낸다. 도통 저항은, 실용상 1 Ω 이하인 것이 요구된다.
(접속 신뢰성)
도통 저항을 측정한 접속 구조체를, 고온 고습조 (85 ℃, 85 ％RH) 에 500 시간 방치한 후의 도통 저항을 4 단자법에 의해 측정하고, 측정한 저항치를 이하의 기준에 따라 평가하였다.
랭크 ： 내용
AA ： 3 Ω 미만
A ： 3 Ω 이상 5 Ω 미만
B ： 5 Ω 이상 10 Ω 미만
C ： 10 Ω 이상
Figure pct00003
Figure pct00004
표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, (메트)아크릴레이트계 모노머로서, 고리형 에스테르 잔기를 갖는 아크릴레이트를 사용한 실시예 1 ? 5 의 이방성 도전 필름은, 양호한 접착 강도, 도통 저항 및 접속 신뢰성을 나타냈다. 또한, 고리형 카보네이트아크릴레이트를 사용한 실시예 5 의 이방성 도전 필름은, 락톤아크릴레이트를 사용한 실시예 1 ? 4 의 이방성 도전 필름에 비해, 특히 접착 강도에 있어서 우수하였다.
한편, 고리형 에스테르 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용하지 않고, 사슬형 에스테르아크릴레이트［CH2CHCOOCH2CH2OCOCH2CH2COOH］를 사용한 비교예 1 의 이방성 도전 필름은, 접착 강도, 도통 저항 및 접속 신뢰성에 대하여, 어느 실시예의 이방성 도전 필름보다 열등하였다.
또, 표 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ? 5 의 이방성 도전 필름에 절연성 접속층을 적층한 실시예 6 ? 15 의 적층형 이방성 도전 필름도, 동일한 결과를 나타냈다.
한편, 고리형 에스테르 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용하지 않고, 사슬형 에스테르아크릴레이트［CH2CHCOOCH2CH2OCOCH2CH2COOH］를 사용한 비교예 2 및 3 의 2 층 구조의 이방성 도전 필름은, 접착 강도, 도통 저항 및 접속 신뢰성에 대하여, 실시예 6 ? 15 의 어느 2 층 구조의 이방성 도전 필름보다 열등하였다.
실시예 16
γ-부티로락톤-2-일아크릴레이트 대신에 γ-부티로락탐-2-일아크릴레이트를 사용하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 이방성 도전 필름을 제조하고, 평가하였다. 그 결과, 실시예 1 의 이방성 도전 필름과 동일한 결과였다.
산업상 이용가능성
본 발명의 이방성 도전 필름에 의하면, 유기 과산화물로 라디칼 중합을 개시하는 아크릴계 모노머를 열경화성 접착 주성분으로서 사용하는 이방성 도전 필름의 접착 강도를, 인산기 함유 아크릴레이트를 사용하지 않고 향상시킬 수 있다. 따라서, 반도체 장치 등의 접속 구조체의 제조에 유용하다.

Claims (8)

  1. 도전 입자가, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 분산되어 이루어지는 이방성 도전 필름에 있어서, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물이 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는, (메트)아크릴레이트계 모노머를 함유하는, 이방성 도전 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트가, 이하 식 (1)
    Figure pct00005

    (식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기이고, R2 는 알킬렌기 또는 알킬옥시기이고, R3 은 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 할로겐 원자이고, n 은 0 ? 3 의 정수이고, R4 는 존재하지 않거나 또는 산소 원자로 치환해도 되는 알킬렌기이고, R4 가 존재하지 않는 경우, R4 의 양측 점선은 그것들로 단결합을 나타내고, X1 은 존재하지 않거나 또는 산소 원자 혹은 탄소 원자이고, X1 이 존재하지 않는 경우, X1 의 양측 실선은 그것들로 단결합을 나타내고, X2 는 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자이다)
    의 구조식으로 나타내어지는, 이방성 도전 필름.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    고리형 에스테르 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트가, 이하 식 (2) 또는 (3)
    Figure pct00006

    의 구조식 (식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기이다) 으로 나타내어지는, 이방성 도전 필름.
  4. (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물과 라디칼 중합 개시제와 성막용 수지를 함유하는 절연성 접착제 조성물에 도전 입자를 균일하게 분산 혼합하고, 얻어진 혼합물을 박리 필름에 도포하고, 건조시킴으로써 이방성 도전 필름을 제조하는 방법에 있어서, (메트)아크릴레이트계 모노머 조성물로서, 고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용하는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    고리형 에스테르 잔기 또는 고리형 아미드 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트가, 이하 식 (1)
    Figure pct00007

    (식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기이고, R2 는 알킬렌기 또는 알킬옥시기이고, R3 은 알킬기, 알킬렌기, 아릴기 또는 할로겐 원자이고, n 은 0 ? 3 의 정수이고, R4 는 존재하지 않거나 또는 산소 원자로 치환해도 되는 알킬렌기이고, R4 가 존재하지 않는 경우, R4 의 양측 점선은 그것들로 단결합을 나타내고, X1 은 존재하지 않거나 또는 산소 원자 혹은 탄소 원자이고, X1 이 존재하지 않는 경우, X1 의 양측 실선은 그것들로 단결합을 나타내고, X2 는 산소 원자, 질소 원자 또는 황 원자이다)
    의 구조식으로 나타내어지는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    고리형 에스테르 잔기를 갖는 (메트)아크릴레이트가, 이하 식 (2) 또는 (3)
    Figure pct00008

    의 구조식 (식 중, R1 은 수소 원자 또는 메틸기이다) 으로 나타내어지는, 이방성 도전 필름의 제조 방법.
  7. 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 개재하여 이방성 도전 접속되어 이루어지는, 접속 구조체.
  8. 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가, 이방성 도전 필름을 개재하여 이방성 도전 접속되어 이루어지는 접속 구조체의 제조 방법에 있어서,
    제 1 전자 부품의 단자 상에 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름을 가(假)점착하고,
    가점착된 이방성 도전 필름 상에 제 2 전자 부품을, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자가 대향하도록 가설치하고,
    가설치된 제 2 전자 부품을 가열 가압함으로써, 제 1 전자 부품의 단자와 제 2 전자 부품의 단자를 이방성 도전 접속하는, 접속 구조체의 제조 방법.
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KR1020127018903A KR101312748B1 (ko) 2010-07-21 2011-07-19 이방성 도전 필름, 접속 구조체 및 그들의 제조 방법

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101583691B1 (ko) * 2012-10-10 2016-01-08 제일모직주식회사 이방 전도성 접착 조성물 및 이를 이용한 이방 전도성 필름
CN104884246B (zh) 2012-12-27 2017-08-29 3M创新有限公司 用于氧化铟锡层的涂层
JP2015025028A (ja) * 2013-07-24 2015-02-05 日立化成株式会社 接続材料、これを用いた接続構造体及びその製造方法
JP6127806B2 (ja) * 2013-07-24 2017-05-17 日立化成株式会社 接続材料、接続構造体及びその製造方法
CN107408422A (zh) * 2015-03-11 2017-11-28 思美定株式会社 导电性结构体、以及导电性结构体的制造方法
EP3353257A1 (en) * 2015-09-21 2018-08-01 LORD Corporation Adhesive composition and method for bonding
CN110392708B (zh) * 2017-02-20 2021-11-09 洛德公司 基于接枝树脂的粘合剂组合物
KR20200140809A (ko) * 2018-04-04 2020-12-16 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 절연성 입자를 갖는 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
WO2020235530A1 (ja) * 2019-05-20 2020-11-26 リンテック株式会社 粘着剤組成物および粘着シート
US20230242797A1 (en) * 2020-05-07 2023-08-03 Lintec Corporation Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive, pressure-sensitive adhesive sheet, and laminate

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5639546A (en) * 1991-09-03 1997-06-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coated article having improved adhesion to organic coatings
CA2425983A1 (en) * 2000-10-23 2003-04-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Coated particle
JP3803286B2 (ja) 2001-12-03 2006-08-02 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP2003313533A (ja) 2002-04-23 2003-11-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電性接着剤
DE10259451A1 (de) * 2002-12-19 2004-07-08 Tesa Ag Haftklebeartikel mit wenigstens einer Schicht aus einer thermisch leitfähigen Haftklebemasse und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3921459B2 (ja) 2003-07-11 2007-05-30 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 電気部品の実装方法及び実装装置
JP2005036081A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Mitsubishi Chemicals Corp ５員環カーボネート基を有する（メタ）アクリル酸系共重合体及びそれを含有する硬化性樹脂組成物
US7045586B2 (en) * 2003-08-14 2006-05-16 Dow Corning Corporation Adhesives having improved chemical resistance and curable silicone compositions for preparing the adhesives
DE102004002279A1 (de) 2004-01-16 2005-08-04 Tesa Ag Orientierte Acrylathaftklebemassen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JP4741286B2 (ja) 2004-06-11 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
KR100601341B1 (ko) * 2004-06-23 2006-07-14 엘에스전선 주식회사 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 접착필름
JP4878778B2 (ja) 2005-06-01 2012-02-15 富士フイルム株式会社 導電性ハードコートフィルム、反射防止フィルム、偏光板、及び画像表示装置
JP4631689B2 (ja) * 2005-12-14 2011-02-16 ダイキン工業株式会社 イオン伝導体
EP2121595A1 (de) * 2007-02-15 2009-11-25 Basf Se Katalytisches verfahren zur herstellung von (meth)acrylsäureestern von n-hydroxyalkylierten lactamen
JP5181220B2 (ja) 2007-04-19 2013-04-10 日立化成株式会社 回路接続用接着フィルム、接続構造体及びその製造方法
JP2009057518A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Institute Of Physical & Chemical Research 異方性フィルムおよび異方性フィルムの製造方法
JP5131109B2 (ja) * 2007-09-20 2013-01-30 東レ株式会社 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート
US20090142593A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive tape
TWI389999B (zh) 2007-12-18 2013-03-21 Cheil Ind Inc 黏著性組成物及使用該黏著性組成物的各向異性導電膜
KR101665534B1 (ko) * 2008-07-28 2016-10-13 다우 코닝 코포레이션 복합 물품
JP5509738B2 (ja) 2008-09-30 2014-06-04 デクセリアルズ株式会社 アクリル系絶縁性接着剤
JP2010111847A (ja) 2008-10-09 2010-05-20 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物及び接続体
CN103443072B (zh) * 2011-01-28 2016-05-18 巴斯夫欧洲公司 包含肟磺酸酯作为热固化剂的可聚合组合物

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